автореферат диссертации по информатике, вычислительной технике и управлению, 05.13.18, диссертация на тему:Аналитические модели взаимодействия заряженных краевых дислокаций и точечных дефектов в кристаллических структурах

СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЗАРЯЖЕННЫЕ ДИСЛОКАЦИИ В КРИСТАЛЛАХ.

1.1 .Структура и свойства дислокаций в кристаллах.

1.2. Модели заряженных дислокаций.

1.3. Эффекты на заряженных дислокациях.

1.4. Заряженные дислокации в электромагнитном поле.

1.5. Диссипация энергии движущихся дислокаций.

ГЛАВА 2. АНАЛИТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ДИСЛОКАЦИЙ И ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ.

2.1.Основная система уравнений для одного типа точечных дефектов.

2.2.Модель взаимодействия системы «дислокация-облако» при наличии градиента температуры.

2.3.Модель взаимодействия системы «дислокация-облако» в электрическом поле. Прямой и обратный пьезоэффек-ты.

2.4.Модель взаимодействия системы «дислокация- облако» при наличии градиента температуры и магнитного поля. Дислокационный поперечный эффект Нернста-Эттингсхаузена.

2.5.Модель взаимодействия системы «дислокация- облако» в скрещенном электрическом и магнитном поле.

2.6.Модель взаимодействия движущейся заряженной дислокации с облаком точечных дефектов при наличии магнитного поля перпендикулярного к ее оси. Дислокационный эффект Холла.

2.7.Модель взаимодействия движущейся заряженной дислокации с облаком точечных дефектов во внешнем магнитном поле, параллельном ее оси.

2.8.Основная система уравнений для двух типов точечных дефектов.

2.9.Модель поперечного дислокационного эффекта Нернста - Эт-тингсхаузена для двух типов точечных дефектов.

2.10.Модель взаимодействия системы «дислокация-облако» во внешнем электрическом поле при наличии двух типов подвижных точечных дефектов.

2.11.Модель взаимодействия системы «дислокация-облако» при наличии градиента температуры для двух типов подвижных точечных дефектов.

2.12.Модель взаимодействия системы «дислокация-облако» в скрещенных электрическом и магнитном полях при наличии двух типов подвижных точечных дефектов.

2.13.Модель дислокационного эффекта Холла для двух типов подвижных точечных дефектов.

2.14.Модель взаимодействия движущейся дислокации с двумя типами подвижных точечных дефектов во внешнем магнитном поле, параллельном ее оси.

2.15.Диффузионная модель дислокационных эффектов. Границы применимости построенных аналитических моделей. Математические методы определения параметров дефектов.

2.16.Вывод ы.

ГЛАВА 3. АНАЛИТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ ЗАРЯЖЕННЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ.

3.1. Основная система уравнений. Модель рассеяния на неподвижной дислокации.

3.2. Модель рассеяния на движущейся дислокации с одним типом точечных дефектов.

3.3. Модель рассеяния на колеблющейся дислокации с одним типом точечных дефетов.

3.4.Модель рассеяние электромагнитной волны на кристалле с двумя типами точечных дефектов.

3.5.Модель рассеяния на дислокационной решетке.

3.6.Математические методы определения характеристик дефектной структуры кристалла по картине рассеяния.

3.7.Теоретические и экспериментальные зависимости характеристик рассеяния электромагнитной волны от параметров дислокаций.

3.8.Вывод ы.

ГЛАВА 4. АНАЛИТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ КОЛЕБАНИЙ, ЛОКАЛИЗОВАННЫХ НА ДИСЛОКАЦИЯХ, В ИОННЫХ И КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛАХ

4.1.Модель поляритонов, локализованных вблизи дислокаций, в ионных кристаллах.

4.2.Модель плазменных колебаний, локализованных вблизи заряженных дислокаций, в полупроводниковых кристаллах при одном типе подвижных носителей заряда.

4.3.Модель плазменных колебаний, локализованных на заряженной дислокационной стенке.

4.4.Модель колебаний электронно - дырочной плазмы локализованных на дислокациях.

4.5.Вывод ы.

ГЛАВА 5. КВАНТОВО-МЕХАНИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ МЕХАНИЗМОВ ТОРМОЖЕНИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ДИСЛОКАЦИЙ В ИОННЫХ И КОВАЛЕНТНЫХ КРИСТАЛЛАХ.

5.1.Квантово-механическая модель взаимодействия электрического поля движущейся заряженной дислокации с диссипативными центрами.

5.2.Модель торможения заряженных дислокаций примесными атомами в полупроводниках.

5.3.Модель торможения экситонами Ванье-Мотта в ионном кристалле при низкой температуре.

5.4.Модель торможения поляронами сильной связи в ионных кристаллах.

5.5.Модель торможения поляронами слабой связи в ионных кристал

5.6.0ценка эффектов торможения заряженной дислокации за счет упругого взаимодействия с диссипативными центрами.

5.7.Классификация механизмов торможения дислокации.

5.8.Вывод ы.

Актуальность темы. Аналитические методы исследования математических моделей позволили решить многие важные вопросы физики твердого тела. Исследование математических моделей часто позволяет избежать проведения дорогостоящих экспериментов и в тоже время понять физическую суть процессов, происходящих в кристаллах.

Как было показано еще в двадцатые годы эффект пластичности и упрочнения кристаллов можно объяснить наличием в них линейных дефектов - дислокаций (Е. Орован, Г. Тейлор, Е. Шмидт, А. Иоффе), которые приходят в движение при деформировании кристалла, что обусловливает изменение его реальной атомной структуры.

Важной особенностью краевых дислокаций в ионных кристаллах и полупроводниках является наличие на них электрического заряда, который экранируется в ионном кристалле противоположно заряженным облаком точечных дефектов, а в полупроводниках, в зависимости от знака заряда дислокации, точечными дефектами или дырками (Н. Тяпунина, Э. Белозерова, В. Шикин, Ю. Шикина).

Наличие заряда на дислокациях приводит к появлению различных электромеханических эффектов. К ним относится эффект Степанова, электропластический эффект, прямой и обратный дислокационные пьезоэффекты, которые были подробно изучены экспериментально. Аналитическая модель пьезоэф-фектов в ионных кристаллах, описывающая взаимодействие заряженных дислокаций и экранирующих их облаков точечных дефектов противоположного знака, была построена в 1982 году М. Танибаяши и М. Тсуда. Примененная ими для исследования система дифференциальных уравнений, состоящая из уравнения диффузии для точечных дефектов и уравнения Пуассона для потенциала электрического поля со слагаемым в виде дельта - функции, соответствующим дислокации, представляемой в виде равномерно заряженной нити, позволила объяснить все основные особенности наблюдаемых эффектов и получить оценки, хорошо согласующиеся с экспериментальными данными.

Кроме механической нагрузки кристалл может находиться и под воздействием других факторов: градиента температуры, магнитного и электрического полей. В связи с этим представляется актуальным построение аналитических моделей способных описать весь спектр магнитомеханических, термомагнитных и магнитоэлектрических явлений.

Для изучения дефектной структуры кристалла наряду с рентгенострук-турными методами в последние годы широко используются электромагнитные волны оптического диапазона. К настоящему моменту проведено большое количество экспериментов по взаимодействию света с ионными и полупроводниковыми кристаллами, легированными различными примесями. Исследования проводились при разных температурах, с разными видами поляризации света и при различных ориентациях падающего луча по отношению к осям симметрии кристаллов (Р. Уитворт, В. Сибли, К. Плинт, И. Балтог, К. Гита, JI. Лейчек, Ф. Фоусков, К. Мориа, Т. Огава и др.). Наблюдаемые угловые зависимости рассеянного света были связаны с оптической активностью краевых дислокаций и окружающих их облаков точечных зарядов. Данные этих экспериментов, позволили получить качественную информацию о содержащихся в кристалле дислокациях, носящую качественный характер: в частности, была установлена ориентация краевых дислокаций и подтверждено наличие у них электрического заряда.

В настоящее время для получения количественной информации представляется актуальным построение математической модели, использование которой позволяет связать параметры системы «заряженная дислокация - экранирующее облако» с данными рассеяния и использовать эти данные для определения концентрации дислокаций и точечных дефектов, заряда единицы длины дислокации и т. д.

Как известно (И. Лифшиц, А. Косевич и др.) наличие точечных, линейных и двухмерных дефектов кристаллической структуры приводит к локализации на них различных видов колебаний. Впервые математическая модель локализованных колебаний кристаллической решетки была построена в 1947 году И. Лифшицем. До настоящего времени, однако, не проводились исследования связывающие локализацию различных ветвей колебаний с электрическим зарядом на дислокациях. В связи с большим интересом, проявляемым к эффектам, связанным с заряженными дислокациями, построение математической модели, позволяющей определить законы дисперсии для локализованных на них волн, а также установить их влияние на оптические свойства кристаллов, является весьма своевременным.

Важное место в исследованиях свойств дислокаций занимает изучение механизмов их торможения. Наиболее полно исследованы механизмы взаимодействия дислокаций с фононной подсистемой кристалла. Число фононных механизмов, описанных в литературе приближается к десяти (В. Альшиц, В. Ин-денбом, В. Шпейзман, Б. Смирнов, Е. Бондаренко, В. Ерофеев и др.). Основными среди них являются фононный ветер, релаксация медленных фононов, радиационное торможение, комбинационное рассеяние фононов, флаттер - эффект и др. Торможение на фононах осуществляется в широком диапазоне температур во всех классах материалов. При низких температурах, когда фононы «вымерзают» основную роль в металлах могут играть другие механизмы торможения, связанные, например, со взаимодействием движущейся дислокации с электронной подсистемой кристалла (В. Нацик, Л. Потемина, А. Гришин, Э. Канер, Э. Фельдман и др.). До настоящего времени не исследованным остается вопрос о влиянии электрического заряда дислокации на процесс ее торможения. Данное влияние должно быть существенным в области низких температур, где ослабляются фононные механизмы торможения. Важным является создание математической модели взаимодействия электрического поля движущейся дислокации с различными точечными центрами диссипации: примесными атомами, поляронами сильной и слабой связи, экситонами Ванье - Мотта и т.д., а также изучение влияния интенсивности падающего на кристалл оптического излучения на величину этого взаимодействия, а следовательно и на упругие свойства кристалла. Исследование математической модели процесса торможения заряженной дислокации может заменить постановку сложного эксперимента в низкотемпературной области.

Рассмотренные в работе механизмы взаимодействия заряженных дислокаций с различными типами точечных дефектов в твердых телах принципиально отличны по своей физической природе, но их объединение и рассмотрение с единой позиции возможно в рамках математического моделирования.

Целью диссертационной работы является создание математических моделей различных типов взаимодействия заряженных дислокаций с точечными дефектами в ионных и полупроводниковых кристаллах, аналитическое исследование свойств моделей, проверка их адекватности экспериментальным данным, разработка методик оценки параметров дислокаций и точечных дефектов по экспериментальным данным

Для достижения поставленной цели были решены следующие основные задачи:

1. Создание и теоретическое исследование аналитических моделей: а) взаимодействия заряженных дислокаций с окружающими их облаками точечных дефектов в ионных кристаллах при воздействии различных внешних факторов: градиента температуры, механического напряжения, электрического и магнитного полей. б) рассеяния электромагнитных волн оптического диапазона на дислокационной структуре ионного кристалла. в) локализации колебаний на дислокациях в ионных и полупроводниковых кристаллах. г) взаимодействия электрического поля движущихся дислокаций и дис-сипативных центров с дискретным или непрерывным энергетическим спектром: примесными атомами, поляронами сильной и слабой связи, экситонами Ванье - Мотта.

2) Сравнение результатов теоретических исследований с имеющимися экспериментальными данными.

3) Создание методик в рамках которых найдены математические соотношения, позволяющие в некоторых случаях интерпретировать экспериментальные данные и получать по ним сведения о дефектной структуре кристаллов.

Методы исследований:

Исследования разработанных в работе математических моделей, в основе которых лежат системы различных дифференциальных уравнений в частных производных, проводились аналитически с использованием приближенных методов электродинамики сплошных сред, теории упругости и квантовой механики, методов интегральных преобразований Фурье и Лапласа, аппарата специальных функций.

Научная новизна работы

1)Впервые построена и исследована аналитическая модель взаимодействия системы «заряженная дислокация - экранирующее ее облако точечных дефектов» при воздействии на ионный кристалл градиента температуры. Показано, что наличие VT приводит к возникновению дипольного момента системы «дислокация - облако» и поляризации кристалла в целом. Вычислена возникающая между гранями кристалла разность потенциалов. Исследованы ситуации, когда в кристалле имеется один или два типа подвижных точечных дефектов.

2)Впервые построена и исследована аналитическая модель, описывающая совместное влияние на систему «дислокация - облако» градиента температуры и магнитного поля. Предсказано существование поперечного дислокационного аналога эффекта Нернста - Эттингсхаузена. Вычислена разность потенциалов, возникающая между торцами кристалла, при наличии одного или двух типов подвижных точечных эффектов.

3)Построена модель, учитывающая совместное воздействие на систему дислокация - облако перпендикулярных друг к другу электрического и магнитного полей. Вычислен дипольный момент системы дислокация - облако и возникающая между гранями кристалла разность потенциалов.

4)Построена и исследована трехмерная нестационарная аналитическая модель, описывающая совместное влияние на кристалл механического напряжения и магнитного поля. Предсказано, что движение заряженной дислокации с экранирующим облаком точечных дефектов через изогнутый кристалл, помещенный в магнитное поле приводит к возникновению дислокационного аналога эффекта Холла. Получено выражение для тока, текущего вдоль дислокаций. Вычислена возникающая холловская разность потенциалов.

5)Впервые создана аналитическая модель рассеяния электромагнитной волны оптического диапазона на дефектной структуре ионного и полупроводникового кристалла. В рамках построенной модели в различных предельных случаях получены выражения для сечения рассеяния.

6)Найдены аналитические соотношения, позволяющие по данным рассеяния определять параметры дефектной структуры кристалла: концентрацию дислокаций и точечных дефектов, заряд единицы длины дислокации и т. д.

7)Построена аналитическая модель, описывающая локализацию плазменных колебаний на заряженных дислокациях в полупроводниках. Получено дисперсионное соотношение для локализованных плазменных волн и определены физические условия, при которых такая локализация возможна.

8)Создана аналитическая модель поляритонов в ионных кристаллах с заряженными дислокациями. Показано, что при определенных условиях существует две ветви локализованных поляритонов.

9)Впервые построена аналитическая модель взаимодействия электрического поля движущейся заряженной дислокации с диссипативными центрами, обладающими дискретным, или непрерывным энергетическим спектром.

10)Получены выражения для силы торможения, действующей на движущуюся заряженную дислокацию со стороны примесных атомов, поляронов сильной и слабой связи, а также экситонов Ванье- Мотта. Проведено сравнение эффективности различных механизмов торможения в разных диапазонах физических параметров.

Теоретическая и практическая значимость работы

Впервые созданы и исследованы аналитические модели взаимодействия заряженных дислокаций с экранирующими их облаками точечных дефектов при раздельном и совместном воздействии на кристалл различных факторов: градиента температуры, электрического и магнитного полей, механического напряжения, а также в разных условиях движения дислокаций. Самостоятельный интерес представляют применявшиеся в работе математические методы исследования моделей. На основе анализа моделей предсказано существование ряда новых физических эффектов: дислокационных аналогов эффектов Холла и Нернста - Эттингсхаузена, поляризации кристалла в скрещенных электрическом и магнитном полях, а также под действием градиента температуры, возникновение локализованных ветвей колебаний (поляритонов и плазменных волн) в ионных и ковалентных кристаллах, эффект торможения движущейся заряженной дислокации диссипативными центрами: примесными атомами, по-ляронами сильной и слабой связи, экситонами Ванье - Мотта, фотопластический эффект.

Практическая значимость полученных результатов связана с широким использованием изучаемых в диссертационной работе материалов. Ионные кристаллы применяются в качестве элементов оптических систем (линзы, призмы, окна лазеров), в акустэлектронике, в качестве датчиков излучений в ядерной физике, космических исследованиях и медицине. Ковалентные кристаллы полупроводников используются в качестве активных элементов приборов в различных областях электроники, в компьютерах, в лазерной технике. В процессе изготовления из данных материалов приборов, а также при дальнейшей их эксплуатации монокристаллы подвергаются различным механическим и температурным воздействиям, а также влияниям электрического и магнитного полей, которые приводят к пластической деформации и поляризации кристаллов, изменению при определенных условиях их оптических свойств. В связи с этим несомненную практическую ценность представляют методики определения параметров дислокаций и точечных дефектов, а также прогнозирование свойств кристаллов на основе данных об их внутреннем строении и характеристиках внешних воздействий.

Материалы диссертации внедрены в учебный процесс и используются в курсе «Физика твердого тела», читаемом студентам различных факультетов и специальностей Саратовского государственного технического университета. Достоверность полученных результатов определяется: Корректностью постановки решаемых задач и выбора математических методов, определением границ применимости моделей по различным параметрам, совпадением с известными теоретическими результатами для предельных случаев, количественным сравнением полученных теоретических результатов с результатами классических экспериментов по рассеянию света ионными кристаллами, с результатами экспериментов по прямому и обратному дислокационным пьезоэффектам, с экспериментальными данными по торможению дислокаций в различных материалах. Апробация работы

По основным результатам работы сделано 22 доклада на 10 международных конференциях:

XIV международной конференции по физике прочности и пластичности материалов (Самара, 1995), международном семинаре по релаксационным явлениям в твердых телах (Воронеж, 1995), международной конференции «Проблемы и перспективы прецизионной механики и управления в машиностроении» (Саратов, 1997), международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Саратов, 1998), научно - технической конференции «Материалы и изделия из них под воздействием различных видов энергии» (Москва, 1999), межвузовской конференции «Спектроскопия и физика молекул» (Саратов, 1999), IX межнациональном совещании «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 1999), XXXVII международной конференции «Студент и научно-технический прогресс» (Новосибирск, 1999), XXII съезд по спектроскопии (Звенигород, 2001), IV международной научно-технической конференции «Математическое моделирование физических, экономических, технических, социальных систем и процессов» (Ульяновск, 2001); на научных семинарах различных кафедр в Саратовском государственном университете и Саратовском государственном техническом университете.

Публикации

Основные результаты диссертационной работы изложены в 2 монографиях [43,158]; 19 статьях [44-59,206-208,264]; 22 материалах, трудах и тезисах докладов конференций и семинаров [252-263,265-271,275-277]), 3 рукописях депонированных в ВИНИТИ [272-274].

Вклад автора

В опубликованных по теме диссертации монографиях, статьях и тезисах автору принадлежит постановка всех задач, включенных в диссертацию, выбор методов теоретических исследований, непосредственное участие в их проведении и обработке результатов.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

1 .Аналитические модели термомагнитных, термоэлектрических и магни-томеханических явлений, возникающих в результате взаимодействия системы «дислокация -облако точечных дефектов», основанные на системе дифференциальных уравнений, состоящей из уравнения неразрывности с потоком точечных дефектов в кристаллической структуре, находящейся в скрещенном электрическом и магнитном полях, а также под действием градиента температуры и механического напряжения, и уравнения Максвелла для электрического поля с дельта - функцией, описывающей движущуюся дислокацию, представляемую в виде равномерно заряженной нити.

2.Аналитическая модели рассеяния электромагнитного излучения оптического диапазона на ионном и ковалентном кристалле, основанные на системе дифференциальных уравнений, состоящей из уравнения неразрывности и уравнений Максвелла в кристаллической структуре, содержащей заряженные дислокации и экранирующие их облака точечных дефектов. Аналитические выражения, составляющие суть методик, позволяющих по отношению интенсивно-стей двух побочных максимумов дифракционной картины определить параметры дефектной структуры кристалла: концентрацию дислокаций и точечных дефектов, а также заряд единицы длины дислокации.

3.Аналитические модели локализованных колебаний в ионных кристаллах, основанные на системе дифференциальных уравнений, состоящей из уравнений Максвелла и уравнения движения для ионов в кристаллической решетке, содержащей заряженную дислокацию. Данная система имеет решения, описывающие две ветви поляритонов, локализованных на дислокациях. Частоты колебаний одной из ветвей локализованных поляритонов попадают внутрь щели в спектре объемных поляритонов. Найденные решения системы дифференциальных уравнений, включающей уравнения магнитной гидродинамики и уравнение Пуассона для электрического поля со слагаемым, описывающим заряженную дислокацию как равномерно заряженную нить, соответствуют локализованным на дислокациях плазменным волнам, частоты которых отделены конечным интервалом от начала спектра объемных колебаний.

4.Квантовомеханические модели взаимодействия электрического поля движущейся дислокации с водородоподобными диссипативными центрами позволяют адекватно описать торможение заряженной дислокации примесными атомами, поляронами сильной связи, а также экситонами Ванье-Мотта. При

23 низких температурах и достаточно высоких концентрациях диссипативных центров, рассматриваемые в работе механизмы торможения становятся основными. При взаимодействии с диссипативными центрами, обладающими непрерывным энергетическим спектром, на примере поляронов слабой связи показано, что сила торможения действующая на движущуюся заряженную дислокацию растет прямо пропорционально ее скорости.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Как уже отмечалось во введении, за последние годы достигнут значительный прогресс в исследовании механизмов взаимодействия дислокаций, в том числе заряженных, и точечных дефектов. Несомненным важным результатом проводившихся десятилетиями исследований является формирование достаточно строгой модели заряженной дислокации в виде равномерно заряженной нити, окруженной цилиндром точечных дефектов с радиусом Дебая или Рида. После экспериментального доказательства жизненности указанной модели появились различные теории, которые объясняли дислокационные эффекты и были направлены на разработку экспериментальных методов исследования параметров дефектов различной размерности. В этом направлении были достигнуты значительные успехи, о чем свидетельствует их детальное описание, данное в первой главе.

Интерес к заряженным дислокациям очевиден еще и потому, что они чувствительны к воздействию внешних электрических и магнитных полей, что в совокупности с деформационными эффектами существенно усложняет картину их взаимодействия с точеными дефектами.

Богатство и разнообразие типов взаимодействия именно заряженных дислокаций с точечными дефектами побудило переход к построению целостной картины такого взаимодействия по различным аспектам. Мы выбрали только те явления, которые хорошо вписываются в диффузионную модель дислокационных эффектов, детали которой сформулированы в разделе 2.15.

В рамках этой модели удалось получить целый ряд интересных теоретических результатов:

1.Созданы аналитические модели, описывающие взаимодействие заряженной дислокации и окружающего ее облака точечных дефектов в ионном кристалле при воздействии на кристалл различных внешних факторов: градиента температуры, скрещенного электрического и магнитного полей, механического напряжения совместно с магнитным полем, перпендикулярных друг к другу градиента температуры и магнитного поля.

2.Проведенный анализ моделей показал, что происходит поляризация системы дислокация - облако, что приводит к дислокационным аналогам таких классических эффектов, как эффекты Нернста - Эттингсхаузена и Холла. Дислокационные эффекты по своей физической природе существенно отличаются от классических. Аналитические вычисления проведены для случаев, когда в кристалле имеется один, или два типа подвижных точечных дефектов. Численный анализ формы облаков позволил оценить степень их деформации при различных внешних воздействиях. Выполнены оценки, позволяющие определить границы применимости построенных моделей. Найдены аналитические соотношения, составляющие суть математических методов определения параметров дефектной структуры по разности потенциалов, возникающей между гранями кристалла вследствие различных внешних воздействий. Достоверность моделей обеспечивается совпадением в предельных случаях полученных результатов с результатами М. Танибаяши и М. Тсуды для дислокационных аналогов прямого и обратного пьезоэффектов, исследованых теоретически и экспериментально.

3.Построена аналитическая модель рассеяния электромагнитного излучения оптического диапазона на кристаллах, содержащих заряженные дислокации. Получены и исследованы выражения для сечения рассеяния в различных предельных случаях.

4.Проанализированы ситуации, когда в кристалле имеется один, или два типа подвижных точечных дефектов. Исследовано рассеяние на движущейся поступательно и колеблющейся дислокации. Особое внимание уделено случаю, когда рассеяние происходит на системе дислокаций, образующих дислокационную стенку. Предложены математические методы, позволяющие по угловому положению дифракционных максимумов оценить параметры дефектной структуры кристалла. Проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными, подтвердившее правильность теоретических выводов.

5.Созданы аналитические модели, описывающие локализацию колебаний на дислокациях в ионных и ковалентных кристаллах. Анализ моделей позволил сделать вывод о возможности при определенных условиях существования в ионных кристаллах двух ветвей локализованных поляритонов, а в полупроводниках локализованных плазменных колебаний.

6.По лучены дисперсионные соотношения для распространяющихся вдоль дислокации локализованных волн, амплитуда которых убывает экспоненциальным образом с удалением от дислокации. Доказана возможность локализации плазменных волн на заряженной дислокационной стенке. Показано, что частоты одной из ветвей локализованных поляритонов попадают внутрь щели в спектре объемных поляритонов, что может повлиять на прозрачность кристаллов в этой области частот. Предложены математические методы определения параметров дислокаций по измеренному в эксперименте интервалу, разделяющему частоты объемных и локализованных колебаний.

7.Построены квантово-механические модели, описывающие торможение заряженных дислокаций, при взаимодействии с различными диссипативными центрами, обладающими дискретными энергетическими уровнями, или непрерывным спектром. В качестве центров рассмотрены: примесные атомы в полупроводниках, поляроны сильной и слабой связи, а также экситоны Ванье -Мотта. Получены выражения для силы торможения и мощности, диссипируе-мой единицей длины дислокации. Исследованы различные предельные случаи и проведено сравнение с другими конкурирующими механизмами торможения. Показано, что при низких температурах и достаточно высоких концентрациях центров исследованные в работе механизмы являются основными. Высокая концентрация поляронов и экситонов может быть достигнута при облучении кристалла электромагнитным излучением оптического или ультрафиолетового диапазона. Таким образом, имеет место эффект фотопластичности - зависимости критического напряжения сдвига от интенсивности излучения, падающего на кристалл.

1. Абаев М.И., Корнфельд М.И. Образование пор при распаде твердого раствора двухвалентных ионов в хлористом натрии // ФТТ, 1965.-Т.7,№9.-С.2809-2815.

2. Авакянц Л.П., Горелик B.C., Китов И.А., Червенов А.В. Комбинационное рассеяние света в арсениде галлия, ионно-легированном кремнием // ФТТ, 1995.-Т.35,№5.-С. 1318-1322.

3. Агранович В.М. Теория экситонов. М.: Наука, 1968.-382 с.

4. Агранович В.М., Гинзбург В.Л. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов.-М.: Наука, 1979.-432 с.

5. Акулов Н.С. Дислокации и пластичность. -Минск, 1961.-109 с.

6. Александров Ю.М. и др. Спектры возбуждения собственной и примесной люминесценции NaBr, КВг и CsBr синхротронным излучением 5-30 эВ // Труды института физики АН Эстонской ССР.- 1984.-Т.55.-С.72-75.

7. Александров Л.Н., Зотов М.И., Фельдман Ф.Л. Некоторые механизмы затухания волн в пластически деформированном кремнии // ФТТ, 1970.-Т.12,№6.-С Л 859-1860.

8. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радио люминесценция ЩГК .-Рига: Зинатне, 1979.- 251 с.

9. Алыниц В.И., Воска Р., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Магнитопластиче-ский эффект в кристаллах NaCl и LiF в переменном магнитном поле //ФТТ, 1993.-Т.35.-С.70-75.

10. Ю.Алыниц В.И., Галусташвили М.В., Паперно И.М. О кинетике формирования заряда на дислокациях в процессе пластической деформациию // Кристаллография, 1975.-Т.20,№6.-С.1113-1116.

11. Алыниц В.И., Даринская Е.В., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. О влиянии электрического поля на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl //ФТТ, 1996.-Т.38.-С.2426-2430.

12. Альшиц В.П., Инденбом B.JI. Динамическое торможение дислокаций // Сб. науч. тр. «Динамика дислокаций».-Киев.-1975.-С.232-275.

13. Альшиц В.П., Инденбом B.JI. Динамическое торможение дислокаций // Успехи физических наук, 1975.-Т.115, Вып.1.-С.3-39.

14. Н.Альшиц В.И., Малыпуков А.Г. О фононной компоненте динамического торможения дислокаций // Журн. эксперим. и теор. физ., 1972.-Т.63,вып.5.-С.1849-1857.

15. Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций.- М.: Мир, 1968.-240 с.

16. Андрюшин Е.А., Силин А.П. Экситоны в квантовых ямах и квантовых проволоках//ФТТ, 1993.-Т.35,вып. 7.-С. 1947-1955.

17. Антипов С.А., Батаронов И.П. и др. Взаимодействие дислокаций с точечными дефектами при низких температурах в кристаллах с высоким барьером Пайерлса // Изв. АН СССР, сер. Физическая, 1996.-Т.60,№9.-С.159-165.

18. Аппель Ф., Мессершмит У., Смирнов Б. Закономерности двойного поперечного скольжения винтовых дислокаций в кристаллах NaCl // Труды Симп.

19. Проблемы физики твердого тела и материаловедения ». Тбилиси, 10-20 апреля 1976.М.:Наука, 1976.-С.51-55.

20. Асеев Г.И., Кац M.J1., Никольский В.К. Многофотонное возбуждение фотопроводимости в щелочно-галоидных кристаллах лазерным излучением // Письма в ЖЭТФ, 1968.-Т.8, вып.4.-С.174-177.

21. Ашкинадзе Б.М., Крецу И.И., Рыбкин С.М., Ярошецкий И.Д. Коллективные свойства экситонов в кремнии // ЖЭТФ, 1970.-Т.58, вып.2.-С. 1982-1985.

22. Баженов A.M., Шикин В.Б., Шикина Ю.В. Заряженные дислокации в полупроводниках р-типа//ФТТ, 1992.-Т.34.-С. 789-792.

23. Басиев Т.Т. и др. Твердотельные перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах // Известия АН СССР. Серия Физика, 1982.-Т.46,№8.-С.1600-1606.

24. Белозерова Э.П., Светашов А.А. Влияние электрического поля на поступательное движение и размножение дислокаций при ультразвуковой вибрации ЩГК разных ориентаций // ФТТ, 1985.-Т.27.-С. 1996-2000.

25. Белозерова Э.П., Светашов А.А., Красников B.JI. Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения щелочно-галоидных кристаллов//Изв. РАН. Сер. Физ, 1997.-Т.61.-.С.291-297.

26. Белозерова Э.П., Тяпунина Н.А., Светашев А.А. Влияние электрического и ультразвукового полей на внутренние напряжения в ЩГК // Кристаллография, 1975.-Т.20.-С.788-795.

27. Белозерова Э.П., Тяпунина Н.А., Светашев А.А. Влияние электрического поля на динамический предел текучести ЩГК // Кристаллография, 1983.-Т.28.-С.1176-1182.

28. Белявский В.И., Даринский Б.М., Свиридов В.В. Электронно-стимулированная подвижность дислокаций в полупроводниках с высоким барьером Пайерлса// ФТТ, 1985.-Т.27,№4.-С. 1088-1092.

29. Белявский В.И., Копаев Ю.В., Павлов С.Г., Шевцов С.В. Экситоны Ванье в планарных гетероструктурах с квантовыми ямами // ФТТ, 1995.-Т.37,вып. 10.-С.3147-3168.

30. Блейкмор Дж. Физика твердого тела.- М.: Мир, 1988.-608 с.

31. Блистанов А.А. Влияние дислокаций на механические свойства полупроводниковых и диэлектрических кристаллов. -М.: Наука, 1971.-108 с.

32. Блистанов А.А. Дислокации в полупроводниковых кристаллах со структурой алмаза, сфалерита и вюрцита.- М.: Наука, 1973.-40 с.

33. Блистанов А.А., Гераськин В.В. Точечные дефекты в кристаллах.- М.: Мир, 1973.-80 с.

34. Блистанов А.А., Павлов А.Н., Шаскольская М.П. Распад примесных ассоциаций в моно- кристаллах LiF // ФТТ, 1972.-Т.14.С.1230-1232.

35. Болтакс А. Точечные дефекты в твердых телах. М.: Мир, 1979.-379 с.

36. Бондаренко Е.И., Ерофеев В.Н., Никитенко В.И. Подвижность индивидуальных дислокаций в монокристаллах германия с различным содержанием электрически активных и нейтральных примесей // ФТТ, 1969.-Т.11,№12.-С.42-48.

37. Бонч-Бруевич В.А., Калашников С.Т. Физика полупроводников. -М.:Наука.-1977.- 267с. в полупроводниках // ФТТ, 1971.-Т.13,№5.-С.1310-1320.

38. Борисенко Е.Б., Гнесин Б.А. Особенности рекристаллизации чистых и легированных стронцием кристаллов КС1 // ФТТ, 1999.-Т.41, вып.2.-С.259-264.

39. Борн.М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1970.-С.-856.

40. Бронштейн И.Н., Семендяев К.А. Справочник по математике,- М.: Наука, 1957.-340 с.

41. Векилов Ю.Х., Кадышевич А.Е., Красильников О.М. Поглощение звука в полупроводниках // ФТТ, 1971 .-Т. 13,№5.-С. 1310-1320.

42. Воинова О.А., Кардашев Б.К., Никаноров С.П. Внутреннее трение и заряженные дислокации в кристаллах LiF: Mg //ФТТ, 1981.-Т.23.-С.2933-2935.

43. Гаусташвили М.В. Электростатические эффекты при пластической деформации кристаллов LiF // ФТТ, 1970.-Т.12,№4.-С. 1263-1266.

44. Математические модели дислокационных эффектов в кристаллических структурах/ С.Г. Гестрин, Ф.М. Задорожный, А.Н. Сальников и др. Саратов: СГТУ, 2002.-72с.

45. Гестрин С.Г. Дислокационный аналог эффекта Холла в ионных кристаллах //Физ. низ. темп., 1991.-Т. 17,№8.-С. 1030-1033.

46. Гестрин С.Г. Торможение заряженных дислокаций примесными атомами в полупроводниковых кристаллах при низких температурах // Физ. низ. темп., 1993.-Т. 19,№4.-С. 1-4.

47. Гестрин С.Г. Торможение заряженных дислокаций поляронами в ионных кристаллах при низких температурах // Физ. низ. темп., 1994.-Т.20,№1,-С.71-75.

48. Гестрин С.Г. Торможение заряженных дислокаций экситонами Ванье-Мотта в полупроводниках при низких температурах // Известия ВУЗов. Физика, 1998.-Т.41,№12.-С.107-109.

49. Гестрин С.Г. Дислокационный аналог эффекта Холла в щелочно-галоидных кристаллах с двумя типами подвижных точечных дефектов //Известия ВУЗов. Физика, 1998.-№4.-С.114-116.

50. Гестрин С.Г. Лкализация поляритонов вблизи дислокаций в ионных кристаллах // Известия ВУЗов. Физика, 1996.-№10.-С.45-50.

51. Гестрин С.Г. Локализация плазменных колебаний вблизи заряженных дислокаций и дислокационных стенок в полупроводниках // Известия ВУЗов. Физика, 1998.-№2.-С.92-95.

52. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста Эттингсхаузена в ионных кристаллах // Известия ВУЗов. Физика, 1996.-№1.-С.80-82.

53. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста Эттингсхаузена в ионных кристаллах при наличии двух типов подвижных точечных дефектов // Известия ВУЗов. Физика, 1996.-№10.-С.41-45.

54. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Взаимодействие движущихся заряженных дислокаций с облаками точечных дефектов в ионных кристаллах во внешнем магнитном поле // Кристаллография, 1997.-Т.42,№1.-С.1-4.

55. Гестрин С.Г., Задорожный Ф.М., Сальников А.Н. Дифракция электромагнитного излучения на полупроводниковом кристалле с заряженными дислокациями // Оптика и спектроскопия, 1997.-Т.83,№3.-С446-448.

56. Гестрин С.Г., Задорожный Ф.М., Сальников А.Н. Влияние заряженных дислокаций в полупроводниковом кристалле на рассеяние электромагнитного излучения //Известия ВУЗов. Физика, 1998.-№2.-С.75-79.

57. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Самородина Т.В. Поглощение дислокационных фононов поляронами сильной и слабой связи в щелочногалоидных кристаллах при низких температурах // Известия ВУЗов. Физика, 1999.-№9.-С.18-22.

58. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Самородина Т.В. Поглощение дислокационных фононов экситонами и примесными атомами при низких температурах//Известия ВУЗов. Физика, 1999.-№11.-С.7-11.

59. Гестрин С.Г., Конторович В.М., Кочанов А.Е. Диффузионная модель протяженных радиокомпонентов и струй с движущимся источником ускоренных частиц //Кинематика и физика небесных тел, 1987.-Т.З,№ 4.-С.57-66.

60. Головин Ю.И., Дьячек Т.П., Долгова В.М. Заряженные дислокации в ЩГК, подвергнутых импульсному сжатию // Кристаллография, 1987.-Т.32,№6.-С.1468-1471.

61. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов NaCl // ФТТ, 1995.-Т.37.-С.2118-2121.

62. Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Жуликов С.В., Карякин A.M. Релаксационные явления при пластическом деформировании ионных кристаллов в постоянном магнитном поле // Изв. РАН. Сер. Физ.,1996.-Т.60.-С.173-178.

63. Головин Ю. И., Шивяков А. А. Скачкообразная дислокационная поляризация монокристаллов LiF, деформируемых одиночным скольжением // Кристаллография, 1987.-Т.32,№5.-С.1206-1208.

64. Гомелаури Г.Ф., Епифанов А.С. Статистические особенности лавинной ионизации широкозонных диэлектриков лазерным излучением в условиях недостатка затравочных электронов // ЖЭТФ, 1980.-Т.79, вып.6.-С.2356-2363.

65. Горшков Б.Г. и др. Влияние УФ-подсветки на пробой ЩГК-кристаллов излучением С02-лазера // Квантовая электроника, 1981.- Т.8, вып.1.-С.155-156.

66. Горшков А.С. и др. Лазерное разрушение щелочно-галоидных кристаллов//ЖЭТФ, 1977.-Т.72, вып.З.-С. 1171-1181.

67. Горшков Б.Г., Епифанов А.А. Экспериментальные исследования фотопроводимости широкозонных диэлектриков, возбуждаемой ультрафиолетовым лазерным излучением //ЖЭТФ, 1981.-вып.4.-С.1423-1434.

68. Градштейн И.С., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Наука, 1971.- 1108 с.

69. Гришин A.M., Канер Э.А., Фельдман Э.П. Электронное торможение дислокаций в магнитном поле // Журн. эксперим. и теор. физ., 1976.-Т.70,вып.4.-С. 1445-1463.

70. Гутманас Э.Ю., Надгорный Э.М. Прямой и косвенный методы определения подвижности дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах // ФТТ, 1970.-Т. 12,№7.-С.2076-2082.

71. Гутманас Э.Ю., Надгорный Э.М., Степанов А.В. Изучение движения дислокаций в кристаллах NaCl // ФТТ, 1963.-Т.5,№4.-С. 1021-1026.

72. Давыдов А.С. Теория твердого тела.-М.: Наука, 1976.- 460 с.

73. Де Батист, Ван Дингегнев, Мартышев Ю.Н., Сильвестрова И.М., Уру-совская А.А. Заряженные дислокации в иодистом цезии // Кристаллография, 1967.-Т.12.-С.1012-1013.

74. Днепровский B.C. и др. Фотопроводимость диэлектриков под действием излучения лазера // Письма в ЖЭТФ, 1966.-Т.З, вып.10.-С.385-389.

75. Доценко В.И. Современные проблемы низкотемпературной пластичности материалов .-Киев.: Наукова думка, 1987.-161 с.

76. Дрияев Д.Г., Мелик-Шохназаров В.А. Движение заряженных дислокаций в кристаллах LiF в переменном электрическом поле // ФТТ, 1966.-Т.8,№11 .-С.3280-3281.

77. Епифанов Г.И. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 1977.-288 с.

78. Ермолаев Г.Н. Подвижность дислокаций на различных этапах импульсного нагревания//Материаловедение, 1999.-.№7.-С.2-7.

79. Жеру И.И. Низкочастотные резонансы экситонов и примесных центров. Кишинев, Штиинца, 1976.-195 с.

80. Зуев Л.Б., Сергеев В.П., Рябченко Н.Н. Эффект резкого увеличения подвижности винтовых дислокаций импульсом электрического поля // Изв. ВУЗов СССР. Физика, 1979.-№3.-С.71-74.

81. Каганов М.И., Кравченко В.Я., Нацик В.Д. Электронное торможение дислокаций в металлах // Успехи физических наук, 1978.-Т.111,вып.4.-С.655-682.

82. Кардашев Е.К., Никаноров С.П., Воинова О.А. Электрические эффекты, связанные с колебательным движением заряженных дислокаций, и внутреннее трение в кристаллах NaF и NaCl // ФТТ, 1975.-Т.16,№4.-С.1068-1070.

83. Качурин Г.А., Нидаев Е.В. Лазерный отжиг точечных дефектов в Si и GaAs // ФТП, 1980.-Т. 14,№3.-С.424-427.

84. Кинк Р.А., Лийдья Г.Г., Лущик Ч.Б., Соовик Т.А. Автолокализация эк-ситонов и оптические явления в ионных кристаллах // Изв. АН СССР, сер. Физическая, 1967.-Т.31, вып. 2.-С.507-514.

85. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.-С.792 с.

86. Кишинец Ю.М., Леванюк А.П., Сигов А.С. Вклад дислокаций в аномалии физических свойств кристаллов вблизи точек структурных фазовых переходов // Кристаллография.-1985, Т.30,№5.С.837-840.

87. ЮО.Кишинец Ю.М., Леванюк А.П., Морозов А.И., Сигов А.С. Рассеяние света на дислокациях вблизи структурных фазовых переходов // ФТТ, 1987.-Т.29,№2.-С.604-606.

88. Ю1.Классен Н.В., Осипьян Ю.А. Анизотропное поглощение поляризованного света в сульфиде кадмия, вызванное введением дислокаций // ФТТ, 1972.-№12.-С.3694-3701.

89. Ю2.Клявин О.В. Физика пластичности кристаллов при гелиевых температурах. -М.: Наука, 1987.-255 с.

90. ЮЗ.Клявин О.В., Чернов Ю.М., Степанов А.В. Определение оптического предела упругости монокристаллов хлористого натрия в области температур жидкого гелия // ФТТ, 1967.-Т.9,№8.-С,2190-2195.

91. Коган А.Н., Миркин Л.И. Дислокации и механические свойства материалов. -Саранск.-1979.-94 с.

92. Коломийцев А.И. Зависимость от температуры линейной плотности заряда дислокаций в кристаллах хлористого натрия // ФТТ, 1971.-Т. 13,№5.-С.1487-1491.

93. Юб.Коломийцев А.И. Распределение заряда и потенциала вблизи краевой и винтовой дислокации в ионном кристалле // Вестн. МГУ. Сер.З. Физика, астрономия.-1978.-Т.12.-С.642-648.

94. Косевич A.M. Дислокации в теории упругости. Киев.: Наукова думка, 1978.-219 с.

95. Косевич А. М. Основы механики кристаллической решетки. -М.:Наука, 1972.-280с.

96. Косевич A.M. Физическая механика реальных кристаллов. -Киев.: Наукова думка, 1981.-327 с.

97. ПО.Косевич A.M. Теория кристаллической решетки. -Харьков.: Высшая школа, 1988.-303 с.

98. Ш.Косевич A.M., Маргелашвили И.Г., Саралидзе З.К. Распределение заряда вблизи призматической дислокационной петли в ионном кристалле// ФТТ, 1965.-Т.7,№2.-С.464-468.

99. Котрелл А. Теория дислокаций. -М.: Мир, 1969.-96с.

100. Кузьменко Р.В. и др. Деформационно-индуцированные спектры фотоотражения на гетероструктурах GaAs-Si и InP-Si // ФТТ, 1999.-Т.41,№4-С.725-729.

101. Куличенко А.Н., Смирнов Б.И. Влияние примеси на электропластический эффект в щелочногалоидных кристаллах // ФТТ, 1984.-Т.26.-С.933-955.

102. Куличенко А.Н., Смирнов Б.И. Электризация щелочно-галоидных кристаллов, деформируемых одиночным и множественным скольжением //ФТТ, 1983 .-Т.26.-С.3294-3297.

103. Куличенко А.Н., Смирнов Б.И. Движение дислокаций в кристаллах LiF под действием электрического поля // ФТТ, 1986.-Т.28.-С.2796-2798.

104. Кучин В.А., Ульянов B.JI. Упругие и неупругие свойства кристаллов. -М.: Энергоатомиздат, 1986.-136 с.

105. Кютт Р.Н., Сорокин A.M., Аргузова Т.С., Рувимов С.С. Рентгенодиф-ракционное исследование дислокационной структуры в системах молекулярно-лучевой эпитаксии с высоким уровнем несоответствия параметров решеток // ФТТ, 1994.-Т.-36,№9.-С.2700-2711.

106. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Гидродинамика. М.:Наука,1986.- 736с.

107. Леванюк А.П., Осипов В.В., Сигов А.С., Собянин А.А. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек переходов // ЖЭТФ, 1979.-Т.76, №1.-С.345-361.

108. Лифшиц И.М., Гегузин Я.Е. Поверхностные явления в ионных кристаллах // ФТТ, 1965.-Т.7.-С.62-74.

109. Лубенец С.В. Подвижность дислокаций в кристаллах с дефектами структуры. // Физика конденсированного состояния. Харьков, 1973.-вып.24,-С.17-36.

110. Лубенец С.В., Старцев В.И. Подвижность и взаимодействие дислокаций с примесью в кристаллах КС1:Ва2+ //ФТТ, 1968.-Т. 10,№1 .-С.22-29.

111. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А. и др. Экситонные и примесно-экситонные механизмы создания F-,H-nap в ЩГК // Труды института физики АН Эстонской ССР.-1983.-Т.54.-С.3-33.

112. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Г., Эланго М.А. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах // ФТТ, 1964.-Т.6,№8.-С.2256-2260.

113. Маделунг О. Физика твердого тела. -М.: Наука, 1978.-С.624.

114. Маеда Н., Кимура К., Такеучи С. Влияние возбуждения на подвижность дислокаций в элементарных полупроводниках // Известия АН СССР, сер. Физическая, 1987.-Т.51,№4.-С.729-734.

115. Малыгин Г.А. Самоорганизация дислокаций и локализация скольжения в пластически деформируемых кристаллах // ФТТ, 1995.-Т.37,№10.-С.3-42.

116. Малышев А.В. К теории анизотропии магнитного момента акцепторных центров в алмазоподобных полупроводниках // ФТТ, 2000.-Т.42, вып.1.-С.33-35.

117. Маргелашвили И.Г., Саралидзе З.К. Распределение заряда вблизи дислокации в ионном кристалле // ФТТ.-1969.-Т. 11.-С.2269-2272.

118. Мастеров В.Ф., Михрин С.Б., Сухоруков Б.Е. Поведение марганца в широкозонных соединениях А3В5 / «Легированные полупроводниковые мате-риалы».М.: Наука, 1985.-С.220-223.

119. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. -М.: Мир, 1974,461с.

120. Михальченко Г.А. Некоторые итоги исследований радиационных процессов в щелочно-галоидных фосфорах, выполненных в ЛТИ // Сб. трудов: Физика и химия щелочно галоидных соединений. Ленинград.-1971.-вып. 1.-С.3-25.

121. Молоцкий М.И. Оптический метод определения энергии связи примеси с дислокацией // ФТТ, 1990.-Т.32,№12.-0.3683-3689.

122. Мусиенко А.И., Копцик В.А. Калибровочная теория дислокаций и дисклинаций в кристаллах с многоатомными решетками // Кристаллография, 1996.-Т.41,№4.-С.586-590.

123. Мясников Э.Н. Сильные экситонные фотопереходы. Ростов, 1981.183 с.

124. Мэтьюз Дж., Уокер Р. Математические методы физики. М.:Атомиздат, 1972.- 400 с.

125. Надгорный Э.М., Степанов А.В. Искусственное сдвигообразование и дислокационная структура в кристаллах NaCl // ФТТ, 1963.-Т.5,№4.-С.1009-1012.

126. Надгорный Э.М., Степанов А.В. Изучение дислокаций в кристаллах хлористого натрия // ФТТ, 1963.-Т.5,№4.-С.998-1005.

127. Надгорный Э.М., Степанов А.В. Искусственное сдвигообразование и дислокационная структура в кристаллах хлористого натрия // ФТТ, 1963.-Т.5,№4.-С. 1006-1020.

128. Нацик В.Д., Потемина Л.Г. Торможение дислокаций электронами в металлах в сильных магнитных полях // Журн. эксперим. и теор. физ., 1974.-Т.67,вып. 1 .-С.240-252.

129. Никифорова О.А., Маарос А.А., Яансон Н.А. Выращивание кристаллов КС1 и КВг повышенной чистоты и совершенства // Труды института физики АН Эстонской ССР.-1985.-Т.57.-С. 157-174.

130. Островский И.В., Стебленко Л.П., Надточий А.Б. Влияние ультразвуковой обработки на подвижность коротких дислокаций в кристаллах кремния // ФТТ, 2000.-Т.42,№3.-С.478-481.

131. Парийский В.Б., Лубенец С.В., Старцев В.И. Подвижность дислокаций в монокристаллах КВг// ФТТ, 1966.-Т.8,№4.-С.1227-1238.

132. Петухов Б.В. О влиянии точечных дефектов на подвижность дислокаций в кристаллах с высоким барьером Пайерлса // ФТТ, 1971.-Т.13,№5.-С.1445-1449.

133. Политов Н.Г., Галусташвили М.В., Паперно И.Н. Возникновение разности потенциалов на поверхности деформированного кристалла LiF // ФТТ,1970.-Т. 12,№8.-С.2421 -2424.

134. Половинкина В.И., Суворов Э.В., Чуховский Ф.Н., Штольберг А.А. Экспериментальное исследование и расчет рентгеновского дифракционного контраста единичной дислокации// ФТТ, 1972.-№7.-С.1963-1973.

135. Рид В.Т. Дислокации в кристаллах. М.: Металлургиздат, 1957.С. 123.

136. Сальников А.Н., Гестрин С.Г. Заряженные дислокации и точечные дефекты в кристаллах (Аналитические модели взаимодействия).-Саратов: СГТУ, 2002.-224с.

137. Свиридов В.В. Электронно-стимулированная подвижность дислокаций в германии//ФТТ, 1995.-Т.37,№10.-С.3097-3107.

138. Сергеев В.П., Зуев Л.Б. Влияние электрического импульса на длину пробега дислокаций в монокристаллах NaCl // Изв. ВУЗов СССР. Физика, 1980.-Т.23.-С.10-14.

139. Силин А.П., Шубенков С.В. Экситоны Ванье-Мотта в гетерострукту-рах узкощелевых полупроводников // ФТТ, 2000.-Т.42,вып.1.-С.25-32.

140. Смирнов Б.И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. -М.: Наука, 1981.-275 с.

141. Смирнов Б.И., Самойлова Т.В. Влияние различных факторов на размножение винтовых дислокаций при деформировании кристаллов // ФТТ, 1976.-Т. 18,№6.-С. 1744-1746.

142. Соболев В.В. Зоны и экситоны соединений группы А2В6.-Кишинев.: Штиинца, 1980.-255 с.

143. Соболев В.В. Экситоны и зоны щелочно-галоидных кристаллов. -Кишинев.: Штиинца, 1984.- 302 с.

144. Сойфер JI.M. Упрочнение щелочно-галоидных монокристаллов двухвалентными примесями // Физика конденсированного состояния. Харьков, 1973.-вып.24.-С.45-64.

145. Сойфер JI.M., Щеголева З.А., Мадикян Р.А. Подвижность дислокаций в чистых и примесных кристаллах LiF // ФТТ, 1969.-Т.11,№ 12.-С.3665-3667.

146. Соколова Э.Б. К вопросу об оптических свойствах дислокаций в полупроводниках // ФТТ, 1965.-№2.-С.489-492.

147. Стратан И.В., Предводителев А.А. Моделирование процесса движения дислокаций в трехмерном дислокационном ансамбле // ФТТ, 1970.-Т. 12,№7,-С.2141-2143.

148. Судзуки Т., Есинага X., Такеучи С. Динамика дислокаций и пластич-ность.-М.:Мир.-1989.-296 с.

149. Тарбаев Н.И. Определение систем скольжения дислокаций в монокристаллах CdSe методом низкотемпературной фотолюминисценции //ФТТ, 1998.-т.40,№10.-С. 1845-1848.

150. Тяпунина Н.А., Белозерова Э.Н. Заряженные дислокации и свойства щелочногалидных кристаллов // УФН, 1988.-Т.156,№4.-С.623-717.

151. Тяпунина Н.А., Коломийцев А.И. Эффект Степанова и электропроводность кристаллов хлористого натрия с катионной и анионной примесями // Известия АН СССР. Сер. Физ., 1973.-Т.34.-С.2443-2447.

152. Тяпунина Н. А., Коломийцев А. И. Заряд дислокаций в кристаллах хлористого натрия с анионной примесью // Кристаллография, 1973.-Т. 18.-С.868-871.

153. Тяпунина Н.А., Светашова А.А. Влияние электростатического поля на поступательное движение дислокаций при высокочастотной вибрации ЩГК // Вести. МГУ. Физ. Астрон.-1981.-Т.22.-С. 15-20.

154. Уоррен П.Д., Роберте С.Г., Хирш П.Б. Анизотропия и полярность микротвердости в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях А3В5 //Известия АН СССР, сер. Физическая, 1987.-Т.51,№4.-С.812-817.

155. Урусовская А.А. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов//УФН, 1968.-Т.96,№1.-С.39-60.17 8. Фриде ль Ж. Дислокации. М.: Мир, 1967.-643 с.

156. Ханнанов И.Ш. Электроупругие поля движущихся дислокаций и дис-клинаций в пьезоэлектрических кристаллах // ФТТ, 1999.-Т.41,№7.-С.1210-1213.

157. Хлудков С.С., Чалдышева Н.В., Мищенко О.Б. Влияние типа и концентрации носителей заряда в исходном GaAs на скорость диффузии примеси Fe. / «Легированные полупроводниковые материалы». М.: Наука, 1985.-С.89-91.

158. Цаль Н.А., Спитковский И.М., Струк Я.А. Влияние скорости деформации и термообработки на кинетику электризации в кристалле NaCl при пластическом деформировании // ФТТ, 1982.-Т.24.-С.2166-2196.

159. Чишко К.А., Чаркина О.В. Излучение электромагнитных волн краевыми дислокациями, движущимися в ионных кристаллах // ФТТ, 1996.-Т.38,№9.-С.2775-2786.

160. Чолах С.О., Пустоваров В.А. Экситонный механизм создания центров окраски в LiH и LiH-Na// Труды института физики АН Эстонской ССР.-1985.-Т.57.-С.101-112.

161. Швидковский Е.Г., Тяпунина Н.А., Белозерова Э.П. Влияние электрического поля на поведение заряженных дислокаций // Кристаллография, 1962.-Т.7.-С.471-472.

162. Шевцова И.Н. Заряженные подвижные дислокации и электризация ионных кристаллов при пластической деформации // ФТТ, 1983.-Т.25,№4,-С. 1172-1175.

163. Шикин В.Б., Шикина Ю.В. Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах//УФН, 1995.-Т.165,№8.-С.887-917.

164. Шикин В.Б., Шикина Ю.В. Заряженные дислокации в полупроводниках р-типа//ФТП, 1993.-Т.25, в.12.-С.2225-2233.

165. Шпейзман В.В., Смирнов Б.И., Солнцева И.Ю. О движении дислокаций в монокристаллах кремния при комнатной температуре // Известия АН СССР, сер. Физическая, 1987.-Т.51, №4.-С.768-773.

166. Anderson A.R., Pollard H.F. Changes in internal friction and dislocation charge in sodium chloryde crystals following plastic deformation // J. Appl. Phis., 1979.-v.50.-P.5262-5264.

167. Appel F. Thermally activated dislocation processes in NaCl single crystals // Phis. St. Sol. (a), 1974.-v.25.-P.607-617.

168. Baltog I., Ghita C., Giurgea M., Velicescu B. Some pecularities of light scattering in Ba and Pb doped NaCl crystals // Opt. Com., 1970.-v.l,№9.-P.409-411.

169. Batlog I., Ghita C., Giurgea M. Evidence of charged dislocations by light scattering in NaCl doped with divalent impurities // J. Phys. C.: Solid State Phys., 1974.-v.7,№ 10.-P. 1892-1897.

170. Bassani F., Thompson R. Assotiation energy of vacancies and impurities with edge dislocations in NaCl //Phys. Rev., 1956.-v.l02,№2.-P. 1264.

171. Brady L.E.,Castle J.W.,Hamilton J.F.Epitaxial silver halidefilms //Appl. Phys.,Letters,1968,v.l3,N 2,P.76-78.

172. Brantley W. A., Bauer Ch. L. Electroacoustic investigation of charged dislocations in NaCl // Phil. Mag., 1969.-v.20.-P.441 -444.

173. Broudy R.M., McClure J.M. Statistics of the occupations of dislocation acceptors (one-dimensional interaction statistics) // J. Appl. Phys., 1960.-v.-31.-P.1511-1516.

174. Brown L.M. Mobile charged dislocation in ionic crystals // Phis. St. Sol., 1961 .-v. 1 .-P.585-599.

175. Brontley W.A., Bauer Ch.L. Electroacoustic investigations of charged dislocations in NaCl // Phil. Mag., 1969.-v.20.-P.441-444.

176. Bussenden S., Gardner J., Illingworth F., Hovacevic K., Whitworth R.W. The influence of an electric field on the flow stress of crystals of NaCl // Phis. St. Sol. (a), 1979.-v.51.P.521-526.

177. Caffyn J.E., Goodfellow T.L., Hamdani A.J. The movement of dislocations in an electric field in sodium chloride //Mat. Res. Bull., 1967.-v.2.-P.1067-1074.

178. Colombo L., Kataoka J., Li J.C.M. Movement of edge dislocation in KC1 by large electric field // Phil. Mag. A., 1982.-v.46,№2.-P.211-214.

179. Davidge R.W. The sign of charged dislocation in NaCl // Phil. Mag., 1963.-v.8.-P92-95.

180. Eshelby I.D., Newey C.W., Pratt P.L., Lidiard A.B. Charged dislocations and strength of ionic crystals // Phil. Mag., 1958.-v.3.-P.75-77.

181. Gestrin S., Zadorozhnyi Ph., Salnikov A. Determination of dislocations velocity from scattering pattern observed// SPIE Proceeding, 1998.- Vol.3726.-P.74-78.

182. Gestrin S., Zadorozhnyi Ph., Salnikov A. Scattering of optical radiation by optical radiation by multy dislocations system in an ionic crystal //SPIE Proceeding, 2000.- Vol.4034.-P.43-45.

183. Gestrin S., Salnikov A., Samorodina T.V. Transitions between energy levels of exitons produced by the laser radiation caused by the crystals deformation // SPIE Proceeding, Vol.4002.-P. 180-184.

184. Kataoka Т., Saramoto M., Yamada T. Influence of the electric field on flow stress in KC1 crystals containing Ca++ impurity // J. Appl. Phis. Japan, 1975.-v.l4,№10.-P. 1609-1610.

185. Lejcek L., Fouskov F., Pavel V. Note on light scattering by dislocations in TGS // Phys. State Sol.(a), 1989,-v.l 15,№445.-P.445-450.

186. Moria K., Ogawa T. Observation of the dislocations in alkali halides by light scattering // Jpn. J. Appl. Phis., 1997.-v.22,№207.-P.1318-1325.

187. Mora-Ramos M.E., Rodriguez F.J., Quiroga L. Polarons in wurtzite nitride semiconductors // Solid State Commun., 1999-109, №12.-P.767-772.

188. Nabarro F.R. Theory of crystal dislocations.- Clarendol press. : Oxford, 1967.-P.596.

189. Plint C.A., Breig M.L. Light scattering and temperature dependence for crystal of alkali halides with point impurities and defects // J. Appl. Phis., 1964.-v.-35.-P.2745-2749.

190. Plint C.A., Sibley W.A. Light scattering from NaCl-type crystal with thermal spicement treatment// J. Appl. Phis., 1962.-v.33.-P.3167-3170.

191. Plint C.A., Sibley W.A. Isoelectric point and thermal dependence of light scattering from alkali halide crystals // J. Chem. Phys., 1965.-v.42.-P. 1378-1384.

192. Read W.T. Theory of dislocation in germanium //J.Phil.Mag., 1954.-v.45.-P.775-796.

193. Read W.T. Statistics of the occupation of dislocation aceptor centers // J.Phil.Mag., 1954.-v.45.-P.ll 19-1128.

194. Robinson W. Amplitude- independent mechanical damping in alkali halides // J. Mat. Sci., 1972.-V.7.-P.115-123.

195. Robinson W. H. Electrical-mechanical coupling due to charged dislocations //Phil. Mag., 1972.-v.25.-P.355-369.

196. Robinson W, Glover J. Electrical-mechanical coupling of dislocations in KC1, NaCl, LiF and CaF2 // Phis. St. Sol., 1978.-№ 1 .-P. 156-163.

197. Robinson W. H., Glover A. J., Wolfenden L. Electrical mechanical coupling of dislocations in KC1, NaCl, LiF and CaF2 // Phis. St. Sol., 1978.-v.48.-P. 155163.

198. Robinson W.H., Tallon J.L., Sutter P.H. The temperature dependence of the dislocation charge in pottassium // Phil. Mag., 1977.-v.36.-P. 1405-1427.

199. Schockly W.Some predicted of temperature gradient of diffusion in crystals //Phys. Rev, 1953.v.91,P.228-232.

200. Seitz F. Charge of the edge dislocation and core defects //Rev. Mod. Phys, 195 l.-v.80.-P.239-242.

201. Seitz F. Speculations on the properties of the silver halide crystals // Rev. Mod. Phys, 1951 .-v. 1 .-P.328-331.

202. Sibley W.A. Light scattering in alkali halide single crystals // Phys. Rev, 1963.-v.l32,№5.-P.2065-2072.

203. Sproul R.L. Charged dislocations in lithinium ftoride // Phil. Mag, 1960.-v.56.-P.815-831.

204. Srinivasan M, Fotedar H.L, Stoebe T.G. Dislocation dynamics in LiF and MgO single crystals //Phys. St. Sol. (a), 1973.-v.17.-P.257-265.

205. Steigmer E.F, Auderset H, Harbeke G. In: Anharmonic lattice, structural transitions and melting. / Ed. Riste T, Noordhoff. Leiden, 1974.-P.153-160.

206. Sumino K. Defects and properties of semiconductor.: Defect engineering. KTK Scientific Publishers.- Tokyo, 1987.-P.259.

207. Tanibayashi M. The effects of charge clouds on the motion of charged dislocations in ionic crystals // Phil. Mag. A.4, 1981.-P. 141-144.

208. Tanibayashi M. Motion of dislocations in NaCl and KC1 crystals in micro-plastic region// J. Phis. Soc. Japan, 1987.-v.45.-P.1063-1066.

209. Tanibayashi M., Tsuda T. Behavior of charged dislocation in ionic crystals with electric field applied // J. Phis. Soc. Japan, 1981.-v.50,№6.-P.2054-2062.

210. Tanibayashi M., Tsuda T. Behavior of charged dislocation in ionic crystals with electric field applied II //J. Phis. Soc. Japan., 1982.-v.5 l,№l.-P.244-246.

211. Theimer O., Plint C.A. Light scattering process from alkali halide crystal // Ann. Phys. N.Y., 1958.-v.3.-P.408-422.

212. Theimer O., Plint C.A., Sibley W.A. Study of light scattering from KC1 crystal doped with impurities // Ann. Phis. N.Y., I960.- v.9.-P.475-498.

213. Toth A. On the mechanism of charge transport caused by moving dislocations in NaCl crystals doped with Ca//Phys. St. Sol., 1976.-v.33.-P.47-50.

214. Toth A., Kerzthelyi Т., Kalman P., Sarkozi J. Diffusion model for charge transport by moving dislocations in simple ionic crystals // Phis. Stat. Sol.,1984,-v.122.-P.501-505.

215. Toth A., Sarkozi J. Investigation of electric charged carried by dislocations in sodium chloride crystals doped with calcium // Phis. Stat. Sol., 1975.-v.30.-P. 193195.

216. Turner R. M., Whitworth R. W. Pich-up and loss of charge from dislocations in Mn++ doped sodium chloride crystals // Phil. Mag., 1970.-v.21.-P.1187-1192.

217. Turner R.M., Whitworth R.W. Movement of dislocation in sodium chloride //Phil. Mag., 1968.-v.18.-P.531-534.

218. Van Dingenen The charge on edge dislocations in pure KBr single crystals//Phil. Mag., 1975.-v.31,№6.-P. 1263-1269.

219. Whitworth R.W. A charged dislocation model for the effect of an electric field on the flow stress of an ionic crystal // Phys. Stat. Sol., 1976.-v.-38.-P.299-302.

220. Whitworth R.W. Atomic mechanisms for the transport of charge by dislocations in NaCl type crystals// Phil. Mag.,1965.-v.l l,№109.-P.83-90.

221. Whitworth R.W. Theory of the thermal equilibrium charge on edge dislocations in alcali halide crystals //Phil. Mag., 1968.-v.-17.-P.1207-1221.

222. Whitworth R.W. Charged dislocation in ionic crystall //Adv.Phis.,vol.24,-P.203-204.

223. Whitworth R.W., Huddart A. Measurements of the charge acquired by dislocations in NaCl crystals of known purity // Phil. Mag., 1973 .-v.27.-P. 107-119.

224. Indenbom V. L., Chernov V. M. Determination characteristics for the interaction between point defects and dislocations from internal friction experiments // Phis. Stat. Sol. (a), 1972.-v.14.-P.347-354.

225. Гестрин С.Г., Сальников A.H. Дислокационный аналог эффекта Холла // Физика прочности и пластичности материалов: Тез. докл XIV Междунар. конф.- Самара, 1995.-С.55-56.

226. Гестрин С.Г. Торможение заряженных дислокаций в полупроводниковых и ионных кристаллах // Физика прочности и пластичности материалов: Тез. докл XIV Междунар. конф. Самара, 1995.-С.54.

227. Гестрин С.Г. Локализация колебаний вблизи заряженных дислокаций в полупроводниковых и ионных кристаллах // Физика прочности и пластичности материалов: Тез. докл XIV Междунар. конф. Самара, 1995.-С.57.

228. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена // Физика прочности и пластичности материалов: Тез. докл. XIV Междунар. конф. Самара, 1995.-С.190-191.

229. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена // Релаксационные явления в твердых телах: Тез. докл Междунар. семинара.- Воронеж, 1995.-С.32.

230. Гестрин С.Г., Задорожный Ф.М. Определение скорости дислокаций в примесных полупроводниках оптическим методом // Проблемы и перспективы прецизионной механики и управления в машиностроении: Материалы Междунар. конф.- Саратов, 1997.-С.168.

231. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Определение плотности линейных дефектов в ЩГК // Проблемы и перспективы прецизионной механики и управления в машиностроении: Материалы Междунар. конф.- Саратов, 1997.-С.219.

232. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Самородина Т.В. Поглощение дислокационных фононов поляронами в ионных кристалл ах.//Межвуз. сб. «Актуальные научные исследования». Саратов, 1999.-вып.2.-С.112-113.

233. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Самородина Т.В. Расчет силы торможения дислокаций экситонами Ванье-Мотта в полупроводниковых и диэлектрических кристаллах // Спектроскопия и физика молекул: Тез. докл. межвуз. конф. Саратов, 1999.-С.87.

234. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Самородина Т.В. Взаимодействие движущихся дислокаций с поляронами в ионных кристаллах // Студент и научно-технический прогресс. 4.1. Физика: Тез. докл. XXXYII Междунар. конф,- Новосибирск, 1999.-С.16.

235. Гестрин С.Г., Задорожный Ф.М., Сальников А.Н. Особенности дифракции оптического излучения на периодической системе краевых дислокаций в щелочногалоидном кристалле // XXII съезд по спектроскопии: Тез. докл.-Звенигород, 2001.-С.50.

236. Гестрин С.Г., Струлева Е.В., Сальников А.Н. Переходное излучение в щелочногалоидных кристаллах // XXII съезд по спектроскопии: Тез. докл.-Звенигород, 2001.-С.49.

237. Гестрин С.Г. Торможение заряженных дислокаций в деформируемом полупроводниковом кристалле при низких температурах // Проблемы и перспективы прецизионной механики и управления в машиностроении: Материалы Междунар. конф.- Саратов, 1997.-С.182-183.

238. Гестрин С.Г. Взаимодействие заряженных дислокаций с облаками точечных дефектов в ионных кристаллах во внешнем магнитном поле М., 1991.13 с. Деп. в ВИНИТИ ,-№441-В 91.

239. Гестрин С.Г. Локализация плазменных колебаний вблизи заряженных дислокаций в полупроводниковых кристаллах М., 1992.- 14 с. Деп. в ВИНИТИ,-№201-В 92.

240. Бочкарев В.Л., Гестрин С.Г., Сальников А.Н. Дислокационный аналог эффекта Холла в ионных кристаллах при наличии двух типов подвижных точечных дефектов М., 1991.- 13 с. Деп. в ВИНИТИ, №2506-В 91.

241. Гестрин С.Г., Задорожный Ф.М., Сальников А.Н. Применение модели краевой дислокации в виде заряженной нити для описания рассеяния электромагнитной волны ионным кристаллом // Математическое моделирование физи