автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Восстановление данных послойного ВИМС-анализа сверхтонких структур

Введение.

Глава 1. Обзор литературы.

1.1 Определение функции разрешения.

Общие закономерности.

Условия корректного измерения функции разрешения.

1.2 Форма функции разрешения.г.

1.3 Выбор и применение процедуры восстановления данных.

Глава 2. Измерение функции разрешения для послойного анализа методом ВИМС.

2.1 Введение.

2.2 Экспериментальные условия измерений.

2.3 Сравнение функций разрешения при различных условиях анализа.

2.3.1 Характеристика функции разрешения.

2.3.2 Положение функции разрешения на шкале глубин.

2.3.3 Сравнение характеристической длины спадания заднего фронта функции разрешения при различных условиях анализа.

2.3.4 Влияние индуцированного ионной бомбардировкой рельефа на параметры разрешения.

Глава 3. Функция разрешения при послойном анализе методом ВИМС.

3.1 Аппроксимация функции разрешения при послойном анализе методом ВИМС.

3.1.1 Форма аппроксимирующей функции.

3.1.2 О процедуре подгонки параметров аппроксимирующей функции.

3.2 Свойства аппроксимирующих функций.

3.2.1 Свойства сдвоенной экспоненциальной функции.

3.3 О применении неполных функций разрешения для восстановления данных послойного анализа.

Глава 4. Восстановление данных послойного анализа методом максимальной энтропии.

4.1 Формализм восстановления данных методом максимальной энтропии.

4.2 Об учете зашумленности данных послойного анализа методом ВИМС при их восстановлении.

4.3 Восстановление данных послойного анализа методом максимальной энтропии на примере 5-легированной структуры.

4.3.1 Восстановление данных с полной функцией разрешения.

4.3.2 Восстановление данных с неполной функцией разрешения.

ВЫВОДЫ.

Актуальность проблемы. Одним из главных аналитических методов современного материаловедения является вторично-ионная масс-спектрометрия (БИМС). Важнейшим преимуществом ВИМС является уникальная чувствительность. Современные приборы ВИМС, при правильном выборе условий анализа, демонстрируют чувствительность по большинству элементов не хуже 10"3, а по некоторым элементам до 10"6 ат.%. Это делает ВИМС чрезвычайно эффективным методом для решения задач материаловедения и , в частности, твердотельной микроэлектронной технологии [1-6].

В основе метода ВИМС [7] лежит распыление исследуемого образца путем его ионной бомбардировки. Ионизованную часть продуктов распыления подвергают масс-сепарации и по интенсивности тока вторичных ионов разной массы судят о составе анализируемого образца. Энергия первичных ионов обычно составляет 1-10 кэВ. Каждая первичная частца при анализе вызывает каскад атомных столкновений в образце, причем число атомов образца, участвующих в каскаде тем больше, чем больше энергия первичной частицы. В результате каскада более или менее значительное количество атомов образца меняет свое положение, и это обстоятельство является фактором, ограничивающим пространственное разрешение метода.

В последнее время, в основном в связи с развитием микроэлектроники, появляется все больше задач анализа, для решения которых наряду с требованием высокой чувствительности необходимо выполнить требование высокого разрешения, в первую очередь, послойного. Зачастую характерные размеры анализируемых распределений оказываются сравнимыми либо даже существенно меньшими, чем размерные параметры, характеризующие разрешение метода. В особенности это касается получивших за последнее десятилетие широкое распространение монослойных распределений (или, как их еще называют, 5-распределений) примесей в полупроводниковых структурах. Повышенный интерес электроники к таким структурам [8] и необходимость надежного контроля их создания [9] поставила перед методом ВИМС задачи анализа совершенно нового уровня сложности.

Поскольку воздействие измерительного процесса (распыление ионной бомбардировкой) на объект измерения исключить нельзя никогда, измеренное распределение всегда является в той или иной мере искаженным отображением истинного распределения. Говоря математическим языком, измеренное распределение представляет собой свертку истинного распределения с функцией разрешения. Это обстоятельство можно игнорировать при интерпретации данных в случае достаточно широкого (по сравнению с функцией разрешения) истинного распределения. Если же характерные размеры истинного распределения сравнимы с такими размерами функции разрешения, интерпретация данных сильно усложняется.

Естественным выходом из этой ситуации является улучшение функции разрешения, поэтому одним из приоритетных путей развития аппаратных средств ВИМС сейчас является создание сверхъярких низкоэнергетических ионных источников, обеспечивающих разрешение, достаточное для решения задач анализа все более узких распределений. Однако следует отметить, что при всей естественности этот путь потенциально несет в себе серьезные проблемы. Как правило, требование высокого послойного разрешения находится в противоречии с требованиями высокой чувствительности при анализе методом ВИМС. При снижении энергии првичных ионов уменьшается коэффициент распыления, что само по себе

- 5" уменьшает выход вторичных ионов. Кроме того, использование низких энергий неизбежо порождает сложности фокусировки первичного пучка, что, в свою очередь, приводит к дополнительному ухудшению пределов обнаружения при анализе тонких распределений. Следует заметить также, что для - достижения возможно более высокого послойного разрешения оператору приходится не только снижать энергию первичных ионов, но и увеличивать угол их падения на образец. При увеличении угла бомбардировки образца падает концентрация первичных частиц в приповерхностном слое образца. Для увеличения выхода вторичных ионов сейчас применяются пучки химически активных первичных ионов: СЬ+ , , Сэ+ и др. , и именно концентрация захваченных первичных частиц под распыляемой поверхностью определяет степень т.н. химической стимуляции выхода вторичных ионов. Поэтому снижение этой концентрации влечет сильное ослабление сигнала и, соответственно, чувствительности.

Таким образом, требование слишком высокого послойного разрешения при анализе методом ВИМС может сильно обесценить результаты анализа из-за значительного уменьшения динамического диапазона получаемых данных. В связи с этим в настоящей работе предлагается подход, который может если не полностью снять , то в значительной мере уменьшить это противоречие. Этот подход основан на восстановлении данных анализа. Под восстановлением данных мы будем понимать следующее. Поскольку измеренное распределение является результатом взаимодействия измерительного процесса с исходным (неискаженным) распределением, можно сформулировать задачу, в которую измеренное распределение и функция разрешения входят в качестве исходных данных, а исходное распределение - в качестве неизвестной функции, и решить эту задачу относительно исходного распределения. Полученное решение мы будем называть восстановленными данными. Поскольку в исходные данные неизбежно будут входить экспериментальные ошибки и шумы, такая задача должна быть отнесена к классу т.н. некорректных задач и решаться соответствующими методами.

Из выше сказанного вытекает цель настоящей работы, в качестве которой явилось развитие методических основ восстановления данных послойного ВИМС-. анализа легирующих примесей в полупроводниковых материалах на основании экспериментального и теоретического исследования свойств функции разрешения, а также природы сигнала ВИМС.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые решены следующие задачи:

• Экспериментально определено влияние рельефа, развивающегося на поверхности анализируемого образца, на форму функции разрешения при ее измерении с использованием первичных пучков различных типов.

• Проведено исследование свойств математической формы, применяемой в ВИМС для аппроксимация функции разрешения, и обосновано применение этих свойств при практическом применении процедур восстановления данных.

• Исследована природа шума сигнала ВИМС, получена формула для оценки интенсивности шума при разных интенсивностях сигнала.

• Проведено восстановление реальных данных послойного анализа с корректным учетом экспериментальных шумов.

• На примере восстановления реальных данных послойного анализа исследованы ограничения на точность функций разрешения и применение неполных функций разрешения для решения задачи восстановления данных

Как будет здесь показано, при оптимальной организации процедуры восстановления данные послойного анализа могут быть восстановлены пратически до исходного, не искаженного измерительным процессом распределения.

выводы

1. Экспериментально исследовано влияние на функцию разрешения основных экспериментальных параметров послойного ВИМС-анализа: типа пучка, его энергии, угла бомбардировки. Установлены механизмы влияния процессов фазообразования и рельефообразования, происходящих на поверхности анализируемого образца, на форму функции разрешения при ее измерении с использованием первичных пучков различных типов.

2. Проведено исследование свойств математической формы, применяемой в ВИМС для аппроксимация функции разрешения. Для математического описания этих свойств введено понятие неполной функции разрешения. Получено обоснование применения неполных функций в процедурах восстановления данных.

3. Исследована природа шума сигнала ВИМС. Строго получена формула, описывающая интенсивность шума при разных интенсивностях сигнала. Формула учитывает как статистические флуктуации сигнала, так и нестабильность работы прибора ВИМС.

4. Проведено восстановление реальных данных послойного анализа 5-структур с корректным учетом экспериментальных шумов. Показано влияние степени регуляризации на форму восстановленных данных.

5. На примере восстановления реальных данных послойного анализа показана правомерность применения неполных функций разрешения при практическом решении задачи восстановления данных.

- s?

1. Мейеран Ю.С., Флинн П.А., Каррузерс Дж.Р. Аналитические методы в технологии СБИС. - ТИИЭР, 1987, т. 75, № 7, с. 50-108

2. Методы анализа поверхности: Пер с англ./ Под ред. А.3андерны. М.: Мир, 1979, 582 с.

3. Werner H.W., Boudewijn P.R. A comparison of SIMS with other techniques based on ion-beam solid interactions. Vacuum, 1984, v. 34, № 1-2, p. 83-101.

4. Magee C.W., Honig R.E. Depth Profiling by SIMS depth resolution, dynamic range and sensitivity. - Surf, and Interf. Anal., 1982, v. 4, № 2, p. 35-41.

5. Maier M. Depth profiling of microelectronic structures by SIMS and AES. -Vacuum, 1986, v. 36, № 7-9, p. 409-412.

6. Criegern R.V., Hillmer Th., Weitzel I. Sensitivity limitations in the analysis of semiconductor devices with Auger electron spectroscopy (AES) and secondary ion mass spectrometry (SIMS) Anal. Chem., 1983, v. 314, p. 293-299.

7. Wilson R.G., Stevie F.A., Magee C.W. Secondary Ion Mass Spectrometry. -New York.: John Wiley & Sons. 1989, 852 p.

8. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. -Физика и техника полупроводников 1998, т.32, N1, с. 3-18

9. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: Пер. с англ. / Под ред. ЛЧенга, К. Плога. М.: Мир, 1989, 584 с.

10. Hofmann.S. Quantitative Depth Profiling in Surface Analysis: A Revieu Surf, and Interf. Anal., 1980, v. 2, № 4, p. 148-160.

11. Hofer W.O., Liebl H. Depth-Profiling of Cu-Ni Sandwich Sample by Secondary Ion Mass Spectrometry.- Appl. Phys., 1975, № 8, p. 359-360.

12. Hofer W.O., Martin P.I. On the Influnce of Reactive Gases on Sputtering and Secondary Ion Emission.-Appl. Phys., 1978, № 16, p. 271-178.

13. Chu P.K., Grube S.L. Quantitative Determination of Boron and Phosphorus in Borophosphosilicate Glass by Secondary Ion Mass Spectrometry.-Analytical Chemistry, 1985, v.57, № 6, p. 1071-1074.

14. Boudewijn P.R., Akerboom H.W.P., Kempeners M.N.C. Profile distortion in SIMS.-Spectrochemica Acta, 1984, v.39b, № 12, p. 1567-1571.

15. Stevie F.A. Secondary Ion Mass Spectrometry-First Microelectronics, Now the Rest of the World.-Surf. Interf. Anal., 1992, v. 18, p. 81-86.

16. Смирнов В.К., Симакин С.Г. Особенности послойного анализа тонкопленочных структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии при бомбардировке поверхности ионами водорода.- Поверхность, 1991, № 9, с. 146-150.- S3

17. Smirnov V.K., Simakin S.G., Potapov E.Y. SIMS depth profiling of metal thin films by different primary ions.-Vuoto 1990, v.XX, № 2, p. 329-333.

18. Deline V.R. Analysis of implanted boron profiles across the Si-Si02 interface by secondary ion mass spectrometry.- Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Elsevier Science Publishing Co., Inc., 1984, v. 25, p. 949-954.

19. Zinner E. Sputter Depth Profiling of Microelectronic Structures. J. Electrochem. Soc., 1983, v. 130, No 5 , p. 199C - 222C

20. Wittmaack K. Beam-induced broadening effects in sputter depth profiling. -Vacuum, 1984, v.34, № 1-2, p. 119-137.

21. Wittmaack K., Poker D.B. Interface Broadening in Sputter Depth Profiling through Alternating Layers of Isotopically Purified Silicon. Nucl. Instrum. Methods, 1990, v. B47, pp. 224 - 235

22. П.Зигмунд в кн. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой под ред. Р.Бериша, Гл. 2, стр 23 98, Москва, "МИР", 1984

23. Clegg J.B Depth Profiling of Shallow Arsenic Implants in Silicon using SIMS. Surf. Inteface Anal., 1987, v. 10, pp. 332-337

24. Homma Y., Wittmaack K. Comparison of profile tailing of SIMS Analyses of various impurities in silicon using nitrogen, oxygen, and neon ion beams at near-normal incidence // Appl. Phys. A. 1990. Vol. 50. P. 417-424.

25. Zalm P.C., Vriezema C.J. On some factors limiting depth resolution during SIMS profiling. Nucl. Instrum. Methods, 1992, v. B67, pp. 495-499

26. Avau D., Vandervorst W. and H.E.Maes Transient Effects During SIMS Depth Profiling with Oxygen Surf. Inteface Anal., 1988, v.ll, pp. 522-528V

27. Smirnov V.K., Simakin S.G. N2+ primary ion beam in negative SIMS depth profiling // Proc. of the VIII Intern, conf. on secondary ion mass spectrometry: SIMS VIII. Chichester: Wiley, 1992. P. 491-494.

28. Homma Y., Maruo T. Comparison of Beam-induced Profile Broadening Effects of Gallium and Copper in Oxygen-bombarded Silicon Surf. Inteface Anal., 1989, v. 14, pp. 725-729

29. Petravic M., Svensson B.G., Williams J.S. On the estimation of depth resolution during sputter profiling. Appl. Phys. Lett. , 1993, v. 62(3), No 18, pp. 278 - 280

30. Smirnov V.K., Simakin S.G., Potapov E.V., Makarov V.V. SIMS Depth Profiling of Delta-doped Layers in Silicon. Surf. Inteface Anal., 1996, v.24, pp. 469-475

31. Wittmaack K., Towards the Ultimate Limits of Depth Resolution in Sputter Profiling: Beam-induced-Chemical Changes and the Importance of Sample Quality Surf. Inteface Anal., 1994, v.21, pp.323 - 335

32. Wittmaack K., Assessment of the extent of atomic mixing from sputtering experiments. J. Appl. Phys., 1982, Vol. 53, pp. 4817 -4820

33. Смирнов В. К., Потапов Е.В., Симакин С.Г., Макаров В.В. Разрешение по глубине при послойном анализе 5-легированного кремния методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Труды ФТИ РАН, 1995, № 9, с. 19 -25

34. Смирнов В. К., Симакин С.Г., Макаров В.В., Потапов Е.В. Послоный анализ сверхтонких слоев легирования Ge в кремнии методом вторично-ионной масс-спектроиетрии. Микроэлектроника, 1994, т.23, вып. 5 , с. 6169

35. Meuris М., Vandervorst W., Jackman J. On the effect of an oxygen beam in sputter depth profiling //J. Vac. Sci. Technol., 1991. Vol. 9, N 3. pp. 1482-1488.

36. Badheka R. Van den Berg J.A., Armour D.G., Wadsworth M. Theoretical calculations of the broadening of dilute Si, Al and Be doped 8 layers in GaAs during SIMS depth profiling // Vacuum. 1993. Vol. 44, N 314. P. 331-335.

37. Badheka R., Wadsworth M., Armour D.G., Van den Berg J.A. , Clegg J.B. Theoretical and Experimental Studies of the Broadening of Dilute Si Spikes in GaAs during SIMS depth profiling. Surf. Inteface Anal., 1990, v. 15, pp. 550 -558.

38. Katardjiev I.V., Nobes M.J., Carter G. The Precise Determination of Concentration Distributions using Depth-Sectioning methods.- Surf. Inteface Anal., 1989, v. 14, pp. 572- 574

39. Carter G., Katardjiev I.V., Nobes M.J. An Altered Layer Model for Sputter-profiling, .- Surf. Inteface Anal., 1989, v. 14, pp. 194 208

40. Alay J., Vandervorst W. XPS analysis of ion-beam-induced oxidation of substrates.- Surf. Interf. Anal. 1992, v.19 p.313-317.

41. Beyer G.P., Patel S.B., Kilner J.A. A SIMS study of the altered layer in Si using 18C>2 primaries of various angles of incidence.// Nucl.Instr.Methods B 1994 v.85 p.370-373.

42. Pan J.S., Wee A.T.S., Huan C.H.A., Tan H.S., Tan K.L. AES analysis of silicon nitride formation by 10 keV N+ and N2+ ion implantation. Vacuum, 1996, v.47, N12, p. 1495-1499.

43. Sigmund P., Gras-Marti A. Distortion of Depth Profiles During Sputtering . -Nucl. Instrum. Methods, 1980, v. 168, pp. 389-394

44. Littmark U., Hofer W.O. Recoil Mixing in Solids by Energetic Ion Beams. -Nucl. Instrum. Methods, 1980, v. 168, pp. 329-342

45. Andersen H.H. The Depth Resolution of Sputter Profiling. Appl. Phys. , 1979, v. 18, pp.131- 140

46. Hofer W.O. , Littmark U. The Theory of Concentration Depth Profiling by Sputter Etching Springer Ser. Chem. Phys. , 1982, v. 19 pp.201-205

47. Clegg J.B., Beall R.B. Measurement of Narrow Si Dopant Distributions in GaAs by SIMS. Surf. Inteface Anal., 1989, v. 14, pp. 307-314

48. Clegg J.B., Gale I.G. SIMS Profile Simulation using Delta Function Distribution. Surf. Inteface Anal., 1991, v.17, pp. 190 - 196

49. Zalm P.C., Vriezema C.J., Gravesteijn D.J., van de Walle G.F.A., de Boer W.B. Facts and Artefacts in the Characterization of Si/SiGe Multilayers with SIMS. Surf. Inteface Anal., 1991, v.17, pp. 556-566- 3t

50. Barlow R.D., Dowsett M.G., Fox H.S., Kubiak R.A.A., Newstead S.M. SIMS Response Functions for MBE grown delta layers in Silicon. Nucl. Instrum. Methods, 1992, v. B72, pp. 442-446

51. Makarov V.V., Use of Model Depth Resolution Functions for the Deconvolution of Depth Profiling Data. Surf. Inteface Anal., 1993, v.20, pp. 821-826

52. Wittmaack K. Effect of surface roughening on secondary ion yields and erosion rates of silicon subject to oblique oxygen bombardment.- J.Vac. Sei. Technol. A 1990, v.8, N3, p.2246-2250.

53. Karen A., Okuno K., Soeda F., Ishitani A. A study of the secondary-ion yield change on the GaAs surface caused by the C>2+ ion-beam-induced rippling.- J. Vac. Sei. Technol., 1991, v.A9, № 4, p. 2247-2252.

54. Stevie F.A., Kahora P.M., Simons D.S., Chi P. Secondary ion yield changes in Si and GaAs due to topography changes during 02+ or Cs+ ion bombardment. -J. Vac. Sei. Technol., 1988, v.A4, p. 76-80.

55. Marton D., Laszlo J., Giber J., Rudenauer F.G. EFSA a new evaluation method of the depth resolution in depth profiling of multilayer structures. -Vacuum , 1985, v.35, No 12, pp. 523 - 526

56. Dowsett M.G., Rowlands G., Allen P.N., Barlow R.D. An Analytic Form for the SIMS Response Function Measured from Ultra-thin Impurity Layers. Surf. Inteface Anal., 1994, v.21, pp. 310-315.

57. King B.V. and Tsong I.S.T. Deconvolution of Atomic Mixing Effects from SIMS Depth Profiles. Nucl. Instrum. Methods, 1985, v. B7/8, pp. 793-797

58. Carter G., Katardjiev I.V., Nobes M.J. The Deconvolution of Sputter-etching Surface Concentration Measurements to Determine Impurity Depth Profiles -Surf. Inteface Anal.,. 1989, v.14, pp. 511- 523

59. Herzel F., Ehwald K.H., Heinemann B., Kruger D., Kurps R., Röpke W. and Zeindl H.P. Deconvolution of Narrow Boron SIMS Depth Profiles in Si and SiGe. Surf. Inteface Anal., 1995, v.23, pp. 764-770

60. Allen P.N., Dowsett M.G. and Collins R. SIMS Profile Quantification by Maximum Entropy Deconvolution. Surf. Inteface Anal., 1993, v.20, pp. 696-702- 3Z

61. Allen P.N. and Dowsett M.G. Maximum Entropy Quantification of SIMS Depth Profiles Behaviour as a Function of Primary ion Energy. - Surf. Inteface Anal., 1993, v.20, pp. 696-702

62. Zalm P.C. and de Kruif R.C.M. Problems in the deconvolution of SIMS Depth Profiles using delta doped test structures. Appl. Surf. Sci., 1993, v.70/71, pp. 73-78

63. Gautier В., Prost R., Prudon G. and Dupuy J.C. Deconvolution of SIMS Depth Profiles of Boron in Silicon. Surf. Inteface Anal., 1996, v.24, pp. 733-745

64. D.P.Chu, M.G.Dowsett and G.A.Cooke Characterization of the noise in secondary ion mass spectrometry depth profiles. J. Appl. Phys. V.80, Issue 12, (1996) pp.7104-7107.

65. Makarov V.V. Nature of Noise in SIMS Depth Profiling Data Surf. Inteface Anal., 1999, Vol.27 pp. 801 - 804

66. Smirnov V.K., Simakin S.G. N24" primary ion beam in negative SIMS depth profiling // Proc. of the VIII Intern, conf. on secondary ion mass spectrometry: SIMS VIII. Chichester: Wiley, 1992. P. 491-494.

67. Meuris M., De Bisschop P., Leclair J.E., Vandervorst W. Determination of the Angle of Incidence in a CAMECA ims-4f SIMS instrument. Surf. Inteface Anal., 1989, v.14, pp. 739-743

68. Г.Вернер Введение в вторично-ионную масс-спектрометрию, в кн. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел: пер. с англ./ под ред. Л.Фирмэнса, Дж.Вэнника и ВДекейсера М.: Мир, 1981, 384 с.

69. W.Vandervorst and F.R.Shepherd, Secondary ion mass spectrometry profiling of shallow, implanted layers using quadrupole and magnetic sector instruments.-/. Vac. Sci. Technol. 1987, vol.A5(3), pp. 313-320-М

70. J.P.Biersack, Computer Simulations of Sputtering -Nucl. Instrum. Methods 1987, Vol. B27, pp. 21 36

71. Смирнов В. К., Курбатов Д. А., Потапов Е.В., Жохов А. В. Локализованные по глубине изменения вторично-ионной эмиссии кремния при бомбардировке поверхности ионами N2+.- Поверхность 1993, № 10, с. 65-73.

72. Симакин С.Г., Смирнов В.К., Жохов А.В. Количественный послойный анализ кислорода в кремнии в широком диапазоне концентраций с коррекцией шкалы глубин методом ВИМС при бомбардировке поверхности ионами N2+.-Поверхность, № 10, 1994, с. 65-72.

73. Smirnov V.K., Simakin S.G. SIMS depth profiling of implanted layers under N2+ ion borbandment.-Vacuum, 1993, v. 44, №9, p. 885-887.

74. Смирнов B.K., Курбатов Д. А., Потапов E.B. Исследование взаимодействия пучков ионов азота и кислорода с поверхностью кремния.-Известия РАН, 1992, т.56, № 3, с. 71-76.

75. Смирнов В.К., Кривелевич С.А., Кибалов Д.С., Лепшин П.А. Структурирование поверхности кремния ионными пучками. Труды ФТИ РАН, 1997, т. 12, с. 62-85

76. Elst К., Vandervorst W. Influence of the composition of the altered layer on the ripple formation. J. Vac. Sci. Technol. , 1994, vol. A12(6), p.3205-3216

77. Vajo J.J., Doty R.E., Cirlin E.H. Influence of 02+ energy flux and fluence on the formation and growth of sputtering-induced ripple topography on silicon. /. Vac. Sci. Technol., 1996, vol. A14(5), p.2709-2720

78. Zalar A. Improved depth resolution by sample rotation during Auger electron spectroscopy depth profiling.-Thin Solid Films, 1985, № 124, p. 223-230.1. Sir

79. Zalar A. Auger Electron Spectroscopy Depth Profiling During Sample Rotation.-Surf, and Interf. Anal., 1986, v.9, p. 41-46.

80. Zalar A. Sample rotation in Auger electron spectroscopy depth profiling.-J. Vac. Technol., 1987, v.A5, № 5, p. 2979-2980.

81. Zalar A. AES depth profiling of a new type of multilayer structure composed of Cr/Ni layers of various thicknesses.-Thin Solid Films, 1989, № 181, p. 277-283.

82. Cirlin E.H., Vajo J.J. SIMS with sample rotation.-Proc. of the 8-th Internat. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS VTII/Eds. Benninghoven A. et al. Chichester: Wiley. 1992, p. 347-350.

83. Makarov V.V. Comment on the possibility of Partial Deconvolution of SIMS Depth Profiles. Surf. Inteface Anal., 1995, v.23, p. 899

84. Makarov V.V. and Balashov A.Y. Secondary Ion Energy Distribution Measurement in IMS-3F/4F Instruments.- Proc. of the 8-th Internat. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS VIII/Eds. Benninghoven A. et al. Chichester: Wiley. 1992, p. 256-259.

85. Alexeyev A.P., Makarov V.V. Nondestructive EPMA Depth Profiling of Buried Oxide/Silicide Layers in Silicon.- Book of Absracts of the 5-th European Workshop on Modern Developments and Applications in Microbeam Analysis, 1115 May 1997, Torquay, U.K.