автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Разработка конструкции и технологии формирования радиационно-стойких биполярных полупроводниковых структур

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ПАРАМЕТРЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

1.1 Воздействие радиации на р^ переход

1.2. Воздействие радиации на полупроводниковые приборы

Диоды

Транзисторы

ГЛАВА 2. ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА СТРУКТУРУ ДИЭЛЕКТРИК

ПОЛУПРОВОДНИК

2.1. Зарядовая нестабильность в диэлектрических пленках

2.2. вольт-фарадный метод исследования структур диэлектрик- полупроводник

2.3. влияние радиации на свойства структур диэлектрик- полупроводник

2.4. Модель накопления заряда в системе металл- диэлектрик- полупроводник

ГЛАВА 3. ВОЗДЕЙСТВИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА БИПОЛЯРНЫЕ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ

3.1. Влияние радиации на транзисторные структуры изготовленные по различным конструктивно-технологическим вариантам

3.2. Влияние ионизирующего излучения на биполярные транзисторы

3.3. Разработка радиационного- стойких биполярных структур с межкомпонентной изоляцией окислом

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА РАДИАЦИОННО-СТОЙКОЙ БИПОЛЯРНОЙ СТРУКТУРЫ ПО

САМОСОВМЕЩЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ

4.1. Зависимость свойств защитных пленок Si02 и Si3N4 от технологических параметров

4.2. Снижение дефектности окисных пленок

4.3. Свойства диэлектрических пленок Si3N4 от температуры их получения

4.4. Формирование структуры с самосовмещенными активными элементами из поликремния

4.5. Технология формирования радиационно-стойких биполярных полупроводниковых структур

ВЫВОДЫ

Актуальность темы. В последние годы накоплены значительные экспериментальные данные по радиационному материаловедению полупроводников и получила развитие теория и практика физических процессов, протекающих в кремниевых приборных структурах при воздействии различных видов радиации, для регулирования и улучшения ряда электрических параметров кремниевых приборов и интегральных микросхем. Эффективность использования радиационных процессов обусловлена возможностью контролируемого введения радиационных центров в активные области микроэлектронных структур, которые действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам и глубоким рекомбинационным центрам химической природы. При достаточно высоких концентрациях радиационных центров взаимодействие свободных носителей заряда с ними может определять электрофизические характеристики активных областей структур, а следовательно электрофизические параметры приборов и микросхем. С учетом вариации различных режимов облучения дает возможность получения структур с принципиально новым сочетанием электрофизических и электрических параметров.

Воздействие излучения приводит как к обратимым, так и к необратимым изменениям электрических свойств полупроводниковых приборов и интегральных схем. Поскольку такие изменения могут приводить к отказам радиоэлектронных устройств, значительные усилия в последнее время направляются на разработку методов, позволяющих снизить деградацию параметров приборов и микросхем при облучении, так как применением специальных схемных решении и методов физической защиты радиоэлектронных устройств не всегда достигаются требуемые уровни радиационной стойкости аппаратуры. Необходимой предпосылкой для 5 создания радиационно-стойких приборов и микросхем является понимание основных физических эффектов, происходящих в полупроводниковых материалах, активных и пассивных областях приборов и интегральных схем при воздействии ионизирующих излучений.

Достижение такого понимания позволяет приступить к последовательному осуществлению шагов по разработке радиационно-стойких изделий электронной техники.

Разработка радиационно-стойких полупроводниковых приборов и интегральных схем, является сложной научной и конструктивно технологической задачей. Решение этой задачи стимулировало проведение интенсивных исследований влияние проникающей радиации на полупроводниковые материалы, приборы и микросхемы.

В связи с тем, что проникающая радиация может производить устойчивые изменения электрофизических и электрических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, сохраняющиеся стабильно во всём диапазоне потенциально - токовых нагрузок и рабочих температур развиваются работы по использованию проникающей радиации для повышения радиационной стойкости полупроводниковых приборов и микросхем.

Следовательно, проблема совершенствования конструктивно-технологических решений в комплексе с учетом использования ионизирующих излучений при создании радиационно-стойких биполярных полупроводниковых структур является весьма актуальной в связи с постоянным ростом требований по радиационной стойкости, усложнением технологий изготовления и уменьшением геометрических размеров элементов полупроводниковых структур.

Цель диссертационной работы: на основе экспериментального исследования кинетики зарядовых процессов, происходящих в диэлектриках, границы раздела полупроводник-диэлектрик при радиационном облучении 6 разработать конструкцию и технологию формирования радиационно-стойких биполярных полупроводниковых структур.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие основные задачи:

1. Обобщить и проанализировать физические процессы формирования, перестройки поверхностных состояний на границе раздела кремний-диэлектрик, заряда в многослойных диэлектрических структурах, закономерности формирования и поведения дефектов при радиационном облучении.

2. Исследовать взаимосвязь изменения электрофизических параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник с зарядовым состоянием физических областей исследуемых структур.

3. Предложить и разработать конструктивно - технологические решения направленные на снижение чувствительности параметров биполярных полупроводниковых структур к воздействию радиации.

4. Исследовать эффективность различных конструктивно технологических вариантов изготовления полупроводниковых структур для целей повышения их радиационной стойкости.

5. Разработка физически обоснованных рекомендаций по оптимизации конструкции биполярных полупроводниковых структур для повышения радиационной стойкости.

Научная новизна результатов работы состоит в следующем: разработаны модели зарядовых процессов, протекающих в диэлектриках и на границе раздела кремний - диэлектрик при радиационном облучении, в которых помимо процессов ионизации и захвата образующихся при этом дырок на ловушки, имеющиеся в данных областях, учитывается влияние водорода и водородных соединений на кинетику процессов;

- показано, что свойства диэлектрических пленок зависят от толщины слоя, а последняя влияет на плотность пор в пленке и скорость травления. 7

Существование таких зависимостей свидетельствует о том, что система химических связей перестраивается по мере роста пленок, и это приводит к изменениям электрофизических параметров системы полупроводник -диэлектрик за счёт изменения встроенного в диэлектрике заряда и плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик;

- на основе исследования распределения заряда в диэлектрической пленке, подвергнутой облучению электронами методом послойного травления показано, что положительный заряд в основном сконцентрирован на расстоянии порядка 10 нм от поверхности раздела диэлектрик-полупроводник;

- показано, что при облучении однослойных структур 81 - 8Ю2 - М и -81зК4 - М, возникающие заряды в них не компенсируются, а в двухслойных системах 81 - 8Ю2 - 81зЫ4 - М происходит уменьшение встроенного заряда за счёт компенсации положительного заряда в двуокиси отрицательным зарядом, накопленным в нитриде кремния;

- показано, что в структуре 81 - 8Ю2 - А120з - М из-за присутствия в объёме А1203 отрицательных ловушек при облучении, кроме введения положительного заряда у границы раздела 81 - 8Ю2, в объём А1203 вводится отрицательный заряд. Чем тоньше окисел, тем сильнее влияние заряда в А120з и тем большим оказывается изменение суммарного заряда в диэлектрике.

- из исследований влияния облучения на структуру с межкомпонентной изоляцией окислом установлен вклад радиационных процессов, происходящих на границе раздела диэлектрик-полупроводник и предложены конструктивно -технологические варианты изготовления биполярных полупроводниковых структур, обеспечивающие повышение радиационной стойкости.

Практическая ценность работы:

1) Разработаны и опробованы конструктивно - технологические варианты формирования биполярных полупроводниковых структур с межкомпонентной диэлектрической изоляцией, обеспечивающие повышение радиационной стойкости; 8

2) Показана эффективность облучения у - квантами для снижения ионизационного тока и повышения радиационной стойкости биполярных полупроводниковых структур;

3) Разработана и опробована конструкция планарно-эпитаксиальной биполярной сверхсамосовмещённой транзисторной структуры обеспечивающей технологичность и повышение радиационной стойкости;

4) Предложен метод накопления заряда в структурах металл- диэлектрик-полупроводник при радиационном облучении.

5) Разработан способ повышения быстродействия полупроводниковых приборов основанный на воздействии ионизирующих излучений. На разработанный способ получен патент РФ на изобретение.

Основные положения и результаты выносимые на защиту:

1) Результаты исследования кинетики зарядовых процессов, протекающих в диэлектрике и на границе раздела полупроводник- диэлектрик при радиационном облучении.

2) Теоретические модели зарядовых процессов, при радиационном облучении в диэлектрических слоях и на границе раздела кремний- диэлектрик.

3) Результаты исследования по формированию диэлектрических пленок с пониженной чувствительностью к воздействию радиации.

4) Результаты использования облучения для получения биполярных полупроводниковых структур с принципиально новым сочетанием электрических параметров и характеристик, повышенной радиационной стойкости.

5) Модели ионизационных процессов в биполярных полупроводниковых структурах.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на ежегодном международном научно- техническом семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва 29 ноября- 3 декабря 1999г, Москва 20- 23 ноября 2000 г, Москва 2001 9 г), на 8, 9 и 10 межнациональных совещаниях "Радиационная физика твёрдого тела" (Севастополь 29 июня- 4 июля 1998 г, Севастополь 28 июня- 3 июля 1999 г, Севастополь 3- 8 июня 2000 г), на 7 международной научно- технической конференции "Актуальные проблемы твёрдотельной электроники" (Дивноморское, 17- 22 сентября 2000 г), на Второй Российской школе ученных и молодых специалистов по материаловедению и технологиям получения легированных кристаллов кремния, (Москва, 2- 6 июля 2001 г), на СевероКавказской региональной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых "Перспектива-99" (Нальчик, 23- 26 апреля 1999 г) и "Перспектива 2000" (Нальчик, 21- 24 апреля 2000 г), международном симпозиуме "Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах" (г. Сочи, 47 сентября 2002 г), на ежегодных научных конференциях КБГУ 2000, 2002 гг.

Публикации. По материалам диссертации в различных изданиях опубликовано 11 работ.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения, списка цитируемой литературы из 104 наименований. Общий объём диссертации 13^ страниц, включая 46 рисунков.

Выводы

1. На основе анализа теоретических и экспериментальных данных механизмов взаимодействия различных видов проникающего излучения с полупроводниковыми материалами и образования радиационных центров в полупроводниках, а также свойств радиационных центров и влияния их на электрофизические параметры, температурной устойчивости показана возможность применения проникающего излучения для регулирования, улучшения параметров и повышения радиационной стойкости полупроводниковых приборов и микросхем.

2. Показано, что в результате исследования кинетики зарядовых процессов в диэлектрическом слое и на границе раздела кремний- диэлектрик при радиационной обработке исследуемых структур проявляются эффекты накопления положительного заряда в диэлектрике, роста плотности поверхностных состояний на границе раздела кремний- диэлектрик. При малых интегральных потоках электронов менее 1012 см"2, в основном, проявляются радиационные эффекты в объёме диэлектрика, а при больших потоках начинает заметно сказываться влияние процессов увеличения плотности поверхностных состояний на границе раздела кремнии- диэлектрик.

3. Показано, что в двухслойных диэлектрических пленках 8Ю2 - 813Ы4 снижение плотности поверхностных состояний обусловлено геттерирующими свойствами нитрида кремния и, что нанесение пленки нитрида кремния на 8Ю2 приводит к стабилизации свойств двухслойных диэлектрических пленок.

4. Показано, что в диэлектрических слоях увеличивается эффективное генерационное время жизни и снижается скорость поверхностной генерации неосновных носителей, уменьшается плотность поверхностных состояний при увеличении содержания хлора в окислительной среде при росте диэлектрических пленок за счёт того, что в свободные связи немостикового

123 кислорода заполнены ионами водорода или щелочных металлов которые образуют центры типа =8ьО-Ка или =8ьО-Н и связыванием примеси этих центров, образуя бинарные соединения с Н, Ыа и другими ионами.

5. Показано, что толщина диэлектрических пленок влияет на плотность пор и на скорость травления и это свидетельствует о том, что система химических связей перестраивается по мере роста диэлектрических слоев и это приводит к изменениям электрофизических параметров системы полупроводник - диэлектрик за счёт изменения встроенного в диэлектрике заряда и плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник - диэлектрик.

6. Показано, что под действием проникающего излучения в пленках 8Ю2 происходит разрыв напряженных связей кремний - кислород с образованием пары электрон - дырка. При этом атомы кремния и кислорода перемещаются в равновесное положение, вследствие чего проявляются стабильные ловушечные центры, энергетические уровни которых расположены в запрещенной зоне.

7. Показано, что стойкость пленок А120з к воздействию радиации обусловлено захватом на ловушки не только дырок, но и электронов. Захват последних, с одной стороны, компенсирует заряд захваченных дырок, а с другой уменьшает ток через диэлектрик. Из-за наличия в А120з отрицательных ловушек при облучении, кроме положительного заряда вводится отрицательный заряд. При малых дозах облучения преобладает влияние положительного заряда. При насыщении положительных ловушек при дозах > 10б рад начинает влиять отрицательный заряд, скапливающийся в А1203. Чем тоньше окисел, тем сильнее влияние заряда в А1203 и тем большим оказывается изменение суммарного заряда в диэлектрике.

8. Разработан конструктивно-технологический вариант изготовления биполярных полупроводниковых структур с межкомпонентной изоляцией элементов диэлектриком с учетом воздействий излучений обеспечивающий повышение радиационной стойкости структур за счет снижения

124 чувствительности параметров полупроводниковых приборов к воздействию проникающего излучения.

9. Разработана конструкция и технология формирования полупроводниковых интегральных структур методом самосовмещения обеспечивающего создание радиационно-стойких биполярных полупроводниковых структур за счет уменьшения площадей р-п-переходов, снижения величины накопленного заряда и времени рассасывания избыточных носителей.

125

1. Кулаков В.М., Ладыгин Е. А., Шаховцов В. И. и др. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. Под ред. Е. А. Ладыгина. М. 1980, 165 с.

2. Стародубцев B.C., Романов A.M. Взаимодействие гамма-излучения с веществом. Ташкент, 1964, 146 с.

3. Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М. 1969, 189 с.

4. Бор Н. Прохождение атомных частиц через вещество. Пер. с англ. М.1960.

5. Дине Д., Виньярд Д. Радиационные эффекты в твердых телах. Под ред. Г. С. Жданова. М. 1960, 243 с.

6. Кинчин Д., Пиз Р. Смещение атомов в твердых телах под действием излучения. УФН, 1956, т. 60, вып. 4.

7. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М. 1963, 264 с.

8. Аванесян Р.И., Попов В.И. Влияние радиации на электросопротивление высокоомных сплавов. М., ЦНИИ «Электроника». Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы, 1974, вып. 9, с. 47- 54.

9. Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин H.A. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М. 1971,76 с.

10. Ю. Томпсон Н. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. Пер. с англ. Под ред. В. Е. Юрасовой. М. 1971, 127 с.

11. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. Пер. с англ. Под ред. В. М. Гусева. М. 1973, 296 с.

12. Виньярд Д. Динамика радиационного повреждения. УФН, 1961, т. 74, вып.З.126

13. Коршунов Ф.П., Жданович Н.Е., Марченко И .Г., Трощинский В.Т. Образование термостабильных центров рекомбинации в кремниевых р-п-структурах. Петербургский журнал электроники, №1, 1997, с. 17-21.

14. Берман J1.C., Шуман В.Б. Исследование отрицательного отжига радиационных дефектов в диффузионных кремниевых диодах. ФТП, 1976, т. 10, вып. 9, с. 1755- 1757.

15. Коршунов Ф.П., Жданович Н.Е., Марченко И.Г., Трощинский В.Т. Влияние отжига на перестройку центров рекомбинации в облученных кремниевых структурах. Доклады АН БССР, 1988, т. 32, № 9, с. 781- 783.

16. Jian-Guo Xu, Fang Lu, Heng-Hui Sun. Electrical and optical properties of defects in silicon introduced by high-temperature electron irradiation. Phys. Rev., В., 1988, v. 38, No. 5, p. 3395- 3399.

17. Вавилов B.C. Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках. УФН, 1964, т. 84, вып. 3.

18. Ткачев В. Д. Исследование радиационных нарушений в монокристаллах кремния, германия и арсенида галлия. Док. дис. Минск, БГУ, 1967.

19. Кушнир С.Х., Николаева Л.Г. К вопросу о характере нарушений, возникающем в бездислокационном кремнии при облучении быстрыми нейтронами. ФТТ, 1966, т. 8, №3.

20. Коноплева Р.Ф., Новиков С.Р., Рубинова Э.Э. Дефекты, созданные в кремнии облучением быстрыми нейтронами при 77 К. ФТТ, 1966, т. 8, №2.

21. Волгдин Э.Н., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. Некоторые вопросы физики радиационных повреждений в полупроводниковых приборах. Ч. I. Транзисторы. Киев, 1972.

22. Митчел Дж., Уилсон Д. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией. Пер. с англ. М. 1970, 165 с.

23. Хирвич В.И. Изучение электрических и рекомбинационных свойств127радиационных дефектов в кремнии. Канд. дис. ИЛИ АН УССР, Киев, 1972.

24. Емельянова Т.С., Кожухова Е.А„ Шаховцов В.И. Влияние радиационных дефектов на свойства кремниевых диффузионных электронно-дырочных переходов. В кн.: Физические процессы в кристаллах с дефектами. Киев, ИФ АН УССР, 1972.

25. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск, 1978.

26. Капитонов Л.И., Тучкевич В.М., Челноков В.Е. Исследование вольтам-перной характеристики диффузионных злектронно-дырочных переходов в кремнии. В кн.: Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. Под ред. Г. М. Авакьянца, Ташкент, 1962.

27. Хьюз X., Жиро Р. Влияние космического излучения на полевые транзисторы со структурой МОП. «Электроника», 1964, т. 37, №32.

28. Гирий В.А., Шаховцов В.И. Радиационные эффекты в МДП-структурах. В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Т. 3, Под ред. И. Д. Конозенко, Киев, 1971.

29. Герасимов А.Б., Ангина Н.Р., Ушангишевили Л.И., Шилло А.Б. Технологические аспекты создания радиационно-стойких МОП ИС. -«Зарубежная электронная техника», 1979, №1.

30. Попо P.A. Отбраковка потенциально дефектных ИМС с помощью гамма-облучения и отжига. Материалы международного симпозиума. Тимишоара, 1996, с. 5.

31. Попо P.A. Моделирование импульсного гамма-излучения электронным. Материалы международного симпозиума. Тимишоара, 1996, с. 2.

32. Пекарчук Т.Н., Хрулев А.К. Радиационная стойкость МДП-структур и полупроводниковых приборов на их основе. Обзоры по электронной технике. Сер. ЦНИИ «Электроника», 1979, вып. 5 (651).

33. Попо Р.А. Прогнозирование радиационной стойкости некоторых средств вычислительной техники. Сборник трудов МИРЭА, 2000, с. 6.

34. Попо Р.А. Методы повышения радиационной стойкости и эксплуатационной надежности вычислительной техники (ч. 1). Сборник трудов МИРЭА, 2000, с. 9.

35. Пасынков В.В., Чиркин JI.K. Полупроводниковые приборы. М. 1987,480с.

36. Ronda A., Glachant A. Improved surface nitridation of Si02 thin films in low ammonia pressures. Appl. Phys. Lett., 1987, v. 50, p. 171- 173.

37. Brotherton S.D. Electrical properties of gold at the silicon- dielectric interfase. J. Appl. Phys., 1971, v. 42, p. 2085- 2094.

38. Lamb D.R., Badcock F.R. Analysis of the temperature rise in MOS diodes caused by ionic migration. Int. J. Electron, 1968, v. 24, p. 11- 23.

39. Дулиш JI.K., Ребров B.H., Федорович Ю.В. Электронное приборостроение. М. Энергия, 1968, вып. 4, с. 45.

40. Lehman H.S. IBM J. Research and Development. 1964, v. 8, p. 368.

41. Seraphim D., Brennermann A. IBM J. Research and Development, v. 8, p.400.

42. Thomas J., Joung D. IBM J. Research and Development. 1964, v. 8, p.386.

43. Lundstrom I., Svensson C. IEEE Trans. Electron. Dev., 1972, v. ED-19, p.129826.

44. Колешко В.М., Каплан Г.Д. C-U методы измерения параметров МОП-структур. Обзоры по электронной технике, сер. 3, вып. 2 (465), 1977, с. 54.

45. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973,488 с.

46. Swargop В., Schaffer P.S. Conduction in silicon nitride and silicon nitrideoxide films. J. Phys., 1970, v. 3, p. 803.

47. Корзо В.Ф. К теории зависимости электрической прочности твердого диэлектрика от толщины. Известия вузов СССР. Физика, 1968, №5, с. 138.

48. Корзо В.Ф., Черняев В.Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. М. 1977, 368 с.

49. Радиационно- надежностные характеристики изделий электронной техники. Под ред. Ю.Н. Торгашева. С-П., 1994, 94 с.

50. Aslam М., Singh R., Balk P. Nature of electron and hole traps in MOS systems with poly-Si electrode. Phys. Stat. Sol., 1984, v. 84, №2, p. 659- 668.

51. Eernisse E. Viscous flow of thermal Si02. Appl. Phys. Lett., 1977, v. 30, №6, p. 290- 293.

52. Мустафаев Г. А. Влияние внешних факторов на параметры интегральных структур. Вестник Кабардино-Балкарского госуниверситета, серия "Физико-математические науки", вып. 1, 1996, с.226-230.

53. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Радиационные дефекты и параметры полупроводниковых структур. Труды VIII межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", 1998, с.663-665.

54. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями. Под ред. В.И.Фистуля.-М.: Металлургия, 1987.-232с.

55. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. Под ред. Е.А.Ладыгина.-М.: ЦНИИ Электроника, 1980. 224с.

56. Chen J.W., Milnes A.G. Energy levels in silicon. Annual Reviews of130

57. Material Sciences, 1980, №10, p. 157-228.

58. Лугаков П.Ф., Лукъяница B.B., Шуша B.B. Особенности накопления радиационных эффектов в высокоомном кремнии. ФТП, 1986, т. 20, №10, р.1894-1897.

59. Wada Т., Yasuda К., Ikuta S., Takeeda М., Masuda Н. Complex defects introduced into Si by high-energy electron interaction. Production rates of defects in Si. J. Appl. Phys., 1977, v. 48, №6, p.2145- 2152.

60. Kato M., Nakamura T. i.e. Degradation analysis of lateral p-n-p transistors exposed to x-ray irradiation.-IEEE Trans.,1984, v.6, № S-31, p.1513-1517.

61. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл- диэлектрик- полупроводник. Киев:. Наукова думка, 1978, 313с.

62. Shibata К., Taniguchi К. Generation mechanism of dislication in local oxidation of silicon. J. Electrochem. Soc., 1980, v. 127, №6, p. 1983- 1987.

63. Herata M., Hirata M., Saito N. The interaction of point defects with impurities in silicon. J. Phys. Soc. Jap., 1969, v. 27, №2.

64. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Распределение заряда в тонких диэлектрических пленках при воздействии ионизирующих излучений. Труды Северо-Кавказского технического университета, вып.8, 2002. с. 129- 137.

65. Литвиненко С.А., Митрофанов В.В., Соколов В.И. Внутренние напряжения в системе кремний- окисел и их влияние на образование пор в окисле. ЖТФ, 1981, т. 51, вып.4, с.828-830.

66. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А., Мустафаев А.Г. Радиационные дефекты и параметры полупроводниковых структур. Труды VIII межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", 1998, с. 663-665.

67. Аствацатурьян Е.Р. Методы повышения радиационной стойкости электронных схем и устройств вычислительной техники. М. 1986, 88 с.

68. Кумахов A.M., Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Влияние131импульсного ионизирующего излучения на биполярные транзисторы. Труды X межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", 2001, с. 496-498.

69. Мустафаев Г.А. Влияние внешних факторов на параметры интегральных структур. Вестник Кабардино-Балкарского госуниверситета, серия "Физико-математические науки", вып. 1, 1996, с. 226-230.

70. Мустафаев Г.А., Кумахов A.M., Мустафаев А.Г. Влияние облучения на характеристики стабилизаторов тока. Труды IX межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела", 1999, с. 1098- 1099.

71. Глудкин О.П., Черняев В.Н. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем. М.: Энергия, 1980. 360 с.

72. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах ИМС. М.: Энергоатомиздат, 1988. 180 с.

73. Ладыгин Е.А., Галеев А.П., Мурашев В.И. Управление характеристиками КМДП БМК микросхем с помощью радиационно-термического процесса. Надежность и контроль качества изделий электронной техники. М.:ЦНИИ "Циклон", 1993, с. 41-42.

74. Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К. Моделирование объемных ионизационных эффектов в приборах технологии кремний на изоляторе.132

75. Микроэлектроника, 1998, т. 27, №1, с. 7- 13.

76. Cavigla A., Iliadis А.А. Linear- dynamic delf-heating in SOI-MOSFET's. IEEE Electron Device Lett., Mar. 1993, v. 14, p. 133.

77. Brodsky J.S., Fox R.M., Zweidinger D.T., Veeraraghavan S.A. Physical-based, dynamic thermal impendance model for SOI- MOSFET's. IEEE Trans., 1997, v. NS-44, №6, p. 957- 963.

78. Scorobogatov P.K., Nikiforov A.Y., Poljakov I.V. CMOS/SOS 1С transient radiation response. Proc. of the 3d Workshop on Electronics for LHC Experiments, 1997, London, p. 541- 545.

79. Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. 256 с.

80. Демидов А.А., Калашников О.А., Агрич Ю.В. и др. Исследование радиационного поведения интегральных систем сбора данных КМОП технологии. В сб.: Радиационная стойкость электронных систем. СТОЙКОСТЬ 98.-М.: 1998, с. 117- 118.

81. Бакланов М.Р., Васильева Л.Л. Микроэлектроника. 1966, т. 25, №6, с. 403-416.

82. Ни S.M. J. Electrochem. Soc., 1966, v. 133, №7, p. 693.

83. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Свойства окисных пленок алюминия. Симпозиум "Фазовые превращения в растворах и сплавах", Сочи, 2001, с. 206- 209.

84. Chu T.L., Szedon J.R., Lee С.Н. Solid State Electronics, 1967, v. 10, p.807.

85. Hu S.M., Keer D.R., Gregor L.V. Appl. Phys. Lett., 1967, v. 10, №3, p. 97.

86. Зимин B.H., Коробов И.В., Мартынов В.П., Павлов С.П. Влияние температуры выращивания нитрида кремния на свойства структуры А1- Si3N4-Si. ЭТ, вып. 4, сер. Микроэлектроника, 1968, с. 30- 34.

87. Wieder A. Abstracts 18 Conf. on Solid State Dev. and Mat., 1986, p. 261.

88. Sanders T.J., Boarman J.W., Wood G.M. and Kasten A.J. A dielectrically-isolated radiation hardened technology for LSI. IEEE Trans. Nucl. Sei., 1980, NS-27, №6, p. 1716-1720.

89. Навицкас Р.Б. Самоформирование микроструктур в технологии изготовления интегральных схем. Обзоры по электронной технике. Серия 3. Микроэлектроника. М. 1986, с. 45- 50.

90. Stork J., Harame D. et al. IEDM, 1987, p. 405.

91. Kikuchi K., Kameyama S. et al. IEDM, 1986, p. 420.

92. Навицкас Р.Б. Технологические способы уменьшения ширины базовой области. Физическая электроника. Тез. докл. конференции. Каунас, 1985, с. 41.

93. Бубенников А.Н. Разработка биполярных транзисторных структур конкурентоспособных С БИС. Зарубежная радиотехника, 1990, №1-2.

94. Takemura Н., Kamija Т. et al. IEDM, 1986, p. 426.

95. Swirhun S., Kwarke Y. et al. IEDM, 1986, p. 22.

96. Konaka S., Amemlija J. et al. Abstarcts 19 Conf. on Solid State Dev. and Mat, 1987, p. 331.

97. Навицкас Р.Б. Особенности способов изготовления быстродействующих интегральных схем самоформированием. Тез. докл. 2-го респ. школы-семинара "Самоформирование и создание принципиально новой полупроводниковой технологии", Вильнюс, 1985, с. 6-7.

98. Sugii Т, Jamazaki Т. et al. Symp. on VLSI Technology. 1987, p. 35.

99. Ватанабэ М, Асада К, Кани К, Оцуки Т. Проектирование СБИС. М.