автореферат диссертации по радиотехнике и связи, 05.12.07, диссертация на тему:Исследование и разработка твердотельного приемно-усилительного модуля 8-миллиметрового диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов мощностью до 1 кВт в импульсе

005047649

На правах рукописи

УСОВ Андрей Аркадьевич

ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ПРИЕМНО-УСИЛИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ 8-МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН С ЗАЩИТОЙ ПО ВХОДУ ОТ СИНХРОННЫХ и НЕСИНХРОННЫХ СИГНАЛОВ МОЩНОСТЬЮ ДО 1 кВт В ИМПУЛЬСЕ

Специальность: 05.12.07 - Антенны, СВЧ-устройства и их технологии

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

2 О ДЕК 2012

Санкт-Петербург 2012

005047649

Работа выполнена на кафедре радиотехнической электроники Федерального государственного бюджетного учреждения высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина).

Научный руководитель:

Официальные оппоненты:

Доктор технических наук, профессор, Григорьев Андрей Дмитриевич

Доктор физ.-мат. наук, профессор Вендик Ирина Борисовна, профессор кафедры МИТ СПбГЭТУ

Доктор технических наук

Парнес Михаил Давидович, гл. инженер

ОАО «Резонанс», Санкт-Петербург

Ведущая организация: ОАО «Центральное Конструкторское

Бюро Аппаратостроения», г. Тула

Защита состоится « 26 » декабря 2012г. в час. СО мин. на заседании диссертационного совета Д212.238.03 при «Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) по адресу: г. Санкт-Петербург, ул. проф. Попова, д. 5.

С диссертацией можно ознакомиться в научно-технической библиотеке Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ».

Автореферат разослан « » ноября 2012г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Баруздин С. А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В радиолокационных станциях (РЛС) с момента их появления одними из важнейших задач являются задачи усиления колебаний СВЧ и управления ими. Первая задача связана с усилением принимаемого антенной сигнала до величины, необходимой для нормальной работы индикатора РЛС. Вторая задача важна для целей коммутации СВЧ мощности в трактах СВЧ, в частности, для переключения антенны на каналы приемника и передатчика, а так же для ограничения мощности, поступающей в канал приемника, как в режиме передачи, так и в режиме приема

На разных этапах развития РЛС и радиоэлектронной аппаратуры в целом, указанные задачи решались различными способами с применением для указанных целей приборов, основанных на различных физических принципах действия.

При этом с течением времени улучшались качественные характеристики приборов, применяемых для указанных целей, однако сами задачи управления и усиления колебаний СВЧ являются актуальными и в настоящее время. При этом для целей защиты приемника разработан специальный класс приборов, названных защитными устройствами (ЗУ), в который входят как переключатели, так и ограничители. Для целей усиления СВЧ сигналов также разработан целый класс усилителей, в который входят усилители разных типов.

В современных радиолокационных станциях и приемной аппаратуре диапазона СВЧ ЗУ является одним из важнейших электронных элементов СВЧ-тракта. Оно обеспечивает защиту входных цепей приемника от СВЧ-сигналов «собственного» передатчика, сигналов соседних радиолокационных станций и других внешних СВЧ-сигналов, способных вызвать нарушение работы приемного устройства.

Особенно актуальной является задача разработки полупроводниковых малошумящих приемно-усилительных модулей (ПУМ) 8-мм диапазона с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов, так как при традиционной компоновке приемника из отдельных приборов не удается получить приемлемые значения коэффициента шума приемника в целом, что очень важно для современной высокочувствительной аппаратуры. Кроме того, переход на чисто полупроводниковый вариант модуля на порядок повышает быстродействие и долговечность модуля в целом в связи с отказом от входных газоразрядных каскадов защиты.

В настоящее время разработаны полупроводниковые ЗУ сантиметрового диапазона, обладающие весьма высокими параметрами. Однако в миллиметровом диапазоне, несмотря на достигнутый прогресс, не полностью решенными остаются следующие актуальные и практически важные задачи проектирования и конструирования ПУМ: уменьшение сложности изготовления и настройки

малогабаритных ПУМ; оптимизация конструкция входного каскада твердотельного ЗУ в связи с достаточно большой импульсной мощностью на входе модуля; минимизация потерь, вносимых защитным устройством, с целью обеспечения малого коэффициента шума ПУМ; обеспечение малой просачивающейся мощности, что необходимо для надежной работы МШУ; необходимость применения нестандартных технических решений в связи с отсутствием аналогов в 8-мм диапазоне длин волн. Решению вышеперечисленных вопросов и посвящена данная диссертационная работа.

Цель диссертационный работы. Разработка полностью твердотельного приемно-усилительного модуля 8-миллиметрового диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов мощностью до 1 кВт в импульсе.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие основные задачи: разработка оптимальной структурной схемы ПУМ, определение требований к исходным кремниевым и арсенид-галлиевым подложкам для создания монолитных р-1-п диодных матриц; определение требований к единичным р4-п диодам, входящим в состав матриц; разработка базовой технологии производства многофункциональных р-\-п диодов и монолитных ограничителей на их основе; разработка малошумящего усилителя 8-миллиметрового диапазона длин волн; разработка конструкции и определение основных характеристик твердотельного приемно-усилительного модуля 8-миллиметрового диапазона длин волн.

Методы исследования. Решение перечисленных выше задач выполнено с применением: теории СВЧ цепей с сосредоточенными и распределенными параметрами, численного решения алгебраических и дифференциальных уравнений, использования патентных исследований.

Научная новизна:

1. Создан полностью твердотельный (полупроводниковый) приемно-усилительного модуль 8-мм диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов мощностью до 1 кВт в импульсе. Такая входная мощность в миллиметровом диапазоне длин волн достигнута впервые. В связи с отказом от входных газоразрядных каскадов защиты долговечность модуля повышена на порядок.

2. Разработан малошумящий усилитель мощности 8-миллиметрового диапазона длин волн с коэффициентом шума не более 2 дБ.

3. Объединение в одном блоке (модуле) защитного устройства и малошумящего усилителя позволяет улучшить качество согласования ЗУ и МШУ и

тем самым уменьшить коэффициент шума модуля. Сокращены также габариты и масса модуля.

Практическая значимость: Предложенная конструкция малошумящего приемно-усилительного модуля 8-миллиметрового диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов мощностью до 1кВт и разработанные методики проектирования и изготовления монолитных каскадов защитного устройства используются при разработке специальной аппаратуры в ЗАО "Светлана-Элекгронприбор".

Апробация работы. Диссертационная работа выполнена на кафедре радиотехнической электроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ». Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на международных и всероссийских конференциях: «XVII координационного научно-технического семинара по СВЧ технике» (Нижний Новгород, п. Хахалы, 2011), «Актуальные проблемы электронного приборостроения», («АПЭП -2010, Саратов, 2010), Всероссийской конференции "Микроэлектроника СВЧЭ (Санкт-Петербург, 2012), 63-й НТК ППС СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2010.

Достоверность н обоснованность полученных в диссертационной работе результатов, положений и выводов подтверждена результатами проведенных теоретических и экспериментальных исследований с применением современных вычислительных средств и измерительной аппаратуры.

Реализация результатов. Результаты разработки полупроводникового ограничителя для защиты МШУ и разработки самого МШУ использованы в ОКР «Панцирь-С» и «Панцирь-С1». Разработанные в этих ОКРах приемно-усилительные модули - М45163, М55150, использующие результаты диссертационной работы, успешно поставляются заказчику июня 2010г.

Публикации. По материалам диссертационной работы опубликовано 10 печатных работ, из них 1 работа - в рекомендуемых ВАК РФ изданиях, 8 - в других статьях и материалах конференций.

Структура и объем диссертационной работы. Диссертационная работа общим объемом 122 страниц состоит из введения, трех глав, заключения, включает 52 рисунка, 8 таблиц, а так же списка используемой литературы из 30 наименований.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Использование управляющего токового сигнала, создаваемого вторым каскадом защитного устройства, позволяет увеличить толщину базы диодов, использованных в первом каскаде (в монолитной кремниевой матрице) без существенного снижения быстродействия ЗУ. Это позволило увеличить

допустимую входную импульсную мощность до 1 кВт и отказаться от газоразрядных каскадов защиты.

2. Использование в выходных каскадах ЗУ балочных р-ип- и детекторных диодов позволяет уменьшить максимальную просачивающуюся мощность на входе МШУ до 10 мВт при увеличении малосигнального затухания не более чем на 0,3 дБ.

3. Показано, что конструктивное объединение ЗУ и МШУ в один модуль позволяет улучшить согласование между его отдельными каскадами и добиться снижения коэффициента шума приемно-усилительного модуля 8-миллиметрового диапазона длин волн до 4 дБ при одновременном снижении массы и габаритов изделия.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении отражена актуальность диссертационной работы, сформулированы цель и практическая ценность работы.

Первая глава работы посвящена аналитическому обзору литературы по устройствам для управления СВЧ колебаний и формулировке решаемых задач.

Защитное устройство состоит из одного или нескольких каскадов, выполненных в виде отрезков линии передачи с включенными в них нелинейными элементами (газоразрядными, полупроводниковыми, ферритовыми и др.), которые изменяют свои электрические параметры при превышении некоторого порогового значения воздействующей на них СВЧ-мощности. Защитные устройства используются для защиты приемной аппаратуры дециметрового, сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн, применяются в различных видах наземной, морской, авиационной и ракетно-космической техники.

К настоящему времени разработано большое количество типов ЗУ, они существенно отличаются по электрическим параметрам от первых резонансных разрядников. От правильного выбора и эксплуатации ЗУ непосредственно зависит надежность работы приемного устройства и всей аппаратуры в целом. Все это ставит перед разработчиками ЗУ и аппаратуры сложные инженерно технические задачи.

Полупроводниковое ЗУ представляет собой отрезок СВЧ-линии передачи с включенными в него последовательно или параллельно коммутирующими полупроводниковыми элементами (диодами). Использование полупроводниковых ЗУ способствовало решению задач комплексной миниатюризации антенных приемно-передающих трактов бортовых РЛС. Допустимый уровень входной мощности Ра этих ЗУ в дециметровом диапазоне достигает сотен киловатт в импульсе, а в миллиметровом диапазоне - сотен ватт. Полупроводниковые ЗУ содержат, как правило, несколько каскадов. Отдельный каскад защиты может быть как многодиодным, например в виде диодной матрицы (кремниевое окно) с

включением в поперечное сечение волновода до нескольких десятков и даже сотен диодов, так и однодиодным устройством.

Многодиодный каскад защиты представляет собой отрезок линии передачи,

в поперечном сечении которой параллельно или последовательно-параллельно

включено несколько, как правило, однотипных ^-/-«-диодов. Выделяющаяся в

каскаде СВЧ-мощность при таком включении диодов практически равномерно

распределяется между ними. Поэтому многодиодные ЗУ способны рассеять

существенно большую среднюю мощность, чем однодиодные. Кроме того, при

последовательно-параллельной схеме включения диодов имеется возможность

использования полупроводниковых структур с меньшей толщиной г'-слоя, чем в

однодиодиых ЗУ в одних и тех же электрических режимах, обеспечивая тем самым

более высокое быстродействие. Так, для р-г'-л-диодной квадратной матрицы с п-

элементами уменьшение толщины /- слоя и площади единичной

полупроводниковой структуры в п раз по сравнению с однодиодным ЗУ

обеспечивает снижение времени восстановления в п раз при сохранении

максимально допустимой входной импульсной мощности, потерь пропускания,

рабочей полосы частот и долговечности. При этом уровень максимально

2

допустимой входной средней мощности увеличивается в п раз.

В настоящее время разработаны полностью твердотельные ЗУ сантиметрового диапазона с входной мощностью до 10 кВт. Однако при переходе на более высокие частоты использованные решения оказываются неприемлемыми из-за больших паразитных параметров диодов и схемы. Поэтому для разработки ЗУ 8-мм диапазона, не уступающего по параметрам аналогичным устройствам сантиметрового диапазона, необходимо решить ряд новых научных и практических задач:

1. Выбор и оптимизация конструкции и технологии изготовления входного каскада твердотельного ЗУ в связи с достаточно большой импульсной мощностью на входе модуля.

2. Разработка способов увеличения быстродействия ЗУ.

3. Минимизация потерь, вносимых защитным устройством, с целью обеспечения малого коэффициента шума ПУМ.

4. Обеспечение малой просачивающейся мощности, что необходимо для надежной работы МШУ.

Вторая глава работы посвящена аналитическому обзору литературы по устройствам для усиления колебаний СВЧ мощности.

МШУ позволяют ценой относительно небольшого усложнения схемы и увеличения размеров и веса аппаратуры существенно повысить чувствительность приемника (снизить коэффициент шума) и тем самым увеличить дальность действия РЛС. Это особенно важно для бортовых РЛС, где возможности

увеличения мощности передатчика и размеров антенны для повышения дальности часто ограничены заданными массой и размерами аппаратуры. В настоящее время в МШУ РЛС применяются, как правило, транзисторные усилители, имеющие достаточно малый уровень шума и высокую надежность.

На рис. 1 показана простейшая структурная схема однокаскадного усилителя СВЧ. Усилительный прибор представлен в виде четырехполюсника, описываемого волновой матрицей рассеяния (системой Б - параметров). Эти параметры могут быть определены методом измерения падающих и отраженных волн или рассчитаны по известным У-параметрам усилительного прибора.

Усилитель

согласуется по входу и выходу с источником сигнала и с нагрузкой (Дг=Ро,Яц=Ро)- Реальные входной и выходной СВЧ тракты имеют в режиме согласования с источником сигнала и с нагрузкой волновые сопротивления порядка 50 Ом, которые

0

Яг

Ро

сц,

1Й

X

сц. Ро

т

£[ I 1£вх ¿вых! !

Рис. 1. Структурная схема однокаскадного усилителя

отличаются от значений, необходимых для нормальной работы транзистора.

Поэтому усилитель должен включать в себя согласующие цепи СЦ1 и СЦ2,

трансформирующие значения сопротивлений.

Важнейшими параметрами транзисторного усилителя СВЧ являются его

коэффициент усиления, устойчивость и коэффициент шума в заданной полосе

частот. Для достижения минимального коэффициента шума согласующие цепи

МШУ должны иметь минимум активных потерь, поэтому их строят на реактивных

элементах, как правило, с распределенными параметрами.

Типичная схема однокаскадного узкополосного малошумящего усилителя

на полевом транзисторе с затвором Шотгки показана на рис. 2. Транзистор

включен по схеме с общим истоком. Цепь

согласования СЦ| образована отрезками

микрополосковых линий длиной /], 12,

согласующая цепь СЦ2 - отрезками /3, /4. В

общем случае волновые сопротивления линий

не одинаковы, отрезки /[, /3 образуют

короткозамкнутые шлейфы. Стабилизирующее

_ „ _ сопротивление по высокой частоте

Рис. 2. Схема однокаскадного узкополосного

мшу подключено параллельно выходным зажимам

Вх й

транзистора.

Поскольку коэффициент усиления транзистора уменьшается с ростом частоты, вопросы согласования в широкополосных усилителях решают на верхней частоте рабочего диапазона. Возникающее при этом избыточное усиление на нижних частотах устраняется реактивными или диссипативными (поглощающими) выравнивающими цепями.

В настоящее время транзисторные малошумящие усилители СВЧ изготовляются преимущественно в виде гибридных интегральных микросхем с навесными корпусными и бескорпусными активными элементами. Усилители в виде полупроводниковых интегральных микросхем уступают гибридным по шумовым показателям и повторяемости параметров.

Третья глава посвящена разработке монолитного полупроводникового ограничителя мощности 8-миллиметрового диапазона длин волн, предназначенный для работы при входной импульсной мощности до 1 кВт.

В монолитных полупроводниковых защитных устройствах, разрабатываемых на основе многодиодных матриц, СВЧ мощность распределяется в сечении волноводного тракта между большим количеством управляемых дискретных р-\-п диодов, что дает возможность резко увеличить импульсную и среднюю мощность при сохранении высокого быстродействия, определяемого быстродействием единичных р-1-п диодов. При этом на порядок по сравнению с газоразрядными защитными устройствами увеличивается долговечность. Таким образом, монолитные многодиодные полупроводниковые защитные устройства позволяют преодолеть принципиальные трудности, возникающие в миллиметровом диапазоне в газоразрядных защитных устройствах и обеспечить большую долговечность и высокое быстродействие.

В ходе диссертационной работы проведена разработка конструкции полупроводниковых ограничителей 8-мм диапазона на основе рА-п диодных матриц. В этих устройствах полупроводниковая подложка со сформированной на ней СВЧ схемой располагается поперек сечения волновода.

Исходная подложка для монолитных р->п диодных матриц должна быть прозрачна для проходящей СВЧ мощности и обеспечивать технологическую возможность создания на ее базе СВЧ схемы в виде монолитной многодиодной матрицы для управления проходящей через подложку мощностью.

Наиболее приемлемыми для создания монолитных СВЧ схем являются подложки из монокристаллов и СоАэ. В их объеме и на поверхности методами травления, окисления, диффузии, эпитаксии, напыления и другими технологическими методами формируются СВЧ микросхемы.

Параметры СВЧ микросхем, изготовленных на базе полупроводниковых подложек, очень сильно зависят от состояния поверхности последних. Качество

поверхности подложек определяется ее микрорельефом (шероховатостью), кристаллическим совершенством поверхностных слоев и степенью физико-химической чистоты. Высокие требования предъявляются и к обратной, нерабочей, стороне подложки. Неодинаковая и неравноценная обработка обеих сторон подложки приводит к дополнительным остаточным механическим напряжениям и деформации кристалла, что обуславливает изгиб пластины.

Как правило, подложки, выпускаемые промышленностью, имеют ориентацию <100>, что неприемлемо для формирования на их основе монолитных многодиодных матрицы с качественным рельефом. Применение кремния с ориентацией <110> позволяет после травления получить канавку (а, следовательно, и рельеф самой СВЧ схемы) прямоугольного сечения, в то время как склоны канавки в случае кремния с ориентацией <100> являются наклонными, что приводит при формировании р- и и-переходов р-1-п диодов в канавках к нестабильности параметров единичных диодов матрицы. Поэтому для разработки монолитных р-1-п диодных матриц на основе кремния следует использовать подложки с ориентацией <110>.

В диссертационной работе для создания ОаАэ р-1-п диодных матриц были использованы зарубежные подложки фирмы ИНЬе^ (Германия), эпигаксиальные г-области на которых выращивались в ОАО «Элма-Малахит», г. Зеленоград.

С целью определения пригодности выбранных подложек для создания монолитных р-1-п диодных матриц для переключателей и ограничителей была проведена экспериментальная проверка прозрачности (вносимых потерь) выбранных подложек 81 и СаАэ в 8-мм диапазоне частот. Проверка производилась на образцах подложек 81 и ваАз толщиной 200 мкм при включении последних в волноводные резонансные диафрагмы 8-мм диапазона (сечение тракта 7,2 х 3,4 мм). В результате испытаний нескольких партий подложек выяснилось, что зарубежные подложки из арсенида галлия в 8-мм диапазоне вносят потери 0,4...05 дБ, а отечественные - 2,5...3,0дБ, т.е. в 5-6 раз больше и не пригодны для изготовления монолитных многодиодных матриц.

Переключатель (ограничитель) на основе монолитной многодиодной структуры представляет собой полупроводниковое окно, расположенное поперек сечения волновода. На окне сформирована многодиодная матрица из последовательно-параллельно включенных диодов. Упрощенная конструкция матрицы из 16 диодов приведена на рис.3. Приведенной конструкции соответствует электрическая схема включения диодов, показанная на рис. 4.

По цепи управления все диоды включены параллельно, а по СВЧ -параллельно-последовательно (4 столбца по 4 диода в каждом столбце). В реальных конструкциях число диодов значительно больше и составляет десятки и

даже сотни диодов, особенно в переключателях, рассчитанных для работы при повышенных значениях средней и импульсной мощности.

Для надежной работы матрицы в составе ограничителя необходимо чтобы рассеиваемая в единичных диодах мощность не превышала предельно допустимой для диодов величин. Особенно это важно для входных каскадов ограничителя, работающих при максимальных входных мощностях.

В результате анализа и макетирования была выбрана конструкция ограничителя, содержащая две связанных между собой по постоянному току матрицы на 81 рч-п диодах и на ваАв рА-п диодах. Каждая матрица содержит 64 диода (8 столбцов по 8 диодов в каждом столбце), при этом 4 диода в каждом

Полупроводниковая подложка

Рис. 3. Упрощенная конструкция монолитной п . _

Рис.4 Схема включения р-1-п диодов в

многодиоднои матрицы

полупроводниковой матрице из 16 диодов столбце по постоянному току включены навстречу друг другу, а средние точки столбцов каждой матрицы соединены между собой и со средними точками столбцов другой матрицы. Полярность включения диодов в одноименных столбцах указанных матриц обратная по отношению друг к другу.

Конструкция ограничителя схематично приведена на рис. 5,а, а ее эквивалентная схема - на рис. 5,6. Пластина 1 с матрицей из 81 р-г-п диодов располагаются первой по ходу мощности, пластина 2 с матрицей из ОаАв диодов располагается за ней на электрическом расстоянии равном четверти длины волны в волноводе. Настройка ограничителя на заданную рабочую частоту осуществляется с помощью компенсирующих индуктивных элементов 3, 4 в виде металлических полосок.

В предложенной конструкции увеличение рабочей мощности обеспечивается за счет первой, кремниевой, матрицы, в которой применены достаточно мощные р-1-п диоды с толщиной базы 10 мкм. Малая величина просачивающейся мощности обеспечивается за счет подпитки диодов первой матрицы постоянным током, вырабатываемым диодами второй, арсенид-галлиевой,

матрицы, при этом вторая матрица одновременно выполняет роль второго каскада ограничителя.

В рамках диссертационной работы с целью повышения эффективности и надежности работы ограничителя в режимах с короткой длительностью импульса обе матрицы были выполнены по двухполупериодной схеме, а именно, все четные столбцы в обеих матрицах, согласно рис. 5.6 имели отрицательную полярность по сравнению с нечетными столбцами. Это позволяет избежать выхода ограничителя из строя при большой входной мощности, когда первая 81-матрица детектирует сигнал и выпрямленный ток первой матрицы частично компенсирует ток второй,

ш 11 $ 1

¿УУУ

КоигасирухпцнЛ

ПлДОМк! ; с ттртогЯ н: 0»Д1р-Й1 дходо!

Рис. 5. Схематичная конструкция ограничителя на основе монолитных 51 и ОаАв матриц (а) и ее эквивалентная схема (б).

встречно включенной, ОаАБ-матрицы, в результате чего матрицы могут оказаться обесточенными (или слабо запитанными) и выйдут из строя.

Разработанный монолитный полупроводниковый ограничитель 8-мм диапазона на уровень входной импульсной мощности до 1 кВт имеет следующие основные электрические параметры:

— рабочая полоса частот, % б

— потери пропускания, дБ 1,4

— максимальная просачивающаяся мощность, Вт 1,1

— время восстановления по уровню 3 дБ при длительности импульса 200 1 мкс, не

11. ЬеСгоу

■ (— И ■ ■_ .

......- .4.......а —

..... ■ ........А Ж - -

_ __ ■V .. ¡1 ..

- ■ Шав -----— -.....-Ть1

Рис. 6. Осциллограмма входного (кривая С1) и зондирующего (кривая С2) импульсов

На рис. 6 показана осциллограмма входного импульса (кривая С1) и зондирующий сигнал на выходе ЗУ (кривая С2). Как видно, время восстановления ограничителя,

измеренное по стандартному уровню 3 дБ при длительности импульса 1 мкс составляет 200 не, что удовлетворяет техническим требованиям.

Конструкция волноводного ограничителя (переключателя) на базе монолитной многодиодной структуры приведена на рис. 8. Конструктивно прибор состоит из двух фланцев (1) и (2) и корпуса (3), в котором размещены две идентичные монолитные полупроводниковые структуры (4) и (5), разделенные четвертьволновым металлическим вкладышем (6). Аналогичные вкладыши размещены между полупроводниковыми структурами и фланцами. Входной и выходной фланцы содержат герметизирующие окна (7, 8) из полиамидной пленки, при этом для лучшего согласования с волноводным трактом электрическое расстояние от герметизирующих окон до монолитных полупроводниковых структур выбрано равным А.в/4, где - длина волны в волноводе, соответствующая средней частоте рабочего диапазона.

Рис. 7. Конструкция прототипа МШУ Рис. 8. Конструкция волноводного переключателя

(ограничителя) на базе монолитной многодиодной

Четвертая глава посвящена разработке малошумящего усилителя 8-мм диапазона длин волн и рассмотрению возможности создания на основе выше изложенного материала твердотельного приемно-усилительного модуля 8-мм диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов мощностью до 1кВт в импульсе.

Малошумящий усилитель является наиболее важным каскадом, входящим в приемно-усилительный модуль, т. к. определяет коэффициент шума, и коэффициент усиления приемно-усилительного модуля.

В качестве прототипа для расчета и оптимизации схемы МШУ была выбрана схема, предложенная «НПП «Пульсар» в патенте на изобретение1. В нем представлена интегральная микросхема, содержащая основание с волноводными

1 Менненбаев В.М., Дорофеев А.А. Патент РФ № 2206940 от 20.06.2003. "Интегральная микросхема КВЧ диапазона"

каналами, микрополосковые платы без обратной металлизации, выступающие в волноводные каналы перпендикулярно широкой стенке волновода, и кристалл транзистора, установленный в разрыв между микрополосковыми платами и соединенный с ними проволочными проводниками. В этой микросхеме отсутствует обратная металлизация МПЛ, что снижает потери СВЧ сигнала. Но измененная (упрощенная) конфигурация лицевой металлизации МПЛ в области волноводного окна приводит к потерям полезного сигнала и сужению рабочего диапазона частот.

Конструкция прототипа показана на рис. 7. МШУ состоит из основания 1 с волноводными окнами 2, двух микрополосковых плат 3 без обратной металлизации, выступающих в волноводные каналы перпендикулярно широкой стенке волновода, и кристалла транзистора 4, установленного между полосковыми платами и соединенным с ними проволочками 5. Лицевая сторона в области волноводных окон имеет конфигурацию в виде скачков ширины МПЛ. Для центральной частоты 34 ГГц и кварцевой подложки с ег=3,8 и Ь=0,2 мм длина каждого скачка Ь = 0,45 мм, ширина металлизации скачков = 0,8 мм, = 0,4 мм, \Уз= 1,2 мм.

Для улучшения согласования МШУ с разработанным ЗУ в заданной полосе частот была проведена оптимизация его размеров, что позволило уменьшить КСВ в до приемлемых значений. Значения размеров до и после оптимизации приведены в таблице.

Таблица

Данные патента Данные диссертации

Ь — 0.45 мм ¿ч = 0.43 мм; 1г = 0.46 мм; ¿3 = 1.1 мм

И^ = 0.8 мм У/г = 0.53 мм

= 0.4 мм 1Уг = 0.29 мм

= 1.2 мм Жз = 1.1 мм

ег=3,8 и И=0,2мм £г=3,8 и И=0,2 мм

Частотные зависимости КСВН до и после оптимизации представлены на

Вид волноводной части разработанного усилителя представлен на рис. 10,а,

0) ''—1 иП1

..—0+

__АЗ

1Г$2' ИЗ' Й4'П

. . "П'| К 5ЁЁЁ, .

А2

0А1

£8-

Рис. 10. Вид волноводной части МШУ (а) и его электрическая схема (б).

5,-0.5

6+0.5

6+1

6-1

6-0,5

6

Частота, ГГц

Рис. 11. Зависимость коэффициентов усиления (а) и шума (б) МШУ от частоты.

6

Частота, ГГц

Ь+0.5

к ямоаэ цо»|Рса1бфо

его электрическая схема - на рис. 10,6, а частотные характеристики - на рис. 11.

Оптимизация параметров ЗУ и МШУ позволила разработать приемно-усилительный модуль 8-мм диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных помех с импульсной мощностью до 1 кВт. Характеристики модуля, показанные на рис. 12, находятся на уровне лучших аналогичных устройств сантиметрового диапазона.

Полученные результаты _ <§>

показывают возможность разработки полностью твердотельного приемно-усилительного модуля 8-мм диапазона с уровнем защиты по входу от синхронных и несинхронных сигналов мощностью до 1 кВт в импульсе. При этом долговечность разработанных модулей на порядок превышает долговечность ранее разработанных модулей, использующих для защиты резонансные разрядники.

Особенно следует отметить

уд

_ _

1

1 мз

* 1 ^. ^—

_3._1 — —

1

~7 1

1

_ 1

ЕТП ас

3) ВД 31

¡И . М 1 33.5 оооо окг 1 г:т ов

М1 _ ИЗ

-и-

014 8ИП ЗЗОН1

Рис. 12. Коэффициенты шума и усиления ППМ

достаточно высокий уровень защиты входа МШУ от синхронных и несинхронных сигналов (1000 Вт импульсной и 1 Вт средней мощности соответственно). При этом максимальная импульсная мощность на выходе модуля не превышает 10 мВт при обеспечении высокого быстродействия 0,2 мкс.

Основные результаты и выводы

1. Разработаны входные монолитные каскады твердотельного защитного устройства 8-миллиметрового диапазона длин волн на монолитных кремниевых и арсенид-галлиевых ^-/-«-диодных матрицах, предназначенного для работы при входной импульсной мощности до 1 кВт;

2. Разработаны выходные каскады твердотельного защитного устройства на базе балочных р-г-п и детекторных диодах, с выходной импульсной мощностью 10 мВт;

3. Разработан малошумящий усилитель мощности 8-миллиметрового диапазона длин волн с коэффициентом шума не более 2 дБ;

4. Показано, что за счет улучшения согласования между отдельными каскадами, входящими в состав модуля узлов, можно добиться оптимизации параметров приемно-усилительного модуля 8-миллиметрового диапазона длин волн.

5. Использование управляющего сигнала (тока) создаваемого вторым каскадом защитного устройства (монолитной арсенид-галлиевой матрицей) позволяет увеличить толщину базы диодов использованных в первом каскаде (монолитной кремниевой матрице) и тем самым увеличить допустимую входную импульсную мощность до 1 кВт и отказаться от газоразрядных каскадов защиты;

6. В качестве второго каскада защитного устройства целесообразно использовать монолитную арсенид-галлиевую матрицу на р-1-п диодах с толщиной базы 2-3 мкм и высоким быстродействием, которая позволяет уменьшить порог срабатывания защитного устройства;

7. Для нормальной работы малошумящего усилителя необходимо использование двух дополнительных каскадов защитного устройства на балочных р4-п диодах и диодах с барьером Шотки.

8. Объединение в одном блоке (модуле) защитного устройства и малошумящего усилителя позволяет улучшить качество согласования, сократить габарит и уменьшить массу и уменьшить коэффициент шума модуля.

9. Установлено, что при использовании защитного устройства и малошумящего усилителя описанного в диссертации, возможно создать комплексированный малошумящий приемно-усилительный модуля 8-миллиметрового диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и

несинхронных сигналов мощностью до 1кВт, имеющий коэффициент шума не более 4 дБ.

Результаты диссертации опубликованы в следующих работах: В изданиях, рекомендованных ВАК РФ

1. Усов.А.А. Монолитный автономный полупроводниковый ограничитель мощности 8-мм диапазона длин волн, предназначенный для работы при входной импульсной мощности до 1 кВт / A.A. Усов, A.B. Кириллов, В.А. Смирнов // Известия высших учебных заведений России «Радиоэлектроника». 2012. Г2012. С. 105-108.

В других изданиях

2. Усов A.A. Полупроводниковый малошумящий приемно-усилительный модуль 8-мм диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов / A.A. Усов, A.B. Кириллов, В.А. Смирнов // Известия Санкт-Петербургского Государственного Электротехнического Университета «ЛЭТИ». 2009. 7/2009. С. 3-6.

3. Усов A.A. Разработка защитных устройств малошумящих усилителей миллиметрового диапазона. / А.Д. Григорьев, A.B. Кириллов, A.A. Усов // Сборник докладов студентов, аспирантов и молодых ученых, 63-я НТК ППС, изд. СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2010. С. 43-49.

4. Усов A.A. Монолитный автономный полупроводниковый ограничитель мощности 8-мм диапазона длин волн, предназначенный для работы при входной импульсной мощности до 1 кВт / A.B. Кириллов, В.А. Смирнов, A.A. Усов // Материалы XVII координационного научно-технического семинара по СВЧ технике. ФГУП «НПП «Салют» // 2011. С. 76-79.

5. Усов A.A. Твердотельный малошумящий приемно-усилительный модуль 8мм диапазона с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов мощностью до 1 кВт в импульсе. / A.B. Кириллов, В.А. Смирнов, A.A. Усов, Р.Г Шифман // Материалы XVII координационного научно-технического семинара по СВЧ технике. ФГУП «НПП «Салют», 2011. С. 118-120.

6. Усов A.A. Твердотельный (полупроводниковый) приемно-усилительный модуль 8-мм диапазона длин волн с защитой по входу от синхронной и асинхронной помехи мощностью до 1 кВт в импульсе / A.B. Кириллов, A.A. Усов, А.Д. Григорьев.// Материалы трудов всероссийской конференции «Микроэлектроника СВЧ», 2012. С. 97-101.

7. Усов A.A. Монолитный автономный полупроводниковый ограничитель мощности 8-мм диапазона длин волн, предназначенный для работы при входной импульсной мощности до 1 кВт / A.B. Кириллов, A.A. Усов.//

Материалы НТК №67, посвященной Дню радио, изд. СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2012.

8. Усов A.A. Монолитный ограничитель мощности миллиметрового диапазона / А.Д. Григорьев, A.B. Кириллов, A.A. Усов.// Материаллы конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения», 2010. С. 128-133.

9. Усов A.A. Полупроводниковый малошумящий приемно-усилительный модуль 8-мм диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов / A.B. Кириллов, В.А. Смирнов, A.A. Усов // Материалы НТК №62, посвященной 40-летию Научно-исследовательской лаборатории СВЧ-микроэлектроники, 2009. С. 26-27.

Подписано в печать 22.11.2012. Формат 60x84/16 Отпечатано с готового оригинал-макета в типографии ЗАО «КопиСервис». Печать ризографическая. Заказ № 2/1122. П. л. 1.0. Уч.-изд. л. 1.0. Тираж 100 экз.

ЗАО «КопиСервис» Адрес: 197376, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, д. 3. тел.: (812) 327 5098

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1-УСТРОЙСТВА ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СВЧ КОЛЕБАНИЯМИ.

1.1. Общие сведения и принцип работы защитных устройств СВЧ.

1.2. Классификация защитных устройств.

1.3. Параметры защитных устройств.

1.4. Полупроводниковых защитные устройства.

1.5. Элементная база полупроводниковых ЗУ.

1.6. Эквивалентная схема и параметры р-1-п диодов.

1.7. Схемы включения р-г-п-дйодов в линию передач и их характеристики.

1.8. Основы конструкции полупроводниковых защитных устройств.

1.9. Многодиодные каскады защиты.

ГЛАВА 2. УСТРОЙСТВА ДЛЯ УСИЛЕНИЯ СИГНАЛОВ СВЧ.

2.1. Основные сведения.

2.2. Общие требования к входным цепям широкополосных приемных устройств.

2.3. Характеристика полупроводниковых малошумящих усилителей.

2.4. Постановка задач исследования.

ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА ЗАЩИТНОГО УСТРОЙСТВА.

3.1. Определение требований к подложкам 5/ и СаАз для создания монолитных р-г-п диодных матриц.

3.1.1. Выбор типа полупроводниковых подложек.

3.1.2. Требования к состоянию поверхности подложек.

3.1.3. Выбор ориентации подложек.

3.1.4. Экспериментальное исследование выбранных подложек в 8-мм диапазоне.

3.2. Определение требований к диодам в диодной матрице.

3.2.1. Общие сведения о работе ограничителя на основе монолитной многодиодной матрицы.

3.2.2. Определение требований к единичным р-і-п диодам, входящим в состав матриц.

3.3. Выбор схемы и конструкции ограничителя.

3.4. Конструкция монолитной много диодной планарной структуры для ограничителя.

3.5. Технология изготовления монолитной планарной р-і-п диодной матрицы.

3.6. Контроль основных электрофизических характеристик монолитного р-і-п диодного ограничителя на низкой частоте.

3.7. Конструкция и электрические характеристики монолитных ограничителей на базе ваАБ структур.

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ПРИЕМНО-УСИЛИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ.

4.1. Разработка малошумящего усилителя.

4.2. Конструкция и параметры ПУМ.

В радиолокационных станциях (РЛС) с момента их появления одними из важнейших задач являются задачи управления колебаниями СВЧ и их усиления. Первая задача важна для целей коммутации СВЧ мощности в трактах СВЧ, в частности, для переключения антенны на каналы приемника и передатчика, а так же для ограничения мощности, поступающей в канал приемника, как в режиме передачи, так и в режиме приема. Вторая задача связана с усилением принимаемого антенной сигнала до величины, необходимой для нормальной работы индикатора РЛС.

На разных этапах развития РЛС, и радиоэлектронной аппаратуры в целом, указанная задача решалась различными способами с применением для указанных целей приборов, основанных на различных физических принципах действия.

При этом с течением времени улучшались качественные характеристики приборов, применяемых для указанных целей, однако сами задачи управления и усиления колебаний СВЧ являются актуальными и в настоящее время. При этом для целей защиты приемника разработан специальный класс приборов, названных защитными устройствами (ЗУ), в который входят как переключатели, так и ограничители СВЧ сигналов. Для целей усиления СВЧ сигналов также разработан класс усилителей, в который входят усилители разных типов.

В современных радиолокационных станциях и приемной аппаратуре диапазона СВЧ защитное устройство (ЗУ) является одним из важнейших электронных элементов СВЧ-тракта [1]. Оно обеспечивает защиту входных цепей приемника (смесителей на полупроводниковых диодах, малошумящих полупроводниковых усилителей и др.) от СВЧ-сигналов «собственного» передатчика (синхронных сигналов) и сигналов соседних радиолокационных станций и других внешних источников, способных вызвать нарушение работы приемного устройства (несинхронных сигналов).

Длительную эволюцию прошли и устройства усиления сигналов СВЧ. В процессе этой эволюции вакуумные усилительные приборы менялись на полупроводниковые, которые выполнялись сначала по гибридной, а затем и монолитной технологии. Основной проблемой при разработке этих устройств являлось снижение уровня шума и повышение рабочей частоты.

Несмотря на достаточно длительный период развития, полупроводниковые приемно-усилительные модули (ПУМ), включающие защитное устройство и малошумящий усилитель (МШУ), в миллиметровом диапазоне длин волн не обеспечивают необходимую чувствительность приемника и не обеспечивают его защиту от мощных помех, создаваемых как собственным передатчиком, так и сторонними источниками преднамеренных и непреднамеренных помех. В то же время необходимость разработки ПУМ миллиметрового диапазона с улучшенными параметрами становится все более актуальной.

В связи с этим цель диссертационной работы была сформулирована следующим образом: исследование и разработка приемно-усилительного модуля 8-мм диапазона длин волн, по основным электрическим параметрам не уступающего аналогичным изделиям сантиметрового диапазона.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Разработать схему полностью твердотельного ЗУ и определить требования к ее элементам.

2. Разработать базовую технологию изготовления многодиодных матриц на основе кремниевых и арсенид-галлиевых подложек.

3. Разработать конструкцию полупроводникового МШУ с волновод-ными входом и выходом.

4. Разработать конструкцию модуля в целом, обеспечить требуемые электрические параметры, технологичность изготовления и провести испытания модуля.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Использование управляющего токового сигнала, создаваемого вторым каскадом защитного устройства, позволяет увеличить толщину базы диодов, использованных в первом каскаде (в монолитной кремниевой матрице) без существенного снижения быстродействия ЗУ. Это позволило увеличить допустимую входную импульсную мощность до 1 кВт и отказаться от газоразрядных каскадов защиты.

2. Использование в выходных каскадах ЗУ балочных р-1-п- и детекторных диодов позволяет уменьшить максимальную просачивающуюся мощность на входе МШУ до 10 мВт при увеличении малосигнального затухания не более чем на 0,3 дБ.

3. Показано, что конструктивное объединение ЗУ и МШУ в один модуль позволяет улучшить согласование между его отдельными каскадами и добиться снижения коэффициента шума приемно-усилительного модуля 8-миллиметрового диапазона длин волн до 4 дБ при одновременном снижении массы и габаритов изделия.

Новые научные результаты:

1. Создан полностью твердотельный (полупроводниковый) приемно-усилительного модуль 8-мм диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов мощностью до 1 кВт в импульсе. Такая входная мощность в миллиметровом диапазоне длин волн достигнута впервые. В связи с отказом от входных газоразрядных каскадов защиты долговечность модуля повышена на порядок.

2. Разработан малошумящий усилитель мощности 8-миллиметрового диапазона длин волн с коэффициентом шума не более 2 дБ.

3. Объединение в одном блоке (модуле) защитного устройства и ма-лошумящего усилителя позволяет улучшить качество согласования ЗУ и МШУ и тем самым уменьшить коэффициент шума модуля. Сокращены также габариты и масса модуля.

Практическая ценность работы.

Предложенная конструкция малошумящего приемно-усилительного модуля 8-миллиметрового диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов мощностью до 1кВт и разработанные методики проектирования и изготовления монолитных каскадов защитного устройства используются при разработке специальной аппаратуры в ЗАО "Светлана-Электронприбор".

Реализация и внедрение результатов исследования. Результаты разработки полупроводникового ограничителя для защиты МШУ и разработки самого МШУ использованы в ОКР «Панцирь-С» и «Панцирь-С1». Разработанные в этих ОКРах приемно-усилительные модули - М45163, М55150, использующие результаты диссертационной работы, успешно поставляются заказчику июня 2010г.

Апробация работы. Диссертационная работа выполнена на кафедре радиотехнической электроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ». Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на международных и всероссийских конференциях: «XVII координационного научно-технического семинара по СВЧ технике» (Нижний Новгород, п. Хахалы, 2011), «Актуальные проблемы электронного приборостроения», («АПЭП -2010, Саратов, 2010), Всероссийской конференции "Микроэлектроника СВЧЭ (Санкт-Петербург, 2012), 63-й НТК ППС СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2010.

Результаты диссертации опубликованы в 9 научных статьях, в том числе опубликована одна статья в рекомендованных ВАК РФ изданиях.

Личный вклад соискателя. A.A. Усов принимал участие в создании ПУМ на всех этапах его разработки. Им предложена схема ЗУ, определены параметры ее элементов, разработана базовая технология изготовления полупроводниковых диодных матриц. A.A. Усов оптимизировал также конструкцию и параметры МШУ, разработал компоновку модуля и провел его испытания.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате выполнения диссертационной работы получены следующие основные результаты:

1. Проведен аналитический обзор литературы по защитным устройствам и малошумящим усилителям СВЧ. Показано, что известные устройства в миллиметровом диапазоне длин волн не обладают необходимыми характеристиками и параметрами.

2. Выбрана схема построения ЗУ, базирующаяся на использовании монолитных многодиодных матриц.

3. Проведен расчет необходимого числа диодов в матрице, исходя из максимальной входной импульсной и средней мощности.

4. Предложена схема, состоящая из двух диодных матриц - первой кремниевой и второй арсенид-галлиевой. При этом выпрямленный ток второй матрицы открывает диоды первой, тем самым увеличивая ее быстродействие и затухание в режиме ограничения.

5. Сконструирован малошумящий усилитель на основе импортной микросхемы ХЫ00. В результате оптимизации копланарно-волноводных переходов коэффициент шума усилителя снижен до двух децибел.

6. На базе разработанных ЗУ и МШУ сконструированы приемно-передающие модули типов М45163 и М55150. Модули прошли испытания и поставляются заказчику. При этом долговечность разработанных модулей на порядок превышает долговечность ранее разработанных модулей, использующих для защиты резонансные разрядники. Отечественные и зарубежные аналоги этих модулей отсутствуют.

1. А.И. Ропий, A.M. Старик, К.К. Шутов, Сверхвысокочастотные защитные устройства, М.:Радио и связь, 1993.

2. Р.И. Перец. Антенные переключатели. М.: Сов. Радио, 1950.

3. Д.А. Ашкенази, В.П. Беляев, Г.И. Бродуленко и др. Резонансные разрядники антенных переключателей. М.: Сов. Радио 1976.

4. Chaffin R.J. Microwave semiconductor devices: fundamentals and radiation effects. N.Y.: Mc Graw-Hill, Inc. 1973.

5. Мырова Л.О., Чепиченко А.З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионозирующему и электромагнитному излучению. М.: Радио и связь, 1988.

6. Patel S., Goldie H. А 100 kW solid-state coaxial limiter for L. band. Micrwave J. 1982. —N 1. —P. 93-97.

7. Tenenholtz R. Designingmegawatt diode duplexers. Microwave J.— 1978.—N 12,—P. 30—34 (part 1); 1979. — N 1,—P. 63—68 (part 2).

8. Вайсблат A.B. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. М.: Радио и связь, 19876. - 120 е.: ил. - (Массовая библиотека инженера «Электроника»)

9. Полупроводниковые диоды для управления СВЧ мощностью/ JI. С. Ли-берман, Б.В. Сестрорецкий, В.А. Шпирт, Л.М. Якубень. Радиотехника, 1972, т. 27, № 5, с. 10-23

10. Дзехцер Г.Б., Орлов О.С. p-i-n диоды в широкополосных устройствах СВЧ. М.: Сов. радио, 1970.

11. Leenov D. The silicon PIN diode as a microwave radar protector at mega watt levels.- IEEE Trans., 1964, vol. ED-11, N2,P.53-61.

12. Либерман Л.С. О системе параметров переключательных p-i-n диодов.

13. Полупроводниковые приборы и их применение. Сов. радио, 1969, вып. 21, с. 171-182.

14. Lee F. Achieve high isolation in series application with a low capacitance beam lead PIN. Microwave J., 1983, vol. 26, N 2, p. 143-146.

15. Seymour D. J., Heston D. D., Lehmann R. E. Monolitic MBE GaAs n-i-p-diode limiter. IEEE Microwave millimeter Waves monolithic circuits Symp.— 1987.—N 4. —P. 35—37.

16. Armstrong A., Goodrich G., Moroney W. High power mm passive solidstate limiter. Conf. Proc. Military Microwave.— London. — 1986. P. 143—148.

17. Кириллов A.B., Смирнов В. А., Романов JI.П. Технический отчет по НИР «Дункан», 1984г.

18. Лебедев И, В., Шнитников А. С, Купцов Е. И. Твердотельные СВЧ-ограничители проблемы и решения. Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника,- 1985.- Т. 28, № 10. - С. 34-41.

19. Лебедев И. В., Алыбин В. Г., Купцов Е. И. Интегрализацяя твердотельных управляющих и защитных устройств СВЧ. Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1982. - Т. 25, № 10. - С. 32-41.

20. Клич С.М. Проектирование СВЧ устройств радиолокационных приемников. М., «Сов. радио», 1973. С 184-187.

21. Сифоров В.И. Радиоприемники сверхвысоких частот. М., Воениздат, 1955.

22. Быстродействующие широкополосные модуляторы на p-i-n структурах. С.В.Кошевая, М.И.Смойловский и др. Изв. вузов. Серия Радиоэлектроника, 1989, т. 32, № 10, стр. 14-23.

23. З.Ю.Готра. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. Москва, Радио и связь, 1991.

24. А.В.Кириллов. Технический отчет по ОКР «Дисгрегация», ЗАО «Светлана-Электронприбор», 1993.

25. А.В.Кириллов. Технический отчет по НИР «Демарш», ЗАО «Светлана-Электронприбор», 1991.

26. А.В.Кириллов. Технический отчет по ОКР «Ключ», ОАО «Светлана», 2006.

27. Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды. Справочник, под ред. Б.А.Наливайко. Томск, МГП «Раско», 1992.

28. Патент на полезную модель №90934 от22.09.2010 СВЧ-ограничитель. Авторы Кириллов А.В., Попов В.В., Смирнов В.А., Романов Л.П., Соловьев Ю.В.

29. Alekseev Е. and Pavlidis D. High Switching Rate Capability of mm-Wave InGaAs PIN Diodes// Solid-State Electronics Laboratory. -http://www.eecs.umich.edu

30. D.Pavlidis, E.Alekseev, K.Hong, D.Cui InP-based millimeter-wave PIN diodes for switching and phase-shifting applications//Solid-State Electronics. -1997.-V.41.- №10.- pp.1635-39.

31. Alekseev E., Pavlidis D., Ziegler V., Berg M., Dickmann J. 77GHz HighIsolation Transmit. Receive Switch Using InGaAs/InP PIN diodes// GaAs 1С Symposium. 1998. - pp. 177-180

32. Semiconductor products operation GaAs pin diodes (MA4GP). :http:// www. macom.com

33. Hoag D., Curcio D., Boles T. Development of a High Voltage mmW GaAs PIN Diode Switch, http://www.macom.com

34. Semiconductor products operation GaAs pin diodes (MA4GP). http:// www. macom.com

35. Semiconductor products operation GaAs pin diode switches (MA4AGSW1). http:// www.macom.com

36. Semiconductor products operation GaAs pin diode switches (MA4AGSWA1). // www.macom.com

37. Semiconductor products operation AlGaAs/GaAs pin diode switches (MA4AGSW2). // www.macom.com

38. Semiconductor products operation AlGaAs/GaAs pin diode switches (MA4AGSW8-1). :http:// www.macom.com

39. Semiconductor products operation GaAs pin diode switches (MA4AGSW110). http:// www.macom.com

40. Semiconductor products operation Si pin diode switches (MA4L). http:// www.macom.com

41. Semiconductor products operation Si pin diode switches (MA8L-1). http:// www.macom.com

42. Н.З. Шварц. Линейные транзисторные усилители СВЧ. М., изд. "Сов. радио", 1980г.

43. Усов А.А. Полупроводниковый малошумящий приемно-усилительный модуль 8-мм диапазона длин волн с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов / А.А. Усов, А.В. Кириллов, В.А. Смирнов // Известия

44. Санкт-Петербургского Государственного Электротехнического Университета «ЛЭТИ». 2009. 7/2009. С. 3-6.

45. Усов A.A. Разработка защитных устройств малошумящих усилителей миллиметрового диапазона. / А.Д. Григорьев, A.B. Кириллов, A.A. Усов // Сборник докладов студентов, аспирантов и молодых ученых, 63-я НТК ППС, изд. СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2010. С. 43-49.

46. Усов A.A. Монолитный ограничитель мощности миллиметрового диапазона / А.Д. Григорьев, A.B. Кириллов, A.A. Усов.// Материаллы конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения», 2010. С. 128-133.