автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Комплексные исследования электрофизических свойств термически окисленных слоев кремния в производстве полупроводниковых приборов с проектной нормой 0,5-0,8 мкм

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ДИОКСИДА КРЕМНИЯ.

§ 1.1. Структурные характеристики.

§ 1.2. Особенности строения тонких плёнок диоксида кремния.

§ 1.3. Характер переходной области в системе £/-£/02.

§ 1.4. Механические напряжения в системе 57-&'02.

§ 1.5. Структурная и электрофизическая неоднородности термически окисленных слоев кремния.

ГЛАВА 2. ОСНОВНЫЕ МЕХАНИЗМЫ ПРОВОДИМОСТИ ПЛЕНОК

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ В СИСТЕМЕ йШО*.

§ 2.1. Предпробойная проводимость и эффект переключения.

§ 2.2. Примесно-стимулированная и прыжковая проводимость.

§ 2.3. Омическая и туннельная проводимость.

§ 2.4. Инжекционная проводимость тонких пленок.

Эмиссия Шоттки.

Эффект Френкеля-Пула.

Инжекция Фаулера-Нордгейма.

§ 2.5. Термохимическая модель пробоя.

§ 2.6. Модель захвата дырок.

§ 2.7. Физическая сторона времязависимого пробоя.

§ 2.8. Механизм пробоя оксида.

ГЛАВА 3. МЕТОДИКА КОНТРОЛЬНЫХ ЭКСПЕРИМЕНТОВ ПО ОПРЕДЕЛЕНИЮ

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОК

§ 3.1. Методика зависимого от времени электрического пробоя диэлектриков.

§ 3.2. Моделирование времязависимого пробоя диэлектрика методом Монте-Карло.

§ 3.3. Методика контроля вольтфарадных характеристик МДП-структуры.

§ 3.4. Лабораторный программно - измерительный комплекс (ЛПИК) контроля электрофизических параметров МДП-структур. Описание методов и алгоритмов программного обеспечения.

ГЛАВА 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ.

§ 4.1. Экспериментальные образцы: структура и технология.

§ 4.2. Измерение высокочастотных вольтфарадных характеристик, предпробойных токов, пробивных полей и времени до пробоя в тестовых структурах.

§ 4.3. Стуктурно-примесные и электрофизические особенности сиситем 57-576)2 в зависимости от режимов ее формирования.

В современной технологии производства КМОП приборов предъявляются высокие требования к надежности и стабильности всех компонент интегральных схем. В связи с этим явления проводимости тонких слоев подзатворного диэлектрика, эффект горячих носителей, электрический пробоя играют важную роль при изучении процессов старения полупроводниковых приборов и ухудшения их электрических характеристик.

Определение направленности физических процессов развивающихся в тонких слоях диэлектрических пленок является необходимым условием при изучении процессов проводимости, изменения электрофизических свойств структур, а также деградации свойств полупроводниковых приборов.

Высокие требования, предъявляемые к надежности и устойчивости современных микросхем приводят к необходимости обеспечения стабильности полупроводниковых структур. Потенциальная опасность возникновения необратимых изменений в полупроводниковых структурах возникает в условиях электрического, термического или механического стресса. В наиболее жестких электрических режимах работают тонкие диэлектрические пленки в подзатворных диэлектриках, в межслойной изоляции, в стоковой области каналов мощных полевых и короткоканальных транзисторов.

Поведение классических полупроводников и диэлектриков в сильных электрических полях исследовано достаточно хорошо и имеется обширный как экспериментальный материал, так и теоретические модели, адекватно описывающие не только процессы в материалах, но и в полупроводниковых структурах. Вместе с тем вопрос о поведении тонких полупроводниковых и диэлектрических пленок в условиях близких к пробою, так же как и само описание этих объектов, исследованы недостаточно. Это объясняется тем, что физические процессы, возникающие в этих условиях, являются сугубо нелинейными и их развитие зависит от начальных условий, которые в значительной степени могут носить случайный как временной, так и пространственный характер. Поэтому в последнее время при анализе рассматриваемых процессов появился новый подход, давший ряд интересных результатов и связанный с рассмотрением пробоя как неравновесного динамического фазового перехода. Это наложило отпечатки и на экспериментальные методы, в которых стали шире применяться методы обработки результатов, характерные для систем с хаотическим поведением.

Одно из важнейших слагаемых быстрого прогресса микроэлектроники -уменьшение размеров элементной базы микросхем. Это позволяет резко повышать функциональные возможности кристаллов БИС и их быстродействие, снижать рассеиваемую мощность. Размеры МОП-транзисторов уменьшались по принципу пропорциональной миниатюризации, при которой все параметры изменяются согласованно. В результате такого масштабирования МОП-транзистор остается физически подобным оригиналу, но меньше размерами. Значения и конфигурация электрических полей в нем сохраняются. На практике пропорциональная миниатюризация с постоянным полем имеет ряд ограничений: стандарт по напряжению питания, уменьшение подвижности носителей заряда, рост паразитных сопротивлений, снижение отношения сигнал/шум. Практически решением этой проблемы стало масштабирование по компромиссным принципам с квазипостоянным полем или постоянным напряжением [1]. В результате электрические поля в МОП-транзисторе возрастают в некоторых случаях на порядок.

Отличительной особенностью тонких и сверхтонких полупроводниковых пленок является сравнимость их толщины с такими фундаментальными параметрами как дебройлевская длина волны электрона и соответственно длина туннелирования, длина Дебая, межатомное расстояние и т.п., которые играют решающую роль во многих физических процессах. По своей структуре тонкие пленки отличаются от массивных материалов и на их формирование большое влияние оказывает не только технология нанесения, но и материал и структура подложки.

Понятие «тонкая пленка» означает, что ее толщина сравнима с размером, характерным для данного явления. Так, в явлениях переноса параметрами с размерностью длины могут быть, кроме толщины пленки, характерная глубина рельефа поверхности, средняя длина свободного пробега носителей, их длина волны и др. Сообразно этому различают сплошные и гранулярные пленки, а описание зависимости свойств от толщины может вестись при помощи как классического, так и квантового аппарата статистической физики.

Явления проводимости и пробоя, а также характер токопереноса в пленках диоксида кремния, в значительной степени определяют предельные рабочие напряжения полевых приборов, качество межслойной изоляции, стабильность приборов под нагрузкой и др.

Проблемы проводимости и нестационарности процессов в тонких диэлектрических пленках обсуждались неоднократно, однако до настоящего времени механизм проводимости до конца не выяснен.

Согласно современным моделям проводимости или пробоя развитие лавины в диэлектрике либо обусловлено наличием резких локальных неоднородностей на границе с катодом или в самом диэлектрике, либо связано с одним из следующих процессов: тепловым перегревом диэлектрика, лавинным умножением носителей заряда в тонкой пленке, термополевым стимулированием процессов ударной ионизации.

Следует отметить, что по сравнению с объемными материалами явление проводимости в тонких слоях диэлектриков существенно отличаются по целому ряду причин. В ранних работах при анализе характера зависимости электрической прочности от толщины и материала диэлектрика использовался классический подход, основанный на качественных теориях пробоя объемных материалов.

Позднее значительное внимание стало уделяться изучению характера структурных нарушений, существующих в диэлектрике как до пробоя, так и возникающих в нем после развития лавины. Учитывалось разрушающее влияние предпробойного тока, протекающего через тонкий слой диэлектрика, и наличие металлических электродов. Перечисленные обстоятельства значительно усложнили интерпретацию явления пробоя.

Явления электрического пробоя часто сопровождаются рядом эффектов, которые в подавляющем большинстве случаев снижают значение пробивного поля. К ним можно отнести электрохимические процессы и электродиффузию, ускоряемые внешним полем, образование и последующее прорастание дендритов в диэлектрике, разряды в газовых включениях, полевую миграцию заряженных примесей и др. Обычно перечисленные факторы стремятся устранить, используя более совершенную технологию получения тонких пленок, однако, у аморфных образцов нарушения того или иного рода всегда присутствуют в диэлектрике.

В зависимости от материала и степени его структурной разупорядоченности выделяют следующие типы пробоя аморфных диэлектриков. Тип 1 - собственно электрический пробой, характеризующий максимальную электрическую прочность материала. Этот тип пробоя всегда имеет электронный характер, стимулирующий процесс ударной ионизации. Тип 2 обусловлен развитием серии электронных лавин в малых микрокристаллических областях диэлектрика. Тип 3 - пробой в дефектных местах, микропорах, газовых включениях и т.д.

Также необходимо отметить роль теплового пробоя диэлектрических материалов. При тепловых формах пробоя выделяющееся (джоулево) тепло обуславливает перегрев образца, в результате чего его сопротивления резко

3 7 1 падает. Это процесс может происходить в диапазоне полей 10-10 В*см" и сопровождается появлением нестабильностей тока или напряжения.

Одной из вероятных моделей пробоя диэлектрика является модель двойной инжекции. Основана такая модель на полевой эмиссии из электродов с последующей ударной ионизацией носителями заряда вещества. Электроны инжектируются полем в зону проводимости диэлектрика, а затем, ускоряясь, стимулируют процесс ударной ионизации и рождение области положительного пространственного заряда. Время пролета электронов не превышает несколько пикосекунд, тогда как время формирования положительного заряда, дрейфующего к катоду, достигает нескольких микросекунд или миллисекунд. Положительный заряд предотвращает дальнейшее развитие электронной лавины и ослабляет поле у катода. Наиболее часто процесс заканчивается формированием в диэлектрике кластеров пространственного заряда, которые после снятия внешнего поля могут рассосаться за счет тепловых процессов.

Нельзя не сказать и о широкоприменяемых в современной науке и исследованиях термохимической модели пробоя и модели захвата дырочных носителей заряда [2] на начальной стадии процесса пробоя. Такие модели позволяют охарактеризовать электрофизические процессы протекающие в диэлектрическом материале на структурно-примесном уровне.

Однако, в таких моделях крайне необходимо учитывать граничные эффекты, принимая в расчет структурно-примесный состав переходной области Л-б'/О?.

В диссертационной работе мы рассмотрим вопросы связанные с исследованием качества пленок подзатворных слоев диоксида кремния в производстве КМОП-приборов по технологии уровня 0.5-0.8 мкм и проведем анализ возможных причин снижения электрической прочности пленок подзатворных термически выращенных слоев 8Ю2. Для чего необходимо:

- разработать комплексную экспериментальную методику для оценки электрофизических свойств подзатворного оксида;

- разработать и внедрить автоматизированный лабораторный программно-измерительный комплекс для определения электрофизических характеристик МДП структур;

- провести комплексные исследования электрофизических и структурно-примесных свойств системы Л'-ЗЮ^;

- разработать и внедрить в опытное производство способ контроля электрофизических параметров тонких подзатворных диэлектриков;

- внедрить в опытное производство результаты исследований по оптимизации процессов термического окисления в КМОП технологии с топологическими нормами 0.5-0.8 мкм.

Основные положения диссертационной работы, выносимые на защиту:

1) Результаты комплексных исследований системы Л'-бгСЬ, позволяющие установить причины снижения электрической прочности подзатворного диэлектрика.

2) Лабораторный автоматизированный программно-измерительный комплекс, обеспечивающий оперативный контроль электрофизических параметров подзатворных оксидов в производстве кремниевых ИС.

3) Совокупность экспериментальных результатов, использованных для оптимизации процессов окисления в производстве ИС по КМОП-технологии с топологическими нормами 0.5-0.8 мкм.

4) Способ контроля электрофизических параметров подзатворного диэлектрика и результаты экспериментальной проверки на тестовых затворных структурах КМОП БИС.

5) Методика аттестации технологического процесса окисления по результатам контроля зависимого от времени пробоя подзатворного диэлектрика на контрольных пластинах

выводы:

1. Для всех типов исследованных структур средние значения напряжения пробоя подзатворного диэлектрика (Vbd) находятся в диапазоне 8.28 -11.66В, при толщине слоя диэлектрика (dox) от 116 А до 128 А.

2. Для всех типов исследованных структур отмечается значительная статистическая вариация параметра Ево по площади пластины (с = 11.44 % -49.35 % на различных образцах для разных типов тестовых структур).

3. На каждой из исследованных пластин имеется значительное количество тестовых фрагментов, для которых наблюдается преждевременный электрический пробой подзатворного диэлектрика; значения напряженности электрического поля пробоя диэлектрика (Ebd) распределены при этом случайным образом в широком диапазоне (от <2.0 MB/см до 8.0 MB/см). Доля тестовых фрагментов, для которых качество подзатворного диэлектрика является удовлетворительным (Ево >8.0 MB/см), варьируется от пластины к пластине в диапазоне 32 %-58%, а доля фрагментов, в которых подзатворный диэлектрик имеет физические дефекты (Ев0 < 2.0 MB/см) - в диапазоне от 0 % до 11%. Для фрагментов тестовых структур с высококачественным подзатворным диэлектриком значения напряженности электрического поля пробоя диэлектрика (Ево) лежат в более узком диапазоне (а =1.89 % - 10.88 % на различных пластинах).

4. Для каждого из двух типов тестовых структур не наблюдается корреляции между параметрами физической структуры жесткой маски областей межэлементной изоляции (значения толщины нижнего слоя SIO2 (Päd

95

Oxide) и промежуточного слоя a-Si и качеством подзатворного диэлектрика: значения напряженности электрического поля пробоя диэлектрика (Ево), доля тестовых фрагментов, для которого качество подзатворного диэлектрика является удовлетворительным (Ebd > 8.0 МВ/см) и доля тестовых фрагментов с физическими дефектами (Ebd < 2.0 МВ/см) были одинаковыми.

5. Результаты измерений значений напряженности электрического поля пробоя подзатворного диэлектрика выявило взаимосвязь с качеством поверхности исходных кремниевых подложек.

В ходе указанных исследований, проведенных с использованием метода атомно-силовой микроскопии, установлено, что на поверхности исходной кремниевой подложки имеются случайно распределенные локальные выступы высотой до 60-70А и не удаляемые при химической обработке частицы полировального материала, наличие которых может приводить к локальной концентрации линий электрического поля, и, как следствие, к пробою диэлектрика при низких значениях напряженности электрического поля, а, в определенных случаях и к возникновению физических дефектов в тонком слое подзатворного диэлектрика.

6. Значения напряженности электрического поля пробоя подзатворного диэлектрика (Ebd) для тестовых структур второго типа (с «решеткой» узких участков (полос) подзатворного диэлектрика) являются в целом более низкими (6.99 - 9.37 МВ/см), по сравнению со значениями (8.12 - 9.63 МВ/см), полученными для тестовых структур первого типа (со «сплошными» областями подзатворного диэлектрика), и отличаются большей статистической' вариацией (15.07%-49.35 %), по сравнению со структурами первого типа (11.44 %-26.13%). Предположительно, это связано со вкладом в пробой подзатворного диэлектрика участков, расположенных близ границы раздела мезаобласти с локально выращенным полевым окислом, на которых фактическое значение толщины подзатворного диэлектрика оказывается ниже, чем в области, удаленной от границы полевого оксида; этот эффект не учитывался при определении значения толщины подзатворного диэлектрика вольтфарадным методом, и, следовательно, при расчете значений напряженности электрического поля пробоя диэлектрика.

7. Для каждого из двух типов тестовых структур значения времени деградации 50 % и 90% структур (t50 и t90, соответственно) при испытаниях подзатворного диэлектрика на времязависимый пробой варьируются в широких пределах (t50 = 15 - 471 с, t90 = 219 - 1344 секунд для структур со «сплошными» областями подзатворного диэлектрика и t50 = 7- 324 с, t90 = 166 - 1069 с для структур с «решеткой» узких областей (полос) подзатворного диэлектрика), что коррелирует с наличием на исследованных пластинах областей как с высокими, так и низкими значениями напряженности электрического поля пробоя диэлектрика и значительной статистической вариацией параметра EBd

8. Наименьшие значения времени деградации 50 % и 90% исследованных на времязависимый пробой подзатворного диэлектрика тестовых структур обоих типов отмечаются при значении толщины нижнего слоя Si02 в структуре жесткой маски областей изоляции (Pad Oxide), составляющем 105 А, при значении толщины промежуточного слоя a-Si, составляющем 600 А либо 800 А; при этом для тестовых структур второго типа (с «решеткой» узких областей (полос) подзатворного диэлектрика) отмечается в областях расположения отдельных фрагментов наличие катастрофических отказов подзатворного диэлектрика (t < 1.0 с). Напротив, при увеличении толщины нижнего слоя Si02 в структуре жесткой маски областей изоляции до 200 А достигаются наивысшие значения продолжительности времени испытаний до отказа как 50%, так и 90% тестовых структур обоих типов, в особенности при значении толщины промежуточного слоя a-Si в структуре жесткой маски областей изоляции, составляющем 600 А. Наблюдаемые эффекты могут, предположительно, быть объяснены повреждением поверхности подложки в процессе удаления с поверхности мезаобластей плазмохимичееким травлением) промежуточного слоя a-Si, входящего в структуру жесткой маски областей изоляции, по окончании операции формирования полевого оксида, в том случае, когда значение толщины нижнего слоя Si02 в структуре жесткой маски областей изоляции оказывается минимальным и составляет 105 А (вследствие недостаточно высокой селективности травления слоя a-Si относительно нижележащего SÍO2). Увеличение значения толщины нижнего слоя Si02 в структуре жесткой маски областей изоляции мезаобластях в процессе плазмохимического удаления промежуточного слоя a-Si в структуре жесткой маски, однако, как показали ранее проведенные исследования, это сопровождается некоторым (на ~ 0.02 - 0.03 мкм) увеличением ухода топологических размеров областей изоляции от номинального значения, определяемого размером окон в жесткой маске, вследствие развития областей «птичьего клюва» при латеральном росте полевого оксида. Приведенные в п.7 значения времени деградации как 50 % тестовых структур (150)» так и 90% тестовых структур при испытаниях подзатворного диэлектрика на времязависимый пробой для тестовых структур второго типа (с «решеткой» узких участков (полос) подзатворного диэлектрика) оказываются, в целом, более низкими, чем значения, полученные для тестовых структур первого типа (со «сплошными» областями подзатворного диэлектрика). Как и в случае исследования значений напряженности электрического поля пробоя подзатворного диэлектрика названная закономерность объясняется, по-видимому, эффектом утонения подзатворного диэлектрика на участках, расположенных близ границы раздела мезаобласти с локально выращенным полевым окислом, вследствие чего локальное значение плотности туннельного тока затвора на указанных участках в процессе испытаний подзатворного диэлектрика на времязависимый пробой оказывается выше среднего для тестовой структуры в целом.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате выполнения диссертационной работы исследованы механизмы переноса заряда, произведена оценка качества пленок подзатворного диэлектрика в процессе эксплуатации, определен оптимальный технологический процесс окисления в производстве КМОП приборов с проектной нормой 0.5-0.8 мкм. Изготовлены тестовые структуры на основе тонкой подзатворной 5702 полученной на кремниевых подложках термическим окислением, в рамках задачи разработки технологии изготовления КМОП СБИС с проектной нормой 0.5 мкм. Использовано два вида тестовых структур: подобных плоскому конденсатору, матрице краев полевого окисла. Полученные образцы имели различную толщину подзатворной 5702: 25 нм, 200 нм 12 нм, 10 нм и были изготовлены по различным технологическим маршрутам, изменяемыми параметрами в которых были температура окисления и среда.

1. Проведены комплексные исследования электрофизических свойств структур 57-5702 с помощью методик зависимого от времени пробоя, контроля вольтамперных характеристик и вольтфарадных характеристик, что позволило оценить степень надежности структур по времени до деградации, пробивному напряжению, количеству захваченного заряда, и т.д.

2. Предложен новый способ оценки качества подзатворной 5702. Отличительной особенностью которого явилось определение всей совокупности электрофизических параметров МДП-структур на пластине в одном измерительном цикле.

3. Разработан и изготовлен лабораторный автоматизированный измерительный комплекс, обеспечивающие контроль электрофизических параметров подзатворных оксидов в производстве кремниевых ИС (Акт о внедрении, см. Приложение). Экспериментально установлена взаимосвязь концентрации натрия в приповерхностной области 57-5702 с характеристиками зависимого от времени пробоя оксида.

4. Установлено влияние локальных неоднородностей на поверхности исходной кремниевой подложки (микрокристаллитов и не удаляемых при химической обработке частиц полировального материала) на характеристики зависимого от времени пробоя, которые могут приводить к локальному увеличению напряженности электрического поля.

5. Результаты использованы при разработке и оптимизации процессов окисления при производстве ИС по КМОП-технологии уровня 0.5-0.8 мкм. (Акт об использовании результатов, см. Приложение).

1.А. Микроэлектроника. Достижения и пути развития. - М.: Наука,1986. с.14.

2. Sakurai Т. Hot-carriers generation in submicrometer VLSI environment // IEEE J.

3. Solid State Circuits. 1996. V. Sc-21, No. 1, p. 187-192.

4. Зайцев H.A., Шурчков И.О. Структурно-примесные и электрофизическиесвойства системы Si-Si02. М. Радио и связь, 1993, с. 192.

5. Бартенев Г.М. Строение и механические свойства неорганических стекол. М.

6. Издательство литературы по строительству. 1968, с.216.

7. Власов А.Г., Флоринская В.А., Венедиктов A.A. Дутова К.П., Смирнова Е.В.

8. Инфракрасные спектры неорганических стекол и кристаллов. Изд-во «Химия». Л. 304 с.

9. Бондарь В.В. некоторые спектры некристаллического твердого состояния.

10. Итоги науки и техники. Сер. Химия твердого тела. М. 1983, с. 4-14.

11. Ланда Л.М., Ланда К.А., Тананаев И.В. Полифоризм ближнего порядка ваморфном Si02. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1984. т.20, №10, с. 1681-1684.

12. Revesz A.G. The Defect structure of vitreous Si02 films on silicon (II) Phys. Stat.

13. Sol. 1986 ,vol.57, N. 1, p. 657-666.

14. Аппен A.A. Химия стекла. Л. Химия. 1970, 351 с.

15. Роусон Г. Неорганические стеклообразующие системы. Под ред. Акад. Тананаева И.В. М.Мир. 1970, 371 с.

16. Румак Н.В., Хатько В.В. Диэлектрические пленки в твердотельной микроэлектронике. Минск. «Наука и техника». 1990, 315 с.

17. Либау Ф. Структурная химия силикатов. М. Мир. 1988, 410 с.

18. Прянишников .П. Система кремнезема. Стройиздат. М. 1971, 360с.

19. Shinanuki Yasushi, Furuya Hisashi, Suzuki Isamu. Effect of thermal history onmicrodefect formation in Czochralski silicon crystals. Jap.J.App.Phys. 1985, pt.l, 24, No. 12, p. 1594-1599.t

20. Зайцев H.А. Модель структурной и электрофизической неоднородности термически окисленных слоев кремния. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1984, т.20, №12, с 2067-2069.

21. Вертопрахов В.Н., Кучумов Б.М., Сольман Е.Г. Строение и свойства структур

22. Si-Si02. M. Изд-во «Наука» Сибирское отделение. Новосибирск. 1981, 96 с.

23. Емельянов А.В. Дефекты на границе раздела Si-Si02 Электронная техника,сер.З. Микроэлектроника. 1985, вып.2, с. 3-10.

24. Kobesta Е., Irene Е.А. Si02 films stress distribution during thermal oxidation osf Si.

25. J.Vac.Sci.Techn. 1988, vol.6, No.2, p. 574-581.

26. Boyd I.W. Disconsolation of the IR absorption peak of the vibration stretchingmodel of silicon dioxide evidence for structural order. Appl.Phys.Lett. 1987. vol.51, No.6, p. 418-423.

27. Grunthaner F.I., Grunthaner P.J. Local atomic and electronic structure of oxide/GaAs and Si02/Si interface using high resolution XPS. J.Vac.Sci.Techn. 1979, vol. 16, No.5, p.691-698.

28. Lucovsky L., Fitch J.T., Kobeda E., Physics and chemistry of Si02 and the Si-Si02interface ed by C.R. Helms, B.E. Deal. 1988, p. 139-149.

29. Емельянов A.B., Егоркин В.В. О структуре переходного слоя на границераздела Si-Si02. Поверхность. 1987. № 116 с.44-47.

30. Ourmazd A., Taylor D.W. Si-SiO? transformation interface structure and electricalproperties. J.Vac.Sci.Techn. A. 1984, vol.2,No.2, p. 213-217.

31. Irene E.A., Tierney E. Viscous flow model to explain the appearance of high densitythermal Si02 at flow oxidation temperature. J. Electrochem.Soc., 1982, vol.129, No.l 1, p.2594-2599.

32. Литвиненко С.А., Соколов В.И., Федорович H.А. Влияние температуры окисления на механизм напряжения в пленках двуокиси кремния на кремнии. ФТТ. 1985, т. 27, № 11, с. 3504-3506.

33. Румак Н.В. Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах. Минск.

34. Наука и техника. 1986, 240 с.

35. Petroff P.M., Rozgonyi G.A. Elimination of process induced staking faults bypreoxidation gettering of Si wafers, Si3N4 process. J.Electrochem.Soc. 1976,vol.l23, No.4, p.565-570.

36. Верховский Е.И., Епифанов Г.И. Внутренние напряжения в пленках моно идвуокиси кремния. Обзоры по электронной технике, сер.2 полупроводниковые приборы. 1982, вып.9,23 с.

37. Чопра K.JL Электрические явления в тонких пленках. М., Мир, 1972.

38. Ridley В.К. Specific negative resistance in solids. Proc. Phys. Sol. 1963. Vol. 82, №6. p. 954 966.

39. Kriegler R.J. The Role of HC1 in the Passivation of MOS Structures. "Thin Solid

40. Films", 1972, vol.13, № 1, p.11-14.

41. Корзо В.Ф. Переключающее действие тонких слоев стеклообразного кварца,содержащего примеси. «ФТТ», 1971, 11, № 9, с. 1785-1762

42. Av-Ron М., Shatzkes М. Current-Voltage Characteristics of Al-Si02-Si Structures.

43. Appl. Phys. Lett.", 1972, vol. 21, № 5, p. 233-235

44. Sze S. M. Physics of Semiconductor devices. N.-Y., Wiley, 1968,p.680.

45. Timson P.A., Hogard C.A. Electrical Properties of Silicon Oxide/Boric Oxide Coevaporated Films. "Thin Solid Films", 1972, vol. 10, p 321-334.

46. Воронков Э.Н., Файрушин A.P. Полярнозависимые кумулятивные эффектыпри пробое тонких пленок аморффных полупроводнико и диэлектриков Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. МНТОРЭС им. А.С.

47. O'Dwayer J. J. The theory of Dielectric Breakdown of Solids. Oxford Univ. Press.

48. Castagne R., Hesto P., Vapaille A. Surface Conductivity of the Insulator of an MISor MIM Device. "Thm Solid Films" 1973, vol. 17, p. 253-264.

49. Klein N. A Model of Thermal Breakdown in Defect Dielectrics. "Thin Solid

50. Films", 1973, vol. 7, p. 961-969.

51. Whitehead S/ Dielectric Breakdown of Solids. London. Oxford Univ. Press. 1951,p.294.

52. Бонч-Бруевич В.Д., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М. Наука1977. 672с.

53. Balberg, Reznik S. Noise probe bias-dependent current-path rearrangement indisordered solid. Phys. Rev. В 1997. Vol.55, Nol8, ppRl 1 919 R11 922

54. Lewin I., Gmnbaum, Croitoru N. Characterization of the polarity dependent memoryand switching effects in sandwiches of metal/a-Si/ITO. Vacuum, v.33, No 4, pp.237-240. (1983)

55. Tang J.Y., Hess K. Theory of hot electron emission from silicon into silicon dioxide

56. J. of applied Physics. 1983. V 54. No.9, p.5145-5151.

57. Т.Н. DiStefano, M. Shatkes, J. Vac.Sci. Technol. 12, 37, 1975

58. J.J. O'Dwyer, J. Appl. Phys. 40, 3887, 1969.

59. P. Solomon, J. Vac. Sci. Technol., 14, 1122, 1977.

60. Z.A. Weinberg, M.V. Fidchetti, J. Appl. Phys., 57, 443, 1985.

61. D.J. DiMaria, E Cartier, D. Arnold, J.Appl. Phys., 73, 3367, 1993.

62. D.J. DiMaria, D. Arnold, E Cartier, J.Appl. Phys., 61, 2329, 1992.

63. D.J. Dumin, J.R. Maddux, R.S. Scott, and R. Subramoniam. IEEE Trans. Electron Devices 41, 1570, 1994.

64. D.J. Dumin et al., J. Vac. Sci. Technol. В 13, 1780, 1985.

65. J. Sune, I. Placencia, N. Barnoil, E Farres, F Martin, and X. Aymerich, Thin Solid Films 185, 347, 1990.

66. I.C. Chen, S.E. Holland, and C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices ED-32, 413, 1985

67. I.C.Chen, S. Holland, and K.K. Young, C. Chang and C. Hu, Appl. Phys. Lett. 49, 669, 1986.

68. I.C. Chen, S. Holland, and C. Hu, IEEE Electron Devices Lett. EDL-7, 164, 1986

69. R. Moazzami, J.C. Lee, C. Hu, IEEE Trans. Electron Devices 36, 2462, 1989.

70. N. Shiono and M Itsumi, International Realiability Physics Proceedings, IEEE, Piscataway, NJ,p.l, 1993.

71. M. Kimura and, Ohmi, JPN. J. Appl, Phys.,Part 1 35, 1478, 1996.

72. M. Kimura, Reliability of Metal in Electronics, Рос. Electrochem. Soc., edited by H.S. Rathore, Electrochemical Society, NY, p.l, 1995.

73. Nissan-Cohen Y. A novel floating gate method for measurement of ultra-low hole and electron currents in MOS // IEEE Electron devices Letters, 1986, V. Edl-7, N.10, p.561-563.

74. Nissan-Cohen Y. A novel floating gate method for measurement of ultra-low hole and electron currents in MOS // IEEE Electron devices Letters, 1986, V. Edl-7, N.10, p.561-563.

75. Van Overstraeten R., De Man H. Measurement of the ionization rates in semiconductor // Solid State electronics, 1970, v 13, No.6, p.583-608.

76. Abadeer, Wangli W., International Business Machines Corporation, 324-719, US 98 1431727.01.1998

77. Yoshiko Yoshida, Mikihiro Kimura, Morihiko Kume, Hidekazu Yamomoto, Test Structure for the Evaluation of Si Substrates, IEICE Trans. Electron., Vol. E79-C, No.2, February 1996

78. Бурзин С.Б.,Дудников A.C., Зайцев H.A., Михалин В.Д. Оценка качества термически выращенных пленок диоксида кремния по методике зависимого от времени пробоя., Сборник трудов III Международной конференции, СПб., СПбГПУ, 2002

79. Abdullah М. Yassine, Time Dependent Breakdown of Ultrathin Gate Oxide, IEEE Transactions On Electron Devices, vol.47, No. 7, July 2000

80. Баннов H.A., Рыжий B.A. Проблемы математического моделирования субмикронных элементов интегральной электроники // Электронная промышленность. 1984. № 9, с. 3-8.

81. Faricelli J., Gildenblat G. Numerical verification of substrate current model in silicon IGFETs // Solid State Electronics, 1987, V.30, No.6, p. 655-662.

82. TANAKA S. et. Al. A self-consistent pseudo-two-dimensional model for hot-electron current in MOSTs // IEEE Transactions on Electron Devices. 1986. - V. ED-33, N 6. - P. 743-752.

83. Дудников А.С., Файрушин A.P., Воронков Э.Н., Экспериментальное исследование деградации пленок аморфных полупроводников и диэлектриков в высоких электрических полях. Материалы докладов международного научно-технического семинара, М., МЭИ, 2000

84. Дудников А.С. Электрический пробой пленок аморфных диэлектриков. III научно-техническая конференция «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». АООТ «НИИМЭ и з-д Микрон», 2000

85. Дудников А.С., Воронков Э.Н. Локальная электроусталость контактов металл-аморфный диэлектрик и металл- аморфный полупроводник. Тезисы докладов II Международной конференции, Санкт-Петербург, СПбГТУ, 2000.

86. Дудников А.С., Воронков Э.Н. Пробой и электроусталость в тонких аморфных диэлектрических пленках. Пятая международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов. М., МЭИ, 1999.

87. Дудников А.С., Зайцев Н.А. Вероятные механизмы инжекции носителей заряда в тонкие диэлектрические пленки. III научно-техническая конференция «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». АООТ «НИИМЭ и з-д Микрон», 2000.

88. Бурзин С.Б., Зайцев Н.А., Дудников А.С. Инжекционные токи в ультратонких подзатворных диэлектриках обусловленные каналами проводимости субатомных размеров. Тезисы докладов. 4-я Научно-техническая конференция. АООТ «НИИМЭ и з-д Микрон», 2001.

89. Дудников А.С., Зайцев Н.А. Эффект «горячих» носителей в короткоканальных КМОП-приборах. Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. Вып. 1(154)-1(155), 2000-2001, стр.33-37.

90. Дудников A.C. Свойства полупроводников и диэлектриков в высоких электрических полях. Тезисы докладов. Третья Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика XXI век». М., 2000.

91. Дудников A.C. Генерация микроплазменных каналов в предпробойных режимах в структурах с тонкими пленками полупроводников и диэлектриков. Тезисы докладов. Третья Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика XXI век». М., 2000.