автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Закономерности формирования и свойства ионно-синтезированных систем на основе нанокристаллических включений кремния в двуокиси кремния и аморфном кремнии

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Обзор литературы.

1.1. О проблеме создания оптоэлектронных устройств на базе кремния.

1.2. Квантовые точки и их свойства.

1.3. Свойства полупроводниковых нанокристалличе-ских включений в матрице двуокиси кремния и аморфного кремния.

1.3.1. Введение.

1.3.2. Нанокристаллы 81 и Ое в 8Ю2, полученные без применения ионной имплантации.

1.3.3. Нанокристаллы 8г и Ое в БЮг, полученные методом ионной имплантации.

1.3.4. Влияние легирующих примесей на люминесценцию, связанную с нанокристаллами Бг в матрице двуокиси кремния.

1.3.5. Нанокристаллы ,57 в матрице

1.3.6. Нанокристаллы А3В5 и /ЬД* в ЗЮг.

1.4. Оптические и люминесцентные свойства двуокиси кремния.

1.5. Люминесцентные свойства аморфного кремния.

1.6. Формулировка задач исследований.

ГЛАВА 2. Исследование люминесцентных свойств двуокиси кремния с нановключениями кремния (ЙО^'Л').

2.1. Методика эксперимента.

2.1.1. Подготовка образцов.

2.1.2. Методика исследования свойств экспериментальных образцов.

2.2. Закономерности влияния режимов ионной имплантации на фотолюминесценцию системы SiÖ2'.Si на подложке кремния {SiÖ2'-Si)/Si.

2.3. Теоретический анализ процесса формирования на-новключений Si в S1O2 при ионной имплантации.

2.4. Выводы.

ГЛАВА 3. Исследование влияния легирования мелкими примесями на люминесцентные свойства двуокиси кремния с нановключениями кремния (,SiÖ2: Si).

3.1. Методика эксперимента.

3.2. Влияние легирования мелкими примесями на люминесцентные свойства системы {SiÖ2'Si) /Si.

3.3. Теоретический анализ влияния легирования на-новключений Si донорной примесью.

3.4. Выводы.

ГЛАВА 4. Свойства системы a-Si:nc-Si, полученной методом ионной имплантации тяжелых ионов в кристаллический кремний.

4.1. Компьютерное моделирование процесса формирования системы a-Si:nc-Si.

4.2. Методика эксперимента.

4.3. Фотолюминесценция системы a-Si:nc-Si.

4.4. Исследование эволюции системы a-Si:c-Si методом ЭПР.

4.5. Выводы.

Диссертационная работа посвящена исследованиям закономерностей формирования и свойств квантоворазмерных систем двух типов - нановшпочения 57 в матрицах и аморфном кремнии, полученных путем ионной имплантации.

Актуальность темы.

Создание излучателей света на основе кремния имеет исключительно важное значение, так как это в конечном итоге позволит интегрировать в монолитные схемы электрические и оптические системы обработки информации. В силу непрямо-зонности кремния и связанными с этим низкими люминесцентными свойствами, создание на его базе эффективных светоизлучательных приборов долгое время считалось нереальным. Однако, в последние годы наметились хорошие перспективы решения данной проблемы. В настоящее время исследования и проработки ведутся по нескольким направлениям, среди которых наибольшее количество работ посвящено пористому кремнию, дающему интенсивную фотолюминесценцию (ФЛ) при комнатной температуре [1]. Но пористый кремний обладает рядом недостатков, таких, как низкая воспроизводимость параметров, нестабильность свойств вследствие химического взаимодействия с окружающей средой, механическая непрочность, трудность совмещения способа его получения («мокрая химия») с традиционной технологией изготовления приборов и ИС на основе Все это снижает конкурентоспособность пористого кремния, как материала для опто- и микроэлектроники.

Другим оптически активным материалом, который по своей морфологии и фото люминесцентным свойствам близок к пористому кремнию, но лишен многих его недостатков, является система нановключений кремния (НВ), обладающих свойствами квантовых точек (КТ), в диэлектрической матрице 8тО2 (8Ю2'81) [2-13]. В настоящее время предложены различные методы формирования системы З/СЬ'Л, такие как плазменное осаждение, магнетронное распыление, химические методы и многие другие. Однако, большинство указанных методов все же не вполне подходят для производства интегральных схем, гак как они недостаточно хорошо сочетаются с существующими промышленными технологиями. Обычно в электронной промышленности, и в частности, в производстве интегральных схем используется ионная имплантация, как наиболее контролируемый и производительный метод введения примесей в полупроводники. Создание системы Si02'-Si методом ионной имплантации наиболее органично вписывается в стандартную планарную технологию ИС. Поэтому изучение закономерностей и особенностей формирования системы SiO^Si с применением ионной имплантации приобретает наибольшую актуальность.

Несмотря на большое число работ, посвященных исследованиям в данной области, физические принципы формирования и закономерности изменения свойств системы в зависимости от условий ионной имплантации к началу выполнения данной работы (1998 г.) оставались слабо изученными. Исследования в основном были направлены на выяснения механизмов ФЛ [6-11], а вопросы кинетики формирования НВ и связь между кинетикой формирования и эволюцией фотолюминесцентных характеристик системы оставались практически не рассмотренными. Оставался не реализованным такой важнейший резерв управления свойствами НВ, как легирование. Малые размеры НВ и, в частности, квантово-размерные эффекты в них не позволяют полностью переносить на эти объекты общепринятые в физике полупроводников представления о роли примесей. Изучение этого вопроса весьма актуально с научной и практической точек зрения.

Совсем недавно было выяснено, что решение задачи включения кремния в число материалов, используемых в оптоэлектронике, может быть достигнуто также путем синтеза двухфазной системы, представляющей собой аморфный кремний (ci-Si) с нанокристаллическими включениями (ne-Si). В данной системе (a-Si:nc-Si) была обнаружена люминесценция при комнатной температуре в видимой области спектра. Преимущество этой системы по сравнению с системой SiC>2-'Si состоит в том, что значения удельного сопротивления a-Si существенно ниже, чем Si02, и это облегчает решение задачи создания светодиодов (возбуждения электролюминесценции). Слои a-Si:nc-Si были получены методом плазменного осаждения из силана [14-16], а также путем отжига a-Si (используется начальная стадия объемной кристаллизации) [17]. Однако, в этих случаях морфология и свойства системы весьма чувствительны к режимам получения слоев, что снижает воспроизводимость параметров. Поэтому актуальной задачей, с точки зрения перспектив промышленного применения, является создание системы a-Si:nc-Si с помощью более контролируемых способов. Недавно в НИФТИ ННГУ был предложен новый способ синтеза системы a-Si:nc-Si - путем ионного облучения поверхности монокристаллического кремния. В связи с этим возникает необходимость фундаментальных исследований: изучения кинетики формирования системы и ее связи с пространственным распределением радиационных дефектов, их накоплением, формированием композита, состоящего из аморфной матрицы и внедренных в нее нанокристаллов, а также изучение закономерностей люминесценции указанной системы. Исследования ФЛ системы, синтезированной указанным способом, выполнены впервые в настоящей работе.

Совокупность выполненных исследований позволила внести вклад в новую и быстро развивающуюся область - физику полупроводниковых квантовых точек в диэлектрических, а также широкозонных (полупроводниковых) матрицах.

Цель и основные задачи работы:

Цель работы - разработка физических основ формирования и исследование люминесцентных свойств квантово-размерных структур на основе нанокристалли-ческих включений 57, полученных путем ионного облучения двуокиси кремния и монокристаллического кремния.

Основные задачи работы:

1. Установление закономерностей формирования и исследование фотолюминесцентных свойств ионно-синтезированной системы в зависимости от режимов ионного синтеза.

2. Исследование закономерностей и механизмов влияния легирования мелкими до-норными и акцепторными примесями на ФЛ системы

3. Исследование возможности получения методом ионного облучения кремния системы а-$г.пс-81, люминесцирующей при комнатной температуре и изучение закономерностей изменения ее свойств в зависимости от условий формирования.

Научная новизна работы.

1. Разработана новая количественная физическая модель, которая связывает изменения характеристик спектров фотолюминесценции в зависимости от условий имплантации с морфологическими параметрами нановшпочений кремния.

2. Экспериментально установлены основные механизмы влияния легирования до-норными и акцепторными примесями на ФЛ системы

3. Впервые показано, что ионное облучение кремния тяжелыми ионами при дозах, близких к дозе аморфизации, приводит к формированию композитной системы нанокристаллических включений в матрице a-Si, люминесцирующей при комнатной температуре в красной и ближней ИК-областях спектра. Построена модель, количественно описывающая зависимость интенсивности ФЛ, связанной с нанок-ристаллами Si, от дозы облучения.

Практическая ценность работы.

1. Показана возможность контролируемого усиления люминесценции в ионно-синтезированной системе SiÛ2'-Si путем оптимального выбора дозы и режимов отжига, а также путем использования дополнительного легирования фосфором. Это улучшает перспективы применения системы в оптоэлектронике.

2. Предложен и реализован новый метод получения люминесцирующей при комнатной температуре наноструктурированной системы a-Si:nc-Si. Исключительная простота и экспрессность метода открывает возможность его использования как в качестве самостоятельного способа, так и в сочетании с другими методами получения светоизлучающего кремния для оптоэлектронных устройств.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Закономерности формирования системы Si02-'Si, полученной методом ионной имплантации, и изменений ее фотолюминесцентных свойств в зависимости от режимов имплантации и отжига. Модель, количественно описывающая эти закономерности.

2. Механизмы влияния ионного легирования системы SiO^Si фосфором и бором на ее фото люминесцентные свойства.

3. Механизм формирования при ионном облучении наноструктурированной системы, состоящей из нановключений кремния в матрице аморфного Si. Обнаружение и физическая интерпретация фотолюминесценции системы a-Si:nc-Si, закономерности изменения ее люминесцентных свойств от дозы имплантации и режимов отжига.

Публикации и апробации результатов работы. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в работах [А1-А50] и докладывались на Всероссийском совещании «Наноструктуры на основе кремния и германия» (Н.Новгород, 1998), 11ой, 15 Международных конференциях "International conference on ion beam modification of materials" (IBMM, Amsterdam, 1998, 2001), 2ой Международной конференции "High Technologies -98" (St. Petersburg, 1998), Международной конференции "Nano-98" (Stockholm, 1998), Европейских совещаниях "European spring meeting on research of materials" (E-MRS-1998, E-MRS-2000, E-MRS-2001, Strasbourg, Strasbourg, 1998, 2000, 2001), 40M и 50M Всероссийских семинарах «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Н.Новгород, 1998, Н.Новгород, 2000), Всероссийском совещании «Зондовая микроскопия - 99» (Н.Новгород, 1999), Всероссийских совещаниях «Нанофотоника - 99, Нанофотоника - 2000» (Н.Новгород, 1999, Н.Новгород, 2000), Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Звенигород, 1999), на конференции «Структура и свойства твердых тел» (Н.Новгород, 1999), 10ой Международной конференции «Radiation effects in insulators - 10» (Jena, Germany, 1999), Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники - 99» (Новосибирск,

1999), XXIX и XXX международных конференциях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1999, Москва, 2000, Москва 2001), 8м Международном симпозиуме "Nano-2000: Physics and Technology" (St. Petersburg,

2000), ХШ0И Международной конференции "On Ion Implantation Technology (IIT 2000)" (Alpbach, Austria, Sept. 17 - 22, 2000), 70M Российско-Японском Международном симпозиуме «On interaction of fast charged particles with solids» (N. Novgorod, October 9- 16, 2000).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 50 печатных работ, в том числе 10 статей в научных журналах.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Объем диссертации составляет 150 страниц, включая 94 страниц основного текста, 45 рисунков, размещенных на 46 страницах и список литературы, который содержит 107 наименований и размещен на 5 страницах.

4.5. Выводы

1. Методом компьютерного моделирования на глубине х = ЯР рассчитаны до-зовые зависимости накопления доли аморфной фазы и среднего размера кристаллических областей при облучении монокристаллического кремния ионами Кг+ (ЕКг - 80 кэВ). Показано, что кристаллические области кремния с

13 2 размерами < 10 нм образуются при дозах >6-10 см" .

2. В спектрах ФЛ монокристаллического кремния, облученного Се+, Кг+ при Е = 80 кэВ, Ф = (1 - 50) -1013см"2 и отожженного при 230°С присутствует два пика: 1 - при Л = (930 - 1050) нм, 2 - при Л = (720 - 730) нм. Первый пик приписан фазе а-57, а второй связывается с нанокристаллическими включениями 57 в а-Би

3. При наименьшей дозе длинноволновый пик является единственным в исследуемой области спектра. С увеличением дозы появляется и становится доминирующим (при 300 К) коротковолновый пик ФЛ, наибольшая интенсивность которого достигается при дозах, когда согласно расчетам формируются НК.

4. При увеличении Тотж от 230 до 310°С интенсивность обоих пиков слабо меняется. После отжига при 500°С наблюдается только слабоинтенсивный длинноволновый пик. Такое изменение спектров ФЛ связывается со структурными превращениями, происходящими в процессе отжигов (ростом НК за счет отжига аморфной фазы, уменьшением плотности состояний в хвосте озоны вследствие упорядочения структуры) влиянием сенсибилизации.

5. Исследована дозовая зависимость спектров ЭПР образцов полученных методом ионной имплантации Ля+. Между спектрами ФЛ, и кривыми, характеризующими параметры ЭПР наблюдается хорошая корреляция: максимальная интенсивность ФЛ соответствует дозе (Ф = 8-Ю13 см"2), при которой наблюдаются особенности на дозовых зависимостях интенсивности и ширины линии ЭПР, причем пик в спектрах ЭПР имеет £-фактор g = 2.0055.

Заключение

1. Разработана и проверена экспериментально количественная модель дозовой зависимости интенсивности фотолюминесценции системы Si02:Si, основанная на расчете динамическим методом Монте-Карло концентрационного профиля избыточных атомов Si в Si02, а также на допущении о росте плотности нановклю-чений при неизменном их среднем размере (вплоть до перекрытия).

2. Показана возможность контролируемого изменения интенсивности фотолюминесценции (без изменения положения пика ФЛ) ионно-синтезированной системы на основе нановключений кремния в термическом окисле Si02 (Si02:Si) путем варьирования дозы ионов кремния, температуры (времени) отжига и дополнительного легирования фосфором.

3. Установлено, что усиление интенсивности фотолюминесценции системы Si02:Si при дополнительном легировании фосфором обусловлено совместным влиянием двух факторов: пассивацией оборванных связей на границе раздела нановключе-wídSi02 и донорным действием фосфора в наноключениях (квантовых точках). Экспериментально и теоретически показано, что легирование фосфором системы Si02:Si не приводит к существенному сдвигу максимума в спектре фотолюминесценции.

4. В отличие от фосфора, дополнительное ионное легирование системы Si02:Si бором приводит к уменьшению интенсивности фотолюминесценции вследствие сильного различия атомных радиусов В и Si, а также дефицита валентности атомов бора.

5. Впервые установлено наличие фотолюминесценции при комнатной температуре (в области 700 - 950 нм) в системе nc-Si\a-Si, полученной путем облучения тяжелыми ионами монокристаллического кремния. Фотолюминесценция обусловлена наличием нановключений кристаллического кремния, сохранившимися в матрице a-Si в переходной к аморфизации области доз, а также аморфной фазой кремния.

6. Закономерности дозовой зависимости интенсивности фотолюминесценции системы nc-Si:a-Si согласуются с экспериментальными данными метода ЭПР и с расчетными данными по кинетике формирования системы, выполненными методом Монте-Карло.

1. Canham L.T. Appl. Phys. Lett., 1990, V. 57, P.1046.

2. Бару В.Г., Елинсон М.И., Жмтов В.А., Захаров Л.Ю., Лузанов ВА., Мельник H.H., Степанов Г. В., Чернушич А.П. //Микроэлектроника, 1998, Т. 27 , С. 45-48.

3. Seifarth Н., Grotzschel R., Markwitz A., Matz W., Nitzsche P., Rebohle L.H Thin Solid Films, 1998, V. 330, P. 202-205.

4. Dutt a A.K. //Appl. Phys. Lett., 1997, V. 68, P. 1189-1191.

5. Furukawa К., Liu Y., Nakashima H., Gao D., Uchino К., Muraoka К., Tsuzuki Н. II Appl. Phys. Lett., 1998, V. 72, P. 725-727.

6. Shimizu-Iwayama Т., Fujita K., Nakao S., Saitoh K, Fujita R., Itoh N. II J.Appl. Phys., 1994, V. 75, P. 7779-7781.

7. Kanemitsu Y, Okatava S. Phys. Rev. B, 1998, V 58, P. 9652-9655.

8. Zhuravlev K.S, Gilinsky A.M., Kobitsky A.Yu. II Appl. Phys. Lett., 1998, V.73, P.2962-2964.

9. Min K.S., Shcheglov К. V., Yang C.M., Atwater H.A., Brongercma M.L., Polman A. H Appl. Phys. Lett., 1996, V. 69, P.2033-2035.

10. Тетельбаум Д.И., Карпович Д.И., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Марков К.А., Горшков О.Н. //Поверхность, 1998,№ 5, С. 31-33.

11. Mutti P., Ghislotti G., Bertoni S., Bonoldi L., Cerofolini G.F., Meda L., Grilli E., GuzziM. II Appl. Phys. Lett., 1995, V. 66, P. 851-853.

12. Качурин ГА., Реболе Л., Скорупа В., Янков P.A., Тысченко И.Е., ФребХ., Лео К. И ФТП, 1998, Т. 32, С. 439-444.

13. Skorupa W., Yankov R.A., Rebohle L., Frod H., Böhme Т., Leo К., Tyschenco I.E., Kachurin G.A. II Nucí. Instr. Meth. B, 1996, V. 103, P.

14. Yuliang He, Chenzhong Yin, Guangxu Cheng, Luchun Wang, Xiangna Liu, G.Y. Hull J. Appl. Phys, 1994, V. 75, P. 797-803.

15. Голубев В.Г., Давыдов В.Ю., Медведев A.B., Певцов A.B., Феоктистов H.A. II ФТТ, 1997, Т. 39, С. 1348-1353.

16. Голубев В.Г., Медведев A.B., Певцов A.B., Селъкин A.B., Феоктистов H.A. II ФТТ, 1999, Т. 41, С. 153-158.

17. Павлов Д.А. Структурная модификация пленок кремния в процессе роста и легирования. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, Н. Новгород, 2001, 344 с.

18. LutskiiV.V.H Phys. St. Sol., 1970, V. 1, P.199-201.

19. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. // ФТП, 1998, Т. 32, С. 385-410.

20. Arakawa Y, Sakaki Н. II Appl. Phys. Lett., 1982, V. 40, P. 939-943.

21. Ландау Л.Д., Лившиц E.M. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М.: Наука, 1989, 767 с.

22. Boeringer D. W., Tsu R. II Phys. Rev. В, 1995, V. 51, P.13337-13343.

23. Двуреченский A.B., Якимов А.И. II Известия ВУЗов, материалы электронной техники, 1999, № 4, С. 4-8.

24. Yakimov A.I., Dvurechenskii А. V. // Phys. Rev. В, 2000, V. 61. P.

25. P.N. Favennec, H.L. Haridon, M. Salvi, D. Moutonnet, Y. Le Guillou // Electron. Lett. 1989, V. 25, P. 718.

26. M.G. Grimaldi, S. Co/fa et.al. //J. Lumin., 1999, V. 80, P. 487.

27. Wai Lek Ng, Lourenco M.A., Gwilliam R.M., Ledain S., Shao G., Homewood K.P. // Nature, 2001, V.410, P.192-194.

28. Lannoo M., Delerue C., Allan G. II Journal of luminescence, 1996, V.70, P. 170-184.

29. Kim К. // Phys. Rev.B, 1998, V.57, P. 13072-13076.

30. Свиридов В.В., Шевченко Г.П., Потапенко Л.Т. II Неорганические материалы, 1997, Т. 33, С. 1057-1059.

31. Chen G.S., Boothroyd С.В., Humphreys C.J. II Microscopy of Semiconducting Materials, 1993, № 134, P. 503-508.

32. Isihnkawa Y, Shibata N. Fukatsu S. II Jpn. J. Appl. Phys., 1997, V. 36, P. 40354037.

33. Isihnkawa Y, Shibata N. 11 Appl. Phys. Lett., 1996, V. 68, P. 2249-2251.

34. Isihnkawa Y., Shibata N., Fukatsu S. II Journal of Crystal Grown, 1997, V. 175-176, P. 493-498.

35. Качурин Г.А., ЛайерА.Ф., Журавлев КС. П ФТП, 1998, Т. 32, С. 1371-1377.

36. Лайер А. Ф., Сафронов Л.Н., Качурин Г.А. II ФТП, 1999, Т. 33, С.З 89-394.

37. Kachurin G.A., Tyschenko I.E., Zhuravlev K.S., Pazdnikov N.A., Volodin V.A., Gutakovsky A.K., Leier A.F., Skorupa W„ Yankov R.A. //Nucl. Instr. Meth. B, 1997, V. 122, P.571-574.

38. Lalic N., Linnros J. // Journal of luminescence, 1999, V. 80, P. 263-267.

39. Shimizu-Iwayama Т., Hole D.T., Townsend P.D. И J. Appl. Phys., 1998, V.83, P. 6018-6022.

40. Shimizu-Iwayama Т., Hole D.T., Boyd I. W. II J. Phys.: Condens Matter, 1999, V.ll, P. 6595-6604.

41. Zhuravlev K.S., Gilinsky A.M., Kobitsky A.Yu. // The materials of the 6th Itn. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Peterburg (June 22-26), 1998, P. 469472.

42. Withrow S.P., Write C.W., Meldrum A., BudaiJ.D., Hembree D.M., Barbour J.C. II J. Appl.Phys., 1999, У. 86, P. 396-401.

43. Markwitz A., Rebohle L., Hofmeister H„ Skorupa W. //Nucl. Instr. Meth. B, 1999, V. 147, P. 361.

44. Zhu J.G., White C.W., BudaiJ.D., Withrow S.P., Chen Y. II J. Appl. Phys., 1995, V. 78, P. 4386-4389.

45. Pavesi L., Negro L.D., Franzo G„ Prido F. 11 Nature, 2000, V. 408, P. 440-444.

46. M. Fujii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamota. II Appl. Phys. Lett., 1999, V. 75, P.184-186.

47. M. Fuj'ii, A. Mimura, S. Hayashi, K. Yamamota, Ch. Urakawa, H. Ohta II J. Appl. Phys., 2000, V. 87, P.1855-1857.

48. Mimura, M. Fujii, S. Hayashi, D. Kovalev, F. Koch. II Phys.Rev., 2000, V. 62, P.12625-12627.

49. Zhu J.G., White C.W., BudaiJ.D., Withrow S.P., Chen Y. II Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1995, V. 358, P. 175.

50. Силинъ A.P., Трухин A.H. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02. Рига, Изд. «Зинатне», 1985, 244 с.

51. S. Guha, Расе M.D., Dunn D.N., Singer L.I. II Appl. Phys. Lett., 1997, V 70, P. 1207-1209.

52. X. Zhao, Sh. Komuro, H. Isshiki, Y. Aoyagi, T. Sugano // Appl. Phys. Lett., 1999, V. 74, P.120.

53. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, 455 с.

54. Качурин Г.А., Яновская C.F., Журавлев К.С., М.-О. Ruault //ФТП, 2001, Т.35, № 10, С. 1235-1240.

55. Тетелъбаум Д.И., Шенгуров В.F., Шенгуров Д.В. и др. //Поверхность. 1998, №5, С.34.

56. Butty J., Peyghambarian N., Kao H.Y., Mackenzie J.D. II Appl. Phys. Lett., 1996, V. 69, P.3224-3226.

57. Goodwin T.J., Leppert V.J., Smith CA., Risbud S.H., Niemeyer M., Power P.P., Lee H.W.H., Hrubesh L. W. II Appl. Phys. Lett., 1996, V. 69, P.3230-3232.

58. Okamoto S., Kanemitsu Y., Sung Min К., Atwater H.A. 11 Appl. Phys. Lett., 1998, V. 73, P.1829-1831.

59. White C. W., Budai J.D., Withrow S.P., Zhu J.G., Sonder E., Zuhr R.A., Meldrum A., Hembree D.M., HEnderson D.O., Prawer S. //NIMB, 1998, V. 141, P. 228-240.

60. Bonafos С., Garrido В., Lopez M., Romano-Rodrigues A., Gonzalez-Varona О., Perez-Rodriguez A., Morante J.R., Rodriguez R. IINIMB, 1999, V. 147, P.373-377.

61. Bonafos C., Garrido В., Lopez M., Romano-Rodrigues A., Gonzalez-Varona О., Perez-Rodriguez A., Morante J.R. //Appl. Phys. Lett., 1998, V. 72, P. 3488-3491.

62. Pham M.T., Moller D„ Matz W., MucklichA., Oswalds. // J. Phys. Chem. В., 1998, V. 102, P. 4081-4088.

63. Силинъ A.P. II Физика и химия стеклообразующих веществ, 1976, В. 4, С.64-67.

64. Силинъ A.P. II Физика и химия стекла, 1978, Т.4, №3, С.263-266.

65. Simmons J.G., Taylor G.W. //Phys. Rev. В, 1972, V. 6, P.4804-4808.

66. Griscom D.L. II Phys. Rev. B, 1979, V. 20, P. 1823-1834.

67. Hughes R.C. II Phys. Rev. Lett., 1973, V.30, P. 1333-1336.

68. Calabrese E, Fowler W.B. //Phys. Rev. B, 1978, V. 18, P. 2888-2896.

69. Chelikowsky J.R., Schluter M. // Phys. Rev. B, 1977, Y. 15, P. 4020-4029.

70. YipK.L. Fowler W.B. //Phys. Rev. B, 1974, V.10, P. 1400-1408.

71. GrasseD., Kosar O., PeislH., etal. II Phys. Rev. Lett., 1981, V. 46, P. 261-264.

72. Бреховский СМ., Витол И.К., Закис Ю.Р. // Оптика и спектроскопия, 1971, Т.30, №1, С. 115-118.

73. Cohen A.J. II Phys. Rev., 1957, V. 105, P. 1151-1155.

74. Hetherington G., JackK.H., Ramsay O., et al. H Phis. Chem. Glasses., 1965, V.6, P. 6-15.

75. Халипов B.X., Пивоваров С.С. Оптические и спектральные свойства стекол. Рига, 1977, с. 56-57.

76. Санаев Б., Икрамов Г.И., Усманов С.Х. и др. II Физика и химия стекла, 1977, Т. 3, С. 376-379.

77. Spitzer W.G., KleinmanD.A. //Phys. Rev. 1961, V.121, P. 1324-1335.

78. Greaves G.N. II J. Non-Crystalline Solids, 1979, V. 32, P. 295-311.

79. Shelby J.E. // J. Appl. Phys, 1979, V. 50, P. 3702-3706.

80. Закис Ю. P., Ланда Л.М., Силинъ A.P., Трухин A.H. II Изв. АН СССР. Сер. физ., 1971, Т. 35, С. 1498-1500.

81. Трухин А.Н., Эцен С.С., Шендрик А.В. // Изв. АН СССР. Сер. физ, 1976, Т. 40, С. 2329-2333.

82. Zhang J., BaoX., LiN., Song H. //J. Appl. Phys, 1998, V. 83, P. 3609-3613.

83. Garrido В., Samitier S., Moreno J. A., et al II J. Appl. Phys, 1997, V. 61, P.126-134.

84. Hosono H., KawazoeH., MatsunamiN. II Phys. Rev. Lett, 1998, Y. 80, P.317-320.

85. Hosono H., Weeks R.A. II Phys. Rev. B, 1989, V. 40, 10543- 10549.

86. Hosono H„ MatsunamiN. //Phys. Rev. B, 1993, Y. 48, P. 13469-13474.

87. Hoffmann G., Hermann L., Puskas L., Kovacs P., Nagy A. Il J. Appl. Phys., V.10, P. 1509-1519.

88. Devine RA.B. //Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res., 1990, В 46, P. 261-264.

89. Моден A., Шо M. Физика и применение аморфных полупроводников: Перевод с англ., М.: Мир, 1991, 670 С.

90. Аморфные полупроводники. Под редакцией М. Бродски. Перевод с англ, М.: Мир, 1982. 419 С.

91. Pankove J.I., Carlson D.E. II Appl. Phys Lett, 1976, V. 29, P. 620.

92. Street R.A., Knights J. С., Biegeison D.K. //Phys. Rev. В 18, 1978, P. 1880.

93. Re bohle L., J. von Borany, FrodH, Skorupa W. II Nucl. Instr. Meth. B, 1996, V.46, P. 567.

94. Weisbuch С., Vinter В. Quantum semiconductor structures. Fundamentals and applications. Boston et al.: Academic Press, inc. 1991. 252 P.

95. BabicD., TsuR., Greene R. F. II Phys. Rev. B, 1992, V. 45, P. 14150-14160.

96. Khurgin J.В., Forsythe E.W., Tompa G.S., Khan B.A. // Appl. Phys. Lett., 1996, V. 69, P. 1241-1243.

97. ZiJ., BuscherH., Falter С., Ludwig W. //Appl. Phys. Lett., 1996, V.69, P.200-203.

98. Eckstein W. Computer simulation of ion solid interaction. Berlin - Heidelberg, Springer-Verlag, 1991, 296 P.

99. Komoda T. II Nucl. Instr. and Meth. B, 1995, V. 96, P. 387.100 .Баронский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Наукова думка, Киев, 1975, 704 С.

100. Эшелби Дж. Континуальная теория дислокаций. Под редакцией Любова Б.Я. М., Изд. иностранной литературы, 1963, 247 С.

101. Maeda J. II Phys. Rev. В, 1995, V. 30, 1518-1520.

102. E.B. Чупрунов, A.B. Хохлов, M.А. Фадеев. «Кристаллография» Учебник для ВУЗов. М.: Издательство Физ.-мат. Литературы, 2000, 496 с.

103. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М/1 Пространственные распределения энергии, выделенной в каскадах атомных столкновений в твердых телах. М., Энерготехиздат, 1985. 248 с.

104. Гиббоне Дж.Ф. П Тр. ин.-та инжинеров по элекротехнике и радиоэлектронике. 1972, Т. 60, №9, С.53.

105. Аморфный кремний и родственные материалы. Под редакцией Фрицше X. -М.: Мир, 1991,544 с.

106. Физические процессы в облученных полупроводниках. Под редакцией Смирнова U.C. Новосибирск: Наука, 1977, 256 с.

107. Список опубликованных работ

108. А1. Тетелъбаум Д.И., Горшков О.Н., Трушин С.А., Степшова М.В. Свойства системы SiC>2:Si, полученной методом ионной имплантации кремния в Si02 Вестник ННГУ. Сер. "Физика твердого тела". 1998, в.2, С. 162-166.

109. А2. Тетелъбаум Д.И., Горшков О.Н., Трушин С.А., Степихова М.В. Усиление фотолюминесценции наноструктурированной системы «кремний в Si02» при ионном легировании фосфором. Изв. РАН. Сер. физ. 1999, Т.63, №2. С. 348351.

110. А5. Тетелъбаум Д.И., Трушин С.А. Компьютерное моделирование формирование аморфно-кристаллической двухфазной наносистемы при ионном облучении кремния. Изв. РАН. Сер. физ. 2000, Т.64, №4. С.2168-2169.

111. А8. Tetelbaum D.I., Trushin S.A., Krasil'nik Z.F., Gaponova D.M., Mikhailov A.N. Luminescence of silicon nanostructured by irradiation with heavy ions. Optical Materials. 2001. V. 17. No. 1-2. P. 57-59.

112. A9. Tetelbaum D.I., Trushin S.A., Burdov V.A., Golovanov A.I., Revin D.G., Gaponova D.M. The influence of phosphorus and hydrogen ion implantation on the photoluminescence of Si02 with Si nanoinclusions. Nucl. Instr. Meth. В 2001. V. 174. P. 123-129.

113. А10. Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Trushin S.A., Revin D.G., Gaponova D.M., Eckstein W. The enhancement jf luminescence in ion implanted Si quantum dots in Si02 matrix by means of dose alignment and doping. Nanotechnology, 2000, V. 11, P. 295-297.

114. А25. Тетельбаум Д.И., Трушин СЛ., Горшков О.Н., Бурдов В.А., Ревин Д.Г.,

115. A31. Tetelbaum D.I., Trushin S.A., Krasil'nik Z.F., Gaponova D.M. Luminescence of silicon nanostructured by irradiation with heavy ions. Abstracts of the European spring meeting on research of materials (E-MRS-2000, Strasbourg, 2000). G/Pl.7.31.8.2.

116. А34. Тетельбаум Д.И., Трушин CA., Гапонова Д.М., Ревин Д.Г., Галованов А.И. Влияние режимов имплантации на фотолюминесцентные свойства квантовых точек кремния в матрице Si02, легированных фосором и водородом. (Ульяновск 2000). С. 100.

117. А35. Тетельбаум Д.И., Трушин С.А., Гапонова Д.М., Ревин Д.Г., Галованов А.И. Фотолюминесцентная диагностика нановключений кремния (квантовых точек) в аморфном кремнии, полученных методом ионной бомбардировки. (Ульяновск 2000). С. 101.

118. A43. Eckstein W., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Novikov V.A., Tetelbaum D.I

119. Trushin S.A. The formation modeling and properties of nanocrystals in insulator• th matrices (Si02;Si, Zr02(Y):Zr) by ion implantation. Abstracts on XIIP Intern. Conf.

120. On Ion Implantation Technology (IIT 2000)" (Alpbach, Austria, Sept. 17-22,2000). P. Pl-22.