автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Оптимизация технологии полупроводниковых пленочных преобразователей и повышение эффективности их производства

Введение

1 Особенности технологии и материалы для пленочных преобразователей

1.1 Технологические особенности при производстве пленочных преобразователей

1.2 Материалы для пленочных преобразователей

2 Получение тонких плёнок халькогенидов меди и серебра с заданными свойствами

2.1 Свойства халькогенидов меди и серебра

2.2 Анализ условий получения тонких плёнок халькогенидов меди и серебра исходного состава

2.3 Получение тонких плёнок халькогенидов меди и серебра исходного состава

2.4 Напыление защитных пленок

2.5 Методика измерения параметров тонких плёнок халькогенидов меди и серебра 45 Выводы

3 Оптимизация параметров материалов для плёночных преобразователей

3.1 Выбор оптимальной концентрации носителей заряда

3.2 Выбор материала с определенной шириной запрещенной зоны

3.3 Легирование материала

3.4 Термоциклирование в интервале полиморфных превращений

3.5 Радиационная обработка материалов

3.5.1 Облучение нейтронами

3.5.2 Облучение протонами и электронами

3.5.3 Облучение гамма-квантами

3.5.4 Влияние радиации на электрофизические свойства материалов

3.5.5 Методика облучения образцов

3.5.6 Экспериментальные результаты и их обсуждение 80 Выводы

4 Технический уровень производства пленочных преобразователей

4.1 Анализ эффективности производства преобразователей

4.2 Уровень производительности труда и его влияние на прирост объема преобразователей

4.3 Оптимизация затрат при производстве преобразователей

4.4 Снижение технологических потерь пленочных преобразователей 101 Выводы

5 Оптимизация испытаний пленочных преобразователей

5.1 Испытания как этап производства

5.2 Методы минимизации продолжительности испытаний

5.3 Прогнозирование минимальной наработки пленочных преобразователей 112 Выводы

Научно-техническое направление, связанное с получением и применением тонких пленок, в последнее десятилетие претерпело стремительный рост, и во многих отраслях современной промышленности в настоящее время занимает ключевые позиции. Это вызвано широким использованием тонких пленок в электронных приборах. Известно, что физические свойства тонких пленок значительно отличаются от свойств объемного образца. Это связано с небольшими размерами кристаллитов, образующих пленку и особенно с большим количеством дефектов, таких как: дислокации, вакансии, дефекты упаковки, границы зерен, двойники. Важную роль играют механическое напряжение и деформация, возникающие в пленке при охлаждении подложки, а также некоторые особенности атомной структуры пленки, такие как полиморфные образования и метастабильные фазы. Поэтому для использования технологических возможностей таких пленок желательно получать пленки, имеющие структуру и близкие свойства к объемным образцам.

Создание пленочных преобразователей с высокими характеристиками в значительной степени связано с получением тонких пленок материалов с заданными свойствами и исходным составом. Электрические параметры тонких пленок в большей степени определяются условиями их получения.

Широкое распространение методов автоматического контроля и управления в современной технике вызывает необходимость решения задачи по совершенствованию и оптимизации технологии изготовления пленочных преобразователей.

Применение пленочной технологии позволяет выполнить элементы преобразователей конструктивно и технологически совместимыми.

Технология изготовления пленочных преобразователей состоит из множества операций. Определенная часть операций представляет собой тонкие 5 и сложные физико-химические процессы. Требования высокого качества проведения промежуточных операций обеспечивается точностью поддержания технологических режимов на оптимальном уровне и контролем на каждой операции.

С расширением динамического диапазона растет не только набор применяемых материалов, но и комплекс требований к их свойствам. Необходимость совершенствования технологии производства преобразователей и поиск новых материалов с высокими термоэлектрическими свойствами требует всестороннего подхода к повышению эффективности производства.

Исследование эффективности технологии пленочных преобразователей на основе материалов с высокими характеристиками, является актуальной задачей.

Исследования последних лет позволяют предположить, что халькогениды меди и серебра являются перспективными материалами для: термоэлектрических устройств [1], использования их в качестве эффективных инжекторов дырок в гетероструктурах солнечных батарей. Однако следует отметить, что для соединений халькогенидов меди и серебра имеется большой разброс данных по кинетическим свойствам из-за сильной зависимости их от собственной дефективности структур.

Существуют большие трудности получения этих соединений с заранее заданными электрофизическими свойствами. С одной стороны, это связано с достаточно высокими температурами роста материалов, что приводит к созданию большой концентрации собственных дефектов. С другой стороны они имеют тенденцию к самокомпенсации дефектов, что осложняет получение материалов с нужными электрофизическими характеристиками.

Интерес к данным соединениям вызван, прежде всего, тем, что халькогениды меди и серебра являются перспективными материалами с хорошими термоэлектрическими свойствами и необходимостью научно обоснованного выбора исходного состава и технологии получения пленок, 6 обладающих оптимальным сочетанием электрофизических свойств. В связи с этим была поставлена задача разработки технологии, позволяющей воспроизводимо получать пленки халькогенидов меди и серебра исходного состава.

Одним из наиболее прогрессивных и широко применяемых методов получения тонких пленок толщиной 0,01 - 1 мкм является вакуумное осаждение. Этот метод позволяет получать тонкие пленки равномерной толщины.

Однако осаждение тонких пленок соединений имеет свои особенности. Дело в том, что из-за различной парциальной упругости паров составляющих компонентов относительный состав расплава и его пара, а следовательно, пленки будет не одинаковым. Для получения требуемого состава тонкой пленки необходимо определить расположение испарителя и подложки, а также скорости испарения компонентов.

Характерной особенностью пленок является не только конечность толщины, что может играть решающую роль во многих физических процессах, но и их структуры. На структуру пленок большое влияние оказывают методы нанесения, материал и структура подложки, т. е. основания, на которое наносится пленка.

Вопросы технического применения пленок халькогенидов меди и серебра и их реализации требуют всестороннего изучения возможности воспроизводимого получения пленок исходного состава. С другой стороны, оптимизация термоэлектрических свойств халькогенидов меди и серебра представляет не только большой практический, но и научный интерес.

Развитие техники преобразование требует также новых материалов, обладающих необходимой комбинацией характеристик, и перед физическим материаловедением и технологией полупроводниковых материалов с оптимальным сочетанием свойств. Для решения такой задачи необходимо выяснить, как связаны термоэлектрические свойства материалов с их составом, 7 и изучить корреляцию между параметрами и составом в области гомогенности. В связи с этим была поставлена задача проведения исследований зависимости термоэлектрических свойств материалов на основе соединения халькогенидов меди и серебра при отклонении состава от стехиометрического.

Важнейшим направлением повышения эффективности производства, качества и надежности преобразователей, наряду с совершенствованием существующей технологии [2], является оптимизация параметров термоэлектрических материалов с целью создания изделий с высокими техническими характеристиками.

Срок службы и надежность являются важнейшими наиболее обобщающими, эксплуатационными параметрами преобразователей. Эффективность производства неразрывно связана с качеством выпускаемой продукции. Качественные показатели изделия определяются уровнем технологии производства, повышением требований и параметрам преобразователей, их техническому уровню. Качество пленочных преобразователей и технологию их производства характеризует показатель выхода годных преобразователей.

В связи с этим была поставлена задача исследования возможности повышения технического уровня производства преобразователей, улучшение организации их производства и труда.

В работе впервые проведено систематическое исследование по оптимизации термоэлектрических свойств соединений халькогенидов меди и серебра. Исследовано влияние дефективности структуры и воздействия высокоэнергетичных электронов на термоэлектрическую эффективность соединений. Установлены закономерности изменения термоэлектрических свойств с отклонением состава соединений халькогенидов меди и серебра от стехиометрического. 8

В работе впервые проведено исследование и разработана методика воспроизводимого получения пленок халькогенидов меди и серебра исходного состава в промышленных условиях.

Установлены закономерности воспроизводимого получения пленок халькогенидов меди и серебра исходного состава, которые могут служить основанием для выбора исходных составов с заданными свойствами при использовании пленок халькогенидов меди и серебра в пленочных микротермопреобразователях.

Проведена оценка и учет технологических потерь, усовершенствован технологический процесс изготовления преобразователей, что позволило увеличить объем производства, повысить качество и надежность преобразователей.

На защиту выносятся следующие положения:

- оптимизация термоэлектрических свойств халькогенидов меди и возможность управления составом соединений для получения высоких значений термоэлектрической эффективности;

- воспроизводимость параметров пленок халькогенидов меди и серебра исходного состава с заданными свойствами;

- радиационно-технологическая обработка соединений халькогенидов меди и регулирование их свойств;

- технологические факторы повышения эффективности пленочных преобразователей с высокими техническими характеристиками;

- прогнозирование минимальной наработки пленочных преобразователей расчетно-экспериментальным методом по критерию параметра годности.

Работа состоит из пяти глав, введения и заключения. Первая глава содержит технологические особенности изготовления пленочных преобразователей и обзор материалов для пленочных преобразователей. Во второй главе дан анализ условий получения пленок халькогенидов меди и 9 серебра исходного состава. В третьей главе излагаются возможные подходы и результаты оптимизации параметров материалов для пленочных преобразователей. Четвертая глава посвящена техническому уровню производства пленочных преобразователей. В пятой главе изложены методы минимизации продолжительности испытаний и результаты прогнозирования минимальной наработки пленочных преобразователей.

10

Основные результаты диссертации были доложены на:

Международной конференции по новым информационным технологиям в науке, образовании, экономике, Владикавказ, 2002; 3й международной конференции молодых ученых и студентов по актуальным проблемам современной науки, Самара, 2002; Научно-технических конференциях СевероКавказского государственного технологического университета, Владикавказ, 2000 - 2002 гг.; Научных семинарах кафедры электронные приборы и устройства Северо-Кавказского государственного технологического университета, и опубликованы в следующих работах:

1. Мустафаев Г. А., Мустафаева Д. Г. Некоторые факторы повышения эффективности производства // Инженер. Технолог. Рабочий, 2001, № 2, с. 4.

2. Мустафаев Г. А., Мустафаева Д. Г. Уровень использования ресурсов и эффективность деятельности предприятия // Инженер. Технолог. Рабочий, 2001, №11, с. 4.

3. Мустафаев Г. А., Мустафаева Д. Г. Эффективность функционирования информационных систем // Сборник научных трудов аспирантов, 2001, СКГТУ, с. 172 - 174.

4. Мустафаев Г. А., Мустафаева Д. Г. Некоторые требования к преобразователям, работающим в жестких условиях эксплуатации // Машиностроитель, 2002, № 1, с. 35 - 36.

5. Датиев К. М., Мустафаева Д. Г. Пленки соединений халькогенидов первой группы с заданными свойствами и составом // Труды СКГТУ, Владикавказ, 2002. - вып. 9.-е. 141-145.

6. Датиев К. М., Мустафаева Д. Г. Повышение уровня качества преобразователей // Труды СКГТУ, Владикавказ, 2002. - вып. 9. - с. 362 - 364.

7. Датиев К. М., Мустафаева Д. Г. Оптимизация затрат при производстве преобразователей // Труды СКГТУ, Владикавказ; 2002. - вып. 9. - с. 364 - 366.

122

8. Датиев К. М., Мустафаева Д. Г. Информационные технологии в испытаниях изделий электроники // Материалы международной конференции по новым информационным технологиям в науке, образовании, экономике, -Владикавказ, 2002. - с. 106 - 107.

9. Датиев К. М., Мустафаева Д. Г. Характеристики конструкции преобразователя // Тез. докл. 3-ой Международной конференции молодых ученых и студентов по актуальным проблемам современной науки", - Самара, 2002.-с. 73.

123

Заключение

В результате проведенных исследований эффективности технологии производства пленочных преобразователей можно сделать следующие выводы:

1. Проведен термодинамический анализ условий получения пленок халькогенидов меди и серебра исходного состава с заданными свойствами и экспериментальные исследования мгновенного и импульсного методов их напыления. Показано, что методы мгновенного и импульсного испарения обеспечивают сохранение исходного состава материала соединения при напылении пленок халькогенидов меди и серебра.

2. Разработана технология получения пленок халькогенидов меди и серебра исходного состава. Показано, что, при соблюдении основных условий технологии нанесения, пленки получаются с воспроизводимыми термоэлектрическими свойствами, и плотность пленок близка к плотности массивного материала.

3. Исследованы возможные подходы к достижению высоких значений термоэлектрической эффективности. Показано, что оптимальная концентрация, при которой достигается максимальное значение термоэлектрической добротности халькогенидов меди, составляет 4 1019 - 2 1019 см . Эффективными материалами для пленочных преобразователей являются теллуриды меди и серебра.

4. Показана возможность регулирования электрофизических свойств и оптимизации технологического процесса производства пленочных преобразователей путем радиационно-технологической обработки материалов для преобразователей. Оптимальное значение термоэлектрической

17 О эффективности имеет место при дозах облучения ~ 10 эл/см . При этом добротность увеличивается в 1,4 раза.

120

5. Проведена оценка состояния применяемого оборудования и технологической оснастки с точки зрения их прогрессивности, соответствия современному уровню развития техники и технологичности преобразователей.

6. Исследовано влияние изменения численности работающих и изменения производительности труда на изменение объема производства преобразователей. В сумме оба фактора дали увеличение объема производства преобразователей на 1246 тыс. руб.

7. Показано, что повышение эффективности технологии и снижение себестоимости преобразователей достигается применением метода партионного раскроя, системного и комплексного анализа и учета технологических потерь.

Совершенствование технологии производства позволило улучшить качество преобразователей, существенно сократить издержки производства, повысить процент выхода годных изделий.

8. Разработана методика оценки минимальной наработки пленочных преобразователей.

Показано, что прогнозирующая функция удовлетворительная.

9. Полученные в работе результаты воспроизводимого получения пленок халькогенидов меди и серебра исходного состава с заданными свойствами, и оптимизация параметров материалов могут служить основанием для создания других элементов преобразовательной техники.

121

1. Горбачев В. В. Полупроводниковые соединения A21BV1. М.: Металлургия, 1980, с. 164.

2. Боков Ю. С., Данилин Б. С., Лаврищев В. П. Тенденция развития технологии микроэлектроники. Электронная промышленность, 1976, вып. 5, с. 22 - 26.

3. Рогельберг И. Л., Бейлин В. М. Сплавы для термопар. М.: Металлургия, 1983, с. 360.

4. Иордакишвили Е. К., Коломоец Н. В., Лидоренко И. С. Термоэлектрические преобразователи энергии. / Проблемы современной физики. Л., 1980, с. 465 472.

5. Тамм И. Е. Основы теории электричества. М.: Наука, 1989, с. 504.

6. Болванович Э. И. Полупроводниковые пленки и миниатюрные измерительные преобразователи. Мн. Наука и техника, 1981, с. 214.

7. Данилин Б. С. Вакуумное нанесение тонких пленок. М.: Энергия, 1967, с. 312.

8. Холлэнд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. М.-Л.: Госэнергоиздат, 1963, с. 608.

9. Хирс Д., Паунд. Испарение и конденсация. М.: Металлургия, 1966, с. 196.

10. Франкомб М. X., Джонсон Дж. Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок. В кн.: Физика тонких пленок, 1972, т. 5, с. 140-244.

11. Берри Р., Холл П., Гаррис М. Тонкопленочная технология. Пер. с англ; -М.: Мир, 1972.

12. Пленочная микроэлектроника / Под ред. Л. Холлэнда /. М.: Мир, 1968, с. 336.

13. Технология тонких пленок / Под ред. Л. Майссела и Р. Глэнга. М.: Сов. радио, 1977, с. 664.124

14. Чопра К. JI. Электрические явления в тонких пленках. М.: Мир, 1972, с. 435.

15. Физика тонких пленок / Под ред. Г. Хасса и Р. Э. Туна. М.: Мир, 1967, т. 2, с. 13 - 82.

16. Ефимов И. Е., Горбунов Ю. И., Козырь И. Я. Микроэлектроника. Физические и технологические особенности, надежность. М.: Высшая школа, 1990, с. 476.

17. Метфессель С. Тонкие пленки, их изготовление и измерение. M.-JL: Госэнергоиздат, 1963, с. 272.

18. Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. М.: Наука, 1972, с. 320.

19. Анатыгук JI. И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Киев, Наукова думка, 1979, с. 768.

20. Ведерников И. В., Жумачулов А., Стильбанс JI. С. О перспективах использования сплавов переходных металлов для целей термоэлектрического преобразования энергии. / В кн. Преобразование энергии МГД и термоэлектрическими методами. Киев, 1981, с. 100- 103.

21. Горбачев В. В., Охотин А. С. Физические свойства некоторых материалов, используемых в полупроводниковой технике. М., 1975, с. 207.

22. Маркус Р. Д., Келли К. М. Термоэлектрические материалы. М.: Мир, 1964, с. 196.

23. Nakayama N. Electrical and optical Properties of Cu2S. J. Phys. Soc., Japan, 1968,25, 1, p. 290-291.

24. Kimihiko Okamoto, Shichio Kawoi. Electrical properties of CuS. J. Appl. Phys., 1973, 12, 8,1130- 1134.

25. Астахов О. П. Электрофизические свойства низкотемпературной модификации Cu2S. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1975, 11, 8, с. 1506- 1507.125

26. Kazinets M. M., Ivanova I. V., Chafizade R. B. Electron diffraction Study of epitaxial films of Cu2.xS. Thin Solid Films, 1977, v. 44, No. 3, p. 331 - 339.

27. Rastogi A. C., Salkalachem Safi, Bhide V. C. Electrinical conduction and phase transitions in vacuumdeposited Cu2.xS films. Thin Solid Films, 1978, v. 52, No. 1, p. 1-10.

28. Власенко И. А., Кононец Я. Ф. Оптические и электрические свойства пленок сульфида меди. Украинский физический журнал, 1971, т. 16, № 2, с. 237-243.

29. Radler К., Frey Н, Muller W., Schuller К.-Н., Von Wiluskowski J. Structural, electrical and optical properties of CuxS layers produced by reactive r. f. sputtering. Thin solid Films, 1979, v. 59, No. 1, p. 13 - 24.

30. Abdullaev С. В., Alijarova Z. A. and Asadov G. A. Preparation of Cu2Se Single Crystals and Investigation of their Electrical Properties. Phys. Stat. Sol., 1967, 21,2, p. 461 -464.

31. Соболев В. В., Попов Ю. В. Спектры отражения халькогенидов меди и серебра. Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1969, 5, 9, с. 1513-1517.

32. Zdanowicz W., Wajakowski A. Semiconducting Properties of CdP4. Phys. Stat. Solid., 1966, 16, 2, p. 129 - 131.

33. Старик П. M. Ширина запрещенной зоны в РЬТе. ФТТ, 1965, 7, вып. 7, с. 2246-2247.

34. Сорокин Г. П. Электрические свойства Си2Те. Изв. Вузов, физика, 1965, 4, с. 140- 143.

35. Мусаев А. М., Мамедов М. Ш., Керимов И. Г. Получение и исследование электрических свойств монокристаллов Си2Те р-типа. Учен, записки Аз. ГУ, сер. Физико-математических наук, 1972, 1, с. 101 - 104.

36. Дитман А. В., Укис К. А. Электропроводность и термоэдс в системе теллурид селенид меди при высоких температурах. - Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1967, 3,4, с. 717-718.126

37. Сорокин Г. П. Электрические свойства Си2Те. Изв. Вузов, физика, 1965, 4, с. 140- 143.

38. Чижиков Д. М., Счастливый В. П. Теллур и теллуриды. М.: Наука, 1966, с. 279.

39. Сорокин Г. П., Паншев Ю. М., Суш П. Т. Фотопроводимость Cu2S, Cu2Se и Cu2Te. ФТП, 1965, 7, вып. 7, с. 2244 - 2245.

40. Cain О. J., Wook R. W. Epitaxial layers and investigated by RHEED. J. Electrochem. Soc., 1978, v. 125, No. 6, p. 882 - 884.

41. Fleisch Т., Abermann R. The vacuum deposition and structure of thin Ag2S films. Thin Solid Films, 1977, v. 42, No. 2, p. 255 - 263.

42. Миколайчук А. Г., Романишин Б. M., Тимчишин М. В. Получение, структура и электрические свойства пленок Ag2Te. Физическая электроника, 1977, вып. 15, с. 76 - 79.

43. Ахундов Г. А., Абдуллаев Г. Б., Алиева М. X., Эфендиев Г. А. Получение и исследование полупроводниковых материалов Ag2Te, Ag2Se, SuTe и CdTe. В кн.: Вопросы металлургии и физики полупроводников. - М.: АН СССР, 1961, с. 104- 107.

44. Несмеянов А. Н. Давление пара химических элементов. М.: АН СССР, 1961, с. 396.

45. Глазов В. М., Коренчук Н. М. Давление пара и термодинамические свойства халькогенидов меди и серебра // Журнал физической химии, 1971, т. 45, с. 2673-2678.

46. Датиев К. М., Мустафаева Д. Г. Пленки соединений халькогенидов первой группы с заданными свойствами и составом // Труды СКГТУ, Владикавказ, 2002.- вып. 9. с. 141 - 145.

47. Мустафаев Г. А., Мустафаева Д. Г. Информационные системы и функциональная интеграция // Инженер. Технолог. Рабочий. 2001. - № 1. -с. 27.

48. Мустафаев Г. А., Мустафаева Д. Г. Устойчивые информационные системы // Инженер. Технолог. Рабочий. 2001. - № 3 - с. 8.

49. Уманский Я. С. Рентгенография металлов и полупроводников. М.: Атомиздат, 1969, с. 496.

50. Горелик С. С., Расторгуев Л. И., Скаков Ю. А. Рентгенографический и электронографический анализ. М.: Металлургия, 1970, с. 366.

51. Миркин JI. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу полукристаллов. -М.: Физматгиз, 1961, с. 863.

52. Павлов Л. П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975, с. 206.

53. Батавин В. В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. М.: Сов. радио, 1976, с. 104.

54. Концевой Ю. А. Методы исследования электрофизических параметров полупроводниковых эпитаксиальных пленок. Приборы и техника эксперимента, 1965, № 1, с. 5 - 15.

55. Батавин В. В., Михаэлян В. М. Измерение удельного сопротивления эпитаксиальных слоев арсенида галлия четырехзондовым методом. -Заводская лаборатория, 1971, т. 37, № 4, с. 145 146.

56. Голубев В. И., Кукуй А. С., Павлов Н. И., Поляков Н. И. Об измерении электропроводности прямоугольных полупроводниковых пластин четырехзондовым методом. Заводская лаборатория, 1972, т. 38, № 7, с. 801-804.

57. Holmes D. A. On the Calculation of thin film refractive index and thickness by ellipsometry. Appl. Optics, 1967, v. 6, No. 1, p. 168- 169.

58. Ржанов А. В., Свиташев К. К., Семененко А. И., Семененко Л. В., Соколов В. К. Эллипсометрические методы контроля в микроэлектронике. -Микроэлектроника, 1975, т. 4, вып. 1, с. 3 23.128

59. Свиташев К. К., Семененко А. И., Семененко JI. В., Соколов В. К., Филатова Е. С. О точности и чувствительности метода эллипсометрии. -Оптика и спектроскопия, 1977, т. 42, вып. 6, с. 1142 1147.

60. Полупроводниковые пленки и слоистые структуры. Киев: Наукова думка, 1977, с. 138.

61. Измерение и контроль в микроэлектронике / Под ред. А. А. Сазонова. М.: Высшая школа, 1984, с. 367.

62. Шкляревский И. Н., Шаэли Эль А. Ф., Яровян Р. Г., Костюк В. П. Эллипсометрический метод измерения оптических постоянных и толщины тонких поглощающих пленок на металлической подложке. Оптика и спектроскопия, 1974, т. 36, № 1, с. 199 - 204.

63. Новицкий П. В., Заграф И. А. Оценка погрешностей результата измерений. Л.: Энергоатомиздат, 1991, с. 304.

64. Левшина Е. С., Новицкий П. В. Электрические измерения физических величин: Измерительные преобразователи. Л.: Энергоатомиздат, 1983, с. 320.

65. Лобунец Ю. И. Методы расчета и проектирования термоэлектрических преобразователей энергии. Киев: Наукова думка, 1989, с. 175.

66. Пленочные термоэлементы: Физика и применение / Отв. ред. И. С. Лидоренко. М.: Наука, 1985, с. 232.

67. Теплофизические измерения и приборы / Под ред. Е. С. Платукова. М.: Машиностроение, 1986, с. 256.

68. Материалы микроэлектронной техники / Под ред. В. М. Андреева. М.: Радио и связь, 1989, с. 352.

69. Гольцман Б. М., Смирнов И. А. Теллурид висмута и твердые растворы на его основе: Материалы, используемые в полупроводниковых приборах / Под ред. К. Хогарта. Доп. 2. М.: Мир, 1968, с. 348.

70. Иоффе А. Ф. Полупроводниковые термоэлементы. Л.: Изд-во АН СССР, 1960, с. 188.

71. Регель А. Р., Стильбанс JI. С. О термоэлектрической энергетике. ФТП, 1967, 1,№ 11, с. 1614-1619.

72. Мустафаев Г. А., Мустафаева Д. Г. Некоторые требования к преобразователям, работающим в жестких условиях эксплуатации // Машиностроитель. 2002. - № 1. - с. 35 - 36.

73. Равич Ю. И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении халькогенидов свинца PbTe, PbSe, PbS. -М.: Наука, 1968, с. 125.

74. Фистуль В. И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967, с. 415.

75. Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов JI. С. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. М.: Наука, 1972, с. 320.

76. Драбл Дж., Голдсмит Г. Теплопроводность полупроводников. M.-JL: ИЛ., 1963, с. 266.

77. Горелик С. С., Дубровина А. Н., Власова Е. С. Влияние термоциклирования на электрофизические свойства Си2Те в интервале 400 1100 к. - Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1980, 16, 8, с. 1483 - 1485.

78. Вавилов В. С., Ухин Н. А. радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. -М.: Атомиздат, 1969, с. 312.

79. Вавилов В. С. Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках. УФН, 1964, 84, вып. 3, с. 431 - 450.

80. Радиационные эффекты в полупроводниках. / Смирнов Л. С. -Новосибирск: Наука, 1979, с. 224.

81. Зейтц Ф. О нарушении порядка в твердых телах под действием быстрых тяжелых частиц. В кн.: Действие излучения на полупроводники и изоляторы. - М., 1954, с. 3 - 24.

82. Смирнов Л. С., Стась В. Ф., Хайдановская В. В. Влияние дислокаций на кинетику накопления радиационных дефектов в германии. ФТП, 1971, 5, 1, с. 85-90.130

83. Смирнов JI. С. Развитие и проблемы радиационной физики германия. В кн.: Материалы Всес. Совещания по дефектам структуры в полупроводниках, ч. 1, Новосибирск, 1969, с. 143 - 159.

84. Болотов В. В., Васильев А. Б., Смирнов J1. С. Об энергии миграции простейших дефектов в германии и кремнии. ФТП, 1974, 8, с. 518 - 521.

85. Хайновская В. В., Смирнов Л. С. Взаимодействие радиационных дефектов с дислокациями в германии. ФТП, 1967, 9, 7, с. 2043 - 2046.

86. Дине Дж., Виниорд Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: ИЛ, 1960, с. 243.

87. Ладыгин Е. А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов. М.: 1976, с. 345.

88. Кумахов М. А., Ширмер Г. Атомные столкновения в кристаллах. М.: Атомиздат, 1980, с. 192.

89. Фирсов О. Б. Качественная трактовка средней энергии возбуждения электронов при атомных столкновениях. Журнал экспериментальной и теоретической физики, 1959, т. 36, вып. 5, с. 1517 - 1523.

90. Физические процессы в облученных полупроводниках. / Смирнов Л. С. -Новосибирск: Наука, 1977, с. 253.

91. Katz L., Penfold N. Range-Energy Relations for Electrons and the Determination of Beta-Ray End-Point Energies by Absorption. Rev. Med. Phys., 1952, 24, l,p. 28-44.

92. Кольченко Т. И., Ломако В. М. Электрические свойства арсенида галлия, облученного электронами и нейтронами. ФТП, 1975, 9, 9, с. 1757 - 1760.

93. Contes R. and Mitchell J. The optical and electrical effects of high concentrations of defects in irradiated crystalline gallium arsenide avances in physics, 1975, 24, 5, p. 593 644.

94. Винецкий В. Л., Смирнов Л. С. О компенсации проводимости радиационными дефектами в полупроводниках. ФТП, 1971, 5, 1, с. 176 — 177.131

95. Датиев К. М., Мустафаева Д. Г. Характеристики конструкции преобразователя // Тез. докл. 3-ой Международной конференции молодых ученых и студентов по актуальным проблемам современной науки", -Самара, 2002. с. 73.

96. Датиев К. М., Мустафаева Д. Г. Оптимизация затрат при производстве преобразователей // Труды СКГТУ, Владикавказ, 2002. вып. 9. - с. 364 -366.

97. Датиев К. М., Мустафаева Д. Г. Повышение уровня качества преобразователей // Труды СКГТУ, Владикавказ, 2002. вып. 9. - с. 362 -364.

98. Гаспаров Д. В., Дахнович А. А. Оптимизация технологических процессов в производстве электронных приборов. -М.: Высшая, школа, 1986, с. 191.

99. Мустафаев Г. А., Мустафаева Д. Г. Некоторые факторы повышения эффективности производства//Инженер. Технолог. Рабочий. 2001. - № 2. - с. 4.

100. Мустафаев Г. А., Мустафаева Д. Г. Уровень использования ресурсов и эффективность деятельности предприятия // Инженер. Технолог. Рабочий. -2001.-№ 11.-с. 4.

101. Смирнов И. А., Тамарченко В. И. Электронная теплопроводность в металлах и полупроводниках. JL: Наука, 1977, с. 151.

102. Дворяшин Б. В. Основы метрологии и радиоизмерения. М.: Радио и связь, 1993, с. 320.

103. Груничев А. С., Однодушнов А. В., Якимов П. Ф. Обеспечение надежности радиоэлектронной аппаратуры и комплектующих изделий при эксплуатации. -М.: Сов. радио, 1976, с. 240.

104. Гаспаров Д. В., Голикович Т. А., Мозгалевский А. В. Прогнозирование технического состояния и надежности радиоэлектронной аппаратуры. М: Сов. радио, 1974, с. 224.132

105. Измерения в промышленности. / Под ред. Профоса П. М.: Металлургия, 1990, с. 344.

106. Датиев К. М., Мустафаева Д. Г. Информационные технологии // Тез. докл. 3-ой Международной конференции молодых ученых и студентов по актуальным проблемам современной науки", Самара, 2002. - с. 29.