автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследования и разработка гибридных интегральных микросхем для малошумящих входных устройств и охлаждаемых МШУ КВЧ диапазона

Введение.

Глава 1. Разработка методов измерения элементов физической эквивалентной схемы полевых транзисторов КВЧ диапазона.

1.1 Анализ способов измерения паразитных сопротивлений Кс, Ки, 11 Кз полевых транзисторов.

1.2 Разработка конструкции контактодержателя и ГИС КВЧ диапа- 20 зона для измерения основных параметров полевых транзисторов.

1.3 Разработка методов измерения шумовых и 8-параметров поле- 25 вых транзисторов КВЧ диапазона. Алгоритм восстановления параметров физической эквивалентной схемы полевого транзистора.

1.4. Разработка измерителей коэффициента шума повьппенной точности в КВЧ диапазоне.

Выводы к главе 1.

Глава 2.

2.2 2.

Особенности проектирования малошумящих входных устройств КВЧ диапазона.

Сушествующие способы реализации функциональных узлов КВЧ малошумящих устройств. Выбор базовой конструкции ГИС КВЧ диапазона.

Особенности выбора материала подложки ГИС малошумящих устройств КВЧ диапазона.

Базовая конструкция малошумящего КВЧ усилителя. Выводы к главе 2.

Глава 3. Особенности проектирования и конкретной реализации охлаждаемого малошумящего КВЧ усилителя.

3.1 Существующее способы реализации охлаждаемых МШУ. Вы- 60 бор типа передающей линии, материала подложки и типа ГИС МШУ.

3.2 Разработка методов расчета ГИС охлаждаемых МШУ. Коррек- 62 тировка физической эквивалентной схемы охлаждаемого полевого транзистора.

3.3 Синтез ГИС охлаждаемого МШУ с использованием разрабо- 71 тайного метода.

Выводы к главе 3.

Глава 4. Результаты использования разработанных методов восстановления параметров физической эквивалентной схемы полевых транзисторов в разработках конкретных малошумящих входных устройств КВЧ и СВЧ диапазонов.

4.1 Малошумящие усилители.

4.2 Приемопередающие устройства для систем радиорелейной 82 связи КВЧ диапазона.

4.3 Приемники прямого усиления КВЧ диапазона для радиоастро- 91 комических комплексов.

Выводы к главе 4.

Диссертация является итогом научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ её автора, производившихся с 1986 по 2001г. В ней изложены результаты исследований и разработки малошумящих входных устройств КВЧ и СВЧ диапазонов на основе арсенидгаллиевых активных элементов, схемотехнические и конструктивно-технологические принципы проектирования ГИС и охлаждаемых МШУ КВЧ диапазона.

Актуальность работы.

Задача повьппения реальной чувствительности радиоприемных устройств наземной и бортовой аппаратуры связи и радиолокации за счет снижения интенсивности флуктуационного шума входных каскадов является одной из централь-ньк проблем современной радиоприемной техники вне зависимости от частотного диапазона.

Большая полоса пропускания линий связи, высокая разрешающая способность радиолокационных систем, а также особенности распространения в атмосфере, плазме и различных средах дают участку спектра от 20 ГГц до 300 ГГц ряд преимуществ. К чувствительности приемников КВЧ диапазона в большинстве применений предъявляют предельно высокие требования. Это связано, с одной стороны со слабостью радиотепловых излучений и ограниченным уровнем мощности передатчиков, малой площадью приемных антенн, значительным поглощением миллиметровых волн в атмосфере и, с другой стороны, с высокими требованиями к информационной производительности радиоэлектронных схем этого диапазона. Техника приема КВЧ диапазона в настоящее время совершенствуется в двух основных направлениях: во-первых, повышение чувствительности и информационной пропускной способности, продвижение вверх по частоте, во-вторых, разработка конструкций, пригодных для серийного производства и отвечающих различным, с точки зрения климатических, механических и иных видов воздействия, эксплуатационным требованиям [1,2].

Прогресс в шумовых характеристиках арсенид-галлиевых полевых транзисторов, которые в последние 20-30 лет планомерно вытесняют из КВЧ диапазона малошумящие параметрические усилители и смесители на диодах Шоттки очевиден. В качестве примера отметим, что если в 1980г шумовая температура Тш=20К на частоте Г=4,75ГГц бьша измерена при температуре окружающей среды Токр=18К на GaAs PET с длиной затвора Wg=0.7(x [5], то в 1993г были получены Тш=15К на 1А43ГГц для InP НЕМТ с Wg=0.1|x [6].

Последнее десятилетие характеризуется всё более настойчивыми и целе-направленньми усилиями ученых: и инженеров разных стран по созданию стационарной, мобильной и спутниковой аппаратуры связи КВЧ диапазона [7,8,13]. Анализ рьшка перспективных систем связи Западной Европы показьшает устойчивый рост числа станций и расширения их частотного диапазона (рис.В.1.) Отметим, что в силу оговоренных выше особенностей применения радиоволн КВЧ диапазона наиболее активно (как в относительных, так и в абсолютных единицах) развиваются системы связи на частотах выше ЗОГГц. Кроме того, как показьгоают исследования, рьшок связи еще далеко не исчерпан и ожидаемый рост количества коммерческих и специальных станций связи КВЧ диапазона к 2003году по сравнению с 2000г. составит более 2,5 раз [14].

1998

1999

2000

2001

Рис.В.1. Количество продаваемых систем связи в Западной Европе

При проектировании радиоаппаратуры разработчику необходимо решать целый комплекс технологических, схемотехнических и конструктивных задач. К одной из основных следует отнести проектирование и разработку ГИС, а так же непосредственно связанные с этим задачи измерения СВЧ параметров и восстановления эквивалентных схем активных приборов. Под "восстановлением" в дальнейшем будем понимать расчет номинальных значений элементов эквивалентной схемы на основании измеренных электрических характеристик активного элемента. Эквивалентные схемы необходимы в качестве исходной информации для проектирования ГИС.

Последняя задача приобретает особую актуальность для КВЧ диапазона.

Элементы физической эквивалентной схемы ПТ могут быть определены из физических параметров полупроводникового материала. Однако, технологические разбросы при изготовлении, как полупроводника, так и собственно транзистора, приводят к тому, что рассчитанная эквивалентная схема неадекватно описывает свойства ПТ в КВЧ диапазоне, и, следовательно, не может быть использована при проектировании ГИС.

В связи с этим, практический интерес представляют методы восстановления эквивалентной схемы на основе доступных экспериментальных данных. Вопросам измерения СВЧ параметров активных элементов и восстановления их внутренней эквивалентной схемы посвящен целый ряд работ (см. например [4,12,18,19]). Однако, они носят, как правило, общий характер и ориентированы в основном на измерении параметров в дециметровом и сантиметровом диапазонах частот и дальнейшей аппроксимации полученных данных в КВЧ диапазон.

Учитывая постоянно раступще требования к качеству создаваемых приёмных устройств, принципиапьно важным является измерение СВЧ параметров вновь разрабатьшаемых активньи элементов, позволяющих проектировать схемы усиления и преобразования сигнала на их основе.

Арсенид-галлиевые полевые транзисторы (ПТ), используемые в качестве активньк элементов малошумящих входных устройств КВЧ диапазона, обычно представляются либо в виде эквивалентных четырехполюсников, описьшаемых параметрами рассеяния (8-параметры) и шумовыми параметрами, либо в виде физической эквивалентной схемы.

Состояние проблемы к началу работы можно охарактеризовать следующим образом:

Для измерения СВЧ параметров кристаллов, как правило, используются либо СВЧ-зондовые головки, либо иные контактные устройства (контактодержа-тели) различных конструкций, позволяющие обеспечить передачу СВЧ сигнала от генератора сигнала к контактным площадкам кристалла транзистора. Несмотря на то, что зондовые устройства позволяют производить измерения СВЧ параметров как на кристалле, так и на пластине, их основным недостатком являются значительные потери в КВЧ диапазоне частот. Это приводит возрастанию погрешности измерений и, следовательно, к усложнению процедур калибровки, измерений и математической обработки полученных результатов.

Использование контактодержателей для проведения СВЧ измерений не позволяет проводить измерения параметров на пластине, однако, как правило, имеет существенно меньшие потери. Таким образом, применение контактодержа-телей позволяет повысить точность проводимых измерений СВЧ параметров полевых транзисторов, упростить процедуры калибровки и математической обработки результатов измерений.

Методы измерения СВЧ параметров ПТ в КВЧ диапазоне имеют ряд особенностей, связанных с тем, что во-первых, активная элементная база используется в виде кристаллов, а размеры контактодержателей становятся сравнимы (а на самом деле, значительно больше) с длиной волны, и, следовательно, необходимо: а) особенно тщательно выбирать плоскости отсчета при проведении калибровки и измерений; б) разрабатывать и применять контактные устройства, обеспечивающие минимальное искажение измеряемых характеристик; во-вторых, ПТ КВЧ диапазона, как правило, не являются абсолютно устойчивыми, и, следовательно, необходимо: а) схемотехническими методами обеспечить устойчивость измеряемого объекта; б) учитывать характеристики цепей, обеспечивающих устойчивую работу ПТ, при обработке результатов измерения; в-третьих, отечественное измерительное оборудование КВЧ диапазона либо отсутствует, либо обладает значительными погрешностями, следовательно необходимо: а) создавать измерительные комплексы и методики измерения КВЧ параметров ПТ; б) проводить работы по снижению погрешности измерений.

Требования к шумовым характеристикам входных устройств пассивной радиолокации являются особенно жесткими вследствие слабости радиотепловых излучений и значительным поглощением миллиметровых волн в атмосфере. Применение охлаждения входных устройств КВЧ диапазона до криогенных температур водородного и гелиевого уровней охлаждения позволяет достигать шумовых характеристик близких к предельным. Особенностями проектирования охлаждаемых усилителей являются:

- отсутствие данных о шумовых и 8-параметрах ПТ (в том числе серийно выпускаемых) при температурах корпуса близких к абсолютному нулю;

- необходимость тщательного отбора материалов с соответствующей прочностью и линейными коэффициентами расширения;

- изменение диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь при криогенных температурах.

Для решения данных проблем необходимо: определить систему измеряемых при криотемпературах СВЧ-параметров ПТ, разработать методику коррекции эквивалентной схемы на их основе; разработать конструкцию охлаждаемых ГИС и МШУ КВЧ диапазона.

Цель работы.

Основной целью работы является исследование и разработка с использованием отечественной и зарубежной элементной базы гибридных интегральных микросхем для входных устройств КВЧ и СВЧ диапазонов аппаратуры специального и гражданского применения, в том числе охлаждаемых (до Т=20К) малошу-мящих усилителей.

Для достижения поставленной цели необходимо бьшо провести комплекс теоретических и экспериментальных исследований и решить ряд задач в области схемотехники и конструирования входных устройств, а так же создать методики измерения параметров активных арсенидгаллиевых элементов КВЧ диапазона [А4, А20, Н1-Н6].

Основными из теоретических и экспериментальных исследований, проведенных автором в ходе выполнения данной работы, являются:

1. Разработка конструкции ГИС и контактодержателей в миллиметровом диапазоне частот, позволяющей не только производить измерение СВЧ параметров кристаллов транзисторов, но и конструктивно объединять ГИС в составе многокаскадных усилителей.

2. Разработка новых методов измерения параметров арсенидгаллиевых полевых транзисторов КВЧ диапазона необходимых для проектирования ГИС.

3. Восстановление внутренней эквивалентной схемы малошумящих арсенид-галлиевых полевых транзисторов КВЧ диапазона на основании измеренных СВЧ и статических характеристик.

4. Определение основных схемотехнических и конструктивно-технологических особенностей проектирования ГИС 1034 диапазона на основе отечественной и зарубежной элементной базы.

5. Разработка методики проектирования охлаждаемых малошумящих усилителей КВЧ диапазона для создания аппаратуры с предельно низкими эквивалентными шумовыми температурами.

Научная новизна результатов работы.

1. Разработан алгоритм восстановления внутренней эквивалентной схемы мало-шумящих полевых транзисторов КВЧ диапазона, базирующийся на измеряемых статических, шумовых и 8-параметрах активного элемента в условиях его работы в составе ГИС. При этом производится непосредственное измерение оптимальных шумовых импедансов в диапазоне рабочих частот, что является новым при восстановлении физической эквивалентной схемы ПТ КВЧ диапазона. На основе проведенных измерений восстановлены эквивалентные схемы отечественных ОаАз ПТ КВЧ диапазона, позволяющие проводить проектирование МШУ на их основе.

2. Исследованы особенности изменения СВЧ параметров и элементов внутренней эквивалентной схемы ПТ в условиях его охлаждения до криогенных температур. Предложена и обоснована методика восстановления параметров внутренней эквивалентной схемы ПТ, работающего при криогенных температурах. Она позволяет вести синтез ГИС охлаждаемых КВЧ МШУ без их промежуточного макетирования.

3. Автором предложена и обоснована методика измерения элементов 8-матрицы и оптимальных шумовых импедансов кристаллов полевых транзисторов КВЧ диапазона, позволяющая определять их параметры, необходимые для проектирования малошумящих ГИС.

4. Разработаны оригинальные конструкции контактодержателей и ГИС КВЧ диапазона. В разработанных контактодержателях КВЧ диапазона впервые совмещены элементы микрополоскового и волноводного трактов, волноводно-микрополосковых переходов и волноводных трансформаторов сопротивлений. Предлагаемое конструктивное решение ГИС позволяет проводить измерение СВЧ параметров кристаллов транзисторов, а также использовать ГИС для создания многокаскадных малошумящих усилителей КВЧ диапазона.

Практическая ценность диссертационной работы.

1. Разработанная методика измерения статических и СВЧ параметров в КВЧ диапазоне использована для восстановления внутренних эквивалентных схем вновь разрабатываемых ОаАз малошумящих полевых транзисторов в диапазоне частот от 20ГГц до 90ГГц.

2. Разработанные методика измерения СВЧ параметров ОаАз полевых транзисторов и контактодержатель использованы в технических условиях на транзисторы ЗП353А-5 (АЕЯР. 43215 0.053 ТУ), ЗП384А-5 (АЯЕР.432149.084 ТУ).

3. Разработанная методика восстановления параметров внутренней эквивалентной схемы ПТ, работающего при криогенных температурах, позволяет вести синтез ГИС охлаждаемых КВЧ МШУ без их многократного промежуточного макетирования.

4. Разработаны измерители коэффициента шума повьппенной точности в диапазонах 37,45,60 ГГц.

5. Предложенные в работе конструктивно-технологические и схемотехнические принципы проектирования ГИС и устройств на их основе использованы при разработке приемных устройств СВЧ и КВЧ диапазонов для ответчиков систем опознавания, системы спутниковой связи «Банкир», радиорелейной двухпунктовой системы связи «Поле-Р», "Спикер-38", КВЧ приемного устройства многочастотного радиоастрономического комплекса РТ-22, применяются при создании приемных устройств различных диапазонов (ОКР «Пакет», ОКР «Пакетик», ОКР « Увертюра», ОКР « Этюд»).

Положения, выносимые на защиту.

1. Новый алгоритм восстановления эквивалентной схемы полевого транзистора. Эквивалентная схема полевого транзистора, используемая для проектирования интегральных микросхем КВЧ диапазона, должна восстанавливаться из результатов измерения статических параметров ПТ, а также шумовых и 8-параметров ПТ, измеренных в рабочем диапазоне частот в условиях работы транзистора в проектируемом усилителе.

2. Конструкция ГИС, в которой впервые совмещены элементы микрополосково-го, волноводного трактов и элементы волноводно-микрополосковых переходов, позволяет проводить измерение параметров кристаллов ПТ в КВЧ диапазоне для получения информации о их физической эквивалентной схеме, а так же каскадировать ГИС в составе многокаскадного МШУ.

3. Новая методика корректировки параметров внутренней эквивалентной схемы ПТ, работающего при криогенных температурах, использование которой позволяет вести синтез ГИС охлаждаемых КВЧ МШУ без их многократного промежуточного макетирования.

Апробация диссертационной работы и публикации.

Результаты диссертации обсуждались в рамках школы-семинара "Проектирование и технология изготовления микроэлектронных устройств" (г. Фрунзе, 1990г.), 3ЛА. 9ЛЛ Крьмских конференций "СВЧ-техника и спутниковый прием" (г.Севастополь, 1993-1999гг.), XXVII Радиоастрономической конференции "Проблемы современной радиоастрономии" (г. Санкт-Петербург, 1997г.), 1--3— Международных конференций "Спутниковая связь" (г.Москва 1994г., 1996г., 1998г.).

Основные результаты диссертации опубликованы в 21 печатной работе, 10 отчетах по НИР и ОКР, 2 заявках на изобретения, а также использованы в ТУ на ОаАз полевые транзисторы КВЧ диапазона.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех основных глав с выводами, заключения, в котором отражены основные выводы, списка литературы из 77 наименований и одного приложения. Основное содержание работы изложено на 103 страницах, включая 38 рисунков и 17 таблиц.

Выводы к главе 4.

1. Предложенные в работе и рассмотренные в предьщущих главах методы восстановления физической эквивалентной схемы полевого транзистора, конструктивно-технологические и схемотехнические принципы проектирования гибридных микросхем КВЧ диапазона и устройств на их основе использованы при разработке малошумящих усилителей и приемных устройств для систем радиорелейной связи "Спикер-38", "Поле-Р", и радиотелескопа РТ-22 (г.Пущино), применяются при создании приемных устройств Ки- диапазона (ОКР "Увертюра") и в других текущих разработках предприятия.

2. Использование восстановленных эквивалентных схем ПТ позволяет проектировать согласующие цепи ГИС малошумящих усилителей смесителей и детекторов КВЧ диапазона.

3. Использование разработанной ГИС типа "волноводная вставка" и оригинальной конструкции усилителя с волноводными связями между каскадами позволяет реализовывать усилители с большими коэффициентами усиления (больше 50 дБ) без применения дополнительных средств электрогерметизации отдельных ГИС.

4. Разработанные способы крепления микрополосковых плат без обратной металлизации в держателе ГИС обеспечивают не только их надежную механическую фиксацию, но и хорошую повторяемость электрических параметров.

Заключение.

Комплексное использование решенных в работе научных и технических проблем по измерению параметров полевых транзисторов КВЧ диапазона, восстановлению их физических эквивалентных схем, созданию измерительного оборудования и методик измерений позволило существенно усовершенствовать процесс проектирования гибридных микросхем и входных малошумящих устройств КВЧ диапазона, в том числе охлаждаемых малошумящих усилителей. Это в свою очередь приводит к сокращению материальных и временных затрат, связанных с проектированием и макетированием малошумящих устройств ЮВЧ диапазона.

Диссертация обобщает многолетний труд автора в области исследований полевых транзисторов, разработки на их основе гибридных микросхем и малошумящих входных устройств КВЧ и СВЧ диапазонов, с использованием отечественной и зарубежной элементной базы. Предложенные автором схемотехнические и конструктивно-технологические принципы проектирования ГИС и охлаждаемых МШУ КВЧ диапазона использованы в разработках ряда конкретных изделий приемной аппаратуры.

В результате выполненной диссертационной работы получены следующие основные результаты и вьюоды:

1. Впервые разработаны оригинальные конструкции ГИС КВЧ диапазона (от 20ГГц до 118ГГц), в которых совмещены элементы микрополоскового, волноводного трактов и элементов волноводно-микрополосковых переходов. Использованное конструктивное решение позволяет не только каскадировать ГИС в многокаскадный МШУ, но и проводить измерение параметров кристаллов ИТ для получения информации о их физической эквивалентной схеме. Сводные данные по номенклатуре разработанных базовых ГИС малошумящих устройств и контактодержателей приведены в таблицах 3.1, 3.2. А в таблицах 3.4, 3.5 представлены основные параметры двухкаскадной ГИС МШУ и охлаждаемого малошумящего усилителя, а так же параметры устройств-аналогов. Из таблиц видно, что разработанные автором малошумящие устройства не уступают, и даже превосходят по параметрам свои аналоги, что является следствием использования изложенных ранее результатов диссертации.

2. Впервые предложена и применена методика измерения элементов 8-матрицы и оптимальных шумовых импедансов полевых транзисторов КВЧ диапазона, созданы измерительные стенды с повышенной точностью измерения коэффициента шума КВЧ диапазона.

3. Разработан алгоритм восстановления внутренней физической эквивалентной схемы малошумящих полевых транзисторов КВЧ диапазона, базирующийся предложенных автором методах измерения статических, шумовых и 8-параметрах активного элемента. На основе проведенных измерений восстановлены эквивалентные схемы ОаАз ИТ КВЧ диапазона, позволяющие проводить проектирование МШУ на их основе.

4. Разработана оригинальная конструкция многокаскадного малошумящего усилителя с волноводными связями, не только обеспечивающая конструктивное разделение ГИС по постоянному току и возможность оперативной подстройки и замены ГИС, но и исключающая, за счет применения волноводных связей, возникновение внеполосной генерации. Использование разработанной конструкции позволяет изготавливать усилители с большим усилением (более 50 дБ) без применения дополнительных средств электрогерметизации.

5. Исследованы особенности изменения элементов внутренней физической эквивалентной схемы ИТ в условиях его охлаждения до криотемператур водородного уровня. Предлагаемая автором методика восстановления параметров внутренней эквивалентной схемы ПТ, работаюпцего при криогенных температурах, позволяет вести синтез ГИС охлаждаемых КВЧ МШУ без их многократного промежуточного макетирования.

6. Предложенные в работе конструктивно-технологические и схемотехнические принципы проектирования ГИС КВЧ и устройств на их основе использованы при разработке приемных устройств СВЧ и КВЧ диапазонов для ответчиков системы опознавания, системы спутниковой связи «Банкир», радиорелейной двухпунктовой системы связи «Поле-Р», "Спикер-38", КВЧ приемного устройства многочастотного радиоастрономического комплекса РТ-22, применяются при создании приемных устройств различных диапазонов (ОКР «Пакет», ОКР «Пакетик», ОЬО* «Увертюра», ОКР «Этюд») и других текущих разработках предприятия. В таблице 3.3 приведен список функционально законченных устройств КВЧ диапазона.

1. Розанов Б.А., Розанов СБ. "Приемники миллиметровых волн"- М., "Радио и связь", 1989.

2. Айнбиндер И.М. "Шумы радиоприемников" М., "Связь", 1974

3. Гассанов Л.Г., Липатов А.А., Марков В.В., Могильченко Н.А. "Твердотельные устройства СВЧ в технике связи" М.: "Радио и связь", 1988.

4. Белоусов А.П., Каменецкий Ю.А. "Коэффициент шума" М.: "Радио и связь", 1981.

5. S.Weimreb, "Low-noise Cooled GASFET amplifiers", IEEE Trans., Microwave Theory Tech., vol.28,pp. 1041-1054, 0ct.,1980.

6. M.W.Pospieszalski et all., "Millimeter-wave, cryogenically-coolable amplifiers using AllnAs/GalnAs/InP HEMTAs," Proc.1993 IEEE MTT-S Int. Microwave Symp., Atlanta, pp515-518, June 1993

7. V.A.Santomaa, "Research and New Development in Microwave Commxmications in Finland," Proc. 22"'' European Microwave Conf., Helsinki, pp. 16-32, vol.l,Augl992

8. Tsukasa Yoneyama, "Millimeter-Wave Research Activities in Japan," IEEE Trans., MTT-46, No 16, pp. 727-732, June 1998

9. M.W. Pospieszalski, "Modeling of Noise Parameters of MESFET's and MODFET's and Their Frequency and Temperatvire Dependence", IEEE Trans., MTT-37, pp. 1340-1350, Sept. 1989

10. J.Stenarson at all., "FET Noise Model Extraction Methods," Proc. GAAS'2000, Paris, Nov. 2000

11. Н. Daembkers at all., "Influence of Advanced GaAs MMICS on Structiure and Cost of High Frequency Communication and Radar Systems for Volume Markets", Proc. MIC0N'2000, vol.3., pp7-17, Wroclaw, May 2000.

12. Lamberto Raffaeli, " Millimeter-Wave Transceivers for Point-to-Point Radios", Proc. MIC0N'2000, vol.3., ppl04-109, Wroclaw, May 2000.

13. R.A. Pucel, H.A. Haus, H. Statz, "Sygnal and noise properties of gallium arsenide microwave field-effect transistors," in Advanced in Electronics and Electron Physics, vol.38,1975, pp.195-265.

14. Пашковский А.Б., Тагер A.C. "Диффузионный шум в полевых транзисторах с субмикронным затвором". Радиофизика, т.ХХХ, N.9, стр. 1150-1157

15. IRE Standarts on Electron Tubes, pt.9. Noise in linear Two-ports, 1962

16. H. Fukui, "Optimal Noise Figure of Microvawe GaAs MESFET's", IEEE Trans. On Electron Devices, vol.ED-26, No.7, July 1979

17. Microwave Office. Applied Wave Research, Inc., http://www.mwoffice.com

18. И.В. Лебедев "Техника и приборы сверхвысоких частот" - М., типография МЭИ, 1956.

19. Fukui Н. Determination of the basik device parameters of GaAs MESFET // B.S.T.J., 1979. voLLVIII, N 3. pp. 771-797.

20. K. W.Lee at al / Source, drain and gate series resistances and electron saturation velocity in ion-implanted GaAs FET's // IEEE trans., ED-32,1985. N 5 p.987.

21. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. -57с.

22. Shih-Ming J. Lin at all/ Determination of sourse and drain series resistances of ultra-short gate-length MODFET's. // IEEE Electron Device Letters., 1989, vol.10/ N2.-pp. 85-87.

23. Пояснительная записка технического проекта "Халкида-6" КНИИРИТ, 1990.

24. ГОСТ 20398 "Транзисторы полевые. Методы измерения электрических параметров".

25. ЦЮ1.400.295-02ТО. "Измеритель коэффициента шума Х5-42". Техническое описание и инструкция по эксплуатации.

26. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств./ под ред. В.И.Вольмана-М.: Радио и связь, 1982.

27. Verver C.J., Hoefer J.R. - IEEE Trans., 1984, v. MTT-32, № 12.

28. Malbon R.M., Osbrink N.K. - Microwave J., 1985, v.26, № 2.

29. Laverghetta T. - Microwave J., 1985, v.26, № 9.

30. K.Chang, F.Hsu, J.Berenz, K.Nakano "Find optimimi substrate thickness for millimeterwave GaAs MMICs" - Microwave RF, 1984, v.23, N 9, pp. 123-128.

31. A.Gopinath "Maximum Q-Factor of Microstrip Resonators" - IEEE Trans.of MTT, v.MTT-25, Feb. 1981, pp.128-131.

32. B.Easter, R.J.Roberts, "Radiation from half-wavelength open-circuit microstripresonators", Electron.Lett., vol. 6,1970, pp.573-574

33. G.D.Vendelin, "Limitations on stripline Q", - Microwave J., May 1970, pp.6569.

34. Г.М. Вапнэ, B.C. Глаголев "Перспективные линии передачи КВЧ диапазона" - "Обзоры по электронной технике", сер.1. Электроника СВЧ, вып.П, 1986.39. АЕЯР.432150.053 ТУ

35. Н.А.Есепкина, Д.В. Корольков, Ю.Н.Парийский " Радиотелескопы и радиометры." -М.; Наука, 1973.

36. ГВ2.744.008 ТО. Линия измерительная волноводная Р1-31. Техническое описание и инструкция по эксплуатации.

37. Capello А., Pieno J. - In Proc. Int. Microwave Symp., 1982, pp.19-22.

38. Краснов B.B., Максяшева A.A. «Применение охлаждаемых транзисторных усилителей в радиометрической аппаратуре диапазонов 8 и 13,5 мм» -Тезисы доклада XXV Радиоастрономической конференции, Пущино, 1993, с 266.

39. Краснов В.В. «Охлаждаемые твердотельные приемники миллиметрового диапазона РТ-22 ФИАН» - Труды ФИАН Радиоастрономическая техника и методы, том 229, Москва 2000.

40. Список работ автора по теме диссертации,

41. AI. Миннебаев В.М. "Малошумящие КВЧ-усилители 8-мм диапазона" -Материалы 3-ей Крымской конференции «СВЧ-техника и спутниковый прием», Т.6, Севастополь, 1993

42. А6. Миннебаев В.М. "Малошумящий преобразователь частоты Ка-диапазона", -Материалы 5-ой Крымской конференции «СВЧ-техника и спутниковый прием», т.2, Севастополь, 1995

43. А7. Миннебаев В.М., Евграфов А.Ю. "Приемопередающий моноблок Ка-диапазона" Материалы 5-ой Крымской конференции «СВЧ-техника и спутниковый прием», т.2 , Севастополь, 1995

44. А8. Миннебаев В.М. "Детекторный приемник диапазона 33-36 ГГц для радиоастрономии"- Материалы 5-ой Крымской конференции «СВЧ-техника и спутниковый прием», т.2 , Севастополь, 1995

45. А9. Евграфов А.Ю., Миннебаев В.М. "Проектирование малогабаритного приемопередатчика для радиорелейных линий связи Ка-диапазона." Материалы 6-ой Международная Крымская Микроволновая Конференция, 1996г., Украина, Севастополь

46. А10. Миннебаев В.М., Евграфов А.Ю. "Приемо-передающий конвертер Ка-диапазона." -Материалы 2-ой международная Конференция "СПУТНИКОВАЯ СВЯЗЬ" 1996, Москва

47. АН. Миннебаев В.М., Евграфов А.Ю. "Малогабаритный приемо-передающий конвертер Ка-диапазона." Материалы 2-ой международная Конференция "СПУТНИКОВАЯ СВЯЗЬ" 1996, Москва, Россия

48. А13. Аболдуев И.М., Миннебаев В.М. "Малошумящий усилитель S-диапазона." 8-я Международная Крымская Микроволновая Конференция, 1998г., Украина, Севастополь — " —

49. А14. Миннебаев В.М. "Гибридный МШУ Ка-диапазона." 8-я Международная

50. Крымская Микроволновая Конференция, 1998г., Украина, Севастополь

51. AI 5. Миннебаев В.М. "ГИС МШУ Ка-диапазона" 3-я международная

52. Конференция и Выставка "СПУТНИКОВАЯ СВЯЗЬ" 1998, Москва, Россия

53. А16. Minnebaev V.M. "KA-BAND LNA MIC'-Proc. ICSC'98, Moscow

54. A17. Аболдуев И.М., Вальд-Перлов В.М, Миннебаев В.М. "Проектированиемалошумящих усилителей с защитой от высокого уровня входной мощности" 9.я Международная Крьмская Микроволновая Конференция, 1999г., Украина, Севастополь

55. Al 8. Аболдуев И.М., Миннебаев В.М. "Малошумящие усилители диапазона 1.5-22 ГГц." 9-я Международная Крымская Микроволновая Конференция, 1999г., Украина, Севастополь

56. Al 9. Краснов В.В., Миннебаев В.М. "Проектирование малошумящих усилителей на НЕМТ 8 и 13 миллиметрового диапазона для спектральных приемников РТ-22 ФПАН" Тезисы семинара ФИАН, 2000г.

57. А20. Краснов В.В., Миннебаев В.М. "Охлаждаемый гибридный МШУ диапазона 13 мм для спектрального приемника РТ-22 ФИАН" "Радиотехника и электроника, 2002г., N1

58. А21. Краснов В.В., Миннебаев В.М. "Охлаждаемый гибридный малопзумящий усилитель диапазона 13 мм" Препринт ФИАН, 2001г., N 21

59. А22. Миннебаев В.М. "Контактодержатель КВЧ диапазона", заявка № 2001129942/20, приоритет 06.11.2001г.

60. А23. Дорофеев A.A., Миннебаев В.М. "Интегральная микросхема КВЧ диапазона", заявка № 2001129783/20, приоритет 06.11.2001г.

61. Список научно-технических отчетов.в которых отражены основные результаты диссертации.

62. Н1. НТО по НИР «Похор», 1991

63. Н2. НТО по НИР «Перо», 1991

64. НЗ. НТО по НИР «Припев-4», 1992

65. Н4. НТО по НИР «Припев-5», 1993

66. Н5. НТО по НИР «Предлог», 1993

67. Н6. НТО по НИР «Парсек», 1996

68. Н7. НТО по НИР "Синтез", 1998

69. Н8. НТО по НИР "Наноэлектроника-П", 1996

70. Н9. НТО по НИР "Ползун-Потенциал", 1999

71. НЮ. НТО по ОКР "Оса-М", 2000