автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Разработка процессов формирования диэлектрических пленок и микроэлектронных систем для интегральной электроники

Введение.2

1. Особенности технологии получения тонких диэлектрических пленок дляИС. 6

1.5 Введение.6

1.5 Методы получения двуокиси кремния 8Ю2.7

1.2.1 Термическое окисление.8

1.2.2 Электролитическое анодирование.11

1.2.3 Плазменное анодирование.11

1.2.4 Осаждение 8Ю2 из газовой фазы.12

1.2.5 Осаждение 8Ю2 из пленкообразующих растворов.17

1.2.6 Плазмохимическое осаждение.19

1.2.7 Испарение в вакууме.20

1.2.8 Реактивное распыление.21

1.5 Методы получения пленок окиси алюминия А120з.22

1.3.1 Термическое испарение в вакууме.23

1.3.2 Ионно - плазменное распыление.24

1.3.3 Электролитическое анодное окисление.26

1.3.4 Разложение элементоорганических соединений.27

1.3.5 Химическое осаждение из газовой фазы.28

1.4 Технологии получения пленок нитридов кремния 81зМ4.30

Основные результаты работы

1. Систематическим и комплексным исследованием обосновано и показано, что формирование диэлектрических плёнок на основе оксидов кремния и алюминия, нитрида кремния из газовой фазы с использованием хлора и хлорсодержащей среды при термическом, плазмохимическом осаждении и реактивом ионном распылении позволяют в условиях физического и химического взаимодействия компонентов паровой и газовой среды с кремнием при пониженной температуре получать слои со свойствами, близкими к свойствам термически выращенного диоксида кремния.

2. Экспериментально и теоретически показана целесообразность легирования диэлектрических плёнок различными примесями для улучшения свойств, как самих плёнок, так и электрических параметров гетероструктур диэлектрик - кремниевая подложка. Установлено, что легирование плёнок диоксида кремния хлором, Ъа, Р, Аг с концентрацией на уровне 3.5.10116.10 см в процессе осаждения из газовой фазы приводит к снижению плотности и размера пор практически на порядок, до 2 раз уменьшается поверхностная плотность заряда и эффективный заряд до величины

Ю^-Ю11 см-2.

3. Ионная имплантация Р+, Аг+ с энергией ионов 50-75 кэВ, дозой

15 2 до 6.10 см" в гетероструктуру диэлектрик-полупроводник приводит к сдвигу С-У характеристики МДП - структур в результате образования электрически активных центров в области пространственного заряда в кремнии и центров с меньшей энергией активации.

4. Разработан процесс формирования плёнок свинцово-силикатного стекла на кремниевой подложке магнетронным распылением свинца в окислительной среде и последующего термического отжига при температуре, ниже температуры эвтектики РЬО-8Ю2 (750°С). Показано, что скорость образования слоя, достигающая 0.7 мкм/мин. зависит от концентрации в нём свинца и температуры отжига и изменяется со временем. Во всех случаев скорость образования слоя ССС выше, чем при термическом окислении

246 кремния в чистом кислороде. Оптимизация процесса получения слоя ССС обеспечила низкий эффективный заряд на границе раздела слой-подложка

113 2 до 1.7.10 см" ) и наименьшую плотность пор (< 0.3см" ).

5. Разработаны технологические процессы формирования боро- и фосфорсодержащих плёнок оксида кремния на поверхности кремниевых подложек осаждением из газовой среды на основе SiCl4, ВС13 или РС13 с кислородом и окисью азота при температуре 380-450°С. Показано, что проведение процессов в кинетической области обеспечивает скорость роста до 0.5нм/мин., плотность пор до 0.8см .

6. Показана возможность управления свойствами диэлектрических плёнок Si3N4, так и структур диэлектрик-кремниевая подложка. Установлено, что при уменьшении толщины нитридного слоя с 0.5 мкм до 0.1 мкм приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости 8 до 6.5 Это связывается не только с неоднородностью химического состава к атомной структуре слоя вблизи границы раздела диэлектрик-подложка, но и образованием тонкого слоя оксида кремния на поверхности кремния при повышенной концентрации паров воды в исходной газовой среде.

7. Показано, что изменение проводимости в диэлектрических плёнках Si02 ,Si3N4 ,AI203 , Si02 +Si3N4 при облучении электронами с энергией 4мэВ обусловлено одновременным действием двух эффектов - ионизации и образовании структурных дефектов. Под влиянием ионизации в объёме диэлектрического слоя накапливается положительный заряд на ловушках, а образованные при облучении структурные дефекты являются дополнительными центрами захвата свободных носителей заряда, которые частично компенсируют электроактивные центры в объёме диэлектрических слоёв.

8. Экспериментально установлено повышенная стойкость плёнок А1203, полученных из газовой фазы, показано, что это обусловлено захватом на ловушки не только дырок, но и электронов. Захват последних, с одной стороны, компенсирует заряд захваченных дырок, а с другой, уменьшает ток через диэлектрик. Из-за присутствия в А1203 отрицательных ловушек при облучении кроме введения положительного заряда. При малых дозах облучения преобладает влияние положительного заряда. При насыщении положительных ловушек при дозах больше 106 рад начинает влиять отрицательный заряд, скапливающийся в А1203. Чем тоньше окисел, тем сильное влияние заряда в А1203 и тем большим оказывается изменение суммарного заряда в диэлектрике. Установлено, что двухслойная диэлектрическая изоляция Si02+ А1203 также обеспечивает повышенную стойкость к облучению МДП-структур за счёт накопления различных по знаку зарядов в слоях и тем самым снижение эффективной величины заряда в слое диэлектрической изоляции. Показано, что проводимость в многослойных диэлектрических сис

247 темах снижается за счет захвата дырок, имеющимися в диэлектрике ловушками, образованием на границе раздела двух диэлектрических пленок промежуточного заряда и потенциального барьера. Вследствие этого происходит снижение изменения величины заряда с ростом дозы облучения в многослойных диэлектрических системах.

9. Показано, что в процессе формирования диэлектрических плёнок 8Юг образуется переходный слой 8ЮХ на границе раздела плёнка-подложка, где в основном сконцентрирован положительный заряд.

10. Разработана технология формирования плёнок свинцово силикатных стёкол магнетронным распылением свинца в окислительной среде с низким эффектным зарядом на границе раздела плёнка-подложка, за счёт связывающей роли свинца и снижения числа оборванных связей кремния.

11. Показано, что с изменением содержанием хлора в окислительной среде, при росте плёнок БЮг, повышается термостабильность за счёт образования центров типа =8ьО-Ыа или =8ьО-Н и связыванием примеси этих центров.

248

6.9. Заключение

Рассмотрены различные способы ускоренного окисления кремния с предварительным нанесением на подложку окиси свинца. Наиболее перспективным методом нанесения РЬО признан метод магнетронного распыления свинца в атмосфере кислорода. Исследования электрофизических параметров такого стекла показали, что этот метод по некоторым аспектам превосходит метод электрохимического выращивания РЬО, в частности, появилась возможность создавать достаточно толстые пленки свинцовосиликатного стекла, наносить пленку РЬО на кремний n-типа без предварительного легирования подложки. Само стекло по свойствам почти не отличается от стекла, полученного с помощью электрохимического выращивания, за исключением диэлектрической проницаемости и диэлектрической прочности.

Свинцовосиликатное стекло по свойствам существенно отличается в лучшую сторону от термических окислов Si02, полученных в водяном паре, сухом кислороде содержащем 5% HCL

245

В качестве подзатворного диэлектрика и боковой изоляции свинцово-силикатное стекло может также использоваться в качестве маски при диффузии примесей.

Для определения электрофизических характеристик аморфного свин-цовосиликатного стекла был использован, в основном, экспериментальный подход с последующей обработкой полученных результатов.

1. Воззен Ж.Л., Керн В. "Формирование пленок", 1980г.

2. Зи С. "Технология СБИС", 1986г. 404 с.

3. Левинштайн Х.Ж., Смит Т.Е. "Реактивное плазменное осаждение пленок на основе кремния", 1981г.4. "Химические процессы" под ред. Третьякова Ю.Д., 1989г.

4. Hess D.W., Deal В.Е., Kinetics of the Thermal Oxidation of Silicon in 02/HCl Mixtures, J. Electrochem. Soc., 124, 735, (1977).

5. Deal E.E., Thermal Oxidation Kinetics of Slicon in Pyrogenic H2O and 5 % HCI/H2O Mixtures, J. Electrochem. Soc., 125, 576, (1978).

6. Борнович E. "Оптимальные условия роста пленок кремния", 1987г.

7. Черняев В.Н. "Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров", 1987 г. 484 с.

8. Таиров Ю.М., Цветков В.Д. "Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов", 1990г. 423 с.10. "Диффузия полупроводников" под ред. Харма В.Л., 1970г.

9. Киреев В.А. "Краткий курс физической химии", 1970 г. 775 с.

10. Авербух С.Б., Кудряшов И.В. "Физическая химия", 1975г.

11. Херринг Р.В. "Успехи эпитаксии в пленках кремния при низких давлениях", 1981г.

12. Сигова И.И. "Основы экономики управления", 1972г.

13. Dragile R. "Thin solid films", 1976, 34, No 1.

14. Klerer J., Jordan L., J. Electrochem. Soc., 1961,108.

15. Jordan E.L. "A diffusion mask for germanium", J. Electrochem. Soc., 1961, 108.

16. Klerer J. "On the mechanism of the deposition of silica by pyrolytic decomposition of sylanes", J. Electrochem. Soc., 1965,112, No 5.

17. Gregor L.V. "Gas-phase deposition of pyrolitic amorphous films", J. IBM Res. and Dev., 1968,12, No 2.

18. Jensen A.J. "Pyrolitic deposition of protective coating on semiconductor surfaces", Pat. №3242007 (США). Кл. 117-201.249

19. Secrist D.R., Mackenzie J.D. "Fabricating passivated structures by py-rolitic decomposition in vapor phase", Meeting Electrochem. Soc., Buffalo, N.Y., Oct. 1965.

20. Krongelb S. "Envisonmental effects on chemically vapour-plated silicon dioxide", Electrochemical Technology, 1968,6, No 7.

21. Everstein F.C. "Low temperature deposition of aluminasilica films", Philips Res. Rept., 1966, 108.

22. Канэда И., Накано И., Накара Т. "Метод получения тонких покрытий", Пат. №23447 (Япония). Кл. 99/5.

23. Robinson Р.Н., Dumin D.J. "The deposition of silicon on single crystal substrates", J. Electrochem. Soc., 1968,115, No 1.

24. Steinmaier W.J., Bloem W. "Semiconducting glasses", J. Electrochem. Soc., 1964, 111,No2.

25. Estebau S.J. "Method of preparing glass films", Pat. №3158505 (США). Кл. 117-215.

26. Schafer H. "Verfahren zum herstellen einer diffusionsmaske oder einer Schutzschicht auf einem halbleitmarkorper", Pat. №40558 (ГДР). Кл. 21.

27. Okamoto H. "Crystallization of Si02 prepared by pyrolitic decomposition of silicone", Japan Journal of Applied Physics, 1968, 7, No 1.

28. A.C. №508824 (СССР), H01L 21/205.

29. Адамов А.П., Вевериц А.П., Пирбудагов Г.М. "Разработка и организация технологии производства РЭА", 1998г.32. "Технико-экономическое обоснование дипломных проектов" под ред. БеклешоваВ.К., 1991г.

30. A.C. №1618732 (СССР), С01В, 33/18, "Способ получения высокодисперсного материала на основе Si02".

31. Richard P.D., Markunas R.J., Lucovsky G., Fountain G.G. and etc., "Remote plasma enhanced CVD deposition of silicon nitride and oxide for gate insulators in (In, Ga)As FET devices", J. Voc. Sei. Technol., vol.3, No 3, 1985.

32. Pan P., L.A. Nesbit, R.W. Douse and R.T.Gleason, "The composition and properties of PECVD silicon oxide films", J. Electrochem. Soc., vol. 132, No 8,1985.

33. A.C. №1685870 (СССР), 5C01B, 33/18, "Способ получения Si02".

34. A.C. №1661143 (СССР), 5C01B, 33/023, "Способ получения Si02"250

35. Maruyoma Т., К. Aburai, "Silicon dioxide thin films prepared by thermal decomposition of silicon tetraacete", Japan Journal of Applied Physics, vol. 27, No 12, 1988.

36. A.C. №1655900 (СССР), 5C01B, 33/02, "Способ получения Si02".40. Пат. №3934060 (США).

37. Ing I.I. "Selective removal of polycristalline silicon and evaluation of film perfection by an alkali etching", J. Electrochem. Soc., 1966, 113, No 3.

38. Пат. №1653541 (Япония), 5C01B, 33/12, "Способ получения высокочистой окиси кремния".

39. А.С. №1562318, 5С01В (СССР), 33/12, "Способ получения Si02".

40. А.С. №1592274, 5С01В (СССР), 25/26, "Способ получения Si02".

41. А.С. №1326119, 5H01L (СССР), 21/31, "Способ получения пленок Si02".46. "Диэлектрики и полупроводники", Республиканский межведомственный научно-технический сборник, Минск, 1982г.

42. Condens Matter, vol.5,1993.

43. Данилин Б.С. "Получение тонкопленочных элементов микросхем", М. 1977г.

44. Japan Journal of Applied Physics, vol. 32, No 6,1993.

45. Творогов H.H. "Получение пленок окиси алюминия из газовой фазы", Журнал прикладной химии, №34, 1961г.с.134-139.

46. Veloric H.S., Rauscher D., Jordan E.L. "Influence of crystal orientation and oxide structure on the interface states of Ge-Ge02", Conf. Semicond. Devices, Ithaca.

47. Matsushita M., Koga Y. "A model for tunneling through a noncrystalline thin dielectric films", Abstracts Boston Conf. J. Electrochem. Soc., 1968.

48. Thin Solid Films, No 1- 2,1994.

49. Пат. №050-11360 (Япония), C01F, 7/02.

50. Kaiser W., Turmond C.D., Journal of Applied Physics, vol. 30,1959.

51. Ito Т., Nozaki Т., Arakawa H., Shinoda M. "Thermally grown silicon nitride films for high-perfomance MNS devices", Applied Physics Lett., vol. 32, No 5,1978.

52. Ito Т., Hijiga S., Nozaki Т., Arakawa H. and etc. "Very thin silicon ni251tride films grown by direct thermal reaction with nitrogen", J. Electrochem. Soc., vol. 125, No 3,1978.

53. Murarka S.P., Chang C.C., Adams A.C. "Thermal nitridation of silicon in ammonia gas: composition and oxidation resistance of the resulting films", J. Electrochem. Soc., vol. 126, No 6,1979.

54. Doo V.Y., Meeting Electrochem. Soc., Buffalo, N.Y., Oct. 1965.

55. Doo V.Y., Kerr D.R. "Investigation of refractory dielectrics for integrated circuits", Contact NASI, Final Rept., July 1967.

56. Grieco M.J., Worthing F.L., Schwartz В., J. Electrochem. Soc., vol. 115, 1968.62. "Электроника", т. 49, № 5, 1976.C.38-42.

57. Sterling H.F., Swann R.C., Solod State Electron., vol.8,1965.

58. Kuth K. and etc. "Plasma-enhanced deposition of silicon nitride from SiH4-N2 mixture", Japan Journal of Applied Physics, vol.22, No 5,1983.

59. Cervenak I., Aleksandrov L.N., Lovjagin R.N., Krivorotov E.A. "Some physical properties of Si-SisNt interfaces and silicon nitride thin films prepared by reative sputtering in nitrogen", J. Vacuum Sci. and Techn., vol. 6, No 6, 1969.

60. Edelman F.L., Kuznetsov O.N., Lesheiko L.V., Lubopytova E.V. "Formation of SiC and Si3N4 in silicon by ion implantation", Radiation Effects, vol.29,1976.

61. A.C. №4067754, C01B (СССР), 25/26, "Способ формирования пленок Si02".

62. Пат. №3398033 (США), H01L, 21/306, "Состав для газового травления Si".

63. A.C. №1602859 (СССР), С01В, 33/12, "Система автоматизированного управления процессом окисления Si".

64. Giunta С.J., Chappel-Sokol J.D., Gordon R.G. "Kinetic modeling of the chemical vapor deposition of silicon dioxide from silane or disilane and nitrous oxide", J. Electrochem. Soc., vol. 137, No 10, 1990.

65. Atalla M.M., Semiconductor Surfaces and Films; the Si-Si02 System, Properties of Elemental and Compound Semicoductors, Gatos H. (ed.), Interscience, New York, 1960, v. 5, pp.163-181.

66. Deal B.E., Grove A.S., General Relationship for the Thermal Oxidations of Silicon, J. Appl. Phys., 36, 3770 (1960).252

67. Grove A.S., Physics and Technology for Semiconductor Devices, Wiley, New York, 1967, Ch. 2.

68. Nicollian E.N., Breuws J.R., MOS Physics and Technology, Wiley, New York, 1982.

69. Саркаров Т.Э., Султанмагомедов C.H., Керимов H.K. Расчет термических параметров некоторых реакций на поверхности кремния. Тезисы докладов Респ. научно- практ. конференции, Махачкала, 1987, с 5-26.

70. Саркаров Т.Э., Кулешова А.В. Расчет термодинамических параметров процесса получения легированных фосфором слоев двуокиси кремния. Тезисы докладов Респ. научно- практ. конференции, Махачкала, 1987, с. 134.

71. Nakayama Т., Collins F.C. Kinetics of Thermal Growth of Silicon Dioxide in Water Vapor Oxigen- Argon- Mixtures, j. Electrochem. Soc., 1966, v. 113, №7, p.706.

72. Fromhold A.T., Cook E.L. Kinetics of Oxide Film Growth on Metal Crystals: Electron Tunelling and Ionic Diffusion. Phys. Rev., 11967, v. 158, p.600.

73. Колобов H.A., Самохвалов M.M. Диффузия и окисление полупроводников. М., "Металлургия", 1975.

74. Арсланбеков В.А., Сафаров А. Некоторые особенности механизмиа и кинетики окисления кремния. Микроэлектроника, т.6, вып. 1, М., "Наука", 1977.С.86-92.

75. Саркаров Т.Э., Исабеков И.М., Ахмедов М. Метод осаждения слоев из газовой фазы. Тезисы докладов конференции "Приборостроение- 92", с. 43-44.

76. Киреев В.А. "Курс физической химии", М. 1975г.

77. Карапетьянц М.Х., Карапетьянц M.JI. "Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ", М. 1975г.

78. Карапетьянц М.Х. "Химическая термодинамика", М. 1975г.

79. Мустафаев Г.А, Тешев Р.Ш., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Низкотемпературное осаждение тонких диэлектрических пленок AI2O3, Труды Северо-Кавказского Государственного Технологического Университета, г. Владикавказ, 2001 г., с. 126-137.

80. Саркаров Т.Э., Султанмагомедов С.Н. Изучение зарядовых свойств границ и разделов. Тезисы респ. научно-практ. конференции. Махачкала, 1987, с. 34.

81. Саркаров Т.Э., Хаспулатов Х.А. "Способ получения тонких диэлектрических пленок оксида алюминия" A.C. №95113257, кл. С23С18/12 (РФ).

82. В.Ю. Васильев, С.М. Марошина Оптимизация процесса осаждения слоев нитрида кремния. ЭП, вып. 10, 1986 г.с.134-143.

83. B.JI. Евдокимов, С.И. Латюков, Ю.Д. Чистяков Разработка и исследование процесса получения пленок нитрида кремния при пониженном давлении. ЭТ, сер. 3, Микроэлектроника, вып. 4, 1987 г, с. 133.

84. Саркаров Т.Э. "Способ получения легированных фосфором слоев". A.C. (СССР), №4829754, НО 1L 21/205 199 2 г.

85. Саркаров Т.Э. Хаспулатов Х.А. Исабеков И.М., "Способ получения боросодержащих пленок" A.C. (РФ),. №94025085, кл. G01F 7/02. 1994 г.

86. Саркаров Т.Э. Исмаилов Т.А. Шахмаева А.Р. Гаджиева Х.М. Гад-жиева С.М. "Способ получения борофосфоросиликатных пленок"A.C. №99115736, H01L 21/316 (РФ),.

87. Г л у д к и н О.П., Черняев В.Н. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем. — М.: Энергия, 1980. — 360 с.

88. Современные методы анализа микрообъектов и тонких пленок.— М.: Наука, 1977, с. 13-15.

89. К о л е ш к о В.М., К а п л а н Г.Д. C-U методы измерения парамет254ров МОП-структур. Обзоры по электронной технике. Сер.З. Микроэлектроника, 1977, вып. 2(465), с. 18-21.

90. JI о п е с А.Д. Исследование МОП-структур квазистатическим методом. — Приборы для научных исследований, 1973, № 2, с. 47-51.

91. Банковский Ю.В., К о т к о А.П., Рябинина В.А., У д о в и ц к и й В.П. Метод обнаружения дефектов в слоях двуокиси кремния. — Электронная техника. Сер. 6. Микроэлектроника, 1970, вып.1, с.50.

92. Банковский Ю.В., Мартынов В.В. Сравнительная оценка методов обнаружения дефектов в слоях двуокиси кремния. Электронная техника. Сер. 6. Микроэлектроника, 1971, вып. 8, с. 41-46.

93. Ф о г е л ь В.А. Электрохимический метод определения пористости диэлектрических пленок, — Электронная техника. Сер.2. Полупроводиковые приборы. 1971, вып. 1 (58), с. 52.

94. Пат. 4125440 (США). Method for non-destrutive testing of semiconductor articles /G. Markovits.

95. В е s s е г P.J., М е i n h а г d J.E. Proceedings of the symposium on Manufacturing. In — Process and Measuring Techniques for Semiconductor Phoenix, AZ, March 1966, N 1, p. 66-69.

96. Д e н и с ю к В.А., Барканов Н.А., Рыбак С.К. Информативность методов контроля дефектов диэлектрических пленок на полупроводниковых пластинах. — Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством и стандартизация, 1978, вып.6/16, с. 118-123.

97. Shannon W.J. A study of Dielectric Deffect Detection by Decoration with Copper. — RCA Rev., 1970, 31, p. 431.

98. Mocloskey J.P. Electrograph method for locating pinholes in ihim255silicon dioxide films. — I. Electrochem Soc., 1967,14, N 6, p 643-645.

99. A.c. 756282 (СССР). Электролит для определения дефектов диэлектрических пленок /Т.Н. Павлов. Опубл. в Б.И., 1971, № 27/20.

100. А.с. 451005 (СССР). Электролит для определения дефектов диэлектрических пленок /И.Н. Сорокин. В. В. Петрова. Опубл. в Б.11., 1972, №27/34.

101. Синица С.П. Контроль пор и других электропроводящих дефектов диэлектрических пленок на полупроводниковых и металлических подложках. — Информационный листок № 001109. Полупроводниковые приборы, 1973.

102. Носиков С.В., Пресс Ф.П. Электрографический метод исследования слоев двуокиси и нитрида кремния. — Электронная промышленность, 1971, № 1, с. 69-73.

103. Герасимов Л.Л., Р а к о. в А.В., Смирнов Ю.П., X а л и т о в А.А. Исследование пористости пленок двуокиси кремния, полученных термическим окислением кремния. — Электронная техника, Сер. 6. Микроэлектроника, 1970, вып. 4, с. 65-69.

104. Носиков С.В., Иерусалимчик И.Г, Электрохимические процессы в электрографической системе с бромосеребряной бумагой. — Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1972, вып. 1, с. 125-129,

105. А.с. 360599 (СССР). Способ контроля дефектов слоев материалов/ А.Е. Кравцов, М.А. Резников. Опубл. в Б.И., 1972, № 27/24.

106. А.с. 693219 (СССР). Способ контроля дефектов диэлектрических пленок/А.С.Глухов, А.Р.Косоплеткин. Опубл. в Б.И. 1977, № 27/56.

107. К е е n J.M. Nondestructive optical techniques for electrically testing insulated-gate integrated circuits. — Electronic Letters, 1971, 7, N 15, p. 432-433.

108. Kp о мель Д. Обнаружение дефектов интегральных схем с помощью жидких кристаллов. -Электронная техника, 1972, Сер. 3, вып. 5, с.7.

109. Thiessen К., LeTrong Tuyen. Application of nematic liquid256crystals for investigation of p-n junctions and insulating layers. — Phys. Stat. Solid(a), 1972, v. 13, p. 73-77.

110. E b e 1 A.H., E n g e t h e H.A. Tailuri analysis of oxide defects p. 108 — 115 in 11-th Annual Proc. Reliability Physics, 19-73, — IEEE Inc. (1973).

111. Garbarino P.L., S a n d i s о n R.D. Nondestructive location of oxide breakdowns on MOSFET structures. — J. Electrochem. Soc.1973, 120, N 6, p. 894-895.

112. S a 1 v о C.Y. An improved approach to locating pinhole defects in MOS and bipolar integrated circuits using liquid crystals, 14 th ann. proc. reliab. phys. 1976, has Vegas, 1976, p. 263-274.

113. Z а к z о u к A.K., Ecclescton W., Stuart R.A. Polarity dependent oxide defects using liquid crystals. — Solid State Electronics, 1976, v. 19, N 2, p. 133-135.

114. Z а к z о u к A.K., Stuart R.A., Eccleston W. The nature of defects in silicon dioxide. — J.Electrochem. Soc.,1976, 125, N 10, p. 1551-1556.

115. Bagu D., Zakzouk A.K., Eccleston W., Stuart R.A. Thickness and field dependence of deficty in silicon dioxide. — Solid State Electronics, 1978, 21, N 5, p. 763 769.

116. Eccleston W., Bagly D.A., Zakzouk A.K., S t и a r t R.A. Electrocal conduction through silicon dioxide defects semicond character. — Tech. proc. Top Conf Character techn. semicond. materials and devices. — Seattle Wash., 1978, p. 11 — 16.

117. Zakzouk A.K. The dependence of the Si02 defect desity on both the applied electric field and the oxide thickness. — J. Electrochem. Soc., 1979, 120, N10, p. 171-179.

118. Zakzouk A.K. Time dependent MOS gate oxide defect using liquid crystals. — J. Electrochem. Soc., 1980,127, N 4, p. 932 — 936.

119. Zakzouk A.K. General model for defect formation in dioxide. — IEEE Proc., 1980,127, pt 1, N 5, p. 230-234.

120. Pataki A., Nemeth — Sallay M., LorenezyA. Simple nondestructive method of the semiconductor structures. — Proc. Int. Conf. on the Phys. and Chem Geterojunctions and Layer Structures, 5, Budapest, 1971, p. 151.

121. Кролевец K.M., Денисюк B.A., Дарцевич Ю.С., JI я щ e н к о Ю.С. Экспресс- контроль дефектов диэлектрических пленок на полу257проводниковых пластинах. — Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством и стандартизация, 1975, вып. 4/34, с. 94-99.

122. К е г n W., С о m i z z о 1 i R.B. New methods for detecting structural defects in glass passivation films. — J. Vac. Soc.Technol., 1977, v. 14, N 1, p. 3239.

123. Пат. 49-12792 (Япония). Способ выявления проколов в изолирующей пленке на полупроводниковой поверхности / Мина Киеси.

124. К е г n W., ComizzoliB. Techniques for measuring the integrity of passivation overcouts on integrated circuits. — Final Report for the Period 4/24/75 to. 4/30/76, US NBS Contract N 5-35913, p. 25.

125. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Тешев Р.Ш., Мустафаев А.Г. Способы получения тонких диэлектрических пленок для ИС. ЗЭТ вып.4, 2000г., с. 62-91

126. Thomas J.H. Transient Photodepopulation Measurements es Electron Trap Distributions in thin SiC>2 Films on Silicon. J. Appl. Phys., 1973, v.44, №2

127. Snow E.H. Fowler-Nordheim. Tunneling in Si02 Films. Sol. St. Com., 1967, v.5, №10

128. Lenztinger M., Snow E.H. Fowler-Nordheim. Tunneling into Thermally Grown Si02. J. Appl. Phys., 1969, v.40, №1

129. Crunthaner F.J., Crunthaner P.J., Livis B.F. J.Vac. Sci. Technol., 1979. v.l6.№5, p. 1443

130. Aiger F.W. New aspects of polyconductivity. Journal Mater. Society, 1966, v.l, p. 1-23

131. Hu S.M. Properties of amorphous silicon nitride Films. Journal Electro-chem. Society, 1966,113, №7, p.693-698

132. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Физикохимические свойства тонких диэлектрических пленок для ИС. ЗЭТ вып.З, 2001, с. 74-100.258

133. Верченко Н.Н., Гальчинский Л.Ю., Щеткин В.Н., Всесоюзная конференция "Физические методы исследование поверхности и диагностики материалов и элементов ВТ", тезисы докладов. Кишенев, 1986. с.66

134. Grunthaner F.J., Grunthaner D.J. Mater. Sci. Repts, 1986, v. 1, №2-3,p.65

135. Doo V.Y., Nichols D.R., Silvey G.A. Preparation and properties of Py-rolytie Silicon Nitride. J. Electrochem. Soc., 1966, v.113, №12, p. 1279-1281

136. Brown G.A., Rohinelte W.P., Garlson H.G. Electrical characteristics of Silicon Nitride Shielded Silicon Oxide Films. J. Electrochem. Soc., 1968, v. 115, №9, p. 948-955

137. Philipp H.R. Optikal Properties of Silicon Nitride. J. Electrochem. Soc., 1973, v. 120, №2, p. 295-300

138. Weinberg Z.A., Pollak R.A. Hole conduction and valence-bond structure of Si3N4 film on Si. Appl. Phys. Lett., 1975, v. 27, №4, p. 15-17

139. Bennett A.I., Roth L.M. Calculation of the Optical Properties of Amorphous SiOx Materials. Physical Rev., 1971, v. B4, №8, p. 2686-2695

140. Панькин В.Г., Шаликин В .В. Электрооптический эффект в нитриде кремния. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, вып. 8, с. 440-444

141. Tauc I. Optical Properties of Solids. Amsterdam, 1970

142. Мотт H., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., Мир, 1974

143. Stein H.I. Absorption Edge and Son Bombardment of Silicon Nitride. J. Appl. Phys., 1976, v.47, №8, p.3421-3428

144. Волгин Ю.Н., Дубровский Г.П., Зыков A.M. Исследование (3-Si3N4 методом диффузного отражения. Физика и техника полупроводников, 1970, т.4, вып. 12, с.2398-2403

145. Philipp H.R. Optical Properties of Non-Crystalline Si, SiO, Si02. J. Phys. Chem Solids, 1971, 32, №8

146. Sedgwick Т.О., Aboaf J.A., Krongell S. Dielectric Films to Ge Planar Devices. IBM J. Res. Develop., 1940, 14

147. Jida K. Effects of Bias Application on C-V Characteristics in MA(0)S Structures. Japan. J. Appl. Phys., 1973,12, №6

148. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Под ред. Р. Бургера и Р. Донована. М., "Мир", 1969, с.112.259

149. Hu S.M. J.Electrochem. Soc., v.114,1967, p.713-717

150. Коробов И.В., Кольцова Н.Г. О химических свойствах диэлектриков различного состава в системе Si02- Si3N4. Ж. Э.Т. сер. Материалы, вып.2, 1971, с.75-78.

151. Корзо В.Ф. К теории зависимости электрической прочности твердого диэлектрика от толщины. Известия вузов СССР. Физика, 1968, №5, с.138.

152. Kozunava О. Rev. Electr. Com. Let., 1969, v.17, 4-2, p.70.

153. Будкевич JI.B., Москалевский А.И., Щеткин B.H., Ярандин В.А. Э.Т. сер. 3 микроэлектроника, вып. 5, с. 175 177, 1974.

154. Robinson P.M. Use Of НС1 Gettering in Silicon Device. J. Of the Elec-trochem. Soc., 1971, v.118, №1, p.141.

155. Krieqler R.V. Neutralization of Na Ions in "HC1- Grown" Si02. Appl. Phys. Letters, 1972, v.20, №11, p.449.

156. Krieqler R.V., The Role of HC1 in Passivation of MOS Structures. Thin Solid Films, 1972, v.13, №1, p.l 1.

157. Пундур П.А., Слоцениеце Э.А. Микроэлектроника, т. 11, вып. 5, 1982, с. 463-465.172. 172.Wronski W. Phys. Stat. Sol. (a), 1979, v.53, №2, p.660.

158. Singh R.B., Balk PJ. Electrochem. Soc., 1978, v.125, №3, p.453.

159. Monkovski J., Tressler R.E., Stach J. Thin Solid Films, 1980, v.65, №2, p.l 53.

160. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Влияние излучений на МДП- структуры. ЗЭТ, 2001, №4, с81-102.

161. Rohatgi A., Butler R.S., Feige F.J. Electrochem. Soc., 1979, v. 126, №1, p.149.

162. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Технология осаждения тонких слоев нитрида кремния. Труды Дагестанского Государственного Технического Университета.В4 2001. г. с 148-192

163. М.Р. Бакланов, Л.Л. Васильева, Микроэлектроника, 1996, том 25, № 6, с. 403-416.

164. Ни S.M. J. Electrochem. Soc., 1966, v.133, №7, р.693.260

165. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш, Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Свойства окисных пленок алюминия. Симпозиум "Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах", Сочи, 2001. с 206-209.

166. Chu T.L., Szedon J.R., Lee С.Н. Solid State Electronics, 1967, v. 10, p.807.

167. Hu S.M., Keer D.R., Gregor L.V. Appl. Phys. Letters, 1967, v. 10, №3,p.97.

168. Зимин B.H., Коробов И.В., Мартынов В.П., Павлов С.П. Влияние температуры выращивания нитрида кремния на свойства структуры А1-Si3N4- Si. ЭТ, вып. 4, сер. Микроэлектроника, 1968, с. 30- 34.

169. Eldrige J.M., Ball P. Formation of Phosphosilicate Glass Films on Silicon Dioxide. Trans. Met. Sec. AIME, 1968, v.242, p.539.

170. Зайцев H.A., Стрижков Б.В. ЭТ, сер. Материалы, вып. 4, 1982, с. 41-42.

171. Мустафаев Г.А., Тешев Р.Ш., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Перестройка системы химических связей при росте окисных пленок. Кремний. Школа- 2001, с. 68- 69.

172. Zaininger К.Н., Heiman F.R. Solid State Technology, 1970, v. 13, №5,p.49.

173. Вертопрахов B.H., Кучумов Б.М., Сальман Е.Г. Строение и свойства структур Si Si02 . Новосибирск, Наука, 1981, 95 с.

174. Емельянов A.M. Ловушки для электронов в термических пленках Si02 на кремнии. Микроэлектроника, 1986, т. 15, вып. 5, 144 с.

175. Ronda A., Glachant A. Improved Surface nitridation of Si02 thin films in low ammonia pressures. Appl. Phys. Lett., 1987, v. 50,1 4, p.171-173.

176. Brotherton S.D. Electrical Properties of Gold at the Silicon Dielectric Interface. J. Appl. Phys., 1971, vol. 42,1 5, p. 2085- 2094.

177. Lamb D.R., Badcock F.R. Analysis of the Temperature Rise in MOS Diodes Caused by Ionic Migration. Int. J. Electron, 1968, vol. 24, p.l 1- 23.

178. Дулиш Л.К., Ребров B.H., Федорович Ю.В. Электронное приборостроение, изд-во "Энергия", 1968, вып. 4, 45.

179. Lehman H.S. "IBM J. Research and Development", 1964, 8, 368.

180. Seraphim D., Brennermann A. "IBM J. Research and Development", 1964,8,400.261

181. Thomas J., Joung D. "IBM J. Research and Development", 1964, 8, 386.

182. Дулиш JI.K., Федорович Ю.В. Исследование процессов зарядовой нестабильности в диэлектрических пленках, ЭТ. сер. 2 "Полупроводниковые приборы", вып. 1, 1971, с. 79- 86.

183. Lundstrom I., Svensson С. IEEE, Trans. Electron, Dev., 1972, vol.ED-19, p.826.

184. Lundkvist L., Lundstrom I., Svensson C. Solid State Electronics, 1973, vol.16, p.811.

185. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов M., Энергия, 1973.

186. Мальцев А.И., Поспелов В.В., Фукс Б.И. Микроэлектроника, 1976, т.5, №3, с.240.

187. Mott N.F. Phil. Mag, 1971, vol.24, p.911.

188. Аулас А, Праневичюс Л. Управление поверхностным зарядом на границе Si- Si02 при высокотемпературном отжиге в парах НС1. "Электронная техника", Сер. 3. "Микроэлектроника", 1973, № 6.

189. Kriegler R.I. The Role of HC1 in the Passivation of MOS Structures. "Thin Solid Films", 1972, v.13, №1, p.l 1.

190. Brotherthon S.D, Lamb D.R, Clansy I.W. Surface Change and Annealing in the Si- Si02 System. Int. J. Electron, 1971, v. 31, № 6, p.629.

191. Kriegler R.I., Cheng J.C, Colton D.R. The Effect of HC1 and Cl2 on Thermal Oxidation of Silicon. J. Electrochem. Soc, 1972, v.l 19, № 3, p.388.

192. Крымко M.M. Окисление кремния в атмосфере сухого кислорода с добавкой хлористого водорода. "Электронная техника", Сер. 2. "Полупроводниковые приборы", 1974, №8.

193. Heimann P.A. An operational definition for breakdown of thin thermal oxides of Silicon. IEEE Transactions on Electron Devices. 1983. v.ED-30, №10. p.1366-1368.

194. Lai. S, Dong D, Harstein A. Effects of ammonia anneal on electron trapping in Silicon dioxide. J. Of the Electrochemical Socicty. 1982. v. 129, №9. p.2042-24.

195. Перов Г.В, Иванцова Н.Д, Сысоев Б.И. Технологические основы получения и электрические характеристики тонких нитрированных слоев в элементах интегральных схем. ЭТ, сер. Ml.262

196. Show E.H., Grove A.S., Fitzgerald D.F., ТИИЭР, 1967, т. 55, № 7, с.53.

197. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные дефекты в ИМС.- М.: Энергоатомиздат, 1988, -256 с.

198. Gwyn C.W. J. Appl. Phys., 1969, vol. 40,1 12, p. 48 - 86.

199. Попов В.Д. , Ройзин Н.М. Микроэлектроника, 1973, т.2, № 6, с.552.

200. Козлов Б.И., Раков A.B. ЭТ. Сер. Микроэлектроника, 1971, № 8, с.68.

201. Plisken W.A., Lehman N.S. Electrochem. Soc., 1965, vol. 112, 1 10, p.1013.

202. Попов В.Д. 3 ЭТ, 1974, № 14, с. 48.

203. Фрейберг JI.А. Полупроводники и их применение в электротехнике, вып. 4, Рига, 1970, с. 137.219. 219. Grunthaner F.J., Lewis В., Zomani N., Madhukar A. IEEE Trans., 1980, v. NS - 27, 1 6, p. 1640.

204. Laughlin R.B., Joannopoulos I.D. Phys. Rev. 1980, v. B21, 1 12, p. 5733.

205. Sakurai Т., Sugano T. J. Appl. Phys. 1981, v. 52,1 4, p. 2889.

206. Proc. IEEE, 1966, v.54, №6, pp894- 895.

207. Thin Solid Films, 1972, v.9, №6, pp471-476.

208. J. Vacuum Sei. and Technol, 1969, v.6, №1, p25.

209. Collogue Int. la Microelectr., Avancee, 1970, p.667.

210. Solid State Technol., 1969, v. 12, №5, pp40-49.

211. Zaininger K., Waxman A. "Radiation resistance of A1203 MOS devices". IEEE Trans. Electron. Devices, 1969, v. ed-16, №4, pp333-338.

212. Пекарчук Т.Н., Хрумель A.K. "Радиационная стойкость МДП-структур и полупроводниковых приборов на их основе". обзоры по ЭТ, серия 2,1979, вып. 5, с.651.

213. Vanstone G. Electronics Letters, 1972, v.8, № 1, р 13.

214. Корзо В.Ф., Черняев В.Н. "Диэлектрические пленки в микроэлектронике". М. 1977, 368с.

215. Swargop В., Schaffer P.S. Conduction in Silicon Nitride and Silicon Nitride Oxide Films. - "J. Phys.", 1970, v.3, №5, p.803.263

216. Brotherton S.D., Burton P. The Influence of Nonuniformity Doped Substrates on MOS C-V Curves "Solid State Electronics", 1970, v.13, p.1591.

217. Павлов П.В., Шитова Э.В., Зорин Е.И., Генкина H.A. Кристаллизация аморфных пленок нитрида кремния при ионной бомбардировке с последующим отжигом. Кристаллография, 1973, 18, вып. 3.

218. Taff Е.А. Characterisation of Silicon Nitride Films. J. Electrochem. Soc, 1971, 118, №8.

219. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Физикохимические свойства тонких диэлектрических пленок для ИС. ЗЭТ вып.З, 2001, с.74-100.

220. Ito Т., Nozaki Т., Arakawa Н., Shinoda М. Thermally Grown Silicon Nitride Films for High performanse MNS Devices. Appl. Phys. Lett, 1978, v.32, №5, p.330-331.

221. Snow E.H., Grove A.S., Fitzgerald D.J. Effects of Ionising Radiation on Oxidired Silicon Surfaces and Planar Devices. Proc. IEEE, 1967, vol.55, *7, p.1168

222. Winokur P.S., Schwank J.R., McWhorter P.J., Dressendorfer P.V., Turpin D.C.- IEEE Trans. Nucl. Sei., 1984, v.NS-31, №6, p.1453-1460.

223. Dozier C.M., Brown D.P., Freitag R.K., Throckmorton J.L. IEEE Trans. Nucl. Sei., 1986, v.NS-33, №6, p. 1324-1329.

224. Gaitan M., Russell T.J. IEEE Trans. Nucl. Sei., 1984, v.NS-31, №6, p.1256-1260.

225. Kang J.S., Schroder D.K., Alvarez A.R.,- Sol. St. Electron., 1989, v.32, №8, p. 679-681.

226. Sexton F.W. IEEE Trans. Nucl. Sei., 1985, v.NS-32, №6, p.3975-3981.

227. Sundaresan R., Matloubian M.M., Bailey W.E. IEEE Trans. Nucl. Sei., 1986, v.NS-33, №6, p. 1223-1227.

228. Rawlings K.J., Jain S.C., Leake J.W. Sol. St. Electron., 1989, v.32, №7, p.555-562.

229. Байрамов M.A., Веденеев A.C., Ждан А.Г., Шамхалова Б.С.- Фи264зика и техника полупроводников, 1989, т.23, № 9, с.1618-1624.

230. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов. Л.: Энергия.

231. Литвиненко С.А., Литовченко В.Г., Соколов В.И. Оптоэлектрони-ка и полупроводниковая техника, 1985, № 8, с. 40-49.

232. Lai S.K. J. Appl. Phys., 1983, v.54, №5, p.2540-2546.

233. Чернышев A.A., Ведерников B.B., Галеев А.П., Горюков H.H. Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и интегральных схем. Зарубежная электронная техника, 1979, вып.5, с.З - 25.

234. Глудкин О.П., Черняев В.Н. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем-М.: Энергия, 1980.-360 с.

235. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в элементах ИМС- М.: Энергоатомиздат, 1988 180 с.

236. Чернышев A.A. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. - 256 с.

237. Костычев Г.И., Бобров А.Н. Физические модели для оценки надежности отдельных компонентов МДП ИС Микроэлектроника. Советское радио, 1974, вып.7, с. 144 - 150.

238. Вентцель Е.С. Теория вероятностей. М.: Физматгиз, 1962.-564 с.257. "Радиационно-надежностные характеристики изделий электронной техники", под редакцией Ю.Н. Торгашова. С-П., 1994, 94 с.

239. Aslam М., Singh R., Balk P. "Nature of electron and hole traps in MOS systems with poly-Si electrode". Phys. Stat. Sol., 1984, v. 84, №2, pp659-668.

240. Eernisse E. "Viscous flow of thermal Si02". Appl. Phys. Lett., 1977, v. 30, №6, pp290-293.

241. Flowers D. "Gate oxide degradation in the polysilicon doping/activation processes". J. Electrochem. Soc., 1987, v. 134, №3, pp698-702.265

242. Cheng H., Chao С., Su W. "The effect of gate electrodes using tungsten and/or polysilicon on the dielectric characteristics of very thin oxides". Sol. St. Electr., 1990, v. 33, №3, pp365-373.

243. Smalter R. "Hole trap creation in Si02 by phosphorus ion penetration of polycrystalline silicon". IEEE Trans. Nucl. Sci., 1982, v. ns-29, №6, ppl467-1470.

244. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС.- М.: Радио и связь, 1994, -164 с.

245. Демидов А.А., Калашников О.А., Агрич Ю.В. и др. Исследование радиационного поведения интегральных систем сбора данных КМОП технологии." В сб.: Радиационная стойкость электронных систем- СТОЙКОСТЬ 98.-М.: 1998, с. 117-118.

246. Artamonov A.S., Demidov А.А., Kalashnikov О.А. et al. ADC/DAC Radiation Test Technique. Proc. of RADECS, France, 1997, p. 56- 60.

247. Дейнеховская И.В., Исакина С.Г., Королев M.A. и др. Ускорение окисления кремния с использованием окисла свинца. Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 1979, вып. 6 (84), с.48- 51.

248. Гуринов А.Ю., Королев М.А. и др. Исследование ускоренного окисления кремния. Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 1982, вып. 2 (98), с.98- 99.

249. Проблемы субмикронной МОП-технологии. Экспресс информация. Электроника, 1983, №46, с.9-13.

250. Колобов Н.А., Самохвалов М.М. Диффузия и окисление полупроводников. М.: Металлургия, 1975, 454 с.

251. Угай Я.А., Миттова И.Я., Анохин В.З. и др. Окисление кремния в присутствии окислов свинца. Неорганические материалы, 1975, т. 11, №9, с. 1704- 1705.

252. Федоров Л.П., Багров В.М., Тихонов В.Н. Производство полупроводниковых приборов. Под ред. Петрова Л.А. М.: Энергия, 1979, 432 с.

253. Олевский С.С., Репко В.П. Исследование пленок Si02 методом Ожеспектроскопии. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1979, т. 15, №9,

254. Старшинов И.П.,Ерусалимчик Е.Г. О поверхности образования радиационных дефектов у поверхности кремния, покрытой пленкой диэлек266трика.Международная конференция по радиационной физике полупроводников и родственных материалов.Тблиси,1980,с.829.

255. Крапухин В.В. , Соколов И.А. , Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. М . «МИСИС» , 1995 493 с.267