автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование планарных полупроводниковых структур методами линейного и нелинейного отражения света

Введение

Глава 1. Методы исследования и контроля элементов поверхности планарных полупроводниковыхктур с использованием отражения лазерного излучения.

1.1. Эллипсометрический метод исследования полупроводниковых структур малых размеров.

1.2. Метод исследования поверхности полупроводников с помощью генерации второй гармоники лазерного излучения.

1.2.1. Нелинейно-оптические свойства поверхности твердого тела. Случай центросимметричной среды.

1.2.2. Исследование электрофизических свойств поверхности полупроводников методом нелинейного электроотражения. Теория метода.

1.3. Методы исследования поверхности металлизированных полупроводниковых и диэлектрических слоев.

1.3.1. Эллипсометрический метод.

1.3.2. Оптические методы исследования и контроля шероховатости поверхности металлизированных полупроводниковых и диэлектрических слоев.

1.3.3. Прямые методы исследования алюминиевой металлизации на полупроводниковых и диэлектрических слоях.

Выводы к главе 1.

Глава 2. Лазерная микроэллипсометрия и эллипсометрический контраст изображения.

2.1. Эллипсометрический контраст изображения исследуемых структур.

2.1.1. Теоретическая модель эллипсометрического контраста.

2.1.2. Экспериментальные исследования влияния соотношений толщин оксидов измеряемой структуры и ее окружения на эллипсометрический контраст.

2.1.3. Автоматизированная контрастная эллипсометрическая микроскопия.

2.2. Физические ограничения микроэллипсометрии.

2.3. Локальные эллипсометрические исследования.

2.3.1. Микроэллипсометрическая приставка к эллипсометру

ЛЭФ- ЗМ.

2.3.2. Измерения параметров оксидной пленки кремния на структурах малых размеров.

Выводы к главе 2.

Глава 3. Исследование электрофизических свойств поверхностей центросимметричных полупроводников методом нелинейного электроотражения (НЭО) лазерного излучения.

3.1. НЭО-диагностика многозарядных центров на поверхно сти кремния.

3.1.1. Теория НЭО от центросимметричных полупроводников с многозарядными центрами на поверхности.

3.1.2. Численное моделирование НЭО от кремния с ионами золота на поверхности.

3.2. Экспериментальная установка и результаты исследований.

3.2.1. Экспериментальная установка.

3.2.2. Использование коронного разряда в методе НЭО.

3.2.3. Методика подготовки образцов.

3.2.4. Автоматизированная обработка экспериментальных данных.

3.3. Экспериментальные результаты.

Выводы к главе 3.

Глава 4. Исследование свойств и контроль качества алюминиевой металлизации полупроводниковых и диэлектрических слоев в планарных полупроводниковых структурах.

4.1. Эллипсометрические исследования.

4.2. Экспрессный эллипсометрический метод контроля качества алюминиевой металлизации полупроводниковых и диэлектрических слоев.

4.3. Исследование шероховатости поверхности алюминиевой металлизации полупроводниковых и диэлектрических слоев.

4.4 Результаты прямых методов исследования структуры и свойств алюминиевой металлизации полупроводниковых и диэлектрических слоев и их корреляция с эллипсометрическим методам.

Выводы к главе 4.

Диссертационная работа посвящена методам эллипсометрического исследования остаточного оксида кремния на структурах с линейными размерами порядка нескольких микрон, экспериментальному исследованию квадратичного нелинейного электроотражения полупроводниковых структур - границ раздела Si-Si02, а также исследованию структуры и состава металлизации периодических поверхностных структур. Исследования проводились оптическими методами эллипсометрии, генерации второй гармоники, фотометрии диффузно отраженного когерентного света. В качестве вспомогательных методов использовалась растровая электронная микроскопия, рентгеновский микроанализ, электронная Оже - спектроскопия.

Эллипсометрический метод основан на анализе изменения поляризации пучка поляризованного света при его прохождении через исследуемую оптическую систему. Изменение поляризации света зависит от свойств поверхности и приповерхностных областей исследуемой системы. Для измерения параметров малых структур используется метод лазерной эллипсометрической микроскопии, который основан на локальных эллипсометрических измерениях [8,9,12]. Для повышения точности локальных измерений, а также расширения класса объектов, исследуемых этим методом, необходимо дальнейшее развитие аппаратной и теоретической части микроэллипсометрического метода. В теоретической части целесообразно рассмотреть не исследованную ранее проблему эллипсометрического контраста изображения. Метод эллипсометрии целесообразно использовать для изучения кинетики образования оксидной фазы на алюминиевых пленках.

Метод нелинейного электроотражения основан на электростатической модуляции нелинейно-оптического отклика поверхности. Электростатическое поле, варьируемое на границе раздела центросимметричный полупроводник - диэлектрик в области пространственного заряда (ОПЗ), нарушает инверсную симметрию в ОПЗ и приводит к появлению переменной составляющей оптической второй гармоники. Разработанная теоретическая модель нелинейного электроотражения позволяет экспериментально определять параметры границы раздела [56,57]. Модель разработана для случая моноэнергетических поверхностных состояний. Представляет теоретический и практический интерес рассмотрение более общей модели многозарядных поверхностных состояний.

Оптические методы лазерной эллипсометрии широко используются также для исследования и контроля качества поверхности алюминиевой металлизации нанесенной на полупроводниковые и диэлектрические слои [87,88]. Однако, прямые измерения толщин поверхностных пленок затруднены ввиду того, что поверхность алюминия обладает оптическими константами, зависящими от технологии нанесения алюминия, не всегда зеркально гладкая и имеет различную толщину естественного оксида. Целесообразно поэтому разработать критерии оценки состояния поверхности алюминиевых пленок, позволяющих применять оптические методы исследования поверхности металлизации, в том числе периодических структур.

Цель работы состояла, во-первых, в экспериментальном изучении эллипсо-метрического контраста изображения и эллипсометрических параметров микроструктур на поверхности полупроводника с учетом эффектов эллипсометри-ческого контраста и дифракции р и s компонент поляризованной волны; во-вторых, в экспериментальном исследовании нелинейного электроотражения на границе раздела Si-Si02, содержащей многозарядные центры, и установлении природы квадратичного оптического отклика данной системы; в-третьих, в экспериментальном исследовании кинетики образования оксидных фаз на поверхности алюминиевых пленок, влияющих на процессы рекристаллизации зерен при высокотемпературном отжиге при помощи прямых и оптических методов, а также установление степени корреляции результатов полученных разными методами.

Актуальность представленных исследований обусловлена фундаментальным интересом к механизмам линейно-оптического и нелинейно-оптического отклика границ раздела центросимметричных конденсированных сред, металлизированных структур и тонких пленок. Оптические явления изменения поляризации поляризованного света, диффузного отражения и нелинейного электроотражения могут быть применены для исследования параметров поверхностных микроструктур, изучения топологии металлизированной поверхности и кинетики образования оксидных пленок на ней, исследования зарядовых характеристик любых внутренних границ раздела конденсированных сред, доступных для лазерного излучения.

Практическая ценность состоит в следующем. Разработанная физико-математическая модель эллипсометрического контраста изображения позволяет повысить разрешающую способность микроэллипсометрических измерений, создать малогабаритный автоматизированный контрастный лазерный эллипсометрический микроскоп, а также моделировать тестовые структуры заданных свойств. Создана микроэллипсометрическая приставка, позволяющая измерять параметры оксид ных пленок на структурах размером 5x5 мкм. Разработан экспрессный эллипсометрический метод определения качества алюминиевой металлизации. Разработан оптический метод исследования качества металлизации периодических структур. Разработанная физико-математическая модель нелинейного электроотражения для многозарядных центров на границе раздела конденсированных сред позволила повысить диагностические возможности метода.

Научная новизна работы состоит в следующем.

1. Впервые для эллипсометрической системы «поляризатор - компенсатор -анализатор» построена физико-математическая модель эллипсометрического контраста изображения, позволяющего рассчитывать интенсивность отраженного света от областей, окружающих структуру с иными параметрами по толщине, в которой «гасится» эллипсометрическое изображение. Полученные теоретические соотношения подтверждены экспериментальными исследованиями эллипсометрического контраста.

2. Предложена новая микроэллипсометрическая методика измерения толщин тонких пленок, при которой для диэлектрических покрытий с неизменным показателем преломления возможно определять их толщину по интенсивности отраженного света, не меняя угловых положений поляризатора, компенсатора и анализатора.

3. Впервые показано, что методом нелинейного электроотражения возможно определять концентрацию ловушек на поверхности центросимметричных полупроводников при наличии поверхностного заряда, обусловленного многозарядными центрами. Построена физико-математическая модель нелинейного электроотражения, позволяющая рассчитывать параметры поверхности центросимметричных полупроводников по зависимости отраженной второй гармоники лазерного излучения, от величины электрического поля, приложенного к отражающей поверхности, представляющей границу раздела центросимметрич-ный полупроводник - диэлектрик, содержащую многозарядные центры.

4. Разработана методика нелинейно-оптической диагностики многозарядных центров на поверхности центросимметричных полупроводников, имеющих тонкий поверхностный диэлектрический слой и погруженных в электролит для приложения модулирующего электростатического поля. По зависимости интенсивности отраженной второй гармоники от потенциала электролита определяют концентрацию и тип поверхностных многозарядных центров. Методика позволяет дополнительно определять два параметра полупроводника при аналогичных измерениях зависимости интенсивности отраженной второй гармоники лазерного излучения от поверхностей двух идентичных образцов центросимметричных полупроводников, имеющих различную поверхностную концентрацию многозарядных центров.

5. Предложена новая методика регулирования и исследования нелинейного электроотражения от границы раздела центросимметричный полупроводник -диэлектрик за счет использования коронного разряда на воздухе вблизи исследуемой структуры.

Выводы к главе 4.

Несмотря на неопределенность показателей преломления и поглощения п0 и к0 чистой алюминиевой пленки, выявлена возможность использования эллипсометрического метода для контроля качества контактной системы транзисторных структур в условиях производства.

С целью снижения материальных затрат при производстве полупроводниковых структур, целесообразно использовать данный метод после каждой технологической операции, связанной с металлизацией, вплоть до сварки выводов. Результаты работы позволяют сделать вывод о том, что самым слабым звеном в технологической цепочке изготовления контактной системы является высокотемпературный отжиг.

Благодаря проведенным исследованиям разработан эллипсометрический экспресс-метод контроля качества металлизации. В его основе лежит серийный эллипсометр ЛЭФ-ЗМ-1, снабженный устройством фокусировки лазерного луча. Локальность метода до 15 мкм. Измерительный блок содержит фотодатчик, который через интерфейс соединен с компьютером. Время измерения составляет 0,5 секунд. Для каждой технологической операции задаются 3 параметра \|/ср и А ср (эллипсометрические параметры идеальной структуры), и 1фтах- соответствующее наибольшему значению тока фотодатчика, который определяется по значениям \|/гр и А гр, отвечающим экспериментально установленным границам для годной металлизации. Если в результате измерений фототок превысит максимально допустимое значение, то соответствующая тестируемая структура забраковывается компьютером. При соответствующей технической оснащенности и автоматизации метод позволяет охватить 100 % полупроводниковых структур, имеющихся на пластине.

Методом фотометрии диффузной компоненты отраженного света изучена динамика развития микрорельефа поверхности металлизации различного качества при высокотемпературном отжиге. Разработан экспрессный оптический метод контроля качества металлизации полупроводниковых структур с периодическим рельефом поверхности.

Создана установка, основными узлами которой являются лазер, гониометр и система регистрации диффузной компоненты. В данной установке на различных этапах техпроцесса задается только один параметр 1фгпах -максимально допустимый фототок диффузной компоненты, нормированный на фототок зеркальной компоненты. Определены соответствующие параметры отбраковки на этапе электронно-лучевого осаждения и этапе вжигания. Котировочные углы установки подбирались так, чтобы избежать попадания на фотодатчик зеркальной компоненты, а также исключить влияние «креста», обусловленного влиянием дифракции света на регулярном рельефе поверхности. Разработанный экспрессный метод позволяет разбраковывать 100% полупроводниковых пластин, имеющих периодический рельеф, непосредственно после нанесения металлизации, то есть на раннем этапе формирования металлизированных структур.

Для обоснования применения оптических методов проводилось исследование структуры и состава алюминиевых пленок. При этом использовались прямые методы: растровая электронная микроскопия (JSM-35CF); рентгеновский микроанализ (LJNK SYSTEM 860-500), диаметр электронного зонда 20 нм; электронная Оже-спектрометрия (09ИОС10-005); микротвердость (ПМТ-3).

Исследованию подвергались металлизированные слои полупроводниковых структур после электронно-лучевого осаждения и вжигания. Критерием качества металлизации служила механическая прочность, оцениваемая стандартным способом по усилию отрыва жестких выводов.

В результате исследования металлизации неудовлетворительного качества (образцы первой группы) установлено следующее. Микроструктура, определяемая средним размером зерен D3 = (0,40 ± 0,02) мкм, практически не изменяется после напыления и вжигания. На алюминиевой поверхности появляются включения округлой формы, средний размер (d), поверхностная плотность (а) и удельная площадь (Syfl) которых возрастает с увеличением длительности вжигания. Изучена кинетика роста включений. Микроанализом установлено, что включения являются оксидом алюминия А1203, обогащенным Si. Вероятно, включения появились из-за реакции А1 и Si02, при высокой температуре.

Микроструктура поверхности металлизации удовлетворительного качества (образцы второй группы) после напыления подобна структуре, рассмотренной выше. Средний размер зерна составляет D3 = (0,31 ± 0,02) мкм. В результате вжигания образуется бугорковая структура. Микроанализом установлено, что состав всех точек поверхности, включая бугорки, одинаков и соответствует алюминию. Микротвердость образцов второй группы ниже, чем у первой, и при вжигании уменьшается в 1,5 раза. При отжиге в слоях металлизации образцов второй группы происходят процессы рекристаллизации и снятия напряжений, которые приводят к повышению шероховатости поверхности.

Особенности микроструктуры, возникающие в процессе вжигания, обусловлены обогащением пленки алюминия кислородом и большей степенью окисления подложки кремния при напылении, вызванной неконтролируемым изменением вакуумного режима. При этом кислород в алюминии располагается как по границам зерен, задерживая при отжиге начало рекристаллизации, так и на поверхности в составе окисла, препятствуя развитию "бугорковой" структуры. Появление частиц окисной фазы (А1203) связано, вероятно, с взаимодействием алюминия с сильно окисленными участками кремния.

Значения эллипсометрических параметров \|/ и Л после операции напыления, на площадках обеих групп значительно отличаются, что согласуется с данными о наличии на поверхности образцов первой группы алюминия диэлектрической пленки.

Таким образом, прямыми методами подтверждена приемлемость использования в качестве методов контроля качества контактной системы эллипсомет-рии и фотометрии диффузно отраженного света.

Заключение.

1. Для дальнейшего совершенствования микроэллипсометричекого метода разработана математическая модель определения величины контраста эллипсометрического изображения малых структур. Представленная математическая модель, основанная на формализме матриц Джонса, позволила проанализировать эллипсометрический контраст между исследуемой структурой и ее окружением, для системы Si02-Si. В результате были построены теоретические номограммы, позволяющие определить величину эллипсометрического контраста изображения малых структур для системы Si02-Si.

Для толщин окисла кремния, применяемого в технологии СБИС, получено экспериментальное подтверждение теоретической модели контраста локального эллипсометрического изображения. Установлено, что для технологической толщины окисла кремния 120 нм, практически во всём диапазоне толщин окисла исследуемых структур, наблюдается хороший эллипсометрический контраст, имеющий максимум при толщине окисла в «окне» 90 нм и 70% от максимального, при толщинах окисла на структурах от 0 до 20 нм. Для технологических толщин окисла кремния 80 и 100 нм с увеличением толщины окисла на структуре эллипсометрический контраст параболически снижается до нуля.

С помощью полученных номограмм можно моделировать на поверхности СБИС структуры, позволяющие повышать разрешающую способность эллипсометрических измерений. Например, для малой структуры с остаточным окислом до 20 нм необходимо организовать окружающий окисел толщиной 165-170 нм. При этих условиях наблюдается максимальный эллипсометрический контраст исследуемой структуры и ее окружения.

2. На основе модели эллипсометрического контраста изображения разработана методика контрастной эллипсометрической микроскопии конденсированных сред, обладающих стабильными оптическими параметрами. Предложена и реализована схема автоматического контрастного эллипсометрического микроскопа. При изучении кинетики роста пленок от нулевых значений предлагаемый автоматизированный контрастный эллипсометрический микроскоп может быть использован для измерения толщин в диапазоне всего эллипсометрического периода. Преимущество предлагаемого микроскопа состоит в его относительной простоте, так как углы оптических элементов фиксированы, а системой регистрации может служить обычный фотодиод. Ограничение контрастного эллипсометрического микроскопа в том, что он может быть использован для пленок и подложек, обладающих стабильными оптическими параметрами.

3. Исследовано физическое ограничение метода лазерной эллипсометрической микроскопии, связанное с дифракцией лазерного излучения. Интенсивность компонент «Р» и «S» поляризованного света, отражённого от малой структуры, различна из-за различного характера дифракции этих компонент. Следовательно, появляется дополнительная погрешность эллипсометрических измерений малых структур. Установлено, что при длине волны лазерного излучения Х=0,63 мкм и характерном размере структуры порядка нескольких микрометров для больших углов падения «70° погрешность эллипсометрических измерений может достигать 60-70%. При угле падения 45° данная погрешность не превышает 2-3 процентов. Таким образом, при эллипсометрическом контроле малых структур, соизмеримых с длиной волны лазерного излучения, более надёжными являются результаты, полученные при малых углах падения.

4. Разработана и изготовлена в заводских условиях микроэллипсометрическая приставка к эллипсометру ЛЭФ-ЗМ. Приставка располагается в плече анализатора эллипсометра и содержит следующие элементы: поляризационный объектив на вращающемся держателе; блок диафрагм с микроэллипсометриче-скими винтами; оптический микроскоп, который через переходные кольца крепится к блоку диафрагм. В конструкцию приставки вводилась малогабаритная видеокамера «SONY» чёрно-белого изображения и монитор. Блок диафрагм в конструкцию приставки введен для повышения точности измерений. Он позволяет изменять площадь сечения диафрагмируемого отверстия от 50x50 до 10000x10000 микрометров. Кроме того, отверстия диафрагмы могут подбираться по форме, подобной исследуемой структуре. Поскольку перед диафрагмой располагается поляризационный объектив кратности х9, то размер исследуемой структуры, изображение которой проходит сквозь минимальное отверстие диафрагмы, равняется =5 мкм.

С помощью эллипсометрической приставки были измерены параметры окисных пленок кремния на структурах с размерами от 2500х500мкм до размеров 5х5мкм. Получена устойчивая повторяемость и сопоставимость результатов для различных площадей структур, имеющих пленки одинаковой толщины, выращенные в одном технологическом процессе. С высокой точностью измерена толщина окисной пленки структуры 5х5мкм, относительная погрешность измерения составила ±1,75% при доверительной вероятности 0,95.

5. С использованием статистики Гиббса построена физико-математическая модель нелинейного электроотражения от центросимметричных полупроводников при наличии поверхностного заряда с немоноэнергетическим дискретным спектром, обусловленным многозарядными ловушками на границе полупроводник-диэлектрик. Данная модель является более общей, по сравнению с моделью нелинейного электроотражения, для области пространственного заряда, обусловленной моноэнергетическими центрами. Эффект перезарядки поверхности позволяет уменьшить число уравнений модели и существенно их упростить.

6. Разработана методика нелинейно оптической диагностики многозарядных центров на поверхности центросимметричных полупроводников, имеющих тонкий поверхностный диэлектрический слой и погруженных в электролит для приложения модулирующего электростатического поля. Методика позволяет определять величину и тип поверхностных состояний.

Благодаря эффекту перезарядки поверхности, выявлены дополнительные возможности метода нелинейного электроотражения. При этом измеряется коэффициент нелинейного электроотражения от двух образцов полупроводника, имеющих различную концентрацию многозарядных центров на поверхности (например, Аи). По экспериментально определяемым величинам потенциала электролит - полупроводник и коэффициенту НЭО в точке пересечения кривых определяются два параметра полупроводника, например, соотношение носителей X - yjр0 /п0 и толщина диэлектрического слоя Ld.

7. На примере ионов золота на поверхности кремния аналитически и численными методами изучено влияние многозарядных поверхностных состояний на вид кривых нелинейного электроотражения.

8. Создана экспериментальная установка для изучения электрофизических свойств поверхности полупроводников с помощью явления нелинейного электроотражения. В качестве источника накачки использовался YAG:Nd3+ лазер. Излучение ВГ проходило через монохроматор и попадало на систему регистрации. Для диагностики поверхности промышленных образцов - пластин кремния диаметром 100-150 мм - была разработана специальная электрохимическая ячейка. Потенциал электролита варьировался относительно объема полупроводника.

9. С целью исследования возможности измерений нелинейного электроотражения на воздухе проводилась модернизация установки. Потенциал <psc создавался непосредственно на воздухе с помощью тока коронного разряда, протекающего между исследуемой поверхностью полупроводниковой пластины и высоковольтным электродом, размещаемым над исследуемым участком. Варьирование величины и знака (psc достигалось изменением величины и знака потенциала высоковольтного электрода UK, а измерение <psc осуществлялось электростатическим вольтметром.

Использование тока коронного разряда для наложения электростатического поля позволяет, по сравнению с традиционной электрохимической методикой, существенно расширить диапазон толщин оксидной пленки и прилагаемого к границе раздела Si-Si02 напряжения, исключить из физико-математической модели нелинейного электроотражения параметр LH, снижающий точность определения cpsc за счет перераспределения прикладываемого потенциала на слое Гельмгольца, кроме того, возрастает экспрессность метода нелинейного электроотражения.

10. Методом нелинейного электроотражения проведено исследование зарядового состояния поверхности промышленных образцов кремния с многозарядными ловушками - ионами золота. Метод позволил выявить ожидаемое различие в плотности поверхностных состояний на различных образцах, вызванное варьированием температурных режимов процесса растворения золота в кремнии. Показано, что, по крайней мере, в случае малой толщины диэлектрического слоя на поверхности, метод нелинейного электроотражения предпочтительнее метода вольт - фарадных характеристик.

11. На основе проведенных комплексных исследований разработан эллипсометрический экспресс-метод контроля качества алюминиевой металлизации. В его основе лежит серийный эллипсометр ЛЭФ-ЗМ-1, снабженный устройством фокусировки лазерного луча. Устройство фокусировки позволило применять экспресс-метод для разбраковки металлических площадок размером до 15 мкм. Время измерения составляло 0,5 секунд. Для каждой технологической операции задаются эллипсометрические параметры идеальной структуры, а также максимально допустимое значение тока фотодатчика, который определяется по экспериментально установленным границам для годной металлизации. Если в результате измерений фототок превысит максимально допустимое значение, то соответствующая тестируемая структура забраковывается компьютером. При соответствующей технической оснащенности и автоматизации метод позволяет охватить 100 % полупроводниковых структур, имеющихся на пластине.

12. Исследования, проведенные в разделе 4.4, показали, что у образцов металлизации первой и второй групп должны существенно отличаться параметры шероховатости поверхности. Сравнение индикатрис рассеяния света на поверхностях алюминиевой металлизации полупроводниковых и диэлектрических слоев, представленные в разделе 4.3, подтвердили этот вывод.

Разработан экспрессный оптический метод контроля качества металлизации полупроводниковых структур с периодическим рельефом поверхности. В основе метода лежит фотометрия диффузной компоненты отраженного света.

Создана установка, основными узлами которой являются лазер, гониометр и система регистрации диффузной компоненты. В данной установке на различных этапах техпроцесса задается только один параметр - максимальный фототок диффузной компоненты, нормированный на фототок зеркальной компоненты. Определены соответствующие параметры отбраковки на этапе электронно-лучевого осаждения и этапе вжигания. Котировочные углы установки подбирались так, чтобы избежать попадания на фотодатчик зеркальной компоненты, а также исключить влияние «креста», обусловленного влиянием диф-фракции света на регулярном рельефе поверхности. Разработанный экспрессный метод позволяет разбраковывать 100% полупроводниковых пластин, имеющих периодические структуры, непосредственно после нанесения металлизации, то есть на раннем этапе формирования металлизированных структур.

13. Для обоснования применения оптических методов проводилось комплексное исследование структуры и электрофизических параметров алюминиевых металлизированных слоев на различных стадиях их изготовления.

Структура и состав алюминиевых пленок исследовались с помощью растрового электронного микроскопа (РЭМ) JSM-35CF и установленной на нем системы рентгеновского микроанализатора LJNK SYSTEM 860-500; диаметр электронного зонда 20 нм. Элементный состав металлической пленки определялся при помощи электронного Оже-спектрометра 09ИОС10-005. Микротвердость измерялась на микротвердомере ПМТ-3.

Исследованию подвергались металлизированные слои полупроводниковых структур после электронно-лучевого осаждения и вжигания. Критерием качества металлизации служила механическая прочность, оцениваемая по усилию отрыва.

В результате исследования металлизации неудовлетворительного качества (образцы первой группы) установлено следующее. Микроструктура, определяемая средним размером зерен D3=(0,40± 0,02) мкм, практически не изменяется после напыления и вжигания. Наряду с этим, на алюминиевой поверхности появляются включения округлой формы. Изучена кинетика роста включений, средний размер (d), поверхностная плотность (а) и удельная площадь (SyA) которых возрастает определенным образом с увеличением длительности вжигания. Химический микроанализ позволил установить, что эти включения являются оксидом алюминия А12Оз и обогащены Si.

Микроструктура поверхности металлизации удовлетворительного качества (образцы второй группы) после напыления подобна структуре, рассмотренной выше. Средний размер зерна составляет D3 = (0,31 ± 0,02) мкм. При отжиге образуется бугорковая структура. Микроанализом установлено, что состав всех точек поверхности, включая бугорки, одинаков и соответствует алюминию. Микротвердость образцов второй группы существенно ниже, чем у первой, и при вжигания уменьшается в 1.5 раза. При отжиге образцов второй группы происходят процессы рекристаллизации и снятия напряжений.

Следовательно, особенности микроструктуры, возникающие в процессе вжигания, обусловлены обогащением пленки алюминия кислородом и большей степенью окисления подложки кремния при напылении, вызванной неконтролируемым изменением вакуумного режима. При этом кислород в алюминии располагается как по границам зерен, задерживая при отжиге начало рекристаллизации, так и на поверхности в составе окисла, препятствуя развитию "бугорковой" структуры. Появление частиц окисной фазы (А12Оз) связано, вероятно, с взаимодействием алюминия с сильно окисленными участками кремния.

Образцы обеих групп алюминиевой металлизации были исследованы эллип-сометрическим методом. Значения эллипсометрических углов на образцах, полученных после операции напыления, на площадках обеих групп значительно отличаются по А и что коррелирует с обнаруженной на поверхности образцов первой группы алюминия диэлектрической пленкой. Эта разница сохраняется для образцов, прошедших разное время вжигания.

Таким образом, прямыми методами подтверждена приемлемость использования, в качестве методов контроля качества контактной системы, эллипсометрической микроскопии и фотометрии диффузно отраженного света.

1. Аззам Р., Башара В. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981.

2. Основы эллипсометрии / Под ред. А.В. Ржанова. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1979 , 424 с.

3. Горшков М.М. Эллипсометрия. М.: Сов. Радио, 1974.

4. Громов В.К. Введение в эллипсометрию: Учеб. пособие. Д.: Изд. Ленинград. Университет, 1986,192 с.

5. Greef R. Ellipsometry Compr , Treatise Electrochem., vol. 8, New York, London, 1984, Pp. 339-371.

6. Пшеницин В.И., Абаев М.И., Лызлов Н.Ю. Эллипсометрия в физико -химических исследованиях , Л.: Химия, 1986, -152 с.

7. Концевой Ю.А., Кудрин В.Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. -М.: Энергия , 1973.

8. Резвый P.P. Эллипсометрия в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1983,-120 с.

9. Концевой Ю.А. Эллипсометрические методы контроля в микроэлектронике. В кн./ Современные проблемы эллипсометрии. Новосибирск: Наука, 1980.-с. 11-20.

10. Matsuda Shiro, Sugimoto Katsuhisa. Spectroscopic ellipsometry and microscopic ellipsometry. Nippon Kinzoku Carrai Kaiho, 1981. 20(7), Pp. 617-620.

11. Лонский Э.С. Эллипсометрия : теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1991, - с. 138.

12. Концевой Ю.А., Резвый P.P., Гололобов В.М. Заводская лаборатория. -1971. -т.37, №2. с.184.

13. Анциферов А.П. и др. /Микроэлектроника. 1975. - т.4,№3. - с.273.

14. Mishima Teruhito, Као Kwanc. Jmpoved lateral resolutions in the thickness measurement of thin films by ellipsointer ferometry. - Appl., Opt., 1982, 21, №23, Pp. 4203-4204.

15. Mishima Teruhito, Kao Kwanc. Detection of thickness uniformity of film layers in semiconductor devices by spatially resobvec ellipsointerferometry.- Opt. Eng.-1982,Vol. 21,N6 p. 1074.

16. Mishima T. Recent trends of studies on ellipsointerferometry. Bull. Fac. Eng. Horraido Univ. - 1983., N112. -p.47 .

17. Cohn R. et al. /J.Appl.Opt. 1988 ,- Vol. 27,N 22.-p.4664.

18. PaduchekP. et al./Microel. Manuf. Test.-1988, Vol.ll, N8.-p.13.

19. Свиташев K.K., Семененко A.M., Семененко Л.В., Соколов В.К./ Оптика и спектроскопия.- 1971. T.30.N3.-C.532.

20. Семененко А.И./ Оптика и спектроскопия.- 1971. T.39.N3.-C.587.

21. Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В., Соколов В.К./ Оптика и спектроскопия.-1973,т.34№5. с.941.

22. Erman М., Theeten J.B. Spatially reselved ellipsometry. J. Appl. Phys.1986.-Vol.60,N3.-p.859.

23. Спесивцев E.B., Федоринин B.H. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. -Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1991.-с.84.

24. Егорова Г.А., Лонский Э.С., Потапов Е.В., Раков А.В. Эллипсометрия дифрагированного света- Микроэлектронника, 1980. Т.9,№4, - с. 319-329.

25. Егорова Г.А., Лонский Э.С., Потапов Е.В. Определение линейных размеров микросхем методом дифракрационной эллипсометрии.- Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1987.-е. 117120.

26. Егорова Г.А., Лонский Э.В., ЛонскаяЕ.Э. Метод дифракционной эллипсометрии для определения линейных размеров элементов микросхем. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние,1987.-c.120.

27. Волкова Л.В., Кривенко Ю.В., лонский Э.С./ Метрологическая служба в СССР. -№3.-с.21.

28. Егорова Г.А., Лонский Э.С., Потапов Е.В., Раков А.В. Дифракционная эллипсометрия для определения толщины остаточных пленок в окнах малыхразмеров при контроле структур СБИС- Микроэлектронника, 1982. Т.11,№5, -с. 387-392.

29. ЛонскийЭ.С. Основное уравнение эллипсометрии для тестовых дифракционных решеток, применяемых при контроле структур БИС. Микроэлектроника, 1981, т. 10,вып.6 с.537-542.

30. Uri Ben J. Polarization ant interference in optics. VIII. Reflection from metal gratings. Surface smoothness. Optic, 1983, 63,N3,191-201.

31. Егорова Г.А., Капаев B.B., Потапов E.B. Эллипсометрические аномалии дифракционных порядков на решетках. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. -Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1987.-е. 111-117.

32. Федоринин В.Н. Метод эллипсометрического анализа периодических структур. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. - Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1987.-с.123-126.

33. Волкова Л.В., Кривенков Ю.В., Лонский ЭюС. Виноградова Н.М. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1991-С.79.

34. Егорова Г.А., Капаев В.В., Потапов Е.В. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1987.-е. 117-120.

35. Интегральная оптика / Под. ред. Т. Тамира.- М.: Мир, 1978. с. 130.

36. Егорова Г.А., РезвыйР.Р., Шишко В.А. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1991.-c.200.

37. Lee С.Н., Chang R.K., Bloembergen N. Nonlinear electroreflectance in silicon and silver/Phys. Rev. Lett. 1967. V. 18. N 5. Pp. 167-170.

38. Bloembergen N., Chang R.K., Jha S.S., Lee C.H. Optical second-harmonic generation by reflection from media with invertion symmetry / Phys. Rev. 1968. V. 174. N3. Pp. 813-822.

39. Tom H.W.K., Heinz T.F., Shen Y.R. Second-harmonic reflection from silicon surface and its relation to structural symmetry / Phys. Rev. Lett. 1983. V. 51. N 21. Pp.1983-1986.

40. Guidotti D., Driscoll T.A. Second-harmonic generation in centro-symmetric semiconductors / И Nuovo Cimento. 1986. V 8D. N 4. Pp. 385- 416.

41. Акципетров O.A. Мишина У.Д. Нелинейно-оптическое электроотражение в германии и кремнии . ДАН СССР. 1984. Т. 274. N 1. С. 62-65.

42. Ахманов С.А., Галяутдинов М.Ф., Коротеев Н.И. и др. Определение степени разупорядочения поверхности нецентросимметричного полупроводника по генерации оптических гармоник и суммарных частот. Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. Вып. 18. С. 1118-1122.

43. Ахманов С.А., Емельянов В.И., Коротеев Н.И., Семиногов В.Н. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика. УФН. 1985. Т. 147. Вып. 4. С. 675-745.

44. Richmond G.L., Robinson J.M., Shannon V.L. Second harmonic generation studies of interfacial structure and dynamics / Progress in Surface Science. 1988. V/ 28(1). Pp. 1-70.

45. Lupke G. Characterization of semiconductor interfaces by second-harmonic generation // Surface Science Reports. 1999. V. 35. Pp. 75-161.

46. Анисимов А.Н., Перекопайко Н.А., Петухов А.В. Связь анизотропии излучения отраженной второй гармоники с ориентацией поверхности кристалла. Квантовая электроника. 1991. Т. 18. N 1. С. 91-94.

47. Акципетров О.А., Баранова И.М., Ильинский Ю.А. Вклад поверхности в генерацию отраженной второй гармоники для центросимметричных полупроводников / ЖЭТФ. 1986. Вып. 1(7). С. 287-297.

48. Акципетров О.А., Баранова И.М., Есиков Д.А. и др. Нелинейно-оптический отклик поверхности в центросимметричных полупроводниках / ДАН СССР. 1987. Т. 294. N 3. С. 579-583.

49. Sipe J.E., Mizrahi V., Stegeman G.I. Phenomenological theory of optical second- and third-harmonic generation from cubic centrosymmetric crystals / Phys. Rev. B. 1987. V. 35. N 3. Pp. 1129-1141.

50. Heinz T.F., Loy M.M., Thompson W.A. / Study of Si(l 11) surfaces by optical second-harmonic generation: reconstruction and surface phase transformation / Phys. Rev. Letts. 1985. V. 54. N 1. Pp. 63-66.

51. Ильичев Э.А., Краснов В.Ф. и др. Неразрушающий экспресс-контроль пластин арсенида галлия методами нелинейной оптики / Электронная промышленность. 1990. N 10. С. 46-48.

52. Акципетров О.А., Баранова И.М., Григорьева Л.В., Евтюхов К.Н. и др. ГВГ на границе раздела полупроводник-электролит и исследование поверхности кремния методом нелинейного электроотражения / Квантовая электроника. 1991. Т. 18. N8. С. 943-948.

53. Акципетров О.А., Баранова И.М., Евтюхов К.Н., Мурзина Т.В., Черный И.В. Отраженная вторая гармоника в вырожденных полупроводниках нелинейное электроотражение при поверхностном вырождении / Квантовая электроника. 1992. Т. 19. N 9. С. 869-876.

54. Dadap J.I., Xu Z., Hu X.F., Downer M.C., Russel N.M., Ekerdt J.G., Aktsipetrov O.A. Second-harmonic spectroscopy of a Si(OOl) surface during calibrated variations in temperature and hydrogen coverage / Phys. Rev. B. 1997. V. 56. N20. Pp. 13367-13379.

55. Aktsipetrov O.A., Fedyanin A.A., Melnikov A.V. et al. Dc-electric-field-induced and low-frequency electromodulation second-harmonic generation spectroscopy of Si(001)-Si02 interfaces / Phys. Rev. B. 1999. V. 60. N 12. Pp. 8924-8938.

56. Fisher P.R., Daschbach J.L., Gragson D.E., Richmond G.L. Sensitivity of second harmonic generation to space charge effects at Si(lll)/electrolyte and Si(lll)/Si02/ electrolyte interfaces / J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12. N 5. Pp. 2617-2624.

57. Fisher P.R., Daschbach J.L., Richmond G.L. Surface second harmonic studies of Si(lll)/electrolyte and Si(lll)/Si02/ electrolyte interfaces / Chemical Physics Letters. 1994. V. 218. Pp. 200-205.

58. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1975. 206 с.

59. Акципетров О.А., Баранова И.М., Кулюк Л.Л. и др. Нелинейно-оптическое электроотражение в фосфиде кадмия / 1986. Т. 28. N 10. С.3228-3230.

60. Баранова И.М., Евтюхов К.Н. Генерация второй гармоники и нелинейное электроотражение на поверхности центросимметричных полупроводников / Квантовая электроника. 1995. Т. 22. N 12. С.1235-1240.

61. Баранова И.М., Евтюхов К.Н. Генерация второй гармоники и нелинейное отражение на поверхности полупроводниковых кристаллов класса m3m /Квантовая электроника. 1997. Т. 24. N 4. С. 347-351.

62. Келих С. Молекулярная нелинейная оптика. М.: Наука. 1981. 670 с.

63. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука. 1982. 108 с.

64. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллографии. М.: Наука. 1979. 639 с.

65. Борн М„ Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука. 1973. 719 с.

66. Тягай В.А., Снитко О.В. Электроотражение света полупроводниками. Киев: Наукова думка. 1980. 302 с.

67. Кринчик Г.С. Динамические эффекты электро- и пьезоотражения света кристаллами / УФН. 1968. Т. 94. Вып. 1. С. 143-154.

68. Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.В. Фотоэлектрохимия полупроводников. М.: Наука. 1983. 312 с.

69. Aspnes D.E., Studna А.А. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6/0 eV / Phys. Rev. B. 1983. V. 27. N2. Pp. 985-1009.

70. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. литературы. 1977. 672 с.

71. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа. 1969. 592 с.

72. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 2. М.: Мир. 1984. 446 с.

73. Резвый P.P., Буйко Л.Д., Концевой Ю.А., Пилипенко В.А. Применение эллипсометрических методов контроля на различных этапах технологического процесса изготовления интегральных схем/ Микроэлектроника. 1976. Т. 5. Вып.4. С.334-337.

74. Резвый P.P., Шевчук А.В., Бузовкина В.А. Исследование возможностей определения качества вскрытия контактных окон под жесткие выводы в эпи-таксиально планарных полупроводниковых приборах / Электронная техника. Сер.2. 1975.№1. С.34-36.

75. Arsov L., Popov В., Prusi A. Optical properties of oxide film on the electro-polished metallic surfaces in visible spectral range. /31 st.Meet. Jnt. Soc. Electro-chem. Venice. 1980. Extend. Abstr. Vol. 2. S.l. P.581-583.

76. Grimblot J., Eldridge J.M. II. Oxidetion of A1 Films./ J. Soc. Electrochem. 1982. N10. P.2369-2372.

77. Katoh Y., Tanade K., Nichikami O. An ellipsometric study of oxide growth on Nb, A1 and Nd3Al films by rf. plasma / Jap. J. Appl. Phys. 1982. 21 N2. Part2. P. 100-102.

78. Hayden B.E., Wyrobisch W., Oppermenn W., Hachicha S., Hofmann P., Bradshaw A.M. The interaction of oxygen with aluminum: Mainly ellipsometric aspects./ Surface Sci., 1981. 109. N1. P.207-220.

79. Szucs В., Adam J.,Jakab P. Ellipsometric stady of semiconductor metal end metal oxide thin films system./ Acta phys. Acad. Sci. Hung. 1981. 49. N1-3. 156-166.

80. Grimblot J., Eldridge J.M. I. Interaction of A1 films with 02 at low pressures./ J. Electrochem. Soc., 1982. 129 N10. P.2366-2368.

81. Pedinoff M.E., Stafsudd O.M., Multiple angle ellipsometric analysis of surface layers and surface layer contaminants. / Appl. Opt. 1982. 21.N3 P.518-521.

82. Greet R., Norman C.F.W. Ellipsometry of the growth and dissolution of anodic oxide film on aluminum in alkaline Solution./ J. Electrochem. Soc. 1985. Vol.132. N10. P.2362-2369.

83. Егорова Г.А., Потапов E.B., Раков А.В. Эллипсометрия тонких прозрачных пленок на алюминии. / Оптика и спектроскопия. 1976. Т.41. Вып.4. С.643-647.

84. Громов В.К . Введение в эллипсометрию. / Л.: Из-во Ленинградского унта. 1986. С.192.

85. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения: Сб. статей: в 8т. Пер. с англ./ под. Ред. Хасса Г., Туна Р.Э. / М.: Мир. 1967. Т.2. С. 172.

86. Allen Т.Н. Study of А1 With combined Auge electron spectrometer ellip-someter system / J. Vac. Sci. Technology. 1976. Vol.13. N1. P. 112-115.

87. Жарковский E.M., Вощукова E.A., Шутов Д.Г., Концевой Ю.А., Резвый P.P. Исследование качества алюминиевой контактной системы транзисторных структур эллипсометрическим методом / Электронная техника Сер.2, Полупроводниковые приборы. 1991. Вып.1. С.54-58.

88. Антонов В.А., Пшеницин В.И. Отражение поляризованного света шероховатой поверхностью./ Оптика и спектроскопия, 1984. Т.56.Вып.1.С.146-154.

89. Чураева М.Н., Зорин З.М. Исследование поверхности алюминия и определение его оптических постоянных методом эллипсометрии./ Поверхность . Физика, Химия. Механика. 1985.№11. С.69-73.

90. Егорова Г.А., Потапов Е.В. Экспериментальные исследования возможностей измерения диэлектрических пленок на алюминиевых пленках . / Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск.: Наука. Сиб. отд-ние 1991 г. С.195-199.

91. Лукьянов B.C., Рудзит Я. А. Параметры шероховатости поверхности ./ М.: Издательство стандартов. 1979. С. 162.

92. Топорец А.С. Оптика шероховатой поверхности. / Л.: Машиностроение. Ленингр. Отд-ние. 1988. С. 191.

93. Bennet J.M., Dancy J.H. Stilus profiling instrument measuring statistical properties of smooth optical surfaces/ Applied Optics.1981. V.20/N10.P.1785-1802.

94. Кучин A.A., Обрадович K.A. Оптические приборы для измерения шероховатости поверхности./Л.: Машиностроение. 1981. С.198.

95. Vorburger T.V., Ludema К.С. Ellipsometry of rough surfaces./ Applied Optics. 1980. V.19. N4. P.561-573.

96. Белдерс Р.Б. Калныня Р.П. Фелтынш И. А. Эллипсометрические исследования шероховатых поверхностей кремния./ Оптика и спектроскопия. 1982. Т.53.№3. С.507-511.

97. Зорин З.М., Чураева М.Н. Влияние шероховатости поверхности на значение оптических постоянных металла, определяемые методом эллипсометрии./ Оптика и спектроскопия. 1982. Т.52. №6.С. 1046-1051.

98. Зорин З.М., Чураева М.Н. Построение оптической модели отражающей системы при эллипсометрическом исследовании физико-химических процессов./ В кн.: Эллипсометрия методы исследования поверхности. Новосибирск 1983. С.66-70.

99. Ржанов А.В. Свиташева С.Н., Свиташев К.К. Графический метод интерпретации результатов эллипсометрических измерений на шероховатых поверхностях./Докл. АН СССР. 1983. Т.273. №5. С.1123-1126.

100. Ohira F. Ellipsometric characterization of Si Surface damage induced by sputter et ching./J.Electrochem. Soc.1983.130. N5. P. 1201-1206.

101. Smith Т., Crane R., NDE and effect of contamination and process errors on bond strength and durability ./Natl. SAMPE Symp. Exhib. 1980. P.25-38.

102. Smith T. The effect of gross roughness on ellipsometry./ J.Electroanal. Chem. Interfacial Electrochem. 1983.150. N1-2. P. 277-290.

103. Vorburger Т. V., Ludemz K.C. Ellipsometry of rough surfaces. / Appl. Opt. 1980. 19. N4.P.591-593.

104. Мардежов A.C., Швецов В.А. К вопросу об интерпретации результатов эллипсометрических измерений./ Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука Сиб. отд-ние. 1987.С.83-86.

105. Гайнер А.В., Сурдутович Г.И. О критериях шероховатости и неоднородности поверхностного слоя при эллипсометрических измерениях./ Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука Сиб. отд-ние.1987.С.50-53.

106. Пшеницин В.И., Храмцовский И.А. Методы эллипсометрического анализа неонородных поверхностных слоев и шероховатых поверхностей./ Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука Сиб. отд-ние.1987.С.20-33.

107. Глинский И.А., Брагинский JI.C. Отражение света от неровностей металлической поверхности: случайных пологих и малых непологих неровностей./ Машиностроение. 1992.С.135.

108. Воронов Б.Н., Финарев М.С. Исследование шероховатости поверхности алюминиевой металлизации методом фотометрии рассеянного излучения./ Заводская лаборатория. 1982.№7.С.45-47.

109. Платник Л.С., Никитский В.П., Черемский П.Г. и др./ Ф.М.М. 45. 1978. Вып.6. С.1205.

110. Платник Л.С., Черемский П.Г., Фукс М.Я. Поры в объектах./М. Энерго-издат. 1982. 216 с.

111. Vercerk M.J., Vander Kolk G.J./ J.Vac. Sfei.Technol. 1986 A.G. N6, P.3101.

112. Vercerk M.J., Bgankaert W. A.M.C. Thin lolid films./ 1986. 239 p.

113. Vander Kolk G.J., Vercerk M.J./J. Appl. Phys. 59.N12. P.4062.

114. Точицкий Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок./ Минск. Наука и Техника. 1976.С.376.

115. Эдельман Ф.Л. Структура компонент БИС./Новосибирск. Наука. 1980. 255 с.

116. Гершинский А.Е., Хоменко А.А., Черепов Е.И./ Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1976. Т. 12. №4. С.627-631.

117. Pgabriputaloong К., Piggott G.J./ Electrochem. 1979 Foe. 121. N3. P.430-434.

118. Cavanagh E., Franko J., Walson de RecaN.E. Japan./ J. Appl. Phys. 15. 1976. N10. P.1877-1882

119. Платник A.C., Бойко Б.Т., Лебедева M.B. / Известия АН СССР. Серия Физическая. 1974.38.№11.

120. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж.Мейера. // М. Мир. 1982. 576 с.

121. Lu N.C.C., Lu C.Y., Lee V.K. Cfal ./ J. Electrochem. 1984. Vol.131. N4. P. 897-902.

122. Практическая растровая электронная микроскопия. Под ред. Голдстейна Дж., Яковица X. / М.: Мир. 1978. 656 с.

123. Геллер Ю.А., Ракттадт А.П. Материаловедение./ М.: Металлургия. 1989. С.283.

124. Gland С.С. / J. Electrochem. 1984. Vol.48. N14. Р.909.

125. Михеев В.И. Рентгенометрический определитель минералов./ М.: Наука. 1957. 740 с.

126. Бобков В.А., Буйко Л.Д., Лесникова В.П. и др. / Микроэлектроника. 1988. Т.17. С.377-379.

127. Милне.А., Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках./ М.: Мир. 1977. 562 с.

128. Morse P.M., Rubenstein Р.1./ Phys. Rev. 1938. v. 54. p. 895.

129. Жарковский Е.М., Шутов Д.Г., Черенова Н.С., Концевой Ю.А., Резвый P.P. Структура и свойства алюминиевой контактной системы эпитаксиально -планарных транзисторов. / Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1991.-Вып.З(210)-с.58-67.

130. Dantsev O.N., Jarkovskii E.M., Kontsevoy Yu. A., Shutov D.G., Resvyi R.R. About laser ellipsometric microscopy resolution method / International conference ALT'92. Moscow, 1992 - Book of summaries. Part 3 - p.133-136.

131. Жарковский E.M., Концевой Ю.А., Резвый P.P. Шутов Д.Г. Экспрессный эллипсометрический метод контроля качества алюминиевой металлизации / Заводская лаборатория. 1992 - № 4 - с.41-42.

132. Концевой Ю.А., Жарковский Е.М., Шутов Д.Г., Резвый P.P. Контраст и разрешающая способность метода эллипсометрической микроскопии / Заводская лаборатория. 1993 - № 9 - с.26-29.

133. Баранова И.М., Евтюхов К.Н., Жарковский Е.М., Концевой Ю.А., Шутов Д.Г. Оптический метод контроля качества алюминиевой металлизации полупроводниковых структур / Заводская лаборатория. 1994 - № 11 - с.32-35.

134. Шутов Д.Г. Использование коронного разряда в методе нелинейного электроотражения / Там же, с.286-288.

135. Шутов Д.Г. Исследование зарядового состояния поверхности кремния с многозарядными поверхностными состояниями / Там же, с.289-291.

136. Шутов Д.Г., Концевой Ю.А. Повышение точности и разрешающей способности микроэллипсометрических измерений / Заводская лаборатория. 2002 -№ 5 - с.36-39.