-
2006
Фирсов, Анатолий Александрович
Методом механического расщепления получен уникальный квазидвумерный кристаллический материал - ультратонкий графит (а также монослой графита - графен), проводимостью которого можно управлять при помощи внешнего электрического поля. Так как он ещё обладает и металлической проводимостью, это делает его потенциально привлекательным материалом для
-
2006
Невешкин, Александр Александрович
Для применения таких наноразмерных органических слоев в электронике необходимо исследование электрофизических свойств структур, их содержащих. Также это требует изучения параметров используемых наноразмерных пленок (плотности, однородности, толщины, показателя преломления и т.п
-
2006
Иконников, Антон Владимирович
Поскольку в гетероструюурах на основе Si и Ge квантовые ямы для дырок всегда реализуются в слоях с большим содержанием германия, то для создания «дырочных» приборов весьма привлекательными являются гетероструктуры Ge/Gej.jJSix, где дырки находятся в слоях чистого Ge, (в отличие от структур Si/SiGe, где ямы для дырок находятся в сплаве SiGe, в
-
2005
Наконечников, Александр Владимирович
Полученные результаты по исследованию систем GaAs/Cs,0 и органические молекулы/GaAs, Si, Ge могут быть использованы в химико-технологических процессах получения эмиттеров с отрицательным электронным сродством, а также в обработке полупроводниковых материалов. Результаты ориентированы на использование в различных исследовательских организациях и
-
2005
Башин, Аркадий Юрьевич
Во вторых, ужесточились требования к самой специальной аппаратуре, где используются, в частности, биполярные ИМС. Так, срок службы систем космического назначения увеличился до 15 лет, что привело к необходимости внесения существенных корректировок в существующие методики прогнозирования. Повышенные требования предъявляются в настоящее время к
-
2005
Григорьев, Роман Григорьевич
Наиболее сложным является учет новых физических эффектов, появляющихся при уменьшении длины канала. Так, модель Level 1 была справедлива только для транзисторов с длиной канала более 5 мкм, Level 2 — 2 мкм, Level 3 — 1 мкм, BSIM1 — 0,8 мкм, BSIM2 — 0,25 мкм, BSIM3 — 0,15 мкм, BSIM4 — менее 100 нм. МОП транзисторы имеют разнообразные конструкции и
-
2005
Гецьман, Максим Александрович
В последнее время благодаря совершенствованию технологии, успехам органического синтеза появились новые объекты исследования наноразмерные органические пленки на полупроводниковых и диэлектрических подложках
-
2005
Шишкин, Игорь Алексеевич
-
2005
Жарких, Александр Петрович
Задачей производственников является нахождение такого метода отбраковки ПП в процессе их производства, который позволял бы, во-первых, отбраковывать потенциально-ненадежные приборы; во-вторых, заменить длительные и дорогостоящие отбраковочные испытания, например ЭТТ, на диагностические методы, которые были бы не менее эффективными, но более
-
2005
Балашов, Алексей Михайлович
По архитектуре построения DC-DC конверторы можно разделить на две группы. Первая группа — DC-DC конверторы с аналоговым способом управления. Вторая группа - DC-DC конверторы с цифровым способом управления. DC-DC конвертор с аналоговым способом управления является традиционным источником питания множества электронных приборов. Недостаток
-
2005
Круглов, Юрий Викторович
Непрерывно увеличивающиеся скорости передачи и обработки информации требуют увеличения полосы частот сигнала и, соответственно, увеличения частоты дискретизации АЦП. Требования к качеству связи, особенно беспроводной, породили необходимость восприятия относительно слабых сигналов на фоне сильных, что требует А - Ц преобразования как с высоким
-
2005
Числов, Александр Алексеевич
Важную роль при разработке светодиодов и устройств отображения информации играл и играет фосфид галлия и приборы на его основе. Он является достаточно широкозонным полупроводником, что позволяет создавать на его основе р-п-переходы, излучающие в красной и желто-зеленой области спектра. Основной недостаток фосфида галлия - непрямую структуру зон
-
2005
Сомов, Олег Анатольевич
Значительную часть стоимости микросхемы составляют затраты на проведение операций аттестации и контроля. Повышение быстродействия ЦПИ до уровня гигагерц создает непреодолимые трудности для проведения контроля с применением только внешней контрольно-измерительной аппаратуры. Интегрированные в микросистему средства контроля являются единственным
-
2005
Шевченко, Евгений Александрович
При проектировании блоков системы синхронизации требуется совместно выполнить два важных условия: обеспечить помехоустойчивость устройства и точность выходных параметров в заданных пределах, а также согласовать задержки сигналов и скорости потоков данных в связях между блоками СНК
-
2005
Красюков, Антон Юрьевич
Для решения этой проблемы необходимо провести исследование и разработку планарных МОП транзисторов, обладающих повышенным пробивным напряжением и формируемых на основе КМОП - совместимой технологии
-
2005
Орлов, Олег Михайлович
Развитие литографической техники последних лет позволило лидирующим странам Запада, Японии и США перейти к освоению в промышленной технологии ИС минимальных топологических размеров до 0, 1 мкм, при этом планируется в 2006-ом году переход на еще более малый размер 0, 07 мкм. Вероятно, ни одна отрасль промышленности не развивалась такими
-
2005
Тафинцев, Константин Станиславович
Дальнейшее увеличение полосы пропускания и точности преобразования СДП стало возможным только при применении многоразрядного СДМ, в состав которого входит параллельный ЦАП малой разрядности (как правило, от 3 до 5 бит). Однако линейность такого ЦАП для стандартного КМДП процесса не превышает 0,1%, что вносит нелинейные искажения (НИ) в полосу
-
2005
Ильвес, Андрей Геннадьевич
Лучшие результаты, достигнутые на детекторах структуры металлл полупроводник-металл (МПМ) толщиной 1 мм и площадью ~10 мм при комнатной температуре: FWHM 1.7 кэВ для линии 59.5 кэВ, FWHM 3.2 кэВ для линии 122 кэВ, FWHM 20 кэВ для линии 662 кэВ [7] (FWHM - полная ширина линии пика полного поглощения на половине высоты, FWTM - полная ширина линии
-
2005
Андрианов, Матвей Валентинович
Для определения ряда фундаментальных параметров диэлектриков, таких как диэлектрическая проницаемость, толщина диэлектрических пленок, распределение электрического поля внутри диэлектрического образца, в большинстве случаев используются электромагнитные методы, основанные на взаимодействии электромагнитного поля с веществом. Но радиоволновые
-
2005
Сопова, Ольга Владимировна
В частично обедненном транзисторе, изготовленном на подложке "кремний-на изоляторе", толщина слоя кремния и концентрация примеси в нем таковы, что область обеднения не доходит до слоя заглубленного оксида. Такие транзисторы имеет преимущества, выраженные в более низкой емкости р-п-переходов и сходстве с МОП-транзисторами, изготовленными по
