автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Пороговые фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe

На правах рукописи

'Го ОД

з о ш т

Северцев Владимир Николаевич

Пороговые фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных структур СДЕ^Те

Специальность

05.27.01 - Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук

Санкт-Петербург 2000 г.

Работа выполнена в ГУЛ "Альфа" Официальные оппоненты:

доктор технических наук, профессор Косогов О.В.

доктор физико-математических наук, профессор, лауреат Госпремии Надеждинский А.И.

доктор физико-математических наук Яковлев Ю.П.

Ведущая организация:

ФНПЦ НПО ГИПО, Казань

Защита состоится "/У" ¿Ц'О/'С^ 2000 года в _ часов на

заседании Диссертационного совета Д 063.38.25 при Санкт-Петербургском Государственном Техническом Университете по адресу: 195251 ул. Политехническая, д. 29.

Автореферат разослан 2000 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

доктор физ.-мат. наук, профессор Б.Е. Саморуков

Общая характеристика работы

Актуальность работы

Проблемы тепловидения привлекают все возрастающее внимание, разрабатываются и применяются различные оптико-электронные системы. Важнейшим элементом в этом быстроразвивающемся направлении ИК техники являются многоэлементные ИК приемники излучения из Cdo.2Hgo.sTe (КРТ).

Диссертация посвящена физико-технологическим исследованиям и разработкам пороговых линейчатых и матричных фотоприемников (фоторезисторов и фотодиодов) из гетероэпитаксиальных структур КРТ и фотоприемных устройств на их основе диапазона 8-14 мкм. Все разработки высокотехнологичны и завершены серийным выпуском.

Тепловизионная техника, основанная на применении фотоприемников ИК диапазонов длин волн 3-5 и 8-14 мкм, находит широкое применение в оборонных комплексах и народном хозяйстве.

Основное применение тепловизионной техники в настоящее время и в ближайшем будущем будет сосредоточено в военной области, обеспечивая ведение военных действий в ночных условиях. Это пассивные необнаруживаемые системы. В том числе: системы ночного видения для водителей танков и БТР, системы прицеливания и управления огнем танков, противоракетные и противотанковые системы обнаружения, наведения и прицеливания, системы для автоматического обнаружения, распознавания и уничтожения воздушных целей, авиационные и космические разведывательные системы, вертолетные и самолетные ИК станции переднего обзора, дающие изображение разведываемой местности по ее собственному тепловому излучению в реальном масштабе времени и т.п.

Использование тепловизионной техники диапазона 8-14 мкм в народном хозяйстве позволит решать ряд важнейших проблем:

- в медицине: ранняя диагностика рака и других заболеваний;

- в геологии: поиск с самолета или космического корабля нефтегазовых, рудных и нерудных месторождений, геотермальных вод;

- в городском хозяйстве: обнаружение скрытых утечек тепла, горячей и холодной воды в теплотрассах и водопроводной сети, обнаружение карстовых полостей в районах массовой застройки;

- в сельском хозяйстве: дистанционный (с самолета или спутника) контроль увлажнения и иссушения почв, состояния посевов с/х культур, выявление пораженных вредителями и болезнями посевов и др.);

■ - в лесном хозяйстве: выявление массового поражения леса вредителями, обнаружение очагов лесных пожаров при значительном задымлении;

- в экологии: тепловые загрязнения рек и водоемов, загрязнения воздушного бассейна выбросами электростанций и других промышленных предприятий, подземная миграция отравленных вод — отходов металлургической и химической промышленности);

- в контроле и диагностике чрезвычайных ситуаций: насыщенность снегов водой в период таяния (угроза наводнений), скрытое нарастание вулканической активности;

- в энергетике: дистанционный контроль предаварийных ситуаций крупных энергетических объектов;

- в транспорте: оперативный дистанционный контроль подвижного состава, контроль букс.

Только в геологии с помощью простейшего самолетного тепловизиотюго устройства "Вулкан" удалось получить большой объем информации о залежах полезных ископаемых. Полеты с этой аппаратурой над крупными городами позволили выявить аварийные участки теплотрасс и своевременно произвести их ремонт.

Широкое применение тепловизионной техники в военных и тем более в гражданских целях сдерживается высокой стоимостью ИК фотоприемников и сложностью их производства.

За рубежом и в нашей стране активно ведутся работы по созданию новых технологий получения фоточувствительных материалов и фотоприемников на их основе для удовлетворения потребности тепловизионной техники. Общее увеличение затрат на ИК фотоприемники в США возрастает с 1520 млн. долларов в 1991 году до 12320 млн. долларов в 2000 году, т.е., практически, на порядок.

Суть проблемы заключается в том, что развитие тепловизионной техники на диапазон длин волн 3-12 мкм и ее удешевление, в значительной степени, зависят от качества, стоимости и масштабов производства полупроводниковых многоэлементных ИК фотоприемников.

В ряде стран разработаны технологии изготовления высокоэффективных фотоприемников на основе КРТ как в виде единичных элементов, так и в виде многоэяе-

ментиых фотоприемников (линеек и матриц). В России промышленные ИК фотоприемники на диапазон длин волн 8-12 микрон выпускаются в виде линеек фотосопротивлений, изготавливаемых из объемного монокристалла, либо в виде одиночных фотодиодов. Матрицы ИК-фотодиодов изготавливаются на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных жидкофазной эпитаксией. Широкому производству и использованию ФП на основе таких материалов КРТ препятствует высокая цена материала, составляющая примерно 430 S за 1 г монокристалла КРТ или 80 $ за 1 см2 эпитаксиальной пленки КРТ, полученной методом МЛЭ.

В настоящее время основные усилия направлены на развитие систем тепловидения, использующих фотоприемники с многорядными линейками и матрицами фоточувствительных элементов в фокальной плоскости с высокой плотностью фоточувствительных площадок, соединенных с многофункциональными сверхбольшими интегральными схемами (СБИС-мультиплексорами) для обработки сигнала. В соответствии с этим направлением к технологии получения узкозонного материала КРТ для ИК фотоприемников предъявляются чрезвычайно жесткие требования - она должна обеспечивать приготовление пластин или слоев материала большой площади, с большой однородностью свойств и с невысокой стоимостью. Этим требованиям в наибольшей степени отвечают эпитаксиальные методы выращивания слоев КРТ. Жидкофазовая эпитак-сия КРТ стала возможной благодаря успехам в получении монокристаллов CdZnTe высокого структурного совершенства, согласованных по параметру решетки с выращиваемой пленкой КРТ. Методы молекулярно-лучевой и газофазовой эпитаксии позволяют выращивать гетероэпитаксиалыше структуры (ГЭС) на подложках GaAs и Si с буферными слоями из CdTe и CdZnTe. Высокая цена подложек из CdZnTe (близка к цене объемных монокристаллов КРТ) не позволяет существенно снизить стоимость выращиваемых на них слоев КРТ. В настоящее время в РФ и за рубежом проводятся интенсивные работы по выращиванию эпитаксиальных пленок КРТ на недорогих подложках GaAs и Si, инородных по отношению к CdTe и CdZnTe. В зарубежной литературе сообщается об успехах в изготовлении многоэлементных ИК-матриц фотодиодов (размерностью 256x256 элементов), полученных из ГЭС КРТ на подложках из GaAs и Si. Применение относительно дешевых и доступных подложек из GaAs и Si позволит значительно снизить стоимость ГЭС КРТ и фотоприемников. Создание систем обработки сигналов ИК фоточувствительного элемента фотоприемника с помощью СБИС на единой подложке из Si приведет к значительному улучшению характеристик приборов, к созданию ФПУ и тепловизионной техники нового класса.

Исследования и разработка физико-технологических основ многоэлементных фотоприемников позволяют создать научно-производственную базу тепловизиоппой техники широкого народнохозяйственного и военного применения.

Цель работы

Целью работы являлось создание нового класса линейчатых и матричных пороговых фотоприемников на основе гетерозпктаксиальных структур GaAs - CdZnTe -CdxHgi.xTe (х=0,8-0,2) - Cdo^Hgo.gTe - CdxHgi.xTe (x=0,2-0,4) с высокой чувствительностью. По ходу выполнения работы приходилось решать широкий круг задач, связанных с технологией такого "капризного" полупроводникового материала как твердый раствор КРТ, криогенной техникой и обработкой сигнала многоэлементных (сначала в виде линеек, затем в виде матрицы) ФЧЭ из КРТ. Одной из главных задач был переход в производстве фотоприемников от объемных монокристаллов КРТ, при использовании которых приходится в 100 раз уменьшать толщину пластины при больших отходах дорогого материала, на совершенные и передовые гетерозпитаксиальные структуры КРТ, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии и обладающие рядом новых, характерных для ГЭС, свойств. Эта работа является развитием идей академика Ж.И. Алферова применительно к узкозонным полупроводниковым соединениям AnBVI. ГЭС КРТ, полученные методом МЛЭ, отличаются однородностью, большими размерами, приемлимыми электрофизическими и фотоэлектрическими характеристиками, относительной дешевизной (~ 80 $ за 1 см2), стабильностью параметров, зеркально гладкой поверхностью. Они существенно (в 4-5 раз) дешевле объемных монокристаллов КРТ и перспективны для формирования многоэлементных фотоприемников диапазона 8-14 мкм. Другая задача состояла в разрешении вопроса, связанного с конструкторской и технологической проработкой высокоэкономичных, с малыми теплопритоками, надежных фотоприемных модулей, являющихся одновременно частью газовой криогенной машины, а также весь комплекс проблем, связанных с организацией серийного производства высоконадежной конкурентоспособной и наукоемкой продукции (фотоприемников и ФГГУ) как элементной базы тепловидения. Одной из задач работы являлось также решение проблем газофазного метода синтеза подложечных полупроводниковых материалов GaP и GaAs для эпитаксии, используемых также в микроэлектронике и'микрофотоэлектронике.

Защищаемые положения

На защиту выносится микрофотоэлектрошжа гетероэпитаксиальных структур на CdxHgi.xTe, полученных МЛЭ:

1. Физико-технологические основы многоэлеменгных фотоприемников на основе сложных гетероэпитаксиальных структур GaAs - CdZnTe - CdxHgi-xTe (х=0,8-0,2) - CdfyHgogTe - CdxHgi_xTe (x=0j2-0,4) и создание нового класса линейчатых и матричных пороговых фотоприемников с высокой чувствительностью:

- выбор метода эпитаксии, обоснование преимуществ МЛЭ;

- оптимизация свойств гетероэпигаксиальных структур большого диаметра (52 мм);

- химико-техпологические исследования получения подложечного материала из газовой фазы для гетероэпитаксиальных структур. Синтез особо чистых GaAs и GaP за счет покрытия реактора и тиглей защитными слоями из нитрида бора и нитрида алюминия. Модель роста кристаллов GaAs и GaP при их синтезе из газовой фазы за счет встраивания комплексов GamPn, состав и концентрация которых зависят от газовой фазы.

2. Методы повышения чувствительности фоторезисторов из КРТ:

- уменьшение рекомбинации неравновесных носителей на контактах и увеличение, тем самым, эффективного времени жизни с помощью блокирующих контактов;

- снижение влияния "пролета" носителей (sweep out) путем частичного затенения фоточувствительной площадки и увеличения расстояния между контактами без увеличения фотоактивной зоны фоторезистора из КРТ;

- увеличение эффективного времени жизни неравновесных носителей и расширение спектральной области фотоответа фоторезистора из КРТ методом нанесения варизонных слоев с заданным градиентом состава на поверхность слоя КРТ постоянного состава и резкого уменьшения, тем самым, скорости поверхностной рекомбинации в гетероэпитаксиальной структуре GaAs - CdZnTe - CdxHg[.*Te -CdojHgo.sTe - Cd,Hgi.xTe.

- способ подавления низкочастотных составляющих шума фоторезистора с помощью теплового фильтра.

3. Методы стабилизации свойств и параметров фоторезистора:

- создание собственного анодного окисла, предотвращающего уход ртути с поверхности;

- получение на поверхности фоточувствительного элемента многослойных защитных и просветляющих покрытий;

4. Разработка и серийный выпуск высоконадежных многоэлементных фотоприемных устройствиз ГЭС КРТ, полученных МЛЭ, в том числе, для тепловидения, теплопелепгации, термографик и др. на область спектра 8-14 мкм: разработка гибридных ФПУ с многофункциональной малошумящей помехо-защшденной СБИС в холодной зоне вблизи ФЧЭ для обработки сигнала изображения;

- теплофизические и конструкторские разработки вакуумных охлаждаемых модулей, обладающих высокой надежностью и малыми теплопритоками при глубоком интегрировании с системами охлаждения.

Научная новизна

1. Впервые в отечественной ИК технике теоретически обоснованы, экспериментально подтверждены и освоены в серийном производстве многоэлементные фоторезисторы нового типа спектрального диапазона 8-14 мкм на основе сложных гетероэпи-таксиальных структур КРТ, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Впервые линейчатые и матричные фотоприемники созданы на основе структур большого диаметра (52 мм) GaAs - CdZnTe - C4Hgt-xTe (х=0,8->0,2) - Cd0,2Hg0,8Te -CdjiHguTe (x=0,2->0,4) с заданными значениями градиента состава dX/dx и градиента ширины запрещенной зоны dE/dx, низкой концентрацией носителей в рабочем (х=0,2) слое «77^ 5*10'4см"3, высокой подвижностью /ил > 105 см2/В*с и временем жизни неравновесных носителей тп > 10"6 с, оптимальными толщинами рабочего и варизонных сдоев.

Впервые достигнуто:

- высокая вольтовая чувствительность, на порядок больше известного уровня, при обнаружительной способности, ограниченной фоном, за счет резкого снижения

скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей под действием г ldEs

встроенного поля Е=---варизонных слоев;

е dx

- расширение области спектральной чувствительности в диапазоне 8-13 мкм за счет генерации носителей в варизонных слоях с большей шириной запрещенной зоны;

- минимизация рассеиваемой в фоточувствительных элементах мощности смещения (снижение на порядок), что особенно важно при использовании микрокриогенных систем для охлаждения фотоприемника.

2. Теоретически оптимизированы и реализованы в конструкциях и технологических процессах в серийном производстве фотоприемников из КРТ диапазона 8-14 мкм;

- эффект снижения скорости дрейфа носителей к контактам в электрическом поле смещения фоторезистора путем создания отражающих контактов с встроенным электрическим полем (п*1) и увеличения, тем самым, линейного участка зависимости вольтовой чувствительности от напряжения смещения S„ (^с„);

- эффект уменьшения влияния "пролета" носителей (swep out) в фоторезисторе путем затенения части фоточувствительной площадки при сохранении ее фотоактивной зоны. Показано, что эффект оптимален при увеличении расстояния между контактами не более чем на 5 диффузионных длин;

- эффект подавления низкочастотных составляющих шума фотоприемника путем использования теплового RC фильтра, где роль тепловой емкости выполняет масса охлаждаемого элемента, а тепловое сопротивление определяется цепью отвода тепла от фоточувствительного элемента к источнику холода. Предложен метод расчета теплового фильтра - упругого демпфера газовой криогенной машины;

- эффект стабилизирующего действия собственного анодного окисла фоторезистора из KPT (Eg = 0,1 эВ), предотвращающего уход ртути из КРТ через поверхность и диффузии вакансий ртути внутрь фоторезистора.

3. Теоретически и экспериментально показано, что в эпитаксиальных слоях КРТ (х = 0,2), полученных методом МЛЭ на подложке из GaAs, доминирует ударная рекомбинация (Оже), что свидетельствует о высоком качестве этих слоев и перспективности их использования в фотоприемниках диапазона 8-14 мкм.

4. Предложена модель роста высококачественных кристаллов GaP и GaAs из газовой фазы с учетом встраивания комплексов GamP„, состав и концентрация которых зависят от газовой фазы.

5. Предложена принципиальная СБИС матричного фотоприемного устройства, выполняющая операции накопления заряда (усиления), вычитания фона и произвольного считывания (х-у адресация).

Практическая значимость

Практическая значимость работы определяется:

1. Широким спектром фактического использования ее результатов в военной технике и народном хозяйстве (танковые ночные визир-прицелы; инфракрасные ночные системы прицеливания и наведения противотанковых управляемых снарядов (ПТУРС); инфракрасные космические телескопы для зондирования Земли из космоса; самолетные инфракрасные тепловизионные разведовательные комплексы; теплопелен-гаторы кругового обзора; самолетная тепловизионная аппаратура геологической разведки полезных ископаемых и контроля экосистем и др.);

2. Созданием ряда базовых технологий изготовления и конструкций модулей фотоприемников на основе объемных монокристаллов и гетероэпитаксиальных слоев КРТ для области спектра 8-14 мкм с различным числом элементов (10, 10x2, 16x2, 32x2, 64,48x2,128), а также фотодиодных матриц на базе ГЭС КРТ формата 128x128;

3. Внедрением полученных результатов в производство фотоприемников и ФПУ, тепловизоров на их основе и различных комплексов. Созданием заводской технологической линии серийного выпуска фотоприемников и фотолриемных устройств, обладающих высокими характеристиками и надежностью, обеспечивающих по ряду параметров приоритет отечественной техники над зарубежной. Достигнуто увеличение процента выхода годных ФЧЭ и снижение себестоимости ФП и ФПУ из материала КРТ.

Достоверность

Достоверность полученных физико-технологических результатов обусловлена их согласием с известными положениями фотоэлекгроники. Методики и теоретические выкладки подтверждаются экспериментальными результами и успешным использованием их в разработке приборов. Достоверность научных результатов и разработанных технологий находит подтверждение в повторяемости - при серийном производстве но-

вого класса ИК тепловизионных фогоприемников на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Апробация работы

Апробация работы проводилась длительное время путем внедрения ее результатов и дальнейшего авторского надзора в организованное на Государственном унитарном предприятии "Альфа" серийное производство фотоприемников и фотоприемных устройств на материале КРТ. Фотоприемники и фотоприемные устройства, созданные в процессе настоящей работы, вошли в состав тепловизионной техники, используемой в Вооруженных силах, в частности, в Главном ракетно-артиллерийском управлении (ГРАУ) и в Главном авто-бронетанковом управлении (ГАБТУ) МО РФ. Разработанные приемники поставляются в рад организаций, в т.ч. ФНПЦ НПО ГИПО (г. Казань), ОАО Красногорский завод (г. Москва), ГУП КБ Приборостроения (г. Тула), ЦНИИ МАШ (г. Королев), Новосибирский приборостроительный завод. Фотоприемники и фотоприемные устройства, созданные по результатам настоящей работы опробованы и приняты в состав военной техники, экспортируемой государством за рубеж (системы "Агава-2", "Ноктюрн", "Метис", "МетисМ", "Корнет-Э" и др.).

Публикации

Материалы диссертации отражены в 61 работе, включая публикации в журналах, авторские свидетельства, научно-технические отчеты и труды конференций. Издана монография по фотоприемникам на КРТ.

Личный вклад автора в диссертацию

Все определяющие научные результаты, выбор решения, выводы, рекомендации, ноу-хау, внедрение результатов в производство и организация выпуска фотоприемников нового класса на ГЭС КРТ, полученных МЛЭ, принадлежат соискателю.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, приложения, списка авторских публикаций и библиографии.

Общее количество страниц в работе - 243, она содержит 87 рисунков. Основная часть работы имеет 201 страницу, 79 рисунков и 13 таблиц. В Приложении (14 стр.) приведены характеристики серийно выпускаемых фотоприемников, параметры тепло-визионной аппаратуры с их использованием и акты внедрения. Авторские публикации насчитывают 61 работу (б стр.), библиография - 315 работ (21 стр.).

Краткое содержание диссертации

Первая глава содержит обзор литературы по приемникам на КРТ. В обзоре дан системный анализ работ, связанных с развитием фотоприемников. Рассмотрена история развития ИК фотоприемников изображения, аналогов человеческого зрения в ИК диапазоне 8-14 мкм - от эвапорографа до матричных фотоприемников. Просматривается тенденция развития фотоприемников из Cd<yHg0igTe от одноплощадочных к линейчатым, матричным и системам обработки информации.

Подвода итог краткому обзору приемников ИК излучения, необходимо прежде всего подчеркнуть, что тройное соединение CdHgTe является в настоящее время самым распространенным материалом ФЧЭ ИК приемников. Одноэлементные приемники из КРТ по быстродействию, чувствительности не имеют себе равных в спектральном диапазоне 3-20 мкм. Примесные фотоприемники (легированный Ge и Si) приближаются по чувствительности к ФП из КРТ, но требуют значительно большего охлаждения при работе в одном и том же спектральном диапазоне. В обзоре отмечено, что лучшие охлаждаемые смотрящие матрицы из КРТ имеют NETD 0,01 К [303], что превосходит чувствительность приемников любых других типов. Прогресс эпитаксиальных технологий ведет к дальнейшему улучшению параметров КРТ приемников ИК излучения и значительному их удешевлению.

Вторая глава посвящена тетероэпитаксиальным структурам на основе CdHgTe. Приводится анализ различных методов получения объемных монокристаллов ОМ и разных видов эпитахеий - жидкостной, газофазовой и молекулярно-лучевой (МЛЭ). Показаны преимущества МЛЭ КРТ и сформулированы требования к сложным ГЭС КРТ, разработанным в ходе совместной работа с ИФП СО РАН. В результате были разработаны сложные гетероструктуры большого диаметра (52 мм) с фоточувствительным слоем Cdo^Hgo.sTe на область спектра 8-14 мкм, обладающие высокими параметрами.

Метод молекулярно-лучевой эпитаксии наиболее перспективен, и в настоящее позволяет получать многослойные гетероструктуры приборного качества. Результаты

измерения параметров образцов ГЭС КРТ, изготовленных методом МЛЭ, дают основание считать, что эти образцы не имеют аналогов за рубежом, их параметры достаточны для разработки и изготовления из них экспериментальных и опытных образцов ФП. По всем электрофизическим характеристикам образцы ГЭС КРТ, получение МЛЭ не уступают образцам ОМ КРТ: я77= (2-6)" 10й см"3; р77 = (5-20)* 1015 см-3; т77п ~ (1-1,5)*10"6 с; ту7р « 20* 10"9 с; диаметры образцов - 52 мм и 76 мм; толщина рабочего слоя 5-7 мкм; подложка GaAs; отклонение состава Ах = ±0,005 молярных долей. Эти параметры были неоднократно подтверждены.

Подтверждена однородность, высокая тепловая прочность и стойкость к термоударам ГЭС КРТ, полученных МЛЭ.

В конце главы приводятся результаты химико-технологических исследований по выращиванию газотранспортным методом совершенного GaP и GaAs подложечного материала для эпитаксии CdHgTe. Дается термодинамический анализ системы Ga-PCb-РН3-Н2. Рассматривается кинетика газофазного синтеза и исследования глубоких примесей. Были получены совершенные монокристаллы с низким содержанием остаточных примесей, с управляемыми типом и концентрацией носителей и однородным распределением примеси.

Предложен способ синтеза особо чистых GaAs и GaP из газовой фазы в реакторах и тиглях с защитными слоями из нитрида бора и нитрида алюминия, позволяющий получать монокристаллы необходимого качества. Разработана модель роста кристаллов GaAs и GaP при их синтезе из газовой фазы за счет встраивания комплексов GamPn, состав и концентрация которых зависят от газовой фазы. Впервые определены предельные растворимости в GaP переходных металлов.

В третьей главе приводятся результаты работ по исследованию особенностей фоторезисторов на КРТ. Анагазируется связь обнаружительной способности и вольтовой чувствительности с параметрами материала фоторезистора. Проведены исследования и физико-технологические разработки методов получения фоторезисторов с высокой чувствительностью. Среди них: использование затирающих контактов для увеличения времени жизни; частичное затенение чувствительной площадки и понижение влияния пролета носителей; повышение квантовой эффективности напылением антиотража-ющих покрытий и устранение влияния границы фоточувствителыгого слоя путем пассивации поверхности.

Рис L Фоточувшвихельный зга^нг сэапирающими юганкшш Х-пзгшожшгашкшагораа^г-кнвкпшд^я^разра, 35- да^4- пдгша ФЧЭ, 6- фсю-чувсшшельный отй КРГ, 7-ipiKiv 8- кнюкг ФЧЭ, 9- 1ЦВЭДНИК Au, Ю- ащЕгн^ гросвеотдащзе парите^ И-шщсюакшый асйп+.

Особенностью конструкции рис. 1 является наличие в подконтактной области

фиксированного заряда п* (показана пунктиром на рис. 1), полученного путем создания дефектов в подконтактной зоне травлением ионами аргона Наличие электрического поля такого контакта затрудняет движение дырок к контактам и их рекомбинации на границе раздела металл-полупроводник. Величина этого поля

j^iL-I-A.

е Nd(x) dx

Область п-п аппроксимируется, как резкий р-п переход с постоянной концентрацией. Очевидно, что эффективность действия встроенного электрического поля пропорциональна величине поля, зависящего от п! п. Расчеты и эксперименты с блокирующими запирающими контактами показали, ■до при nl п и 16 достигается 4-5 кратное увеличение токовой чувствительности, что указывает на эффективность метода.

Достигнуто снижение скорости дрейфа носителей в электрическом поле смещения методом создания барьера п+ (запирающие контакты) путем обработки подконтакг-ных областей ионами аргона и увеличения, тем самым, эффективного времени жизни неравновесных носителей в фоторезисторе.

Получено уменьшение влияния "пролета" носителей путем частичного затенения фоточувствительной площадки и увеличения расстояния между контактами фоторезистора без увеличения фотоактивной зоны.

Удалось создать фоторезисторы из ОМ КРТ, имеющие параметры близкие к предельным (фоновое ограничение). В фоторезисторах, ограниченных фоном, изготовленных из высококачественных ОМ КРТ, при комнатных фонах (больших апертурах)

наблюдается при высоких смещениях насыщение вольтовой чувствительности и гене-рационно-рекомбинационных шумов. Такие фоторезисторы имеют большую однородность параметров.

Для увеличения вольтовой чувствительности путем снижения влияния "пролета" носителей в ряде случаев используется более сложная конструкция и технология изготовления ФЧЭ. В конструкции, представленной на рис. 2, "электрический" размер ФЧП (расстояние между контактами) Ь существенно больше, чем световой Ь.

XxX

\ УЛчХ A

/

Еис. 2. ФагочувсяншЕльный зггаенгсшличдагншнзнн^тэпэдгсй 1-гвшэжка кзгавгемаго faсчрв, 3-щвдзжка фзгстфвсгви1еа>нсго агемэад 4-клбй 5-фох>-

чувстЕИЕльный огй КРТ, 6-цяпсй, 7-грэвогочка An, 8-к<ишкаая дрожка ФЧП, Э-заща-се, гро-шггшшее гтарьпи^ 10-штсрга 1}

Улучшение обнаружительной способности имеет место когда гэфф растет быстрее увеличения расстояния между контактами

*эфф V

1-

1

созьф

где Lp - минимальная диффузионная длина, определяемая в KPT п типа дырками. Стабильность фоторезисторов из ОМ КРТ при длительном хранении (8-11 лет) обеспечивается:

- использованием монокристаллов КРГ, легированных индием;

- применением, в качестве стабилизирующего защитного покрытия, собственного анодного окисла;

- применением защитных и просветляющих покрытий фоточувствительного эле-

Четвертая глава посвящена технологии формирования многоэлсментных фоторезисторов на гетероэпитаксиапьных слоях GaAs - CdZnTe - CdxHgi.xTe (х=0,8->0,2) -Cdo^Hgo.sTe - CdxHgi-;,Te (x=0,2-»0,4). Теоретически изучен фоторезистивный эффект в сложных гетероструктурах, в которых чувствительный слой Cdo^Hgo.sTe помещен между двумя варизонными слоями.

Преимущества использования гетероструктур КРТ с варизонными слоями состоят:

- в возможности увеличения вольтовой чувствительности в 2-3 раза за счет уменьшения толщины рабочего слоя КРТ постоянного состава до 4-5 мкм, и соответствующего увеличения темнового сопротивления Rt. ;

- в увеличении напряжения смещения до насыщения вольтовой чувствительности без риска теплового пробоя, так как отсутствие клеевой прослойки и высокая теплопроводность подложки GaAs улучшают теплоотвод;

- снижении поверхностной рекомбинации за счет встроенного электрического поля варизонного слоя

E=l/e*(dEv/dX),

препятствующего диффузии неравновесных носителей к поверхности ФЧЭ.

Значение градиента варизонного слоя определяется из соотношения скорости диффузии носителей к поверхности фоторезистора и скорости дрейфа носителей в электрическом поле смещения

Уднф « Уд?

Vfiuoi-Df/ei; Van<p2~Dp/e2.

Здесь Dp - коэффициент диффузии дырок в варизонных нижнем и верхнем слоях, в], 62 ~ толщины варизонных слоев соответственно.

_ fjP dEy

гдр---—

е ах

Из первых трех формул следует

_ . ¡I? dEy Dp/ei«——-е dx

dEy/dX » Dp e/eptp.

При Dp=2 см2 /с; в~2 * Ю^см; рР=400 см21 В* с и eD = //,> *кТ = 32,5 мэВ/см, dEy/edX»l5В/см, что легко достижимо в варизониых слоях. Следствием этого является практически полная реализация времени жизни неравновесных носителей в объеме полупроводников:

- наличие варизонного слоя соответствующего градиента состава в фоторезисторе исключает шунтирование рабочей области поверхностными слоями и устраняет вклад поверхностной рекомбинации в шумы вида 1/f,

- варизонные слои фоторезистора приводят к расширению спектральной области фотоответа и увеличению интегральной чувствительности фоторезистора.

Показано, что специально разработанные варизонные гетероэпитаксиальные структуры КРТ, полученные МЛЭ, позволили создать на их основе многоэлементные фоторезисторы и получить предельные ограниченные фоном параметры.

Теоретически исследованы спектральные характеристики фоторезистора из ГЭС КРТ с варизонными слоями в диффузионном приближении и определены условия расширения спектральной области фотоответа и увеличения интегральной чувствительности фоторезистора за счет варизонных слоев.

Разработана технология и изготовлены линейчатые и билинейчатые фоторези-сторные ФЧЭ на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ с различной топологией фотоприемных элементов и размерностью 16x2,32x2, 48x2 и 128x1 в конструктиве серийно выпускаемых ГУЛ "Альфа" фотоприемников и фотоприемных устройств "Невесомость-модуль", "Арча-О", "Струна" и др.

Испытания, проведенные в соответствии с методикой, принятой для серийных ф'отоприемников, показали полное соответствие параметрам, достигаемым на лучших фотоприемниках на объемном моиокристаллическом КРТ. Испытания фотоприемного устройства "Арча-О" с фотоприемной линейкой на основе слоев ГЭС КРТ МЛЭ в составе макетного образца тепловизионного ночного визир-прицела серийного назначения показали полное соответствие техническим требованиям на данное изделие.

Использование гетероструктур, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией КРТ на подложках из GaAs, является основой для дальнейших практических разработок производства линейчатых, многолинейчатых фоторезисторов и фотодиодов для инфракрасных окон прозрачности атмосферы 3-5 и 8-14 мкм.

В конце главы даны результаты го фоторезисторам на жидкофазовых эпитакси-альных слоях и показаны ограничения применения в фоторезисторах слоев, полученных методом ЖФЭ.

Пятая глава завершает физико-технологические разработки ФЧЭ. В ней приведены результаты по созданию фотодиодных матриц на основе МЛЭ гетероэшпакси-альных структур. Обращено внимание на проблемы реализации преимуществ матричных приемников изображения. Рассмотрены принципы построения фотодиодного матричного фоточувствительиого элемента, вопросы однородности, преимущества фотодиодов и связь обнаружительной способности фотодиода с параметрами материала. Обосновывается технологический выбор материала для изготовления фотодиодной матрицы в ряду: объемные монокристаллы КРТ, тонкие монокристаллические жидко-фазные эпитаксиальные слои и гетероэпитаксиалыше слои, полученные МЛЭ.

Разработана технология и создана технологическая линия для изготовления фотодиодных матриц (128x128) на основе гетероэпитаксиальных МЛЭ слоев.

Показано, что фотодиодные матрицы имеют характеристики, близкие к предельным, и превосходят зарубежный аналог фирмы "Маркони", т.к. максимум спектральной характеристики смещен вправо, что особенно важно для повышения интегральной обнаружительной способности для тепловидения.

На рис. 3 схематически показана конструкция матричного ФЧЭ на базе ГЭС КРТ, полученной методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Рис. 3. Кжзсрдадащцзганзго ФЧЭ да Саза ГЭС КРТ, пжучэнней ьегсдол миЕкух?£Н>-лу1шй э питают. Щ-тадхнпитковльная адяам^ фаговда1№ 0-ивдевье мшрхгап&ии, 4-р££мниевая пэдлэжка СБИС ^фотыипшшэр}, (Э-разсвд (Q-ксншкгы мдаяиплекЕр^ (7)-иззуче-низ.

Наилучшими фотодетекторами для матричных фотоприемников в диапазоне длин волн 8-12 мкм по совокупности параметров являются фотодиоды из КРТ, включаемые в ячейки, обладающие способностью интегрировать фототок в интервале вре-

мени между опросами. Способность накопления приводит к чрезвычайно высокой вольт ваттной чувствительности в пределах относительно простой ячейки, достигающей 108-109 В/Вт при времени накопления 0,1-0,2 мс. Чем больше время накопления (для тепловизионного стандарта оно равно 40 мс), тем лучше основные характеристики МФП такие, как пороговая чувствительность, NETD. Высокая чувствительность на уровне ячейки позволяет использовать для считывания сигналов детектирования простые схемы мультиплексирования с относительно высоким уровнем шума, выполняемые по стандартной КМОП или ПЗС технологиям.

Для обработки сигналов от фотодиодной матрицы разработан охлаждаемый мультиплексор (сверхбольшая многофункциональная интегральная схема). Рассматривается ФПУ с матрицей 128x128, предусматривающей предварительное усиление сигнала от фоточувствительных площадок, накопление, считывание с произвольной адресацией, вычитание фона и оцифровывание.

В матричных фотоприемных устройствах па КРТ хорошие результаты дает гибридная сборка-стыковка фоточувствительной матрицы фотодиодов с ячейками СБИС (мультиплексором) с помощью индиевых микростолбиков.

Принципиальная функциональная схема СБИС, отвечающая этим требованиям представлена на рис. 4. Схема состоит из следующих частей:

• Демультиплексор цифровой, переключающий по сигналу AD канал цифрового параллельного порта на счетчике регистр X или У (DM 1:2-512.32)

• Счетчики-регистры X и У с последовательным счетом по входам СХ, ЕХ и СУ2, ЕУ и С с параллельной нагрузкой 9-ти и 5-ти разрядного кода по сигналу L (СТХ-32, СТУ-512)

• Логическая схема последовательного соединения счетчиков X и У по сигналу ЕХ

• Дешифраторы X и У ( DC-32, DC-512)

• Матрица фоточувствительных ячеек (PDCM) 512x32

• Регистр ячеек сопряжения (RCPP)

• Мультиплексор аналоговый (М8:1)

• Усилитель выходной с двойной корректированной выборкой (А)

• Датчики температуры диодные (TS1 uTS2)

Схема формирует контрольные сигналы:

ВОИТ - сигнал частоты следования элементов изображения

PQY - сигнал строчной частоты

PQX - сигнал кадровой частоты

OUTA - выходной сигнал

OUTP - промежуточный выходной сигнал

OS1, OS2, OS3, OS4 выводы регулировки коэффициента усиления (К = 8, 16,32, 64) замыканием с OUT А

RBS - вывод регулировки тока потребления усилителя и полосы пропускаемых частот подключением шунтирующего резистора.

Важная и быстро развивающаяся область ФПУ, связанная с передачей и обработкой информации, кратко рассмотрена в шестой главе. Прежде всего акцентируется внимание на особенностях фоторезисторов из КРТ - проблемы извлечения малого сигнала из низкоомного источника и создания малошумящего предусилителя. Рассматриваются вопросы, связанные с появлением приборных шумов и помех, устранение их экранированием электромагнитного поля, помех, вызываемых вибрациями приемника и' предусилителя, нестабильностей источника питшшя. Рассмотрены особенности охлаждения фотоприемника и влиянием дроссельных и газовых мшфокриогенных машин на шумы.

При обработке информации от низкоомных площадок ФЧЭ фоторезистора на КРТ необходим подбор матошумящих транзисторов с минимальной рассеиваемой мощностью.

Низкий уровень шума предусилителя ~ (1-2)*10'9 В/Гц1/2 делает его чувствительным к внешним помехам. Снижение влияния внешних помех, а также помех по цепям питания, достигается использованием операционных усилителей и тщательным экранированием входных цепей.

Снижение вклада в шумы фоторезистора низкочастотных пульсаций температуры от электромагнитных полей и микрокриогенных машин, а также снижение влияния вибраций, создаваемых ГКМ, достигается применением специального демпфера.

Седьмая глава содержит конструкционные и теплофизические разработки охлаждаемых вакуумных модулей фотоприемников. Одно из главных качеств разработанных и выпускаемых приборов - их высокая защищенность от механических перегрузок и вибраций, а также от воздействия климатических факторов: повышенной и пониженной температуры, термоциклов нагревания и охлаждения, высокой влажности и т.д., что обеспечено только путем создания базовой конструкции высокой надежности и глубокого интегрирования вакуумной конструкции и системы охлаждения.

В фотоприемниках, работающих короткое время (от 1 мип до 8 ч), использована разомкнутая дроссельная система, где газ из миниатюрного газового баллона с давлением ~ 400 атм. дросселируется через дюзу (отверстие) и охлаждается вследствие эффекта Джоуля-Томсона. Через несколько десятков секунд температура в районе дюзы достигает 77 К; фотоприемник выходит на температурный режим через несколько секунд.

В тепловизионных приемниках, работающих длительное время, применена микрокриогенная газовая машина (ГКМ) - либо замкнутые дроссельные микрокриогенные системы. ГКМ, работающая по обратному термодинамическому циклу Стерлинга.

Разработаны принципы создания базовых конструкций глубокоохлаждаемых вакуумных модулей для тепловизионных ФП на КРТ, обеспечивающих серийный выпуск.

Обеспечено глубокое интегрирование фотоприемного модуля с микрокриогенными газовыми машинами и дроссельными системами охлаждения разомкнутого и замкнутого типа.

Достигнуто существенное снижение теплопритоков за счет применения многослойной керамики, получаемой методом пленочной технологии.

Достигнута высокая надежность всех элементов вакуумной охлаждаемой конструкции модуля.

Заключение.

1. Анализ развития пороговых фотоприемников на КРТ диапазона 8-14 мкм для тепловидения показывает несколько основных тенденций. Главная тенденция заключается в формировании ряда унифицированных модулей фотоприемников для различных тепловизионных и инфракрасных систем преимущественно военного назначения.

Другой не менее важной тенденцией, является переход к ФЧЭ в виде многорядных линеек и матриц с повышением удельного веса системы обработки сигналов изображения непосредственно в холодной зоне фоточувствительного элемента с помощью многофункциональных СБИС-мультиплексоров. Решающее значение в создании подобных фотоприемников из КРТ приобретает технология получения гетероэпитакси-альных структур КРТ на инородных подложках методом молекулярно-лучевой эпитак-сии.

Третья тенденция вызвана стремлением к снижению габаритов и веса фотоприемных устройств и обеспечению автономности работы тепловизионной аппаратуры пу-

тем гибридизации фотоприемника с наиболее экономичной микрокриогенной системой типа "Сплит-Стирлинг".

2. В диссертации исследованы и разработаны физико-технологические основы высоконадежных пороговых фотоприемников диапазона 8-14 мкм нового поколения па базе гетероэпитаксиальных структур КРТ, полученных методом МЛЭ. Исследованы и разработаны методы получения предельных значений обнаружительной способности (ограничение фоном), высокой, на порядок больше обычных значений, вольтовой чувствительности, широкой спектральной характеристики за счет применения сложных варизонных структур КРТ вида: GaAs - CdZnTe - CdxHgi-xTe (х=0,8-0,2) - Cdo^Hgo.gTe -CdxHgi-xTe (x=0,2-0,4).

3. Впервые в нашей стране разработан и создан ряд унифицированных модулей фотоприемников на основе ГЭС КРТ, полученных методом МЛЭ, для различных теп-ловизионных систем.

4. Исследованы процессы синтеза из газовой фазы монокристаллов GaP и GaAs высокой чистоты и структурного совершенства для подложки. Изучена кинетика процесса газофазового синтеза, предложен механизм роста кристалла при синтезе из газовой фазы за счет бездиффузного встраивания в растущий кристалл комплексов вида GamP„.

5. Разаработаны унифицированные серийно пригодные конструкции модулей фотоприемников высокой надежности для различных видов тепловизионной военной техники, в том числе гибридизированные с различными микрокриогенными системами. В целом диссертация является итогом многолетних исследований, разработок и освоения в серийном производстве нового класса пороговых охлаждаемых фотоприемников и фотоприемных устройств диапазона спектра 8-14 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксни, нашедших применение в различных тепловизионных системах военной техники и народного хозяйства.

В приложении содержится информация о серийно выпускаемых пороговых ФПУ на КРТ. Приводятся параметры ФПУ: линейчатых - 10x1, 16x2, 32x1, 64x1, 128x1; матричных - 32x32,48x48,128x128. Приводится также краткое описание тепловизионных приборов, в которых разработанные ФПУ нашли свое применение: везир-прицелы, тепловизоры, тепловизионная аппаратура для космической разведки и т.д. В конце приложения приведены акты внедрения и использования.

ФПУ "О" (Арча) (рис. 5)

Рис. 5. ФПУ "СГ.

Состав

• Фотоприемник на основе КРТ (рис. 6)

• Предусилители

• Блоки питания

• Система охлаждения

Область применения

Фотоприемное устройство предназначено для использования в системе управления, в т.ч. в ночное время, огнем для высокоэффективного наведения на цель и может быть установлено как на транспортном средстве, так и стационарно. Устройство можно эффективно использовать для формирования ИК изображения, проведения экологического контроля, температурного контроля на производстве и в медицинской диагностике.

Рис. 6. ФП "О".

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

| Фотоприемник

¡Количество элементов 128 (линейка)

Размер элемента, мкм 50x50

Вазор между элементами, мкм 50

Максимум спектральной чувствительности, мкм 12-5-13

Поле зрения, ° минимум 45

Минимальная обнаружительная способность 4x1010

Ь* (500К, 1200Гц, 1), см-Гц1/2-Вт'!

[Гемновое сопротивление, Ом 20-ь 100

Средний ток смещения, мА 3

Входное окно германий

Корпус газонаполненный трехстенный блок с

криогенным стеклянным сосудом

Цьюара в защитном металлическом

кожухе

Устройство охлаждения

Тип Сплит-Стирлинг

Рабочая температура ФЧЭ, К 77

Мощность охлаждающего устройства, Вт 2,0

Время, необходимое для охлаждения при тем-

пературе 25°С, мин 5

Потребляемая мощность, Вт 35 (стационарный режим),

100 (при выходе на режим)

Напряжение питания, В 27

Дозаправка МКС не чаще 1 раза в год

Предусшштель

Минимальная вольтовая чувствительность

(500К, 1200Гц, 1), В/Вт 1,5-Ю7

Диапазон рабочих частот, Гц 4 -г 20000

Напряжение питания, В -15,+15

Диапазон рабочих температур, °С -50 + +50

Типы выпускаемых пороговых фотоприемников на ГЭС КРТ диапазона -14 мкм

Наименование

1. ФПУ "О" (Арча)

2. Фонетика-96

3. "Струна"

4. "Импульс" (ФПУ)

5. ФР-204М

6. АПРЛ-204

7. Невесомость ЮМ

8. Даль ИК-Э (МФПУ)

9. "Омега"

Количество элементов 128 96(48x2) 64(32x2) 32 (16x2) 32(16x2) 20(10x2) 10 512x32 32(16x2)

Публикации

1. Братин Н.В., Северцев В.Н., Фурманов Г.П. Оптоэлектронные приборы. - М., изд. МиСиС, 2000 г., 600 с.

2.Северцев В.Н. Фогоприемники и фотоприемные устройства диапазона 8-14 мкм на материале кадмий-ртуть-теллур. - М., МЭИ, 1999г., 96 е., тираж 900 экз.

3. Северцев В.Н., Сусав Е.В. Сверхчувствительный сенсор на гетероэпитакси-альных варизонных слоях CdHgTe. - "Письма ЖЭТФ", 2000 г.

4. Северцев В.Н., Сусов Е.В., Варавин B.C., Дворецкий С.А., Михайлов H.H., Чеканова Г.В. 128-элементный охлаждаемый фотоприемник на основе гетероэпитакси-альных структур CdHgTe. - Автометрия, 1998 г., №4, с. 21-26.

5. Сусов Е.В., Сидоров Ю.Г., Северцев В.Н., Комов A.A., Чеканова Г.В. и др. Многоэлементный охлаждаемый фоторезистор на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe. - Новосибирск, изд. СО РАН, 1996 г., №4, с. 40-44.

6. Северцев В.Н. и др. Устройство для удаления ионов загрязнения с поверхности полупроводниковых структур. - Авт. свид. №1623498, опубл. 22.09.1990 г.

7. Дементьев Ю.С., Северцев В.Н. и др. Способ выделения однородных по составу частей в полупроводниковых кристаллах. - Авт. свид. №1641039, опубл. 08.12.1990 г.

8. Журавлев Б.Б., Северцев В.Н., Салдадзе Г.К. Электродиализатор. - Авт. свид. №1436309, опубл. 08.07.1988 г.

9. Корольков В.П., Северцев В.Н., Антипов A.B. Тезисы доклада на специальную тему на XII отраслевом научно-техническом совещании 13-15 мая 1987 г.

10. Корольков В.П., Северцев В.Н., Хоббихожин Ш.А. Способ изготовления изолирующей структуры. - Авт. свид. №1353181, опубл. 15.07.1987 г.

11. Журавлев Б.Б., Северцев В.Н., Салдадзе Г.К. Электродиализатор фильтр-прессного типа. - Авт. свид. №1378890, опубл. 08.11.1987 г.

12. Титов В.К., Беликов В.Н., Возьмилов П.Н., Северцев В.Н. Способ изготовления вакуумплотного электрического ввода. - Авт. свид. №1422888, опубл. 08.05.1988 г.

13. Хряпов В.Т., Кульчицкий H.A., Изергин A.A., Северцев В.Н. Авт. свид. №243618, опубл. 01.10.1986 г.

14. Корольков В.П., Северцев В.Н. - Журнал отрасли, 1985г., сер. 8, выл. 1

15. Лобанов A.A., Северцев В.Н., Шумилин В.П., Червяков А.И. Отчет инв. №4232, М„ МИЭТ, 1983 г., 25 с.

16. Лобанов A.A., Северцев В.Н., Шумилин В.П., Червяков А.И. Специальная тема. - Отчет инв. N»4110, М., МИЭТ, 1983 г., 32 с. (Рукопись).

17. Барышев A.B., Иванов В.И., Казуров Б.И., Лукичев A.B., Северцев В.Н. Авт. свид. Xsl94776, опубл. 02.11.1983 г.

18. Дементьев Ю.С., Северцев В.Н. и др. Устройство для жидкофазпой эпитак-сяи полупроводниковых структур. - Авт. свид. №1637383, опубл. 22.11.1990 г.

19. Акчурин Р.Х., Северцев В.Н., Уфимцев В.Б., Федоренко В.Н. Устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур. - Авт. свид. №822588, опубл. 11.09.1980 г.

20. Королева Г.Н., Хохлов А.И., Северцев В.Н., Маркин К.Г., Перевитина Л.В., Федоренко В.Н. - Авт. свид. №160587 опубл. 08.06.1981 г.

21. Барил М.А., Барышев A.B., Егорова М.Ф., Северцев В.Н., Иванов В.И. Устройство для осаждения слоев из газовой фазы. - Авт. свид. №940347, опубл. 23.02.1982г.

22. Вигдорович В.Н., Северцев В.Н., Селип A.A., Фурманов Г.П., Чирков O.E., Шутов С.Г. Устройство для определения коэффициентов взаимной диффузии компонентов в расплавах. - Авт. свид. №957065, опубл. 07.05.1982 г.

23. Соколов A.M., Дементьев Ю.С., Северцев В.Н., Марков В.Г., Коровин Н.С., Вельский A.A. Устройство для очистки и выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений. - Авт. свид. №1385653, опубл. 01.12.1987 г.

24. Хряпов В.Т., Невский О.Б., Попов С.А., Костромин A.A., Трошкин Ю.С., Северцев В.Н.,КиселеваЛ.В. Авт. свид.№285173,опубл. 01.12.1988г.

25. Балашов В.Н., Васичев Б.Н., Дементьев Ю.С., Плясунов В.А., Северцев В.Н., Хряпов В.Т. Способ легирования полупроводниковых материалов. - Авт. свид. №1498303, опубл. 01.04.1989 г.

26. Демченко П.В., Окороков В.В., Швець С.А., Сазонов Ю.П., Северцев В.Н. Способ контроля толщины материала. - Авт. свид. №1619015, опубл. 08.09.1990 г.

27. Блецкан Н.И., Северцев В.Н. и др. Разработка монокристаллов фосфида галлия диаметром до 65 мм с разбросом по диаметру ± 2 мм. - Отчет № Ф 03486, М., НИ-ИМВ, 1976г., 151 с.

28. Дементьев Ю.С., Северцев В.Н. и др. Разработка поликристаллического фосфида галлия с пониженным содержанием кислорода, углерода, кремния. - Отчет № Ф 05224, М., НИИМВ, 1977г., 101 с.

29. Амосов В.И., Северцев В.Н. и др. Разработка высокоомных монокристаллов фосфида галлия с удельным сопротивлением 10"+1014 Ом см. - Отчет № Ф 03764, М., НИИМВ, 1977г., 116 с.

30. Дементьев Ю.С., Окунсв Ю.А., Северцев В.Н. - Отчет НИИМВ №3337, 1977г., 108 с.

31. Дементьев Ю.С., Северцев В.Н. и др. Разработка высокоомных монокристаллов фосфида галлия с повышенной однородностью для ИК оптоэлектронных приборов и мишеней видиконов. - Отчет № Ф 0189, М., НИИМВ, 1978 г., 102 с.

32. Дементьев Ю.С., Окунев Ю.А., Северцев В.Н. Растворимость и коэффициенты распределения переходных металлов в фосфиде галлия. - Известия АН СССР, серия "Неорганические материалы", 1979г., т.15,№1, с. 168-172.

33. Уфимцев В.Б., Шумилин В.Б., Червяков А.И., Северцев В.Н. Термодинамический анализ фазовых равновесий в системе Ga-P-Zn-Se. - Тезисы докладов конференции "Термодинамика и п/п материаловедение", М., МИЭТ, 1979 г.

34. Дементьев Ю.С., Федоров В.А., Окунев Ю.А., Котова Ю.А., Северцев В.Н. Анализ распределения температуры в монокристаллах фосфида галлия, выращенных из расплава. - "Электронная техника", сер. 6, "Материалы", 1979 г., вып. 6, с. 64-67.

35. Блецкан Н.И., Степченков В.Н., Дементьев Ю.С., Астафурова Н.И., Федо-ренко В.Н., Северцев В.Н., Невский А.Б., Яковлев А.Т., Шаталин С.М. Способ получения монокристаллов кремния. - Авт. свид. №738230, опубл. 07.02.1980 г.

36. Окунев Ю.А., Дементьев Ю.С., Блецкан Н.И., Северцев В.Н., Паршупш Д.А. Устройство для выращивания кристаллов по методу Чохральского. - Авт. свид. №768051, опубл. 06.06.1980 г.

37. Иванов Г.А., Северцев В.Н. Электрические свойства GaP:Mn. - "Электронная техника", сер. 6, "Материалы", 1982 г., вып. 3, с. 36-37.

38. Косушкин В.Г., Северцев В.Н., Потепалов В.П., Лебедев В.В. Определение скорости роста кристаллов фосфида галлия в условиях метода "синтез-растворение-диффузия". - "Электронная техника", сер. 6, "Материалы", 1982 г., вып. 4, с. 33-34.

39. Блецкан Н.И., Дьяков Ю.Н., Иванов И.А., Ильин В.Ю., Папков B.C., При-липко В.И., Северцев В.Н. Способ выращивания монокристаллов гадолиний галлиевого граната. - Авт. свид. №970901, опубл. 01.07.1982 г.

40. Березин Ю.М., Горюнов E.H., Заборня A.B., Иванов В.И., Коробов И.В., Морозов А.Е., Мухин Б.С., Северцев В.Н. Цифровой измеритель температуры. - Авт. свид. №1044146, опубл. 23.05.1983 г.

41. Лобанов A.A., Северцсв В.Н. Газофазный синтез фосфида галлия. - Известия ВУЗов сер. "Химия и химическая технология", 1983 г., т. 26, вып. 8, с. 899-902.

42. Лобанов A.A., Северцев B.II. Программирование условий роста монокристаллов фосфида галлия, легированных. - "Электронная техника", сер. 6, "Материалы", 1983 г., вып. 5, с. 65-66.

43. Воробьев В.Л., Макаров В.В., Невский О.Б., Северцев В.Н. Способ получения эпитаксиальных структур на основе фосфида галлия. - Авт. свид. №1075763, опубл. 22.10.1983 г.

44. Каминский В.В., Дементьев Ю.С., Северцев В.Н., Томсон A.C. и др. Разработка и исследование методов синтеза арсенида и фосфида галлия из газовой фазы. -Отчет инв. №982/сп., НПО "Орион", 1984 г., 174 с.

45. Ровенский Л.З., Рогачев Б.В., Ермашов С.К., Дмитриев Е.В., Северцев В.Н. Тепловой расходомер. - Авт. свид. №1108331, опубл. 15.04.1984 г.

46. Блецкан Н.И., Бузынин А.Н., Дементьев Ю.С., Степченков В.Н., Северцев В.Н., Широков Ю.В. Способ получения монокристаллов кремния ориентации (Ш). -Авт. свид. Xsl 125999, опубл. 23.07.1984 г.

47. Акчурин Р.Х., Зиновьев В.Г., Уфимцев В.Б., Северцев В.Н., Широков Ю.В. Устройство для жидкостной эпитаксии. - Авт. свид. Xsl 165097, опубл. 01.03.1985 г.

48. Лобанов A.A., Северцев В.Н., Шумилов В.П. Термодинамический анализ системы Са-РСЬ-РН3-Н2. - "Электронная техника", сер. 6, "Материалы", 1987 г., вып. 2, с, 74-76.

49. Соколов A.M., Дементьев Ю.С., Северцев В.Н., Коровин Н.С., Марков В.Г. Тигель для вытягивания кристаллов антимонида индия. - Авт. свид. Xsl407120, опубликовано 01.03.1988 г.

50. Соколов A.M., Дементьев Ю.С., Северцев В.Н., Коровин Н.С., Марков В.Г., Ежов В.П. Способ получения кристаллов антимонида индия. - Авт. свид. №1412380, опубл. 22.03.1988 г.

51. Дементьев Ю.С., Северцев В.Н. и др. Способ получения монокристаллов антимонида индия п-типа проводимости. - Авт. свид. №1587960, опубл. 22.04.1989 г.

52. Северцев В.Н., Марченков C.B., Соколов A.M., Стабин И.П., Хайрулин Р.З., Демидов Ю.М. Пассивация поверхности полупроводниковых приборов на основе AlI!Bv (на примере антимонида индия) и возможные математические методы анализа параметров. - НТЦ "Информтехника", обзор № 5206,1991 г.,76 с.

53. Холодное В.А., Северцев В.Н., Другова A.A. Аномально высокая собственная фотопроводимость полупроводников при примесной и межзонной рекомбинации неравновесных носителей в условиях слабого оптического излучения. - 3-я Всерос. конф. "Полупроводники-97", Москва, 1997 г., сборник тезисов, с. 224.

54. Северцев В.Н., Сусов Е.В., Северцев A.B., Володин Е.Б. Исследования и разработка экспериментального образца матричного фотоприемного устройства для электронно-оптической системы дистанционного зондирования Земли в диапазоне спектра 8-14 мкм. - ГУЛ "Альфа", научно-тех. отчет №1-ОКБ-98,1998 г., 37 с.

55. Северцев В.Н., Сусов Е.В., Долганин Ю.Н., Володин Е.Б. Отработка принципов создания экспериментального образца фоточувствительного элемента и сверхбольшой интегральной схемы матричного ФПУ. - ГУЛ "Альфа", научно-тех. отчет №1-ОКБ-99, 1999 г., 105 с.

56. Северцев В.Н., Сусов Е.В., Чеканова Г.В., Комов A.A., Дьяконов Л.И., Северцев A.B. Разработка базовой технологии изготовления линейчатых и квазиматричных фоточувствительных элементов на базе монокристаллов и эпитаксиальных слоев КРТ, полученных методами жидкофазовой эпитаксии и молекулярно-лучевой эпитак-сии для тепловизионных систем. - ГУП "Альфа", научно-тех. отчет №3-ОКБ-99, 1999 г., 91с.

57. Северцев В.Н., Сусов Е.В., Белозеров АФ., Филиппов В.Л. Аппаратура теп-ловизионного контроля, в том числе с самолета, газо- и нефтепроводов и состояния экосистем в зоне разработки месторождений. - 4-ый Международный семинар "Российские технологии для индустрии" "Физические, Химические и Биологические сенсоры", сборник тезисов, 2000 г.

58. Северцев В.Н., Сусов Е.В., Афанасов Ю.А., Пронин Ю.С. Исследование природных ресурсов с помощью самолетной оптико-электронной аппаратуры диапазона 814 мкм. - 4-ый Международный семинар "Российские технологии для индустрии" "Физические, Химические и Биологические сенсоры", сборник тезисов, 2000 г.

59. Северцев В.Н., Сусов Е.В. Фотоприемник спектрального диапазона 8-14 мкм для аэрогеологической разведки. - 4-ый Международный семинар "Российские технологии для индустрии" "Физические, Химические и Биологические сенсоры", сборник тезисов, 2000 г.

60. Северцев В.Н., Сусов Е.В., Афанасов Ю.А., Пронин Ю.С. Использование сенсоров для азроюсмических съемок в ИК диапазоне 3-14 мкм и решения задач в области геологии и экологии. - 4-ый Международный семинар "Российские технологии

А

для индустрии" "Физические, Химические и Биологические сенсоры", сборник тезисов, 2000 г.

61. Артамонов В.В., Северцев В.Н., Сусов Е.В, Чеканова Г.В. Фотоприемное устройство из материала кадмий-ртугь-теллур с газовой криогенной машиной для медицинских тепловизоров диапазона 8-14 мкм. - 4-ый Международный семинар "Российские технологии для индустрии" "Физические, Химические и Биологические сенсоры", сборник тезисов, 2000 г.

Наиболее распространенные аббревиатуры----------------------------------------------4

Введение-----------------------------------------------------------------------------------—.- -5

Глава I. Тепловизионные приемники изображения в дальней

ИК области 8-14 мкм (аналитический обзор)-------------------------------------------

Выводы.

Глава II. Гетероэпитаксиальные структуры CdxHgi.xTe-----------.

2.1. Эпитаксиальные методы, преимущества молекулярно-лучевой эпитаксии.

2.2. Требования к фотоэлектронным гетероэпитаксиальным слоям КРТ на область спектра 3-5 и 8-12 мкм.

2.3. Строение многослойных гетероструктур КРТ, их основные параметры-.

2.3.1. Электрофизические параметры гетероэпитаксиальных структур КРТ.

2.3.2. Однородность и структурное совершенство ГЭС КРТ-.—.

2.3.3. Тепловая прочность и стойкость ГЭС КРТ (термоудар и длительное тепловое воздействие).-.—. -.

2.4. Химико-технологические исследования получения подложечного материала из AnIBv

2.4.1. Термодинамический анализ системы Ga - PCI3 - РН3 - Н2

2.4.2. Кинетика процесса газофазного синтеза фосфида галлия.—.

2.4.3. Глубокие примеси в фосфиде галлия

Выводы.-.-. —.-.

Глава III. Особенности фоточувствительного элемента из

CdxHgi.xTe на область спектра 8-14 мкм.

3.1. Структура линейчатого фоторезистора.

3.2. Особенности фоторезисторов на КРТ.

3.2.1. Низкоомное сопротивление фоторезистора.

3.2.2. Малые шумы фоторезистора

3.2.3. Вольтовая чувствительность.—.—.

3.2.4. Обнаружительная способность.-.-.

3.2.5 Стабильность параметров фоторезистора.—.

3.3. Увеличение вольтовой чувствительности путем использования запирающих контактов.-.

3.4. Снижение влияния пролета носителей в ФЧЭ с частично затененной площадкой------—.-.-.-.

3.5. Повышение внешней квантовой эффективности путем нанесения антиотражающих покрытий и пассивация поверхности-.

Выводы

Глава IV. Физико-технологические основы многоэлементных приемников на гетероэпитаксиальных слоях КРТ.

4.1. Фоторезистивный эффект в ГЭС КРТ с варизонными слоями- -.

4.1.1. Влияние состава варизонного слоя и электрофизических параметров варизонного и рабочего слоев на фотопроводимость

4.1.2. Спектральные характеристики фоторезистивного ГЭС КРТ в диффузионном приближении.

4.1.3. Оптимизация требований к варизонному слою.

4.2. Технология линейчатых фоторезисторов на основе ГЭС КРТ, полученных методом МЛЭ.—.— ■

4.2.1. Маршруты технологического процесса изготовления фоторезисторов

4.2.2. Исследование влияния ионного травления ГЭС КРТ на свойства и параметры ФЧЭ.- ■

4.2.3. Исследование электрически активных дефектов в ФЧЭ методом наведенных токов

4.3. Линейчатые ФЧЭ на гетероэпитаксиальных слоях—.—

4.3.1. Конструкция фоточувствительной площадки и элемента

4.3.2. Контактная система и шумы фоторезистора

4.3.3. Вольтовая чувствительность-------------------------------------— ■

4.3.4. Обнаружительная способность.— ■

4.3.5. Исследование стабильности параметров ФЧЭ при длительном воздействии повышенной температуры.—.—

4.4. Фоторезисторы на основе эпитаксиальных слоев, полученных методом жидкофазовой эпитаксии—.

Выводы.

Глава V. Многоэлементные фотодиодные субматричные и матричные фотоприемники из МЛЭ КРТ

5.1. Выбор полупроводникового материала для матричного фоточувствительного элемента.

5.2. Анализ свойств фоторезисторов и фотодиодов при построении матричного фоточувствительного элемента (МФЧЭ).

5.3. Матричный фоточувствительный элемент.

5.4. Многофункциональная сверхбольшая интегральная схема

СБИС) - мультиплексор матричного ФЧЭ

Выводы—.-.-.

Глава VI. Обработка сигнала в многоэлементных ФПУ—.

6.1. Проблемы реализации высокой обнаружительной способности малошумящих фотоприемников из КРТ.-.—

6.2. Полная блок-схема ФПУ

Выводы.

Глава VII. Теплофизические и конструкторские особенности вакуумных охлаждаемых модулей ФП

7.1. Типовая конструкция охлаждаемого модуля фотоприемника—

7.2. Вакуумная конструкция фотоприемника.

7.3. Конструкция фотоприемника, интегрированного с системой охлаждения, работающей по обратному тепловому циклу Стерлинга.-.

7.4. Теплофизические характеристики фотоприемника.

7.5. Тепловая изоляция фотоприемника.

7.6. Элементы конструкции фотоприемников-.

7.7. Микрокриогенные дроссельные системы охлаждения для ФПУ

7.8. Стыковка газовой криогенной машины с ФПУ

Выводы

Проблемы тепловидения привлекают все возрастающее внимание, разрабатываются и применяются различные оптико-электронные системы. Важнейшим элементом в этом быстроразвивающемся направлении ИК техники являются многоэлементные ИК приемники излучения из Cdo^Hgo.sTe (KPT).

Диссертация посвящена физико-технологическим исследованиям и разработкам пороговых линейчатых и матричных фотоприемников (фоторезисторов и фотодиодов) из гетероэпитаксиальных структур КРТ и фотоприемных устройств на их основе диапазона 8-14 мкм. Все разработки высокотехнологичны и завершены серийным выпуском.

Предистория термографии и тепловидения начинается в 1800 г., когда Уильямом Гершелем было открыто существование теплового излучения за пределами видимого спектра.

В 1830 г. появились первые приемники ИК излучения на основе принципа работы термопары, которые стали называть термоэлементами. Появление в 1880 г. терморе-зистивных материалов, т.е. материалов, электрическое сопротивление которых изменяется в зависимости от температуры (болометры), позволило существенно улучшить чувствительность приемников ИК излучения.

В период 1870-1920 гг. прогресс науки и техники обеспечил разработку первых фотонных приемников, основанных на внутреннем фотоэффекте, т.е. на прямом взаимодействии между фотонами излучения и электронами полупроводника. Фоторезисторы и фотодиоды имеют гораздо большее быстродействие и более высокую чувствительность, чем тепловые приемники.

В период 1930-1944 гг. были разработаны приемники на основе сульфида свинца (PbS), в основном для военных целей (диапазон 1,5-3 мкм). В 1940-1950 гг. рабочий спектральный диапазон был расширен на ближнюю ИК область (3-5 мкм), когда появился приемник из антимонида индия (InSb), а в 1960 гг. с открытием уникальных свойств твердых растворов тройной системы CdHgTe началось освоение в более длинноволновом диапазоне 8-14 мкм приемников KPT (Cdo^Hgo.sTe). Фотоприемники последних двух типов для реализации предельной обнаружительной способности, ограниченной фоном, требуют глубокого охлаждения. Разработка и совершенствование фотоприемников из КРТ (многоэлементных фоторезисторов и фотодиодов) привело к быстрому освоению диапазона 8-14 мкм. Многоэлементные фотонные приемники благодаря высокой чувствительности и быстродействию позволили разработать термографические и тепловизионные системы, основанные на обнаружении ИК излучения, испускаемого телами в интервале длин волн 2-15 мкм, охватывающем окна прозрачности атмосферы 3-5 и 8-14 мкм.

В нашей стране научно-исследовательские работы по инфракрасной полупроводниковой фотоэлектронике были развиты под руководством член-корреспондента РАН лауреата Государственных премий СССР J1.H. Курбатова и его заместителя по секции узкозонных полупроводников профессора лауреата Государственных премий СССР В.И. Стафеева.

Наряду с этим в последнее время вновь проявился интерес к терморезистивным приемникам теплового излучения, и вектор развития несколько смещается в сторону многоэлементных матричных микроболометров, где ухудшение обнаружительной способности частично компенсируется электроникой. Эти приемники не требуют охлаждения, из них легче создавать однородные матрицы. Аппаратура из них будет иметь меньшие габариты и будет дешевле, однако по обнаружительной способности и, соответственно, качеству приема пальма первенства остается за КРТ - многоэлементным фотоэлектрическим чувствительным элементом, исследованиям и разработке которых посвящена работа.

В диссертации отражается общая тенденция вытеснения электровакуумных приборов твердотельными. На смену электронно-оптических преобразователей изображения утверждаются многоэлементные твердотельные фотоприемные устройства.

При этом, нельзя не сказать об очень интересных результатах, полученных в мировой практике и у нас в России под руководством академика A.M. Прохорова. Речь идет о создании монолитных фотоматричных структур с использованием фоточувствительных слоев на кремниевой подложке на основе силицидов платины или иридия, совместимых с ПЗС мультиплексором, обеспечивающих получение изображений в ИК области 3-5 мкм. В этом случае квантовая эффективность мала (~ 1%), но ситуация выправляется за счет накопления высокой однородности матрицы чувствительных площадок и малых шумов. Разрешаемый контраст тепловизора с фотоприемником на силициде платины достигает сотых долей градуса. Однако, необходимо отметить, что фотоприемник из КРТ диапазона 8-12 мкм имеет свои несомненные преимущества, особенно при использовании тепловизора для наблюдения в северных широтах и в зимнее время года.

Актуальность работы

Тепловизионная техника, основанная на применении фотоприемников ИК диапазонов длин волн 3-5 и 8-14 мкм, находит широкое применение в оборонных комплексах и народном хозяйстве.

Основное применение тепловизионной техники в настоящее время и в ближайшем будущем будет сосредоточено в военной области, обеспечивая ведение военных действий в ночных условиях. Это пассивные необнаруживаемые системы. В том числе: системы ночного видения для водителей танков и БТР, системы прицеливания и управления огнем танков, противоракетные и противотанковые системы обнаружения, наведения и прицеливания, системы для автоматического обнаружения, распознавания и уничтожения воздушных целей, авиационные и космические разведывательные системы, вертолетные и самолетные ИК станции переднего обзора, дающие изображение разведываемой местности по ее собственному тепловому излучению в ночное время в реальном масштабе времени и т.п.

Использование тепловизионной техники диапазона 8-14 мкм в народном хозяйстве позволит решать ряд важнейших проблем: в медицине: ранняя диагностика рака и других заболеваний; в геологии: поиск с самолета или космического корабля нефтегазовых, рудных и нерудных месторождений, геотермальных вод; в городском хозяйстве: обнаружение скрытых утечек тепла, горячей и холодной воды в теплотрассах и Водопроводной сети, обнаружение карстовых полостей в районах массовой застройки; в сельском хозяйстве: дистанционный (с самолета или спутника) контроль увлажнения и иссушения почв, состояния посевов с/х культур, выявление пораженных вредителями и болезнями посевов и др.); в лесном хозяйстве: выявление массового поражения леса вредителями, обнаружение очагов лесных пожаров при значительном задымлении; в экологии: тепловые загрязнения рек и водоемов, загрязнения воздушного бассейна выбросами электростанций и других промышленных предприятий, подземная миграция отравленных вод - отходов металлургической и химической промышленности); в контроле и диагностике чрезвычайных ситуаций: насыщенность снегов водой в период таяния (угроза наводнений), скрытое нарастание вулканической активности;

- в энергетике: дистанционный контроль предаварийных ситуаций крупных энергетических объектов; в транспорте: оперативный дистанционный контроль подвижного состава, контроль букс.

Только в геологии с помощью простейшего самолетного тепловизионного устройства "Вулкан" удалось получить большой объем информации о залежах полезных ископаемых. Полеты этой аппаратуры над крупными городами позволили выявить аварийные участки теплотрасс и своевременно произвести их ремонт.

Широкое применение тепловизионной техники в военных и тем более в гражданских целях сдерживается высокой стоимостью ИК фотоприемников и сложностью их производства.

За рубежом и в нашей стране активно ведутся работы по созданию новых технологий получения фоточувствительных материалов и фотоприемников на их основе для удовлетворения потребности тепловизионной техники. Общее увеличение затрат на ИК фотоприемники в США возрастает с 1520 млн. долларов в 1991 году до 12320 млн. долларов в 2000 году, т.е., практически, в 10 раз.

Суть проблемы заключается в том, что развитие тепловизионной техники на диапазон длин волн 3-12 мкм и ее удешевление, в значительной степени, зависят от качества, стоимости и масштабов производства полупроводниковых многоэлементных ИК фотоприемников.

В ряде стран разработаны технологии изготовления высокоэффективных фотоприемников на основе КРТ как в виде единичных элементов, так и в виде многоэлементных фотоприемников (линеек и матриц). В России промышленные ИК фртопри-емники на диапазон длин волн 8-12 микрон выпускаются в виде линеек фотосопротивлений, изготавливаемых из объемного монокристалла, либо в виде одиночных фотодиодов. Матрицы ИК-фотодиодов изготавливаются на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных жидкофазной эпитаксией. Широкому производству и использованию ФП на основе таких материалов КРТ препятствует высокая цена материала, составляющая примерно 430 $ за 1 г монокристалла КРТ.

В настоящее время основные усилия направлены на развитие систем тепловидения, использующих фотоприемники с многорядными линейками и матрицами фоточувствительных элементов в фокальной плоскости с высокой плотностью фоточувствительных площадок, соединенных с многофункциональными сверхбольшими интегральными схемами (СБИС-мультиплексорами) для обработки сигнала. В соответствии с этим направлением к технологии получения узкозонного материала КРТ для ИК фотоприемников предъявляются чрезвычайно жесткие требования - она должна обеспечивать приготовление пластин или слоев материала большой площади, с большой однородностью свойств и с невысокой стоимостью. Этим требованиям в наибольшей степени отвечают эпитаксиальные методы выращивания слоев КРТ. Жидкофазовая эпитак-сия КРТ стала возможной благодаря успехам в получении монокристаллов CdZnTe высокого структурного совершенства, согласованных по параметру решетки с выращиваемой пленкой КРТ. Методы молекулярно-лучевой и газофазовой эпитаксии позволяют выращивать гетероэпитаксиальные структуры (ГЭС) на подложках GaAs и Si с буферными слоями из CdTe и CdZnTe. Высокая цена подложек из CdZnTe (близка к цене объемных монокристаллов КРТ) не позволяет существенно снизить стоимость выращиваемых на них слоев КРТ. В настоящее время в РФ и за рубежом проводятся интенсивные работы по выращиванию эпитаксиальных пленок КРТ на недорогих подложках GaAs и Si, инородных по отношению к CdTe и CdZnTe. В зарубежной литературе сообщается об успехах в изготовлении многоэлементных ИК-матриц фотодиодов (размерностью 256x256 элементов), полученных из ГЭС КРТ на подложках из GaAs и Si. Применение относительно дешевых и доступных подложек из GaAs и Si позволит значительно снизить стоимость ГЭС КРТ и фотоприемников. Создание систем обработки сигналов ИК фоточувствительного элемента фотоприемника с помощью СБИС на единой подложке из Si приведет к значительному улучшению характеристик приборов, к созданию ФПУ и тепловизионной техники нового класса.

Исследования и разработка физико-технологических основ многоэлементных фотоприемников позволяют создать научно-производственную базу тепловизионной техники широкого народнохозяйственного и военного применения.

Цель работы

Целью работы являлось создание нового класса линейчатых и матричных пороговых фотоприемников на основе гетероэпитаксиальных структур GaAs - CdZnTe -CdxHgi-xTe (х=0,8-0,2) - Cdo,2Hgo,8Te - CdxHgi.xTe (x=0,2-0,4) с высокой чувствительностью. По ходу выполнения работы приходилось решать широкий круг задач, связанных с полупроводниковой технологией такого "капризного" материала как твердый раствор КРТ, криогенной техникой и обработкой сигнала многоэлементных (сначала в виде линеек, затем в виде матрицы) ФЧЭ из КРТ. Одной из главных задач был переход от монокристаллических объемных КРТ, в которых слои получаются за счет утоньшения при больших отходах дорогого материала, на более совершенные и передовые гетеро-эпитаксиальные структуры, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Эта работа является развитием идей академика Ж.И. Алферова применительно к узкозонным полупроводниковым соединениям. ГЭС КРТ, полученные методом МЛЭ, отличаются однородностью, большими размерами, приемлимыми электрофизическими и фотоэлектрическими характеристиками, относительной дешевизной, стабильностью параметров, зеркально гладкой поверхностью и перспективны для формирования многоэлементных ФП. Другая задача состояла в разрешении вопроса, связанного с конструкторской и технологической проработкой высокоэкономичных, с малыми теплоприто-ками, надежных фотоприемных модулей, являющихся одновременно частью газовой криогенной машины, а также весь комплекс проблем, связанных с организацией серийного производства высоконадежной конкурентоспособной и наукоемкой продукции (фотоприемников и ФПУ) как элементной базы тепловидения. Одной из задач работы являлось также решение проблем газофазного метода синтеза подложечных полупроводниковых материалов GaP и GaAs для эпитаксии, используемых также в микроэлектронике и микрофотоэлектронике.

Защищаемые положения

На защиту выносится микрофотоэлектроника гетероэпитаксиальных структур на CdxHgi.xTe, полученных МЛЭ:

1. Физико-технологические основы многоэлементных фотоприемников на основе сложных гетероэпитаксиальных структур GaAs - CdZnTe - CdxHgi.xTe (х=0,8-0,2)

- Cdo^Hgo.eTe - CdxHg].xTe (x=0,2-0,4) и создание нового класса линейчатых и матричных пороговых фото приемников с высокой чувствительностью: выбор метода эпитаксии, обоснование преимуществ МЛЭ; оптимизация свойств гетероэпитаксиальных структур большого диаметра (52 мм); химико-технологические исследования получения подложечного материала из газовой фазы для гетероэпитаксиальных структур. Синтез особо чистых GaAs и GaP с учетом покрытия реактора и тиглей защитными слоями из нитрида бора и нитрида алюминия. Модель роста кристаллов GaAs и GaP при их синтезе из газовой фазы за счет встраивания комплексов GamPn, состав и концентрация которых зависят от газовой фазы. Методы повышения чувствительности фоторезисторов из КРТ: уменьшение рекомбинации неравновесных носителей на контактах и увеличение, тем самым, эффективного времени жизни с помощью блокирующих контактов; снижение влияния "пролета" носителей (sweep out) путем частичного затенения фоточувствительной площадки и увеличения расстояния между контактами без увеличения фотоактивной зоны фоторезистора из КРТ; увеличение эффективного времени жизни неравновесных носителей и расширение спектральной области фотоответа фоторезистора из КРТ методом нанесения варизонных слоев с заданным градиентом состава на поверхность слоя КРТ постоянного состава и резкого уменьшения, тем самым, скорости поверхностной рекомбинации в гетероэпитаксиальной структуре GaAs - CdZnTe - CdxHgixTe -Cdo>2Hgo>8Te - CdxHgi.*Te. способ подавления низкочастотных составляющих шума фоторезистора с помощью теплового фильтра.

Методы стабилизации свойств и параметров фоторезистора: создание собственного анодного окисла, предотвращающего уход ртути с поверхности; получение на поверхности фоточувствительного элемента многослойных защитных и просветляющих покрытий;

4. Разработка и серийный выпуск высоконадежных многоэлементных фотоприемных устройств, в том числе, для тепловидения, теплопеленгации, термографии и др. на область спектра 8-14 мкм: - разработка гибридных ФПУ с многофункциональной малошумящей помехоза-щищенной СБИС в холодной зоне вблизи ФЧЭ для обработки сигнала изображения; теплофизические и конструкторские разработки вакуумных охлаждаемых модулей, обладающих высокой надежностью и малыми теплопритоками при глубоком интегрировании с системами охлаждения.

Научная новизна

1. Впервые в отечественной ИК технике теоретически обоснованы, экспериментально подтверждены и освоены в серийном производстве многоэлементные фоторезисторы нового типа спектрального диапазона 8-14 мкм на основе сложных гетероэпи-таксиальных структур КРТ, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Впервые линейчатые и матричные фотоприемники созданы на основе структур большого диаметра (52 мм) ваАз - Сс^пТе - Сс1хН§1.хТе (х=0,8-»0,2) - СёодЩо^Те -Сс1хЬ^1.хТе (х=0,2—>0,4) с заданными значениями градиента состава с1Х1ск и градиента ширины запрещенной зоны с1Е^с1х, низкой концентрацией носителей в рабочем (х=0,2) слое «77 < 5*1014см'3, высокой подвижностью //77 > 105 см2/В*с и временем жизни неравновесных носителей x^^ > 10"6 с, оптимальными толщинами рабочего и варизонных слоев.

Впервые достигнуто:

- высокая вольтовая чувствительность, на порядок больше известного уровня, при обнаружительной способности, ограниченной фоном, за счет резкого снижения скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей под действием встроенного поля Е =--- варизонных слоев; е сЫ,

- расширение области спектральной чувствительности в диапазоне 8-13 мкм за счет генерации носителей в варизонных слоях с большей шириной запрещенной зоны;

- минимизация рассеиваемой в фоточувствительных элементах мощности смещения (снижение на порядок), что особенно важно при использовании микрокриогенных систем для охлаждения фотоприемника.

2. Теоретически оптимизированы и реализованы в конструкциях и технологических процессах в серийном производстве фотоприемников из КРТ диапазона 8-14 мкм:

- эффект снижения скорости дрейфа носителей к контактам в электрическом поле смещения фоторезистора путем создания отражающих контактов с встроенным электрическим полем (п-п+) и увеличения, тем самым, линейного участка зависимости вольтовой чувствительности от напряжения смещения Su (VCM);

- эффект уменьшения влияния "пролета" носителей (swep out) в фоторезисторе путем затенения части фоточувствительной площадки при сохранении ее фотоактивной зоны. Показано, что эффект оптимален при увеличении расстояния между контактами не более чем на 5 диффузионных длин;

- эффект подавления низкочастотных составляющих шума фотоприемника путем использования теплового RC фильтра, где роль тепловой емкости выполняет масса охлаждаемого элемента, а тепловое сопротивление определяется цепью отвода тепла от фоточувствительного элемента к источнику холода. Предложен метод расчета теплового фильтра - упругого демпфера газовой криогенной машины;

- эффект стабилизирующего действия собственного анодного окисла фоторезистора из KPT (Eg = 0,1 эВ), предотвращающего уход ртути из КРТ через поверхность и диффузии вакансий ртути внутрь фоторезистора.

3. Теоретически и экспериментально показано, что в эпитаксиальных слоях КРТ (х = 0,2), полученных методом МЛЭ на подложке из GaAs, доминирует ударная рекомбинация (Оже), что свидетельствует о высоком качестве этих слоев и перспективности их использования в фотоприемниках диапазона 8-14 мкм.

4. Предложена модель роста высококачественных кристаллов GaP и GaAs из газовой фазы с учетом встраивания комплексов GamPn, состав и концентрация которых зависят от газовой фазы.

5. Предложена принципиальная СБИС матричного фотоприемного устройства, выполняющая операции накопления заряда (усиления), вычитания фона и произвольного считывания (х-у адресация).

Практическая значимость

Практическая значимость работы определяется:

1. Широким спектром фактического использования ее результатов в военной технике и народном хозяйстве (танковые ночные визир-прицелы; инфракрасные ночные системы прицеливания и наведения противотанковых управляемых снарядов (ПТУРС); инфракрасные космические телескопы для зондирования Земли из космоса; самолетные инфракрасные тепловизионные разведовательные комплексы; теплопелен-гаторы кругового обзора; самолетная тепловизионная аппаратура геологической разведки полезных ископаемых и контроля экосистем и др.);

2. Созданием ряда базовых технологий изготовления и конструкций модулей фотоприемников на основе объемных монокристаллов и гетероэпитаксиальных слоев КРТ для области спектра 8-14 мкм с различным числом элементов (10, 10x2, 16x2, 32x2, 64, 48x2, 128), а также фотодиодных матриц на базе ГЭС КРТ формата 128x128;

3. Внедрением полученных результатов в производство фотоприемников и ФПУ, тепловизоров на их основе и различных комплексов военной техники. Созданием заводской технологической линии серийного выпуска фотоприемников и фотоприемных устройств, обладающих высокими характеристиками и надежностью, обеспечивающих по ряду параметров приоритет некоторых видов отечественной военной техники над зарубежной. Достигнуто увеличение процента выхода годных ФЧЭ и снижение себестоимости ФП и ФПУ из материала КРТ.

Апробация работы

Апробация работы проводилась длительное время путем внедрения ее результатов и дальнейшего авторского надзора в организованное на Государственном унитарном предприятии "Альфа" серийное производство фотоприемников и фотоприемных устройств на материале КРТ. Фотоприемники и фотоприемные устройства, созданные в процессе настоящей работы, вошли в состав тепловизионной техники, используемой в Вооруженных силах, в частности, в Главном ракетно-артиллерийском управлении (ГРАУ) и в Главном авто-бронетанковом управлении (ГАБТУ) МО РФ. Разработанные приемники поставляются в ряд организаций, в т.ч. ФНПЦ НПО ГИПО (г. Казань), ОАО Красногорский завод (г. Москва), ГУП КБ Приборостроения (г. Тула), ЦНИИ МАШ (г.

Королев), Новосибирский приборостроительный завод. Фотоприемники и фотоприемные устройства, созданные по результатам настоящей работы опробованы и приняты в состав военной техники, экспортируемой государством за рубеж (системы "Агава-2", "Ноктюрн", "Метис", "МетисМ", "Корнет-Э" и др.).

Публикации

Опубликовано в печати 61 работа, включая авторские свидетельства. Издана монография по фотоприемникам на КРТ.

Содержание диссертации

Первая глава содержит обзор литературы по приемникам на КРТ. В обзоре дан системный анализ работ, связанных с развитием фотоприемников. Рассмотрена история развития фотоприемников изображения в плане проблем тепловидения в ИК диапазоне 8-14 мкм - от одноэлементных до матричных фотоприемных устройств. Показаны основные направления развития ИК техники, преимущества и недостатки различных фотоприемников. Сделан вывод о перспективности фотоприемников из КРТ.

Вторая глава посвящена гетероэпитаксиальным структурам на основе CdHgTe. Приводится описание различных методов получения объемных монокристаллов ОМ и разных видов эпитаксий - жидкостной, газофазовой и молекулярно-лучевой (МЛЭ). Дан анализ преимуществ МЛЭ и требований к сложным ГЭС КРТ, разработанным в ходе совместной работы с ИФП СО РАН. В результате были разработаны сложные гетероструктуры большого диаметра (52 мм) с фоточувствительным слоем Cdo,2Hg0,gTe на область спектра 8-14 мкм, обладающие высоким совершенством и однородностью свойств. Показано, что фоточувствительный слой, заключенный между двумя варизонными слоями имеет высокие параметры п, ju, г и достаточные для разработки многоэлементных ИК фотоприемников нового поколения. Специально исследованы вопросы стабильности свойств гетероструктур. В конце главы приводятся результаты химико-технологических исследований по выращиванию газотранспортным методом монокристаллов GaP- и GaAs-подложечного материала для эпитаксии CdHgTe. Дается термодинамический анализ системы Ga-PCl3-PH3-H2. Рассматривается кинетика газофазного синтеза и исследования глубоких примесей. Были получены совершенные монокристаллы с низким содержанием остаточных примесей, с однородным распределением примеси.

В третьей главе приводятся результаты работ по исследованию особенностей фоторезисторов на КРТ. Анализируется связь обнаружительной способности и вольтовой чувствительности с параметрами материала фоторезистора. При рассмотрении многоэлементного фоторезистора учтены экономические соображения, которые определяют оптимальное число фоточувствительных площадок, изготавливаемых из ОМ КРТ. Проанализированы требования к размерам фоточувствительных площадок и апертуре приемников, а также связь обнаружительной способности и вольтовой чувствительности с параметрами материала фоторезистора. Проведены исследования и физико-технологические разработки методов получения фоторезисторов с высокой чувствительностью. Среди них: использование запирающих контактов для увеличения времени жизни; частичное затенение чувствительной площадки и понижение влияния пролета носителей; повышение квантовой эффективности напылением антиотражаю-щих покрытий и устранение влияния границы фоточувствительного слоя путем пассивации поверхности.

Четвертая глава посвящена технологии формирования многоэлементных фоторезисторов на гетероэпитаксиальных слоях GaAs - CdZnTe - CdxHgi.xTe (х=0,8—>0,2) -Cdo^Hgo^Te - CdxHgi.xTe (x=0,2-»0,4). Теоретически изучен фоторезистивный эффект в сложных гетероструктурах, в которых чувствительный слой Cdo^Hgo^Te помещен между двумя варизонными слоями. Анализ позволил разработать фоторезисторы на ГЭС КРТ, полученных МЛЭ, в которых достигнута высокая вольтовая чувствительность за счет уменьшения толщины рабочего слоя до 5 мкм и почти полного подавления поверхностной рекомбинации варизонными слоями, а также расширение спектральной чувствительности за счет варизонных слоев. Разработаны технологические маршруты изготовления многоэлементного фоторезистора из ОМ КРТ и ГЭС КРТ. Рассмотрены фотоэлектрические свойства линейчатых фоторезисторов на гетероэпитаксиальных слоях и показана их перспективность. В конце главы даны результаты по фоторезисторам на эпитаксиальных слоях КРТ, полученных методом ЖФЭ.

Пятая глава завершает физико-технологические разработки ФЧЭ. В ней приведены результаты по созданию фотодиодных матриц на основе МЛЭ гетероэпитаксиальных структур. Обращено внимание на проблемы реализации преимуществ матричных приемников изображения. Рассмотрены принципы построения фотодиодного матричного фоточувствительного элемента, вопросы однородности, преимущества фотодиодов и связь обнаружительной способности фотодиода с параметрами материала. Обосновывается технологический выбор материала для изготовления фотодиодной матрицы в ряду: объемные монокристаллы КРТ, тонкие монокристаллические жидко-фазные эпитаксиальные слои и гетероэпитаксиальные слои, полученные МЛЭ. Приводится технология изготовления матричного ФЧЭ и показаны преимущества ФПУ на его основе в сравнении с зарубежными аналогами фирмы "Маркони".

Для обработки сигналов от фотодиодной матрицы разработан охлаждаемый мультиплексор (сверхбольшая многофункциональная интегральная схема). Рассматривается СБИС ФПУ с матрицей 128x128, предусматривающая предварительное усиление сигнала от пикселов (накопление), вычитание фона, считывание с произвольной адресацией и оцифровывание в интерфейсе.

Важная и быстро развивающаяся область, связанная с первичной обработкой информации в ФПУ, кратко рассмотрена в шестой главе. Прежде всего акцентируется внимание на особенностях фоторезисторов из КРТ - проблемах усиления малого сигнала малошумящего фотоприемника и создания малошумящего предусилителя. Рассматриваются вопросы, связанные с появлением приборных шумов и помех, методы устранения их экранированием электромагнитного поля, методы снижения помех, вызываемых вибрациями приемника и предусилителя, а также методы защиты от нестабильно-стей источника питания. Рассмотрены особенности глубокого охлаждения фотоприемника и влияние дроссельных и газовых микрокриогенных систем на шумы.

Седьмая глава содержит конструкционные и теплофизические разработки охлаждаемых, в том числе, вакуумных модулей фотоприемников. В главе содержатся параметры серийно выпускаемых ФПУ, разработанных автором. Одно из главных качеств разработанных и выпускаемых приборов - их высокая защищенность от механических перегрузок и вибраций, а также от воздействия климатических факторов: повышенной и пониженной температуры, термоциклов нагревания и охлаждения, высокой влажности и т.д., что обеспечено только путем создания базовой конструкции высокой надежности и интегрирования вакуумной конструкции и системы охлаждения.

В фотоприемниках, работающих короткое время (от 1 мин до 8 ч), использована разомкнутая дроссельная система, где газ из миниатюрного газового баллона с давлением ~ 400 атм. дросселируется через дюзу (отверстие) и охлаждается вследствие эффекта Джоуля-Томсона. Обратный поток охлажденного газа охлаждает прямой поток в теплообменнике. Через несколько десятков секунд температура в районе дюзы достигает 77 К; фотоприемник выходит на температурный режим через несколько десятков секунд.

В тепловизионных приемниках, работающих длительное время, применена микрокриогенная газовая машина (ГКМ) - либо замкнутые дроссельные микрокриогенные системы. ГКМ, работающая по обратному термодинамическому циклу Стерлинга, использует в качестве рабочего тела газ гелий.

В приложении содержится информация о серийно выпускаемых пороговых ФПУ на КРТ. Приводятся параметры ФПУ: линейчатых - 10x1, 16x2, 32x1, 64x1, 128x1; матричных - 32x32, 48x48, 128x128. Приводится также краткое описание тепловизионных приборов, в которых разработанные ФПУ нашли свое применение: везир-прицелы, тепловизоры, тепловизионная аппаратура для космической разведки и т.д. В конце приложения приведены акты внедрения и использования.

Выводы

1. Разработаны принципы создания базовых конструкций глубокоохлаждаемых вакуумных модулей для тепловизионных ФП на КРТ, обеспечивающих серийный выпуск.

2. Обеспечено глубокое интегрирование фотоприемного модуля с микрокриогенными газовыми машинами и дроссельными системами охлаждения разомкнутого и замкнутого типа.

3. Достигнута высокая надежность всех элементов вакуумной охлаждаемой конструкции модуля.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Анализ развития пороговых фотоприемников на КРТ диапазона 8-14 мкм для тепловидения показывает несколько основных тенденций. Главная тенденция заключается в формировании ряда унифицированных модулей фотоприемников для различных, тепловизионных и инфракрасных систем преимущественно военного назначения.

Другой не менее важной тенденцией, является переход к ФЧЭ в виде многорядных линеек и матриц с повышением удельного веса системы обработки сигналов изображения непосредственно в холодной зоне фоточувствительного элемента с помощью многофункциональных СБИС-мультиплексоров. Решающее значение в создании подобных фотоприемников из КРТ приобретает технология получения гетероэпитакси-альных структур КРТ на инородных подложках методом молекулярно-лучевой эпитак-сии.

Третья тенденция вызвана стремлением к снижению габаритов и веса фотоприемных устройств и обеспечению автономности работы тепловизионной аппаратуры путем гибридизации фотоприемника с наиболее экономичной микрокриогенной системой типа "Сплит-Стирлинг".

2. В диссертации исследованы и разработаны физико-технологические основы высоконадежных пороговых фотоприемников диапазона 8-14 мкм нового поколения на базе гетероэпитаксиальных структур КРТ, полученных методом МЛЭ. Исследованы и разработаны методы получения предельных значений обнаружительной способности (ограничение фоном), высокой, на порядок больше обычных значений, вольтовой чувствительности, широкой спектральной характеристики за счет применения сложных варизонных структур КРТ вида: GaAs - CdZnTe - CdxHgi.xTe (х=0,8-0,2) - Cdo^Hgo.gTe -CdxHg,.xTe (x=0,2-0,4).

3. Впервые в нашей стране разработан и создан ряд унифицированных модулей фотоприемников на основе ГЭС КРТ, полученных методом МЛЭ, для различных тепловизионных систем.

4. Исследованы процессы синтеза из газовой фазы монокристаллов GaP и GaAs высокой чистоты и структурного совершенства для подложки. Изучена кинетика процесса газофазового синтеза, предложен механизм роста кристалла при синтезе из газовой фазы за счет бездиффузного встраивания в растущий кристалл комплексов вида GamPn.

1. Курбатов J1.H. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра// М.: изд. МФТИ.- 1999.-320 с.

2. Справочник по инфракрасной технике Т.З (ред. Волф У., Цисис Г., перевод с англ. под ред. Мирошникова М.М., Васильченко H.B.)// М.: "Мир". 1999. - 472 с.

3. Макаров Л.С., Омелаев А.И., Филиппов В.Л. Введение в технику разработки и оценки сканирующих тепловизионных систем// Казань: "Унипресс". 1998. - 318 с.

4. Rogalsky A. with contr. by Kimata M., Kocherov V.F., Piotrovski J., Sizov F.F., Taubkin I.I., Tubouchi N. Zaletaev N.B. Infrared Photon Detectors// USA: SPIE Opt. Bigin. Press, 1995.

5. Бовина Л. А. Фото приемники из CdHgTe. Специальный аналитический обзор №1792 по зарубежным данным с 1960 по 1977 гг. УДК 621.383.4/5: 546.24.48.49.

6. Приемники инфракрасного излучения// Мир. 1969. - с. 19-128.

7. Криксунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники.' М.: Сов. радио, 1978.-400 с.

8. Смит P.A., Джонс Ф.Е., Чесмер Р.П. Обнаружение и измерение инфракрасного излучения. М.: Иностр. лит., 1959. - 448 с.

9. Хадсон Р. Инфракрасные системы. М.: Мир, - 1972. - 534 с.

10. Мирошников М.М. Теоретические основы оптикоэлектронных приборов. Л.: Машиностроение, 1983. - 600 с.

11. Ллойд Дж. Системы тепловидения. М.: Мир, - 1978. - 414 с.

12. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Под ред. Р.Д.Киесса. М.: Радио и связь, 1985. - 328 с.

13. Госсорг Ж. Инфракрасная термография: основы, техника, применение. М.: Мир, 1988. -416 с.

14. Роуз А. Зрение человека и электронное зрение. М.: Мир, 1977. - 216 с.

15. Тришенков М.А. Фотоприемные устройства и ПЗС. М.: Радио и связь, 1992.- 400 с.

16. Шоль Ж., Марфан И., Мюнш М., Торель П., Комбет П. Приемники инфракрасного излучения. Перевод с французского под ред. Л.Н. Курбатова// М.: Мир, 1969.1. Литература по 1960 г.

17. Lawson W.D., Nielsen S., Putley E.H. and Young A.S. Preparation and properties of HgTe-CdTe// J. Phys. Chem. Solids 1959. - №9. - P. 325-329.

18. Wooley I.C., Ray B. Solid solution in AHBV1 tellurides// J.Phys.Chem.Solides. 1960. -Vol. 13, №1-2. - P. 151-153. .

19. Jones R.C. A Method of Describing the Detectivity of Photoconductive Cells // Rev. and Scient. Instrum. 1953. - Vol. 24. - P. 1035-1040.

20. Tailor J.H., Yates H.W. Atmospheric Transmission in the Infrared // J. Opt. Soc. Am. -1957. Vol. 47, №3. - P. 223-226.1. Литература no 1970 r.

21. Long D. and Schmit J. L. Mercury-cadmium telluride and closely related alloys// Semiconductors and Semimetals. 1970. - Vol. 5. - P. 175-255.

22. Tufite O. N. and Stelzer E. L. Growth and properties of Hgi.xCdxTe epitaxial layers// J. Appl. Phys. 1969. - №11. - P. 4559-4568.

23. Rodot M., Verie C., Marfaing Y., Besson J. and Lebloch H. Semiconductor lasers and fast detectors in the infrared (3 to 15 microns)// IEEE J. Quant. Electr. 1966. - №2. - P. 586593.

24. Blue M.D. Optical absorption in HgTe and HgCdTe// Phys. Rev. 1964. - Vol.134, №1A. - P. 226-234.

25. Schmit I.L., Stelzer E.L. Temperature and alloy compositional dependences of energy gap of Hgt.xCdxTe// J.Appl.Phys. 1969. - Vol. 40, №12. - P. 4865-4869.

26. Scott M.W. Energy gap in Hgi.xCdxTe by optical absorption// J.Appl.Phys. 1969. - Vol. 40, №10.-P. 4077-4081.

27. Harman T.C., Strauss A.I. Low electron effective masses and energy gap in Hgi-xCdxTe. -Phys. Rev. Lett. 1961.-Vol. 11, №7.-P. 403-405.

28. Giriat W. Optical properties of CdxHg.xTe semiconductors (x=0,10; 0,09; 0,08)// Acta Phys. Polon. 1963. - Vol. 24, №2. - P. 191-197.

29. Schmit I.L. Intrinsic carrier concentration of CdxHgi.xTe as a function of X and T using k.p. calculations//J.Appl.Phys. 1970. - Vol. 41, №7. - P. 2876-2879.

30. Bartlett B.E., Deans I., Ellen P.C. Growth and properties of CdxHg.xTe crystals// J.Mater.Sci. 1969. - №4. - P. 266-270.

31. Rodot H. Etude de l'equilibre de phases dans le tellurure mercure// J.Phys. and Chem.Solids. 1964. - Vol. 25, №2. - P. 85-93.

32. Dziuba E.L. Preparation of CdxHgi.xTe Crystals by the Vertical Zone Melting Method// J.Electrochem.Soc. - 1969. - Vol. 116, №1. - P. 104-106.

33. Stelzer E.L., Schmit I.L., Tufte O.N. Mercury Cadmium Telluride as an Infrared Detectors Material// IEEE Trans.Electron.Devices. 1969. - №ED16. - P. 880-884.

34. Swink L.N. and Brau M.I. Rapid, Nondestructive Evaluation of Macroscopic Defects in Crystalline Materials: the Laue Topography of (Hg, Cd)Te// Metallurgical Transactions. -1970.-№1.-P. 629-634.

35. Long D. Generation-Recombination Noise Limited Detectivities of Impurity and Intrinsic Photoconductive 8+14 цш Infrared Detectors// Infrared Physics.-1967.-Vol.7, №3,- P.121-128.

36. Dereniak E.L. and Wolfe W.L. A Comparison of the Theoretical Operation of High -Impedance and Low Impedance Detectors// App.Optics. - 1970. - Vol.9, №11. - P. 24412443.

37. Elliot C.T. and Spain I.L. Electrical trsnsport properties semiconducting CdxHgi.xTe alloys// Solid State Commun. 1970. - Vol. 8, №24. - P. 2063-2066.

38. Packard R.D., Bonding A. Material in the 2+14 цт Spectral Range// Appl.Optics. 1969. -Vol. 8, №9.-P. 1901-1903.

39. Waughan W. A New Material for IR Detectors// Optical Spectra.-1970, february.- P. 5761.

40. Saur W. Letter to the editors. Long Wavelength Mercury Cadmium Telluride Photoconductive Infrared Detectors// Infrared Physics. 1968. - №8. - P.255-258.

41. Verie C. and Ayas I. CdxHgi.x infrared photovoltaic detectors// Appl.Phys.Letters. 1967. -Vol. 10, №9. -P. 241-243.

42. Scott W. (Hg, Cd)Te Photovoltaic Detectors in the Infrared// Solid State Sensors Symp. -1970. -№4.-P. 75-78.1. Литература no 1980 r.

43. Anderson W. W. Absorption constant of Pbi.xSnxTe and HgixCdxTe alloys// Infrared Phys. 1980. - №20. - P.363-372.

44. Slavek J. E. and Randal H. H. Optical immersion of HgCdTe photoconductive detectors// Infrared Phys. 1975. - №15. - P. 339-340.

45. Kinch M. A. and Borrello S. R. 0.1 eV HgCdTe photodetectors// Infrared Phys. 1975. -№15.-P. 11-24.

46. Kinch M. A., Borrello S. R. and Simmons A. 0.1 eV HgCdTe photoconductive detectorperformance// Infrared Phys. 1977. - №17. - P. 127-135.

47. Kinch M. A., Borrello S. R., Breazeale D. H. and Simmons A. Geometrical enhancement of HgCdTe photoconductive detectors// Infrared Phys. 1977. - №17. - P. 137-145.

48. Borrello S. R., Kinch M. and Lament D. Photoconductive HgCdTe detector performance with background variations// Infrared Phys. 1977. - №17. - P. 121-125.

49. Johnson M. R. Sweep-out effects in HgixCdxTe photoconductors// J. Appl. Phys. 1972. -№43.-P. 3090-3093.

50. Emmons S. P. and Ashley K. L. Minority-carrier sweepout in 0.09-eV HgCdTe// Appl. 'Phys. Lett. 1972. - №20. - P. 241-242.

51. Pawlikowski J. M. Photoconductivity of graded-gap Hgi.xCdxTe// Infrared Phy. 1978. -№19.-P. 179-184.

52. Nowak Z., Piotrowski J., Piotrowski T. and Sadowski J. Heteroepitaxial homogeneous layers of Hg,.xCdxTe// Thin Solid Films 1978. - №52. - P. 405-413.

53. Nemirovsky Y. and Finkman E. Anodic oxide films on Hgi.xCdxTe// Electrochem. Soc. -1979.-№126.-P. 768-770.

54. Long D. Photovoltaic and photoconductive infrared detectors// Optical and Infrared Detectors. 1980. - P. 101-147.

55. Marine J. and Motte C. Infrared photovoltaic detectors from ion-implanted Hgi.xCdxTe// Appl. Phys. Lett. 1973. - №23. - P. 450-452.

56. Fiorito G., Gaspanini G. and Svelto F. Advances in Hg implanted Hgi.xCdxTe photovoltaic detectors// Infrared Phys. 1975. - №15. - P. 287-293.

57. Igras E., Piotrowski J. and Zimnoch-Higersberger I. Investigation of ion implanted graded gap (CdHg)Te photodiodes// Electron Technology. 1977. - №10. - P. 63-70.

58. Kolodny A. and Kidron Properties of ion implanted junctions in mercury cadmium-telluride// IEEE Trans. Electr. Dev. 1980. - №ED-27. - P. 37-43.

59. Kinch M. A., Chapman R. A., Simmons A., Buss D. D. and Borrello S. R. HgCdTe charge-coupled device technology// Infrared Phys. 1980. - №20. - P. 1-20.

60. Ryssel H., Lang G., Biersack J. P., Mueller K. and Krueger W. Ion implantation doping of Hg.xCdxTe for infrared detectors// IEEE Trans. Electr. Dev. 1980. - №ED27. - P. 58-62.

61. Wong J. Y. Effect of trap tunneling on the. performance of long-wavelength Hgi.xCdxTe// IEEE Trans. Electr. Dev. 1980. - №ED-27. - P. 48-57.

62. Becla P. and Pawlikowski J. M. Epitaxial Hgi„xCdxTe photovoltaic detectors// Infrared Phys. 1975. - №16. - P. 457-464.

63. Igras E., Piotrowski J. A new (Cd,Hg)Te photodiode type with protected junction surface//

64. Optica Applicata. 1976. - №6. - P. 99-106.

65. Lanir M., Wang С. C. and Vanderwyck A. H. B. Backside-illuminated HgCdTe/CdTe photodiodes// Appl. Phys. Lett. 1979. - №34. - P. 50-52.

66. Shin S. H., Vanderwyck A. H. В., Kim J. C. and Cheung D. T. HgCdTe photodiodes formed by double-layer liquid phase epitaxial growth// Appl. Phys. Lett. 1980. - №37. -P.402-404.

67. Solal G. C., Zozime A., Motte C. and Riant Y. Sputtered mercury cadmium telluride photodiode// Infrared Phys. 1976. - №16. - P. 555-559.

68. Zozime A., Solal G. C. and Bailly F. Growth of thin films of Hgi.xCdxTe solid solutions by cathodic sputtering in a mercury vapor plasma// Thin Solid Films. 1980. - №13. - P.139-152.

69. Anderson W. Tunnel current limitations of narrow bandgap infrared charge coupled devices// Infrared Phys. 1977. - №20. - P. 147-164.

70. Anderson W. W. Tunnel contribution to HgixCdxTe and Pbi.xSnxTe p-n junction diode characteristics// Infrared Phys. 1980. - №20. - P. 353-360.

71. Sclar N. Temperature limitations for LR extrinsic and intrinsic photodetectors// IEEE Trans. Electr. Dev. 1980. - №ED-27. - P. 109-118.

72. Tobin S. P., Iwasa S. and Tredwell T. J. 1/f noise in (Hg,Cd)Te photodiodes// IEEE Trans. Electr. Dev. 1980. - № ED-27. - P. 43-48.

73. Koehler T. and Chiang A. M. Advanced HgCdTe for infrared applications// Proc. SPIE. -1975.-№62.-P. 26-36.

74. Бовина JI.A., Стафеев В.И., Мещерякова В.П., Клюкин Л.К. Фотоэлектрические свойства р-n переходов в CdxHgi.xTe// ФТП. 1973. - Т. 7, № 12.

75. Бовина Л.А., Стафеев В.И., Мещерякова В.П., Григорьев В.К., Банин Е.С. Эпитаксиальные слои CdxHgi.xTe и р-n переходы на их основе// Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы. Симпозиум III. Часть II. Львов. - 1972.

76. Бовина Л.А., Головин С.В. Тонкие слои КРТ, полученные методом "горячей стенки"// Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы. Симпозиум III. Часть II. Львов. - 1972.

77. Бовина Л.А., Мещерякова В.П., Банин Е.С., Стафеев В.И. Исследование эпитаксиальных слоев CdxHgi.xTe// ФТП. 1973. - Т. 7, № 1. - С. 40-44.

78. Заитов Ф.А., Стафеев В.И., Ходаков Г.С. Исследование диффузии примесей в теллуриде ртути// ФТТ. 1972. - Т. 14, № 10. - С. 3072-3074.

79. Бовина JI.A., Мещерякова В.П., Клюкин Л.К., Стафеев В.И. Фотоэлектрические свойства р-п переходов Cd*Hgi.xTe// ФТП. 1973. - Т. 7, № 12. - С. 2301-2304.

80. Бовина Л.А., Заитов Ф.А., Мещерякова В.П., Семенова А.П., Стафеев В.И., Шаляпина Г.М. Исследование переноса кадмия при эпитаксиальном выращивании CdxHgi-xTe// Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1976. - Т. 22. - С. 8-11.

81. Chadi D.I., Walter I.P., Cohen M.L., Petrov Y., Balkanski M. Reflectivities and electronic band structure of CdTe, HgTe// Phys. Rev. 1972. - Vol.5, №8. - P. 3058-3064.

82. Balkanski M. Band structure and optical properties of small gap semiconductors and alloys// J. Luminescence. 1973. - №7. - P. 451-475.

83. Schinichi K., Makoto K. Band structure of alloys system Hgi.xCdxTe calculated by the pseudopotential method// J. Phys.Soc.Japan. 1971. - Vol. 31, №7. - P. 415-422.

84. Stankiewicz I., Giriat W. Pressure and temperature dependences of CdxHgi.xTe alloy Hall mobilities// Phys.Stat.Sol (b). 1972. - Vol. 49, №1. - P. 387-393.

85. Halpert H., Musicant B.L. N color (Cd, Hg) Те photodetectors// Appl. Optics. - 1972. -Vol. 11, №10. -P. 2157-2161.

86. Kinch M.A., Brau M.I., Simmons A. Recombination mechanisms in 8+14 цт in CdHgTe// J.Appl.Phys. 1973. - Vol. 44, №4. - P. 1649-1663.

87. Ueda R., Ohtsuki O. and all. Crystal growth of CdxHgixTe using Те as a solvent// J. of Crystal growth. 1972. - №13/14. - P. 668-671.

88. Borrello S.R., Roberts C.G., Breazeale B.H. and Pruett G.R. Cooling requirements for blip performance of intrinsic photoconductors// Infrared Physics. 1971. - №11. - P.225-232.

89. Blonke M.M., Burgett C.B., Williams R.L. Sensitivity limit for extrinsic infrared detectors// Infrared Physics. 1973. - №13. - P. 61-77.

90. Long D. Uniformity of Infrared Detectors Parameters in Alloy Semiconductors// Infrared Physics. 1972. - Vol.12, №2. - P. 115-124.

91. Fiorito G., Gasparrini G., Svelto F. P-n Junction Characteristics and Ultimate Performance of High Quality 8+14 цт Hgi.xCdxTe Implanted Photodetectors// Infrared Physics. 1977. -Vol. 17, №1. - P.25-31.

92. Ohtsuki O., Ueda R., Shinohara K. and Ueda Y. Anomalous Hall effect in HgixCdxTe// Japan J.Appl.Phys. 1971.-Vol. 10, №9. - P. 1288-1289.

93. Scott W. and Hager R. Anomalous electrical properties of p-type Hgi.xCdxTe// J.Appl.Phys. -1971. Vol. 42, №2. - P. 803-808.

94. Slawek I.E. Letter to the Editor. Optical immertion of HgCdTe photoconductive detectors// Infrared Physics. 1975. - №15. - P.339-340.

95. Ignatowicz A. Simple thermal evaporation of AnBvl semiconducting compounds// Thin Solid Films. 1976. - №32. - P. 81-85.

96. On ship signal processing to overcome IR-detector nonuniformities// Inter.Electron Devices Meeting Technical Digest, Washington, 1976, 6-8 dec., p. 541-544.

97. Pawlikowski I.M. and Becla P. Some Properties of Photovoltaic CdxHgi.xTe Detectors for Infrared Radiation// Infrared Physics. 1975. - №15. - P.331-337.

98. Cohen-Solal G., Riant Y. Epitaxial (Hg, Cd)Te Infrared Photovoltaic Detectors// Appl.Phys.Letters. 1971. - Vol. 19, № 10. - P. 436-438.

99. Pawlikowski I.M. and Becla P. Epitaxial CdxHgi.xTe Photovoltaic Detectors// Infrared Physics. 1976. - №16. - P.457-464.

100. Pawlikowski I.M. Energy Level Diagram of Hign-efficiency CdxHgi.xTe Photodiodes// Infrared Physics. 1977. - Vol. 17, №7. - P. 1-4.

101. Marine I., Motte C. Infrared photovoltaic detectors from ionimplanted CdxHgi.xTe// Appl.Phys.Letters. 1973. - Vol. 23, № 8. - P. 450-452.

102. Fiorito G., Gasparrini G. and Svelto F. Advances in Hg implanted HgixCdxTe photovoltaic detectors// Infrared Physics. 1975. - Vol. 15, №2. - P. 287-293.

103. Fiorito G., Gasparrini G. and Svelto F. Hg-implanted Hgi.xCdxTe infrared photovoltaic detectors// Appl.Phys.Letters. 1973. - Vol. 23, № 8. - P. 448-449.

104. Fiorito G., Gasparrini G. and Svelto F. Multispectral Hgi.xCdxTe Photovoltaic Detectors// Infrared Physics. 1976. - Vol. 16, №5. - P. 531-534.

105. Cohen-Solal G., Zozime A., Motte C., Ryant Y. Sputtered mercury cadmium telluride photodiode// Infrared Physics. 1976. - Vol. 16, №5. - P. 555-559.

106. Cohen-Solal G., Sella C., Imhoff D.// Japan.J.Appl.Phys.Suppl. 1974. - Vol. 2., №1. -P. 517.

107. Foyt A.G., Harman T.C. and Donnelly I.P. Type conversion and n-p junction formtion in Hgi.xCdxTe produced by proton bombardment// Appl.Phys.Letters. 1971. - Vol. 18, № 8. -P. 321-323.

108. Amerlaine I., Coester L., Hofheimer H. Breakthrough in Detectors: Photovoltaic HgCdTe// Optical Spectra. 1973, October. - P. 27-32.1. Литература по 1990 г.

109. Grudzien М. and Piotrowski J. Monolithic optically immersed HgCdTe IR detectors// Infrared Phys. 1989. - №29. - P. 251-253.

110. Kruse P. W. The emergence of Hgi.xCdxTe as a modem infrared sensitive material// Semiconductors and Semimetals. 1981. - Vol. 18. - P. 1-20.

111. Micklethweite W. F. H. The crystal growth of mercury cadmium telluride// Semiconductors and Semimetals. 1981. - Vol. 18. - P. 48-119.

112. Petersen P. E. Auger recombination in mercury cadmium telluride// Semiconductors and Semimetals. 1981. - Vol. 18. - P. 121-155.

113. Rosbeck J. P., Star R. E., Price S. L. and Riley K. J. Background and temperature dependent current-voltage characteristics of Hgi.xCdxTe photodiodes// J. Appl. Phys. 1982. -№53.-P. 6430-6440.

114. Ashley T. and Elliott С. T. Non-equilibrium mode of operation for infrared detection// Electron. Lett. 1985. - №21. - P. 451-452.

115. Ashley Т., Elliott С. T. and Harker A. T. Non-equilibrium mode of operation for infrared detectors// Infrared Phys. 1986. - №26. - P. 303-315.

116. White A. M. Generation-recombination processes and Auger suppression in small-bandgap detectors// J. Cryst. Growth 1988. - №86. - P.840-848.

117. Davis A. P. and White A. M. Effects of residual Shockley-Read traps on efficiency of Auger-suppressed IR detector diodes// Semicond. Sci. Technol.- 990. №5. - №5. - P. 38-40.

118. Elliott С. T. Future infrared detector technologies// Fourth Int. Conf. on Adavanced Infrared Detectors and Systems 1990. - P. 61-66.

119. Schacham S. E. and Finkman E. Recombination mechanisms in p-type HgCdTe: Freezo-ut and background flux effects// J. Appl. Phys. 1985. - №57. - P.2001-2009.

120. White A. M. The characteristics of minority-carrier exclusion in narrow direct gap semiconductors// Infrared Phys. 1985. - №25. - P.729-741.

121. Schaake H. F., Tregilgas J. H., Beck J. D., Kinch M. A. and Gnade В. E. The effect of low temperature annealing on defects, impurities and electrical properties// J. Vac. Sci. Technol. -1985. №A3. - P. 143-149.

122. Yamamoto Y., Miyamoto Y. and Tanikawa K. Minority carrier lifetime in the region close to the interface between the anodic oxide and CdHgTe// J. Cryst. Growth 1985. - №72. - P. 270-274.

123. Humpreys R. G. Radiative lifetime in semiconductors for infrared detection// Infrared Phys. 1986. - №26. - P. 337-342.

124. Brice J. C. A numerical description of the Cd-Hg-Te phase diagram// Proc. Cryst. Growth and Charact. 1986. - №13. - P.39-61.

125. Pelliciari B. State of an of LPE HgCdTe at LIR// J. Cryst. Growth 1986. - №86. -P. 146-160.

126. Cook J. W., Harris K. A.-and Schetzina J. F. MBE growth of mercury cadmium telluride: Issues and practical solutions// Mat. Res. Soc. Proc. 1987. - №90. - P. 419-428.

127. Gertner E. R., Tennant W. E., Blackwell J. D. and Rode J. P. HgCdTe on sapphire a new approach to infrared detector arrays// J. Cryst. Growth. - 1987. - №72. - P. 462-467.

128. Fourie J. P. Developments and trends in MBE of II-VI Hg-based compounds// J. Cryst. Growth 1987. - №81. - P. 483-488.

129. Brebrick R. F. Thermodynamic modeling of the Hg-Cd-Te systems// J. Cryst. Growth. -1988.-№86.-P. 39-48.

130. Rogalski A. and Piotrowski J. Intrinsic infrared detectors// Prog. Quant. Electr. 1988. №12.-P. 87-289.

131. Nemirovsky Y. and Bahir G. Passivation of mercury cadmium telluride surfaces// Vac. Sci. Technol. 1989. - №A7. - P. 450-459.

132. Elliott C. T. Handbook on Semiconductors. 1981. - Vol. 4. - P. 727-798.

133. Ashley T. and Elliott C. T. Accumulation effects at contacts to n-type cadmium-mercury-telluride photoconductors// Infrared Phys. 1982. - №22. - P. 367-376.

134. White A. M. Recombination in a graded n-n contact region in a narrow-gap semiconductor// J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. - №17. - P. 4889-4896.

135. Smith D. L. Effect of blocking contacts on generation-recombination noise and responsivity in intrinsic photoconductors// J. Appl. Phys. 1984. - №56. - P. 1663-1669.

136. Arch D. K., Wood R. A. and Smith D. L. High responsivity HgCdTe heterojunction photoconductor// J. Appl. Phys. 1985. - №58. - P. 2360-2370.

137. Colombo L., Chang R. R., Chang C. J. and Baird B. A. Growth of Hg-based alloys by the travelling heater method// J. Vac. Sci. Technol. 1988. - №A6. - P.2795-2799.

138. Higgins W. M., Pultz G. N., Roy R. G. and Lancaster R. A. Standard relationships in the properties of Hgi.xCdxTe// J. Vac. Sci. Technol. 1989. - №A7 - P. 271-275.

139. Hougen C. A. Model for infrared absorption and transmission of liquid-phase epitaxy Hgi.xCdxTe// J. Appl. Phys. 1989. - №66. -P.3763-3766.

140. Coates W. G., Capper P., Jones C. L., Gosney J. J., Ard C. K„ Kenworthy I. and Clark A., Effect of ACRT rotation parameters on Bridgman grown Hgi.xCdxTe crystals// J. Cryst. Growth 1989. - №94. - P. 959-966.

141. Elliott C. T. Non-equilibrium mode of operation of narrow-gap semiconductor devices// Semicond. Sci. Technol. 1990. - №5. - P. 30-37.

142. Kinch M. A. Electronic properties of HgCdTe// J. Vac. Sci. Technol. 1982. - №2. -P.215-219.

143. Smith D. L. Theory of generation-recombination noise and responsivity in overlap structure photoconductors// J. Appl. Phys. 1983. - №54. - P. 5441-5448.

144. Rotter S., Lachish U. and El-Hanany U. Substrate preparation by contactless mechano-chemical polish// J. Cryst. Growth 1985. - №73. - P. 187-189.

145. Nagahama K., Ohkata R. and Murotani T. Preparation of high quality Hgo.gCdo^Te epitaxial layer and its application to infrared detector (X = 8-14 jin)// J. J. Appl. Phys. 1982. -№21.-P. 764-766.

146. Bertagnolli E. Improvement of anodically grown nativeoxides on n-(Cd,Hg)Te// Thin Solid Films US 1986. - P. 267-275.

147. Brogowski P. and Piotrowski J. The p-to-n conversion of HgCdTe, HgZnTe and HgMnTe by anodic oxidation and subsequent heat treatment// Semicond. Sci. Technol. -1990. -№5.-P. 530-532.

148. Makky W. H., Siddiqui A. and Tang C. H. Growth, composition, and surface structure of Hgi.xCdxTe plasma oxides// J. Vac. Sci. Technol. 1986. - №A4. - P. 3169-3173.

149. Shacham-Diamand Y., Chuh T. and Oldham W. G. The electrical properties of Hg-sensitized "Photox"-oxide layers deposited at 80°C// Solid-St. Electron. 1987. - №30. -P.227-233.

150. Lunn M. A. and Dobson P. S. Ion beam milling of Cdo^Hgo^Te// J. Cryst. Growth -1985.-№73.-P. 379-384.

151. Brogowski P., Mucha H. and Piotrowski J. Modification of mercury cadmium telluride, mercury manganese tellurium, and mercury zinc telluride by ion etching// Phys. Stat. Sol. (a). 1989.-№114.-P. 37-40.

152. Zimmermann P. H., Reine M. B., Spignese K., Maschhoff K. and Schirripa J. Surface passivation of HgCdTe photodiodes// J. Vac. Sci. Technol. 1990. - №A8. - P. 1182-1.184.

153. Nemirovsky Y. and Burstein L. Anodic sulfide films on Hgi.xCdxTe// Appl. Phys. Lett. -1984. -№44.-P. 443-444.

154. Nemirovsky Y., Burstein L. and Kidron I. Interface of p-type Hg.xCdxTe passivated with native sulfides// J. Appl. Phys. 1985. - №58. - P. 366-373.

155. Nemirovsky Y. Passivation with II-VI compounds// J. Vac. Sci. Technol. 1990. - №A8. -P. 1185-1187.

156. Spicer W. E. Metal contacts on HgixCdxTe// J. Vac. Sci. Technol. 1990. - №A8. -P.l 174-1176.

157. Elliott C. T., Day D. and Wilson D. J. An integrating detector for serial scan thermal imaging// Infrared Phys. 1982. - №22. - P. 31 -42.

158. Elliott C. 17Infrared detectors with integrated signal processing// Solid State Devices. -1983. P. 175-201.

159. Wotherspoon J. T. M., Dean R. J., Johns M. D., Ashley T., Elliott C. T. and White M. A. Developments in SPRITE infra-red detectors// Proc. SPIE. 1984. - №810. - P. 102-112.

160. Dean A. B., Dennis P. N. J., Elliott C. T., Hibbert D. and Wotherspoon J. T. M. The serial addition of SPRITE infrared detectors// Infrared Phys. 1988. - №28. - P. 271-278.

161. Elliott C. T. SPRITE detectors and staring arrays in Hg,.xCdxTe// Proc. SPIE. 1988. -№1038.-P. 2-8.

162. Chiari J. A. and Morten F. D. Detectors for thermal imaging// Electronics Components and Applications. 1982. - №4. - P.242-253.

163. White A. M. and Humphreys R. G. Generation currents, noise and Auger suppression in intrinsic diodes// Electron. Lett. 1986. - №22. - P. 625-626.

164. Ashley T., Elliott C. T., White A. M., Crimes G. J. and Harker A: T. Bipolar transistor action in cadmium mercury telluride// Electron. Lett. 1986. - №22. - P. 611-613.

165. Reine M. B., Tredwell T. J. and Sood A. K. Photovoltaic infrared detectors// Semiconductors and Semimetals. 1981. - Vol. 18. - P. 201-311.

166. Rogalski A. Analysis of the RoA product in n+-p Hgi.xCdxTe photodiodes// Infrared Phys. 1988.-№28.-P. 139-150.

167. Migliorato P., Farrow R. F. C., Dean A. B. and Williams G. M. CdTe/HgCdTe indium-diffused photodiodes// Infrared Phys. 1982. - №22. - P. 331-336.

168. Pitcher P. G., Hemment P. L. F. and Davis Q. V. Formation of shallow photodiodes by implantation of boron into mercury cadmium telluride// Electron. Lett. 1982. - №18. -P.1090-1092.

169. Marcantonio U. D., Marinelli M., Selleri S. and Zammit A. C. A. The realization of ion-implanted Hgi.xCdxTe photovoltaic arrays// Infrared Phys. 1984. - №24. - P. 499-504.

170. Baker M. and Ballingall R. A. Photovoltaic CdHgTe silicon hybrid focal planes// Proc. SPIE.- 1984.-№510.-P. 121-129.

171. Dennis P. N. J. and Dann R. Staring arrays the future lightweight imagers// Proc. SPIE. - 1985. - №572. - P. 22-27.

172. Koch L., De Loo J. H., Kalisher M. H. and Phillips J. D. Monolithic n-channel HgCdTelinear imaging arrays// IEEE Trans. Electr. Dev. 1985. - №ED-32. - P. 1592-1598.

173. Shin S. H., Gertner E. R., Pasko J. G. and Tennant W. E. Isothermal vapor-phase epitaxy of Hgi.xCdxTe on CdTe and A1203 substrates// J. Appl. Phys. 1985. - №57. - P. 4721-4726.

174. Gertner E. R., Shin S. H., Edwall D. D., Bubulac L. O., Lo D. S. and Tennant W. E. High-performance photovoltaic infrared devices in Hgi.xCdxTe on GaAs// Appl. Phys. Lett. -1985.-№46.-P. 851-852.

175. Balcerak R., Gibson J. F., Gutierrez W. A. and Pollard J. H. Evolution of a new semiconductor product: mercury cadmium telluride focal plane arrays// Opt. Eng. 1987. -№24.-P. 191-200.

176. Kay R., Bean R., Zanio K., Ito C. and Mclntyre D. HgCdTe photovoltaic detectors on Si substrates// J. Appl. Phys. 1987. - №51. - P. 2211-2212.

177. Piotrowski J., Nowak Z., Grudzien M., Galus W., Adamiec K., Djuric Z., Jovic V. and Djinovic Z. High capability, quasi-closed growth system for isothermal vapor phase epitaxy of (Hg,Cd)Te// Thin Solid Films. 1988. - №161. - P. 157-169.

178. Destefanis G. L., Boch R. and Roussille R. Electrical and optical properties of ion implanted Hgi.xCdxTe /CdTe epilayers// J. Cryst. Growth 1982. - №59. - P. 270-273.

179. Tse Tung. Infinite-melt vertical liquid-phase epitaxy of HgCdTe from Hg solutions: Status and prospects// J. Cryst. Growth. 1987. - №86. - P. 161-172.

180. Omaggio J. P. Analysis of dark current in IR detectors on thinned p-type HgCdTe// IEEE Trans. Electr. Dev. 1990. - №37. - P. 141-152.

181. Arias J. M., Shin S. H., Pasko J. G. and Gertner E. R. Infrared photodiodes fabricated with Hgi.xCdxTe grown by molecular beam epitaxy// Appl. Phys. Lett.-1988.-№52 P.39-41.

182. Byrne C. F. and Knowles P. Infrared photodiodes formed in mercury cadmium telluride grown by MOCVD// Semicond. Sci. Technol. 1988,- №3. - P. 377-381.

183. Tennant W. E., Kozlowski L. J., Bubulac L. O., Gertner E. R. and Vural K. Advanced materials techniques for large HgCdTe focal plane arrays// Fourth Int. Conf. on Advanced Infrared Detectors and Systems. 1990. - P. 15-19.

184. Smith L. M., Byrne C. F., Patel D., Knowles P., Thompson J., Jenkin G. T., Duy T. N., Durand A. and Bourdillot M. The grown CdHgTe on GaAs and fabrication of high-quality photodiodes// J. Vac. Sci. Technol. 1990. - №A8. - P. 1078-1084.

185. Bubulac L. О., Edwall D. D., McConnel D., DeWames R. E., Blazejewski E. R. and Gertner E. R. P-on-n activated junction in LWIR HgCdTe/GaAs// Semicond. Sei. Technol. -1990. №5. -P. S45-S48.

186. Zanio K. and Kay K. Modeling of HgCdTe heterojunction devices// Mat. Res. Soc. Proc.- 1987. -№90.-P. 39-46.

187. Zanio K. R. and Bean R. C. HgCdTe photovoltaic detectors on Si substrates// Proc. SPIE.- 1988.-№930.-P. 44-55.

188. Behrendt R., Herrmann К. H. and Moellmann K. P. The product RoA versus cutoff wavelength for PbSnTe and HgCdTe photodiodes// Infrared Phys. 1989. - №29. - P. 965969.

189. Tennant W.E. HgCdTe mid-wavelength infrared (MWIR) epitaxial mosaics for tactical applications// Proc. SPIE. -1981. №267. - P. 18-22.

190. Kajihara N., Sudo G., Miyamoto Y. and Tonikawa K. Silicon nitride passivant for HgCdTe n+-p diodes// J. Electron. Soc. 1988. - №135. - P. 1252-1255.

191. Kim M. E., TaurY., Shin S. H., Bostrup G., Kim J. C. and Cheung D. T. Charge-coupled devices in epitaxial HgCdTe/CdTe structure// Appl. Phys. Lett. 1981. - №39. - P. 336-339.

192. Lockwood A. H., Corralejo R. J., Kalisher M. H., Lanir M., Lauchs M. L., Norton Т. M., Riley K. J. and Toman J. R. Photovoltaic HgCdTe hybrid performance// Opt. Eng. 1983. -№22. - P. 505-506.

193. Chow K., Rode J. P., Seib D. H. and Blackwell J. Hybrid infrared focal-plane arrays// IEEE Trans. Electr. Dev. 1982. - №ED-29. - P. 3-13.

194. Scribner D.A., Kruer M.R., Gridley J.C. et al. Physical limitations to nonuniformity correction in IR focal plane arrays // Proc. SPIE. 1987. - Vol. 865. - P. 182-202.

195. Scribner D.A., Sarcady K.A., Caulfield Y.T. et al. // Nonuniformity correction for staring IR focal plane arrays // Proc. SPIE. 1990. - Vol. 1308. - P. 224-238.1. Литература no 1999 r.

196. Gordon N. T. Design of Hgi.xCdxTe infrared detector arrays using optical immersion with microlenses to achieve a higher operation temperature// Semicond. Sei. Technol. 1991.- №5. P. 106-109.

197. Balcerak R. and Brown L. Mercury cadmium telluride material requirements for infrared systems// J. Vac. Sei. Technol. 1991. - №B 10. - P. 1353-1358.

198. Tennant E., Cocrum C. A., Gilpin J. В., Kinch M. A., Reine M. E. and Ruth R. P. Key issues in HgCdTe focal planes: An industrial perspective// J. Vac. Sei. Technol. 1991.1. B10. P. 1359-1369.

199. Sher A., Berding M. A., Schlifgaarde M. and An-Ban Chen. HgCdTe status review with emphasis on correlations, native defects and diffusion// Semicond. Sci. Technol. 1991. -№6.- P. 59-70.

200. Capper P. A review of impurity behavior in bulk and epitaxial Hgi.xCdxTe// J.Vac. Sci. Technol. 1991. -№B9. - P. 1667-1686.

201. Vydyanath H. R. Donor and acceptor dopants in Hgi.xCdxTe alloys// J. Vac. Sci. Technol. 1991. - №B9. - P. 1716-1723.

202. Littler C. L., Maldonado E., Song X. N. You Z., Elkind J. L., Seller D. G. and Lowney J. R. Investigation of mercury interstitials in HgixCdxTe alloys using resonant impact-ionization spectroscopy// J. Vac. Sci. Technol. 1991. - №B9. - P. 1466-1470.

203. Ashly T. and Elliott C.T. Operation and properties of narrow-gap semiconductor devices near room temperature using non-equilibrium techniques// Semicond. Sci. Technol. 1991. -№8.-P. 99-105.

204. Lowney J. R., Seller D. G., Littler C. L. and Yoon I. T. Intrinsic carrier concentration of narrow gap mercury cadmium telluride// J. Appl. Phys. 1992. - №71. - P.1253-1258.

205. Kozlowski L. J., Bailey R. B., Cabelli S. C., Cooper D. E., McComas G., Vural K. and TennantW. E. 640x480 PACE HgCdTe FPA//Proc. SPIE- 1992. №1735 - P. 163-173.

206. Tung T., DeArmond L. V., Herald R. F., Heraing P. E., Kalisher M. H„ Olson D. A., Risser R. F., Stevens A. P. and Tighe S. J. State of the an of Hg-melt LPE HgCdTe at Santa Barbara Research Center// Proc. SPIE 1992. - №1735. - P. 109-131.

207. Irvine J. C. Recent development in MOCVD of Hgi.xCdxTe// Proc. SPIE 1992. -№1735.-P. 92-99.

208. Melendez I. L. and Helms C. R. Process modeling of point defect effects in Hgi.xCdxTe// J. Electron. Mater. 1993. - №22. - P. 999-1004.

209. Lopez V. C., Syllaios A. J. and Chen M. C. Minority carrier lifetime in mercury cadmium telluride// Semicond. Sci. Technol. 1993. - №8. - P. 824-841.

210. Elliott C. T. and Gordon N. T. Infrared Detectors// Handbook on Semiconductors. -1993.-Vol. 4.-P. 841-936.

211. Price S. L. and Boyd P. R. Overview of compositional measurements techniques for Hgi„xCdxTe with emphasis on IR transmission, energy dispersive X-ray analysis and optical reflectance// Semicond. Sci. Technol. 1993. - №8. - P. 842-859.

212. Triboulet R., Tromson-Carli A., Lorans D. and Nguyen Duy T. Substrate issues for the growth of mercury cadmium telluride// J. Electron. Mater. 1993. №22. - P.827-834.

213. Destefanis G. and Chamonal J. P. Large improvement in HgCdTe photovoltaic detector performances at LETI// J. Electron. Mater. 1993. - №22. - P. 1027-1032.

214. Wu O. K. Status of HgCdTe MBE technology for IRFPA// Proc. SPIE 1994. - №2021. - P. 79-89.

215. Lowney J. R., Seller D. G., Thurber W. R., Yu Z., Song X. N.'and Littler C. L. Heavily accumulated surfaces of mercury cadmium telluride detectors: Theory and experiment// J. Electron. Mater. 1993. - №22. - P. 985-991.

216. Duy T. N. and Lorans D. Highlights of recent results on HgCdTe thin filh photoconductors// Semicond. Sci. Technol. 1991. - №6. - P. 93-95.

217. Yuan S., Li He J., Yu J., Yu M., Qiao Y. and Zhu J. Infrared photoconductor fabricated with a molecular beam epitaxially grown CdTe/HgCdTe heterostructure// Appl. Phys. Lett. -1991.-№58.-P. 914-916.

218. Elkind J. L. Ion mill damage in n-HgCdTe// J. Vac. Sci. Technol. 1992. - №B10. -P.1460-1465.

219. Weiss E. and Helms C. R. Composition, growth mechanism, and stability of anodic fluoride films on Hgi.xCdxTe// J. Vac. Sci. Technol. 1991. - №B9. - P. 1879-1885.

220. Sarusi G., Cinader G., Zemel A. and Eger D. Application of CdTe epitaxial layers for passivation of p-type Hgo^Cdo^Te// J. Appl. Phys. 1992. - №71. - P. 5070-5076.

221. Davis A. P. Effect of high signal photon fluxes on the responsivity of SPRITE detectors// Infrared Phys. 1992. - №33. - P. 301-305.

222. Davis A. P. and White A. M. Residual noise in Auger suppressed photodiodes// Infrared Phys. 1991. - №31. - P. 73-79.

223. Piotrowski J. Recent advances in IR detector technology// Microelectr. J. 1992. - №23. -P. 305-313.

224. Zhang X. C., Lei S. Q., Wu C. S., Li W., Xue N. P. and Huang C. C. Fabrication of n+-InSb/p-Hgi.xCdxTe heterojunction infrared detectors// Infrared Phys. 1991. - №31. - P. 579582.

225. Rutkowski J., Rogalski A., Piotrowski J. and Pawluczyk J. Arsenic diffused p+-n HgCdTe photodiodes//Proc. SPIE 1992. - №1845. - P. 171-175.

226. Bailey R. B., Kozlowski L. J., Chen J., Bui D. Q., Vural K., Edwall D. D„ Gil R. V., Vanderwyck A. B., Gertner E. R. and Gubala M. B. 256x256 hybrid HgCdTe infrared focal plane arrays// IEEE Trans. Electr. Dev. 1991. - №38. - P. 1104-1109.

227. Scribner D. A., Kruer M. R. and Kiliany J. M. Infrared focal plane array technology// Proc. IEEE. 1991. - №79. - P. 66-84.

228. Destefanis G. L. HgCdTe infrared diode arrays// Semicond. Sci. Technol. 1991. - №6. - P. 88-92.

229. Wang C. C. Mercury cadmium telluride junctions grown by liquid phase epitaxy// J. Vac. Sci. Technol. 1991. - №B9. - P. 1740-1745.

230. Bubulac L; O. Ion implantation and diffusion for electrical junction formation in CdHgTe// Proc. SPIE. 1991. - №1484. - P. 67-71.

231. Chamonal J. P., Lucas C., Bouchut P., Blachier D., Angebault P. Recent developments on 12.5 jim infrared detection buttable linear arrays// Proc. SPIE 992,- №1685.- P. 205-211.

232. Chatard J. P., Angebault P., Tribolet P. SOFRADIR IRFPA technology// Proc. SPIE. -№1735.-P. 62-69.

233. Ziegler J., Bruder M., Wendler J. and Maier H. Second generation-FPA's with MCT sensor arrays in hybrid approach// Proc. SPIE. 1992. - №1735. - P. 151-161.

234. Wu O. K. and Kamath S. An overview of HgCdTe MBE technology// Semicond. Sci. Technol. 1991. - №6. - P. 6-9.

235. Koestner R. J., Goodwin M. W. and Schaake H. F. Improved breakdown voltage in molecular beam epitaxy HgCdTe heterostructures// J. Vac. Sci. Technol. 1991. - №B9. -P.1731-1737.

236. Arias J. M., Zandian M., Williams G. M., Blazejewski E. R., DeWames R. E. and Pasko J. G. HgCdTe dual-band infrared photodiodes grown by molecular beam epitaxy// J. Appl. Phys. 1991. - №70. - P. 4620-4622.

237. Myers T. H, Harris K. A., Yanka R. W., Mohnkern L. M. and Williams R. J. Dopant diffusion in HgCdTe grown by photon assisted molecular-beam epitaxy// J. Vac. Sci. Technol. 1992. - №B10. - P. 1438-1443.

238. Faurie J. P., Sivananthan S. and Wijewamasuriya P. S. Current status of the growth of HgCdTe by molecular beam epitaxy on (211)B CdZnTe substrates// Proc. SPIE. 1992. -№1735.-P. 141-149.

239. Arias J. M., Pasko J. G., Zandian M., Shin S. H., Williams G. M., Bubulac L. O.,

240. DeWames R. E. and Tennant W. E. MBE HgCdTe heterostructure p-on-n planar infrared photodiodes// J. Electron. Mater. 1993. - №22. - P. 1049-1053.

241. Shin S. H., Arias J. M., Zandian M., Pasko J. G., Bubulac L. O. and DeWames R. E. Annealing effect on the p-type carrier concentration in low-temperature processed arsenic-doped HgCdTe// J. Electron. Mater. 1993. - №22. - P. 1039-1047.

242. Shin S. H., Arias J. M., Edwall D. D., Zandian M., Pasko J. G. and DeWames R. E. Dislocation reduction in HgCdTe on GaAs and Si// J. Vac. Sci. Technol. 1992. - №B10. - P. 1492-1498.

243. Ghandhi K., Parat K. K., Ehsani H. and Bhat I. B. High quality planar HgCdTe photodiodes fabricated by the organometallic epitaxy (Direct Alloy Growth Process)// Appl. Phys. Lett. 1991. - №58. - P. 828-830.

244. Parat K. K., Ehsani H., Bhat I. B. and Ghandhi S. K. Selective annealing for the planar processing of HgCdTe devices// J. Vac. Sci. Technol. 1991. - №B9. - P. 1625-1629.

245. DeWames E., Arias J. M., Kozlowski L. J. and Williams G. M. An assessment of HgCdTe and GaAs/GaAlAs technologies for LWIR infrared imagers// SPIE Proc. 1992. -№1735.-P. 2-16.

246. Koestner R., Lopes V., Korenstein R., Oguz S., Kreismanis V., Ehsani H. and Bhat I. Reduced metal-insulator semiconductor tunneling in metalorganic chemical vapor deposition HgCdTe(lll)Te films// J. Vac. Sci. Technol. 1992. - №B10. - P. 1643-1650.

247. Mitra P., Schimert T. R., Case F. C. and Tyan Y. L. Iodine doping and MOCVD in-situ growth of HgCdTe p-on-n heterojunctions// Proc. SPIE. 1994. - №2228. - P. 96-105.

248. Rosenfeld D. and Bahir 'G. A model for the trap-assisted tunneling mechanism in diffused n-p and implanted n4-p HgCdTe photodiodes// IEEE Trans. Electr. Dev. 1992. -№31. - P. 1638-1644.

249. Nemirovsky Y. and Unikovsky A. Tunneling and 1/f noise currents in HgCdTe photodiodes// J. Vac. Sci. Technol. 1992. - №B10. - P. 1602-1610.

250. Schiebel R. A., BlanksD., Bartholomew D. and Kinch M. A. Evidence for 1/f noise in diffusion current due to insulator trapping and surface recombination velocity fluctuations// J. Electron. Mater. 1993. - №22. - P. 1081-1085.

251. List R. S. Formation and electrical effects of process induced dislocations in HgCdTe// J. Vac. Sci. Technol. 1992. - №B10. - P. 1651-1657.

252. Castro C. A. Review of key trends in HgCdTe materials for IR focal plane arrays// Proc. SPIE. 1993.-№2021.-P. 2-9.

253. Williams G. M., DeWames R. E., Bajaj J. and Blazejeski E. R. Photo-induced excesslow frequency noise in HgCdTe photodiodes// J. Electron. Mat. 1993. - №22. - P. 931-942.

254. Norton P. R. Infrared image sensors// Opt. Eng. 1991. - №30. - P. 1649-1663.

255. Awamoto K., Ito Y., Ishizaki H. and Yoshida Y. Resolution improvement for HgCdTe IRCCD// Proc. SPIE. 1992. - №1685. - P. 213-219.

256. Yuan H. and Tong F. Investigation of surface-related electrical crosstalk in Hgi.xCdxTe pholodiode arrays// Proc. SPIE. 1992. - №1735. - P. 101-107.

257. Yang W. Long wavelength monolithic mercury cadmium telluride infrared focal plane array// Proc. SPIE. 1992. - №1685. - P. 221-227.

258. Kozlowski L. J., Bailey R. and Vural K. 640x480 HgCdTe MWIR FPA// Proc. SPIE. -1993.-№2020. 432-439.

259. Rogalski A. New Ternary Alloy Systems for Infrared Detectors// SPIE Optical Engineering Press, Bellingham. 1994.

260. Chen А. В., van Schlifgaarde M. and Sher A. Comparison of Ini.xTlxSb and Hgi.xCdxTe as long wavelength infrared materials// J. Electron. Mater. 1993. - №22. - P. 843-846.

261. Chatard J.R. Sofradir MCT IRFPA new developments// Proc. SPIE. 1992. - V. 2552. -P.767-773.

262. Arthurs C.P. Long linear arrays with time delay integration and element desection// Proc. SPIE. 1997. - V. 3061. - P. 476-483.

263. Хряпов В.Т., Пономаренко В.П., Буткевич В.Г., Таубкин И.И., Стафеев В.И., Попов С.А., Осипов В.В. Пороговые фотоприемники и матрицы ИК диапазона// Оптич. журнал. 1992. - № 12. - С. 33-44.

264. Kanno Т., Wada H., Nagashima M., Wakagama H., Awamoto К., Kajihara N., Ito Т., Nakamura M. A 256x256 Element HgCdTe Hybrid IRFPA for 8-10 цт Band// Proc. SPIE. -1995.-V. 2552.-P. 384-391.

265. Ajisawa A., Oda N. Improvement in CdHgTe Diode Characteristics by Low Temperature Post-Implantation Annealing// Journal of Electronic Materials. 1995. - V. 24. -P. 1105-1111.

266. Rogalsky A. GaAs/AlGaAs Quantum Well Photoconductors Versus HgCdTe Photodiodes for Long Wavelength Infrared Applications// Proc. SPIE. 1994. - V. 2225. - P. 118-129.

267. Wadsworth M.V., Borell S.R., Dodge J., Gooch R., McCardel W., Nado G., Shilhanek M.D. Monolithic CCD in CdHgTe// IEEE Transaction on electron devices. 1995. - V. 42. -P. 244-250.

268. Hanson C., Beratan H., Owen R., Corbin M. and McKenney S. Uncooled thermal imaging at Texas Inctruments// SPIE. 1992. - Vol. 1735. - P. 17-26.

269. Malyarov V.G., Khrebtov I.A., Kulikov Yu.V., Shaganov 1.1., Zerov V.Yu. Comparative investigations of bolometric properties of thin-film on vanadium dioxide and amorphous hydrated silicon// SPIE. 1999. - Vol. 3819. - P. 136-142.

270. Khrebtov I.A. and Malyarov V.G. Uncooled thermal IR detector arrays// J.Opt.Technol. -1997.-Vol. 64, №6. -P. 511-522.

271. Jerominek H., Picard F., Swart N.R., Renaud M., Levesque M., Lehoux M., Castonguay J.-S., Pelletier M., Bilodeau G., Audet D., Pope T.D., Lambert P. Micromachined, uncooled, V02-based, IR bolometer arrays// SPIE. 1996. - Vol. 2746. - P. 60-71.

272. Liddiard K.C. Status of uncooled focal plane detector arrays for smart IR sensors// SPIE. 1996.-Vol. 2746.-P. 72-79.

273. Herring R.J., Howard P.E. Design and performance of the ULTRA 320x240 uncooled focal plane arrays and sensor// SPIE. 1996. - Vol. 2746. - P. 2-12.

274. Radford W., Wyles R., Wyles J., Varesi J., Ray M., Murphy D., Kennedy A., Finch A., Moody E., Cheung F., Coda R. and Baur S. Microbolometer Uncooled Infrared Camera With 20 mKNETD// SPIE. 1998. - Vol. 3436. - P. 636-646.

275. Howard P.E., Han C.J., Clarke J.E., Stevens J.C., Ely P. and Fitzgibbons E.T. Advances in Microbolometer Focal Plane Technology at Boeing// SPIE. 1998. - Vol. 3379. - P. 47-57.

276. Таубкин И.И., Тришенков M.A. Минимальная пороговая разность температур, обнаруживаемая тепловизионным методом// Оптический журнал.-1993.- №5. С. 20-23.

277. Taubkin I.I., Trishenkov М.А., Vasilchenko N.V. Minimum Temperature difference detected by the thermal radiation of objects// Infrared Phys. Technol. 1994. - Vol. 35, № 5. -P. 715-732.

278. Taubkin 1.1., Trishenkov M.A. Teoretically limited temperature sensivity of thermal detectors with restricted spectral range// SPIE. 1994. - Vol. 2225. - P. 97-108.

279. Таубкин И.И., Тришенков M.A. Сравнительная оценка информационной емкости зрения и тепловидения в условиях теплового баланса Земли. I. Зрение// Оптический журнал.- 1995,-№4.-С. 11-18.

280. Таубкин И.И., Тришенков М.А. Сравнительная оценка информационной емкости зрения и тепловидения в условиях теплового баланса Земли. II. Тепловидение// Оптический журнал. 1995. - №5. - С. 41-49.

281. Таубкин И.И., Тришенков М.А. Предельные чувствительность и информативность тепловизоров и других оптико-электронных преобразователей изображения// Оптический журнал. 1996. - №6. - С. 18-41.

282. Taubkin I.I., Trishenkov М.А. Information capacitance of the electronic imagers// Infrared Phys. Technol. 1995.

283. Kozlowski L.J., Bailey R., Cabelli S.C., Cooper D.E., McComas G., Vural K., Tennant W.E. 640x480 PACE HgCdTe FPA//Proc. SPIE. 1992. - Vol. 1735. - P. 163-174.

284. Wood R.A. Uncooled thermal imaging with monolithic silicon focal planes//. SPIE. -1993. Vol. 2020. - P. 322-329.

285. Ерофейчев В.Г. Инфракрасные фокальные матрицы// Оптический журнал. 1995. -№5.-С. 1-15.

286. Ерофейчев В.Г. Инфракрасные фокальные матрицы// Оптический журнал. 1996. -№6.-С. 4-17.

287. Хребтов И.А., Маляров В.Г. Неохлаждаемые тепловые матричные приемники ИК излучения// Оптический журнал. 1997. - Т. 64. - С. 3-17.

288. Савицкий В.Г., Соколовский Б.С. О фотоэлектронном усилении варизонными фоторезисторами// ФТП. 1997. - Т. 31. - №1. - С. 3-5.

289. Norkus V., Plehnert С. et al. Pyroelectric multispectral detectors and their applications// Proc. SPIE. 1994. - Vol. 2225. - P. 87-96.

290. Levine B.F., Bethea C.G., Stayt J.W. Long Wavelength GaAs/AlxGai.xAs Quantum Well Infrared Photodetectors (QWIP)// Proc. SPIE. 1991. - Vol. 1540. - P. 232-237.

291. Levine B.F. Quantum Well Infrared Photodetectors// J. Appl. Phys. 1993. - Vol. 74, №8. - P. R1-R81.

292. Levine B.F., Zussman A., Kuo J.M., J. de Long 19 |im cutoff long wavelength GaAs/AlxGai.xAs quantum well infrared photodetectors// J. Appl. Phys. 1992. - Vol. 71, №10.-P. 5130-5135.

293. Faska T.S., Beck W.A., Little J.W. Staring LWIR МВТ Quantum Well Sensor Performance Using the Commersial Infrared Iwag IR Camera System// Proc. SPIE. 1993. -V. 1969.-P. 226-244.

294. Sarusi G., Gunapala S.D., Park J.S. 15 (am cut-off 128x128 quantum well infrared photodetectors (QWIP) camera// Proc. SPIE. 1995. - V. 2552. - P. 467-475.

295. Wood R.A., Foss N.A. Micromashined bolometer arrays achieve low-cost imaging// Laser Focus World. Vol. 29, №6. - P. 101-106.

296. Бовина JI.А., Бурлаков И.Д., Ильин Я.К., Климатов Е.А., Мансветов Н.Г., Соляков В.Н., Стафеев В.И., Тимофеев А.А. Многорядные фокальные матрицы из КРТ для спектральных областей 3-5 и 8-11 мкм// Оптич. журнал. 1996. - Т. 63, №6. - С. 466-470.

297. Бовина JI.A., Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Климанов Е.А., Патрашин А.И., Сагинов Л.Д., Стафеев В.И., Тимофеев А.А. Фокальные матрицы на фотодиодах КРТ для 3-5 и 8-12 мкм// Оптич. журнал. 1996. - Т. 63, №6. - С. 478-481.

298. Головин С.В., Бовина J1.A., Болтарь К.О., Стафеев В.И. Свойства эпитаксиальных слоев CdxHgi.xTe, выращенных из паровой фазы в полузамкнутой системе// Оптический журнал. 1996. - Т. 63, № 6. - С. 462-463.

299. Бовина JI.A., Болтарь К.О., Сатинов Л.Д., Соляков В.Н., Стафеев В.И., Петров И.Н. Отрицательная .проводимость в КРТ фотодиодах// Материалы по физике полупроводников. 1993. - Т. 1. - С. 133-135.

300. Bovina L.A., Bourlakov I.D., Ivanov V.Y., Golovin S.V., Mansvetov N.G., Soliakov V.N., Stafeev V.I. Linear HgCdTe scanning focal plane arrays with time delay and integration// Proc. SPIE. 1999. - V. 3819. - P. 2-8.

301. Bovina L.A., Boltar K.O., Bourlakov I.D., Golovin S.V., Ivanov V.Y., Saginov L.D., Stafeev V.I., Akimov V.M., Klimanov E.A., Lakeenkov V.M., Sidorov Yu. G. 128x128 and 384x288 HgCdTe staring focal plane arrays// Proc. SPIE. 1999. - V. 3819. - P. 9-15.

302. Boltar K.O., Stafeev V.I., Mansvetov N.G., Iakovleva N.I. Grosstalk investigations in HgCdTe staring focal plane arrays// Proc. SPIE. 1999. - V. 3819. - P. 32-36.

303. Bovina L.A., Stafeev V.I. Mercury cadmium-telluride photodiodes and focal plane arrays// Proc. SPIE. 1999. - V. 3819. - P. 37-39.

304. Boltar K.O., Bovina L.A., Saginov L.D., Soliakov V.N., Stafeev V.I. Negative conductance in HgCdTe photodiodes// Proc. SPIE. 1999. - V. 3819. - P. 46-48.

305. Bovina L.A., Boltar K.O., Stafeev V.I., Lakeenkov V.M., Loschinina M.A HgCdTe photodiode performance degradation// Proc. SPIE. 1999. - V. 3819. - P. 73-75.

306. Lakeenkov V.M., Shmatov N.I., Schelkin Yu. F. Recent achievment in the growth of large-size Hgi.xCdxTe single crystals with homogeneous properties// Proc. SPIE. 1999. - V. 3819.-P.150-160.

307. Boltar K.O., Bovina L.A., Saginov L.D., Stafeev V.I., Gibin I.S., Maleev V.M. IR imager based on a 128x128 HgCdTe staring focal plane arrays// Proc. SPIE. 1999. - V. 3819. -P.92-95.