автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Технология изготовления полиимидных коммуникационных структур для сборки высокоинтегрированных изделий микроэлектроники

Введение

Глава 1. Анализ и сравнение существующих технологий монтажа кристалла.

1.1 Обзор технологий высокоплотного микромонтажа.

1.2 Проволочный микромонтаж.

1.3 Монтаж методом перевернутого кристалла.

1.4 Микромонтаж с применением полиимидных носителей.

1.5 Сравнение методов высокоплотного монтажа компонентов на плату.

Глава 2. Компьютерное моделирование конструкций.

2.1 Конструкция Универсального Контактного

Узла (УКУ-узел).

2.2 Термомеханическое моделирование конструкций на базе УКУ-узла.

2.3 Исследование капиллярного поднятия припоя в УКУ-узле.

Глава 3. Разработка технологического маршрута изготовления полиимидного носителя.

3.1 Обоснование метода нанесения тонких пленок в вакууме на полиимидную пленку.

3.2 Оптимизация режимов магнетронного нанесения меди при двусторонней металлизации полиимидных пленок.

3.3 Плазмохимическое травление полиимида.

3.4 Исследование зависимости величины адгезии напыленной медной пленки от свободной поверхностной энергии полиимидной пленки.

3.5 Исследование величины адгезии медной пленки к полиимидному носителю без адгезивного подслоя 79 хрома.

3.6 Технологический маршрут изготовления полиимидного носителя.

Глава 4. Экспериментальные исследования тестовых структур и натурные испытания.

4.1 Исследование элементного состава контактной зоны пленок меди с полиимидом.

4.2 Экспериментальные исследования тестовых структур УКУ - узлов.

4.3 Механическая прочность паяных соединений (исследование на разрыв).

4.4 Исследование прочности паяных соединений исследование на срез).

4.5 Контроль качества паяных соединений неразрушаю щим методом.

4.6 Ускоренные испытания на воздействие температуры и влажности.

В настоящее время требования к обеспечению быстродействия и миниатюризации становятся все более определяющими при создании и производстве современной электронной аппаратуры.

Перспективным направлением развития является создание аппаратуры на основе бескорпусных компонентов, особенно ввиде многокристальных модулей (МКМ), которые характеризуются высокой плотностью монтажа компонентов, оптимизацией топологии межсоединений и повышением быстродействия.

В этой связи усилия многих разработчиков микроэлектронной аппаратуры направлены на разработку многослойных коммутационных структур с высокой плотностью межсоединений при надежном контактировании проводников, а также способов присоединения бескорпусных компонентов, и, прежде всего, многовыводных кристаллов БИС, к монтажным контактам многослойной коммутационной структуры в составе МКМ.

Одно из наиболее сложных технологических проблем при получении высокой плотности межсоединений в многослойных подложках МКМ является формирование большого числа (несколько тысяч) идентичных по своим характеристикам и надежных контактных узлов, соединяющих проводники из разных коммутационных слоев в единую топологию многослойной структуры.

Другой, не менее трудной проблемой, является надежное и воспроизводимое присоединение контактных площадок кристаллов БИС к ответным контактным площадкам многослойной МКМ-структуры. Актуальность темы

Сборка современных кристаллов ИС в составе однокристальных и многокристальных узлов микроэлектронной аппаратуры становится все более острой проблемой, поскольку возросла плотность монтажа кристаллов ИС на плате, количество выводных контактов кристаллов достигло 400 и более, при этом кристаллы характеризуются тактовыми частотами более 1 ГГц и рассеиваемой мощностью до 30-50 Вт.

В настоящее время можно выделить три основные технологии монтажа кристалла на коммутационную плату, такие как групповая пайка методом перевернутого кристалла, проволочный микромонтаж и монтаж на гибком носителе. Каждая из этих технологий монтажа обладает своими преимуществами и недостатками. Складывающаяся тенденция увеличения геометрических размеров кристаллов ведет к уменьшению надежности соединительных элементов после установки на плату ввиду неравномерности распределения нагрузки на соединительные элементы по площади кристалла. Один из путей решения этих проблем — это применение коммутационных структур на основе полимерных материалов, с целью использования их демпфирующих свойств.

Большие усилия прилагаются для улучшения разрешающей способности и снижения себестоимости коммутационных структур, используемых при монтаже кристаллов на гибком носителе в однокристальные модули, а также многослойных коммутационных структур для сборки многокристальных модулей.

При этом все более широко используются прецизионные коммутационные структуры на основе полимерных пленок и, в частности, на основе полиимидных пленок.

Обладая уникальными электрофизическими и механическими характеристиками, в то же время, полиимидные пленки характеризуются низкими значениями поверхностной энергии, адгезионной инертностью с напыленными слоями металлов, что создает определенные сложности при их использовании и требует специальных методов обработки, обеспечивающих формирование идентичных сквозных металлизированных отверстий с высокой плотностью размещения и токоведущих дорожек.

Получение коммутационных структур для монтажа кристаллов с большим количеством выводов, расположенных матрично по площади кристалла, отвечающим требованиям высокоплотного прецизионного монтажа, представляется весьма актуальным. Таким образом, возникает необходимость в разработке технологии изготовления коммутационных структур с высокой плотностью размещения сквозных металлизированных отверстий на основе полиимидных пленок для сборки высокоинтегрированных изделий микроэлектроники, оптимизации технологических процессов и обеспечение термомеханической прочности контактных узлов. Цель работы

Целью работы является разработка технологии изготовления коммутационных структур с высокой плотностью размещения сквозных металлизированных отверстий на основе полиимидных пленок для сборки многовыводных кристаллов. Для достижения поставленной цели в данной работе были сформулированы следующие задачи:

1. Разработка технологического процесса двухстороннего магнетронного нанесения медных пленок для формирования прецизионных отверстий и медных токоведущих дорожек на поверхности полиимидных подложек;

2. Разработка плазмохимических процессов активации поверхности полиимидной пленки для достижения необходимой величины адгезии медного слоя к поверхности полиимида;

3. Исследование термомеханической прочности контактных узлов с соединительными элементами, сформированными на основе явления капиллярного эффекта, в составе сборок типа «кристалл-полиимид».

Научная новизна

- Показано, что последовательная плазмохимическая обработка полиимидных пленок в среде воздуха, а затем аргона и непосредственное двухэтапное магнетронное распыление меди способствует образованию переходного слоя и обеспечивает величину адгезии до 30 МПа;

- Выявлена зависимость величины адгезии медного слоя к полиимидной пленке от свободной поверхностной энергии полиимидной пленки при последовательной плазмохимической обработке;

- На основе проведенного термомеханического моделирования выявлено, что самым напряженным элементом контактного соединения является припой, а прочность соединения обуславливается величиной адгезии медной пленки к полиимиду и заполнением сквозного металлизированного отверстия припоем не менее чем на 2/3 объема капилляра.

Практическая ценность

1. Реализован на практике процесс изготовления прецизионных переходных отверстий через медную маску без адгезионного подслоя на полиимидном носителе с высокой плотностью размещения;

2. Отработаны процессы плазмохимической активации поверхности полиимида и методика двухэтапного нанесения меди методом магнетронного распыления. Отработанный и воспроизводимый технологический маршрут позволяет получать металлизированные переходные отверстия диаметром 20±5 мкм на полиимидной пленке толщиной 50мкм и увеличить плотность размещения до 400 контактов на площади 10x10 мм;

3. Даны рекомендации по режимам вакуумной пайки с учетом оптимального затекания припоя в капиллярное отверстие, основанные на результатах термомеханического моделирования;

4. Разработанный технологический маршрут был использован при изготовлении полиимидных носителей на производственной базе ОАО «Завод Компонент».

Положения и результаты, выносимые на защиту: Разработанный технологический процесс двухстороннего магнетронного напыления медных пленок без адгезионного подслоя для формирования прецизионных отверстий и медных токоведущих дорожек на поверхности полиимидной пленки при изготовлении полиимидного носителя;

Корреляционная зависимость свободной поверхностной энергии полиимидной пленки и величины адгезии напыленной медной пленки;

Достаточность использования последовательной плазмохимической обработки в среде воздуха и, затем, аргона для достижения необходимой величины адгезии слоя меди;

Результаты расчета и моделирование термомеханической надежности конструкции сборки «полиимидный носитель - кремниевый кристалл» с использованием критериев надежности Коффина-Мэнсона;

Выводы:

1. Методика эксперимента отличается от расчетов. р Р I f

Экспериментальное разрушение Расчетное разрушение 2. Прочность одного паяного соединения в среднем составляет 2,6-10"2Н (~2.6г.).

4.4 Исследование прочности паяных соединений (исследования на срез)

Паяные соединения испытывались на срез (ГОСТ 14759-69, ASTM D1002-72). Определялись усилия разрушения Р, площадь разрушения S с помощью микроскопа и рассчитывались разрушающие напряжения при срезе по формуле: тср = P/S

Проведена статистическая обработка результатов испытаний с целью определения среднего значения прочности и оценки точности его вычисления.

При обработке всех результатов исследований принимали доверительную вероятность а =0,95.

Доверительный интервал определяли по формуле: Ах =an-t/4п, где an- стандарт измерений (среднеквадратичная ошибка); t - коэффициент Стьюдента; п - объем выборки.

Разультаты исследований паяный соединений на срез. Таблица 4.3

Вывод: среднее усилие разрушающей силы при срезе одного о паяного контактного соединения в среднем составляет 44-10" Н.

4.5 Контроль качества паяных соединений неразрушающим методом

Физической основой метода контроля качества различных пленочных и контактных систем по уровню 1/f шума является экспериментально установленная зависимость СПМ шума от микроструктурных особенностей пленок, различных типов дефектов и внутренних механических напряжений.

Кроме того, выявленная экспериментально и теоретически обоснованная взаимосвязь между СПМ (спектральная плотность мощности) фликер шума и кубической нелинейностью ВАХ (вольтамперные характеристики) металлических пленок и других пленочных структур со слабой нелинейностью ВАХ, позволяет также использовать в качестве информативного параметра амплитуду 3-й гармоники. Целесообразность применения метода контроля по шуму или нелинейным эффектам на практике должна решаться индивидуально для каждого конкретного объекта.

Следует также отметить, что метод 3-й гармоники может применяться для оценки физического состояния различных объектов нелинейных по своей природе, например, слоев поликристаллического кремния. В этом случае по величине коэффициента нелинейности ВАХ и вольт-фарадных характеристик удается оценить средний размер зерна в слое поликремния и прогнозировать величину удельного сопротивления слоя после легирования примеси, что важно знать при создании коммутационной разводки БИС и резисторов на основе поликремния. 4.5.1 Неразрушающнй метод тестирования контактных узлов и межсоединений, основанный на измерении нелинейности и неравновесности фликер (1/f) шумов

Этот метод разработан для контроля нелинейности ВАХ и неравновесности фликер шумов в пассивных компонентах интегральных схем, таких как, соединительные паяемые узлы, межсоединения и резисторы.

Необходимость в увеличении надежности контактных паяемых узлов и межсоединений в микросборках, таких как флип-чип, является одной из самой большой проблемой в корпусировании. Этот метод используется для оценки качества технологического процесса изготовления микроэлектронных изделий и измерения различных электрических параметров тестовых структур. Чаще электрическое сопротивление R тестовых структур используется в качестве электрического параметра для оценки качества узлов микросборки. Но величина сопротивления - это не информативный параметр для описания различных дефектов и нарушений в узлах и межсоединениях. Кроме того, измерение всего лишь одной величины флуктуации сопротивления R(t) в течение определенного времени t не может определять параметр деградации структуры и стабильность характеристик во времени. Электромиграция, химическая и электролитическая коррозия и различные химические реакции являются наглядными примерами.

Отношение между уровнем вреда электромиграции в тонких металлических пленках и уровнем фликер шумов было исследовано [83]. В такого рода экспериментах, уровень фликер шумов измерялся при высоком постоянном токе и высокой температуре, в результате показатель формы спектра (1/f) шумов составил у ~ 2. Измерения при постоянном токе обычно обнаруживают более высокую спектральную плотность мощности (СПМ) для (1/f) шумов в сравнении с уровнем шумов, возникающих только при низких частотах (от нескольких мГц до 1Гц). Измерения проводят на тестовых образцах, имеющих сопротивление от десятых долей до единиц Ома. Чтобы осуществить такие измерения требуется специальная аппаратура, которая до настоящего времени не выпускается отечественной промышленностью. Это препятствует применению неразрушающего метода тестирования электромиграционных шумов в промышленности. В связи с этим было разработано измерительное устройство, которое по основным техническим характеристикам (чувствительность, помехозащищенность и др.) не уступает известным зарубежным измерителям подобного типа.

Принцип действия устройства основан на модуляции (с последующей демодуляцией) 1/f шумом исследуемой тестовой структуры прямоугольных импульсов тока с постоянной амплитудой Up [79]. Из-за нелинейной ВАХ характеристики компонента Ucn колеблется во времени. При наличии дефектов или нарушений в структуре контактного узла или межсоединения, то возрастает компонента ответного сигнала UCN по сравнению с идеальным вариантом тестовой структуры. Если в структуре происходят процессы деградации, то флуктуации компонента UCn возрастает. Импульсы Up и нелинейность создают ответный сигнал с компонентой UCN, флуктуации которого ассоциируются с неравномерной флуктуацией проводимости образца. На Рис.4.18 показана диаграмма тестовых токовых импульсов.

Iv(t) 1U IU

1 1 k г > г t

0 л Tv2 k

Рис. 4.18 Диаграмма тестовых импульсов.

Блок схема экспериментальной установки измерения компонентов постоянного тока и ответный сигнал с тестовой структуры R показана на Рис.4.19. Электрическая схема - это простая система, которая позволяет измерять компонент UCN и его флуктуации. Электрический ток поступает с генератора, проходит через шунтирующую емкость С к исследуемой тестовой структуре. Выходное напряжение и его флуктуации проходят через фильтр низких частот и замеряются вольтметром и анализатором спектров.

Коэффициент заполнения рассчитывается по формуле:

Q = Tp/tv1=( Tv1+ Tv2)/ Tv1>> 2, (1.1) где Тр - период, xvl - длительность текущего импульса.

Условие немедленной аппроксимации предлагает, что постоянное напряжение UCN(Ic,t) не зависит от периода Тр токовых импульсов.

Рис. 4.19. Схема измерительной установки.

Следующее соотношение представлено, чтобы обосновать метод измерения неравномерности фликер шумов, используя импульсную зависимость. Спектральная плотность мощности SN(I,f) обуславливается спектральной плотностью ЗсмС^флуктуаций компонентой UCN и представлена:

SN(I,f) « [Q3/ (Q - 2)(Q-1)]2 ScnCW) (1-2)

Таким образом, измерения PSD постоянного напряжения компоненты флуктуаций UCN ответного сигнала с тестовой структуры R позволяет получить информацию о качестве различных типов пассивных приборов и структур.

Определение импульсов нелинейности тестовой структуры R создает постоянное напряжение компоненты Ucn ответного сигнала. Различные виды разнородностей, локальных стрессов и термического несоответствия между несколькими компонентами приводит к увеличению Ucn и к модификации зависимости характеристик амплитуды и длительности токовых импульсов.

4.5.2 Результаты эксперимента

Для измерений компоненты UCn были подготовлены образцы для проведения измерений, представляющие собой последовательности паяных соединительных элементов, выполненные на базе УКУ-узла. Результаты измерений электрического сопротивления R и компоненты постоянного напряжения Ucn для цепочки состоящей из 40 паяных узлов в составе микросборки «полиимидный носитель - кремниевый кристалл» представлены в табл.1. Очевидно, что среди исследуемых элементов встречаются элементы с высоким ([C1;D36]) и очень высоким ([AG3;AH36]) значением UCn- На рис. 3 показаны зависимости компоненты UCn ответного сигнала от длительности токовых тестовых импульсов xvl для элементов из табл. 1.

Из рис.3 следует, что тестовые структуры с высоким и очень высоким уровнем компоненты UCn в высшей степени выявляют свойства приборов (линия 1, 2), для которых зависимость компоненты постоянного напряжения Ucn от длительности токовых тестовых импульсов отсутствует или очень слаба. Нелинейность ВАХ характеристик этих образцов может быть обусловлена, например, различными видами разнородностей, пустотами или локальными механическими стрессами, или барьерными механизмами проводимости через тонкие диэлектрические слои на границе контактов паяных узлов. Впоследствии такие виды скрытых дефектов будут способны инициировать трещины в припойных межсоединениях.

Заключение

В результате выполнения настоящей диссертационной работы были получены следующие основные результаты:

Разработан технологический процесс двухстороннего магнетронного напыления медных пленок без адгезионного подслоя для формирования прецизионных отверстий и медных токоведущих дорожек на поверхности полиимидной пленки;

Показана взаимосвязь величины адгезии металлического слоя к полиимидной пленке и величины заполнения металлизированного отверстия припоем с термомеханической надежностью универсального контактного узла и микросборки в целом;

Разработана методика двухэтапного процесса магнетронного напыления меди, позволяющая исключить адгезионный подслой; Исследована зависимость величины адгезии напыленной медной пленки от свободной поверхностной энергии полиимидной пленки; Проанализирован эффект капиллярного поднятия расплавленного припоя в металлизированном сквозном отверстии с учетом зависимости изменения силы натяжения и угла смачиваемости от режимов вакуумной пайки;

Экспериментально подтверждена механическая прочность паяного (на разрыв и на срез) соединения «полиимидный носитель- кремниевый кристалл»;

Исследования неразрушающим методом тестирования контактных узлов и межсоединений, основанные на измерении нелинейности и неравновесности фликер шумов, подтвердили качество паяных узлов. Результаты работы реализованы в промышленном изготовлении полиимидных носителей на ОАО «Завод Компонент», которые могут использоваться для сборки и корпусирования кристаллов с большим количеством выводов (400 выводов и более), расположенных как по периметру, так и матрично по площади кристалла.

1. С.Зи «Технология СБИС», Москва, «Мир», 1986г.

2. Грушевский A.M. Технология монтажа бескорпусных СБИС в производстве многокристальных модулей. Межотраслевой журнал «Оборонный комплекс - научно - техническому прогрессу России», 2002, №1, с. 28-36.

3. Грушевский A.M. Перспективы технологии сборки и монтажа многовыводных СБИС. Электроника и информатика - XXI век. Третья Международная научно-техническая конференция: Тезисы докладов. - М.: МИЭТ, 2000, с. 53.

4. А.Мазур и др. "Процессы сварки и пайки в производстве полупроводниковых приборов", М., "Радио и связь", 1991г.

5. Коледов Л.А., Грушевский A.M., Лобенцов В.А., Соколов Л.В. Повышение прочности микросоединений при сборки гибридных интегральных функциональных устройств. Электронная промышленность, 1985, №6, с.44-47.

6. Блинов Г.А., Грушевский A.M., Свитнев И.О. Способ изготовление столбиковых выводов кристалла интегральных схем. Авт. Свидетельство № 1628773 от 15.10.1990г.

7. Г .Я. Гуськов, Г.А. Блинов, А.А.Газаров, "Монтаж микроэлектронной аппаратуры", Москва, "Радио и связь", 1986 г.

8. Peter Elenius, " Flip Chip Bumping for 1С Packaging Contractors " Flip Chip Technologies (www.flipchip.com).

9. Симонов Б.Н., Грушевский A.M. Технологические процессы сборки и монтажа бескорпусных полупроводниковых БИС. Лабораторный практикум по курсу «Технология и конструкции ИМС». - М.: МИЭТ, 1998, с. 52.

10. Peter Elenius, Lee Levine, "Comparing Flip-Chip and Wire-Bond Interconnection Technologies", Chip Scale Review-July/August 2000, page 81-85.

11. Е.Н.Панов, "Особенности сборки специализированных БИС на базовых матричных кристаллах", Москва, "Высшая школа", стр. 77-78, 1990 г.

12. Стешенко В. Школа разработки аппаратуры цифровой обработки сигналов на ПЛИС. // Chip News, 1999, № 8-10, 2000, № 1, 3-5.

13. Стешенко В. ПЛИС фирмы ALTERA: проектирование устройств обработки сигналов — М.: «Додека», 2000.

14. Стешенко В. ACCEL EDA: Технология проектирования печатных плат. — М.: «Нолидж», 2000. — 512 е., ил.

15. Блинов Г.А., Грушевский A.M., Плешивцев А.С. Бескорпусной полупроводниковый прибор. Авт. Свидетельство № 1647702 от 08.01.1991г.

16. Блинов Г.А., Грушевский A.M., Егоров А.В. Микросхема запоминающего устройства. Авт. Свидетельство № 1634591 от 13.10.1992г.

17. Таран А.И. PCT/Ru 99/00053, 00062, 00060, 00054, рг. 1998.

18. Блинов Г.А., Грушевский A.M. Многоуровневая коммутация функциональных устройств микроэлектронной аппаратуры. Обзоры по электронной технике. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 1980, с.35.

19. Лобенцов В.А., Грушевский A.M. Многослойные платы с паяными межслойными соединениями. Межотраслевой журнал «Оборонный комплекс - научно - техническому прогрессу России», 2001, №3, с. 4349.

20. А.И. Таран, Патрик Рейлли и др. " Bump & underfill free flip-chip technology for VLSI/MCM assembly, based on Universal Contact Unit", IMAPS-2000, September 2000 Boston.

21. Блинов Г.А., Грушевский A.M., Дмитриева C.K., Филатова И.Н., Конструктивно-технологические особенности изготовления гибридных БИС на гибком основании. Электронная промышленность, 1979, №5, с.31-39.

22. Грушевский A.M., Блинов Г.А. Электрофизические характеристики двусторонней коммутации на полиимидной подложке. Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 1982, вып. 2, с. 40-41.

23. Блинов Г.А., Валюнин М.М., Грушевский A.M. Температурные зависимости механических свойств полиимидной пленки. -Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 1982, вып. 3, с. 37-40.

24. А.Ю.Бер, Ф.Е.Минскер, "Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем", Москва, "Высшая школа", стр.147-150, 1986 г.

25. А.В. Дарбинян, А.И. Погалов, Таран А.И., Кожевников Я.С. Исследование термомеханической прочности UCU-корпусов для упаковки кристаллов ИС. «Известия вузов. Электроника» №1, 2002, с. 81-83.

26. Мэнсон С. «Температурные напряжения и малоцикловая усталость» М.: Машиностроение, 1974. 334с.

27. Кузнецов О.А., Погалов А.И., Сергеев B.C. «Прочность элементов микроэлектронной аппаратуры». М: Радио и Связь, 1990. - 144с.

28. Погалов А.И. «Обеспечение механической устойчивости радиоэлектронных средств». // ТКЭА. 1997. Выпуск 1. - 20-23с.

29. А.В. Дарбинян, А.И. Погалов, Я.С. Кожевников. Оценка механической прочности и сравнительные характеристики УКУ-узлов.

30. Радиоэлектроника, электротехника и энергетика». 8-я международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Тезисы докладов. М1-М: МЭИ (ТУ), 2002, с. 50.

31. Мовчан Б.А., Демчишин А.В. Исследование структуры и свойств толстых вакуумных конденсаторов никеля, титана, ванадия, окиси алюминия и двуокиси циркония. —ФММ, 1969, т.28, вып.4, с. 653-660.

32. Thornton John A. High rate think film growth. Annual Review of Materials Science 1997, v.7, p.239-260.

33. Данилин Б.С., Сырчин В.К., Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982, с. 6-69.

34. King G., Sze F.C., Мак P., Grotjohn Т.А., Asmussen J. Ion and neutral energies in a multipolar electron cyclotron resonance plasma source // J. Vac. Sci. Technol., 1992. V. A10 N4. P. 1265-1269.

35. Flamm D.L. Trends in Plasma Sources and Etching // Solid State Technology/ 1991/N3 P.47-50.

36. Graves D.B. Plasma processing // IEEE Trans. Plasma Sci 1994. V. 22 N1. P. 31-42

37. Sadeghy N., Nakano Т., Trevor D.J., Gottscho R. Ion transport in an electron cyclotron resonance//J. Appl. Phys. 1991. V.70. N5 P. 2552-2569.

38. Nishimura H., Kiuchi M., Matsuo S., Processing uniformity improvement by magnetic field distribution control in electron cyclotron resonance plasma chamber. Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V.32. Parti NIB. P.322-326.

39. Perry A.J., Vender D., Bswell R.W., The application of the helicon source to plasma processing. J. Sci. Technol., 1991, V. B.N2. P.310-317.

40. Malvik A.W., Rognlien T.D., ByersJ.A., Cohen R.H., Hooper E.B., McLean H.S. Experiments and modeling of a helicon source. J. Vac. Sci. Technol. 1996. V. A14. N3. P.984-989.

41. A.A. Орликовский. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Плазменные реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники. Микроэлектроника. 1999, том 28, №6, с. 415-426.

42. Грушевский A.M., Золотенина Н.С., Филатов И.Н. и др. Применение магнетронной распылительной системы для металлизации полиимидной пленки. Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 1982 вып. 2, с.52-54.

43. Блинов Г.А., Грушевский A.M., Смирнова Е.М. Исследование внутренних напряжений слоев Cr-Cu-Cr, нанесенных на полиимидную пленку. Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 1977 вып. 2, с.99-103.

44. Исследование возможности метода магнетронного распыления для нанесения пленок металлов и сплавов. Отчет № ГРУ-76046, 1986.

45. Валюнин М.М, Грушевский A.M., Блинов Г.А. Тепловой режим подложки при осаждении материалов в вакууме. Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 1985, вып. 2, с.44-48.

46. Х.Ясуда. Полимеризация в плазме. М : Мир. 1988. 374с.

47. J. Ziegler, J. Biersack, J. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Solids. N.Y.: Pergamon Press.1985.

48. Дж. Гиллет. Фотофизика и фотохимия полимеров. Введение в изучение фотопроцессов в макромолекулах. М. Мир. 1988. 389с.

49. А.А. Качан, П.В. Замотаев. Фотохимическое модифицирование полиолефинов. Киев : Наукова думка. 1990. 280с.

50. А.Б. Гильман, В.К. Потапов // Прикладная физика.1995. Вып.3-4. С.14-22.

51. А.М.Красовский, Е.М.Толстопятов. Получение тонких пленок распылением полимеров в вакууме. Минск: А.М.Красовский, Е.М.Толстопятов. Получение тонких пленок распылением полимеров в вакууме. Минск: Наука и техника. 1989. 181с.

52. A. Ricard. Reactive plasmas. Paris : SFV. 1996. 180p.

53. J. Ziegler, J. Biersack, J. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Solids. N.Y.: Pergamon Press.1985.

54. Дж. Гиллет. Фотофизика и фотохимия полимеров. Введение в изучение фотопроцессов в макромолекулах. М.: Мир. 1988. 389с.

55. А.А. Качан, П.В. Замотаев. Фотохимическое модифицирование полиолефинов. Киев : Наукова думка. 1990. 280с.

56. А.Б. Гильман, В.К. Потапов // Прикладная физика.1995. Вып.3-4. С.14-22.

57. А.М.Красовский, Е.М.Толстопятов. Получение тонких пленок распылением полимеров в вакууме. Минск: А.М.Красовский, Е.М.Толстопятов. Получение тонких пленок распылением полимеров в вакууме. Минск: Наука и техника. 1989. 181с.

58. Т. Hirotsu, S. Ohnishi // J. of Adhesion. 1980. V.ll. P.57.63. " Plasma Surface Modification of Polymers. Relevance to Adhesion". Eds. M. Strobel, C.S. Lyons, K.L. Mittal. The Netherlands : VSP BV. 1984.

59. D.H. Kaelble. Physical Chemistry of Adhesion. N.Y.: Wiley Inc. 1971. P.141.

60. S. Wu. Polymer Interfaces and Adhesion. N.Y.: Marcel Dekker. 1982. P. 342.

61. Ю.В. Липин, A.B. Рогачев, С.С.Сидорский, В.В.Харитонов. Технолгия вакуумной металлизации полимерных материалов. Гомель: Гомельское отд. БИТА. 1994. 206с.

62. Young Т., Miscellaneous Woks, Peacock G., ed., Murray J., London, 1855, Vol. I, p. 418.

63. De Laplace P.S., Mechanique Celeste, Supplement to Book 10, 1806.

64. D. Lin-Vien, N.B. Colthup, W.G. Fately, J.G. Grasseli. The Handbook of Infrared and Raman Characteristic Frequencies of Organic Molecules. N.Y.: Academic Press. 1991.

65. T. Hirotsu, S. Ohnishi // J. of Adhesion. 1980. V.ll. P.57.72. " Plasma Surface Modification of Polymers. Relevance to Adhesion". Eds. M. Strobel, C.S. Lyons, K.L. Mittal. The Netherlands : VSP BV. 1984.

66. A.I. Kinloch. Adhesion and Adhesives. N.Y.: Chapmen and Hall. 1987.

67. Кинлок Э. Адгезия и адгезивы: наука и технология (пер с англ.), 1991, М., Мир., 484 с.

68. Callaghan I.C., Baldry K.W.//1978 Wetting, Spreading and Adhesion/Ed. J.F. Radday. New York: Academic Press.

69. Callaghan I.C., Evert D., Fletcher J.P. // 1983 J.Chem. Soc. Farad. Trans. V. 79. P. 2723

70. Семенченко B.K., Поверхностные явления в металлах и сплавах, М., ОГИЗ, 1957.

71. Адам Н.К., Физика и химия поверхностей., М., ОГИЗ,1947.

72. Larkins F. P., Atomic Data and Nuclear Tables, 20, 311. (1977).81. "Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии" под редакцией Д. Бриггса и М. П. Сиха (Москва "Мир" 1987).

73. Handbook of Auger Electron Spectroscopy (Physical Electronics Industries Inc., February, 1976),

74. B.C. Авдуевский, Справочник, "Надежность и эффективность в технике", Москва, "Машиностроение", том 9, 1987 г.

75. B.C. Авдуевский, Справочник, "Надежность и эффективность в технике", Москва, "Машиностроение", том 10, 1990 г.

76. Ф.Е. Петрунин, "Справочник по пайке", Москва, "Машиностроение", 1994 г.