автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Слоистые структуры на основе нитрида алюминия

. * "Ч "Ч • V Ч » \ * Ч • " " ч

• V- V V I V- V * Ч, --V

\ . £.« 4 . • \ - . " ч . •. . • Ч , . ^ V

V. . - \ 1: V. . - V 4: , , ^ * % V.. . - л V ^ ; ^ " Л \ *: , ;•

\,7 V/ чч V: чч Ч;; и

I ?Ч ; >»Ч ~> V'1 4 N-1

ч'Ч V ^ ч V, \:Ч Направг

\ Ч -> Ч.-Ч"''- Ч. •• "у ' ч. - Х-".-»- N лЧ* •*. ">

: Л Л у Ч' Л 5' Ч' Л --^11 'Ц

\, IV ч, Ч; • V 'ч V?

Ч"*» •*« -'Сушбйцов Николай ЙвановичI ^Ч » .

.-V. ЛЛ Ч1 тЧ-ч\-х.ч1 V Л\ X ч I • л ' 'Л

ч-Л\Л Л4.. слои^тьГе'ст^уктурьГЙА основе ,4 ,.чЧ

, х ; нитрида алюминия , * ,

" ^ ■ ■* " '' . ' * ' Ч • * \ - * '* * V . * .Г'*

"у , ■ • » » * ' V, , • * V Ч * ' • V * '

. . ■ \ • V V V - ' ч' - ■ ' V - - V

1, • ^ -.1 г, \ V \ ^ ч. , \ *,. \

Л^л -Ч-' ч А^л - г'' чЧ-'-ч „ -;-' 4• •

V V

. Специальность; 05.27'01 - Твердогельнап электрсника,^ , .*

. Микроэлектроника и наноэлектроника

'•• ; v »

"■ «А»

'ч - ' 4 . ..

автореферат

диссертации на соискание ученой степени

. ' .% V. . ' .4 ,

-. • кандидата технических наук ;

- \

Ч к . .

; ч

- ..Д. '

4; ЙошкаргОла-1998"4 ' .

Работа выполнена на кафедре конструирования и произво, радиоэлектронной аппаратуры Марийского государственного техниче университета (Республика Марий Эл, г. Йошкар-Ола).

Научный руководитель:

кандидат химических наук, ст.н.с. Белянин А.Ф.

Научный консультант:

кандидат технических наук, профессор Одинцов М.А.

Официальные оппоненты: Лауреат государственной премии,

доктор физико-математических наук, профессор Самойлович М

кандидат технических наук Беликов А.И.

Ведущая организация: Институт микроэлектроники РАН, г. Ярославль

Защита состоится 24 декабря 1998 г. в 14 часов на засе диссертационного совета К 110.02.02 в ОАО ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ" по а) 121351, Москва, ул. Ив. Франко, д.4.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ОАО Ц 'ТЕХНОМАШ".

Автореферат разослан 19 ноября 1998 г.

Отзывы просим направлять по адресу: 121351, Москва, ул. Ив. Франке ОАО ЦНИТИ "ТЕХНОМАШ", ученому секретарю диссертационного совета.

Ученый секретарь

диссертационного совета К 110.02.02 к.т.н., ст.н.с.

Сахно Э.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Нитрид алюминия привлекает внимание разработчиков и технологов в области создания микроэлектронной аппаратуры благодаря сочетанию таких свойств, как высокие теплопроводность, электрическое сопротивление, твердость, химическая и радиационная стойкость. Кроме того, нитрид алюминия является хорошим пьезоэлектриком (коэффициент электромеханической связи до 1%) и широкозонным полупроводником (ширина зшгрещенной зоны 6,2 эВ), обладающим отрицательным сродством к электрону.

Поскольку синтезировать объемные монокристаллы AIN значительных размеров (> 20 мм) технически не представляется возможным, а характеристики керамики невос-производимы и уступают монокристаллам, особое внимание уделяется выращиванию пленок A1N и созданию слоистых структур на их основе.

В настоящее время пленки A1N используют в качестве защитных, изолирующих и буферных слоев в гибридных и полупроводниковых интегральных микросхемах.

Наибольшие перспективы применения пленок нитрида алюминия связаны с его высокой теплопроводностью (> 200 Вт/м-К при комнатной температуре), пьезоэлектрическими и полупроводниковыми свойствами, которые наилучшие у пленок с высокой степенью кристалличности и упорядоченным строением кристаллической фазы. Многослойные теплоотводящие подложки, состоящие из диэлектрических слоев AIN, нанесенных на металлическую основу, позволяют в широком диапазоне температур по эффективности теплоотвода превосходить оксид бериллия и алмаз. У нитрида алюминия наивысшая среди пьезоэлектрических материалов скорость распространения поверхностных акустических волн (~6 км/с), что позволяет создавать на основе слоистых звукопроводов подложка/АМ-пленка фильтры и линии задержки СВЧ-диапазона. А стабильность его свойств в условиях воздействия высоких температур и агрессивных сред обуславливает применение слоистых звукопроводов в датчиках температуры, давления, магнитного по-тя и др. Легированные соответствующей примесью пленки A1N могут быть использованы при изготовлении высокотемпературных полупроводниковых приборов, например, преобразователей УФ-излучения в напряжение на слоистой структуре алмаз/A1N, в которой A1N, легированный цинком, - полупроводник n-типа проводимости. Пленки A1N, ;одержащие до 25 вес.% Mo, проявляют эмиссионные свойства близкие к свойствам алмаза. Кроме того, на основе пленок A1N с высоким содержанием металлической фазы юзможно создание композиционных резистивных материалов.

Наиболее перспективным методом получения пленок A1N по строению и свойст-¡ам близких к монокристаллическим является реактивное ВЧ-магнетронное распыление. Этот способ позволяет в неравновесных условиях по нетангенциальному механизму вы-

ращивать слои AIN с упорядоченным строением на подложках из кристаллических аморфных материалов при низких температурах (< 573 К).

Интерес разработчиков электронной техники к вопросам формирования и усто чивости соединений, синтезируемых в сильнонеравновесных условиях, постоянно раст в связи с необходимостью понимания процессов фазообразования и создания материал с заданными свойствами, синтез которых другими методами невозможен. При промьп ленном внедрении слоистых структур на основе пленок A1N не следует недооценива значение фундаментальных исследований, ключевая роль в которых, наряду с физика* химиками и материаловедами, должна принадлежать и технологам. Весьма важным hbj ется установление взаимосвязи между технологией выращивания пленок A1N и изме! нием их строения и свойств. Следует понять необходимость исследований состава строения выращенных пленок. Для этой цели наиболее подходящими являются мето, рентгеновской и электронной дифракции, электронной микроскопии, оже-электронн спектроскопии и др.

Диссертация посвящена разработке методов и средств выращивания пленок Alf1 заданными составом, строением и свойствами; установлению взаимосвязи между па] метрами процесса, конструкцией магнетронной распылительной системы и свойства выращиваемых пленок; использованию этих пленок в устройствах микроэлектрони что является актуальной проблемой.

Цель работы.

Исследование процесса выращивания на подложках различных материалов сл< AÎN с упорядоченным строением и заданным составом; использование слоистых стр тур на основе пленох A1N в устройствах акусто- и микроэлектроники.

Поставленная цель достигнута:

- разработкой конструкции магнетронной распылительной системы;

- изучением влияния технологических факторов на строение и свойства (элект проводность, теплопроводность, пьезоэлектрические характеристики) пленок A1N;

- оптимизацией технологического процесса создания слоистых структур на осн пленок A1N;

- исследованием процесса введения примесей металлов (Си, Mo, Sm, Eu, Er, и др.) в пленки A1N при их выращивании и изучением состава, строения и свойств (3J тропроводность и катодолюминесценция) пленок;

- использованием пленок A1N в качестве пьезоэлектрического слоя слоистого : копровода, диэлектрического и теплоотводящего слоя многослойных теплоотводя1 подложек;

- разработкой технологии изготовления и испытанием линий задержки, датчиков :мпературы на поверхностных акустических волнах и теплоотводящих подложек на ос-)ве слоистых структур.

Научная новизна.

1. Предложена методика ВЧ-магнетронного распыления, позволяющая опраничить ¡ласть горения и обеспечить стабильность ВЧ-разряда.

2. Исследовано влияние технологических параметров и факторов (ВЧ-мощности, мпературы и материала подложки, давления газа, расположения подложки относитель-\ мишени, состава мишени, времени осаждения) на состав, строение и свойства полу-емых пленок. Оптимизирован процесс получения слоистых структур на основе пленок

:n.

3. Предложен способ создания электрического смещения на подложкодержателе. эказано влияние смещения на обратное распыление и на строение выращиваемых пле-•к AIN.

4. Получена экспериментальная зависимость состава, строения и свойств пленок N от вводимых примесей металлов.

5. Показана возможность управления условиями распространения поверхностных устических волн в многослойной структуре GcbGasOij/tY.Bi^Fe.Ga^Ou/AlN за счет ешнего магнитного поля.

6. Впервые A1N использован в качестве теплоотводящего и диэлектрического слоя югослойных теплоотводящих подложек.

Достоверность экспериментальных результатов обеспечивается использовани-: современных методов и техники физического эксперимента, таких как:

- просвечивающая и растровая электронная микроскопия;

- электронография;

- рентгеновская днфрактометрия и топография;

- рентгеноспектральный анализ;

- оже-электронная спектроскопия;

- инверсионная волътамперометрия.

Представленные в диссертации исследования выполнены в соответствии с плана-[ научно-исследовательских работ Марийского государственного технического универ-тета, а также по темам и договорам в области фундаментальных и прикладных иссле-ваний с Физико-техническим институтом РАН им. А.Ф.Иоффе (г. Санкт-Петербург), нкт-Петербургским государственным электротехническим университетом, НИИ АДАР" (НПО "Гранит", г. Санкт-Петербург) и др.

На защиту выносятся:

1. Конструктивно-технологические решения применения ВЧ-магнетронного ра пиления для выращивания пленок A1N и введения примесей в процессе их выращивать

2. Результаты экспериментальных исследований влияния условий осаждения i состав, строение, электрофизические свойства пленок A1N и характеристики слоисть структур на их основе.

3. Результаты испытаний линий задержки и датчиков температуры на поверхнос ных акустических волнах и теплоотводящих подложек на основе слоистых структур i слоем A1N.

Практическая ценность работы

На основе проведенных исследований была разработана и реализована метода доработки серийного вакуумного оборудования, на котором выращивались слои A1N упорядоченным строением, стабильными характеристиками и с примесями металлов формируемом слое.

С использованием слоистых структур подложка/АМ-пленка разработаны, изготс лены и испытаны:

- датчики температуры на основе линий задержки на поверхностных акустическ волнах с чувствительностью > 10"4 К"1;

- теплоотводящие подложки, превосходящие характеристики подложек из ВеО W/алмаз.

Внедрение результатов работы

Материалы диссертационной работы использованы в следующих организациях:

1. Физико-технический институт РАН им. А.Ф.Иоффе (г. Санкт-Петербург) - i пользование конструкции магнетронной распылительной системы и методики реактив! го ВЧ-магнетронного распыления для выращивания пленок A1N и GaN с целью их iq менения для изготовления полевых транзисторов со скрытым р-п затвором.

2. Центр технологий микроэлектроники (г. Санкт-Петербург) - использование т нологии получения пленок A1N ВЧ-магнетронным распылением для формирования щитных и изолирующих покрытий.

3. Закрытое акционерное общество Центр новых технологий "ОПТРОН" (г. Mo ва) - использование установки КАТОД-1М, модернизированной с целью уменыпе! содержания примесей, возникающих от распыления элементов крепления мишени маг трона при выращивании пленок A1N.

4. Научно-производственная фирма "МИКРОС" (г. Москва) - использование бл питания при модернизации установки SCM 650 фирмы ALCATEL.

5. Акционерное общество закрытого типа "ТЕХНОМАП" (г. Москва) - использо-!ание в установке УВН-75Р-3 специально разработанных ВЧ-генератора и планарного 1агнетрона для выращивания пленок A1N.

6. Государственное предприятие Учебно-научно-производственный центр ПОИСК" (г. Йошкар-Ола) - использование разработанных магнетронов в установках /РМ 3.279.014 и УРМ 3.279.036 для выращивания пленок A1N.

7. Марийский государственный технический университет (г. Йошкар-Ола) - ис-юльзование специально созданной для выращивания пленок A1N экспериментальной становки ВЧ-магнетронного распьшения в учебном процессе.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на научной :онференции МарПИ, Йошкар-Ола (1987); 4 Всесоюзной,научно-технической конференции "Вакуумные покрытия 87", Рига (1987); 2 Всесоюзной научно-технической конфе-1енции "Технология и конструирование ГИС и вопросы их производства", Ярославль 1988); Всесоюзном научно-техническом совещании "Микроэлектронные датчики", Уль-новск (1988); научно-технической конференции "Низкотемпературные технологические гроцессы в электронике", Ижевск (1990); 1 Всесоюзном межотраслевом совещании Применение различных методов распьшения для выращивания toiпагх пленок", Йошкар-)ла (1990); IV Всесоюзной конференции "Актуальные проблемы получения и примене-[ия сегнето-, пьезо-, пироэлектриков и родственных им материалов", Москва (1991); на-чно-техническом совещании "Физико-химические процессы в технологии производства адио- и микроэлектронной аппаратуры", Челябинск (1991); II-IX Международных сим-юзиумах "Тонкие пленки в электронике": Ижевск (1991), Йошкар-Ола (1992, 1994, 1996), 'лан-Удэ (1993), Херсон, Украина (1995), Харьков, Украина (1997), Иваново (1998); 1 Межрегиональной школе-семинаре "Устройства акустоэлектроники", Пенза (1992); Международной научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика", еленоград (1993); Республиканской научно-методической конференции "Прикладные :сследования в электронике и новые технологии обучения студентов", Йошкар-Ола 1996); 3 и 4 Российских конференциях "Высокие технологии в промышленности Рос-ии", Москва (1997, 1998); Международной конференции "Алмазы в технике и электро-ике", Москва (1998); 2 Международном симпозиуме "Вакуумные технологии и оборудо-ание", Харьков, Украина (1998).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 30 печатных работ, включающих 18 статей и 12 тезисов докладов.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы из 69 наименований. Работа содержит 198 страниц основного текста, включающих 47 таб-иц и 67 рисунков.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении дан краткий обзор наиболее перспективных и ближайших примене ний пленок A1N в промышленности, науке и технике. Показана актуальность разработо] технологий создания слоистых структур на основе пленок A1N.

Сформулированы цель работы, пути ее реализации, перечислены основные выно симые на защиту положения, показана научная новизна, практическая ценность, пред ставлены результаты внедрения разработанного оборудования и технологических про цессов для выращивания и введения примесей в процессе выращивания пленок A1N, ; также результаты создания и испытания устройств микро- и акустоэлектроники на осно ве пленок A1N.

В первой главе рассмотрены физико-химические свойства нитрида алюминия, ол ределяющие перспекгивы его внедрения в устройствах микро- и акустоэлекгрониы: Представлены конструкции и характеристики фильтров, линий задержки и конвольверо с использованием слоистых звукопроводов подложка/AlN-плекка.

Рассмотрены параметры устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ для слоистых структур подложка/AIN/ВШП (ВШП - встречно-штыревой преобразовг тель) и подложка/ВШП/AIN. Рассмотрены устройства с применением закорачивающег электрода из Al: подложка/Al/AlN/ВШП и подложка/ВШП/AlN/Al. Представлены сравш тельные характеристики преобразователей на ПАВ на основе: слоистых структур C1-AI2O3/AIN и плавленый кварц/Таг05; монокристаллических пьезоэлекгриков - SiO ZnO, LÍNÍ1O3, ЫТаОз, Bil2Ge02o и др. Представлены зависимости скорости релеевско ПАВ (VR), коэффициента электромеханической связи (к2) и температурного коэффицие» та частоты от толщины пленки AIN (h). слоистых звукопроводс a-AI2O3 {ООО 1} /A1N {ООО 1}, a-Al203(01Ï2)/AlN(ll 220), KHC/A1N{0001} (КНС (X-AI2O3/SÍ - кремний на сапфире), KHC/A1N(1120), Si{110}/A1N(1120 Si{001}/A1N(1120), Si{110}/A1N{0001} и Si{lll}/A1N{0001}.

Показана перспектива использования слоистого звукопровода алмаз/AlN, обл дающего среди известных материалов наивысшей скоростью распространения ПА (Vr > 9 км/с), при создании устройств на ПАВ СВЧ-диапазона (> 1 ГГц). Рассмотри применение в СВЧ-устройствах на ПАВ слоистых структур а-АДОз/АЩгпО), плавл ный кварц/AlN(ZnO) и других, а также структур: подложка/AlN/ZnO и подло) ка/ZnO/AlN.

Рассмотрены возможности применения AIN в качестве диэлектрика многослойнь теплоотводящих подложек \У(81)/алмаз и Cu/A1N.

Рассмотрены различные методы формирования пленок A1N: химическое осажден: из паровой фазы, реактивное испарение и распыление Al в азотсодержащей газовой ср

де, ионная имплантация азота в Al и др. Представлены конструктивные особенности оборудования, используемого для осуществления указанных процессов.

Показано преимущество применения ВЧ-магнетронного реактивного распыления для выращивания пленок A1N и других алмазоподобных материалов с упорядоченным строением кристаллической фазы.

Рассмотрены конструкции магнетронов, разработанных и используемых для выращивания пленок A1N на подложках из кристаллических и аморфных материалов. Рассмотрены конструктивные особенности оборудования, методы и условия легирования пленок A1N в процессе их выращивания.

Рассмотрено влияние параметров процесса осаждения на строение и свойства пленок AIN. Показано проявление нормального (нетангенциального) роста при магнетрон-ном распылении и применении неориентирующих подложек из аморфных и поликристаллических материалов. Представлены данные по ориентированию кристаллической фазы пленок алмазоподобных и других материалов, выращиваемых методами распыления и вакуумного испарения на подложках из аморфных и кристаллических материалов. Приведенные данные укладываются в закономерности, характерные для нормального роста.

На основе результатов аналитического обзора обосновываются: выбор ВЧ-магнетронного распыления для выращивания и легирования в процессе выращивания пленок A1N; направления и пути получения пленок A1N с требуемыми составом, строением и свойствами, необходимыми для создания линий задержки и датчиков температуры на ПАВ и теплоотводящих подложек.

Во второй главе рассмотрены конструктивные особенности оборудования, использованного в работе для выращивания и введения примесей в процессе выращивания пленок A1N.

Экспериментальное оборудование. Выращивание пленок A1N проводилось на следующих установках: УРМ 3.279.014, модернизированной за счет размещения в вакуумной камере специально сконструированного планарного магнетрона с размером мишени 100 х 120 мм; УРМ 3.279.036 - установлено два планарных магнетрона с размером мишени 288 х 80 мм; УВН-71Р-3 - установлено три планарных магнетрона с диаметром мишени 90 мм.

Разработанная магнетронная распылительная система (рис. 1) отличается от используемых доя осаждения пленок A1N следующими элементами:

а) Введен экран подложкодержателя, отделяющий магнетрон и поддожкодержа-тель от остальной части вакуумной камеры и предназначенный для ограничения области горения и стабилизации ВЧ-разряда.

б) Введена схема подачи электрического смещения на подложкодержатель, позв ляющая управлять напряжением смещения в зависимости от соотношения ВЧ-мощнос: и мощности постоянного тока, подводимых к мишени.

Рабочая газовая смесь Аг + N2 подавалась в распылительную камеру непосредс венно в область ВЧ-разряда, ограниченную экраном подложкодержателя. Использовал! ВЧ-генератор мощностью 1 кВт (рабочая частота 13,56 МГц). Магнитная система бы. собрана из кобальт-самариевых магнитов КС-37. Величина магнитной индукции соста ляла: на поверхности мишени - 0,1 Тл; в области подложки - 5-7 мТл. Подложки в пр цессе выращивания пленки были неподвижны относительно распыляемой мишени.

Вакуумная камера Магнетрон А1-мишень Экран магнетрона

Заслонка

Подложкодбржате.

Подложка

"7 ** Нагреватель

Ч Экран

пoдлoжкoдepжaтeJ

Смеситель

Натекатель Ротаметр.

Система подачи газа Система откачки

Рис. 1. Схема модернизированной установки УРМ 3.279.014

Конструктивные особенности мишеней, использованных для введения mci . лов в пленки AIN. Для получения композиционных пленок на основе A1N применял! литые, керамические и составные мишени. Литые металлические мишени, изготовлени сплавлением компонентов, имели состав: 95-99,5 вес.% А1 + 0,5-5 вес.% Eu (Er, Sm). 1 рамические мишени были изготовлены горячим прессованием смеси порошк 69,8-89,8 вес.% AJN; lfr-ЗО вес.% А1, 0,2-5 вес.% SmF3 (EuF3, Eu203, TbF3, ErF3). Coc

ые мишени состояли из основы - А1 и вставки из металла - источника примеси: Си, Zn, d, Y, Gd, Tb, Dy, Ho, Zr, Si, Mo, Cr, W и др. Возможно использование в виде вставки цновременно нескольких металлов. В составных мишенях вставка металла - источника римеси занимала до 0,5% площади области распыления А1-мишени. Использовали Al и еталлы - источники примеси чистотой 99,99%; фториды и оксиды - марки ХЧ.

В третьей главе представлены результаты исследования влияния условий осажде-ия на строение и свойства пленок A1N.

Строение пленок A1N. При выращивании пленок A1N методом ВЧ-магнетронного аспыления происходит формирование однокомпонентной текстуры прокатки <0001>, ри этом на рентгеновских дифрактограммах (ДРОН-ЗМ, Си к^-излучение) пленок A1N, в [ироком диапазоне параметров процесса выращивания, имеются только отражения )00n) A1N (пространственная группа Рб^шс, параметры кристаллической решетки = 0,31114 нм, с = 0,49792 нм). На рентгенограммах пленок, полученных при тех же ус-эвиях распылением составных, литых или керамических мишеней, выявлены отражения 1010), (0002), (10 f 1) и (1120) A1N. При некоторых условиях осаждения пленок A1N без римесей установлено текстурирование кристаллической фазы по <101 0> и <112 0>.

Анализ интенсивностей отражений на рентгенограммах пленок A1N, выращенных титаксиально и методом ВЧ-магнетронного распыления, показал, что пленки, выращен-ые распылением, содержат рентгеноаморфную фазу, состоящую по результатам оже-тектронной спектроскопии (растровый электронный микроскоп с оже-электронным икроанализатором BS-350) из азота и алюминия (1:1). Степень кристалличности пленок 1N (содержание кристаллической фазы в объеме пленки) в зависимости от условий про-гдения процесса осаждения изменялась от 0 (аморфные пленки) до 100%.

Ростовая поверхность пленки AIN

Скол пленки AIN

Рис. 2. Строение ростовой поверхности и скола пленки A1N, выращенной на подложке из сх-АЬ03(01 12)

Сформированные ВЧ-магнетронным распылением пленки A1N имели волокнист (столбчатое) строение (рис. 2) с ориентированием волокон по <0001>, соответствующе направлению оси текстуры. Аморфная фаза пленок A1N заполняет промежуток меж волокнами.

Кристаллическая фаза пленок AIN характеризуется упорядоченным рас но ложе! ем кристаллитов, поэтому электронограммы (электронограф ЭГ-100 и просвечивают электро1Шый микроскоп JEM-200CX), полученные от пленок, имели точечный xapaKi (рис. 3).

Рис.3. Электронограммы Рис.4. Рентгеновские то

тронного пучка: а)[14 50],б)[ЮТ0]

Пленки A1N, выращенные распылением литых, составных или керамических i шеней, помимо аморфной и кристаллической фаз A1N содержали другие фазы. О; электронной спектроскопией пленок нитрида алюминия с введенной медью (A1N(G выращенных распылением составных мишеней (А1 + Си), установлено наличие амо] ных фаз Си и Cu3N.

Концентрацию Си в аморфной и кристаллической фазах пленки A1N о предел методом инверсионной вольтамперометрии (вольтамперометрическая сис-л СВА-1БМ), основанном на регистрации зависимости тока рабочего электрода от при женного напряжения. Применение данного метода для определения концентрации п меси Си стало возможным благодаря растворимости аморфной фазы пленок A1N в ки щей воде.

пленки A1N, выращенной на подложке а-А1203{0001}. Направление падения элек-

пограммы подложек а-АЬОз с пленками A1N толщиной: а) 0,6 мкм; б) 4,7 мкм

Экспериментально установленное методом инверсионной вольтамперометрии со-гржание Си в пленке АШ, выращенной распылением составной мишени (А1 + Си) с тощадью Си-вставки на поверхности области распыления мишени 0,1%, составляет 5,38 вес%. Содержание меди по результатам анализа аморфной фазы А1Ы составляет 72 вес.%. Содержание меди, вошедшей в кристаллическую фазу АШ, а также меди, вы-авшей в виде металла но границам волокон составляло 15,66 вес.%. Основная доля при-эдится на металлическую медь, которая находится в аморфном состоянии, и аморфный и3Ы.

При анализе пленок А!М(Мо), сформированных распылением составных мишеней М I- Мо), по форме сигналов от Мо на оже-электронных спектрах установлено наличие пленке металлического Мо. Помимо отражений от АШ на рентгенограммах пленок, эдержащих более 20 вес.% Мо, наблюдалось отражение (200) МозК (межплоскостное зсстояние - 0,2022 им). Таким образом, полученные пленки состояли из кристалличе-ких и аморфных фаз АШ' и Mo2N, а также аморфного Мо. Степень кристалличности ленок не превышала 15 об.%. Концентрацию Мо в пленках АШ определяли методом иектронно-зондового рентгеноспектрального анализа (установка САМЕВАХ).

Высокая концентрация Мо и Си в пленках АВД(Мо) и АШ(Си), получаемых распы-ением составных мишеней (А1 + Мо) и (А1 + Си) с площадью вставки металла на по-ерхности области распыления -0,1-0,5% объясняется главным образом испарением Мо Си.

Периоды решетки кристаллической фазы пленки АШ(Мо) (концентрация кристал-нческой фазы ~12 об.%), содержащей Мо до ~5 вес.%, составляют: а = 0,30815 нм; = 0,49206 нм; а кристаллической фазы нпенок АШ(Мо) (концентрация кристаллической )азы < 7 об.%), содержащих Мо 5-20 вес.% - а = 0,31222 нм; с = 0,50339 нм. Очевидно [ри концентрации Мо до ~5 вес.% определяющими точечными дефектами кристалличекой фазы АШ являются атомы молибдена на месте алюминия; при концентрации Мо -20 вес.% основные точечные дефекты - междоузельный молибден. Это согласуется с еличинами атомных радиусов А1, N и Мо.

С ростом толщины пленок АШ имело место увеличение механических напряжений ю некоторого критического значения, после достижения которого происходило отслаи-:ание пленки. Отслаивание пленки контролировали по контрасту рентгеновских топорами, полученных методом Фудживара (установка МАРС-1, Мо ¡^-излучение) с дефор-«ированных наращенной пленкой монокристаллических подложек а-Л12О)(0112) рис. 4).

Исследовалось влияние ВЧ-мощности (ШПч), давления газовой смеси Аг + 38 об.% (Р), температуры подложки (Тп), величины постоянного тока, подаваемой на мишень, )асстояния мишень-подложка (Нм-п)> времени осаждения (0, места расположения под-южки относительно мишени и материала подложки на степень кристалличности (1), па-

раметр кристаллической решетки по оси Z (С), размер областей когерентного рассеяш (D), ориентирование оси текстуры относительно нормали к поверхности подложки (у разориентацию зерен относительно оси текстуры (ст). На рис. 5 представлены зависим! сти строения пленок A1N от Р, t и Тц.

Рис. 5. Зависимость степени кристалличности и строения кристаллической фазы пленок AIN от: а) давления газовой смеси; б) времени осаждения; в) температуры подложки

В диссертации рассмотрено влияние электрического смещения на подложкодерж теле на обратное распыление пленок A1N в процессе их выращивания, что увеличива. их степень кристалличности и уменьшало разориентацию зерен.

Исследовано влияние на степень кристалличности и строение кристаллической ф зы пленок A1N подложек таких материалов, как: GaSb(p-Tim), InP(Sn)(n-THn), GaAs(n-rai а-А1203{0001}, а-А12Оз(ОП2), Si{100}, Gd3Ga3012/(Y,Bi)3(Fe,Ga)5012{10C Gd,Ga50]2/(Y,Bi)3(Fe,Ga)50i2Î 111}, Gd3Ga50i2{lll}, поликор (поликристаллическ: a-Al203), поликристаллический алмаз, ситалл СТ-38, ситалл СТ-50, стекло ВВС, сте ло К-8, стекло/ïnSnOx и др.

Результаты анализа строения пленок A1N, выращенных на ряде подложек ir WB4 = 800 Вт; Р = 0,9 Па; Тп = 733 К; Нм.п = 100 мм, представлены в таблице 1.

Таблица 1

Влияние материала подложки на строение пленок A1N

Подложка Толщтаа пленки AIN h, мкм Параметры, характеризующие строение пленки A1N

],% D, нм \\>, град а, град С, нм

Si{100), Тп = 473 К 2,1 14 42 0,5 2,5 0,4987

Si{100}, Т„ = 603 К 2,0 37 35 0,6 2,1 0,4987

Si{100}, Тп = 723 К 2,1 39 39 0,6 2,2 0,4987

a-AbCMOOOl) 2,0 95 58 0 0,9 0,4996

Поликор 2,1 34 38 0,6 2,6 0,4988

Поликристаллический 2,0 32 39 0,6 2,2 0,4988

алмаз

Ситалл СТ-50 2,3 28 45 0.6 2,3 0,4988

Стекло К-8 2,0 31 44 0,8 2,5 0,4993

Планирование эксперимента при оптимизации технологического процесса ыращивания пленок A/N. В качестве входных оптимизируемых параметров были вы-раны давление, температура подложки и время осаждения (Р, t, Тп). Выходной характе-истикой (откликом) выбрали степень кристалличности пленки A1N. Для описания тех-ологических процессов получения пленок наиболее подходящими являются математи-еские модели второго порядка, поэтому в качестве плана эксперимента применили рентабельный центральный композиционный план (РЦКП). Количество экспериментов ля трехфакторного РКЦП равно 20. Результаты эксперимента были обработаны с при-енением ЭВМ. Уравнение регрессии имело следующий вид:

' = 38,12 - 0.93Х, + 6,62Х2 + 3,07Х3- 0,25Х,Х2 + Х,Х3- 2,25Х2Х3 + 0,23Х,2 + 2,71Х22+ 2,89Х32, где X|, X;, Хз - нормированные значения параметров Р, t, Тп соответственно. После проверки значимости коэффициентов регрессии данное уравнение приобре-о вид:

Y = 38,12 + 6,62X2 + 3,07Хз - 2,25Х2Хз+ 2,71Х22+ 2,89Х32, Проверка полученной математической модели показала, что модель с вероятно-гью 95% можно считать адекватной.

Давление в исследуемом диапазоне не влияет на степень кристалличности. Влия-ие времени осаждения и температуры подложки представлено на рис. 6.

/1

fl 60-81

040-6(

□ 20-41

100

J,%

80-J

ТП1 к

60 H

773

40

733

201

0

)jf.-f-f.-+-f. 613

20 30 40 50 60

t, мин.

Рис. 6. Диаграмма зависимости степени кристалличности от температуры подложки и времени осаждения пленок A1N

Свойства легированных пленок AiN. Кагодолюминссценция. Условия получ ния существенно влияли на спектры катодолюминесценции (КЛ) пленок A1N, легирова ных редкоземельными элементами (РЗЭ): Sm, Tb, Eu или Er.

Пленки AIN, выращенные при более низких температурах подложек, имели ма симальную яркость спектров КЛ. Наиболее воспроизводимые результаты были получа при температуре подложки -473 К у пленок A1N, полученных распылением керамич ских мишеней, содержащих фториды РЗЭ (SmF3, EuF3, TbF3, ErF3). На рис. 7 представл ны спектры КЛ этих пленок. Помимо полосы, обусловленной РЗЭ, на всех спектрах i блюдается широкая полоса самоактивирования с максимумом при 380 нм, связашш наличием в пленках кислорода. Концентрация кислорода в пленках A1N. полученш распылением керамических мишеней, составляла 0,5-0,8 ат.%. Яркость полосы самог тивации была значительно меньше, чем яркость эмиссии, связанной с присутствием РЗ'

Вид спектра КЛ и его яркость зависят также от состояния РЗЭ в мишени (находа ся он в виде химического элемента или в виде соединения). Пики, наблюдаемые на сш трах КЛ пленок AlN(Eu) (концентрация Eu - 0,5 ат.%), выращенных с использовани литых Al(Eu) и керамических, содержащих EuFi или EU2O3, мишеней с одинаковой кс центрацией европия, были различны.

S

~CTe«no/!nSnCyAIN(Tb)

S

CTewio/lnSnOx/AIN(Sm) Стекло/fnSnOx/AINiEu)

300 400 500 600 700

Длина волны, нм

Рис. 7. Спектры катодолюминесценции пленок A1N, легированных редкоземельными элементами до 0,5 ат.%

Пики эмиссии с максимумами при 695 и 536 нм наблюдали на спектрах KJI пленок IN(Eu) до и после отжига в NH3. Вид спектров и яркость пленок AlN(Eu), полученных аспылением керамических мишеней, содержащих EU2O3 и EUF3, были одинаковы. После пкига пленок AlN(F.u) в NH3 (105 Па) при температуре > 973 К вид спекгров KJ1 пленок JN(Eu), полученных распылением керамических мишеней AlN(EuF)), изменяется.

Состояние РЗЭ в мишенях влияет на вид спектров KJ1 пленок A1N, легированных ругими элементами. Пленки AlN(Er) и AlN(Sm) были получены распылением мишеней, зготовленных из сплавов А1(Ег) и Al(Sm). Пленки А1(Ег) и Al(Sm) были также получены аспылением керамических мишеней AlN(ErF3) и AlN(SmFj). Результаты исследований оказали, что вхождение РЗЭ в решетку A1N приводит к проявлению эмиссионных ли-ий, характерных для ионов Sm, Eu, Tb и Ег в трехвалентном состоянии.

Электропроводность. Рассмотрены температурные зависимости сопротивления ленок AlN(Cu) и AlN(Mo), выращенных на подложках из плавленого кварца. На рис. 8 редставлены результаты измерений, где R - электрическое сопротивление пленки A1N ри данной температуре, RmK - наибольшее сопротивление пленки в сравниваемом ряду. Сопротивление измеряли между контактными площадками из Ni-Cr/Cu, нанесенными [агнетронным распылением сплава Ni-Cr и меди. С увеличением температуры сопротив-ение пленок падает, что характерно для прыжкового или полупроводникового механиз-юв проводимости.

Л— Rn«, = 444,0 кОм • — Rm»x= 164,70м

• — Rrn«= 14,2 МОм О — Rmax = 2,9 МОм

® • АД

л а •,

л

AIN (Mo)

«

у---

Пл. кварц

1.0 0.80.60.40.2

310

д — R™,= 16,0 МОм • — Rm«= 15,7 МОм о — Rm«= 14,7 МОм

—I—

350

«о

AIN (Mo) / S

Пл. кварц

390 т, к

®

310

350

390 Т. К

es

1.0 0.80.60.40.2

у.---

Пл. кварц

д'д»

310

350

390 Т, К

Рис. 8. Температурные зависимости продольного и объемного сопротивления пленок A1N с различным содержанием Mo и Си

Для пленок AlN(Mo) толщиной ~2 мкм, выращенных на подложках из плавлено кварца, были измерены температурные зависимости продольной проводимости G-(l/T интервале температур 300-700 К.

Значительное увеличение удельной проводимости (G = Go/h) было обнаруже лишь при введении в цленку A1N более 20 вес.% Mo, когда проводимость возрастала п комнатной температуре (Тком) с ~10'15 Om''-см"1 (нелегированные пленки A1N) ЮМО"4 Ом-1 •см' (пленки AlN(Mo)). Зависимости Gq(1/T) спрямляются в аррениусов!

»ординатах. Определенные величины активации проводимости (Е) пленок А1Ы(Мо) шщиной 2 мкм представлены в таблице 2.

Таблица 2

Проводимость пленок А1М(Мо)

Концентрация Mo, вес.% GD(T„M), Ом"1 СНТ™), Ом'-см"1 Е, эВ

21 1-Ю"7 5-Ю-4 0,25

23 1,2-10"6 6-Ю3 0,22

25 8-10"6 4-10"2 0,20

5 МО12 5-10"' 0,33 (300-550 К) 0,68 (>550 К)

Высокие значения концентрации Mo в проводящих пленках AIN, а также перемен-1я величина энергии активации, возрастающая по мере увеличения проводимости, сви-гтельствуют не об истинном легировании пленок AIN, а о проявлении островковой про->димости, которая обеспечивает перенос носителей тока между включениями Mo и Io2N с высокой электрической проводимостью (1,73-Ю5 Om''-см'1 и 2-Ю"3 Ом"'-см"1 соот-:тственно) в диэлектрической матрице.

В четвертой главе представлены результаты использования слоистых структур на ;нове пленок A1N в устройствах на поверхностных акустических волнах и в качестве :плоотводящих подложек.

Линия задержки. Акустоэлектронные характеристики выращиваемых пленок A1N хледовались с помощью тестовых линий задержки (JI3) на ПАВ. На слоистом звуко-роводе подложка/А1К-пленка формировали несколько многослойных преобразователей АВ Cr/AlN/ВШП. Слой Сг наносился непосредственно на подложку под слоем A1N и ШП для повышения эффективности преобразования при малых (до 4 мкм) толщинах пенки A1N. ВШП изготавливались фотолитографией методом контактной печати] Изме-шись следующие характеристики: вносимые потери в несогласованном режиме (А), разная частота (f) и скорость распространения ПАВ (VR).

В работе рассмотрено влияние приведенной толщины пленки AIN (2jchJk, le X— длина релеевской ПАВ) на Vr для различных слоистых звукопроводов (рис. 9).

Было исследовано влияние материала подложек и параметров кристаллической фа-j пленок A1N толщиной 2 мкм слоистого звукопровода на частоту обработки сигнала и несенные потери JI3 на ПАВ с ВШП из А1, которые имели 20 пар электродов шириной и вором между ними 20 мкм, апертурой 3 мм и расстоянием между ВШП 5 мм (табли-а 3). Пленки выращены при следующих условиях: Wbh = 800 Вт; Р = 0,9 Па; Тп = 733 К; м-п = 100 мм.

В диссертации рассмотрены характеристики линий задержки на ПАВ со слоис ми звуконроводами, обеспечивающими рабочие частоты в диапазоне 40-1500 МГц.

Таблш

Влияние строения пленок A1N, выращенных на различных подложках, на рабочую частоту и вносимые потери линий задержки

Слоистый звукопровод Параметры, характеризующие строение пленки A1N Параметры ЛЗ, с< мированных на f личных звукопров

J,% D,hm о, град С, нм f, МГц A, j

Полихор/ A1N{0001} Si {100}/AIN (0001) Стекло K-8/AlN{0001} Ситапл CT-50/AIN{0001} СигаллСТ-38/AIN {0001} Gd3Ga,012 {111 }/AlN {000 !} Gd3Ga,0,j/ (Y,Bi)3(Fe,Ga)j()i/AlN{0001} а-А1203(0001)/AlN {0001} Si/поликриспшлический алмаз/АШ{0001} 34 40 59 51 28 35 26 95 34 38 44 63 44 45 51 66 58 38 2,6 3.2 2,2 2,4 2.3 3.4 2,1 0,9 2,7 0,4988 0,4860 0.4995 0,4984 0,4988 0,4987 0,4991 0,4996 0,4988 72.3 63,8 40.5 54.4 54,0 41.6 42,0 71,0 114,6 4! 3i 3< 31 4( 4< з: 41

Датчики температуры. На основе ЛЗ на ПАВ созданы опытные образцы датч» температуры. Линия задержки на ПАВ включается в цепь обратной связи ВЧ-усилите коэффициентом усиления большим, чем потери в ЛЗ. Таким образом, получается ген тор, работающий на основной частоте ЛЗ. Изменение параметров окружающей ср приводит к изменению частоты генератора, которое фиксируется преобразователем тота-код или частотомером.

Рис. 9. Зависимость скорости поверх- Рис. 10. Зависимость частоты геш

ностных акустических волн от толщины ратора на поверхностных акустич(

пленок A1N слоистых звукопроводов ских волнах от температуры

Конструкция ЛЗ представлена на рис. 10. В качестве звукопровода использовали

)дложки из стекла и ситалла с пленкой A1N и ВШП с различной топологией. JI3 уста-

шливали специально разработанный керамический корпус на основе А120з, работаю-

ий на частоте до 500 МГц. Характеристики датчиков представлены в таблице 4.

Таблица 4

Характеристики датчиков температуры ПАВ

Подложка Рабочая частота, МГц Чувствительность, кГц/К Температурный коэффициент частоты, 1/К

Стекло ВВС 40 -2 -5-10"5

Стекло ВВС 80 -4 -510"5

Ситалл СТ-50 41 -0.5 -1,210"5

Ситалл СТ-50 82 -1 -1,210'5

Нелинейность температурного коэффициента частоты на стеклянных подложках лла менее 1%, а разброс параметров от подложки к подложке приводил к необходимо-•и тестирования каждого датчика.

Пленки A1N в иагнитоуправляемых устройствах па ПАВ. Для исследования |)фекта взаимодействия ПАВ с доменными границами в магнитной пленке применяли 3 на основе трехслойного звукопровода Gd1Ga50|2/(Y,Bi)3(Fe,Ga)50i2/AlN. На поверх->сти пленки A1N толщиной 2 мкм были сформированы ВШП из А1, которые имели 20 ip электродов шириной и зазором между ними 20 мкм и апертурой 3 мм. Расстояние жду ВШП составляло 20 мм.

Рис. 11. Зависимость вносимых потерь линии задержки на поверхностных акустических волнах от величины внешнего магнитного поля

Направление распространения ПАВ рэлеевского типа параллельно оси [110] : таксиальной структуры Gd3Ga5Oi2/(Y(Bi)3(Fe,Ga)5Oi2. Преобразователи возбуждалис первой и третьей гармониках ПАВ (соответственно на частотах 41,5 и 128 Мгц). Вн мые потери ЛЗ в согласованном режиме составляли 25-30 дБ и 35-40 дБ соответстве Соотношение частот первой и третьей гармоник характеризует малую дисперсию Ш звукопроводе.

Влияние внешнего магнитного поля на затухание ПАВ в ЛЗ исследовалось в пазоне полей до насыщения магнитной пленки. На частоте первой гармоники влш поля на затухание не было. На рис. 11 представлены зависимости амплитуды тре гармоники ПАВ от напряженности внешнего плапарного магнитного поля Нр при личных значениях напряженности перпендикулярного магнитного поля Нь для полос< доменной структуры (ДС), ориентированной по полю Нр. На зависимости наблюдш пики поглощения ПАВ, обусловленные магнитоакустическими резонансами элеме: ДС.

Теплоотводящие подложки. Рассмотрены многослойные теплоотводящие ложки (рис. 12), включающие базовую подложку (металл с высокой теплопроводное и теплоотводящий слой диэлектрического материала: поликристаллический алмаз A1N. В качестве базовых подложек использовали W (теплопроводность >.j = 160 Вт/ коэффициент термического расширения а = 4,4- 10"6 КГ1; удельное электрическое со тивление р = 5,8-10*6 Омсм), Mo (А.т = 135 Вт/м-К; а = 5,510^ 1С1; р = 5,2-Ю"6 Ом Си (А.т = 400 Вт/м-К; а= 17-Ю"6 К'1; р= 1,7-10"6 Ом см). Слой поликристаллическог< маза (Ят = 800-1000 Вт/м-К; а = 1,6-10"6 К"1; р > 10й Ом см) наращивали на базовую ложку из газовой фазы (Н2 + СН4) методом дугового разряда. Слой поликристалличе го A1N (Л.т = 200-280 Вт/м-К; а = 3,5-Ю"6 К"1; р> 1014 Ом-см) выращивали методом магнетронного реактивного распыления. Для улучшения адгезии A1N на поверхност подложки наносили слой Сг толщиной 30 50 нм. Тепловыделяющим элементом слуэ тонкопленочные резисторы из нихрома, нанесенные методом магнетронного распыл на постоянном токе на слой алмаза или A1N. Контактные площадки изготавливали из

Использованные в слоистых теплоотводящих подложках пленки A1N имели пень кристалличности > 80%.

Были исследованы диэлектрическая прочность поликристаллических пленок А зависимость температуры перегрева резистора от конструкции многослойной теплое дящей подножки (рис. 13). Для сравнения были исследованы характеристики наше; наибольшее применение в микроэлектронике керамических теплоотводящих подле радиотехническая керамика 22ХС и ВеО. Минимальная толщина пленок A1N в слои теплоотводящих подложках определяется их сплошностью и диэлектрической прс стью и должна быть не менее 6 мкм. Результаты исследований представлены в табли

• Подложка (W, Mo, Cu/Cr) ' AIN или алмаз "Ni-Cr "Cu

f 50

40

Керамика 22XC

Mo/AIN

Резистор _

T,

+ * * *

Ь^чччччччч^.

Рис. 12. Конструкция многослойной теплоотводящсй подложки

W/aлмaз

43'Вв0

Си/Сг/АМ 1, сек

Рис. 13. Зависимость температуры перегрева поверхности теплоотводящих подложек от времени

Таблица 5

Величина температуры перегрева поверхности теплоогводящей подложки в режиме постоянной нагрузки при удельной мощности 1,6 Вт/мм2

Теплоотводящая подложка Толщина слоя A1N или алмаза, мкм Температура перегрева, Т, град.

Керамика 22ХС - 53

Cu/Cr/A1N 6 7,5

Mo/AIN 6 26

W/алмаз 36 9,5

Керамика ВеО - 8,5

Основные результаты работы

1. В конструкциях магнетронных распылительных систем впервые для выращива-|я пленок A1N с целью управления и обеспечения воспроизводимости строения и ойств пленок реализована методика экранирования подложкодержателя и введения ектрического смещения на подложкодержатель.

2. Изучена взаимосвязь условий проведения процесса (расположение подложки носительно мишени, состав мишени, материал подложки) и технологических парамет-IB (мощность ВЧ-разряда, температура подложки, давление газа, ток мишени, время аждения) выращивания пленок A1N со степенью их кристалличности и строением кри-аллической фазы.

3. Предложена математическая модель влияния температуры подложки и времени ;аждения на степень кристалличности получаемых пленок.

4. Исследован процесс введения примесей металлов (Си, Mo, Sm, Eu, Er, Tb и др.) в 1енки AIN при их выращивании и изучены характер их распределения и влияние на юйства пленок A1N.

5. Исследована взаимосвязь состава и строения с электропроводностью и катод люминесценцией пленок A1N.

6. Показана возможность управления условиями распространения поверхности! акустических волн в многослойном звукопроводе Gd3Ga50i2/(Y,Bi)3(Fe.Ga)30i2/AlN счет воздействия внешнего магнитного поля на доменную структуру. Исследованн; конструкция звукопровода может быть рекомендована для создания магнитоуправляемь устройств на ПАВ.

7. Разработаны рекомендации для выращивания методом ВЧ-магнетронного pea тивного распыления Al в газовой смеси Ar + N2 текстурированных по <0001 > плен< A1N, пригодных для использования в микро- и акустоэлектронике.

По рекомендованным технологическим условиям получения слоистых структур i основе пленок A1N разработаны, изготовлены и испытаны следующие устройства:

- линии задержки на поверхностных акустических волнах с звукопроводами по ложка/Cr/AlN/BHin и подложка/АШ/ВШП, работающие в частотном диапазоне 40-151 МГц;

- датчики температуры на основе линий задержки на ПАВ на слоистых структур; ситалл/AlN и стекло/AlN с Чувствительностью до > 10"4 К"1;

- многослойные теплоотводящие подложки на основе пленок A1N для микроэле тронных устройств повышенной мощности, превосходящие характеристики теплоотв дящих подложек из ВеО и W/'алмаз.

8. Выращенные по разработанной методике пленки A1N с содержат« Mo > 5 вес.% могут быть рекомендованы для использования в качестве электропровод щих, термостабильных и прочных покрытий, а также для создания на их основе датчик! температуры, резисторов и других элементов электронной техники.

Основные положения диссертации опубликованы в работах:

1. Одинцов М.А., Таныгин В.Д., Сушенцов Н.И. Технология получения плен! нитрида алюминия высокочастотным магнетронным распылением // Тезисы доклад! научной конференции МарПИ. Йошкар-Ола. 1987. С.46.

2. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И., Таныгин В.Д. Разработка методики осажден текстурированных слоев A1N способом ВЧ-магнетронного распыления // Тезисы докл дов 4 Всесоюзной научно-технической конференции "Вакуумные покрытия-87". 4.2. Р га. 1987. С.34-36.

3. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И., Бахтин А.Г., Губайдуллин И.А. Пьезоэлектрич с кие пленки нитрида алюминия, полученные магнетронным распылением // Тезисы до ладов 2 Всесоюзной научно-технической конференции "Технология и конструирован ГИС и вопросы их производства". 4.1. Ярославль. 1988. С.110.

4. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И. Пленки A1N в чувствительных элементах ПА датчиков // Тезисы докладов Всесоюзного научно-технического совещания "Микроэле тронные датчики". Ульяновск. 1988. С.51-52.

5. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И., Бахтин А.Г., Губайдуллин И.А. Пленки нитрида 1ЮМИНИЯ, полученные методом реактивного ВЧ-распыления // Специальная техника »едетв связи. Сер.ТПО. Вып.1. 1988. С.70-80.

6. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И., Кудрявцев Т.Л., Филимонов В.В. Пленки A1N 1Я ПАВ-датчиков // Техника средств связи. Сер.ТПО. Вып.1. 1989. С.58-62.

7. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И. Особенности внутреннего строения пленок A1N, .фащенных методом магнетронного распыления // Вопросы зтомной науки и техники. гр.ЯФИ (ТиЭ). Вып.2(10). 1989. С.70-74.

8. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И. Технология получения пленок A1N // Тезисы жладов Научно-технической конференции "Низкотемпературные технологические про-:ссы в электронике". Ижевск. 1990. С.26.

9. Белянин А.Ф., Богомолов А.Б., Сушенцов Н.И. Выращивание и применение в ггчиках температуры пьезоэлектрических пленок A1N // Тезисы докладов IV Всесоюз->н конференции "Актуальные проблемы получения и применения сегнето-, пьезо-, пи-»электриков и родственных им материалов". Москва: НИИТЭХИМ. 1991. С.46-47.

10. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И., Кудрявцев Т.Л. Получение пленок A!N ВЧ-тгнетронным распылением // Тезисы докладов научно-технического совещания "Физи-»-химические процессы в технологии производства радио- и микроэлектронной аппара-ры". Челябинск. 1991. С.31.

11. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И., Кудрявцев Т.Л., Филимонов В.В. Пленки A1N 1Я ПАВ-датчиков // Материалы 2 Всесоюзного межотраслевого совещания "Тонкие 1енки в электронике". Ижевск. 1991. С.33-36.

12. Odintzov М.А., Sushentzov N.I., Kurdryavtzev T.L. A1N films for SAW-sensors // :nsors and Actuators. A. V.28. 1991. P.203-206.

13. Белянин А.Ф., Богомолов А.Б., Сушенцов Н.И. Применение выращенных по штаксиальному и нормальному механизмам роста пленок A1N в устройствах на ПАВ // :зисы докладов V Межрегиональной школы-семинара ''Устройства акустоэлектроники". енза: НТО РЭС. 1992. С.8.

14. Белянин А.Ф., Богомолов А.Б., Пащенко П.В., Сушенцов Н.И., Кудрявцев Т.Л., цинцов М.А. Машетронные распылительные системы для низкотемпературного выра-ивания пьезоэлектрических пленок A1N // Материалы 1П Межрегионального совещания онкие пленки в электронике . 4.1. Йошкар-Ола. 1992. С.78-84.

15. Одишюв М.А., Сушенцов Н.И., Кудрявцев Т.Л. Постановка технологии магне-Ю1шого распьшения путем модернизации серийного вакуумного оборудования // Тезисы жладов Международной научно-технической конференции "Микроэлектроника и ин-эрматика". Зеленоград. 1993. С.26-27.

16. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И., Кудрявцев Т.Л. Конструкция магнетронной юпылительной системы с электромагнитом // Материалы 5 Международной конферен-ш "Тонкие пленки в электронике". Йошкар-Ола. 1994. С.53-54.

17. Тихонов С.К., Рудь В.Ю., Сушенцов Н.И. Слоистые структуры на основе пле-ж A1N для магнитоуправляемых ПАВ-устройств // Материалы 5 Международной конвенции "Тонкие плешей в электронике". Йошкар-Ола. 1994. С.82-85.

18. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И., Кудрявцев Т.Л., Бахтин А.Г. Конструирование юрудования магнетронного распыления для получения пленок сложного состава // Ма-риалы 6 Международного Симпозиума "Тонкие пленки в электронике". Т.1. Херсон. >95. С.34—35.

19. Беляшш А.Ф., Буйлов J1.JL, Одинцов М.А., Сушенцов Н.И., Кудрявцев Т Бахтин А.Г. Многослойные теплоотводящие подложки на основе пленок поликристал ческого алмаза и нитрида алюминия // Материалы 6 Международного Симпозиума "Т кие пленки в электронике". Т.2. Херсон. 1995. С. 168-173.

20. Tüchonov S.К., Sushentsov N.I., Rud' V.Yu. Aluminium nitride structures magnetically controlled surface acoustic wave devices // Tech. Phys. Lett. V.21. i3. IS P. 187-189.

21. Одинцов M. А., Сушенцов Н.И., Кудрявцев T.Jl., Бахтин А.Г. Получение пло AIN магнетронным распылением // Материалы республиканской научно-методичес! конференции "Прикладные исследования в электронике и новые технологии обучс. студентов". Йошкар-Ола. 1996. С.49.

22. Одинцов М.А., Сушенцов Н.И., Кудрявцев Т.Л., Бахтин А.Г. Исследова влияния напряжения смещения на внутреннее строение пленок A1N, выращенных I магнетронным распылением // Материалы 7 Международного симпозиума "Тонкие пл ки в электронике". Йошкар-Ола. 1996. С.213—216.

23. Пащенко П.В., Житковский В.Д., Найда С.М., Елисеев А.Ю., Перевозчи Б.Н., Сушенцов Н.И., Илюшечкин А.Ю. Двухконтурный автогенератор для магнетр ных распылительных систем // Материалы 3 Российской конференции "Высокие тех лопш в промышленности России". Москва. 1997. С. 15—21.

24. Белянин А.Ф., Сушенцов Н И., Семенов А.П., Одинцов М.А. Применение тода ВЧ-магнетронного распыления для выращивания пленок A1N, легированных з ментами I-IV групп периодичечской системы // Материалы 3 Российской конфереш "Высокие технологии в промышленности России". Москва. 1997. С.53-58.

25. Беляшш А.Ф., Каменев А.И., Ковальский К.А., Сушенцов Н.И. Определе, концентрации меди в сильнолегированных пленках A1N методом инверсионной вольт перометрии /7 Материалы 4 Российской конференции "Высокие технологии в промь ленности России". Москва. 1998. С.59-70.

26. Соколина Г.А., Буйлов Л.Л., Банцеков C.B., Белянин А.Ф., Сушенцов К Электропроводящие композиционные пленки на основе A1N // Материалы 4 Российа конференции "Высокие технологии в промышленности России". Москва. 1998. С.71—7

27. Белянин А.Ф., Сушенцов Н.И. Слоистые структуры подложка/AlN в а кус электронике // Материалы 4 Российской конференции "Высокие технологии в промь ленности России". Москва. 1998. С.77-88.

28. Сушенцов Н.И. Выращивание пленок A1N при использовании несбаланси ванного магнетрона II Вопросы атомной науки и техники. Серия: Вакуум, чистые мг риалы, сверхпроводники. 1998. С.62-63.

29. Апексенко А.Е., Буйлов Л.Л., Пуряева Т.П., Спицын Б.В., Беляшш А.Ф., щенко П.В., Сушенцов Н.И. Алмазные пленки - активные компоненты устройств фу циональной и эмиссионной микроэлектроники // Труды Международной конфереш "Алмазы в технике и электронике". Москва: "Полярон". 1998. С. 107-110.

30. Беляшш А.Ф., Каменев А.И., Ковальский К.А., Сушенцов Н.И. Примене метода инверсионной вольтамперометрии для определения концентрации легирую! примеси в сильнолегированных медью пленках A1N, выращенных ВЧ-магнетрош распылением // Материалы 9 Международного симпозиума "Тонкие пленки в электро ке". Иваново. 1998. С. 111-119.