автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Структурные и оптические свойства нанометровых модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе InAs/GaAs

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. ФОРМИРОВАНИЕ АНСАМБЛЕЙ САМООРГАНИЗОВАННЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ТпАБ В МАТРИЦЕ ваАБ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)

1.1. Механизмы эпитаксиального роста

1.2. Свойства слоев МтаАБ на поверхности ваАэ на этапе, предшествующем формированию когерентных островков.

1.3. Энергетические факторы равновесия.

1.3.1 .Условия перехода механизма роста от послойного (Франка -ван дер Мерве) к механизму Странского-Крастанова

1.3.2. Энергетические факторы формирования упорядоченных ансамблей квантовых точек.

1.3.3.Энергетический спектр плотности состояний одиночных квантовых точек.

1.3.4.Энергетическая релаксация носителей в структурах с квантовыми точками.

1.4. Получение ансамблей самоорганизованных квантовых точек в процессе выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии

1.4.1. Особенности технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения слоев ЬхАб.

1.4.2.Структурные свойства квантовых точек ЬхАб на ваАз . .29 1.4.3.Оптические характеристики ансамблей квантовых точек.

1.4.4.Спектр электронных состояний в самоорганизованных системах квантовых точек.

Глава 2. ИССЛЕДОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ РЕЖИМОВ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ЪАьЮаАз

2.1. Установка МЛЭ, подложки ОаАэ, техника эксперимента.

2.2 Влияние параметров технологического процесса на свойства квантовых точек 1пАз.

2.2.1. Оптимизация режимов молекулярно-лучевой эпитаксии для получения высококачественных квантовх точек ТпАз/ваАв

2.2.2. Температура подложки.

2.2.3. Давление мышьяка

2.2.4. Прерывание роста.

2.3. Формирование вертикально-связанных систем квантовых точек

Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ АНСАМБЛЕЙ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ¡пАБ наОаАБ

3.1. Эпитаксиальные структуры роста.

3.2. Сравнительное исследование оптических и электрических свойств методами фотолюминесценции и Холла.

3.2.1. Спектры фотолюминесценции и электронная подвижность в модулированно-легированных сверхрешетках с толщинами слоев ниже порога формирования квантовых точек.

3.2.2 Свойства модулированно-легированных сверхрешеток при толщине покрытия ЬпАб вблизи порога формирования квантовых точек.

3.3. Влияние условий роста на спектры фотолюминесценции гетероструктур ОаАзЛпАз/ОаАБ с квантовыми точками.

3.4. Исследование методом дифракции быстрых электронов.

3.5. Исследование методом атомно-силовой микроскопии.

3.6. Исследование методом просвечвающей электронной микроскопии.

Глава 4. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОДУЛИРОВАННО-ЛЕГИРОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ АЮаАвЛпАв/ОаАв.

4.1. Выращивание гетероструктур АЮаАзЯпАз/ОаАБ и методика измерений.

4.2. Влияние температуры на оптические свойства гетероструктур АЮаАзЯпАз/ОаАз.

4.3. Влияние мощности лазерной накачки на оптические свойства гетероструктур АЮаАзЛпАзЛлаАз.

ВЫВОДЫ.

Развитие технологических методов создания полупроводниковых соединений, и прежде всего, молекулярно лучевой эпитаксии, позволило получать полупроводниковые гетероструктуры с активной областью толщиной до 1 нм, что инициировало большое число фундаментальных исследований в полупроводниковой электронике. В результате этих исследований оказалась возможной реализация эффектов размерного квантования в твердом теле, что привело к появлению нового поколения полупроводниковых приборов, использующих новые фундаментальные физические эффекты в структурах, в которых квантоворазмерный эффект проявляется во всех трех измерениях. Такие структуры получили название квантовых точек (КТ) [ 1 ].

Дельта-легированные полупроводники, в которых атомы примеси расположены в слое толщиной в один или несколько атомных монослоев, являются объектом интенсивного экспериментального и теоретического исследования. Размерное квантование движения электронов в таких структурах существенно меняет большинство их электронных свойств и является причиной новых интересных физических эффектов [2]. В дельта-легированных структурах с высокой концентрацией примеси электронами заполнено несколько подзон размерного квантования. Поведение двумерных электронов в таких системах значительно более сложно по сравнению со структурами с одной заполненной подзоной. Важной научной задачей является исследование зависимости подвижности электронов от номера подзоны. В настоящее время все активнее исследуются электронные свойства систем КТ. На базе систем КТ ожидается создание высокоэффективных оптоэлектронных приборов, поскольку безызлучательные процессы рекомбинации в них должны быть сильно подавлены за счет размерного квантования. Однако количество работ, посвященных исследованиям оптических свойств структур с КТ и модулированным легированием, относительно не велико, а размерное квантование электронов в дельта-легированных структурах с КТ и высокой концентрацией примеси практически не изучено.

Настоящая работа посвящена исследованиям структурных и оптических свойств нанометровых модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе 1пАз/ОаА8

Целью диссертационной работы является исследование эпитаксиального роста гетероструктур с самоорганизованными системами КТ и двумерным электронным газом (ДЭГ) высокой плотности, разработка технологии формирования высококачественных гетероструктур с КТ на основе систем ^Аз/ваЛв; изучение оптических свойств модулированно-легированных гетероструктур с КТ и эффектов взаимодействия КТ в гетероструктуре М-АЮаАзЯпАзСКТуОаАБ.

В связи с этим в диссертации были поставлены следующие задачи:

1. Исследовать и оптимизировать режимы молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) (температура, скорость роста, время прерывания, соотношения молекулярных потоков) гетероструктур с КТ ЬтАб на ваАэ и двумерным электронным газом высокой плотности с целью достижения однородности размеров КТ.

2. Отработать методики атомно-силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии для определения структурных характеристик систем КТ в гетероструктурах ТпАз/ОаАБ.

3. С использованием метода фотолюминесценции (ФЛ) разработать методику прецизионной калибровки толщины слоя ГпАб и однородности размера КТ в гетероструктурах ЬгАэ/СаАз.

4. Исследовать спектры ФЛ в модуля ционно-легированных гетероструктурах ЬпАБ/ОаАБ и разработать физическую модель, объясняющую наблюдаемые особенности спектров ФЛ в зависимости от мощности лазерной накачки и температуры и влияние на них ДЭГ.

Научная новизна

1. Проведены исследования влияния условий эпитаксиального роста и эффектов диффузии индия на структурные особенности гетероструктур с КТ 1пА8ЛЗаА8(001) и модуляционно-легированных гетероструктур М-АЮаАз/1пА8(КТ)/ОаА8 с двумерным электронным газом (ДЭГ) высокой плотности.

2. Представлены результаты структурных исследований систем КТ методом ПЭМ поперечных сечений; разработана методика выращивания массивов вертикально-связанных систем КТ и гетероструктур АЮаАз/1пА8(КТ)/ваАз, дельта легированных кремнием, и на основе АСМ-данных определены размеры и концентрация квантовых точек ЬтАб на СаА8(001).

3. Впервые представлены результаты исследований фотолюминесценции в модуляционно-легированных гетероструктур с КТ и ее температурного поведения. Получена информация о перераспределении ДЭГ между подзонами гетероструктуры 14-АЮаА8ЛпА8(КТ)/(ЗаА8 .

Практическая ценность работы заключаются в том, что проведенные исследования влияния температуры роста и отношения потоков элементов Will на свойства напряженных квантово-размерных структур InAs/GaAs и разработанные в диссертации методики изучения их структурных параметров позволили сформулировать технологический процесс создания высококачественных гетероструктур КТ с двумерным электронным газом высокой плотности. Найденные в данной работе оптимальные режимы роста структур КТ будут использованы при создании транзисторов и диодов для перспективных телекоммуникационных систем СВЧ-диапазона.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Область параметров процесса МЛЭ роста, в которой происходит формирование однородной системы КТ InAs/GaAs и обеспечивается выращивание высококачественных гетеропереходов N-AlGaAs/InAs/GaAs с двумерным электронным газом высокой плотности.

2. Высокое кристаллическое качество гетероструктур КТ InAs на GaAs(OOl) достигается при определенных соотношениях потоков элементов V/III, зависящих от температуры роста, в частности при температуре 490°С минимальное отношение потоков элементов V/III должно быть больше 10.

3. Фотолюминесцентные и структурные характеристики КТ InAs на GaAs, выращиваемых при температуре выше 520°С, ухудшаются из-за распада твердого раствора и сегрегации In.

4. Количественные параметры (размеры и поверхностная концентрация) КТ InAs на GaAs(OOl), полученные методами АСМ и ПЭМ поперечных сечений.

5. Результаты исследований ФЛ ДЭГ в модуляционно-легированных гетероструктурах КТ N-AlGaAs/InAs/GaAs и информация о степени заполнения электронных подзон, энергии оптических переходов и их температурные зависимости.

выводы

1. Определена область параметров МЛЭ (температуры и скорости роста, соотношения молекулярных попоков, время прерывания роста) обеспечивающих формирование высококачественных гетероструктур Н-АЮаАз/ОаАэ/ 1пАз(КТ) с двумерным электронным высокой плотности. Исследовано влияние эффектов сегрегации индия на морфологию поверхности и подвижность двумерного электроного газа в модуляционно-легированных гетероструктурах с КТ и найдены спасобы подавления их негативного влияния.

2. Профиль распределения атомов индия в структурах с ОаАзЛпАБ квантовыми точками сильно зависит от условий роста: размер КТ возрастает с увеличением температуры роста и увеличением потока атомов индия.

3. Исследования методами просвечвающей эллектронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии показывают, что КТ шАз, образующиеся на поверхности ваАБ (100). Типичные размеры основания ссоставляют ~ 20 +25 нм при высоте - 4 4-5 нм. 4. В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции структур М-АЮаА8/ОаАз/1пАз(КТ) обнаружены особенности, связанные с электроннымипереходами с уровней размерного квантования и

1. N. N. Ledentsov, "Ordered arrays of quantum dots", Proc. of the 23 th Int. Conf on the Physics of Semiconductors, Berlin, Germany, 1996, M.SchefHer and R.Zimmerman, ed., v.l, pp. 19-26.

2. D. J. Eaglesham, M. Cerullo, "Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si (100)", Phys. Rev. Lett., 1990, v64, Nol6, pp 1943-1946

3. N. N. Ledentsov, P. D. Wang, С. M. Sotomayor-Torres, A. Yu. Egorov, M. V. Maksimov, V .M. Ustinov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, "Optical spectroscopic studies of InAs Layer transformation on GaAs surfaces", Phys. Rev. B, 1994, v50, No. 16, pp.12171-12174

4. А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. В. Максимов, В. М. Устинов "Выращивание квантово-размерных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs методом осаждения "субмонослойных" напряженных слоев InAs", ФТП, 1994, т.28, в.4, с. 604-610.

5. P. D. Wang, N. N. Ledentsov, С. М. Sotomayor-Torres, P. S. Kop'ev, V.M.Ustinov, "Optical characterization of submonotayer and monoiayer InAs structures grown in a GaAs matrix on (100) and high-index surfaces", Appl Phys Lett, 1994, v64, Nol2, pl526-1528

6. C. Weisbuch and G. Vinter, Quantum Semiconductor Structures (Academic, Boston, MA, 1991)

7. V. Bressier-Hill, A. Lorke, S. Varma, P. M. Petroff ,K. Pond, W. H. Weinberg, "Initial stages of InAs epitaxy on vicinal GaAs (001)-(2x4)M, Phys. Rev. B, 1995, v50, Nol2, pp 8479-8487

8. P.D.Wang, N.N.Ledentsov, C.M.Sotomayor-Torres, I.N.Yassievich, A.Pakhomov, A.Yu.Egorov, P.S.Kop'ev, V.M.Ustinov, "Magneto-optical properties in ultrathin InAs-GaAs quantum wells", Phys. Rev. B, 1994, v50, No3, pp 1604-1610

9. P. D. Wang, J. L. Merz, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, V. M. Ustinov, C. M. Sotomayor-Torres, "Enhanced exciton binding energy in InAs monotayers grown on (311)A GaAs substrates", Sol. State Commun, 1996, vlOO, Noll, pp 763-767

10. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, "Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands", Phys.

11. Rev. Lett, 1995, v75, pp 2968-2972

12. А. Ю. Егоров, A. E. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. В. Максимов, В. М. Устинов, "Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs", ФТП 1994, т28, в8, с 1439-1444

13. Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, М. В. Максимов, И. Г. Табатадзе, П. С. Копьев "Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs-GaAs", ФТП, 1994, т28, в8, с 1483-1487

14. M.Grundmann, N.N.Ledentsov, O.Stier, D.Bimberg, V.M.Ustinov, PS. Kop'ev, Zh.I. Alferov, "Excited states in self-organized InAs/GaAs quantum dots: theory and experiment", Appl. Phys. Lett, 1996, v 68, No7, p. 979-981

15. M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, J. Bohrer, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, "Nature of optical transitions in self-organized InAs/GaAs quantum dots", Phys. Rev B, 1996, v53, Nol6, pp R10509-R10511

16. V. A. Shichukin, D. Bimberg, Self-ordering in multisheet arrays of 2D strained islands, Thin Solid Films 357 (1999) 66-70

17. S. J. Pilkington, M. Missous, The growth of epitaxial aluminium on Ascontaining compound semiconductors, J. of Crystal Growth 196 (1999) 1-12

18. S. Hirose, M. Yamaura, A. Yoshida, H. Ibuka, K. Hara, H. Munekata, Mechanism of atomic layer epitaxy of AlAs, Journal of Crystal Growth 194 (1998) 16-24

19. R. Ares, J. Hu, P. Yeo, S. P. Watkins, Time-resolved reflectance difference spectroscopy of InAs growth under alternating flow conditions, Journal of Crystal Growth 195 (1998) 234-241

20. M. Nakamura, H. Fujioka, K. Ono, M. Takeuchi, T. Mitsui, M. Oshima, Molecular dynamics simulation of III-V compound semiconductor growth with MBE, Journal of Crystal Growth 209 (2000) 232-236

21. N. N. Ledentsov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev et al., "Optical spectroscopy of self-organized nanoscale heterostructures involving highindex surfaces", Microelectronics Journal, 1995, v26, No8, pp 871-879

22. R. Heitz, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, L. Eckey, M. Veit, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kopev, Zh. I. Alferov, "Multiphonon-relaxation processes in self-organized quantum dots", Appl.

23. Phys. Lett. 1996, v.68, No3, 361-363

24. R. Heitz, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, L. Eckey, M. Veit, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, "Exciton relaxation in self-organized InAs/GaAs quantum dots". Surf. Sci, 1996, v361/362, pp 770-773

25. U. Bockelman, G. Bastard, "Phonon scattering and energy relaxation in two-, one-, and zero-dimensional electron gases", Phys. Rev B, 1990, v.42, No 14, pp 8947-8951

26. М. Grundmann, О. Stier, D. Bimberg, "InAs/GaAs pyramidal quantum dots: Strain distribution, optical phonons, and electronic structure", Phys. Rev. B, 1995, v.52, No. 16, pp. 11969-11981.

27. Harris, L. A., J. Appl. Phys., 39: 1419-1427 (1968)

28. Practical Surface Analysis, (D. Briggs and M. P. Seah, eds.) Wiley, New York. (1983)

29. Seah, M. P. and Smith, G. C., Surface and Interface Analysis, p.69 (1988)

30. Benninghoven, A., Rudenauer, F. G., and Werner, H. W., Chemical

31. Analysis Series, Vol. 86, Wiley-Interscience, New York (1987)

32. Redhead, P. A., Hobson, J. P., and Kernelson, E. V., The physical basis of ultra-high vacuum., Chapman and Hall, London (1968)

33. Weston, G. F., Ultra-high vacuum practice, Cambridge University Press, London (1985)

34. Roth, A., Vacuum Technology, 3rd ed., North Holland Publishing Co., Amsterdam (1979)

35. Audi, M. and de Simon, M., Vacuum, 37:629-636 (1987)

36. Herman, M. A, Vacuum, 32:555-565 (1982)

37. Archer, N. J., Chemical Society Special Publication, (F. P. Glasser and P. E. Potter, eds.) 30:167-180 (1977)

38. Chamber, F. A., Zajac, G. W., and Fleisch, T. H., J. Vac. Sei. Technol., B4:1310-1315 (1986)

39. Kubiak R. A. A., Leong W. Y„ Houghton R. et al., MBE, P. 124(1985)

40. Cho, A. Y. and Cheng, K. Y., Appl. Phys. Lett., 39:360-362 (1981)

41. Wang, J. C. M., Brennan, T. M., and Cho, A. Y., J. Electrochem. Soc., 130:493-496 (1983)

42. Batey, J. H., Vacuum, 37:659-668 (1987)

43. Fitch, R. K„ Vacuum, 37:637-641 (1987)

44. Schmitt, N. M. and Farwell, R. F., "Understanding electronic control of automation systems," Understaning series, Ch. 6 9Continuous Process

45. Control), Texas Instruments, Dallas (1983)59. van der Pauw, L. J., Philips Rearch Reports, 13:1 (1958)

46. Sagnus, I. Prevot, G. Patriarche, G, Le Roux, B. Gayral, A. Lemaitre, J.

47. M. Gerad, High quality InAs/GaAs quantum dots grown by low-pressuremetalorganic vapor-phase epitaxy, J. of Crystal Growth 195 (1998) 524-529

48. S. Sanguinetti, S. C. Fortina, A. Motto et al., Self-aggregation of InAs quantum dots (Ml) GaAs substrates, Thin Solid Films 336 (1998) 9-12

49. H. B. Joo, G. M. Yang, D. H. Lim, et al., Self-organized growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum dot heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth 194 (1998) 161-165

50. Dong Pan, Jian Xu, Elias Towe, Insensitivity of self-formed quantum dots to substrate surface roughness, Journal of Crystal Growth 196 (1999) 23-25

51. Haijun Zhu, Zhiming Wang, Hui Wang, Liqiu Cui, Songlin Feng, Uniformity enhancement of the self-organized InAs quantum dots, Journal of Crystal Growth 197 (1999) 372-375

52. M. R. Reys, Fundamental growth kinetics in MOMBE/CBE, MBE, and MOVPE, Journal of Crystal Growth 209 (2000) 225-231

53. R. S. Goldman, K. L. Kavanagh, H. H. Wieder, S. N. Ehrlich, R. M. Feenstra, Effects of GaAs substrate misorientation on strain relaxation in InGaAs films and multilayers, J. Appl. Phys, vol83, no 10, pp 5137-5139

54. F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston, Effects of As overpressureon Si-doped (lll)A GaAs grown by molecular beam epitaxy: a photoluminescence study, Semicond. Sci. Technol. 7 (1992) 1504-1507

55. L. V. Asryan, R. A. Suris, Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser, Semicond. Sci. Technol., 1996, v. 11, pp. 554-567

56. M. Kawashima, T. Saku, Y. Horikoshi, Characteristics of AlGaAs /GaAs heterostructures grown by migration-enhanced epitaxy at high temperatures, Semiconductor Science and Technology 10 No. 9 (1995), 1237

57. A. Forchel, R. Steffen, T. Koch, M. Michel, M. Albrecht, T. L. Reinecke, Optical studies of free-standing single InGaAs/GaAs quantum dots, Semiconductor Science and Technology 11 No. 11S (1996), 1529

58. G. H. Li, H. X. Han, K. Ding, Z. P. Wang, Pressure behaviour of photoluminescence from InAs submonolayer in GaAs matrix, Journal of Physics: Condensed Matter 10 No. 48 (1998),

59. Y. Chen, G. H. Li, Z. M. Zhu, et al., Photoluminescence studies of type-II self-assembled Ino.55Alo.45As/Alo.5Gao.5As quantum dots grown on (311 )A GaAs substrate, vol.75 i. 11 (1999) pp. 3188-3190

60. A. Krier, X. L. Huang, A. Hammiche, Midinfrared photoluminescence of InAsSb quantum dots grown by liquid phase epitaxy, 77(2000) p. 3791-3793

61. J. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe,et al., Self-oranized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs, Appl. Phys. Lett. 64 (2), 196-198 (1994)

62. B. Lita, R. S. Goldman, J. D. Phillips, P. K. Battacharya, Interdiffusion and surface segregation in stacked self-assembled InAs/GaAs quantum dots, Appl. Phys. Lett. 1999, Vol 75, No 18, pp 2797-2799

63. F. Heinrichsdorff, M. Grundmann, O. Stier, A. Krost, D. Bimberg, Influence of In/Ga intermixing on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum dots, Journal of Crystal Growth 195 (1998) 540-545

64. Y. Nakata, Y. Sugiyama, T. Futatsugi, N. Yokoyama, Self-assembledstructures of closely stacked InAs islands grown on GaAs by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth 175/176 (1997) 713-719

65. Ch. Hyen, D. Endler, K. Zhang, W. Hansen, Formation and dissolution of InAs quantum dots on GaAs, Journal of Crystal Growth 210 (2000) 421-428

66. T. Hanada, H. Totsuka, T. Yao, Strain relaxation of self-assembled InAs/GaAs (001) quantum dots observed by reflection high-energy electron diffraction, Jpn. J. Appl. Phys. Vol40 (2001) ppl878-1881

67. T. M. H. Wong, Zhi Hui Liu and Norman M D Brown, M. E. Welland, A digital control system for scanning tunnelling microscopy and atomic force microscopy, Measurement Science and Technology 4 No. 3 (1993)

68. C. J. Chen, Attractive interatomic force as a tunnelling phenomenon, Journal of Physics: Condensed Matter 3 No. 10 (1991), 213

69. Y. Samitsu, A study of silicon-wafer surface evaluation using atomic force microscopy, Nanotechnology 4 No. 4 (1993), 1354

70. Y. S. Fatt, Observations of roughening on In0.iGao.9As/GaAs surfaces at atomic force microscopy, Semicond. Sci. and Technology 8 No. 4 (1993), 546

71. Zhi Hui Liu, Norman M. D. Brown, The influence of imaging conditions on the appearance of lattice-resolved AFM images of mica surfaces, Journal of Physics D: Applied Physics 30 No. 18 (1997), 98

72. Hyun-Kyu Kweon, Wei Gao, Satoshi Kiyono, In situ self-calibration of atomic force microscopy, Nanotechnology 9 No. 2 (1998), 234

73. Observation of topography inversion in atomic force microscopy of self-assembled monolayers, Nanotechnology 10 No. 4 (1999)

74. B. R. A. Neves, D. N. Leonard, M. E. Salmon et al., Atomic force microscope tip radius for accurate imaging of thin film surfaces, J. Vac. Sci. Techn. B12, 3176(1994)

75. Q. Gong, J. B. Liang, B. Xu, D. Ding, H. X. Li, Analysis of atomic force microscopic results of InAs islands formed by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth 192 (1998) 376-380

76. H. В. Байдусь, Б. H. Звонков, Д. О. Филатов, Ю. Ю. Гущина, И. А. Карпович, А. В. Здоровейщев, Матер. Всерос. Совещ. "Зондовая микроспопия 99". 10-13 Марта 1999, Нижний Новгород, с 164

77. Z. L. Wang, Electron reflection, diffraction and imaging of bulk crystalsurfaces in ТЕМ and STEM, Reports on Progress in Physics 56 No. 8, (1993)

78. S. D. Yu, L. C. Wang, Q. Li et al., An HREM, ТЕМ and SAD study of three-dimensional growth and strain relaxation in (GemSin) superlattices, Journal of Physics: Condensed Matter 5 No. 13 (1993)

79. S. H. Baker, S. C. Bayliss, S. J. Gurman, N. Elgun, J. S. Bates and E. A. Davis, The effect of varying substrate temperature on the structural and optical properties of sputtered GaAs films, Journal of Physics: Condensed Matter 5 No. 5 (1993), 675

80. G. Kiriakidis, J. Stoemenos, A. Ginoudi, K. Tsagaraki, A. Dimoulas, P. Maurell, J. C. Garcia, Structural study of InxGaixP/GaAs interfaces grown by

81. MOMBE, Semiconductor Science and Technology 7 No. 1A ( 1992)

82. S D Parker et al, Observation and control of the amphoteric behaviour of Si-doped InSb grown on GaAs by MBE, Semiconductor Science and Technology 4 No. 8 (1989), 2132

83. A. Ivière-Jérôme, C. Evade, G. Vschaeve, I Percheron-Garçon, B. Forgerit, A TEM study of slip lines in power MOS devices, Journal of Physics: Condensed Matter 12 No. 49 ( 2000)

84. G. Vanderschaeve, C. Levade, D. Caillard, Transmission electron microscopy in situ investigation of dislocation mobility in semiconductors, Journal of Physics: Condensed Matter 12 No. 49 (2000)

85. G. H. Li, H. X. Han, K. Ding, Z. P. Wang, Pressure behaviour of photoluminescence from InAs submonolayer in GaAs matrix, Journal of Physics: Condensed Matter 10 No. 48 (1998), 11111

86. G. H. Kim, D. A. Ritchie, M. Pepper, G. D. Lian, J. Yuan, and L. M. Brown, Transport properties of two-dimensional electron gases containing InAs self-assembled dots, vol.73, i.17 (1998) pp. 2468-2470

87. M. Arzberger, U. Käsberger, G. Böhm, and G. Abstreiter1.fluence of a thin AlAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots, vol. 75 i.25 (1999) pp. 3968-3970

88. B. Lita, R. S. Goldman, J. D. Phillips, and P. K. Bhattacharya, Interdiffusion and surface segregation in stacked self-assembled InAs/GaAs quantum dots, vol. 75 i. 18 (1999) pp. 2797-2799

89. D. G. Austing, S. Tarucha, P. C. Main, M. Henini, S. T. Stoddart, and L. Eaves, Multiple gated InAs dot ensembles, vol.75 i.5 (1999) pp. 671-673