автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Оптимизация технологии процессов получения буферных слоев и защитных покрытий для фотоприемников на основе фосфида индия

Введение

Глава 1. Состояние вопроса и постановка задачи исследования.

1.1 Спектры краевой люминесценции в полупроводниках.

1.2 Люминесценция слаболегированных полупроводников.

1.3 Изовалентная примесь в полупроводниках.

1.4 Дефекты в 1пР.

1.5 Люминесцентные свойства и скорость поверхностной рекомбинации в 1пР.

1.6 Зонная структура 1пР.

1.7 Эффективная масса носителей тока в 1пР.

Выводы

Глава 2. Экспериментальные установки. Методики изготовления образцов и измерение излучательных характеристик в п

2.1 Методика жидкофазного эпитаксиального роста 1пР.

2.2 Методика исследований спектров фотолюминесценции.

2 ^ Методика определения абсолютных значений величин ^ внешнего квантового выхода.

2.4 Измерение зависимости величины внешнего квантового выхода от температуры и от уровня возбуждения.

2.5 Методика исследования кинетики рекомбинационных процессов в 1пР.

2.6 Устройство люминесцентного микроскопа.

2.7 Экспериментальная установка и методика напыления диэлектрических пленок на 1пР.

Выводы

Глава 3. Изовалентная примесь в п-1пР.

3.1 Влияние изовалентной примеси мышьяка на дефектообразование в 1пР.

3.2 Изучение картины люминесценции.

Выводы

Глава 4. Люминесцентные свойства InP, покрытого диэлектрической пленкой SrF2.

4.1 Экспериментальные исследования внешнего квантового выхода InP, покрытого диэлектрической пленкой SrF2.

4.2 Зависимость внешнего квантового выхода интенсивности ^ люминесценции от уровня возбуждения.

4.3 Измерение времени жизни неравновесных носителей и оценка скорости граничной рекомбинации в n-InP, покрытом пленкой SrF2.

Выводы

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность работы

Разработка и получение высокоэффективных полупроводниковых соединений для нужд оптоэлектроники - одна из важнейших задач физики и техники полупроводников наших дней.

Одним из перспективных материалов оптоэлектроники является фосфид индия, который используется не только как подложечный материал для современных гетероструктур, но и в создании эффективных солнечных элементов и быстродействующих транзисторов.

Фосфид индия в условиях современного производства получают в основном либо методом Чохральского, либо методами эпитаксиального выращивания. Подложечный материал, который используется в полупроводниковом производстве, далек от совершенства. Механические напряжения и дислокации подложек ускоряют деградационные процессы в структуре прибора.

Вышеперечисленное явилось предпосылкой для постановки и решения задачи разработки буферного слоя между подложкой и структурой, который ограничивает влияние механических напряжений и дислокаций подложки.

Хотя п-1пР обладает аномально низкой скоростью поверхностной рекомбинации, однако его поверхность нестабильна со временем, что сводит на нет это преимущество.

Таким образом, решение задачи создания эффективных защитных покрытий эпитаксиальных пленок фосфида индия и разработки буферного слоя между подложкой и структурой прибора является современной и актуальной научно-технической задачей.

Целью диссертационной работы явилось исследование и разработка защитных покрытий, получение буферных слоев между подложкой и структурой прибора.

Поставленная цель потребовала решения следующих задач:

1. Разработать установку для исследования спектров фотолюминесценции повышенной чувствительности в широком спектральном диапазоне.

2. Изготовить установку для измерения времени жизни неравновесных носителей в наносекундном диапазоне.

3. Исследовать влияние концентрации изоэлектронной примеси мышьяка на внешний квантовый выход излучательной рекомбинации

4. Разработать эффективную защиту поверхности эпитаксиальной пленки фосфида индия.

Научная новизна работы

1. Предложен буферный слой между подложкой и структурой, легированный изоэлектронной примесью мышьяка.

2. Оценено влияние изоэлектронной примеси мышьяка на рекомбина-ционные процессы в 1пР.

3. Предложен материал для эффективного защитного покрытия поверхности фосфида индия.

4. Разработана методика расчета эффективных уровней при нестационарном возбуждении электронно-дырочной плазмы.

Практическая значимость работы

1. Выполненные в работе исследования позволяют предложить один из методов снижения деградационных свойств оптоэлектронных устройств, в которых в качестве подложечного материала используется фосфид индия.

2. Эффективные защитные покрытия, которые предлагаются в данной работе, позволяют разработать фотоприемники с высокой чувствительностью в ближней ультрафиолетовой области.

3. Результаты исследований могут быть использованы для оптимизации технологии изготовления изделий оптоэлектроники, различных датчиков, солнечных элементов и т.д.

4. Результаты работы внедрены на заводе «Янтарь».

Основные положения, выносимые на защиту

1. Результаты разработки технологии по выращиванию буферного слоя между подложкой и структурой полупроводникового прибора на основе фосфида индия.

2. Новый подход к реализации защитных покрытий эпитаксиальных пленок на основе фосфида индия.

3. Методика расчета эффективных уровней при нестационарном возбуждении электронно-дырочной плазмы.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 6 научных работ, перечисленных в конце списка литературы.

Объем работы. По своей структуре диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы из 128 наименований. Общий объем диссертации составляет 131 страницу текста, включая 36 рисунков и 1 таблицу.

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Изготовлена установка для снятия спектров люминесценции полупроводниковых соединений. Особенностью данной установки является автоподстройка частоты вращения модулятора М] и синхронизация этой частоты и фазы с частотой и фазой пропускания селективного усилителя. Такая синхронизация частоты позволила сузить полосу пропускания селективного усилителя и поднять коэффициент усиления почти на порядок.

2. Изготовлена установка для измерения времени жизни неравновесных носителей, которая позволяла измерять времена жизни до 3 не

А О в диапазоне уровней возбуждения от 50 до 5-10 Вт/см .

3. Выяснено, что эпитаксиальные пленки фосфида индия имеют высокую плотность дислокаций, которая обусловлена дислокациями, проросшими из подложки. Эти дислокации приводят к снижению внешнего квантового выхода интенсивности люминесценции. Кроме того, в процессе жидкофазной эпитаксии возникают вакансии из-за низкого давления фосфора. Поэтому эпитаксиальные пленки 1пР обладают худшими по сравнению с металлургическим материалом рекомбинационными свойствами.

4. Показано, что буферный слой с изоэлектронной примесью мышьяка между подложкой и структурой может служить преградой для прорастания дефектов подложки в структуру.

5. Выявлено, что изоэлектронная примесь мышьяка из-за разницы в тетраэдрических радиусах мышьяка и фосфора при определенных концентрациях легирования релаксирует на себя дефекты кристаллической решетки, образуя комплексы. Однако при дальнейшем росте концентрации изоэлектронной примеси сам мышьяк стано

120 вится центром генерации дефектов при росте эпитаксиальной пленки.

6. В качестве эффективного защитного покрытия выбран 8гР2 , который не только защищает поверхность фосфида индия, но и снижает скорость граничной рекомбинации.

7. Показано, что защитная пленка повышает активность переноса неравновесных носителей к р-п-переходу фотоприемника за счет возрастания их диффузионной длины.

8. Оптимизирован режим термического напыления в вакууме БгБг, разработана конструкция и материал лодочки для термического напыления.

9. Разработана методика для определения эффективных уровней при возбуждении импульсами длительностью меньшей времени жизни неравновесных носителей. Рассчитаны и построены калибровочные кривые для определения эффективных уровней возбуждения.

10.Определив абсолютные значения внешнего квантового выхода из-лучательной рекомбинации и измерив время жизни неравновесных носителей, оценили граничную рекомбинация на границе фосфида индия и напыленного диэлектрика, которая составила 8 = 1,04-104 см/с.

Заключение

1. Гарбузов Д.З., Агаев В.В., Гореленок А.Т. Эффективная излучательная рекомбинация (80 % Т=300 К) и процессы переизлучения в объемных кристаллах n-1.P// ФТП, 1982, т. 16, в. 9, с. 1538-1542.

2. Hoffman G.A., Gerritsen J. Study of surface recombination in GaAs and InP by picosecond optical techniques // J. Appl. Phys, 1980, v.51 №.3, p.1603-1604.

3. Леванюк А.П., Осипов В.В. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников //УФН, 1981, т.133 , в.З, с. 427-478.

4. Hoi R.N. Injection lasers// IEEE Trans.Devices. 1976,v23,№7,p 700-704.

5. Nelson D.F., Gershenzon M., Ashkin A., et al. Band-filing model for GaAs injection luminescence// Appl.Phis.Lett.,1963,v.2,p.l82-184.

6. Hinkley E. D. High-resolution infrared spectroscopy with a tunable diode laser// Appl.Phis.Lett., 1970,v.l6,№9,p. 351-354.

7. Наследов Д.Н. , Рогачев A.A. , Рыбкин C.M., Царенков Б.В. Рекомбинаци-онное излучение арсенида галлия// ФТТ, 1962 , т. 4, с. 1062-1065.

8. Bernard М, Durrafourg G. Laser condition in semiconductors// Phis stat.sol., 1967,v.l,№2, p.699-703.

9. Багаев B.C., Басов Н.Г., Вул Б.М., Копыловский Б.Д., Крохин О.Н., Маркин Е.М., Попов Ю.М., Хвощев А.Н., Шотов А.П. Полупроводниковый квантовый генератор на р-п-переходе в GaAs// ДАН СССР , 1963, т. 150 , с. 275-278.

10. Ю.Алферов Ж.И., Андреев В.М., Корольков В.М. и др. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs// ФТП, 1968, т.2, №10,с.1545-1548.

11. Пилкун М. Инжекционные лазеры /УФН , 1969 , т. 98 , с. 295-350.

12. Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры //М.: Наука, 1976.

13. З.Алферов Ж.И.- В кн. Полупроводниковые приборы и их применение// Сб. статей , М.: Сов.радио, 1971. № 25, с. 187-194.

14. Елисеев П.Г., Красильников A.M., Минько М.А., Страхов В.П. Исследование инжекционных лазеров на постоянном токе// В сб. «Физика р-п-переходов и полупроводниковых приборов». JL: Наука, 1969, с. 131-141.

15. Rupprecht Н., Woodall J.M., Konnerth К., Pettit D.G.,Crystal efficiency for luminescence // Appl. Phys.Lett., 1966 , v. 9 , p. 221-227.

16. Дубровская H.C., Мескин C.C., Недельский Н.Ф., Равич В.Н., Соболев В.И., Царенков Б.В. Межпримесная рекомбинация в арсениде галлия //ФТП, 1968 , т.2 , с.1834-1841.

17. Дубровская Н.С., Кривошеева Р.И., Мескин С.С., Недельский Н.Ф., Равич В.Н., Соболев В.И., Царенков Б.В., Чичерин Я.А. Примесная катодолю-минесценция полуизолирующего арсенида галлия //ФТП , 1969 , т.З , с.1815-1822.

18. Kressel Н., Nelson Н. Improved red and infrared light-emitting GaAs laser diodes using close confinement structure. /Appl. Phys.Lett, 1969 , v. 15 , p. 7-9.

19. Автономов В.А., Борисов B.C., Варламов И.В., Долгинов Л.М., Емельянов

20. A.В., Киртеленко В.Г., Полторацкий Э.А., Шленский А.А // Микроэлектроника , 1973, т.1 , с.266-271.

21. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З., Румянцев В.Д. 100 % внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации в трехслойных гетеросветодиодах на основе системы AlAs-GaAs //ФТП , 1975 , т.9, с.462-469.

22. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З., Давидюк Н.Е., Ларионов

23. B.Р., Румянцев В.Д. Высокоэффективный быстродействующий AlGaAs гетеросветодиод//ФТП, 1975, с. 1265-1270.

24. Берг А., Дин П., Светодиоды // М.: Мир , 1979.

25. Noriguchi M.,Osanai Н. Spectral losses of low-OH-content optical fibers //Electron. Lett., 1976,v.l2,p 310-312.

26. Излучательная рекомбинация в полупроводниках // Сб. статей под ред. Я.Е. Покровского . М.: Наука, 1972.

27. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках //М.: Мир , 1973.

28. Уап ЯооБЬгоеск ЧУ., ЭсЬисЫеу W // РЬуэ.Кеу., 1954 , v. 94 , р. 1558.

29. Джонсон Е.- В кн. Оптические свойства полупроводников // М.: Мир, 1970. с. 166.

30. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах//М.: Мир , 1974.

31. Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Диакону И.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов п-Сс18/р-1пР // ФТП, 1998, т.32,в.1, с. 72-77.

32. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников // М.: Наука, 1979.

33. Леванюк А.П., Осипов В.В.Теория люминесценции сильно легированных полупроводников //ФТП, 1973 , т. 7 , с. 1058-1068.

34. Леванюк А.П., Осипов В.В. Теория люминесценции сильно легированных компенсированных невырожденных полупроводников //ФТП , 1973 , т. 7 , с. 1069-1080.

35. Осипов В.В., Соболева Т.Н., Фойгель М.Г // ФТП, 1978 , т. 12 , с. 1117.

36. Зб.Леванюк А.П., Осипов В.В. К теории примесной излучательной рекомбинации сильнолегированных полупроводников // ФТП , 1973 , т. 7 , с. 15751584.

37. Осипов В.В., Соболева Т.Н., Фойгель М.Г. Межпримесная излучательная рекомбинация в сильнолегированных полупроводниках // ФТП , 1977 , т. 11 ,с. 1277-1288.

38. Осипов В.В., Соболева Т.И., Фойгель М.Г. Межпримесная излучательная рекомбинация в слаболегированных полупроводниках // ЖЭТФ , 1978 , т. 75 , с. 1044-1058.

39. Осипов В.В., Холоднов В.А. Характеристика электролюминесценции структур из компенсированных полупроводников при низких температурах // ФТП, 1970 , т. 4 , с. 2241-2253.

40. Осипов В.В. Характеристика электролюминесценции структур из сильнолегированных полупроводников при низких температурах // ФТП , 1973 , т. 7, с. 2106-2113.

41. Осипов В.В. Характеристики электролюминесцентных структур из сильнолегированных полупроводников при низких температурах // ФТП, 1973, т.7 ,с. 2269-2278.

42. Lasher G.,Stern F. Spontaneous and stimulated recombination radiation in semiconductors //Phis.,Rev., 1964,v. 133,p 553-556.

43. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников // М.: Наука, 1978.

44. Dumke W.P // Phys.Rev., 1963 , v. 132 , p. 1998-2005.

45. Williams F.E. Donor-acceptor pairs of semiconductors //J. Chem. and Phys.Sol., 1960 , v. 12 , p. 276-283.

46. Бимбетов Ф.Б., Джумамухамбетов Н.Г., Влияние индуцированных лазерным излучением дефектов на люминесценцию кристаллов InP // ФТП, 1998, т.32, в.11,с 1334-1336.

47. Нокс Р. Теория экситонов // М.: Мир , 1966.

48. Давыдов А.С. Теория твердого тела // М.: Наука , 1976.I

49. Экситоны в полупроводниках // Сб. статей. Под ред. Б.М. Вула.- М.: Наука, 1971.

50. Гросс Е.Ф., Пермогоров С.А., Разбирин Б.С. Аннигиляция экситонов и экситон-фотонное взаимодействие // УФЫ, 1971 , т. 103 , с. 431-446.

51. Стопачинский В.Б. Примесная и внутризонная фотопроводимость фосфида галлия // ЖЭТФ , 1977 , т. 72 , с. 592-601.

52. Garbuzov D.Z.- Proc.Intern.School on Semiconductor Optoelect // Warszawa : Polish Scientific Publishers , 1978.

53. Каратаев B.B., Мильвидский М.Г., Валерий В. Негрескул , Царенков Б.В Эффекты полевого управления интенсивностью излучательной рекомбинации при нагреве носителей в GaAs //ФТП, 1969 , т. 3 , с. 617- 626.

54. Перлин Ю.Е. Излучательный захват электронов отрицательными ионами и нейтральными атомами бериллия в GaP // УФН, 1963 , т. 80 , с. 553-561.

55. Mooradian A., Fan H.Y., Avalanche breakdown in GaP //Phys.Rev., 1966 , v. 148, p. 873-881.

56. Landsberg P.T //Proc.Phys.Soc.Ser. В., 1957, v. 70 , p. 282-290.

57. Соловьева E.B., Мильвидский М.Г. Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании //ФТП, 1983, т.17,в.11 с 2022-2024.

58. Соловьева Е. В., Рытова Н. С., Мильвидский М. Г., Ганина Н. В. Электрические свойства арсенида галлия, легированного изовалентными примесями//ФТП, 1981, 15, с 2141-2146.

59. Рытова Н.С., Соловьева Е.В., Мильвидский М.Г. О механизме влияния изовалентной примеси In и Sb на ансамбль точечных дефектов в GaAs //ФТП 1982г., т. 16, в. 8, с 1491-1494.

60. Косевич А. М. Физическая механика реальных кристаллов // Киев «Наукова думка», 1981.

61. Соловьева Е. В., Освенский В. В., Мильвидский М. Г., Болынева Ю. Н., Григорьев Ю. А., Цыганов В. А. Влияние индия на электрофизические свойства монокристаллов арсенида галлия //ФТП, 1982г., т. 16, с. 566-571.

62. Лоренц М.Р., Морган Т.Н., Петти Г.Д. В кн. Труды международной конференции по физике полупроводников //М.: 1968.-Т.1 , с. 524.

63. Соловьева Е. В., Каратаев В. В., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б., Столяров О. Г.Точечные дефекты в GaAs // ФТП,1972, т.14, в.З, 528-534.

64. Williams E.W., Elder W., Astles M.G., Webb M., Mullin J.B., Straughan В., Tufton P. J. Indium Phosphide // J. Electrochem. Soc. Solid-state. Sci. Tech-nol.,v,120, №.12, p.1741-1749.

65. Chevrier J., Huber A., Linh N.T. Zn-doping vapor-growth InP //J. Appl. Phys., 1980, v.51, №.1, p.815-817.

66. Antypas G.A. Pervention of InP surface decomposition in liquid phase epitaxial growth// Appl. Phys. Lett., 1980, v. 37, №.l,p.64-65.

67. Casey H.C., Buchler E. Evidence for low surface recombination velocity in n-type InP.// Appl. Phys. Lett., 1977, v30, №.5, p.247-249.

68. Nagai H., Hoguchi Y. Surface-treatment effect on photoluminescence of InP// J. Appl. Phys. 1979, v.50, №.3, p. 1544-1545.

69. Turner G.W., Fan J.C., Hsieh J.J. High-efficiency InP homojunction solar cells // Appl. Phys. Lett., 1980, v.37, №.4, p.400-402.

70. Wagner J.F., Wilmsen C.W. Thermal oxidation of InP //J. Appl. Phys, 1980, v.51, №.1, p.812-814.

71. Kane E.O., Band structure of indium antimonide //Journ. Phys. Chem. Solids, 1957, v. 1, p. 249-253.

72. Braunetein R., KaneE.G. // Journ.Phys.Chem.Solids, 1962,v. 23,423-428.

73. Cardona M., Electroreflectance at a semiconductor-electrolyte interface //Journ.Phys.Ghem.Solids,1963, v. 24, p. 1543-1551.

74. Kolodziejczak J, Temperature dependence of electron energy levels in solids I I J. Acta. Phys.Polon, 1961, v. 20, p. 289-294.

75. Kolodziejczak J., Sosnowski L., //Acta Phys.Polon,, 1962, v. 21, p.399-403.

76. Cardona M., Modulation spectroscopy //Solid state physics, Suppl, N.Y. 1969, v. 11, p. 347-358.

77. Kolodziejczak J., Zukotynski S. Polarons and excitons./ /Journ.Phys.Stat.Sol., 1966, v. 16, p.922-934.

78. Williamms G.P., Cerrina F.,Lapeyre G.J., Anderson J.R., Smith R.J., and Hermanson J., Experimental study of the band structure of GaP, GaAs, GaSb,InP, InAs, and InSb //Physical review В 1986, v.34, № 8, p 5548-5557.

79. Маделунг., Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп // М: МИР, 1967.

80. КиттельЧ., Квантовая теория твердых тел, перевод с англ.,// М:, 1967.

81. Adler R.B., Smith А.С., Longini R.L. Introduction to semiconductor physics //N-Y.,1964.p. 473.

82. Днепровский B.C., Жуков E.A., Маркова Н.Ю., Муляров E.A., Черноуцан К.А., Шалыгина О.А. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (InP)- диэлектрик//ФТТ, 2000.,т.42,в.3,с. 532-536.

83. Long D., Engergy bands in semiconductors // N-Y.1968.

84. Китель Ч. Введение в физику твердого тела // М:, Наука,1978.

85. Kolodziejczak J., On the ambipolar diffusion of impurities into InP //Acta. Phys.Polon., 1961. v. 20, 289-293.

86. Restorff.J.B. Houston B. Allgaier R.C. The electron effective mass in InixGaxAsyPix from shubnikov-de hass measurement. // J Appl. Phys.,1980, v.51,№4,p. 2277-2278.

87. Haki В., Jayaraman A„ Kim C.K., Hole mass measurement in p-type InP and GaP by submillementre cyclotron resonance in pulsed magnetic fields // Journ. Appl. Phys, 1970,v.41, 5291 -5298.

88. Сиукаев Н.В., автореферат диссертации //ТГУ, Тбилиси, 1970.

89. Turner W.T .,Pettit G.D., Ainslie N.G. //Journ. Appl. Phys., 1963, v.34, p. 3274-3279.

90. Turner W.J., Reese W.E., Pettit G.U. // Phys.Rev., 1967, v. 136, p.1467-1472.

91. Наследов Д.Н., Попов Ю.Т., Сиукаев H.B., Старосельцева С.П. Электрические свойства n-InP при низких температурах // ФТП, 1969, т.З, в.З с. 454-456.

92. Агаев Я., Слободчиков С .В., Изв.АН туркм.СССР,сер.физ-техн. хим. и геол. н. // 1963, № 6, с.109-116.

93. Shaklee K.L., Pollak F.H., Cardona М., //Phys. Rev., Letters, 1965 т. 15, p. 883-891.

94. Shaklee K.L.,Cardona M., Pollak F.H. //Phys. Rev. Letter, 1965, v. 16. p. 4853.

95. Leotin J., Barbaste R., Askenazy S.A., Skolinick M.S. , Stridling R.A., Tu-chendler J. Hole mass measurement in p-type InP and GaP by submillemetre cyclotron resonance in pulse magnetic fields // Sol. Stat. Comm., 1974,v.l5,№.4,p.693-697.

96. Kane E.O. Band structure of indium antimonide // J. Phys. Chem. Solid. 1957,v.l,№.4, p.249-261.

97. Sakai S., Umeno M. Amemiya Y. Measurement of diffusion cofficienct and surface recombination velocity for p-InGaAsP grow on InP //Jap.J Appl.Phys.,1980, v.19, №.1,р.109-113.

98. Majerfeld A.,Wada O. Deep-level traps and the conduction-band structure of InP // Appl.phys.Lett., 1978,v.33, №.1 l,p.957-959.

99. Lang D.V. deep-level transient spectroscopy. A new method to characterize traps in emiconductors (E/T) // J.Appl.Phys., 1974,v.45,No.7, p.3023-3032.

100. Слободчиков С .В., Электрические свойства InP // ФТТ, 1964, т.6, с.2175-2181.

101. Moss Т ,S, Walton A.K. //Physika, 25, 1142, 1959.

102. Кесаманлы Ф.П., Клотыныш Э. Э.,Мальцев Ю.В., Наследов Д.Н., Уха-нов Ю.И. Излучательная рекомбинация в слабо и сильно легированном р-GaAs // ФТТ,1964, т.6, 134-139.

103. Austin I.G., Electronic affects in interdand absorption of semicondactors // Journ.Electronlce and Control, 1960,v.8, p. 167-172.

104. Долгинов JI.M., Ибрахимов H., Рагулин В.Ю., Шевченко Е.Г., Зонная диаграмма гетеропереходов InP-GaxIni.xAsyPi.y //ФТПД976, в.6, с. 12241225.

105. Cardona М., Proc. Intern. Conf. on Semicond. Phys.//Prague, 1960, p.388-391.

106. Уханов Ю. И.,Мальцев Ю.В.// Изв. АН СССР XXXVIII, 1964, с. 989.

107. Именков А.Н., Сиукаев Н.В., Хадиков Н.К.Тунельные диодф на InP // ФТП, 1970. т. 4, 886-891.

108. Slicksman М.,Weiser К. // Journ.Phys.Chem.Solids,1959. v. 10, p. 337-340.

109. Алферов Ж.И., Агафоноф В.Г., Гарбузов Д.З., Давидюк Н.Ю., Ларионов В.Р., Халфин В.Б. Многопроходные структуры //ФТП. 1976, т. 10, в.8, с.1497-1506.

110. Белоконь М.В., Рубинов А.П. Приставка-преобразователь на растворах органических красителей к серийному лазеру на азоте ЛГИ-21// ПТЭ, 1973, №5, с.191-192.

111. Ю.Б. Болховитянов Ю.Б., Болховитянова Р.И., Лосовайн В.И., Бейзель Н.Ф. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок // «Наука» Новосибирск 1977.

112. Баженов В.К., Переухов А.Г., Соловьева Е.В. Резонансный уровень сурьмы в арсениде галлия // ФТП. 1981,т. 15, в.4, с.768-770.

113. Altarelli М.А //Phys.Rev. В II, 1975, р.5031-5039.

114. Kleiman G.G., Decker M.T., Theory of dilute magnetic alloys. //Journ.Phys.Rev. В., 1978. v. 17, №2, p 924-928.

115. Солевьева E.B.,Назарова Г.В., Лейферов Б.М., Лотцкий А.Г., Мильвид-ский М.Г., Рытова Н.С., Твирова Э.А. Особенности дефектообразования в кремнии, содержащем изовалентную примесь олова //ФТП, 1984, т. 18. в. 19,с.1573-1576.

116. Грабко Д.З., Панфилов B.C. Марончук З.Е. Фосфид индия в полупроводниковой электронике //Сб.стат. Кишинев, 1972., с.235-238.

117. Косевич A.M. Физическая механика реальных кристаллов // Киев. 1981. с.299-314.

118. Свелин Р.А. Термодинамика твердого состояния./ М:.,1968.,е.316.

119. Гарбузов Д.З., Агафонов В.Г., Агаев В.В., Лантратов В.М., Чудинов А.В. Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС // ФТП, 1983, т. 17, в. 12, с. 2168-2172.

120. Kim T.S., Lester S.D., Streetman B.G. Observation of radiative surface states on InP // J. Appl. Phis. 61 (5), 1 March 1987, pp 2072-2074.

121. Васильев A.M., Ландсман А.П., Полупроводниковые фотопреобразователи // Москва, «Советское радио», 1971.

122. Результаты данной работы доложены на конференциях и опубликованы вработах:

123. Чабанов А.А., Козырев Е.Н, Агаев В.В., Яблочкина Г.И. Влияние мышьяка на структуру эпитаксиальной пленки InP // Труды Северо Кавказского государственного технологического университета. Владикавказ, СКГТУД997, с.247-249.

124. Агаев В.В. Яблочкина Г.И. Измерение внешнего квантового выхода из-лучательной рекомбинации // Труды Северо-Кавказского государственного технологического университета. Владикавказ, СКГТУ, 2002, с.232-235.131

125. Агаев В.В., Созаев В.А., Яблочкина Г.И. Влияние Аб на процессы де-фектообразования в эпитаксиальных пленках 1пР, // Труды Международной конференции «ФИЭМ"02» Калуга, КГПУ,2002, с.82.