автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Прогнозирование эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах "кремний-на-сапфире" при импульсных ионизирующих воздействиях

Глава 1. Основные характеристики, особенности и тенденции развития

БИС ЗУ на КНС-структурах, постановка задач исследований.

1.1. Анализ применяемости и тенденции развития номенклатуры микросхем памяти.

1.2. Особенности и тенденции развития конструкции и схемотехники КМОП БИС ЗУ на КНС структурах.

1.3. Особенности проявления и исследования сбоев КМОП БИС ЗУ на КНС структурах при ИИВ.

1.4. Комплексный анализ проблемной ситуации и постановка задачи развития методов и средств прогнозирования уровней сбоеустойчивости КНС БИС ЗУ при ИИВ.

1.5. Выводы.

Глава 2. Моделирование доминирующих эффектов сбоев в элементах и микросхемах КНС ЗУ при ИИВ.

2.1. Ионизационные эффекты в полупроводниковых резистивных структурах КНС ЗУ.

2.2. Ионизационные эффекты в полупроводниковых структурах КНСМОПТ.

2.3. Ионизационные эффекты в диэлектрических областях КМОП КНС БИС ЗУ.

2.4. Схемотехническое моделирование доминирующих механизмов сбоев в КМОП КНС БИС ЗУ при ИИВ.

2.5. Выводы.

Глава 3. Лазерное имитационное экспериментальное моделирование эффектов сбоев КМОП КНС ЗУ при предельных уровнях ИИВ.

3.1. Особенности лазерных имитационных испытаний КНС структур и КНС БИС ЗУ.

3.2. Эффекты лазерного имитационного моделирования КНС структур и КМОП КНС БИС ЗУ при предельных уровнях ИИВ.

3.3. Эффекты влияния длины волны лазерного излучения на моделирования сбоев КМОП КНС БИС ЗУ при предельных уровнях ИИВ.

3.4. Калибровка методов моделирования сбоев КМОП КНС ЗУ на МУ и лазерных имитаторах.

3.5. Выводы.

Глава 4. Развитие методических и технических средств экспериментальных исследований КНС БИС ЗУ при ИИВ.

4.1. Общая методика испытаний КМОП КНС БИС ЗУ на сбоеустойчи-вость при ИИВ.

4.2. Экспериментальный комплекс для исследования сбоеустойчивости БИС ЗУ при ИИВ.

4.3. Источники ИИВ и дозиметрическое сопровождение экспериментальных исследований.

4.4. Результаты экспериментальных исследований КМОП

КНС БИС ЗУ.

4.5. Выводы.

Глава 5. Реализация методов прогнозирования и обеспечения сбоеустойчивости КМОП КНС БИС ЗУ при ИИВ.

5.1. Схемно-топологические методы обеспечения сбоеустойчивости КМОП КНС БИС ЗУ.

5.2. Конструктивно-технологические методы обеспечения сбоеустойчивости КМОП КНС БИС ЗУ.

5.3. Влияние информационных кодов и режимов работы на сбоеустойчивость КМОП КНС БИС ЗУ.

5.4. Сравнительные исследования сбоеустойчивости КМОП БИС ЗУ на КНС и КНИ структурах при ИИВ.

5.5. Выводы.

Диссертация направлена на решение научно-технической задачи прогнозирования эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсных ионизирующих воздействиях с предельными уровнями (до 1013 ед/с), имеющей существенное значение для создания новых и совершенствования существующих радиацион-но-стойких элементов и устройств систем управления военного, космического и другого специального назначения, повышения их функциональных и эксплуатационных характеристик, а также эффективности применения.

Актуальность темы диссертации

Технические и эксплуатационные характеристики перспективных систем управления и контроля во многом обусловлены техническим уровнем входящих в их состав запоминающих устройств (ЗУ) - электронных узлов, реализующих функции записи, хранения и считывания информации [1-4]. Запоминающие устройства реализуются в виде больших и сверхбольших интегральных схем (БИС и СБИС). Основным элементно-технологическим базисом построения БИС ЗУ в настоящее время является КМОП (на комплементарных транзисторах метал-окисел-полупроводник (МОП)) [5-7]. При этом отечественный уровень технологии обеспечивает достижение информационной емкости КМОП БИС оперативных ЗУ (ОЗУ) до Шбит и постоянных ЗУ (ПЗУ) - до 4Мбит [2, 8-16].

Современные тактико-технические требования, предъявляемые к аппаратуре [3,4, 17-19] и, соответственно, элементной базе систем управления (СУ) специального назначения [2,3,20,21] (ракетно-космической и другой военной техники, систем связи, а также физического эксперимента), определяют условия их эксплуатации при радиационных воздействиях, среди которых наибольшим поражающим действиям по отношению к изделиям микроэлектроники (по энергетическому критерию) обладает импульсное ионизирующее воздействие (ИИВ). При этом одними из наиболее уязвимых элементов современных электронных систем к ИИВ являются БИС ЗУ [4-6,22].

Основными показателями стойкости БИС ЗУ к ИИВ являются (1) предельный уровень воздействия, при котором не происходит необратимых отказов

БИС; (2) уровень сохранности информации (УСИ) - максимальный уровень воздействия, при котором обеспечиваются сбоеустойчивость - неискаженные хранение, считывание и запись (для ОЗУ) заданного информационного кода; а также (3) уровень бессбойной работы (УБР) - максимальный уровень ИИВ, при котором все параметры БИС находятся в заданных нормах [23].

Предельный уровень ИИВ для большинства КМОП БИС ЗУ на кремниевых структурах ограничивается тиристорным эффектом, который возникает в диапазоне уровней 108109 ед/с [5,6,8-16,22]. Повышение значения предельного уровня ИИВ требует применения специальных конструктивно-технологических решений, которые на практике ограничивают информационную емкость БИС ОЗУ на кремниевых структурах уровнями 256Кбит (для 1011 ед/с) и 16Кбит(для 1012 ед/с) [8-16].

Типовой уровень сбоеустойчивости практически всех КМОП БИС ОЗУ на

О (Ч кремниевых структурах составляет те же 10 .10 ед/с [5,6,8-16,22], что совершенно недостаточно для сохранения критически важной информации в бортовых ЭВМ стратегических систем при ИИВ [4].

Таким образом, заданные требования по «выживанию» при предельных уровнях ИИВ в диапазоне 1012. 1013 ед/с и сбоеустойчивости не менее 10й ед/с, а в ряде случаев до (1.5)'1012 ед/с, являются принципиально недостижимыми для БИС ЗУ на кремниевых структурах, что обуславливает необходимость построения БИС ЗУ на структурах с диэлектрической изоляцией элементов (КНИ), которые обеспечивают существенное снижение ионизационных токов и подавление паразитных связей между соседними элементами БИС при ИИВ [5, 7, 2224-26].

Исторически первой и до настоящего времени практически единственной промышленно-освоенной отечественной КНИ-технологией для ЗУ является кремний-на-сапфире (КНС) [5,6,25]. За последние 10 лет созданы отечественные КМОП КНС БИС ЗУ (серия 1620), обеспечивающие уровни сбоеустойчивости ОЗУ (1.5)'Ю10ед/с для информационной емкости (4.8)Кбит и 1012 ед/с для информационной емкости (2.4)Кбит (отметим, что для 4Кбит выход годных пренебрежимо мал) [8-16]. Достигнутый уровень КНС ЗУ по соотношению «информационная емкость - сбоеустойчивость» без запаса обеспечивает потребности ранее разработанных бортовых СУ сегодняшнего дня, но не достаточен для интеллектуальных сложно-функциональных СУ нового поколения, находящихся в разработке. Ближайшими задачами являются создание БИС ОЗУ емкостью (32.64)Кбит и БИС ПЗУ 512Кбит.1Мбита с уровнем сбоеустойчивости не менее 10й ед/с и БИС спецОЗУ емкостью не менее (8.16)Кбит с уровнем сбое

1) устойчивости (1.5)'10 ед/с [2-4, 7-16, 22], что находится на пределе (а в ряде случаев - и за пределами) возможностей как отечественной технологии микроэлектроники, так и техники радиационного эксперимента.

Необходимость создания КМОП КНС БИС ЗУ с заданными соотношениями «информационная емкость - сбоеустойчивость», повышения их рабочих и эксплуатационных характеристик, а также эффективности применения определяет важность и актуальность научных задач исследования и моделирования закономерностей радиационного поведения БИС ЗУ и их элементов при ИИВ с предельными уровнями, разработки эффективных методов расчетно-экспериментального прогнозирования сбоеустойчивости БИС ЗУ в условиях запрета натурных облучательных опытов и ограниченных возможностей моделирующих установок (МУ). На решение указанных задач на основе создания и развития методов и средств расчетно-экспериментального моделирования БИС ЗУ на КНС структурах при предельных уровнях ИИВ и направлена диссертация.

Важность и актуальность темы диссертации отражена в «Основах политики Российской федерации в области развития электронной компонентной базы на период 2010 года и дальнейшую перспективу», утвержденных Президентом Российской Федерации 12.04.2002, в соответствии с которыми создание радиа-ционно-стойкой электронной компонентной базы отнесено к одной из приоритетных задач в области ее дальнейшего развития при разработке, производстве и применении в стратегически значимых системах.

Состояние исследований по проблеме. Вопросам создания и развития БИС ЗУ на КНС структурах посвящены многочисленные работы к.ф-м.н. Полякова И.В. [27-29], д.т.н. Адонина A.C. [30], к.т.н. Лезжова Ю.А. (ОАО «НПП «Сапфир») [31], Калинина A.B., к.т.н. Машевича П.Р. [19], Романова A.A. (ОАО

Ангстрем»), к.т.н. Герасимова Ю.М. [32], к.т.н. Григорьева Н.Г. (МИФИ), д.т.н. Антимирова В.М. [3, 4, 17, 18], Малкова В.И. (ФГУП «НПО Автоматики») и других специалистов [5-7, 25, 33]. В результате были разработаны и успешно применены в аппаратуре отечественные КМОП КНС БИС ОЗУ серии 1620 с ре

19 кордным уровнем сбоеустойчивости - до 10 ед/с, подтвержденном в ходе экспериментальных исследований на МУ ВНИИЭФ. В трудах д.т.н. Петросянца К.О. [34, 35] и к.т.н. Харитонова И.А. (МИЭМ) [35, 36] были разработаны методы электрического моделирования и предложены SPICE-модели сбоев отдельных ячеек памяти. Физические модели, методики и первые результаты лазерных имитационных испытаний КМОП КНС ОЗУ были развиты в работах д.т.н. Ско-робогатова П.К. [37], д.т.н. Никифорова АЛО. [27-29, 38], к.т.н. Барбашова В.М. (МИФИ) [39] и к.ф-м.н. Полякова И.В. (ОАО «НПП «Сапфир») [27-29]. Эффективные методические и технические средства управления и тестирования БИС ЗУ в процессе радиационного эксперимента предложены д.т.н. Чумаковым А.И. [40, 41], Яненко A.B. (МИФИ) [42, 43], к.т.н. Калашниковым O.A. [43-45] и Емельяновым В.В. (ФГУП «НИИП»).

В тоже время многие важные вопросы моделирования и экспериментальных исследований механизмов сбоев в КМОП КНС БИС ЗУ при ИИВ до сих пор проработаны недостаточно. Большинство научных работ и публикаций по теоретическому анализу радиационных эффектов в БИС ЗУ при ИИВ было по существу направлено на моделирование эффектов в отдельных транзисторах и простейших базовых элементах БИС на их основе [5, 6, 36-38]. При этом не уделялось должного внимания моделированию реакции БИС ЗУ в целом, с учетом проявления и взаимного влияния локальных эффектов в отдельных элементах и интегральных эффектов «просадки» питания и радиационно-индуцированных утечек через сапфировую подложку. Методы и технические средства лазерного имитационного моделирования были отработаны в основном для кремниевых БИС и не учитывали существенные особенности КНС структур [5, 6, 37, 38] -субмикронные толщины приборных слоев, а также баланс эффектов в полупроводниковых и диэлектрических областях с учетом дополнительной специфики предельных уровней ИИВ (до 1013 ед/с). Имеющиеся на момент начала работы аппаратно-программные средства эксперимента не обеспечивали возможности полноценного автоматизированного управления, функционального контроля и диагностирования сбоев в активных динамических режимах работы БИС ЗУ в реальном времени непосредственно в процессе ИИВ.

Таким образом, диссертация направлена на разрешение научного противоречия, которое заключается одновременно в необходимости и невозможности обеспечить достоверное прогнозирование эффектов информационных сбоев в новом поколении КМОП БИС ЗУ на КНС структурах при ИИВ с предельными уровнями, оставаясь в рамках имеющихся методов и средств теоретического и экспериментального моделирования без их научно-технического развития.

Целью диссертации является разработка научно обоснованных методических и технических средств прогнозирования эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсном ионизирующем воздействии с предельными уровнями.

Указанная цель достигается решением в работе следующих задач:

- теоретическим анализом, моделированием и экспериментальным исследованием основных закономерностей и доминирующих радиационных эффектов в КМОП КНС БИС ЗУ и их элементах при импульсном ионизирующем воздействии с предельными уровнями;

- развитием метода лазерного имитационного моделирования для КМОП БИС ЗУ на КНС-структурах на основе рационального выбора длины волны излучения, что позволяет обеспечить адекватность моделирования доминирующих эффектов и многократный (в сотни-тысячи раз) рост информативного объема радиационных испытаний практически без увеличения затрат на их проведение;

- разработкой новых и совершенствованием существующих методических и технических средств испытаний КМОП КНС БИС ЗУ на стойкость к импульсному ионизирующему воздействию, обеспечивающих гибкое управление, выявление и диагностирование информационных сбоев в реальном времени непосредственно в процессе импульсного ионизирующего воздействия;

- получением и систематизацией оригинальных экспериментальных данных, устанавливающих общность радиационного поведения КМОП КНС БИС

ЗУ в широких диапазонах изменения режимов работы и уровней ИИВ (до группы 6Ус ГОСТ РВ 20.39.414.2).

Научная новизна работы:

В результате расчетно-экспериментального моделирования выявлены, описаны и систематизированы основные закономерности и доминирующие механизмы функциональных сбоев КМОП БИС ЗУ и их базовых элементов при импульсном ионизирующем воздействии:

1. Выявлены и систематизированы закономерности и особенности реакции на импульсное ионизирующее воздействие до предельных уровней и установлены доминирующие механизмы функциональных сбоев КМОП КНС БИС памяти - ПЗУ и ОЗУ с различными вариантами реализации ячеек памяти и с предельно достижимыми для отечественной технологии проектными нормами и информационной емкостью.

2. Уровень сбоеустойчивости КМОП КНС БИС ЗУ при уровнях импульсного ионизирующего воздействия до 10,2ед/с определяется преимущественно ионизацией полупроводниковых областей активных элементов и слабо зависит от реакции диэлектрических областей (подзатворного и изолирующего Si02, а

I "У также АЬОз-подложки), а при уровнях воздействия более 10 ед/с - сопоставимым вкладом ионизации полупроводниковых и диэлектрических областей.

Реакция полупроводниковых областей до предельных уровней воздействия может быть адекватно описана с использованием программного комплекса «DIODE-2D», адаптированного для КНС-структур, а вклад диэлектрических областей подложки может быть учтен на основе модели ионизационной проводимости сапфира с использованием предположения об омическом характере переноса радиационно-индуцированных носителей. При этом коэффициент ионизационной проводимости для современных отечественных КНС структур составляет аР = 4-Ю"15 [Ом-см'фад/с)]"1.

3. Предложена обобщенная модель импульсного отклика базовых элементов КМОП КНС БИС ЗУ в составе оригинальной системы электрического моделирования «SOSResponse» («SOSR»).

4. Обосновано применение методов лазерного имитационного моделирования в диапазоне предельных уровней воздействия до 1013 ед/с. Впервые обоснован рациональный выбор длины волны лазерного излучения с максимальной энергетической эффективностью для КНС структур: 0,8.0,9 мкм.

5. Впервые установлены закономерности и объяснен эффект влияния вида тестового информационного кода на уровень и характер функциональных сбоев КМОП КНС БИС ОЗУ при импульсном ионизирующем воздействии, вызванный взаимным влиянием и паразитной перезаписью информации между соседними ячейками памяти, подключенными к общим разрядным шинам; при этом наиболее радиационно-чувствительным тестовым кодом, как правило, является код «диагональ».

Практическая значимость работы:

1. Разработаны базовые методики и экспериментальный комплекс для исследования сбоеустойчивости при импульсных ионизирующих воздействиях в реальном времени и в активных динамических режимах работы КМОП КНС БИС ЗУ.

2. Развиты методики лазерных имитационных испытаний КМОП БИС памяти в диапазоне предельных уровней импульсных ионизирующих воздействий (до 1013 ед/с), адаптированные для КНС структур.

3. Получены оригинальные результаты экспериментальных исследований сбоеустойчивости большинства типов отечественных КМОП КНС БИС памяти, созданных на различных предприятиях (ОАО «Ангстрем», ОАО «НПП «Сапфир», ФГУП ФНПЦ«НИИИС», и других).

4. Выявлено влияние схемно-топологических и конструктивно-технологических особенностей элементов БИС ЗУ на уровни сбоеустойчивости, разработаны практические рекомендации по повышению сбоеустойчивости КМОП КНС БИС ОЗУ и ПЗУ в части выбора схемотехники ячеек памяти, в том числе, с применением защитных КС-цепей, а также организации цепи питания, реализованные в ОКР по созданию БИС памяти.

5. Результаты диссертации внедрены в ОАО «Ангстрем», «ОАО «НПП «Сапфир», ФГУП ФНПЦ «НИИИС», ФГУП «НПО Автоматики», ОАО «НИИМЭ и Микрон» и ОАО «ЭНПО СПЭЛС» при разработке и радиационных испытаниях большинства отечественных КМОП КНС БИС ЗУ - РУ2, РУ54, РУ6, РУ7, РУ8, РУ9, РЕ1, РЕ2, РЕЗ, и других, а также аппаратуры систем управления на их основе - в частности в ракетных комплексах ЗМ37У2 и ЗКЗО.

6. Полученные в диссертации результаты реализованы в нормативных документах, развивающих положения КГВС «Климат-7», в том числе в ОСТ В 11 073.013 (ч.Ю) «Микросхемы интегральные. Методы испытаний на специальную стойкость и импульсную электрическую прочность», а также в более чем 20 методиках и протоколах испытаний БИС, согласованных с ФГУП «22 ЦНИИИ Минобороны России».

7. Результаты диссертации вошли в отчетные материалы по многочисленным НИР и ОКР («Колун», «Врач», «Такт-ОЗУ-64К», «Такт-03У-32К», «Такт-ПЗУ-1М», «Молот-1», «Маяк-Д», «Стек», «Мурена», «Омега» и др.), выполняемых по заказам Минобороны РФ, Росатома, Роспрома, Роскосмоса и предприятий оборонного комплекса.

Результаты, выносимые на защиту:

1. Модели радиационного поведения базовых элементов КМОП КНС БИС памяти (ОЗУ и ПЗУ) при импульсных ионизирующих воздействиях с предельными интенсивностями (до 1013 ед/с), учитывающие вклад полупроводниковых и диэлектрических областей и обеспечивающие адекватное описание радиационного поведения элементов при снижении вычислительных затрат в 3.5 раз.

2. Обобщенная модель и методика расчетно-экспериментального электрического моделирования сбоев в КМОП КНС БИС памяти (ОЗУ и ПЗУ) на основе использования программы «ЗОБКеБроше» («50811»), что позволяет проводить расчет и анализ сбоев в схемах с уровнем сложности до нескольких тысяч транзисторов с учетом проявления локальных эффектов (в ячейках памяти и усилителях считывания), а также интегральных эффектов («просадки» цепи питания и радиационно-индуцированных утечек в диэлектрической подложке).

3. Усовершенствованная методика лазерного имитационного моделирования КМОП КНС БИС памяти при импульсных ионизирующих воздействиях с предельными интенсивностями (до 1013ед/с), основанная на обоснованном выборе для КНС структур оптимальной длины волны равной 0,8.0,9 мкм и мощности лазерного излучения.

4. Общая методика экспериментальных исследований сбоеустойчивости КМОП КНС БИС памяти (ОЗУ и ПЗУ) и реализующий ее аппаратно-программный комплекс, обеспечивающий гибкое управление, а также полноценный функциональный и параметрический контроль работоспособности БИС в реальном времени, в активных динамических режимах работы непосредственно в процессе импульсного ионизирующего воздействия.

5. Оригинальные результаты экспериментальных исследований радиационного поведения и уровней информационных сбоев основных типов отечественных КМОП КНС БИС ОЗУ и ПЗУ при импульсном ионизирующем воздействии, подтверждающие обоснованность предложенных методических и технических средств прогнозирования сбоев и аттестации БИС ЗУ.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на 7-ой европейской конференции «Radiation and its Effects on Components and Systems» RADECS 2003 (Нидерланды, 2003 г.); российских научных конференциях "Радиационная стойкость электронных систем" (Лыткарино, 2002-2006 гг.); научных сессиях МИФИ (Москва, 2003-2007 гг.); на научных конференциях "Электроника, микро- и наноэлектроника" (г.Пушкин 2002 г., г.Кострома 2003 г., г.Н.Новгород 2004 г., г.Вологда 2005 г., г.Гатчина 2006 г.); на IV, V, VI и VII научно-практических семинарах «Проблемы создания специализированных радиациионно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (г.Н.Новгород, 2004, 2005,2006, 2007 гг.).

Публикации: Основные результаты диссертации опубликованы в 36 работах (в период с 2002 по 2007 гг.), в том числе 4 без соавторов.

Объем и структура диссертации. Диссертация содержит 220 страниц, в том числе 118 рисунков, 19 таблиц, список литературы из 199 наименований и состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы.

5.5. Выводы

Исследованы и развиты схемно-топологические методы повышения сбое-устойчивости КМОП КНС БИС ОЗУ, в том числе на основе подключения конденсатора в RC-цепи ЯП параллельно между входами «плеч» триггера с одновременной развязкой входов и выходов «плеч» с помощью резисторов, что позволяет ослабить влияние изменений выходных уровней «плеч» триггера на состояние триггера при ИИВ. Такой вариант включения RC-цепи с учетом 8-ми транзисторной ЯП позволил обеспечить УСИ БИС РУ8У не 12 менее 10 ед./с. Подтверждена необходимость фиксации потенциалов подложек транзисторов. В условиях ограничений на площадь ячейки эффективным методом может оказаться объединение между собой подложек симметричных транзисторов без подключения к шинам земли или питания. Экспериментально подтверждено, что применение в ЯП р-канальнах транзисторов связи с уменьшенной на 25% шириной канала приводит к уменьшению взаимовлияния ЯП и увеличению УСИ в 1,5 раза. Предложен максимально симметричный вариант топологии ЯП для КМОП КНС БИС ОЗУ РУ54-2 с предельным подтвержденным уровнем сбоеустойчивости. Исследованы и развиты конструктивно-технологические методы повышения сбоеустойчивости КМОП КНС БИС ОЗУ, в том числе на основе рационального выбора толщины приборного слоя. При снижении толщины приборного слоя от 0,6 мкм до 0,3 мкм наблюдалось повышение УСИ БИС ОЗУ до 6,2 раз без потери при этом дозовой стойкости БИС. Установлено, что увеличение уровня легирования резисторов в RC-цепи на 25% при прочих равных условиях приводит к увеличению УСИ более чем в 2 раза. Показано, рабочие токи транзисторов в ЯП КМОП КНС БИС ПЗУ с исходной 50% технологической неравномерностью имеют близкую ионизационную реакцию, разброс которой находится в пределах 10%, что соответствует нестабильности импульсов источника ИИВ.

Экспериментально показано, что даже достаточно отработанные по топологии и схемотехники ЯП не гарантируют достижение предельных значений сбоеустойчивости КМОП КНС БИС ОЗУ вследствие эффеетов взаимовлияния ячеек в столбце. Установлено, что УСИ БИС ОЗУ существенно зависит от записанной в матрицу памяти информации и может изменяться более чем на порядок. Наиболее критичным при ИИВ является информационный код, при котором во всем столбце накопителя кроме одной ячейки записана однородная информация (например «О»), и лишь в одной ячейке - противоположная (соответственно «1»), т.е. код по типу «диагональ». Экспериментально подтверждено, что во время ИИВ наиболее критично функционирование БИС при пониженном напряжении питания, различие значений УСИ при минимальном (4,5 В) и максимальном (7,5 В) напряжениях питания составляет около 2 раз. Установлено, что режим хранения при ИИВ не всегда является наихудшим режимом, необходимо рассматривать сбоеустойчи-вость в режимах считывания (статического и динамического) и записи. В результате исследований установлено, что переходные процессы в периферийных схемах ПЗУ наиболее сильно проявляются в динамических режимах работы с максимальной (предельной) частотой следования циклов. УБР при контроле БИС ПЗУ в статическом режиме считывания и при считывании с частотой 2,3 МГц может изменяться более чем на два порядка.

4. В результате проведенных экспериментальных исследований сделан вывод о том, что переход с КНС на КНИ структуры в рамках единых правил проектирования и схемно-топологических решений не приводит к снижению стойкости КМОП БИС ОЗУ по эффектам мощности дозы и дозы. При этом использование 10-ти транзисторой ЯП с 11С-цепыо увеличивает сбоеустой-чивость КНИ БИС ОЗУ в 3 раза по сравнению с 6-ти транзисторной и не влияет на дозу отказа; подключение подзатворной области транзисторов к «земле» повышает стойкость КНИ БИС ОЗУ. Экспериментально показано, что отработанные современный КНИ техпроцесс и схемно-топологические решения СБИС ОЗУ НХ6228 действительно обеспечивают сочетание высокой информационной емкости (1Мбит) и радиационной стойкости.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основным результатом диссертации являлось решение актуальной научно-технической задачи прогнозирования эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсных ионизирующих воздействиях с предельными уровнями (до 1013 ед./с.), имеющей существенное значение для создания новых и совершенствования существующих радиационно-стойких элементов и устройств систем управления военного, космического и другого специального назначения, повышения их функциональных и эксплуатационных характеристик, а также эффективности применения.

Проведенный обобщенный анализ проблемной ситуации позволил: (1) констатировать отсутствие к началу диссертационной работы единого подхода и понимания доминирующих эффектов функциональных сбоев в КМОП КНС БИС ЗУ и их сравнительного вклада, а также адекватных моделей КМОП КНС БИС ЗУ, особенно для диапазона предельных уровней ИИВ - до группы 6Ус ГОСТ РВ 20.39.414.2 и (2) выявить научное противоречие, которое заключается одновременно в необходимости и невозможности обеспечить достоверное прогнозирование эффектов информационных сбоев в новом поколении КМОП ЗУ на КНС структурах при ИИВ с предельными уровнями, оставаясь в рамках имеющихся методов и средств теоретического и экспериментального моделирования без их научно-технического развития.

Поэтому целью диссертации являлась разработка научно обоснованных методических и технических средств прогнозирования эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсном ионизирующем воздействии.

Основные научные результаты диссертации заключаются в следующем:

1. Разработана система расчетно-экспериментального моделирования эффектов функциональных сбоев в КМОП КНС БИС ЗУ при ИИВ с предельными уровнями (до 1013 ед./с.) на основе развитых в работе конструктивно-топологических и схемотехнических моделей, учитывающих проявление и взаимосвязь локальных и интегральных радиационных эффектов в полупроводниковых и диэлектрических элементах и КНС БИС ОЗУ в целом. Разработанная система моделирования позволила решить задачу выявления, теоретического анализа, моделирования и экспериментального исследования основных закономерностей и доминирующих радиационных эффектов в КМОП КНС БИС ЗУ и их эле

I Ч ментах при ИИВ с предельными уровнями (до 10 ед./с.) с учетом всех существенных особенностей и доминирующих механизмов сбоев, в том числе, модуляции проводимости полупроводниковых областей, образования ионизационных токов р-п переходов, накопления и релаксации зарядов в неподключенной подза-творной области МОП-транзисторов, ионизации диэлектрических областей и образования токов утечки, импульсного уменьшения напряжений питания элементов вследствие протекания ионизационных токов по шинам питания и общей, а также взаимного влияния элементов ЗУ по шинам питания и информационным. В результате сопоставления полученных результатов расчетного моделирования с использованием программного комплекса «0100Е-20», адаптированного для КНС структур, и экспериментальных исследований тестовых полупроводниковых КНС-структур с использованием лазерного имитатора установлено, что модуляция проводимости КНС резисторов при предельных уровнях (до 1013 ед/с) ИИВ вызывает уменьшение сопротивлений полупроводниковых областей в несколько раз - порядка шести для кремниевых и вдвое для поликремниевых структур. Зависимость ионизационного тока КНС р-п перехода от мощности дозы ИИВ является линейной до предельных уровней (1013 ед/с). При этом плавающий потенциал подзатворной области оказывает существенное влияние на релаксационные процессы в КНС МОПТ и, как следствие, увеличивает время потери работоспособности КМОП КНС БИС ЗУ. Наличие продольного электрического поля в канале открытых КНС МОПТ обуславливает повышенные амплитуду ионизационных токов и время их релаксации по сравнению с закрытыми МОПТ.

2. В ходе расчетно-экспериментального моделирования обосновано, что в типовой КНС структуре вклад полупроводниковых областей в общую реакцию МОПТ преобладает над вкладом сапфировой подложки до уровней ИИВ 1012ед./с. При больших уровнях ИИВ, а также при масштабировании вклад ионизационной проводимости сапфира в общую ионизационную реакцию КНС-структуры возрастает. В случае пропорционального (по всем координатам - ЗЭ) масштабирования ионизационная проводимость сапфира начинает превалировать над реакцией кремниевых областей при уменьшении длины канала до 0,5 мкм и менее. Экспериментально установлено, что ионизационная проводимость в сапфире отечественных КНС-структур имеет омический характер, т.е. зависимости радиационно-индуцированного тока утечки от приложенного напряжения и от мощности дозы практически линейны, а форма ионизационного отклика в сапфире повторяет форму воздействия, что свидетельствует о малом времени жизни в сапфировой подложке (около 1 не). При этом реакция полупроводниковых областей до предельных уровней воздействия может быть адекватно описана с использованием программного комплекса «010БЕ-20», адаптированного для КНС-структур, а вклад диэлектрических областей подложки может быть учтен на основе модели ионизационной проводимости сапфира с учетом омического характера переноса радиационно-индуцированных носителей с коэффициентом ионизационной проводимости близкой каР = 4-10"15 [Ом-см'фад/с)]*1.

3. В результате расчетно-экспериментального исследования радиационного поведения тестовых КНС инверторов, ячеек памяти и трактов считывания информации ОЗУ обоснована эффективность использования для схемотехнического моделирования сбоев узлов и информационных трактов КНС БИС ОЗУ развитого в работе программного комплекса «ЗОЗЯеБропзе» («80811»), в котором в качестве параметра, характеризующего отклик МОПТ на ИИВ, принято отношение амплитуды ионизационного тока при заданном уровне ИИВ к току открытого транзистора. Показано, что уровень сохранности информации в ЯП при ИИВ определяется взаимодействием двух механизмов: выравнивания выходных потенциалов ЯП и одновременной «просадки» питания вследствие протекания ионизационных токов. Предложена эквивалентная схема тракта считывания накопителя для схемотехнического моделирования сбоев КМОП КНС БИС ОЗУ при ИИВ, обеспечивающая анализ влияния схемотехники и режимов работы БИС ОЗУ на сбоеустойчивость. Моделирование эффектов ИИВ на накопитель БИС ЗУ проводилось с учетом взаимовлияния ячеек через общие битовые шины накопителя, режима фиксации потенциалов этих шин, а также помех по шинам питания и на адресных и битовых шинах накопителя. В результате моделирования подтверждено, что наименьшим УСИ обладает накопитель КМОП КНС БИС ОЗУ на основе шеститранзисторных (6Т) ЯП без ЛС-цепи, находящийся при ИИВ в режиме считывания информации, а разработанные при участии автора десятитранзисторные (ЮТ) ЯП с 11С-цепыо реализуют максимальный УСИ из всех исследованных вариантов.

4. Тонкие приборные слои КМОП КНС ИС, дрейфовый характер переноса свободных носителей, малое время жизни неравновесных носителей в приборном слое и относительно низкая подвижность носителей зарядов обуславливают принципиальную возможность и адекватность лазерного имитационного моделирования воздействия импульсных ионизирующих излучений на КМОП КНС ИС. Выполнен расчет зависимости эквивалентной мощности поглощенной дозы в кремнии от интенсивности лазерного излучения в диапазоне сверхвысоких ин-тенсивностей с учетом зависимости коэффициента поглощения излучения от концентрации неравновесных носителей заряда, а также влияния Оже-рекомбинации на время жизни неравновесных носителей. В результате расчетного моделирования и экспериментальных исследований зависимостей отклика тестовой КНС БИС ОЗУ от длины волны лазерного излучения обоснована применимость лазерного имитационного моделирования эффектов в КНС ЗУ, что позволяет обеспечить многократный (в сотни тысячи раз) рост информативного объема радиационных испытаний практически без увеличения затрат на их проведение. Впервые теоретически установлено и экспериментально подтверждено, что энергетически оптимальным для моделирования ионизационных эффектов в тонких приборных слоях КМОП КНС БИС является диапазон длин волн лазерного излучения 0,8.0,9 мкм, что обеспечивает достаточную эквивалентную мощность поглощенной дозы (до 1013 ед/с) при относительно низкой, неразру-шающей интенсивности лазерного излучения.

5. Проанализированы и развиты схемно-топологические и конструктивно-топологические методы обеспечения сбоеустойчивости КМОП КНС БИС ЗУ на основе рационального выбора схемных решений трактов считывания, совершенствования схемотехники и топологии ЯП, в том числе на основе оптимизации схемы подключения и параметров дополнительных КС-цепей, а также обоснованного снижения толщины приборного сбоя КНС-структур. Экспериментально показано, что даже оптимальные по топологии и схемотехники ЯП не гарантируют достижения предельных значений сбоеустойчивости БИС, важен учет взаимовлияния ячеек в столбце. Впервые установлены закономерности и объяснен эффект влияния вида тестового информационного кода на уровень и характер функциональных сбоев КМОП КНС БИС ОЗУ при ИИВ, вызванный взаимным влиянием и перезаписью информации между соседними ячейками памяти, подключенными к общим разрядным шинам, при этом, как правило, наиболее радиационно-чувствительным тестовым кодом является код «диагональ». Экспериментально подтверждено, что наиболее критичным для сбоев при ИИВ является работа БИС при пониженном напряжении питания, различие значений УСИ при минимальном (4,5 В) и максимальном (7,5 В) напряжениях питания может составлять около 2 раз. Установлено, что режим хранения информации при ИИВ не всегда является наихудшим, необходимо также контролировать сбоеустойчивость в режимах считывания (статического и динамического) и записи информации. В результате исследований установлено, что переходные процессы в периферийных схемах БИС ПЗУ наиболее сильно проявляются в динамических режимах работы с максимальной (предельной) частотой следования циклов, в результате чего уровень сбоеустойчивости БИС ПЗУ в статическом и динамическом режимах может различаться на два порядка.

Полученные и систематизированные оригинальные экспериментальные данные и зависимости хорошо соответствуют результатам теоретического моделирования и устанавливают общность радиационного поведения КМОП КНС БИС ЗУ в широких диапазонах изменения режимов работы и уровней ИИВ.

Основной практический результат диссертации заключается в разработке общей методики и экспериментального комплекса для исследования сбоеустойчивости КМОП КНС БИС ЗУ в реальном времени с учетом: предельных уровней ИИВ - до 1013 ед/с; возможных режимов работы: хранения, считывания (статического и динамического), записи (для ОЗУ); диапазона напряжений питания

4,5.7,5В; различных видов АФК, учитывающих топологическую адресацию и позволяющих выявлять доминирующие механизмы сбоев БИС ЗУ. Разработанные методические и технические средства экспериментальных исследований и испытаний на сбоеустойчивость обеспечивают гибкое управление, выявление и диагностирование информационных и параметрических сбоев ЗУ непосредственно в процессе и после ИИВ.

Частные практические результаты работы и их реализация:

1. В результате проведенного анализа объема и структуры испытаний установлено, что для достоверного исследования сбоеустойчивости одного типа БИС ЗУ с учетом возможных режимов их работы и тестирования, а также размеров выборок, требуется более 2500 импульсов воздействий. Обосновано рациональное сочетание испытаний на лазерных имитаторах и моделирующих установках: при этом основной объем (более 98%) испытаний проводится на лазерном имитаторе, а испытания на МУ используются для калибровки и верификации результатов имитационных испытаний. В качестве основного источника ИИВ при испытаниях КМОП КИС БИС ЗУ впервые использован оригинальный лазерный имитатор «РАДОН-8М» с дополнительным преобразователем длин волн излуче

-5 I ния на основе А120з: "П лазера, обеспечивающий необходимую энергию и длительность импульсов в диапазоне длин волн 0,8.0,9 мкм, где обеспечивается максимальная энергетическая эффективность ионизации тонких приборных слоев БИС на КНС структурах. Проведена адаптация методики дозиметрического сопровождения лазерных имитационных испытаний для БИС ЗУ на КНС-структурах. Сравнительный экспериментальный анализ подтвердил непротиворечивость характеров радиационного поведения и уровней сбоеустойчивости КНС БИС ОЗУ (на примере РУ54), полученных в результате испытаний на моделирующих установках ВНИИЭФ и лазерных имитаторах.

2. В результате анализа влияния схемно-топологических и конструктивно-технологических особенностей элементов БИС ЗУ на уровни сбоеустойчивости разработаны практические рекомендации по повышению сбоеустойчивости КМОП КНС БИС ОЗУ и ПЗУ к ИИВ. Разработаны предложения по рациональной схемотехнике ЯП КМОП КНС БИС ОЗУ, направленные на обеспечение предельного уровня их сбоеустойчивоети. Обоснована предпочтительность подключения конденсатора в ЛС-цепи параллельно между входами «плеч» триггера с одновременной развязкой входов и выходов «плеч» с помощью резисторов, что ослабляет влияние изменений выходных уровней «плеч» триггера на состояние триггера ЯП при ИИВ. Такая реализация 8-ми транзисторной ЯП позволила обеспечить УСИ БИС РУ8У на уровне 1012ед./с. Обоснована необходимость фиксации потенциала областей каналов транзисторов. В условиях ограничений на площадь ячейки предложено объединять между собой области каналов симметричных транзисторов без подключения к шинам земли или питания. Экспериментально подтверждено, что применение в ЯП р-канальных транзисторов связи с уменьшенной на 25% шириной канала приводит к уменьшению взаимовлияния ЯП и увеличению УСИ в 1,5 раза. Теоретически обоснован и экспериментально верифицирован максимально симметричный вариант топологии ЯП с ЛС-цепью, который был реализован в КМОП КНС БИС ОЗУ РУ54-2 с предельным уровнем сбоеустойчивоети - более 6Ус. Отработан метод повышения УСИ БИС ОЗУ (на примере РУ2) на основе рационального уменьшения толщины приборного слоя с 0,6 мкм до 0,3 мкм. В результате сравнительных экспериментальных оценок установлено, что такое уменьшение толщины приборного слоя приводит к непропорциональному повышению УСИ КНС БИС ОЗУ - более чем в 6 раз без потери ее дозовой стойкости. Экспериментальными методами установлено также, что увеличение уровня легирования резисторов ЛС-цепи на 25% при прочих равных условиях приводит к увеличению УСИ более чем в 2 раза.

В результате сравнительных статистических экспериментальных исследований тестовых схем установлено, что рабочие токи транзисторов в ЯП КМОП КНС БИС ПЗУ с исходной 50% технологической неравномерностью параметров имеют близкую ионизационную реакцию, разброс которой находится в пределах 10%, что соответствует нестабильности импульсов источника воздействия.

3. В результате сравнительных экспериментальных исследований эквивалентных по топологии и схемотехнике тестовых БИС ОЗУ на КНС и КНИ структурах, сделан вывод о том, что переход с КНС на КНИ структуры в рамках единых правил проектирования не приводит к снижению стойкости по эффектам мощности дозы и дозы; при этом использование 10-ти транзисторой ЯП с КС-цепочкой увеличивает сбоеустойчивость КНИ БИС ОЗУ в 3 раза по сравнению с 6-ти транзисторной и не влияет на дозу отказа; а подключение подзатворной области транзисторов к «земле» существенно повышает стойкость КНИ БИС ОЗУ. Оригинальные результаты экспериментальных исследований КНИ БИС ОЗУ 1Мбит НХ6228 подтвердили принципиальную достижимость одновременно высоких информационной емкости (Шбит) и радиационной стойкости.

Основные положения диссертации представлены в отчетных материалах по многочисленным НИР и ОКР, выполняемых по заказам Минобороны РФ, Роса-тома, Роспрома, Роскосмоса и предприятий оборонного комплекса. Результаты диссертации внедрены в ОАО «Ангстрем», «ОАО «НПП «Сапфир», ФГУП ФНПЦ «НИИИС», ФГУП «НПО Автоматики», ОАО «НИИМЭ и Микрон» и ОАО «ЭНПО СПЭЛС», в том числе в ходе разработки и радиационных испытаний большинства отечественных КМОП КНС БИС ЗУ - РУ2, РУ54, РУ6, РУ7, РУ8, РУ9, РЕ1, РЕ2, РЕЗ, и других, а также аппаратуры систем управления на их основе - в частности в ракетных комплексах ЗМ37У2 и ЗКЗО.

Таким образом, в ходе работы над диссертацией достигнута ее основная цель, а именно разработаны научно обоснованные методические и технические средства прогнозирования эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсном ионизирующем воздействии.

1. Концепция развития изделий микроэлектроники военного и специального назначения на период до 2005 года / Ю.И.Степанов, М.И.Критенко, С.А.Малюдин и др. Мытищи: 22 ЦНИИИ МО, 1999. - 43 с.

2. Критенко М.И., Малюдин С.А., Телец В.А. Развитие элементной базы средств связи и вычислительной техники и современное состояние электронной промышленности // Научная сессия МИФИ-2000. Сб. научн. трудов. Т. 1 -М.:МИФИ, 2000. С. 75-76.

3. Антимиров В.М. Тенденции развития элементной базы и архитектуры перспективных ЦВС // Ракетно-космическая техника. сер. XI, 1987.- Вып. 4. - С. 30-37.

4. Антимиров В.М. Создание самоорганизующихся управляющих вычислительных комплексов для работы в экстремальных условиях в реальном времени: Диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук. Екатеринбург: ФГУП «НПО Автоматики», 2006. - 255с

5. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных схемах. М.: Энергоатомиздат, 1989.-256 с.

6. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М.: Радио и связь, 1994. - 164 с.

7. Radiation Design Handbook. European Space Agency. ESTEC, Noordwijk, the Ned-erlands, 1993.-444p.

8. Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-98». Научно-технический сборник-М.: МИФИ-СПЭЛС, 1998. Вып.1.180 с.

9. Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-99». Научно-технический сборник. -М.: МИФИ-СПЭЛС, 1999. Вып.2. 220 с.

10. Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2000». Научно-технический сборник-М.: МИФИ-СПЭЛС, 2000. Вып.3.248 с.

11. Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2001». Научно-технический сборник-М.: МИФИ-СПЭЛС,2001. Вып.4.258с.

12. Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2002». Научно-технический сборник М.: МИФИ-СПЭЛС, 2002. Вып.5.284 с.

13. Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2003». Научно-технический сборник-М.: МИФИ-СПЭЛС, 2003. Вып.6. 220 с.

14. Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2004». Научно-технический сборник.- М.: МИФИ-СПЭЛС, 2004. Вып.7. 244 с.

15. Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2005». Научно-технический сборник М.: МИФИ-СПЭЛС, 2005. Вып.8.268 с.

16. Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2006». Научно-технический сборник-М.: МИФИ-СПЭЛС,2006. Вып.9.267с.

17. Антимиров В.М. Развитие архитектуры высоконадежных управляющих вычислительных систем // Проектирование и изготовление МЭА. Сер. 10. Микроэлектронные устройства: сб. науч. тр. / ЦНИИ Электроника. М., 1988. - Вып. 2. - С.7.

18. Антимиров В.М. Особенности построения магистрально-модульных вычислительных систем // Ракетно-космическая техника. 1990. - Вып. 1.- С. 5-11.

19. Ачкасов В.Н., Антимиров В.М. Машевич П.Р. Особенности реализации современных вычислительных комплексов для бортовых систем управления // Космонавтика и ракетостроение. 2005. - №18. - С.45-51.

20. ОСТ В 11 998-99. Микросхемы интегральные. Общие технические условия. — 22 ЦНИИИ МО, 2000,138 с.

21. Чумаков А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М.: Радио и связь, 2004. - 320 с.

22. ГОСТ РВ 20.57.415 КСКК. Изделия электронной техники квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Методы оценки соответствия требованиям по стойкости к воздействию ионизирующих и электромагнитных излучений

23. J.P.Colinge. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI. Kluwer Academic Publishers, 1997.-272 p.

24. Баранов Ю.Л. Состояние и перспективы использования КНС-технологии / Зарубежная электронная техника.- 1989.-№11 (342).-С. 19-33.

25. An advanced 0,5pm CMOS/SOI technology for practical ultrahigh-speed and low-power circuits / T. Ipposhi el al. // Proc. 1995 IEEE International SOI Conference, Oct. 1995, pp.46-47

26. Nikiforov A.Y., Poljakov I.V. Test CMOS/SOS RAM for Transient Radiation Upset Comparative Research and Failure Analysis // IEEE Trans, on Nuclear Science. 1995. - Vol.NS-42. - No. 6. - pp. 2138-2142.

27. Nikiforov A.Y., Poljakov I.V. CMOS/SOS RAM Transient Radiation Upset and "Inversion" Effect Investigation // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1996. -Vol.NS-43. - No. 6. - pp. 2659-2664.

28. Особенности технологии КНС третьего поколения и оценка радиационной стойкости БИС / А.С.Адонин, А.В.Беспалов, А.Ю.Никифоров и др. // В сб.: Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-98». М., 1998. Вып. 1. С. 21-22.

29. Ionizing radiation effects inmost devices and circuits. Ed. by T. P. Ma / Awiley-interscience publication. New York, 1989. 255p.

30. Носов Ю.Р., Петросянц K.O., Шилин B.A. Математические модели элементов интегральной электроники. М.: Сов.радио, - 1976. - 304 с.

31. Петросянц К.О., Харитонов И.А. Модели МДП и биполярных транзисторов для схемотехнических расчетов БИС с учетом радиационного воздействия // Микроэлектроника. 1994. - Т.23. — Вып.1. - С.21-34.

32. Харитонов И. А. Разработка и исследование схемотехнических моделей элементов радиационно-стойких МДП БИС: Диссертация на соискание ученой степени к-татехн. наук. М., 1998. - 155 с.

33. Скоробогатов П.К. Расчетно-экспериментальное моделирование воздействия импульсных гамма и рентгеновских излучений на кремниевые ППП и ИС: Диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук. М., 1999. - 401 с.

34. Никифоров А.Ю. Моделирование эффектов воздействия испульсного ионизирующего излучения в интегральных преобразователях информации на кремниевых и карбидкремниевых структурах: Диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук. М., 2003. - 256 с.

35. Барбашов В.М. Специализированные оперативно запоминающие устройства бортовых цифровых вычислительных машин с повышенной радиационной стойкостью / Автореферат диссертации на соискание ученой степени к-та техн. наук.-М., 1998.-20 с.

36. Чумаков А.И. Методы и средства моделирования доминирующих радиационных эффектов в интегральных схемах при воздействии высокоэнергетичных ядерных частиц: Диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук. М., 1998. -270 с.

37. Функциональный контроль ИС методом сравнения с эталоном при имитационных испытаниях / А.Ю.Никифоров, С.А.Полевич, А.И.Чумаков, А.И.Шереметьев // Радиационные процессы в электронике: Тез. докл. VI межот-расл. сем,- М., 1994. С. 159-160.

38. Яненко A.B. Средства Функционального контроля для радиационных испытаний БИС ОЗУ// Научная сессия МИФИ-99. Сб. научн. трудов. Т. 6 М.:МИФИ, 1999. -С.146-147.

39. Особенности контроля функционирования БИС в ходе радиационных испытаний / Калашников O.A., Никифоров А.Ю., Демидов A.A., Яненко A.B. // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-98». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 1998. Вып. 1.С. 111-112.

40. Автоматизированный комплекс для проведения имитационных испытаний ИС на радиационную стойкость / А.В.Герасименко, А.Ю.Никифоров, О.А.Калашников и др. // Радиационные процессы в электронике: Тез. докл. VI межотрасл. сем. -М., 1994. С. 156-157.

41. Система комплексного имитационного моделирования полупроводниковых приборов и интегр&чьных схем СКИМ / А.С.Артамонов, В.Ф.Герасимов, А.Ю.Никифоров и др. // Электронная промышленность. - 1996. -№ 2. - С. 16-19.

42. Борисов Ю.И. О мерах по развитию производства микроэлектронной техники // Материалы НТС22 ЦНИИИ Минобороны России 3.02.2006

43. Holmes-Siedle A., Adams L. Handbook of Radiation Effects / Oxford University Press. 1993 C.128-14948. www.Intersil.com

44. Vasudev P.K. Recent Advances in Solid-Phase Epitaxial Recrystallization of SOS with Application to CMOS and Bipolar Devices // IEEE Circuits and Devices Magazine. -1987. P. 17-19.

45. Inoue T. Ioshii T. Double Solid-Phase Epitaxy of SOS // Appl. Phys. Lett. 1980. -Vol. 36. - P. 64.

46. Garcia G.A., Reedy R., Burgener M.L. High-Quality CMOS In Thin (100 nm) Silicon On Sapphire // IEEE Electron Device Letters. 1988. - Vol. 9. - P. 32.

47. Burgener M.L., Reedy R.E. (Peregrine Semiconductor Corp.) Minimum Charge FET Fabricated on an Ultrathin Silicon on Sapphire Wafer, US Patent No. 5,416, 043, filed 1993, 1995.

48. Low Cost UTSi Technology For RF Wireless Applications / M. Megahed at. al. // Proc. MTT-S Intern. Microwave Symp. -1998. P. 65.

49. Монография под ред. Сметанова А.Ю. Микроэлектроника бортовых вычислительных комплексов. Стратегия успеха. М.: Логос, 2006. - 192 с.

50. Научно-технический отчет (итоговый) по теме «Исследование радиационной стойкости КМОП КНС БИС третьего поколения» (шифр «Магистр-СВВ»), Договор 045В-96, 1996

51. Отчет № 231-092/22.03.05 о патентно-технических исследованиях по НИР «Исследование и разработка БИС спецОЗУ на КНИ структурах» Шифр: «Защита», 2005

52. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для ВУЗов/ Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин-М.: Радио и связь 1991,-181 с.

53. Сверхбольшие интегральные микросхемы оперативных запоминающих устроств / В.В. Баринов, А.С. Березин, В.Д. Верпер и др.; Под ред. В.Д. Вернера.

54. М.: Радио и связь, 1991. 272 с.

55. Григорьев Н.Г., Поляков И.В. Ячейка памяти А.с. СССР N1582886

56. Larry F. Childs, Ryan Т. Hitrose. An 18 ns 4Kx4 CMOS SRAM. // IEEE Journal of Solid -State Circuits. Vol.sc.-19. № 5. October. 1984. p.545-551.

57. John J. Barnes, Armando L. De Jesus, David Novosel. Circuit Techniques for a 25 ns 16Kxl SRAM Using Address-Transition Detection. // IEEE Journal of Solid -State Circuits. Vol.sc.-19. №4. August. 1984. p.455-461.

58. Nobumishi Okazaki, Takaaki Komatsu, Naoya Hoshi, Kunihiko Tsuboi, Takashi Shi-mada. A 16 ns 2Kx8 Bit Full CMOS SRAM.// IEEE Journal of Solid -State Circuits. Vol.sc.-19. № 5. October. 1984. p.552-556

59. Протокол испытаний БИС 1620PE2H2 (кристаллы производства ОАО «Ангстрем») на стойкость к воздействию спецфакторов (ОКР «Меркурий 6-32К»). ЖКНЮ.ИИЛ05.02.05-ПР. СПЭЛС, 2005. - 27 с.

60. Протокол испытаний БИС ОЗУ 1620РУ8У на стойкость к воздействию спецфакторов (ОКР «Такт-03У-32К-СВВ»). ЖКНЮ.ИИЛ05.07.09-ПР. СПЭЛС, 2005.- 19 с.

61. SOS Device Radiation Effects and Hardening // Bobby L.Buchanan, Donald A.Neamen, Walter M.Shedd // IEEE Transaction on Electron Devices, vol.ED-25, No.8, 1978, pp.959-970

62. Srour J.R. et.al, Leakage current phenomena in irradiated SOS devices // IEEE Trans. Nucl. Science, vol. NS-24, №6,1977, p.2119.

63. Sapphire photocurrent sources and their impact on RAM upset / Brucker G.J., Herbert J., Stewart R., Pluk D. // IEEE Transaction on Nuclear Science, Vol. NS-33, No. 6, December 1986

64. L.W Messengill et al. "Analysis of transient radiation upset in a 2k SRAM," IEEE Trans NS-32 No 6 pp 4026 4030. 1985.

65. Phillips D.H. CMOS/SOS NAND Gate Saphire Photocurrent Compensation//IEEE Trans., 1975. NS-22, No.6, p.2617-2620.

66. An 8Kx8 SRAM desipned for hiph transient radiation tolerance/ J.A.Kerr, D Wootten, N Robson and R Ellis // RADECS93, pp.415-419

67. Radiation Hardened Product Databook, Space Products Operation, Harris Corporation, 1993, pp. 8.13, 8.36.

68. SOS Radiation Hard Hi-Rel 1С and ASIC Handbook., GEC Plessey Semiconductors, 1995, pp. 461-581.

69. Nobuo Sasaki / Charge Pumping in SOS-MOS Transistors // IEEE Transaction on Electron Devices, vol.ED-28, No. 1, 1981, pp.48-52

70. S. Sheffield Eaton, Bogoljub Lalevic. The Effect of a Floating Substrate on the Operation of Silicon-on-Sapphire Transistors, vol.ED-25, No.8, 1978 pp.907-912

71. Eugene R. Worley. On the Characteristic of the Deep-Depletion SOS Transistor / IEEE Transaction on Electron Devices, vol.ED-24, No.12, 1977, pp.1342-1345

72. A Charge-Conserving SOS MOSFET Model Including Radiation Effects for Circuit Simulation // R.Howes, W/Redman-White, K.G.Nichols, S.Bird, V.Robinson, P.J.Mole // RADECS 91, pp. 150-154

73. R. Rios, R. K. Smeltzer, G. A. Garcia / Modeling of Radiation-Induced Leakage Currents in CMOS/SOI Devices // IEEE Transaction on Nuclear Science, vol.38, No.6, 1991, pp.1276-1281

74. Skorobogatov P.K., Nikiforov A.Y., Poljakov I.V. CMOS SOS 1С Transient Radiation Response // Proc. of the 5th Workshop on Electronics for LHC Experiments. Snow-mass, 1999. P. 547-550.

75. Программа DIODE-2D. Руководство пользователя. М.: ЭНПО СПЭЛС. 1996 г.

76. R.A.Kjar, Kinoshita Transient Photocurrents in SOS structures, IEEE Trans.Nucl.Sci., NS-20N6, 1973, pp.315-318.

77. J.W.Harrity, IEEE Trans.Nucl.Sci., NS-17 No.6,1970, pp.206.

78. Б.П.Адуев, Э.Д.Алукер, В.Н.Швайко, «Радиационно-индуцированная проводимость кристаллов а-А1203», ФТТ, т.39,№11,1997, стр. 1995-1996

79. Study of CMOS/SOS Technology Photocurrents / J.-D. Saussine., C. Verbeck, E. Feuilloley, A. Michez, G. Bordüre and G . // IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.39, No.3. Part 1-2, 1992, pp 362-366

80. D.H.Phillips. Silicon-on-Sapphire Device Photoconduction Predictions / IEEE Trans.Nucl.Sci., NS-21 No.6,1974, pp.217-220

81. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. — 256 с.

82. ISE Integrated Systems Engeneering AG, Technical Prospect, // Technopark Zurich, CH-8005 Zurich, Switzerland100. «PSPICE Troubleshooter's Guide», MicroSim Corp., 1990101. http://www.mentor.com/102. http://www.cadance.com/103. http://www.synopsys.com/

83. Никифоров А.Ю. Прогнозирование, диагностирование и обеспечение стойкости КМДП ИС к воздействию импульсного ионизирующего излучения: Диссертация на соиск. уч. ст. к.т.н. М.: МИФИ, 1992. - 250 с.

84. J.R.Florian, R.W. Jacobs / "Improve transient response modeling in IC's" // IEEE Transaction on Nuclear Science, Vol. NS-31, No. 6, pp. 1402-1405,1985

85. Massengill L.W., Diehl-Nagle S.E. Transient Radiation Upset Simulation of CMOS Memory Circuits // IEEE Trans. Nuc. Sci. 1984. - Vol.NS-31. - No. 6. - P. 13371343

86. R.E.Mikawa, "Transient radiation effects in SOI static RAM cell" // IEEE Trans. On Nuclear Science, vol.NS-34. N6, pp. 1698-1703, 1987

87. A.N.Ishaque, R.W.Howard. / "Photocurrent modeling at high dose rates" // IEEE Transaction on Nuclear Science, Vol. NS-3 6, No. 6, pp.2092-2098,1989

88. L.W.Massengill, S.E.Diehl-Nagle. Analisis of transient radiation upset in 2R SRAM // IEEE Trans.Nucl.Sci., NS-32 N6,1985, pp.4026-4030.

89. GJ.Brucker, J.Herbert, RStewart, D.Plux. Sapphire Photocurrent Source and their impact on Ram Upset // IEEE Transaction on Nuclear Science, vol. NS-33, No. 6, pp.1377-1380, 1986

90. Handbook of optical constants of solids. /Edited by E.Palik. Academic press, 1985.

91. Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К. Моделирование объемных ионизационных эффектов в приборах технологии кремний на изоляторе // Микроэлектроника. -1998.- Т. 27.-№ 1.-С. 7-13.

92. Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К., Шанаева С.У. Применение лазера для моделирования переходных ионизационных эффектов в структурах КНИ // Радиационные процессы в электронике: Тез. докл. VI межотрасл. сем. М., 1994. С. 191-193.

93. Dominant Mechanisms of Transient-Radiation Upset in CMOS RAM VLSI Circuits Realized in SOS Technology / A.V.Kirgizova, A.Y.Nikiforov, N.G.Grigor'ev et al. // ISSN 1063-7397, Russian Microelectronics, 2006.-Vol.35. №3. - pp. 162-176.

94. Киргизова A.B., Яненко A.B., Поляков И.В. Исследование влияния сопротивления в RC-цепи ячейки памяти на сбоеустойчивость КМОП КНС БИС ОЗУ // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2004». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2004. Вып. 7. С.47-48.

95. Киргизова A.B., Скоробогатов П.К., Поляков И.В. Расчетная оценка модуляции проводимости кремниевых резисторов на подложке AI2O3 // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2005». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2005. Вып. 8. С.59-60.

96. Киргизова A.B., Поляков И.В. Экспериментальное исследование эффекта радиа-ционно-индуцированной модуляции кремниевых резисторов на подложке AI2O3 // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2005». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2005. Вып. 8. С. 60-61.

97. Киргизова A.B., Скоробогатов П.К., Поляков И.В. Модуляция сопротивления кремниевых резисторов на подложке AI2O3 при импульсном ионизирующем воздействии //Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. Т.1 -М.'.МИФИ, 2005. С.219-223.

98. Кессаринский J1.II., Скоробогатов П.К., Киргизова A.B. Исследования ионизационной реакции КНС МОПТ при предельных уровнях импульсного ионизирующего воздействия // Научная сессия МИФИ-2007. Сб. научн. трудов. Т. 1 -М.:МИФИ, 2007. С.177-178.

99. Киргизова A.B., Никифоров А.Ю. Прогнозирование сбоеустойчивости КМОП КНС БИС ЗУ при импульсном ионизирующем воздействии с предельной интенсивностью воздействии // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов.-М.:МИФИ, 2006. С.176-184.

100. СогоянА.В., Киргизова A.B., КурковичА.И. Исследование радиационной реакции тестовых структур КМОП БИС ОЗУ // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2004». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2004. Вып. 7. С.99-100.

101. СогоянА.В., Давыдов Г.Г., Киргизова A.B., Поляков И.В. Исследование радиа-ционно-индуцированной проводимости в системе AI/AI2O3/AI // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2005». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2005. Вып. 8. С.51-52.

102. Киргизова A.B., Григорьев Н.Г. Программа «SOSResponce» для моделирования сбоев в КМОП КНС ИС ЗУ при импульсном ионизирующем воздействии // Научная сессия МИФИ-2007. Сб. научн. трудов. Т. 1 М.:МИФИ, 2007. С.175-176.

103. Программа SOSResponse. Руководство пользователя. М.: ЭНПО СПЭЛС. -2007 г.-30 с.

104. Habing D.H. Use of Laser to Simulate Radiation-Induced Transients in Semiconductor and Circuits//IEEE Trans. 1965. Vol. NS-15, N5. - P. 91 -100.

105. РД В 319.03.22-97. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытаний. М.: Изд-во 22ЦНИИИ МО, 1997.- 32 с.

106. Кудряшов H.A., Кучеренко С.С., Сыцко Ю.И. Математическое моделирование фотоэлектрических процессов в полупроводниковых элементах при высоких уровнях фотовозбуждения // Математическое моделирование. М.:Наука, 1989. -Т.1.-№12.-С. 1-12

107. A.Y. Nikiforov and P.K. Skorobogatov, «Dose rate laser simulation tests adequacy: Shadowing and high intensity effects analysis», IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 43, no.6, pp. 3115-3121, Dec. 1996.

108. Skorobogatov P.K., Nikiforov A.Y., Akhabaev B.A. A way to improve the efficiency of laser simulation tests adopted to SOS/SOI devices // Proc. of the 4th Workshop on Electronics for LHC Experiments. Rome, 1998. P. 486-488.

109. Бор М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1970. 856 с.

110. Якобсон Р. Физика тонких пленок. -Т.8. М.: Мир, 1978.-е. 61-105

111. Pantelides S.T., Selloni A., Car R. Energy-Gap Reduction in Heavily Doped Silicon: Causes and Consequences//Solid State Electronics. 1985. Vol. 28, N 1-2. - P. 17 - 24.

112. Аствацатурьян E.P., Ахабаев Б.А., Скоробогатов П.К. Моделирование переходных ионизационных эффектов в ИМС лазерными методами //Зарубежная электронная техника. М.: ЦНИИ Электроника, 1988. Т 6(325). С. 34-75.

113. Ахабаев Б.А. Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в ПП и ИС: Диссертация на соискание ученой степени к-та техн. наук. М.: МИФИ, 1979 г. - 189 с.

114. Bertolotti М. Physical Process in Laser-Materials Interaction//NATO Adv. St. Inst., Ser.B: Physics, V.84, Plenum Press, N.Y., 1983.

115. Two-Photon Absorption, Nonlinear Refraction, and Optical Limiting in Semiconduc-tors/E.W.Van Stryland et alI//Opt. Eng. 1985. Vol.24. P. 613.

116. Critical Evaluation of the Pulsed Laser Method for Single Event Effects Testing and Fundamental Studies/J.S.Melinger, S.Buchner, D.McMorrow et all//IEEE Trans. -1994. Vol. NS-41, N 6. P. 2574 - 2584.

117. Галкин Г.Н. Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения // Труды ФИАН им. П.НЛебедева. 1981. Т. 128. -С. 3 - 64.

118. Вольфсон А.А., Субашиев В.К. Край собственного поглощения кремния, сильно легированного донорными или акцепторными примесями//ФТП. -1967. Т. 1, N 3. С. 397-404.

119. Галкин Г.Н. Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения // Труды ФИАН им. П.НЛебедева. -1981. Т. 128. -С.3 64.

120. Боли Б.А., Уэйнер Дж. Теория температурных напряжений. М.: Мир, 1964. -517 с.

121. Экспериментальные исследования особенностей дозовой деградации КМОП КНС ИС с учетом импульсного характера набора дозы // Научно-технический отчет о НИР «Мурена» М.: ЭНПО СПЭЛС, 2005 г. - 49 с.

122. N. Kristianpoller, A. Rehavi, A. Shmilevich, D. Weiss and R. Chen, "Radiation Effects in Pure and Doped A1203 Crystals", Nucl. Inst. Meth. Phys. Res. B141,343-345 (1998).

123. Протокол испытаний КМОП КНС БИС 1620РУ54-2 на стойкость к воздействию спецфакторов. ЖКНЮ.ИИЛ06.11.99. -М.: ЭНПО СПЭЛС, 2006. 37 с.

124. Протокол № 0615-03/2988 испытаний микросхем Б1620РУ54-2 на стойкость к воздействию спецфакторов о615Пр11-2006. Саров:РФЯЦ ВНИИЭФ,2006 - 16 с.

125. Киргизова. A.B. Зависимость уровня сбоев постоянных запоминающих устройств от частоты выборки при импульсном ионизирующем воздействии // Научная сессия МИФИ-2005. Сб. научн. трудов. Т. 1 М.: МИФИ, 2005. С. 189-190.

126. Исследование влияния режимов работы и критериев годности на уровень стойкости КМОП КНС БИС ОЗУ // Киргизова A.B. и др. / «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2004». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2004. Вып. 7. С.65-66.

127. Киргизова A.B., Яненко A.B. Влияние режима работы на сбоеустойчивость оперативных запоминающих устройств при импульсном ионизирующем воздействии // Научная сессия МИФИ-2005. Сб. научн. трудов. Т. 1 М.: МИФИ, 2005. С.191-192.

128. Киргизова A.B. Влияние информационного кода на сбоеустойчивость КМОП КНС ОЗУ //Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. М.: МИФИ, 2004. С.321-325.

129. Результаты исследования радиационной стойкости тестовых БИС ОЗУ / Яненко A.B., Киргизова A.B., Шведов C.B., Усов Г.И. // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2005». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2005. Вып. 8. С.71 -72.

130. ОСТ В 11 073.013-2003 (ч.Ю) «Микросхемы интегральные. Методы испытаний на специальную стойкость и импульсную электрическую прочность», 2003 г., 22 ЦНИ-ИИ МО, 27 с.

131. Киргизова A.B. Аппаратно-программный измерительный комплекс для радиационных испытаний // Научная сессия МИФИ-2003. Сб. научн. трудов. «Молодежь и наука»: Тез. докл. М.: МИФИ, 2003. С. 135.

132. Демидов A.A., Киргизова A.B., Яненко A.B. Структура измерителя времени задержки распространения цифровых ИС при радиационных испытаниях // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. М.:МИФИ, 2006. С.213-216.

133. Некрасов П.В., Демидов A.A., Калашников O.A. Универсальное устройство функционального контроля микросхем памяти // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. М.: МИФИ, 2004. С.300-303.

134. Исследование радиационного поведения времени выборки КМОП БИС ПЗУ / A.B. Яненко, A.B. Киргизова, А.Г. Петров, A.A. Демидов и др. // Научная сессия МИФИ-2005. Сб. научн. трудов. Т. 1 М.: МИФИ, 2005. С.233-234.

135. Контроль времени выборки данных КМОП БИС ПЗУ при дозовом воздействии / A.B. Яненко, A.B. Киргизова, А.Г. Петров, A.A. Демидов и др. // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2005». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2005. Вып. 8.С.209-210.

136. Программа «LDR-2». Техническое описание и руководство пользователя. М.: ЭНПО СПЭЛС, 2001.

137. Протокол испытаний БИС ОЗУ 1620РУ9У на стойкость к воздействию спецфакторов (ОКР «Такт-ОЗУ-64К-СВВ»). ЖКНЮ.ИИЛ05.06.02-ПР. М.: ЭНПО СПЭЛС, 2005. -23 с.

138. Протокол испытаний БИС 1620РЕЗУ на стойкость к воздействию спецфакторов (ОКР «Такт ПЗУ 1М»). ЖКНЮ. ИИЛ04.10.21-ПР.-М.: ЭНПО СПЭЛС, 2004.-36 с.

139. Протокол испытаний БИС Б1620РУ2-2 на стойкость к воздействию спецфакторов. ЖКНЮ.ИИЛ03.10.15-ПР. М.: ЭНПО СПЭЛС, 2003.-40 с.

140. Протокол испытаний БИС ОЗУ 1620РУ7Т на стойкость к воздействию спецфакторов. ЖКНЮ.ИИЛ05.11.53-ПР. М.: ЭНПО СПЭЛС, 2004. - 36 с.

141. Протокол испытаний БИС 1620РЕ2Н2 (Б635А-2) на стойкость к воздействию спецфакторов (ОКР «Меркурий 6-32К»). ЖКНЮ.ИИЛ05.02.04-ПР. М.: ЭНПО СПЭЛС, 2005.-27 с.

142. Протокол испытаний микросхем ОЗУ НРУ3507Т на стойкость к воздействию спецфакторов (НИР «Миндаль»). ЖКНЮ.ИИЛ05.06.14-ПР. М.: ЭНПО СПЭЛС, 2005. -19 с.

143. Протокол испытаний БИС 1620РЕ1Н2НИ на стойкость к воздействию спецфакторов. ЖКНЮ. ИИЛ05.10.22-ПР. М.: ЭНПО СПЭЛС, 2005. -20 с.

144. Протокол испытаний микросхем НРТ3501Т на стойкость к воздействию спецфакторов (НИР «Меркурий»), ЖКНЮ.ИИЛ05.06.13-ПР.-М.: ЭНПО СПЭЛС, 2005.-19 с.

145. Киргизова. A.B. Влияние реализации ячеек памяти на сбоеустойчивость КМОП КНС БИС ОЗУ // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. М.: -МИФИ, 2005. С.219-223

146. Киргизова A.B., Яненко A.B., Поляков И.В. Исследование влияния сопротивления в RC-цепи ячейки памяти на сбоеустойчивость КМОП КНС БИС ОЗУ // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2004». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2004. Вып. 7. С.47-48.

147. Конопелько В.К., Лосев В.В. Надежное хранение информации в полупроводниковых запоминающих устройствах. М.: Радио и связь, 1986. - 240 с.

148. Киргизова A.B., Петров.А.Г., Никифоров А.Ю., Поляков И.В. Исследование влияния толщины приборного слоя на уровень стойкости КМОП КНС БИС ОЗУ // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2006». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2006. Вып. 9. С.77-78.

149. Петров А.Г., Киргизова A.B., Гуминов В.Н. Исследования неоднородности токовых характеристик отклика ячеек памяти в составе КМОП КНС БИС ПЗУ 512К // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2006». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2006. Вып. 9. С.79-80.

150. Сравнительные исследования стойкости БИС ОЗУ на КНИ-структурах / A.B. Киргизова, А.Г. Петров, И.Б. Яшанин, C.B. Шведов и др. // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2006». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2006. Вып. 9. С.69-70.

151. Сравнительные исследования КМОП БИС ОЗУ на КНС- и КНИ-структурах при ионизирующих воздействиях // А.Г. Петров, A.B. Киргизова, И.Б. Яшанин, C.B. Шведов и др. / Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научн. трудов. -М.гМИФИ, 2006.-С.173-175.

152. Протокол сравнительных исследовательских испытаний экспериментальных образцов КМОП БИС СОЗУ 8К на КНС и КПИ структурах на стойкость к воздействию спецфакторов. ЖКНЮ.ИИЛ06.02.06-ПР. М.: ЭНПО СПЭЛС, 2006. - 20 с.

153. Петров А.Г., Киргизова A.B., Никифоров А.Ю., Яшанин И.Б. Исследование характера радиационного поведения КМОП КНИ БИС ОЗУ НХ6228 // «Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2006». - М.: МИФИ-СПЭЛС, 2006. Вып. 9. С.71-72.

154. Протокол испытаний БИС ОЗУ HX6228TQHC на стойкость к воздействию спецфакторов (НИР «Субмикрон-2»).ЖКНЮ.ИИЛ05.11.27-ПР.-М.:ЭНПО СПЭЛС,2005. 23 с.