автореферат диссертации по электротехнике, 05.09.03, диссертация на тему:Методы и аппаратура для определения качества включения силовых тиристоров при групповом соединении

Список сокращений и обозначений.

Введение.

Глава I. Анализ работ по исследованию стойкости силовых тиристоров в режимах включения с повышенной скоростью нарастания тока в открытом состоянии.

1.0. Введение.

1.1. Особенности работы силовых тиристоров в режимах включения с повышенной скоростью нарастания тока в открытом состоянии.

1.2. Анализ результатов исследований причин и механизмов отказа силовых тиристоров при включении.

1.3. Анализ существующих методов оценки сИт/ск-стойкости силовых тиристоров.

1.4. Выводы.

Глава II. Метод и аппаратура для определения площади первоначального включения силовых тиристоров.

2.0. Введение.

2.1. Модели для расчета площади первоначального включения

2.1.1. Модель для расчета площади первоначального включения силовых тиристоров с управляющим электродом прямоугольной формы

2.1.2. Модель для расчета площади первоначального включения силовых тиристоров с управляющим электродом круглой формы.

2.2. Исследование влияния конструктивных и технологических параметров управляющих электродов различных типовых конструкций на величину площади первоначального включения.

2.3. Экспериментальный метод определения площади первоначального включения.

2.4. Методика и аппаратура для экспериментального определения площади первоначального включения.

2.5. Экспериментальное исследование площади первоначального включения и электрических потерь в тиристорах от различных внешних и внутренних факторов

2.6. Выводы.

Метод и аппаратура для неразрушающего определения критической скорости нарастания тока силовых тиристоров при включении.

3.0. Введение.

3.1. Экспериментальные исследования разрушающих режимов включения силовых тиристоров.

3.2. Исследование надежности силовых тиристоров в режимах включения с повышенными значениями сИт/Л.

3.3. Установка для ресурсных испытаний силовых тиристоров в режимах включения с повышенными значениями сИт/Ж.

3.4. Метод и аппаратура для неразрушающего определения критической скорости (сИт/Щсгц нарастания тока СТ в открытом состоянии.".

3.4.1. Метод неразрушающего определения критической скорости (сИт/&)Спг нарастания тока СТ в открытом состоянии.

3.4.2. Аппаратура для неразрушающего определения величины критической скорости нарастания тока в открытом состоянии.

3.4.3. Экспериментальные исследования по определению величин (сИт/Ж)сгц для серийных тиристоров различных типов.

3.5. Выводы.

Глава IV. Исследование процесса включения тиристоров с регенеративным управлением в схеме с демпфирующим ЯС-контуром и оптимизация режимов их включения по цепи управления.

4.0. Введение.

4.1. Исследование процесса включения тиристоров с регенеративным управляющим электродом при воздействии разряда демпфирующего ^С-контура.

4.1.1. Исследование площади первоначального включения тиристоров Т453(553)

4.1.2. Исследование зависимостей параметров переходного процесса включения силовых тиристоров от параметров импульса тока управления и величины сопротивления демпфирующего ЯС-контура

4.1.3. Оценка критической скорости нарастания тока силовых тиристоров с регенеративным управляющим электродом.

4.1.4. Методика определения величины сопротивления резистора демпфирующего ЯС-контура для обеспечения ¿/^/¿Л-стойкости силовых тиристоров

4.2. Исследование вольтамперной характеристики цепи управления тиристоров и выбор оптимальных значений параметров цепи управления.

4.3. Выводы.

Интенсификация современных производственных процессов прямо связана с развитием электрической оснащенности труда. В настоящее время большая часть электрической энергии потребляется в преобразованном виде. С развитием силовой полупроводниковой техники в различных отраслях нашли широкое применение силовые преобразователи электрической энергии на основе силовых тиристоров (СТ). За четыре десятилетия развития силовой преобразовательной техники сменилось несколько поколений СТ, параметры которых непрерывно совершенствовались. Устойчивой тенденцией в развитии СТ является разработка приборов с малыми коммутационными потерями при включении.

Актуальность проблемы. Качество изготовления и надежность СТ в значительной степени определяют эффективность работы преобразователей на их основе. Одной из основных тенденций развития преобразовательной техники является расширение применения тиристоров в динамических режимах, характеризующихся повышенными значениями скорости нарастания тока {(¡У(Ж) в открытом состоянии. Локальность формирования области первоначального включения (ОПВ) вблизи управляющего электрода (УЭ) СТ, предопределяет выделение в ней повышенных электрических коммутационных потерь. Это обусловливает возникновение в ОПВ локальных перегревов области управления, ведущих к деградации тиристорной структуры прибора. Влияние на процесс деградации усугубляется в том случае, если область УЭ содержит конструктивно-технологические несовершенства. Одним из основных предельных параметров СТ, характеризующим его динамическую теплостойкость при включении, является критическая скорость нарастания тока (сИ]/сЙ)сгц в открытом состоянии. Методика определения и контроля этого параметра, используемая в промышленности, не обеспечивает объективной оценки его истинной величины, и, как следствие этого, реальные возможности приборов остаются невыясненными. Поэтому исследование особенностей работы СТ в режимах включения с повышенными значениями сИт/сЬ представляет значительный интерес как для разработчиков, так и для потребителей приборов.

После проведения разработок достаточно большого количества типов СТ с различными конструкциями многоступенчатых регенеративных УЭ, которые при прочих равных условиях обеспечивают относительно малые коммутационные потери в тиристорной структуре в процессе ее включения, среди исследователей данной проблемы утвердилось мнение, что проблема повышения ¿///¿/^стойкости СТ практически решена. Однако практика эксплуатации СТ показывает, что это далеко не так. Хотя сИ'/ск-стойкость приборов с многоступенчатыми регенеративными УЭ, по сравнению с СТ без регенеративных УЭ, повысилась, однако проблема обеспечения их сИт/ск-стойкосги осталась. Опыт лабораторных исследований и эксплуатации таких приборов показал, что в режимах включения со значениями ёуЛ меньшими, чем критические значения (с11г/Щсп1? устанавливаемые предприятиями изготовителями СТ, наблюдается существенный разброс их наработки до отказа и деградация параметров УЭ и параметров вольтамперной характеристики (ВАХ) в закрытом состоянии.

Задача повышения качества и обеспечения требуемой надежности СТ при работе в режимах эксплуатации, характеризующихся высокими значениями сИт/ск, требует решения комплекса исследовательских и технических вопросов на всех этапах жизненного цикла СТ, ответы на которые до настоящего времени не найдены. Основные задачи, подлежащие решению, правомерно было бы сформулировать следующим образом.

1. Определение связи ^УбА-стойкости СТ с конструкцией и качеством изготовления их УЭ.

2. Определение механизмов отказа СТ и деградации их электрических параметров в эксплуатационных режимах, характеризующихся высокими значениями сИт/сй.

3. Разработка методов и аппаратуры для выявления приборов с пониженной б/г/бй-стойкостью.

4. Разработка метода и аппаратуры для неразрушающего определения критической скорости нарастания тока {д.У(к)сЛ в открытом состоянии.

5. Разработка метода расчетной оценки величин (сИтЩсгц, при котором учитывается превалирующая причина отказа СТ в эксплуатационных режимах.

6. Разработка методики определения оптимальных величин параметров демпфирующих Ж7-контуров, при которых обеспечивается требуемая ^//^йлодкость СТ.

7. Разработка методики определения оптимальных значений параметров импульсов управления, при которых достигается требуемая ^//¿/¿-стойкость СТ.

Решение данных задач позволит определить направленности конструктивного и технологического совершенствования СТ, объективно оценить их предельные возможности, повысить качество и надежность как самих приборов, так и преобразователей на их основе, а также дать потребителям СТ методики для обоснованного выбора величин параметров нагрузки, импульсов тока управления и демпфирующих ЯС-контуров, применяемых для шунтирования СТ при групповом соединении в преобразователях.

К настоящему времени ни одна из поставленных задач полностью не решена. Например, известные работы по определению ¿///¿//-стойкости СТ и методики определения предельного параметра (сИ-рЩсгП носят, в основном, экспериментальный и описательный характер. Результаты исследования этих работ не позволяют обоснованно оценить влияние на ¿///¿//-стойкость СТ конструкции и технологии изготовления УЭ, а также параметров внешнего электрического режима. Практически отсутствуют методы расчетной оценки (сИ-/ск)сгц с учетом определяющего механизма отказа в заданных режимах эксплуатации. Помимо этого, не определены параметры критерии годности СТ в режимах включения с повышенными значениями ¿///¿//, а также не разработана аппаратура для неразрушающего определения (¿///¿///^ СТ.

Ориентация промышленной экспериментальной методики определения (¿///¿///„■г на СТ, имеющих наименьшую предельную прочность, обусловливает общую необоснованность и неэффективность такой оценки ¿///¿//-стойкости. При этом резко занижаются возможности основной части генеральной совокупности СТ, обладающих, как показывают исследования, значительно большей предельной ¿///¿//-стойкостью. Необъективность оценки ¿///¿//-стойкости СТ влечет за собой повышение массогабаритных, стоимостных и других показателей преобразователей на основе СТ, так как для ограничения скорости нарастания тока через СТ разработчики преобразователей вынуждены вводить в цепи коммутации специальные реакторы. Однако, как показал опыт эксплуатации СТ различных типов, эти меры не гарантируют требуемой надежности СТ в режимах эксплуатации с повышенными значениями ¿///¿//. Таким образом, в связи с вышеизложенными проблемами, теоретическое и экспериментальное исследование параметров СТ, характеризующих их качество включения, является актуальной проблемой.

Целью работы является разработка комплекса методов и аппаратуры для определения качества включения СТ по величинам различных параметров электрического переходного процесса включения, выявления и отбраковки потенциально ненадежных приборов на стадии их производства и при эксплуатации, количественного определения и контроля величины критической скорости нарастания (¿///¿///„¿тока в открытом состоянии, а также разработка методов выбора оптимальных режимов включения СТ по анодной и управляющей цепям при групповом соединении в преобразователях для повышения их надежности в режимах, которые характеризуются повышенными значениями (dij/dt).

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые:

1) разработаны и исследованы расчетные модели для оценки величин площади первоначального включения (ППВ) СТ с различными типовыми формами УЭ в зависимости от сочетаний их электрофизических и конструктивных параметров, наиболее возможных технологических нарушений металлизации УЭ и величин параметров электрического режима включения по цепи управления и в закрытом состоянии;

2) разработан и экспериментально подтвержден метод количественной оценки ППВ СТ по информативным параметрам их электрического переходного процесса включения в специальном неразрушающем режиме;

3) разработан и экспериментально подтвержден метод определения оптимальных величин параметров тока управления СТ, при которых достигается их максимальная di-j/dt -стойкость, по величинам ППВ;

4) установлены и экспериментально подтверждены зависимости разрушающих уровней энергии потерь в СТ при включении, скорости нарастания тока в открытом состоянии и количества циклов включения СТ до отказа при повышенных значениях dij/dt от величин ППВ;

5) разработана и исследована расчетная модель (diT/dt)crih основанная на представлении о превалирующем действии эрозионного механизма разрушения СТ при включении в эксплуатационных режимах;

6) определены оптимальные условия режимов включения, обеспечивающие снижение вероятности возникновения эрозионного механизма отказа СТ при включении в условиях дополнительного воздействия разряда демпфирующих Ж -контуров;

7) на основе имитационной модели электрической цепи управления СТ, в которой учитывается технологический разброс величин параметров УЭ, определены условия достижения оптимальных значений параметров тока управления, при которых обеспечиваются максимально возможные значения ППВ.

Практическая ценность исследования. Разработаны и внедрены в производство методы и аппаратура для определения качества включения СТ, которые позволяют:

1) на этапе разработки СТ с целью повышения их ¿///¿//-стойкости оптимизировать параметры УЭ, определять оптимальные значения амплитуды и скорости нарастания тока управления для СТ, расчетным путем оценивать величины ППВ и (dij/dt) ^

16 при заданных параметрах УЭ и напряжении в закрытом состоянии и определять величины параметров демпфирующих ЯС-конгуров в различных условиях режимов включения;

2) на этапе серийного производства СТ неразрушающим способом дифференцированно определять абсолютные значения критической скорости нарастания тока (сИт/(Мили группы (сИ/Ш)^, отбраковывать потенциально ненадежные СТ, обладающие аномально низкими значениями ГТПВ, оценивать качество и стабильность технологического процесса производства СТ;

3) при разработке электрических преобразователей, выполняемых на основе схем, предусматривающих групповое соединение СТ, расчетным путем определять безопасные условия включения СТ;

4) при изготовлении электрических преобразователей их комплектации и настройке, а также при их эксплуатации в ходе ремонтных и профилактических работ подбирать СТ с идентичными параметрами.

Основные результаты исследования внедрены в ОАО «Электровыпрямитель» (г. Саранск), где использованы при разработке СТ различных типов, в частности, Т453(553)-800 и преобразователей на их основе. Соответствующие документы приводятся в приложении диссертации.

Автором предлагаемой диссертационной работы выносятся на защиту следующие положения.

1. Модели ППВ СТ с типовыми конструкциями УЭ круглой и прямоугольной формами управляющих областей, позволяющие оценить ее величину с учетом геометрических и электрофизических характеристик ТС и металлизации УЭ и параметров внешнего электрического режима включения. В моделях учтены влияние на процесс формирования ОПВ возможных технологических смещений металлизации УЭ относительно ТС.

2. Метод и аппаратура для неразрушающего определения ППВ, основанные на измерении информативных параметров электрического переходного процесса включения СТ на активную нагрузку в специальном режиме, в котором выполняются условия реализации на начальном этапе нарастания (до 1 мкс) тока в открытом состоянии высоких уровней инжекции носителей в обеих базах и достижения дрейфовых скоростей носителей величин насыщения.

17

3. Метод определения оптимальных значений амплитуды и скорости нарастания тока управления СТ, при которых обеспечивается формирование ОГО с максимальной величиной ППВ.

4. Результаты исследования стойкости СТ к воздействию тока с высокими значениями (Ит/(11 в различных режимах включения, ее взаимосвязи с их информативными параметрами и основанные на этих результатах метод и аппаратура неразрушаю-щего определения величин (сИрЩсН1.

5. Аппаратура для экспериментального исследования СТ в режимах с повышенными значениями сИт/сМ.

6. Модель для расчетной оценки величины критической скорости нарастания тока в открытом состоянии.

7. Результаты теоретического и экспериментального исследования параметров процесса включения СТ при дополнительном воздействии разряда демпфирующего /¿С-контура и основанный на этих результатах метод определения оптимальных величин сопротивлений резисторов Яд демпфирующих ЯС-контуров, при которых обеспечивается требуемая ¿//-/¿й-стойкость СТ.

8. Результаты имитационного моделирования цепи управления СТ при вариации параметров ВАХ их УЭ и параметров цепи управления.

Структура работы.

Во Введении обоснована актуальность и новизна работы, определены цели и задачи предлагаемого исследования, а также приводятся основные положения, выносимые на защиту.

В Главе I производится анализ работ по исследованию стойкости силовых тиристоров в режимах включения с повышенной скоростью нарастания тока в открытом состоянии, указываются особенности работы силовых тиристоров в режимах включения с повышенной скоростью нарастания тока в открытом состоянии, а также рассматриваются результатов исследований причин и механизмов отказа силовых тиристоров при включении и существующие методы и аппаратура оценки ¿////¿//-стойкости СТ.

В Главе II на основе физико-математической модели формирования ОПВ в ти-ристорной структуре (ТС) нами была проведена разработка моделей для расчета величин площади первоначального включения (ППВ) различных типовых конструкций УЭ СТ. Далее, учитывая возможности этих моделей, были рассчитаны и исследованы зависимости величин ППВ от различных внешних и внутренних факторов, влияющих на процесс формирования ОПВ. Следующим этапом исследования стала разработка метода и аппаратуры дня экспериментального определения величин ППВ СТ по параметрам переходного процесса включения в специальном неразрушающем режиме. Результаты исследования зависимостей ППВ специально разработанных макетных образцов СТ от различных внешних электрических факторов и конструктивных и электрофизических параметров УЭ приводятся в п. 2. 5.

Основные результаты диссертационной работы представлены, обсуждены и опубликованы:

- на отраслевом научно-техническом совещании «Надежность силовых полупроводниковых приборов и преобразователей на их основе», г. Москва, 1983 г.;

- в научно-технической школе «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», г. Москва, 1986 г.;

- на научно-технической конференции «Эффективность внедрения научно-технических разработок ученых Мордовского государственного университета имени Н. П. Огарева в производство», г. Саранск, 1986 г.;

- на научно-технической конференции «Долговечность и эксплуатационная надежность материалов, элементов, изделий и конструкций», г. Саранск, 1987 г.;

199

- на Ш Всесоюзной научно-технической конференции, г. Москва, 1991 г.;

- на международной научной конференции «Полупроводники в энергетике», г. Рига, 1991 г.;

- на научно-технической конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики», г. Саранск, 1993 г.;

- на международных научных конференциях «Методы и средства управления технологическими процессами», г. Саранск, 1995 г., 1997 г и 1999 г.;

- на IV международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения», г. Новосибирск, 1998 г.;

- на V симпозиуме «Электротехника 2010 год: Перспективные направления в развитии энергетики и электротехнического оборудования в 2000 -2010 годах», г. Москва, 1999 г.

Материалы по теме данной диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Беспалов Н. Н., Терешина Н. Н. О возможности прогнозирования динамической теплостойкости тиристоров при включении. // Силовые полупроводниковые приборы и преобразовательные устройства: Моделирование процессов в приборах и преобразователях. - Саранск: Изд-во Морд, ун-та, 1982. - С. 31-36.

2. Беспалов Н. Н., Бардин В. М. Об оценке стойкости силовых тиристоров при включении. // Надежность силовых полупроводниковых приборов и преобразователей на их основе: Тез. докл. Отраслевого науч.-техн. совещ. -Саранск: Изд-во Морд, ун-та, 1983. - С. 24-25.

3. Беспалов Н. Н., Учайкин И. Г., Зубенков С. А. Метод и устройство для неразрушающей классификации тиристоров по группам критической скорости нарастания тока. // Эффективность внедрения научно-технических разработок ученых МГУ имени Н. П. Огарева в производство: Тез. докл. науч.-техн. конф. -Саранск: Изд-во Морд, ун-та, 1986. - С. 3-5.

4. Беспалов Н. Н., Мускатиньев А. В., Колпахчьян Г. И. Аппаратура для измерения статических параметров силовых полупроводниковых приборов. // Электровозостроение: Сб. научн. тр. - Новочеркасск, Изд-во ВЭлНИИ, 1986, -Т. 27.-С. 129-136.

5. Беспалов Н. Н. Исследование надежности силовых тиристоров при предельных значениях скорости нарастания тока. // Долговечность и эксплуатационная надежность материалов, элементов, изделий и конструкций: Тез. докл. науч.-техн. конф. - Саранск: Изд-во Морд, ун-та, 1987. - С. 53.

6. Беспалов П. Н., Мускатиньев А. В., Зубенков С. А., Дмитриев А. В., Красновид А. В. Испытательная и измерительная аппаратура для исследования надежности тиристоров. // Долговечность и эксплуатационная надежность материалов, элементов, изделий и конструкций: Тез. докл. науч.-техн. конф. - Саранск: Изд-во Морд, ун-та, 1987. - С. 55.

7. Беспалов Н. Н. Исследование площади начального включения силовых тиристоров. // Полупроводниковые приборы и преобразовательные устройства: Современные направления исследования и конструирования: Межвуз. сб. науч. тр. - Саранск: Изд-во Морд, ун-та, 1988. - С. 49-56.

8. Беспалов Н. Н., Бардин В. М., Учайкин И. Г., Вейсс К. Г., Касмынин Г. М. Метод неразрушающей оценки критической скорости нарастания силовых тиристоров. // Электромеханика. -1988,- Вып. 8. - С.82-86.

9. Беспалов Н. Н., Дмитриев А. В., Зубенков С. А., Ншцев О. Б. Метод и устройство для технологического контроля качества тиристоров при включении. // Методы и средства управления технологическими процессами: Тез. докл. межреспуб. научн. конф. - Саранск: Изд-во Морд, ун-та, 1989. - С. 26-27.

10. Беспалов И. Н., Гейфман Е. М. Экспериментальное исследование влияния геометрических и электрофизических параметров управляющего электрода тиристоров на формирование начальной области включения. // Основные направления развития конструирования, технологии и исследования силовых полупроводниковых приборов: Тез. докл. Ш Всесоюзн. научно-техн. конф. - М.: Изд-во ВЭИ им. В. И. Ленина, 1991. - С. 85.

П.Беспалов Н. Н., Гейфман Е. М. Экспериментальное исследование площади начального включения и потерь при включении быстродействующих тиристоров. // Полупроводники в энергетике: Тез. докл. Межд. науч. конф. -, Рига, 1991.-С. 100-101.

12. Беспалов Н. Н., Гейфман Е. М. Экспериментальное исследование площади начального включения и потерь в тиристорах при включении по цепи управления. // Электротехника. -1995. - Вып. 1. - С. 48-51.

13. Беспалов Н. Н. Метод неразрушающего определения критической скорости нарастания тока силовых тиристоров при включении. // Методы и средства управления технологическим процессами: Труды Второй Межд. науч. конф. -Саранск: Изд-во Морд, ун-та, 1997. - С. 35-39.

14. Беспалов Н. Н., Мускатиньев А. В., Хахулин А. С. Аппаратура для измерения параметров статических параметров силовых полупроводниковых приборов. // Методы и средства управления технологическим процессами: Труды Второй Межд. науч. конф. - Саранск: Изд-во Морд, ун-та, 1997. - С. 43-48.

15. Беспалов Н. Н., Гейфман Е. М. Метод и аппаратура для неразрушающего определения ¿Мй-стойкости силовых тиристоров. // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Труды IV Межд. конф. - Новосибирск: Изд-во НГТУ, 1998. - Т. 7. - С. 39-^0.

16. Беспалов Н. Н., Мускатиньев А. В. Автоматизированная аппаратура для измерения параметров силовых полупроводниковых приборов и электроаппаратов, применяемых в метрополитенах. // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Труды IV Межд. конф. - Новосибирск: Изд-во НГТУ, 1998, - Т. 7. - С. 41-43.

17. Беспалов Н. Н., Хахулин А. Н. Исследование В АХ цепи управления силовых тиристоров и выбор оптимальных значений внешних параметров цепи управления. // XXVII Огаревские чтения: Мат. науч. конф. - Саранск: Изд-во СВМО, 1998. - Ч. 5. - С. 22-24.

18. Беспалов Н. Н., Гейфман Е. М., Перфильев О. А. О некоторых технологических причинах, обусловливающих снижение бйУ^-стойкости силовых тиристоров. // Науч. труды IV конф. молодых ученых. - Саранск: Изд-во СВМО, 1999. - С. 202-203.

19. Беспалов Н. Н., Гейфман Е. М. Оптимизация параметров демпфирующих ЯС-контуров для обеспечения ¿йУ£#-стойкости силовых тиристоров. // Методы и средства управления технологическим процессами: Труды Ш Межд. науч. конф. - Саранск. Изд-во Морд, ун-та, 1999. - С. 36-40.

20. Беспалов Н. Н., Гейфман Е. М. Методы и аппаратура для определения качества включения силовых тиристоров. // Электротехника 2010 год. Перспективные направления в развитии энергетики и электротехнического оборудования в 2000 -2010 годах: Труды V симпозиума. - М.: Изд-во ВЭИ им. В. И. Ленина, 1999. -Т. П.-С. 296-303.

21. Беспалов Н. Н., Гейфман Е. М. Оптимизация параметров источников управления силовых тиристоров. // Электротехника 2010 год. Перспективные направления в развитии энергетики и электротехнического оборудования в 2000 -2010 годах: Труды V симпозиума. - М.: Изд-во ВЭИ им. В. И. Ленина, 1999. -Т. П.-С. 295-297.

202

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Лабунцов В. А, Тутов H. М. Динамические режимы эксплуатации мощных тиристоров. -М.: Энергия, 1977. -192 с.

2. Shockley W., Sparks M., Teal G. К. Junction transistors. // Physical Review. 1952. -V. 83. -№ 6. - P. 151-167.

3. Moll J. L., Tanenbaum M., Goldey J. M., Holonyak N. P-n-p-n junction transistors switches. // Proc. of the IRE. -1965. V. 44. - № 9. - P. 1174-1182.

4. Герлах В. Тиристоры / Пер. с нем. М. Энергоатомиздат, 1985. - 328 с.

5. Лебедев А. А., Уваров А. И. Включение симметричной р-п-р-п-структуры при учёте зависимости коэффициентов усиления от тока. // Радиотехника и электроника. -1967. Т. 12. - № 5. - С. 895-903.

6. Лебедев А. А., Попов М. В., Уваров А. И., Челноков В. Е. Исследование процесса накопления заряда при включении тиристоров. // Радиотехника и электроника. -1967.-Т. 12. -№> 10.-С. 1803-1807.

7. Уваров А. И. Критический заряд включения тиристора. // Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов: Сб. науч. тр. Л.: Наука, 1969.-С. 194-201.

8. Уваров А. И. Условие включения тиристора посредством кратковременных токов управления. // Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов: Сб. науч. тр. Л.: Наука, 1969. - С. 194-201.

9. Аязан Р. Э., Горбатюк А. В., Паламарчук А. И. Условие включения р-п-р-п-структуры при различных распределениях начального заряда вдоль баз. // Радиотехника и электроника. -1978. Т. 23. - № 5. - С. 1039-1045.

10. Тогатов В. В. Условие включения р-п-р-п-структуры с варизонными базами в нестационарном режиме. // ФТП. -1972. Т. 6. - № 10. - С. 2007-2014.

11. Гущина Н. А. Расчет процесса включения р-п-р-п-структуры с учетом сопротивления растекания баз. // ФТП. -1972,- Т. 6. № 5. - С. 843-852.203

12. Горбатюк А. В. Эффективность избыточного заряда при включении р-п-р-п-структур в неодномерном приближении. // ФТП. 1980. - Т. 14. - № 7. - С. 1364-1370.

13. Горбатюк А. В. Исследование неодномерных нестационарных процессов в многослойных полупроводниковых структурах: Автореф: дис. канд. физ.-мат. наук. Л.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1980. - 24 с.

14. Лебедев А. А., Уваров А. И, Челноков В. Е. Переходная характеристика р-п-р-п-структуры. // Радиотехника и электроника. -1966. Т. 11. - № 8. - С. 1458-1466.

15. Челноков В. Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. - 280 с.

16. Misawa Т. Turn-on transient of p-n-p-n triode. // J. Electronics and Control. 1969. -V. 7.-P. 523-533.

17. Лебедев А. А. Исследование физических порцессов полупроводниковых структур типа р-п-р-п: Автореф: дис. канд. физ.-мат. наук. Л.: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1967.-16 с.

18. Кузьмин В. А. Тиристоры малой и средней мощности. М.: Советское радио, 1971.-184 с.

19. Кузьмин В. А., Першенков В. С. О переходном процессе включения тиристора. // Радиотехника и электроника. -1967. Т. 12. - № 1. - С. 70-75.

20. Лебедев А. А., Уваров А. И., Челноков В. Е Влияние электрического поля на переходные процессы в р-п-р-п-структурах. // Радиотехника и электроника. 1967. -Т. 12,-№8.-С. 1461-1468.

21. Лебедев А. А., Уваров А. И.О длительности регенеративного этапа включения тиристоров. // Радиотехника и электроника. 1971. - Т. 16. - С. 1912-1916.

22. Лебедев А. А., Уваров А. И. К теории процесса включения р-п-р-п-структуры. // ФТП.-1967.-Т. 1.-№2.-С. 211-216.

23. Гомонова А. И., Капцов Л. Н. Переходный процесс включения тиристора. // Изв. Вузов. Радиотехника. -1965. Т. 8. - С. 171-180.204

24. Кардо-Сысоев А. Ф., Шуман В. Б. Исследование процесса включения тиристоров при больших токах и напряжениях. // Радиотехника и электроника. 1970. - Т. 15.-№ 1.-С. 162-165.

25. Дерменжи П. Г., Евсеев Ю. А. О механизме аномально-быстрого включения р-п-р-п-структур. // Радиотехника и электроника. 1970. - Т. 15. - № 9 - С. 1945— 1951.

26. Грехов И. В., Сергеев В. Г. О распространении включенного состояния в р-п-р-п-сгруктуре. // ФТП. -1970. Т. 4. - № 7. - С. 1397-1399.

27. Грехов И. В., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. Исследование распространения включенного состояния вдоль р-п-р-п-структуры. // ФТП. -1970. Т. 4. - № 11. -С. 2149-2156.

28. Грехов И. В., Кардо-Сысоев А. Ф., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. К вопросу о включении тиристора. // ФТП. 1971. - Т. 6. - № 1. - С. 180-183.

29. Кардо-Сысоев А. Ф. Распределение потенциала в р-п-р-п-структурах во время переходного процесса включения. // ФТП 1971. - Т. 5. -№ 12. - С. 2333-2335.

30. Кузьмин В. А., Павлик В. Я. и др. Включение р-п-р-п-структуры при большой плотности тока. // Радиотехника и электроника. 1973. - Т. 18. - № 1. - С. 158165.

31. Дерменжи П. Г., Кузьмин В. А., Крюкова Н. Н., Мамонов В. И, Павлик В. Я. Расчет силовых полупроводниковых приборов. / Под ред. Кузьмина В. А. М.: Энергия, 1980. - 184 с.

32. Кузьмин В. А., Павлик В. Я., Шуман В. Б. О максимальной скорости включения р-п-р-п-структур. // Радиотехника и электроника. 1981. - Т. 26. - № 6. - С. 1270-1274.

33. Кардо-Сысоев А. Ф., Шуман В. Б. Исследование процесса включения тиристоров при больших токах и напряжениях. // Радиотехника и электроника. 1970. - Т. 15. -№ 1. -С. 162-165.

34. Молибог Н. П., Родов В. И., Челноков В. Е., Якивчик Н. И. О Влиянии подвижных носителей заряда в коллекторном переходе р-п-р-п-структуры на процесс включения. // Радиотехника и электроника. -1971. Т. 16. - № 6. - С. 1039-1046.

35. Кардо-Сысоев А. Ф., Чашников И. Г., Шуман В. Б. Лавинная инжекция в тиристорах. // ФТП. 1974. - Т. 8. - №6. - С. 1101-1105.

36. Гордеев Г. В., Кардо-Сысоев А. Ф., Чашников И. Г. Переходный процесс при лавинной инжекции в трехслойных структурах. // Радиотехника и электроника -1975.-Т. 20,-№8.-С. 1704-1709.

37. Mapham N. Overcoming turn-on effects in silicon-controlled rectifiers. // Electronics. -1962. V. 35. - № 17. - P. 50-54.

38. Гомонова А. И., Логинов А. С., Сенаторов К. Я. Исследование переходных процессов в четьфехслойных полупроводниковых приборах при большом сигнале. // ВесшикМоск. ун-та. -1965. Сер. 3. - Т. 1. - С. 47-54.

39. Лебедев А. А., Уваров А. И., Челноков В. Е. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п-структуры. // Радиотехника и электроника. -1967. Т. 12. - № 4. - С. 677-685.

40. Кузьмин В. А., Перешков В. С. Этап модуляции проводимости базовых областей тиристора при включении. // Радиотехника и электроника. 1968. - Т. 13. - № 9. -С. 1654-1662.

41. Тогатов В. В., Уваров А. И. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п-структуры в условиях высокого уровня инжекции в обеих базах. // Радиотехника и электроника. 1971. - Т. 16. - № 6. - С. 1047-1057.

42. Тогатов В. В. Исследование поведения носителей в базовых областях р-п-р-п-структуры после смещения коллекторного перехода в прямом направлении. // Радиотехника и электроника. -1974. Т. 19. - № 1. - С. 136-141.206

43. Mapham N. The rating of silicon-controlled rectifiers when switching into high currents. // IEEE Trans. Communication and Electronics. 1964. - V. 83. - № 9. - P. 515-519.

44. Dodson W. H., Longini R. L. Probed determination of turn-on spread of large area thyristors. // IEEE Trans. Electron Devices. -1966. V. ED-13. - № 5. - P. 478-484.

45. Dodson W. H., Longini R. L Skip Turn-on thyristors. // IEEE Trans. Electron Devices. -1966. V. ED-13. - № 7. - P.598-604.

46. Gerlach W. Untersuchuunggen uber den Einschaltvorgang des Leistungsthyristors. // Telefunken Zeitung. -1966. Bd. 39. - № 3-1 - S. 301-318.

47. Ikeda S., Araki T. The di/dt capability of thyristors. // Proc. IEEE. 1967. - V. 55. - № 8.-P. 1301-1307.

48. Бурцев Э. Ф., Грехов И. В., Крюкова Н. Н., Сергеев В. Г. Исследование процесса включения р-п-р-п-структуры с помощью регистрации рекомбинационного излучения. // ФТП. -1969. Т. 3. - № 11. - С. 1638-1645.

49. Somos J., Piccone D. E. Plasma spread in higt-power thyristors under dynamic and static conditions. // IEEE Trans. Electron Devices. 1970. - V. ED-17. - № 9. - P. 680-72.

50. Дерменжи П. Г., Евсеев Ю. А. К вопросу о включении р-п-р-п-структур большой площади током управления. // Радиотехника и электроника. 1970. - Т. 15. - № 8.-С. 1478-1480.

51. Грехов И. В., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. О механизме распространения включенного состояния в р-п-р-п-структуре. // ФТП. 1972. - Т. 6. - № 9. - С. 1829-1831.

52. Молибог Н. П., Невзоров А. Н., Злобин В. А., Седов Н. Н., Челноков В. Е., Якив-чик Н. И. Неодномерные процессы в р-п-р-п-структуре при включении током управления. // Радиотехника и электроника. -1973. Т. 18. - № 3. - С. 605-616.

53. Yamasaki Н. Experimental observation of the lateral plasma propagation a thyristor. // IEEE Trans. Electron Devices. -1975. -V. ED 22. P. 65-70.

54. Longini R. L., Melngailis J. Gated turn-on of four layer switch. // IEEE Trans. Electron Devices. -1963. -V. ED-13. -№ 3. -P. 178-185.207

55. Крюкова Н. Н. Исследование физических процессов в тиристорах Ери включении и кратковременной перегрузке током большой амплитуды: Автореф: дисс. . канд. физ.-мат. наук. Л.: ЛФТИ, 1970. - 24 с.

56. Грехов И. В. Физические процессы в мощных кремниевых приборах с р-n переходами: Автореф: дисс. . .д-ра. физ.-мат. наук. Л.: ЛФТИ, 1972. - 36 с.

57. Ruhl Н. J. Spreading velocity of the active area boundary in a thyristor. // IEEE Trans. Electron Devices. -1970. V. ED 17. - P. 672-681.

58. Bergman G. D. The gate-triggered turn-on process in thyristors. // Solid State Electronics. -1965. -V. 8. P. 757-765.

59. Грехов И. В., Левинштейн М. Е., Уваров А. И. Простая модель распространения включенного состояния вдоль р-п-р-п-структуры. // ФТП. 1971. - Т. 5. - № 6. С. 1111-1115.

60. Дерменжи П. Г. Исследование неодномерных физических процессов при включении р-п-р-п-структур большой площади по управляющему электроду: Автореф: дис. . канд. физ.-мат. наук. М.: Изд-во ВЭИ им. В. И. Ленина, 1971. - 24 с.

61. Дерменжи П. Г., Евсеев Ю. А. Распространение включенного состояния в р-п-р-п-структурах. // ФТП. 1973. - Т. 7. - № 2. - С. 360-364.

62. Дьяконов М. И., Левинштейн М. Е. Теория распространения включенного состояния при наличии тока управления. // ФТП. 1978. - Т. 12. - № 8. - С. 16741679.

63. Левинштейн М. Е., Симин Г. С. К теории распространения включенного состояния в тиристоре. //ФТП,-1978. -Т. 12.-№ 11.-С. 2160-2167.

64. Рабкин П. Б. Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах: Автореф: дис. . канд. техн. наук. Таллин, 1983. - 22 с.

65. Davies R. L., Petruzella J. P-n-p-n-charge dynamics. // Proc. IEEE. 1967. - V. 55. -№8.-P. 1318-1330.

66. Askinazi G., Rumma K., Rabkin P. Investigation of interrelations of load and gate triggering characteristics and parameters for high speed power thyristors. // Reports of 3rd Power Electronics Conference. Budapest, 1977.208

67. Арро И, Ашкинази Г., Румма К. Новая методика и аппаратура для исследования начального этапа процесса включения р-п-р-п-структур. // «Изв. АН СССР. Физика. Математика». -1972. Т. 21. -№ 2. - С. 171-173.

68. Молибог Н. П., Злобин В. А., Седов H. Н., Якивчик Н. И. Кинетика включения р-п-р-п-структуры в период нарастания анодного тока. // Радиотехника и электроника. 1973. - Т. 18. - № 4. - С. 835-843.

69. Дерменжи П. Г., Евсеев Ю. А. О процессах, протекающих в невключенной области р-п-р-п-структуры большой площади в период нарастания анодного тока. // «Физика и техника полупроводников». -1969. Т. 3. - Вып. 10. - С. 1452-1423.

70. Синегуб Г. А., Шпер В. JI. Исследование (^/¿А)-стойкости силовых тиристоров. Постановка проблемы и её современное состояние. // «Электротехническая про-мыншенностъ».-Серия «Преобразовательная техника».-1981-Вып. 1.-С. 1216.

71. Ikeda Sh., Tsuda Sh., Waki Y. The curent pulse rating of thyristors. // IEEE Trans. Electr. Dev. 1970. - Vol 17. - № 9. - P. 690-694.209

72. Piccone D. E., Somos I. Accelerated life tests for determining the life expectancy of a thyristor due to di/dt failure modes. // IEEE Conf. Rec. 7th Annu. Meet. Ind. Appl. Soc. -1972. P. 469-476.

73. Somos I. L. Current conditions for meaningful di/dt test. // World Electrotechn. Congress. M. -1977 Section 5A. - Paper 50.

74. Somos I. L. Erikson L. O., Tobin W. H. Establishing conditions for a meaningful di/dt test thyristors. // 10th Intern. PCI Conf. Proc. -1985. P. 113-121.

75. Беспалов Н. Н., Гейфман Е. М. Экспериментальное исследование площади начального включения и потерь в тиристорах при включении по цепи управления. // Электротехника. 1995. - № 1. - С. 48-51.

76. Рабинерсон А. А., Ашкинази Г. А. Режимы нагрузки силовых полупроводниковых приборов. М: Энергия, 1976. - 296 с.

77. Бардин В. М. Надежность силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1978.-96 с.

78. Абрамович М. И., Бабайлов В. М., В. Е. Либер, Сакович А. А., Шпер В. Л. Диоды и тириристоры в преобразовательных установках. М.: Энергоатомиздат, 1976. 432 с.

79. Плоткина Н. 3., Цзин Ю. Д. Испытания силовых тиристоров на di/dt-стойкость. П Труды НИИПТ. Л.: Энергоиздат, 1981. - С. 68-74.

80. Чесноков Ю. А., Шмелев В. В. Эффект di/dt и температура перегрева структуры тиристора. // Силовые полупроводниковые приборы. М.: Иформэлектро, 1969. -С. 112-122.

81. Крюкова Н. Н. Полупроводниковые приборы с контролируемым лавинообразо-ванием. // Полупроводниковые приборы и их применение. Вып. 28. - М.: «Советское радио», 1969. - С. 57-77.210

82. Saegusa V., Ташка H., Masuda К. The di/dt rating of power thyrisristor. // «Elec. Comm. Lab. Techn. J.». 1967. - Vol. 16. -№ 1. -P. 45-51.

83. Бурханов Ш. Д. Баширов A. M., Гаршенин В. В. и др. Исследование причин отказов тиристоров при работе в импульсном режиме. // Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. -1970. № 6. -С. 145-156.

84. Родов В.И., Синегуб Г. А., Яхнис А. Р. О возможных причинах отказов импульсных тиристоров. // Полупроводниковые приборы и их применение. 1973. №27. С. 117 131.

85. Синегуб Г. А. Теоретическая оценка (di/dt)-CTomcocra силовых тиристоров. // «Электротехническая промышленность». Серия «Преобразовательная техника».-1981,-№9.-С. 1-2.

86. Gerlach W. Thyristor mit Querfeld-Emitter. // Ztschr. Angew. Phys. -1965. № 5. P. 396-400.

87. Gerlach W. Untersuchungen über den Einschaltvorgang des Leistungsthyristirs. // Tele-fimken Zeitung. -1966. S. 301-314.

88. Цзин Ю. Д., Плоткина H. 3. Факторы, снижающие стойкость тиристоров к эффекту di/dt. II Надежность силовых полупроводниковых приборов и преобразователей на их основе: Сб. тез. докл. Саранск: Изд-во Морд, ун-та, 1983. - С. 3133.

89. Чебовский О. Г., Моисеев JI. Г. Испытания силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергоиздат, 1981. - 200 с.

90. Бардин В. М., Бартанов А. Б. Методы отбраковки потенциально ненадежных силовых полупроводниковых приборов. // «Электротехническая промышленность». Серия «Преобразовательная техника». -1981. -Вып. 1. -С. 21-23.

91. Лаппе Р., Фишер Ф. Измерения в энергетической электронике. / Пер. с нем. М: Энергоатомиздат, 1986. - 232 с.211

92. Бардин В. M., Моисеев JI. Г., Сурочан Ж. Г., Чебовский О. Г. Аппаратура и методы контроля параметров полупроводниковых вентилей. -М.: Энергия, 1971. С. 122-123.

93. Беспалов H. Н., Гейфман Е. М. Метод и аппаратура для неразрушающего определения ¿/^-стойкости силовых тиристоров. // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Труды IV Межд. конф. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 1998. - Т. 7. - С. 39-40.

94. Евсеев Ю. А., Чесноков Ю. А. Использование некоторых косвенных параметров при создании метода неразрушающих испытаний тиристоров. // «Электротехническая промышленность». Серия «Преобразовательная техника». - 1981. -Вып. З.-С. 18-23.

95. Гусев В. А., Тестоедов А. А. Метод проведения неразрушающих испытаний тиристоров на устойчивость к скорости нарастания анодного тока. // Электронная техника. -1975. Сер. 8. - Вып. 5 (35). - С. 68-75.

96. Fletcher N. H. Some aspects of the design of power transistors. // Proc. IRE. 1955. -V. 43.-P. 551-559.

97. Hauser J. R. The effects of distributed base potential on emitter-current injection density and effective base resístanse for stripe transistor geometries. // IEEE Trans. 1964. -V.ED-11.-P. 238-242.

98. Блихер A. Физика тиристоров. / Под ред. И. В. Грехова. JI.: Энергоиздат, 1991.-200 с.212

99. Гейфман Е. М., Конюхов А. В., Лапшина И. Н., Локтаев Ю. М., Рабкин П. В., Базанов О.В., Юрков С.Н. Высоковольтные тиристоры с повышенным быстродействием. // Электротехника. 1988. - № 9. - С. 25-28.

100. Беспалов Н. Н., Мускатиньев А. В., Колпахчьян Г. И. Аппаратура дня измерения статических параметров силовых полупроводниковых приборов. // Электровозостроение: Сб. научн. тр. Новочеркасск: Изд-во ВЭлНИИ, 1986. - Т. 27. - С. 129-136.

101. Химмельблау Д. Анализ процессов статистическими моделями. М.: Мир, 1973.-584 с.

102. Дрейпер Н. Смит Г. Прикладной регрессионный анализ. М.: Статистика, 1973.-480 с.

103. Борисов В. В., Иванов В. Л. и др. Теория электрических аппаратов. / Под ред. проф. Г. Н. Александрова. -М.: Высшая школа, 1985.-248 с.