-
2007
Богданов, Сергей Александрович
Определение основных электрофизических свойств МДП-структур -величин максимальной Стах и минимальной Ст-т емкостей, плотности поверхностных состояний Nss и их распределения по энергии Е, толщины диэлектрика d и его диэлектрической проницаемости е', типа проводимости полупроводниковой подложки, концентрация примеси и закона ее распределения в
-
2007
Маремьянин, Кирилл Владимирович
Для детектирования терагерцового излучения на сегодняшний день в основном применяются широкополосные приемники излучения, такие как болометры [13-15], пироэлектрические датчики, диоды Шоттки [16, 17], основанные на нелинейности ВАХ перехода металл - полупроводник и фотопроводящие детекторы [18]. Использование же селективных и перестраиваемых
-
2007
Руденко, Константин Васильевич
Интегральные схемы наноэлектроники, содержащие слои, толщина которых порой соизмерима с постоянной кристаллической решетки, требуют контроля in situ процессов их изготовления. Разработка и применение таких методов призваны обеспечить прецизионное травление структур и точный перенос суб-100 нм рисунка маски, контролируемое осаждение тонких пленок в
-
2007
Бялик, Александр Давидович
Применение микроэлектронной технологии при создании таких датчиков позволяет создавать высокочувствительные и малогабаритные приборы Однако к настоящему времени информация об особенностях проектирования, конструкционных решений, особенностях изготовления и методах обеспечения заданных метрологических параметров волоконно-оптических датчиков с
-
2007
Ключников, Алексей Сергеевич
В интеллектуальных ИС возникает ряд проблем, в частности проблема совместимости технологий изготовления мощных и низковольтных элементов схемы, а также необходимость обеспечения изоляции между ними. Мощные элементы реализуются, как правило, в виде объемных ДМОП транзисторов, а интеллектуальная часть схемы выполняется на основе планарных
-
2007
Богданов, Юрий Михайлович
Таким образом, проектирование ГМИС твердотельных устройств СВЧ представляет собой совместное решение различных по характеру задач, а именно: разработку физических и математических моделей СВЧ активных элементов и элементов ПЭДС и способов их сочленения и схемотехническое проектирование ГМИС СВЧ - генераторов и преобразователей частоты в широком
-
2007
Князев, Максим Александрович
Толщина пленки электронного резиста не превышает 2мкм, поэтому невозможно создать трехмерные структуры большего размера. Следовательно, существует потребность в методе, позволяющем устранить это ограничение, что существенно расширит область применения электронной литографии для ЗО-структурирования
-
2007
Палий, Александр Викторович
Достижения электроники раскрывают большие перспективы дальнейшего улучшения качественных показателей разрабатываемой радиоаппаратуры. В то же время непрерывное ее усложнение неразрывно связано с ростом количества используемых элементов, дальнейшим увеличением плотности монтажа и миниатюризацией элементной базы. Это обусловливает рост удельной
-
2007
Лукашевский, Михаил Владимирович
Керамикоподобные модифицированные слои, полученные методом микродугового оксидирования (МДО) обладают обширным набором свойств, таких как износостойкость, коррозионностойкость, теплостойкость, электроизоляционность. В «МАТИ»-РГТУ им.К.Э. Циолковского тонкие (толщиной около 5 мкм) покрытия, получаемые методом МДО, используются для создания
-
2007
Москалев, Вячеслав Юрьевич
-
2007
Ильков, Андрей Владимирович
Для расширения объема рынка в новые микрофоны вводятся новые функции: направленность приема, цифровой выходной сигнал, программирование функций под требования заказчика
-
2007
Красильникова, Людмила Владимировна
Научная значимость полученных результатов заключается в определении основных закономерностей люминесценции эрбиевой примеси в гетероструктурах Si/Sii-xGex:Er/Si с содержанием германия до 30%, выявлении условий формирования оптически активных центров редкоземельной примеси в этих материалах, их взаимодействия с другими примесями и дефектами
-
2007
Рябков, Олег Владимирович
К настоящему времени проведены исследования МЭ эффекта в различных материалах (монокристаллах, объемных и многослойных композитах), однако актуальным является переход к тонкопленочной технологии реализации МЭ эффекта, который позволит интегрировать устройства на их основе непосредственно с микросхемой на одной подложке
-
2007
Шишкина, Наталья Александровна
-
2007
Поляков, Денис Александрович
Системы автоматического синтеза используют данные о задержках распространения сигнала через логические элементы как исходные числовые данные. Таблицы задержек содержат десятки тысяч чисел. От точности, с которой подготовлены эти данные, полностью зависит результат оптимизации быстродействия синтезируемых логических устройств
-
2007
Осадчий, Евгений Николаевич
Метод функциональных рядов Вольтерра обычно используется для исследования СВЧ устройств со слабой нелинейностью, и, являясь временным методом, позволяет достаточно точно и быстро определять интермодуляционные искажения различных порядков
-
2007
Селюженок, Надежда Андреевна
Известно, что более широкому использованию пленок a-Si:H препятствует их недостаточная временная стабильность при воздействии облучения. Одно из возможных решений этой задачи связано с применением новых подходов к технологии пленок a-Si:H суть которых в формировании нанопериодических слоистых структур с нанокристаллическими включениями
-
2007
Гонов, Султан Жумальдинович
При формировании лазерными технологиями изделий микро- и на-ноэлектроники возникает ряд'структурных дефектов на поверхности кристаллов, таких как аморфизация приповерхностных слоев, дислокационные скопления, микротрещины, ячеистая структура, лунки отдельных проплавов, испарение легирующей примеси и другие, что отрицательно, в основном, влияет на
-
2007
Кривошеева, Александра Николаевна
Минимизация одного из размеров (толщины) часто приводит и к новым качествам изделий [1]. Поскольку мембрана представляет собой сверхтонкий объект, в ней возможно возникновение механических напряжений. Умение управлять остаточными напряжениями в мембране позволяет создавать устройства с широким диапазоном чувствительности на базе единой
-
2007
Гагарин, Александр Геннадиевич
Разработка перестраиваемых элементов на основе сегнетоэлектрических плёнок с управляющими напряжениями до 30 В. В настоящее время традиционными для СВЧ диапазона являются структуры планарной конструкции на основе СЭ плёнок (планарные конденсаторы, щелевые и копланарные линии). Применение таких структур целесообразно для устройств высокой СВЧ
