автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Разработка и исследование интегрального гальваномагниторекомбинационного преобразователя

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ И НЕКОТОРЫХ АСПЕКТОВ РАЗВИТИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ.

1.1 Тип конструкции и способы формирования интегральных магнитоэлектрических преобразователей.

1.2 Приборы на основе широкозонных материалов, как элементы

РАБОТАЮЩИЕ В ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ УСЛОВИЯХ. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ СЛОЖНОСТИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ SlC.

1.3 Методы формирования локальных разупорядоченных областей.

ГЛАВА 2. ГАЛЬВАНОМАГНИТОРЕКОМБИНАЦИОННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ.

2.1 Конструктивные особенности создания гальваномагниторекомбинационного преобразователя на основе карбида кремния.

2.2 ФОРМИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЛОКАЛЬНЫХ РАЗУПОРЯДОЧЕННЫХ ОБЛАСТЕЙ В КАРБИДЕ КРЕМНИЯ.

2.3 ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ ОБРАБОТКИ для ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ.

ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ В ПОДЛОЖКЕ SIC

ПРИ ЭЛЕКТРОИСКРВОЙ ОБРАБОТКЕ.

3.1 моделирование распределения тепловых полей при электроискроой обработке в SiC.

3.2 ТЕРМОУПРУГИЕ НАПРЯЖЕНИЯ В ОБЛАСТИ ВОЗДЕЙСТВИЯ ПРИ ЭЛЕКТРОИСКРООЙ ОБРАБОТКЕ.

3.3 Сопоставление результатов математического моделирования с экспериментальными данными.

ГЛАВА 4. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ГАЛЬВАНОМАГНИТОРЕКОМБИНАЦИОННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ.:.

4.1 Исследование времени жизни носителей на границе раздела эпитаксиальной пленки с локальной разупорядоченной областью.

4.2 Исследование параметров гальваномагниторекомбинационного преобразователя.

4.3 Расчет распределения области пространственного заряда в рабочей области параметров гальваномагниторекомбинационного преобразователя.:.

4.4 Оптимизация конструктивных параметров гальваномагниторекомбинационного преобразователя.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

ПУБЛИКАЦИИ.

Актуальность темы.

Современный уровень развития микроэлектроники немыслим без автоматизации процессов управления, что, в свою очередь, невозможно без получения информации о параметрах этих процессов. В связи с этим, задача создания микроэлектронных датчиков, позволяющих автоматически непрерывно вводить изменение параметров процесса в систему управления становится наиболее актуальной.

Одним из важнейших типов чувствительных элементов, позволяющих разработать датчики магнитного поля, скорости вращения, малых перемещений и приближений, не зависимых от задымленности окружающей среды, служат сенсоры магнитного поля. В связи с этим их микроминиатюризация, повышение чувствительности и стабильности, расширение рабочего диапазона температур являются важным условием развития микроэлектроники. Решение этой задачи связано с совершенствованием традиционных и, главным образом, разработкой и освоением новых технологических процессов.

Для создания новых или улучшения некоторых параметров известных пассивных и активных элементов интегральных схем и интенсификации процессов их производства в последнее время значительное внимание уделяется исследованию возможности использования структурно -неоднородных областей в полупроводниковых материалах, сформированных различными способами. При этом отмечаются следующие возможности использования таких областей: изменения определенных параметров интегральных схем в нужном направлении контролируемым введением дефектов, например, уменьшение времени жизни носителей тока или увеличение чувствительности тензодатчиков; разработка новых, более эффективных конструктивно - технологических вариантов создания интегральных схем или модернизация существующих.

Важными задачами при разработке принципиально новых технологических приемов создания структурно - неоднородных областей являются:

- селективность проведения различных процессов во времени в едином технологическом цикле;

- селективность протекания каждого процесса в пространстве;

- максимальное разрешение, способное обеспечить минимальные размеры интегральных схем.

В решении этих проблем существенное значение имеет способ подвода энергии к реакционной зоне.

К способам локальной обработки материалов относятся электронный луч, лазерный луч и электрический разряд. Общим для этих способов является воздействие сфокусированного потока электромагнитной энергии или частиц, приводящее к возникновению на поверхности подложки локальных тепловых источников и, как следствие, к существенным структурным и физико-химическим изменениям в локальных областях обрабатываемого материала.

Достоинством электроискрового способа является простота и низкая стоимость оборудования. Данный способ позволяет проводить обработку почти во всех технологических средах. Диаметр зоны, подвергаемой воздействию электрического разряда, определяется режимом обработки и может достигать 1мкм. Показано также, что с помощью электроискровой обработки (ЭИО) возможно формирование в кремниевых подложках локальных дислокационных областей с плотностью дислокаций 104 - 108см"2 в зависимости от режимов проведения обработки. При этом в локальных объемах обрабатываемых структур в период разряда могут протекать термоплазмохимические, а также микрометаллургичиские и термополевые процессы с участием материалов электродов и межэлектродной среды.

В связи с этим можно выделить следующие основные физические явления, которые необходимо рассмотреть при исследовании и моделировании состояния кремниевых структур при ЭИО:

- формирование температурных полей;

- генерация термоупругих напряжений;

- дефектообразование.

Целью настоящей работы является разработка и исследование интегральных гальваномагниторекомбинационных преобразователей (ГМРП) на основе кремния и карбида кремния.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

- разработать математическую модель распределения температурных полей и напряжений в кремниевых структурах при ЭИО, приводящее к образованию дефектов.

- исследовать возможность использования ЭИО как метода формирования грани с высокой скоростью рекомбинации в интегральном ГМРП на основе кремния и карбида кремния;

- исследовать возможность получения омических контактов к карбиду кремния с помощью ЭИО;

- исследовать параметры интегральных ГМРП на основе кремния и карбида кремния;

Научная новизна работы:

- впервые показано, что нарушение структуры поверхности карбида кремния с помощью электроискровой обработки позволяет формировать к ней качественные омические контакты с низким удельным переходным сопротивлением;

- показано, что аномально высокая чувствительность кремниевого интегрального гальваномагниторекомбинационного преобразователя обусловлена формированием в его рабочей области слоя объемного пространственного заряда, распространяющегося от границы разделительного р-п- перехода;

- разработана математическая модель распределения тепловых полей и напряжений в карбидокремниевых структурах при ЭИО и показана возможность применения электроискровой обработки для формирования грани с высокой скоростью рекомбинации как в кремниевом, так и в карбидокремниевом ГМРП.

Практическая значимость работы;

- разработана оптимизированная конструкция и технология изготовления, с использованием ЭИО, интегрального кремниевого ГМРП с дифференциальным выходом и с чувствительностью в два раза превышающей чувствительность аналогов;

- разработан метод создания грани с высокой скоростью рекомбинации с помощью ЭИО, позволяющий существенно упростить технологию изготовления интегрального ГМРП.

Достоверность работы подтверждается соответствием полученных теоретических и экспериментальных зависимостей основным положениям физики твердого тела и известным из литературы закономерностям, отработанностью основных технологических процессов, положительным эффектом получаемым от предложенных методов.

По исследуемым вопросам автором защищаются следующие положения:

- при ЭИО кремниевых структур время жизни носителей заряда уменьшается прямо пропорционально увеличению энергии обработки структуры;

- ЭИО позволяет формировать интегральные ГМРП с большей чувствительностью, чем другие методы, при этом технология изготовления ГМРП значительно упрощается;

- разработанная оптимизированная конструкция интегрального кремниевого гальваномагниторекомбинационного преобразователя позволяет в два раза увеличить чувствительность преобразователя, а также уменьшить температурный коэффициент чувствительности;

- предварительная электроискровая обработка поверхности карбида кремния, позволяет формировать, в дальнейшем, качественные омические контакты с низким удельным переходным контактным сопротивлением;

Апробация работы:

Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях:

- «Third European Conference on Magnetic Sensors and Actuators EMSA-2000», July, 19-21, 2000, Dresden, Germany;

- «Pan Pacific Microelectronic Symposium», February, .13 - 15, 2001, Island of Kauai, Hawaii, USA;

- ежегодные конференции професорско - преподавательского состава, студентов и аспирантов ТРТУ.

Публикации:

По результатам диссертационной работы опубликовано 4 печатных работы.

Краткое содержание работы:

Первая глава настоящей работы содержит обзор по видам преобразователей магнитного поля, перспективным материалам для приборов работающих в экстремальных условиях и методам формирования локальных разупорядоченных областей.

Среди большого многообразия преобразователей магнитного поля, в настоящее время, совершенно не уделяется внимания такому типу преобразователей как гальваномагниторекомбинационные. Хотя, как показывает обзор, данный тип преобразователей наряду с высокой чувствительностью лишен многих тех недостатков, которые присущи другим типам преобразователей (магниторезисторы, элементы Холла и др.). В данной части обзора показана актуальность разработки и исследования конструкций интегральных ГМРП.

Обзор перспективных полупроводниковых материалов для приборов экстремальной микроэлектроники показал, что наиболее подходящим материалом, по физическим параметрам, для изготовления ГМРП работающего в экстремальных условиях является карбид кремния, в частности один из его политипов ЗС - Si/SOI.

Сравнительный анализ способов формирования локальных разупорядоченных областей (JIPO) в кремнии показал, что приемлемым для целей микроэлектроники является метод электроискровой обработки. Показано, что в сравнении с методами ионной бомбардировки и локальной диэлектрической пленки, он обладает простотой как в составе необходимого оборудования, так и в самом технологическом процессе. По сравнению же с такими методами как пластическая деформация кристалла или метод градиента температур, он обладает возможностью получения областей микронных размеров с точной координатной привязкой.

Во второй главе приводится теоретическое обоснование возможности создания гальваномагниторекомбинационного преобразователя с высокой чувствительностью на основе карбида кремния для работы в экстремальных условиях. Рассматриваются два возможных варианта конструкции и приводятся расчетные данные по их конструктивным параметрам.

Показана возможность использования ЭИО как метода формирования JIPO в карбиде кремния. Приводятся экспериментальные и расчетные данные по результатам использования электроискровой обработки в процессе формирования омических контактов к карбиду кремния. Показано, что применение ЭИО в процессе подготовки поверхности, перед напылением контактов, позволяет впоследствии сформировать омические контакты с хорошей адгезией к поверхности. Проведенные эксперименты и расчеты показали, что контакты напыленные на области с электроискровой обработкой обладают меньшим удельным переходным сопротивлением, чем контакты напыленные к чистой поверхности образца. При последующей серии отжигов структур с контактами было установлено, что удельное переходное сопротивление контактов напыленных к обработанной поверхности остается практически постоянным во всем диапазоне температур отжига, в то время как удельное переходное сопротивление контактов напыленных к чистой поверхности претерпевает сильное изменение. Данная зависимость сохраняется до температур отжига 750°С включительно. При температурах отжига выше 750°С удельное переходное сопротивление контактов напыленных к чистой поверхности становится меньше, чем у обработанных контактов.

Третья глава содержит результаты моделирования распределения тепловых полей и механических напряжений в карбиде кремния в целях оптимизации в дальнейшем технологического процесса формирования ГМРП. Данная глава содержит также обсуждение результатов третьей главы по формированию омических контактов к карбиду кремния с помощью метода ЭИО с использованием данных полученных в результате проведенного моделирования.

В четвертой главе приводятся данные по исследованию параметров интегрального кремниевого ГМРП, расчеты его конструктивных параметров. Сравнительный анализ чувствительности преобразователей изготовленных с использованием различных методов формирования грани с высокой скоростью рекомбинации показал, что использование метода ЭИО позволяет формировать ГМРП с большей чувствительностью, при одинаковых геометрических размерах, нежели другие методы. На основании проведенных расчетов конструктивных параметров, была предложена оптимизированная И конструкция ГМРП, которая позволила улучшить такие его параметры как чувствительность и температурный коэффициент чувствительности.

Объем работы:

Диссертация состоит из введения, четырех глав, списка публикаций, списка используемых источников, приложения. Общий объем диссертации 161 стр., включая 50 стр. иллюстраций, 8 таблиц, 15 стр. библиографии.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Использование ЭИО для создания грани с высокой скоростью рекомбинации в кремниевых интегральных ГМРП позволяет существенно упростить технологический маршрут их изготовления путем исключения из него серии операций по созданию затравочных слоев для роста поликремния, не снижая при этом их чувствительности.

2. Показано, что аномально высокая чувствительность интегрального кремниевого ГМРП обусловлена обеднением его рабочей области основными носителями заряда за счет распространения в нее ОПЗ обратносмещенного р-п перехода (грань с низкой скоростью рекомбинации).

3. Проведенный расчет распределения ОПЗ обратносмещенного р-п перехода в рабочей области ГМРП позволил разработать конструкцию преобразователя с рабочей областью максимально и равномерно перекрытой ОПЗ с удвоенной за счет этого чувствительностью и дифференциальным выходом.

4. Исследование свойств никелевых контактов к карбиду кремния, сформированных как напылением на чистые поверхности образца, так и на области подвергнутые ЭИО, показало, что обработка подконтактных областей ЭИО позволяет снизить высоту потенциального барьера и переходное сопротивление контакта не применяя при этом операций последовательных термообработок, необходимых для получения омических контактов к необработанным областям карбида кремния.

5. Предложены конструкции ГМРП на основе карбида кремния с теоретически рассчитанным значение чувствительности -40 мВ/мТл.

6. Исследования кремниевых интегральных ГМРП с гранью с высокой скоростью рекомбинации, изготовленной с помощью ЭИО, и моделирование процессов ЭИО в карбиде кремния показали, что ЭИО может быть включена в

139 технологический маршрут изготовления интегральных ГМРП как на основе кремния, так и на основе карбида кремния для получения грани с высокой скоростью рекомбинации.

ПУБЛИКАЦИИ

1. Василенко A.JI. . Кремниевый гальваномагниторекомбинационный преобразователь. // Труды IV Всеросийской научной конференции студентов и аспирантов "Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления". 1998г., стр.211.

2. Василенко A.JI. Кремниевый гальваномагниторекомбинационный преобразователь. // Труды шестой международной научно - технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". 1999г., стр.130

3. Агеев O.A., Ковалев H.A., Василенко A.JI. Влияние электроэрозионной обработки на параметры контактов Ni/6H - SiC. Физика, Баку, 2000г., №4, стр. 16-18.

4. Сеченов Д.А., Мамиконова В.М., Василенко A.JI. Гальваномагниторекомбинационный кремниевый интегральный преобразователь. // Известия вузов. Электроника. -2001, J\fe2, - с. 71-74.

В работах, выполненных в соавторстве, личный вклад автора состоит в следующем: /3/ - проведены экспериментальные исследования; 141 - проведены расчеты распределения слоя объемного заряда в рабочей области преобразователей, предложена оптимизированная конструкция преобразователя и проведен теоретический расчет его чувствительности.

1. P. Ciureanu and S. Middelhoek. 1992. Thin Film Resistive Sensors, New York: 1.stitute of Physics Publishing.

2. B.B. Pant. Fall 1987. "Magnetoresistive Sensors," Scientific Honeyweller, Vol. 8, No. 1:29-34.

3. J.E. Lenz et al. 1992. "A Highly Sensitive Magnetoresistive Sensor," Proc Solid State Sensor and Actuator Workshop.

4. Magnetic Sensors International Data Book. 1995. Siemens Aktiengesellschaft, München, Germany.

5. Hall Element (data sheet). Ashai Kassi Electronics Co., Ltd., 1-1-1 Uchisaiwai-Cho, Chiyoda-Ku, Tokyo 100, Japan.

6. Paul Emerald. March 1998. "Low Duty Cycle Operation of Hall Effect Sensors for Circuit Power Conservation," Sensors, Vol. 15, No. 3:38.

7. M.N. Baibich et al. 1988. "Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices," Phys Rev Lett, Vol. 61: 2472-2475.

8. Carl H. Smith and Robert W. Schneider. 1997. "Expanding-The Horizons Of Magnetic Sensing: GMR," Proc Sensors Expo Boston: 139-144.

9. J. Daughton and Y. Chen. 1993. "GMR Materials for Low Field Applications," IEEE Trans Magn, Vol. 29:2705-2710.

10. J.K. Spong et al. 1996. "Giant Magnetoresistive Spin Valve Bridge Sensor," IEEE Trans Magn, Vol. 32:366-371.13."Preliminary Datasheet for Giant Magneto Resistive Position Sensor." 1997. Siemens Aktiengesellschaft, M?nchen, Germany.

11. J.L. Brown. Jan. 1995. "High Sensitivity Magnetic Field Sensor Using GMR Materials with Integrated Electronics," Proc Symp on Circuits and Systems, Seattle, WA.

12. Полупроводники в науке и технике. Т.1. Под общей ред. Иоффе А.Ф. Изд. АН СССР, 1957.-471 с.

13. Смит Р. Полупроводники, ИЛ, 1962. 468с.

14. Веег А. С. Solid State Physics, Suppl. 4: Galvanomagnetic Effects in Semiconductors. New York - London: Academic press, 1963.

15. Киреев П. С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969. - 592с.

16. Стафеев В. И., Каракушан Э. И. Магнитодиоды. -М.: Наука, 1975. 75с.

17. Баранский П.И., Клочков В.П., Потокевич В.И. Полупроводниковая электроника. Киев.: Наукова думка, 1975. - 700с.

18. Вайсс Г. Физика гальваномагнитных полупроводниковых приборов и их применение. М.: Энергия, 1974. 384с.

19. Кобус А., Тушинский Я. Датчики Холла и магниторезисторы. М.: Энергия. 1971.-352с.

20. Хомерики O.K. Применение гальваномагнитных датчиков в устройствах автоматики и измерений. М.: Энергия, 1971. - 112с.

21. Котенко Г.И. Магниторезисторы. М.: Энергия, 1971. - 80с.

22. Афанасьев Ю.В., Студенцов Н.В., Щелкин А.П. Магнитометрические преобразователи, приборы, установки. М. - Л.: Энергия, 1972. - 272с.

23. Викулин И.М., Стафеев В.И. Полупроводниковые датчики. М.: Советское радио, 1975. - 104с.

24. Welker H. Zur Theorie der galvanomagnetichen Effekte bei gemistcher Leitung. -"Zs. F. Naturforsch.", 1951, 6a, S. 184- 191.

25. Weischar E., Welker H. Magnetische Sperrschichten in Germanium. "Zs. F. Naturforsch.", 1953, 8a, S. 681 - 686.

26. Пикус Г.Е. Термо- и гальваномагнитные эффекты в полупроводниках при учете изменения концентрации носителей тока. ЖТФ, 1956, т. XXVI, вып. 1, с. 22-50.

27. Ансельм И.А. Распределение концентрации носителей тока в образце полупроводника при эффекте Холла. ЖТФ, 1952, т. XXII, вып. 7, с. 1146 -1153.

28. Полтинников С.А., Стильбанс П.С. Исследование влияния рекомбинационных процессов на гальваномагнитные эффекты. ЖТФ, 1952, т. XXVI, № зо, с. 30 - 33.

29. Левитас И.С., Пожела Ю.К. Исследование гальваномагниторекомбинационного эффекта в германии. Лит. физ. сб., 1967, т. VII, №7, с. 387-395.

30. Левитас И.С., Пожела Ю.К., Сащук А.П. Исследование кинетики гальваномагниторекомбинационного эффекта. ФТП, 1972, т. 6, вып. 1, с. 205 - 207.

31. Рашба Э.И. Особенности прохождения электрического тока через собственный анизотропный полупроводник. ФТТ, 1964, т. 6, вып. 11, с. 3247-3249.

32. Chovet A. Study of recombination process from the magnetoconcentration effect. Phys. Stat. Sol. (a), 1975, vol. 28, p. 633 - 645.

33. Жебрюнайте В.П., Левитас И.С., Рагаускас A.B., Сталерайтис К.К. К теоретической модели полевого гальваномагниторекомбинационного эффекта. Лит. физ. сб., 1976, т. XVI, № 6, с. 855 - 863.

34. Добровольский В.Н. Приповерхнев1 магштоконцентрацшш ефекти. УФЖ, 1966, 11, с. 836-844.

35. Добровольский В.Н., Нинидзе Г.К., Магнитоемкостной эффект. ФТП, 1967, вып.2, с. 291-292.

36. Грибников З.С. Анизотропный электрический пинч эффект в полупроводниках с глубокими центрами. - ФТП, 1975, т. 9, с. 1740 - 1746.

37. Кобецкий Ю.Ю., Левитас И.С., Пожела Ю.К. Гальваномагниторекомбинационный эффект при неоднородной силе Лоренца. Лит. физ. сб., 1967, т. VII, № 12, с. 396 - 404.

38. Левитас И.С., Пожела Ю.К., Сталерайтис К.К., Янавичене Н.Ю. Магнитоградиентный эффект. ФТП, 1975, т. 9, с. 1191 - 1192.

39. Левитас И.С., Пожела Ю.К., Сталерайтис К.К., Янавичене Н.Ю. Влияние неоднородного магнитного поля на проводимость германия. Лит. физ. сб., 1974, т. XIV, №6, с. 919-931.

40. Левитас И.С., Пожела Ю.К., Сталерайтис К.К., Янавичене Н.Ю. Кинетика магнитоградиентного эффекта. Матер. I совещ. По вопр. Исследования ГМР эффекта и его использования. Вильнюс, 1976, с. 7-8.

41. Конин A.M., Пожела Ю.К., Янавичене Н.Ю. гальваномагниторекомбинационный эффект в неоднородном магнитном поле. Лит. физ. сб., 1973, т. XIII, № з, с. 393 - 400.

42. Lile D.L. Effect of surface recombination of the transverse magnetoresistance of thin InSb layers. J. Appl. Phys., 1970, vol. 41, p. 3480 - 3490.

43. Левитас И.С., Пожела Ю.К., Сталерайтис K.K., Жебрюнайте В.П. Полевой гальваномагниторекомбинационный эффект. Лит. физ. сб., 1973, т. XIII, № 1, с. 111-117.

44. Aerts Е., Amelinckx S., Vennik J. Field effect measurements in a transverse magnetic field. J. Electr. Contr., 1959, vol. 7, p. 497 - 504.

45. Einspruch N.G. Effects of a magnetic field on the surface conductance of germanium. J. Phys. Chem. Solids, 1962, vol. 23, p. 1743 - 1746.

46. Kessler F.R., Mangelsdorf J.W. Recombination radiation of germanium by free -carrier compression in crossed electric and magnetic fïelds. Phys. Stat. Sol. (a), 1958, vol. 24, p. 557-564.

47. Иванов Омский В.И., Коломиец В.Г., Смирнов В.А. Рекомбинационное излучение в InSb при магнитоконцентрационном эффекте. - ДАН СССР, 1965, т. 161, №6, с. 1308- 1309.

48. З.Иванов Омский В.И., Коломиец В.Г., Смирнов В.А. Спектр электромагнитолюминесценции в InSb. - ЖЭТФ. Письма в редакцию, 1966, т. 3, вып. 7, с. 287-291.

49. Ржанов А.В., Архипова И.А., Бидуля В.Н. О применимости метода измерения скорости поверхностной рекомбинации по измерению сопротивления полупроводника в магнитном поле. ЖТФ, 1958, т. XXVIII, вып. 5, с. 1052- 1053.

50. Жузе В.П., Пикус Г.Е., Сорокин О.В. Метод измерения скорости поверхностной рекомбинации по изменению сопротивления полупроводника в магнитном поле. ЖТФ, 1957, т. XXVII, вып. 6.

51. Жузе В.П., Пикус Г.Е., Сорокин О.В. Применение магнитоконцентрационного эффекта для исследования поверхности полупроводника. ФТТ, 1959, т. I, вып. 9.

52. Сорокин О.В. Установка для исследования поверхностных процессов на поверхности полупроводников. ПТЭ, 1958, № 2.

53. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., Наука, 1971.-480 с.

54. А.с. 489049 (СССР). Способ измерения скорости поверхностной рекомбинации носителей тока полупроводников/ И.С. Левитас, Ю.К. Пожела, В.П. Жебрюнайте, К.К Сталерайтис. Опубл. в Б.И., 1975, № 30.

55. А.с. 533892 (СССР). Устройство для измерения отношения скоростей поверхностной рекомбинации/ Ю.К. Пожела, И.С. Левитас, А.П. Сащук, В.П. Жебрюнайте. Опубл. в Б.И., 1976, № 40.

56. А.с. 530285 (СССР). Способ измерения отношения скоростей поверхностной рекомбинации/ В.П. Жебрюнайте, И.С. Левитас, Ю.К. Пожела, А.П. Сащук. Опубл. в Б.И., 1976, № 36.

57. А.с. 280664 (СССР). Чувствительный элемент трехкомпонентного магнетометра/ В.П. Жебрюнайте, И.С. Левитас, Ю.К. Пожела. Опубл. в Б.И., 1970, № 28. вОГО. 32/12.

58. А.с. 461392 (СССР). Датчик градиента магнитного поля/ И,С. Левитас, Ю.К. Пожела, К.К. Сталерайтис, Н.Ю. Янавичене. Опубл. в Откр., изобр., пром. обр., тов. зн., 1975, № 7.

59. А.с. 529435 (СССР). Магниточувствительный элемент/ И.С. Левитас, К.К. Сталерайтис. Опубл. в Откр., изобр., пром. обр., тов. зн., 1976, № 35.

60. А.с. 570857 (СССР). Датчик градиента магнитного поля/ И.С. Левитас, Ю.К. Пожела, К.К. Сталерайтис, Н.Ю. Янавичене. Опубл. в Откр., изобр., пром. обр., тов. зн., 1977, № 32.

61. А.с. 519658 (СССР). Устройство для измерения составляющей градиента магнитного поля/ И.С. Левитас, Ю.К. Пожела, К.К. Сталерайтис, Н.Ю. Янавичене. Опубл. в Откр., изобр., пром. обр., тов. зн., 1976, № 24.

62. Левитас И.С., Пожела Ю.К., Сащук А.П. Гальваномагниторекомбинационный эффект в переменных электрических и магнитных полях. Лит. физ. сб., 1972, т. XII, № 5.

63. Левитас И.С., Рагаускас A.B., Янавичене Н.Ю., Сталерайтис К.К., Новые полупроводниковые измерительные преобразователи величины градиента индукции магнитного поля. Научн. тр. Вузов ЛитССР. Радиоэлектроника, 1975,т. 11.

64. Рагаускас A.B., Левитас И.С., Жебрюнайте В.П., Малосигнальная модель полевого гальваномагниторекомбинационного датчика. Научн. тр. Вузов ЛитССР. Радиоэлектроника, 1973, т. 9.

65. Касимов Ф.Д., Абдуллаев А.Г., Мамиконова В.М. Интегральный гальваномагниторекомбинационный преобразователь на основе локальных пленок моно- и поликристаллического кремния. // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника, 1988. Вып.З. с.71 72.

66. Е.О. Jonson. RCA Rev., 26, 163 (1965).

67. А.Е. Отблеск, В.Е. Челноков. Матер. 11 Зимней школы ФТИ (Л., ЛИЯФ, 1979) с. 161.

68. M.N. Yoder. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43, 1633 (1996).

69. R.W. Keyes. Proc. IEEE, 60, 225 (1972).

70. B.J. Baliga. J. Appl. Phys., 53, 1759 (1982).

71. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. Asif Khan, M.S. Shur. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 492 (1997).

72. K. Szenai, R.S. Scott, B.J. Baliga. IEEE Electron. Dev., 10, 85 (1989).

73. S. Nakamura. MRS Billetin, 22, 29 (1997).

74. M.S. Shur, M.A. Khan. MRS Billetin, 22, 44 (1997).

75. J.T. Torvik, Qin Chang-Hua, M. Leesono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 72, 945 (1998).

76. Г. Хэниш, P. Рой. Карбид кремния (M., Мир, 1972) с. 17.

77. S. Sussman, J.R. Brandor, G.A. Scarsbrook, C.G. Sweeney, T.J. Valentine, A.J. Whitehaed, C.J. Wort. Diamond and Rel. Mater., 3, 303 (1994).

78. Q. Wahab, T. Kimoto, A. Ellison, C. Hallin, M. Timonen, R. Yakimova, A. Henry, J.P. Bergman, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 72,445 (1998).

79. C.H. Carter, V.F. Tsvetkov, D. Henshall, O. Kordina, K. Irvine, R. Singh, S.T.Allen, J.W. Palmor. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2-4, 1998, Montpellier, France) p. 1.

80. A.K. Agarwal, J.B. Casady, L.B. Rowland, S. Seshadri, R.R. Siergeiej, W.F. Valek, C.D. Brandt. IEEE Electron. Dev. Lett, 18, 518 (1997).

81. R.R. Siergeiej, S. Sriman, R.C. Clarke, A.H. Agarwal, C.D. Brandt, A.A. Burk, T.J. Smith, A.W. Morse, P.A. Orphanos. Inst. Phys. Conf, No 142, 769 (1996).

82. J.A. Cooper, Jr., M.A. Melloch, J.M. Woodall, J. Spitz, K.J. Schoen, J.P. Henning. Meter. Sei. Forum, 264-268, 895 (1998).

83. R. Gaska, J.W. Yang, A. Osinsky, Asif Khan, A.O. Orlov, G.L. Shidet, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 72, 707 (1998).

84. Ch. Brylinskii. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2-4, 1998, Montpellier, France) p. 45.

85. S.V. Renadakova, I.P. Nikitina, A.S. Tregubova, V.A. Dmitriev. J. Electron. Mater., 27, 292 (1998).

86. V. Dmitriev, S. Rendakova, N. Kuznetsov, N. Savkina, A. Andreev, M. Rastegaeva, M. Munbaeva, A. Morozov. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2-4, 1998, Montpellier, France) p. 251.

87. A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin, N.S. Savkina, A.S. Tregubova, V.E. Chelnokov, M.P. Scheglov. Inst. Phys. Cong. Ser, No 155, 605 (1997).

88. A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski, N.S. Savkiria, D.V. Davydov, V.V. Solov'ev. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2-4, 1998, Montpellier, France) p. 257.

89. S. Nishino, T. Yoshida, K. Matsumoto, Y. Chen, S.K. Lilov. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2-4,1998, Montpellier, France) p. 27.

90. К.Р. Raback, R. Yakimova, M. Syvajarui, R. Neiminer, E. Janzen. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2-4,1998, Montpellier, France) p. 103.

91. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.O. Roenkov. Krist. and Technik., 14, 729(1979).

92. J. Camassel, S. Contreras, J.-L. Robert. SiC materials: a semiconductor family for the next century. C.R. Acad. Sci. Paris, t.l, Serie IV, p.5-21, 2000.

93. Batsford K.O., Thomas D.J.D. Defects in vapour grown silicon. "Electr. Commun.", 1963, v.38, №3, p.354-362.

94. CarrekerR.P. "Trans. AIME", 1956,111,206.

95. Patel J.R. Arrangements of dislocations in plasticaly bent silicon srystals. "J. Appl. Phys.", 1958, v.29, №2, p. 170.

96. Greiner E.S., Breidt P.J., Hobstetter J.N., Ellis W.C. Effects of compression and annealing on the structure and electrical properties of germanium. "J. Metals", 1957, v.9, №7, sec.2.

97. Коледов JI.A., Пекарев A.M., Светличный A.M., Сеченов Д.А. Методы генерации дислокаций в кремнии. В сб. научных трудов по, проблемам микроэлектроники. М., 1975, с.247-259.

98. Коледов Л.А., Пекарев А.И., Светличный A.M., Сеченов Д.А. Методы регулируемого введения дислокаций в кремний. «ФХОМ», 1980, №4, с. 101106.

99. Светличный A.M., Сеченов Д.А. Устройство для генерации в кремний дислокаций с заданной плотностью. «ПТЭ», 1972, №4, с.214-216.

100. Машин А.И., Тетельбаум Д.И., Хохлов А.Ф. Электропроводность кремния аморфизированного ионной бомбардировкой при сверхбольших дозах. ФТП, 1978, т.12, №3, с.438-441.

101. Manolin J., Kamins T.I., P-n junctions in polycrystalline silicon films. Solid - State Electron., 1972, v.15, №10, pp.l 103-1106.

102. Сеченов Д.А., Беспятов B.B., Арушанов А.П., Басов Н.И. Структура поверхности кремния после ЭИО. Электронная обработка материалов, 1980, №5 (95), с. 17-21.

103. Акопян P.A., Касимов Ф.Д., Мамедов Б.Х., Мамиконова В.М. Структура и электрические свойства локальных пленок поликремния. Электронная техника, сер. «Материалы», 1984, вып.5 (190), с.23-26.

104. Abdullaev A.G., Kasimov F.D., Mamikonova V.M. The simultaneous growth of mono- and polycrystalline silicon films with controlled parameters. Thin Solid Films, 1984, v.l 15, №3, pp.237-243.

105. Беспятов В.В., Сеченов Д.А., Котов В.Н. Формирование невыпрямляющих контактов и подгонка диффузионных резисторов электроискровым методом // Тезисы докладов 9-й Всесоюзной научно-технической конференции по микроэлектронике. Казань: КАИ, 1980, -с.162.

106. Беспятов В.В., Исследование возможности применения электроискрового метода обработки в технологии интегральных схем: Дис. канд. техн. наук: 05.12.18.-Таганрог, 1981 199 с.

107. Сеченов Д.А., Беспятов В.В., Наумченко A.C., Котов В.Н. Влияние электроискровой обработки на контакт алюминий кремний // Электронная обработка материалов - 1982. - №4. - с.65 - 73.

108. Беспятов В.В., Котов В.Н., Арушанов А.П. Применение электроискровой обработки в технологии полупроводникового производства // Тезисы докладов 10-й Всесоюзной конференции по микроэлектронике. Таганрог: ТРТИ, 1982.-c.92.

109. Лазаренко Б.Р., Некоторые научные проблемы электрической эрозии материалов // Электронная обработка материалов. 1969. - №2. - с.7 - 11.

110. Воробьев A.A. О процессах разрушения тел при их бомбардировке с большой скоростью // Электронная обработка материалов. 1969. - №2. -с.23 - 26.

111. Воробьев A.A. Основы измерения свойств материалов при электроискровой обработке // Электронная обработка материалов. 1969. -№6. - с.25 - 30.

112. Лазаренко Н.И. О механизме образования покрытий при электроискровом легировании металлических поверхностей // Электронная обработка материалов. 1965, -№1. - с.49 - 53.

113. Кравченко В.Л., Кириллов В.В. Электроискровое разрезание полупроводниковых материалов // Электронная обработка материалов. -1966,-№5.-с.З-15.

114. Рубцов И.И. Электроискровой способ обработки полупроводниковых материалов // Электронная обработка материалов. 1965, -№3. - с.З - 18.

115. Сеченов Д.А., Светличный А.М., Захаров А.Г. Локальное введение дислокаций в кремний с помощью электроискрового разряда //Известия ВУЗов. Приборостроение. 1972. - №4. - с.118 - 122.

116. P. Grivickas, J. Linnros, V. Grivickas Free Carrier Diffusion Measurements in Epitaxial 4H SiC with a Fourier Transient Grating Technique: Injection Dependence Materials Science Forum vols. 338 - 342 (2000) pp. 675 - 678.

117. Левин B.H, Таиров Ю.М, Траваджян М.Г, Цветков В.Ф. Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Материалы. 1978. Т. 14. №6. С.1062-1066.

118. Карачинов В.А. Дислокационная структура профилированных монокристаллов карбида кремния политипа 6Н. Межвуз. Сб.Новгород: НРИ, 1989. С.81-86.

119. Максимов А.Ю, Мальцев А.А, Юшин Н.К, Бараш И.С. Письма в ЖТФ. 1995. Т.21. Вып. 10. С.20-24.

120. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977. 304с.

121. Баженов О.Г, Карачинов В.А. Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 21. С. 2629.

122. Лившиц А.Л, Кравец А.Г, Рогачев Н.С, Сосенко А.Б. Электроимпульсная обработка металлов. М.: Машиностроение, 1967. 295с.

123. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС: Пер. с англ. М.: Мир, 1986 - 176с.

124. Артамонов Б.А. и др. Размерная электрическая обработка металлов. М, "Высшая школа", 1978, 336с, с ил.

125. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987. 415с.

126. Лучинин В.В, Таиров Ю.М. Карбид кремния перспективный материал электронной техники // Известия вузов, Электроника, №1, 1997, с. 10-37.

127. Лучинин В.В, Корляков A.B. Композиция «карбид кремния-нитрид алюминия» основа микросистемной техники для экстремальных условий эксплуатации // Петербургский журнал электроники, №3, 1999, с.20-42.

128. J. Crofton, L. M. Porter, and J. R. Williams. The Physics of Ohmic Contacts to SiC // Phys. stat. sol. (b) 202, 581 (1997).

129. M. J. Bozack. Surface studies on SiC as related to contacts // Phys. stat. sol. (b) 202, 549(1997).

130. Аброян И.А., Андронов А.И., Титова А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа. 1984г., 320с.

131. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. под ред. А.Ф. Трутко. М., "Энергия", 1973г.

132. E.D. Luckowski, J.M. Delucca, J.R. Williams, S.E. Mohney M.J. Bozack, T. Isaacs-Smith, J. Crofton, Improved ohmic contacts to n-type 4H and 6H-SiC using nichrome // J. of Electron Mat., 27(4), p. 330 (1998).

133. A. Kakanakova-Georgieva, Ts. Marinova, O. Noblanc, C. Armodo, S. Cassette, C, Brylinski, Characterization of ohmic and Schottky contacts on SiC II Thin Solid Films, 343-344, p. 637(1999).

134. Ts. Marinova, V. Krastev, C. Hallin, R. Yakimova, E. Janzen, Interface chemistry and electric characterisation of nikel metallisation on 6H-SiC // Applied Surface Science, 99, p. 119 (1996).

135. L.D. Madsen, E.B. Svedberg, H.H. Radamson at all. Phase Formation Sequence of Nickel Silicides from Rapid Thermal Annealing of Ni on 4H-SiC // Materials Science Forum, 264-268, p. 799 (1998).

136. E.G. Colgan, Activation energy for Ni2Si and NiSi formation measured over a wide range of ramp rates // Thin Solid Films, 279, p. 193 (1996).

137. Чистяков, Достанко и др. Анализ методов определения величины переходного сопротивления невыпрямляющих контактов. М.: Наука, 1973.

138. Карачинов В.А. Рост отрицательных нитевидных кристаллов в процессе электроэрозии карбида кремния // ЖТФ, 1998, т. 68, №7, с.133.

139. Сеченов Д.А., Гарицын А.Г., Светличный A.M. и др. Моделирование нагрева полупроводниковых структур лазерным излучением. Физика и химия обработки материалов. 1995г. - №4 - с. 109-114.

140. В.Ф. Гордиев, А.В. Пустогаров Термоэмиссионные дуговые катоды. М.: -Энергоатомиздат, 1998г., 192с.

141. Toulemonde М., Siffert P. Calculation of the temperature during electron pulse annealing of silicon. Appl. Phys. 1981 - vol.25 №2 p. 139 - 142.

142. Самарский А.А., Тулин А.В. Численные методы. М.: Наука, 1989г., 432с.

143. Гнесин Г.Г., Курдюмов А.В. Роль агрегатного состояния кремния в процессе силицирования и исследование кремниевой фазы в силицированных графитах. В сб. Карбид кремния (строение, свойства и области применения). Киев: Наукова думка. 1966г. 340с.

144. Хенши Г., Рой Р. Карбид кремния. М.: Мир, 1972г.

145. Cline Н.Е. An analysis of the process of recrystallization of silicon thin films with either a scanning laser or strip heater. Appl. Phys. vol. 54 №5 - p.2683 -2690.

146. Samant A.V., Zhau W.L., Pirouz P. Effect of lest temperature and strain rate on the yield stress of monocrystalline 6H-SiC. Phys. Stat. Sol. (a), vol.166 (1998) p.155 •-- 169.

147. Хирт Д., Лотте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972г., 600с.

148. Graff К. Pieper Н. And Golbach G., in: Semicinductor Silicon 1973, ed. H.R. Huff and R.R. Burgess, 1973, p. 170.

149. Левитас И., Пожела Ю., Сталерайтис К. Преобразователи магнитных величин на основе гальваномагниторекомбинационного эффекта. В кн.: Полупроводниковые преобразователи. - Вильнюс: Мокслас, 1980, с.73 -139.

150. Малютенко В.К., Тесленко Г.И., Бойко И.И. Стационарная фотопроводимость электроннодырочной плазмы . в скрещенном электрическом и магнитных полях. ФТП, 1974, вып.8.

151. Малютенко В.К., Тесленко Г.И., Бойко И.И. • Нестационарная фотопроводимость электроннодырочной плазмы в скрещенном электрическом и магнитных полях. ФТП, 1974, вып.8, с.916 - 920.

152. Каракушан Э.И., Стафеев В.И. Магнитодиоды. ФТП, 1961, т.Ш, №3, с.677 - 714.155

153. Ямада Т., Новый высокочувствительный эффект магнитосопротивления в полупроводниках. Материал IX Международной конференции по физике полупроводников. М., 1968, с.711 - 714.

154. Матуленис А.Ю., Пожела Ю.К., Юцене В.Ю. Магнитосопротивление варизонных кристаллов n-Alx Ga^ As Литовский физический сборник, 1976, t.XVI, №5.

155. Владимиров В.В. Пинч эффект в плазме твердого тела. - УФН, 1975, т.117.

156. Малютенко В.К., Молозовский Ю.М., Сащук А.П., Сталерайтис К.К., Тесленко Г.И. Определение рекомбинационных параметров в ограниченном полупроводнике с биполярной фотопроводимостью. Литовский физический сборник, 1983, т.ХХШ, №3, С.45 -51.

157. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1965.-448с.

158. Сеченов Д.А., Беспятов В.В., Котов В.Н., Захаров А.Г., Набоков Г.М., Бабин С.М. Полуавтоматическая установка для электроискровой обработки полупроводниковых подложек. Проспект ВДНХ СССР, Таганрог ТРТИ, 1980.