автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Неравновесные фазовые превращения в примесно-дефектных подсистемах алмазоподобных полупроводников

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОВЕДЕНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

1.1. СТРОЕНИЕ И РОЛЬ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ.

1.2. ВЛИЯНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ НА СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

1.3. СИСТЕМА ВЗАИМОДЕЙСТВУЮЩИХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ КАК ТИПИЧНЫЙ ПРИМЕР НЕРАВНОВЕСНОГО ОБЪЕКТА.

1.4. ПОВЕДЕНИЕ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ В НЕРАВНОВЕСНЫХ УСЛОВИЯХ.

1.5. НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ЭВОЛЮЦИИ ДЕФЕКТОВ В ОБЛУЧАЕМЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

1.6. УПОРЯДОЧЕНИЕ И ОБРАЗОВАНИЕ СТРУКТУР В СИСТЕМЕ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

1.7. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ИНТЕРПРЕТАЦИИ "АНОМАЛЬНЫХ" ЯВЛЕНИЙ В РАДИАЦИОННОЙ ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

1.8. СПОСОБЫ ОПИСАНИЯ ЭВОЛЮЦИИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ ВНЕШНЕМ ВОЗДЕЙСТВИИ НА КРИСТАЛЛИЧЕСКУЮ МАТРИЦУ ПОЛУПРОВОДНИКА.

Данная диссертационная работа посвящена изучению процессов эволюции точечных дефектов в полупроводнике, выявлению особенностей, обусловленных нелинейным взаимодействием дефектов, построению моделей поведения систем дефектов в неравновесных условиях и их исследованию.

Актуальность проблемы.

Точечные дефекты во многом определяют свойства полупроводниковых материалов. Во-первых, они являются элементарными кирпичиками при построении более сложных дефектов, во-вторых, при выходе на субмикронную технологию при производстве интегральных схем они начинают играть определяющую роль в формировании свойств кристалла. Хорошо известно, что поведение полупроводников во многом определяются природой и концентрациями дефектов кристаллической решетки. Поведение и свойства дефектов оказывают сильное влияние на работу полупроводниковых приборов.

Особенно чувствительны к присутствию [1] точечных дефектов электронные свойства полупроводников. Некоторые из них иногда являются прямым следствием наличия дефектов. В области температур, где используются полупроводниковые приборы, концентрация п0 свободных носителей, определяемая количеством легирующих примесей, довольно мала (101:L-1019 см-3) и свойства, обусловленные наличием этих носителей, могут изменяться при введении дефектов малой концентрации, типичное значение которой

Дефекты также играют роль во всех других физических свойствах полупроводников. Присутствие дефектов изменяет колебательные моды. Дефект локально возмущает колебательный спектр и может вызвать появление локализованных колебательных мод, приводящих к инфракрасному поглощению. Дефекты также ответственны за большинство явлений, связанных с атомным переносом, таких как миграция, диффузия, выпадение в осадок. Например, для перемещения атома замещения из одного узла решетки в соседний эквивалентный узел необходимо наличие незаполненного узла, то есть вакансии.

Способность точечных дефектов влиять на свойства кристаллов необходимо учитывать в технологичечких процессах.

Многие результаты с точки зрения современной физики радиационных дефектов являются аномальными и не могут быть объяснены с позиции классической термодинамики. Так, например, непонятным является когерентное поведение дефектов в полупроводнике, подвергнутому ионному облучению, возникновение в полупроводнике крупномасштабных корреляций и макроскопических структур.

Широкое использование ионной имплантации и других типов облучения в современной полупроводниковой технологии обуславливает необходимость разработки моделей для описания поведения точечных дефектов в полупроводнике.

Таким образом, разработка математических моделей нелинейных фазовых переходов в системах дефектов алмазоподобных полупроводников является актуальной.

Цель работы.

Целью работы является: разработка и верификация моделей поведения систем подвижных взаимодействующих точечных дефектов в алмазоподобном полупроводнике.

Цель достигается: конкретизацией подхода синергетики и теории самоорганизации для построения моделей поведения систем точечных дефектов; построением динамической модели диффузии водорода в легированном кремнии; построением динамической модели электрохимического травления кремния в плавиковой кислоте; исследование этих моделей с точки зрения количества стационарных состояний и анализа их устойчивости; применение математического понятия фрактальных решеток для описания свойств структуры легированного кремния.

Научная новизна.

1) Впервые осуществлено применение средств синергетики и теории самоорганизации для построения и анализа моделей квазихимических взаимодействий точечных дефектов в процессах: «диффузия водорода в легированном кремнии» и «электрохимическое травление кремния»;

2) Предложена модель эволюции водорода в легированном кремнии, которая объясняет наблюдаемые в некоторых экспериментах отклонение профиля распределения концентрации водорода от функции erfс.

3) Впервые предложена модель электрохимического травления кремния, построенная на базе нелинейного взаимодействия точечных дефектов во время травления в плавиковой кислоте. Эта модель, в частности, объясняет смену режимов при уменьшении анодного тока: полировка, образование пористого кремния, формирование аморфного кремния.

4) Конкретизировано понятие фрактальной решетки для описания структуры легированного кремния.

5) Предложен метод расчета топологической размерности фрактальной решетки структуры легированного кремния.

Практическая значимость.

1. Результаты диссертационной работы использованы при численной оценке величин крупномасштабной корреляции водородных комплексов в легированном кремнии.

2. Получена оценка коэффициентов диффузии водородно-вакансионных комплексов.

3. Получены математические выражения для оценки размера пустот в пористом кремнии.

4. Выявлены существенные параметры процессов при диффузии водорода в легированном кремнии.

5. Определены управляющие параметры при травлении кремния в плавиковой кислоте.

6. Рассчитаны численные значения коэффициентов при электрохимическом травлении кремния.

Внедрение результатов работы.

Результаты работы по построению моделей неравновесных фазовых превращений в примесно-дефектных подсистемах алмазоподобных полупроводников внедрены в работу ООО «Юник Ай Сиз» при разработке проекта «Экран на холодных катодах», в лабораторном практикуме МГИЭТ на кафедре «Проектирование и конструирование интегральных схем» в рамках курса «Проектирование специализированных ИС», в рамках теоретической части лекционного курса «Современные проблемы микроэлектроники» для подготовки магистров 5 курса ЭКТ факультета МГИЭТ, а также в лабораторном практикуме МФТИ кафедры «Микроэлектроника» в рамках курса «Основы микроэлектронной технологии».

На защиту выносится следующее:

1) Наблюдаемые в экспериментах крупномасштабные корреляции точечных дефектов являются следствием появления в системе неустойчивого стационарного состояния.

2) При имплантации водорода в легированный кремний одновременно возникают и сосуществуют, по крайней мере, три стационарных состояния, два из которых устойчивы, а одно неустойчиво.

3) Процессы на поверхности кремния во время электрохимического травления приводят к возникновению в приповерхностном слое, по крайней мере, трех стационарных состояний, одно неустойчивое и два устойчивых. Это, в свою очередь, приводит при разных анодных токах к разным режимам травления: полировка, образование пористого кремния, формирование аморфного кремния.

4) В легированном кремнии возникает структура, которую можно описывать средствами теории фракталов.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации были представлены и обсуждены на следующих конференциях:

- Международный симпозиум «Фазовые превращения в твердых телах и сплавах», ОМА-2002, г.Сочи, 2002.

- 9-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2002», МИЭТ, 2002.

Публикации.

Автором опубликовано 11 работ по вопросам описания свойств сложных систем, в том числе 5 из них по теме диссертационной работы. Список работ приведен в ПРИЛОЖЕНИИ 1.

Структура и объем диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения, списка литературы (161 наименование) и 2 приложений. Работа изложена на 170 листах машинописного текста, включает 35 рисунков и 2 таблицы.

3.9. ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ

1) В равновесной термодинамике пока не удалось создать модели электрохимического травления кремния, объясняющая все стадии процесса.

2) Процессы на поверхности кремния во время электрохимического травления в плавиковой кислоте приводят к генерации в приповерхностном слое кремнния точечных дефектов: вакансий и примесного водорода (преимущественно междоузельного).

3) Квазихимические взаимодействия точечных дефектов в рассмариваемой системе обуславливают нелинейные свойства процессов.

4) Кремний под действием электрохимического травления в плавиковой кислоте обладает всеми свойствами неравновесной термодинамической системы: существует поток дефектов в систему, имеется уход дефектов из системы (на «стоки»), присутствуют квазихимические взаимодействия дефектов с существенно нелинейным характером.

5) Сосуществование по крайней мере двух устойчивых стационарных состояний приводит в кремнии к процессу структурообразования.

6) Величина анодного тока может являться управляющим параметром, смещающим равновесие в системе в ту или иную сторону. Это, в свою очередь, обуславливает разные режимы электрохимического травления: или полировка, или пористый кремний, или аморфизация.

7) Применение метода аналогий при сравнении процессов: (!) образование пористого кремния и (ii) образование ячеек Бенара (см. раздел «Формирование дендритной структуры пористого кремния»), - дает возможность сделать вывод о природе возникновения дендритной структуры пористого кремния.

8) Анализ сложных нелинейных открытых систем средствами синергетики позволяет объяснить появление пространственных структур в полупроводнике.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Анализируя изложенный материал можно сделать следующие выводы:

1) Полупроводники при внедрении в них дефектов извне (ионная имплантация, облучение и т.п.) как правило, являются термодинамически неравновесными системами. Они обладают всеми признаками, присущими другим неравновесным системам, а именно: существует поток частиц и энергии через систему (поток ионов, электронов и т.д.); система состоит из большого количества подсистем (примесные атомы, собственные дефекты комплексы, кластеры и т.п.); между этими подсистемами существует сильное взаимодействие и, как правило, нелинейное (образование и распад комлексов, реакции замещения, реакции аннигиляции, кластеризация и т.д.); при достижении определенных значений параметров системы в ней могут происходить структурные трансформации в макроскопических масштабах; и, наконец, параметр "время" играет важнейшую роль в эволюции системы и кинетические процессы играют определяющую роль в деле формирования конечных состояний.

2) Широкий спектр неравновесных фазовых переходов наблюдался экспериментально во многих экспериментах, связанных с внедрением примеси в полупроводник (облученние, ионная имплантация). Иногда это сопровождается структурообразованием. Часто наблюдается пороговый характер образования структур.

3) Нелинейные взаимодействия между дефектами и примеснью на стадии отжига могут быть причиной стимулирующей новые типы распределений легирующей примеси.

4) Образование структур в системе "дефекты-примесь" может происходить и в условиях, когда неравновесность задается не облучением, а другим источником.

5) Для описания поведения систем точечных дефектов, находящихся вдали от термодинамического равновесия, можно использовать средства синергетики и теории самоорганизации. Это позволяет учитывать взаимодействия между дефектами, взаимосвязи меду параметрами системы, ответственными за тот или иной тип поведения или релаксации.

6) Анализ результатов экспериментов по диффузии водорода, имплантированного в легированный кремний, выявил формирование профилей концентрации, существенно отличающихся от результатов, описываемых моделью диффузии в условиях термодинамического равновесия.

7) Выявлено, что при ионной имплантации водорода в легированный кремний и последующем отжиге в системе реализуется неустойчивое состояние.

8) Предложена и обоснована схема нелинейных взаимодействий в системе: «водород, имплантированный в легированный кремний и последующий отжиг».

9) Показано, что возникновение неустойчивого состояния в системе, где присутствуют транспортные процессы (диффузия), является причиной возникновени крупномасштабных корреляций. Это, в свою очередь, является причиной отклонения диффузионных профилей от класических, определяемых функцией erfc, и появления на них пологих участков.

10) Процедура обезразмеривания коэффициентов и выявление в системе малого параметра позволяет существенно упростить математический анализ уравнений, описывающих процесс.

11) Сделаны численные оценки, согласующиеся с экспеиментом.

12) Показано, что интерпретация структуры легированного кремния как фрактальной решетки дает результат, достаточно хорошо согласующийся с экспериментом. При этом показано, что топологическая размерноть пространства, в котором происходит диффузия, меньше 3-х и является дробной. Вычислена критическая топологическая размерность простанства dc, ниже которой структурообразование при диффузии водорода в легированом кремнии не возникает.

13) Процессы на поверхности кремния во время электрохимического травления в плавиковой кислоте приводят к генерации в приповерхностном слое кремнния точечных дефектов: вакансий и примесного водорода (преимущественно междоузельного).

14) Квазихимические взаимодействия точечных дефектов в рассмариваемой системе обуславливают нелинейные свойства процессов.

15) Кремний под действием электрохимического травления в плавиковой кислоте обладает всеми свойствами неравновесной термодинамической системы: существует поток дефектов в систему, имеется уход дефектов из системы (на «стоки»), присутствуют квазихимические взаимодействия дефектов с существенно нелинейным характером.

16) Сосуществование по крайней мере двух устойчивых стационарных состояний приводит в кремнии к процессу структурообразования.

17) Величина анодного тока может являться управляющим параметром, смещающим равновесие в системе в ту или иную сторону. Это, в свою очередь, обуславливает разные режимы электрохимического травления: или полировка, или пористый кремний, или аморфизация.

18) Применение метода аналогий при сравнении процессов: (i) образование пористого кремния и (ii) образование ячеек Бенара (см. раздел «Формирование дендритной структуры пористого кремния»), - дает возможность сделать вывод о природе возникновения дендритной структуры пористого кремния.

19) Анализ сложных нелинейных открытых систем средствами синергетики позволяет объяснить появление пространственных структур в полупроводнике.

Таким образом, задача построения моделей неравновесных фазовых переходов является актуальной для описания процессов, проистекающих в открытых примесно-дефектных подсистемах.

1. М. Ланно, Ж. Бургузн. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория., М., "Мир", 1984.

2. С. Емцев, К. Машовец, Примеси и точечные дефекты в полупро водниках. М., Радио и связь, 1981.

3. J.B. Gunn, Solid State Comm., 1, 88 (1963).

4. A.F. Volkov and Sh. M. Kogan, Sov. Phys. Usp., 96, 633 (1968).

5. S.K.Maksimov and E.N.Nagdaev, Sov. Phys. Dokl., 24, 297(1979) .

6. Н.Накеп, Synergetics ( Springer-Verlag, Berlin, Heiddberg, N.Y., 1978 ).

7. Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М., Атомиздат, 1969.

8. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., Наука, 1981.

9. Винецкий В.Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. Киев, Наукова думка, 1979.

10. Физические процессы в облученных полупроводниках /Под ред. Смирнова Л.С., Новосибирск, Наука, 1977.13 . Вопросы радиационной технологии полупроводников /Под ред. Смирнова J1.C., Новосибирск, Наука, 1980.

11. Вавилов B.C. Некоторые физические аспекты ионной имплантации. УФН, 1985, т. 142, с. 329-346.

12. Corbett J.W. Electron radiation damage in semiconductors and metals. New York, Academic Press, 1976.

13. Corbett J.W., Bourgoin J.C. Point defects in solids, Vol.2. Semiconductors and molecular crystals, eds. Crawford J.H. (Jr.), and Slifkin L.M., New York and London, 1975.

14. Dzhafarov T.D. radiation stimulated diffusion in semiconductors. Phys. Stat. Sol.(b), 1989, v. 155, p.p. 11-51.

15. Gibbons J.F. Lectures on ion implantation and proton enhanced diffusion. University Press, Tokyo University, Japan, 1977.

16. Тетельбаум Д. И. Вторичные процессы при ионнной имплантации полупроводников. Горький, ГИФТИ при ГГУ, диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, 1987.

17. Verner I.V., Gerasimenko N.N. and Corbett J.W. Chaos and stability in defect processes in semiconductors. Switzeland, Trans Tech Publications, 1992 .

18. Вернер И.В. Явления неустойчивости и неравновесные фазовые переходы в системе дефектов полупроводников. Москва-Зеленоград, МГИЭТ (ТУ) , диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, 1993.

19. Девис Дж., Ташлыков И.О., Томпсон Д.А. Различия в радиационном повреждении GaAs при имплантации ионов Р и А1. ФТП, 1982, т. 16, с. 577-581.

20. Kou-Wei Wang, Spitzer W.G., Hubler G.K., and Sadana D.K. Ion implantation of SI by 12C, 29S1 and 120Sn: amorphization and annealing effects. J. Appl. Phys., 1985, v. 58, p.p.4553-4564.

21. Heklng N., Heldemann K.F., and Те Kaat E. Temperature dependent interaction and amorphization in crystalline silicon during ion irradiation. Nucl. Instr. and Meth., 1986, v. B15, p.p. 760-768.

22. Dvurechensky A.V., Gerasimenko N.N., Romanov S.I., and Smirnov L.S. High dose effects in ion implantation. Rad. Eff., 1976, v. 30, p.p. 69-72.

23. Герасименко H.H., Двуреченский А.В., Романов С.И., Смирнов Л.С. Об эффектах при больших дозах внедренных в полупроводник ионов. ФТП, 1973, т. 7, с.2195-2199.

24. Hirvonen J.К., Brown W.L., and Glotin P.M., In: Proc. of the 2nd International conference on ion implantation in semiconductors, eds. Ruge I. and Graul J. Berlin, Springer, 1971, p.8.

25. Berti M., Drigo A.V., Gabilli E., Lotti R. , Lulli G., Merli P.G., and Vittori A.M., in: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., eds. Appleton B.R., Eisen F.H., and Sigmon T.W. MRS, Pittsburgh, PA, v. 45, 1985, p.p. 97106.

26. La Ferla A., Campisano S.U., Cannavo S. Ferla G., and Rimini E., in: Photon-beam and plasma enhanced processing, ed. Krimmel E.F. Paris, Les Edition de Physique, 1987, p. 325.

27. Miyao M., Polman A., van Kemp R., Westendorp J.F.M., Sinke W., van der Veen, and Saris P.W., in: Energy beam -solid interactions and transient thermal processing, eds. Nguyen V.T. and Cullis A.G. Les Ulis, Les Edition de Physique, 1985, p.p. 985-992.

28. Linnros J. Ph.D. Thesis. Chalmers University of Technology, Goteborg, Sweden, 1985.

29. Priolo F., Rimini E. Ion-beam-induced epitaxial crystallization and amorphization in silicon. Materials Science Reports, 1990, v. 5, p.p. 319-379.

30. Бонч-Бруевич В.JI., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная неустойчивость в полупроводниках. М., Мир, 1973.

31. Вернер М.В., Копаев Ю.В., Молотков С.Н. Неравновесный фазовый переход в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью. ФТТ,1981, т. 23, с. 3021-3027.

32. Вернер И.В., Копаев Ю.В. Неравновесный фазовый переход в полупроводниках с S-образной вольт-амперной характеристикой. Препринт ФИАН им. А. П. Лебедева N 86,1982.

33. Вернер И.В., Копаев Ю.В., Молотков С.Н. Флуктуационные явления в полупроводниках с нелинейными

34. ВАХ. Флуктуационнные явления в физических системах. Вильнюс, Изд. ИФП, 1982, с.54.

35. Nelson D.G., Gibbons J.F., Johnson W.S. Radiation-enhaced diffusion of boron in silicon. Appl. Phys. Lett., 1969, v. 15, p.p. 246-248.

36. ЛугаковП.Ф., Лукяница В.В. Процессы комплексообразования в кремнии при изменении температуры облучения. ФТП, 1986, т. 20 с.742-744.

37. Милевский Л.С., Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на кинетику образования и отжига радиационных дефектов. В кн.: Космическое материаловедение и технология. М., Наука, 1977, с. 103-111.

38. Wiffen F.W., in: Proc. of the intern, conf. on radiation-induced voids in metals, eds. Corbett J.W. and Ianniello L.C. Albany, NY, USAECT Inf. Center, 1972, p.386.

39. Evans J.H., Bulough R., and Stoneham A.M., in: Proc. of the intern, conf. on radiation-induced voids in metals, eds. Corbett J.W. and Ianniello L.C. Albany, NY, USAECT Inf. Center, 1972, p.522 (см также: Evans J.H. -Nature, 1971, v. 229 p.p.403-408).

40. Kulchinski G.L. and Brimhall J.L., in: Ordered defect structures in irradiated metals. ASTM-STP 529, Philadelphia, 1973, p.258.

41. Stoneham A.M. Consultant Symposium: The physics of irradiation produced voids. AERE-R7 934, ed. Nelson R.S. Harwell: AERE, 1975, p.319.

42. Dimotakis P.N. and Papaefthymiou H. A comperative study of an oscillatory phenomenon in solid state. Rad. Eff., 1986, v.88, p.p. 410-415.

43. Pavov P.V., Zorin E.I., Tetelbaum D.I., and Uspenskaya A.K. The influence of chenneling and anomalous diffusion on the profiles of implanted phosphorus and boron atoms in silicon. Rad. Eff., 1912, v. 13, p.p.153-155.

44. Успенская Г.И. Исследование структурных нарушений в кремнии на глубинах, превышающих проецированный пробег ионов, при бомбардировке ионами средних масс: Диссерт. на соискание уч. степени канд. физ.-мат. наук. Горький, ГМФТМ при ГГУ, 1976.

45. Баранова А.С., Гром Ю.Д., Павлов П. В. Осцилляции профилей распределения проводимости при имплантации примесей в кремний. Труды 8 Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с монокристаллами. М., Изд. МГУ, 1977, с. 152-156.

46. Куликаускас B.C., Мордкович В.Н., Разгуляев И.И. Профили распределения смещенных атомов в ионнолегированных полупроводниках. Materials of International соnf. on Ion Implantation In semiconductors and other materials. Vilnius, 1983, c. 170-171.

47. Baruch P., Monnier J., Blanchard В., and Castaing C. Redistribution of boron in silicon through high-temperature proton irradiation. In: Lattice defects In semiconductors. Conf. ser. N 23, Inst, of Phys. London-Bristol, 1975, p.p. 453-460.

48. Горнушкина Е.Д., Кириллова И.Д., Малкович P.III. О радиационно-стимулированной диффузии при протонном облучении. ФТТ, 1982, т. 24, с.1088-1093.

49. Козловский В.В., Ломасов В.Н., Гурьянов Г.М., Коварский А.П. Аномальное распределение бора и водородана больших глубинах в кремнии после протонно-стимулированной диффузии. ФТП, 1987, т. 21, с. 12381241.

50. Paszti F. , Hajdu Cs. , Manuaba A., My N.T., Kotal E., Pogany L., Mezey G., Fried. M., and Vizkelethy Gy. Nucl. Instr. and Meth In Phys. Res., 1985, v. В 7/8, p.p. 371-376.

51. Tan T.Y., Pull H., and Hu S.M. Phil. Mag., 1981, v. A44, p.p. 127-134.

52. Bender H., and Vanhellemont J. Phys. Stat. Sol. (a), 1988, v. 107, p.p. 455-468.

53. Pirouz P., In: Proc. of Intern. symp. on structural properties of dislocation In semiconductors, Oxford, 1989, p.49.

54. Cerefolini G.F., Meda L. , Poligano M.L., Ottaviani G., Bender H., Claeys C., Armgliata A., and Solmi S., In: Semiconductor Silicon 1986, eds. Hull H.R., Abe Т., and Kolbesin В., The Electrochem. Soc., Pennington, 1986, p.p. 706-804.

55. Балагурова E.A., Прудникова И.А., Семиколенова H.A., Шляхов. Материалы X Всесоюзной конф. по физике полупроводников. Минск, Наука, 1985, часть 1, с.13.

56. Балагурова Е.А., Греков Ю.Б., Прудникова И.А., Семиколенова Н.А., Шляхов А.Т. Известия Академии Наук СССР. Сер.: Неорганические материалы, 1986, т. 22, с.540.

57. Мильвидский М.Г., Семиколенова Н.А., Семиколенов А.С., Хабаров Е.Н., Шляхов А.Т. Материалы XI Всесоюзной конф. по физике полупроводников. Кишинев, Наука, 1988, с. 64

58. Дмитрук H.JI., Литовченко В. Г. Эффекты радиационно-стимулированного геттерирования на границах раздела полупроводников АЗВ5. В кн.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, "Наука", 1983, вып. 3, с. 13-22.

59. Литовченко В.Г., Корбутяк Д.В., Лашкевич Е.Г., Садофьев Ю.Г. Обнаружение радиационно-стимулированного структурного упорядочения гетеросистемы GaAs-Si по спектрам низкотемпературной фотолюминесценции. ФТП, 1985, т. 19, с. 1704-1706.

60. Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л. и др. Влияние радиации на излучательную и безизлучательную рекомбинацию в гетеросистемах на основе GaAs и AlXGal-XAs. ФТП, 1986, т. 20, с. 322-325.

61. Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р. В., Литовченко В.Г. Радиационное упорядочение на границе раздела металл-InP. ФТП, 1986, т. 20,с.326-329.

62. Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В. и др. Радиационно-стимулированное гетерирование структурных дефектов в гетеросистемах SiXGel-XAs. ФТП, 1983, т. 17, с. I349-I35I.

63. Кродман Д.М., Лисовский В.П., Литовченко В. Г. Эффект упорядочения в структурах S1-S102 обусловленный инжекцией носителей заряда и последующим термоотжигом. -Микроэлектроника, 1986, т. 15, с.376- -378.

64. Glensdorff P., and Prigogine I. Thermodynamic theory of structure, stability and fluctuations. New York, Wiley-Interscience, 1971.

65. Николис Г., Пригожий M. Самоорганизация в неравновесных системах. М., Мир, 1979.

66. Эбелинг В. Образование структур при необратимых процессах. М., Мир, 1979.

67. Ebellng W., Felstel R. Physik der selbstorganisation und evolution. Berlin, Academie-Verlag, 1982.

68. Nlcolis G., Prigogine I. Exploring complexity: an Introduction. New York, W.H. Freeman and Company, 1989.

69. Haken H. (ed.) Cooperative effects, progress in synergetics. North-Holland, Amsterdam, -(special Iss.) Rev. Mod. Phys., 1974, v.47, p.67.

70. Haken H. (ed.) Synergetics. Proc. of a symp. on synergetics. Stuttgart, Teubner, 1973.

71. Haken H. Non-equilibrium phase transitions and bifurcations of limit cycles and tori. A new research topic for statistical mechanics? . Recent Adv. Statist. Mech. Proc. Brasov Intern. Sch., Bucharest, 1979, p.p. 223-238.

72. Хакен Г. Синергетика. M., Мир, I960.

73. Хакен Г. Синергетика: иерархии и неустойчивостей в самоорганизующихся системах и устройствах. М., Мир, 1985.

74. Caglioti G., Haken Н., and Lugioto L. Synergetics and dynamic instabilities. North-Holland, Amsterdam, 1988.

75. Lundqvist S., March N.H., and Tosi M.P. Order and chaos in non—linear physical system. New York and London, Plenum Press, 1988.

76. Forrest F.R. The "excess entropy" around nonequilibrium steady state (^2S)SS is not Liapunovfunctional.- Proc. Nat. Acad. Sci. USA, Phys. Sci., 1980, v. 77, p.p. 3763-3766.

77. Девятко Ю.Н., Тронин B.H. Восходящая диффузия вакансий и неустойчивость облучаемого вещества. Письма в ЖЭТФ, 1983, т. 37, с. 278-281.

78. Сугаков В.М. О сверхрешетках плотности дефектов в облученных кристаллах. Киев, Препринт МТФ-84-70Р, 1984, 30 с.

79. Василевский М.И. Взаимодействие дефектов и диффузия примеси в элементарных полупроводниках. Дисс. на соискание уч. степени канд. физ.-мат. наук. Горький, ГТУ, 1985.

80. Эшелби Дж. Континуальная теория дислокаций. М., МЛ, 1967.

81. Martin G. Phys. Rev. В, 1980, v. 21, p.2122.

82. Martin G. Phys. Rev. B, 1984, v. 30, p.1424.

83. Martin G., Cauvin R., and Barbu A. In: phase transformations during irradiation, ed. Nolfi F.V. London, Pergamon, 1983, p.p.47-56.

84. Васильев В.А., Романовский Ю.М., Яхно В. Г. Автоволновые процессы. М., "Наука", 1987.

85. Гуров К.П. Взаимная диффузия в многофазных металлических системах. М., "Наука", 1981.

86. Василевский М.М., Ершов С.Н., Пантелеев В.А. Неустойчивость однородного распределения заряженнойпримеси замещения в полупроводнике. ФТТ, 1985, т. 27, с. 2282-2285.

87. Юнусов М.С., Махмудов А.Ш. и др. Элементарные атомные процессы и электронная структура дефектов в полупроводниках. Ташкент, ФАН, 1986, 176 с.

88. Watkins G.D. In: Radiation effects in semiconductors. New York, Plenum Press, 1968, p. 67.

89. Thorn R. Structural stability and morphogenesis. Benjamin W.A., Reading, Mass., 1975.

90. Kuzovkov V., Kotomin E. Kinetics of defects accumulation and recombination. Phys. Stat. Sol. (b) , 1981, v. 105, p.p. 789-801.

91. Kotomin E., Kuzovkov V. Some problem of recombination kinetic. Chhem. Phys., 1983, v. 76, p.p.479-487.

92. Калнинь Ю.Х., Котомин E.A. Радиационно-стимкулированная агрегатизация неподвижных дефектов Френкеля. Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика рад. повр. и радиац. материаловедение, 1984, т. 1 (29)/2(30), с. 18-34.

93. Калнинь Ю.Х., Пирогов Ф.В. Статистическая теория реакций точечных дефектов в твердых телах. Препринт МФ АН Лат.ССР, Салас-пилс, ЛАФМ, 1985, 28 с.

94. Krishan К. Self-organization and stability of rate processes during irradiation. Solid State Phenomena, 1988, v. 3/4, p.p. 267-278.

95. Конозенко М.Д., Семенюк А.К., Хиврич В. И. Радиационные дефекты в полупроводниках. Киев, Наукова думка, 1974.10 0. Емцев В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М., Радио и связь, 1981.

96. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Квазихимические реакции с участием радиационных дефектов в полупроводниках. Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика рад. повр. и радиац. материаловедение, 1984, т. 3(31), с. 59-72.

97. Березин И.В., Варфоломеев С.Д. Биокинетика. М., Наука, 1979.

98. Вернер И.В., Максимов С.К., Цуканов В. В. Неустойчивость в полупроводниках при воздействии ионизирующего облучения. Письма в ЖТФ, 1984, т. 10, с.65-68 .

99. Вернер И.В., Цуканов В.В., Максимов С. К. Неустойчивость поведения точечных дефектов в полупроводниках в процессе облучения. В сб.: Радиационная физика полупроводников. Ташкент, ФАН, 1984. 228 с.

100. Г. Николис, И. Пригожин. Познание сложного, пер. с англ. М., "Мир", 1990.

101. J.W.Corbett, J.L.Lindstrom, S.J.Pearton, A.J.Tavendale. Passivation in silicon. Solar Cells, 24 (1988)127-133.

102. The Interaction of Hydrogen with Deep Level Defects in Silicon (T & E) . R. Jones, B. J. Coomer, J. P. Goss, B. Hourahine, and A. Resende. In Special defects in Semiconducting Materials, edited by R. P. Agarwala.

103. Light Impurities and their Interactions in Silicon. (E) R.C. Newman Mat. Sci. and Eng. В 36, 1-12 (1996).

104. The initial stages of oxygen aggregation in silicon: dimers, hydrogen and self-interstitials. (E) R.

105. С. Newman Early stages of oxygen precipitation in silicon, Edited by R. Jones, NATO ASI Series, Kluwer Acad., Vol. 13, pp. 19-39 (1996).

106. Hydrogen Solubility and Defects in Silicon.(E) M. J. Binns, S. A. McQuaid, R. C. Newman and E. C. Lightowlers, In, ICDS-17, Mater. Sci. Forum 143-147, 861-6 (1994) .

107. Hydrogen-related luminescence centres in thermally treated Czochralski silicon. (E) E. C. Lightowlers, R. C. Newman and J. H. Tucker, Semicond. Sci. Technol. 9, 1370-74 (1994).

108. Hydrogen-related shallow thermal donors in Czochralski silicon. (E) S. A. McQuaid, R. C. Newman and E. C. Lightowlers, Semicond. Sci. & Technol. 9, 1736-9 (1994) .

109. Optically active hydrogen dimers in silicon (T) B. Hourahine, R. Jones, A. N. Safonov, S. Oberg, P. R. Briddon, and S. K. Estreicher Papers presented at ICDS-20 (Berkeley, 1999) To appear in Physica B.

110. Dipole moments of H2, D2 and HD molecules in Czochralski silicon.(E) R. C. Newman, R. E. Pritchard, J. H. Tucker, and E. C. Lightowlers, Phys. Rev. В 60 12775-12780 (1999)

111. Hydrogen Molecules in Boron-Doped Crystalline Silicon.(E) R. E. Pritchard, J. H. Tucker, R. C. Newman and E. C. Lightowlers, Semicond. Sci. & Technol. 14, 7780 (1999).

112. Calculations of Electrical Levels of Deep Centers: Application to Au-H and Ag-H Defects in Silicon (T) A. Resende, R. Jones, P. R. Briddon, and S. Oberg, Phys. Rev. Lett., 82, 2111 (1999).

113. Gold-hydrogen Complexes in Silicon, (E) L Rubaldo, P Deixler, I D Hawkins, J Terry, D К Maude, J-C Portal, J H Evans-Freeman, L Dobaczewski, A R Peaker, Mat Sci and Eng В 58, 126-129, 1999.

114. The structural properties of transition metal hydrogen complexes in silicon (T) A. Resende, R. Jones, S. Oberg and P. R. Briddon Mat Sci and Eng В 58, 113117, 1999.

115. Hydrogen Reactions with Electron Irradiation Damage in Silicon (E) A R Peaker, J H Evans-Freeman, L Rubaldo, I D Hawkins, К Vernon-Parry and L Dobaczewski Presented at ICDS-20 (Berkeley, 1999), Physica В , 273274, p243, (1999).

116. Vacancy-hydrogen complexes in germanium (E & T) B. J. Coomer, P. Leary, M. Budde, B. Bech Nielsen, R. Jones, S. Oberg, P. R. Briddon Mat Sci and Eng В 58, 1999.

117. Silicon incorporation in a shallow donor center in hydrogenated Czochralski-grown Si crystals:An EPR study (E) Markevich ,V.P., Mchedlidze, Т., and Suezawa, M. Phys Rev. B. 56 (20), 12695-12697.(1997).

118. Passivation and Reactivation of P,H pairs in Si (T) S. Estreicher, R. Jones Materials Science Forum 14347, Trans Tech Publications, Zurich, p.1215-1220, (1994).

119. Anharmonic Vibrations of Hydrogen Paired with Shallow Impurities in Semiconductors (E). R. C. Newman,

120. Semicond. Sci. & Technol. 5, 911-3 (1990).

121. Shallow Thermal Donors in Silicon : the Roles of Al, H, N and Point Defects. (E) R. C. Newman, M. J. Ashwin, R. E. Pritchard and J. H. Tucker.

122. Phys. Status. Solidi 210, 519-525, (1998).

123. Hydrogen-oxygen interaction in silicon at around 50 °C. (E) V.P Markevich and.M. Suezawa, J. Appl. Phys. 83 (6), 2988-2993.(1998).

124. Interaction of hydrogen (deuterium) molecules with interstitial oxygen atoms in silicon. (E) V.P. Markevich, M. Suezawa and L.I. Murin Mater. Science and Engineering, В 58 (1/2), 26-30.(1998).

125. J.W.Corbett, S.J.Pearton, D.Peak and A.J.Sganga. Hydrodgen on semiconductors surfaces. From: Hydrodgen in disordered and amorphous solids. Editedby Gust Bambakidis and Robert C.Bowman, Jr. (Plenum Publishing Corporation, 1986).

126. D.A.Tulchinsky and J.W.Corbett, J.T.Borenstein and S.J.Pearton. Scaling in diffusion. PACS numbers: 61.7 0.WP,61.80.Mk,66.30-h.

127. J.W.Corbett,P.Deak, C.Ortiz-Rodriguez and L.C.Snyder. Embrit tlement of materials: Si(H) as a model system. Journal of Nuclear Materials 169 (1989) 17 9-184North-Holland.

128. J.W.Corbett, P.Deak, C.Ortiz-Rodriguez and L.C.Snyder. Embrit tlement of materials: Si(H) as a model system. Journal of Nuclear Materials 169 (1989) 17 9-184North-Holland.

129. S.J.Pearton, M.Stavola and J.W.Corbett. States of hydrogen in crystalling semiconductors. Radiation Effects ant Defects in Solids, 1989, Vol. Ill & Vol.112 (1-2), 323-344.

130. J.W.Corbett, J.L.Lindstrom and S.J.Pearton. Hydrodgen in silicon. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 104. 1988 Materials Research Society.

131. J.L.Lindstrom, G.S.Oehrein, G.S.Scilla, A.S.Yapsir, J.W.Corbett. Effects of deuterium plasmas on silicon near-surface properties. J.Appl.Phys.65 (8), 15 april 1989.

132. О.Д. Парфенов, Технология микросхем, M., Высшая школа, 1977.

133. J.I. Pankove, P.J. Zanzucchi, C.W.Magee and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 46,421 (1985).

134. Г. Николис, И. Пригожин. Познание сложного, пер. с англ. М., "Мир", 1990.

135. Г.Хакен, Синергетика, М., "Мир",1979.

136. Г.Хакен, Синергетика. Иерархия неустойчивостей, М., "Мир",1981.

137. Н.Е. Stanley, N. Ostrowsky. On Growth and Form. Martinus Nijhoff Publishers, 1986.

138. Phys. Rev. B, 1998, 58, p.15794.

139. Appl. Phys. Lett., 1997, 71, p.864.

140. Appl. Phys. Lett, 1990, 57, p.1046.

141. Semicond. Science and Technol., 1995, 10(3).

142. ПерсТ, Том 2, выпуск 15/16 август 1995 г.

143. M.I.J.Beale, N.G.Chew, M.J.Uren, A.G.Cullis, and J.D.Benjamin, Appl.Phys.Lett., 1 January 1985, Vol.46, 1, p.86-88.

144. Y.Arita, Journal of Crystal Growth, 1978, 45, p.3043-3046.

145. F.Gaspard, A.Bsiesy, M.Ligeon, F.Muller, and R.Herino, J.Electrochem.Soc., October 1989, Vol.136, 10, p.3043-3046.

146. R.Herino, G.Bomchil, K.Barla, and C.Bertrand, J.Elektrochem.Soc., 1987, Vol.134, 8, p.1994-2000.

147. Y.Watanabe, Y.Arita, T.Yokoyama, and Y.Igarashi, J.Electrochem. Soc., Vol.122, 10, p.1351-1355.

148. Y.Arita and Y.Sunohara, J.Electrochem.Soc., February 1977, Vol.124, 2, p.285-295.

149. Science Lights Up 1991 MRS Spring Meeting, MRS Bulletin, July 1991, p.54-55.

150. Итальянцев А.Г., Поверхность, 1991, 10, стр.122-127.

151. C.Xy. Диффузия в кремнии и германии. In: Atomic diffusion in semiconductors. Edited by D.Shaw, Plenum Press, London and New York, 1973.

152. В.В.Емцев, Т.В.Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках., Москва, "Радио и связь", 1981.

153. H.Haken. Synergetics., Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York, 1978.

154. H.Haken. Advanced Synergetics. Instability Hierarchies of Self-Organizing Systems and Devicts., Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York Tokyo, 1983.

155. J.W.Corbett et al. Hydrogen in Crystalline Semiconductors, Springer Series in Materials Science, Vol.16, in press.

156. И.Н.Бронштейн, К. математике., Москва,"Наука математической литературы,160. H.JI. Глинка. Общая 1985.161. ФТП, 1974, вып.11,

157. А.Семендяев. Справочник по ", Главная редакция физико-1986.химия., Ленинград, "Химия", с.2272.