автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Рентгеновская диагностика твердотельных микро- и наноструктур

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

§ 1 Твердотельная СВЧ электроника на гетерокомпозицнях с эффектами размерного квантования

§2 Структурная диагностика низкоразмерных гетерокомиозиций. Z

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

§1. Двухкристальная рентгеновская дифрактометрия.

§2. Рентгеновская рефлекгометрия.

§3. Метод стоячих рентгеновских волн.

§4. Метод термостимулированного разряда конденсатора 4

§5 Метод Ван дер Пау

ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА МНОГОЦЕЛЕВОГО РЕНТГЕНОВСКОГО

ДИФРАКТОМЕТРА И СИСТЕМЫ АВТОМАТИЗАЦИИ

§1. Разработка многоцелевого рентгеновского дифрактомегра

§2. Система автоматизированного управления дифрактометром

ГЛАВА 4. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ И ИХ

ОБСУЖДЕНИЕ

РАЗДЕЛ 1. Влияние рентгеновского облучения на структуру и электрофизические характеристики некоторых твердых растворов А2Вб.

§ 1. Твердые растворы CdxHgi ,хТе.

§2. Твердые растворы CdxZrii „хТе

РАЗДЕЛ 2. Гетероэпитаксиальные слои кремния на сапфире

РАЗДЕЛ 3. Гетероструктуры наноэлектроники с квантовыми ямами

§1. Многослойные гетероструктуры для СВЧ- транзисторов на основе соединений А3В

§2. Сверхрешетка Sii.xGex/Si для ИК- фотоприемников.

РАЗДЕЛ 4. Гетероструктуры для СВЧ -транзисторов с квантовыми точками в области канала.

РАЗДЕЛ 5. Решение задачи фиксации субангстремных смещений атомов методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии

В настоящее время производство изделий микроэлектроники требует формирования многослойных гетерокомпозиций различного функционального назначения. Развитие технологических методов формирования полупроводниковых гетерокомпозиций, и, прежде всего, молекулярно-лучевой эпитаксии, позволило создавать гетероструктуры с толщиной активной области до одного нанометра. Примерами таких структур могут служить многослойные полупроводниковые гетерокомпозиции с квантовыми ямами, сверхрешетками и гетероструктуры с квантовыми точками. Особенностью современной микроэлектроники является использование все более тонких слоев и переход от микро- к нанометро-вым размерам отдельных элементов. Активные области таких изделий, создаваемых на совершенных полупроводниковых кристаллах, формируются в очень тонких слоях, свойства которых (однородность, кристалличность, деформация решетки и резкость гетерограниц) определяют характеристики готовых приборов. При создании многослойных гетерокомпозиций особенно важными становятся вопросы определения структурных параметров отдельных слоев и состояния гетерограниц.

Для создания радиационно-стойких полупроводниковых приборов и интегральных схем с повышенной степенью интеграции и способных работать на высоких частотах используются эпитаксиальные слои кремния на сапфире. Область применения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире предусматривает наличие резкой границы раздела "пленка - подложка" для минимизации токов утечек, что ограничивает выбор метода формировании переходного слоя "пленка - подложка". Наличие дефектов кристаллической решетки накладывает ограничения на физические характеристики приборов, уменьшая время жизни неосновных носителей заряда и вызывая увеличение токов утечки и шумов транзисторов. Таким образом, создание таких приборов сдерживается рядом факторов, в том числе, и недостаточно высоким качеством исходных слоев. Улучшение функциональных свойств приборов может быть достигнуто переходом к пленкам кремния меньших толщин (0.6, 0.3 и 0.1 мкм). При этом остается открытым вопрос о кристаллическом качестве эпитаксиальных пленок различной толщины и их стойкости к воздействию внешних факторов.

В последнее время для создания детекторов различных видов излучения используются полупроводниковые твердые растворы на основе соединений типа АгВб. Совсем недавно было продемонстрировано успешное применение CdxZni. хТе детекторов в рентгеновской томографии и для регистрации высокоэнергеги-ческих фотонов. Твердые растворы CdxHg!.xTe являются основой для изготовления фотоприемников на различные диапазоны спектра (от 1.5 до 20 мкм). В то же время остается невыясненной возможность влияния этих излучений на структуру и электрофизические свойства рассматриваемых кристаллов.

В настоящей работе для изучения структурного совершенства полупроводниковых материалов и гетерокомпозиций были применены методы рентгеновской дифрактометрии, рентгеновской рефлектометрии и стоячих рентгеновских волн. Достоинствами этих методов являются их неразрушающий характер, высокое пространственное разрешение, а также возможность изучения особенностей структуры с масштабами порядка длины волны рентгеновского излучения. При этом комбинирование различных экспериментальных методик позволяет получать более детальную информацию об исследуемой структуре.

Основной целью работы являлась рентгеновская диагностика структурных параметров твердотельных микро- и наноструктур, установление влияния на них внешних полей и их связь с условиями роста и электрофизическими характеристиками.

Научная новизна полученных результатов заключается в следующем:

• На базе трехкристального рентгеновского спектрометра создан многоцелевой рентгеновский дифрактометр, который позволяет проводить в автоматическом режиме прецизионные исследования сложных микро- и наноструктур и других монокристаллических объектов методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, рефлектометрии, рентгеновской дифракции в условиях полного внешнего отражения, многоволновой дифрактометрии и др., и поликристаллов в угловом диапазоне 140° и точностью отсчета 0.25".

• Совместное использование методов двухкристальной рентгеновской дифрактометрии и термостимулированного разряда конденсатора для исследования тонких пленок кремния на сапфире позволило получить детальную информацию о природе и энергетическом спектре дефектов, а также установить последствия различных видов внешних воздействий.

• Впервые показано одновременное изменение кристаллической структуры и электрофизических характеристик твердых растворов CdxHgi.xTe и CdxZnixTe под действием рентгеновского излучения.

• Проведены исследования кристаллической структуры гетерокомпозий с нано-метровыми размерами слоев, предназначенных для создания СВЧ- транзисторов и ИК- фотоприемников. Показано наличие тонкого инородного слоя на поверхности кристалла и переходных областей сверху и снизу канала InGaAs. Обнаружено отличие реальной структуры сверхрешетки Si/SiGe от ожидаемой из условий роста, заключающееся в некоторой непериодичности сверхрешетки, изменении случайным образом состава слоев SiGe и в появлении посторонних включений между подложкой и буфером.

• Прослежены этапы формирования квантовых точек InAs в многослойных системах на основе GaAs методами рентгеновской дифрактометрии и рефлекто-метрии.

• Показан самосогласованный рост квантовых точек и возможность формирования двух типов сверхрешеток в структурах, содержащих более 2-х пар слоев с квантовыми точками.

• Впервые на гетероструктурах с квантовыми точками зафиксировано смещение атомных слоев на величину порядка 0.1 межплоскостного расстояния и продемонстрирована возможность прямого определения фазы дифрагированной волны по данным метода двухкристальной рентгеновской дифрактометрии.

Практическая значимость.

Примененный подход в создании многоцелевого рентгеновского дифракто-метра и способа его автоматизации может быть использован для расширения функциональных возможностей стандартных лабораторных дифрактометров

Результаты определения параметров слоев и гетерограниц в структурах с квантовыми ямами, квантовыми точками и сверхрешетками позволяют оптимизировать технологические процессы роста сложных многослойных гетерокомпо-зиций, для создания на их основе приборов с заданными характеристиками.

Определена оптимальная толщина эпитаксиальных пленок кремния на сапфире для создания больших интегральных схем на основе КНС.

Предложены модели механизмов воздействия рентгеновского излучения на структуру и электрофизические характеристики полупроводниковых кристаллов, объясняющие некоторые причины деградации полупроводниковых приборов на их основе.

Примененный подход при исследовании многослойных гетероструктур с квантовыми точками может использоваться как метод лабораторного экспресс анализа основных характеристик квантовых точек.

Возможность определения смещений атомных слоев в гетероструктурах с квантовыми точками на величину менее 0.1 межатомного расстояния методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались на II и III Национальных конференциях по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ) Москва 1999, 2001; конференции Микроэлектроника и Информатика-99, Зеленоград 1999; IX национальной конференции по росту кристаллов (НКРК), Москва 2000; Всероссийской Научно-технической Конференции Микро- и Наноэлектроника, Звенигород 2001; - 6th International Conference on Expert Evaluation and Control of Com

Введение6 pound Semiconductor Materials and Technologies (EXMATEC) Венгрия 2002; 6th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging (X-TOP2002), Grenoble-Aussois, France 2002.

По материалам диссертации опубликовано 19 печатных работ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Основные результаты и выводы, полученные при выполнении настоящей работы заключаются в следующем:

1. Для эффективного использования современных методов рентгеновской диагностики слоясных гетерокомпозиций микро- и наноэлектроники на базе трех-кристального рентгеновского спектрометра создан многоцелевой рентгеновский дифрактомегр, позволяющий реализовывать различные экспериментальные методики, и разработана система их автоматизации.

2. Исследования кристаллического совершенства и энергетического спектра дефектов в эпитаксиальных пленках кремния на сапфире различных толщин показали, что уменьшение толщины слоя кремния от 0.3 мкм до 0.1 мкм делает их менее пригодными для создания радиационно-стойких приборов из-за локализации микродвойниковых доменов вблизи границы раздела пленка-подложка.

3.Изучено влияние термического, лазерного отжига, облучения нейтронами и гамма квантами на структуру и электрофизические свойства КНС. Показано, что высокотемпературный отжиг приводит к улучшению структурного совершенства пленок кремния за счет рекристаллизации от более совершенной приповерхностной области. Воздействие нейтронов и гамма квантов приводит к ухудшению структурного совершенства за счет увеличения доли аморфной составляющей.

4. Впервые обнаружено одновременное изменение электрофизических характеристик и кристаллической структуры в твердых растворах CdxHgixTe и CdxZniKTe под действием рентгеновского излучения. Показано, что в твердых растворах CdxHgi.xTe происходит переход под действием рентгеновского излучения от пара к ферроэлектрической структуре за счет поляризации "Hg-Te" и "Cd-Te" диполей. В твердых растворах CdxZn!xTe дополнительная деформация межблочного пространства приводит к смещению глубоких уровней к центру запрещенной зоны.

5. Определены структурные параметры сложных гетерокомпозиций, содержащих слои нанометровых толщин, б-слои и слои с квантовыми точками, предназначенных для создания СВЧ - транзисторов и ИК - фотоприемников, и показано наличие тонких инородных слоев и переходных областей. Корректировка условий роста таких гетероструктур с учетом полученных результатов позволила создать твердотельные приборы с заданными характеристиками.

6. Установлено, что в многослойных гетероструктурах с квантовыми точками в процессе формирования первого слоя квантовых точек происходит фасетиро

Заключение 150 вание поверхности, приводящее к возникновению напряжений, стимулирующих вертикально связанный рост квантовых точек в последующих слоях.

7.Впервые обнаружено, что уже при наличии трех слоев с квантовыми точками происходит образование двух типов сверхрешеток, чередующихся в латеральном направлении: одна - состоящая из смачивающих слоев, другая - из квантовых точек. Определена латеральная периодичность в расположении квантовых точек по qx сечению в окрестности узла обратной решетки GaAs(l 13).

8.Впервые при исследовании гетероструктур с квантовыми точками методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии зафиксировано смещение атомных слоев порядка 0.1 межатомного расстояния и показана возможность прямого определения фазы дифрагированной волны из интерференционных колебаний на кривых дифракционного отражения.

В заключение выражаю глубокую признательность своим научным руководителям кандидату физ.-мат. наук, доценту Зайцеву А. А. и кандидату физ.-мат. наук Пашаеву Э.М. за предложенную тему и всестороннюю помощь. Автор благодарит д.ф.-м.н., член-корр. РАН Мокерова В.Г. за предоставленные образцы и постоянный интерес к работе, д.ф.-м.н., профессора Имамова P.M. за ценные консультации и замечания, д.ф.-м.н. член-корр. РАН Афанасьева A.M. и д.ф.-м.н. Чуева М.А. за помощь в теоретической обработке экспериментальных результатов, Колесникову Т.Г. за помощь в проведении электрофизических измерений, а также весь коллектив сотрудников кафедры "Полупроводниковые приборы" МИРЭА и лаборатории дифрактометрии кристаллических слоев ИКР АН за оказанное содействие и помощь при выполнении работы.

1. Ж.И. Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998 т.32, №1, с.З.

2. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Димберг. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП. 1998 т.32, №4, с.385.

3. Paalenen М.А., Tsui D.C., Lin В.J., Gossard A.C. Surf. Sci., 1984, v. 142, p.29

4. Tien P.K. Intergrated optics and new wave phenomena in optical waveguides. // Rev. Mod. Phys., 1977, v.49, p.361

5. Stormer H.L. Surf. Sci., 1984, v. 142, p. 130

6. Capasso F. Surf. Sci., 1983, v. 132, p.527

7. Ricco В., Azbel M.Y. Physics of resonant tunneling. The one dimensional double - barrier case. // Phys. Rev. B, 1984, v.29, № 4, p. 1970

8. Singh I., Hong S., Bhattacharya P. K. Quantum confined Stark effect of exitonic transitions in GaAs/AlGaAs MQW structures for implementation of neutral networks: Basic device requirements // Appl. Opt. 1988. Vol. 27. P. 4554—4560

9. ChangL.L., Esaki L., Tsu R. Resonant tunneling in semiconductor double barriers // Appl. Phys. Lett. 1974. Vol. 24. P. 593—595.

10. Bate R. T. Nanoelectronics//Nanotechnology. 1989. Vol.1. P. 1—7

11. В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, A.B. Гук, Л.Э. Великовский, В.Э Каминский. Наноэлектронные СВЧ транзисторы на основе гетероструктур соединений А3В5 с двумерным электронным газом // Зарубежная радиоэлектроника. №8. 1998. с.40

12. А. А. Кальфа, А. С. Татер. Гетероструктуры с селективным легированием и их применение в полевых транзисторах СВЧ. // Электронная техника, серия «Электроника СВЧ», 1982, вып. 12 (348), с. 26—38

13. Price I Р // Ann. Phys. 1981, V.133, р.217

14. Tsui D. С., Lagan R. A. Observation of two - dimensional electrons in LPE -grown GaAs-AlxGai„xAs heterojunctions. Appl. Phys. Lett., 1979, v.35, p.99

15. Drummond T J., Morkoc H., Cho A. Y Dependence of electron mobiliti on spa-sial separation of electrons and donors in AlxGaixAs/GaAs heterostructures. // J Appl. Phys., 1981, v.52, p. 1380

16. В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю. Пожела, и др. Подвижнось электронов в квантовой яме AlGaAs/GaAs/AlGaAs // ФТП, т.36, в.6, с.713 (2002)

17. Q.X. Zhao, S. Wongmanerod, М. Willander, et al. Effects of monolayer AlAs insertion in modulation dopped GaAs/AlxGaixAs quantum well. // Phys. Rev. B, 62, 10984 (2000)

18. Pozela. J., Juciene. V., Namajunas. et al. Photoluminescence and electron subbant population in modulation doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructures. // J.Appl.Phys., 1997 v.82, №11, p.5564.

19. Goldman R.S., Kavanagh K.L., Wieder H.H., and Ehrilch S.N. Modulation doped bio.53Gao.47As/Ino.52Alo.48As heterostructures grown on GaAs substrates using step -graded InxGai.xAs buffers. // J.Vac.Sci.Tecnol., 1996, vol.B14. № 4, pp3035-3039.

20. Gill D.M., Kane B.C., Svensson S.P., at al. // IEEE Electron Device Lett., 1996, v.17, n.7, pp328-330.

21. Chertouk M., Heiss H., Xu D., at al. // IEEE Electron Device Lett., 1996, v. 17, n.6, pp273-275

22. Mokerov V.G., Amelin D. V. Hook A. V. at al., Proceedings of 23-rd Int. Symposium Compound Semicond, StPeterburg, Russia 1996. " Compound Semicond" n.155, pp.479-489

23. Mokerov V.G., Gulyev Yu.V., Bugaev A.S. at all. // Physics of semiconductor devices, VI1, pp.884-891. Varoja Publishing House, 1998

24. Drummond T f, Keever M., Morkoc H. // Jap. J Appl. Phys. lett., 1982, v.21, p. L65

25. R.C. Ashoori, Nature 379 (1996)

26. N. Kristaedter, O.G. Schmidt, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Y. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Gain and differential gain of single layer InAs/GaAs guantum dot injection lasers. // Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 1226

27. Zh.I. Alferov, F. Heinrichsdorff, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, M. Grundmaim, N.N. Ledentsov, J.A. Lott. Edge and vertical cavity surface emitting InAs quantum dot lasers. // Sol.-Stat. Electron. 42 (1998) 1433

28. E. Leobandung, L. Guo, S.Y. Chou. Single hole quantum dot transistors in silicon. // Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 2338

29. L. Guo, E. Leobandung, S.Y. Chon. A silicon single electron transistor memory operating at room temperature. // Science 275 (1997) 649

30. K.K. Likharev, Correlated descrete transfer of single electrons in ultrasmall tunnel junctions. // IBM J. Res. Dev. 32 (1988) p. 144

31. D. Loss, D.P. DiVincenzo. Quantum computation with quantum dots. // Phys. Rev. A 57 (1998) 120

32. K. Imamura, Y. Sugiyama, Y. Nakata, S. Muto, N. Yokoyama // Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1445

33. G.L. Snider, A.O. Orlov, I. Amlani, G.H. Bernstein, C.S. Lent, J.L. Merz, W. Po-rod. A functional cell for quantum dot cellular automata. // Sol.-Stat. Electron. 42 (1998) 1355

34. S. Kim, H. Mohseni, M. Erdtmann, E. Michel, C. Jelen, M. Razeghi. Grown and characterization of InGaAs/InGaP quantum dots for midinfrared photoconductive detector. //Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 963

35. C.M. Sotomayor Torres, F.D. Wang, N.N. Ledentsov, Y.-S. Tang. Proc. SPIE -The International Society for Optical Engineering (1994) v. 2141, p. 2

36. В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, А.К. Крыжановский и др. Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001) разориенти-рованных в направлении 010. // ФТП, 32(7), 860 (1998)

37. Н.Т. Dobbs, D.D. Vvedensky, A. Zangwill. Theory of quantum dot formation in Stranski Krastanov systems. //Appl. Surf. Sci. (123 - 124) (1998), p.646.

38. K.J. Vahala. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 523 (1988).

39. G. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Ordering phenomena in InAs strained layer moiphological transformation on GaAs (100) surface. // Appl. Phys. Lett., 67, 97(1995).

40. L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs starined layer superlat-tices. // Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985).

41. В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, Л.Э. Великовский, М.Ю. Щербакова. Новый гетероструктурный транзистор на квантовых точках // ДАН, 2000, т.375, №6, с.754-757.

42. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности,- М.: Мир, 1989, 568с.

43. A.Perez-Rodriguez, A.Cornet, J.R.Morante. Physical techniques for silicon layer analysis. // Microelectronic Engineering 40 (1998) pp.223-237.

44. Анализ поверхности методами оже рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д.Бриггса и М.П.Сиха. М.: Мир, 1987, 432с.

45. D.Briggs, M.P.Seah (eds), Practical Surface Analysis. Vol.1: Auger, and X-ray Photoelectron Spectroscopes, Wiley, New York, 1983.

46. Нефедов В.И., Черепин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел.-М.: Наука, 1983, 296 с.

47. D.Briggs, M.P.Seah (eds), Practical Surface Analysis. Vol.2: Ion and Neutral Spectroscopes, Wiley, New York, 1992.

48. Петров H.H., Аброян И.А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков,- Л.: Изд-во ЛГУ, 1977.

49. J.R. Bird, J.S. Williams, Ion Beam for Materials Analysis, Academic Press, Australia, 1989.

50. Блад П., Оргон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. // Зарубежная радиоэлектроника, 1981, № I, с.3-51

51. Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Ташлыков М.С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск: Изд-во БГУ, 1987

52. Lee P.A., Citrin Р.Н., Eisenberger P., Kincaid P.M. Extended X-ray absorption fine structure.-//Rev.Mod.Phys.,1981, v.53, .№4, p.769-806.

53. Einstein T.L. Extended, fine structure analysis of surface structure. // Appl.Surf.Science, 1982, v. 11/12, p.42-63.

54. Зотов A.B., Коробцов B.B., Лифшиц В.Г. Изучение методами оже-электронной спектроскопии и дифракцией медленных электронов эпитаксии Si на Si(lll).- //Поверхность, 1988, .№6, с. 77-88.

55. УманскийЯ.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. -М.: Металлургия, 1982, 632 с.

56. Уваров О.В., Киселев Н.А., Балыченко А.А., Гудков А.Л. Просвечивающая электронная микроскопия джозефсоновских переходов. // Поверхность, 1989, .№7, с. 83-88.

57. Афанасьев A.M., Александров П.А., Имамов P.M. Рентгеновская диагностика субмикронных слоев. -М: Наука, 1989, 151с.

58. К. Robinson. Surface crystallography, volume 3. // Elsevier, Amsterdam & New York, 1991.

59. S. Dietrich and A. Haase. Scattering of X-rays and neutrons at interfaces. // Phys. Rep., 260:1-138, 1995

60. Y. Holy, J. Kubuena, I. Ohlidal, K. Lischka, and W. Plotz. X-ray reflection from rough layered systems. //Phys. Rev. B, 47(23):15896-15903, 1993.

61. M. Rauscher, T. Salditt, and H. Spohn. Small-angle X-ray scattering under grazing incidence: the cross section in the distorded-wave Born approximation. // Phys. Rev. B, 52(23): 16855-16863, 1995.

62. V. Holy and T. Baumbach. Non specular X-ray reflection from rough multilayers. II Phys. Rev. B, 49(15): 10668-10676, 1994.

63. Якимов С.С., Чапланов В.А., Афанасьев A.M. и др. Ангстремное разрешение при определении структуры приповерхностных слоев кристалла методом рентгеновской дифракции. // Письма в ЖЭТФ 1984. Т.39., С.З.

64. Afanas'ev A.M., Imamov R.M., Lomov A.A., et al. Investigation of the stracture of real in dium antimonide surfaces by the asymptotic Bragg diffraction method. // Surface Science 1992. V.275. p. 131.

65. Robinson I.K. Crystal truncation rods and surface rouhgness. // Phys. Rev. 1986., v.33., p.3830.

66. Tapfer 1. And Ploog K. X-ray interference in ultrathin epitaxial layers: A versatile method for the structural analysis of single quantum wells and heterointerfaces. // Phys.Rev. В., 1989, 40, 9802-9810.

67. Tapfer L., Ospelt M., Kanel H. Monolayer resolution by means of x-ray interference in semiconductor heterostructures. // J.Appl. Phys. 1990. У .61., p. 1298.

68. Bocchi C., Ferrari C. A study of thin buried layers in III-IV compound heterostructures by high-resolution x-ray diffraction. H J. Phys. D. 1995. V.28. p.al64.

69. G.G.Fischer and P.Zaumseil. In situ x-ray investigation of the high-temperature behaviour of strained SiixGex/Si and Si.yGey/Si heterostructures. // J.Phys.D-.Appl.Phys. 1995, 28, A109-A113

70. M. Fatemi, R.E. Stahibush, X-ray rocking curve measurement of composition and strain in Si-Ge buffer layers grown on Si substrates. // Appl. Phys. Lett. V.58. n.8. p.825-827.

71. C.A. Lucas, P.D. Hatton, S. Bates, T.W. Ryan, S. Miles, B.K. Tanner. Characterization of nanometer-scale epitaxial structures by grazing-incidence x-ray diffraction and specular reflectivity. // J. Appl. Phys., v.63, n.6., 1988 p. 1936-1941.

72. Parratt L.G. Surface studies of solids by total reflection of x-rays // Phys. Rev. 1954. V. 95. №2. P. 359-369.

73. Я.И.Нестерец, В.И.Пунегов, К.М.Павлов и др. Исследование структурных характеристик полупроводниковой сверхрешетки (InAs)As/GaAs с использованием высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. //ЖТФ, 1999, 69, №2, 44-53

74. А.М.Афанасьев, М.А.Чуев, Р.М.Имамов и др. Исследование многослойных структур на основе слоев GaAs-Inx Gaix As методом двухкристальной рентгеновской дифрактометрии. // Кристаллография, 1997, 42, № 3, 514-523

75. A.M.Афанасьев, М.А.Чуев, Р.М.Имамов и др. Структурные характеристики многослойной системы GaAs-InxGaixAs по данным двухкристальной рентгеновской дифрактометрии. И Кристаллография, 2000, 45, № 4, 715-721

76. А.М.Афанасьев, Р.М.Имамов, Э.М.Пашаев и др. Двухкристальная рентгеновская дифрактометрия как метод определения структурных параметров многослойных систем с нанометровыми размерами толщин - // Труды ФТИАН, 1999, 14, 54-67

77. Чуев М.А., Зайцев А.А., Пашаев Э.М. Влияние 5- легированного слоя на формирование кривой дифракционного отражения. // Поверхность 1999 №2, с. 110-113.

78. T.H.Metzger, I.Kegel, R.Paniago et al. Shape, size and correlation in quantum dots systems studied by grazing incidence X-ray scattering methods. // Thin Solid Films, 1998, 336, 1-8

79. T.H.Metzger, I.Kegel, R.Paniago et al. Grazing incidence X-ray scattering: an ideal tool to study the structure of quantum dots. // J.Phys.D: Appl.Phys., 1999, 32, A202-A207

80. T. Saldit, Т.Н. Metzger, J. Peisl. Kinetic roughness of amorphous multilayers studied by diffuse x-ray scattering. // Phys. Rev. Lett. 1994, 73, 2228.

81. H.H. Фалеев, K.M. Павлов, В.И. Пунегов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р.Ковш, С.С. Михрин, В.М. Устинов, М. Tabuchi, Y. Takeda. Рентгенодифракционные исследования многослойных гетероструктур InAs-GaAs с квантовыми точками. // ФТП 1999, 33, №11, 1359-1368.

82. Y. Zhang, J. Stangl, A.A. Darhuber, G. Bauer, P. Mikulik, V. Holy, N.Darowski, U. Pietch. X-ray diffraction from quantum wires and quantum dots. // J. of Materials Science: Materials In Electronics 1999. 10. 215-221.

83. H.B. Востоков, C.A. Гусев, И.В. Долгов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, Л.Д. Молдавская, А.В. Новиков, В.В. Постников, Д.О. Филатов. // Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков GeSiHa Si (001). ФТП, 2000, 34, №1, 8-12.

84. Tapfer L., Ploog K. Improved assessment of structural properties of A1 Ga. As/GaAs heterostruotures and superlattices by double-crystal X-ray diffraction. // Phys.Rev.,B 33, P.5565-5574.

85. Деслатес Р.Д. Одноосный двухкристальный рентгеновский спектрометр. // Приб. для научных исслед., 1967, т.38, вып.6,с.92-97.

86. Ковьев Э.К., Ковальчук М.В., Пинскер З.Г. двухкристальный рентгеновский спектрометр. // Кристаллография, 1974. т. 19, вып.5, с. 1062-1068.

87. Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. М.: Наука, 1982, 392 с.

88. Takagi S. Dinamical theory of diffraction applicable to crystals with any kind, of small distortion. // Acta Cryst., 1962, v. 15, p. 1311-1312.

89. Taupin D. Theorie de la diffraction des rayons X par les cristaux deformes. // Bull.soc.franc.mineral.crystallogr., 1964, 7.87, p.469-511.

90. Burgeat J., Taupin D. Application de la theorie dinamique de la diffraction X a i'etude de la diffusion du bore et du phos-phore dans cristaux de silicon. // Acta Cry stallogr., v. A24,p.99-102.

91. Бупгуев В.А., Сутырин А.Г. К вопросу о корректном учете межслойных шероховатостей в рекуррентных формулах Парратта. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000. N 1. С. 82-85.

92. D. G. Stearns, The scattering of X-rays from non-ideal multilayer structures', J. Appl. Phys. 65, 491-506 (1989)

93. Segmuller A., Krishna P., Esaki L. X-ray diffraction study of one-dimensional GaAs-AlAs superlattice//J.Appl. Crystallogr. 1997. Vol.10, N.l, p. 1-6.1. Литература157

94. Бушуев В.А., Ломов А.А., Сутырин А.Г. Восстановление профиля распределения плотности приповерхностного слоя в методе рентгеновской рефлекто-метрии // Кристаллография, 2002, том 47, №4, С. 1-9.

95. Афанасьев A.M., Кон В.Г. Внешний фотоэффект при дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с нарушенным верхнем слоем. // ЖЭТФ. 1978. Т.74. с.300-313.

96. Круглов М.В., Созонтов Е.А., Щемелев В.Н. Фотоэмиссия при брэггов-ской дифракции рентгеновских лучей в кристалле с аморфной пленкой. // Кристаллография. 1997. Т.22. с.639-697.

97. Maslov А.V., Mukhamedzhanov E.Kh. Imamov R.M., et al. Application of x-ray photoelectron energy analysis to depths elective studies of the subsurface-layer structure. //Phys. Status solid, (a) 1985. V.90. p.439-444.

98. Адонин A.C., Бейсюк П.П., Коровин А.П. и др. //Термостимулированная релаксация как метод исследования широкозонных полупроводников. М. "Техника-Про", 2000, 95 с.

99. Ждан А.Г., Сандомирский В.Г., Ожередов А. Д. и др. К определению параметров ловушек по кривым термостимуллированного разряда конденсатора. // ФТП, 1969, Т.З, в. 12, с 1755

100. L.J. van der Pauw, A method of measuring specific resistivity and Hall effect of discs of arbitrary shape // Philips Res. Reports v.13, n.l, 1958, p. 1

101. Головин А. Л., Дмитриев Ю.Ф. Новиков Д.В. Полуавтоматический рентгеновский спектрометр для исследования дифракции в условиях полного внешнего отражения. //ПТЭ. 1984. Т. 1. с. 190-196.

102. Ковьев Э.К., Ковальчук М.В., Козелихин Ю.М. и др. // ПТЭ. 1976. - Т. 1. -С. 194-196.

103. Крамер Г. Математические методы статистики. М.: Мир, 1975. 353 с.

104. Идье В., Драйард Д., Джеймс Ф. и др. Статистические методы в экспериментальной физике. М.:Атомиздат, 1976. 334 с.

105. Sevidori М. Cembali F. // J.Appl. Cryst 1988. V.21. Р.176.

106. Klappe J.G.E., Fewster P.F. // J. Appl. Cryst. 1994. V. 27. P.103.

107. P.F. Fewster. Reciprocal space mapping. // Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 1997. V. 22. P. 69