автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Разработка технологии КМОП ИС на структурах КНД

СОДЕРЖАНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Структуры КНД в микроэлектронике.

1.1 Основные типы КНД структур.

1.1.1. Структуры кремний на сапфире (КНС).

1.1.2. Структуры, сформированные имплантацией атомов кислорода или азота (81МОХ).

1.1.3. Структуры, сформированные рекристаллизацией аморфных или поликристаллических слоев кремния (2МЯ).

1.1.4.Структуры, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на пористом кремнии (КНПК).

1.1.5. Структуры, полученные методом последовательного наращивания диэлектрических слоев фторида кальция и кремния на поверхность кремниевой подложки (КНФ).

1.2.Особенности технологии КМОП ИС на структурах КНД.

ГЛАВА 2. Технология КМОП ИС на структурах КНС.

2.1. Электрофизические параметры КНС структур.

2.1.1. Распределение легирующей примеси в кремниевом слое.

2.1.2. Структурные дефекты кремниевого слоя.

2.1.3. Влияние границы раздела на параметры кремниевого слоя.

2.2. Проблемы технологии КМОП ИС на структурах КНС.

2.2.1. Фотолитография на структурах КНС.

2.2.2. Формирование кремниевых островков.

2.2.3. Ионное легирование «кармана» и границы раздела кремний-сапфир.

2.2.4. Создание затворного окисла МОП транзисторов на КНС.

2.3. Параметры КМОП ИС структурах КНС.

2.4. Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. Технология КМОП ИС на структурах КНПК.

3.1. Электрофизические параметры КНПК структур.

3.1.1 Дефекты КНПК структур.

3.1.2. Особенности получения пористого слоя.

3.1.3. Особенности получения кремниевого слоя.

3.1.4. Особенности окисления пористого кремния.

3.1.5. Граница раздела кремний- окисел.

3.2. Проблемы технологии КМОП ИС на структурах КНПК.

3.2.1. Особенности создания кремниевого островка.

3.2.2. Особенности получения окисла из пористого слоя.

3.2.3. Особенности разделения структур КНПК на кристаллы.

3.3. Параметры КМОП ИС на структурах КНПК.

3.5. Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. Технология КМОП ИС на структурах КНФ.

4.1. Электрофизические параметры КНФ структур.

4.1.1 Особенности получения слоев фторида кальция.

4.1.2. Особенности эпитаксии слоев кремния на фториде кальция.

4.1.3. Дефекты кремниевого слоя структур КНФ.

4.1.4. Граница раздела кремний - фторид кальция.

4.2. Проблемы технологии КМОП ИС на структурах КНФ.

4.2.1. Особенности травления кремниевого слоя.

4.2.2. Особенности химической обработки структур КНФ.

4.2.3. Особенности термообработки структур КНФ.

4.3. Параметры КМОП ИС на структурах КНФ.

4.4. Выводы к главе 4.

ГЛАВА 5. Технико-экономические показатели изготовления и использования КНД структур.

5.1. Сравнение технических и технологических параметров КНД структур

5.2. Сравнение экономических параметров КНД структур.

5.3. Выводы к главе 5.

ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ.

В настоящее время основными направлениями развития микроэлектроники являются увеличение степени интеграции интегральных схем (ИС) и повышение их быстродействия. Однако, переход к субмикронным размерам и далее к трехмерным ИС, когда степень интеграции и плотность упаковки элементов значительно растут, серьезно затрудняет решение задачи одновременного повышения надежности и быстродействия ИС, так как при этом уменьшаются расстояния между отдельными элементами, что в свою очередь, увеличивает паразитные связи между ними. Снижение быстродействия до определенного момента удавалось компенсировать увеличением быстродействия активных элементов схем. Но в настоящее время резервы такого увеличения практически исчерпаны и можно рассчитывать только на комплексное решение проблемы. Не менее важной задачей является улучшение устойчивости ИС к факторам, приводящим к изменению проводимости подложки (температуре, различного рода радиационным воздействиям, и так далее), что влияет на величину паразитных связей между элементами ИС и, следовательно, на выходные параметры последних.

Важно отметить, что основным недостатком используемой сегодня технологии является изоляция элементов схемы р-п переходами. Наличие изолирующих р-п переходов приводит к возникновению тиристорных структур и, как следствие, к эффектам смыкания и защелки, ограничивает плотность упаковки, 6 быстродействие, надежность, стойкость к внешним воздействиям и не позволяет полностью устранить токи утечки. Кроме того, из-за физических ограничений, накладываемых на размеры изолирующих р-п переходов, при уменьшении размеров элементов микросхем расстояние между ними остаются практически неизменными. Это означает, что на первый план при создании субмикронной технологии выходит проблема межэлементной изоляции. Однако, оставаясь в рамках идеологии изолирующих р-п переходов, решить эту проблему можно лишь частично, существенно усложняя технологический маршрут.

Кардинальным решением всех вышеперечисленных проблем является замена проводящей подложки ИС на непроводящую, что позволяет практически полностью устранить паразитные связи между элементами ИС, значительно снизить паразитные емкости разводки, а также во многом исключить влияние внешних воздействующих факторов.

Кремниевые структуры с непроводящей подложкой носят общее название «кремний на диэлектрике» (КНД). В настоящее время сложилось три основных варианта КНД структур: на монокристаллических диэлектрических подложках; на аморфных подложках; с использованием скрытых диэлектрических слоев, создаваемых имплантацией атомов кислорода или азота.

В последнее десятилетие отмечается заметное усиление активности в этой области благодаря исключительным свойствам КНД структур, позволяющим создавать на их основе высококачественные ИС с полной диэлектрической изоляцией элементов, в том числе и сверхбольшие схемы (СБИС) и схемы с интеграцией по вертикали, то есть с двумя и более уровнями приборов в высокока7 чественных пленках монокристаллического кремния, разделенных слоями диэлектрика [1-4], а также модифицировать конструкции обычных ИС с целью улучшения их характеристик.

Все известные варианты технологии создания КНД структур, независимо от их применения, должны отвечать двум требованиям: предотвращение коробления пластин и снижение плотности кристаллографических дефектов в пленках КНД на столько, чтобы не деградировали характеристики приборов. Эти требования становятся особенно актуальными при повышении степени интеграции схем. Коробление пластин вызывает серьезные проблемы при фотолитографии, а дефекты значительно увеличивают токи утечки активных элементов ИС.

Таким образом, только использование высококачественных структур КНД может обеспечить возможность создания интегральных схем любой организации и самых высоких технологических параметров, обладающих широкими потребительскими характеристиками. Этим объясняется актуальность данной диссертационной работы, в которой исследуются КНД структуры типа «кремний на сапфире» (КНС), «кремний на пористом кремнии» (КНПК) «кремний на фториде кальция» (КНФ) в качестве основы для КМОП ИС.

Цель диссертационной работы заключалась в проведении комплексных экспериментов по разработке технологических процессов на структурах КНС, КНПК и КНФ с учетом их конструктивных, технологических и физических особенностей, которые позволят создать КМОП технологию изготовления ИС с 8 использованием в качестве подложки структуры КНД, и оптимизировать сами структуры для их применения в условиях серийного производства. В работе решались следующие задачи:

1. Установление значений основных электрофизических параметров определяющих возможность изготовления КМОП ИС на их основе.

2. Разработка технологического маршрута для изготовления КМОП ИС на структурах КНС, КНПК и КНФ '

3. Обеспечение для КМОП ИС следующих основных параметров при напряжении 5В и длине канала МОП транзисторов Змкм:

3.1.Ток утечки в закрытом состоянии не более 50 мкА.

3.2.Ток стока в открытом состоянии не менее 1 мА.

3.3.Время задержки на каскад не более 3 не.

3.4.Сохранность основных параметров при воздействии внешних факторов.

4. Внедрение в серийное производство технологий КМОП ИС на структурах КНС

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и заключения. Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы основные задачи работы, показана научная новизна и практическая ценность решаемых задач.

Основные результаты исследований докладывались и обсуждались на:

Двух научно-технических конференциях НПО «Изомер» (1986г., 1987г.); на всесоюзной конференции «Физические проблемы МДП- приборов» (Киев, 1988г.): на пятой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Новосибирск, 2000г.).

Материалы диссертационной работы опубликованы соискателем в соавторстве в 22 работах: в их числе 4 доклада на конференциях, 3 статьи и 15 научных и технических отчетов по НИОКР, результаты которых Актами Государственных и Межведомственных комиссий признаны соответствующими лучшим мировым достижениям и рекомендованы к использованию в отрасли.

Успешному выполнению настоящей работы способствовало плодотворное сотрудничество со многими сотрудниками ИФП СОР АН, НГТУ и других организаций.

Автор особо признателен научному руководителю д. т. н. А. А. Величко за искреннюю поддержку и постоянные дискуссии в ходе работы.

Автор с благодарностью вспоминает профессора Л. Н. Александрова, доцента НГТУ А. И. Ильенкова и ведущего инженера ОКБ при Н31111 Г. А. Ягу-нову, без которых он бы не сложился как специалист в области микроэлектроники.

20 9

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Technocrat, 1985, v. 18, №1, p. 23 29

2. Оё буцури, 1985, т. 54, №1, с. 652 659

3. J. Cryst. Growth., 1984, v.70, № 1-2, p. 253 270

4. RGA Rev., 1983, v.44, №2, p. 250 2695. Патент США № 4573306. Патент Японии № 59 6373867. Патент Японии № 59 390448. Патент Японии № 59 390459. Патент Японии № 59 1634210. Патент Японии № 59 18657

5. B.C. Папков, М.Б. Цибульников, "Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе." М., Энергия, 1979, 88с.

6. В.М. Стругебников "Электрофизические характеристики гетероэпитак-сиальных пленок кремния на сапфире и шпинели" обзоры по электронной технике, 1980, сер.6, вып.2 ( 705 ), 38с.

7. L.T. Picrause, " Ion chenneling studes of cristalline perfection of epitaxial layers", Y. of Appl. Phys., v.36, 1965, p. 2700 2703.

8. DJ. Dumin ," Deformation f and stress in epitaxial silicon films on single crystal saphire", Y. of Appl. Phys., 1966, v. 37, p. 2706 2708.210

9. G.W. Callen , "The preparation and properties of chemically vapor de-positied silicon on sapphire and shpinel', Y.Crist., 1971, v.9, p.107 126.

10. Труды международной конференции по физике и химии полупровод-никавых переходов и слоистых структур, Будапешт, 1970, с.З.

11. D.J. McCreivy, "On the Origin of Leakage Currents in silicon on - sapphire MOS Transistors", IEEE Trans, on Electron Dev., 1977, v. ED - 24, № 6, p. 730 -738.

12. P. Gental., "A model of the Leakage current in n channel silicon - on -sapphire MOST's", Revue of Phys. Appl., 1978, v. 13, №12, p. 603 - 613.

13. D.J. Dumin, P.H. Robinson, "Carrier Transport in Silicon Films"., Y. Appl. Phys., 1968, v. 39.,№6, p. 2759 - 2765.

14. D.J. Dumin, "Deep levels within the forbidden gap of silicon on - spphire films", - Solid State Electronics, 1970, v.13, №3, p. 415.

15. S.T: Pieraux, "Ion Channelling studies of Epitaxial Layers", - Appl. Phys. Lett., 1972, v.20, №2, p. 91 - 93.

16. S.T. Pieraux, G.J. Thomas, "Correlation of ion channelling and electron icroscopy results in the evaluation of heteroepitaxial silicon"; Y. Appl. Phys., 1973, v. 44, №2, p. 594.

17. M.S. Abrahams, C.J. Buiocchi, "Cross sectional microscopy of silicon on sapphire", - Appl. Phys. Lett., 1975, v. 27, p. 325 - 327.

18. D.J. Dumin, P.H. Robinson, "Electricolly and opticaly active defects in silicon on - sapphire films", - Y. Crist. Growth., 1968, v. 3 - 4, №2,p. 214 - 218.211

19. A.B. Ellict, "An inverstigation of carrier transport in thin silicon on - sapphire films using MIS deep depletion hall efects structures", Solid State Electronics, 1972, v.l5,№4, p. 531 -545.

20. D.J. Dumin, P.H. Robinson, "Autodoping of silicon films growth epitaxialy sapphire", Y. Electrochem. Soc., 1966, v. 113, №5, p. 469 - 472.

21. D.J. Dumin, " Electrical Properties of silicon Films Growth Epitaxially on sapphire", Y. Appl. Phys., 1967, v. 38, №4, p. 1909 - 1914.

22. Electron. Lett., 1985, v. 21, №4, p. 154 155.

23. EaHbflaorra CioaSao, 1987, t. 8, №4, c. 337 344.

24. Solid State Electron., 1980, v. 23, № 1 A, p. 31 - 33.

25. Appl.Phys. Lett., 1982, v. 41, №1, p. 86 88.

26. IEEE Y., 1985, v. SC 20, №1, p. 173 - 177.

27. G. Timmer et al., IEEE Trans, on El. Devices, 1983, v. 30, №11, p. 1515 -1520.

28. Lam Hon Wal, IEEE Circuits and Devices Mag., 1987, v. 3, №4, p. 6 - 11.

29. Electron. Lett, 1986, v. 22, №23, p. 1236 1237.

30. Physica, 1985, v. BC129, №1- 3, p. 249 254.

31. Y. Appl. Phys, 1987, v. 62, № 10, p. 4118 4123.

32. Phys. Status Solid (a), 1089, v. 112, №2, p. 661 667.

33. Appl. Phys. Lett, 1988, v. 52, №6, p. 483 485.

34. Appl. Phys. Lett, 1984, v. 45, №10, p. 1081 1083.

35. Physica, 1985, v. BC129, №1 3, p. 171 - 175.

36. Electron. Lett, 1983, v. 19, №4, p. 139 140.212

37. Microelectron. Y., 1983, v. 14, №6, p. 74 81.44. Патент Японии № 59-58821.

38. Y. Electrochem. Soc., 1981, v. 128, №9, p. 1981 1986.

39. Y. Appl. Phys., 1982, v. 57, №1, p. 43

40. Y. Electrochem. Soc., 1981, v. 128, №5, p. 1151 1154.

41. Mater. Lett., 1985, v. 3, №3, p. 73 77.

42. Y. Appl. Phys., 1987, v. 162, №10, p. 4170 4173.

43. Appl. Phys. Lett., 1982, v. 41, №4, p. 346 347.

44. Laser Solid Ineeract. And Transient Therm. Proc. Mater. Symp., Boston Mass., Nov. 1982, N.Y., 1983, p. 549 - 556.

45. Дэнси Гюдзу, 1984, т. 70, №14, с. 82 84.

46. Y. Cryst. Growth., 1983, v. 63, №3, p. 445 452.

47. Energy Beam Solid Interact. And Transient Therm. Processing Symp. Boston, Mass., Nov., 14 - 17, 1983, N.Y., 1984, p. 491 - 496.

48. Energy Beam Solid Interact. And Transient Therm. Processing Symp. Boston, Mass., Nov., 14- 17, 1983, N.Y., 1984, p. 533 - 537.

49. Appl. Phys. Lett., 1981, v. 39, №7, p. 561.

50. Mater. Lett., 1982, v. 1, №1, p. 32.

51. Laser Solid Ineeract. And Transient Therm. Proc. Mater. Symp., Boston. Mass., Nov. 1982, N.Y., 1983, p. 569 - 574.

52. Электроника, 1982, №22, с. 5 6.

53. Phys. Status Solidi (a), 1989, v. 112, № 2, p. 721 725.213

54. ЕРМ 87, Energy Pulse and Particle Beam Modif. Mater.: Int. Couf., Dresden, Sept. 7- 11,1987, Berlin, 1988, p. 446 449.

55. B.A. Лабунов, A.B. Демчук, Л.А. Казанцев, "Лазерные методы формирования КНД структур и технология трехмерных СБИС" Зарубежная электронная техника, №6( 394), 1991.

56. Solid State Electron., 1981, v. 24, №2, p. 173 177.

57. Int. Electron Devices Meet., Washington. D.C., 5-7 Dec., 1983, Techn. Dig. N.Y., 1983, p. 348-351.65. Патент Японии №59 3851.

58. Int. Electron Devices Meet., Washington. D.C., 5-7 Dec., 1983, Techn. Dig. N.Y., 1983, p. 378-379.67. Патент США №4502913.

59. Int. Electron Devices Meet., Los Angeles. Calif., 7-10 Dec., 1986, Techn. Dig. N.Y., 1986, p. 431 -434.

60. T.C. Lin, K.L. Wang, "New silicon on - insulator technology using a two - step oxidation technology", - Appl. Phys. Lett., v. 49, 1986, №17, p. 1104.

61. T. Ito, T. Yasumatsu, A. Hiraki, "Homoepitaxial growth of silicon on ano-dizer porous silicon", Applied Surface Science, v. 44, 1990, p. 97 - 102.

62. S. Konaka, M. Tabe, T.M. Sakai, "A new silicon on - insulator structure using a siliconmolecular beam epitaxial growth on porous silicon", - Appl. Phys. Lett, 1982, v. 41(1), July.

63. H. Takai, N. Itoh, "Porous silicon lagers and its oxid for the silicon on -insulator structure", - J. Appl. Phys., 1986, v. 60, №1, July.214

64. J. Appl. Phys., 1986, v. 60, №1, p. 222 225.

65. Appl. Phys. Lett., 1986, v. 48, №26, p. 1793 1795.

66. M.I.Y. Beale, N. G. Chew, A.W. Callins, etial., "F. Study of silicon MBE on porous silicon substrates", J. Rac. Scxi. Technol., 1985, v. 3, №2, p. 732.

67. T.L. Lin, S.C. Chen, J.C. Kao, K.L. Wang, " 100mm wide silicon - on -insulator structrures by Si molecular beam epitaxy growth on porous silicon", - Appl. Phys. Lett., 1986, v. 48, №26, June.

68. H. Takai, T. Itoh, "Isolation of silicon film growth on porous silicon layer", -Journ. of Electronic. Materials, 1983, v. 12, №6.

69. T. Yasumatsu, T. Ito, " Ultra thin si film growth epitaxially on porous silicon", Appl. Surface Science, 1991, v. 48/49, p. 414.

70. A.A. Величко, B.A. Илюшин, И.А. Окомельченко "Получение фторида кальция методом эпитаксии из молекулярных пучков", Электронная промышленность, 1994, №6, с. 38 - 39.

71. А.А. Величко, СюКю Ноак, "Структура и свойства эпитаксиальных пленок фторидов, полученных методом молекулярно лучевой эпитаксии", Обзоры по электронной технике, М, ЦНИИ "Электроника", 1988, сер. 3, вып. 7, 47 с.

72. T.D. Stanley, "The State of - the art in SOI technology", - IEEETrans. On Nucl. Sci, 1988, v. 35, №6, p. 1346 - 1349.

73. A.A. Величко, "Гетероэпитаксиальные КНД структуры Si/CaF2/Si. Исследования. Применение." Электронная промышленность, 1990, №8, с. 51 -57.215

74. А.А. Величко, А.Н. Киселев, И.А. Окомельченко, "Влияние быстрого отжига на морфологию поверхности гетероэпитаксиальных слоев CaF2/Si(100) ", Поверхность. Физика, химия, механика, 1994, №7, с. 99 - 103.

75. V.Yu. Karasev, A.N. Kiselev, E.V. Orvola, S.M. Pintus, A.A. Velichko and O.A. Zalabasov, "HREM investigation of epitaxial structure in the CaF2/Si heterosystem", Microscop. Semicond. Mater. Couference. Oxford, 25 - 28 March, 1991, p. 537-540.

76. A.A. Velichko, A.N. Kiselev, I.A. Okomelchenko, "HREM of epitaxial layers and interfaces in the CaF2/Si(100) and CaF2/Si/CaF2/Si(100) heterosystems", J. Of Crystal Growth, 1993, v. 129, p. 166- 172.

77. R.W. Fathauer, B.D. Hunt, L.J. Schowaller, "Molecular beam epitaxy of insulator ( metal ) silicon structures: CaF2/ NiSi2/Si(III) and CaF2/ CoSi2/Si(III)", - J. Vac. Sci. And Technal, 1987, v. 85, p. 743.

78. C.H. Новотный, А.Н. Кожемякин, Б.Б. Кольцов, И.Г. Мельник, научно- технический отчет по НИР "Накопитель" "Разработка конструкции и лабораторной технологии получения образцов КМДП ИС на структурах КНС", Г21912, 1982. Г. Новосибирск.

79. J. Electrochem. Soc, 1980, №127, №4, p. 257.

80. С.А. Волков, Б.Б. Кольцов, Г.Н. Луценко, В.Н. Овсюк, М.А. Демьяненко. "Избыточные токи утечки планарных р п переходов в слоях кремния на сапфире ", - 1986, Препринт 10-86, г. Новосибирск.

81. С.И. Новотный, А.Н. Кожемякин, Б.Б. Кольцов, И.Г. Мельник, Научно- технический отчет по НИР "Навет", "Разработка конструкции и технологии216получения матричных БИС на структурах КНС", 1983, Г51358, г. Новосибирск.

82. Б.Б. Кольцов "Технологический маршрут изготовления КМДП ИС на структурах КНС", - Научно - техническая конференция ПО "Изомер", 1986.

83. Б.Б. Кольцов "Технологический маршрут изготовления КМДП/КНС ИС на структурах КНС", - Научно - техническая конференция ПО "Изомер", 1987.

84. Б.Б. Кольцов "Процессы окисления в технологии КМОП ИС на структурах КНС", - тезисы докладов конференции "Физические проблемы МДП приборов" , 1988, Киев.

85. Б.Б. Кольцов, А.Е. Втюрин, Научно - технический отчет по НИР "Наивность" - "Исследование технологических возможностей повышения быстродействия матричных БИС изготовленных на БМК 1570ХМ1", 1989,8Г01869, г. Новосибирск.

86. Б.Б. Кольцов, И.Г. Мельник, В.Ю. Вайнер, Ю.Н. Попов, Б.Н. Михайлов Научно - технический отчет по НИР "Налет" - "Поиск путей создания технологий и конструкции программируемых логических матриц на 5000 вентилей", 1985, Г59915, г. Новосибирск.217

87. Б.Б. Кольцов, В.Ю. Вайнер, Б.Н. Михайлов, Научно - технический отчет по НИР "Налет - 1", - "Разработка технологии и конструкции для серии УВМ на структурах КМДП КНС объемом от 2000 до 5000 вентилей", 1986, Г86368, г. Новосибирск.

88. А.Н. Кожемякин, Н.С. Кирюхина, Б.Б. Кольцов, Технический отчет по ОКР "Накопитель - 1", - "Разработка ИС на КМДП структурах ( аналог СД 40115 по результатам НИР "Навет" и НИР "Накопитель"" - 1984, Г57409, г. Новосибирск.

89. В.Ю. Вайнер, Б.Б. Кольцов, И.Г. Мельник, Технический отчет по ОКР "Навет - 1", - "Разработка программируемых логических матриц на КМДП КНС структурах", 1985, Е55294, г. Новосибирск.

90. В.Ю. Вайнер, А.Е. Втюрин, Б.Б. Кольцов, Технический отчет по ОКР "Нашивка", - "Разработка трех СИС: многорежимного буферного регистра, шинного формирователя с управлением извне, двунаправленного шинного формирователя ", 1987, Г56117, г. Новосибирск.

91. А.Е. Втюрин, Б.Б. Кольцов, Технический отчет по ОКР "Накатка", -"Обследование опытных образцов БИС на основе по топологии заказчика", 1988, Г56116, г. Новосибирск.216

92. А.Е. Втюрин, Б.Б. Кольцов, Технический отчет по ОКР "Накатка -1", - "Исследование опытных образцов БИС на основе БМК, изготовленных по топологии заказчика", 1990, 8Г03035, г. Новосибирск.

93. В.А. Ленков, Б.Б. Кольцов, Технический отчет по ОКР "Накатка - 4", - "Исследование опытных образцов БИС на основе БМК типа 1570ХМ1, изготовленных по топологии заказчика", 1992, 8Го4598, г. Новосибирск.

94. Б.Б. Кольцов, С.И. Романов, Научно — технический отчет по НИР "Азалея", - "Исследование возможности создания и параметров КМОП ИС на структурах КНД типа "Кремний на окисленном пористом кремнии ( КМОПК )", 1993, 8У01896, г. Новосибирск.

95. Б.Б. Кольцов, А.И. Величко, Научно - технический отчет по НИР "Сирус - 1" - "Исследование по разработке перспективных методов конструирования и изготовления БИС", 1991, 8У00570, г. Новосибирск.

96. A.A. Величко, Б.Б. Кольцов, И.А. Окомельченко, "Новый КМОП -транзистор на основе гетероструктуры Si - CaF2 - Si ", Электронная промышленность, 1992, №5, стр. 50.

97. A.A. Величко, Б.Б. Кольцов "Электрофизические параметры КМОП транзисторов на основе эпитаксиальных структур Si - CaF2 - Si ", - Микроэлектроника, 1997, т. 26, вып. 2, с. 54 - 58.

98. Научно технической комиссии о внедр . „ диссертационной работы т. Кольцова Б. Б.1. АКТ1. Комиссия в составе:

99. Председателя начальника ОКБ при НЗПП Попова Ю. Н.

100. Членов комиссии: главного инженера НТО! НЗПП с ОКБ Власевского В. В

101. Автор предложил и практически реализовал метод контроля заряда на границе раздела кремний сапфир с использованием высоковольтного эффекта поля.

102. Результаты работы внедрены в серийное производство, что позволило осуществлять эффективный входной контроль КНС структур, с целью исключения использования заведомо непригодных подложек.

103. Научно технической комиссии о внедрении резутл диссертационной работы т. Кольцова Б. Б.с ОКБ Ю, В^ЗДопов1£мт1 г.1. Комиссия в составе:

104. Председателя начальника ОКБ при НЗПП Попова Ю. Н.

105. Членов комиссии: главного инженера НЛП НЗПП с ОКБ Власевского В. В.главного инженера НПП НЗПП с ОКБ Кожемякина А. Н.

106. Автор предложил и практически реализовал оригинальную последовательность технологических операций, что позволило создать на основе структур КНПК тестовые КМОП ИС и оценить уровень их основных параметров.

107. Данное направление работ должно стать одним из основных при создании высококачественных БИС с любой организацией активных и пассивных структур.

108. Председатель комиссии ^^ Члены комиссии1. Ю. Н. Попов1. В. В. Власевский1. А. Н. Кожемякинm