автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Рентгенодифракционное исследование приповерхностных слоев кремния и гетероструктур A III B V с градиентом деформации

Введение

Глава I. Влияние структурных параметров на физические характеристики гетероструктур.

1.1.Влияние деформаций и напряжений на физические характеристики полупроводниковых гетероструктур.

Основные физические характеристики эпитаксиальных сверхрешеток.

1.2 Кубическая и гексагональная модификация в эпитаксиальной системе ОаР/^п(М£)8.

1.3 .Цель исследования и постановка задачи.

Глава И. Рентгенодифрактометрическое измерение деформаций. Теория рентгеновской дифракции в гетероструктурах с градиентом деформации.

2.1. Метод двухкристальной рентгеновской дифрактометрии.

2.2. Дифракция в гетероструктуре с переходным слоем. 2.3 Дифракция в гетерогранице с экспоненциальным градиентом деформации в пленке.

Глава Ш. Теория упругости гетероструктур и измерение тангенциальных компонент тензора деформаций в них.

3.1. Система уравнений теории упругости для гетероструктур. Тензор НПР.

3.2. Решение задачи упруго-напряженного состояния для двухслойной гетероструктуры. Величина тангенциальной компоненты тензора деформации.

3.3. Рентгенодифракционное определение структурных параметров эпитаксиальных структур.

Глава IV. Рентгенодифрактометрическое исследование нарушенных приповерхностных слоев гомо - и гетероструктур на основе модели постоянного градиента деформации.

4.1. Кинематическая теория рентгеновской дифракции в гетероструктуре с постоянным градиентом деформации.

4.2. Рентгенодифрактометрическое определение градиента деформации в пленках неоднородных составов.

4.3. Рентгенодифрактометрическое определение статического фактора в пленках с градиентом деформации. Заключение и основные результаты.

Актуальность.

Резкое улучшение качества традиционных, а также освоение новых полупроводниковых материалов позволили в последние годы перейти к созданию больших, сверхбольших и сверхбыстродействующих интегральных схем, принципиально новых оптоэлекгронных и СВЧ-приборов, существенно повысить степень миниатюризации микроэлекгронных устройств. Несмотря на то, что "материалом номер один" по-прежнему остается кремний [1], современное развитие твердотельной электронной техники отмечено широким вовлечением в современную твердотельную электронику новых полупроводниковых материалов [2].

Дальнейшие перспективы связываются, прежде всего, с арсенидом галлия, фосфидом индия, тройными и четверными изопериодическими твердыми растворами на основе групп АШВУ и АПВУ1 [3]. Эти материалы технологически более сложны, чем кремний, однако и к их качеству предъявляются достаточно жесткие требования: необходимы бездислокационные монокристаллы больших размеров с равномерным распределением легирующих примесей и собственных точечных дефектов. К эпитаксиальным пленкам этих материалов предъявляются еще и свои, специфические требования.

Контроль качества таких структур с заданными физическими свойствами осуществляется различными способами, однако рентгеновская дифрактометрия является пока одним из наиболее экспрессных и эффективных неразрушающих методов определения параметров реальной структуры [4].

В связи со сказанным, разработка специальных рентгенодифрактометри-ческих методов диагностики деформационного состояния гетероструктур является актуальной и имеет важное практическое значение.

Цель работы.

1. Развитие теории дифракции рентгеновского излучения для модели гетеро-эпитаксиальной пленки с постоянным и линейным градиентом деформации, представляющих наибольший практический интерес и создание на этой основе рентгенодифрактометрического метода определения градиента деформации в гетероструктуре. 2. Создание рентгенодифрактометрического метода, позволяющего измерять тангенциальную компоненту тензора деформации в тонких гетероэпитакси-альных пленках и получение на этой основе метода определения толщины переходной области в гетероструктуре.

Научная новизна.

1. На основе полученного решения задачи кинематической рентгеновской дифракции в пленке с постоянным и линейным градиентом деформации создан рентгенодифрактометрический (РД) способ определения градиента деформации в тонких приповерхностных слоях гетероструктур неоднородных составов.

2. Создан специальный РД способ измерения тангенциальной компоненты тензора деформации для тонких пленок неоднородного состава, на основе чего развит метод определения толщины интерфейса между пленкой и подложкой.

Научная и практическая значимость.

Разработанные в диссертации методы позволяют определять ряд важных структурных параметров эпитаксиальных систем, информация о которых важна для получения этих объектов с заданными физическими свойствами. Результаты диссертации представляют методическую основу для способов РД анализа: измерения деформаций, градиента деформации и толщины интерфейса на гетерограницах.

Способы, развитые в диссертации, были использованы для контроля технологии при производстве кремниевых структур и гетероструктур соединений АШВУ, и, кроме того, были использованы в учебном процессе при чтении лекций по спецкурсу "Рентгенодифрактометрический анализ гетероструктур" на физическом факультете КБГУ.

1. Использование аналитического решения задачи кинематической дифракции от модели структуры с постоянным градиентом деформации позволяет РД методом определить градиент деформации в тонких приповерхностных слоях неоднородного состава.

2. Использование соотношений континуальной теории упругости между величиной несоответствия параметров решеток и величинами нормальной и тангенциальной компонент тензора деформации позволяет путем уменьшения толщины подложки измерять тангенциальную компоненту в ультратонких пленках и определять толщину интерфейса на гетерогранице.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации были доложены и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и семинарах.

1. V научно-технической конференция "Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники". М., ЦНИИ "Электроника". 1989.

2. II Межреспубликанский семинар "Современные методы и аппаратура рентгеновских дифрактометрических исследований материалов в особых условиях". Киев. 1991.

3. VI Всесоюзная конференция "Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники". Кишинев. 1991г.

4. III Всесоюзная конференция "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов". Кишинев. 1991г.

5. Международный семинар "Современные методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)". Великий Новгород. 2002.

6. Российская конференция "Приборы и техника ночного видения" Нальчик. 2002 г.

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 12 работ [5-16], в том числе два изобретения, защищенных авторскими свидетельствами.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и основных результатов, изложенных на 117 страницах текста, включающих 20 рисунков, 10 таблиц. В конце диссертации приведен список литературы из 130 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

В диссертации развиты частные рентгенодифрактометрические методы количественного определения структурных параметров эпитаксиальных систем таких как: компоненты тензора деформации тонкой пленки, градиент деформации приповерхностного слоя и толщины переходной области на гетерогранице в системе пленка-подложка.

Основными результатами диссертации являются следующие:

1. На основе континуальной теории упругости гетероструктур, дающей соотношения между величиной несоответствия параметров решеток и величинами нормальной и тангенциальных компонент тензора деформации предложен способ измерения тангенциальной компоненты тензора деформации в ультратонких эпитаксиальных пленках.

2. Предложенный способ позволяет по РД данным компонент тензора деформации и кривизны гетероструктуры определить толщину переходной области (интерфейса) на гетерогранице в системе пленка подложка. Этот прием может быть распространен и на многослойные композиции.

3.Получено аналитическое выражение задачи кинематической дифракции в пленке с постоянным градиентом деформации с учетом статического фактора Дебая-Валлера.

4. На основе аналитического решения п.З предложен РД способ определения градиента деформации в тонких приповерхностных слоях неоднородного состава.

5. Способ п.4 применен для определения градиента деформации и средней деформации в автоэпитаксиальных пленках кремния с диффузией бора и в ге-тероструктурах АШВУ с пленками неоднородных твердых растворов 1пхОа1.хР.

-1036. На основе аналитического решения п.З предложен метод определения по данным двухкристальной рентгеновской дифрактометрии статического фактора Дебая-Валлера. Данный метод реализован для двух типов систем: авто-эпитаксиальных пленок кремния с диффузией бора и гетероструктур твердых растворов 1пхОа1хР/ОаА8.

-104

1. Валиев К.А. Микроэлектроника и пути развития. М.: Наука, 1986. 142 с.

2. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. 144 с.

3. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. // ФТП. 1998, Т.32.№1. С.3-18.

4. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Развитие рентгенодифрактометрического метода определения деформаций, напряжений и несоответствия в гетеро-структурах. //Методы структурного анализа. М.: Наука. 1989. С. 188-204.

5. Хапачев Ю.П., Шухостанов А.К., Дышеков A.A., Барашев М.Н., Оранова Т.И. Рентгенодифракционный способ определения характеристик эпитаксиальных структур. // A.C. №1526383. Зарегистрировано 01.09.1989.

6. Лидер В.В.,Чуховский Ф.Н., Хапачев Ю.П., Барашев М.Н. Рентгенодиф-рактометрическиое исследование нарушенных приповерхностных слоев Si(lll) и InGaP/GaAs(lll) на основе модели постоянного градиента деформации. //ФТТ. 1989. Т.31, вып.4. С.74-81.

7. Барашев М.Н Галушко М.А., Дышеков A.A., Оранова Т.И., Хапачев Ю.П. Влияние деформаций и напряжений на физические характеристики полу-106проводниковых гетероструктур. Российская конференция "Приборы и техника ночного видения" Нальчик. 6-14 июля 2002 г.

8. Capasso F.С., Tsang W.T., William G. Staircase Solid-state photomultipliers and avalanche Photodiodes with Enhanced Ionization rates Ratio // IEEE Trans. On Electron Devices. 1983. V.30. N.4. P.381-390.

9. Роуэлл Дж.М. Материалы для фотоники. // В мире науки: Пер. с анг.-. 1986. №12. С.87-97.

10. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Деформации и напряжения в многослойных эпитаксиальных кристаллических структурах. Рентгенодифракцион-ные методы их определения. // Кристаллография. 1989. Т.34. Вып.З. С.776-800.

11. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Закономерности дефектообразования в гетероэпитаксиальных структурах соединений АЗВ5 для оптоэлектроники. //Кристаллография. 1977. Т.22. Вып.2. С.431-447.

12. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев.: Наукова думка. 1983. 304 с.

13. Бессолов В.Н., Именков А.Н., Конников С.Г. и др. Квантовая эффективность пластически деформированных варизонных Gal-xAlxP. // ФТП. 1983. Т.13. Вып. 12. С.2173-2176.

14. Арсентьев И.Н., Берт H.A., Конников С.Г., Уманский В.Е. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей. // ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 1. С.96 -100.

15. Берт Н.А., Гореленок А.Т., Конников С.Г. и др. Экспериментальное определение различия коэффициентов термического расширения в гетероструктурах. //ЖТФ. 1981. Т.51. Вып. 8. С.1018 -1020.

16. Konnikov S.G., Umansky V.E. Energy Band-Gap in Elastic-strained Heteroepi-taxial Layers. // Cryst. Res. Technol. 1985. V.20. N 10. P. 1381-1386.

17. Chukhovskii F.N., Khapachev Yu.P. X-Ray Diffraction Methods for Determination of Stresses and Strains in Multilayer Monocrystal Films. // Crystallography Reviews. 1993. V.3. P.257-328.

18. Елюхин В.А., Кочарян B.P., Портной B.JI. Рывкин Б.С.Особенности генерации когерентного излучения в гетероструктурах с плавным волновым слоем. //Письма в ЖТФ. 1980. Т.6. Вып.4. С.244-246.

19. Ахмедов Д., Бежан Н.П., Берт Н.А. Влияние внутренних деформаций на поляризацию излучения в гетеролазерных структурах In-InGaAsP. // Письма в ЖТФ. 1980. Т.6. Вып. 12. С.705-708.

20. Брагинская Б.Г., Елюхин В.А., Кучинский В.И. и др. Особенности поляризации когерентного излучения, генерируемого в многослойных гетероструктурах. //ЖТФ. 1983. Т.53. №9. С.1843-1845.

21. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1983. T.I. -299 е., Т.П.-364 с.

22. Klokholm E. et al. Epinaxial strains and fracture in garnet films. // Magnetism and Magnetic Materials. 1971. AIP Conf. Proc. 5. American Institute of Physics. N.-Y. 1972. Part 1. P.105-109.

23. Speriosu V.S., Wilts C.H. X-ray rocking curve and ferromagnetic resonance investigations of ion-implanted magnetic garnet. // J. Appl. Phys. 1983. V.54. N 6. P.3325-3343.

24. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974. 384 с.

25. Balluffi R. W., Blakely J.M. Special Aspect of Diffusion in thin Films. // Thin Solid Films. 1975. Y.25. N 2. P.363-392.

26. Любов Б.Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых растворах (обзор). // Физика и химия обработки материалов. 1976. №2. С.77-104.

27. Келдыш JI.B. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла. // ФТТ. 1962. Т.4. Вып.8. С.2265-2267.

28. Кастальский А.А. Новые оптические и электрические эффекты в стоячей световой волне. // Письма в ЖЭТФ. 1969. Т.10. №7. С.328 -332.

29. Кастальский А.А., Хусаинов А.Х. О новой возможности получения периодической подрешетки в твердых телах. // ФТП. 1970. Т.4. Вып.8. С. 11981201.

30. Волков В.А., Пинскер Т.Н. Квантовый эффект размеров в пленках переменной толщины. // ФТТ. 1971. Т.13. Вып.5. С.1360 -1363.

31. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors. // IBM J. research and development. 1970. V.44. No.l. P.61-65.

32. Есаки Л. Путешествие в страну туннелирования. // УФН. 1975. Т. 116. Вып.4. С.569 -583.

33. Стафеев В.И. Супермногослойные структуры с р-n переходами. // ФТП.1971. Т.5. Вып.З. С.408-410.

34. Винецкий B.JL, Кухтарев Н.В., Семенов А.К. Анизотропия электропроводности, обусловленная распределение легирующей примеси. // ФТП.1972. Т.6. Вып. 6. С.1007-1014.

35. Тавгер Б.А., Демиховский В.А. Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках. // УФН. 1968. Т.96. Вып.1. С.61-86.

36. Шик А.Я. Сверхрешетки периодические полупроводниковые структуры (обзор). //ФТП. 1974. Т.8. Вып.Ю. С.1841-1864.

37. Сурис Р.С. Сверхрешетки в решении проблемы создания материалов функциональной микроэлектроники. // Электронная промышленность. 1977. Вып.6(60). С.52-58.

38. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 240с.

39. Esaki L. Bird's eye view on the evolution of semiconductor superlattices and quantum wells. // Journal of Quantum Electronics. 1986. V.QE-22. N.9. P. 1611-1624.

40. Capasso F., Mohammed K., Cho A. Resonant Tunneling Through Double Barriers, Perpendicular Quantum Transport Phenomena in Superlattices, and Their Device Applications. // J. Quant. Electron. 1986. V.QE-22. N 9. P.1611.

41. Ogino T., Mizushima Y. Long-range interaction in multi-layered amorphous film structure. //Japan J. Appl. Phys. 1983. V.22. No.ll. P.1674-1651.

42. Schuller I.K. New class of layered materials. // Phys. Rev. Lett. 1980. V.44. No. 24. P.1597-1600.

43. Meyer K.E., Felcher G.P., Sinha S.K., Schuller I.K. Models of diffraction from layered ultrathin coherent structures. // J. Appl. Phys. 1981. V.52. No. 11. P.6608-6610.

44. Khan M.R., Chun C.S.L., Felcher G.P., et al Structural, elastic and transport anomalies in molybdenum/nickel superlattices. // Phys. Rev. B. 1983. V.B27. No 12. P.7186-7193.

45. Clemens B.M., Gay J.G. Effect of layer-thickness fluctuation on superlattice diffraction. //Phys. Rev. B. 1987. V.B35. No 17. P.9337-9400.

46. Onoda M., Sato M. Superlattice structure of superconducting Bi-Sr-Cu-0 system. // Solid State Communication. 1988. V.67. No. 8. P.799-804.

47. Ariosa D. Elastic model for partially coherent growth of metallic superlattices. I. Interdiffusion, strain, and misfit dislocation. // Phys. Rev. B. 1988. V.B37, No 5. P.2415-2420. II. Coherent to a Partitially Coherent Transition. P.2421-2425.

48. Locquet J.-P., Neerinck D., Stockman L., et al. Long-range order and lattice mismatch in metallic superlattice. // Phys. Rev. B. 1988. V.B38, No 5. P.3572-3575.

49. Melo L.V., Trindade I., From M., Freitas P.P., Teixeira N., da Silva M.F., Soares J.C. Structural characterization of Co-Re superlattices. //1989. J. Appl. Phys. V. 70. No 12. P. 7370-7373.

50. Palatnik L.S. Diffraction Effects of X-ray and Electron Scattering from one- and two-dimensional superlattices. // Thin Solid Films. 1980. V.66. N 1. P.3-10.

51. Ortner B. Simultaneous Determination of the Lattice Constant and Elastic Strain in Cubic Single Crystal. // Advances in X-Ray Analysis. New-York and London: Plenum Press, 1986. V. 29. P. 387.

52. Bean J.C., Feldman L.C., Fiory A.T. et al. GexSil-x. Si straned-layer superlattice grown by molecular beam epitaxy. // J. Vac. Sci. Technol. 1984. V.A2. P.436-438.

53. Ortner В., Bauer G. (11 l)CdTe Epitaxy on (100) GaAs Substrates. // J. of Cryst. Growth. 1988. V.92. N 1. P.69-76.

54. Shahzad K., Olego D.J., Cammack D.A. Thickness dependence of strains in strained-layer superlattices. // Appl. Phys. Lett. 1988. V.52. N 17. P. 1416-1418.

55. Matthews J.W., Blakeslee A.E. Deffects in Epitaxial Multilayers // J. of Cryst. Growth. 1974. V.27. N 1. P.118-125.

56. Osbourn G.C. Electeonic structure of GaAsP/GaP straintd-layer superlattices withX< 0,5. // J. Vac. Sci. Technol. 1982. V.21. N 2. P.469-472.

57. Wood D.M., Wei S.-H., Zunger A. Thermodynamic Instability of Ultra-thin Semiconductor Superlattices: The (001)(GaAs)l(AlAs)l Structure. // Phys. Rev. Lett. 1987. V.58, No 11. P.1123-1126.

58. Елюхин В.А., Сорокина JI.П. Энергия внутренней деформации и возможность упорядочения в твердых растворах АхЗВ1-хЗС5. // Доклады АН СССР. 1986. Т.287. № 6. С.1384-1386.

59. Дышеков A.A., Хапачев Ю.П., Тарасов Д.А. Динамическая рентгеновская дифракция в сверхрешетках с различным градиентом деформации в переходной области. // ФТТ. 1996. Т.38. Вып.5. С. 1375-1386.

60. Dyshekov A.A., Khapachev Yu.P., Tarasov D.A. X-ray dynamical diffraction on superlattice with unequal layer thicknesses. // II Nuovo cimento. 1997. V.19. P.531-536.

61. Дышеков A.A., Хапачев Ю.П. Динамическая дифракция рентгеновских лучей в сверхрешетках. // Успехи физики металлов. 2001. Т.2, №4. С.281-351.

62. Кютт Р.Н., Улин В.П., Дышеков A.A., Хапачев Ю.П. Идентификация гексагональной фазы в эпитаксиальной системе GaP/Zn(Mg)S. // ЖТФ. 1996. Т.66. Вып. 12. С.39-47.

63. Кютт Р.Н., Елюхин В.А., Хапачев Ю.П. Рентгенодифрактометрическое исследование гексагональной модификации GaP. // Поверхность. 2001. №6. С.12-15.

64. Конников С.Г., Улин В.П., Шайович Я.Л. Способ получения монокристаллических пленок полупроводниковых материалов. // а.с. №1730218 от 03.01.1992.

65. Кютт Р.Н., Сорокин JIM., Аргунова Т.С., Рувимов С.С. Рентгенодифрак-ционное исследование дислокационной структуры в МЛЭ-системах с высоким уровнем несоответствия параметров решеток. // ФТТ. 1994. Т.36. № 9. С.2700-2714.

66. Шаскольская М.П. Кристаллография. М., 1976, 391 с.

67. Пинскер З.Г. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в идеальных кристаллах. М: Наука, 1974. 280 с.

68. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Брэгговская дифракция рентгеновских лучей в кристалле с переходным слоем. // ФТТ. 1984. Т.26, Вып. 5. С.1319-1325.

69. Chukhovskii F.N., Khapachev Yu.P. Exact solution of the Takagi-Taupin equation for dynamical X-ray Bragg diffraction by a crystal with a transition layer. // Phys. stat. sol.(a). 1985. V.88. No 1. P.69-76.

70. Дышеков A.A., Хапачев Ю.П. Динамическая рентгеновская дифракция в кристалле с экспоненциальным градиентом деформации. I. Точное аналитическое решение и основные качественные особенности волнового поля. // Поверхность. 1998. № 3. С.20-26.

71. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Динамическая рентгеновская дифракция в кристалле с экспоненциальным градиентом деформации. II. Дифракция в случае резкого градиента деформации. // Поверхность. 1998. Вып.6. С.21-30.

72. Itoh N., Okamoto К. A new technique for crystallographic characterization of heteroepitaxial crystal films // J. Appl. Phys. 1988. V.63. N 5. P.1486-1493.

73. Fanter E.J. Direct determination of elastic strain in strained-layer superlattices by high-angle X-ray interferences. // Appl. Phys. Lett. 1985. V.47. N 8. P.803-805.

74. Хапачев Ю.П., Дышеков А.А.,Чуховский Ф.Н., Филипченко В.Я. Рентге-нодифракционный способ определения деформаций/ А.С. №1311398. Зарегистрировано 15.01.1987.

75. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Рентгенодифрактометрическое определение упругих напряжений и несоответствия в многослойных эпитаксиальных пленках. //Металлофизика. 1986. Т.8. № 6. С.15-22.

76. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Развитие рентгенодифрактометрического метода определения деформаций, напряжений и несоответствия в гетеро-структурах. //Методы структурного анализа. М.: Наука. 1989. С. 188-204.

77. Chukhovskii F.N., Khapachev Yu.P. X-Ray Diffraction Methods for Determination of Stresses and Strains in Multilayer Monocrystal Films. // Crystallography Reviews. 1993. V.3. P.257-328.

78. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, 1982. 620 с.

79. Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. М.: Наука, 1982. 390 с.

80. Бейтмен Г., Эрдейи А. Высшие трансцендентные функции. Гипергеометрическая функция. Функция Лежандра. М.: Наука. 1973. Т.1.

81. ЗЭйшчев Ю.П. Теория дифракции рентгеновских лучей в многослойных кристаллических системах и ее применение к анализу гетероструктур и сверхрешеток. Докторская диссертация. Нальчик, 1990 275 с.

82. Bensoussan S., Malgrange С., Sauvage-Simkin М. Sensivity of X-ray dif-fractometry for strain depth profiling in III-V heterostructures. // J. Appl. Cryst. 1987. V.20. No. 2. P.222-229. P.803-805.

83. Kato N. An exact solution in the dynamical diffraction theory of lamellarly distorted crystals. // Acta Cryst. 1990. V.A46. P.672-681.

84. Дышеков A.A., Хапачев Ю.П. Характер рентгенодифракционного рассеяния и определение структурных параметров пленки с переменным градиентом деформации. ЖТФ. 1999. Т.69,вып.6.С.67-70.

85. Справочник по специальным функциям. Под ред. М. Абрамовича и И. Стиган. М.: Наука, 1979. 832 с.

86. Afanasev A.M., Kovalchuk M.V., Kovev E.K., and Kohn V.G. X-ray diffraction in a perfect crystal with distributed surface layer. // Phys. stat. sol. (a). 1977. V.42. P.415-422.

87. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. М.: Наука. 1975. 680 с.

88. Инденбом В.Л., Сильвестрова И.М., Сиротин Ю.И. Термоупругие напряжения в анизотропных пластинках. // Кристаллография. 1956. Т.1. Вып.5. С.599-603.

89. Steeds J.W. Introduction to Anisotropic Elasticity Theory of Dislocation. Oxford: Clarendon Press, 1973. 274 p.

90. Кузнецов Г.Ф., Хазанов A.A. Рентгенодифракционное исследование упругих и пластических деформаций в гетероструктурах с большим несоответствием периодов решеток типа ZnSeS/GaAs и InP/GaAs. // Кристаллография. 1990. Т.35. Вып.5. С.1267-1270.

91. Петрашень П.В. О возможности определения деформации тонкого легированного слоя дифракционными методами. // ФТТ. 1975. Вып. 9. С.2814-2816.

92. Kyutt R.N., Petrashen P.V., Sorokin L.M. Strain profiles in ion-doped silikon obtained from X-rocking curves. // Phys. stat. sol.(a) 1980. V.60. No.2. P.381-389.

93. Afanasev A.M., Kovalchuk M.V., Kovev E.K., and Kohn V.G. X-ray diffraction in a perfect crystal with distributed surface layer. // Phys. stat. sol. (a). 1977. V.42. P.415-422.

94. Колпаков А.В. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах с одномерным изменением периода решетки. М.: МГУ. 1988. 127 с.

95. Кузнецов Г.Ф., Семилетов С.А. Дифракционные методы исследования реальной структуры эпитаксиальных пленок // Микроэлектроника. 1975. Т. 4. С. 195-212.

96. Анализ поверхности методами Оже-рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. // Под редакцией Д. Бриггса и М.П. Сиха. М: Мир, 1987. 432 с.