автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование и разработка GaAs СВЧ транзисторов, переключательных и ограничительных диодов и интегральных схем для модулей АФАР

Введение

Глава 1 Система параметров СаАэ полевых транзисторов.

1.1 Определение параметров структуры полевого транзистора (ПТБШ), характеризующих его работу на высоких частотах.

1.2 Структура системы параметров ПТБШ.

1.2.1 Важнейшие параметры и параметры - критерии годности для генераторных и усилительных ПТБШ.

1.2.2 Максимально допустимые параметры ПТБШ.

1.2.3 Справочные параметры и характеристики ПТБШ.

1.3 Методы измерения и парк измерительного оборудования, обеспечивающий реализацию системы параметров

ПТБШ.

1.4 Выводы.

Глава 2 Проектирование ограничительных и переключательных СВЧ диодов на основе ОаАэ диодов с барьером Шоттки.

2.1 Устройство защиты приемного СВЧ тракта на основе

СаАз ограничительных и переключательных диодов.

2.2 Выводы.

Глава 3 Схемотехнические и конструктивно-технологические принципы проектирования СВЧ модулей на основе ОаАэ элементной базы.

3.1 Проектирование СВЧ микросхем на основе ваАэ ПТБШ и диодов.

3.2 Проектирование СВЧ функциональных узлов передающего тракта. Усилители мощности.

3.3 Монолитная интегральная схема регулируемого усилителя.

3.4 Проектирование элементов приемного тракта.

3.4.1 Выбор элементной базы малошумящего СВЧ усилителя.

3.4.2 Выбор варианта схемы и элементной базы малошумящего усилителя с защитой от высокого уровня входной мощности.

3.5 СВЧ элементы для ППМ АФАР.

3.5.1 Переключатели ПРМ-ПРД.

3.5.2 МИС фазовращателя.

3.6 Выводы.

Глава 4 Структура приемопередающего модуля на основе разработанной элементной базы. 4.1 Состояние с развитием РЛС на основе АФАР.

Диссертация является итогом научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ её автора, проводившихся с 1972 по 2001г. Работа представляет собой комплекс исследований. На первом этапе проведены исследования, связанные с разработкой элементной базы для усиления и переключения сигналов, микроминиатюрных интегральных схем, создания научно обоснованной системы контрольных параметров, измерительной и испытательной аппаратуры для контроля качества продукции при разработке и в условиях производства. Заключительным этапом работы является создание приемопередающего модуля (ППМ) для системы АФАР. При этом следует подчеркнуть, что возможность создания ППМ появилась в середине 80-х годов, именно на базе предыдущих исследований, указанных выше.

Актуальность работы.

В середине 70-х годов с развитием технологии изготовления твердотельных приборов с субмикронными размерами и с ее внедрением в производство элементов твердотельной электроники появилась реальная возможность замены вакуумной техники СВЧ и КВЧ диапазонов частот связной и радиолокационной радиоаппаратуры. К отмеченному периоду времени относятся разработки СВЧ кремниевых биполярных транзисторов, как малошумящих на диапазон частот до 5 ГГц, так и мощных диапазона частот 1.10 ГГц с выходными мощностями десятки ватт в непрерывном режиме и сотни - в импульсном. Прогресс технологии изготовления полупроводников и успехи в производстве исходных полупроводниковых материалов позволили создать мощные ЛПД сантиметрового и миллиметрового диапазонов на основе кремния и арсенида галлия. Внедряются в массовое производство полевые кремниевые приборы с выходными мощностями единицы и десятки ватт с рабочими частотами выше гигагерца. Особое значение в модернизации и создании новой СВЧ радиоаппаратуры имеют полевые транзисторы на основе ваАэ, которые в силу своих физических свойств и особенностей конструкции позволяют решить значительную часть задач при проектировании приемной и передающей части СВЧ тракта систем связи и радиолокации сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн. Создание широкой номенклатуры дискретных транзисторов, внедрение технологии, адаптированной для серийного производства, позволило реализовать уникальные параметры радиотехнических систем.

Цель работы.

При разработке и производстве ОаАэ полевых транзисторов с барьером Шоттки стояли задачи, не решенные ранее на стадии разработки и выпуска кремниевых полевых транзисторов ввиду сильных различий в конструкции и принципе их работы. В связи с этим необходимо было:

- на основе физических свойств ПТБШ определить параметры структуры транзистора и их связь с технологическими параметрами,

- выделить состав важнейших параметров, характеризующих качество транзисторов и воспроизводимость технологического процесса,

- решить вопросы применения и адаптации парка измерительного оборудования к ПТБШ для обеспечения промышленного выпуска данного класса приборов,

- для определения параметров физической модели транзистора, а на ее основе эксплуатационных параметров, учесть влияние паразитных элементов топологии транзистора, сборки и корпуса.

Для вновь разрабатываемых ОнАб ПТБШ нашли применение методы измерения крутизны, токов утечки, межэлектродных емкостей. Но сам процесс измерения СВЧ ПТБШ имеет специфику, не позволявшую непосредственно использовать ранее разработанные методики. К отличиям, ограничивавшим применение измерительного оборудования, относятся:

- высокое значение рабочих частот (десятки гигагерц), что приводит к высокой вероятности возникновения паразитной генерации при нахождении прибора в активном режиме (применение антипаразит ных цепей искажает результат измерения),

- малые значения времени включения (единицы пикосекунд) при небольших значениях пробивных напряжений, что снижает устойчивость приборов к пробою от импульсных наводок, апериодических и периодических переходных процессов,

- малые значения постоянных времени разогрева активной части структуры, что требует опережения подачи напряжения затвора по отношению к напряжению стока при включении и опережающего выключения напряжения стока по отношению к напряжению затвора,

- широкий диапазон частот измерений СВЧ параметров, определяющий достоверность представления о многоэлементных моделях активных приборов.

Разработка и производство нового класса приборов потребовало комплексного подхода к проблеме создания системы параметров - одновременному учету физических и технологических особенностей ОаАзПТБШ, решению вопросов физики работы ОаАэ ПТБШ, совершенствованию методов измерения, разработке нового измерительного оборудования и оснастки к нему.

Именно развитие ОаАв ПТБШ стимулировали появление нового поколения измерителей коэффициента шума на диапазон частот до 37 ГГц (Х5-32, 34, 36, 40, 42). Кроме этого разработан измеритель 8-параметров - Р4-42 (ОКР "Ритм").

Наличие в классе ОаАэ ПТБШ двух групп транзисторов - усилительных и генераторных - поставило задачу развития методов измерения с точки зрения расширения частотного диапазона - для малошумящих (Кш, Кур) и мощных (Кур, Рвых, КПД) транзисторов.

Увеличение степени влияния паразитных параметров корпусов и элементов сборки, таких как индуктивность в общем электроде, проходная емкость, последовательные активные сопротивления, привело к необходимости создания корпусов СВЧ ПТБШ, обеспечивающих работоспособность транзисторов и реализацию их потенциальных возможностей в режиме малого и большого сигнала в диапазоне частот до 26 ГГц.

Большое внимание уделялось автором развитию перспективного направления измерительной техники полупроводниковых приборов - СВЧ зондовым измерителям в диапазоне частот 3.37 ГГц. Создание образцов измерительной техники служащей для ручной и автоматизированной разбраковки транзисторов на пластине по программируемому комплексу СВЧ и НЧ параметров, отбору работоспособных МИС позволило резко повысить процент выхода годных как дискретных приборов, так и устройств на их основе.

Комплексный подход к решению научных и прикладных задач позволил реально сформулировать технические требования к СВЧ элементной базе для приемных и передающих трактов систем с АФАР и к модулю в целом.

При проектировании приемопередающего модуля АФАР необходимо уделять особое внимание параметрам элементной базы, которые определяют степень приближения свойств реального модуля к идеальной модели, которая используется проектировщиками систем с АФАР при расчетах параметров антенн. Ошибка в реализации требуемых амплитудных и фазовых состояний полотна ППМ по апертуре антенны приводит к искажению диаграммы направленности, ошибке при переключении направления излучения, ошибкам при изменении частоты излучения, при изменении окружающей температуры. Все это уменьшает эффективность применения радиолокационных систем с АФАР. Поэтому автором было уделено значительное внимание выбору параметров СВЧ элементов ППМ и повышению точности их определения

Целью данной работы на первом этапе была разработка система параметров ОаАэ полевых транзисторов, обеспечившая производство необходимыми и достаточными критериями воспроизводимости, качества и надежности выпускаемой продукции. На основании теоретического анализа модели ОаАэ транзистора необходимо было сделать вывод об использовании ранее применяемых параметров, при необходимости дополнить перечень параметров новыми. Для сантиметрового и миллиметрового частотного диапазона необходимо было создать методы и аппаратные средства для измерения шумовых, энергетических и Б параметров выпускаемой в производстве номенклатуры ОаАБ полевых транзисторов. Для применения транзисторов в составе гибридных интегральных схем необходимо было адаптировать методы и аппаратуру к зондовому контролю СВЧ параметров транзисторов на кристаллах.

Необходимым условием построения узлов и блоков твердотельной СВЧ электроники является применение, помимо транзисторов, СВЧ диодов различного типа. Для значительного расширения функциональных возможностей СВЧ узлов приемного и передающего трактов необходимо было создание диодов, эффективно работающих в качестве переключателей и ограничителей СВЧ мощности.

На основе комплексного подхода к определению основных свойств элементной базы на втором этапе работы решалась задача построения функциональных узлов, свойства которых обеспечиваются энергетическими параметрами СВЧ генераторных и шумовыми параметрами СВЧ усилительных полевых транзисторов на основе СаАэ, а также функциональными возможностями переключательных и ограничительных ОаАв диодов. Задачу замены вакуумной элементной базы и создания миниатюрных СВЧ узлов в диапазоне частот от Ь до Ка диапазона частот невозможно было решить без исследования эксплуатационных характеристик активных элементов в условиях применения.

Функциональные свойства узлов и блоков рассчитывались на заданные диапазоны частот, заданные диапазоны температур, различное сочетание СВЧ параметров. В основу были положены математические линейные и нелинейные модели активных приборов, как общепринятые в машинном проектировании, так и оригинальные [А2, А4, А6], в большей степени связанные с технологией, конструкцией прибора и параметрами исходного материала.

Расчеты проверялись и корректировались на стандартном и оригинальном оборудовании. Так, например, фазовые характеристики на большом контролируемом уровне мощности стандартное оборудование измерять не позволяет. Для проверки фазовых характеристик передающего тракта на большом сигнале было создано оборудование, объединяющее измерение выходной мощности и фазовых характеристик.

Проведенные работы по проектированию СВЧ узлов широкого назначения в широком диапазоне частот и достижение высокого уровня технологии ваАэ ПТБШ, позволили создавать монолитные интегральные схемы на основе разработанных активных СВЧ элементов, степень достигнутой микроминиатюризации позволила перейти к проектированию приемо-передающего СВЧ модуля для антенных систем на основе активной фазированной антенной решетки. Необходимой основой являлись выработанные автором схемотехнические и конструктивно-технологические принципы проектирования.

Научная новизна результатов.

1 .На основе теоретического анализа работы ОаАэ ПТБШ автором установлена связь технологических и электрических параметров. Выделены параметры, определяющие эксплуатационное качество транзисторов, воспроизводимость технологического процесса и характеризующие область применения, а также параметры -критерии годности при проведении испытаний. Создана научно обоснованная система параметров для контроля качества СаАз полевых транзисторов при их разработке и производстве.

2. Впервые установлено значительное влияние геометрии кристалла р-ьп диода и связанной с ней индуктивности на функциональные возможности переключательных и ограничительных диодов. Впервые предложено использование при разработке переключательных и ограничительных диодов конструкция СаАэ р-1-п диода с интегральным теплоотводом, что позволило уменьшить по сравнению с традиционными конструкциями паразитную индуктивность и тепловое сопротивление в 3-5 раз.

3. Создана МИС управляемого усилителя сантиметрового диапазона длин волн с фазовой стабильностью в пределах ±6° в диапазоне регулировки более 15 дБ. Полученные характеристики основаны на методе машинного проектирования с использованием оригинальной модели активного элемента.

Практическая ценность диссертационной работы.

1. Разработанная методика измерения статических и СВЧ параметров полевых транзисторов и ряд измерительной аппаратуры обеспечили производство полевых транзисторов на основе СаАз.

2. Система параметров полевых транзисторов определила важнейшие, максимально допустимые и справочные параметры при производстве ОаАз полевых транзисторов на предприятиях отрасли.

3. Сформулированы задачи и намечены пути реализации в производстве базовых элементов приемопередающих модулей систем с АФАР сантиметрового диапазона длин волн.

4. Создан базовый габаритный образец приемопередающего модуля АФАР 3-х сантиметрового диапазона длин волн со стабильной фазой и возможностью юстировки.

Положения, выносимые на защиту.

1. При разработке и производстве ваАв транзисторов, обеспечении контроля качества и воспроизводимости технологического процесса необходимой и достаточной является система параметров в соответствии с ОСТ 11 336.934 - 81.

2. Для обеспечения улучшенных энергетических и частотных характеристик в схемах ограничителей и переключателей СВЧ сигнала в качестве активного элемента следует применять ОаАэ р-ьп диоды с интегральным теплоотводом.

3. Использование в структуре ППМ предложенных фазостабильных усилителей и аналоговых фазовращателей обеспечивает возможность фазовой и амплитудной юстировки и управления АФАР с повышенными точностными характеристиками.

Апробация диссертационной работы и публикации: Результаты диссертации опубликованы в 13 печатных работах и 4 отчетах по НИР и ОКР. Одно авторское свидетельство.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав с выводами, общих выводов, списка литературы из 28 наименований и одного приложения. Основное содержание работы изложено на 95 страницах, включая 42 рисунка и 12 таблиц.

4.5 Выводы

1. Исходя из принципов построения радиолокационных систем с АФАР, сформулированы основные требования к энергетическим, шумовым и функциональным свойствам ППМ. Выбрана структурная схема ППМ, обеспеченная СВЧ элементной базой. Сформулированы требования по стыковке управляющих элементов ППМ с устройствам выработки кодовой командной информации.

2. На основе комплекта элементной базы для использования в составе ППМ АФАР получены действующие образцы ППМ, удовлетворяющих по своим характеристикам требованиям к стабильности амплитудных и фазовых состояний. Выполнены требования к СВЧ функциональным параметрам: усилению СВЧ сигнала в канале приема и передачи, защиты приемного тракта ППМ от воздействия высокого уровня мощности, изменению амплитудных и фазовых состояний, переключению каналов приема и передачи, модуляции питания выходного каскада тракта передачи.

3. Результаты приведенных в работе исследований позволили реализовать на практике инженерную модель и габаритный образец ППМ для систем АФАР 3-х см диапазона. Более перспективные, по сравнению ФАР на СВЧ генераторных лампах или твердотельных усилителях, системы с АФАР для эффективности действия требуют точного поддержания необходимых и фазовых состояний. Реализованные образцы ППМ построены на разработанной элементной базе, по структуре уменьшающей фазовые и амплитудные ошибки за счет стабильности и возможности юстировки. СВЧ параметры разработанного ППМ приведены в таблице 4.3.

Рис. 4.2 Структурная схема радиолокатора на основе пассивной ФАР.

Рис. 4.3 Структурная схема радиолокатора на основе активной ФАР.

УСИЛИТЕЛЬ

Рис. 4.4 Структурная схема приемо-передающего модуля с раздельным управлением модулем и фазой сигнала в приемном и передающем канале.

Рис 4.5 Равномерное и неравномерное (для уменьшения уровня боковых лепестков) распределение мощности по апертуре антенны.

Ъвх отПРД

Рис. 4.6 Структура приемного тракта РЛС с АФАР.

Усилитель

Рис 4.7 Типовая структура ППМ с переключением тракта ПРМ-ПРД и элементами управления.

Рис. 4.8 Структурная схема ППМ.

Заключение.

Комплексное использование решенных в работе научных и технических проблем по разработке системы параметров ОаАэ полевых транзисторов СВЧ диапазона, по созданию элементной базы для усиления и переключения СВЧ сигналов, исследование физических моделей приборов, создание измерительного оборудования и методик измерений позволило существенно усовершенствовать процесс проектирования устройств СВЧ диапазона, гибридных и монолитных микросхем, в том числе комплекта элементной базы для использования в составе ППМ АФАР. Это, в свою очередь, позволило создать действующие образцы ППМ, удовлетворяющих по своим характеристикам требованиям к стабильности амплитудных и фазовых состояний, к функциональным параметрам.

В результате выполненной диссертационной работы получены следующие основные результаты и выводы:

1. Показано, что исследование физических моделей полупроводниковых приборов, создание на базе этих исследований метрологического обеспечения является одним из основных этапов разработки СВЧ усилительных и переключательных приборов на основе ОаАэ.

2. Автором диссертации предложена научно обоснованная система параметров ОаАэ ПТБШ, внедренная в ОСТ11.336.934, действующий в электронной промышленности по настоящее время.

Для определения основных свойств ваАэ ПТБШ были выбраны и введены в нормативную документацию параметры, представленные в таблице 1.1.

3. В качестве элементной базы для защиты входных цепей приемных устройств от высокого уровня СВЧ мощности при участии автора диссертации разработаны специальные ваАэ диоды. Диоды выращены на металлическом основании (интегральном теплоотводе) толщиной 30 мкм, толщина активной структуры - 3 мкм, что минимизирует последовательную индуктивность и тепловое сопротивление. Разработанные на основе диодов с интегральным теплоотводом и с диаметром активной части структуры 50 мкм ограничители мощности имеют затухание более 25 дБ при непрерывной входной мощности более 20 Вт. Потери в ограничителе при прохождении малого сигнала менее 0,3 дБ в Ь и Б диапазонах частот, менее 0,6 дБ в С и X диапазонах.

4. Автором диссертации предложена схема включения ограничительного диода, совмещающая режимы управляемого и неуправляемого ограничителя мощности.

5. В ходе исследования разрабатываемых ограничительных диодов показано, что затухание СВЧ сигнала в ограничителе зависит от толщины кристалла при независимости ее, в широких пределах, от параметров проводимости материала.

6. На основе схемотехнических и конструктивно-технологических принципов автором спроектирован ряд гибридных и монолитных усилительных и переключательных микросхем и модулей, параметры которых приведены в таблице 3.1.

Разработка проводилась в соответствии с принципами проектирования на основе компьютерного моделирования и расчетов.

Элементная база отбиралась в соответствии с требованиями, зависящими от схемы применения, методом зондового контроля.

Разработанные приемные устройства совмещают низкие шумы с эффективной защитой от высокого уровня входной мощности - от 20 до 200 Вт импульсной мощности. Устройства имеют возможность расширения динамического диапазона за счет применения переключаемых аттенюаторов в СВЧ и ПЧ трактах.

Основой разработанных усилителей мощности является применение мощных ваАв ПТБШ с внутренними цепями согласования и ГИС предварительных усилителей на кристаллах транзисторов, что определяет малые габариты изделий, низкую стоимость.

7. Для измерения в лабораторных и цеховых условиях кристаллов дискретных транзисторов, диодов и микросхем спроектированы СВЧ зондовые измерители.

8. Автором диссертации проведены исследования фазовой стабильности активных элементов и устройств на их основе. Разработана аппаратура для измерения фазовых характеристик на большом сигнале.

9. Проведена оптимизация МИС управляемого двухкаскадного усилителя на основе СаАэ ПТБШ с двухзатворным транзистором во втором каскаде. Оптимизация по ширине затворов транзисторов первого и второго каскадов, цепям межкаскадного согласования и импедансу, подключаемому ко второму управляющему затвору, проведена с целью получения минимального изменения фазы коэффициента передачи при изменении его модуля.

10. По результатам исследований получены образцы МИС фазостабильного управляемого усилителя и комплекта фазовращателей на основе мостов "Лан-ге".

И. Результаты приведенных в работе исследований позволили реализовать на практике инженерную модель и габаритный образец ППМ для систем АФАР 3-х см диапазона. Более перспективные по сравнению с ФАР на СВЧ генераторных лампах или твердотельных усилителях системы с АФАР для эффективности действия требуют точного поддержания необходимых и фазовых состояний. Реализованные образцы ППМ построены на разработанной элементной базе, по структуре уменьшающей фазовые и амплитудные ошибки за счет стабильности и возможности юстировки. Основные технические характеристики ППМ представлены в таблице 4.3.

Диссертация обобщает многолетний труд автора в области исследований СаАв полевых транзисторов и диодов, разработки на их основе гибридных и монолитных микросхем СВЧ диапазонов. Проведенные автором диссертации исследования, связанные с разработкой элементной базы для усиления и переключения СВЧ сигнала, созданная научно обоснованная система контрольных параметров, измерительная и испытательная аппаратура, предложенные схемотехнические и конструктивно - технологические принципы проектирования позволили реализовать технические требования, предъявляемые к перспективным изделиям радиолокационных систем - ППМ для активных ФАР.

Список работ автора по теме диссертации

Авторы Наименование Место публикации

AI Аболдуев И.М. Егудин А.Б. Либерман B.C. Полянов А.Б. Чкалова О.В. "Высокочастотные параметры полевых транзисторов на арсениде галлия." Электронная техника, серия 2, Полупроводниковые приборы, 1977г., вып.7(117), стр. 67-73.

А2 Дединец В.Е., Зубков A.M., Аболдуев И.М., Ионов В.Е. "Монолитный арсенид-галлиевый усилитель трехсантиметрового диапазона с фазостабильной регулировкой усиления." 6-я Международная Крымская Микроволновая Конференция, 1996г., Украина, Севастополь

A3 Аболдуев И.М., Алкеев Н.В., Кушнеренко И.И., Миннебаев В.М. "20-Ваттный усилитель мощности С-диапазона." м

A4 Ионов В.Е., Аболдуев И.М., Зубков A.M., Дединец В.Е. " Универсальные зондовые устройства для измерения параметров монолитных схем и GaAs транзисторов в диапазоне частот до 20 ГГц." м

А5 Аболдуев И.М., Миннебаев В.М., Алкеев Н.В. " 5-ваттный усилитель мощности С-диапазона." <!

А6 Аболдуев И.М. Зубков A.M. Миннебаев В.М. Хайду ков Ю.М. "Усилитель мощности диапазона 14-14,5 ГГц." П

А7 Аболдуев И.М., Алкеев Н.В., Кушнеренко И.И., Миннебаев В.М., Шишкань А.Н. "16-Ваттный усилитель мощности С-диапазона." 8-я Международная Крымская Микроволновая Конференция, 1998г., Украина, Севастополь

А8 Аболдуев И.М., Миннебаев В.М. "Малошумящий усилитель S-диапазона." м

А9 Аболдуев И.М. Зубков A.M. Миннебаев В.М. " Усилитель мощности Х-диапазона для АФАР" 3-я международная Конференция и Выставка "СПУТНИКОВАЯ СВЯЗЬ" 1998, Москва, Россия

А10 Abolduyev I.M., Zubkov A.M., Minnebaev V.M. X-BAND POWER AMPLIFIER FOR ACTIVE PHASED-ARRAY ANTENNAS. ICSC'98, Moscow

Alt Аболдуев И.М. Вальд-Перлов В.М. Миннебаев В.М. "Проектирование малошумящих усилителей с защитой от высокого уровня входной мощности" 9-я Международная Крымская Микроволновая Конференция, 1999г., Украина, Севастополь

А12 Аболдуев И.М. Миннебаев В.М. "Малошумящие усилители диапазона 1.5-22 ГГц." !'

Hl Руководитель работы: Аболдуев И.М. НТО "Байкал ИТ" "Исследование усилительных параметров малошумящих полевых транзисторов на основе арсенида галлия ". ГУП НПП "Пульсар", 1981г.

Н2 Руководитель работы: Аболдуев И.М. НТО по НИР "Разработка конструкции и технологии изготовления приемопередающего модуля в гибридно-монолитном исполнении для АФАР перспективной бортовой аппаратуры 3-х сантиметрового диапазона" шифр "Ползун-Потенциал". ГУП НПП "Пульсар", 1999г.

НЗ соавтор ОКР Оса М ГУП НПП "Пульсар", 1999г.

Н4 соавтор НИР "Пеленг" "Двухзатворный полевой транзистор" ГУП НПП "Пульсар", 1978г. т Аболдуев И.М., Крауз А.Я., Сарычев В.В. Изобретение "Мощный микроволновый балансный СВЧ усилитель" № 312560 ГУП НПП "Пульсар", 1989г.

Ссылочный материал

С1 DAVID N. McQUIDDY & other Transmit/Receive Module Technology for X-Band Active Array Radar/ Proc. of the IEEE, v. 79, N 3, March 1991.

С2 Фирмы: TOSHIBA, NEC,FUGITCU, SIEMENS, TriQuint, Agilent T КАТАЛОГ 1990-2000 гг.

СЗ Егудин A.B. Расчет вольтамперных характеристик полевых транзисторов с коротким каналом. Электронная техника, серия 2. 1978г. вып.1 (119). стр. 109-118

С4 Ван дер Зил А. Шумы, источники, описания, измерения М., "Советское радио", 1973г.

С5 под редакцией Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола Полевые транзисторы на арсениде галлия, принципы работы и технология изготовления. Москва, "Радио и связь", 1988г.

С6 ШпиртВ.А. "Полупроводниковый ограничительный диод СВЧ диапазона". "Полупроводниковые приборы и их применение" под ред. Федотова, вып. 23, стр.64-81.

С7 Д.А.У санов, A.B. Скрипаль Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Издательство Саратовского университета. 1999г.

С8 под ред. В. И. Вольмана, "Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств" М, "Радио и Связь", 1982г

С9 Л.Г. Малорацкий Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ Москва, «Советское радио», 1976г

СЮ Егудин A.B. Расчет вольтамперных характеристик полевых транзисторов с коротким каналом. Электронная техника, серия 2, вып. 1,1978 г., стр. 109-118.

СИ Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ. М., "Советское радио", 1980г.