автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Схемотехника и моделирование полупроводниковых структур мощных аналогов негатронов, дефензоров и автогенераторов на их основе

На правах рукописи

Заруба Денис Владимирович

Схемотехника и моделирование полупроводниковых структур мощных аналогов негатронов, дефензоров и автогенераторов на их основе

05.27.01. Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых

эффектах.

05.12.04. Радиотехника, в том числе системы и устройства радионавигации, радиолокации и телевидения.

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Таганрог 2005 г.

Работа выполнена в Таганрогском государственном радиотехническом университете на кафедре технологии микро- и наноэлектронной аппаратуры

Научный руководитель: кандидат технических наук, доценг, Негоденко Олег Николаевич

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор Червяков Георгий Георгиевич - Таганрогский государственный радиотехнический университет;

кандидат технических наук, Пивоваров Иван Иванович - ФГУП НИИ Связи, г. Таганрог.

Ведущая организация: ОАО «Таганрогский завод «Прибой»

Защита состоится 2005 года в 14 минут на заседании диссертационного совета Д 212.259.04 Таганрогского государственного радиотехнического университета по адресу: 1. Таганрог, ул.. Шевченко, 2, корп. Е, ауд. Е-306_

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ТРТУ

Автореферат разослан 2005 года.

Ученый секретарь

диссертационного совета, -

кандидат технических наук, доцеийг"^ Старченко И.Б.

мььт

Общая характеристика работы

Актуальность темы. Транзисторные аналоги негатронов (АН) нашли применение в маломощных автогенераторах, автогенераторных датчиках, активных фильтрах, которые легко могут быть изготовлены в виде полупроводниковых интегральных микросхем. Сделаны попытки реализовать АН с М-образной вольт-амперной характеристикой (ВАХ) повышенной мощности для мощных автогенераторов, элементов защиты источников питания от последствий короткого замыкания в нагрузке, многократного действия (дефензо-ров). Изучены дефензоры на АН, на основе транзистора со встроенным в него тиристором или полевым транзистором, но ВАХ таких АН трудно регулируемы. Мощные автогенераторы на АН пока не исследованы. Потребности в мощных автогенераторах для медицинских приборов, сварочных аппаратов, устройств плавления металлов, управления пьезодвигателями, устройствах защиты источников питания от последствий короткого замыкания в нагрузке огромна. Именно поэтому целесообразно эти устройства изготавливать в виде мощных полупроводниковых интегральных микросхем.

Целью работы является синтез схем и моделирование мощных аналогов негатронов, построенных на их основе дефензоров и автогенераторов. Для достижения указанной цели предполагается решение следующих задач:

- исследование макетов модернизированных АН с мощными гранзисто-рами, АН со сложными составными транзисторами, выявление их особенностей, анализ частотных свойств составных транзисторов;

- формулирование требований к ВАХ АН для дефензоров;

- исследование макетов дефензоров, построенных на мощных АН;

- анализ условий реализации мощных автогенераторов на АН с электромеханическими преобразователями с компенсацией паразитных параметров преобразователей;

- разработка метода определения коэффициента полезного действия мощных автогенераторов на АН для выявления условий, при которых он максимален;

- компьютерное моделирование автогенераторов.

Научная новизна работы

- разработана методика проектирования микросхем сильноточных (0,1-5А) аналогов негатронов;

- разработан метод определения коэффициента полезного действия мощных автогенераторов на АН, позволивший определить условия, при которых коэффициент полезного действия автогенераторов максимален;

- определены условия возникновения колебаний в полупроводниковых структурах мощных автогенераторов на АН с электромеханическими преобразователями (пьезоэлектрическими, магнитострикционными, электромагнитными) при компенсации паразитных параметров преобразователей;

- обнаружен эффект появления повышенных выходных напряжений, в полупроводниковой структуре мощного автогенератора на АН с параллельным колебательным контуром.

Практическая ценность работы - ■

I ЮС. НАЦИОНАЛЬНАЯ I

| МНМ1Ш I

- получены модернизированные схемы аналогов динистора, в которых исключен резистор нагрузки, снижающий коэффициент полезного действия мощных автогенераторов;

- выявлены схемы АН на МДП-транзисторах, не содержащие резистор нагрузки;

- синтезированы схемы мощных АН с Т-образными ВАХ на основе составных транзисторов, изучены частотные свойства сложных составных транзисторов;

- реализованы мощные термостабильные дефензоры на АН;

- построен макет полупроводниковой структуры электронного сварочного аппарата работающего на эффекте появления повышенных выходных напряжений. в генераторе на АН с параллельным колебательным контуром;

- разработаны топологии микросхем мощных дефензоров и автогенераторов на аналогах негатронов.

Результаты диссертации использованы при выполнении научно-исследовательских работ выполняемых в рамках совместного гранта Министерства образования и науки РФ и Американского фонда гражданских исследований и развития №ЯЕС-004.

Апробация работы. Основные результаты работы представлялись на Всероссийских научно-технических конференциях «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (Таганрог, 2002 г.), на ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ (2000-2004 гг.), на IV и V международных научно-практических конференциях «Современные информационные и электронные технологии» (Одесса, 2003-2004 гг.), на IV и V международных научно-технических конференциях «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе» (Баку-Сумгаит, 2003-2004 гг), на семинаре «Проблемы современной аналоговой микросхемотехники» (Шахты, 2004).

Публикации. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 15 печатных работах, в том числе в 6 статьях и 9 тезисах докладов.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Использование модернизированных АН и составных транзисторов в АН с ]Ч-образной ВАХ позволяет увеличить рабочие токи до единиц-десятков ампер; рабочие частоты составных транзисторов в схеме с общей базой возрастают, а в схеме с общим эмиттером - понижаются или не изменяются

2 Сформулированным требованиям к ВАХ дефензоров удовлетворяют АН, построенные по принципу ответвления тока базы основного транзистора в дополнительную цепь.

3. В генераторах с пьезопреобразователем при компенсации паразитной емкости преобразователя индуктивностью катушки необходимо использовать АН с N-образной ВАХ, а в генераторах с электромагнитными преобразователями при компенсации паразитной индуктивности преобразователя емкостью разделительного конденсатора необходимо использовать АН с Я-образной ВАХ.

4. Предложенный упрощенный метод определения КПД мощных автогенераторов на АН позволяет определить условия получения максимального коэффициента полезного действия с погрешностью не более 5-10%.

5. В мощном автогенераторе на АН с М-образной ВАХ при параллельном ЬС-контуре в качестве частотозадающего элемента наблюдается эффект значительного превышения амплитуды колебаний на сопротивлении нагрузки по сравнению с напряжением питания.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитируемой литературы из 60 наименований, четырех приложений.

Общий объем диссертации составляет 120 страниц, включая 85 рисунков.

Краткое содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель и основные задачи, приведена структура и краткое содержание диссертации, охарактеризована научная новизна и практическая ценность полученных результатов, определены положения, выносимые на защиту. Приведены сведения об апробации диссертации, структуре и объеме.

В первой главе приведен обзор схем и структур маломощных АН, приведены формулы эквивалентного сопротивления и эквивалентной проводимости АН, приведены полупроводниковые структуры АН.

Вторая глава посвящена рассмотрению схем модернизированных аналогов динистора и АН на МДП-транзисторах, не требующих применения резистора нагрузки с большим сопротивлением, снижающего коэффициент полезного действия мощных автогенераторов.

Аналог динистора для установления рабочей точки на участке отрицательного сопротивления ВАХ при реализации автогенераторов требует включения между источником питания и аналогом динистора резистора нагрузки с сопротивлением, большим, чем отрицательное дифференциальное сопротивление. Устранить из схемы резистор нагрузки предлагается введением двух резисторов малого сопротивления в эмиттерные цепи фанзисторов (рис. 1, резисторы и 115).

Эквивалентное дифференциальное сопротивление между клеммами а и б:

п = -МзО+^ад) т

я5 + /?2 (/г5//г4 + 1)(л2/л, +1)~'

где ах,а2 - коэффициенты передачи по гоку в схеме с общей базой.

Исследованы мощные АН с М-обрашыми ВАХ на основе сложных составных транзисторов.

Составные транзисторы включаются в схему АН рис.2 вместо основного транзистора УТ1. На рис.3 приведена схема усложненного составного транзистора, ВАХ АН с составными транзисторами, представлены на рис. 4. Кривые 1 и 2 сняты при УП- КТ829 (собран по схеме Дарлингтона), УТ2, УТЗ-КТ315, 1*1-8,2 кОм, 112=2 кОм, кривая 1 при и0=3 В, кривая 2 при и0~4 В, кривые 3 и 4 соответствуют схеме на рис. 3

лога динистора

Ri

a Ia6 Ua6 "г-0

VI.

(f

п

R 2

vVT,

(VI" 1- К'ГЗ 15, УТ2- КТ816, УТЗ-КТ818, УТ4-КТ817, УТ5- КТ819, кОм,

Н.2~2 кОм), кривая 3 при ио=2,5 В, кривая 4 при и0~2,7 В. Поскольку для исследуемого Ы-транзистора отрицательное дифференциальное сопротивление между клеммами а и б то в случае применения составного фанзистора, имеющего очень высокий коэффициент //, ВАХ АН имеет минимум при пониженных напряжениях и. На рис. 5 приве- Рис- 2- Схема N-транзистора дена схема составного транзистора, а на рис. 6 - ВАХ АН. Здесь ^=750 Ом, Я:-1,5 кОм, УТ1-УТЗ КТ315, УТ4- КТ816. Кривая 1 снята при одном составном транзисторе, 2 - при двух (как на рис. 5).

Простейший составной транзистор (схема Дарлингтона) в схеме с общей базой имеет результирующий коэффициент передачи по току больше единицы (а^,-1,15) на частоте /а/л/2 ( /а~ граничная частота транзисторов, входящих в схему). Схема синтезированного автором составного транзистора приведена на рис. 7.

Применяя законы Кирхгофа и известные соотношения между токами электродов транзисторов для малосигнального случая, получены следующие выражения для результирующего коэффициента передачи сос1авного транзистора в схеме с общей базой а< и в схеме с общим эмиттером

Рис. 3. Схема сложного составного транзис гора

«, =

Для схемы рис. 3: 2-а-1

Р,

aJ-3 ■«' + 3 ■ от + а - 1 -2 • /?' - 5 - Р1

3-Я+1+-' Р

Р,

я,

Р, =

Для схемы рис. 5: __2 -а_

а2 - а + 2

р + 2 Для схемы рис. 7: «'-2-й7 +2-« 2 ■ а - 3 а + 2 ' 2-Р + 2-[?+Р"

/? + :

(2)

(3)

(4)

(5)

(6) (7)

400

2 и.в В

Рис. 4. ВАХ АН

Используя аппроксимации частотных зависимостей а и

л

_ fio

' + ;•///«' ~ 1 + j-f/fP где оо и /J0 - низкочастотные значения коэффициента а и Д/а их граничные частоты, можно получить формулы для действительных значений Rear и Reps, а также их мнимых составляющих 1тсь и Imp*.. Находя

!«т

Рис. 5. Схема сложного составного транзистора

построены графики зависимостей этих модулей от частоты. Графики для схемы рис. 3 при а0=0,98 показали, что в зависимости от ///„ отсутствует максимум, |«у| и |/Л [ с ростом частоты

монотонно падают, растут рабочие частоты в схеме с общей базой, в схеме с общим эмиттером - понижаются. Графики для составною транзистора, приведенного на рис. 5 при а0=0,98 показали, что |а | = 1,05 при [//а = 0,7 ,

рабочие частоты в схеме с общей базой возрастают, а в схеме с общим эмиттером остаются такими же, как у одиночных транзисторов. Соответствующие графики для составного транзистора рис. 7 при а<)=0,98 показали, что |а1|тах - 1,6 при ///„ = 0,7 , увеличиваются рабочие частоты в схеме с общей базой, в схеме с общим эмиттером - понижаю 1ся.

В третьей главе сформулированы требования к ВАХ АН для дефензоров, приведены схемы дефензоров на АН. Рассмотрены вопросы повышения 1ер-мостабильности дефензоров.

Предлагаемый варлант электронного предохранителя основан на использовании устройства с Т^-образной ВАХ, такой предохранитель назван дефен-

зором. На рис. 8 показана ВАХ АН и ВАХ сопротивления нагрузки а на рис. 9,а способ включения дефензора для случая, когда через нагрузку течет постоянный ток. Сопротивление должно быть таким, чтобы его ВАХ пересекала ВАХ АН в точке «а» рис. 8, расположенной на участке ОА, и в точке «б», расположенной на участке ВС. При закорачивании нагрузки рабочая точка перескакивает иi точки «а» с большим током в точку «б» с малым током. В этом суть работы дефензора. По конкретной ВАХ АН можно определить диапазон изменения напряжения питания и рабочие токи, а также минимально и максимально возможные значения сопротивле-2 4 6 8 10 иаб В ния нагрузки при заданном напряжении Рис. 6. ВАХ АН

Рис. 7. Схема сложного составного транзистора

питания. До срабатывания дефензо-ра напряжение на нем меньше ипИю величина ивп ограничивает напряжение питания снизу.

К ВАХ АН, используемого в качестве дефензора предъявляются, специфические требования- максимальными должны быть коэффициент уменьшения тока при закорачивании нагрузки К=1раб/1б, напряжение идоп;

- минимальными должны быть на-

пряжения и,|ИК, и,,,, токи 1м„,„ время переключения дефензора 1пер.

Схема АН с ответвлением тока базы основного транзистора УТ1 в дополнительную цепь (транзистор УТ2 с соответствующими резисторами) показана на рис. 10. При определенном напряжении иаб ток, протекающий через резистор I в базу транзистора УТI, начинает ответвляться в транзистор УТ2.

На рис 1 I (кривая 1) приведена ВАХ мощного АН, реализованного по схеме рис. 2 с использованием в качестве основного транзистора КТ829, УТЗ, УГ4 - КТ315, Я 1=8,2 кОм, Я2=2 кОм, на резистор Ш подано управляющее напряжение и0~ЗВ Здесь и„ик=1 В, мала величина 1мин (единицы мА) Если в схеме рис. 2 все биполярные транзисторы - КТ3102, вместо ИЛ источник тока на полевом транзисторе КПЗОЗВ и Ш = 10 кОм, Я2=39 кОм, то после включения этого АН в цепь базы мощного транзистора КТ802, получим ВАХ, показанную на рис. 11 (кривая 2). Включение Х-диода на транзисторах КП103В и

КП303М в цепь базы мощного биполярного транзистора КТ829 позволяет получить ВАХ АН рис. 11 (кривая 4).

Если нагрузка питается переменным током (например двигатель), то дефензор включается по схеме, приведенной на

рис. 9,6. Диоды искажают синусоиду незначительно. В эксперименте была исполь-и зована схема рис. 2 с источником тока на полевом транзисторе (Я 1-220 Ом, 1122 кОм, VII -КТ828,

Рис. 8. ВАХ АН и сопротивления нагрузки

1 и„

Дефе.чзор

УЭ,

П Дефензор

Рис. 9. Схемы включения дефензоров

УТ2-КПЗОЗВ, УТЗ, УТ4-КТЗ15). ВАХ АН имела вид, показанный на рис. 11 (кривая 3), при и =70 В 1ми„=45 мА. Использовались диоды Д242, Я,,-:20 Ом. При переменном напряжении и„=47 В через дефензор протекает постоянный ток 1 А, при закорачивании нагрузки ток через дефензор уменьшается до 35 мА. После устранения короткого замыкания происходит автоматическое восстановление нормального режима питания нагрузки.

Установлено, что термостабилизация ВАХ дефензоров возможна путем включения в цепь базы основного транзистора цепочки из последовательно соединенных диода и резистора.

Четвертая глава посвящена выявлению условий реализации автогенераторов на АН с электромеханическими преобразователями.

Для получения автогенератора на АН рис. 2 между клеммой а и источником питания включается катушка индуктивности резистор переменного сопротивления ЯЗ и пьезопреобразователь Эквивалентная схема генератора показана на рис. 12. Здесь Яэ и Сэ - эквивалентные активное отрицательное сопротивление и ёмкость АН, С0 - статическая ёмкость пьезопреобразователя, Ьп, Сп, Я„ -соответственно динамические индуктивность, ёмкость и активное сопротивление пьезопреобразователя.

Из рис. 12 видно, что генератор будет работать на частоте последовательного резонанса пьезопреобразователя /р = 1 /(2 п ТцГСп),

если параллельный контур, составленный из С0, Ьь настроен на эту же частоту. Колебания возникают при |- Яэ ЯЗ/(ЯЗ - Яэ)| > Яп.

Когда резонансная частота параллельного контура ниже /р, то возможна генерация на частоте параллельного контура

/п =1/2*ТМС, +С„), если

1. ВАХ АН

Рис. 10. Схема АН

Ц* В

|- Яэ| < ЯЗ, но |- Я, ЯЗ/(ЯЗ - Я,Л < Яп. В этом случае пьезопреобразователь работает как простой конденсатор. Если |-Яэ|<ЯЗ и

Я, ЯЗ/(ЯЗ - IIз)| > Яп, то на колебания параллельного контура накладываются колебания последовательного контура с частотой Если /,>_/р, то на колебания последовательного контура должны накладываться колебания параллельного контура, но этот вариант на практике не удавалось наблюдать.

В эксперименте использовались транзисторы КТ315, С,=100нФ, Я,=22кОм, Я2=75 Юм, Е=6 В. Шарообразный тонкостенный преобразователь имел наружный диаметр 72 мм, внутренний - 64 мм, обкладки нанесены с наружной и внутренней стороны, вывод от внутренней обкладки сделан через отверстие в шаре диаметром 20 мм (их два с диаметрально противоположных сторон), частота последовательного резонанса /9=21 кГц, сопротивление Яп=20 Ом, статическая ёмкость С0^38 нФ, максимальное сопротивление резистора Я3-=1 кОм, индуктивность катушки 1^=1-2 мГн (необходимо 1,6 мГн). Выходное напряжение снималось с клеммы а. При изменении индуктивности Ь, и сопротивления ЯЗ удавалось наблюдать работу генератора на частоте последовательного резонанса пьезопреобразователя при синусоидальной форме колебания. При использовании катушки с Ь,=40 мГн на колебания параллельного резонанса накладывались колебания с частотой последовательного резонанса. Резистором ЯЗ можно сорвать колебания с частотой последовательного резонанса.

При использовании магнитострикционного или электромагнитного преобразователя предлагается генератор строить на аналоге негатрона с Б-образной ВАХ. Схема одного из таких аналогов приведена на рис. 13,а, где Я]^Я2, Я3=Я(. Эквивалентная схема генератора показана на рис. 13,6. Здесь Ьэ, Яэ -эквивалентные индуктивность и активное отрицательное сопротивление аналога негатрона, С2 - ёмкость разделительною конденсатора, Яс - сопротивление, соответствующее потерям энергии в конденсаторе С2, Ь0 и Я0 - индуктивность и активное сопротивление обмотки преобразователя; Ь,„ С,„ Я„ -динамические параметры преобразователя.

Генератор будет работать на частоте параллельного резонанса

/п = 1/2л"л/Ьм Сп , если последовательный контур, составленный из Ьэ, Ь0 и С2, настроен на эту частоту. Так как обычно известны , 1.0, Ьэ, то С2 = 1/40 /п2 (Ь0 + Ьэ). Генератор работает при условии |ЯС +Я0 - Яэ| < Яп.

В эксперименте применялись транзисторы КТ940 (УТ1, УТЗ), КТ315 (УТ2, УТ4); Я|-Я2=12 кОм, Я]=Я2=37 Ом. В качестве преобразователя использовался камертонный фильтр с резонансной частотой 1 кГц, индуктивность Ьо=920 мГн. Вход фильтра подключался к генератору, а выход - к ос-

и —О— а с, б и ЯЗ Со_\_сп Пя„ т

Рис. 12. Эквивалентная схема автогенератора

С2 Я, Ц, Р0 1-Л Сп Рп

+ 0

а) б)

Рис. 13. Автогенератор на АН (а) и его эквивалентная схема (б) циллографу. Определённая по формуле величина ёмкости С2 (без учёта Ь7) составляла 27 нФ. Настройка схемы в резонанс осуществлялась изменением ёмкости С2 или изменением напряжения источника пи1ания (при этом меняется Ьэ). Генератор работал при напряжении Е=51—55 В.

Предложен метод определения КПД автогенераторов на АН, выявлены условия получения его максимальных значений.

Для получения авго1 енераюра в схему АН (рис. 2) между источником питания и клеммой а включены индуктивность, емкость и резистор нагрузки. Пусть Ян - сопротивление нагрузки, Яэ - усредненное за период отрицательное дифференциальное сопротивление. Условие наличия установившихся колебаний: |/?э| = Ян . ВАХ АН приведена на рис. 14,а. Пусть исходная рабочая точка находится посредине участка отрицательного сопротивления. ВАХ АН можно аппроксимировать тремя прямыми линиями / = а и при О < и < ипж;

/ = Ьи + 10приипт<и <иъ

(8)

/ = с(У-/, приит <и. Здесь а, Ь, с, - тангенсы угла наклона соответствующих прямых, причём

коэффициент Ь - отрицателен.

Тогда усредненная проводимость

-1'ппк V,

Уэ =

1

1

Яэ 2-и

м

I а<Ш + \Ь(1и+\с(!и

-и,,

= ПИК -(Ь-а) + им - (а + с) + Vнп ■ (Ь - €)]/{2 • им ) С учётом того, что Ян = |/?э|

им = [- Ян ■ и ПИК (Ь-а)- Ян ■ и т (Ь - с)]/[Ян -(а + с) + 2].

(9)

(Ю)

Хотя форма колебаний тока будет не синусоидальной, по первой гармонике колебательная мощность на сопротивлении нагрузки:

и,

•м

м

2 Ян

Им 2

и

пик

(Ь-а) + Цвп(Ь-с)\ Ян-(а + с) + 2 ]

(И)

Коэффициент полезного действия ц—РмНРм^Ртд где Рп—Е(1 ¡+12+1з), II, ¡¡, 13 - постоянные токи через транзисторы УТ1, УТ2, УТЗ в режиме наличия колебаний, при Ян=да.

Анализ зависимости КПД от Ян показал, что для повышения КПД следует выбирать участок отрицательного сопротивления как можно круче.

На рис. 14,6 приведена Б-образная ВАХ АН рис. 13,а, эквивалентная схема которого показана на рис. 13,6. При />0 ВАХ АН можно аппроксимировать прямыми линиями

(и = а 1 + и0 при 0 < I < /вп;

[С! = с I + и„ при I > /в11.

где а, с, - коэффициенты, равные тангенсам угла наклона участков положительного и отрицательного сопротивления.

Усредненное эквивалентное сопротивление за первую четверть периода |/г_|' определяется по теореме о среднем:

(12)

М-7

'¡а с!1 + )сШ

- + с

К

'м

(13)

Усредненное эквивалентное сопротивление |/?_| за период равно усредненному эквивалентному сопротивлению за первую четверть периода \Я то есть |/?_|=|Л_|'. При 1М >/вп и с учетом того, что Ян + = 0 можно записать:

Рис. 14. Аппроксимированные ВАХ АН

Яи-Ы —+ с

1 1 / 1м

= 0

м у

Мощность, выделяемая в нагрузке, находится из соотношения

р Кн

1 + 2с/|а| + (с/|а|)2

(14)

(15)

(ин/\а\У + 2с Ли/|д|2 +(с/|а|)2

Исследуя выражение на* экстремум по параметру /?«/|а|, получим, что при

Кн=с в нагрузку передается максимальная мощность. При этом коэффициент полезного действия ц=Рм/(Рм+Рц). Анализ зависимости КПД от Яп показал, что рост КПД наблюдается при повышении напряжения питания автогенератора.

Рассмотрены особенности мощного автогенератора на АН с параллельным ЬС-контуром, проведено его компьютерное моделирование.

В АН рис. 2 между клеммой а и источником питания включена первичная обмотка трансформатора Т1 и конденсатор С1. Трансформатор Т1 намотан на кольцевой сердечник марки 2000НМ 60x30x10мм. Обмотка 1_Л содержала 128 витков провода ЛЭШО-1.0, обмотка Ь2 - 46 витков провода ЛЭ1110-5.0. Вторичная обмогка нагружена на резистор Яи=2д Ом, УТ1-КТ828, УТ2, УТЗ-КТ90Э, Я,-47 Ом, Я2=200 Ом С, 2 нФ. Как видно и! осциллограмм напряжения (рис. 15) снятых в точке «а» и на выходе, полученных при и0^Ю В, ипит=15 В, для них характерен начальный всплеск напряжения (150430 В), существенно превышающий ипит. Объяснить это явление можно, воспользовавшись эквивалентной схемой автогенератора. Колебания возникают при \ЯаП\< Ян' (Ян'= ¡?н /п2, где п - коэффициент трансформации) и амплитуда их возрастает до тех пор, пока усредненное за период |/?ц„| не сравняется с Ян '. При этом рабочая точка должна заходить на учааки В АХ с положительным дифференциальным сопротивлением.

Заключение

1. Предложен упрощенный метод определения КПД мощных автогенераторов на АН, который позволяет определить условия получения максимального коэффициента полезного действия с погрешностью не более 5-10%

2. Выявлено, что в генераторах с пьезопреобразователем при компенсации паразитной емкости преобразователя индуктивностью катушки необходимо

Кн 1 МОм

ивп\, I)

:оо 100

Кк :о

Ом

Рис. 15 Осцилло[раммы напряжения

использовать АН с Т^-образной ВАХ, а в генераторах с электромагнитными преобразователями при компенсации паразитной индуктивности преобразователя емкостью разделительного конденсатора необходимо использовать АН с 8-образной ВАХ.

3. Обнаружен эффект значительного превышения амплитуды колебаний на сопротивлении нагрузки по сравнению с напряжением питания в мощном автогенераторе на АН с N-образной ВАХ при параллельном ЬС-контуре в качестве частотозадающего элемента, компьютерное моделирование генератора подтверждает полученные результаты эксперимента.

4 Установлено, что схема аналога динистора является работоспособной при замене резистора нагрузки с высоким сопротивлением на два резистора малого сопротивления в цепях эмиттеров транзисторов, что позволяет увеличивать коэффициент полезного действия устройств с использованием аналога динистора.

5. Усыновлено, что устранить резистор нагрузки с высоким сопротивлением в схеме аналога динистора можно путем включения в схему резистора мало! о сопротивления и дополнительного транзистора.

6. Выявлены схемы на МДП- транзисторах, в которых не используется резистор нагрузки с большим сопротивлением.

7. Показано, что увеличивать рабочие токи АН до единиц-десятков ампер, пошоляет использование составных транзисторов в схеме АН с М-образной ВАХ с ответвлением тока базы основного транзистора в дополнительную цепь на токовых офажателях, рабочие частоты составных транзисторов в схеме с общей базой возрастают, а в схеме с общим эмиггером - понижаются или не изменяются.

8. Выявлено, что сформулированным требованиям к ВАХ дефензоров удовлетворяют АН построенные по принципу ответвления тока базы основною транзистора в дополнительную цепь.

9 Установлено, что термостабилизация ВАХ дефензоров возможна путем включения в схему цепочки из последовательно соединенных диода и резистора.

10 Выявлено, что дефензоры на вырожденных АН имеют низкое напряжение впадины, что позволяет расширить диапазон сопротивления нагрузки.

11. Составлены эквивалентные схемы планарных ЬС-резонаторов с распределенными параметрами, показана возможность использования ЬС-резонаторов в мощных генераторах на АН как элементов нагрузки.

Список работ по теме диссертации

1 Негоденко О.Н., Воронин В.А., Заруба Д.В. Генераторы с электромеханическими преобразователями на аналогах негатронов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -2002. -№1-2. - С. 5.

2. Негоденко О.Н., Заруба Д.В. Частотные свойства сложных составных транзисторов // Деп. ВИНИТИ, №762-2002. от 25.04.02. - 9 с.

3. Негоденко О.Н., Мирошниченко С.П., Заруба Д.В. Мощные аналоги негатронов с Т^-образной вольтамперной характеристикой // Деп. ВИНИТИ, №761-2002. от 25.04.02. - 14 с.

4. Заруба Д.В. Мощный пьезогенератор на аналоге негатрона. Тезисы докладов VI Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления». Таганрог. -2002. С. 199.

5. Заруба Д.В.. Негоденко О.Н. Устройство защиты мощной цепи от перегрузки на основе аналога негатрона // Труды IV международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии», Одесса. - 2003. - С. 325.

6. Негоденко О.Н., Семенцов В.И., Заруба Д.В. Датчики на основе АН и резонаторов с распределенными параметрами// Труды IV международной

I научно-практической конференции «Современные информационные и элек-

тронные технологии», Одесса. - 2003. - С. 326.

7. Неюденко О.Н., Семенцов В.И., Хвостенко A.A., Заруба Д.В. Планар-ные LC-резонаторы с распределенными параметрами и их применение // Технология и конструирование в элекфонной аппаратуре. - 2003. - №2. - С. 15.

8. Заруба Д.В.. Негоденко О.Н Устройство защиты мощной цепи от перегрузки при питании её переменным током // Труды IV международной научно-технической конференции «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе», Баку-Сумгаит. -- 2003. - С. 92-93.

9. Негоденко О.Н., Стрижаков П.И., Черевко С.А., Заруба Д.В. Эквивалентное сопротивление аналогов негатронов на двух полевых транзисторах // Труды V международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии», Одесса. - 2004. - С. 315.

10. Заруба Д.В., Негоденко О.Н., Лукьяненко Е.Б. Аналоги негатронов для мощных дефензоров // Труды V международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологи», Одесса. - 2004. - С. 316.

11. Негоденко О.Н., Лукьяненко Е.Б , Заруба Д.В. Анало! и негатронов для защиты мощной цепи от перегрузки Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -2004. -№5. - С. 11-13.

12 Заруба Д.В. Исследование термосгабильности дефензора на аналоге негатрона // Труды юбилейной международной научно-технической конференции «Информационные и электронные технологии в дистанционном зондировании», Баку. - 2004. - С. 409-410.

13. Негоденко О.Н., Заруба Д.В., Мирошниченко С.П. Особенности мощного автогенератора на аналоге негатрона с параллельным колебательным

"" контуром // «Проблемы современной аналоговой микросхемотехники». -

Шахты: изд. ЮРГУЭС. - 2004. - С. 132.

14. Заруба Д.В. Математическая модель мощного генератора на аналоге < негатрона // Труды IV международной научно-практической конференции

«Современные информационные и электронные технологии», Ростов на Дону. -2005.-С. 37.

15. Заруба Д В. Дефензоры на вырожденных аналогах негатронов // Известия АНАКА том 8. - 2005. - №2. - С. 5.

В работах, выполненных в соавторстве, личный вклад состоит в следующем: [1] - автор изготовил и исследовал макеты автогенераторов с компенсацией паразитных параметров; [2] - автор получил выражения для результирующего коэффициента передачи составных транзисторов и исследовал ихх частотные свойства; [3] - автор синтезировал схемы АН, изготовил и исследовал макеты; [5] - автором предложены схемы АН для дефензоров; [6] - автор изготовил макет датчика силы; [7] - автор получил выражения для параметров эквивалентной схемы ЬС-резонатора с распределенными параметрами; [8] - автор предложил схему включения дефензора при питании нагрузки переменным током; [9] - автор изготовил и исследовал макеты АН на МДП-транзисторах; [10] - автор синтезировал схемы дефензоров на АН; [11] - автор изготовил и исследовал макеты дефензоров, провел из компьютерное" моделирование, исследовал быстродействие; [13] - автор обнаружил эффект значительного превышения напряжения на нагрузке автогенератора на АН с М-образной ВАХ и с параллельным ЬС-контуром по сравнению с напряжение' питания, осуществил обработку, анализ и обобщение полученных результатов.

Подписано в печать 10.06.2005 г. Печ. л. 1,25. Уч.-изд. л-1,13 Печать оперативная. Тираж 100. Заказ №1979. Издательство Таганрогского государственного радиотехнического университета ГСП-17А, Таганрог, 28, Некрасовский, 44 Типография таганрогского государственного радиотехнического университета ГСП-17А, Таганрог, 28, Энгельса,!

РНБ Русский фонд

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОБЗОР СХЕМ И СТРУКТУР ТРАНЗИСТОРНЫХ АНАЛОГОВ

НЕГАТРОНОВ. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ ДИССЕРТАЦИИ.

2. ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ МОЩНЫХ АНАЛОГОВ НЕГАТРОНОВ И ИХ ИССЛЕДОВАНИЕ.

2.1. Аналоги динистора.

2.2. Аналоги негатронов на МДП-транзисторах.

2.3. Исследование мощных аналогов негатронов с Ы-образными вольтамперными характеристиками на основе составных транзисторов

3. ИССЛЕДОВАНИЕ УСТРОЙСТВ ЗАЩИТЫ МОЩНОЙ ЦЕПИ ОТ ПЕРЕГРУЗКИ НА ОСНОВЕ АНАЛОГОВ НЕГАТРОНОВ.

3.1. Аналоги негатронов для защиты мощной цепи от перегрузки.

3.2. Исследование термостабильности дефензора на аналоге негатрона

3.3. Дефензоры на вырожденных аналогах негатронов.

4. ИССЛЕДОВАНИЕ МОЩНЫХ АВТОГЕНЕРАТОРОВ НА ОСНОВЕ АНАЛОГОВ НЕГАТРОНОВ.

4.1. Генераторы с электромеханическими преобразователями на аналогах негатронов.

4.2. Метод определения КПД мощных генераторов на аналогах негатронов.

4.3. Особенности мощного автогенератора на аналоге негатрона с параллельным колебательным контуром.

4.4. Компьютерное моделирование мощного автогенератора на аналоге негатрона с параллельным колебательным контуром.

4.5. Планарные ЬС-резонаторы с распределенными параметрами как элементы нагрузки мощных автогенераторов.

4.6. Мощные пьезогенераторы на аналоге негатрона.

Актуальность темы. Транзисторные аналоги негатронов (АН) по сравнению с негатронами (динистор, тиристор, однопереходный транзистор, туннельный диод) обладают лучшей воспроизводимостью и управляемостью характеристик, повышенной температурной стабильностью, более высокими рабочими частотами. Они нашли применение в маломощных автогенераторах, автогенераторных датчиках, активных фильтрах, которые легко могут быть изготовлены в виде полупроводниковых интегральных микросхем. Сделаны попытки реализовать полупроводниковую структуру АН с М-образной вольтамперной характеристикой повышенной мощности для мощных автогенераторов, элементов защиты источников питания от последствий короткого замыкания в нагрузке, многократного действия (дефензоров). Изучены элементы защиты с мощным АН на основе транзистора со встроенным в него тиристором или полевым транзистором, но ВАХ таких АН трудно регулируемы. Мощные автогенераторы на АН пока не исследованы. Потребности в мощных автогенераторах для источников вторичного питания, медицинских приборов, сварочных аппаратов, устройств плавления металлов, управления пьезодвигателями, устройств защиты источников питания от последствий короткого замыкания в нагрузке огромна. Именно поэтому целесообразно эти устройства изготавливать в виде мощных полупроводниковых интегральных микросхем. Необходимо рассмотреть особенности, достоинства и недостатки этих устройств.

Целью работы является синтез схем и моделирование мощных аналогов негатронов, построенных на их основе дефензоров и автогенераторов.

Для достижения указанной цели предполагается решение следующих задач:

- исследование макетов модернизированных АН с мощными транзисторами, АН со сложными составными транзисторами, выявление их особенностей, анализ частотных свойств составных транзисторов;

- формулирование требований к ВАХ АН для дефензоров;

- исследование макетов дефензоров, построенных на мощных АН;

- анализ условий реализации мощных автогенераторов на АН с электромеханическими преобразователями с компенсацией паразитных параметров преобразователей;

- разработка метода определения коэффициента полезного действия мощных автогенераторов на АН для выявления условий при которых он максимален;

- компьютерное моделирование автогенераторов.

Научная новизна:

- разработана методика проектирования микросхем сильноточных (0,1-5А) аналогов негатронов;

- разработан метод определения коэффициента полезного действия мощных автогенераторов на АН, позволивший определить условия, при которых коэффициент полезного действия автогенераторов максимален;

- определены условия возникновения колебаний в полупроводниковых структурах мощных автогенераторов на АН с электромеханическими преобразователями (пьезоэлектрическими, магнитострикционными, электромагнитными) при компенсации паразитных параметров преобразователей;

- обнаружен эффект появления повышенных выходных напряжений, в полупроводниковой структуре мощного автогенератора на АН с параллельным колебательным контуром.

Практическая ценность работы:

- получены модернизированные схемы аналогов динистора, в которых исключен резистор нагрузки, снижающий коэффициент полезного действия мощных автогенераторов;

- выявлены схемы АН на МДП-транзисторах, не содержащие резистор нагрузки;

- синтезированы схемы мощных ЛН с ^образными ВАХ на основе составных транзисторов, изучены частотные свойства сложных составных транзисторов;

- реализованы мощные термостабильные дефензоры на АН;

- построен макет полупроводниковой структуры электронного сварочного аппарата работающего на эффекте появления повышенных выходных напряжений, в полупроводниковой структуре мощного автогенератора на АН с параллельным колебательным контуром;

- разработаны топологии микросхем мощных дефензоров и автогенераторов на аналогах негатронов.

Результаты диссертации использованы при выполнении научно-исследовательских работ выполняемых в рамках совместного гранта Министерства образования и науки РФ и Американского фонда гражданских исследований и развития №ЯЕС-004.

Апробация работы. Основные результаты работы представлялись на Всероссийских научно-технических конференциях «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (Таганрог, 2002 г.), на ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ (2000-2004 гг.), на IV и V международных научно-практических конференциях «Современные информационные и электронные технологии» (Одесса, 2003-2004 гг.), на IV и V международных научно-технических конференциях «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе» (Баку-Сумгаит, 2003-2004 гг.), на семинаре «Проблемы современной аналоговой микросхемотехники» (Шахты, 2005 г.).

По материалам диссертации опубликовано 15 печатных работ, в том числе шесть статей и девять тезисов докладов.

Основные положения, ныносимые на защиту

1. Использование модернизированных АН и составных транзисторов в АН с Ы-образной ВАХ позволяет увеличить рабочие токи до единиц-десятков ампер; рабочие частоты составных транзисторов в схеме с общей базой возрастают, а в схеме с общим эмиттером -понижаются или не изменяются.

2. Сформулированным требованиям к ВАХ дефензоров удовлетворяют АН, построенные по принципу ответвления тока базы основного транзистора в дополнительную цепь.

3. В генераторах с пьезопреобразователем при компенсации паразитной емкости преобразователя индуктивностью катушки необходимо использовать АН с Ы-образной ВАХ, а в генераторах с электромагнитными преобразователями при компенсации паразитной индуктивности преобразователя емкостью разделительного конденсатора необходимо использовать АН с Б-образной ВАХ.

4. Предложенный упрощенный метод определения коэффициента полезного действия мощных автогенераторов на АН позволяет определить условия получения максимального коэффициента полезного действия с погрешностью не более 5-10%.

5. В мощном автогенераторе на АН с Ы-образной ВАХ при параллельном ЬС-контуре в качестве частотозадающего элемента наблюдается эффект значительного превышения амплитуды колебаний на сопротивлении нагрузки по сравнению с напряжением питания, компьютерное моделирование генератора подтверждает полученные результаты эксперимента.

Личный вклад автора. В диссертационной работе изложены результаты, которые были получены автором самостоятельно и в соавторстве, при этом автор экспериментально исследовал все макеты, разработал топологии микросхем, произвел математическое и компьютерное моделирование автогенераторов, дефензоров, ЬСрезонаторов с распределенными параметрами, обнаружил эффект значительного превышения напряжения на нагрузке автогенератора на АН с 1М-образной ВЛХ и с параллельным ЬС-контуром по сравнению с напряжением питания, осуществил обработку, анализ и обобщение полученных результатов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитируемой литературы из 60 наименований, четырех приложений. Общий объем диссертации составляет 120 страниц, включая 85 рисунков.

ВЫВОДЫ

1. Выявлено, что в генераторах с пьезопреобразователем при компенсации паразитной емкости преобразователя индуктивностью катушки необходимо использовать АН с Ы-образной ВАХ, а в генераторах с электромагнитными преобразователями при компенсации паразитной индуктивности преобразователя емкостью разделительного конденсатора необходимо использовать АН с 8-образной ВАХ.

2. Предложен упрощенный метод определения коэффициента полезного действия мощных автогенераторов на АН, который позволяет определить условия получения максимального коэффициента полезного действия с погрешностью не более 5-10 %.

3. Обнаружен эффект значительного превышения амплитуды колебаний на сопротивлении нагрузки по сравнению с напряжением питания в мощном автогенераторе на АН с И-образной ВАХ при параллельном ЬС-контуре в качестве частотозадающего элемента, компьютерное моделирование генератора подтверждает полученные результаты эксперимента.

4. Составлены эквивалентные схемы планарных ЬС-резонаторов с распределенными параметрами, показана возможность использования ЬС-резонаторов в мощных генераторах на АН как элементов нагрузки.

108

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Предложен упрощенный метод определения коэффициента ' * полезного действия мощных автогенераторов на АН, который позволяет определить условия получения максимального коэффициента полезного действия с погрешностью не более 5-10 %.

2. Выявлено, что в генераторах с пьезопреобразователем при компенсации паразитной емкости преобразователя индуктивностью катушки необходимо использовать АН с Ы-образной ВАХ, а в генераторах с электромагнитными преобразователями при компенсации паразитной индуктивности преобразователя емкостью разделительного конденсатора необходимо использовать АН с Б-образной ВАХ.

3. Обнаружен эффект значительного превышения амплитуды колебаний на сопротивлении нагрузки по сравнению с напряжением питания в мощном автогенераторе на АН с Ы-образной ВАХ при параллельном ЬС-контуре в качестве частотозадающего элемента, компьютерное моделирование генератора подтверждает полученные результаты эксперимента.

4. Установлено, что схема аналога динистора является работоспособной при замене резистора нагрузки с высоким сопротивлением на два резистора малого сопротивления в цепях эмиттеров транзисторов, что позволяет увеличивать коэффициент полезного действия устройств с использованием аналога динистора.

5. Установлено, что устранить резистор нагрузки с высоким сопротивлением в схеме аналога динистора можно путем включения в схему резистора малого сопротивления и дополнительного транзистора.

6. Выявлены схемы на МДП- транзисторах, в которых не используется резистор нагрузки с большим сопротивлением.

• II1

7. Показано, что увеличивать рабочие токи АН до единиц-десятков ампер, позволяет использование составных транзисторов в схеме АН с Ыобразной ВАХ с ответвлением тока базы основного транзистора в дополнительную цепь на ■ токовых отражателях, рабочие частоты составных транзисторов в схеме с общей базой возрастают, а в схеме с общим эмиттером - понижаются или не изменяются.

8. Выявлено, что сформулированным требованиям к ВАХ дефензоров удовлетворяют АН построенные по принципу ответвления тока базы основного транзистора в дополнительную цепь.

9. Установлено, что термостабилизация ВАХ дефензоров возможна путем включения в схему цепочки из последовательно соединенных диода и резистора.

10. Выявлено, что дефензоры на вырожденных АН имеют низкое напряжение впадины, что позволяет расширить диапазон напряжений питания и сопротивления нагрузки.

11. Составлены эквивалентные схемы планарных ЬС-резонаторов с распределенными параметрами, показана возможность использования ЬС-резонаторов в мощных генераторах на АН как элементов нагрузки.

1. Серьезнов А.Н., Степанова J1.H., Гаряинов С.А., Гагин C.B., Негоденко О.Н., Филишок H.A., Касимов Ф.Д. Негатроника (Под ред. JI.H. Степановой). Новосибирск: Наука, 1995. - 315 с.

2. Бенинг Ф. Отрицательное сопротивление в электронных схемах.- М.: Сов. радио, 1975. 287 с.

3. Арефьев A.A., Баскаков E.H., Степанова JI.H. Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах р-п-р-п структуры.- М.: Радио и связь, 1982. 104 с.

4. Серьезнов А.Н., Степанова JI.H. Электронные устройства на элементах с отрицательным сопротивлением. М.: Радио и связь, 1992.-200 с.

5. О.Н. Негоденко, К.Е. Румянцев, J1.A. Зинченко, С.И. Липко Схемотехника, моделирование и применение транзисторных устройств с отрицательным сопротивлением Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2002. - 214 с.

6. О.Н. Негоденко Аналоги негатронов в электронных устройствах- Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2004. 104 с.

7. Гурин Н.Т., Бакланов С.Б., Новиков С.Г., Новоселов А.Ю. Схемотехническое моделирование и исследование мощных N-транзисторов // Известия ВУЗов. Электроника. -1999. №1. -С. 86-90.

8. Смолянский P.E., Смолянский В.А. Кремниевые биполярные тетроды дефензоры// Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. Вып. - 1 (154)-1 (155), 2000-2001. - С. 7-14.

9. Чернявский E.B. и др. МОП тиристор — перспективный прибор силовой электроники // Микроэлектроника. -2002. - Т. 31. - №5. -С. 376-381.

10. Чернявский Е.В. Транзисторный МОП-управляемый тиристор // Микроэлектроника. -2002. Т. 31. - №5. - С. 382-384.

11. Заврагинов Ю.З., Абрамов В.Г. Мощный автогенератор на полевом транзисторе // Электросвязь. -1982. -№6. — С. 42-44.

12. Агель A.A. Мощный генератор на полевых транзисторах // Приборы и техника эксперимента. 1987. - № 1. - С. 116.

13. Failing Ottmar. HF generator mit leisfungs MOSFETs // Electronic. - 1985. - № 15. - P. 61-65.

14. Чистяков H.H., Судаков Ю.И., Барский E.A. Мощный кварцевый автогенератор на комплементарных транзисторах // Электронная техника. Серия «Радиодетали и радиокомпоненты». — Вып.З (68). — 1987. -С. 57-62.

15. Судаков Ю.И., Путров Е.А. Гибридные составные транзисторы в каскадах мощных кварцевых генераторов // Радиотехника. 1988. №2. -С. 33.

16. Кяргинский Б.Е. Генераторы на биполярных транзисторах различной мощности // Электронная техника: Серия 1. 1993. -№3. С. 3-6.

17. Шустов М. Стирка ультрозвуком. // Радиолюбитель. 2001. -№1.-С. 18-19.

18. Самойлов А.Г. и др. Мощные транзисторные генераторы высокой частоты // Приборы и техника эксперимента. 1996. - №6. -С. 53-57.

19. Евсеев Ю.А. и др. Силовые полупроводниковые интегральные схемы // Электротехника. 2002. - №12. - С. 2.

20. Ежков Ю. Применение мощных автогенераторов в переносных устройствах радиосвязи // Схемотехника. 2003. -№11. - С. 16-18.

21. Суковатый Л.Г. и др. Установка с генератором высокой частоты для эмиссионного спектрального анализа и плавки драгоценных металлов // Приборы и техника эксперимента. 1998. -№5. - С. 21.

22. Сафронов Л.А., Розум Ю.И. Аппаратура для УВЧ терапии // Электронная промышленность. 2000.-№1. - С. 93.

23. Таламарчук Д.Ф. Транзисторные высокочастотные тракты для аппаратуры УВЧ терапии // Медицинская техника. - 1998. - №4. -С. 42-45.

24. Мазуркин В.Д. Аппарат для ультразвуковой терапии УЗТ -1.08Ф // Медицинская техника. 1994. -№1. - С. 2-5.

25. Мединец Ю. Аппарат для магнитотерапии К4-50 // Радиотехника, 2000. - №8. - С. 42.

26. Полу шин П.А. и др. Адаптирующиеся высокочастотные генераторы для биомедицинских целей // Медецинская техника. 2000. -№4.-С. 26.

27. Негоденко О.Н., Стрижаков П.И., Мирошниченко С.П. Аналоги динистора для мощных автогенераторов // Сб. материалов Международного научно-практического семинара «Проблемы аналоговой микросхемотехники». Шахты: Изд-во ЮРГУЭС. Часть 1. 2003. С. 65-68.

28. Судаков Ю.М. и др. Составной транзистор. АС СССР №1231576. БИ. 1986. - №18. - С. 244.

29. Мощный транзистор с повышенной устойчивостью по вторичному пробою. Заявка Франции. №2609213. Изобретения стран мира. 1989. -№3. - С. 25.

30. Семенов Б.Ю. Силовая электроника. М.: Солон-Р. - 2001.327 с.

31. Негоденко О.Н., Мирошниченко С.П., Заруба Д.В. Мощные аналоги негатронов с N-образной вольтамперной характеристикой // Деп. ВИНИТИ, №761-2002. от 25.04.02. 14 с.

32. Stepowiez W.J. Frequency properties of a Darlington composite transistor. Internal Journal of Electronics. 1973.-V.35.-№4.-P. 507-512.

33. Негоденко O.H., Заруба Д.В. Частотные свойства сложных составных транзисторов // Деп. ВИНИТИ, №762-2002. от 25.04.02. 9 с.

34. Негоденко О.Н., Лукьяненко Е.Б., Заруба Д.В. Аналоги негатронов для защиты мощной цепи от перегрузки Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2004. - №5. - С. 11-13.

35. Заруба Д.В., Негоденко О.Н. Устройство защиты мощной цепи от перегрузки на основе аналога негатрона // Труды IV международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии», Одесса. 2003. - С. 325.

36. Заруба Д.В., Негоденко О.Н. Устройство защиты мощной цепи от перегрузки при питании её переменным током // Труды IV международной научно-технической конференции «Микроэлектронные преобразователи и приборы на их основе», Баку-Сумгаит. 2003. -С. 92-93.

37. Заруба Д.В., Негоденко О.Н., Лукьяненко Е.Б. Аналоги негатронов для мощных дефензоров // Труды V международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии», Одесса. 2004. - С. 316.

38. Заруба Д.В. Исследование термостабильности дефензора на аналоге негатрона // Труды юбилейной международной научно-технической конференции «Информационные и электронные технологии в дистанционном зондировании», Баку. 2004. - С. 409-410.

39. Богородицкий В.В., Зубарев Л.Л., Корепин Е.А., Якушев В.И. Подводные электроакустические преобразователи (расчет и проектирование). Справочник. J1.: Судостроение. - 1983. - 248 с.

40. Ерофеев A.A., Данов Г.А., Фролов В.В. Пьезокерамические трансформаторы и их применение в радиоэлектронике. М.: Радио и связь. - 1988.- 128 с.

41. Львович A.A., Гейсман Ю.В. Высокочастотные кварцевые генераторы на туннельных диодах. М.: Связь. - 1970. - 168 с.

42. Филатов Г.А. Малогабаритные низкочастотные механические фильтры. М.: Сов. Радио. - 1974. - 290с.

43. Зубцов В.И., Баранов В.В. Пьезотрансформаторные преобразователи контроля статических механических напряжений. // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2001. — №1. -С. 45-50.

44. Малов В.В. Пьезорезонансные датчики. М.: Энергоиздат. -1989.-272 с.

45. Лиситская H.H., Синицкий Л.А., Шумков Ю.М. Анализ электрических цепей с магнитными полупроводниковыми элементами -Киев: Наукова думка. 1969. - 440 с.

46. Негоденко О.Н., Воронин В.А., Заруба Д.В. Генераторы с электромеханическими преобразователями на аналогах негатронов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002. - №1. -С. 5.

47. Заруба Д.В. Мощный пьезогенератор на аналоге негатрона. Тезисы докладов VI Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления». Таганрог. 2002. С. 199.

48. Негоденко О.Н., Заруба Д.В., Мирошниченко С.П. Особенности мощного автогенератора на аналоге негатрона с параллельнымколебательным контуром // «Проблемы современной аналоговой микросхемотехники». Шахты: изд. ЮРГУЭС. - 2005. — С. 132.

49. Burghartz J.N., Jenkins К.A., Soguer М. Multilevel spiral inductor using VLSI interconnect technology // IEEE Electron Device Letters. 1996. -V. 17-№9.-P. 428-430.

50. Негоденко O.H., Семенцов В.И., Заруба Д.В. Датчики на основе АН и резонаторов с распределенными параметрами// Труды IV международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии», Одесса. 2003. - С. 326.

51. Заруба Д.В. Математическая модель мощного генератора на аналоге негатрона // Труды IV международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии», Ростов на Дону. 2005. - С. 37.

52. Заруба Д.В. Дефензоры на вырожденных аналогах негатронов // Известия АНАКА том 8. 2005. - №2. - С. 5.

53. Негоденко О.Н., Семенцов В.И., Хвостенко A.A., Заруба Д.В. Планарные LC-резонаторы с распределенными параметрами и их применение // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -2003.-№2.-С. 15.

54. Прозоровский В.Е., Афанасьев К.Л., Негоденко О.Н. К расчету пленочных двухполюсников с распределенными параметрами // Радиотехника. 1966. - №2. - С. 55-69

55. Зернов Н.В., Карпов В.Г. Теория радиотехнических цепей JL: Энергия. - 1972.-816 с.

56. Е.И. Манаев. Основы радиоэлектроники: учебное пособие для ВУЗов. М.: Радио и связь. - 1985. - 488 с.

57. Гаряинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением М.: Энергия. - 1970. - 320 с.

58. Горошков Б.И. Радиоэлектронные устройства М.: Радио и связь. - 1985.-400 с.