-
2007
Киргизова, Анастасия Владиславовна
Современные тактико-технические требования, предъявляемые к аппаратуре [3,4, 17-19] и, соответственно, элементной базе систем управления (СУ) специального назначения [2,3,20,21] (ракетно-космической и другой военной техники, систем связи, а также физического эксперимента), определяют условия их эксплуатации при радиационных воздействиях, среди
-
2007
Рындин, Евгений Адальбертович
Уменьшение характеристических размеров элементов СБИС позволяет соответствующим образом повысить их быстродействие и снизить энергию переключения. Согласно [3], время задержки интегральных логических элементов на основе комплементарных структур металл-диэлектрик-полупроводник (КМОП), являющихся основой большинства современных СБИС, уменьшится к
-
2007
Смуров, Константин Владимирович
В настоящее время в области отечественных разработок цифро-аналоговых преобразователей (ЦАП) назрели проблемы, связанные с тем, что большинство ИС не отвечают современным требованиям как по разрядности, так и по точностным характеристикам, например нелинейным искажениям и шумам Существуют также технологические сложности, связанные с использованием
-
2007
Бережной, Александр Сергеевич
Решить проблему увеличения быстродействия, точности преобразования, а также обеспечения радиационной стойкости АЦП невозможно только лишь совершенствованием технологической базы или совершенствованием схемотехнических решений: необходима комбинация таких решений. Для создания скоростных по сегодняшним меркам АЦП с требуемой импульсной радиационной
-
2007
Федотов, Александр Александрович
Результаты работы отмечены дипломами ряда конференций и конкурсов научных работ: Всероссийского смотра-конкурса научно-технического творчества (Новочеркасск, 2005, 2006), Конференции Южного научного центра РАН (2006, 2007), Всероссийской научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы
-
2007
Пчелин, Виктор Андреевич
Объектом исследования служат - мощные полевые СВЧ транзисторы с большой шириной затвора, их электрические характеристики, измеренные в режиме большого сигнала
-
2007
Молдавская, Любовь Давидовна
Предложена новая модель формирования КТ в структурах с повышенной эквивалентной толщиной слоя InAs, включающая стадии образования двумерного вторичного слоя InGaAs из крупных кластеров InAs и дальнейшей трехмерной трансформации слоя в поле упругих напряжений КТ
-
2007
Куликов, Дмитрий Юрьевич
Наиболее перспективными являются тонкопленочные сенсоры, т.к. за счет применения высокотехнологичных процессов изготовления микроэлектронных приборов может достигаться воспроизводимость параметров, массовость производства и низкая себестоимость газовых сенсоров. Кроме того, экспериментально показано, что газочувствительные свойства оксидов
-
2007
Орлова, Марина Николаевна
Силовые кремниевые диоды, изготовленные по стандартной (маршрутной) технологии, не всегда удовлетворяют постоянно возрастающим техническим требованиям. Они обладают недостаточно высоким быстродействием, их выходные параметры зависят от большого количества технологических факторов, чем объясняется большой разброс значений эксплутационных параметров
-
2007
Щербаков, Валентин Николаевич
Если в светодиодах первого поколения лишь гетероструктуры на основе А^Са^Ав/ваЛв, излучающие в красной области спектра, обладали высоким внешним квантовым выходом (5-8%) при светоотдаче до 5 лм/Вт, то у светодиодов на основе твердых растворов алюминия индия галлия фосфора, излучающих в красной и желтой области спектра, квантовая эффективность
-
2007
Ященок, Алексей Михайлович
Физические свойства наноразмерных покрытий, полученных данными методами, во многом определяются выбором веществ, а также толщиной монослоя и пленки в целом. Для формирования пленок ЛБ перспективно использовать объемно-полостные молекулы. Примером таких молекулярных систем являются молекулы (3-циклодекстрина. Уникальная способность к образованию
-
2007
Плешков, Алексей Петрович
В традиционных газовых сенсорах резистивного типа механизм газовой чувствительности включает в себя процессы хемосорбции на поверхности, сопровождающиеся изменением концентрации носителей заряда в объеме полупроводника. Сенсорный отклик формируется как результат изменения электропроводности поликристаллического полупроводникового материала; при
-
2006
Антонов, Игорь Николаевич
Развитые методы исследования и полученные с их помощью результаты могут быть непосредственно использованы при разработке устройств функциональной электроники СВЧ и диагностической аппаратуры с применением микроволнового электромагнитного излучения
-
2006
Киселева, Екатерина Валерьевна
Ранее при моделировании транспорта электронов в субмикронных приборах рассеяние носителей заряда на субкластерах радиационных дефектов учитывалось в приближении равномерного распределения и одинакового (среднего) размера субкластеров [6]. В условиях наноэлектроники такого приближения может быть недостаточно. В случае, когда размеры кластеров или
-
2006
Семейкин, Игорь Валентинович
Для большинства отечественных ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов отсутствует информация о входном импедансе в режиме большого сигнала. Значения входного импеданса необходимы для использования на этапе разработки радиоаппаратуры современных систем автоматизированного проектирования. Поэтому, разработка методики расчета входного импеданса ВЧ и СВЧ
-
2006
Сердобинцев, Алексей Александрович
Влияние видимого, инфракрасного и ультрафиолетового некогерентного света на выход микрочастиц из твердого тела в вакуум известно только для электронов [22-24]. Ранее не было обнаружено влияния света видимого диапазона на выход ионов из твердого тела в вакуум ввиду недостаточной энергии фотонов. В то же время, существует большое количество хорошо
-
2006
Шалеев, Михаил Владимирович
Наиболее исследованными на сегодняшний день являются само формирующиеся нанообъекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе соединений А3В5. Преимуществом полупроводников данного семейства является возможность широкого выбора материалов с различными ширинами запрещенных зон и параметрами кристаллических решеток [1]. Итогом исследований
-
2006
Афанасьев, Петр Валентинович
Однако элементы и устройства электронной техники на объемных монокристаллических или керамических сегнетоэлектриках не могут удовлетворить требованиям микроминиатюризации, снижению энергоемкости, повышению чувствительности и быстродействия, при одновременном уменьшении управляющих напряжений. Поэтому естественным направлением дальнейшего развития
-
2006
Аксенова, Наталия Павловна
Использование гамма-резонансной спектроскопии как метода исследования наномагнетиков подразумевает не только необходимость создания соответствующей теории, но и разработку методики анализа экспериментальных спектров на базе этой теории. Мессбауэровские спектры наномагнетиков в большинстве случаев состоят из большого числа, зачастую перекрывающихся
-
2006
Смирнов, Дмитрий Юрьевич
Современные технологические процессы изготовления ИС очень сложны. Анализ процессов показывает, что они проводятся при температурах, изменяющихся в диапазоне от -100°С (криогенное травление) до +1100°С (окисление, диффузия, отжиг после ионной имплантации и др.), при давлении от атмосферного до 10" мм рт.ст. Столь широкие диапазоны вызваны
