-
2005
Заруба, Денис Владимирович
Апробация работы. Основные результаты работы представлялись на Всероссийских научно-технических конференциях «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (Таганрог, 2002 г.), на ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ (2000-2004 гг.), на IV и V
-
2005
Стукалов, Вадим Владиславович
Сенсорные элементы датчиков газов таких систем должны обладать максимально высокой чувствительностью, избирательностью, стабильностью свойств и технологичностью в производстве. Среди многообразия газовых сенсоров указанным требованиям наиболее подходят соединения на основе БпОг, ZnO, У205, 1п20з, СоО, М§0 и др. Наибольшее применение находит БпОг
-
2005
Коваленко, Алла Григорьевна
-
2005
Запороцкова, Ирина Владимировна
Модельные представления и квантовомеханические расчеты электронной структуры имеют и самостоятельную ценность, так как при достаточной корректности могут обеспечить более полную информацию об особенностях электронного строения вещества, чем известные экспериментальные методы, а также предсказать его возможные свойства и сферы применения. С другой
-
2005
Агеев, Олег Алексеевич
Одной из наиболее важных задач при проектировании и изготовлении приборов этого класса является создание контактов с заданными параметрами, стабильными при эксплуатации в условиях высоких температур и уровней радиации
-
2005
Драгунов, Валерий Павлович
В настоящее время в системах измерения переменных давлений наибольшее распространение получили датчики на основе пьезоэлектрического эффекта. Они имеют широкий диапазон измеряемых давлений, высокие резонансные частоты и большой температурный диапазон. В то же время их плохая совместимость с интегральными технологиями; высокое выходное
-
2005
Булатов, Андрей Николаевич
В последние годы развивается направление, основанное на создании и использовании металлических наносужений (квазиодномерные проводники) в качестве активных и пассивных элементов электроники. Свойства данного вида нанопроводников необычны и во многом уникальны. В зарубежных публикациях постоянно появляются работы, связанные с обнаружением новых
-
2005
Кузькин, Владимир Иванович
Эта возможность, называемая в современных источниках информации нанотехнологией, позволяет значительно расширить диапазон геометрических параметров искусственно созданных объектов применительно к микроэлектронике, которую в этом случае целесообразно называть наноэлектроникой
-
2005
Некоркин, Сергей Михайлович
Почему в подобных системах лазерные диоды приходится использовать как источники накачки твёрдотельных лазеров, а не как непосредственные источники когерентного излучения? Дело в том, что излучение лазерного диода, особенно мощного, имеет плохую временную и пространственную когерентность. Лазерные диоды обладают большой шириной спектральной линии
-
2004
Бирюков, Петр Геннадьевич
Усложнение функций ПС сотовой связи накладывает более жесткие требования на параметры канала связи и на их стабильность во время сеанса связи. В современных ССС для реализации этих жестких требований используется технология кодового разделения каналов (КРК). Это обусловлено рядом достоинств технологии КРК, и, в первую очередь, способностью
-
2004
Семенихин, Игорь Александрович
Полученные результаты дополняют современные теоретические представления о ВТСП, способствуют лучшему пониманию механизма воздействия примесей и дефектов на ВТСП
-
2004
Кибалов, Дмитрий Станиславович
Поток низкоэнергетических ионов может выступать в качестве фактора такого воздействия, при определенных условиях приводящего к самоформированию на поверхности ряда полупроводников периодической структуры в виде волнообразного микрорельефа с субмикронным значением длины волны. Однако к началу настоящей работы представленные в литературе
-
2004
Крупнов, Юрий Анатольевич
Анализируя состояние и перспективы дальнейшего развития ДМП можно разделить рынок микроэлектронных устройств на два класса [2]. К первому классу относятся дешевые устройства массового применения в стандартном применении, а ко второму -специализированные устройства, удовлетворяющие повышенным требованиям к функциональным характеристикам, точности
-
2004
Журавлев, Иван Васильевич
При определенных экспериментальных условиях облучения кремния потоком ионов N2+ на распыляемой поверхности формируется структура в виде планарного анизотропного периодического нанорельефа, основной элемент морфологии которого представлен волнами с периодом менее 100 нм. Данный тип морфологии отличается от "ripples" и в дальнейшем будет называться
-
2004
Востоков, Николай Владимирович
Развитие современной микро- и наноэлектроники было бы невозможно без микроскопических методов исследования. Требования к повышению степени интеграции микроэлектронных элементов, уменьшению их размеров, улучшению качества задают необходимость в точной локальной диагностике их различных физических свойств
-
2004
Анисимов, Василий Геннадьевич
Основным методом исследования дефектов упаковки в монокристаллах кремния выбран метод АПРЛ и розеточные методики на его основе. В качестве контрольного и дополнительного метода использовались методы секционной и проекционной топографии Ланга и двухкристальной топографии
-
2004
Негуляев, Николай Николаевич
Метод наведенного тока широко используется для исследования электрофизических свойств полупроводниковых материалов и приборов микроэлектроники [2]. Традиционными приложениями этого метода являются определение концентрации точечных дефектов и характеризация протяженных дефектов, дислокаций. Интерес к изучению свойств этих объектов особенно возрос в
-
2004
Демидова, Юлия Брониславовна
Таким образом, представленный конструктивно-технологический базис может быть использован для проектирования и изготовления на кремнии СВЧ сверхинтегрированных транзисторов и СВЧ микросхем радиочастотного диапазона
-
2004
Пурцхванидзе, Ираклий Андреевич
Микросистемная технология рождалась на базе применения различных видов микрообработки материалов конструкций МС. Природа материалов для МСТ может быть разнообразной: металлы и полупроводники (элементарные и соединения), диэлектрики (стекла, пластмассы и т.д.). Выбор материала диктуется доступность какого-либо вида микрообработки и его
-
2004
Фирсов, Николай Илларионович
Третья проблема-это проблема устойчивости новых ВТСП материалов по отношению к окружающей среде и термоциклированию. Другими словами, эта проблема деградации метрологических характеристик
