-
2006
Строгонов, Андрей Владимирович
Зависимость интенсивности отказов от времени работы ИС имеет вид кривой, которая характеризуется тремя периодами: периодом приработки, в котором интенсивность отказов вначале велика, а затем быстро падает; периодом нормальной работы, т.е. основной работы, в котором значение интенсивности отказов, как правило, постоянно, и периодом старения
-
2006
Разумихин, Константин Андреевич
Наиболее последовательным и точным способом математического описания электронных процессов, происходящих в полупроводниковых структурах диодов Ганна, в настоящее время является совместное решение уравнения Пуассона и кинетического уравнения Больцмана при учете всех возможных механизмов рассеяния носителей заряда и соответствующих граничных условий
-
2006
Цимбалов, Андрей Сергеевич
Стандартный технологический процесс изготовления КМОП ИМС с проектными нормами 0.35 мкм включает в себя формирование межэлементной (LOCOS) изоляции, формирование п- и р-транзисторов, формирование металлической разводки. Данный технологический процесс реализуется на оборудовании, рассчитанном для проведения технологических операций одновременно над
-
2006
Балашов, Александр Геннадьевич
По своей конструкции фотоприборы делятся на два типа: гибридные и монолитные приборы. Гибридные приборы состоят из двух и более кристаллов, один из которых представляет собой матрицу фоточувствительных элементов попиксельно соединенную с кристаллом мультиплексора. В таких приборах фактор заполнения ограничивается необходимыми элементами
-
2006
Волков, Александр Юрьевич
При достаточной разрешающей способности сенсорного экрана пользователь может манипулировать элементами графических изображений на экране дисплея, реализуя задачи, предусмотренные прикладной программой, без использования манипуляторов (управляющие рукоятки, трек-болл, мышь
-
2006
Удалов, Василий Андреевич
Проведенный анализ показал, что проблема создания новых типов координатных детекторов является весьма сложной и многоплановой, т.к. включает в себя поиск новых взаимосвязанных приборных, схемотехнических и технологических решений
-
2006
Лосев, Владимир Вячеславович
Одним из приоритетных направлений современной микроэлектроники является проектирование микромощных устройств производства и обработки информации (Low Power Design - LPD), охватывающее широкий круг методов снижения мощности, потребляемой интегральными схемами от источников питания. Методы LPD включают совершенствование технологии (снижение
-
2006
Татаренко, Александр Сергеевич
Однако широкое применение МЭ материалов в технике пока сдерживается отсутствием у имеющихся материалов необходимой величины магнитоэлектрического взаимодействия и нужного сочетания МЭ свойств с другими физическими параметрами. Поэтому, для реализации устройств на их основе, прежде всего, необходимо всестороннее исследование МЭ материалов в широком
-
2006
Плуготаренко, Нина Константиновна
В области исследований процессов формирования сенсорных элементов на основе тонких пленок смешанного состава недостаточно изученными остается целый ряд вопросов, например, механизмы этих процессов в случае получения пленок смешанного состава по золь-гель технологии, влияние технологических режимов формирования пленок на их структуру, а
-
2006
Селезнев, Дмитрий Владимирович
Если в светодиодах первого поколения лишь гетероструктуры на основе AlxGai.xAs/GaAs, излучающие в красной области спектра (110-180 нм) обладали высоким внешним квантовым выходом (5-8%) при светоотдаче до 5 лм/ватт, то у светодиодов на основе твердых растворов алюминия-индия-галлия-фосфора, излучающих в красной и желтой области спектра квантовая
-
2006
Якупов, Марат Назирович
Дело в том, что, как известно [4], электронная подвижность существенно зависит от средней энергии хаотического движения носителей тока и, как правило, уменьшается с ее ростом. Дрейфово-диффузионная модель, вообще говоря, учитывает эту зависимость, однако, только лишь в предположении локальной связи температуры электронного газа и электрического
-
2006
Столяренко, Юлия Александровна
Наиболее перспективным и экономически целесообразным решением поставленных вопросов, в том числе выявление скрытых резервов производства, на наш взгляд является более полное использование пассивной контрольно-измерительной информации, накопленной за некоторый период времени по результатам пооперационных и финишных контролей параметров изделий
-
2006
Якимов, Евгений Евгеньевич
ЪпО может применяться также и в других приборах, например, для изготовления тонкопленочных полевых транзисторов, которые не требуют защитного покрытия, предотвращающего световую засветку, поскольку сделанные на ЪпО транзисторы не чувствительны к видимому
-
2006
Михайлов, Алексей Николаевич
Таким образом, исследование физических процессов при формировании ионно-лучевым методом систем НК Si в оксидных матрицах Si02, Sii^Ge^02, А1203 и изучение их оптических и люминесцентных свойств представляют большой интерес как с фундаментальной, так и с практической точек зрения. Важной особенностью данной работы является то, что применяется
-
2006
Антоненков, Олег Владимирович
В настоящее время наблюдается значительное увеличение интереса к исследованию и созданию материалов, обладающих МЭ эффектами. Это стимулируется как научными, так и прикладными проблемами, которые связаны с наличием в таких материалах взаимодействующих между собой электрической, магнитной и упругой подсистем кристалла [1 - 3]. Впервые возможность
-
2006
Остащенко, Артём Юрьевич
В работе решалась следующая научная задача: всесторонние исследования характеристик МЭ эффекта различными методами и переход к исследованиям МЭ эффекта в тонкоплёночных структурах магнетик-пьезоэлектрик
-
2006
Мельников, Александр Александрович
Экспериментальные методы исследования температурных полей в микроэлектронных структурах оказываются зачастую не применимыми в силу малых размеров структур, и, кроме этого, они не позволяют произвести оценку локальных значений максимальных температур
-
2006
Данильцев, Вячеслав Михайлович
МОГФЭ процессе получены все полупроводниковые соединения группы А В . Методом МОГФЭ при атмосферном давлении в реакторе получены слои GaAs с подвижностью Ц(50К)~200000 см2/В-с [4], а в реакторе пониженного давления с |i(3gK)~335000 см2/В-с [5]. Использование реакторов пониженного давления в процессах МОГФЭ с быстродействующими клапанами позволяет
-
2006
Шибаев, Станислав Сергеевич
Появление и широкое развитие оптических систем связи, в том числе оптоволоконное управление фазированными антенными решетками, а также монолитных интегральных схем СВЧ диапазона заставляет подробно исследовать те физические процессы взаимодействия модулированного света и носителей заряда в полупроводниковых структурах, которые определяют работу
-
2006
Ташилов, Аслан Султанович
Решение поставленных задач является принципиально новым, поскольку все известные способы изготовления данных приборов предполагают формирование рабочих размеров активной структуры уже после монтажа на теплоотвод, когда невозможно обеспечить конфигурацию кристалла с сильно развитой периферией контакта активной структуры к теплоотводу
