автореферат диссертации по приборостроению, метрологии и информационно-измерительным приборам и системам, 05.11.13, диссертация на тему:Разработка и создание средств неразрушающего контроля бытовой электронной аппаратуры на основе полупроводниковых преобразователей излучений

НтНО-ИССВДОЗАТЕЯЬгашЛ ШОТГОТ ИНТРОСКОПИИ

Для служебного пользования! Экз. РЛ На правах рукописи

СЫЧИК ВАСИЛИЙ АНДРЕЕВИЧ

УДС 621.318.362

РАЗРАБОТКА И СОЗДАНИЕ СРЕДСТВ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ БЫТОВО': ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕН ИЗЛУЧЕНИЙ

Специальность 05.II.13 - "Приборы и методы контроля природной среди,веществ.материалов и изделий.

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук

М1ШСК - 19ЭЗГ,

Работа выполнена в Белорусской государственной политехш ческой академии.

Официальные оппоненты:

доктор технических наук Мужицкий В.£.

доктор технических наук.лрофессор Горшков В.А.

доктор технических наук,профессор Конев В.А.

Ведуцая организация МРТИ (Минск)

Зашита состоится "р/* гШ-г-е^А-/ 1993г. в 10.00 на заседании специализированного совета Д Ж)9.01.01

ври Научно-исследовательском и нота туте интроскопии до адресу:

119048,Москва, ул.Усачева.д.Зз, те л.246-27-59.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотека НШИН Автореферат разослан " "_1393г.

УчешЗ секретарь специализированного совета {/

доктор технических

наук, ОД^ессор^^^^У ф1ШН03 в>н>

- 3 -

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ '

Актуальность. Постоянное усложнение и миниатюризация битовой лектронной аппаратуры БЗА требуют обеспечения ее качества и на-екности. Поэтому разработка и выпуск высокачественной БЭА сопро-овдаются комплексом мероприятий по техническому контролю электро-изпческих параметров ее компонентов, узлов и блоков, отбраковке ефектных материалов и образцов.

Качество БЭА оценивается на трех основных этапах ее произвол*

гва: входном контроле компонентов, элементов и узлов ; техническом энтроле монтажа и сборки ; выходном контроле изделия. Для диагнос-ирования изделий электронной аппаратуры на стадии производства пи-эко используются методы дефектоскопии: электрический, магнитный, токо* ихревой, ультразвуковой,оптически?!, радиационный, в разработку и совершенствование которых большой вклад внесли ведущие советские теные: В.В.Клюев, Ю.М. Шкарлет, В.А.Воробьев, A.M. Туричин и др.

В отличие от электронной аппаратуры, используемой в оборонной, эдшностроительной и других областях промышленности, где в основном рработач комплекс мероприятий по контролю ее качества, для техни-зского контроля изделий БЭА на стадий производства используются успевшие, несовершенные приборы, а многие существенные технические араметры БЭА вообще не контролируются. Использование эксплуатируе-зх в указанных областях средств Ш для целей контроля качества БЭА зляется малоэффективным ввиду их низкой оперативности при массовом жтроле особенно малогабаритных элементов и деталей сложной формы, эоме того эти приборы дорогостоящие и малогабаритные.

Созданные в последнее время на базе упомянутых методов отдель-se виды средств неразрушающего контрол" в ряде случаев не позво-пот осуществлять качественное диагностирование БЭА. Кроме того ж синтезе этих средств недостаточное внимание уделялось исполь-)вангоо высокоэффективных измерительных преобразователей на основе

ПОЛУПРОЕОДНИКОЕЫХ структур.

Основными материалами я изделиями, которые подвергаются техническому контролю в процессе производства БЭ1, являются технические пасты, печатные платы, несущие металлические конструкции (шасси, корпус), изоляция высоковольтных цепей* .химические источники тока ( в изделиях с автономным питанием).

На стадии выходного контроля БЭА производится проверка на соответствие тепловым режимам и уровню ионизирующих излучений. Иопо; зуемые на практике средства контроля радиации не позволяют эффективно и точно измерять радиационный фон БЭА.- В слоеных малогабаритных изделиях БЭА (видеаппаратура, магнитолы) существенно затруднен контроль тепловых режимов отдельных функциональных узлов и активных электронных элементов. В этой связи актуальной проблемой выпуска высококачественных изделий БЭА является создание новых высокоэффективных-измерительных приборов,обеспечивающих полный НК изделий БЭА на стадии их производства.

Для указанных целей высокоэффективны, миниатюрны и надежны в работе первичные измерительные преобразователи ( ПИП) на базе полупроводниковых приборных структур. Однако такого рода ПИП еще не созданы для решения отмеченных выше задач. Поэтому разработка и создание высокоэффективных приборов и устройств контроля качества БЭА связано с .синтезом для'каждого из них специальных ПИП на основе по-,лупроводниковых'приборных структур. Следует отметить,что вопросы методики синтеза ПИП на основе полупроводниковых приборных структур практически не наши отражения в научной и технической литературе.

Таким образом, решаемая в диссертационной работе проблема создания новых методов неразрушающего контроля материалов и элементов ,специальных полупроводниковых преобразователей и разработки на их основе аппаратуры комплексного неразрушающего контроля качества БЭА является вакной и актуально!".

Диссертационная работа выполнялась на основе комплексной про-аммы ГКНТ СССР й 142 от I8.04.86r, меазузовских ГБ НИР 86-29.ГЕ Р 28-80, х/д НИР й т.р. 01.89.0086784 01.83. 0072100, 1Ь 01.ПС. 21795, й 510, й 810, й 100071;, 1419.

Научная цель работы:

- осуществить теоретическое обобщение и дальнейшее развитие следовании взаимодействия электрических и магнитных полей, опти-ских излучений с полупроводниковыми приборными структурами изме-тельных преобразователей для синтезируюидах средств неразрушащего нтроля £ЭА, на основании которого оптимизировать компоненты и руктуру этих преобразователе!; ;

- изучить физику процесса взашлодействия р - и У - излу-ний с полупроводниковыми одно- и многослойными системам! и оптими-ровать структуру преобразователей ионизирующих излучений по результат,! исследований ;

- разработать физико-топологические и электрические модели иборннх структур измерительных преобразователей и синтезировать пологию и конструкцию полупроводниковых преобразователей излуче-й на основе результатов моделирования ;

- развить теорию методов и производства синтезируемых для из-лий НИ полупроводниковых преобразователей излучений ;

- исследовать, разработать и внедрить в создаваемые средства нтроля качества ЕЭА новые полупроводниковые преобразователи элект-магнитных излучений.

.Методы исследований. Для изучения влияния электрических, гнитш оптических и радиационных излучений применялись теоре-ческие и экспериментальные исследования. Для опытов испсльзова-сь полупроводниковые приборные структуры,сформировали!:е на диэ-

ктрической и полупроводниковой подложках. Эксперименты выполнись по установившейся методже измерения электрофизических пара-

метров полупроводшковых структур с помопыо новейших ЭЛОКГРОННЫХ измерительных приборов класса точности на хуке 1,5. Эти ке приборы использовались для исследования свойств созданных первичных измерв тольшх преобразователей и приборов контроля. Результаты экспериментов обработаны методами математической статистика. При решении интегральных уравнений и построении графиков применялись сплайк-антарголяция, и приближенное вычисление по квадратурным формулам трапеций с помощью ЭВМ.

Научная новизна. Теоретически исследованы в обобщены специфические эффакты взаимодействия электрических и магнитных полей, оп тических а радиационных излучений с полупроводниковыми приборными структурами измерительных преобразователей, на основании которого установлены критерии выбора и использования полупроводниковых компонентов и приборных структур пру синтезе измерительных преобразователей излучений для средств НК изделий БЭА.

2. Пазработаш математические модели (физико-топологическая и электрическая.) полупроводниковых измерительных преобразователе! дозволившие определить оптимальные электрофизические параметры ■для конструктивно-топологического расчета полупроводниковых преобразователей излучений.

3.Разработан комплекс новых методов формирования приборных структур полупроводниковых измерительных преобразователей иэлучеш вкяючаюпий: способ формирования пленочных структур ИП из инторкегс лическпх соединений Ап В^ ; способ наращивания на металлических и полупроводниковых компонентах преобразователей легированных пленок из соединений АцВгл; метод получения -.экасных пленок

на металлических и полупроводниковых компонентах ИП ; мотод сш теза гетеропереходных приборных структур ИП из соединений Ал Вт типа слой - слой ; способ формирования оми-

ских контактов к структурам ИП из соединений А^.

Получены уравнения основных параметров процесса, обеспечиваю-з формирование полупроводниковых компонентов ИП однородной струк-ры с минимальной степенью автолегирования.

4. Созданы основы структурной реализации и конструктивного ношения синтезируемого класса преобразователей излучений на "основе яупроводниковых приборных структур. Эти научные результаты позвони разработать новый класс высокоэффективных преобразователей эктрических полей, оптических и радиационных излучений,'тепловых чей, используемых.в синтезируемых приборах Ш.

5. Разработаны оригинальные метод и устройство неразрушающего гтроля стальных конструкций ЕЭА, путем оценки степени содержания С - ферритнои фазы, позволившие оперативно выявлять макро-и ми-здефекты структуры в миниатюрных стальных конструкциях ЕЭА.

6. Разработаны эффективные методика и прибор неразрушампего героля электроемкости химических источников тока. Полученные гчные результаты позволяют отбраковать ХИТ на заданном уровне

3 Сном с точностью + 10%, исключая непрогнозируемые отказы в ра-■е БЭА.

Практическая ценность работы заключается в создании научно-юдического обеспечения разработки комплекса средств ИХ гества изделий бытовой электронной аппаратуры на стадии ео про-юдства. В процессе реализации указанной пробллемы:

1. Сконструированы установки для получения пленочных компо-[тов ИП из соединений Ап Вт и формирования гетеропероходных [борньг: структур ИП из соединений Ап Вт •

2. Синтезированы и созданы новые эффективные преобразователи [учений на основе полупроводниковых приборных структур для раз-¡атываемых приборов и устройств контроля качества изделий БЭА: зрительный преобразователь электрических полей на основе !.ШТ -

- триодных структур ; измерительный преобразователь оптических излучении ка основе варизонных полупроводниковых структур ; измерител ный преобразователь ионизирующих излучений на базе МДП-триодных структур ; измерительный преобразователь оптических излучений на основе варизошшх полупроводниковых структур ; измерительный преобразователь ионизирующих излучений на базе !.Щ1 - триодных структур измерительный преобразователь тепловых полей на основе гетерострук тур и фотодиодных матриц.

3. Разработан комплекс высокоэффективних малогабаритных прибо ров и устройств на базе полупроводниковых преобразователей излучен обеспечивающих производство вчсококачкственных изделий БЭА, в том числе

- для контроля вязкости проводящих и паяльных паст ;

- неразрушающего контроля целостности плат и изоляции в высок вольтннх цепях ;

- неразрушающего контроля целостности металлических конструкций БЭА;

- котроля ионизирующих излучений ЕЭА ;

- контроля тепловых режимов ЕЗА ;

- измерения электроемкости химических источников питания БЭА.

Созданные измерительные преобразователи излучений, приборы и

устройства контроля качества БЭА защищены 42 авторскими свидетельствами.

Основные положения и результаты,выносимые на защиту.

1. Результаты теоретических и экспериментальных исследовани] процессов взаимодействия электрических,магнитных полей, оптических и ионизирующих излучений с полупроводниковыми приборными структур; ми измерительных преобразователей на основе гомо-, гетеропереходо] и МДП пленочных систем.

2. 'Зизико-топологические и электрические модели полупровод-

гкових приборных структур измерительных преобразователей, их лри-[адное значение."

3. Методика синтеза топологической структуры полупроводнпко-IX измерительных преобразователей твердотельного и гибридно-пленного вариантов исполнения.

4. Технологические решения по методике формирования полупро-дагаковых приборных структур и измерительных преобразователей изменив с заданными свойствами.

5. Методы неразрушающего контроля важнейших элементов ЕЭА -

ттроля целостности изоляции, печатных плат, электроемкости ГГ.

Реализация результатов работы. Разработанные способы и сред-•ва неразрушающего контроля внедрены на ряде предприятий электро-¡хнической, радиотехнической и электронной отраслей, в том числе I НТО "Интеграл", НПО "Горизонт" (г.Минск), Ново-Дукомлъской ГРЭС, гтебском заводе "Эзистор", НПО "Лакокраскопокрытке" (г.Хатьково, »сковская обл.), экспериментальном НИИ металлорежущих станков '.Москва) и Минском заводе крупнопанельного домостроения .'5 I. »тором изданы инструкции по применению синтезированных приборов устройств, которые обеспечивают качественную эксплуатацию впед-;нных средств контроля». .

Созданные средства Щ легли в основу современного технического контроля качества изделий ЕЭА.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на зесогазг к научно-технических конференциях и совещаниях, мекву-

>вских научно-технических конференциях), Белорусских республикан-1их НТК им.А.С.Попова, внутривузовских НТК Белорусской политех-1ческой академии и на ряде международных конференций, в том числе

на международном интернациональном симпозиуме по электротехнике (Лодзь, Польша, 1989) ; интернациональном международном колоквиу-ме по оптоэлектронной технике (Ильменау, ГДР, 1990) ; международно колоквиуме по энергетике (Дрезден, Германия, 1991) ; международног конференции по контролю оборудования электростанций ( Магдебург, Германия, 1992).

Публикации.

Основные результаты диссертационной работы изложены в монографии "Измерительные преобразователи излучений на основе полупроводниковых приборных структур (Выш. школа, Минск, 1991), в экс рзссинформации БЗШШШТГИ" "Первичные измерительные преобразовате ли температуры " и " Ковые типы преобразователей электрических полей", в журналах "Известия АН БССР, сер. га.т.н"; "Известия ВУЗ, физика", "Известия ВУЗ, Энергетика" и различных сборниках. Опубли ковано по данной теме более 60 научных работ. Описанные в диссертации разработки защищены 42 авторскими свидетельствами на изоб тения. Приборы, изготовленные под руководством автора, отмечены Дипломом П степени ВДНХ БССР.

Вклад автора в разработку проблемы.

Автором лично разработаны теоретические основы методов контроля целостности изоляции, печатных плат, электроемкости химических источников тока, а также методика формирования пленочных полупроводниковых компонентов Щ ; разработаны теоретические основы и структура созданных полупроводниковых преобразователей излучений, ; выполнены без соавторства монография и 17 изобретений.

Под руководством автора и яри его непосредственном участии

провода.чись экспериментальные исследования, разработаны уникальны!

нестандартные приборы и устройства неразрушашцего контроля издели! БЭА.

Объем работы« Диссертация состоит из шести глав,выводов, гска литературы и приложения. Текстовая часть изложена на 205 >., графическая на 80 страницах.

ОСНОВШЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность и новизна разрабатшзае-i проблеш, поставлена общая цель, дана краткая характеристика ¡сертацнонной работы и сформулированы положения, выносимые на дату.

ft первой главе дан анализ современного состояния технических ¡дств контроля материалов и изделий бытовой электронной апиарату-в процессе ее производства, отражены перспектизы использования 1упроводншсовых измерительных преобразователе!: при синтезе новых юкоэффективных приборов контроля качества БЭА.

Как известно, БЭА представляет собой многоуровневую структуру :тннх систем, а ее основные показатели качества формируются в »цессе производства и оцениваются комплексными показателями

К-= % Ро + % Со + 4>т Wo + Vv Vo + ь Я О + Ч>Т Тро , (I)

> Ро, Со, ГПо, Vo, Хо, Тро- потребляемая мощность,стоимость,

:са, интенсивность отказов и срок разработки соответственно ; , Vc, Ч'т, Vv/f WrlO^ty^ij- коэффициенты значимости. Качество шановки изделия БЭА оценивается уравнением существования в виде

(0i) + h2 (Ф2)+ • • • (Ф&) ,

; Фр ~ функциональные показатели качества.

На стадии производства 133 А для полного контроля их качества ¡дается единая система дефектоскопического обеспечения, представшая совокупность методов и средств неразрушаадего контроля (НК) rx метрологического обеспечения. Разработка программы контроля 1ества ЕЭА л ее обоснование базируются на качественной модели

НК изделий БЭА, которая синтезирована в виде связанных графов,определяющих подлежащие НК материалы, элементы,узлы и блоки изделий.

На основе анализа используемых в производстве БЭА материалов, компонентов и функциональных узлов, а также методов и средств их контроля выделены первоочередные задачи, решение которых обеспе чиг изготовление высококачественных изделий БЭА: синтез и разработк методики и устройства ЕК печатных плат и высоковольтной изоляции, металлических конструкций БЭА, вязкости технических паст, электроеы сти химических источников тока ; проектирование и создание высокочуя витальных устройств контроля ионизирующее излучений,тепловых решало БЭА.

Анализ известных методов и средств НК металлических компонентов и печатных плат изделий электронной аппаратуры показал, что существующие дефектоскопы НК металлических, диэлектрических деталей конструкций не удовлетворяют по ряду показателей (громоздкость,низк оперативность обладают сложной конструкцией, дорогостоящ!)и не могут быть использованы для контроля качества БЭА на стадии производства, в связи с чем актуальна задача создания компактного миниатюрного прибора НК металлических компонентов и печатных плат БЭА, база рующогося на электрическом и магнитном методах.

Исследованы методы и средства контроля реологических свойств текучих сред с позиций' чувствительности по динамической вязкости и

линейности переходной характеристики. Показано,что для контроля вязкости проводящих и паяльных паст на стадии монтажа и сборки эффективны ротационные вискозиметры.

Анализ физических аффектов в полупроводниках показал,что наиболее прпегле.'.гггта эффектами, на базе которых возможна реализация

Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий /Под ред.В.В.Клюева,?Л.: Машиностроение, 1986кн.1 - 391с,кн.П-326с

многоцелевых ПИП, являются одинарные, з том числе: электрический? магнитный и оптический. Из двойшас эффектов практический интерес представляют электрические, функционально описываемые зависимостью = ^< Ёрад.» Нэ) и зависимостью 0ч 4 ( Еопт ) при совместном воздействии электрического поля и оптических либо радиационных излучений.

Показано, что высокой чувствительностью и стабильными параметрами обладают преобразователи излучений на основе полупроводниковых приборных структур (гомо и - гетеропереходам компонентов).

Указанные исследования предопределили перечень и вид методов и средств неразрушвдего контроля, полупроводшпеовнх преобразователей излучений,разработка которых необходимы и достаточная для обеспечения гарантированных показателе!-! качества выпускаемой БЭА..

Во второй глазе рассмотрены пути оптимизации структур полупроводниковых измерительных преобразователей по реузльтатам их взаимодействия с электрическими и магнитными полями.

Поскольку излучаемые изделиями ЕЭА в процессе неразрушающего контроля их компонентов электрические Е и магнитные П шля являются

классическими и соответствуют условиям

, ~ т <«

где С , С , {По - заряд,время релаксации и масса электронов соответственно ; В - индукция магнитного шля ; Н , Т » & - постоянная Болъцмана, тешература, относительная потеря энергии электрона, важными с точки зрения синтеза ПИП электрического и магнитцо-го полей представляются гальваномаиттнно эффекты. Относительное изменение электропроводности полупроводниковой структуры, по величине которого выявляется пригодность использования эффекта магнито-

сопротивления для реализации ПИП магнитных полей, находится из выражения 4670J, = — Ci (ft fl)2 (3), где ftf - подвижность носителей заряда ; Ci - коэффициент,зависящий от механизма рао-сеяпия носителей^" Из представленного на рис.* I графика ДбУ^Ь следует,что наиболее чувствительными для синтеза ПИП являются арсенид и антимонид индия.

Для оценки влияния внешнего электрического поля на свойства полупроводниковых компонентов ИП рассмотрено изменение напряженности электрического поля £s в приповерхностной области пространственного заряда и ее взаимосвязь с шириной области этого заряда.' Для условия c/y/dx =0 при V" =0 получено соотношение, определяющее £s в любой точке приповерхностной области заряда полупооводника .

Es=2/ьэ и^-1>+1 г-')чТ? (4)

где ¿з = [£пбо Н7/(2/Те- длина экранирования поверхностного заряда; Х = ЛП/щ = & р jpi 5 2 = (Рс/По)1^; Vs Р(Ф-Чь) ? р-^/кТ • Учитывая, что поверхностный потенциал Vs полупроводникового компонента ИП изменяется как Vs= Vso ± Ex, вариация ширины высокоомной области пространственного заряда при воздействии Е.с выранается зависшостью </i Ad - Cn th (V/U)J. (5)

Исследовано взаимодействие полупроводниковых компонентов ИП с фононным и фотонным излучением.- Показано, что при фонсн-фонон-ном взаимодействии .могут создаваться фоконы повышенной энергии

• Однако при поглощении свободными носителями полупроводника энергоемких фоноков не происходит их ме&зон-ный переход, либо перемещение на свободные состояния энергетических уровней в запрещенной зоне кристалла, а лишь возможность непрямые переходы в пределах одной зоны. Следовательно, воздействие излучаемых изделиями БЭА фононов на полупроводниковые компо-

л?

>т

ч

? У

У/ /

V

1-Ы8; г-ЗпА*

З-воЯ*-, 4-РьТе

б-Ь'с; 7-Сс1Те; *-2п$е\ 9-Р&&,

? *

3.7л

Рис. I. Зависимость относительного изменения электропроводности элементарных полупроводников от вариации магнитного поля.

й<Р

а)

СМ'* 2 ^

Ж"

/о

12

/0й 10й ¿о1Ь~ №

-п.см

'ис.2. Изменение основных параметров полупроводников.облученных - квантами и в -частицами. ьП1р)-~{(Фе.) ¿1 при \\1<>*г5 \-pSl (а); р/р » ЦФа)(е) Пйи Йв,0м 1-250, 2-Ао., 5-У, 4-ая.

1С0 у/;

{1 20 # я

50 го /О

-ГД^У Ш

0.1

[V* у К

Ьс Г

30 20 Го

4 Г ¿> а Г

5

Рис. 3. Зависимость ветвей БАХ гомопереходов - а) и гетероперехода - б) от.интенсивности радиационного потока ^ а):1-Ф=0 ; 2 -,С0&; 3 - Ф=Т0* э/см*(р -п 51 ) ; 4 -'1=0:5-00^: 6- э/слг2(р - п &чАл) ; б): I - Ф=0 ; 2 - Со6" ; 3 -2=10^

в/си2 (рЙаА? - п2пЗс ).

ненты Ш практически не изменяет их электропроводность, коэффициент переноса, не улучшает передаточную функцию приборной структуры^

Относительное изменение электропроводности полупроводниковых коль понентов ш, подверженных световому воздействию, составляет +№&р)/(/*7п По+ргрро), (6)

стационарные концентрации избыточных носителей /7 ,р'. /7в> Ро - концентрации и исходные концентрации электронов и дырок в полупроводнике ; Л - интенсивность свотобого потока.

При импульсном режиме источника излучения нарастание проводимости оценивается зависимость;) 6^? -е^цЗ^Тп¡^п(1-£Хр(-^/Гп))> а ее спад = ехр (- ¿/Гл).

Напряжение сигнала однослойного компонента ПИП под действием синусоидально модулирующего напр;:гення

где Ро, Рп - сопротивление полупроводника и постоянного резистора ; Абр - изменение проводимости полупроводникового кошонента.' При условии Ро- /?п ив предположении отсутствия захвата носителей заряда на ловушках уравнение (7) приводится к виду

цс~ тщж{{-^)1н(вп (в)

Здесь /7= Я'/р; р*Вп ; . Поскольку обычно

из (8) очевидно,что использование в качестве компонента ПИП материала р-типа повышает фоточувствательность преобразователя.

В бинарных компонентах ПИП полное число фотоносителей через р-п

„ере*™ ы, & (ф-фМ'ЗфН&Щ. и)

Поскольку при одной и той же онергии излучения й^со Л > то из (9) находим зависимость фототока от длины волны светового излучения

^ ШЯвгНО-ерРф * • <10)

Из (9) и (10) следует,что для увеличения токовой чувствительности и выходного напряжения в области коротких волн бинарные структуры

И5П целесообразно формировать ближе к поверхности, в длинноголовом диапазоне - располагать глубже над излучаемой поверхностью : использовать слаболегированный широкозонный эмиттер^

Отмечено, что гетеропереходные структуры, в которых благодаря "эффекту окна" поглощается широкий спектр фононов с энергиями т • Ед1 до Ед2 , а также практически исключается эффект подав-:ения поверхностной рекомбинации фотоносителей, шгут эффективно :спользоваться в .структурах ПИП оптических излучений.

Исследованы контактные явления в полупроводниковых приборных ¡труктурах ПИП. Показано,что для выделения постоянной составляю-1ей электрического сигнала в частотном спектре целесообразно ис-гользовать тонкие и резкие гомопереходы. При синтезе чувствительна структур ГОШ на основе изотппных и анизотипкых гетеропереходов еобходшло попользовать составляющие компоненты со слабо различием значениями постоянных решеток

ОаР-вс; ЗпМ~2пТе; Зп 3&- Сс(Ъ).

Рассмотрено воздействие р- и "V - излучений на полупро-одниковне приборные структуры ПИП. Концентрация носителей заряда полупроводниковых структурах после облучения устанавливается о закономерности распределения носителей заряда между введешш-:и примесями и дефектами разных типов.' В облученных полупровод-иках п-типа при равновесных температурньк условиях

А/г ((1*4п?/л/$)'& со)

р* <¡1 Ши*Ы/А/? р -Л) ,

де N1— П'Р ~ разность концентраций электронов и дырок.

ри , р-

:сли Ер-Ед>0, Ер~Ео>0, А/г»Ый-Ы<з~А/ьа

[ концентрация электронов линейно падает с ростом интегрального :отока ф излучения, то есть

П*По -¿Л&а/с/ф ' 4 ~Пе '¿рФ, (II)

где /?<з - концентрация основных носителей заряда в полупроводнике ; oCf] ~ fc¡cfi - начальная скорость снижения основных носителей заряда. При Ер ** Е-В >0, Bp ~ ЕО. "с О

П~ По еху9 (- faD'^n Ф) ~ По ехр (- ХпФ), (12)

где Па. - концентрация свободных олеотронов при Ер = 5а \

- коэффициент радиационного поверждения концентрации носителей заряда. Экспериментальные кривые йП(см.рис. 2а) показывают, что с увеличением интенсивности потока электронов . происходит'резкое снизение концентрации носителей заряда, при этом различие скоростей удаления носителей заряда уменьшается за счет возрастала числа вводимых в область полупроводника структурных дефектов.

Для однородных полупроводниковых структур изменение удельного сопротивления при облучены* 6Хр (f/^ф), (13) где f/p - радиационный коэффициент изменения Р . Как следует из рис. 2.6, изменение fp для однотипных полупроводников различной проводимости практически одинакова причем с ростом последней наблюдаемое повышение сопротивления смещается в область большой интенсивности Ф. Предоставленные на рис. 3,а,б зависимости ветвей ВАХ гоно - и гетеропереходных компонентов ПИП от интенсивности радиационного потока показывают,что с ростом интенсивности ф происходит монотонное возрастание падешш прямого напряжения и обратного тока.

Отмечено,что полупроводниковые пленочные структуры, гомо -и гетеропереходы со сформированными защитными слоями, которые сят энергию быстрых частиц до запороговых значений, могут эффективно использоваться в структурах преобразователей ионизирующих излучений.'

Третья глава посвящена вопросам моделирования, топологии и -конструирования полупроводниковых преобразователей излучений.

Для составления математических моделей полупроводниковых приборных структур* ПЩ, связывающих их выходные характеристики с электрофизикескими параметрами, используется трехмерная система уравнений (2) дп/fit = J/z Vjp

dPjdt -Ve vip * Яр - ?Pj Jn = e(rtnn£+Dnvn)t (I4) Jp= e (ptppE- Ppvp),

(e/еп £oHp*Na-n-*/a).

Здесь Jn, Jp - векторы плотности тока электронов и дырок ; да. Dp: jfrfp - коэффициенты диффузии и подвшшости электронов и дырок ; £р - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника ; CJn, Çp i £/7, Vp - скорости генерации и рекомбинации электронов и дырок ; A/q, M? - концентрации доноров и акцепторов ; У - электростатический потенциал. Результирующая модель элемента ПШ является распределенной в форме эквивалентной Я С - цепи и представлена следующей системой уравнений (для элементарного к-го объема). fWffw + YWi Gv.tfu Gn,n-t¿ + %*3 4 ЫОм^+Укч Gk*í,iAü+Ykî S им, * %и Gm, Q*JjAí,m,

ЧиНм.н+Чкн&к^ш+ЧмгGmsjs+Z-<■ Ъъ^и^ыз+УкМ^К**

Gy^u* Чы Ох*з,ы* Ук+2 (ты, + Gif* ** * VU G*i3.^мн.т,

lpn ff*ц^-t mi*Vk+¿ <?»4,u*s* líu*3 № +VU (/■>¡i ы,

Здесь ft" V* ; \ ! VW ~

^íM^íi+Ü Vpf/eOi Gt¿u~ Gctt-i + Gc-P* ;

64 (&Пн-± * G nu* Gît:).

^ Чахмахазян E.A., Мозговой Г.П., Сшн Б,Д. Математическое моделирование и макромоделкрование биполярных элементов электронных схем; М.: Радио и связь. 1985 - 304с.

Задача конструктивно-топологического расчета ПИП разрешима при наличтш физико-топологической модели, связывающей выходные характеристики преобразователя с параметрами его физической структуры и топологии,' Путем замены концентрации носителей квазипотенциалами Ферми исходная система уравнений (14) преобразуется в одномерную систему уравнений физико-топологической модели ГОП

= бЛ/с¡Пп (X) Гп (<Рп, Ч>, %)/(д%/ВХ),

«

JР*ГР(Ц,Ъ<&)/(в?г/дх), се)

ъ(ч>-%) т

ъЧп

ъ УаПчЪ^п, 9,%)+А/М] .

Здесь

Л/с, АД/ - эффективные плотности состояний в зоне проводимости и валентной зоне ; /77 (%, Ч>(}), Рр (%, Ч'с)-кнтегралы Ферми для электронов и дырок. Доказано,что система уравнений (16) описывает статическими импульсные характеристики одномерных структур и справедлива для любых полупроводниковых компонентов ПИП независимо от электрофизических параметров материала и профиля примеси."

Для расчета схем ПИП на дискретных компонентах целесообразно использовать электрические .модели, построенные относительно электрических параметров ПИП. Приводятся электрические модели активных элементов ГОШ.' Далее рассмотрены принципы построения и конечные выражения формальных и адекватных моделей, используемых

при синтезе сложных многоэлементних систем.

Рассмотрена методика синтеза топологии и конструирования активных и пассивных компонентов и структуры ПШ по результатам моделирования. Приводятся конечные выражения, позволяющие рассчитывать геометрические размеры элементов по исходным параметрам и проектировать новые ти п ПИП.

В четвертой главе излагается разработанная методика формирования полупроводниковых компонентов и приборных структур ГОШ.

Предложено миниатюрные высокочувствительные ПШ излучений армировать на основе гомо - и гетеропереходных компонентов, пленочных структур металл - полупроводник - диэлектрик ; даны рекомендации по выбору оптимальных вариантов.

Рассмотрены специально синтезированные методы формирования пленочных структур ПИП из интерметаллических соединений Ап (АдВ^, П0ЛУче,!ИЯ легированных пленочных компонентов из

этих соединений и нарагзпзания окиснпх пленок на металлических и полупроводниковых структурах преобразователе;':. В первом способе металлический Дл и металлоидный Вт компоненты размещаются в крайние зоны камеры специально сконструированной трехзонной установки, а основание - в средней зоне. При этом нагрев подложки поддерживается на уровне,определяемом зависимостью

Тг- (га'< ^>11' (п)

а температура зон размещения металлического и металлоидного Т3

компонентов соединения находятся из выражений:

Т1^й6°а)Ы1(&д«<р1кТг)-еп5Я, <га> ъ-Л Ст

9 т /р ф

Здесь В=1,24 10 А (Щ)1'* . В) - свободная энталь-

пия компонентов соединения при температуре Т^ и Т3 соответственно ;

¿3. диф. - энергия активации поверхностной дифоузии молекул соедн-

ьезшя ; 0/3,6 - коэффициеты диффузии компонентов Ап Вт, И, /?, М - соответственно константа Больцмана, универсальная газовая постоянная и молекулярный вес соединения ДпЬт.

.Формирование легировашгых полупроводниковых компонентов ПИП из соединений ЛаВ/п осуществляется в синтезированной/аетырех-зонной нагревательной камере. При этом температурный режим первой и второй зон камеры с размещенными компонентами соединения устанавливается в соответствии с выражениями (1Э) и (18) у температура конденсационной зоны устанавливается из выражения

а температурный режш четвертой зоны ( легирующей примесь») - в соответствии с уравнением

Здесь д\д/ - энергия активвции диффузии ; 2То, - период колебания диффундирующей частицы и постоянная решетки диффузионной среды ; - время процесса наращивания ; с/ - толщина растущей пленки ; &0у[п,рТ~ свободная энтальпия легирующего компонента ; Пгп,р] ~ концентрация легирующей примеси. Показано,что отклонение температуры нагрева металлического и металлоидного ког.шонектов к оптимальной не: должно превышать ± Основное преимущества метода: высокие скорость наращивания и однородность структуры формируемых компонентов ПИП заданной степени легирования примесью;

Для реализации структур ПИП типа металл-диэлектрик-полупроводник создан специальный метод получения окисных пленок посредством плазменного анодирования. Приводятся тепловые и временные режимы способа, а также установка для его осуществления.

Изложена методика формирования активных гош- и гетеропере-ходных компонентов ПИП, а также методика синтеза пассивных лле-

ночных элементов и формирования омических контактов.

Для синтеза р-п гетеропереходных компонентов ПИП из соединений An Bj», типа слой-слой разработан новый технологически:; метод и специальная установка - многокамерная вакуумная печь, позволяющая реализовать все технологические операции способа в вдином цикле. Температурный режим зон размещения металличеокого, металлоидного компонентов и легирующей примеси устанавливается по уравнениям (18), (19), (21). Температура подложки с учетом реакционного механизма формирования внутреннего слоя повышается в процессе его роста по параболическому закону'

T^Tazd^Vî/s/fos), (22)

при этом начальная температура нагрева подложи находится из зависимости Таг Wt + Wo )/Ktn[ к с По Do /Ы ). (23) Здесь Wl', Wo - соответственно энергия перехода ионов в мевдуузлия решетки пленки и энергия активации диффузии сквозь пленку ; кс - коэффициент стехиометрии ; Do- частный множитель коэффициента диффузии ; /7 о - концентрация ионов fin на границе с пленкой соединений ; /\/ - поток диффундирующих ионов компонента Вгп » ^ ~ Длительность процесса наращивания внутреннего слоя. Температура подложки при формировании наружного слоя гетероперехода определяется из выражения (17)с

Приводится подробная методика изготовления монолитных и гибрид-; но-пленочных приборных структур полупроводниковых измерительных преобразователей масочным методом и техпроцессом,включающим операции фотолитографии, окисления, эпитаксиального осаждения и диффузии.

Пятая глава посвящена разработке и использовач.ш полупройодни-ковых измерите.шшх преобразователе!! из.^/чений в устройстве неразру-шающего контроля материалов и изделий бытовой электронно* аппаратуры.

Синтезированы полупроводниковые преобразователи электрических и тепловых полой, оптических и ионизирующ.гх излучений. До-

тально раамотрсны вопросы конструирования,физический механизм Функционирования, важнейшие параметры и область использования указанных типов преобразователей.

Преобразователь электрических полей (ПЭП) реализован в вариантах монолитной МДП-структуры, .матрицы ЦДЛ - элементов, млкро-электронного твердотельного элемента и структуры на дискретных элементах.Выбор материалов, обоснование структуры и нахождение размеров областей синтезируемого ПЭП производился на базе уравнений физико-топологической модели с учетом оптимума удельной крутизны $ - = у . где Пп -концентрация основных носителей в канале ; ~ даэлектР11Ческая проницаемость и толцша диэлектрического подзатворного слоя ; толщина и длина индуцированного канала.' Приведены переходная характеристика Зёих ~ ^ (Еж) , вариационная характеристика крутизны 3 — Р(Ииэ ) и амплитудно-частотная характеристика Иднх~ у) . Как следует из рис." 4.',а, переходная характеристика ПЭП адекватна сток-затворной характеристике ГДПП-трап-зистора, причем повшение питающего напряжения улучшает результи-рую чувствительность ПЭП; Отмечено, что монолитная матрица из четырех ЫДП - элементов повышает стабильность работы ПЭП и возможность его реализации по дифференциальной схеме.

Измерение двухполярного электростатического поля обеспечивает ПЭП, сочетающий свойства полупроводникового эмиттера электронов и электровакуумного прибора. Поскольку для прямо смещешюго р-п перехода Эц^ ^ [величину анодного тока можно регулировать путем вариации Ни. Изменение напряжения ¿//<==0,5..'.ЕВ (см.рис." 4.6) обуславливает рост За. бо-лее# чем на порядок, причем эффективность катода возрастает с повышением степени легирования эшттерной области.

мЛ'

I

5»

ив

53

2 -

о

: (а) пои вн=]

то**

Рис. 4. Переходная характеристика ПЭП (а) пои Вн=1 кОм ; ^=2 кГц ; гпа^ик зависимости , 7а= £ (Шс, ) (б) ; I - 2 а= £ I и^ > при* Мо = Ю« см-з " ' —"д

■¡с, -

/л/),

I.

к Р

з г

I

<■ "5- (О 20 за

м/Г

/

Iа Цо бо м п

Рис. 5. Энергетическая характеристика ФЭП (а) ; график зависимости Лс^.

,4 Г

Шьн,

Ч 6 ч 2 О

у

л /

Ш

Рис. 6. График температурной зависимости переходной характе ристики ПРИ (а): I - : 2 - 20 °С ; 3 - 75 °С : графики зависимости 16) Цшк.«^ (Т) -1и Лобр.= * (Т)-2.

Основные электрофизические параметры ПЭП (по результатам испытаний) : пороговая чувствительность Уе=0,8...1,2 В/м ; удельная крутизна преобразования =1,2... 1,4 (мА/в) ; суммарная погрешность преобразования Дг:=2,8...3,2^ ; квх= 6 Ю8... Ю9 Ом; Я вых<= 1,2 ... 1,5 кОм ; Ип=3...1СВ. Крутизна преобразования твердотельного микроэлектронного ГЭП в л!шейной области характеристики 2г 20 мА/В. Его преимущества перед электровакуумными аналогами - высокая крутизна и низкое питающее напряжение Цл=З...Ю В.

Для контроля целостности изоляции в высоковольтных цепях разработан ПЭП, на дискретных элементах, который сформирован на диэлектрическом основании - прищепке. Структура измерительный -экранирующий электроды и изоляция реализованы послойной в форме полуколец. Электрические характеристики ПЭП определяются параметрами используемого Г.Щ1 - транзистора. Для элемента КП305Б У£=1,5В/| =3.. .5 мА/В ; Цп=3.. ЛОВ.

Разработанные ПЭП на основе полупроводниковых приборных структур использованы в средствах неразрушающего контроля целостности изоляции, металлизации печатных штат и металлических конструкций ВЭА.

Преобразователь оптических излучений (ФЭП) сформирован на базе двойкой гетеропереходной структуры с варизонной С - областью. Необходимым условие.'.! синтеза высококачественного ФЭП является до-стинение предельно возможной величины фототока Зф~У$ *

,где Л .- плотность фототока, собираемого из необед-ненного р-слоя ; Зрк. - плотность фототока, генерируемого в обедненном р-слое перехода ; 3& - плотность фототока за счет поглощения и диффузии в обедненном п-слое сазы ; - плотность фототока, генерируемого в обедненном слое базы. Показано, что основной вклад в результирующий фототок вносят генерационные со--Л _Р

ставлявдие ¿ря , . Приводятся основные характеристики ФЭП:

вольтамперная /¿/aj, спектральная Ja( iï) и энер-

гетическая Jq= Jy). Спектральная характеристика показынает,

что ФЭП обладает высокой токовой чувствительностью в широком

о

спектральном диапазоне от 0,3 до 0 8 мкм. Представленная на рис 5а, энергетическая характеристика обладает высокой линейностью в широком интервале , которая улучшается с ростом питающе-

го напряжения.

Формированный на основе сетеропереходаой многослойной структуры ФВП обладает следующими электрофизическими параметрами: токовая чувствительность Sj — 3,5. ..5,0 мА/Вт ; диапазон спектральной чувствительности- дД 0,2...0,8 мкм ; порог чувствительности Фд==5 Лм Гц-^2, темновое сопротивление Rj-- 5-Ю6 ... Ю7 Ом; Ucj==5...20B.

Синтезирован специальный тип ФЭП - фотодподно-диодная матрица на гетеропереходных компонентах, каддый элемент которой способен воспринимать, преобразовывать сигнал и хранить длительное время-принятую информацию. Приводится ее структура, методика синтеза, чехшшзм функционирования,параметры и область использования.'

Лля оценки уровня ионизирующих излучений изделиями БЭА разработан преобразователь радиационгшх излучений (ПРИ),сформиро'~ занныа-жХ на основе полевой трподной структуры, на встроенном еанале которой размещен слой широкозонного полупроводник?., о бра-|укщего с каналом гетеропереход. Приводятся методика синтеза, •опология и конструкция ПРП. Реакция ПРИ на уровень ионизирующее излучений производится по изменению величины выходного тока [ДТ-структуры, величина которого находится из выражения

де \л/о, S - толщина и площадь канала ; Лп, Тл ~ коэффициент ;иффузпл и время жизни электронов ; - скорость поверхност-

ой рекомбинации электронов ; âjd? , ùlclii ~ составляйте

выходного тока от ионизирующего излучения и вторичной электронной жншзации. Экспериментально снятая переходная характеристика си.рис. 56) показывает,что в диапазоне малых экспозиционных доз фотонного излучения(40...100 мкр/ч) зависимость ¿[(¡.-¿1^у) носит квазилинейный характер, отражающий фотоэлектрический механизм генерации носителей в р-области гетероперехода, зависимость Ос Ч(фе) при малых интенсивностях флюэнса электронов также близка к линейной.

Экспериментальный образец ПРИ оформирован на германиевом основании и характеризуется следующими электрофизическими параметрами: энергетическое разрешение по У -излучешн? по р - излучению Д\л/уз =2,7 эВ ; порог чувствительности по У - излучению Зх0 с: 15...20 мХр/Ч, по -излучению

Зро« 8 »Ю13... 10^ э/с:.? ;крутизна передаточной характеристики по X - излучению бу-ЗО + 1,2 ^^р • по Р ~ излУче~ нию■ 5^ = 1.4+0,03 АлД'СмУм**,рабочее напряжение ¿4~5...10В:' Для непрерывной регистрации ионизирующих излучений в широком энергетическом диапазоне создан ПРИ, который сформировал на полевой триодной структуре по дафференциальной схеме. Приводятся его структура, механизм функционирования, характеристики и параметры. Синтезированные ПРИ на базе триодных структур выполнены на уровне экспериментальных образцов и обладают стабильными свойствами. Для контроля тепловых режимов БЭЛ на финишном этапе ее производства синтезированы пленочные полупроводниковые преобразователи температуры. (ПИТ ). Первый тип преобразователей сформирован на основе . структуры полупроводшш- диэлектрик-полупроводник, причем'раз деленные диэлектрике«части полупроводникового слоя и подложки представляют собой термочувствительные элементы, соединенные мнжду собой общим контактом. Контактирующие

части полупроводниковых компонентов образуют гетеропереходный диод. Вариация проводимости термочувствительных слоев пропорциональна ЕХР(~ , а дафференциальная проводимость гетеропере-ходной структуры ППТ

гДе ЕВ - энергия активации донорной примеси; ((pNp)t

Рассдатрены основные характеристики ППТ: R8blx~i~(T) термочувствительных элементов, Ц, вых= (Т ) преобразователя и J обр= {(Т) гетеропереходного компонента; ¡{arc следует из рис; 6.6, усредненные зависимости Цвыхг= -f(T) и J обр= (7* ) партии ППТ из 10 образцов носят нелинейный, близкий к экспоненте характер.

ПНТ, реализованный приборной структурой бе - GeQ- Oofis,, обладает, как показали результаты испыташ1й3следущк.та свойствами диапазон номинальных значений сопротивления'при 20°К-(103...107),± 10% Ом ; коэффициент температурной чувствительности °К-6300 % температурный коэффициент сопротивления, % / ОЕ - 3,8 для 6ч? элемента при 20°С и 1,9 для Gofis . элемента при Ю0°С ; диапазон рабочих температур, °К-(200...600).

Для контроля тепловых режимов функциональных узлов ЕЭА типа гибридно-пленочных микросхем создан полупроводниковый преобразователь фононных излучений (ППФН), в виде матрицы фотодиодов на полупроводниковом основании, служащем в комплексе с металлическим компонентом термохолодшшшком.1 Рассмотрена структура преобразователя, его топология, динамика формирования сигнала информации о" фононных излучений. Отмечено, что использование в конструкции Ш'Г'Н термохолодильника существенно снияает темповой ток ( Jj-^2,3 ...З..Л0~7Л), то^: фотоотклика при 50°С Jep — (3.V.5) 10"4А, разре-аающая способность, °С мм""* - 0,5, а граничная длина волны фоно-юв ](щ-12 мкм. Разработанные полупроводшгковые преобразователи

температуры выполнены на уровне экспериментальных образцов и обеспечивают точный контроль температуры в диапазоне 0...200°С.

В шестой глазе рассмотрены вопросы синтнза конструкции и технологических основ применения разработанных приборов и устройств неразрушащего контроля материалов и изделий БЭЛ.

Ппибор контроля вязкости технических паст, базируется на ротационном принципе контроля реологических свойств паст, описываемом зависгаостью ^ - КМс/<у ,где Л7с - момент сопротивления на воспринимаемом элементе ; СО - угловая скорость вращения насадки ;К - коэффициент, зависящий от геометрии насадки и сосуда с исследуемой пастой. Конструктивно ПКВП содержит измерительный блок, блок питания и фотоэлектрический преобразователь вязкости, размещенные в общем'корпусе. Точность и надежность прибора в значительной мере определяются рациональным выбором приводного двигателя с линейной падающей механической, характеристикой (АСМ-50) и использованием цифрового метода обработки сигнала с первичного преобразователя. Основные метрологические характеристики прибора (по результатам заводских испытаний): пределы измерения вязкости

. д« уу

в 1.а.;ш диапазонах 1,2...Кг ^ ; суммарная приведенная погрешность в рабочем диапазоне Хр ± ; в диапазоне температур 0.'..40°С допол1ШТельная погрешность не превышает 0,05 % С. По сравнению с аналогами ПКВП имеет более широкий предел измерения вязкости (на порядок), что позволяет контролировать реологические свойства практически всех типов используемых в производстве БЭА па в 3-5 раз меньше габариты и масс®,'

цпибор неразрушпющего контроля целостности плат и изолятдт в, высоковольтных цепях содержит дай самостоятельных канала, первый из которых осуществляет контроль целостности изоляции в высоковольтных цепях, а второй - выявление дефектов'в металлической разводке печатных плат,Конструктивно каждый.из каналов содержит

первичный преобразователь электрических полей» размещенный на выносном кабеле, блок формирования аналоговых сигналов, блок цифровой обработки и индикации. Оптимальный выбор ПЭП и использование эффекта усиления поля повышает точность выявления моста дефекта и его размеры. При выявлении дефектов изоляции такяе используется эффект усиления толя в местах нарушения изоляции Кгр= &./РА

£ (С )

- -с- , где <£р - относительная диэлектрическая

2ti.cz

проницаемость воздуха и высоковольтной изоляции. Типы и точность выявляемых прибором дефектов в металлической разводке плат и вы-;оновольтной изоляции БЭА приведены в табл. I

Таблица I

Гип контролируемого:Способ вы->бъекта :деления

:иноюрма-

:Расстояние:Зид : Порог :Точность :ПЭП от :дефекта:чувстви:выявления :контроли- : :тельнос:места де-

:руемой по-: :ти де- :фекта,мм

:верхности : :фектов :"

:мм : . :В/мм ■ :

[еталлическая раз- Амплитуд-одка печатных но-частот-:аст БЭА ный

ксоковольтная золяция БЭА

1...3 Трещины, _ 0

ВОЛОСОВИ-

ны,раковины, неметаллические включения на. поверхность

Амплитудно- 0,1 Сплошные частотный трещины, 0,*1.'.0,4 + 0,5

оголен- ~

ные

участки .

Использование новой методики выявления дефектов структуры в еталлических и диэлектрических компонентах позволило существенно простить конструкцию прибора, электрическую схему, снизить массо-абаритные показатели.

О о — —

Прибор неразгушающего контроля целостности металлических конструкций БЭА основан на принципе выявления дефектов в сталь-, ных конструкциях БЭА путем оценки содержания о( - ферритной фазы,- Прибор структурно включает два измерительных канала,первый из которых обеспечивает контроль качества структуры стальных элементов БЭА, а второй измерительный канал выявляет дефекты металлических конструкций из дна - и парамагнитных материалов.' В общем блоке каадого из каналов прибора содержатся первичный преобразователь, размещешшй на выносном кабеле, узел формирования аналогового сигнала и корректирующий усилитель. Типы и точность выявления дефектов -разработанным прибором в металлических конструкциях БЭЛ приведена в таблице 2.

Таблица 2 .

Тип контроли- Способ вы- Расстояние Вид Порог Точность руемого делегат Щ от конт- Дефекта чувст- выявления

объекта дефекта - ролируемой витель- места,де-

поверхности кости фектов,мм

ш

Стальные конструкции БЭА

Диа - пара-магшггные конструкции БЭА

Контроль интенсивности сС -ферритной фазы

Контроль изменения магнитного сопротивления

0,1

Напряженные участки с микро и ма-кротоещина-мя,раковинами

Трещины,волосовины, раковинн, инородном включении

0,15% Г...З

0,1% 0,5..'.2

Устройство контроля ионизирующих излучений БЭА (УКИИ) разработано в двух модификациях: с аналоговым и цифровым отсчетом. Синтезированная структура УШШ включает три общих фошщиональных узла: преобразователь ионизирующих излучений, линейный усилитель, узел формирования аналогового сигнала, а также измерительный канал, который для устройства с числэвой индикацией содержит корректирую-

щий усилитель,АЦП, цифровое табло, а для устройства с аналоговой индикацией - корректирующий усилитель и стрелочный индикатор. Использование в структуре УКИИ полупроводникового преобразователя ионизирующих излучений позволило исключить высоковольтный конвертор, упростить электрическую схему, повысить надежность работы.

Техническая характеристика.

Диапазон измерения % - излучения, шр/ч '20... 10^ ;

р> - излучений фм2 Ю4...Ю9 ;

Чувствительность - не хуже 15 мкр/ч.

Суммарная приведенная погрешность Уп^- ± Ю% .

Время выхода на режим - 'не более I минуты.

УКИИ разработано и изготовлено на уровне экспериментального образца, обеспечиваем эффективный контроль уровня р- и ^f - излучений изделия:,га БЭА.

Устройство контроля тегоювнх режгитав ВЭА выполнено трехканалъ-нкм с преобразователям температуры на эффекте Пельте, термосопротивления и с фотопреобразователями." <5отодиодный измерительный канал УКТР обеспечивает контроль температуры испарителей путем'оценки интенсивности фотонного потока; Для линеаризации шкалы используется соотношение ), а истинная температура

/и - 1ц -Но, По- саг1- *<л) ? где t/ii, с Яг - спектральные плотности излучения испарителей при

длинах- волн

- испускаемые способности испарителя при Л£ и jiz • При компенсации Aq,4To реализуется корректирующим усилителем, 7и ~ Ти, ~ И LlSnx.

Основные метрологические характеристики устройства по резуль-:атам заводских испытаний: диапазоны измерения температуры а) терло парным измерит ельнш каналом

с датчиком 7А от 0 до 5С0°С ; с датчиком ПНР от 0 до 2000°С ;

б) терморезистивным измерительным каналом от 0 до 200°С ;

в) фотодиодшэд измерителъным каналом от 600 до 3000°С ;

погрешность измерений Л, %от предела соответствующего диапазона: термопарным каналом - + 1,5 %, терморезистивным каналом -+ 2% ; фотодиодным каналом - + 10% ; коэффициент влияния источников питания кп*8О мкв/В ; температурный дрейф ЭДС смещения л£»5мкв/°1 УКТР многофункционально, компактно, надежно в эксплуатации, обладает широким диапазоном измерения температур и особенно эффегаив-но при бесконтактном контроле высоких температур.

Микропроцессорная установка измерения электроемкости химических источников питания БЭА использует методику, оценивающую электроемкость по конечному значении, напряжения нагруженного элементам Получена закономерность- которая для ХИТ в интервале Сс ==(0,1...1) Сном отображается следующей зависимостью

С1-*(ик1)*аг£(а,Шыа9)+а3, (24)

где СЦк<~ текущее значение электроемкости и конечного напряжения ХИТ ; &о , &1, а2, - постоянные коэффициенты,дискретные для каждого типа ХИТ.'

Установка измерения электроемкости ХИТ создана на базе микропроцессорной системы типа ДВК-2М и состоит (см,рис.'7)

Рис.* 7. Структурная схема установки измерения электроемкости ХИТ.

из модуля устройства ввода - вывода с первичным преобразователем, модуля коммутатора, кассеты с хиглическимк источниками питания .и блока питания. Рассмотрены структура, электрические схемы синтезированных блоков УЕВ, коммутатора ; приводятся программа-алгоритм работы установки, отладки, результаты испытаний АЦП. При тестировании ХИТ распечатывается следующая таблица:

Ж пп Напряжение холостого хода, мВ Конечное напряжение, мВ Электроемкость, Годность С, мА • ч

Техническая характеристика установки: пределы измерения электроемкости ХИТ, % — 10...100 ; •' Суммарная приведенная погрешность, % ^ + 10% ;

1исло прогретою включашых диапазонов входного сигнала... три; Д1=1,25В ; Д2=2,53 ; ДЗ=5В ; быстродействие АЦП - 16500 отс/сек, разрядность - 12 ; :исло одновременно контролируемых ХИТ - 15 ; нятие показаний - на экране терминала и листинг - распечатка.

Установка используется для контроля изделий БЭА в процессе х производства на стадии выходного контроля.

Приводятся результаты промышленного внедрения созданных прибо-эв и устройств контроля качества изделий БЭА. Суммарный'эффект от гедрения созданных средств контроля ( в ценах 1990г.) составляет зиле 600 тыс.рублей в год.

Основные результаты работы.

В результате проведенных исследований взаимодействия электри-юких,магнитных полей, оптических и ионизирующих излучений с полу-оводниковыми приборными структура:®, синтеза математических моде-й этих структур разработаны научные основы методики расчета и тех-

нологии формирования полупроводниковых измерительных преобразователей, который позволили создать комплекс средств неразрупащего контроля для производства высококачественной БЭА.

1.В результате теоретических и экспериментальных исследований взаимодействия полупроводниковых приборных структур ИП с электрическими и магнитными полями определены материалы,приборные структуры элементов для синтеза новых высоко эффективных полупроводниковых преобразователей излучений. Установлено, что многослойные гетеро-переходные системы и ВДП - триодные структуры могут эффективно ис-полъзоваться в качестве первичных измерительных преобразователей электрических полей и ионизирующих излучений.

2. Синтезированы физико-топологическая и электрическая модели приборных структур полупроводниковых преобразователей ; построены электрические макромодели полупроводниковых Щ в виде формальных и блочных вариантов. Елочные модели ИП, получаемые путем снижения порядка "алгебро-дифференциальных уравнений, обеспечивают высокую точность расчета топологических параметров сложных структур полупроводниковых преобразователей. Получены уравнения физико-топологической модели биполярных и униполярных элементов ИП, анализ которых позволяет формулировать результаты схемотехнического расчета в виде требований к электрофизическим параметрам исходных материалов и компонентов.

3. Разработана методика расчета геометрических и топологических параметров активных и пассивных элементов полупроводниковых ИП с учетом математических моделей их приборных структур,на базе которой создана методика синтеза топологической структуры и конструкции миниатюрных полупроводниковых ИП твердотельного и гибргдаю-пленочно

го вариантов исполнения.

4. Разработана методология изготовления компонентов и прибор-

•ных структур полупроводниковых преобразователей излучений!, в проце<

се реализации которой

- создан модифицированный метод получения легированных гете-ропереходных компонентов Ш типа слой-слой ;

- сконструированы шогослойные нагревательные устройства для формирования одно - и многослойных компонентов Ш1 из соединений А„В,п5'

г

- предложен эффективный метод наращивания диэлектрических слоев на вентильных компонентах Ш путем воздействия плазмы тлеющего разряда на поэтапно нагреваемый и охлаждаемый образец;

- разработаны споообы формирования пленочных индуктивных элементов ГОШ и их С С -структур на ферритовом основании ;

- разработан новый метод получения омических контагатов в ком-

с

понентах ИП из соединений типа АпВт.

5. При создшши полупроводниковых преобразователей применительно к средства:,I контроля качества ВЭА:

- синтезированы преобразователи электрических полей униполярного типа с дискретным усилительны.! элементом и создан ' кикроэлект-ронннй преобразователь для измерения даухполярного электростатического поля ; для этих целей синтезированы первичные преобразователи на основе электретных структур ;

- разработаны преобразователи оптических излучений на баз.е гетеропереходных функциональных элементов и двойной фхэтодаодно-диодной матрицы. Использование варизонной структуры р-п перехода

в сочетании с гетеро переходным:'. элементом позволило улучшить энергетические показатели преобразователя;

- на основе .'.Щ1 - приборной структуры разработан новый тип преобразователя ионизирующих излучений, использующий анодное напряжение ¿/а-ЮЗ и внутреннее усиление ;

- созданы новые миниатюрные пленочные преобразователи температуры, реализованные гетероструктурой узкозогашй - широкозонный полупроводник ; для оценки тепловых полей ИК - излучателей ВЭА синтезирована фотодиодная матрица, высокая чувствительность которой

- 36 -

обеспечена наличием собственного элемента охлаждения.

6. Создан комплекс высокооператпЕных средств неразрушающего контроля материалов и изделий БЭА с электрическими характеристиками на уровне лучших отечественных и зарубежных образцов :

а) прибор контроля вязкости композиционных элементов, обеспечивающий контроль реологических свойств в широком динамическом диапазоне 10° . . . Ю4 мН/м2 с ;

б) прибор неразрушающего контроля целостности плат и изоляции в высоковольтных цепях изделий БЭА ;

в) устройство контроля уровня ионизирующих излучений изделиями БЭА ;

г) прибор неразрушающего контроля целостности стальных конструкций БЭА путем оценки оС - ферритной фазы в стальных компонентах и контроля вариации магнитного сопротивления в дна- и • парамагнитных металлических образцах ;

д) устройство контроля тепловых;-режимов БЭА на базе терморе-зистивного и фотоэлектронного преобразователей, осуществляющее многоуровневый контроль температуры и тепловых полей от нагретых источников в интервале 0...3000°С ;

е) методика и микропроцессорная установка для измерения электроемкости химических источников питания БЭА в диапазоне (0,1-..1)Сноь/ и отбраковки на границе 0,5 Сном.

7. Разработанные методы и-средства неразрушающего контроля и новая технология синтеза полупроводниковых ИП внедрены на ряде предприятий электронного аппаратостроения ; экономический эффект их внедрения составил свыше 60С тыс.рублей ( в.ценах 1990г.)

Опыт промышленного использования созданных приборов и устройств НК с полупроводниковыми ИП на предприятиях электронной промышленности показал их высокую эффективность при оценке качества выпускаемых изделий БЭА.

- 39 -

Таким образом, выполненный комплекс исследований взаимодействия электромагнитных излучений с полупроводниковыми приборными структурами, синтеза методик расчета и технологии формирования полупроводниковых измерительных преобразователей и разработки на их основе средств неразрушающего контроля позволил решить крупную научно-техническую проблему обеспечения высокого качества выпускаемой БЭА.

Основные положения диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Сычик В.Л. Измерительные преобразователи излучений на основе полупроводниковых приборных структур. - Мн.:Вшд.школа.-Г79с, 1991г..

2.Сычик В.А. »Кочнева А.Г. .Лавринович П.А.Первичные измерительные преобразователи температуры резонансного типа. - Экспрессннфор-мация ЕЕЛШИБТИ, серия 85.31.31.Ш. ,1987.-84с.

3. Сычик В.А..Кочнева А.ТЧ.Шньков В.1{.~ и др. Новые типы преобразователей электрических полей.' - Экспресс-информация Бел-НИИНТИ, серия 85.31.Ш.,1987.-36с.

4; В.А.Сычик,В.И.Пашек, В.Т.Юшко. Получение тонкопленочных соединений 2п$е, 2гПЬ - активных компонентов гигродатчиков. Известия АН БССР, Сер^Г.г.н. - 1973, 3, - с-.- 113-115".

5. В.А.Сычик, С.А. Зайдман, Л.И.Свирякин, Н.Филишов.;, Вальтам-пернна характеристики 2пТе структур. - Известия ВУЗ. Физика,1974,^ I. - с.11-14.

6. В.А.Сычик. Термодатчик на основе тонких пленок теллурида цИнка. Сб.Процессы переноса тепла и массы при сушке различии; материалов. Изд-во ШО АН БССР, 1974, - с.57-59.

7. В.А.Сычик,В.И.Пашек. Электроопткческие свойства теллури-дов цинка - активных компонентов оптоэлектронных приборов.Известия ВУЗ,сер. Энергетика, 1974, В 12. - С.107-11В.

9i В.А.Сычик, И.А.Ступак. К вопросу повышения надежности некоторых схем электропитания радиоустройств. Сб. Вопросы схемотехники, .конструирования и технологии РЭА". Мн.: Полымя, 1975. - с.66-67.

10.Сычик В.А., Лавринович П.А., Шабуневский К.К. Получение PC -структур с ТПК на основе окисных пленок алюминия. - Вопросы радиоэлектроники ,серия ТПО,1975,вып.2,с.59-62.

11. Сычик В.А. Лавринович П.А., Шабуневский К.К. Получение ге-тероструктур 2пТе - CdSe. Впросы радиоэлектроники,серия ТПО, 1975, вып.2,с.63-66.

12. Сычик В.А., Тиняков H.H., Рябов А.К. Температурная зависимость ВАХ тонкопленочных структур металл - 2пТе - ZnSe. - металл. Сб. ВИМИ "Военная техника и экономика", серия ОТ, 1978.

13. Сычик В.А.; Смирнов Б.И. Матричный преобразователь изображения. - Сб. Вопросы схемотехники, конструирования, контроля параметров телевизионных приемников, М., ЦООЕГИ/'ЭКОС",1980,с.78-80.

14. Сычик В.А. НОвицкий A.B., Халымский А.Н. 'формирование ва-ризонных фоточувствительных областей р - С - п гетероптруктур координатно-чувствительных приемников. - Сб.тезисов докладов 1У Всесоюзного совещания, Барнаул, 1987,ч.П.- с.9.

15. Сычик В.А. Лавринович П.А. Вискозиметрия жидких электроизоляционных материалов. - Сб. Научные и прикладные проблемы энергетики, Мн., В. школа. - с.65-68.

16. Сычик В.А., Трифонов Н.Ю., Халымский А.Н. Координатно-чувствительные фотоприемники на основе полупроводниковых приборных структур. . - Сб.тезисов докладов 1У Всесоюзного совещания. ■ Барнаул, 1987, ч.П..,- с.10 ■

• .17. Сычик В.А'., Халыглский А.Н., Нэвицкий A.B., Слонимский А.П. Плазменное (формирование окисных пленок в структурах преобразователей оптических излучений. - Сб.тезисов докладов У Всесоюзного совещания, Барнаул, 1988.,ч.П.. - с.87.

18. Сычик В.А., Уласюк H.H., Музыка Б.А. Бесконтактный измеритель высоких напряжений. Сб.тезисов НТК ВУЗов Прибалтийский республик, Мн. 1989. - с.76.

19. Сычик В.А., Халыглский А.Н. Новицкий A.B., Слонимский А.П. . Формирование пленочных структур измерительных преобразователей оптических излучений из соединений AgBg. Сб.тезисов докладов У Всесоюзного совещания., г. Барнаул, 1988, ч.П., - с".88.

20. Сычик в.а., Сидорович a.m., Expzvimeniaí veztfteation oi maqnetodinamíc Fezces, lnie?rtaéio[\a£ Simposium on ekcHomagn. fitdsC* JSEE. Lodz, Pc ¿and, 1989.

21. Сычик В.А., Уласюк H.H. Деменчук Д.М. Формирование бес- ■ контактных преобразователей электрического тока на ферритовх подложках. - Сб.тезисов докладов СНТК ВУЗов республик Прибалтики, Бе- ' лоруссии и Молдавии. Каунас, 1990 ,ч » -с.103.

22. сычик в.а., Трифонов н.ю. Sem/'cûndi/céoz ¿mage Con-veziez, Jnèezna-èconaâs Wissen QcAaf-éù'c/ies ^ofcqvium, 7lç/j-n i se fie Hchichutt, Jimknau, DPR t 1990.

23. Сычик В.А., Деменчук Д.М., Уласюк H.H. Устройство для формирования приборных структур полупроводниковых преобразователей. Сб.тезисов доклада межвузовской СНТК. Кутаиси, 1990,с.

24. В.А. Сычик , А.П. Слонимский, А.Н. Халыглский. Полученйе пленочных компонентов преобразователей излучений из соединений' А2В6 Деп. в ВИНИТИ, I» I875-B9I,1991.

25. В.А.Сычик, П.А. Слонимский, А.Н. Халымский. нормирование окисных пленок в приборных структурах преобразователей излучений. Де_П. в ВИНИТИ J5 1874-В91Д991. .

' .26. Кащееэ в.п., Сычик В.А., Мычик А.П. El'n7Íctr¿Ung filz

Piulan g und Pe-zieziheU Mon Tuiôinen. 23 ¿W6-v\/eues -¿e/ih/sche tfú?oc¡,v¡um TPh, 1991,

27. В.А.Сычик, В.П. К аде ев, §\..П. Слонимский. Эффективный контроль электроемкости химических источников тока. Известия ВУЗов,серия Энергетика,1992, tö 11-12.- с.60-63.

20. Кащеев В.П. Сычик В.А. Сорокин З.Н. $ÍZah€pu/Tipe>

XX/V к V/T- я'olo^ vium, 19QZ, РРд.

29. A.C. ¡i 43715Г СССР, ЖИ3 II0l£ .Устройство для подвода (формовочного потенциала к окисляемому образцу. /Сычик В.А., Николаев A.b.. - опубл. в Б.IX.1974, js 27.

30. A.C. 479428 СССР, МКи'нОГВ 19/04. Устройство для получения тонкопленочных интерметаллических соединений. /Сычик В.А. -Гриф ДСП.

31. A.C. № 478849, СССРДПШ С23С 13/12. Нагреватель для подогрева окисляемых в кислородной плазме образцов. /Сычик В.А., А.В.Николаев. - опубл. в Б.И., 1975, & 28.

32. A.C. II 646775, СССР МХИ3 E0IL 21/20. Способ получения тонкопленочных полупроводниковых соединений типа A2Bg. /В.А.Сытая -Гриф ДСП.

33. A.C. й 647850 СССР, ЖИ3НОЗ£ 3/20. Регулируемый усилитель. /В.А.Сычик.Воробьев В.А., Лавринович П.А., Ступак И.А., Шабуневский К.К.Дачатрян Ю.М. - опубл. Б.И., 1979, Л 6.

34. A.C. Га 67,0179 СССР, 1Ж?Ю1С1?/06. Способ изготовления тонксшленочннх резисторов/ В.А.Сычик - Гриф' ДСП.

35. A.C. ß 680546 СССР, КШНЮН. 21/203. Способ получения легированных пленок полупроводниковых соединений типа AgBg./B.A.Cu-чик - Гриф ДСП. .

36. A.C. 68352J CCCP.maflIOIL 23/54 . Омический контакт к интерметаллическим соединениям. /В.А.Сычик, П.А.Лавргнович, П.А. Рябов, H.A. Тиняков, К.К.Шабуневский. - Гриф ДСП.

37. A.C. Ii 7085843 СССР, -МКИ^бОП 5/28. Устройство.чувстви-' тельное к изучению./В.А.Сычик - Гриф ДСП.

38. A.C. të 69I8I8 СССР,ГШ? 605 F 1/58. Стабилизатор напряжения постоянного тока. /В.А.Сычик, Т.В. Бугаез, В.Л. Пилкина, -опубл. Б.И. Л 1979, Л 38.

3

39. A.C. 808871 СССР, !Ш 601 К 7/00. Способи измерения температуры металлоаршрованных изделий. /В.А.Сычик, Кирильчик Г.В., Бубен, К.К., Воробьев В.А., Дегтярев B.C., Миньков В.К., Беспалый А.П. - опубл. Б.И., 1981, Ä 8.

40. A.C. 3 742904 СССР, MtGWÎOI Г 1/58. Транзисторный стабилизатор напряжения./ В.А.Сычик. - опубл. 1980, 'Л 23.

41. A.C. 737795 СССР, МКИ ÇOIL I/I2I. Датчик измерения усилий./В.А. Снчик., Ю.1Л. Хачатрян. - опубл. Б.И., 1980, .'5 20.

42. A.C. 'Л 845020 СССР, ШИ С-01 К 7/16. Датчик температуры В.А.Сычик.- опубл. Б.И., 1981, Js 25.

43. A.C. я 858372 СССР, гжи5С23 С 15/00. Способ получения окисных пленок плазменным анодированием. /В.А.Скчик. - Гриф ДСП.

44. A.C. Я 978329 СССР, МКИ5 H ОЗК 3/45. Способ генерирования тока электретом и устройства для его осуществления. /В.А.Сычик. -.опубл. Б.И., 1982, В 44.

45. A.C. Г? 965030 СССР МКИ5 Ш53 6/10. Индукционный нагреватель емкостей./В.А.Сычик, К.Г. Скачпо, Е.П. Тимахов, В.О. Коруз-ский. С.Н. Панова, С.П.Ряевская - опубл. Б.И., 1982, 13 37.

46. A.C. Я 970665 СССР, МкЛоз K5/I3. Устройство задержки импульсов./В.А-Сыяик; Ь^юховец В.К., Дуговцов В.И., Лугсвцоаа Н.Г. -опубл. Б.И., 1982, 40.

47. A.C. В 963416 СССР, '.НИ3 С 2. Способ получения легированных пленок интерметаллических соединений типа AoBg /В.А. Сычик,-Гриф даъ

48. A.C. J5 1020980 СССР, ЖИЭ Н03<? 3/20. Усилят ель с регулируемым коэффициентом усиления, /В.А.Сычик, В.А.Воробьев, П.А.Лав-ринович, П.И.Луговцов,Ю.ЕЛукашк - опубл. Е.И. 1983, .'s 20.

4S. A.C. Ji 1056777 СССР, MKípHülL К/04. Устройство для получения многослойных структур из интерматэлльческих соединений /В.А. Сычвк. - Гриф ДСП.

50. A.C. je III4708 СССР, МКИ3 С23С 15/00 Способ получения пленок оксидов вентильных металлов и элементарных полупроводников./В.А.Сычик, В.П.Каиеев. - Грьф ДСП.

51. A.C. ß II88626 СССР, Ш3С01 Ñ 27/22. Устройство для не-разруааюиего контроля труб./В.А.Сычик, Б.П.Каиаав, В.А.Воробьев и.др.-- опубл. Б.И., 1985, Jé 40.

52. A.C. Js 1222128 СССР, Жй4 KOIG 4/40 Способ изготовления индуктивных элементов./ В.А.Сычик, Ю.М. Хачатрян. - Гриф ДСП.

53. A.C. Je 1202030 СССР, Г-ЖИ3 ПОЗ(? 3/20 Устройство с регулируемым коэффициентом передачи./ З.А.Сычик - опубл. Б.И.,1885, 48.

54. A.C. JS 129373 СССР, ЫКИ4 FOI£> 21/00.Устройство для контроля состояния ротора турбины во время эксплуатации. /В.А.Сычик, В.П'.Каиеев, В.А.Левадшй, А.П.^дчик - опубл. Б.И.,1986, В 23.

55. A.C. й I22I476 СССР, Mtffl4 FOID 5/02. Способ контроля целостности труб. /В.А.Сычик, В.А.Какеев.-опубл. Б.И., 1986, ib 12.

56. A.C. J.l 1298847 СССР, ДМ4 E03F 3/20. Широкополосный высокочастотный усилитель моинооти. /В.А.Сычик, В.А.Воробьев, В.И. Мальцев; Л.Н.Сычик - опубл. Б.И.,1987, № II.

57. A.C. й 1349447 СССР, ШI4 <?0Ш II/ÜO. Преобразователь вибраций. В.А.Сычик, Ю.М. Хачатрян, П.А.Лавринович и др, гриф.ДСП.

58. A.C. JS I4II5205 СССР , МКИ4 #01 R 29/12. Устройство для из-мерзния напряженности электростатического поля./В.А.Сычик, И.И.Герасимов, Л.Ы.Снчвк и др. - опубл. Б.И.,1988, Л 29.

59. A.C. ß 1427237 СССР, МКИ4 GOI # II/U. Вискозиметр.. /В.А.Сычик, П.А.Лавринович; К.Г.Скачко. - опубл. Б.И. 1988, й S3.

60. A.C. J¿ 1459588 СССР, ГЖИ4 Н02 R 1/08. Генератор элект- '

рического той. /В.А.Сычик - Гриф ДСП.

61. A.C. й I4833I4 СССР, МКИ SOI M 15/00. Способ испытаний лопаточных машин. /В.А.Сычик, В.П. Кашеев. - опубл. Б.И.,1989,

JS 20.

62. A.C. № 1505347 СССР, МКИ H0IL 21/363. Способ получения тонкопленочных полупроводниковых гетеропереходов соединений AgBg В.А.Сычик. - Гриф ДСП.

63. A.C. iS I50I827 СССР, ЩИ НОП 1/30. Многослойный полупроводниковый катод./ В.А'.Сычик. - Гриф ДСП.

64. A.C. й 1587665 Н04 N Г7/02 СССР, МКИ. Устройство для настройки и контроля блоков телевизионных приемников./ В.А.Сычик, Г.И. Рутман. - опубл. Б.И. 1990, й 31.

65. A.C. й 1659883 СССР, ЩИ*&01 H 19/00. Способ одновременного и бесконтактного измерения постоянного напряжения и тока / В.А.Сычик, В*А. Воробьев, А.В.Бреднев. - опубл..Б.И. ,1991, й 24.

66. A.C. й I62I778, СССР, МКИ* H0IL 31/04. Полупроводниковый преобразователь ионизирующих излучений. /В.А.Сычик, Л.Н.Сычик,

- Гриф'ДСП. !

а

67. A.C. й 1644636 СССР,- ГЛКИ COI Tl/24. Устройство для регистрации ионизирующих излучений. /В.А.Сычик, В.П.Кащеев, В.ШСо-рокин и.др. - Гриф ДСП.

t.

68. A.C. 'й 1644669 СССР,.МКИ H0I £4/40. Способ изготовления пленочной LC - структуры./ В.А. Сычик, Ю.М. Хачатрян - Гриф ДСП.

4

69. A.C. й 1682783. СССР, МКИ 601 В 21/08. Устройство для контроля процесса нанесения покрытий./ В.Ф. Силюк, A.M. Шмелев, В.А.Сычик,.В.Ф. Мехедко - опубл. Б.И. й 1991, й 37.

70. A.C. й Г767589 СССР, МКИ^ H0I MIO/48. Способ определения электроемкости химических источников тока./В.А.Сычик, А.П.Слонимский, Л.Н.Сычико, O.K. Филипченко. - опубл. Б.И., 1992, й 37.

71. Сычик В.А., Воробьев В.А..Бреднев A.B. Способ измерения напряженности электрического поля. Положительной решение по заявке

№ 4862204 (21(091583) от 5.04.92г.

72. Сычик В.А. Микроэлектронный вакуумный прибор. -.Положительное, решение по заявке ."6 4945450(21 (049719) от 28.04.92г.

73. Сычик В.А., Герасимов И.И., Сгепанюк И.В., Халымский А.Н. Способ измерения напряженности электрического поля;' - Положительное решение по заявке Л 4645066/21(018223) от 27.04.92г.

74. Сычик В.А., Бреднев A.B. Способ изготовления микроэлектро) ного вакуумного прибора.- Положительной решение по заявке №041745, 21 от 29.09.92г.