-
2004
Горшков, Виталий Валерьевич
Методы зонной рекристаллизации можно условно разделить по форме на: полосковые и точечные; по источнику энергии - на: полосковые нагреватели (графитовые стержни, вольфрамовые нити), лазеры, источники некогерентного излучения, электронные пушки. Из перечисленных методов электронную пушку, генерирующую плоский электронный луч выгодно отличают
-
2004
Иванов, Андрей Владимирович
Практическая реализация электрически управляемых сегнетоэлектрических СВЧ устройств, оценка их параметров и предельных возможностей связаны с решением следующих научно-технических проблем
-
2004
Туринов, Валерий Игнатьевич
Когда же требуется высокая чувствительность и быстродействие, то на диапазон 3. 5 мкм отдают предпочтение приемникам на InSb [1], а на 8. 14 мкм приемникам из CdHgTe [2]. Отметим, что акцент разработок на этих материалах сместился в последнее время на создание фотодиодных линеек и матриц [3-5
-
2004
Васильев, Алексей Андреевич
В последние десятилетия микроэлектроника развивалась в основном в направлении создания все более мощных средств обработки информации. При этом внимание, уделявшееся средствам получения первичной информации об окружающем мире, было явно недостаточным. Особенно это относится к микроэлектронным устройствам, предназначенным для сбора информации о
-
2004
Бобринецкий, Иван Иванович
В качестве одних из возможных конкурентов кремниевой технологии рассматриваются различные типы приборов на основе нанопроводов, которые являются непосредственным следствием уменьшения поперечных размеров структур
-
2004
Глуховской, Евгений Геннадьевич
На данный момент в перечисленных научно-технических областях одними из наиболее актуальных остаются следующие проблемы: сборка" молекул с заданным строением, функциональными свойствами, расположением на подложке (проблема архитектурно-технологическая); взаимодействие с соседними молекулами (ближайшим молекулярным окружением), функциональные связи
-
2004
Мамедов, Дмитрий Сергеевич
Ламповые источники «белого света» на основе ламп накаливания и газоразрядных ламп обладают тем несомненным преимуществом, что их спектр излучения может быть очень широким и «накрывать» одновременно ближнюю ультрафиолетовую, видимую области света, а также распространяться в широком диапазоне инфракрасного (ИК) излучения, что не наблюдается н-и у
-
2004
Левичев, Максим Юрьевич
В настоящее время сверхпроводящая электроника является быстро развивающимся разделом физики. Открытие в 1962г. эффекта Джозефсона [1, 2] дало мощный импульс к её развитию и позволило создать множество электронных приборов на его основе, таких как сверхпроводящие интерферометры, усилители на их основе, смесители на базе структур сверхпроводник
-
2004
Сусляков, Юрий Васильевич
А £ частности соединений А В [4-6]. Однако, за исключением CdTe, все полупроводники соединений А2В6 обладают монополярной проводимостью: ZnS, ZnSe, CdS, CdSe -электронной, ZnTe - дырочной [7]. Поэтому получить р-п-переходы в этих материалах весьма затруднительно. Естественным разрешением этого вопроса является создание гетеропереходов
-
2003
Душкин, Игорь Валерьевич
Перспективным является метод БОЗМ, с применением кварцевых резонаторов камертонного типа, к которым крепится заостренное металлизированное оптоволокно, использующий резонансный режим СЗМ и обеспечивающий одновременное исследование топографии поверхности и ее оптических свойств. Важное практическое значение имеет метод, использующий модуляцию
-
2003
Бухаров, Владимир Эдуардович
Достоверность полученных результатов обеспечивается применением общепризнанных методик численных расчетов и аналитических преобразований, совпадением в областях применимости аналитических решений результатов численных и аналитических расчетов, переходом получаемых результатов в известные в предельных случаях, а также соответствием результатов
-
2003
Адамян, Александр Гариивич
-
2003
Силаков, Михаил Валерьевич
Наряду с вышесказанным основной причиной ограниченного использования различных видов электронной литографии является наличие эффекта многократного рассеяния электронов в резисте и их обратного рассеяния от подложки (эффект близости) [2]. В ЭЛ литографии при создании масок для рентгеновской и проекционной электронной литографий эффект нежелательной
-
2003
Егоркин, Владимир Ильич
ПАПЗ по конструкции проще и надежнее известных приборов с зарядовой связью (ПЗС), у них отсутствует многоэлектродная структура управления переносом, функции, которой выполняет акусто-электрическая волна. По быстродействию ПАПЗ превосходят ПЗС почти на три порядка. Ранее на ПЗС было изготовлено множество функциональных устройств обработки
-
2003
Клецов, Алексей Александрович
При теоретическом описании и экспериментальных исследованиях взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми приборами оказывается необходимым рассматривать не только физические процессы, протекающие в полупроводниковых структурах при воздействии на них СВЧ-излучения, но и решать сложные задачи по нахождению
-
2003
Швец, Александр Валерьевич
Одним из способов решения этой проблемы является использование планарного МОП транзистора в качестве силового элемента, который самоизолирован от других приборов обратносмещенным р-n переходом. Однако традиционные планарные МОП транзисторы имеют малое пробивное напряжение стокового перехода и значительное сопротивление в открытом состоянии, а
-
2003
Сычевский, Виталий Алексеевич
Проблема создания новых типов координатных детекторов является многоплановой, и включает в себя поиск новых взаимосвязанных приборных, схемотехнических и технологических решений
-
2003
Козлов, Дмитрий Владимирович
Стимулированное излучение в одноосно деформированном Ge авторы [10-15] объясняют переходами дырок из инверсно-заселенного резонансного состояния в локализованные акцепторные состояния в запрещенной зоне. В одноосно деформированном p-Ge резонансные (или квазистационарные) состояния акцепторов возникают из-за расщепления подзон легких и тяжелых
-
2003
Поливанов, Андрей Павлович
Отказ производителей микросхем выпускать радиационно-стойкие образцы привел к тому, что разработчики современной БА космических аппаратов вынуждены применять коммерческие электронные изделия, не сертифицированные для военного применения и, в частности, не обладающие необходимой
-
2003
Гришаков, Владимир Владимирович
Одним из самых простых методов борьбы с зарядом в диэлектрике было уменьшение толщины подзатворной диэлектрической пленки. Этот метод сравнительно просто реализуется в современных условиях производства интегральных микросхем (ИМС). Однако возникает другая проблема, связанная с утечками вдоль канала МОП транзистора вследствие накопления заряда в
