автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на лавинно-пролетные диоды и СВЧ-транзисторы с барьером Шоттки

ВВЕДЕНИЕ.

1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В РЕЖИМЕ БОЛЬШОГО СИГНАЛА.

1.1. Анализ результатов исследование сложных динамических режимов работы лавинно-пролетных диодов.

1.2. Эффекты, связанные с нелинейной зависимостью параметров ЛПД от амплитуды переменного сигнала, воздействующего на диод.

1.3. Анализ результатов исследований характеристик СВЧ-транзисторов в режиме большого сигнала.

2. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОГО УРОВНЯ МОЩНОСТИ НА ЛАВИННО-ПРОЛЕТНЫЕ ДИОДЫ.

2.1. Экспериментальное исследование вольтамперных характеристик лавинно-пролетных диодов в сильном СВЧ-поле.

2.2. Модель лавинно-пролетного диода, находящегося под воздействием сильного СВЧ-поля.

2.3. Компьютерное моделирование характеристик в сильном СВЧ-поле.

3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОГО УРОВНЯ МОЩНОСТИ НА ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ.

3.1. Нелинейная модель СВЧ-усилителя на полевом транзисторе с барьером Шоттки в режиме большого сигнала.

3.2. Компьютерное моделирование сложных динамических режимов работы СВЧ-усилителей на GaAs ПТШ.

3.3. Исследование влияния СВЧ-излучения высокого уровня мощности на работу полевого СВЧ-транзистора с барьером Шоттки с учетом цепи обратной связи.

К перспективным научным направлениям современной твердотельной электроники и радиофизики можно отнести исследование физических процессов в полупроводниковых элементах, используемых для генерации, усиления и преобразования СВЧ-колебаний, таких как биполярные и полевые СВЧ транзисторы, лавинно-пролетные диоды, диоды Ганна и туннельные диоды [1-6].

Важным фактором, стимулирующим проведение этих исследований, является открытие новых физических эффектов в полупроводниках, позволяющих разрабатывать устройства СВЧ различного назначения: полупроводниковые приборы для преобразования и управления энергией электромагнитных волн, генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний [1,7-15].

Применение в диапазоне СВЧ новых полупроводниковых элементов создает реальные условия для дальнейшего прогресса и совершенствования сверхвысокочастотной радиоаппаратуры. Появление таких типов полупроводниковых приборов СВЧ, как лавинно-пролетные диоды, диоды Ганна, туннельные диоды, СВЧ-транзисторы и p-i-n-диоды, существенно изменило способы генерирования, модуляции и приема СВЧ сигналов. Это во многих случаях ведет к изменению коренных принципов конструирования приборов и систем сверхвысоких частот. Классические способы управления СВЧ-мощностью также претерпели значительные изменения с появлением полупроводниковых приборов.

При теоретическом описании и экспериментальных исследованиях взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми приборами оказывается необходимым рассматривать не только физические процессы, протекающие в полупроводниковых структурах при воздействии на них СВЧ-излучения, но и решать сложные задачи по нахождению распределения поля в электродинамической системе с полупроводниковыми элементами. Стараясь более строго решить электродинамическую задачу, авторы часто представляют полупроводниковые активные элементы, используя сильно упрощенные модели. Взаимодействие электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с полупроводниковыми элементами в конкретных электродинамических системах и зависимости параметров полупроводниковых структур от уровня мощности воздействующего СВЧ-сигнала к настоящему времени изучены недостаточно [16-24]. Анализ особенностей изменения стационарных и высокочастотных характеристик лавинно-пролетных диодов и арсенид галлиевых полевых транзисторов при высоком уровне мощности внешнего СВЧ-сигнала был проведен авторами работ [25, 26, 27, 28-30, 31], однако глубина этих исследований на сегодняшний день является уже недостаточной.

При описании свойств полупроводниковых приборов на СВЧ часто считают возможным использовать их стационарные или малосигнальные характеристики (вольт-амперную характеристику, импеданс) [32-34]. Такой подход в ряде случаев позволяет успешно конструировать различного типа СВЧ-устройства на полупроводниковых приборах. В то же время ясно, что с увеличением уровня воздействующей СВЧ-мощности возможно существенное изменение свойств полупроводниковых приборов [35,36].

В настоящее время для получения наибольшей мощности излучения в коротковолновой части СВЧ-диапазона в качестве активных элементов генераторов обычно используются лавинно-пролетные диоды. В работе [37] описан GaAs лавинно-пролетный диод, использующийся для генерации электромагнитных колебаний на частоте 200 ГГц мощностью 0.3 Вт. Авторами работы [38] исследован генератор на кремниевом лавинно-пролетном диоде миллиметрового диапазона длин волн с уровнем импульсной мощности десятки ватт. Авторами работ [39, 40] исследован СВЧ-генератор на ЛПД из карбида кремния мощностью 2.7 кВт на частоте 35 ГГц .

При воздействии внешнего СВЧ-сигнала на лавинно-пролетные диоды, работающие в режиме генерации СВЧ-колебаний, может наблюдаться возникновение сложных динамических режимов, а именно: генерация субгармоник, частотная и амплитудная модуляции, хаотические колебания [41-45]. При теоретическом описании таких режимов обычно исходят из предположения, что стационарные вольтамперные характеристики (ВАХ) ЛПД при воздействии внешнего СВЧ-сигнала можно считать неизменными. Корректность такого предположения и возможность качественного изменения вида ВАХ для ЛПД ранее ни экспериментально, ни теоретически не проверялись. В работе [27] исследовано изменение вольтамперной характеристики лавинно-пролетного диода вследствие проявления детекторного эффекта при уровне входной СВЧ-мощности ~100 мВт.

Следует также заметить, что одним из основных типов полупроводниковых приборов, использующихся в радиоэлектронной аппаратуре СВЧ, является арсенид-галлиевый полевой транзистор с барьером Шотки (GaAs ПТШ), на основе которого создаются устройства повышенного уровня мощности, работающие на частотах до 30 ГГц [4648]. В лучших образцах мощных полевых транзисторов на GaAs типичные значения максимальной удельной выходной мощности превышают 1 Вт/мм (Вт на миллиметр длины затвора) [4]. Специфика нелинейного режима работы GaAs ПТШ в настоящее время изучена недостаточно. Авторами работ [28, 30, 31] отмечена возможность возникновения в некоторых режимах работы GaAs ПТШ субгармонических составляющих в спектре выходного сигнала СВЧ-усилителей на их основе.

Таким образом, проведение экспериментальных и теоретических исследований характеристик лавинно-пролетных диодов при воздействии внешнего СВЧ-сигнала высокого уровня мощности и нелинейного поведения полевых СВЧ-транзисторов с барьером Шоттки среднего уровня мощности, работающих в режиме усиления и генерации СВЧ-колебаний, является актуальным, и представляет научный и практический интерес.

С учетом вышесказанного была сформулирована цель диссертационной работы:

1) экспериментальное исследование и математическое моделирование характера изменения вольтамперных характеристик лавинно-пролетных диодов;

2) теоретическое исследование особенностей нелинейного поведения СВЧ полевого транзистора с барьером Шоттки среднего уровня мощности, работающего в режиме усиления, с учетом возбуждения в нем колебаний с частотами, лежащими в более низкочастотном диапазоне, в зависимости от уровня входной СВЧ-мощности.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

• экспериментальное и теоретическое исследование изменения вида вольтамперных характеристик лавинно-пролетных диодов при воздействии на них мощного СВЧ-сигнала,

• проведение компьютерного моделирования режимов работы усилителей на арсенид-галлиевом полевом транзисторе с барьером Шоттки при воздействии на него внешнего СВЧ-сигнала, с учетом возбуждения в нем колебаний с частотами, лежащими в более низкочастотном диапазоне.

Новизна исследований, проведенных в ходе диссертационной работы, состоит в следующем:

• экспериментально обнаружен и описан теоретически эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления N-типа на стационарных вольтамперных характеристиках лавинно-пролетных диодов при воздействии на них мощного СВЧ-сигнала;

• в результате компьютерного моделирования установлено, что выбором параметров элементов обратной связи возможно реализовать сложные динамические (квазипериодические) режимы генерации низкочастотных колебаний в цепях с GaAs ПТШ;

• теоретически, с учетом возбуждения колебаний в низкочастотном диапазоне с периодом некратным периоду входного СВЧ-сигнала, установлена возможность существования субгармонических составляющих в спектре выходного сигнала GaAs ПТШ в режиме усиления колебаний; на плоскости параметров (Рвх,Я0б) установлена область существования субгармонических составляющих в спектре выходного сигнала.

Достоверность полученных теоретических результатов обеспечивается строгостью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям, выполнимостью предельных переходов к известным решениям, соответствием результатов расчета эксперименту. Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением стандартной измерительной аппаратуры, обработкой экспериментальных данных с использованием компьютеров.

Практическая значимость полученных результатов:

• знание условий, при которых происходит возникновение отрицательного дифференциального сопротивления на стационарных вольтамперных характеристиках лавинно-пролетных диодах в результате воздействия на них излучения с высоким уровнем СВЧмощности, может быть использовано при конструировании генераторов и усилителей, уточнения областей их применения;

• определение параметров элементов цепи обратной связи, при которых происходит либо хаотизация выходного сигнала GaAs ПТ1Н, работающего в режиме возбуждения колебаний в низкочастотном диапазоне с периодом некратным периоду входного СВЧ-сигнала, либо его регуляризация, позволяет конструировать устройства с заранее прогнозируемыми выходными параметрами;

• определение условий возникновения субгармонических составляющих в спектре выходного сверхвысокочастотного сигнала GaAs ПТШ в режиме возбуждения колебаний в низкочастотном диапазоне с периодом некратным периоду входного СВЧ-сигнала может быть использовано для уточнения режимов их эксплуатации и выработки требований к элементам конструкции транзисторных СВЧ-устройств.

Основные положения, выносимые на защиту: h Воздействие внешнего СВЧ-сигнала на лавинно-пролетные диоды может приводить к возникновению на их стационарных вольтамперных характеристиках участков отрицательного дифференциального сопротивления А^-типа.

2, Учет детекторного эффекта, разогрева носителей заряда и зависимости импеданса полупроводниковой структуры от уровня входной СВЧ-мощности позволяет адекватно объяснить экспериментально наблюдающийся эффект возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на вольтамперных характеристиках лавинно-пролетных диодов при воздействии на них высокого уровня СВЧ-мощности.

При воздействии СВЧ-сигнала с постоянным уровнем мощности на GaAs ПТШ кратность субгармонических составляющих в спектре выходного сигнала транзистора при постоянном уровне мощности входного сигнала уменьшается с ростом напряжения в цепи питания исток—затвор GaAs ПТШ.

4 Размер области существования субгармонических составляющих в спектре выходного сигнала GaAs ПТШ на плоскости параметров (входная мощность, активное сопротивление цепи обратной связи) вдоль оси ординат имеет максимум.

5. Колебательный процесс, возникающий в полевом транзисторе с малым значением потерь в контуре обратной связи, представляет последовательность радиоимпульсов с высокочастотным заполнением. Изменение параметров элементов цепи обратной связи в эквивалентной схеме реального GaAs ПТШ способствует либо хаотизации выходного сигнала транзистора в режиме усиления, либо его регуляризации.

Апробация работы:

Работа доложена на:

I-ой Международной научно-технической конференции "Физика и технические приложения волновых процессов". Россия, Самара, 2001;

II-ой Международной конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» КрыМиКо 2001. Севастополь, Крым, Украина, 2001 г.;

6-ой Международной школе "Хаотические автоколебания и образование структур»". Россия, Саратов, 2001 г.;

3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе». МЭПП-2001. Азербайджан, Баку-Сумгаит, 2001 г.;

8-ой Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Дивноморское, Россия, 2002 г; на семинаре кафедры физики твердого тела Саратовского государственного университета им. Н.Г. Чернышевского.

Работа выполнена на кафедре физики твердого тела Саратовского государственного университета им. Н.Г. Чернышевского.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 6 работ [49-54].

Личный вклад автора выразился в участии в проведении всего объема экспериментальных работ, в создании теоретических моделей, описывающих результаты экспериментов, проведении компьютерного моделирования и анализе полученных результатов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы. В работе содержится 105 страниц, 32 рисунка и список литературы из 111 наименований.

Основные результаты диссертационной работы могут быть сформулированы следующим образом:

Экспериментально обнаружен и теоретически описан эффект возникновения в сильном СВЧ-поле области отрицательного дифференциального сопротивления А-типа на прямой и обратной ветвях вольтамперных характеристик лавинно-пролетных диодов. ; {:

Показано, что описание экспериментально обнаруженного эффекта !' I ■ ^ возможно при использовании модели, учитывающей изменение токопереноса в диодной структуре вследствие разогрева носителей заряда полем СВЧ, изменение соотношения между отраженной и поглощенной мощностью в электродинамической системе с лавинно-пролетным диодом и эффект детектирования.

Описан колебательный процесс, возникающий в полевом транзисторе с малым значением потерь в контуре обратной связи и представляющий последовательность радиоимпульсов с высокочастотным заполнением. Установлено, что изменение параметров обратной связи, может либо способствовать хаотизации выходного сигнала арсейид галлиевого полевого транзистора с барьером Шоттки, либо регуляризовать его. 1

Сделан вывод о тенденции, заключающейся в уменьшении кратности субгармонических составляющих в спектре выходного сигнала с ростом напряжения в цепи питания исток—затвор при постоянном уровне мощности входного сигнала.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ. Под ред. Хауэса М., Моргана Д./ Пер. с англ. под ред. д-ра физ.-мат. наук Эткина B.C.// М. Мир. 1979. 444 с.

2. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999. 376 ci.j

3. Тагер А.С., Вальд-Перлов В.М. Лавинно-пролетные диоды и1 Т ! i'и Иприменение в технике СВЧ. М.: Сов. Радио. 1968. 480 с. ; ;1!

4. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия./ М. Мир.1..1991. 632 с.

5. Luy J.-F., Russer P. Silicon-Based Milimeter-Wave Devices. Springer Series in Electronics and Photonics. Springer-Verlag Berlin Heidelberg. 1994. 350 p.

6. Серьезнов A.H., Степанова JI.H., ФилинюкН.А. и др. Негатроника. -Новосибирск: Наука. Сибирская издательская фирма РАН, 1995. -315с.

7. Кэролл Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах/ Пер. с англ. под ред. Б.Л. Гельмонта. М.: Мир. 1972. 384 с. ; ,

8. Каганов В.И. СВЧ полупроводниковые передатчики. М.: Радио и • связь. 1981. 400 с.

9. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение. Под ред. Уоткинса Г./ Пер. с англ. под ред. Эткина B.C.// М. Мир 1972. 662 с.

10. Давыдова Н.С., Данюшевский Ю.З. Диодные генераторы иiiij.-ii.,:усилители СВЧ//М. Радио и связь. 1986. 184 с. ,

11. Вайсблат А.В. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах// М. Радио и связь. 1987. 120 с. ■

12. Долманов И.Н., Толстихин В.И., Еленский В.Г. Полупроводников^ приборы с резонансным туннелированием электронов// Зарубежнаяi ■радиоэлектроника. 1990. №7. с.66-89. i i

13. Микроэлектронные устройства СВЧ// Г.И. Веселов, Е.Н. Егоров, Ю.Н. Алехин и др. Под ред. Г.И. Веселова. М.: Высш.шк. 1988. 280 с.

14. Лебедев И.В., Шнитников А.С., Купцов Е.И. Твердотельные СВЧ-ограничители проблемы и решения (обзор)// Изв. вуз. Радиоэлектроника. 1985. Т.28. №10. с.34-41. j |

15. Хелзайн Дж. Пассивные и активные цепи СВЧ/ М.: Радио и св^зь. 1981,- 200 с.

16. Зеегер К. Физика полупроводников/ М. Мир. 1977. 616.j.: ■

17. Бонч-Бруевич B.JL, Калашников С.Г. Физика полупроводников/ М. , Наука. 1977. 672 с.

18. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов/ М. Радио и связь. 1990. 264 с.

19. Иванов С.Н., Пенин Н.А., Скворцова Н.Е., Соколов Ю.Ф. Физические основы работы полупроводниковых СВЧ-диодов/ Мир. 1965. 192 с.

20. Полупроводниковые приборы СВЧ. Под ред. Бренда. Пер.с англ./ Мир. 1972. 148 с. ;1. ■ I

21. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн./ М. Мир. 1984. Кн.1 456 с. Кн.2 - 456 с.

22. Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ. Т.1/ М., Высшая школа, 1970. -439 с.

23. Милованов О.С., Собенин Н.П. Техника СВЧ/ М. Атомиздат, 463 с.

24. Шпирт В.А. Ограничительный диод. Электроника. Энциклопедический словарь// М. Сов. Энциклопедия. 1991. с. 334335. : : fb'j

25. Усанов Д.А., Посадский В.Н., Буренин В.Н. и др. Детекторный эффект в усилителях на диодах с переносом электронов// Радиотехника и электроника. 1977. Т. XIII. вып. 5. С. 1085 1086. i

26. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Детектирование МЭП-диодами, работающими в активном режиме // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1980. Вып. 10. С. 62-63.

27. Усанов Д.А., Безменов А.А., Орлов В.Е. в усилителях на лавинно-пролетных диодах// Изв. Вузов. Радиоэлектроника. 1980. Т.23. №10. с.63-64. |j|f

28. Усанов Д.А., Безменов А.А., Детектирование СВЧ полевыми транзисторами, работающими в активном режиме// Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ. 1986. Вып. 2. с. 19-21.

29. Усанов Д.А., Тяжлов B.C., Безменов А.А. Использование детекторного эффекта для настройки СВЧ-усилителей на транзисторах// Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ. 1989. Вып. 6. с. 8. Деп. в ЦНИИ "Электроника", № Р-5184.

30. Скрипаль, А.В., Усанов Д. А., Васильева А. В., Тяжлов В. С. ■ Моделирование СВЧ усилителей на GaAs ПТ1П, работающих внелинейном режиме// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 1998. Т.1, вып. 2-3. с. 30-32.

31. Тухаринов А.А. Импеданс базы переключательного /?ш-диода при прямом переходном процессе. 4.1. Импульс тока со ступенчатым фронтом// Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1981. Вып.5(329). с.8-13.

32. Тухаринов А.А. Импеданс базы переключательного pin-диода при прямом переходном процессе. 4.II. Импульс тока с линейным; d iШ' ■фронтом// Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. Вып.6(330). 1981. с.3-6.

33. Прима Н.А., Тхорик Ю.А. III Всесоюзное совещание по физическим явлениям в р-и-переходах в полупроводниках// Тезисы докладов. Тбилиси. 1966.

34. Пожела Ю.К., Репшас К.К. Термоэдс в полупроводниках, обусловленная горячими носителями тока// Лит. физ. сб. Т.6. №4. с. 523-537. . '|jf;;

35. Ашмонтас С.П., Олекас А.П., Ширмулис Э.И. Влияние разогрева носителей заряда на вид вольтамперной характеристики р-п-перехода германия//ФТП. 1985. Т.19. Вып.5. с.807-809.

36. Benz С., Freyer J. 200 GHz pulsed GaAs IMPATT diodes.// Electron Letters. 1998. vol.34. № 24. p. 2351-2353.

37. Карушкин Н.Ф., Касаткин Л.В. Импульсные твердотельные генераторы миллиметрового диапазона волн на ЛПД// Известия вузов. Радиоэлектроника. 1999. 42. № 9-10. с. 3-10.

38. Yuan, J.A. Cooper, Jr., M.R. Melloch, and K.J. Webb. Experimental"■

39. Demonstration of a Silicon Carbide IMP ATT Oscillator// IEEE Electron Device Letters. Vol. 22. №. 6. June. 2001. pp. 266-268.

40. Hines M.E. Large-signal noise frequency conversion and parametric instabilities in IMPATT diode networks// Proc. IEEE. 1972. Vol. 60, № 12. P.1534-1548.■ i

41. Gonda J. и Schroeder W. IMPATT diode design for parametric stability// IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1977. Vol. MTT-25. №5. P. i 352. ''ij.M|

42. Brazil Т., Scanlan S. Sell-consistent solutions for IMPATT diode networks// IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1981. Vol. MTT-29. №1. P.26-32.

43. Suarez A., Morales J., Quere R. Chaos prediction in a MMIC frequency divider in millimetric band// IEEE Microwave Guided Wave Lett. 1998. Vol. 8. №1. P. 21-23.

44. Беляев P.B., Жерновенков A.C., Залогин H.H., Мельников А И Экспериментальное исследование возбуждения шумовых колебаний в генераторах на лавинно-пролетных диодах// Радиотехника и электроника. 1996. Т. 41, № 12. С. 1484-1489.

45. Данилин В.Н., Кушниренко А.И., Петров Г.В. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ. М.: Радио и связь, 1985.- 192 с.

46. Арсенид галлия в микроэлектронике/ Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир. 1988. 555 с.

47. Стеркин В.Б., Тяжлов B.C. GaAs СВЧ-усилители бегущей волны: Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ.I

48. ЦНИИ "Электроника". 1988. Вып. 4 (1331). 43 с.

49. Usanov D. A., Skripal Al. V., Skripal An., Abramov A.V., Kletsov A.A. ■ Nonlinear dynamics of semiconductor microwave and optical oscillators//1.vestiya VUZ. Applied Nonlinear Dynamics. 2002. Vol. 10, № 3. P. 159-171.

50. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Клецов A.A. Исследование нелинейных режимов работы генератора на ЛПД// Тезисы докладов

51. Шестой Международной школы "Хаотические автоколебания1иобразование структур". Россия. Саратов. 2-7 октября 2001 г. Саратов: Изд-во ГосУНЦ «Колледж». 2001. С. 110-111. 54. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Клецов А.А. Отрицательное

52. Изд-во Сумгаитского ГУ, 2001. С. 99.

53. Richardson R.E., Puglielli V.G., Amadori R.A. Microwave interference effect in bipolar transistors// IEEE Trans, on Electromagnetic Compatibility. 1975. Vol. EMC-18. № 4. P. 216 219.

54. Усанов Д.А., Безменов А.А., Вагарин А.Ю. и др. Детекторной

55. Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе». МЭПП-2001. Азербайджан. Баку-Сумгаит. 16-18 октября 2001 г.83 84.эффект в СВЧ-усилителях на транзисторах// Электронная техника.

56. Коцержинский Б.А., Першин Н.А., Тараненков В.П. Метод исследования ГЛПД на открытых резонаторах// Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1981. Т. 24. № 10. С. 79 80.

57. Luglio J., Ishii Т.К. High efficiency FET microwave detector design// Microwave Journal. 1990. Vol. 32. № 12. P. 93 100.

58. Усанов Д.А., Безменов A.A., Вагарин А.Ю., Логинов В.М. Использование генераторов на биполярных транзисторах для измерения параметров материалов// Дефектоскопия. 1982. - № j| 1С. 79-80. I1!'

59. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Эффект автодинного детектирования в генераторах на диодах Ганна и его использование для контроля толщины и диэлектрической проницаемости материалов// Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1987. - Т. 30, № 10. - С. 76 - 77.

60. Hasler M.J. Electrical circuits with chaotic behaviour// Proc. of the IEEE. 1987. Vol. 75. № 8. P. 1009 1021.

61. Коростелев Г.Н., Сотов JI.С. Сложная динамика генераторов на диодах Ганна с низкочастотным контуром// Радиотехника и электроника. 1989. - Т. XXXI. вып. 9. - С. 1925 - 1929.

62. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Семенов А.А. Влияние напряжения смещения на стохастизацию колебаний в диодах Ганна в многоконтурной колебательной системе// Радиотехника и электроника. 1991. - Т. 36, вып. 12. - С. 2406 - 2409.

63. Муравьев В.В., Шалатонин В.И. Субгармонические бифурка: периода колебаний в диодах Ганна с внешним гармоническ воздействием// Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1993. - Т. 36, № 6. С. 61-67. I

64. Виненко В.Г., Красовский С.В., Усанов Д.А. Модуляция выходного , сигнала в СВЧ-ограничителях мощности на /7-/-л-диодах//

65. Электронная техника. Сер.1. 1987. Вып.4. С.38-39.

66. Linsay P.S. Period doubling and chaotic behaviour in a driven anharmonic oscillator// Phys. Rev. Lett. 1981. - Vol. 47, № 19. - P. 1349- 1352. ■■■ ||f"! .Ml 1'

67. Усанов Д.А., Посадский B.H., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В.i.ljl Ы!'"!j г

68. Эффективность умножения частоты с помощью полупроводниковых диодов в сильном СВЧ-поле// Материалы научно-технической конференции «Электронные приборы и устройства СВЧ». Саратов, 24-25 октября 2001. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2002. 120 с. С. 8690.

69. Усанов Д.А., Коротин Б.Н., Орлов В.Е., Скрипаль А.В. Влияние внешнего СВЧ-сигнала на работу СВЧ-генератора на туннельном диоде// Изв. Вузов. Радиофизика. 1991. т. 34. №1. с. 98-99.

70. Богачев В.М., Никифоров В.В. Транзисторные усилители мощности. М.: Энергия, 1978. - 344 с.

71. Наймарк Ю.И., Ланда П.С. Стохастические и хаотические колебания. М.: Наука, 1987. С. 423. •

72. Дмитриев А.С., Кислов В.Я. Стохастические колебани^;|| ;в радиофизике и электронике. М.: Наука, 1989. С. 278. -I

73. Анищенко B.C. Сложные колебания в простых системах. М.: Наука, 1990. С. 311.

74. Новиков А.А., Синицин В.В., Тагер А.С.// Изв. вузов. Радиофизика. 1979. Т. 22. №3. С. 380.

75. Беляев Р.В., Жерновенков А.С., Залогин Н.Н., Мельников А.И. Экспериментальное исследование возбуждения шумовых колебаний в генераторах на лавинно-пролетных диодах// Радиотехника! и электроника. 1996. том 41. № 12. j .

76. Suarez A., Abascal I., Collantes J.M., Luy J.F. Chaos Analysis in a Millimeter-Wave Self-Oscillating Mixer// IEEE Microwave And Guided Wave Letters, vol. 9. № 10. October. 1999.

77. Iglesias V., Suarez A., Garcia J.L. New technique for the determination through commercial software of the stable-operation parameter ranges in nonlinear microwave circuits// IEEE Microwave Guided Wave Lett. vol.8. pp. 424-426. Dec. 1998. j j,j i

78. Basu S., Maas S.M., Itoh T. Stability analysis for large signal design of a;il ы" :microwave frequency doubler// IEEE Trans. Microwave Theory Teck vol. 43. pp. 2890-2898. Dec. 1995. 1 '

79. Лошицкий П.П., Чайка B.E. Исследование механизмов возникновения стохастичности колебаний в генераторах на лавиннопролетных диодах// Радиофизика. Т. XXVIII. № 7. 1985.1. Mix:

80. Ходневич А.Д. Автоколебания в генераторе на лавинно-пролетном диоде// Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1969, № 3. с.89.98.

81. Корнилов С.А., Павлов В.М. Низкочастотные флуктуации в генераторе на ЛПД из арсенида галлия// Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. № 8. с. 89-98.

82. Усанов Д.А. Изменение характеристик полупроводников' j:j jприборов под воздействием на них СВЧ излучения// Изв. ву^ Электроника. 1997. №1.С.49-52.

83. Виненко В.Г., Красовский С.В., Усанов Д.А. Модуляция выходного сигнала в СВЧ-ограничителях мощности на p-i-n-диодах// Электронная техника. Сер.1. 1987. Вып.4. С.38-39.

84. Усанов Д.А., Коротин Б.Н., Орлов В.Е., Скрипаль А.В. Снятие вырождения в р- и п- областях р-и-перехода внешним СВЧсигналом// Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16, вып. 8. С.50-51. ,ttii:;

85. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Коротин Б.Н., Орлов В.Е. Влияние греющего СВЧ-поля на вид вольт-амперной характеристики туннельного диода//Письма в ЖТФ. 1993. Т.19, вып.7. С.81-85.

86. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе р-и-перехода в СВЧ-поле// ФТП. 1998. Т.32, №11. С.1399-1402.

87. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение S-образных участков на вольт-амперных характеристиках диодов с р-п-переходом под действием СВЧ-излучения// Письма в ЖТФ. 191. Т.25, №1. С.42-45. |

88. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Температурны зависимости вольт-амперных характеристик СВЧ-диодов на основе /?-/?-переходов в сильном СВЧ-поле// Изв. вузов. Электроника. 2000. №1. С.51-58.

89. Усанов Д.А., Безменов А.А., Логинов В.М. и др. Детекторный эффект в СВЧ-усилителях на полевых транзисторах// Электронная техника. Сер.1, Электроника СВЧ. 1984. Вып. 1. с. 32-34.

90. Forcier M.L., Richardson R.E. Microwave-rectification RFI responsj| field-effect transistors// IEEE Trans, on Electromagnetic Compatibi 1979. Vol. EMC-21,№ 4. P. 312-315. Hf Ifv

91. Bowers H.C. Space-charge-induced negative resistance in avalanche diodes// IEEE Trans. Electron Devices. 1968. Vol. ED-15. № 5. P.343-350.

92. Гринберг Г.С., Могилевская Л.Я., Хотунцев Ю.Л. Моделирование на ЭВМ нелинейных устройств на полевых транзисторах с барьером Шоттки// Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40. Вып. 3. С.49 502.

93. Materka A., Kacprzak Т. Computer calculation of large-signal GaAs FB amplifier characteristics// IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1985. Vol. MTT-33, № 2. P. 129-135. | '

94. Sah C.T., Noyse R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n-.unctions and p-n-junctions characteristics// Proc. IRE. 1957. Vol. 45, № 9. P.1228-1243.

95. Вейнгер А.И., Парицкий Л.Г., Акопян Э.А., Дадамирзаев Г.ш

96. ТермоЭДС горячих носителей тока на р-п-переходе// ФТП. 1975. вып. 2. с.216-224.

97. Микроэлектронные устройства СВЧ/ Г.И. Веселов, Е.Н. Егоров,

98. Ю.Н. Алехин и др. Под ред. Г.И. Веселова. М.: Высш. шк., 1988. 28и с.

99. Basu S., Maas S.A., Itoli Т. Experimental and Numerical Verification the Cause of Hopf Bifurcation in a Microwave Doubler// IEEE Microwa and Guided Letters. 1995. Vol.5. № 9. P.293-295.

100. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов.;)■ 1 I

101. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.

102. Хелзайн Дж. Пассивные и активные цепи СВЧ/ Пер. с англ. под ред. А.С. Галина. М.: Радио и связь, 1981. 200 с.

103. Гринберг Г.С., Могилевская Л.Я., Хотунцев Ю.Л. Моделирование на ЭВМ нелинейных устройств на полевых транзистораз с барьером Шоттки//Радиотехника и электроника. 1995. Т. 40. Вып. 3. С.498-502

104. Балыко А.К., Мартынов Я.Б., Тагер А.С. Проектирование автогенераторов на полевых транзисторах. Ч. 1. Модель автогенератора и методика его проектирования// Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1988. Вып. 1. с.29 33.

105. Usanov D.A., Skripal A.V., Tyajlov V.S., Vasilieva A.V.// XI Intern. Microwave Conf. MIKON—96. Poland. Warsaw. May 27-30. 1996. Vol. 2. P. 450-453.