автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Обеспечение качества паяных соединений кристаллов в полупроводниковых приборах для силовой электроники в процессе их разработки и серийного производства

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Современное состояние задачи обеспечения качества пайки кристаллов в полупроводниковых приборах для силовой электроники

1.1. Способы монтажа полупроводниковых кристаллов к основаниям корпусов

1.2. Влияние конструктивно-технологических факторов на качество паяных соединений кристаллов с основаниями корпусов

1.3. Покрытия контактных поверхностей кристаллов и оснований корпусов для пайки

1.3.1. Золотое покрытие

1.3.2. Оловянное покрытие

1.3.3. Покрытие сплавом олово-свинец

1.3.4. Олово-висмутовое покрытие

1.3.5. Серебряное покрытие

1.3.6. Покрытия никелем и его сплавами

1.3.7. Алюминиевая металлизация, полученная гальваническим методом

1.4. Оценка смачиваемости и растекания припоя по поверхности

1.5. Контроль качества пайки полупроводниковых кристаллов к основаниям корпусов

1.6. Методы определения теплового сопротивления полупроводниковых приборов

1.7. Методы, приборы и оборудование, используемые для экспериментальных исследований

1.8. Выводы и постановка задач для исследований и разработок

ГЛАВА 2. Исследование смачивания и растекания припоев по покрытиям кристалла и основания корпуса

2.1. Подготовка корпусов с серебряным покрытием изделий микроэлектроники к сборочным операциям

2.2. Исследование покрытия из сплава никель-олово

2.3. Исследование смачивания и растекания припоев по покрытиям кристалла и основанию корпуса

2.4. Распределение химических элементов на поверхности покрытия после расплавления припоя

2.5. Определение времени растекания припоя по паяемой поверхности

2.6. Заполнение припоем капиллярного зазора между кристаллом и основанием корпуса при пайке

2.7. Влияние состояния поверхности основания корпуса на качество спая с кристаллом 71 Выводы

ГЛАВА 3. Исследование зависимости температуры нагрева полупроводниковых приборов от качества пайки кристалла с основанием корпуса

3.1. Исследование зависимости электрических параметров транзисторов КТ 8232 А1 от способов пайки кристалла к основанию корпуса

3.2. Определение теплового сопротивления кристалл-корпус

3.3. Использование теплового сопротивления как параметра для оценки качества напайки кристаллов биполярных транзисторов типа КТ 8232 А

3.4. Анализ использования метода теплового сопротивления для контроля паяных соединений кристалла с основанием корпуса 100 Выводы

ГЛАВА 4. Практическое применение результатов исследований в производстве полупроводниковых приборов для силовой электроники

4.1. Способ сборки полупроводниковых приборов

4.2. Способ пайки полупроводникового кристалла к основанию корпуса

4.3. Экспресс-метод оценки смачиваемости и растекания припоя по поверхности

4.4. Методика оценки качества пайки кристалла к основанию корпуса

4.5. Обеспечение качества сборочных операций в полупроводниковых изделиях для силовой электроники 117 Выводы 121 Основные результаты и выводы 122 Литература

Актуальность задачи. Совершенствование существующих, а также разработка новых способов и технологий монтажа кристаллов к основаниям корпусов постоянно находятся в центре внимания разработчиков полупроводниковых изделий электронной техники (ИЭТ). Крепление кристаллов к основаниям корпусов должно обеспечивать заданную механическую прочность, отвод тепла и сохранение этих свойств на период заданного срока эксплуатации.

В нашей стране и за рубежом проведены многочисленные исследования по установлению основных закономерностей формирования соединений кристалла с основанием корпуса, разработке технологических процессов и создания для этого необходимого оборудования, среди которых особое место занимают работы Л.П. Ануфриева, М.И. Горлова, А.А. Грачева, Б. Зигеля, В.П. Емельянова, Е.К. Ковшикова, Е.Е. Онегина, Б.К. Петрова, У. Тилла, С.Н. Флоренцева, Ю.Д. Чистякова, Г.А. Яковлева и др. /1-10/.

Несмотря на то, что исследованиями по обеспечению качества паяных соединений кристалла с основанием корпуса занимаются многие ученые и специалисты, проблема достаточно сложная и требует практического решения при каждой разработке нового ИЭТ. Особенно эта проблема обострилась в последние годы, в связи с потребностью в производстве мощных полупроводниковых приборов для силовой электроники. В связи с этим возникла необходимость разработки технологии пайки полупроводниковых кристаллов площадью свыше 20 мм" к основаниям корпусов.

Данная работа выполнялась в рамках Федеральной целевой программы «Развитие электронной техники в России» на период с 1996 по 2000 гг.

Цель работы. Решение научно-технической задачи по обеспечению качества паяных соединений кристаллов к основаниям корпусов в полупроводниковых приборах для силовой электроники в процессе их разработки и серийного производства на основе анализа конструктивно-технологических факторов, влияющих на формирование паяных швов.

Для достижения поставленной цели в диссертации решались следующие вопросы: исследование паяемости покрытий кристаллов и оснований корпусов различными припоями; анализ способов подготовки серебряных покрытий оснований корпусов к сборке и разработка нового способа очистки серебряных покрытий корпусов от загрязнений и удаления сульфидной пленки Ag2S перед сборочными операциями; исследование причин, влияющих на качество паяных соединений больших кристаллов к основаниям корпусов; разработка экспресс-метода оценки смачиваемости и растекания припоя по паяемой поверхности; исследование зависимости теплового сопротивления полупроводниковых приборов от площади спая кристалла с основанием корпуса для различных способов пайки; разработка новых способов сборки и пайки полупроводниковых кристаллов к основаниям корпусов; разработка методики оценки качества пайки больших кристаллов к основаниям корпусов.

Методы исследований. Исследования качества пайки кристаллов к основаниям корпусов осуществлялись методами рентгеновской дефектоскопии на установке типа РУП-150/300 с использованием пленки Р5, растровой электронной микроскопии, электронного микроанализа и металлографии.

Научная новизна:

1. Методами электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа установлено, что в процессе отжига корпусов с гальваническим серебряным покрытием в кислороде при температуре около 300 °С в течение 30 мин происходит не только очистка покрытия от загрязнений, но и удаление сульфидной пленки Ag2S. Образующаяся на поверхности серебряного покрытия оксидная пленка Ag20 толщиной 500-600 А обеспечивает необходимое растекание припоев на основе олова и свинца при пайке.

2. Установлено изменение химического состава поверхностного слоя покрытий из сплава никель-олово при нагреве до температуры пайки кристаллов к основаниям корпусов.

3. Установлено, что после расплавления припоев Г10С40, ПОС61 и ПСр2,5 по серебряным и никелевым покрытиям корпусов при режимах пайки кристаллов происходит изменение химического состава припоев, границы припоя с покрытием и самих покрытий.

4. Разработана технология напайки кристаллов к основаниям корпусов, предусматривающая снижение температуры нагрева поверхности кристалла со структурами при пайке.

Автор защищает:

1. Технологию подготовки к сборочным операциям оснований корпусов с серебряным покрытием.

2. Установленную закономерность изменений химического состава поверхностного слоя покрытий из сплава никель-олово при режимах пайки полупроводниковых кристаллов к основаниям корпусов.

3. Установленную зависимость изменения химического состава припоев Г10С40, ПОС61 и ПСр2,5, границы этих припоев с серебряными и никелевыми покрытиями и самих покрытий после нагрева при режимах пайки кристаллов.

4. Способ сборки кристаллов к основаниям корпусов, позволяющий снизить температуру нагрева поверхности кристалла со структурами при пайке.

Практическая ценность и реализация результатов работы:

1. Определены коэффициенты растекания припоев на основе олова и свинца по паяемым поверхностям кристалла и основания корпуса. Использование этих коэффициентов позволит выбирать оптимальные сочетания припоев и покрытий, обеспечивающих получение качественных паяных соединений кристалла с основанием корпуса.

2. Разработан экспресс-метод оценки смачиваемости и растекания припоя по паяемой поверхности, позволяющий контролировать при заданной температуре не только скорость, но и площадь растекания припоя.

3. Обоснован способ отжига в кислороде гальванических серебряных покрытий корпусов перед пайкой кристаллов, что позволило не только очищать покрытия от загрязнений, но и удалять сульфидную пленку Ag2S.

4. Разработана методика оценки качества пайки кристалла к основанию корпуса, основанная на зависимости температуры нагрева кристалла от площади спая с корпусом.

5. Разработан новый способ сборки полупроводниковых приборов, позволяющий повысить их надежность за счет снижения температуры нагрева при пайке поверхности кристалла со структурами.

6. Предложен новый способ пайки полупроводникового кристалла к основанию корпуса, улучшающий смачиваемость и растекание припоя по паяемым поверхностям и повышающий температурную стойкость паяных соединений.

7. При внедрении результатов диссертации в производство повысился процент выхода годных полупроводниковых изделий (КТ 8232 А1, КП 707 и диодов Шоттки) на операции пайки кристаллов к основаниям корпусов.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно-технических семинарах: "Региональная конференция, посвященная 25-летию кафедры сварки ВГТУ" (Воронеж, 1998); Всероссийская научно-техническая кон9 ференция молодых ученых и студентов "Современные проблемы радиоэлектроники", посвященная 104-й годовщине дня радио (Красноярск, 1999); Всероссийская конференция "Интеллектуальные информационные системы" (Воронеж, 1999); научно-практический семинар "Элементная база специальной силовой электроники" (Воронеж, 2000); Пятая Всероссийская научная конференция студентов и аспирантов "Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления" (Таганрог, 2000); XXXI Международный научно-методический семинар «Шумовые и деградаци-онные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2000); научно-техническая конференция профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2000).

Публикации. По материалам исследований опубликовано 25 работ, в том числе 2 авторских свидетельства на изобретения и получено 3 положительных решения на выдачу патентов РФ.

В совместных работах автору принадлежат постановка задач, анализ и изложение основных результатов и выводов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения. Работа изложена на 134 страницах текста, включая 2 таблицы, 46 иллюстраций и список использованной литературы из 97 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В диссертации получены следующие научно-технические результаты:

1. Проанализированы способы подготовки к сборочным операциям корпусов с серебряным покрытием изделий микроэлектроники. Методами электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа установлено, что наиболее эффективным способом очистки покрытий от загрязнений и удаления сульфидной пленки Ag2S является отжиг корпусов с серебряным покрытием в кислороде при температуре около 300 °С в течение 30 мин.

2. Определены коэффициенты растекания припоев ПОС40, ПОС61 и ПСр2,5 по покрытиям кристалла и основания корпуса (никель химический, серебро гальваническое и напыленное, сплавы никель-олово). Полученные данные позволяют выбирать припои и покрытия, обеспечивающие получение качественных паяных соединений кристалла с основанием корпуса. Разработан экспресс-метод оценки смачиваемости и растекания припоя по паяемой поверхности.

3. Установлено изменение химического состава поверхностного слоя покрытий из сплава никель-олово при нагреве до температуры пайки кристаллов к основаниям корпусов, что позволило разработать новый способ пайки кристаллов, обеспечивающий повышенную температурную стойкость паяных соединений.

4. Установлено, что после расплавления припоев ПОС40, ПОС61 и ПСр2,5 по серебряным и никелевым покрытиям корпусов при режимах пайки кристаллов происходит изменение химического состава припоев, границы припоя с покрытием и покрытий, что необходимо учитывать не только в технологии пайки кристаллов к основаниям корпусов, но и при выборе режимов присоединения выводов к корпусу и герметизации полупроводниковых ИЭТ.

5. Предложена методика оценки качества паяных соединений кристалла с основанием корпуса, включающая измерение теплового сопротивления и анализ рентгенограмм паяных швов исследуемых приборов. Это необходимо проводить при отработке новой технологии пайки кристаллов к основаниям корпусов и при установлении критериев качества для серийного производства полупроводниковых приборов.

6. Разработан новый способ групповой сборки полупроводниковых приборов, позволяющий повысить их надежность за счет снижения температуры нагрева при пайке поверхности кристалла со структурами. Нагрев до температуры пайки осуществляют на воздухе импульсом тока через U-образные электроды, которые жестко закреплены в кронштейне, электрически последовательно соединены друг с другом и расположены дифференцировано над каждым кристаллом. В момент расплавления припоя вакуумную присоску с кристаллами подвергают воздействию ультразвуковых колебаний в направлении параллельном паяному шву, при этом давление на каждый кристалл осуществляют массой корпуса прибора и кронштейна с электродами.

7. Разработан новый способ пайки полупроводникового кристалла к основанию корпуса, отличающийся от известных тем, что с целью улучшения смачивания припоем паяемых поверхностей полупроводникового кристалла и корпуса, повышения температурной и коррозионной стойкости паяных швов на коллекторную сторону полупроводникового кристалла наносят электролитическое покрытие никель-олово, а между кристаллом и никелированным корпусом размещают фольгу припоя ПСр2,5, при этом пайку проводят в среде водорода или в вакууме.

8. Разработана структурная схема конструктивно-технологических решений по обеспечению качества сборочных операций при разработке, производстве и эксплуатации полупроводниковых ИЭТ.

1. Горлов М.И., Ануфриев Л.П., Бордюжа О.Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства.- Минск: Изд-во "Интеграл", 1997.- 390 с.

2. Емельянов В.А. Конструктивно-технологические методы и средства микромонтажа кристаллов в конкурентоспособных изделиях микроэлектроники: Автореф. дис. д-ра техн. наук.- Минск, 1998. 42 с.

3. Ковшиков Е.К. Технология пайки и микросварки интегральных микросхем, обеспечивающая их высокую надежность: Автореф. дис. д-ра техн. наук,- Киев, 1987. 30 с.

4. Повышение качества сборки и монтажа интегральных схем / Л.П.Ануфриев, В.А. Емельянов, Л.К.Кушнер и др. // Электронная промышленность. 1990. - № 5. - С. 11-12.

5. Чистяков Ю.Д., Яковлев Г.А. Физико-химические пути повышения надежности соединений, паяных легкоплавкими припоями: Обзор. М.: ЦНИИ "Электроника", 1979. - 41 с. (Сер.7. Технология, организация производства и оборудование; Вып.2).

6. Грачев А.А., Собкевич И.Ю., Юртаев Ю.Г. Пайка кристаллов транзисторов в корпус КТ-4 с локальным золочением // Электронная техника. Сер.7. Технология, организация производства и оборудование. 1982. - Вып.4. - С. 52-53.

7. Автоматическая сборка ИС. Технологический процесс. Оборудование. Управление. Техническое зрение. Привод: Справ, пособие / Е.Е. Онегин, В.А. Зенькович, Л.Г. Битно. Минск: Высш. шк., 199.0. - 383 с.

8. Зигель Б. Электрический метод быстрой проверки качества напайки кристалла // Электроника. 1979. - №8. - С. 60-65.

9. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление: Пер. с англ. М.: Мир, 1985. - 501 с.

10. Проектирование и технология производства мощных СВЧ транзисторов / В.И. Никишин, Б.К. Петров, В.Ф. Сыноров и др.- М.: Радио и связь, 1989. 144 с.

11. Ковалев Ф.И., Флоренцев С.Н. Силовая электроника: вчера, сегодня, завтра // Электротехника. 1997. - № 1 . - С. 2-6.

12. Сегал Ю.Е., Розенфельд Я.В. Монтажно-сборочные операции в производстве полупроводниковых изделий микроэлектроники // Сварка и родственные технологии в машиностроении и электронике: Регион, сб. науч. тр. -Воронеж, 2000. Вып.2. - С. 58-64.

13. Груев И.Д., Матвеев Н.И., Сергеева Н.Г. Электрохимические покрытия изделий радиоэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1988. - 304 с.

14. Зенин В.В., Сегал Ю.Е., Колычев А.И. Исследование качества микросварных соединений алюминиевой проволоки в корпусах изделий электронной техники с покрытиями из никеля и его сплавов // Изв. вузов. Электроника. 2000. - №2. - С. 37-44.

15. Зенин В.В., Бокарев Д.И., Сегал Ю.Е. Исследования микросварных соединений алюминиевой проволоки с золотым гальваническим покрытием корпусов изделий электронной техники // Изв. вузов. Электроника. 1999. -№5. - С. 67-74.

16. Бокарев Д.И., Сегал Ю.Е., Зенин В.В. Микросварные соединения алюминиевой проволоки с пленками золота в изделиях электронной техники

17. А.с. 780751 (СССР). Способ формирования омического контакта мощного кремниевого транзистора / А.И. Бобряшов, В.Д. Иванов, А.Н. Ко-сенко и др.).

18. Патент ЕР (ЕПВ) А1 № 0316026, кл. Н 01 L 21/60, оп. 17.05.89.

19. А.с. 858489 (СССР). Способ сборки полупроводниковых приборов / В.П. Седаев, В.И. Сергатский, A.M. Скоморохов и др.

20. Яковлев Г.А. Физико-механические аспекты пайки неметаллических материалов: Обзор. М.: ЦНИИ «Электроника», 1982. - 62 с. (Сер.7. Технология, организация производства и оборудование; Вып. 15).

21. Яковлев Г.А., Яковлев В.Г. Применение композиционных припоев системы Pb-Ni для сборки мощных полупроводниковых приборов // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1979.- Вып.1. - С. 80-88.

22. Чернышов А.А. Основные направления экономии материальных ресурсов // Электронная промышленность. 1980. - Вып.З. - С. 3-4.

23. Голубев Л.П., Иванов В.М., Худяков К.И. Пути экономии кобальто-содержащих сплавов и драгоценных металлов в конструкциях ИС // Электронная промышленность. 1980. - Вып.З. - С. 8-12.

24. Пути экономии золота и серебра при гальваническом покрытии контактов соединений / Т.И. Бривко, С.Т. Зазимко, В.Н Иванов, М.С. Лясковец: Обзор. М.: ЦНИИ "Электроника", 1980. - 40 с. (Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование; Вып. 20).

25. Некоторые особенности изготовления и применения ленты ковар-медь-ковар с тонким золотым покрытием / B.C. Хозиков, B.C. Лебедев, Э.Т. Перимиловская и др. // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1979. -Вып.2. - С. 14-19.

26. Кудрявцев Н. Т., Тютина К. М. Электролитическое осаждение сплавов. М.: Машгиз, 1961. - 76 с.

27. Новиков JI. Г., Дьяконов В. А. Органические добавки для электрохимического нанесения олова и его сплавов: Обзор. М.: ЦНИИ "Электроника", 1980. - 38 с. ( Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование; Вып. 2 ).

28. Журавский В. Г., Акимов А. Г., Жоржолиании Б.Л. Коррозионная стойкость радиоэлектронных модулей. М.: Радио и связь, 1991. - 192 с.

29. Оценка паяемости гальванических покрытий токопроводящих элементов электронной аппаратуры / В.А.Емельянов, В.Л.Ланин, Л.К.Кушнер, А.А.Хмыль // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование 1990. - Вып. 3. - С. 68-71.

30. Flaskerud P. and Monn R. Silver Plated Lead Frames for Large Molded Packages// 12-th Annual Proc. Reliability Phys. 1974. - P. 221-232.

31. Берзина А.И., Алехин В.П. Физико химические свойства никелевых покрытий корпусов интегральных микросхем // Физика и химия обработки материалов. - 1984. - № 3. - С. 95-98.

32. Гальваническое никелирование корпусов интегральных схем /

33. A. П. Достанко, В. А. Емельянов, В. Л. Ланин, А. А. Хмыль // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование.-1987. Вып. 1. - С. 8-12.

34. Функциональные свойства электролитических покрытий из сплавов никель индий / Л. Г. Новиков, Г. П. Шульпин, Г. А. Курноскин, С. Г. Рябкова // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. - 1987. - Вып. 1. - С. 29-30.

35. Исследование коррозионной стойкости микросварных соединений алюминиевой проволоки с покрытиями из никеля и его сплавов, полученными электрохимическим и химическим осаждением из растворов /

36. B. П. Седаев, А. И. Колычев, В. В. Зенин и др. // Электронная техника.

37. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1989. - Вып. 4. - С. 6-19.

38. Дяглев В.А., Плохов В.В., Флеров В.Н. Гальваническое осаждение в барабане покрытий никель-бор на корпуса интегральных микросхем // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1986. - Вып. 6. - С. 66-68.

39. Исследование паяемости и способности к сварке гальванических никель-бор покрытий / В. А. Дяглев, В. А. Плохов, В. Н. Флеров и др. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1986. - Вып. 5. - С. 70-72.

40. Получение качественных электролитических покрытий сплавом олово-никель / Л.П.Ануфриев, В.А.Емельянов, В.С.Кублановский и др. // Электронная промышленность. 1988. - № 5. - С. 36-37.

41. Зенин В.В., Сегал Ю.Е., Бокарев Д.И. Пайка кристаллов в изделиях силовой электроники // Интеллектуальные информационные системы: Тез. докл. науч. техн. конф., 23-25 июня 1999 г. - Воронеж: Изд-во ВГТУ, 1999. -С. 221-222.

42. Лайнер В.И., Кудрявцев Н.Т. Основы гальванотехники. М.: Изд-во по черной и цветной металлургии, 1957. - 4.2. - С. 109.

43. Гальванические покрытия в машиностроении. Справочник: В 2 т. / Под. ред. Н.А. Шлугера. М.: Машиностроение. - 1985. - Т. 1. - 240 с.

44. Томашов Н.Д., Чернова Г.П. Теория коррозии и коррозионностойкие конструкционные сплавы. М.: Металлургия, 1993. - 143 с.

45. Сегал Ю.Е., Зенин В.В., Фоменко Ю.Л. Покрытия контактных поверхностей кристаллов и корпусов ИЭТ // Петербургский журнал электроники. 2000. - № 1. - С. 45-51.

46. Петрунин И.Е., Лоцманов С.Н., Николаев Г.А. Пайка металлов. М.: Металлургия, 1973. - 280 с.

47. Найдич Ю.В., Журавлев B.C. О методике определения степени смачивания твердых тел металлическими расплавами //Адгезия расплавов. Киев: Наукова думка, 1974. 174 с.

48. Манко Говард Г. Пайка и припои. М.: Машиностроение, 1968. -304с.

49. А.с. 341612 (СССР), М.Кл. В 23 К 1/00. Способ определения скорости течения припоя по паяемой поверхности / П.В. Панченко, С.В. Лашко.

50. А.с. 457013 (СССР), М.Кл. G 01 N 13/00. Устройство для исследования смачивающей способности расплавов / В.В. Онищенко.

51. А.с. 942917 (СССР), М.Кл.3 В 23 К 1/00. Способ управления площадью растекания припоя по поверхности твердого тела / А.С. Хатажуков, Х.Б. Хоконов.

52. А.с. 728053 (СССР), М.Кл.2 G 01 N 13/00. Способ определения физико-химических характеристик растекания веществ / В.Г. Гугля, В.М. Бельков.

53. А.с. 744281 (СССР), М.Кл.2 G 01 N 13/00. Способ определения физико-химических характеристик растекания и поверхностной диффузии / В.Г. Гугля, В.М. Бельков.

54. А.с. 605153 (СССР), М.Кл.2 G 01 N 13/00. Составной образец для исследования затекания припоя в переменный капиллярный зазор и качества паяных швов / Н.В. Шаганов, Р.Е. Ковалевский, Н.А. Баресков.

55. А.с. 517827 (СССР), М.Кл.2 G 01 N 1/00. Составной образец для исследования процесса заполнения капиллярных зазоров припоем / Р.Е. Ковалевский, С.С. Чирвинский.

56. А.с. 1255899 (СССР), МКИ4, G 01 N 13/00. Устройство для исследования смачивания поверхности припоем / В.В. Зенин, Ф.Н. Рыжков, А.В. Чернышов, А.И. Колычев.

57. Фролова Т.К., Назаров В.В. Установка для определения степени растекания припоев в вакууме, восстановительных или защитных средах. // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1973. - Вып. 2. - С. 71-73.

58. Зенин В.В., Сегал Ю.Е., Колбенков А.А. Оценка смачиваемости и растекания припоя по паяемой поверхности // Петербургский журнал электроники. 2000. - №2. - С. 32-36.

59. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; Под ред. В.А. Лабунцова. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 576 с.

60. Неразрушающий контроль элементов и узлов радиоэлектронной аппаратуры / Под ред. Б.Е. Бердичевского. М.: Сов. радио, 1976. - 420 с.

61. Зигель Б. Измерение теплового сопротивления ключ к обеспечению нормального охлаждения полупроводниковых компонентов // Электроника .1978. -№14. - С. 43-51.

62. Аронов B.JI., Федотов Я.А. Испытание и исследование полупроводниковых приборов: Учеб. пособие для специальностей полупроводниковой техники вузов. М.: Высш. шк., 1975. - 325 с.

63. А.с. 1387328 СССР, В 25 Н 7/00. Устройство для переноса координат точек изделия на противоположную сторону и маркировки / В.А. Жариков, А.Н. Клочков, А.А. Свешников, Ю.Е. Сегал (СССР).-2 с.

64. А.с. 1309507 СССР, С 03 С 23/00. Устройство для химической обработки деталей качения / В.П. Кирилов, А.Н. Клочков, Ю.Е. Сегал (СССР). -4 с.

65. Станок для приготовления шлифов микросоединений / В.В. Зенин, С.В. Батаев, А.В. Чернышов, В.М. Ефимов // Электронная техника. Сер.7. Технология, организация производства и обрудование. 1988. - Вып.5. - С. 47-48.

66. Никелевые покрытия траверсов корпусов для монтажа изделий электронной техники / В.В. Зенин, А.И. Колычев, М.В. Мешеряков, Б.А. Спиридонов // Физическое металловедение: сб. науч. тр. Липецк: Изд-во ЛЭГИ, 2000. -С. 111-117.

67. Бобряшов А.И., Спиридонов Б.А., Фаличева А.И. Коррозионная стойкость алюминиевых гальванопокрытий // Защита металлов. 1984. -Т. 20.- Вып.2. С. 290-292.

68. Спиридонов Б.А., Фаличева А.И. Фото- и электрохимические процессы в алколбензольных электролитах алюминирования // Защита металлов.- 1995.-Т. 31.-Вып.З.-С. 205-209.

69. Буркат Г.К. Серебрение, золочение, палладирование и родирование.-JL: Машиностроение. Ленигр. отд-ние, 1984. 86 с.

70. Спиридонов Б.А., Березина Н.Н. Структура гальванического сплава Sn-Ni, полученного из фторидхлоридного электролита с добавкой ОС-20 // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение, 1999,-Вып. 1.6. С. 87-88.

71. Палатник JI.C., Сорокин В.К. Материаловедение в микроэлектронике. М.: Энергия, 1977. - 280 с.

72. Петрунин И.Е., Маркова И.Ю., Екатова А.С. Металловедение пайки.-М.: Металлургия, 1976. 264 с.

73. Долгов Ю.С., Сидохин Ю.Ф. Вопросы формирования паяного шва,-М.: Машиностроение, 1973. 136 с.

74. Справочник по пайке / Под ред. С.Н. Лоцманова, И.Е. Петрунина, В.П. Фролова. М.: Машиностроение, 1975. - 407 с.

75. Лашко С.В., Лашко Н.В. Пайка металлов. 4-е изд., перераб. и доп.-М.: Машиностроение, 1988. - 376 с.