автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Модификация процесса бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов

На правах рукописи

РЯГУЗОВ Александр Владимирович

МОДИФИКАЦИЯ ПРОЦЕССА БЕССВИНЦОВОЙ ПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ К ОСНОВАНИЯМ КОРПУСОВ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Специальность 05.27.01 — Твердотельная элеюроника, радиоэлектронные

компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Воронеж-2006

Работа выполнена в Воронежском государственном техническом университете

Научный руководитель доктор технических наук, профессор

Зеннн Виктор Васильевич

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор

Петров Борис Константинович;

кандидат технических наук Удовик Анатолий Павлович

Ведущая организация ОАО «Воронежский завод

полупроводниковых приборов — Сборка»

Защита состоится 12 декабря 2006 года в 14й2 часов в конференц-зале на заседании диссертационного совета Д 212.037.06 Воронежского государственного технического университета по адресу: 394026, г, Воронеж, Московский проспект, 14.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского государственного технического университета.

Автореферат разослан 10 ноября 2006 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

Горлов М.И.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В последние годы пайке бессвинцовыми припоями в производстве изделий микроэлектроники уделяют пристальное внимание специалисты, работающие в этой области. Это связано с призывом экологов к запрету использования свинца. По их мнению, размещение на полигонах (свалках) отслуживших свой срок изделий радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), содержащих свинец в припое, ухудшает экологическую ситуацию.

Проблема пайки бессвинцовыми припоями в мировой электронике уже запущена, её невозможно остановить в отдельно взятой стране. Это связано с различными известными причинами, зачастую не имеющими принципиального отношения к улучшению экологической ситуации. Как заметил профессор А.М. Медведев: «Нам придется волей-неволей перейти на бессвинцовую технологию, несмотря на большие для нас издержки и капиталовложения».

Директива Европейского Союза по экологической безопасности RoHS (Restriction of use of Certain Hazardous Substances) ограничивает использование шести экологически опасных материалов: РЬ (свинца), Hg (ртути), Cr VI (шестивалентного хрома), РВВ (полибромин бифенила) и PBDE (полибромии дифенил этера) с максимальной допустимой концентрацией в размере не более 0,1 % и Cd (кадмия) — не более 0,01 %, в новом электрическом и электронном оборудовании после 1 июля 2006 года.

Применение бессвинцовых припоев и покрытий естественно приведет к изменению технологии пайки и в целом сборочных процессов. Потребуется корректировка режимов пайки и, как следствие, доработка технологического оборудования. Необходимо проведение комплексных испытаний бессвинцовых паяных соединений на прочность, тепловое сопротивление, коррозионную стойкость, совместимость с материалами и покрытиями паяемой стороны кристаллов и оснований корпусов полупроводниковых изделий (ППИ).

Работа выполнялась на кафедре «Полупроводниковая электроника» ВГТУ в соответствии с планом Госбюджетных работ 2004.34 «Исследование полупроводниковых материалов Si, A1I1BV, А1^1"1, приборов на их основе и технологии изготовления», государственный регистрационный №0120.0412882,

Цель работы. Решение научно-технической задачи по разработке способов бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов (СПП) на основе анализа конструктивно' технологических факторов, влияющих на формирование паяных швов.

Для достижения поставленной цели в диссертации решались следующие задачи:

»проведение токсикологической оценки металлов, входящих в состав припоев и покрытий для бессвинцовой пайки;

* проведение сравнительной экологической оценки припоев на основе свинца и бессвинцового;

* анализ капиллярной пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП припоями на основе свинца;.

* разработка способа пайки кристаллов площадью свыше 9 мм2 с образование эвтектики Si-Au;

•разработка способов бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП с образованием эвтектик Zn-Sn и Al-Zn-Sn;

* разработка способа пайки кристалла к корпусу через бессвинцовую прокладку припоя;

* разработка системы монтажа полупроводникового кристалла к корпусу;

•разработка методики автоматического подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений кристалла с корпусом;

* проведение расчетов и замеров теплового сопротивления СПП.

[Методы исследований. Исследования качества бессвинцовой пайки

кристаллов к основаниям корпусов СПП осуществлялись методами рентгеновской дефектоскопии на установке типа РУП-150/300 с использованием пленки Р5 и металлографии. Тепловое сопротивление измерялось на стенде модели ОМ.306.307. Для подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений разработана специальная методика.

Научная новизна работы. Получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Разработан новый способ пайки кристаллов площадью свыше 9 мм2 с образованием эвтектики Si-Au.

2. Разработаны новые способы бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП с образованием эвтектик Zn-Sn и Al-Zn-Sn.

3. Предложена новая система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу с целью снижения термических напряжений, возникающих в кристалле и корпусе из-за различия термических коэффициентов линейного расширения (ТКЛР) соединяемых материалов.

4. Разработана методика автоматического подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений кристалла с корпусом.

Основные результаты и положення^ выносимые на защиту.

1. Способ пайки кристаллов площадью свыше 9 мм2 с образованием эвтектики Si-Au.

2. Способы бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП с образованием эвтектик 2п-5п и АЬгп-Бл.

3. Система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу.

4. Методика автоматического подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений кристалла с корпусом.

Реализация результатов работы, практическая значимость.

1. Разработан способ пайки кристаллов к основаниям корпусов через золотую прокладку с образованием эвтектики $1-Аи, позволяющий повысить качество соединения кристалла с корпусом.

На способ получено решение на выдачу патента РФ на изобретение по заявке № 2005119238 от 21.06.2005.

2. Разработан способ пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектики Зп^п, позволяющий повысить смачиваемость цинкового покрытия оловом и увеличить время хранения кристаллов перед пайкой.

На способ получен патент РФ на изобретение № 2278444 от 20.06.2006. Бюл.№ 17.

3. Предложен новый способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектики А1-2п-5п.

4. Разработана система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу, позволяющая повысить качество паяных соединений.

На систему монтажа получено решение на выдачу патента РФ на изобретение по заявке № 2005112328 от 25.04.2005.

5. Разработан способ сварки давлением, способствующий повышению качества соединений внутренних выводов на контактных площадках кристаллов.

На способ получен патент РФ на изобретение № 2271909 от 20.03.2006. Бюл. № 8.

6. Разработана методика автоматического подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных швов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно-технических семинарах: Международном научно-методическом семинаре «Шумовые и деградацион-кые процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2003-2005); Всероссийском конкурсе инновационных проектов аспирантов и студентов по приоритетному направлению ФЦНТП «Индустрия наносистем и материалы» {МИЭТ, Зеленоград, 2005); XIII Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика» {МИЭТ, Зеленоград, 2006); научно-технической конференции «Системы и источники вторичного электропитания и элементная база для них» (Москва, 2006); конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2004-2006).

Публикации. Основные результаты работы изложены в 17 публикациях, в том числе 1 в изданиях, рекомендованных ВАК РФ и 2 патентах РФ на изобретения. В совместных работах автору принадлежат проведение экспериментов, разработка методики автоматического подсчета площади непропа-ев, анализ и обобщение полученных результатов, подготовка материалов к печати.

Структура и обьем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов, списка литературы из 152 наименований и приложения. Работа изложена на 146 страницах, содержит 40 рисунков и 11 таблиц.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель и задачи исследования, показана научная новизна полученных результатов и их практическая значимость, приведены сведения о публикациях по теме диссертации, личном вкладе автора в совместных работах, структуре и объеме диссертации.

В первой главд рассмотрено современное состояние задачи бессвинцовой пайки изделий микроэлектроники. Приведены сведения о Европейской директиве ИоНЭ о запрете свинца в производстве изделий РЭА. Однако в настоящее время припои на основе свинца благодаря своим физико-механическим свойствам широко используются в технологии производства изделий микроэлектроники.

Проанализированы достоинства и недостатки оловянно-свинцовых припоев. К достоинствам этих припоев следует отнести хорошо отработанный технологический процесс пайки как дискретных ПЛИ, так и печатных плат. Основные недостатки: низкая температура плавления 183 °С); растворение металлических покрытий (кроме сплава Бп-№) при пайке; высокая температура нагрева при капиллярной пайке кристаллов большой площади к основаниям корпусов (например, при пайке припоем ПОС40 в виде шариков, чтобы разрушить оксидную пленку на поверхности шариков и обеспечить капиллярное течение припоя в зазоре между кристаллом и основанием корпуса, требуется температура 390 ± 20 °С).

По данным отечественной и зарубежной научно-технической информации проанализированы составы бессвинцовых припоев и покрытий паяемых поверхностей кристалла и основания корпуса для пайки бессвинцовыми припоями.

Вторая глава посвящена экологическим аспектам проблемы бессвинцовой пайки изделий микроэлеюроники. Анализ бессвинцовых припоев и паяемых покрытий в производстве ППИ показал, что в их состав входят сле-

дующие металлы: В1,1п, Со, Си, N1, Бп, Ag, БЬ и Та, В качестве флюсующих добавок в состав припоев иногда вводят Р. Проанализированы токсикологические свойства данных металлов с точки зрения безопасности жизнедеятельности.

Следует отметить, что, несмотря на Европейскую директиву ЙдНЗ о запрете свинца в технологии производства изделий микроэлектроники, припои с содержанием данного металла будут ещё использоваться определенное время в хорошо отработанной технологии производства ППИ специального назначения до разработки новых бессвинцовых припоев и технологий, обеспечивающих существующий уровень надежности. В производстве ППИ в настоящее время на операциях пайки широко используется припой Т10С40.

С целью выявления ПДК загрязняющих веществ (ЗВ) на участке пайки ППИ и источников загрязнения атмосферы (ИЗА) проведена экологическая оценка припоев ПОС40 (403п/60РЬ) и бессвинцового 95,58п/4А^0,5Си.

Для расчетов использовалась известная методика проведения инвентаризации выбросов ЗВ в атмосферу.

ПДК для свинца и его неорганических соединений приняты: для атмосферного воздуха (ПДКа.в.) - 0,001 мг/м3, для рабочей зоны (РЗ) (ПДКР.,.) — 0,01 мг/м3, для питьевой воды (ПДК„.,.) — 0,03 мг/л.

Допустимые максимально разовые концентрации ЗВ: для оксида олова (в пересчете на олово) ПДКрь - 2 мг/м3, ПДК4В. - 0,02 мг/м3; для меди ПДКр1 - 1 мг/м3, ПДКа.в. - 0,002 мг/м3; для серебра ПДКр5. - 1 г/м3, ПДК.ц - не регламентируется. Результаты расчетов представлены в табл. 1.

Таблица 1

Концентрации ЗВ в РЗ и для ИЗА при пайке различными припоями

Припой Загрязняющие Вещества Концентрация ЗВ

для РЗ, мг/м3 для ИЗА, мг/м'

ПОС40 Свинец и его соединения 0,36 (36,0) 0,0059 (5,90)

Олова Оксвд 0,24 (0,12) 0,0039(0,20)

95,55п/4 Ац/О,5 Си Олова Оксид 0,86 (0,43) 0,0143(0,71)

Примечание: в скобках указана доля ПДК

Таким образом, сравнительный анализ применения припоев ПОС40 и 95»53п/4А^0,5Си показал экологическую безопасность использования в производстве бессвинцовых припоев. При использовании припоя, содержащего свинец, при тех же условиях организации рабочего места на участке пайки не удается достичь допустимых уровней ПДК ЗВ как в рабочей зоне, так и на выбросе ИЗА.

В связи с тем, что оловянно-свинцовые припои пока находят применение в производстве ППИ целесообразно проведение анализа существующей технологии пайки кристаллов припоем Г10С40. Для экспериментов использовалась пайка кристаллов прибора 2П769В к основанию корпуса типа Т0-220. Приборы 2П769В имели размеры кристалла 5,2x4,6 мм. Пайка осуществлялась в водородной печи на оптимальных режимах с использованием данного припоя. Приборы прошли все операции согласно технологическому маршруту, также проводились измерения электрических параметров и площади не-пропаев (% пустот) в паяных швах.

Сравнительный анализ неразрушающего (по рентгенограммам) и разрушающего (по шлифам) способов оценки паяных швов осуществлялся на приборах в количестве 30 шт.

Результаты оценки мощности, подаваемой на прибор и измерения теплового сопротивления Ятп.к приборов 2П769В, показали зависимость данных параметров от площади пустот в паяных швах. Зависимость мощности (Р), подаваемой на прибор, от площади непропаев в паяном шве показана на рис. 1.

120 т

Т 50

I 3 5 7 9 II 13 15 17 19 21 23 25 27 29 Номера приборов

Рис. 1. Результаты оценки мощности (1) от площади непропаев (2) в паяном шве приборов 2П769В

Анализ существующей технологии пайки в водороде кристаллов с использованием припоя ПОС40 в виде 2-х шариков показал наличие в паяных швах непропаев, что сказывается как на мощности приборов, так и на их тепловом сопротивлении. После сборки и испытаний согласно технологическому

маршруту исследуемые приборы имели параметры в пределах допустимых значений. Однако наличие непропаев в паяных швах окажет существенное влияние на надежность приборов при дальнейшей их эксплуатации.

В третьей главе представлены разработки способов бессвинцовой пайки кристаллов СПП к основаниям корпусов. Анализ способов сборки ППИ показал, что перспективным способом является контактно-реактивная пайка.

В производстве ППИ широко используется контактно-реактивная пайка кристаллов с образованием эвтектики Si-Au. Технология монтажа Si кристаллов к основаниям корпусов на эвтектику Si-Au хорошо отработана и успешно используется в производстве ППИ десятки лет. Проблем с качеством присоединения кристаллов не возникало в случае использования чипов небольших размеров.

Пайку кристаллов больших размеров осуществляют с использованием золотых прокладок между кристаллом и корпусом. В научно-технической литературе практически отсутствуют сведения о влиянии подготовки перед пайкой позолоченных поверхностей и золотой прокладки на качество эвтектических соединений Si-Au.

При пайке кристаллов площадью свыше 9 мм2 между контактирующими поверхностями возникают локальные области непропаев. Образование локальных участков непропаев происходит в результате формирования на золотом покрытии естественной оксидной пленки толщиной несколько десятков ангстрем. Оксидная пленка препятствует образованию физического контакта между соединяемыми поверхностями при пайке.

С целью повышения качества паяных соединений предлагается золотую фольгу перед пайкой отжигать в вакууме при температуре 160 - 250 °С или в водороде при температуре 25 °С и атмосферном давлении 101 кПа.

Оксвды золота - твердые, амфотерные, не взаимодействующие с водой вещества. С ростом степени окисления термическая устойчивость оксидов падает.

Известно, что свободная энергия Гиббса AGÂUlo, составляет

78,7 кДж/моль. При 155 °С Au^Oj переходит в Au20.

Температура разложения (диссоциации) оксидов золота Аи^Оз составляет 155 - 160 °С, a AujO — 250 °С. Наиболее качественно данный процесс протекает в вакууме.

Водородное восстановление золота из оксидов происходит по реакциям: Аи2Оз + ЗН2 = 2Аи + ЗН20,

ДСракция = зд GJijO *-"aujOj - 3 (-228,6) - 78,7 =-764,5 кДж, т. е. ДС<0;

AuO(OH) + 3/2Н2 = Au + 2Н20, AGVa^H = 2д G^o -Д GauCKOH) - 2 (-228,6) + 350 = -107,2 кДж, т. е. AG°<0.

Так как свободная энергия Гиббса АСО, то восстановление золота из оксидов протекает при температуре 25 °С и атмосферном давлении 101 кПа.

Для оценки влияния способов подготовки золотой фольги на качество эвтектической пайки 81-Аи использовали три группы образцов. Образцы первой группы перед пайкой не обрабатывались, второй группы отжигались в вакууме при температуре 250 °С, а третьей — в водороде при температуре 25 °С и атмосферном давлении 101 кПа.

Анализ рентгенограмм паяных соединений показал следующие результаты: у образцов первой группы площадь непропаев составила 10 - 20 % от площади кристалла, второй и третьей групп - 2 - 10 %.

Существуют различные способы бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов. Например, из последних разработок известен способ пайки полупроводниковых кристаллов к корпусу, по которому на паяемую поверхность кристалла наносят цннк, а пайку осуществляют к основанию корпуса, покрытому оловом, при этом толщины слоев цинка и олова выбирают из условия получения необходимой толщины паяного шва и образования эвтектического сплава гп-5п.

Недостатком этого способа является низкая коррозионная стойкость цинкового покрытия во влажном воздухе и в атмосфере промышленного города. На покрытии образуется пленка, состоящая из карбоната цинка, что ухудшает смачиваемость цинкового покрытия оловом с течением времени хранения перед пайкой. Солевые пленки, попадая в паяный шов, повышают вероятность непропаев, особенно при пайке кристаллов с размерами более 4,0*4,0 мм, что способствует увеличению теплового и электрического сопротивления контакта полупроводникового кристалла с корпусом.

Для устранения данных недостатков предлагается на пленку цинка дополнительно наносить оловянно-висмутовое покрытие с содержанием висмута 0,4 - 0,9 %. Схема бессвинцовой контактяо-реактивной пайки кристаллов к основанию корпуса с образованием эвтектики представлена на рис. 2.

Пайка осуществляется в водороде или вакууме на оптимальных режимах. При нагреве происходит смачивание оловом паяемой поверхности кристалла, а при кристаллизации расплава цинк — олово — висмут образуется паяный шов с уменьшенной площадью непропаев.

КОРПУС

5

6

Рис. 2. Схема бессвинцовой пайки кристалла к корпусу: 1 — А1 покрытие; 2 - Ъл покрытие; 3 - 8п-В1 покрытие с содержание В| 0,4-0,9 %; 4 — Бп покрытие; 5 — Ы] покрытие корпуса; 6 - Си (корпус)

Разработан новый способ контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу с образованием бессвинцовой эвтектики, включающий нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности кристалла и корпуса соответственно и пайку. По сравнению с известными способами новым в разработке является то, что между кристаллом и корпусом размещается прокладка из цинка, а пайка проводится при температуре 400 - 420 "С, при этом толщины А1, вп и 2л\ выбирают исходя из условий образования эвтектик А1-2п и 2п-3п. Схема сборки и контактно-реактивной пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектик А1-гп и гп-Бп представлена на рис. 3.

Рис. 3. Схема сборки (а) и контактно-реактивной пайки с образованием эвтектик А1-2п и 2п-5п (б); 1 - кристалл; 2 - А1 покрытие; 3 — прокладка из 1лг, 4 - Бп покрытие; 5 — N1 покрытие корпуса; 6 — Си (корпус); 7 — эвтектическое соединение А1-/л>; 8 — эвтектическое соединение Хп-вп

Собранные таким образом изделия нагревают до температуры 400 — 420 °С в течение заданного времени. Данная температура пайки способствует образованию эвтектики со стороны кристалла А\-2п (Т = 382 °С), а со стороны корпуса 2п-8п (Т =■ 200 °С) и улучшает протекание диффузионных процессов в системе (паяном шве) А1-7п-5п,

С увеличением размеров кристаллов серьезную проблему при пайке представляют остаточные механические напряжения (ОМН), возникающие в кристалле и элементах конструкции корпуса" из-за различия ТКЛР соединяемых материалов. ОМН при определенных условиях могут привести к механическому разрушению кристалла или паяного соединения.

С целью снижения ОМН в системе кристалл - паяный шов — корпус, повышения прочности паяного соединения, улучшения теплоотвода от кристалла к корпусу разработана система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса. Основным отличием данной системы от существующих является то, что между кристаллом и основанием корпуса размещается буферный элемент, который выполнен в виде сетки из металлов с ТКЛР близкими кристаллу и корпусу. Нижняя сторона сетки размещена в канавках основания корпуса, которые имеют форму равнобочных трапеций с размером в нижней части 1,0 й, в верхней — 1,2 д и глубиной 1,0 <1, где й — диаметр проволоки нижней стороны сетки, а диаметр проволок верхней стороны сетки выбран из условия получения заданной толщины паяного шва.

Монтаж полупроводникового кристалла к корпусу с использованием разработанной системы реализуется по схеме (рис. 4), содержащей корпус 1 с канавками 2 в виде равнобочных трапеций, в которые вставляется нижняя сторона сетки, имеющая проволоки 3. На верхнюю сторону сетки из проволок 4, диаметр которых определяет заданную толщину паяного шва, размещают прокладку припоя 5, а затем кристалл 6.

Примером использования системы монтажа СПП может служить сборка кремниевых кристаллов (а= 2,3-10"* К"1) к основаниям медных корпусов (а = 16,6-Ю"6 1С1). На паяемую поверхность кристалла в составе пластины по известной технологии наносят пленочную металлизацию. Для сборки используются корпуса с канавками в виде равнобочных трапеций. Буферный элемент выполнен в виде сетки, нижняя сторона сетки представляет собой набор проволок из меди (а= 16,6*10"6 К"'), а верхняя сторона - проволоки из Мо (а = 5,9-10"6 К"1) или (а= 4,3-10"61С1), или их сплавов.

I-Г

чв- -ф- -о- -$э- -е' ' 1 < а) 1

11)11

-С»- ___-<?>-

-6- -ф-

б>

в) г)

Рис. 4, Схема сборки СПП: а — сетка; б — сетка (вид сбоку); в •- перед пайкой; г — после пайки; 1 — корпус; 2 — канавки на основании; 3 — проволока нижней стороны сетки; 4 - проволока верхней стороны сетки; 5 - припой; б — кристалл; 7 - паяный шов

При кристаллизации припоя в паяном шве и термоциклировании напряжения сдвига в основном будут максимальными в местах пересечения проволок сетки, что позволит свести к минимуму ОМН.

Четвертая глава посвящена расчетам и замерам теплового сопротивления переход - корпус (Rm.it) транзисторов типа КТ8232А1 в корпусе КТ-43В, пайка кристаллов в которых осуществлена бессвинцовым припоем ВПрб (8б8п/8Ад/63Ь), имеющим температуру плавления 250 °С.

Тепловое сопротивление рассчитывалось двумя методами: эквивалентов с учетом материалов и толщин слоев кристалла и корпуса и упрощенным — суммированием теплового сопротивления кристалла, припоя и корпуса.

Установлено, что определенный вклад в тепловое сопротивление вносит толщина паяного шва. В табл. 2 представлены результаты расчета теплового сопротивления К™-* методом эквивалентов в зависимости от толщины паяного шва (припоя).

Таблица 2

Результаты расчета теплового сопротивления Итп.к в зависимости от толщины паяного шва

Толщина припоя, мкм Кт п-к, °С/Вт

30 0,37

50 0,39

70 0,40

100 0,43

Для. оценки влияния качества пайки кристаллов на ^„.к из И партий приборов, изготовленных в разное время, но по одной технологии, было выбрано по 2 прибора, т. е. общее количество приборов для испытаний составило 22. Паяные соединения кристаллов с основаниями корпусов контролировались методами рентгеновской дефектоскопии и по поперечным шлифам. Установлено, что паяные швы с использованием припоя ВПрб имеют меньшую площадь иепропаев по сравнению с ПОС40.

Проведены замеры КГ1ЬК транзистора КТ8232А1 в корпусе КТ-43В, которые хорошо согласуются с расчетными данными. Расхождение не превышает 20 %, что соответствует требованиям, предъявляемым к тепловым расчетам. „-к приборов, в которых пайка кристаллов осуществлялась на припой ВПрб, не превышает нормы по ТУ (£1°С/Вт). Зависимость 11то.х от площади иепропаев представлена на рис. 5.

7 10 13 16 Номера приборов

Рис. 5. Результаты измерения К.тп.к (I) н площади иепропаев (2) в паяном шве приборов КТ8232А1

В пятой главе приведены данные результатов практического апробирования научных исследований в производстве ППИ, в том числе разработана новая методика автоматического подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений кристалла с корпусом, позволяющая уменьшить трудоемкость подсчета и повысить достоверность контроля.

С целью создания дешевых газовых сенсоров разработана конструкция датчика газов, в которой пайка кристаллов к основанию корпуса осуществляется с использованием бессвинцового припоя.

Разработана схема взаимосвязи элементов производственной системы (конструкция изделия, материалы корпуса и паяемых поверхностей и технологии пайки) на качество паяных ППИ и эффективность их производства.

Надежность СПП зависит не только от качественного монтажа кристалла к корпусу, но и от последующей операции - присоединения внутренних выводов. При монтаже внутренних соединений между контактными площадками кристаллов и траверсами корпусов СПП используется алюминиевая проволока диаметром от 0,25 до 0,5 мм.

В производстве СПП наблюдаются разрушения соединений внутренних выводов с контактными площадками на кристалле (отрыв вывода вместе с пленочной металлизацией от кристалла). Это связано не только с остаточными внутренними напряжениями в зоне контактной площадки кристалла, но и с «жесткими» режимами УЗС, заключающимися в деформации привариваемой проволоки.

Для повышения качества присоединения внутренних выводов к кристаллу разработан новый способ сварки давлением (термозвукоимпульсный) внутренних соединений в СПП. Данный способ включает формирование соединения ленточного вывода вместо проволочного с контактной площадкой кристалла, что предотвращает растрескивание пленки ЭЮг при сварке.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Сравнительный анализ применения припоев ПОС40 и 95,55п/4А^0,5Си показал экологическую безопасность использования в производстве бессвинцовых припоев. При использовании припоя, содержащего свинец, при тех же условиях организации рабочего места на участке пайки не удается достичь допустимых уровней ПДК ЗВ как в рабочей зоне, так и на выбросе ИЗА.

2. Результаты оценки мощности, подаваемой на прибор и измерения теплового сопротивления ЕтМ приборов 2П769В, показали зависимость данных параметров от качества пайки кристаллов.

3. Разработан новый способ пайки кристаллов площадью свыше 9 мм2 через золотую прокладку с образованием эвтектики ЭьАи. С целью повышения качества соединения кристалла с корпусом предлагается золотую прокладку перед пайкой отжигать в вакууме при температуре 160 — 250 "С или в водороде при температуре 25 °С и атмосферном давлении 101 кПа,

4. Разработаны новые способы бессвинцовой контактно-реактивной пайки кристаллов С ГШ с образованием эвтектик гп-Бп и А1-^-5п. Для улучшения коррозионной стойкости и смачиваемости оловом покрытия паяемой поверхности кристаллов на пленку 2п целесообразно наносить 8п-Ш покрытие с содержанием В1 0,4 — 0,9 %. При использовании прокладки из^п пайку проводят при температуре 400 — 420 °С, при этом толщины А!, Бп и Тп выбирают исходя из условий образования эвтектики А1-2л (со стороны кристалла) и 2п-8п {со стороны корпуса).

5. Для снижения ОМН, возникающих в кристалле и корпусе из-за различия ТКЛР соединяемых материалов, разработана система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу СЛП. Новым в данной системе монтажа по сравнению с существующими является то, что между кристаллом и корпусом размещается буферный элемент в виде сетки из металлов с ТКЛР, идентичными кристаллу и корпусу.

6. Установлено, что паяные швы с использованием припоя ВПрб имеют меньшую площадь непропаев по сравнению с припоем ПОС40. приборов, в которых пайка кристаллов осуществлялась на припой ВПрб, не превышает норму по ТУ.

Измеренное стационарное тепловое сопротивление переход — корпус транзистора КТ8232А1 в корпусе КТ-43В хорошо согласуется с расчетными данными. Расхождение не превышает 20 %, что соответствует требованиям, предъявляемым к тепловым расчетам.

7. Разработан новый способ автоматического подсчета площади непропаев паяных соединений кристалл - корпус, позволяющий уменьшить трудоемкость подсчета и повысить достоверность контроля.

Для повышения качества присоединения внутренних выводов к кристаллу разработан новый способ сварки давлением (термозвукоимпульсный). Данный способ обеспечивает формирование качественного соединения ленточного вывода с контактной площадкой кристалла и предохраняет пленку ЭЮг от растрескивания при сварке.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ:

Публикация в изданиях, рекомендованных ВАК РФ

1. Бокарев ДЛ. Бессвинцовая контактно-реактивная пайка кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов / Д.И. Бокарев, В .В. Зенин, A.B. Рягузов // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2006. Т. 2. №4. С. 153-155.

Патенты на изобретения РФ

2. Патент на изобретение № 2271909 RU, С2 В23К 31/02. Способ сварки давлением / A.B. Рягузов и др. Заявл. 08.01.2004. Опубл. 20.03.2006. Бюл. J& 8.4 с.

3. Патент на изобретение № 2278444 RU, C1 H01L 21/52. Способ бессвинцовой пайки полупроводникового кристалла к корпусу / A.B. Рягузов и др. Заявл. 11.01.2005. Опубл. 20.06.2006. Бюл.№ 17.4с.

4. Решение на выдачу патента РФ на изобретение. Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса / A.B. Рягузов и др. Заявка Ла 2005112328 от 25.04.2005.

5. Решение на выдачу патента РФ на изобретение. Способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу с образованием эвтектики кремний - золото / A.B. Рягузов и др. Заявка № 2005119238 от 21.06.2005.

Книги

6. Зенин В.В. Конструктивно-технологические аспекты сборки полупроводниковых изделий: [электронный ресурс]: учеб. пособие / В.В. Зенин, A.B. Рягузов. Воронеж: ВГГУ, 2005.353 с.

Статьи и материалы конференций

7. Зенин В.В. Экологические аспекты проблемы бессвинцовой пайки . изделий микроэлектроники / В.В. Зенин, В.Н. Осенков, A.B. Рягузов // Технологии в электронной промышленности. 2005, № 4. С. 81-83.

8. Припои и покрытия для бессвинцовой пайки изделий микроэлектроники / В.В. Зенин, A.B. Рягузов, В.И. Бойко, В.П. Гальнев, Ю.Л. Фоменко // Технологии в электронной промышленности. 2005. №5. С. 46-51.

9. Рягузов A.B. Пайка кристаллов полупроводниковых приборов и ИС с образованием эвтектики кремний - золото ! A.B. Рягузов, В.В. Зенин, О.В. Хишко // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. С. 202-206.

10. Зенин В.В. Токсикологическая оценка металлов, входящих в состав бессвинцовых припоев / В.В. Зенин, A.B. Рягузов, Б.А. Спиридонов // Систе-

мы жизнеобеспечения и управления в чрезвычайных ситуациях; межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2006. Ч. 1. С. 319-325.

11. Зенин В.В. Особенности утилизации и размещения твердых бытовых отходов, в том числе свинецсодержащих изделий радиоэлектронной аппаратуры / В.В, Зенин, В.Н. Осенков, A.B. Рягузов // Системы жизнеобеспечения и управления в чрезвычайных ситуациях: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. Ч. 2. С. 107-114.

12. Электроника и экология / В.В.,Зенин, В.Н. Осенков, A.B. Рягузов, В.И. Федянин // Системы жизнеобеспечения и управления в чрезвычайных ситуациях: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005.4.2. С. 136-141,

13. Рягузов A.B. Бессвинцовые припои в технологии сборки полупроводниковых изделий ! A.B. Рягузов // Индустрия наносистем и материалы: материалы Всерос. конф. инновационных проектов аспирантов и студентов. М.: МИЭТ, 2005. С. 162-166.

14. Рягузов A.B. Пайка кристаллов на основания корпусов с образованием эвтектики Si-Au / A.B. Рягузов // Микроэлектроника и информатика: материалы XIH Всерос. межвуз. науч.-техн. конф. М.: МИЭТ, 2006. С. 107.

15. Покрытия кристаллов и корпусов ИЭТ для пайки бессвинцовыми припоями / В.В. Зенин, ЮЛ. Фоменко, A.B. Рягузов, О.В. Хишко Н Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: материалы докл. межцунар. науч.-техн. семинара. М., 2003. С. 283-288.

16. Бессвинцовая пайка кристаллов к основаниям корпусов ИЭТ / В.В. Зенин, Ю.Л. Фоменко, A.B. Рягузов, О.В. Хишко // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: материалы докл. между-нар. науч.-техн. семинара. М., 2003. С. 289-293,

17. Контактно-реактивная пайка полупроводниковых кристаллов к корпусам с образованием эвтектики Si-Au / В.В. Зенин, A.B. Рягузов, Б.А. Спиридонов, О.В. Хишко И Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: материалы докл. междунар. науч.-техн. семинара. М., 2005. С. 217-221.

Подписано в печать 08.11.2006. Формат 60х84/16. Бумага для множительных аппаратов. Усл. печ. л. 1,0. Тираж 90 экз. Заказ № 455. ГОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет» 394026 Воронеж, Московский просп., 14

Введение.

Глава Современное состояние задачи бессвинцовой пайки изделий микроэлектроники.

1.1. Европейская директива RoHS о запрете свинца в производстве изделий РЭА.

1.2. Достоинства и недостатки оловянно-свинцовых припоев.

1.3. Бессвинцовые припои в производстве ППИ.

1.4. Покрытия паяемых поверхностей кристалла и основания корпуса для пайки бессвинцовыми припоями.

1.4.1. Цинковое, олово-висмутовое, оловянное, никелевое, сплав никель - олово, серебряное, алюминиевая металлизация.

1.4.2. Использование золота для пайки на эвтектику Si-Au.

1.5. Анализ паяемой поверхности основания корпуса.

1.6. Некоторые особенности пайки кристаллов к основаниям корпусов.

1.7. Оценка качества паяных соединений кристалл - корпус по тепловому сопротивлению.

1.8. Методы, приборы и оборудование, используемые для проведения экспериментов.

Выводы и постановка задач для исследования и разработок.

Глава 2. Экологические аспекты проблемы бессвинцовой пайки изделий микроэлектроники.

2.1. Токсикологическая оценка металлов, входящих в состав припоев и покрытий для бессвинцовой пайки.

2.2. Экологическая оценка припоев ПОС40 (40Sn/60Pb) и бессвинцового 95,5Sn/4Ag/0,5Cu.

2.3. Анализ капиллярной пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП припоями на основе свинца.

Выводы.

Глава 3. Разработка способов и технологий бессвинцовой пайки кристаллов СПП к основаниям корпусов.

3.1. Контактно-реактивная пайка с образованием эвтектики Si-Au.

3.1.1. Подготовка соединяемых поверхностей к сборке.

3.1.2. Новый способ подготовки к пайке золотой прокладки

3.2. Контактно-реактивная пайка с образованием эвтектики Zn-Sn.

3.3. Контактно-реактивная пайка с образованием эвтектик Al-Zn и Zn-Sn.

3.4. Способ бессвинцовой пайки кристалла к корпусу.

3.5. Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса СПП.

Выводы.

Глава 4. Тепловое сопротивление транзистора типа КТ8232А1.

4.1. Измерение теплового сопротивления ППИ.

4.2. Расчет стационарного теплового сопротивления транзистора КТ8232А1 в корпусе КТ-43В методом эквивалентов.

4.3. Упрощенный расчет теплового сопротивления транзистора КТ8232А1 в корпусе КТ-43В.

4.4. Влияние качества пайки кристаллов к основаниям корпусов на RTn-K транзисторов КТ8232А в корпусе КТ-43В.

Выводы.

Глава 5. Практическое применение результатов исследований в производстве СПП.

5.1. Разработка новой методики подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений кристалл - корпус.

5.2. Пайка кристаллов датчиков газов к корпусам бессвинцовым припоем.

5.3. Качество паяных ППИ и эффективность их производства.

5.4. Способ сварки давлением внутренних выводов к контактным площадкам кристаллов СПП.

Выводы.

Актуальность темы. В последние годы пайке бессвинцовыми припоями в производстве изделий микроэлектроники уделяют пристальное внимание специалисты, работающие в этой области. Это связано с призывом экологов к запрету использования свинца. По их мнению, размещение на полигонах (свалках) отслуживших свой срок изделий радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), содержащих свинец в припое, ухудшает экологическую ситуацию.

Проблема пайки бессвинцовыми припоями в мировой электронике уже запущена, её невозможно остановить в отдельно взятой стране. Это связано с различными известными причинами, зачастую не имеющими принципиального отношения к улучшению экологической ситуации. Как заметил профессор A.M. Медведев: «Нам придется волей-неволей перейти на бессвинцовую технологию, несмотря на большие для нас издержки и капиталовложения».

Директива Европейского Союза по экологической безопасности RoHS (Restriction of use of Certain Hazardous Substances) ограничивает использование шести экологически опасных материалов: РЬ (свинца), Hg (ртути), Cr VI (шестивалентного хрома), РВВ (полибромин бифенила) и PBDE (полибромин дифенил этера) с максимальной допустимой концентрацией в размере не более 0,1 % и Cd (кадмия) - не более 0,01 %, в новом электрическом и электронном оборудовании после 1 июля 2006 года.

Применение бессвинцовых припоев и покрытий естественно приведет к изменению технологии пайки и в целом сборочных процессов. Потребуется корректировка режимов пайки и, как следствие, доработка технологического оборудования. Необходимо проведение комплексных испытаний бессвинцовых паяных соединений на прочность, тепловое сопротивление, коррозионную стойкость, совместимость с материалами и покрытиями паяемой стороны кристаллов и оснований корпусов полупроводниковых изделий (ППИ).

Работа выполнялась на кафедре «Полупроводниковая электроника» ВГТУ в соответствии с планом Госбюджетных работ 2004.34 «Исследование полупроводниковых материалов Si, AI0BV, AnBVI, приборов на их основе и технологии изготовления», государственный регистрационный №0120.0412882.

Цель работы. Решение научно-технической задачи по разработке способов бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов (СПП) на основе анализа конструктивно-технологических факторов, влияющих на формирование паяных швов.

Для достижения поставленной цели в диссертации решались следующие задачи:

• проведение токсикологической оценки металлов, входящих в состав припоев и покрытий для бессвинцовой пайки;

• проведение сравнительной экологической оценки припоев на основе свинца и бессвинцового;

• анализ капиллярной пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП припоями на основе свинца;

• разработка способа пайки кристаллов площадью свыше 9 мм2 с образование эвтектики Si-Au;

• разработка способов бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП с образованием эвтектик Zn-Sn и Al-Zn-Sn;

• разработка способа пайки кристалла к корпусу через бессвинцовую прокладку припоя;

• разработка системы монтажа полупроводникового кристалла к корпусу;

Методы исследований. Исследования качества бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП осуществлялись методами рентгеновской дефектоскопии на установке типа РУП-150/300 с использованием пленки Р5 и металлографии. Тепловое сопротивление измерялось на стенде модели ОМ.306.307. Для подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений разработана специальная методика.

Научная новизна работы. Получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Разработан новый способ пайки кристаллов площадью свыше 9 мм с образованием эвтектики Si-Au.

2. Разработаны новые способы бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП с образованием эвтектик Zn-Sn и Al-Zn-Sn.

3. Предложена новая система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу с целью снижения термических напряжений, возникающих в кристалле и корпусе из-за различия термических коэффициентов линейного расширения (TKJIP) соединяемых материалов.

4. Разработана методика автоматического подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений кристалла с корпусом.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту.

1. Способ пайки кристаллов площадью свыше 9 мм с образованием эвтектики Si-Au.

2. Способы бессвинцовой пайки кристаллов к основаниям корпусов СПП с образованием эвтектик Zn-Sn и Al-Zn-Sn.

3. Система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу.

4. Методика автоматического подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных соединений кристалла с корпусом.

Реализация результатов работы, практическая значимость.

1. Разработан способ пайки кристаллов к основаниям корпусов через золотую прокладку с образованием эвтектики Si-Au, позволяющий повысить качество соединения кристалла с корпусом.

На способ получено решение на выдачу патента РФ на изобретение по заявке №2005119238 от 21.06.2005.

2. Разработан способ пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектики Sn-Zn, позволяющий повысить смачиваемость цинкового покрытия оловом и увеличить время хранения кристаллов перед пайкой.

На способ получен патент РФ на изобретение № 2278444 от 20.06.2006. Бюл. № 17.

3. Предложен новый способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки кристаллов к основаниям корпусов с образованием эвтектики Al-Zn-Sn.

4. Разработана система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу, позволяющая повысить качество паяных соединений.

На систему монтажа получено решение на выдачу патента РФ на изобретение по заявке № 2005112328 от 25.04.2005.

5. Разработан способ сварки давлением, способствующий повышению качества соединений внутренних выводов на контактных площадках кристаллов.

На способ получен патент РФ на изобретение № 2271909 от 20.03.2006. Бюл. № 8.

6. Разработана методика автоматического подсчета площади непропаев по рентгенограммам паяных швов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно-технических семинарах: Международном научно-методическом семинаре «Шумовые и деградацион-ные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2003-2005); Всероссийском конкурсе инновационных проектов аспирантов и студентов по приоритетному направлению ФЦНТП «Индустрия наносистем и материалы» (МИЭТ, Зеленоград, 2005); XIII Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика» (МИЭТ, Зеленоград, 2006); научно-технической конференции «Системы и источники вторичного электропитания и элементная база для них» (Москва, 2006); конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2004-2006).

Публикации. Основные результаты работы изложены в 17 публикациях, в том числе 1 в изданиях, рекомендованных ВАК РФ и 2 патентах РФ на изобретения. В совместных работах автору принадлежат проведение экспериментов, разработка методики автоматического подсчета площади непропа-ев, анализ и обобщение полученных результатов, подготовка материалов к печати.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов, списка литературы из 152 наименований и приложения. Работа изложена на 146 страницах, содержит 40 рисунков и 11 таблиц.

Основные результаты и выводы

В диссертации получены следующие научные и технические результаты:

1. Сравнительный анализ применения припоев ПОС40 и 95,5Sn/4Ag/0,5Cu показал экологическую безопасность использования в производстве бессвинцовых припоев. При использовании припоя, содержащего свинец, при тех же условиях организации рабочего места на участке пайки не удается достичь допустимых уровней ПДК ЗВ как в рабочей зоне, так и на выбросе ИЗА.

2. Результаты оценки мощности, подаваемой на прибор и измерения теплового сопротивления RTnK приборов 2П769В, показали зависимость данных параметров от качества пайки кристаллов.

3. Разработан новый способ пайки кристаллов площадью свыше 9 мм2 через золотую прокладку с образованием эвтектики Si-Au. С целью повышения качества соединения кристалла с корпусом предлагается золотую прокладку перед пайкой отжигать в вакууме при температуре 160 - 250 °С или в водороде при температуре 25 °С и атмосферном давлении 101 кПа.

4. Разработаны новые способы бессвинцовой контактно-реактивной пайки кристаллов СПП с образованием эвтектик Zn-Sn и Al-Zn-Sn. Для улучшения коррозионной стойкости и смачиваемости оловом покрытия паяемой поверхности кристаллов на пленку Zn целесообразно наносить Sn-Bi покрытие с содержанием Bi 0,4 - 0,9 %. При использовании прокладки из Zn пайку проводят при температуре 400 - 420 °С, при этом толщины Al, Sn и Zn выбирают исходя из условий образования эвтектики Al-Zn (со стороны кристалла) и Zn-Sn (со стороны корпуса).

5. Для снижения ОМН, возникающих в кристалле и корпусе из-за различия TKJTP соединяемых материалов, разработана система монтажа полупроводникового кристалла к корпусу СПП. Новым в данной системе монтажа по сравнению с существующими является то, что между кристаллом и корпусом размещается буферный элемент в виде сетки из металлов с TKJIP, идентичными кристаллу и корпусу.

6. Установлено, что паяные швы с использованием припоя ВПрб имеют меньшую площадь непропаев по сравнению с припоем ПОС40. RT п-к приборов, в которых пайка кристаллов осуществлялась на припой ВПрб, не превышает норму по ТУ.

Измеренное стационарное тепловое сопротивление переход - корпус транзистора КТ8232А1 в корпусе КТ-43В хорошо согласуется с расчетными данными. Расхождение не превышает 20 %, что соответствует требованиям, предъявляемым к тепловым расчетам.

7. Разработан новый способ автоматического подсчета площади непропаев паяных соединений кристалл - корпус, позволяющий уменьшить трудоемкость подсчета и повысить достоверность контроля.

8. Для повышения качества присоединения внутренних выводов к кристаллу разработан новый способ сварки давлением (термозвукоимпульсный). Данный способ обеспечивает формирование качественного соединения ленточного вывода с контактной площадкой кристалла и предохраняет пленку Si02 от растрескивания при сварке.

1. Горлов М.И. Технологические отбраковочные и диагностические испытания полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, Д.Л. Ануфриев. Мн.: Бел. наука, 2006. 367 с.

2. Горлов М.И. Электростатические заряды в электронике / М.И. Горлов, А.В. Емельянов, В.И. Плебанович. Мн.: Бел. наука, 2006. 295 с.

3. Булгаков О.М. Композиционные модели индукционных взаимодействий в мощных ВЧ и СВЧ транзисторах / О.М. Булгаков, Б.К. Петров. Воронеж: ВГУ, 2005. 253 с.

4. Никишин В.И. Проектирование и технология производства мощных СВЧ транзисторов / В.И. Никишин, Б.К. Петров, В.Ф. Сыноров и др. М.: Радио и связь, 1989. 144 с.

5. Ануфриев Л.П. Повышение качества сборки и монтажа интегральных схем / Л.П. Ануфриев, В.А. Емельянов, Л.К. Кушнер и др. // Электронная промышленность. 1990. № 5. С. 11-12.

6. Автоматизированный монтаж кристаллов транзисторов вибрационной пайкой / Л.П. Ануфриев, А.Ф. Керенцев, В.Л. Ланин // Технологии в электронной промышленности. 2006. № 3. С. 47-50.

7. Ланин В.Л. Формирование многокомпонентных контактных соединений изделий электроники в ультразвуковых и электромагнитных полях: ав-тореф. дис. д-ра техн. наук. Минск, 2005. 47 с.

8. Зенин В.В. Конструктивно-технологические аспекты сборки полупроводниковых изделий: учеб. пособие / В.В. Зенин, А.В. Рягузов. Воронеж: ВГТУ, 2005. 353 с.

9. Грачев А.А. Пайка кристаллов транзисторов в корпус КТ-4 с локальным золочением / А.А. Грачев, И.Ю. Собкевич, Ю.Г. Юртаев // Электронная техника. Сер.7. Технология, организация производства и оборудование. 1982. Вып. 4. С. 52-53.

10. Яковлев Г.А. Физико-химические аспекты пайки неметаллических материалов / Г.А. Яковлев // Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. М.: ЦНИИ «Электроника», 1982. Вып. 15.62 с.

11. Пайка полупроводниковых кристаллов к основаниям корпусов / В.В. Зенин, В.Н. Беляев В.Н., Ю.Е. Сегал, Ю.Л. Фоменко // Петербургский журнал электроники. 2001. № 2. С. 60-67.

12. Бессвинцовые припои в технологии производства изделий микроэлектроники / В.В. Зенин, В.Н. Беляев, Ю.Е. Сегал, А.А. Колбенков // Микроэлектроника. 2003. Том 32. № 4. С. 310-320.

13. Пайка золота в изделиях микроэлектроники оловянно-индиевыми припоями / В.В. Зенин, Г.Л. Полнер, В.Н. Беляев, Ю.Б. Сегал // Известия вузов. Электроника, 2002. № 3. С. 30-37.

14. Gold soldering in microelectronic products with tin-indium solder / V.V. Zenin, A.T. Kosilov, G.L. Polner, I.V. Smurov // Science and Technology of Welding and Joining. 2004. Vol. 9. № 2. P. 169-171.

15. Патент № 2167469 RU, C2 H01L 21/58. Способ пайки полупроводникового кристалла к корпусу / Ю.Е. Сегал, В.В. Зенин, Ю.Л. Фоменко, Б.А. Спиридонов, А.А. Колбенков. Заявл. 13.04.1999. Опубл. 20.05.2001. Бюл. № 14.

16. Патент № 2171520 RU, С27 H01L 21/52. Способ сборки полупроводниковых приборов / Ю.Е. Сегал, В.В. Зенин, Ю.Л. Фоменко, А.А. Колбен-ков. Заявл. 25.05.1999. Опубл. 27.07.2001. Бюл. № 21.

17. Сегал Ю.Е. Паяные соединения плат с металлическими основаниями / Ю.Е. Сегал, В.В. Зенин, А.А. Колбенков // Петербургский журнал электроники. 1999. №3. с. 51-58.

18. Груев И.Д. Электрохимические покрытия изделий радиоэлектронной аппаратуры / И.Д. Груев, Н.И. Матвеев, Н.Г. Сергеев. М.: Радио и связь, 1988.304 с.

19. Флоренцев С.Н. Современное состояние и прогноз развития приборов силовой электроники / С.Н. Флоренцев // СТА. 2004. С. 20-30.

20. Ковалев Ф.И. Силовая электроника: вчера, сегодня, завтра / Ф.И. Ковалев, С.Н. Флоренцев // Электротехника. 1997. № 11. С, 2-6.

21. Флоренцев С.Н. Состояние и перспективы развития приборов силовой электроники на рубеже столетий / С.Н. Флоренцев // Электротехника. 1999. №9. С. 2-10.

22. Ковалев В.Д. Современное состояние и перспективы развития силового полупроводникового приборостроения в России / Ковалев В.Д., Евсеев Ю.А., Сурма A.M. // ВЭЛК: материалы Всерос. электротехнического конгресса. М., 2005. С. 99-102.

23. Михайлова Г. Переход к бессвинцовому припою / Г. Михайлова // Компоненты и технологии. 2004. № 4. С. 188-191.

24. Григорьев В. Бессвинцовая технология требование времени или прихоть законодателей от экологии? / В. Григорьев // Электронные компоненты. 2001. №6. С. 72-78.

25. Бессвинцовые припои в технологии производства изделий микроэлектроники / В.В. Зенин, В.Н. Беляев, Ю.Е. Сегал, А.А. Колбенков // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 4. С. 310-320.

26. Ивасик А. Бессвинцовая пайка диктует перемены / А. Ивасик, Ю. Коваль // Радиоэлектронные компоненты. 2005. № 3. С. 13-15.

27. Медведев A.M. Бессвинцовые технологии монтажной пайки. Что нас ожидает? / A.M. Медведев // Электронные компоненты. 2004. №11.

28. Припои и покрытия для бессвинцовой пайки изделий микроэлектроники / В.В. Зенин, А.В. Рягузов, В.И. Бойко, В.П. Гальцев, Ю.Л. Фоменко // Технологии в электронной промышленности. 2005. № 5. С. 46-51.

29. Новоселов В. ERSA для бессвинцовой пайки сегодня и завтра /

30. B.Новоселов // Технологии в электронной промышленности. 2005. № 4.1. C. 44-48.

31. Рягузов А.В. Бессвинцовые припои в технологии сборки полупроводниковых изделий / А.В. Рягузов // Индустрия наносистем и материалы: материалы Всерос. конф. инновационных проектов аспирантов и студентов. М.: МИЭТ, 2005. С. 162-166.

32. Бессвинцовая пайка кристаллов к основаниям корпусов ИЭТ / В.В. Зенин, Ю.Л. Фоменко, А.В. Рягузов, О.В. Хишко // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: материалы докл. междунар. науч.-техн. семинара. М., 2003. С. 289-293.

33. Зенин В.В. Экологические аспекты проблемы бессвинцовой пайки изделий микроэлектроники /В.В. Зенин, В.Н. Осенков, А.В. Рягузов // Технологии в электронной промышленности. 2005. № 4. С. 81-83.

34. Шапиро Л. Внедрение европейской директивы RoHS / Л. Шапиро // Электронные компоненты. 2006. № 1. С. 9-12.

35. Улиг Г.Г. Коррозия и борьба с ней. Введение в коррозионную науку и технику: пер. с англ. / Г.Г. Улиг, Р.У. Реви // Под ред. A.M. Сухотина. Л.: Химия, 1989.456 с.

36. Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков // Под ред. В.А. Лабунцева. М.: Энер-гоатомиздат, 1990. 576 с.

37. Беляев В.Н. Соединение полупроводниковых кристаллов с основаниями корпусов силовых полупроводниковых приборов методом пайки /

38. B.Н. Беляев, Ю.Е. Сегал, В.В. Зенин // Техника машиностроения. 2002. № 5.1. C. 34-36.

39. Мазур А.И. Процессы сварки и пайки в производстве полупроводниковых приборов / А.И. Мазур, В.П. Алехин, М.Х. Шоршоров. М.: Радио и связь, 1981.224 с.

40. Beine Hilmar. Bleifrei aktuell // Productronic. 1999. № 12. P. 18.

41. Krempelsauer Emst. Bleifrei loten: Silber und Kupfer statt Blei // Elek-tor (BRD). 2000. V. 31. № 5. P. 14-15.

42. Патент № 6077477 США. Solder alloy of electrode for joining electronic parts and soldering method / Sakai Yoshinori, Suetsugu Kenichiro, Yama-guchi Atsushi // Matsushita Electric Industrial Co., Ldt. Заявл. 06.06.1997. Опубл. 20.06.2000.

43. Kariya Yoshiharu, Otsuka Masahisa. Fatigue characteristic nonleaded solders // Materia Mater. Jap. 1999. V. 38. № 12. P. 937-941.

44. Патент № 179234 Польша. Stop lutowniczy in formie tasmy lub proszku / Dutkiewicz Jan // Pol. Akad. Nauk. Inst. Met. Inz. Mater. Заявл. 19.04.1996. Опубл. 27.10.1997.

45. Патент № 5993736 США. Lead-free tin-silver-based soldering alloy atsunaga / Junichi, Nakahara Yuunosuke, Ninomiya Ryuji // Mitsui Mining & Smelting Co., Ldt. Заявл. 26.05.1998. Опубл. 30.11.1999.

46. Патент № 5958333 США. Tin-silver-based soldering alloy / Matsunaga Junichi, Ninomiya Ryuji // Mitsui Mining & Smelting Co., Ldt. Заявл. 15.08.1997. Опубл. 28.09.1999.

47. Kruppa Werner. Bleifrei Loten schon heute anfangen! // Productronic. 1999. V. 19. № 12. P. 20-21.

48. Хряпин B.E. Справочник паяльщика. 5-е изд. перераб. и доп. М., 1981.348 с.

49. Тюхин А.А. Требования к покрытиям корпусов ИС и ПП в зарубежной технике / А.А. Тюхин, А.А. Чернышов, Л.И. Лындаева // Перспективные покрытия электрических соединений и корпусов для ИС и ПП: материалы науч.-техн. семинара. М., 1991. С. 18-25.

50. Bannert P. Bleifreies Loten in der Elektroindus trie // Bracke. 2001. № 1. P. 22-23.

51. Гальванические покрытия в машиностроении: справочник / Под ред. М.А. Шлугера. М.: Машиностроение, 1985. Т. 1. 240 с.

52. Заец Ю. Почему мы отказались от использования свинца / Ю. Заец // Компоненты и технологии. 2004. № 3. С. 186-188.

53. Изменение свойств покрытия из никель бора при термообработке в водороде / И.Г. Ерусалимчик, В.В. Рузанов, Н.В. Щукина и др. // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1981. Вып. 5. С. 48-50.

54. Исследование коррозионных свойств никель бор покрытий для корпусов полупроводниковых приборов / И.Г. Ерусалимчик, З.В. Гигиташви-ли, В.В. Рузанов и др. // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1981. Вып. 7. С. 65-67.

55. Дяглев В.А. Гальваническое осаждение в барабане покрытий никель бор на корпуса интегральных микросхем / В.А. Дяглев, В.В. Плохов, В.Н. Флеров // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1986. Вып. 6. С. 66-68.

56. Исследование паяемости и способности к сварке гальванических никель бор покрытий / В.А. Дяглев, В.В. Плохов, В.Н. Флеров и др. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1986. Вып. 5. С. 70-72.

57. Исследование влияния температурного воздействия на свариваемость гальванического покрытия никель бор с алюминиевой микропроволокой / А.Г. Алексенко, А.И. Колычев, В.В. Зенин, В.В. Осенков // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1989. Вып. 7. С. 3-6.

58. Свойства покрытий траверс корпусов силовых полупроводниковых приборов /В.В. Зенин, Д.И. Бокарев, Ю.Е. Сегал, Ю.Л. Фоменко // Петербургский журнал электроники. 2002. № 4. С. 36-44.

59. А.с. № 1640210 SU, А1 C25D 3/12. Электролит никелирования / Д.К. Кушнер, А.П. Достанко, А.А. Хмыль, С.И. Козинцев, Ф.Б. Качеровская. Опубл. 07.04.1991. Бюл. № 13.

60. А.с. № 1618788 SU, А1 C25D 3/60. Электролит для осаждения покрытий сплавом олово никель / Д.К. Кушнер, А.П. Достанко,

61. B.Н. Власенко, А.А. Хмыль и др. Опубл. 07.01.1991. Бюл. № 1.

62. А.с. № 1468980 SU, А1 C25D 3/60. Электролит для осаждения покрытий сплавом олово никель / Д.К, Кушнер, А.П. Достанко, Н.С. Козлов,

63. C.И. Козинцев и др. Опубл. 30.03.1989. Бюл. № 12.

64. Сегал Ю.Е. Обеспечение качества паяных соединений кристаллов в полупроводниковых приборах для силовой электроники в процессе их разработки и серийного производства: дис. на соискание уч. степ, к-та техн. наук. Воронеж: ВГТУ, 2001. 132 с.

65. Спиридонов Б.А. Структура гальванического сплава Sn-Ni, полученного из фторидхлоридного электролита с добавками ОС-20 / Б.А. Спиридонов, Н.Н. Березина // Вестник Воронеж, гос. техн. ун-та, Сер. Материаловедение. 1999. Вып. 1.6. С. 87-88.

66. А.с. № 633938. Способ электролитического серебрения изделий / Е.Г. Коновалов, А.А. Хмыль, В.П. Луговский. Опубл. 25.11.1978. Бюл. № 43.

67. Бокарев Д.И. Модификация процесса формирования внутренних соединений силовых полупроводниковых приборов: дис. на соискание уч. степ, к-татехн. наук. Воронеж: ВГТУ, 2002. 162 с.

68. Патент № 2194597 RU, 7 В23К 1/20. Способ подготовки к пайке изделий с серебряным покрытием / В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, В.Н. Беляев. Заявл. 18.07.2001. Опубл. 20.12.2002. Бюл. № 35.

69. Красников Г.Я. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС / Г .Я. Красников, Н.А. Зайцев. М., 1999. Ч. 2. 216 с.

70. Влияние ионизации и энергии частиц потока пара на структуру и свойства пленок алюминия на кремниевых подложках / Т.Л. Рослякова, О.В. Гусев, М.Х. Шоршоров, М.А. Верников // Физика и химия обработки материалов. 1980. № 2. С. 66-72.

71. Исследование алюминиевых гальванических покрытий корпусов полупроводниковых изделий / В.В. Зенин, А.И. Колычев, Б.А. Спиридонов, О.В. Хишко // Технологии в электронной промышленности. 2006. № 1. С. 6669.

72. Зенин В.В. Физико-химические процессы в микросоединениях полупроводниковых изделий: монография / В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, Б.А. Спиридонов. Воронеж: ВГТУ, 2003.168 с.

73. Казаков В.А. Электроосаждение алюминия в низкотемпературных расплавленных гидридных электролитах / В.А. Казаков, Н. Накамура, М. Иошко // Электрохимия. 1985. Т. 21. С. 1331-1334.

74. Couch D.E., Brenner A.J. A Hydride Both for the Electrodeposition of aluminium // J. Electrochem. Soc. 1952. V. 99. № 6. P. 234-244.

75. Dotzer R. Galvano-Aluminium and siene anodich oxidation // Chem. Jng. Techn. 1973. V. 45. P. 653-658.

76. Симанавичюс Л.Э. Исследование катодных процессов при электроосаждении алюминия из комплексов А1(С2Н5)3 с NaF / Л.Э. Симанавичюс, А.Р. Станкенас // Исследования в области электроосаждения металлов. Вильнюс, 1971.С. 190-192.

77. Blue R.D., Mathers P.C.Electrodeposition of Aluminium from Non-Aqucons solition // Trans. Elektrochem Soc. 1934. V. 65. P. 339-355.

78. Peled E., Gileadi E. The Electrodeposition of Aluminium from Aromatic hydrocarbon//J. Electrochem Soc. 1976. V. 123. № 1. P. 15-19.

79. Ширкис А.А. Электролиты алюминирования с четвертичными аммониевыми соединениями, содержащими ароматическую группу / А.А. Ширкис, Л.Э. Симанавичюс // Труды АН СССР ЛитССР. Сер. Б. 1986. Т. 4(155). С. 16-24.

80. Симанавичюс Л.Э. Некоторые свойства растворов бромистого алюминия в ксилоле / Л.Э. Симанавичюс, A.M. Левинскене // Электрохимия. 1966. Т. 2. Вып. 3. С. 353-355.

81. Симанавичюс Л.Э. Процессы, происходящие при электроосаждении алюминия из о-, м-, р-ксилольных растворов А1Вг3 / Л.Э. Симанавичюс, А.П. Карпавичус // Труды АН СССР ЛитССР. Сер. Б. 1970. Т. 4(63). С. 139-146.

82. Бобряшов А.И. Коррозионная стойкость алюминиевых гальванопокрытий / А.И. Бобряшов, Б.А. Спиридонов, А.И. Фаличева // Защита металлов. 1984. Т. 20. Вып. 2. С. 290-292.

83. Вол А.Е. Строение и свойство двойных металлических систем / А.Е. Вол, И.К. Каган. М.: Наука, 1976. Т. 3.

84. Малышев В.М. Золото / В.М. Малышев, Д.В. Румянцев. М.: Металлургия, 1979.

85. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник / З.Ю. Готра. М.: Радио и связь, 1991. 528 с.

86. Анализ качества посадки кристаллов ИС на эвтектику золото -кремний / Г.П. Пименова, М.К. Майракова, В.И. Авербах, О.В. Якубович // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1984. Вып. 2.

87. Ногин В.М. Повышение надежности паяного соединения и золоченой ножки кремниевого кристалла / В.М. Ногин, В.В. Полехов, С.Л. Лебедев // Электронная промышленность. 1993. № 5.

88. Патент № 5188982 США, МКИ5 H01L 21/52. Способ присоединения полупроводникового кристалла к корпусу / Huang Chin-Ching. Опубл. 23.02.1993.

89. Патент № 5037778 США, МКИ5 H01L 21/603. Монтаж кристалла с использованием Au-прокладки, плакированной эвтектическим сплавом Au-Si / Stark James, Whitcomb Michael J. Опубл. 06.08.1991.

90. Патент №> 5089439 США, МКИ5 H01L 23/6. Монтаж кремниевых кристаллов с большими размерами на покрытую золотом поверхность / Lip-реу Barrat. Опубл. 18.02.1992.

91. Рягузов А.В. Пайка кристаллов полупроводниковых приборов и ИС с образованием эвтектики кремний золото / А.В. Рягузов, В.В. Зенин, О.В. Хишко // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. С. 202-206.

92. Рягузов А.В. Пайка кристаллов на основания корпусов с образованием эвтектики Si-Au / А.В. Рягузов // Микроэлектроника и информатика: материалы XIII Всерос. межвуз. науч.-техн. конф. М.: МИЭТ, 2006. С. 107.

93. Лашко С.В. Пайка металлов: 4-е изд., перераб. и доп. / С.В. Лашко, Н.Ф. Лашко. М.: Машиностроение, 1988. 376 с.

94. Справочник по пайке: 3-е изд., перераб. и доп. / Под ред. И.Е. Пет-рунина. М.: Машиностроение, 2003. 480 с.

95. Манко Г. Пайка и припои: перевод с нем. / Г. Манко. М.: Машиностроение, 1968. 304 с.

96. ОСТ 11.336.938-83. Приборы полупроводниковые. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность.

97. Зигель Б. Измерение теплового сопротивления ключ к обеспечению нормального охлаждения полупроводниковых компонентов / Б. Зигель // Электроника. 1978. № 14. С. 43-51.

98. ОСТ 11 0944-96. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы расчета, измерения и контроля теплового сопротивления.

99. Федеральный классификационный каталог отходов. Утвержден приказом Министерства Природных Ресурсов РФ № 768 от 02.12.2002.

100. СанПиН 2.1.7.1322-03. Гигиенические требования к размещению и обезвреживанию отходов производства и потребления. Минздрав РФ. М., 2003.

101. Сборник нормативных документов по переработке, обезвреживанию и захоронению токсичных промышленных отходов. В 2 томах. М.: Проэкознание, 1991.

102. Дополнение к федеральному классификационному каталогу отходов. Утверждено приказом МПР РФ № 663 от 14.08.2003.

103. Экологически чистый полигон захоронения твердых бытовых отходов для г. Москвы. Агентство по охране окружающей среды Дании, январь 1995.

104. СанПиН 2.1.4.1074-01. Питьевая вода. Гигиенические требования к качеству воды централизованных систем питьевого водоснабжения. Минздрав РФ. М, 2001.

105. СанПиН 2.1.5.980-00. Гигиенические требования к охране поверхностных вод. Минздрав РФ. М., 1998.

106. ГН 2.1.5.689-98. ПДК химических веществ в воде водных объектов хозяйственно-питьевого и культурно-бытового водопользования. Гигиенические нормативы. Минздрав РФ. М., 1998.

107. Безопасность деятельности: энциклопедический словарь / Под ред. засл. деят. науки и техники РФ, д-ра техн. наук, проф. О.Н. Русака. СПб: Информационно-издательское агентство «ЛИК», 2003.

108. Электроника и экология / В.В. Зенин, В.Н. Осенков, А.В. Рягузов, В.И. Федянин // Системы жизнеобеспечения и управления в чрезвычайных ситуациях: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. Ч. 2. С. 136-141.

109. Методика проведения инвентаризации выбросов загрязняющих веществ в атмосферу для автотранспортных предприятий (расчетным методом). Утверждена зам. министра транспорта РФ 28.10.1998.

110. Бокарев Д.И. Бессвинцовая контактно-реактивная пайка кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов /

111. Д.И. Бокарев, В.В. Зенин, А.В. Рягузов // Вестник Воронеж, гос. техн. ун-та. 2006. Т. 2. №4. С. 153-155.

112. А.с. № 1781732 СССР, МКИ5 H01L 21/58. Способ крепления полупроводникового кристалла к корпусу / B.J1. Розинов, Н.А. Барановский, И.Ш. Фишель, J1.A. Лискин. Опубл. 15.12.1992. Бюл. № 46.

113. Мужиченко О.Г. Влияние лазерной обработки тонких пленок на качество ультразвуковой микросварки / О.Г. Мужиченко, В.М. Колешко,

114. A.И. Дударчик // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1982. Вып. 6.

115. Мужиченко О.Г. Влияние ультрафиолетового облучения тонких пленой на качество ультразвуковой микросварки / О.Г. Мужиченко,

116. B.М. Колешко, А.И. Дударчик // Электронная техника. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. 1987. Вып. 2.

117. Патент № 2033659 RU, H01L 21/52. Способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу / В.В. Полехов, С.Л. Лебедев, В.И. Сарычев. Опубл. 20.04.1995. Бюл. № 11.

118. Патент № 2212730 RU, С2 H01L 21/52. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов больших размеров в корпуса / В.В. Зенин, В.Н. Беляев, Ю.Е. Сегал. Заявл. 14.05.2001. Опубл. 20.09.2003. Бюл. № 26. 3 с.

119. Горлов М.И. Причины разрушения кристаллов БИС в металлоке-рамическом корпусе / М.И. Горлов, В.В. Жучкова, О.М. Золотухина // Актуальные проблемы фундаментальных наук: сб. докл. междунар. конф. М.: МГТУ им. Баумана, 1991. Т. 9. С. 90-93.

120. Золотухина О.М. Дефекты в зоне пайки причина разрушения кристаллов БИС / О.М. Золотухина, В.В. Жучкова // Электронная промышленность. 1994. № 4-5. С. 114-117.

121. Золотухина О.М., Жучкова В.В., Колбенков А.А. Прогнозирование надежности сборки БИС. Электронная промышленность, 1994. № 4-5, С. 117119.

122. Горлов М.И. Геронтология интегральных схем: долговечность внутренних соединений / М.И. Горлов, В.В. Зенин, А.В. Строгонов // Петербургский журнал электроники. 1998. № 2. С. 38-45.

123. Решение на выдачу патента РФ на изобретение. Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса / В.В. Зенин, В.И. Бойко, В.П.' Гальцев, А.В. Рягузов, Ю.Л. Фоменко, О.В. Хишко. Заявка №2005112328 от 25.04.2005.

124. Стенд контроля теплового сопротивления транзисторов ОМ.006.307 // ОАО «ВЗПП-Сборка». Воронеж, 2004.

125. Захаров А.Л. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов: метод эквивалентов / А.Л. Захаров, Е.И. Асвадурова. М.: Радио и связь, 1983. 184 с.

126. Коваленко П.Ю. Конструктивно-технологические особенности разработки гибридных силовых модулей: дис. на соискание уч. степ, к-та техн. наук. Воронеж: ВГТУ, 2001. 147 с.

127. Могилевский В.М. Теплопроводность полупроводников / В.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. М.: Наука, 1972. 536 с.

128. Арский В.Н. МДП интегральные схемы: методы сборки и герметизации/В.Н. Арский. М.: Электроника, 1981. С. 21-31.

129. Патент № 2114422 RU, CI G01N 27/12. Полупроводниковый датчик газов / С.И. Рембеза, Ю.Б. Ащеулов, Т.В. Свистова, Е.С. Рембеза, Г.В. Горлова. Опубл. 27.06.1998. Бюл. № 18.

130. Патент на полезную модель № 56634 RU, U1 G01N 27/12. Твердотельный датчик газов / С.И. Рембеза, В.А. Буслов, О.Г. Викин. Заявл. 04.05.2006. Опубл. 10.09.2006. Бюл. № 25.

131. Горлов М.И. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых изделий и интегральных схем в процессе серийного производства / М.И. Горлов, Л.П. Ануфриев, О.Л. Бордюжа. Мн.: Интеграл, 1997. 390 с.

132. А.с. № 498129 СССР, В23К 19/00. Способ ультразвуковой сварки / В.М. Петров, В.В. Турбин. Опубл. в Б.И. 1976. № 1.

133. А.с. № 182490 СССР, 49 h 32/02. Способ сварки микродеталей давлением с косвенным нагревом / Ю.Л. Красулин, В.И. Кузьмин, В.Г. Никитин. Опубл. в Б.И. 1966. №11.

134. А.с. № 719830 СССР, В23К 19/00. Способ термокомпрессионной сварки / В.Е. Атауш, Р.Б. Рудзит, С.В. Карпенко, В.П. Леонов, Э.Г. Москвин. Опубл. в Б.И. 1980. №9.

135. Патент № 2220830 RU, 7 В23К 210/10. Инструмент для микросварки /.В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, В.Н. Беляев. Заявл. 27.12.2001. Опубл. 10.01.2004. Бюл. № 1.

136. Патент на изобретение № 2271909 RU, С2 В23К 31/02. Способ сварки давлением / В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, Ю.Л. Фоменко, В.Я. Пьяных, А.В. Рягузов, В.А. Шарапов. Заявл. 08.01.2004. Опубл. 20.03.2006. Бюл. № 8. 4 с.