-
2002
Гурьянов, Алексей Анатольевич
ПТШ применяются в различных активных электронных устройствах: усилителях мощности, малошумящих усилителях, генераторах, смесителях, переключателях, аттенюаторах, модуляторах, умножителях, ограничителях и других. При использовании ПТШ в системах многоканальной передачи информации, многочастотной радиолокации, радиоэлектронной борьбы (РЭБ) и т. п
-
2002
Шевчук, Сергей Леонидович
Недостатки наиболее распространенных методов (распыление или испарение материала мишени, плазмостимулированные методы) связаны с ограниченными возможностями управления энергией осаждаемых частиц, переносом вещества к подложке по закону "косинуса" и трудностями контроля количества осаждаемого вещества
-
2002
Мардамшин, Юрий Петрович
Схемы аналогов негатронов и методы работы с ними описаны в /22, 28/. Аналоги негатронов могут быть построены на биполярных, полевых транзисторах, биполярно-полевых структурах. Поэтому при построении полупроводниковых магниточувствительных автогенераторных преобразователей можно ориентироваться на технологии микросхем на биполярных транзисторах
-
2002
Прудан, Александр Михайлович
Основными компонентами электрически управляемых СВЧ устройств являются конденсаторы (варакторы) и отрезки волноведущих линий. Ограничения принципиального характера на номиналы емкостей и волновых сопротивлений передающих линий делают проблематичным включение в состав устройств объемных сегнетоэлектриков. Частичное заполнение сегнетоэлек-триком
-
2002
Ларионов, Алексей Александрович
Базисным элементом классического компьютера является бит, который может находиться в одном из булевских состояний «О» или «1». Биты можно с успехом моделировать и на квантовых системах, соответствующим образом выбирая базисные собственные состояния квантовой системы. Роль квантовых битов или кубитов (quantum bit=qubit - термин, введенный впервые
-
2002
Сахмуд Абделькарим Низар
Однако, несмотря на относительно долгое использование БТИЗ в схемах силовой электроники физика работы прибора остается не до конца изученной, а математической модели (подобной SPICE моделям для МОП транзисторов) до сих пор нет. Это объясняется сложностью нестационарных процессов даже в структурах простейшего ключа с одним БТИЗ и активной
-
2002
Бокарев, Дмитрий Игоревич
-
2002
Кондратьев, Владимир Викторович
Возникает необходимость разработки новых версий МО и ПО, оптимизированных для синтеза топологии в новом базисе ТНП. Существующая тенденция опережающего развития микроэлектроники по сравнению с развитием средств САПР обуславливает важность решения проблемы адаптации САПР к изменениям ТНП. В настоящее время проблема адаптации решается в основном
-
2002
Скворцов, Сергей Игоревич
Специфичной особенностью полупроводниковых приборов является то, что режимы их работы могут изменяться под действием нескольких одновременно воздействующих на них факторов. Наиболее изученными типами воздействия являются магнитное поле и свет. Гораздо менее изучено управляющее воздействие на режимы работы полупроводниковых приборов внешнего СВЧ
-
2002
Орлова, Екатерина Евгеньевна
Особенности релаксации носителей заряда по примесным состояниям [6, 7, 8, 9] позволяют ожидать от источников излучения на примесных переходах большей эффективности усиления, чем в полупроводниковых лазерах на внутризонных переходах. Кулоновские центры в полупроводниках создают спектр связанных состояний, плотность уровней в котором растет с
-
2002
Шерешевский, Дмитрий Изяславович
Дефекты также играют роль во всех других физических свойствах полупроводников. Присутствие дефектов изменяет колебательные моды. Дефект локально возмущает колебательный спектр и может вызвать появление локализованных колебательных мод, приводящих к инфракрасному поглощению. Дефекты также ответственны за большинство явлений, связанных с атомным
-
2002
Лапшин, Ростислав Владимирович
Применение следящих измерительных систем натолкнулось на ограничения, связанные с погрешностью косинуса, ошибкой смещения Аббе и с шумами датчиков положения. Аз-за более сложной конструкции, юстировки и эксплуатации СЗМ, оборудованных следящими системами, необходимости использования высокоточных технологий обработки деталей этих приборов
-
2002
Мустафаева, Джамиля Гусейновна
Широкое распространение методов автоматического контроля и управления в современной технике вызывает необходимость решения задачи по совершенствованию и оптимизации технологии изготовления пленочных преобразователей
-
2002
Яблочкина, Галина Ивановна
Таким образом, решение задачи создания эффективных защитных покрытий эпитаксиальных пленок фосфида индия и разработки буферного слоя между подложкой и структурой прибора является современной и актуальной научно-технической задачей
-
2002
Василенко, Анатолий Леонидович
К способам локальной обработки материалов относятся электронный луч, лазерный луч и электрический разряд. Общим для этих способов является воздействие сфокусированного потока электромагнитной энергии или частиц, приводящее к возникновению на поверхности подложки локальных тепловых источников и, как следствие, к существенным структурным и
-
2002
Панченко, Валерий Александрович
-
2002
Федоров, Игорь Александрович
Однако широкое использование метода МСМ сдерживается рядом существующих проблем. В частности, ключевым элементом МСМ является магнитный кантилевер, от характеристик которого в значительной степени зависят результаты измерений. Однако, существующие в настоящее время конструктивно -технологические варианты создания таких кантилеверов не позволяют
-
2002
Мустафаев, Арслан Гасанович
Воздействие излучения приводит как к обратимым, так и к необратимым изменениям электрических свойств полупроводниковых приборов и интегральных схем. Поскольку такие изменения могут приводить к отказам радиоэлектронных устройств, значительные усилия в последнее время направляются на разработку методов, позволяющих снизить деградацию параметров
-
2002
Лысенко, Игорь Евгеньевич
Лидирующими организациями в области разработки и исследования элементной базы и средств проектирования МОЭМС, являются Berkeley Sensor & Actuator Center (BSAC), University of California (USA); Tanner Research (USA); Tima-CMP (France); Analog Devices (USA); Sandia National Laboratories (USA); Texas Instruments, Inc. (USA); Московский институт
-
2002
Саркаров, Таджидин Экберович
Рассмотрены различные способы ускоренного окисления кремния с предварительным нанесением на подложку окиси свинца. Наиболее перспективным методом нанесения РЬО признан метод магнетронного распыления свинца в атмосфере кислорода. Исследования электрофизических параметров такого стекла показали, что этот метод по некоторым аспектам превосходит метод
