автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Моделирование и исследование биполярнополевых структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением N-типа и приборов на их основе

Список используемых сокращений

Введение б

1. Основные типы и свойства биполярно-полевых полупроводниковых структур и приборов.

1.1. Современные силовые биполярно-полевые структуры (БПС) с монолитным и гибридным уровнями интеграции.

1.2. Приборы с ОДС N-типа на основе р-n переходов и однородных материалов.

1.3. Биполярно-полевые приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

1.4. Усилительные биполярно-полевые приборы с оптимизированными характеристиками.

Выводы, постановка задачи.

2. Моделирование и исследование полупроводниковых МДП-биполярных структур с N-образной вольт-амперной характеристикой и приборов на их основе.

2.1. МДП-биполярные структуры с отрицательным дифференциальным сопротивлением N-типа и принципы их работы.

2.2. Физико-топологическое моделирование

МДП-биполярных структур.

2.3. Схемотехническое моделирование характеристик планарно-диффузионных МДП-биполярных приборов с ОДС N-типа.

2.4. Исследование и оптимизация обратной связи в МДП-биполярных структурах.

Выводы

3. Моделирование и исследование приборов с N-образной вольт-амперной характеристикой на основе биполярных транзисторов.

3.1. Принципы построения и функционирования приборов с ОДС N-типа на основе однотипных элементов.

3.2. Математическое моделирование приборов с ОДС

N-типа на основе БТ.

3.3. Схемотехническое моделирование приборов с ОДС N-типа на основе БТ.

3.4. Моделирование симметричных N-приборов на основе БТ.

3.5. Экспериментальное исследование макетных образцов N-приборов на основе БТ.

3.6. Изучение генерационного режима N-приборов.

3.7. Анализ возможности создания интегральных структур и рассмотрение промышленных образцов.

Выводы

4. Моделирование и исследование силовых приборов с N-образной вольт-амперной характеристикой на основе биполярно-полевых структур.

4.1. Основные принципы построение и функционирования силовых биполярно-полевых структур.

4.2. Биполярно-полевой прибор с участком ОДС N-типа на основе полевого элемента с управляющим р-n переходом.

4.3. Интегральные структуры мощных N-приборов.

4.4. Физико-топологическое моделирование интегральных полупроводниковых структур повышенной мощности.

Список используемых сокращений

БПС - биполярно-полевые структуры

БТ - биполярный транзистор

ВАХ - вольт-амперная характеристика

МДП - металл-диэлектрик-полупроводник

ОДС - отрицательное дифференциальное сопротивление

ОПЗ - область пространственного заряда

ОЭ - общий эмиттер

ТД - туннельный диод

В настоящее время полупроводниковые приборы, имеющие вольт-амперную характеристику (ВАХ) с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС) нашли широкое применение в средствах телекоммуникаций, устройствах преобразования и отображения информации, автоматики из-за значительного упрощения многих схемных решений, снижения массогабаритных параметров, повышения качества и надежности аппаратуры. Приборы с участком ОДС характеризуются наличием обратной положительной связи и в зависимости от ее вида (по напряжению или току) подразделяются на две группы. К первой группе относятся полупроводниковые приборы с S-образной ВАХ, неоднозначные по напряжению. Ко второй группе относятся приборы с N-образной ВАХ, неоднозначные по току. Биполярно-полевые приборы с ОДС обоих типов функционируют на одних и тех же физических принципах, и следовательно к их разработке моделированию и исследованию правомерно применять однотипную методологию. Вместе с тем, за исключением приборов СВЧ диапазона, полупроводниковые как биполярные, так и биполярно-полевые приборы с N-образной ВАХ остаются малоизученными. Современное состояние этой области характеризуется практически полным отсутствием силовых N-приборов, выполненных в одном кристалле. Также недостаточно изучены принципы схемотехнического построения приборов такого типа. В то же время такие приборы имею значительный потенциал в области силовой электроники с самозащитными функциями.

Развитие электроники и, прежде всего силовой электроники привело к появлению приборов, комбинирующих разнотипные элементы в одном полупроводниковом кристалле. Использование двух различных технологий -биполярной и униполярной позволило создать биполярно-полевые приборы (БСИТ, IGBT, SIT-тиристоры и т. д.), которые обладают преимуществами каждого из видов технологии.

Биполярно-полевые устройства в некоторых областях микроэлектроники фактически полностью вытесняют традиционные полупроводниковые элементы.

Так в области силовой электроники биполярно-полевые приборы занимают до 70% рынка. К биполярно-полевым приборам относятся такие элементы как IGBT транзисторы, БСИТ транзисторы, SIT тиристоры, N-транзисторы и другие.

Вопросам разработки, моделирования и исследования биполярно-полевых полупроводниковых приборов посвящено большое количество работ отечественных и зарубежных авторов. Огромный вклад в развитие физики биполярно-полевых приборов внесли такие ученые, как С.А. Гаряинов, В.И. Стафеев, В.Е. Галузо, Э.А. Матсон, В.В. Мельничук, Л.О. Чуа и др. В настоящее время практически решены основные вопросы теории известных биполярно-полевых приборов, касающиеся физическких процессов протекающих приработе данного вида устройств, принципа действия, свойств основных типов приборов, а также их применения в различных узлах электронной техники. Однако, появление новых полупроводниковых приборов данного типа, имеющих оригинальные многослойные структуры, вызывает огромный интерес у исследователей и производителей электронной аппаратуры и требует решения сложных теоретических и практических задач.

Наиболее распространенными двух- и трехэлектродными многослойными полупроводниковыми приборами со статическими ВАХ S-типа являются динисторы, тиристоры и симисторы. Основным физическим принципом функционирования этих приборов является лавинное умножение носителей заряда в результате ударной ионизации в сильном электрическом поле р-n переходов. Однако в последнее время получают все большее распространение биполярно-полевой аналог тиристора - SIT тиристор. Принцип действия этого прибора основан на рассасывания запирающей области пространственного заряда (ОПЗ) обратносмещенного р-n перехода и последующего лавинного пробоя этого участка. Использование принципов полевого управления в таких приборах позволяет значительно упростить схему управления и снизить мощность управляющего драйвера при фактически неограниченных возможностях повышения выходной мощности.

Выводы:

Таким образом, в данной главе реализованы математическая и схемотехническая модели биполярного N-прибора с трапецеидальной характеристикой на базе теории биполярных транзисторов, адекватность которых подтверждена экспериментом. Данные модели могут быть использованы при оценке и оптимизации его основных параметров. На основе предложенных схем реализуются автогенераторы с индукционной нагрузкой, что является одним из подтверждений наличия участка ОДС N-типа, а также открывает возможности их применения в индукционной технике. Симметричные приборы, описанные в данной главе, являются принципиально новым схемотехническим решением проблемы создания устройств с симметричной ВАХ с ОДС N-типа. Предложенные варианты интегрального исполнения вышеописанных приборов открывают перспективы к дальнейшей интеграции этого класса полупроводниковых приборов с другими устройствами электронной техники.

4. Моделирование и исследование силовых приборов с N-образной вольт-амперной характеристикой на основе биполярно-полевых структур.

4.1. Основные принципы построение и функционирования силовых биполярно-полевых структур.

Рассмотренные в первой главе принципы функционирования биполярно-полевых структур имеющих ВАХ с ОДС N-типа, в основной своей части справедливы и для силовых приборов аналогичного класса. В то же время существует ряд особенностей, которые необходимо учитывать при проектировании таких полупроводниковых структур.

Все силовые полупроводниковые приборы можно подразделить на четыре основных класса:

1. Приборы с повышенными значениями пробивных напряжений UKb, Икэ

2. Приборы с повышенными значениями Irmax, Iemax

3. Транзисторы с повышенным значением энергии вторичного пробоя.

4. Быстродействующие силовые полупроводниковые структуры. Каждый из этих классов приборов имеет свои конструктивные особенности, и сочетание в одной структуре свойств каждого из приборов, принадлежащих к указанным классам, создает значительные конструкторско-технологические проблемы, а также трудности экономического характера, связанные с пониженным процентом выхода годных приборов. Так создание высоковольтной структуры с повышенными токовыми параметрами требует увеличения эффективной площади радиатора и размера кристалла, что неизбежно приводит к росту стоимости прибора. Однако рассматривая, к примеру, семейство выходных характеристик прибора такого класса КТ8144 (рис. 4.1), несложно заметить, что существуют определенные участки характеристики, где прибор не используется или же используется малое время. К таким участкам относится области выходных характеристик справа от пунктирной линии, соответствующие большим напряжениям и токам. Использование прибора в этом режиме не представляется целесообразным вследствие больших энергетических потерь. Однако конструкция такой транзисторной структуры предполагает подобное. Встает актуальным вопрос о возможных вариантах изменения конструктивных особенностей таких приборов, оценка эффективности их создания и моделирование функционирования их в стандартных схемотехнических решениях. Изменение выходной транзисторной характеристики до N-образной возможно посредством создание цепи обратной связи, особенности которой описаны в общем случае в главе 2. Во второй главе описано исследование и моделирование такой полупроводниковой структуры на основе МДП-элемента. Однако существует возможность создание аналогичной цепи ОС и на основе других полевых полупроводниковых структур, например полевых элементов с управляющим р-n переходом. Методы создания таких приборов описаны в [94-99], однако экспериментальных данных по этой структуре не имеется.

4.2. Биполярно-полевой прибор с участком ОДС N-типа на основе полевого элемента с управляющим р-n переходом.

Среди маломощных полупроводниковых структур наибольшее развитие получили приборы с N-образной ВАХ, формируемой вследствие модуляции тока базы биполярного транзистора. Так, в работе [101] приведена трехэлектродная схема замещения N-прибора на основе биполярного транзистора с включенным в базовую цепь полевым транзистором с управляющим р-n переходом, затвор которого соединен с коллектором биполярного транзистора (рис. 4.2). Как было отмечено в главе 1, в такой схеме при возрастании напряжения коллектор эмиттер протекают два противоположно направленных процесса: увеличение коллекторного тока биполярного п-р-п транзистора Т2 и уменьшение тока насыщения коллектора за счет падения тока базы транзистора Т2, обусловленного уменьшением тока стока полевого транзистора Tj. При малых уровнях напряжения преобладает первый процесс, при больших - второй. При напряжениях максимума оба процесса уравновешивают друг друга. У такого N-прибора в схеме с общим эмиттером входная характеристика (зависимость тока базы 1б от напряжения база-эмиттер ибэ при постоянном токе коллектора) имеет область ОДС N-типа. Обозначения токов и напряжений приведены для электродов схемы N-прибора.

Рис. 4.1. Выходная вольтамперная характеристика биполярного транзистора КТ8144, граница области использования прибора (- - - -)

Рис.4.2. Схема замещения биполярно-полевого N-прибора

Рис.4.3. Выходная ВАХ схемы замещения Nприбора (-), результат схемотехнического моделирования (----)

Проведенное схемотехническое моделирование и экспериментальные выходные ВАХ получены на макетных образцах на основе мощного биполярного р-п-р транзистора КТ835 и полевого n-канального транзистора с управляющим р-п переходом типа КП307 на (рис. 4.3).Математическое моделирование этой схемы [] и основывается на решении системы уравнений Эберса-Молла и оригинального уравнения для тока канала полевого элемента при постоянном параметре Ucn~ напряжении сток исток. Решение данной системы для схемы с общим эмиттером имеет вид: где IS1 и IS2 - токи насыщения эмитгерного и коллекторного переходов; aN-коэффициент усиления в нормальном режиме работы; z, d0, lo - соответственно глубина, ширина и длина канала полевого элемента; Ud - диффузионный потенциал; UK3, Ug - напряжение коллектор-эмиттер и напряжение базы, 1э - ток эмиттера.

• Основными характеристиками N-приборов являются ток максимума 1тах и напряжение максимума Umax, а также ток утечки в закрытом состоянии - Imin и напряжение, соответствующее минимуму ВАХ -Um;n. Поэтому задача повышения мощности N-прибора сводится к максимизации Imax при минимизации Uraax с одновременным уменьшением Im;n и Umjn. Как показывает анализ выражения (4.1) и схемы на рис. 4.2, повышение значения тока максимума возможно, во-первых, за счет использования биполярного транзистора Т2 с максимально возможным коэффициентом усиления aN и, во-вторых, за счет уменьшения сопротивления канала RK полевого транзистора Ti в силу зависимости тока 1тах от величины приложенного напряжения ибэ- Для уменьшения напряжения Umax необходимо минимизировать напряжение насыщения коллектор-эмиттер биполярного

4.1) транзистора. Снижение Umin возможно достич за счет выбора полевого транзистора с минимальным возможным напряжением отсечки на затворе U3. При этом, величина тока Imin будет определяться током утечки обратносмещенного коллекторного перехода биполярного транзистора. Кроме того, для устранения вторичной положительной ветви на ВАХ N-прибора необходимо использовать биполярный транзистор с максимально возможным напряжением пробоя коллекторного перехода.

Реализация изложенных условий в рамках схемотехнического метода возможна следующими способами:

1. Параллельное включение двух (и более) биполярных транзисторов. При этом . происходит увеличение тока максимума Imax и тока минимума Imin приблизительно в число раз, равное числу параллельно включенных транзисторов при неизменных напряжениях минимума и максимума.

2. Для увеличения крутизны низкоомной восходящей ветви ВАХ N-прибора и тока максимума можно использовать шунтирование полевого транзистора дополнительным полевым транзистором. За счет увеличения общей ширины канала (уменьшения сопротивления) такое схемотехническое решение позволяет снизить значения управляющего базового напряжения, что особенно важно при реализации ограничителей тока

Значения тока максимума N-прибора в зависимости от числа параллельно включенных биполярных и полевых транзисторов (КПЗ 07, КТ835), полученные с помощью пакета Design Lab 8.0, представлены в таблице 4.1.

Заключение

Основным итогом диссертации является решение задачи моделировании^ исследования полупроводниковых структур с N-образными ВАХ и приборов на : основе, имеющей важное значение для физики и техники полупроводниковь. приборов.

При проведении исследований и разработок по теме диссертации получе следующие основные теоретические и практические результаты:

1. Предложены два варианта МДП-биполярных структур с N-образной ВАХ с управлением в первом варианте базовым напряжением, во втором- током базы, позволяющие сократить площадь кристалла за счет интегрирования МДП-элемента в базовую область кристалла и осуществлено их физико-топологическое моделирование.

2. Предложены МДП-биполярные структуры с вертикальным каналом с дифференцированной толщиной подзатворного диэлектрика, реализующие N-образную ВАХ с несколькими участками ОДС и экспериментально исследованы эквивалентные схемы замещения таких структур на основе каскадного включения МДП-транзисторов с различным напряжением отсечки, адекватно описывающие работу таких структур.

3. Предложены МДП-биполярные и биполярные приборы с симметричной N-образной ВАХ, выполнено их схемотехническое моделирование и экспериментальное исследование, подтверждающее возможность создания таких приборов в интегральном варианте.

4. Предложены два варианта схемотехнической реализации N-приборов: на основе биполярных транзисторов с комплементарным включением силовы: п-p-n и р-п-р транзисторов и с шунтированием базо-эмиттерного перехода коллектор-эмиттерным участком второго однотипного транзистора. Разработана математическая модель биполярного прибора с N-образной ВАХ, работающего на основе метода шунтирования базо-эмиттерного участка и управляемого базовым током. Предложены интегральные варианты данных приборов и реализован в серийном производстве транзистор с защитой от перенапряжений с выходным током 25 А на основе гибридной технологии. 5. Предложен биполярно-полевой N-прибор повышенной мощности с управляющим р-n переходом совместимый с технологией силовых биполярных транзисторов, с низколегированной областью в базе, с уменьшенными значениями тока минимума N-характеристики, отсутствием вторичной положительной ветви и проведено его физико-топологическое моделирование.

Основные положения диссертационной работы были доложены на: 3-й Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения" (Новосибирск, 1996); 3-й Международной конференции "Распознавание-97" (Курск, 1997); Межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика"(Москва, 1998), 5-й всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 1998), 6-й всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 1999), Международном научно-техническом симпозиуме "Надежность и качество" (Пенза, 2000), 7-й всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 2000), на научных семинарах кафедр микроэлектроники и физики и технологии интегральных микросхем Ульяновского государственного университета.

Дальнейшие исследования по теме диссертации могут быть направлены на проведение более подробного (трехмерного) анализа процессов, протекающих в приборах с ВАХ N-типа и их физико-топологического моделирования, а также на реализацию новых вариантов структур с N-образной ВАХ и приборов на их основе различного уровня мощности.

140

1. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов/ пер. с англ. Под ред. И.В. Грехова. - Л:Энергоатомиздат. - 1986 - 248 с.

2. Балига Б.Д. Эволюция техники силовых МОП-биполярных полупроводниковых приборов.// Электронная техника в автоматике. -1982. -№13. с.284-292.

3. Афонин JI.H., Мязель Е.З. Мощные высоковольные биполярные транзисторы// Электронная техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. -1983. Вып. 3 (160).-с.22-29.

4. Пасынков В. В., Чиркин JI. К., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы.-М.: Высшая школа, -1973. -398 с.

5. Гордецкий А. Ф., Кравченко А.Ф. Полупроводниковые приборы. -М.: Высшая школа, -1967. -347 с.

6. Hower P. L., Reddi V. G. К. Avalanche injection and second breackdown in transistors // IEEE transactions.- 1970,- V.ed.-17.- № 4,- p.320-335.

7. El switchmode III de Motorola ampliada hasta 1500 voltios // Mundj electronico.-1986.-№ 158.-p.115.

8. Eberihart R. Switching of large current with small switchmode power transistors // IEEE Int. Semiconductor Power Convertion Conference Proceedings, Orlando, USA.-1982.- p.57-65.

9. Jovanovic M. N., Lee F. C. Design considerations for paralleling bipolar transistors // IEEE Trans. Power Electron. 1982. - V.2. -№4. - p. 326-336.

10. Высокочастотные транзисторные преобразователи/ Э.М. Ромаш, Ю.И. Драбович, Н.Н. Юрченко, П.Н. Шевченко. М.:Радио и связь, 1988. -288 с.

11. И. Blackburn D. L. Turn-off failure of power MOSFETs // PESC'85. Toulouse. 1985,- New York, N.Y., 1985,- p.429.

12. Pelly B. R. Power MOSFETs a status review // Motorolla Semiconductor Products Ins.-1993.

13. Power Transistor and MOSFET applications // Motorolla Semiconductor Products Ins.-1993.

14. Glogolja M., Kerr J. Switching more than 1000 V with SIPMOS transistors //Siemens Components.- 1996.-v.21 .-№4.-p. 132-136.

15. Севернз P. Новые достижения в области мощных МОП-транзисторов// Электроника (США). -1980. №12. - С.52-65.

16. Tihanyi J. Protection of power MOSFETs from transient overvoltages // Siemens Forsch.-u. Entwickl.-1995.-V.14.-№2.-p.56-61.

17. Chen D.Y., Chin S. Design consideration for FET gated power transistors // IEEE transactions.- 1984.- V.ed.-31.-№ 12.- p. 1834-1837.

18. Rischmuller K. Zuverlassing auch am 380 V - Netz // Elektrotechnika.- 1980.-V.62.-№14.- p.17-21.

19. Wouw T. Switching phenomena and base drive design // Int. Conference on Power Conversion. Proceedings, Munich. -1981.- p.58-71.

20. Dixon L. H High voltage switching Transistor Dynamics: Optimizing Base-Drive Design // Solid-State Power Conversion. -V. 3. -№ 6. -p. 9-13.

21. Peter J. M. Comment optimizer un Darlington // Electronique Industrielle. -1981. -№ 24. -p.47-52.

22. Севернз P. Новые достижения в области мощных МОП-транзисторов II Электроника (США). 1980. - № 12. - с. 52-65.

23. Т. Y. Chan, Р. К. Ко, and С. Ни, "A simple method to characterize substrate current in MOS-FET's, "IEEE Electron Device Lett., Vol. 5, no. 12, pp. 505-507, Dec. 1984.

24. Auckland D. W. et al. Digital synchronisation of switching transistors // IEEE Proc.- 1988.- V.135.- p.97-101.

25. Stein E., Schroder D. Computing the switching behavior of power MOSFET to optimize the circuit design // IPEC'83, Tokio.-1983.- p.335-347.

26. Bellone S. et al. Realization of a normally off power bipolar mode JFET // LAS'85, Conf. rec., New York.-1985.-p.882-888.

27. Уэлек С. Мощные МОП-транзисторы, снижающие стоимость автомобильных электронных устройств,- там же.- № 14-15.- с.40-43.

28. Грехов И.В. Перспективы развития приборов сильноточной полупроводниковой электроники // Электротехника. -1986. №8. - С.2-5.

29. Chen D.Y., Chin S. A. Bipolar -FET combinational power transistors for power conversion applications // INTELLEC'83, Tokio.-1983.- p.56-61.

30. Chen D.Y., Walden J. P. Application of transistor emitter open turn -off scheme to high voltage power inverters // IEEE Transactions.-1982.-V.IA-18.-№4.-p.411-417.

31. Power MOSFET application and product data // HEXFET data book/Iternational Rectifire, 1992-93.

32. Драбович Ю.И., Маслобойщиков B.C. Параллельная работа транзисторов в полупроводниковых преобразователях постоянного напряжения.// Электромагнитные процессы в преобразовательных устройствах Киев: Наук. Думка, 1967. С.73-82.

33. Кабелев Б.В., Конев Ю.И. Силовой транзисторный ключ повышенного напряжения с размыканием эмиттера. // Электронная техника в автоматике/ Под ред. Ю.И. Конева, вып. 17. -М.: Сов. Радио. 1986. - с.192 - 201.

34. Хауэр Ф.Л. Силовые полупроводниковые приборы: Обзор//Проблемы миниатюризации и унификации ВИП РЭА. М.: Изд. МДНТП, 1979. - С.36-46.

35. Adlers М. S. et al. The evolution of power device technology// IEEE Transactions.- 1984,- V.ed-34.- №11,- p.204-211.

36. Rischmuller K. Schnell schalten mit transistoren und Daringtons// Elektronik-Technologie.- 1985.- V.34.- №19,- p. 110-117.

37. Tsuneto S. et al. Power transistor modules for power converter // Fuji Electric review.- 1983.- V.29.-№ 2.- p.45-51.

38. Bassett R. J. A state of the art review of very high power transistors and the applications //PCI'82 conf. Proceeding.- 1982,- V.5.- p. 192-201.

39. Есида Т., Кавабата Т. Обзор пройденных этапов и перспектив развития силовой электроники // Мицубиси дэнки гико. 1994. - Т.53. - №12. - С. 1-4.

40. Voshio N. et al. Experimental study on current gain of BSIT // IEEE transactions.-1996.- V.ed.-33.- p.810-815.

41. Kondo H., Yukimoto Y. A new bipolar transistor GAT // IEEE trans actions.-1990,- V.ed.-27.-№ 2,- p. 373-379.

42. Peter J. M. Comment optimizer un Darlington // Electronique Industrielle. -1981. -№ 24. -p.47-52.

43. Tshuchiya Т., Okado C. Contribution of giant transistors to motor control equipment // Industry Applications Society, conf. Rec., IEEE-14th Annual Meeteng.- 1997.-p. 1709-1087.

44. Гострем P.B., Зиновьев Г.С. Туннельные диоды и их применение. -Новосибирск: из-во СО АН СССР, -1964. -120 с.

45. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. М.: Советское радио, - 1971.-376 с.

46. Епифанов Г.И. Мома Ю. А. Твердотельная электроника. — М.: Высшая школа, 1986.-304 с.

47. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, - 1969. - 592 с.

48. Esaki L. New phenomenon in narrow germanium р-n junctions.// Phys/ Rev. -1958.-Vol. 109.-P. 603.

49. Янчук E. В. Туннельные диоды в приемно-усилительных устройствах. М.: Энергия, 1967, - 56 с.

50. Туннельные диоды / Под. Ред. В.И. Фистуля. -М.: Изд-во Иностр. лит, 1961.

51. Смолко Г.Г., Осипов В.В., Стафеев В.И., Гаряинов С.А., Попова М.В. N-триод активный элемент электронных схем// Радиотехника и электроника -1965. - Т. 10, №8. - С. 1480-1485.

52. Попова М.В., Смолко Г.Г., Гаряинов С.А., Стафеев В.И. Статические характеристики N-триодов// Радиотехника и электроника. -1965. Т. 10, №1. -С.147-156.

53. Chua L.O., Yu J., Yu Y. BipolarOJFET-MOSFET Negative resistance devices// IEEE Transactions on Circuits and Systems. 1985. №1. - P. 46-61.

54. Галузо B.E., Матсон Э.А., Мельничук B.B. Полупроводниковые биполярно-полевые структуры // Зарубежная электронная техника,- 1981. №10 (244). -50 с.

55. Baliga В. J. GAMBIT, Gate Modulated Bipolar Transistors// Solid State Electronics. -1975. -V. 18, №11. P. 1098-1099.

56. Гаряинов C.A., Сафонов B.M. Полупроводниковая негатроника, состояние и перспективы развития// Электрон, техн. Сер.З. Микроэлектроника. -1987. -Вып. 4(124).-С.81-91.

57. Арефьев А.А., Серьезнов А.Н., Степанова JI.H. Эквиваленты приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. -М.: Знание. 1987. -Сер. 2. Радиоэлектроника и связь.

58. Силовые транзисторные ключи с температурным ограничением / Е.А. Грицевский, И.К. Мешковский, В.А. Рудский и др.//Проблемы миниатюризации и унификации ВИП РЭА.- М.:изд. МДНТП, 1979.-с. 127130.

59. Бычков В.А. Схема выравнивания токов параллельно включенных силовых транзисторов // Полупроводниковая электроника в технике связи.-1980.-№20,- с.201-204.

60. Байздренко А.А.,Протько Л.П. Экспериментальное определение факторов влияющих на устойчивость транзисторов к вторичному пробою // Электронная техника в автоматике.- 1982.-№13.-с.284-292.

61. Ивамото К., Юу И., Такяги И,- Высоковольтный сильноточный транзисторный модуль // Мицубиси дэнки гико. 1983. - Т.57. - №9. - С.661-665.

62. Герман-Галкин С.Г., Рудский В.А., Юрченко. Н.Н. Применение силовых полупроводниковых приборов в преобразовательной технике (обзор) -Киев: 1990, с.32.

63. Сакурай X. Высоковольтные силовые модули // Тосиба рэбю. 1984. - т.39. -№ 2. -с. 137-142.

64. Фьюри А. Силовые схемы с развитым управлением: переворот в области силовых управляющих устройств// Электроника (США).- 1988.- т.61,- № 9. -с.66-72.

65. Хефтман Д. Новейшие импульсные источники питания// Электроника (США).- 1988,- т.61,- №9.- с.54-61.

66. Skanadore W. R. Toward an understandig and optimal utilization of third-generation bipolar switching transistors // INTELEC'82. Washington, 1982. -p. 196-203.

67. Lear T. Inductive switching of high voltage transistors // Electronics Instrumentation.- 1980.- V.l l.-№12.-p.55,56.

68. Ferraro A. An overview of low-loss snubber technology for transistor converters // PESC'82. New York.- 1982.- p.466-477.

69. Rischmuller K. Die anstengerung von hohspannungslei stungstransistoren // Elektroniker.-1979.- V.18.-№1 l.-p.l-6.

70. Rischmuller K. Schnel schalten mit transistoren und Darlingtons // Elektronik.-1985.-V.34,-№ 19.- p.l 10-117.

71. Peter J.M. La-protection des transistoren contre les courts circuits // Elektronique industrielle.-1980.- №281.- p.35-39.

72. Сакурай X. Высоковольтные силовые модули // Тосиба рэбю. 1984. - Т.39. - №2.-С. 137-142.

73. Пискарев А.Н., Рудский В.А. Характеристики высоковольтных транзисторных ключей в режиме насыщения // Применение полупроводниковых приборов в преобразовательной технике. Чебоксары: Изд. Чувашского гос. Университета, 1983. - С.25-29.

74. Philips. High-Voltage and switching power transistors // Semiconductors Book S 4 B.-1996.- 443 p.

75. Rischmuller K. Im Schaltbetried anders //Elektotechnik.-1989.-V.61.-№7.-p.l3.

76. Barret J. Aujored'hui le transistor// Electronique Industrille.- 1983 .-№50.- p.25-27.

77. Tomisawa J. et al. New 800 У GPL structured high-speed switching power transistors// Toshiba review.-1981.-№131.- p.34-37.

78. Хефтман Д. Новейшие импульсные источники питания // Электроника (США).-1988. №9. - С.54-61.

79. Z. Yu, D. Chen, L. So, and R.W. Dutton PISCES-2ET Two Dimensional Device Simulation for Silicon and Heterostructures., Integrated Circuits Laboratory, Stanford University, 1994

80. M. R. Pinto, C. S. Rafferty and R. W. Dutton, "PISCES-II Poisson and Continuity Equation Solver," Stanford Electronics Laboratory Technical Report, Stanford University, September 1984.

81. R. Bank, W. M. Coughran, W. Fichtner, E. H. Grosse, D. J. Rose, and R. K. Smith, "Transient simulation of silicon devices and circuits," IEEE Trans. Elect. Dev., pp. 1992-2007, Oct. 1985.

82. Z. Yu, R.W. Dutton, and M. Yanzi, "An extension to Newton method in device simulators on an efficient algorithm to evaluate small signal parameters and to predict initial guess," IEEE Trans. CAD, Vol. CAD-6, no. 1, pp.41-45, Jan. 1987.

83. H. R. Yeager, "Circuit-simulation models for the high electron-mobility transistor," Ph. D. The-sis, Stanford University, April 1989.

84. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и P-Spice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. В 4-х выпусках: вып. 2. Модели компонентов аналоговых устройств. -М.:Радио и связь, 1992. -120 с.

85. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и P-Spice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. В 4-х выпусках: вып. 3. Моделирование аналоговых устройств. -М.:Радио и связь, 1992. -120 с.

86. Porter J.A. JFET transistor fields device with negative resistance// Solid State Electronics. 1975. - V. 18, №11. -P. 937-941.

87. Schulds W. Power transistor safe operating area special concidirations for motor drives// Motorolla prod. - 1984.- AN-861,- p.208-225.

88. Дюбоу M. Электронный переключатель взамен плавкого предохранителя// Электроника. -1974. -№4. -С. 72-74.

89. Мушуков Е. В., Сергеев В. В. Транзисторные ключи с регулированием входного тока // Электронная техника в автоматике.-1986.-№17.-С.182-191.

90. Макмарри У. Технология схем энергетической электроники // ТИЭР -1988,-Т.76.-№ 4,- С.137-151.

91. Каррен JI. Мощные ГИС для импульсных источников питания // Мицубиси денко гико. -1994.-№8.- с.60-61.

92. Connoly А. P., Felix М. С. Parallel operation of high voltage power transistors for motor speed control // IAS Annu. Meet., Atlanta., conf. Rec., New York.-1975.-p.467-472.

93. Jovanovic M. N., Lee F. C. Design considerations for paralleling bipolar transistors // IEEE Appl. Power Electron. Conf. and Exp: APEC, New York.-1986.- p.161-170.

94. Глазенко T.A., Синицын B.A., Томасов B.C. и др. Режимы работы и способы повышения надежности транзисторных ключей в преобразователях систем электропривода. Киев, 1979. - 33 с. (Препр. / АН УССР. Ин-т Электродинамики; №202).

95. Кришня, Ховер. Вторичный пробой транзисторов при их отключении от индуктивной нагрузки//ТИИЭР. 1973.-Т.61. - №3. - С.164-165

96. Костылев В.И Магнитно-транзисторные ключи с параллельным включением ячеек// Полупроводниковые преобразовательные устройства. Чебоксары: Изд. Чувашского гос. Университета, 1987. - С.24-28.

97. Павленко В.Е., Туваржиев В.К., Соколов А.И. Схемы и способы управления транзисторными ключами преобразователей. Киев, 1986.-41 с. (Препр. / АН УССР. Ин-т Электродинамики; №477).

98. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. -М.: Радио и связь, 1990. -322 с.

99. Гурин Н.Т., Бакланов С.Б., Новиков С. Г., Новоселов А.Ю. Планарно-диффузионный N-фототранзистор// Сборник материалов "Распознавание-97": Матер. 3-й Междунар. конф., ноябрь 1997, Курск, Россия.-Курск: Изд-во КГТУ, 1997.-С. 132-133.

100. Гурин Н.Т., Бакланов С.Б., Новиков С.Г., Новоселов А.Ю. Схемотехническое моделирование и исследование мощных N-транзисторов.// Изв. вузов Электроника . -1999, № 1.-С.86-90.

101. Начальник отдела полупроводников Зам. Директора по производству Главный конструктор Инженер-технолог1. Королев А.Ф.2. Чижанова С.И.3. Обмайкин Ю.Д.4. Пищулина Е.Е.1. Королев А.Ф.У1. Члены комиссии:

102. Чижанова С.И. Обмайкин Ю.Д. Пищулина Е.Е.-