-
2004
Викин, Олег Геннадьевич
Среди всего многообразия газовых сенсоров наиболее полно предъявленным требованиям удовлетворяют так называемые полупроводниковые сенсоры на основе широкозонных полупроводников, таких как ZnO, У2С>5, 1п2Оз, СоО, М§0, из которых 8пОг (диоксид олова) исторически наиболее популярен. Все перечисленные материалы обладают электронным типом проводимости
-
2004
Крыжков, Денис Игоревич
Для структур 8к/?-Ре812/81, полученных методом ионной имплантации и подвергнутых дополнительной ионно-импульсной обработке, идентификация светоизлучающих центров ранее не проводилась. Всё большее количество авторов склоняется к точке зрения, что в 81:Ре812/81 структурах, полученных методом ионной имплантации, люминесценция имеет
-
2004
Скиданов, Владимир Александрович
В процессе миниатюризации приборов ситуация все более усложняется. Уменьшение размеров сопровождается изменением как полей рассеяния (как правило, уменьшением), так и коэрцитивных свойств (как правило, ростом коэрцитивной силы) магнитных элементов. Теоретически оценено, что переход к монодоменному состоянию ферромагнитной частицы с
-
2004
Петров, Владимир Михайлович
Объектами исследований были выбраны слоистые и объемные композиционные феррит-пьезоэлектрические материалы на основе поликристаллических титаната бария, цирконата-титаната свинца (ЦТС), монокристаллического сегнетоэлектрического твердого раствора Pb(Mg./3Nby,)03 - РЪТЮз (PMN-PT), феррита никеля, феррита кобальта, лантан-стронциевого манганита
-
2004
Сидоров, Анатолий Анатольевич
Достоверность результатов работы определяется непротиворечивостью полученных результатов и их согласием с существующими теоретическими моделями и имеющимися экспериментальными данными
-
2004
Меньшиков, Павел Александрович
На сегодняшний день можно констатировать тот факт, что строгая теория, которая описывала бы процессы внутри транзистора, возникающие при протекании тока, и их влияние на энергетические параметры мощных СВЧ МОП транзисторов, отсутствует, а существующие теории либо устарели, либо являются приблизительными, использующими эмпирические "подгоночные
-
2004
Остапенко, Наталья Александровна
В четвертой главе выполнено теоретическое исследование электронного энергетического строения кремния, содержащего атомы хрома и комплексы дефектов, включающих в себя атомы углерода, кислорода, бора и фосфора. Показано, что атомы замещения хрома не создает дополнительные энергетические состояния в запрещенной зоне кремния. Атомы хрома, входящие в
-
2004
Мишина, Елена Дмитриевна
Общим итогом работы является разработка экспериментальных и теоретических основ нелинейно-оптической диагностики материалов микро-, нано- и оптоэлектроники, а также разработка индустриально-применимых методик определения параметров материалов и структур электроники
-
2004
Михайлов, Геннадий Михайлович
В лабораторных условиях уже получено литографическое разрешение порядка 10 нм и менее, а с применением зондовой литографии - до 0.5 нм. Тонкие металлические пленки с толщиной в десятки нанометров находят все большее применение в электронике. Уменьшение размеров наноструктур приводит к тому, что ДСПЭ становится сопоставимой с их размерами, либо
-
2004
Кушхов, Аскер Русланович
В настоящее время известно много работ по плазмохимическому травлению монокристаллических подложек из GaAs и InP, но в них в основном рассматривается химизм процессов взаимодействия хлор- и фторсодержащих компонентов и весьма ограничено количество работ по исследованию характеристик поверхности, включая ее морфологию, химический состав и
-
2004
Молоканов, Олег Артемович
Во всех случаях определения химического состава и характера распределения компонентов в поверхностном слое и на межфазных границах все методы, как правило, дают усредненное значение по некоторой достаточно большой толщине материала при обычно используемых режимах работы стандартных измерительных установок, то есть имеют ограниченное разрешение по
-
2004
Олейник, Анатолий Семёнович
Недостатком термохромных индикаторов [2-3] является их низкое быстродействие, поэтому они могут применяться в устройствах группового и коллективного пользования, где можно сочетать тенденцию к увеличению размеров индикатора или всего устройства с потребляемой мощностью и требуемым быстродействием. Указанные индикаторы предназначены для
-
2004
Максимов, Юрий Алексеевич
Совершенствование энерго-массовых характеристик систем энергоснабжения космических аппаратов, основанных на фотопреобразовании солнечной энергии в электрическую, являлось актуальной научно-технической задачей в течение всего времени существования практической космонавтики, так как непосредственно влияло на эффективность применения космических
-
2004
Рехвиашвили, Серго Шотович
Все перечисленные выше задачи в научной литературе (особенно в отечественной) до настоящего времени обсуждались очень мало, несмотря на важность их прикладного значения. Их решение позволит глубже понять особенности физических процессов в зондовых микромеханических устройствах, выявить новые закономерности и установить условия для их практического
-
2004
Кравченко, Ирина Владимировна
Технологии изготовления МСТ делятся на 2 типа: технологии поверхностной и объемной обработки. Поверхностную обработку используют для создания 2Б-структур на кремниевых подложках [9]. Объемные технологии, такие как DIRE (Deep Reactive Iron Etch) и LIGA (акроним из немецких слов - lithography, electroplating, and molding), позволяют создавать
-
2004
Кочеров, Александр Николаевич
Ультрафиолетовое излучение (УФИ), благодаря высокой энергии квантов, предельно малой глубине проникновения излучения и отсутствию повреждения обрабатываемой поверхности находит все более широкое применение в технологии обработки поверхностных слоев различных материалов. Это процессы очистки поверхности от органики, кремний органики и металлических
-
2004
Климачёв, Иван Иванович
В производстве ТТМ СВЧ в гибридном исполнении основными сборочными операциями являются пайка и микросварка. Для пайки применяют золотосодержащие или оловянные припои с добавками свинца, индия, кадмия, висмута и др. Паяемыми поверхностями являются золото, никель, сплав олово-висмут и др
-
2004
Рябченков, Сергей Сергеевич
В современной литературе основной упор сделан на математический аппарат для получения опорного напряжения с не высокой точностью, (классические схемы получения опорного напряжения). Прецизионные источники рассматриваются на уровне основных идей и математический аппарат в этой области развит слабо
-
2004
Гукетлов, Хасан Мухамедович
Одной из предпосылок создания новых технологических решений явилось комплексное изучение физико-химических параметров материалов, используемых при создании элементной базы полупроводниковых приборов, а также характера взаимодействия этих материалов на границах раздела контактирующих элементов
-
2004
Никифоров, Игорь Сергеевич
По сравнению с большим объемом исследований, выполненных на МЭ материалах с магнитным упорядочиванием на низких частотах [1, 10, 11, 12] данных об их поведении в диапазоне, СВЧ пока недостаточно, хотя диапазон СВЧ, в особенности область магнитного резонанса, представляет наибольший интерес для исследования свойств МЭ - материалов. В этом диапазоне