автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Люминесцентные свойства структур на основе кремния в области длин волн 1,5-1,6 мкм

На правах рукописи

КРЫЖКОВ Денис Игоревич

ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ В ОБЛАСТИ ДЛИН ВОЛН 1,5-1,6 МКМ.

05.27.01- твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых

эффектах

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Нижний Новгород, 2004 г.

Работа выполнена в Институте физики микроструктур РАН

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

профессор З.Ф. Красильник

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

Э.А. Штейнман

доктор физико-математических наук, профессор А. А. Ежевский

Ведущая организация физический факультет МГУ, г. Москва

Защита состоится 17 июня 2004 г. в 16 часов на заседании диссертационного совета Д.002.098.01 при Институте физики микроструктур РАН (603950, г. Нижний Новгород, ГСП-105).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института физики микроструктур РАН.

Автореферат разослан 15 мая 2004 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

доктор физико-математических наук, профессор К.П. Гайкович

1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы

Создание эффективного источника излучения на основе кремния - важная задача современной оптоэлектроники. В наиболее интересном для кремниевой оптоэлектроники диапазоне длин волн 1,5-1,6 мкм излучают несколько типов структур, три из которых рассматриваются в данной работе:

Показано, что диодные структуры на основе этих материалов излучают в широком интервале температур, включая комнатную. Однако, отсутствие детальных представлений о свойствах светоизлучающих центров в этих структурах, процессах возбуждения и девозбуждения сдерживает движение в направлении создания эффективных источников излучения на основе кремния. Данная работа посвяшена идентификации и исследованию люминесцентных свойств излучательных центров в структурах 51:/?-РеБ12/51, Б1:Ег/51 и объёмном кремнии, демонстрирующем дефектно-дислокационную люминесценцию.

Для структур полученных методом ионной имплантации и

подвергнутых дополнительной ионно-импульсной обработке, идентификация светоизлучающих центров ранее не проводилась. Всё большее количество авторов склоняется к точке зрения, что в структурах, полученных методом

ионной имплантации, люминесценция имеет дефектно-дислокационную природу. Структура дефектных центров существенным образом связана с условиями имплантации и постимплантационной обработки. Следовательно, для разных условий необходимо уточнять природу светоизлучающих центров.

Светоизлучаюшие структуры выращенные методом сублимационной

молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ), по своим свойствам отличаются от структур, полученных с помощью ионной имплантации. Детальное понимание процессов переноса энергии в таких структура во всём диапазоне температур от 4,2 до 300 К отсутствует. Данная работа развивает представления о механизмах возбуждения и девозбуждения иона в структурах выращенных методом

кремний, легированный ионами Ег; кремний с преципитатами кремниевые структуры с дислокациями.

СМЛЭ.

Основные пели работы

1. Определение природы светоизлучаюших центров в структурах БкРеБь/З!, изготовленных методом ионной имплантации, подвергнутых ионно-импульсной обработке (ИИО) и высокотемпературному отжигу.

2. Идентификация люминесцирующих в области энергий около 0,80-0,85 эВ центров в кремнии, возникающих при высокотемпературном отжиге (800°С) механически полированных пластин.

3. Исследование механизма электролюминесценции (ЭЛ) структур БкЕг/Б! с позиционированным относительно активным слоем, легированным ионами Ег.

4. Изучение кинетики ЭЛ в структурах Бг.Ег/Б! с позиционированным активным слоем и оценка эффективности девозбуждения иона Ег1' свободными носителями.

Научная новизна работы

1. Показано, что сигнал фотолюминесценции (ФЛ) в интервале энергий 0,72-0,88 эВ, наблюдавшийся в структурах 51:Ре512/5!, полученных методом ионной имплантации с последующей ИИО и высокотемпературным отжигом, имеет дефектно-примесную природу.

2. Выявлены особенности люминесценции пластин кремния, подвергнутых механической обработке поверхности. Показано, что оптически активные центры, дающие сигнал ФЛ с максимумом при 0,83 эВ и шириной 50 мэВ, локализованы на глубине до 3 мкм в приповерхностном слое, повреждённом вследствие механической полировки пластин.

3. В эпитаксиальной структуре Si:Eг/Si с позиционированным относительно р-я-перехода активным слоем впервые наблюдался эффект «задержанной» ЭЛ иона ЕгЗ+, возникающий при приложении к р-я-переходу импульса обратного смещения через длительное время (до 100 мс) после окончания возбуждающего импульса прямого смещения. Предложена модель глубокой ловушки для носителей заряда, объясняющая результаты экспериментов по «задержанной» ЭЛ.

4. На основании кинетических измерений, выполненных на структуре с позиционированным слоем, выявлено, что основной причиной температурного гашения люминесценции иона Ег в выращенных методом

СМЛЭ структурах в диапазоне температур oг 4,2 до 110 К является уменьшение эффективности возбуждения. 5. Исследована зависимость интенсивности Р-линии (0,767 эВ) от концентрации термодоноров. Линейная зависимость свидетельствует о вовлеченности термодоноров с энергией связи основного состояния от 69,2 до 60,1 мэВ (ТОО), ¡=1-г-5) в процесс излучательной релаксации с энергией 0,767 эВ.

Научная и практическая ценность работы

Показано, что в приповерхностном слое кремниевых пластин, повреждённом вследствие механической полировки, формируются при отжиге (Т>800°С) оптически активные центры, дающие интенсивную полосу люминесценции с максимумом при 0,83 эВ.

Предложен метод исследования девозбуждения иона Ег свободными носителями, основанный на использовании структур с позиционированным относительно p-n-перехода активным слоем. В сочетании с измерением кинетики ЭЛ при возбуждении импульсами сложной формы это позволяет получать дополнительную информацию о процессах девозбуждения иона Ег равновесными и неравновесными свободными носителями.

Данные о механизме девозбуждения иона Ег в структурах ЗкЕг/Б!, полученных методом СМЛЭ, позволили предложить новые пути преодоления температурного гашения люминесценции иона Ег.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Сигнал фотолюминесценции в районе 1,5 мкм, наблюдавшийся в структурах полученных методом ионной имплантации, связан со светоизлучающими дефектно-примесными комплексами, формирующимися в процессе изготовления структур.

2. Фотолюминесценция с энергией перехода 0,83 эВ в кремнии, подвергнутом высокотемпературному отжигу, обусловлена оптически активными дефектно-примесными центрами в повреждённом слое, образовавшемся вследствие механической обработки пластин.

3. Температурное гашение ЭЛ иона Ег' в S¡:Er/Si структурах, выращенных методом СМЛЭ, при повышении температуры от 4,2 К до примерно 110 К определяется уменьшением эффективности возбуждения иона Ег' , а не процессами девозбуждения.

4. В эпитаксиальных диодных структурах Si:Er/Si с позиционированным относительно p-n-перехода активным слоем наблюдается "задержанная" ЭЛ иона ErJ+, возбуждаемая импульсом обратного смещения через длительное (до 100 мс) время после окончания предварительного импульса прямого смещения. Эффект "задержанной" ЭЛ наблюдается, только если импульсу обратного смещения предшествовало протекание тока в режиме прямого смещения p-n-перехода.

Апробация результатов работы

Основные результаты диссертации опубликованы в работах [А1-А22] и докладывались на V и IV Российских конференциях по физике полупроводников (Н.Новгород 2001, Санкт-Петербург 2003), Международной конференции «Оптика, Оптоэлектроника и Технологии» (Ульяновск, 2001), 10 Международной конференции по мелким центрам в полупроводниках (Варшава, Польша, 2002), 12 Международной школе по вакуумной электронике и ионной технологии (Варна, Болгария, 2001), 21— и 22й® Международных конференциях по дефектам в полупроводниках (Гиссен Германия 2001, Архус Дания 2003), Совещании "Нанофотоника" (Н.Новгород, 2003) а так же на внутренних семинарах Института физики микроструктур РАН и Научно-образовательного центра зондовой микроскопии ННГУ.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 22 печатных работы [А1-А22], в том числе 8 статей в реферируемых научных изданиях и 14 публикаций в сборниках тезисов докладов и трудов конференций.

Личный вклад автора в получение результатов

Диссертантом были выполнены все спектроскопические эксперименты с

и механически полированными пластинами Si

напряжений кристаллической решётки, вводимых во время ИИО, и синтеза слоя, состоящего только из фазы Р-Ре81г, образец подвергался дополнительному отжигу (Т=800 С, 20 мин). По данным ВИМС, рентгеновской дифракции и Рамановского рассеяния в приповерхностном слое толщиной 200 нм формируется мелкодисперсная фаза дисилицида железа с характерными размерами преципитатов 40-150 нм, причем кремний в слое сохраняет достаточно высокую степень кристаллического совершенства.

В третьем и четвёртом параграфах приводятся результаты исследования люминестентных свойств структур в интервале температур от 4,2 до

77 К. Отдельные образцы демонстрировали довольно интенсивную ФЛ с максимумом около 0,78 эВ и полушириной линии около 60 мэВ. Были проведены эксперименты, в которых структура возбуждалась как с лицевой (имплантированной) стороны, так и со стороны подложки. В последнем случае наблюдалась почти на порядок более интенсивная ФЛ с максимумом около 0,83 эВ и полушириной около 50 мэВ (рис. 1).

Для того чтобы определить, где локализованы

светоизлучающие центры,

отвечающие линиям с

максимумами на 0,78 и 0,83 эВ соответственно, были проведены эксперименты по травлению структур Результаты

этих экспериментов показали, что центры, отвечающие линии 0,78 эВ, расположены в имплантированном слое, в то время как центры, отвечающие линии 0,83 эВ; расположены в слое толщиной 3 мкм на обратной, не подвергавшейся обработке, стороне пластины Si. Результаты

дальнейших исследований люминесцентных свойств центров, отвечающих линии с максимумом на 0,83 эВ, представлены во второй главе.

На основании экспериментов по травлению структур, а так же зависимости интенсивности ФЛ от дозы имплантированного железа, делается вывод о дефектной природе люминесценции линий с максимумами на 0,78 и 0,83 эВ, наблюдавшихся в структурах полученных методом ионной имплантации.

Вторая глава посвящена исследованию дефектно-примесной люминесценции в кремнии, выращенном по методу Чохральского. Здесь представлены результаты исследования люминесцентных свойств механически полированных пластин кремния, подвергнутых высокотемпературному отжигу, приведены также результаты исследования ФЛ Р-линии (с энергией оптического перехода 0,767 эВ), наблюдающейся в кремнии с высоким содержанием кислорода, подвергнутом отжигу при Т-450 °С.

В последнее время всё большее внимание привлекает исследование дислокационной люминесценция (линии Б1~0,81 эВ, Б2~0,87 эВ, Б3~0,93 эВ и Б4~0,99 эВ). Особенный интерес представляет линия Б1, соответствующая длине волны 1,5 мкм. К настоящему моменту, на кремниевых диодах излучающих в диапазоне 0,75-0,8 эВ (дефектно-дислокационная люминесценция) уже достигнута высокая внешняя квантовая эффективность излучения >0,1% [5].

При механической обработке поверхности пластины Si (шлифовка, полировка) образуется повреждённый слой толщиной до 10 мкм, содержащий большое количество структурных нарушений, в частности, дислокаций. После термического отжига этот слой способен люминесцировать (дислокационные линии Б1-Б4).

Была исследована ФЛ кремниевых пластин, подвергнутых стандартной механической обработке (шлифовка и полировка). В работе использовались пластины монокристаллического кремния, выращенного по методу Чохральского, с содержанием кислорода -5-Ю17 см'3. Пластины Si( 100) имели п-тип проводимости (легированы фосфором до концентрации ~1015 СМ-3) И удельное сопротивление 4-5 Омсм.

Спектры ФЛ, снятые при возбуждении ФЛ с механически обработанной стороны пластины Si до термического отжига (рис. 2, кривая 1), не содержали каких-либо спектральных особенностей в области 0,75- 1,2 эВ. После термического отжига (800 С, 20 мин) спектр ФЛ кардинально изменился (кривая 2). При этом наблюдалось появление интенсивной линии ФЛ с максимумом при 0,83 эВ (1,5 мкм)

и шириной 50 мэВ. Для выяснения природы

интенсивного сигнала ФЛ при 0,83 эВ проводились

эксперименты по стравливанию слоя кремния с механически обработанной стороны

пластины. На рис. 2 (кривая 3) приведён спектр ФЛ, снятый при температуре 77 К, после стравливания слоя толщиной со стороны,

подвергшейся механической обработке. При этом

наблюдалось заметное падение интенсивности сигнала при 0,83 эВ без значительного изменения его спектрального положения. Таким образом, можно заключить, что светоизлучающие центры образуются в ходе отжига структуры и локализованы в приповерхностном повреждённом слое толщиной порядка 3 мкм.

Для исследования структуры и примесного состава повреждённого слоя до и после ТО, приповерхностный слой пластины Si, подвергшийся механической обработке, был исследован методами ВИМС и ПЭМ. Примесный состав слоя соответствовал объёму полупроводника и не зависел от ТО, в то время как дефектная структура шлифованной поверхности значительно менялась после отжига. На месте царапин (кроме самых глубоких) остались следы, в которых присутствуют дислокации разной длины и дислокационные петли порядка 40 нм. Плотность петель составляет плотность дислокаций порядка

Причём, дислокационная структура приповерхностного слоя пе распространяется в объем пластины. На снимках ПЭМ также видны включения иной фазы - кислородные преципитаты, расположенные как в приповерхностном повреждённом слое, так и в более глубоких слоях. На основании этих данных высказывается предположение о том, что светоизлучающими центрами, дающими

в-

ИВ 07 0« 0,9 10 11 1Д

Энергея фотона (эВ)

Рис. 2 Спектры ФЛ при 77 К снятые с механически полированной поверхности пластины п-Б! (100) в исходном состоянии (1), после термического отжига в режиме 800'С/20 мин (2), после термического отжига 800'С/20мин и стравливания слоя толщиной 3 мкм (3).

и

сигнал на 0,83 эВ, являются кислородные преципитаты, расположенные в окрестности дислокаций.

Четвертый параграф главы 2 посвящен исследованию люминесцентных свойств Р-линин (0,78 эВ) [6]. Существуют различные модели, описывающие микроскопическую структуру центра, отвечающего Р-линии, однако детальное понимание в этом вопросе ещё не достигнуто. Для Р-линии наблюдался сдвиг при изотопной замене С, что позволяет сделать вывод о присутствии в составе данного дефектного центра атома углерода. Участие кислорода в формировании этого центра подтверждается тем, что Р-линия наблюдалась только в богатом кислородом Cz-Si и не наблюдалась в кремнии с малой концентрацией кислорода. Особенно интересно отметить, что условия формирования центров отвечающих Р-линии идентичны условиям формирования классических двойных термодоноров Дефектный центр начинает образовываться при 400°С, люминесценция Р-линии достигает своего максимума при 470°С и исчезает при более

высокотемпературном отжиге 550-600°С. На основании такой зависимости было высказано предположения о связи Р-линии с термодонорами [7].

Для выяснения природы излучательного центра, дающего Р-линию была, исследована связь фотолюминесценции Р-линии, возникающей в результате отжига кремния при Т=450°С, с известными кислородсодержащими двойными термодонорами (TDDi). В качестве исходного кремния - были использованы • пластины Cz-Si с исходной концентрацией кислорода

6-Ю" см^

и 1-Ю15 см?. Для; формирования термодоноров

образцы были подвергнуты термическому отжигу при Т=450°С в течении 1 и 10 часов. На основании абсорбционных

измерений были измерены сечения поглощения переходов

и определена концентрация кислородсодержащих двойных термодоноров

наших образцах доминировали двойные термодоноры TDD1-5 с энергией связи основного состояния 69,2; 66,8;64,6; 62,2 и 60,1 мэВ соответственно.

Для этих образцов были проведены измерения фотолюминесценции в диапазоне температур от 4,2 до 77 К. Для всех образцов наблюдалась интенсивная люминесценция Р-линии при 77 К. Наблюдалась отчетливая линейная зависимость интенсивности Р-линии от суммарной концентрация термодоноров в структуре (рис 3). На настоящем этапе мы не можем точно описать оптически активный центр, дающий Р-линию, однако связь Р-линии с термодонорами семейства TDDi представляется весьма обоснованной.

Третья глава посвящена исследованию ЭЛ селективно легированных СМЛЭ структур Si:Er/Si с позиционированным относительно р-п-перехода активным слоем.

Основным препятствием на пути создания эффективно излучающего Si:Er/Si светодиода, работающего в режиме прямого смещения, является сильное температурное гашение люминесценции иона Ег*\ При гелиевых температурах в условиях оптической накачки была достигнута внутренняя квантовая эффективность более 10% [8]. Однако, при увеличении температуры от 4 до 300 К, интенсивность люминесценции падает на несколько порядков и практически гаснет.

Температурное гашение люминесценции может быть вызвано как уменьшением эффективности возбуждения иона Ег, так и процессами девозбуждения. Среди различных процессов девозбуждения иона Ег5* основными являются оже-девозбуждение свободными носителями и обратная передача энергии (в англоязычной литературе — «back transfer») [9]. Причём, если «back transfer» определяет гашение

люминесценции иона Ег при высоких температурах

(>120 К), то оже-

девозбуждение является

доминирующим процессом при низких температурах, а так же при больших мощностях накачки.

Дкя исследования

7см |

Рис.4 Схематичное изображение структуры с позиционированным относительно ^«-перехода активным слоем, легированным ионами Ег

процессов оже-девозбуждения иона Ег',+ свободными носителями было предложено использовать диодную

структуру с

позиционированным активным слоем (рис. 4). Структура была выращена в НИФТИ ИНГУ В.П. Кузнецовым таким

образом, что толщина эпитаксиальных слоёв чистого Si изменялась вдоль подложки более чем на порядок. Толщина легированного слоя не изменялась, и концентрация ионов в слое была равна ~2-10'* см"5. Параметры структуры были подобраны таким образом, чтобы на одной структуре реализовались все случаи: от активного слоя, лежащего вне области пространственного заряда (центральная часть структуры), до активного слоя, лежащего в глубине ОПЗ (край структуры). Особенно интересным является случай, когда легированный слой расположен на границе или на небольшом расстоянии вне ОПЗ. Подавая на структуру слабое отрицательное смещение (меньшее, чем смещение пробоя), можно менять ширину области пространственного заряда и, если слой расположен достаточно близко от границы ОПЗ, вводить легированный слой в ОПЗ, а, соответственно, и менять концентрацию носителей в области, легированной ионами Ег.

Данная структура демонстрировала интенсивную фото- и электролюминесценцию в прямом смещении при низких температурах и интенсивную электролюминесценцию в обратном смещении вплоть до комнатной температуры. Было проведено исследование кинетики ЭЛ в прямом смещении (в интервале температур 4.2-160 К) для случая, когда активный слой располагался в области пространственного заряда. На рис. 5 представлена типичная осциллограмма ЭЛ. Анализ результатов показывает, что существуют два времени спада люминесценции: быстрое - Т|*0,1-0,2 мс и медленное Т2 от 0,8 до 1,5 мс, которое

Рис.5 Кинетика ЭЛ в прямом смещении при Т=50 К. Спад люминесценции описывается кривой с двумя временами (быстрым - Т[=Ю,13 мс и мед ленным мс).

соответствует излучательному времени жизни ионов эрбия в исследуемом диапазоне температур Следует отметить, что даже при низкой температуре (около 10 К), основным процессом, определяющим спад люминесценции (примерно в 3 раза), является именно "быстрый" процесс. Было высказано и экспериментально доказано предположение о том, что "быстрое" гашение люминесценции - это процесс оже-девозбуждения ионов Ег* неравновесными свободными носителями, инжектируемыми в легированную область при включении прямого смещения.

При повышении температуры от15 до 110 К интенсивность ЭЛ падает более чем на порядок, в то время как времена «быстрого» и «медленного» спада люминесценции остаются практически постоянными. Это является бесспорным доказательством того, что, по крайней мере в этом диапазоне температур, гашение люминесценции определяется не девозбуждением иона а уменьшением

эффективности передачи энергии от электрон-дырочных пар во внутреннюю 4£ оболочку иона Ег3+ из-за конкурирующих безызлучательных каналов передачи энергии.

Из результатов эксперимента следует, что даже при самых низких температурах не более 20% возбужденных ионов Ег3+ излучает, в то время как остальные, вследствие оже-девозбуждения неравновесными свободными носителями,

возвращают энергию обратно в электронную подсистему

кремния. Таким образом, девозбуждение неравновесными носителями, генерируемыми в ходе возбуждения

люминесценции, является

важным механизмом,

снижающим эффективность люминесценции.

В структурах с

позиционированным слоем при низких температурах впервые наблюдалась

«задержанная» ЭЛ ионов при приложении к диодной структуре импульса

обратного смещения p-n-перехода через длительное время (до 100 мс) после окончания возбуждающего импульса прямого смещения (рис. 6). Спектр «задержанной» ЭЛ соответствует люминесценции иона «Задержанная» ЭЛ

ионов (в диапазоне температур 40-100 К) не наблюдалась, если импульсу обратного смещения не предшествовало прямое смещение p-n-перехода.

Экспериментальные данные можно объяснить наличием в структуре глубоких ловушек для электронов. Во время протекания тока через структуру (при положительном смещении p-n-перехода) ловушки заполняются носителями и могут длительное время сохранять своё состояние даже после выключения прямого смещения. При обратном смещении носители освобождаются с ловушек и могут возбудить ионы эрбия ударным способом.

В интервале температур, в котором проводились измерения (40-120 К), термическое опустошение ловушек не наблюдалось (максимальные использовавшиеся времена задержки были около 100 мс). Заполнение ловушки термоактивированными равновесными носителями: удалось наблюдать при температуре 120 К. При данной температуре ловушки заполнялись за времена >50 мс.

В заключении сформулированы основные результаты, полученные в работе.

Основные результаты работы

1. При исследовании люминесцентных свойств структур полученных методом ионной имплантации и отличающихся дозой введённого железа и режимами термообработки, выявлено, что сигнал фотолюминесценции в интервале температур от 4,2 до 77 К в районе ^.«1,5 мкм связан с дефектно-примесными комплексами.

2. Установлено, что для кремниевых пластин с механически полированной поверхностью, подвергнутых высокотемпературной обработке, светоизлучающие центры, ответственные за люминесценцию с энергией 0,83 эВ; расположены в приповерхностном поврежденном слое, образовавшемся при механической обработке поверхности. Данные ВИМС и просвечивающей электронной микроскопии (в совокупности с результатами, приводимыми в литературе) свидетельствуют о том, что светоизлучающими

epilayers grown with sublimation molecular-beam epitaxy//XI-th Feofilov Symposium on Spectroscopy of Crystals Activated by Rare-Earth and Transition Metal Ions, Proceedings of SP1E 2002 Vol 766 P. 89-93.

A10. В A. Andreev. V.V. Emtsev, D.I. Kryzhkox, D.I. Kurilsyn. and V.B. Shmagin, "Study of 1R Absorption and Photoconductivity Spectra ofThermal Double Donors in Silicon" //10th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors SLCS-10,Warsaw, Poland July 24-27,2002 Program &Abstracts, P.58.

All. Андреев Б.А.. Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Кузнецов В.П., Jantsch W., Особенности кинетики люминесценции иона ЕгЗ+ в кремниевых структурах с активным слоем, позиционированным в области пространственного заряда.// Материалы совещания "Нанофотоника", Н. Новгород, Россия, 17-20 марта 2003, С.330-332.

А12. Шенгуров В.Г., Светлов СП., Чалков В.Ю., Андреев Б.А.. Красильник З.Ф.,. Крыжков Д.И, Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ. // Материалы совещания "Нанофотоника", Н. Новгород, Россия, 17-20 марта 2003, С.340-342.

А13. Андреев Б.А., Красшьник З.Ф., КрыжковД.И., Яблонский А.Н., Кузнецов В.П., Gregorkiewicz Т., Klik M.A.J., Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции ионов в эпитаксиальных кремниевых структурах,

легированных эрбием. // Материалы совещания "Нанофотоника", Н.Новгород, Россия, 17-20 марта 2003, С.343-346.

А14. Баталов Р.И., Баязитов P.M., Хапбуллин И.Б, Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Красшьник З.Ф., Андреев Б.А., Крыжков Д.И., Особенности люминесценции импульсно-синтезированных пленок b-FeSi2 в кристаллическом Si // Тезисы докл. Международной конференции «Оптика, Оптоэлектроника и Технологии» 2001, Ульяновск, Россия, С.69.

А15. R.I.Batalov, R.M.Bayazitov, E.I.Terukov, V.Kh.Kudoyarova, Z.F.Krasil'nik, В.A.Andreev, D.I.Krizhkow, 1.5 mm Luminescence of pulsed ion-beam synthesized b-FeSi2 films on Si // Abstracts of 12th International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies, 2001, 17-21.09, Varna, Bulgaria, P. 116-117

A16. Б.А.Андреев, З.Ф.Красильник, Д.И.Крыжков, В.П.Кузнецов, А.О.Солдаткин, М.В.Степихова, В.Б.Шмагин, Л.П.Яблонский, W.Yanch, OT.Gregorkiexicz., "Светоизлучаюшие структуры на основе кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии"// V Российская

конференция по физике полупроводников. Нижний Новгород, 10-14 сентября, 2001. Тезисы докладов С.89.

А17. V.B. Shmagin, B.A. Andreev, Z.F. Krasil'nik, D.I. Kryzhkov, V.P. Kuznetsov and E.A. Uskova. Electrically active centers in light emitting Si:Er/Si layers prepared with sublimation molecular beam epitaxy (SMBE). 21st International Conference on Defects in Semiconductors, Giessen, Germany, July 16-20, 2001, Book of Abstracts, P.181.

A18 Б.А. Андреев. З.Ф. Красилъник. Д. И. Крыжков, В.П. Кузнецов, W. Jantsch Особенности электро- и фотолюминесценции. иона Егэ+ в эпитаксиальных кремниевых структурах с активным слоем, позиционированным. в области пространственного заряда.// VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-30 октября 2003 г. Тезисы докладов С.427-428.

А19. Б А. Андреев, З.Ф.Красильник, Д.И. Крыжков, А.Н. Яблонский, В.П. Кузнецов, Т. Gregorkiewicz, M.A J. Klik Спектры возбуждения фотолюминесценции ионов ErJ+ в эпитаксиальных кремниевых структурах. // VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-30 октября 2003 г. Тезисы докладов С. 435-436.

А20. V.V. Emtsev, B.A. Andreev, V.Yu. Davydov, D.S. Poloskin, G.A. Ogamsyan, D.I. Kryzhkov, V.B. Shmagin, V.V. Emtsev Jr, A. Misiuk, С A. Londos Stress-induced changes of thermal donor formation in heat-treated Czochralski-grown silicon // 22st International Conference on Defects in Semiconductors, Arhus, Denmark, 28 July - 1 August 2003, Book ofAbstracts I (Oral), OF4.

A21. B.A. Andreev, T. Gregorkiewicz, M. Klik, Z.F. Krasilnik, D.I. Kryzhkov, V.P. Kuznetsov. V.B. Shmagin, A.O. Soldatkin, and A.N. Yablonsky Photoexcitation efficiency of Er3' ions in silicon structures as a function of nature, concentration and distribution of optically and electrically active centers //22st International Conference on Defects in Semiconductors, Arhus, Denmark, 28 July - 1 August 2003, Book of Abstracts II (Poster), PA72.

A22. B.A. Andreev, T. Gregorkiewicz, M. Klik, Z.F. Krasilnik, D.I. Kryzhkov, V.P. Kuznetsov, A.N. Yablonsky Excitation spectroscopy of Er ions in epitaxially grown Si:Er structures //22st International Conference on Defects in Semiconductors, Arhus, Denmark, 28 July - 1 August 2003, Book ofAbstracts II (Poster), PA 102.

Цитируемая литература

1. S.J. Clark, Н.М. А1-А11ак, S. Brand and R.A. Abram Structure and electronic properties of FeSi2//Phys. Rev. B, V.58, N.16, P. 10389 (1998).

2. T. Suemasu, Y. Hegishi, K. Takakura and F. Hasegawa Room temperature 1.6 pm electroluminescence from a Si-based Light emitting Diode with ß-FeSi2 active region //Jpn. J. Appl Phys., Vol.39 (2000), P. L1013.

3. S. Schuller, R. Carius, S. Mantl Optical and structural properties of ß-FeSi2 precipitate layers in silicon // J. Appl. Phys., V.94, N.l, P.207 (2003).

4. Э.А. Штейнман, В.И. Вдовин, А.Н.Изотов, Ю.Н Пархоменко, А.Ф.Борун «Фотолюминесценция и структурные дефекты слоев кремния, имплантированных ионами железа», ФТТ, Том 46, С.26 (2004).

5. V. Kveder, М. Badylevich, Е. Steinman, and A. Izotov Room-temperature silicon light-emitting diodes based on dislocation luminescence // Appl. Phys. Lett., V.84, N.l2, P.2106 (2004).

6. W. Kürner, R. Sauer, A. Dörnen and K. Thonke Structure of 0.767-eV oxygen-carbon luminescence defect in 450°C annealed Czochralski-grown silicon // Phys. Rev. B, V.39, N.l8, P.13327 (1989).

7. S Pizzini, M Guzzi, F. Orilli and G Borionetti The photoluminescence emission in the 0.7-0.9 eV range from oxygen precipitates, thermal donors and dislocations in silicon HI. Phys.: Condens. Matter 12 (2000) 10131-10143.

8. Б.А.Андреев, Т.Грегоркевич, З.Ф.Красильник, В.П.Кузнецов, Д.И.Курицын, М.В.Степихова, В.Г.Шенгуров, В.Б.Шмагин, А.Н.Яблонский, В.Янч, "Эффективность и температурное гашение люминесценции в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием", Известия РАН. Серия физическая, 2003, том 67, №2, с.273-276.

9. F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa and A. Camera Excitation and nonradiative deexcitation processes of Eri+ in crystalline Si // Phys. Rev. В (1998), V.57, N.8, P.4443.

КРЫЖКОВ Денис Игоревич

ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ В ОБЛАСТИ ДЛИН ВОЛН 1,5-1,6 МКМ.

Автореферат

Подписано к печати 12.05.2004 г. Тираж 100 экз. Отпечатано на ризографе в Институте физики микроструктур РАН 603950, Нижний Новгород, ГСП-105

»1217*

Введение.

1. Люминесцентные свойства структур Ре812:81/81, полученных методом ионной имплантации.

1.1. (3-Ре812 новый материал для кремниевой оптоэлектроники обзор литературы).

1.2. Методы формирования и анализа кремниевых структур с Бь-р-Рейз.

1.3 Люминесцентные свойства 81: Р-Ре812/81 структур.

1.4. Природа люминестенции 81: Р-Ре812/81 структур.

2. Дефектно-примесная фотолюминесценция в кремнии.

2.1. Примеси и дефекты а Сг-ЭЮ.

2.2. Влияние термообработки на люминесцентные свойства кремния.

2.3. Природа излучения с максимумом на 0.83 эВ.

2.4. Люминесцентные свойства Р-линии (0,767 эВ) в кремнии, отожжённом при 450 °С.

3. Электролюминесценция селективно легированных структур полученных методом СМЛЭ.

3.1 Введение.

3.2. Излучательные центры в 8кЕг/Е1 структурах выращенных методом СМЛЭ.

3.3. Исследование ЭЛ диодных структур Б^Ег/Бь

4.4. Температурное гашение люминесценции иона Ег3+.

Процессы оже-девозбуждения Ег люминесценции.

3.5. Экспериментальное исследование оже-девозбуждения на структуре с позиционированным активным слоем.

3.6. Эффект «задержанной» люминесценции в структуре с позиционированным активным слоем.

Благодаря своим уникальным свойствам и наиболее разработанной технологии, кремний является основным материалом современной микроэлектроники. В настоящее время подавляющее большинство микроэлектронных чипов и солнечных батарей изготавливаются из кремния и по всей вероятности такая ситуация сохранится и в ближайшие годы.

В области оптоэлектроники положение кремния совершенно другое. Кремний - непрямозонный материал, с чем связаны известные проблемы излучательной рекомбинации электронов и дырок. Долгое время вообще считалось, что кремний малопригоден для нужд оптоэлектроники. Однако задача интеграции на одном чипе микроэлектронных и оптических компонент настоятельно требует создания эффективного источника излучения на основе кремния. Работы в этом направлении интенсивно ведутся последнее десятилетие. Значительный интерес в области телекоммуникационных применений привлекает задача создания на базе кремния эффективного источника излучения с длиной волны около 1,54 мкм, так как эта длина волны, соответствующая окну прозрачности оптических волокон, особенно привлекательна с точки зрения телекоммуникационных применений.

Данная работа посвящена исследованию светоизлучающих центров в БкЕг/Б! и 8!:Ре812/81 структурах, а так же дефектно-примесной люминесценции Сг-Бь В настоящее время кремний, легированный ионами Ег, преципитаты дисилицида железа в кремниевой матрице, а так же объёмный кремний, демонстрирующий дислокационную люминесценцию (линия 01), -рассматриваются как потенциальные источники излучения с длиной волны 1,5 мкм. Природа указанных светоизлучающих центров, механизмы люминесценции и процессы формирования исследованы недостаточно.

Актуальность темы

Создание эффективного источника излучения на основе кремния - важная задача современной оптоэлектроники. Первые многообещающие результаты получены для нескольких видов кремниевых светоизлучающих структур исследуемых в работе [1-4]. Данная работа посвящена идентификации и исследованию люминесцентных свойств излучательных центров в кремниевых структурах. Отсутствие детальных представлений о свойствах светоизлучающих центров, процессах возбуждения и девозбуждения этих центров, сдерживает процесс создания эффективных источников излучения.

Для структур 8к/?-Ре812/81, полученных методом ионной имплантации и подвергнутых дополнительной ионно-импульсной обработке, идентификация светоизлучающих центров ранее не проводилась. Всё большее количество авторов склоняется к точке зрения, что в 81:Ре812/81 структурах, полученных методом ионной имплантации, люминесценция имеет дефектно-дислокационную природу [5,6]. Структура дефектных центров существенным образом связана с условиями имплантации и постимплантационной обработки. Следовательно, для разных условий необходимо уточнять природу светоизлучающих центров.

Светоизлучающие структуры 8х:Нг/81, выращенные методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ), по своим свойствам отличаются от структур полученных с помощью ионной имплантации. Детальное понимание процессов переноса энергии в таких структура во всём диапазоне температур от 4.2 до 300 К отсутствует. Данная работа развивает представления об эффективности процессов возбуждения и девозбуждения иона Ег в БкЕг/Б! структурах, выращенных методом СМЛЭ.

Основные цели работы

1. Определение природы светоизлучающих центров в структурах 81:Ре812/81, изготовленных методом ионной имплантации и подвергнутых ионно-импульсной обработке (ИИО) и высокотемпературному отжигу.

2. Идентификация люминесцирующих в области энергий около 0,80-0,85 эВ центров в кремнии, возникающих при высокотемпературном отжиге (800°С) механически полированных пластин. Исследование влияния термообработки на люминесцентные свойства кремния.

3. Исследование механизмов ЭЛ структур 8кЕг/81 с позиционированным относительно р-л-перехода активным слоем, легированным ионами Ег.

4. Изучение кинетики ЭЛ в структурах БЬЕг^ с позиционированным активным слоем и оценка эффективности девозбуждения иона Ег3+ свободными носителями.

Научная новизна работы.

1. Показано, что сигнал ФЛ в интервале энергий 0,72-0,88 эВ, наблюдавшийся в структурах 81:Ре812/81, полученных методом ионной имплантации с последующей ИИО и высокотемпературным отжигом, имеет дефектно-примесную природу.

2. Выявлены особенности люминесценции пластин кремния подвергнутых механической обработке поверхности. Показано, что оптически активные центры, дающие сигнал ФЛ с максимумом при 0.83 эВ и шириной 50 мэВ, локализованы на глубине до 3 мкм в приповерхностном слое, сформированном при механической полировке пластин.

3. В СМЛЭ структуре 81:Ег/81 с позиционированным относительно р-«-перехода активным слоем впервые наблюдался эффект «задержанной» ЭЛ иона ЕгЗ+, возникающий при приложении к р-ппереходу импульса обратного смещения через длительное время (до 100 мс) после окончания возбуждающего импульса прямого смещения. Предложена модель глубокой ловушки для носителей заряда, объясняющая результаты экспериментов по «задержанной» ЭЛ.

4. На основании кинетических измерений, выполненных на структуре с позиционированным слоем, выявлено, что основной причиной температурного гашения люминесценции иона Ег в выращенных методом СМЛЭ структурах, в диапазоне от 4,2 до 110 К является уменьшение эффективности возбуждения.

5. Показано, что даже при низких температурах, вклад неравновесных свободных носителей заряда в девозбуждение иона Ег3+ велик: менее 20% возбужденных ионов излучают, основная часть релаксирует безызлучательно в оже-процессе с участием свободных носителей.

6. Исследована зависимость интенсивности Р-линии (0,767 эВ) от концентрации термодоноров Линейная зависимость свидетельствует о вовлеченности термодоноров с энергией связи основного состояния от 69,2 до 60,1 мэВ (ТБЭ^ 1=1-^5) в процесс излучательной релаксации с энергией 0,767 эВ.

Практическая ценность работы.

Определение природы люминесценции 81:Ре812/31 структур заставляет по-новому взглянуть на проблему люминесценции преципитатов дисилицида железа в кремнии. Понимание дефектно-дислокационной природы люминесценции позволяет сфокусировать внимание на исследовании структуры дефектов, возникающих при изготовлении структур, а так же на проблемах связанных с определением и конструированием светоизлучающих дефектов в кремнии.

В работе предложен метод исследования девозбуждения иона Ег свободными носителями, основанный на использовании структур с позиционированным относительно /?-я-перехода активным слоем. В сочетании с измерением кинетики ЭЛ при возбуждении импульсами сложной формы, это позволяет получать дополнительную информацию о процессах девозбуждения иона Ег равновесными и неравновесными свободными носителями.

Данные о механизме девозбуждения иона Ег в 8кЕг/81 структурах, полученных методом СМЛЭ, позволили предложить новые пути преодоления температурного гашения люминесценции иона Ег.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Сигнал фотолюминесценции в районе 1,5 мкм, наблюдавшийся в структурах 8к(3-Ре812/51, полученных методом ионной имплантации, связан со светоизлучающими дефектно-примесными комплексами, формирующимися в процессе изготовления структур.

2. Фотолюминесценция с энергией перехода 0,83 эВ в кремнии, подвергнутом высокотемпературному отжигу, обусловлена оптически активными дефектно-примесными центрами в повреждённом слое, образовавшемся вследствие механической обработки пластин.

3. Температурное гашение ЭЛ иона Ег3+ в БкЕг^ структурах, выращенных методом СМЛЭ, при повышении температуры от 4,2 К до примерно 110 К определяется уменьшением эффективности возбуждения иона Ег3+, а не процессами девозбуждения.

4. В эпитаксиальных диодных структурах Б^Ег/Б! с позиционированным относительно /?-и-перехода активным слоем наблюдается "задержанная" ЭЛ иона Ег3+, возбуждаемая импульсом обратного смещения через длительное (до 100 мс) время после окончания предварительного импульса прямого смещения. Эффект "задержанной" ЭЛ наблюдается, только если импульсу обратного смещения предшествовало протекание тока в режиме прямого смещения /^-«-перехода.

Публикации и апробация результатов работы

Основные результаты диссертации опубликованы в работах [А1-А22] и докладывались на V и IV Российских конференциях по физике полупроводников (Н.Новгород 2001, Санкт-Петербург 2003), Международной конференции «Оптика, Оптоэлектроника и Технологии» (Ульяновск, 2001), 10 Международной конференции по мелким центрам в полупроводниках (Варшава, Польша, 2002), 12 Международной школе по вакуумной электронике и ионной технологии (Варна, Болгария, 2001), 21— и 22— Международных конференциях по дефектам в полупроводниках (Гиссен Германия 2001, Архус Дания 2003), Совещании "Нанофотоника" (Н.Новгород, 2003) а так же ца внутренних семинарах Института физики микроструктур РАН и Научно-образовательного центра зондовой микроскопии ННГУ.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 22 печатных работ, в том числе 8 статей в научных журналах и 14 публикаций в сборниках тезисов докладов и трудов конференций.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения. Объем диссертации: 113 страниц, 46 рисунков и одна таблица. Список литературы содержит 110 наименований.

Основные результаты данной работы по исследованию светоизлучающих центров в кремниевых структурах БкЕг/Б! и Ре812/81 можно сформулировать следующим образом:

1. В результате исследования люминесцентных свойств в (интервале температур от 4,2 до 77 К ) ряда структур БкРеБ 12/81, полученных методом ионной имплантации и отличающихся дозой введённого железа и режимами термообработки, выявлено, что сигнал фотолюминесценции в районе 1,5 мкм связан с дефектно-примесными комплексами.

2. Установлено, что для кремниевых пластин с механически полированной поверхностью подвергнутых высокотемпературной обработке, светоизлучающие центры, ответственные за люминесценцию с энергией 0,83 эВ, расположены в приповерхностном повреждённом слое, образовавшемся при механической обработке поверхности. На основании данных ВИМС и просвечивающей электронной микроскопии показано, что светоизлучающими центрами являются кислородные преципитаты расположенные в окрестности дислокаций.

3. Измерены сечения поглощения переходов 1Б—*2Р±, 18—>2Р0 и определена концентрация кислородсодержащих двойных термодоноров в кремнии

1-5-11). На основании этих данных исследована зависимость интенсивности Р-линии (0,767 эВ) от концентрации термодоноров Линейная зависимость свидетельствует о вовлеченности термодоноров с энергией связи основного состояния от 69,2 до 60,1 мэВ (ТВБ1, 1=1ч-5) в процесс излучательной релаксации с энергией 0,767 эВ.

4. Исследована кинетика ЭЛ выращенных методом СМЛЭ диодных структур 8кЕг/81 с позиционированным активным слоем. Показано, что температурное гашение ЭЛ в БЬЕг^ структуре в диапазоне температур от 4,2 до 110 К определяется уменьшением эффективности возбуждения иона а не процессами девозбуждения.

5. Выявлена роль неравновесных свободных носителей в девозбуждении иона Ег3+. Показано, что в диодных структурах на основе 81:Ег/81, выращенных методом СМЛЭ с Ег слоем, расположенным в области пространственного заряда, не более 20% возбуждённых ионов Ег переходят в основное состояние с излучением фотонов. Энергия остальных ионов Ег возвращается в электронную подсистему кремния в результате оже-девозбуждения с участием неравновесных носителей.

6. В структуре с позиционированным активным слоем впервые наблюдался эффект «задержанной» ЭЛ иона Ег3+, возникающий при приложении к р-п-переходу импульса обратного смещения через длительное время (до 100 мс) после окончания возбуждающего импульса прямого смещения. Предложена модель глубокой ловушки для носителей заряда, объясняющая результаты экспериментов по «задержанной» ЭЛ.

В заключение считаю своим приятным долгом поблагодарить своего научного руководителя З.Ф. Красильника за предложенную интересную тему, а так же за чуткое и энергичное руководство. Хочу поблагодарить Б.А. Андреева за многочисленные научные дискуссии и плодотворное обсуждение полученных результатов. Автор благодарен В.П. Кузнецову за изготовление Si:Er/Si структур, использовавшихся в данной работе, а так же P.M. Баязитову и Р.И. Баталову за предоставленные Si:FeSi2/Si структуры.

Список публикаций по теме диссертации.

Al. C.A.J. Ammerlaan, Andreev В.A., Krasil'nik Z.F., D.I. Kryzhkov, Kuznetsov V.P., E.N. Morozova, G. Pensl, Shmagin V.B., and E.A. Uskova Electrically active centers in light emitting Si:Er/Si structures grown by the sublimation MBE method //Physica B: Condensed Matter 2001, Vol. 308-310 P.361-364.

A2. Krasilnik Z.F., Aleshkin V.Ya., Andreev B.A., Gusev O.B. Jantsch W., Krasilnikova L.V., Krizhkov D.I., Kuznetsov V.P., Shengurov V.G., Shmagin V.B., Sobolev N.A., Stepikhova M.V., Yablonsky A.N., SMBE grown uniformly and selectively doped Si:Er structures for LEDs and lasers // in "Towards the first silicon laser" Eds. L. Pavesi, S. Gaponenko, L. Dal Negro, Kluver Academic Publishers, 2003. P.445-454.

A3. Andreev B.A., Emtsev V.V., Kryzhkov D.I., Kuritsyn D.I, and Shmagin V.B., Study of IR absorption and photoconductivity spectra of thermal double donors in silicon //Physica status solidi. (b) 2003 Vol. 235, No. 1, P.79-84.

A4. Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Д.И. Крыжков, Яблонский А.Н., Кузнецов В.П., Gregorkiewicz Т., Klik M.A.J. Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции ионов Ег3+ в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием//ФТТ 2004. Т.46. Вып.1. С.98.

А5. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ//ФТТ 2004. Т.46. Вып.1. С. 102.

А6. Баталов Р.И., Баязитов P.M., Андреев Б.А., Крыжков Д.И., Теруков Е.И., Кудоярова В.Х. Фотолюминесценция в области 1.5 мкм механически обработанных слоев монкристаллического кремния // ФТП. 2003. Т.37, Вып. 12. С. 1427-1430.

А7. Шмагин В.Б., Ремизов Д. Ю., Красильник З.Ф., Кузнецов В.П., Шабанов В.Н., Красильникова JI.B., Крыжков Д.И., Дроздов М.Н. "Влияние характера пробоя р-п-перехода на интенсивность и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов ЕгЗ+ в эпитаксиальных слоях Si : Ег, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии", ФТТ, 2004, Т.46. Вып.1. С.110.

А8. V. V. Emtsev, В. A. Andreev, V. Yu. Davydov, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, D. I. Kryzhkov, V. B. Shmagin, V. V. Emtsev, Jr , A. Misiuk and C. A. Londos Stress-induced changes of thermal donor formation in heat-treated Czochralski-grown silicon// Physica B: Condensed Matter 2003, Vol. 340-342, P. 769-772

A9. Andreev B.A., Krasil'nik Z.F., Kryzhkov D.I., Kuznetsov V.P., Morozova E.N., Shmagin V.B., Stepikhova M.V., Yablonskii A.N. Er-related luminescence in Si:Er epilayers grown with sublimation molecular-beam epitaxy//XI-th Feofilov Symposium on Spectroscopy of Crystals Activated by Rare-Earth and Transition Metal Ions, Proceedings of SPIE 2002 Vol.766, P.89-93.

A10. B.A. Andreev, V.V. Emtsev, D.I. Kryzhkov, D.I. Kuritsyn, and V.B. Shmagin, "Study of IR Absorption and Photoconductivity Spectra of Thermal Double Donors in Silicon" //10th International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors SLCS-10,Warsaw, Poland July 24-27, 2002 Program &Abstracts, P.58.

A11. Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Кузнецов В.П., Jantsch W., Особенности кинетики люминесценции иона ЕгЗ+ в кремниевых структурах с активным слоем, позиционированным в области пространственного заряда.// Материалы совещания "Нанофотоника", Н. Новгород, Россия, 17-20 марта 2003, С.330-332.

А12. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Андреев Б.А., Красильник З.Ф.,. Крыжков Д.И, Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ.

Материалы совещания "Нанофотоника", Н. Новгород, Россия, 17-20 марта 2003, С.340-342.

А13. Андреев Б.А., Красилъник З.Ф., Крыжков Д.И., Яблонский А.Н., Кузнецов В.П., Gregorkiewicz Т., Klik M.A.J., Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции ионов ЕгЗ+ в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием. // Материалы совещания "Нанофотоника", Н.Новгород, Россия, 17-20 марта 2003, С.343-346.

А14. Баталов Р.И., Баязитов P.M., Хайбуллин И.Б., Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Красилъник З.Ф., Андреев Б.А., Крыжков Д.И., Особенности люминесценции импульсно-синтезированных пленок b-FeSi2 в кристаллическом Si // Тезисы докл. Международной конференции «Оптика, Оптоэлектроника и Технологии» 2001, Ульяновск, Россия, С.69.

А15. R.I.Batalov, R.M.Bayazitov, E.I.Terukov, V.Kh.Kudoyarova, Z.F.Krasil'nik, B.A.Andreev, D.I.Krizhkov., 1.5 mm Luminescence of pulsed ion-beam synthesized b-FeSi2 films on Si // Abstracts of 12th International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies, 2001,17-21.09, Уагпа, Bulgaria, P.l 16117.

A16. Б.А.Андреев, З.Ф.Красилъник, Д.И.Крыжков, В.П.Кузнецов, А.О.Солдаткин, М.В.Степихова, В.Б.Шмагин, А.Н.Яблонский, W.Yanch, OT.Gregorkievicz., "Светоизлучающие структуры на основе кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии" // V Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, 10-14 сентября, 2001. Тезисы докладов С.89.

А17. У.В. Shmagin, В.A. Andreev, Z.F. Krasil'nik, D.I. Kryzhkov, V.P. Kuznetsov and E.A. Uskova. Electrically active centers in light emitting Si:Er/Si layers prepared with sublimation molecular beam epitaxy (SMBE). 21st International Conference on Defects in Semiconductors, Giessen, Germany, July 16-20, 2001, Book of Abstracts, P. 181.

А18. Б. А. Андреев, З.Ф. Красилъник, Д.И. Крыжков, В.П. Кузнецов, W. Jantsch Особенности электро- и фотолюминесценции иона Ег в эпитаксиальных кремниевых структурах с активным слоем, позиционированным в области пространственного заряда.// VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-30 октября 2003 г. Тезисы докладов

C.427-428.

А19. Б.А. Андреев, З.Ф.Красильник, Д.И. Крыжков, А.Н. Яблонский, В.П.Кузнецов, Т. Gregorkiewicz, M.A.J. Klik Спектры возбуждения фотолюминесценции ионов

Ег3+ в эпитаксиальных кремниевых структурах. // VI Российская конференция по физике полупроводников. Санкт-Петербург, 27-30 октября 2003 г. Тезисы докладов С. 435-436. А20. V.V. Emtsev, В. A. Andreev, V.Yu. Davydov, D.S. Polos kin, G.A. Oganesyan,

D.I. Kryzhkov, KB. Shmagin, V. V. Emtsev Jr, A. Misiuk, C.A. Londos Stress-induced changes of thermal donor formation in heat-treated Czochralski-grown silicon // 22st International Conference on Defects in Semiconductors, Arhus, Denmark, 28 July - 1 August 2003, Book of Abstracts 1 (Oral), OF4.

A21. B.A. Andreev, T. Gregorkiewicz, M. Klik, Z.F. Krasilnik, D.I. Kryzhkov, V.P. Kuznetsov, V.B. Shmagin, A.O. Soldatkin, and A.N. Yablonsky Photoexcitation efficiency of Er3+ ions in silicon structures as a function of nature, concentration and distribution of optically and electrically active centers //22st International Conference on Defects in Semiconductors, Arhus, Denmark, 28 July - 1 August 2003, Book of Abstracts II (Poster), PA72. A22. B.A. Andreev, T. Gregorkiewicz, M. Klik, Z.F. Krasilnik, D.I. Kryzhkov, V.P. Kuznetsov, A.N. Yablonsky Excitation spectroscopy of Er ions in epitaxially grown Si:Er structures //22st International Conference on Defects in Semiconductors, Arhus, Denmark, 28 July - 1 August 2003, Book of Abstracts II (Poster), PA 102.

Заключение.

В наиболее интересном для кремниевой оптоэлектроники диапазоне длин волн 1,5-1,6 мкм можно выделить несколько перспективных типов светоизлучающих структур, три из которых рассматриваются в данной работе: кремний, легированный ионами Ег; кремний с преципитатами |3-Ре81 2; дислокационные кремниевые структуры.

На основе этих материалов уже получены светоизлучающие диоды, работающие вплоть до комнатной температуры. Однако параметры этих диодов ещё далеки от значений, необходимых для успешного применения их в технике. К настоящему моменту ни один из материалов не продемонстрировал решающего преимущества над другими, что не позволяет делать ставку на какое-либо одно конкретное направление. У каждого из этих светоизлучающих материалов есть свои отдельные преимущества.

Для структур 8кЕг/81, излучение на длине волны 1,54 мкм связано с переходами электрона между уровнями во внутренней 4^оболочке Ег (4115/2 —* 41п/2)- Электроны № оболочки, экранированы полностью заполненными внешними оболочками иона Ег, поэтому излучение практически не зависит от кристаллического окружения, а, соответственно, положение и форма линии люминесценции иона Ег практически не зависит от температуры. По этим же причинам ширина линии люминесценции иона Ег в кремнии очень мала. Методом СМЛЭ были выращены структуры, в которых ширина линии составляла около 10 мкэВ. Это важное достижение, с точки зрения возможного использования Зь'Ег, как активной среды для кремниевого лазера.

Исследования дисилицида железа в кремнии вызваны идеей использовать в качестве источника излучения кремний с включениями прямозонного полупроводника. Дисилицид железа был выбран как из-за подходящей ширины запрещённой зоны 0,8 эВ), так и из-за хорошего согласования параметров решёток этого полупроводника и кремния (рассогласование решёток при наложении - менее 2 %), что позволяет встраивать преципитаты [3-Ре812 в кремний эпитаксиально. Кроме того, в ряде теоретических и экспериментальных работ было показано, что в этом случае Р-Ре81г становится прямозонным материалом. На этих структурах наблюдалась интенсивная люминесценция с длиной волны около 1,5 мкм вплоть до комнатной температуры. Однако, в последнее время появилось большое количество работ, в которых показывается, что люминесценция в структурах Р-Ре812:81/81 имеет дислокационную природу. Актуальность исследований в данном направлении остаётся высокой. Во-первых, дислокационная природа люминесценции выявлена не для всех способов приготовления структур Р-Ре812:81/8ь В структурах, для которых дислокационная природа люминесценции доказана, дальнейшие исследования дисилицида железа в кремнии представляется интересным как способ формирования светоизлучающих дефектов.

Исследование дефектно-дислокационной люминесценции в кремнии (особенно линии 01 отвечающей длине волны 1,5 мкм) ведётся, в последнее время, весьма интенсивно. Удалось создать дислокационный кремниевый светодиод, излучающий свет с энергией 0.75-0.8эВ, с внешней квантовой эффективностью люминесценции >0.1% при комнатной температуре, что соответствует уровню лучших кремниевых светодиодов. Исследование структуры и свойств дефектных центров в кремнии (включая как точечные, так и протяжённые дефекты) позволило лучше изучить механизмы безызлучательной рекомбинации в 81, что чрезвычайно важно для всех видов светоизлучающих структур на основе кремния.

Таким образом, каждый из рассмотренных в работе светоизлучающих материалов на основе кремния (81:Ег/81, 81:Ре812/81, а так же структуры демонстрирующие дефектно-дислокационную люминесценцию) имеют свои особенности и преимущества с точки зрения возможного использования в будущем.

1. Т. Suemasu, Y. Hegishi, К. Takakura and F. Hasegawa Room temperature 1.6 ¿im electroluminescence from a Si-based Light emitting Diode with p-FeSi2 active region // Jpn. J. Appl Phys., Vol.39 (2000), P.L1013.

2. V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, and A. Izotov Room-temperature silicon light-emitting diodes based on dislocation luminescence // Appl. Phys. Lett., V.84, N.12, P.2106 (2004).

3. S. Schuller, R. Carius, S. Mantl Optical and structural properties of p> FeSi2 precipitate layers in silicon //J. Appl. Phys., V.94, N.l, P.207 (2003).

4. Э.А. Штейнман, В.И. Вдовин, А.Н.Изотов, Ю.Н Пархоменко, А.Ф.Борун «Фотолюминесценция и структурные дефекты слоев кремния, имплантированных ионами железа», ФТТ 46, С.26 (2004).

5. S. Brehme, P. Lengsfeld, P. Stauss, Н. Lange, and W. Fuhs Hall effect and resistivity of P~FeSi2 thin films and single crystals // J. Appl. Phys.84, P.3187 (1998).

6. A. Rizzi, B. N. E. Rosen, D. Freundt, Ch. Dieker, H. Liith, D. Gerthsen Heteroepitaxy of beta -FeSi2 on Si by gas-source MBE // Phys.Rev. B 51 (1995) 17780.

7. T. Suemasu, Y. Iikura, K. Takakura, F. Hasegawa. Optimum condition for 1.5 p.m photoluminescence from p-FeSi2 balls grown by reactive deposition epitaxy and embedded in Si crystal // J. Lumin. 87-89, 5282000).

8. Z. Liu, M. Watanabe, M. Hanabusa Electrical and photovoltaic properties of iron-silicide/silicon heterostructures formed by pulsed laser deposition // Thin Solid Films 381 (2001) P.362.

9. C. H. Oik, O. P. Karpenko, S. M. Yalisove, G. L. Doll, J. F. Mansfield Growth of epitaxial |3-FeSi2 thin films by pulsed laser deposition on silicon (111) // J. Mater. Res. 9 (1994) 2733.

10. T. Yoshitake, T. Nagamoto, K. Nagayama Microstructure of p-FeSi2 thin films prepared by pulsed laser deposition // Thin. Solid. Films. 381 (2001) P.236.

11. M.G. Grimaldi, S. Coffa, C. Spinella, F. Marabelli, M. Galli, L. Miglio, V. Meregalli Correlation between structural and optical properties of ion beam synthesized p-FeSi2 precipitates in Si // J. Lumin. V.80, P.467 (1999).

12. C. Spinella, S. Coffa, C. Bongiorno, S. Pannitteri, M.G. Grimaldi. Origin and perspectives of the 1.54 jum luminescence from ion-beam-synthesized beta-FeSi2 precipitates in Si // Appl. Phys. Lett. 76, 173 (2000).

13. K.P. Homewood, K.J. Reeson, R.M. Gwilliam, A.K. Kewell, M.A. Lourenco, G. Shao, Y.L. Chen, J.S. Sharpe, C.N. McKinty, T. Butler Ion beam synthesized silicides: growth, characterization and devices //Thin Solid Films 381, 188(2001).

14. C. A. Dimitriadis, J. H. Werner, S. Logothetidis, M. Stutzmann, J. Weber, R. Nesper Electronic properties of semiconducting FeSi2 films // J. Appl. Phys. 68, 1726(1990).

15. J. P. Andre, H. Alaoui, A. Deswarte, Y. Zheng, J. F. Petroff, X. Wallart and J. P. Nys Iron silicide growth on Si(lll) substrate using the metalorganic vapour phase epitaxy process // Journal of Crystal Growth 144, 29r(1994).

16. Bost M.C. and Mahan J.E. Optical properties of semiconducting iron disilicide thin films Hi. Appl. Phys., 1985, V.58, P.2696.

17. Finney M.S., Yang Z., Harry M.A., Reeson K.J., Homewood K.P., Gwilliam R.M., Sealy B.J. Effects of annealing and cobalt implantation on the optical properties of beta-FeSi2 II Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 316, PP.433-438 (1994).

18. D. Leong, M. Harry, K. J. Reeson, K. P. Homewood A silicon/iron-disilicide light-emitting diode operating at a wavelength of 1.5 ^im II Nature, 1997, V. 387, P.686.

19. T. Suemasu, T. Fujii, M. Tanaka, K. Takakura, Y. Iikura, F. Hasegawa Fabrication of p-Si/ß-FeSi2 balls/n-Si structures by MBE and their electrical and optical properties 113. Lumin. 80, P.473 (1999).

20. Ken-ichiro Takakura, Takashi Suemasu, Noriyoshi Hiroi and Fumio Hasegawa Improvement of the Electrical Properties of ß-FeSi2 Films on Si (001) by High-Temperature Annealing // Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 39, L233 (2000).

21. Ken-ichiro Takakura, Takashi Suemasu, Yoshihiro Ikura and Fumio Hasegawa Control of the Conduction Type of Nondoped High Mobility ß-FeSi2 Films Grown from Si/Fe Multilayers by Change of Si/Fe Ratios // Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 39, L789 (2000).

22. H. Lange Electronic Properties of Semiconducting Silicides // Phys. Sat. Sol.(b) 201, P.3 (1997).

23. Y. Imai, M. Mukaida, T. Tsunoda Calculation of electronic energy and density of state of iron-disilicides using a total-energy pseudopotential method, CASTEP //Thin Solid Films V.281 (2001), P. 176-182.

24. S.J. Clark, H.M. Al-Allak, S. Brand and R.A. Abram Structure and electronic properties of FeSi2 //Phys. Rev. B, V.58, N.16, P.10389 (1998).

25. K. Lefki and P. Muret Photoelectric study of 0-FeSi2 on silicon: Optical threshold as a function of temperature// J. Appl. Phys. 74, 1138 (1993).

26. S. Mantl Materials aspects of ion beam synthesis of epitaxial suicides // Nucl. Instr. Methods B84 (1994) 127.

27. K. Radermacher, A. Schiippen and S. Mantl Electron transport of inhomogeneous a-FeSi2/(lll)Si Schottky barriers // Solid State Electron. 37(1994) 443.

28. L. Miglio and G. Malegori Origin and nature of the band gap in P-FeSi2 // Phys.Rev. B V.52, N.3, 1995, P. 1448.

29. N.E. Christensen Electronic structure of beta-FeSi2 // Phys. Rev. B 42 (1990)7148.

30. A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, N.N. Dorozhkin, G.V. Petrov, V.E. Borisenko, W. Henrion, H. Lange Electronic and related properties of crystalline semiconducting iron disilicide // J. Appl. Phys. 79 (1996) 7708.

31. K. Oyoshi, D. Lenssen, R. Carius, S. Mantl Formation of P-Fe:Si2 precipitates at the Si02/Si interface by Fe+ ion implantation and their structural and optical properties // Thin. Solid. Films. 381 (2001) P.202.

32. L. Martinelli, E. Grilli, D. B. Migas, Leo Miglio, F. Marabelli, C. Soci, M. Geddo, M. G. Grimaldi, C. Spinella Luminescence from-FeSi2 precipitates in Si. II: Origin and nature of the photoluminescence // Phys. Rev. B 66, 085320 (2002).

33. B.O. Kolbesen, H. Cerva Defects Due to Metal Silicide Precipitation in Microelectronic Device Manufacturing: The Unlovely Face of Transition Metal Silicides //Phys. Stat. Sol. (b) 222, 303 (2000).

34. R. Hodgson, J.E.E. Baglin, R. Pal, J.M. Neri, D.A. Hammer Ion beam annealing of semiconductors // Appl. Phys. Lett. 37, 187 (1980).

35. L.J. Chen, L.S. Hung, J.W. Mayer, J.E.E. Baglin, J.M. Neri, D.A. Hammer Epitaxial NiSi2 formation by pulsed ion beam annealing // Appl. Phys. Lett. 40, 595 (1982).

36. R.M. Bayazitov, L.Kh. Zakirzyanova, I.B. Khaibullin, I.F. Isakov, A.F. Chachakov Pulsed particle beam treatment of implanted silicon //Vacuum 43, 619 (1992).

37. R.M. Bayazitov, L.Kh. Antonova, I.B. Khaibullin, G.E. Remnev. Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers // Nucl. Instr. Meth. B139, 418 (1998).

38. R.M. Bayazitov, R.I. Batalov. X-ray and optical characterization of P-Fe:Si2 layers formed by pulsed ion-beam treatment //J. Phys.: Cond. Matter 13, LI 13 (2001).

39. Баязитов P.M., Баталов Р.И., Теруков Е.И., Кудоярова B.X. Рентгеновский и люминесцентный анализ мелкодисперсных плёнок P~Fe:Si2, сформированных в Si импульсной ионной обработкой// ФТТ 2001, Том 43, Вып. 9, С. 1569.

40. М. Ferrari, L. Lutterotti Method for the simultaneous determination of anisotropic residual stresses and texture by x-ray diffraction //J. Appl. Phys. 76, 7246 (1994).

41. K. Lefki, P. Muret, E. Bustarret, N. Boutarek, R. Madar, J. Chevrier, J. Derrien, M. Brunei Infrared and Raman characterization of beta iron silicide // Solid State Commun., 1991, V.80, Р.791.

42. D. J. S. Beckett, M. K. Nissen, and M. L. W. Thewalt Optical properties of the sulfur-related isoelectronic bound excitons in Si //Phys. Rev. В 40, Р.9618 (1989).

43. Binetti S, Pizzini S, Leoni E, Somaschini R, Castaldini A and Cavallini A Optical properties of oxygen precipitates and dislocations in silicon

44. J. Appl. Phys. 2002, V.92, N.5, Р.2437.

45. Wai Lek Ng, M.A.Lourenco, R.M.Gwilliam, S.Ledain, G.Shao, K.P.Homewood An efficient room-temperature silicon-based light-emitting diode //Nature 2001, V.410, P.192.

46. M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, PJ. Reece, M. Gal Efficient silicon light- emitting diodes // Nature 412 (2001) 805.

47. Н.А.Соболев, А.М.Емельянов, Е.И.Шек, В.И.Вдовин «Влияние температуры постимплантационного отжига на свойства кремниевых диодов, полученных имплантацией ионов бора в n-Si» // ФТТ .46, 39 (2004).

48. N A Sobolev, А М Emel'yanov, Е I Shek, V I Vdovin, Т G Yugova and S Pizzini Correlation between defect structure and luminescence spectra in monocrystalline erbium-implanted silicon // J. Phys.: Condens. Matter 14, N.48, 13241-13246 (2002).

49. E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya Dislocation structure and photoluminescence of partially relaxed SiGe layers on Si(001) substrates // Semicond. Sci. Technol., 14, 582(1999).

50. B.M. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер «Кислород в монокристаллах кремния» // Интерпресс ЛТД, Киев, 1997.

51. М. Suezawa, К. Sumino, Н. Harada, and Т. Abe Nitrogen-Oxygen Complexes as Shallow Donors in Silicon Crystals // Jpn. J. Appl. Phys. 25, L859 (1986).

52. A J Kenyon, E A Steinman, С W Pitt, D E Hole and V I Vdovin The origin of the 0.78 eV luminescence band in dislocated silicon //J. Phys. Condens. Matter 15, S2843-S2850, (2003).

53. S Pizzini, M Guzzi, E Grilli and G Borionetti The photoluminescence emission in the 0.7-0.9 eV range from oxygen precipitates, thermaldonors and dislocations in silicon // J. Phys.: Condens. Matter 12 (2000) 10131-10143.

54. A.N. Safonov and G. Davies Effect of oxygen on exciton transitions in silicon // Physica B 308-310 (2001) 298-300.

55. S Binetti, R Somaschini, A Le Donne, E Leoni, S Pizzini, D Li and DYang Dislocation luminescence in nitrogen-doped Czochralski and float zone silicon // J. Phys.: Condens. Matter 14, 13247-13254, (2002).

56. G. Davies The optical properties of luminescence cenres in silicon // Physics Reports (Review Section of Physics Letters) 176, Nos. 3 & 4 (1989) 83-188, North-Holland, Amsterdam.

57. W. Kurner, R. Sauer, A. Dornen and K. Thonke Structure of 0.767-eV oxygen-carbon luminescence defect in 450°C annealed Czochralski-grown silicon // Phys. Rev. B, V.39, N.18, P.13327 (1989).

58. G. Davies, E. C. Lightowlers, R. Woolley, R. C. Newman and A. S Oates Carbon in radiation damage centres in Czochralski silicon // J. Phys. C: Solid State Phys. 17 No 19, L499-L503, (1984).

59. N. Magnea, A. Lazrak, and J. L. Pautrat Luminescence of carbon and oxygen related complexes in annealed silicon // Appl. Phys. Lett. 45, 60 (1984).

60. A.A. Istratov, H. Hieslmair, E.R. Weber Iron contamination in silicon technology // Applied Physics A: Materials Science & Processing, 70, P.489, "Springer-Verlag Heidelberg" (2000).

61. Jian Chen and Ingrid De Wolf Study of damage and stress induced by backgrinding in Si wafers // Semicond. Sci. Technol., 18, 261 (2003).

62. T.J. Magee, C. Leung, H. Kawayoshi, B.K. Furman, C.A. Evans Gettering of mobile oxygen and defect stability within back-surface damage regions in Si // Appl. Phys. Lett., 38, 891 (1981).

63. V. Higgs, E.C. Lightowlers, G. Davies, F. Schaffler, E. Kasper Photoluminescence from MBE Si grown at low temperatures; donor bound excitons and decorated dislocations //Semicond. Sci. Technol., 4, 593 (1989).

64. V. Higgs, M. Goulding, A. Brinklow, P. Kightley Characterization of epitaxial and oxidation-induced stacking faults in silicon: The influence of transition-metal contamination //Appl. Phys. Lett., 60, 1369 (1992).

65. Бейнихес И.Л., Коган Ш.М. "Доноры в многодолинных полупроводниках в приближении центральной ячейки нулевого радиуса" // ЖЭТФ, Т.93, С.285-301 (1987).

66. Н. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, and A. Axman 1.54-jnm luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon // Appl. Phys. Lett. 43, 943 (1983).

67. S. Hufner, Optical Spectra of transparent Rare-earth Compounds (Academic, New York, 1978).

68. S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacaita Direct evidence of impact excitation and spatial profiling of excited Er in light emitting Si diodes // Appl. Phys. Lett., 1998, 73 (1), P.93.

69. J. Palm, F. Gan, B. Zheng, J. Michel, L.C. Kimmerling Electroluminescence of erbium-doped silicon // Physical Review B, 1996, V.54, N.24, P.17603.

70. M. Markman, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter Excitation efficiency of electrons and holes in forward and reverse biased epitaxially grown Er-doped Si diodes // Appl. Phys. Lett. (2001), V.78, N.2, P.210.

71. M. Markman, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter, Ch. Buchal Enchancement of erbium photoluminescence by substitutional С alloying of Si // Appl. Phys. Lett. (1999), V.75, N.17, P.2584.

72. M. Stepikhova, B. Andreev, Z. KrasiPnik, A. Soldatkin, V. Kuznetsov, O. Gusev Uniformly and selectively doped silicon: erbium structures produced by the sublimatiom MBE method // Meteríais Science and Engineerig B81 (2001)67-70.

73. H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B. J. Sealy Optically active erbium centers in silicon // Phys. Rev. B, V.54, N.4, P.2532 (1996).

74. J. Michel, J. L. Benton, R. F. Ferrante, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, J. M. Poate and L. C. Kimerling Impurity enhancement of the 1.54-jim Er3+ luminescence in silicon // J. Appl. Phys. 70, P.2672 (1991).

75. F. Priolo and G. Franzi, S. Coffa, A. Polman, S. Libertino, R. Barklie and D. Carey The erbium-impurity interaction and its effects on the 1.54 цт luminescence of Er3+ in crystalline silicon // J. Appl. Phys. 78 (6), P.3874 (1996).

76. F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa and A. Camera Excitation and nonradiative deexcitation processes of Er3+ in crystalline Si // Phys. Rev. B (1998), V.57, N.8, P.4443.

77. G.Franzo, F.Priolo, S.Coffa, A.Polman, A.Carnera Room-temperature electroluminescence from Er-doped crystalline Si // Appl.Phys.Lett. 64, 2235 (1994).

78. N.A.Sobolev, A.M.Emel'yanov, K.F.Shtel'makh Avalanche breakdown-related electroluminescence in single crystal Si:Er:0 //Appl.Phys.Lett. 71,1930 (1997).

79. Jung H. Shin, Se-young Seo, Sangsig Kim, S. G. Bishop Photoluminescence excitation spectroscopy of erbium-doped silicon-rich silicon oxide // Appl. Phys. Lett., V.76, N.15, P. 1999 (2000).

80. Se-Young Seo and Jung H. Shin Exciton-erbium coupling and the excitation dynamics of Er3+ in erbium-doped silicon-rich silicon oxide // Appl. Phys. Lett., V.78, N.18, P.2709 (2001).

81. A. J. Kenyon, C. E. Chryssou, C. W. Pitt, T. Shimizu-Iwayama, D. E. Hole, N. Sharma C. J. Humphreys Luminescence from erbium-doped silicon nanocrystals in silica: Excitation mechanisms //J. Appl. Phys., V.91, N.l, P.367 (2002).

82. Jung H. Shin, Won-hee Lee, and Hak-seung Han 1.54 fim Er3+ photoluminescent properties of erbium-doped Si/Si02 superlattices // Appl. Phys. Lett., V.74, N.l 1, P.1573 (1999).

83. Jung H. Shin, Ji-Hong Jhe, Se-Young Seo, Yong Ho Ha, Dae Won Moon Er-carrier interaction and its effects on the Er3+ luminescence of erbium-doped Si/Si02 superlattices // Appl. Phys. Lett., V.76, N.24, P.3567 (2000).

84. Yong Ho Ha, Sehun Kim, Dae Won Moon, Ji-Hong Jhe, Jung H. Shin Er3+ photoluminescence properties of erbium-doped Si/SiC>2superlattices with subnanometer thin Si layers // Appl. Phys. Lett., V.79, N.3, P.287 (2001).

85. S. Coffa, G. Franzo, and F Priolo High efficiency and fast modulation of Er-doped light emitting Si diodes //Appl. Phys. Lett. 69, P.2077 (1996).

86. О. B. Gusev, M. S. Bresler, P. E. Рак, I. N. Yassievich, M. Forcales, N. Q. Vinh, T. Gregorkiewicz Excitation cross section of erbium in semiconductor matrices under optical pumping // Phys. Rev. B, V.64, 075302 (2001).

87. J.F. Nutzel, G. Abstreiter Comparison of P and Sb as n-dopants for Si molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys.78, 937 (1995).

88. W. Jantsch S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, M. Stepikhova 1, H. Preier Different Er centres in Si and their use for electroluminescent devices // J. Lumin. 1999, V.80, P.9-17.

89. С. Зи. «Физика полупроводниковых приборов.» // Мир, М. (1984) Ч.1,С.Ю6.

90. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. «Лавинный пробой р-n перехода в полупроводниках.» // Энергия, Л. (1980), С. 152.

91. Thomas D. Chen, Marlene Platero, Michal Opher-Lipson, Jorg Palm, Jurgen Michel and Lionel C. Kimerling The temperature dependence of radiative and nonradiative processes at Er-O centers in Si // Physica В 273-274(1999) 322-325.

92. D. Т. X. Thao, C. A. J. Ammerlaan, T. Gregorkiewicz Photoluminescence of erbium-doped silicon: Excitation power and temperature dependence // J. Appl. Phys. 2000, V.88, N.3, P. 1443.

93. S.Coffa, G. Franzo, F. Priolo High efficiency and fast modulation of Er-doped light emitting Si diodes// Appl. Phys. Lett. 1996, 64 (14), P.2077.

94. S. Lanzerstorfer, M. Stepikhova, J. Hartung, C. Skierbiszewski, W. Jantsch Photo- and electroluminescence of erbium-doped silicon // Proc. ICDS 19, Aveiro, July 1997, Mater. Sci. Forum Vols.258-263 (1997) PP. 1509-1514.

95. В.П.Кузнецов, Р.А.Рубцова. Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si:Er/Si //ФТП. 2000, Т.34, Вып.5, С.519.

96. M. Forcales, T. Gregorkiewicz, I.V. Bradley, J-P.R. Wells Afterglow effect in photoluminescence of Si:Er // Physical Review В 2002, V.65, 195208.

97. Т. Gregorkiewicz, D.T.X. Thao, J.M. Langer, H.H.P.Th. Bekman, M.S. Brester, J. Michel, M.C. Kimmerling Energy transfer between shallow centers and rare-earth ion cores: Er3+ ion in silicon // Physical Review В 2000, V.61,N.8, P.5369.