автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей



Государственный научный центр Государственный НИИ физических проблем ' 1

им. Ф.В. Лукина

На правах рукописи УДК.-539.216

РГ5 ОД 1 8 ОКТ 2000

БЫКОВ ВИКТОР АЛЕКСАНДРОВИЧ

ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОГЩИДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ И МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТЕЙ

Специальность: 05.27.01 - твердотельная электроника, микроэлектроника,

Г. _ - - _ наноэлектроника

Специальность: 01.04.01 - техника физического эксперимента, физика приборов, автоматизация физических исследований

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук

т * \

Работа выполнена в Государственном научно-исследовательском институте физических проблем им. Ф.В. Лукина и ЗАО «НТ-МДТ»

Научный консультант: д.ф.-м. наук,

профессор Полторацкий Э.А.

Официальные оппонента: д.ф.-м. наук,

профессор Панов В.И. д.ф.-м. наук,

профессор Эдельмак B.C. д. х. наук,

профессор Лавртцсв В.П. Ведущая организация:Институт Кристаллрграфни РАН

Защита состоится "13" сентября 2000г. ш заседании диссертационного совета Д 142.05.01 при Государственном научно-исследовательском институте физических проблем им. Ф.В. Лукина. _ . . . --.

С диссертацией можно ознакомится в библиотеке Гос. НИИ физических проблем. Телефон 535-03-05

Автореферат разослан

Ученый секретарь Диссертационного совета

Мазуренко С.Н.

j№S9 -¿>?е SjO

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность работы

Прогресс в познании строения вещества неразрывно связан с возможностью визуализации описывающих его параметров с максимально осуществимым пространственным и временным разрешением. Следующим шагом познания является попытка использования полученных знаний для построения новых функциональных структур (схем памяти, микропроцессоров, излучателей, приемников и преобразователей света, звука, различных типов сенсоров, новых материалов) максимально возможной информационной мощности, улучшения качества производимых продуктов, создания новых технологий.

На каждом этапе развития существуют инструментальные и экономические ограничения выражающиеся, в конце концов, в уровне н качестве продукции на данном этапе развития цивилизации.

В настоящее время появилась техническая возможность сдвинуть ограничения на пространственное разрешение измерительных и исполнительных инструментов в нанометровую и субнанометровую область размеров, что и создало предпосылки развития в направлениях нанотехнологии, молекулярной нанотехнологии, наяоэлектроники, базирующихся на возможности оперировать с веществом на уровне молекул, молекулярных кластеров и отдельных атомов.

Для развития субмикронной технологии и нанотехнологии требуется создание прецизионных контрольно-измерительных инструментов, которые могли бы как контролировать свойства функциональных элементов и сред, так и ремонтировать и формировать активные структуры. Потребность в таких средствах обуславливает актуальность часть работы, связанной с разработкой сканирующих зондовых микроскопов, в том числе с функциями литографов, организации исследований по созданию микромеханических зондовых инструментов, разработке алгоритмов и методик исследований наноструктур с использованием этих средств.

Многообразие молекулярных систем с одной стороны делает их привлекательными для исследователей, а с другой требует развития теоретических методов моделирования электрофизических свойств конкретных применяемых материалов, что существенно сокращает расходы на синтез соединений и время, необходимое для проведения исследований. ЭтиМ обусловлена актуальность разработки программных пакетов для моделирования электрофизических свойств молекулярных кластеров.

Цель работы

Целью работы является разработка физико-технических основ конструирования сканирующих зондовых микроскопов;'разработка методологических основ их функционирования применительно к различным областям применения, создания технологического базиса дм разработки и производства микромеханических зондовых конструкций, методов исследования и модификации наноструктур.

Работа направлена на решение проблем нанотехнологии по следующим направлениям:

•Разработка инструментальных и методологических основ нанотехнологии в части разработки и производства сканирующих зондовых микроскопов для комплексного исследования свойств поверхности с пространственным разрешением на уровне отдельных атомов и молекул, обеспечивающих возможность работы приборов в мультимодовом режиме, включающем возможность регистрации топографических, силовых, токовых, адгезионных, потенциальных, оптических контрастов, а также модификацию поверхностей в полевых, гальванических, деформационных режимах.

•Разработка микромеханических инструментов (зондовые конструкции, тестовые элементы), обеспечивающих возможность проведения комплексных исследований в области сканирующей зондовой микроскопии.

•Разработка методов создания и исследования свойств молекулярных наноструктур с основной ориентацией на микрозондовые методы Диагностики.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ

• Предложены принципы конструирования сканирующих зондовых микроскопов, базирующиеся на пространственно детерминированных схемах перемещающихся элементов. На основе этих принципов произведена разработка я организовано производство сканирующих зондовых микроскопов линии «СОЛВЕР».

• Предложены новые конструкции, произведена разработка и организовано производство чувствительных и исполнительных элементов сканирующих зовдовых микроскопов - кантилеверов, в том числе многозондовых систем, на базе которых в настоящее время развиваются новые конструкции сканирующих зондовых микроскопов и нанолитографов;

• Разработаны конструкции, произведена разработка и организовано производство тестовых элементов для калибровки параметров сканирующих зовдовых микроскопов и игл;

• Предложена концепция развития сканирующей зовдовой микроскопии и нанотехнологии, базирующаяся на комплексном развитии интеллектуальных зондовых инструментов - микророботов, создаваемых на основе технологии микромеханики, многопроцессорной электроники, программного обеспечения, прецизионной механики. На

основе этой концепции уже создано и расширяется а настоящее время семейство многофункциональных сканирующих зондовых микроскопов, в том числе и с функциями литографов, сочетающих в себе в то же самое время как возможности технологических, так и контрольно-измерительных инструментов,

• Предложены и реализованы многопроходные методики сканирующей зондовой микроскопии, применение которых позволяет проводить корректные измерения магнитных и электростатических сил. В этих методиках результаты предыдущего прохода строки могут использоваться при повторном сканировании. Например, в процессе первого сканирования измеряется топография поверхности, второго - распределение поверхностного потенциала, а в процессе третьего сканирования производится регистрация магнитных или электрических полей с компенсацией топографического и электродинамического контрастов;

• Предложены и реализованы модуляционные методы модификации поверхности, позволяющие с высоким разрешением производить запись больших массивов информации без повреждения материалов иглы и подложки.

• развиты методы формирования молекулярных структур, в том числе:

• в технологии пленок Ленгмюра-Нлоджетг обоснована необходимость контроля менисковых процессов, которые, как показано, определяют устойчивость технологии к внешним воздействиям. Применением современных методов зондовой микроскопии, включая полуконтакгные и бесконтактные способы диагностики, показано, что мультислойные структуры, полученные из мономерных поверхностно-активных соединений, как правило, представляют собой сильно разупорядоченные пленки. Поверхность ЛБ-пленок имеет шероховатость существенно превышающую размеры молекул. Это указывает на то, что формирование пленок происходит из кластеров, которые отщепляются в процессе формирования пленки на мениске от границы сформированного на поверхности воды Ленгмгаровского слоя. Обнаружено, что в определенных условиях процессы самоорганизации приводят к образованию доменных структур с ярко выраженной упорядоченностью на надмолекулярном уровне, что в корне изменяет представление о ЛБ - пленках как об объектах, структура которых определяется типом и последовательностью операций переноса подложки через границу раздела фаз. При использовании олигомерных и полимерных материалов возможно получение однородных пленочных структур, пригодных для записи больших массивов информации, использовании пленок как технологических защитных покрытий, в том числе резистов для проведения процессов субмикронной фото и электронной литографии. Созданы установки, позволяющие с высокой степенью точности контролировать состояние молекулярного слоя на границе раздела вода-воздух и условий формирования структур в фоцсссс последовательного переноса подложек через границу раздела фаз вода-воздух.

г

ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗИЛ ЧЕНИЕ РАБОТЫ

• Создано семейство сканирующих зондовых микроскопов, которые по своим параметрам являются в своих классах наиболее мощными в отрасли. Организовано производство этих приборов. Приборы имеют высокую конкурентоспособность и пользуются спросом на мировом рынке. К настоящему времени продано более 100 приборов в том числе в такие технически развитые страны, как США, Канаду, Японию, Великобританию, Германию, Францию, Италию, Тайвань, Турция, Финляндия, Китай, Индию.

• На базе проведенных разработок организовано производство микромеханических изделий для сканирующих зондовых микроскопов, включающее

. производство кантилеверов и тестовых, решеток. Продукция пользуется высоким спросом на мировом рынке.

• Организовано Российское общество сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии (www.nanoworld.org), что способствует распространению методов сканирующей зондовой микроскопии, как в России, так и во всем мире и повышает имидж отечественных разработок в рассматриваемой отрасли.

• Созданы оригинальные конструкции ЛБ - установок, алгоритмы управления процессами формирования ЛБ-пленок, создана конструкторская и эксплуатационная документации на эта установки. К Настоящему времени эти установки успешно эксплуатируются в ряде университетов Италии, Австрии и России.

• В настоящее время базовые результаты, полученные в ходе исследований лиотропных жидких кристаллов, используются на предприятии OPTIVA Inc. (http://wvw.optivamc.com).

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСИТСЯ ПОЛОЖЕНИЯ:

• Концепция мультимодовой сканирующей зондовой микроскопии,

развитие и применение которой открывает возможности получать пространственное распределение физических характеристик, спектральных свойств, химического состава, динамических свойств, доступных для изучения вплоть до последнего времени лишь интегральными методами;

• Принципы конструирования сканирующих зондовых микроскопов, базирующиеся на пространственно детерминированных схемах перемещающихся элементов. На основе этих принципов разработаны и производятся в настоящее время сканирующие зондовые микроскопы линии «СОЛВЕР».

• Конструкции исполнительных элементов сканирующих зондовых микроскопов — кантилеверы, в том числе управляемые многозондовые кантилеверяые

картрйджн, применение которых радикально расширяет возможности методов сканирующей зондовой микроскопии, обеспечивал комплексное исследования поверхности. ■ -

• Конструкции тестовых элементов для калибровки параметров сканирующих зондовых микроскопов и игл. Применение этих элементов создает условия перехода сканирующих зондовых микроскопов из разряда тестирующих приборов в метрологические и обеспечивает возможность проведения корректной интерпретации результатов исследований.

• Модуляционные методы модификации поверхности, позволяющие с высоким разрешением производить запись больших массивов информации без повреждения материалов иглы и подложки.

• Обоснование физико-химических основ технологии формирования пленок Ленгмюра-Блоджетт и результаты комплексных исследований молекулярных структур методами мультимодовой СЗМ

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

Материалы диссертации доложены на 2'" Международной конференции UNESCO "Molecular Electronics and Biocomputers"(MocKBa 1989); 12-й Европейской кристаллографической конференции (Москва 1989); Second International conference on NANOMETER SCALE SCIENCE AND TECHNOLOGY (NANO-II), 2-6 August, 1993, Moscow, Russia; International conference on Scanning Tunneling Microscopy, 9-13 August, Beijing, China, 1993; Международная научно-техническая конференция "Микроэлектроника и информатика", 11-12 ноября 1993г., Москва-Зеленоград, Россия; Российская конференция с участием зарубежных ученых, "Микроэлектроника - 94" и 28 ноября - 3 декабря 1994г., Москва-Звенигород, Россия; XXIX Colloquium Spectroscopicum Internationale, Leipzig, Germany Aug.27 Sep.l 1995; "Frontiers in Nanoscale Science of Micron/Submicron Devices" NATO Anvanced Science Institutes Seues. Kiev. Ukraine. August 16-27.1995; Seventh International Conference on Organized Molecular Films, Numana (Ancona) - Italy, Sep., 10-15, 1995; третья международная научно-техническая конференция «Микроэлектроника и информатика». Москва-Зеленоград. 1997; Всероссийское совещание «Зондовая микроскопия - 98». 1998. Нижний Новгород. 2-5 марта. ИФН РАН; общероссийская конференция с международным участием. «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». ПЭМ- 98. Геленджик. Россия. 6 -11 сентября 1998; Всероссийское совещание <вондовая микроскопия - 99», Нижний Йовгород, 10-13 марта 1999 г.; SPM'99. 10" International Conference on Scanning Tunneling Microscopy / Spectroscopy and Related Proximal Probe Microscopy, 19-23 July, 1999, Seoul, Korea; Indo-Russian Workshop on Micromechanical Systems. (Thematic Workshop Under ILTP). February 2-4, 1999; Всероссийское совещание «Зондовая микроскопия - 2000», Нижний Новгород, 28 февраля - 3 марта 2000 г.

ПУБЛИКАЦИИ

Материалы диссертации изложены в 80 публикациях. По материалам работы получено 20 авторских свидетельств и патентов. Изобретения по направлению сканирующей зондовой микроскопии были удостоены золотых медалей на Брюссельском салоне изобретений Е№ЕКА-96, Женевских салонов изобретений в 1998 и 1999 годах.

Содержание

Диссертация состоит из введения, где кратко изложена история развития сканирующей зондовой микроскопии и б глав, в которых изложены принципы и методы измерений (Глава 1), описаны различные конструкции СЗМ, специфичные для выделенных областей применения с приведением результатов измерений (Глава 2), описана конструкция и тенденция развития контроллеров СЗМ и программного обеспечения (Глава 3), зондовой микромеханики (Глава 4), тестовых элементов для калибровки СЗМ (Глава 5), изложены результаты по получению наноструктур методами модуляционной модификации поверхностей с предложениями по путям дальнейшего развития (Глава 6), изложены результаты исследования молекулярных структур на основе пленок Ленгмюра-Блоджегт и предложена модель формирования этих пленок (Глава 7). В выводах резюмируются результаты работы с указанием уровня и места этих работ в ранге отрасли.

Во введении рассмотрена история развития нанотехнологии и сканирующей зондовой микроскопии с работ Р. Фейнмана и Н. Танигучи, в которых был определен предмет и поле действия нанотехнологии, до работ Р. Янга, Ж. Варда, Ф. Скира (1966 -1972), а затем и получивших всемирную известность работ группы компании 1ВМ во главе с Г. Биннигом и Г. Рорером, с которых началась эра экспериментальных исследований вещества с атомарным пространственным разрешением, моделирование процессов записи и считывания информации, активных элементов манометровых размеров (рис.1).

К началу 90х годов работы в области сканирующей зондовой микроскопии в основном производились на приборах, которые разрабатывали и изготавливали сами исследователи. В ходе этого периода работ было показано, что с использованием СЗМ имеется возможность измерять различные свойства поверхности, такие как топографию, распределение сил трения между зондом и поверхностью, электрической проводимости, теплопроводности, адгезионных сил, электрической емкости, работы выхода, магнитных и электростатических сил, оптических свойств, включая различные виды спектроскопии в спектральной области от ультрафиолетовой до инфракрасной, спектроскопии ЭМР и ЯМР. Была продемонстрирована возможность локальной модификации рельефа, состава и электрических свойств поверхностей при помощи

электрического гголя большой напряженности, автоэмиссионно, гальванически, пластической деформации, термостимулированной пластической деформации, ишкекцией отдельных атомов и кластеров, электросгимулированной адсорбции и десорбции, ультразвуком, локализованным световым потоком. Научились производить исследования поверхности твердого тела в различных средах от сверхвысокого вакуума до жидкостей в широком диапазоне температур от сверхнизких (долей градуса Кельвина) до полутора тысяч градусов. Была показана высокая информативность методов СЗМ для различных приложений и возникла необходимость разработки и создания сканирующих зовдовых микроскопов, на которых имеется возможность производить этот весьма широкий круг исследований, специализированных к различным условиям измерений.

(«1

II оно технология 1С

История

ту Сканирующая ЗонЬовая Микроскопия

~ -1 | Утерей шаярюлишмНТ- | I, - . ' * < Прямая маншфлщия агномлмн | ■ у-^Р* ппнеяы СЖ СЯМ л «игсд "

Рис.1. Основные этапы развития СЗМ и нанотехнологии Реализация возможности разработки таких приборов создалась в результате параллельного развития дешевой вычислительной техники, электроники (в первую очередь это цифровые сигнальные процессоры, прецизионные многоразрядные цифро-аналоговые и аналогово-цифровые преобразователи, малошумящие операционные усилители, цифровые программируемые генераторы, многоканальные мультиплексоры), языков и средств программирования. Электроника СЗМ обеспечивает возможность реализации различных способов измерений, а программное обеспечение обеспечивает возможность их реализации.

Для раскрытия возможностей СЗМ потребовалась разработка и создание технологий серийного производства зондов стандартной формы с различными поверхностными покрытиями, что стало возможным благодаря применению арсенала микроэлектронных технологий и технологий микромеханики с использованием свойств монокристаллического

кремния. Это кантилеверы для сканирующих силовых микроскопов. Для близкопольных оптических микроскопов это острозаточенные оптоволокна с нужным типом покрытия, аспектным отношением и апертурой. ..

Потребовалось разработка и создание различных тестовых кристаллов, с использованием которых можно произвести калибровку приборов, определение параметров конкретного зонда, оценка корректности измерений.

В течении длительного времени развивались различные методы формирования молекулярных структур, среди которых одно из основных мест отводилась методам молекулярного наслаивания органических соединений. Это пленки Ленгмюра - Блоджетг. Проводились экспериментальные и теоретические исследования этих методов, поиск материалов для реализации функций приборов. Тем не менее, заметных практических результатов получено не было. Именно с применением многомодовых СЗМ появилась возможность исследования этих материалов на микро и нанометровом уровнях, понять основные причины неудач и выработать подходы к поиску материалов, применение которых может представлять интерес с точки зрения создания запоминающих устройств.

Именно решению вопросов создания ряда серийных СЗМ, зондов, тестовых элементов для исследования и моделирования элементов наноэлектроники и разработок в нанотсхнологии посвящена данная диссертационная работа.

В главе 1 описаны методы СЗМ, алгоритмы которых заложены в приборы, разработанные под руководством автора [10, 15,-16,21, 29, 31~38, 39, 44- 46, 50, 73, 79, 80].

Цикл работ начался с создания моделей сканирующих туннельных микроскопов, конструкция механических блоков которых были выполнены в лабораториях Панова В.И. (МГУ) (рис.2 (а, б)), а, затем, Голубка А.О. (институт научного приборостроения РАН, Ст. Петербург). .

Рис.2. Первый СТМ, выпущенный компанией МДГ под руководством автора (1991 год). Конструкция механического блока базировалась на конструкторских разработках лаб. В.И. Панова и была выполнена группой МДГ при участии Яминского И.В. Вплоть до настоящего времени прибор эксплуатируется в лаб. Блинова Л.М (ИК РАН).

Конструкция СЗМ со сканерами на основе триподов не позволяют получать большие поля сканирования и, вследствие несимметричной конструкции, медленно приходят в тепловое

равновесие с окружающей средой, что приводит к существенному тепловому дрейфу в течении 1,5-2 часов после того, как переустанавливается образец. Поэтому в следующей модели СТМ был использован трубчатый сканер. В качестве базовой модели механического блока была взята конструкция, разработанная в лаборатории А.О. Голубка.

I i

а б

Рис.3. CTM-MDT-10-93, выпущенный компанией Нанотехнология-МДТ под

руководством автора (1993 год). Конструкция механического блока базировалась на конструкторских разработках лаб. АО. Голубка В приборе была использована компоновочная схема, в которой сканер и образец ориентированы под углами 45° и 135° соответственно к горизонтали, что позволяет легко наблюдать взаимное позиционирование образца и иглы без использования дополнительных зеркал. В приборе было возможно с использованием микровинтов двухкоординатное перемещение иглы и. Образца в квадрате 10x10 мм2. Элементная база прибора была выполнена на комплектующих фирмы Analog Device с использованием 16-ти разрядного АЦП, 16 и 18-разрядных ЦАП, что существенно сократили габариты электронных блоков и повысили их надежность. Прибор имел 3x3x1,5 микронный трубчатый сканер, автоматическую систему подвода иглы и образца на основе инерциального пьезокерамического линейного движителя. ' Было произведено 10 таких приборов, 6 из которых была реализована в Италии с партнерством с фирмой ASSE-Z (Падуя, Италия). Несмотря на существенную модернизацию конструкции в данной схеме не удавалось обеспечить требуемые характеристику по дрейфам, так как в конструкции механики прибора была слишком большая подковообразная механическая цепь игла-образец. Кроме того, на основе этой конструкции сложно было реализовать схему атомно-силового микроскопа.

С 1994 года была начата разработка сканирующих зондовых микроскопов линии СОЛВЕР. В конце 1994 года был произведен первый сканирующий зондовый микроскоп лини» СОЛВЕР - СОЛВЕР-Р4 (рис. 4).

Рис.4. Солвер-Р4, компания Наяотехнологая-МДГ. Прибор был выполнен по модульной схеме, позволяющей устанавливать различные измерительные головки для реализации как атомно-силовых, так и СТМ н близкопольных оптических мод. На основе данной конструкции началось развитие линии универсальных сканирующих зондовых микроскопов, в которых удалось со временем интегрировать моды современной сканирующей зондовоя микроскопии.

Моды СЗМ и методы их реализации на приборах линии СОЛВЕР. Измерения в СЗМ проводят тремя основными видами зондов:

- металлической, проводящей иглой с регистрацией тока между ней и поверхностью (СТМ);

- иглой, закрепленной на пружинке - кангялевером с регистрацией углов наклона и состояния вибрации пружинки (сканирующая силовая микроскопия) или тока,' протекающего в системе игла - образец (микроскопия токов, растекания);

- остро заточенным зондом ¡¡"регистрацией состояния колебаний этого зонда чувствительным датчиком колебаний;

- в случае, если регистрируется электромагнитное с локализацией, определяемой апертурой зонда и разрешением, определяемой эффектами ближнего поля (неплоский волновой фронт), то такую микроскопию называют оптической, близкопольной (БОМ).

Условно выделяют контактные, полуконтактные и бесконтактные моды сканирования. К контактным модам относят режимы сканирования, в которых поверхностные атомы зонда постоянно находятся в потенциале сил отталкивания, обусловленного перекрытием электронных оболочек поверхностных атомов образца и зонда. При этом можно регистрировать:

- контактную топографию, в процессе измерения которой силу взаимодействия между зондом и образцом поддерживают постоянной;

- топографию сигнала ошибки обратной связи, которая измеряется по изменению угла наклона кантилевера в процессе сканирования, обусловленного конечным временем отработки обратной связи в процессе сканирования;

- топографию латеральных сил, которую регистрируют по боковому отклонению зонда при постоянной нормальной силе;

- производную силы по расстоянию, регистрируемую при поддержании постоянной средней силе в процессе вынужденных колебаний образца как переменный сигнал. При этом-регистрируется как амплитуда, так и фаза колебания зонда относительно амплитуды и фазы возбуждающего колебания;

- топографию сил адгезии, которая регистрируется по силе отрыва зонда от поверхности поточечно в процессе сканирования с постоянной скоростью;

- токн растекания, которые регистрируются при постоянной силе прижима зонда к поверхности в процессе сканирования;

- СТМ топографию - измеряется профиль поверхности при поддержании посредством цепи обратной связи постоянного тока между образцом и поверхностью;

- режимы сканирующей туннельной спектроскопии, в которых измеряются производные 81 \ >

— , - в процессе сканирования в моде -туннельной микроскопии;

- изменение электрической емкости, которое можно производить при помощи емкостного датчика как внешнего устройства в процессе сканирования;

- изменение теплопередачи в системе нагреваемы зонд- поверхность, которое можно производить с использованием специального кантилевера с термопарой на конце в процессе сканирования;

Полуконтактные моды, в которых кантилевер, колеблющийся на частоте в полосе резонансных колебаний, лишь в'«нижнем» положении входит в состояние контакта, определенного выше. Амплитуда, амплигудо-фазовые характеристики или частота колебаний под держиваются постоянными (чаще всего амплитуда) в процессе сканирования. При этом можно регистрировать:

- Полу контактную топографию - относительное перемещение по нормальной координате образца и зонда, необходимое для поддержания заданных параметров колебания (чаще всего амплитуды) зонда постоянными в процессе сканирования;

- Измененне амплитудо-фазовьк характеристик в процессе сканирования при поддержании амплитуды колебаний зонда постоянной в процессе сканирования;

- Изменение фазы колебания кантилевера относительно фазы возбуждающего колебания сигнала; , ■

- Изменение сигнала ошибки обратной связи, который регистрируется по изменению амплитуды в процессе сканирования, когда цепь обратной связи пытается поддержать эту амплитуду постоянной в процессе сканирования;

- Измерение энгармонизма колебания кантилевера, которое осуществляется по регистрации сигналов на кратных гармониках (2<э, ...,10<») в процессе полуконтактного сканирования;

- Измерение топографии в режиме регистрации боковых сил зондом, колеблющимся в плоскости образца (Shear force топография) — измеряется топография поверхности в режиме, когда поддерживается постоянным амплитуда (как правило), фаза или ампдитудофазовые характеристики колебаний зонда в плоскости образца. В настоящее время для регистрации этих колебаний используются кварцевые резонансные датчики. Возбуждаются колебания зонда на резонансной частоте прикрепленного к нему кварцевого датчика в виде камертона. Из амплитудо-частстного анализа электрического сигнала с этого датчика регистрируют и цепью обратной связи сканер- образец- зонд поддерживают постоянным одну из характеристик колебаний в процессе сканирования. Set Point для поддержания обратной связи устанавливают в соответствии с условиями режима полуконтактного сканирования;

Бесконтактные моды, в которых измеряются параметры взаимодействия зонда и образца в условиях, когда электронные оболочки поверхностных атомов образца и зонда не входят в состояние перекрытия электронных оболочек. При этом можно регистрировать как изменение углов наклона кантялевера в процессе бесконтактного сканирования, так и изменение состояний вынужденных колебаний кантидевера в полосе резонансного возбуждения (амплитуда, частота, фаза, амплитудо-частотные характеристики). Колебания кантидевера могут инициироваться как акустогенератором, так и переменным электрическим полем, которое возбуждается электрическим генератором в зазоре между зондом и образцом. В процессебескотактного сканирования можно измерять:

- бесконтактную "Топографию (режим сканирования без возбуждения колебаний \ кантидевера)- изменение угла наклона кантилевера по направкекию к нормали к поверхности в процессе бесконтактного сканирования;

- резонансную бесконтактную топографию (режим динамических сил) - измерение профиля поверхности в режиме, когда наблюдается сдвиг полосы резонансного возбуждения кантилевера в низкочастотную область вследствие Ван-дер-Ваальсового взаимодействия зонда и поверхности. В процессе сканирования обратная связь поддерживает величину частотного сдвига полосы постоянной и заданной. Амплитуда резонансных колебаний при этом изменяется слабо. Регистрируется при этом напряжение на пьезокерамическом сканере, необходимое для поддержания сдвига частоты постоянным. Эта мода в особенности эффективна в условиях вакуума, когда добротность в полосе резонансных колебаний достигает несколько десятков тысяч. В условиях сверхвысокого вакуума в этой моде удается наблюдать истинное атомное разрешение при специальной подготовке игл кантилеверов. Целесообразно применение этой моды для микроскопии боковых сил с использованием резонансного датчика колебаний (добротность датчика на воздухе до ЗООО - 5000);

- бесконтактную топографию латеральных сил - регистрируется изменение угла торсионной закрутки кантилевера. Появление контраста в этой моде возможно, если в процессе сканирования будет контакт адсорбционных слоев на образце и кантилевере;

- И1мерекие топографии в режиме регистрации боковых сил зондом, колеблющимся в плоскости образца (Shear force топография) - измеряется топография поверхности в режиме, когда поддерживается постоянным амплитуда (как правило), фаза или амплитудофазовые характеристики колебаний зонда в плоскости образца. В настоящее время для регистрации этих колебаний используются кварцевые резонансные датчики. Возбуждаются колебания зонда на резонансной частоте прикрепленного к нему кварцевого датчика в виде камертона. Из амплитудо-частотного анализа электрического сигнала с этого датчика регистрируют и цепью обратной связи сканер- образец- зонд поддерживают постоянным одну из характеристик колебаний в процессе сканирования. Set Point для поддержания обратной связи устанавливают в соответствии с условиями режима бесконтактного сканирования;

- бесконтактная резонансная топография - регистрируется топография в режиме, когда возбуждается колебания кантилевера в полосе резонансных колебаний и регистрируется топография при поддержании постоянной амплитуды, фазы или амплитудофазовых характеристик. Режим эффективен для регистрации топографии адсорбционных слоев;

- распределение поверхностного потенциала (Кельвин мода) - регистрируется напряжение, которое вырабатывается следящей системой во время сканирования для подавления колебаний кантилевера, которые инициируются электродинамической силой на частоте возбуждения, выбираемой для увеличения чувствительности в полосе резонансных колебаний кантилевера.

яг*

Эта сила выражается как: i]^ (<») = -[(£/»-/p(x,y))xU^xsin(a)l)]x— и толедественно равна

нулю, когда U0 = <р(х,у) при любом значении переменного напряжения Uh приложенного в цепи проводящий каятилевер - образец;

- контрасты, связанные с распределением подповерхностной емкости (бесконтактная емкостная мода)-регистрируется сила, инициирующая колебания проводящего кантилевера на второй гармонике возбуждающего переменного напряжения Ut ■ Cosa) ■ i, приложенного в

ъ - sc

цепи кантилевер - образец. Эта сила возникает из-за конечного значения производной — и

5Z

равна F (2а,) =

-xU? xcosibot) 4 '

х —. Регистрация контраста может производиться по

амплитуде, фазе или амплитудофазовым характеристикам (А(х, у) ■ 2 • а> ■ / + гр{х, у) + ц/~) ) с применением синхронного детектирования сигнала; ' . .

- контрасты, связанные с магнитной структурой поверхности (микроскопия магнитных сил) - с использованием кантилевера с магнитно-чувствительным покрытием на острие регистрируется контраст, связанный с силовым взаимодействием с поверхностью Компенсация вкладов других сил производится с использованием т.н. многопроходных методов сканирования, позволяющих определять и учитывать вклад других взаимодействий.

Регистрация контраста может производиться как по изменению угла отклонения кантилевера в процессе повторного сканирования каждой строки на заданном расстоянии от поверхности по траектории, измеренной во время первого сканирования строки, так и в режиме резонансного бесконтактного сканирования с регистрацией изменений амплитуды, фазы или амплитудофазовых характеристик;

- контрасты, связанные с электростатическим взаимодействием (микроскопия электростатических сил) - измерения производятся аналогично магнитным, но используются проводящие кантилеверы, желательно, с диэлектрическим покрытием.

В модах близкопольной оптической микроскопии используются режимы регистрации оптического излучения:

- на отражение: излучение может вводиться в зазор световолоконный зонд - поверхность образца внешним источником, а собирается зондом;

- на отражение: излучение вводится в зазор световолоконный зонд - поверхность через зонд и собирается им же;

- на отражение: излучение вводится в зазор световолоконный зонд - поверхность через зонд, а собирается объективом;

- на просвет: излучение вводится со стороны прозрачного образца и собирается зондам;

- режим нарушенного полного внутреннего отражения: поверхностная световая волна, сформированная в процессе полного внутреннего отражения на поверхности прозрачного образца, туннелирует в световолоконный зонд и регистрируется приемной системой.

В модах литографии используются режимы т.н. векторной и растровой литографии, в первой из которых производятся двух битные воздействия по заданным траекториям, а во втором по заданному образу с 16 разрядным разрешением. Существует возможность воздействовать на поверхность давлением со стороны зонда в заданном диапазоне сил, а также электрических воздействий.

Современные сканирующие зондовые микроскопы должны иметь возможность работать в вышеперечисленных режимах. Вследствие многообразия возможностей измерений создание приборов силами отдельных исследовательских коллективов стало совершенно не оправданным, а потребности в приборах в силу тех же причин возросли, что и создало предпосылки развитию специализированных компаний для разработок и производства сканирующих зондовых микроскопов.

Существует необходимость применения приборов для различных приложений, которые различаются различными средами в которых необходимо производить исследования, различными условиями и различными типами образцов, По этому возникла необходимость разработки специализированных приборов для конкретных приложений. Это:

• приборы для измерения образцов небольших размеров (до 10 - 15 мм) на воздухе;

• приборы для измерений в жидкости;

• приборы для измерений в условиях электрохимической ячейки;

• приборы для измерения образцов типа кремниевых пластин диаметром до'300 мм;

• приборы, работающие в контролируемых газовых средах и вакууме;

• приборы, работающие в условиях сверхвысокого вакуума;

• приборы, способные работать в определенных температурных условиях;

• приборы, способные измерять «большие» образцы (крылья самолетов, поверхность автомобиля и т.д.). '

Для обеспечения возможности проведения работы в различных условиях созданы конструкции специализированных микроскопов. Возможности измерений и воздействий определяются возможностями базового контроллера и программного обеспечения и могут быть одинаковыми для различных конфигураций приборов.

В главе 2 описаны различные конструкции приборов, разработанные под общим руководством автора [11, 13, 14,22,29, 31,32, 33,37,3S, 42,44,51,52, 63 - 69].

Конструкции разработанных приборов можно разделить на три группы:

• сканирующие туннельные микроскопы;

• сканирующие атомно-силовые микроскопы;

• сканирующие близкопольные оптические микроскопы с поддержанием условий сканирования при помощи систем регистрации боковых сил резонансным датчиком ( Shear force микроскопы): - -

COJIBEP-P47 представляет собой универсальный модуль, на базе которого компонуется целый ряд моделей. Модуль состоит из электронного блока, смонтированного в основании прибора, набора сканеров с системами прецизионного механического подвода, оптической системы дай прецизионного позиционирования и системы регистрирующих головок, которые могут устанавливаться на систему позиционирования, обеспечивающую двух координатное, обратимое перемещение головок в диапазоне 3 мм относительно центра сканера с точностью до 5 мкм. Сканирование в данной модели осуществляется образцом, который устанавливается на сканер, совмещенный с системой прецизионного подвода образца к зонду.

На рисунке 5 схематически изображена конструкция прибора и показана его фотография в варианте с регистрирующей головкой с лазерной регистрацией угловых отклонений и осцилляции кантилевера.

а б

Рис.5. Схема регистрации положения кантилевера и общий вид прибора СОЛВЕР-Р47 с оптической системой и регистрирующей головкой с лазерной регистрацией угловых отклонений и осцилляции кантилевера. Прибор может быть скомпонован в ряд конструктивных типов.

ш ш

Рис.6. Фотографии Солвера-Р47 с обычной и низкотоковой СТМ головками

Рис.7. Фотографии Солвера-Р47 в вариантах с БОМ с Shear force системой регистрации АСМ топографии и универсальной АСМ головкой с оптической регистрацией положения кантилевера (рис.5а).

л

Вторая линия приборов базируется на универсальной головке СЗМ СМЕНА, которая использует систему сканирования кантилевером. Схематически конструкция представлена на

Ш Scanner X, Y, Z

—CL

Рис.10. Схематическое представление конструкции сканирующего зондового микроскопа СМЕНА с системой сканирования кантилевером.

В этой конструкции снимаются ограничения на размер образца. Система сканирования зондом требует применения специальной подвижной оптической схемы, обеспечивающей возможность регистрации состояния кантилевера в процессе сканирования. При этом непосредственно на Х,У сканере в выделенном месте укрепляется зеркало, синхронное движение которого в процессе сканирования обеспечивает точное н фиксированное положение

>

лазерного пучка на кантилевере в процессе сканирования. Это достигается тем, что изображение лазера двумя зеркалами отображается в центр вращения сканера.

В минимальной конфигурации сканирующий зондовый микроскоп оснащается микровинтом, совмещенном с третьей опорой прибора, при помощи которого вручную легко осуществляется операция подвода зонда к образцу. На рис. 11 показана фотография прибора.

Рис. 11. Фотография сканирующего зондового микроскопа СМЕНА Дополнением базовой модели является система, обеспечивающая работу прибора в жидких средах для исследования границы раздела фаз твердое тело-жидкость. Для реализации схемы была разработана конструкция прибора, в которой на сканер могут устанавливаться сменные «носики» с держателем кантилевера, установленном на кварцевом окне, через который вводится и выводится луч лазера для регистрации положения кантилевера. Использованием такого окна предотвращается возмущающий эффект свободной поверхности жидкости. При помощи такой головкиизмереяия можно"проводить на дне чашки Петри.

ажагтк»

Рис.12. Фотография прибора СМЕНА в варианте для работы в жидкости и схема регистрации положения кантилевера. 1

На базе этих конструкций создано целое семейство микроскопов. С использованием системы прецизионного подвода выполнена конструкция микроскопа СОЛВЕР-Р47Н (рис.13).

Рис.13. Фотография прибора Солвер-Р47Н, созданного на базе СЗМ СМЕНА

Рис.14. Фотографии Солвера-Р47Н в вариантах с БОМ с Shear force системой регистрации АСМ топографии.

Для работы с биологическими объектами, которые для предварительного позиционирования нуждаются в оптических микроскопах с высоким увеличением, которые имеют короткое фокусное расстояние, созданы приборы СОЛВЕР-БИО, обеспечивающие такую возможность. Это приборы на базе инвертированных микроскопов Пиолам и Олимпус -IX-70, последний из которых имеет к тому же люминесцентную насадку (рис. 14 а,б).

Рис. 14. Сканирующие зондовые микроскопы для биологических исследований Солвер-Р47БИО< Солвер-БИО-Олимпус-1Х-70

л

Для метрологических целей и работ в модах литографии разработан специальный плоскопараллельный сканер с полем сканирования ЮОхЮОмкм2 и линейностью 0,1%. Данный сканер имеет рычажную конструкцию и управляете« двумя пьезокерамическими стеками. Для исключения влияния нелинейностей и крипов пьезокерамики система оснащена емкостными датчиками, которые могут быть включены в цепи обратной связи. На сканер может быть установлен стандартный микроскоп СМЕНА, что делает систему шгги-координатной (рис.15а,б).

Л *

Рис. 15! Плоскопараллельный рычажный сканер (а) с установленным на него СЗМ СМЕНА (б)

Оптический микроскоп Олимпус -1Х-70

Рис. 16. Схема комбайна на базе сканирующего спектрометра комбинационного рассеяния и сканирующего зондоюго микроскопа СМЕНА

Сканер (рис. 15 а) сконструирован так, что он может быть установлен на микроскоп ОЛИМПУС-ХЬ. Кроме того, разработан специальный однокоординатныГг сканер с диапазоном 30 мкм, на который может быть установлен короткофокусный объектив. В этом случае появилась возможность реализовать систему, включающую в себя сканирующий спектрометр комбинационного рассеяния и СЗМ. Такая комбинация позволяет получать как информацию о геометрии й физических свойствах поверхности, так и качественную информацию о химическом составе. На рис.16 изображена схема такого прибора, а на рис.17 его фотография. Разработка проведена силами фирм НТ-МДТ и Токио Инструменте.

Рис. 17. Фотография действующего макета комбайна на базе сканирующего спектрометра комбинационного рассеяния и сканирующего зондового микроскопа СМЕНА

Предварительные испытания макета (рис. 17) показали, что яа данном приборе в режиме сканирующего спектрометра комбинационного рассеяния удается получать разрешение в плоскости лучше 0,25 мкм, а по нормальной координате до 0,5 мкм, что позволяет получать информацию о пространственном распределении молекул и кластеров и их состоянии.

Сканирующие зондовые микроскопы для применений в промышленности SOLVER-LS-2S0 и SOL VER-LS-300.

Микроскопы серии СОЛВЕР - LS выполнены на сварной титановой раме с шестью виброгасящими ножками (рис. 1S). Исследуемый образец устанавливается на вакуумный - поворотный координатный столик с моторизированными микрометрическими-передачами производства «Physical Industries». Перемещением по одной координате в плоскости образца осуществляется с точностью 1 мкм. Точность перемещение поворотного стола в плоскости образца с точностью до 0.001°. Микроскоп оснащен оптическим микроскопом с видеокамерой, которые жестко связаны с рамой прибора и съюстированы на кангилевер.

Откидная измерительная головка со сканером и оптико-позиционной схемой регистрации отклонения кантилевера располагается над образцом. На свободном конце сканера закрепляется кантилевер. Конструкция выполнена так, что при сканирования луч лазера регистрирующей системы остается неподвижным относительно кантилевера. Это достигается введением специальной системы слежения, которая монтируется в измерительной головке.

Отраженный от кантилевера луч света позиционируется в регистрирующую систему, приемником которой является четырех секционный фотодиода. Сигнал разбаланса в плечах фотодиода пропорционален изменению угла отклонения кантилевера в процессе сканирования.

В приборах СОЛВЕР - LS сближение кантилевера и образца осуществляется автоматически перемещением каретки с откидной головкой.

Управление приборами осуществляется программно через электронный блок при помощи рабочей станции на базе IBM - совместимого компьютера со специальным программным обеспечением.

мша!

Рис. 18, Внешний вид сканирующего зондового микроскопа СОЛВЕР-ЬБ. Прибор использует

электронику Р7, видеокамеру и дополнительный монитор для визуализации объекта.

Сканирующий зондоеый микроскоп SOL.VER.-UHV.

Для проведения фундаментальных исследований в направлениях нанотехнология, наноэлекгроника, молекулярно-лучевая эпигаксия, рентгеиовская и электронная спектроскопия, физика поверхности, материаловедение, разработки сред для записи и хранения информации, трибология и микротрибология необходимы приборы, работающие в строго контролируемых условиях. Во многих случаях, в особенности для поверхностей с высокой поверхностной энергией (металлы, полупроводники) оптимальными условиями, гарантирующими неизменность химического состава, являются условия сверхвысокого вакуума. Не сложно подсчитать, что при вакууме 10'6 торр (обычный технический вакуум, при котором ведут процессы напыления материалов) количество столкновений с поверхностью, соответствующее при абсолютно неупругих столкновениях (коэффициент прилипания равен 1) адсорбции одного моноатомного слоя происходит за 1 сек. Соответственно при вакууме 10""тсрр моноатомный слой будет адсорбирован за время не менее 105сек=27,(7) часа. Этим и определяется требования к степени разрежения, которые необходимы для конкретных исследований.

Сконструировано и изготовлено два варианта мультимодовых сверхвысоковакуумных микроскопа. Один предназначен для работы в диапазоне температур от 90К - 100К (рис.19 - 21) до 700 - 500К, и другой для работы в области криогенных температур (рис.22).

Щ

Рис. 19. Сверхвысоковахуумный двухкамерный нанотехнологический комплекс на базе СЗМ СОЛВЕР-ЦНУ на интервал температур 90К-500К.

Ряс.20. Фланцевый модуль СЗМ СОЛВЕР- Рис.21. Схематическое изображение UHV на интервал температур 90К-800К конструкции СЗМ СОЛВЕР-UHV

СЗМ СОЛВЕР-UHV работает во всех модах СЗМ, исключая режим БОМ. Могут исследоваться пластины до 025мм и толщиной до 4мм. Конструкция прибора допускает установку сканеров 1,5x1,5x1.5 мкм3; 7x7x1,5 мкм3; 16x16x1.5 мкм3; 30x30x1.5'мхм3, 50x50x4 мкм3. Возможна установка сканера и 100х100х4мкм3. Атомно-силовой вариант прибора может выпблняться в трех схемах: АСМ с оптико-позиционной схемой регистрации кантилевера, АСМ с Shear force регистрацией топографии и АСМ с кварцевым резонансным кантилевером. Первая схема (рис.21) изучена к настоящему времени наиболее подробно.

Конструкция прибора подобна конструкции СЗМ Солвер-Р47. В обоих случаях сканирование осуществляется образцом, а лазер и фотоприемник отраженного от кантилевера пучка - на другой. В схему прибора заложено три новых идеи:

- лазер / фотодиод и кантилевер/образец на сканере крепятся на единой платформе, но по разные стороны, а связь осуществляется через оптическое окно, вваренное в центр фланца Тем самым обеспечивается возможность высокотемпературного отэ/сига камеры (150 -180°С), необходимого для получения сверхвысокого вакуума, во время которого платформу со смонтированными ка ней фотодиодом и лазером можно извлечь и не подвергать нагреву;

- кантилевер или игла СТМустанавливаются на платформе в форме разъема, ответную часть которого составляет держатель сканера. При установке зондов или образов /еразъем» расстыковывается и «висит» на нижней стороне платформы под окном. При подводе происходит стыковка «разъема» и, когда кантилевер или игла СТМ входят в динамический диапазон сканера, «стыковка» прекращается и стыкованая система уходит а люфт

Геометрия расчитана так, что зоны люфтов системы подвода и держателя зЬидовой

платформы перекрываются, что значительно повышает резонансную частоту делает систему устойчивой к вибрациям, проходящим на платформу и колебаниям всего прибора; - виброразвязка платформы с прибором и основной камеры осуществляется четырьмя пружинами и имеет резонансную частору порядка I Гц, а вакуумная развязка осуществляется через мягкий сильфон. Если в верхнюю камеру, в которой устанавливается платформа с лазером и четырехсекционным фотодиодом, напущен воздух, то под действием атмосферного давления сильфон и пружины растягивается и платформа с прибором «садится» на ареттиры. Когда воздух откачивается из верхней камеры и разность давлений умноженная на площадь платформы становится много меньше веса механизма, платформа поднимается над ареттирами и вывешивается на пружинах. Жесткость сильфона выбирается много меньшей жесткости пружинной подвески, а пружины расчитываются в соответствии с требованиями, предъявляемыми к виброзащите.

Введение этих трех оригинальных идей сделала возможным реализацию данной конструкции и достижения требуемого уровня среднеквадратичного шума в заданной полосе частот, достаточного для получения атомарного разрешения.

Подавление собственных колебаний в системе осуществляется при помощи демпфера Фуко, наиболее часто применяемого для этих целей. Демпфер состоит из 28 постоянных кобальт - самариевых магнитов, собранных в гребенку, навстречу которым установлены медные пластины. Пластины закреплены по периметру СЗМ платформы, а магниты - на верхнем фланце, При возникновении колебаний платформы относггельно верхнего фланца в пластинах начинает генерироваться электрический ток, а следовательно резистивные потери, что и приводит к затуханию колебаний.

Подвод сканера с образцом к зондовой платформе осуществляется при помощи сверхвысоковакуумного шагового двигателя В23-1 производства фирмы САВЕ1Ш-МОС посредством специального планетарного редуктора, конструкция которого исключает заклинивание и спекание в процессе эксплуатации в условиях сверхвысокого вакуума.

Прибор может эффективно работать в двух и трех камерном вариантах, когда камера с СЗМ блоком находится постоянно в условиях сверхвысокого вакуума. Тазработанная транспортная система для двухкамерного модуля состоит из трех манипуляторов: один для перемещения загрузочной кассеты в камере предварительной подготовки и ориентации держателей образцов и зондов при перехвате в транспортный манипулятор с длиной перемещения порядка 1 м (второй манипулятор). Эти два манипулятора работают с магнитным приводом. Третий манипулятор - это трехкоординатный прецизионный манипулятор, в который захватывается образейц или зонд из транспортного манипулятора, после чего образец или зонд устанавливаются на СЗМ. Камера подготовки и аналитическая камера разделены шибером.

На рис.22, приведена фотография сверхвысоковакуумного низкотемпературного СЗМ. АСМ топография в этой модели может регистрироваться в двух схемах: АСМ с Shear force регистрацией топографии и АСМ с кварцевым резонансным кантлевером.

Подвод зонда и образца осуществляется пьезокерамическим инерциальным двигателем.

( I

Зонды в данной модели крепятся непосредственно на сканер. Также, как и в предыдущем случае, установка оснащена системой смены образцов и зовдов без развакуумирования аналитической камеры.

1аиг4£ПЩХПЮпи*я-№дЬУжиип5Т1И Sotrrr РЛЯШНе_

Low tutvperalurt VIIV SPM (seaming by the lip).

Measuring mode« STM/ Shear Force/ Phase Imaging/ ЛГМ(тАрвя>еапШетег}

Измерительная головка низкотемпепап/пного СЯМ

Низкотемпературный Сверхвысоковакуумный СЗМ в камере на основе Не крионасоса

Пружины виброзащиты

Measuring head of fow-temperetura 5PM, installed into the ariatytic chamber

Рис.22. Криогенный вариант СЗМ СОЛВЕР-UHV-LT, СТМ и АСМ с тензор?зистивной

или пьезоэлектричесой системой регистрации отклонения кантилевера. -Универсальный близкоиольный оптический микроскоп. В дополнении к Shear force головкам, приведенным на рис. 7а и 14, которые могут работать в схемах близкопольных оптических микроскопов, но не снабжены ни собственными источниками, ни приемниками излучения и могут функционировать лишь в некоторых БОМ модах, разработаны первые варианты универсальных БОМ, способных работать во всех,

известных сегодня модах БОМ. Кроме того, универсальный БОМ снабжен такими системами перенастройки мод работы, что тот же самый образец может быть изучен в том же самом месте при малом времени перенастройки- '

Ueftt .1

ш

Рис.23.Оптическая схема универсального ЮМ - Рис.24. Фотография БОМ

При помощи системы переключаемых зеркал световой поток может направляться различными путями, в соответствии с описанием мод БОМ. В качестве приемника может выступать фотоумножитель, CCD камера или приемная система монохроматора, в который может быть направлено выходящее излучение. В разработанном макете в качестве встроенного источника излучения выступает красный полупроводниковый лазер с длиной волны 673 км. Свет также может вводиться от любого внешнего источника посредством транспортного волокна. На рис. 24 показана фотография прибора В качестве системы подвода в конструкции используется автоматизированный подвод модуля прибора Солвер-Р47Н.

Таким образом к настоящему времени создано полное семейство сканирующих

многомодовых микроскопов для поисковых работ и разработок в различных областях науки и

i

техники. В настоящее время эти приборы работают с одним зондом, но дальнейшее развитие микромеханики СЗМ приведет к созданию многозондовых «цветных» картриджей, где под цветом понимается то, что зонды требуются не однотипные, а разные, по крайней мере, с различными типами покрытий, как того требуют сейчас приложения. Сканеры в СЗМ

Одним из основных элементов в СЗМ является сканер. Начиная с работы Г. Биннига и Д. Смита (G. Birniig and D. P. Е. Smith, "Single - Tube Three - Dimensional Scanner for Scanning

tunneling microscopy"//Rev. Sei. Instrum, 57 (8), p. 1688 - 1689, (1986)), для сканирующих зондовых микроскопов начали использовать трубчатые сканеры. С использованием сканеров на основе трубок можно как создавать центросимметричные конструкции и добиваться минимальных термических дрейфов, так и обеспечивать относительно большие поля сканирования при лучших, чем у применявшихся ранее сканеров в виде триподов, резонансных характеристиках и более низких управляющих напряжениях. Но для обеспечения большей эффективности требуется применение тонкостенных трубок, которые, как правило, имеют нарушенную коаксиальную симметрию, что приводит к не ортогональности сканеров. В особенности это отярсигся к Z - сканеру, обеспечивающему перемещение по нормали.

,Это дефект приводит к тому, что при приложении напряжения к сканеру одновременно с перемещением по Оси Z, он перемещается и в плоскости. На рисунке 25(a) показана гистограмма распределения сканеров по угловому отклонению оси от нормали к плоскости.

Дли корректировки этого дефекта можно применять и программную коррекцию изображения, но в этом случае боковые частоты сканера, которые значительно ниже собственных частот колебания сканера по нормали и составляют величину порядка 2 кГц, будут определять частоты возбуждения обратной связи, что приводит к значительному снижению скорости сканирования и ухудшению качества прибора. Именно этим обусловлена необходимость коррекции сканеров на физическом уровне. Была поставлена работа по метрологическому контролю сканеров и их коррекции. Для коррекция сканеров был применен - - - способ-уменьшения площади электрода в заданном и определяемом месте. Врезулбтате- 1 -коррекции удалось резко сократить величину разброса по углам, доведя ее в среднем до 0,5° (см. гистограмму на рис.26(б)), вместо 13° для некоррелированных сканеров.

а а

Рис. 25. Гистограмма: распределение угла неортогональности до (а) и после (б) корректировки сканеров.(а - угол неортогональности сканера, N - количество

сканеров).

В главе 3 описаны конструкции контроллеров микроскопов и тенденции их развития, а таюке программное обеспечение приборов [11, 29, 37, 43, 74, 75]

Для реализаций возможностей многомодовой зовдовой микроскопии был создан системный контроллер СОЛВЕР - Р7, на основе которого в настоящее время изготавливается вся электроника для СЗМ линии Солвер (рис.26).

- Аналого-цифровые преобразователи. Два 16-ти разрядных АЦП позволяют одновременно регистрировать два различных сигнала независимо выбираемых из набора всех входных, преобразованных и внешних сигналов. Перед каждым из АЦП расположен фильтр нижних частот 2-го порядка перестраиваемый в диапазоне 100Гц-20кГц. Перед одним из АЦП находится 16-ти разрядный ЦАП смещения и разностный усилитель, позволяющий компенсировать постоянную составляющую измеряемого сигнала, а также управляемый усилитель с коэффициентом усиления 1,10,100,1000.

- Усилители X и У отклонения пьезосканера идентичны и представляют собой составной ЦАП и высоковольтный усилитель с парафазным выходом. Это увеличивает полный размах напряжения на пьезосканере до +320В/-320В при однополярном питании 350В. Полоса усилителей X и У 2.5кГц. Составной ЦАП состоит из двух прецизионных 16-ти разрядных ЦАПов, прецизионного источника опорного, двух деглитчеров (для подавления выбросов при переключения ЦАПов). Использование различных коэффициентов усиления для ЦАПов

позволяет достичь эффективной разрядности составного ЦАПа - 22 двоичных разряда, что на поле 100 X 100 ткт должно дать минимальный шаг 0.025 нм. - ■

-Усилитель Ъ отклонения пьезосканера содержит аналогичную схему составного ЦАПа, но высоковольтный усилитель имеет один выход (0-320В), более широкую полосу - 15 кГц, и способен работать на нагрузку до ЮОнФ. У него есть вход внешней модуляции и возможность подачи внутреннего модулирующего сигнала. Резисторный делитель и буферный усилитель служат для измерения величины 2. в режиме с включенной обратной связью по Ъ.

«С^УНдН^асок^ | \

-<ЬЗ>

Рис.26. Блок схема системного контроллера СОЛВЕР-Р7 с подключением к измерительным системам микроскопов

• Цепь обратной связи состоит из масштабирующего усилителя, управления полярностью, интегратора с управляемой постоянной времени и режимами сброса и хранения, усилителя ошибки, умножающего 16-ти разрядного ЦАПа задающего уровень под держания

сигнала обратной связью. В качестве опорного напряжения этого ЦАПа может быть использован сигнал пропорциональный,полной засветке фотоприемника, что, как уже отмечалось, уменьшает чувствительность прибора к нестабильности и шумам лазера.

- Мультиплексоры. Для коммутации сигналов используются три группы мультиплексоров: Мультиплексоры - усилители входных сигналов позволяющие выбрать из входных сигналов (низкочастотный и полосовой СТМ, низкочастотный и высокочастотный ССМ и внешний) сигналы подвергаемые преобразованию. Мультиплексоры выбирающие два независимых сигнала для одновременного измерения двумя АЦП.

- ОБР. Для цифрового управления прибором в системе имеется цифровой сигнальный процессор АБвР 2181.

- Входные усилители расположены непосредственно на измерительных головках. В режиме СТМ используются два типа входных усилителей : на диапазон входных токов ЮпА - ЮнА и 1пА - 1нА при работе в режиме Z-const. Величина измеряемого входного тока ограниченна 50 и 5 нА, полоса частот - 15 и 6 кГц соответственно. В режиме ССМ входной усилитель представляет собой счетверенный преобразователь фоготок - напряжение (по одному на каждую секцию фотоприемника) с полосой 1 МГц).

- Фильтры сигналов. В режиме СТМ используется фильтр нижних частот 3-го порядка с полосой ЮкГц позволяющий поддерживать постоянный средний ток при работе с измерением АУ62. или сИМи с модуляцией 2. или и на частоте выше 18 кГц. Для работы в режиме модуляционных методик в режиме используется фильтр нижних частот 3-го порядка с полосой ЮкГц позволяющий поддерживать постоянный средний ток при работе с измерением й\Л2 или сМЛШ с модуляцией Ъ или II на частоте выше 18 кГц. Для выделения промодулированного сигнала используется полосовой фильтр 5-го порядка на частоту 18-25 кГц. В режиме ССМ используются два сопрягающихся фильтра 3-го порядка верхних и нижних частот с частотой среза 50 кГц. В качестве входного сигнала может использоваться сигнал подаваемый на входной внешний разъем прибора. Параметры его фильтров идентичны фильтрам канала ССМ.

- Преобразователи сигналов позволяют одновременно и независимо получать сигнал пропорциональный логарифму входного тока, а также, при работе в режиме модуляции, сигнал пропорциональный амплитуде входного (с использованием синхронного детектирования), среднеквадратичной величине входного, сдвигу фазы между входным и возбуждающим сигналами. Все сигналы проходят через управляемые фильтры нижних частот 2-го порядка с диапазоном перестройки 200Гц - ЮкГц. Диапазон частот при работе с модуляционными методиками - в режиме СТМ :18-25кГц, в режиме ССМ :1кГц-1.8 МГцпри изучении свойств кантилеверов и 50 кГц -1.2 МГц при сканировании поверхности образца. Синхронное детектирование возможно использовать на частотах кратных частоте возбуждения. Возможен режим работы с поддержанием постоянного сдвига фазы между возбуждающим и входным сигналами за счет изменения частоты колебаний кантилевера цепью обратной связи. При

использовании проводящих кантилеверов возможно поддержания одного из параметров его колебания (фазы, амплитуды, и т.п.) за счет изменения потенциала подаваемого на кантилевср.

- Блок синтеза частот состоит из трех 32 разрядных независимых синтезаторов сигналов sin(io t), cos(m t) - для синхронного детектирования и cos(co t+(p) - для модулирующих воздействий. Частота, амплитуда и фаза перестраиваются независимо. Шаг перестройки по частоте - 0.01 Hz, по фазе - 0.1 град. Амплитуда модулирующего воздействия может меняться в диапазоне lmV-

10V с шагом lmV. В качестве задатчика опорной частоты может быть выбран либо кварцевый генератор (40 МГц), либо, в режиме с обратной связью по фазе и управлением частотой, ГУН (9-11 МГц).

- Блок управления подводом состоит из двух 12-тн разрядных ЦАПов, программно вырабатывающих два сдвинутых на 90 град, синусоидальных напряжения, подаваемых на два усилителя мощности управляющих током через обмотки шагового двигателя подвода.

- Motorized Positiriner driving. В системе имеется возможность управления двумя дополнительными пятафазвыми шаговыми двигателями типа RDM 545/100А.

- Стабилизатор температуры позволяет поддерживать постоянную температуру подложки с образцом в диапазоне 30 - 150°С с точностью 0.05°.

В диссертации изложены основные требования к электронике нового типа для СЗМ. Программное обеспечение приборов линии COJIBEP [43, 73, 75] Программное обеспечение для приборов линии СОЛВЕР выполнено к настоящему времени для двух операционных сред - DOS версия "и версия Windows-2000. Развитие DOS -версии завершено. Программа обеспечивает весь цикл управления прибором, а также обработки и представления изображений.

Рис.27. Графический интерфейс для программного управления СЗМ комплекса и, обработки изображений СЗМ

Дальнейшее развитие программного продукта ведется в многозадачной среде Widows -2000. Windows является оптимальной с точки зрения ее повсеместной распространенности, поддержки производителями и т.д., а многозадачность позволяет разделить процессы управления прибором, съема информации, ее отображения и обработки данных на независимые потоки.'На рис. 28 показан графический интерфейс этой программы. Программа

имеет значительно более широкие возможности, чем предыдущая, которые будут раскрыты в ближайшем будущем, но уже сегодня новая программа имеет более мощные возможности в части статистической обработки данных: фрактальный анализ, корреляционный анализ, Вайфлет фильтрация и др. Кроме того, появилась возможность управления приборами через интернет сети, открывающая новые возможности для проведения совместных исследований, обучения, сервиса.

Рис. 28. Вид интерфейса программы управления СЗМ линии СОЛВЕР, выполненной в многозадачной среде Windows.

В главе 4 изложены результаты разработок коллектива по руководством автора в микромеханике для сканирующих зондовых микроскопов (рис.29). В главе изложены основные идеи технологии промышленного производства кантилеверов и перспективы развития микромеханики для C3M[30, 50, 57, 58, 61, 62, 72, 78].

14км

к 0ш хрпвдл оокрот 2 шшыера ш оному в mcjoi сторож. Тошшп ipcmra 0.45 мм.

]

ЛлЛ

АБС О Е_Р_

Ж.

Рис.29. Промышленные кантилеверы НТ-МДГ. Конструкции (а,в) и РЭМ фотографии | кантилеверов (б, г) и кончиков их игл (д,е).

I

Для расширения области применений СЗМ и решения проблемы по уменьшению _ «мертвых зон» разработаны кантилеверы с вискерами на остриях (рис.30)[77].

Рис. 30. Кремниевый каитилевер с выращенным на конце вискером для исследований дна субмикронных « колодцев» с отвесными стенками (технология и производство НТ-МДТ).

Рост квискера»! инициируется сильно сфокусированным электронным лучом и осуществляется в установке электронно-лучевого экспонирования. Движение луча в йроцессе

роста вискера и доза Экспонирования в процессе роста задается программно. По окончанию

1 |' ; процесса геометрия выращенного вискера контролируется в той же установке с переходом в

"' I

режим растрового электронного микроскопа. В технологии обеспечивается подача и контроль

I

исходного материала для роста вискеров. ,

Рис.31. СЗМ изображения субмикронных структур полученные (а) - стандартным кремниевым кантилееером(рис.8) и (б) кантилевером с вискером на конце иглы (рис.4.11).

Радиус кривизны менее а

Рис.32. Схема, РЕМ изображение кончика иглы с магниточувствительным покрытием из Со и магнитно-силовое СЗМ изображение ZIP - драйвера. Двухпроходная методика AZ=IOhm, размер скана 55x55 мкмПрибор - COJIBEP-P4 7.

Магниточувствительные иглы получают нанесением Со, Ре и других ферромагнитных материалов на поверхность чипа со стороны' иглы. В большинстве своем при использовании требуют предварительного подмагничивания перед применением..НТ-МДТ применило новую технологию, состоящую в том, что магнитный слой оказывается нанесенным только на кончик иглы кантилевера вяскер - типа (рис.32 а). Оказалось, что такие каятилеверы обладают более высокой чувствительностью и большей стабильностью во времени [39].

Уже сегодня ясно, что следующим шагом в создании инструментов для нанотехнологии будут микророботы[24, 72], простейшим из которых можно считать уже созданный в настоящее время компанией ШМ МИЛЛИ! ШД. Главным недостатком существующих сейчас устройств является то, что геометрия зондовых систем в них строго фиксирована, что существенно ограничивает их возможности как .

I 1

манипуляторов и аналитических щупов сканирующих зондовых микроскопов («мертвые зоны» и пр.). Основной задачей в разработке микромеханических устройств, по мнению автора; следует считать создание «сустава» микронных размеров, содержащего исполнительные элементы, датчики перемещения, систему фиксации. Технологическая схема при разработке такого сустава должна допускать возможность мультипликации. Следующим шагом будет создание механизма типа «рука» при помощи которой можно будет осуществлять как исследования, так и трансляцию " отдельных кластеров для создания заданных функциональных систем, а затем и - " микроробота, имеющего в своем со ставе ¡тысячи рук, способных «ткать»

функциональные устройства следующих поколений. Развитее микропроцессорных,

I

- программных, вычислительных средств делают реальной решение задачи создания такого инструмента в течении ближайшего десятилетия.

В главе 5 описаны разработанные тестовые структуры (рис.33-36), а также методы и процедуры калибровки СЗМ[40, 55, 56, 60].

Рис. 33. РЭМ - фото калибровочной Рис.34 РЭМ-фото калибровочной

I я ■ I

решетки Твг02. , 1 решетки ТвХО!.

X V-

V:

4 —^"Ч.-.

Рис. 35. РЭМ -фото калибровочной Рис. 36. ЮМ-фото калибровочной

решетки ТвйО!. решетки ТвТ01.

Рис. 37. Изображение тестовой решетки ТвХ01 полученное на сканере 20x20 мкм, без коррекции нелинейности (а) и с программной коррекцией нелинейности (б).

Рис. 38 Изображение полученное при сканировании нитридным кантилевером МкгоШег решетки ТСС01.

Рис.39. СЗМ изображение и продольное сечение кремневого каптилевера \JLTRASI1ARP (ЫТ-МОТ).

Использование тестовых структур позволяет как провести калибровку прибора по трем координатам, так и определить метрологическое качество используемого прибора: ортогональность сканера, линейность по координатам, а также качество применяемых зондов.

В главе б рассматриваются новые процедуры модификации поверхности и создания наноструктур, алгоритмы которых заложены в функциональные возможности разработанных приборов [3, 6, 10, 21, 24, 27, 46, 53, 72, 73, 80].

Тензоинициированная модификация поверхности.

Показано, что используя сверхострые кантилеверы с радиусом закругления менее 1-5 нм можно увеличением силы прижима в полуконтактном режиме вызывать пластическую деформацию в точке касания иглы и таким образом «рисовать» на поверхности "мягких" материалов с наномётровым разрешением. Таким же способом можно обеспечить сверхплотную запись информации путем формирования отдельных битов. Максимальная плотность в матрице 20x20 точек составила примерно 50 Гбит в пересчете на квадратный сантиметр (рис. 51).

В главе приведены результаты исследований условий проведения манолитографии такого типа на пленке поликарбоната (материала, широко используемого в качестве материала лазерных компакт дисков) [46].

«»Л"» ягн иавяяцю Рис. 40. Пример записи матрицы 20x20 битов на пленке поликарбоната острой кремниевой иглой (внизу-слева). Справа увеличенный небольшой участок, вверху показан профиль вдоль трех битов.

□

шшвшашшшшадш! п икшяяяшмнвняи и гм Д^^^Ш^ННН^^шНВНВ 1 раиШммаумяр^^^^^^^И 2«. ешз щ „т.* № в 11 Иг ! - ............ ......... ............ ! 1

;

....... / Г ....... ¿■■а'. ! ■

Рис. 41. Следы силовой спектроскопии с различным предельным значением амплитуды колебаний (слева) и вид зависимости 2(гр) (справа) с характерным участком начала пластической деформации материала пленки.

При исследовании вида зависимости Z(sp) оказалось, что при достижении определенного опорного значения от линейного характера достаточно резко меняется в сторону практически вертикальной отвесной зависимости (рис 41). Далее начинается пластическая деформация материала и игла углубляется в пленку до тех пор, пока игла не проникнет глубже своего острого кончика и не начнет «работать» основной образующий иглу конус (из экспериментов это примерно 100-200 ни).

Максимальная плотность записи, которую удалось получить этим методов, составляет примерно 140 Гбит на кв. см. Многократное сканирование в течение примерно 20 часов показало устойчивое сохранение записанных битов без потери информации.

На рис.42 показаны примера формирования на пленке поликарбоната различных геометрических фиг^р - дуг, квадратов, линий, цифр и т.п. Перенос изображения • • осуществлялся путем модуляции силы прижима в процессе сканирования шаблона, , предварительно созданного одним из графических редакторов.

Проблема корректного учета нелинейности пьезокерамики и так называемого "крипа" -медленного долговременного "доползания" трубки после изменения ее положения - может оказаться одной из существенных проблем при разработке нанолитографических операций с использованием сканирующих зондовых микроскопов.

Рис. 43. Примеры переноса сложного полутонового изображения шаблона (1) на пленку. Максимальная высота рельефа 100,50 и 15 нм для изображений 2-3-4.

Правильный подбором диапазона изменения силы удается переносить оттенки достаточно сложных изображений (например, лицо человека, рис 43) с размером отдельных элементов 1020 нм.

Периодическое сканирование этих изображений в течение по меньшей мере трех с\ток показало их стабильность без заметного ухудшения качества изображений Это позволяет надеяться на перспективность использования подобных материалов для долговременного хранения аналоговой или цифровой информации с плотностью элементов в сотни Гбит на квадратный сантиметр.

Гальваническая модификация поверхности

В настоящее время разработан метод локального гальванического окисления поверхностей аморфных сверхтонких пленок титана, поликристаллического кремния и арсенида галлия на основе СЗМ в режиме резонансной бесконтактной моды АСМ с использованием проводящих кантилеверов. В диссертация описана методика получения изображений в режимах растровой и векторной модификации, требования к образцам и зондам.

Процесс окисления осуществляли в полуконтактном режиме АСМ, поскольку данный режим позволяет существенно повысить долговечность использования одного и того же проводящего кантилевера и повысить воспроизводимость процесса зондового окисления при многократном сканировании подложки[80].

Эксперименты проводили на воздухе в соответствии со схемой рис.44.

¡хт 0.4 0.3 02 ОЛ

^ЗВГ'-Г

Принципиальная схема

; О .. ОД г 0.2.0,3 :• .0.41ХГЛ-.у.

Рис.45 Атомно-силовое изображение

Рис.44

процесса, 1 -проводящее покрытие поверхности модифицированной титановой

кантилевера, 2- адсорбционный мостик, 3- пленки. и„=8В, 1„=0.5мс анодный оксид, 4-рабочая поверхность^).

Экспериментально установлено, что максимальная высота рельефа после окисления пленки титана толщиной 2 нм не превышает 1,6 нм, а для толщины пленки 8 нм - 5,0 нм. Таким образом, толщина окисла титана, сформированного из пленки титана толщиной 2 нм составляет 3,6 нм., а сформированного из пленки титана толщиной 8 нм - 13 нм. Данные величины окисла титана хорошо соответствуют теоретически рассчитанным значениям, .исходя из" значений исходных тощин пленки титана, молекулярных весов и значений удельных плотностей Т1 и ТЮ2. Это косвенно подтверждает факт образования окисла металла на пленке при токовом воздействии на поверхность при атмосферных условиях.

Ч 5 6 7 8 9 ПГ Рис.46 Зависимость высоты Рис.47 Зависимость высоты выросшего

выросшего окисла титана от напряжения анодного окисла арсенида галлия от напряжения анодизации при постоянной длительности анодизации при постоянной длительности импульса напряжения 16мс. I- для 2нм. II- импульса напряжения Юме. для 8нм пленки.

На рис.46 показаны зависимости высоты полоски окисла титана от прикладываемого анодного напряжения для толщин титановых пленок 2 и 8 нм при длительности импульса

напряжения 16мс, полученные из АСМ изображений поверхности. Зависимость высоты выросшего анодного окисла арсенвда галлия от величины напряжения при Длительности импульса напряжения Юме показано на рис.47.

Используя специально разработанное программное обеспечение была осуществлена растровая зондовая литография, когда первоначально в память загружается рисунок, а далее происходит сканирование поверхности иглой при этом в каждой точке скана подается анодное напряжение. Напряжение выбирается из диапазона б-ЮВ, а его величина в каждой точке устанавливалась в зависимости от полутоновой маски. Таким образом, при сканировании в каждой точке под иглой вырастал окисный бугорок, высота которого коррелировала с полутоновой палитрой маски. Далее при повторном сканировании на поверхности обнаруживался наноразмеркый рисунок, совпадающий с использованной маской рис.48

Рис.48. АСМ изображение поверхности титановой пленки после осуществления растровой литографии (Генрих Рорер и Альберт Сант Дьерди).

Несложно видеть, что применение СЗМ литографии способно обеспечить высокую повторяемость и технологичность результатов. Разработка многозондовых устройств способна продвинуть эти результаты в практику.

В главе 7 изложены результаты исследований пленок Ленгмюра-Блодасетг методами СЗМ [1,1,4,5, 7-9,12,15,16,20,21,24,33,48,71,76].

В диссертации приводятся результаты исследования пленок Лекгмюра-Блоджетт методами мультимодовой СЗМ. Исследовались как ЛБ-пленхи классических поверхностно . активных соединений (ПАВ) - соли арахиновой кислоты, так и смесей сложных полимерных и олигомерных ПАВ.

Показано, что в большинстве случаях в результате формирования ЛБ-пленки образуются островковые структуры с размеров отдельных глобул в несколько десятков

нанометров. При нанесении ЛБ-пленок шероховатость подложек увеличивается, что свидетельствует о уменьшении поверхностной энергии в этом процессе.

Рис.49. Полуконтактная АСМ топография ЛБ-пленок поверхностно-активных производных TTF (а), фгаллоцианинов (6), азофенилов (8)

Удалось наблюдать образование доменных структур в JIE-пленках арахидата кадмия.

щпднп шг

i.S-E^

* X : V

V г ЦГЛ-П

% ¿ж-

- i лЛ'

%> * ' Hi . J

Г *•' i4 Чи

*. Л f " • *r „ Л

1 « 4 ■ V» ..Л * 'I

8.5 1.8 1.5 [О

Рис.50. Доменные структуры в ЛБ-пленках арахидата кадмия, рН=5,3 Оказалось, что в узком диапазоне рН=5,3±0,1, в ЛБ-пленках арахидата кадмия образуются доменные структуры, что ведет к значительному увеличению корреляционной длины до 67нм и увеличению светорассеяния в пленках [48].

Проведены исследования смесей поверхностно-активных веществ методами многомодовой СЗМ с одновременным исследованием образца в режимах полуконгактной топографии, Кельвин моде, моде латеральных сил, которые показали высокую мобильность ЛБ-пленок со склонностью к реструктуризации главным образом в процессе формирования.

Проведенные исследования показали, что именно многомодовая СЗМ, и, в особенности, полуконтактные и бесконтактные моды наиболее для исследования ЛБ-пленок. В результате оказалось возможным заключить, что существует два основных механизма формирования ЛБ-пленок: молекулярный, приводящий к образованию гладких пленочных покрытий, и кластерный, когда на мениске происходит отщепление островка, как правило, субмикронных размеров с последующей его адсорбцией на подложку. При этом образуются сильно разупорядоченные структуры с шероховатой поверхностью, которые, по видимому, пригодны только для академических исследований поведения вещества Веществ, которые образуют пленки по первому механизму много меньше, чем по второму и для их обнаружения,

исследований взаимосвязи структурных и функциональных факторов с особенностями молекулярной структуры соединений совершенно необходимо применение методов СЗМ, являющейся, по сегодняшнему уровню понимания,-безальтернативным методом для создания функциональных Структур на основе ЛБ-пленок.

Выводы

- В результате проведенной работы возникло направление в отечественном

приборостроении - сканирующая зоодовая микроскопия;

- Разработан и производится приборный ряд для оснащения научно-исследовательских и

производственных коллективов техникой, способной с наномегровой точностью проводить изучения материалов;

- Разработаны и реализованы в приборах, алгоритмы, позволяющие проводить

комплексные исследования методами многомодовой сканирующей зондовой микроскопии, а также работы по экспериментальному моделированию функциональных элементов нанометровых размеров;

- На базе технологии микромеханики разработана и производится зондовая техника для

СЗМ - кантилеверы различного функционального назначения для комплексного исследования и моделирования наноструктур;

- Разработаны и' производятся тестовые элементы для-каяибровки и оценки качества

сканирующих зондовых микроскопов;

- Предложены и продемонстрированы методы модификации наноструктур, позволяющие

создавать большие системы на основе нанаэлементов, при которых необратимых

1 I ■

изменений с инициирующим модификацию зондом ие происходит;

- На основе проведенных исследований предложены механизмы формирования пленок

Ленгмюра-Блоджеггт, а также алгоритмы отбора материалов, пригодных для формирования функциональных, практически значимых структур.

Публикации по теме диссертации

1. V.A.Bykov. Lyotropic Liquid Cry stal Technology as new Method of Structure Forming of Molecular Electronics// Second International Conference "Molecular Electronics and Biocomputers", UNESCO, AS of the USSR, Moscow, USSR, September 11-18, 1989, p.22-23.

2. V.A.Bykov, L.A. Feigin. Application of Langmuir-BIodgett films in Microelectronics // Book of Abstracts, Third European conference on Organized Organic Thin Films, 11-13 October, 1990, Mainz, FRG, p.3

3. V.A.Bykov, Hameroff S.R., Lazarev P.I., Protasenko V.V., Samsonov N.S., Troitsky V.I.. STM application in nanotechnology // Book of Abstracts, International Conference on Scanning Tunneling Microscopy, 12-16 August, 1991, Interlaken Switzerland, p.31

4. V.A.Bykov, Ryabokon V.N., Zimin A.V., Lobanova A.A., Emelyanov A.V., Matveeva N.K., Pogotovsky N., Hameroff S.R.STM tip electric field stimulated deformation of oligomeric LB-films // Book of Abstracts, International Conference on Scanning Tunneling Microscopy, 12-16 August, 1991, Interlaken Switzerland, p. 167

5. V.A.Bykov, Redchenko V.V., Shikin S.A., Eremchenko M.D.. Novak V.R., Mjagkov I.V. STM investigation of Langmuir-BIodgett (LB) films of charge transfer complexes as perspective material for nanotechnology // Book of abstracts, Second International conference on NANOMETER SCALE SCIENCE AND TECHNOLOGY (NANO-II), 2-6 August, 1993, Moscow, Russia. B-54, p.22

6. В.А.Быков. А.В Емельянов, Э.А. Полторацкий, Н,С. Самсонов. Наноэлсктроника как перспектива развития микроэлектроники // Электронная промышленность, 1993г., вып. 1112, стр. 42-46

7. 'V.A.Bykov, Redchenko V.V., Eremchenko M.D.,, Ivanov V.K., Mjagkov I.V. STM image and spectroscopy of Lnngmuir - Blodgett (LB) films of Fullerene // Book of abstracts, Second International conference on NANOMETER SCALE SCIENCE AND TECHNOLOGY (NANO-II), 26 August, 1993, Moscow. Russia. B-55, p.22

8. V.A.Bykov, Redchenko V.V., Shikin S.A., Eremchenko M.D., Novak V.R., Mjagkov I.V. STM investigation of Langmuir-BIodgett (LB) films of charge transfer complexes as perspective material for nanotechnology // Book of Abstracts, International conference on Scanning Tunneling Microscopy, 9-13 August, Beijing, China, 1993, p.197

9. V.A.Bykov, Redchenko V.V., Eremchenko M.D.,, Ivanov V.K, Mjagkov I.V. STM image and spectroscopy of Langmuir - Blodgett (LB) films of Fullerene // Book of Abstracts, International conference on Scanning Tunneling Microscopy, 9 - 13 August. Beijing. China, 1993, p.196

10. В.А.Быков, C.H Мазуренко, И.В.Мягков, H.C. Самсонов. Перспективы молекулярной наноэлектроники'/ Тезисы докладов. Международная научно-техническая

конференция "Микроэлектроника и информатика", 11-12 ноября 1993г., Москва-Зепеноград, Россия, стр.13 • ■

11. В.А.Быков, М.Д. Еремченко, А.В. Иконников, С.Н. Кацур, В.В Редченко, С.А.Саунин. Новый сканирующий туннельный микроскоп и программное обеспечение к нему// Тезисы докладов. Международная научно-техническая конференция "Микроэлектроника и информатика", 11-12 ноября 1993г., Москва-Зеленоград, Россия, стр.106

12. В.А.Быков. Методы формирования и исследования пленок Ленгмюра - Блоджетт и молекулярная нанотехнология // Электронная промышленность, 1994, вып.7-8, с.59-63

13. Быков В.А., Беляев А.В., Еремченко М.Д., Жижимонтов В.В., Иконников А.В., Кацур С.Ф., Редченко В.В., Саунин С.А.. Новый сканирующий туннельный микроскоп и его применение при исследовании молекулярных пленок // Электронная промышленность. 1994. № 7-8. С. 168-172.

14. Быков В.А., Иконников А.В., Кацур С.Ф., Еремченко М.Д., Саунин С.А., Шикин С.А.. Сканирующий туннельный микроскоп и головка для него (варианты)// Патент РФ №2069056. Приоритет от 18 апреля 1994 года

15. В.А.Быков, Емельянов А.В. Сканирующая зондовая микроскопия для модификации наноструктур и результаты исследования молекулярных пленок// Тезисы докладов. Российская конференция с участием зарубежных ученых, "Микроэлектроника - 94" и 28 ноября - 3 декабря 1994г., Москва-Звенигород, Россия, егтр.693-694

16. "В.А.Быков. Сканирующая зондовая микроскопия атомного разрешения и моделирование процессов молекулярной нанотехнологии// Тезисы докладов. Вторая Международная научно-техническая конференция "Микроэлектроника и информатика", 23-24 ноября 1995г., Москва-Зеленоград, Россия, стр. 131

17. V.A.Bykov, V.A. Fedirko, M.D. Eremtchenko. Tunnel microscopy investigation of fuUerene monolayers.// Book of abstracts XXIX Colloquium Spectroscopic™ Internationale, Leipzig, Germany Aug.27 Sep.l, 1995, p.474.

18. V.A.Bykov, V.A.Fedirko. Scanning probe microscopy for biological object investigation.// In "Spectroscopy of Biolog. Molecules, ed. by J.C.Merlin, S. Turrell and J.P.Huvenne. Kliver Acad. Publ., Dordrecht/ Boston/ London, 1995, p. 471472.

19. E. Buzaneva, T. Vdovenkova, A. Gorchensky, A, Setikevich, A. Belyaev, V. Bykov, C. Pettenkofer. SFM and XPS Study of Top Layer Packet for MoS2 MoSe2, MoTe2 // Book of Abstract of "Frontiers in Nanoscale Science of Micron/Submicron Devices" NATO Anvanced Science Institutes Seues. Kiev. Ukraine. August 16-27. 1995. P.30.

20. V.A.Bykov, A.V. Beliaev, M.D. Eremtchenko, V.R. Novak, V.V. Zhizhimontov, S.F.Katsour, S.A. Saunin, S.L. Vorobiova. SPM investigation and modification of fulleren surfactant

derivation LB-films. Supplement to the abstract book of Seventh International Conference on Organized Molecular Films, Numana (Ancona) - Italy, Sep., 10-15, 1995, p. 22.

21. V.A.Bykov, A.V.Behaev, M.D.Eremtchenko, V.R.Novak, V.V.Zhizhimontov, S.F.Katsour, S.A.Saunin. SPM investigation and modification of conductive LB-films. Supplement to the abstract book of Seventh International Conference on Organized Molecular Films, Numana (Ancona) - Italy, Sep., 10-15, 1995, p. 23.

22. Быков B.A., Иконников A.B., Кацур С.Ф., Еремченко М.Д., Саунин С.А., Шикин С.А.. Сканирующий зондовый микроскоп (варианты), его чувствительный элемент и способ юстировки кантилевера // Патент РФ №2072735. Приоритет от 25 мая 1995 года.

23. A.I. Alexandrov, T.V. Pashkova, V.A. Bykov, I.V. Myagkov, V.R. Novak. Structure Investigations of Multilayered Molecular Systems Based on Conducting Monolayers// Mol.Mat., Vol. 5, pp. 223 -229, 1995.

24. V.A. Bykov, "Langmuir-Blodgett films and nanotechnology"// Biosensor & Bioelectronics Vol. 11, No. 9, pp. 923-932, 1996.

25. V.A.Bykov, V.A.Fedirko, M.D.Eremtchenko, V.I.Shashkin V.M.Daniltzev. Characterization of GaAs/GaAlAs MOCVD Superlattice by STM/AFM Technique. Russian Academy of Siences// Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers, St Petersburg, Russia, 24-28 June 1996, pp.. 381-384.

26. V.A.Bykov, V.A Fedirko, M.D.Eremtchenko. Tunnel microscopy investigation of fullerene monolayers// Frcsinius J. Anal. Chem.. V355, N5-6, pp. 707-710, 1996.

27. V.A.Bykov, Scanning probe microscopy and nanotechnology// В коллективной монографии под редакцией проф. С. Nicolini "Molecular Manufacturing", Plenum Press, New York and London, Vol. 2, pp. 67-76, 1996.

28. E.V. Buzaneva, A.D. Gorchensky, V.V. Levandovskiy, G.D. Popova, A.V. Svizhenko, A. Belyaev, V.A.Bykov. Nanoscale characterization of interfaces in micron/submicron structures// "Frontiers in Nanoscale Science of Micron/Submicron Devices" edited by Antti-Pekka Jauho and Eugenia V. Buzaneva, NATO AS1 Series; Advanced Science Institutes Seues; Series E: Applied Sciences - Vol. 328, pp. 169-209, 1996, Kluwer Academic Publishers. Printed in the Netherlands.

29. В.А.Быков, М.И.Лазарев, С.А.Саунин. Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности// Электроника: наука, технология, бизнес. 1997. №5. Стр.101-124.

30. В.А.Быков, А.Н. Гологанов, Развитие зондовой микроскопии на базе технологии микромеханики для решения проблем нанотехнологии и метрологии// Тезисы докладов третьей международной научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика». Москва-Зеленоград. 1997.

3 1. В.А.Быков, М.И.Лазарев, А.В.Тавров. Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности// Компьютерра. 13 октября 1997. №41. Стр.38-42.

32. А.В.Беляев, В.А.Быков, В.В.Жижимонтов, С.А.Саунин. Сканирующий аондовый микроскоп для контроля качества поверхности// Тезисы докладов третьей международной научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика». Москва-Зеленоград. 1997. Стр.223. , ,

33. В.А.Быков, В.А.Гражулис, Б.К.Медведев, С.А.Саунин, Д.Ю.Соколов, С.И.Божко. Сверхвысоковакуумный нанотехнологический комплекс на основе многомодового зондового микроскопа 3-его поколения // Тезисы докладов третьей международной научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика». Москва-Зеленоград. 1997. Стр.224,

34. В.А.Быков, С.Н.Мазуренко, И.В.Мягков, В.Р.Новак, С.А.Саунин. Рабочая станция для формирования и исследования структур наноэлектроники на базе ЛБ - технологии, зондовой микроскопии и синхрогронного излучения// Тезисы докладов третьей международной научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика». Москва-Зеленоград. 1997. Стр.225.

35. М.И. Лазарев, В.А. Быков, П.С., Сотников. Применение молекулярной технологии для решения проблем обеспечения продуктов питания витаминами и микроэлементами. Тезисы докладов третьей международной научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика». Москва-Зеленоград. 1997.

36. N.V.Dolgushev, A.A.Malkov, A.A.Malygin, S.A.Suvorov, A.V.Shchukarev, A.V.Beljaev, V.A.Bykov. Synthesis and characterization of nanosized titanium oxide films on the (0001) -Alj03 surface// Tfiin Solid Films Л997. 293. P.91-95.

, 37. В.А.Быков, М.И.Лазарев, С.А.Саунин. Зондовая микроскопия для биологии и медицины//Сенсорные системы. 1998. Том 12. Вып.1. Стр.99-121.

38. В.А.Быков. Новые приборы и разработки в сканирующей зондовой микроскопии// Материалы всероссийского совещания «Зондовая микроскопия - 98». 1998. Нижний Новгород. 2-5 марта. ИФН РАН. Стр. 110 -111.

39. В.А.Быков. В.В. Лосев, С.А.Саунин. Применение атомно-силового микроскопа для исследования поверхностей магнитных материалов// Тезисы докладов общероссийской конференции с международным участием. «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». ПЭМ- 98. Геленджик, Россия. 6-11 сентября 1998.

40. V. Bykov, A. Gologanov, V. Shevyakov. Test structure for SPM tip shape deconvolution //Appl. Phys. A66,499-502(1998) .

41. Ю.М. Евдокимов, В.И. Солянов, Б.В. Мчедлишвили, В.А. Быков, Ф. Спенер, М. Палумбо. Молекулярное конструирование на основе двухцепочечных нуклеиновых кислот и синтетических полинуклеотидов для создания интегрального биодатчика// Сенсорные системы, том 13, №1, сс. 82-91, 1999 год

42. В.А. Быков, Б.К. Медведев, Д.Ю. Соколов. Мультимодовый сверхвыеоковакуумный СЗМ COJ1BEP-UHV// Зондовая микросколия -99. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 10-13 марта 1999 г.., стр,-320 - 326.

43. Быков В.А, Иконников А.В., Кацур С.Н., С.А. Саунин. Электроника и программное обеспечение универсальных сканирующих зондовых микроскопов НТ-МДТ// Зондовая микроскопия - 99. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 10-13 марта 1999 г.., стр. 327-333.

44. Быков В.А, С.А. Саунин. Новые приборы и возможности в сканирующей зондовой микроскопии// Зондовая микроскопия - 99. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 10-13 марта 1999 г.., стр. 132 - 133.

45. Быков В. А., Лосев В.В., Саунин С.А.. Емкостная методика сканирующей силовой микроскопии в исследовании распределения легирующей примеси в кремнии// Зондовая микроскопия - 99. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 10-13 марта 1999 г., стр. 134- 140.

46. Victor A. Bykov, Sergei A. Saunin. New Method For Nanostnicture Creation By

" Intermediate Contact Scanning Probe Technic// Preliminary Proceedings of SPM'99. lO"1 International Conference on Scanning Tunneling Microscopy / Spectroscopy and Related Proximal Probe Microscopy. Edited by Y.Kuk, I.W. Lyo, D. Jeon, S.-I. Park. 19-23 July, 1999, Seoul, Korea, pp. 588589. -. -

- - 47: -V.I. Beklemishev, V.A. Bykov, S.A. Gavrilov, Yu.G. Kachurovskiy, L.I. Machonin, A.N. ' Shokin, V.I. Pustovoy. Application of Porous Silicon as the Carrier of Pt and Pd in Membrane Methane Sensors// Indo-Russian Workshop on Micromechanical Systems. (Thematic Workshop Under ILTP). February 2-4, 1999, p. 1-21.

48. V.R. Novak, V.V. Zhizhimontov, A.V. Belyaev, V.A. Bykov. Surface Morphology of Arachidic Acid - Cd Arachidate LB-films Studied with SFM// MoI.Mat. v. 12, No.2, pp. 111-124 (2000)

49. Сотников П.С., Лазарев М.И., Быков В.А. Применение молекулярной технологии для решения проблем обеспечения продуктов питания витаминами и микроэлементам»//Труды отделения микроэлектроники и информатики. Выпуск 3,1999 год, Москва-Зеленоград.

50. Быков В.А.. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии// Труды отделения микроэлектроники и информатики. Выпуск 3, 1999 год, Москва-Зеленоград.

51. Беляев А.В., Быков В.А., Жижимонтов В.В., Лосев В.В., Саунин С.А.. Сканирующий зондовый микроскоп для контроля качества поверхности больших пластин// Труды отделения микроэлектроники и информатики. Выпуск 3, 1999 год, Москва-Зеленоград.

52. Беляев А.В., Быков В.А., Жижимонтов В В., Иконников А.В., Кацур C H., Самойленко А.Д., Саунин С.А.. Универсальный сканирующий зондовый микроскоп СОЛВЕР-Р47// Труды отделения микроэлектроники и информатики. Выпуск 3, 1999 год, Москва-Зеленоград.

53. V.A. Bykov, A.V. Emelyanov., Е. A. Poltoratski, V.N. Ryabokon. Nanotechnology methods and création of the terabit storage// Book of abstracts of 7® international symposium «NANOSTRUCTURES: physics and technology». St Petersburg, Russia, 14-18 June 1999 , p.460.

54. Евдокимов Ю.М., Солянов В.И., Мчедлишвили Б.В., Быков В.А., Спенер Ф., Палумбо М.. Патент РФ №2139933 по заявке на изобретение № 98121489 «Молекулярная конструкция на основе жидкокристаллической дисперсии нуклеиновой кислоты как интегральный биодатчик и способ его создания»//Приоритет от 26.11.98

55. Быков б.А'., Гологанов А.Н. Патент РФ №2121131 по заявке на изобретение № 971022018/28 (002160) «Тестовая структура для градуировки сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 11.02.1997

56. Беляев . А.В., Быков В.А., Гологанов А.Н. Патент РФ №2121130 по заявке на изобретение № 97101994/28 (002156) «Тестовая структура для определения формы и геометрических размеров иглы сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 11.02.1997

57. Быков В.А., Гологанов А.Н. Патент РФ №2121657 по заявке на изобретение №97107635/28 (008133) «Способ формирования кантйлевера сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 08.05.1997

58. Быков В.А., Гологанов А.Н. Патент РФ №2124780 по заявке на изобретение №9623203/09 (029870) «Кантилевер для сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 06.12.1996

59. Быков В.А., Гологанов А.Н. Патент РФ №2124251 по заявке на изобретение №96123099/09 (029880) «Многозондовый кантилевер для сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 06.12.96

60. Быков В.А., Гологанов А.Н. Патент РФ №2121656 по заявке на изобретение №97107631/28 (008127) «Тестовая структура для градуировки сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 08.05.1997

61. Быков В.АГ, Гологанов А.Н. Заявка на изобретение № 97107633/28 (008131) «Кантилевер сканирующего зондового микроскопа».

62. Быков В.А., Гологанов А.Н. Патент РФ №2125234 по заявке на изобретение №

97107634 «Способ изготовления кантйлевера сканирующего зондового микроскопа» II

j

приоритет от 08.05.1997.

63. Быков В.А., Иванов В.К., Саунин С.А., Соколов ДЮ. Заявка на изобретение № 96122357/28(029037) от 26 ноября 1996 «Сверхвысоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп» (находится на.рассмотрении по ходатайству от 22.04.99)

64. Быков В.А., Гражулис В.А., Божко С.И., Саунин СЛ., Соколов Д.Ю. Патент РФ №2152103 по заявке на изобретение № 96122421 , приоритет от 22 ноября 1996 «Сверхвысоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп

65. Быков В.А., Патент РФ №2152063 по заявке на изобретение № 97100591 приоритет от 16 января 1997 «Сканирующий зондовый микроскоп».

66. Быков В.А., Беляев A.A., Медведев Б.К., Саунин С.А., Соколов Д.Ю. Сканирующий зондовый микроскоп.// Заявка на изобретение №91108911/28(009018). Приоритет от 22.04.1999. Положительное решение от 14 июля 1999 года.

67. Быков В.А., Медведев Б.К., Соколов Д.Ю. Сверхвысоковакуумная транспортная система для сканирующих зондовых микроскопов.// Заявка на изобретение №91108910/28(009016). Приоритет от 22.04.1999. Положительное решение от 14 июля 1999 года.

68. Быков В.А., Медведев Б.К., Соколов Д.Ю. Устройство нагрева для сканирующих зондовых микроскопов.// Заявка на изобретение №91109201/28(009003). Приоритет от 22.04.1999. Положительное решение от 14 июля 1999 года.

69. Быков В.А., Медведев. Б.К., Соколов Д.Ю. Сканер термокомпенсированный// Заявка на изобретение Л»91109202/28(009004): Приоритет от 22.04.1999. Положительное решение от 14 июля 1999 года.

70. Сотников П.С., Быков В.А., Лазарев М.И. Способ получения витаминного препарата и способ получения водо-растворимого препарата// Заявка на изобретение № 97113341 от 15 августа 1997 года.

71. В.А. Быков. Фибриллярные лиотропные жидкие кристаллы и ориентированные пленки на их основе// Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н., Москва, Гос. НИИФП, 1997 год, ВНТИЦентр №04.9.80 0 01336.

72. Быков В.А. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологнн//Микросистемнпя техника №1 2000 год. Стр. 21 - 33

73. А. Быков. Концепция развития техники и методов СЗМ в период 2000 - 2002 годы // Зондовая микроскопия - 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000 г., стр.147-152

74. Быков В.А., Иконников A.B., Кацур С.Ф., Саунин С.А., Соколов Ю.И. Новый базовый электронный блок для управления СЗМ линии «Солвер»// Зондовая микроскопия -2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000 г... стр.282-286

75. Алексеев С.М., Быков В.А., Волков А.Д., Жданов М., Саунин С.А., Соколов Ю.И., Щеголев А.Г.. Новая концепция программного обеспечения СЗМ компании НТ-МДТ// Зондовая микроскопия - 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000 г.., стр.279-281

76. Алексеев А.М., Быков В.А., Бузин А.И., Саунин С.А. Применение методов мультимодовой СЗМ в исследованиях полимеров// Зовдовая микроскопия - 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 28 февраля -2 марта 2000 г.., стр.287-291

77. Быков В. А., Дрбмов В.В., Михайлов Г.М., Лосев В.В., Саунин С.А. Зонды «вискер -типа» и магнитно-силовые зовды дая СЗМ // Зовдовая микроскопия - 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000 г.., стр.298-302

78. Быков В.А., Мишачев В.И.. Возможности кремниевой микромеханики для развития сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии // Зондовая микроскопия - 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород 28 февраля - 2 марта 2000 г.., стр.292-297 - J •

79. В.А. Быков, С.Ф. Кацур, Б.К. Медведев, С.А. Саунин, Д.Ю. Соколов. Мода динамических сил в СЗМ и результаты исследований. II Зондовая микроскопия - 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород 28 февраля - 2 марта 2000 г.., стр.274-278

- 80. Bykov V., Saunin S., Lemeshko S., Shevyakov V. The nanometer scale structures -fabricated on titanium films by AFM tip-induced local oxidation in tapping mode// European society -for precision engineering and nanotechnology. Proceeding of the Iя euspen Topical Conference on Fabrication and Metrology in Nanotechnology. V. 1. Copenhagen May 28-30; 2000, pp. 222-228.

ВВЕДЕНИЕ

§1. Актуальность работы

§2. Цель работы

§3. НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ

§4. ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗНАЧЕНИЕ РАБОТЫ

§5. ЗАЩИЩАЕМЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ:

§6. АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

§7. Структура диссертации

§8. ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ НАНОТЕХНОЛОГИИ И СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ

§8.2. Сканирующая зондовая микроскопия и второй этап развития нанотехнологии

§8.2. 1. Сканирующая туннельная микроскопия

§8.2. 2. Атомно-силовая микроскопия

§8.2.3. Близкопольная оптическая микроскопия

§8.2. 4. Нанолитография

§8.2. 5. Компьютеры и развитие СЗМ

§8.3. Развитие работ по СЗМ в России

Глава 1. Методы и алгоритмы многомодовой сканирующей зондовой микроскопии

§1.1. Моды сканирующей зондовой микроскопии

§1.2. Взаимодействие зонд - поверхность

§1.2.1. СТМ изображения

§1.2.2. Расчет СТМ изображений, модель Курникова

§1.2.3. Расчет СТМ изображений и вольтамперных характеристик, Модель Молоткова

§1.2.3.1. Схема вывода основных выражений

§1.2.3.2. Метод сильной связи для моделирования СТМ изображений

§1.2.3.3. Метод сильной связи для моделирования СТМ изображений

§1.2.3.4. Метод квазистационарных состояний в СТМ

§1.2.3.5. Взаимосвязи между методами Бардина-Терцоффа-Хамана и квазистационарных состояний

§1.2.4. Расчет профилей Ван-дер-Ваальса молекулярных объектов, модель Горбацевича

Токатлы

§1.2.5. Программа моделирования СЗМ изображений TEORSTM-3.0 и полученные результаты

§1.3. Не Ван-дер-Ваальсовы силовые взаимодействия, их природа и регистрация методами СЗМ

§1.3.1. Мода регистрации латеральных сил

§1.3.2. Мода регистрации адгезионных сил

§1.3.3. Бесконтактные измерения

§1.3.3.1. Электрические взаимодействия

§1.3.3.2. Регистрация силовых взаимодействий, обусловленных-

§1.3.3.3. Кельвин-мода:

§1.3.3.4. Бесконтактная емкостная мода

§1.3.3.5. Регистрация электростатических и магнитных сил;

§1.4. Полуконтактная топография;

§1.5. Мода динамических сил:

§1.6. СЗМ с резонансными датчиками и близкопольная оптическая микроскопия

§1.7. Сканирующая люминесцентная спектроскопия и спектроскопия комбинационного рассеяния

ГЛАВА 2. КОНСТРУКЦИИ СКАНИРУЮЩИХ ЗОНДОВЫХ МИКРОСКОПОВ ЛИНИИ СОЛВЕР

§2.1. СОЛВЕР-Р

§2.1.1. Конструктивные особенности прибора COJIBEP-P

§2.2. СЗМ СМЕНА

§2.3. СОЛВЕР-Р47Н

§2.4. Солвер-БИО

§2.5. Сканирующий спектрометр комбинационного рассеяния с мультимодовым СЗМ СМЕНА -СОЛВЕР-СПЕКТРО

§2.6. Сканирующие зондовые микроскопы для применений в промышленности SOLVER-LS-250 и SOLVER-LS-300.

§2.7. Сканирующий зондовый микроскоп SOLVER-UHV.

§2.8. Низкотемпературный СЗМ СОЛВЕР-LT-UHV

§2.9. Универсальный близкопольный оптический микроскоп.

§2.10. Сканеры в СЗМ

§2.10.1. Пьезоэлектрические материалы, используемые в изготовлении пьезосканеров СЗМ

§2.10.2. Пьезокерамика на основе титаната свинца и его твердых растворов.

§2.10.3. Технология получения пьезокерамических заготовок, используемых для сканеров и подвижек

СЗМ линии СОЛВЕР

§2.10.4. Поляризация пьезокерамики для сканеров СЗМ СОЛВЕР.

§2.10.5. Пьезоэлектрические сканеры СЗМ СОЛВЕР;

§2.10.6. Искажения и нестабильности изображения из-за не идеальности пьезоприводов.

§2.10.6. Конструкция и устройство пьезосканеров.

§2.10.7. Методика диагностики сканеров СЗМ СОЛВЕР

§2.10.8. Основные калибровочные характеристики трубчатых сканеров

§2.10.9. Процедура корректировки Z приводов.

§2.10.10. Диагностика X-У сканеров

§2.10.11. Результаты и примеры корректировки пьезосканеров зондовых микроскопов.

Глава 3. Контроллеры и программное обеспечение СЗМ

§3.1. Контроллеры сканирующих зондовых микроскопов линии СОЛВЕР

§3.1.1. Контроллер СТМ - 10 - 90 - МДГ

§3.1.2. Контроллер СОЛВЕР-Р

§3.1.3. Контроллер СОЛВЕР-МИЛЛЕНИУМ

§3.2. Программное обеспечение приборов ЛИНИИ СОЛВЕР

Глава 4. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии

§4.1. Геометрия и физические свойства кантилеверов;

§4.1.1. Силовые и резонансные свойства балок кантилеверов

§4.1.2. Иглы и методы изготовления кантилеверов

§4.2. Изготовление кантилеверов.

§4.2.1. Пленочные кантилеверы

§4.2.2. Кремниевые кантилеверы

§4.2.3. Кантилеверы с вискерами на остриях

§4.2.4. Зонды со специальными покрытиями для мультимодовой СЗМ

§4.2.5. Специальные кантилеверы:

§4.2.6. Многозондовые картриджи для СЗМ

§4.3. Микромеханические устройства для решения проблем нанотехнологии

§4.4. Выводы к главе 4.

Глава 5. Тестовые структуры, методы и процедуры калибровки СЗМ

§5.1. Виды решеток для калибровки СЗМ

§5.2. Калибровка микроскопов

§5.3. Конволюция формы иглы и определение радиуса ее кривизны;

Глава 6. СЗМ литография и проблемы создания наноструктур

§6.1. Тензостимулированная модификация поверхности.

§6.2. Электрохимическая СЗМ модификация поверхности

Глава 7. пленки Ленгмюра-Блоджетт и СЗМ

§7.1. Формирование ЛБ-пленок

§7.2. Исследование структуры пленок классического ПАВ - арахидата кадмия методами СЗМ

§7.2.1. Условия формирования и изучения пленок CdA-A

§7.2.2. Результаты исследований ЛБ пленок арахидата кадмия

§7.3. Экспериментальные результаты по изучению ЛБ пленок методами СЗМ

§7.4. Модель процесса формирования ЛБ-пленок

§7.5. Измерение ЛБ-пленок в режимах СТМ и полуконтактных мод

§7.6. Выводы по главе

§1. Актуальность работы

Прогресс в познании строения вещества неразрывно связан с возможностью визуализации описывающих его параметров с максимально осуществимым пространственным и временным разрешением. Следующим шагом познания является попытка использования полученных знаний для построения новых функциональных структур (схем памяти, микропроцессоров, излучателей, приемников и преобразователей света, звука, различных типов сенсоров, новых материалов) максимально возможной информационной мощности, улучшения качества производимых продуктов, создания новых технологий.

На каждом этапе развития существуют инструментальные и экономические ограничения выражающиеся, в конце концов, в уровне и качестве продукции на данном этапе развития цивилизации.

В настоящее время появилась техническая возможность сдвинуть ограничения на пространственное разрешение измерительных и исполнительных инструментов в нанометровую и субнанометровую область размеров, что и создало предпосылки развития в направлениях нано-технологии, молекулярной нанотехнологии, наноэлектроники, базирующихся на возможности оперировать с веществом на уровне молекул, молекулярных кластеров и отдельных атомов.

Для развития субмикронной технологии и нанотехнологии требуется создание прецизионных контрольно-измерительных инструментов, которые могли бы как контролировать свойства функциональных элементов и сред, так и ремонтировать и формировать активные структуры. Потребность в таких средствах обуславливает актуальность часть работы, которая связана с разработкой сканирующих зондовых микроскопов, в том числе с функциями литографов, организации исследований по созданию микромеханических зондовых инструментов, разработке алгоритмов и методик исследований наноструктур с использованием этих средств.

Многообразие молекулярных систем с одной стороны делает их привлекательными для исследователей, а с другой требует развития теоретических методов моделирования электрофизических свойств конкретных применяемых материалов, что существенно сокращает расходы на синтез соединений и время, необходимое для проведения исследований. Этим обусловлена актуальность разработки программных пакетов для моделирования электрофизических свойств молекулярных кластеров.

§2. Цель работы

Целью работы является разработка физико-технических основ конструирования сканирующих зондовых микроскопов, разработка методологических основ их функционирования применительно к различным областям применения, создания технологического базиса для разработки и производства микромеханических зондовых конструкций, методов исследования и модификации наноструктур.

Работа направлена на решение проблем нанотехнологии по следующим направлениям:

•Разработка инструментальных и методологических основ нанотехнологии в части разработки и производства сканирующих зондовых микроскопов для комплексного исследования свойств поверхности с пространственным разрешением на уровне отдельных атомов и молекул, обеспечивающих возможность работы приборов в мультимодовом режиме, включающем возможность регистрации топографических, силовых, токовых, адгезионных, потенциальных, оптических контрастов, а также модификацию поверхностей в полевых, гальванических, деформационных режимах [6, 10 - 16, 22, 27, 29, 31 - 34, 38, 39, 42 - 45, 51, 52, 53, 73 - 76, 79 - 80 ].

•Разработка микромеханических инструментов (зондовые конструкции, тестовые элементы), обеспечивающих возможность проведения комплексных исследований в области сканирующей зондовой микроскопии [24, 29, 30, 40, 44, 50, 55 - 62, 65, 72, 77, 78].

•Разработка методов создания и исследования свойств молекулярных наноструктур с основной ориентацией на микрозондовые методы диагностики [1- 5, 7 - 9, 12, 15 - 18, 20, 23,24, 26, 27, 35, 37, 41, 48, 49, 54, 70, 71].

•Разработка методов нанолитографии [36, 46, 53, 72, 80].

§7.6. Выводы по главе 7

Методами мультимодовой СЗМ исследованы ЛБ пленки ряда соединений. Показано, что наиболее информативными для данного объекта являются методы полуконтактной и бесконтактной СЗМ. Применение контактных методов требует последующей проверки сохранности структуры с использованием полуконтактного режима.

На основе проведенных исследований сформулирована модель формирования пленочных покрытий методом Ленгмюра - Блоджетт.

Методами сканирующей атомно-силовой микроскопии изучена топография и структура поверхности смешанных ЛБ пленок арахидата кадмия - арахиновой кислоты (полученных при значениях рН 5.3, 5.6 и 5.8).

На основе полученных АСМ изображений поверхности рассчитаны функции автокорреляции и определены статистические параметры поверхности (среднквадратическое отклонение высоты и корреляционная длина) для трех различных по составу ЛБ пленок. Найдено соответствие полученных значений статистических параметров с ранее опубликованными данными по коэффициенту затухания света в волноводных ЛБ пленках [1309].

Обнаружена полосковая структура поверхности в мультислойных пленках арахидата кадмия - арахиновой кислоты полученных при рН 5.3, подобная наблюдавшейся ранее на платиново-углеродных репликах мультислоев арахидата кадмия в работе[1319].

Заключение

В заключении сформулируем основные результаты, которые получены автором в ходе работ по данной диссертации.

-В результате проведенной работы возникло направление в отечественном приборостроении -сканирующая зондовая микроскопия;

-Разработан и производится приборный ряд для оснащения научно-исследовательских и производственных коллективов техникой, способной с нанометровой точностью проводить изучения материалов;

-Разработаны и реализованы в приборах алгоритмы, позволяющие проводить комплексные исследования методами многомодовой сканирующей зондовой микроскопии, а также работы по экспериментальному моделированию функциональных элементов нанометровых размеров;

-На базе технологии микромеханики разработана и производится зондовая техника для СЗМ -кантилеверы различного функционального назначения для комплексного исследования и моделирования наноструктур;

-Разработаны и производятся тестовые элементы для калибровки и оценки качества сканирующих зондовых микроскопов;

-Предложены и продемонстрированы методы модификации наноструктур, позволяющие создавать большие системы на основе наноэлементов, при которых необратимых изменений с инициирующим модификацию зондом не происходит;

-На основе проведенных исследований предложены механизмы формирования пленок Лен-гмюра-Блоджетт, а также алгоритмы отбора материалов, пригодных для формирования функциональных, практически значимых структур.

1. J. В. P. Williamson, "Microphotography of Surfaces" // Proc. Inst. Mech. Eng. London, 182, 21 (1967 68); American National Standard Surface Texture. ANSI B46.1 (1978 Edition).

2. R. Young, J. Ward and F. Scire, "Observation of Metal-Vacuum-Metal Tunneling, Field Emission, and Transition Region 7/ Phys. Rev. Lett., 27, 922, (1971); R.D. Young, Phys. Rev. 113 (1959) 173; R. D. Young, Physics Today 24, 42 (Nov. 1971).

3. R. Young, J. Ward and F. Scire, "The Topografmer: An Instrument for Measuring Surface Micro-topography"// Rev. Sci. Instrum., 43, 999, (1972)

4. W.A. Thompson and S.F. Hanrahan, "Thermal Drive Apparatus for Direct Vacuum Tunneling Experiments"//Rev. Sci. Instrum., 47,1303, (1976)

5. R.H. Fowler and L. Nordheim, "Electron Emission in Intense Electric Fields"// Proc. Roy. Soc. London. Л 119, 173 (1928)

6. J. Frenkel. " On the Electrical Resistance of Contacts Between Solid Conductor"// Phys. Rev. 36, 1604 (1930)

7. L. Esaki, "New Phenomenon in Narrow Germanium p-n Junction"// Phys. Rev., 109, 603 (1958)

8. I. Giaever, "Energy Gap in Superconductors Measured by Electron Tunneling"// Phys. Rev. Lett.,5, p. 147, (1960)

9. J. Bardeen, "Tunneling from a Many Particle Point of View" // Phys. Rev. Lett. 6, 57, (1961)

10. J. Simmons, "General Formula for Electric Tunnel Effect Between Similar Electrodes Separated by Thin Insulating Film"// J. Appl. Phys. 34, 1793, (1963)

11. C.B. Duke, "Tunneling in Solids"// Academic Press Inc., New York, 1969

12. I. Giaever, "Electron Tunneling and Superconductivity"// Rev. Mod. Phys., 46, p.245, (1974)

13. E. C. Teague, "Room Temperature Gold Vacuum - Gold Tunneling Experiments"// Bull. Amer. Phys. Soc. 23, 290, (1978)

14. E.L. Wolf, "Electron Tunneling Spectroscopy"// Rep. Prog. Phys. 41, 1439 (1978)

15. G. Binnig and H. Rohrer. "Piezo drive with coarse and fine adjustment"// ibm technical disclosure bulletin vol. 22, Nr. 7, December 1979 New York, US

16. G. Binnig and H. Rohrer. Scanning Tunneling Microscope// US Patent 4,343,993 Aug. 10, 1982. Filed: Sep. 12, 1980

17. U. Poppe, "Tunneling Experiments on a Single Crystal of ЕДЪ^'У/ Physica B&C 108, 8051981)

18. G. Binnig and H. Rohrer, Ch. Gerber and E. Weibel. Surface studies by scanning tunneling microscopy// Phys. Rev. Lett. 49, p.p. 57- 61, (1982)

19. G. Binnig and H. Rohrer, Ch. Gerber and E. Weibel. Tunneling Through A Controllable Vacuum Gap//Appl. Phys. Lett. 40, p.p. 178- 179,(1982)

20. G. Binnig and H. Rohrer. Scanning tunneling microscopy // Helv. Phys. Acta 55, p.p. 726 735,1982)

21. G. Guntherodt, W.A. Thompson and F. Holtzberg, "Electron Tunneling into Intermediate Valence Materials"// Phys. Rev. Lett., 49, p.1030, (1982)

22. Начало интенсивного развития метода

23. G. Binnig and H. Rohrer, Ch. Gerber and E. Weibel. 7x7 Reconstruction on Si (111) Resolved in Real Space // Phys. Rev. Lett. 50 (2), p.p. 120-123, (1983)

24. G. Binnig and H. Rohrer, Ch. Gerber and E. Weibel. "Nano-Aperture"// IBM Tech. Disci. Bui., 27, 4893,(1985)

25. G. Binnig and H. Rohrer, Ch. Gerber and E. Weibel. "Spatter Tip"// IBM Tech. Disci. Bui., 27, 4890,(1985)

26. G. Binnig and H. Rohrer. Scanning tunneling microscopy // Surface science, 152, p.p. 17 26, (1985)

27. Хайкин M.C., Трояновский A.M. Сканирующий туннельный микроскоп с модуляцией туннельного промежутка и в жидкой среде// Письма в ЖТФ, 11 (20), стр. 1236 1241, (1985)

28. G. Binnig, C.F. Quate and Ch. Gerber. Atomic force microscope// Phys. Rev. Lett. 56 (9), p.p. 930-933,(1986)

29. G. Binnig, H. Rohrer. Scanning Tunneling Microscopy. // Helv. Phys. Acta, 55, 726 (1982); G. Binnig, C.F. Quate, Ch. Gerber. The Atomic Force Microscope. // Phys.Rev.Lett.1986, 56,930.

30. G. Binnig and D. P. E. Smith, "Single Tube Three - Dimensional Scanner for Scanning tunneling microscopy"// Rev. Sci. Instrum. 57 (8), p. 1688 - 1689, (1986)

31. Bryant, D. P. E. Smith and C.F. Quate. "Imaging in Real Time with the Tunneling Microscope"// Appl. Phys. Lett. 48, p. 832 834, (1986)

32. G. Binnig and H. Rohrer. "Scanning tunneling microscopy"// IBM J. Res. Develop., vol. 30, No. 4, p.p. 355 -369,(1986)

33. G. Binnig and H. Rohrer. "Scanning tunneling microscopy From Birth to Adolescence"// Rev. Mod. Phys., 59 (3), p.p. 615 - 625, (1987)

34. Неволин В.К., Коньков А.С. «Растровый туннельный микроскоп»// А.С. № 1471232 с приоритетом от 14 июля 1987

35. Хайкин М.С., Володин А.П., Трояновский A.M., Эдельман B.C. Сканирующие туннельные микроскопы// ПТЭ, 4, стр. 231 232, (1987 )

36. Conrad Schneiker. NanoTechnology With Feynman machines: Scanning Tunneling Engineering and Artificial Life// Artificial Life, SFI Studies in the Sciences of Complexity, Ed. C. Langton, Addison -Wesley Publishing Company, p.p. 443 500, (1988)

37. Начало развития СЗМ в России

38. Панов В.И. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхности// УФН, 155 (1), стр. 155 158, (1988)

39. Хайкин М.С. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия// УФН, 155 (1), стр. 158 159,(1988)

40. Прядкин C.JL, Цой B.C. СТМ изображения реальных поверхностей (100) и (110) вольфрама и характер отражения электронов проводимости// ЖЭТФ, 94 (3), стр. 336 342, (1988)

41. Неволин В.К. СТМ для работы на воздухе// ПТЭ № 5 (1988) стр. 248

42. Хайкин М.С. Сканирующий туннельный микроскоп с большим полем зрения// ПТЭ, 1, стр. 161 165,(1989)

43. Эдельман B.C. Высоковакуумный сканирующий туннельный микроскоп// ПТЭ, 4, стр. 149 153,(1989)

44. Эдельман B.C. Сканирующая туннельная микроскопия// ПТЭ, 5, 25 -49, (1989).

45. Голубок А.О., Давыдов Д.Н., Тимофеев В.А., Типисев С.Я. Сканирующий туннельный микроскоп при атмосферном давлении. Сборник «Научное приборостроение». Выпуск «Электронная оптика». Ленинград. «Наука». Стр. 72 76 (1989).

46. Эдельман B.C. Развитие сканирующей туннельной микроскопии// УФН, 161(3), 168 -171, (1991)

47. Эдельман B.C. Развитие сканирующей туннельной и силовой микроскопии// ПТЭ, 1, стр. 24-42,(1991)

48. Yu. N. Moiseev, V.M. Mostepanenko, V.I. Panov, I. Yu. Sokolov. Force dependence for the definitions of the atomic force microscopy spatial resolution// Phys. Lett. A 132, p. 354, (1988)

49. Э.В. Мюллер, T.T. Цонг. Полевая ионная микроскопия, полевая ионизация и полевое испарение// Перевод с англ., М., 1980

50. A.JI. Суворов, Автоионная микроскопия; Мюллер Э., Цонг Т., Автоионная микроскопия, перевод с англ., М.,(1972);1. Библиография по СЗМ

51. И.В. Яминский, В.Г. Еленский. Сканирующая зондовая микроскопия: Библиография (1982-1997)// Москва. Научный мир. Серия: Сканирующая зондовая микроскопия. Выпуск 2, 19971. Идея СТМ

52. R.D. Young. // Rev. Sci. Instrum. 37, 275 (1966)

53. Начальная стадия работ по близкопольной оптической микроскопии

54. U. Durig, D. Pohl, F. Rohner. "Near-Field Optical Scanning Microscopy"// J. Appl. Phys., 59 (10), 15 May, 3318 3327, (1986)

55. U. Durig, D. Pohl, F. Rohner. "Near-Field Optical Scanning Microscopy with Tunnel-Distance Regulation''/ЯВМ J. Res. Develop, 30 (5), Sept, 478 483, (1986)

56. A. Harootunian, E. Betzig. M. Isaacson and A Lewis. "Super-Resolution Fluorescence Near-Field Scanning Optical Microscopy"// Appl. Phys. Lett, 49 (11), 674 676, (1986)

57. Ранняя обзорная работа no пьезоманипуляторам

58. G.V. Ellis. "Piezoelectric Micromanipulators" // Science 138, 84-91 (1962).

59. Первые работы no микромеханическим сенсорам ACM кантилеверам

60. L.S. Fan, Y.C. Tai and R.S. Miller. "Pin Joints, Gears, Springs. Cranks, and Other Novel Micro-mechanical Structures"// Proc. Transducers'87 (The 4- International Conference on Solid-State Sensors and Actuators, Tokyo, Japan), 849-852, (1987)

61. N. Garcia, ed.// STM'86. Proceedings of the First International Conference on Scanning Tunneling Microscopy. Santiago de Compostela, Spain, 14-18 July 1986 (Amsterdam: North Holland, 1987)

62. R.M. Feenstra, ed.// Proceedings of the Second International Conference on Scanning Tunneling Microscopy. (New York: American Institute of Physics). (1988)

63. Первые работы no нанолитографии

64. M.A. McCord and R.F.W. Pease "Lithography with the Scanning Tunneling Microscope"// J. Vac. Sci. Technol. В. 3 (1), 86-88, (1986)

65. M.A. McCord and R.F.W. Pease "Exposure of Calcium Fluoride Resist with the Scanning Tunneling Microscope"// J. Vac. Sci. Technol. B. 5 (1), 430-433, (1987)

66. Оптико-позиционная схема ACM «Лазер-кантилевер-фотодиод)

67. Meyer G., Amer N.M. Erratum: novel optical approach to atomic force microscopy// Appl. Phys. Lett. 53 (24), 2400-2402, (1988)

68. Первая работа no резонансной моде в СЗМ

69. Ducker W.A., Cook R.F., Clarke D.R. Force measurement using an AC atomic force microscope // J. Appl. Phys. 67 (9), 4045-4052, (1990)1. Первый обзор no ACM

70. Sarid D., Elings V. Review of scanning force microscopy // J. Vac. Sci. Technol. В 9 (2), 431437, (1991)1. Атомное разрешение в СТМ

71. Binnig G.K, Rohrer H., Gerber Ch., Stoll E. Real-space observation of the reconstruction of Au(100) // Surface Science. 144 (2/3), 321-335, (1984)

72. Ringger M., Hidber H.R., Schlogl R., Oelhafen P., Guntherodt H.-J., Wandelt K., Ertl G. Vacuum Tunneling Applied to the Surface Topography of a Pd(100) Surface // In, Low Temperature Physics XVII. 1,25-26,(1984)

73. Baro A.M., Binnig G., Rohrer H., Gerber Ch., Stoll E., Baratoff A., Salvan F. Real-space observation of the 2x1 structure of chemisorbed oxygen on Ni(l 10) by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett. 52 (15), 1304-1307, (1984)

74. Binnig G., Rohrer H., Salvan F., Gerber Ch., Baro A. Revisiting the 7x7 reconstruction of Si(l 11) // Surface Science. 157 (2/3), L373-L378, (1985)

75. Salvan F., Fuchs H., Baratoff A., Binnig G. Au/Si(l 11) overlayer: characterization by tunneling microscopy and spectroscopy// Surface Science. 162 (1-3), 634, (1985)

76. Chabal Y.J. Infrared study of the chemisorption of hydrogen and water on vicinal Si(100) 2x1 surfaces // J. Vac. Sci. Technol. A 3 (3), 1448-1451, (1985)

77. Gossmann H.-J., Bean J.C., Feldman L.C., McRae E.G., Robinson I.K. Observation and properties of the Ge(l 1 l)-7x7 surface from Si(l 11)/Ge structures // J. Vac. Sci. Technol. A 3 (3), 16331634, (1985)

78. Feenstra R.M., Fein A.P. Surface morphology of GaAs(l 10) by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. В 32 (2), 1394-1396, (1985)

79. Chambers S.A., Greenlee T.R., Howell G.A., Weaver J.H. Quantitative interdiffusion studies of noble metal/Si(l 1 l)-7x7 interfaces by angle-resolved auger electron emission // J. Vac. Sci. Technol. A 3 (3), 1291-1294, (1985)

80. Becker R.S., Golovchenko J.A., Swartzentruber B.S. Tunneling images of the 5x5 surface reconstruction on Ge-Si(l 11) // Phys. Rev. В 32 (12), 8455-8457, (1985)

81. Becker R.S., Golovchenko J.A., McRae E.G., Swartzentruber B.S. Tunneling Images of Atomic Steps on the Si(l 11)7x7 Surface//Phys. Rev. Lett. 55 (19), 2028-2031, (1985)

82. Becker R.S., Golovchenko J.A., Hamann D.R., Swartzentruber B.S. Real-space observation of surface states on Si(l 11) 7x7 with the tunneling microscope // Phys. Rev. Lett. 55 (19), 2032-2034,1985)

83. Tromp R.M., Hamers R.J., Demuth J.E. Si(001) dimer structure observed with scanning tunneling microscopy //Phys. Rev. Lett. 55 (12), 1303-1306, (1985)

84. Bartha J.W., Baqenbruch U., Henzler M. Thermal desorption spectroscopy of Xe at the Si(l 11) as a local probe for surface structures //J. Vac. Sci. Technol. A 3 (3), 1588-1591, (1985)

85. Gossmann H.-J., Feldman L.C., Gibson W.M. The influence of reconstruction on epitaxial growth: Ge on Si(100)-2xl and Si(l 1 l)-7x7 // J. Vac. Sci. Technol. A 3 (3), 1515-1516, (1985)

86. Baratoff A., Binnig G., Fuchs H., Salvan F., Stoll E. Tunneling microscopy and spectroscopy of semiconductor surfaces and interfaces // Surface Science. 168, 734-743, (1986)

87. Presednt G. Atomic-scale imaging by STM // IEEE 2, 67, (1986)

88. Takayanagi K., Tanishiro Y. Dimer-chain model for the 7x7 and the 2x8 reconstructed surfaces of Si(lll) and Ge(lll) //Phys. Rev. В 34 (2), 1034-1040, (1986)

89. Froitzheim H., Kohler U., Lammering H. Dehydrogenation of C2H4 adsorbed on Si(l 11) 7x7 surfaces // J. Phys.: Condens. Matter 19, 2767-2772, (1986)

90. Атомное разрешение на воздухе HOPG

91. Park S., Quate C.F. Tunneling Microscopy of Graphite in Air // Appl. Phys. Lett. 48 (2), 112-114,1986)

92. Сложные атомные структуры на поверхности монокристаллов

93. Becker R.S., Golovchenko J.A., Higashi G.S., Swartzentruber B.S. New reconstructions on silicon (111) surfaces //Phys. Rev. Lett. 57 (8), 1020-1023, (1986)

94. Behm R.J., Hosier W., Ritter E., Binnig G. The hexagonal reconstruction of Pt(100): a scanning tunneling microscopy study // J. Vac. Sci. Technol. A 4 (3), 1330-1331, (1986)

95. Feenstra R.M., Thompson W.A., Fein A.P. Scanning tunneling microscopy studies of Si(l 1 l)-2xl surfaces // J. Vac. Sci. Technol. A 4 (3), 1315-1319, (1986)

96. Yang W.S., Wu S.C., Jona F. Structural Reactions of Si(l 11)7x7 with Metals // Surface Science. 169, 383-393, (1986)

97. Albrecht T.R., Quate C.F. Atomic resolution imaging of a nonconductor by atomic force microscopy // J. Appl. Phys. 62 (7), 2599-2602, (1987)

98. Demuth J.E., Hamers R.J., Tromp R.M. Atomic and electronic imaging of semiconductor surfaces with scanning tunneling microscopy // In: AIP Conf. Proc. 160, 496-505, (1987)

99. Avouris Ph., Bozso F., Hamers R.J. The reaction of Si( 110) 2x1 with NO and NH3:the role of surface dangling bonds // J. Vac. Sci. Technol. В 5 (5), 1387-1392, (1987)

100. Hamers R.J., Tromp R.M., Demuth J.E. Electronic and geometric structure of Si(l 1 l)-(7x7) and Si(001) surfaces // Surface Science. 181, 346-355, (1987)

101. Kubby J.A., Griffith J.E., Becker R.S., Vickers J.S. Tunneling Microscopy of Ge(001) // Phys. Rev. В 36 (11), 6079-6093, (1987)

102. Batra I.P., Garcia N., Rohrer H., Salemink H., Stoll E., Ciraci S. A study of graphite surface with STM and electronic structure calculations // Surface Science. 181, 126-138, (1987)

103. Giambattista В., McNairy W.W., Slough C.G., John son A., Bell L.D., Coleman R.V., Schneir J., Sonnenfeld R., Drake В., Hansma P.K. Atomic resolution images of solid-liquid interfaces // Proc. Natl. Acad. Sci. USA. 84, 4671-4674, (1987)

104. Berghaus Th., Brodde A., Neddermeyer H., Tosch St. STM observation of a new reconstruction on narrow Si(l 11) terraces // Surface Science. 181, 340-345, (1987)

105. Васильев С.И., Леонов В.Б., Панов В.И Сканирующий туннельный микроскоп высокого разрешения // Препринт физич.ф-та МГУ. No 14, 1-5, (1987)

106. Pollmann J., Kruger P., Mazur A. Self-consistent electronic structure of semi-infinite Si(001) (2x1) and Ge(001) (2x1) with model Calculations for scanning tunneling microscopy // J. Vac. Sci. Technol. В 5 (4), 945-952, (1987)

107. Feenstra R.M., Stroscio J.A., Tersoff J., Fein A.P. Atom-selective imaging of the GaAs(l 10) surface//Phys. Rev. Lett. 58 (12), 1192-1195, (1987)

108. Kajamura K., Bando H., Endo K., Mizutani W., Murakami H., Okano M., Okayama S., Ono M., Ono Y., Tokumoto H., Sakai F., Watanabe K., Wakiyama S. Construction of an STM and observationof 2H-NbSe2 atomic images // Surface Science. 181, 165-173, (1987)

109. Nogami J., Park S., Quate C.F. Indium-induced reconstructions of the Si(l 11) surface studied by scanning tunneling microscopy //Phys. Rev. В 36 (11), 6221-6224, (1987)

110. Berghaus Th., Brodde A., Neddermeyer H., Tosch St. Scanning tunneling microscopy on Si(l 12) // Surface Science. 184, 273-288, (1987)

111. Brunner A.J., Stemmer A., Rosenthaler L., Wiesendanger R, Ringger M., Oelhafen P., Rudin H., Guntherodt H.-J. Scanning tuxmeling microscopy of a thin film of Pd2Si on a Si(100) substrate // Surface Science. 181, 313-323, (1987)

112. Elings V., Wudl F. Tunneling microscopy on various carbon materials // J. Vac. Sci. Technol. A 62., 412-414, (1988)

113. Pashley M.D., Haberern K.W., Woodall J.M. The (001) surface of molecular-beam epitaxially grown GaAs studied by scanning tunneling microscopy // J. Vac. Sci. Technol. В 6 (4), 1468 -1471, (1988)

114. Pashley M.D., Haberern K.W., Friday W., Woodall J.M., Kirchner P.D. Structure of GaAs(OOl) (2x4)-c(2x8) Determined by Scanning Tunneling Microscopy // Phys. Rev. Lett. 60 (21), 2176-2179, (1988)

115. Kohler U.K., Demuth J.E., Hamers R. J. Surface reconstruction and the nucleation of palladium silicide on Si(lll) // Phys. Rev. Lett. 60 (24), 2499-2502, (1988)

116. Jaklevic R.C., Elie L. Scanning-txinneling-microscope observation of surface diffusion on an atomic scale: Au on Au(l 11) // Phys. Rev. Lett. 60 (2), 120-123, (1988)

117. Hamers R.J., Avouris Ph., Bozso F. A scanning tunneling microscopy study of the reaction of Si(001)-(2xl) with NH3 // J. Vac. Sci. Technol. A 6 (2), 508-511, (1988)

118. Wolkow R, Avouris Ph. Atom-resolved surface chemistry using scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett. 60 (11), 1049-1052, (1988)

119. Tosch St., Neddermeyer H. Nucleation and growth of Cu and Ag on Si(l 11)7x7 // J. Microscopy 152 (2), 415-422, (1988)

120. Адамчук B.K., Ермаков A.B., Любинецкий И.В. Сканирующий туннельный микроскоп с атомным разрешением на воздухе// Письма в ЖТФ, 14 (8), 692-695, (1988)

121. Tosch St., Neddermeyer Н. Initial stage of Ag condensation on Si(l 11)7x7.// Phys. Rev. Lett. 613., 349-352, (1988)

122. Berghaus Th., Brodde A., Neddenneyer H., Tosch St. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy on 7x7 reconstructed Si(l 11) surfaces containing defects // Surface Science 193 (1/2), 235258, (1988)

123. Pashley M.D., Haberern K.W., Friday W. The effect of cooling rate on the surface reconstruction of annealed silicon (111) studied by scanning tunneling microscopy and low-energy electron diffraction

124. J. Vac. Sci. Technol. A 6 (2), 488-492, (1988)

125. Becker R.S., Swartzentruber B.S., Vickers J.S. Tunneling microscopy of silicon and germanium: Si(lll) 7x7, SnGe(lll) 7x7, GeSi(lll) 5x5, Si(lll) 9x9, Ge(lll) 2x8, Ge(110) 2x1, Si(110) 5x1 // J. Vac. Sci. Technol. A 6 (2), 472-477, (1988)

126. Wintterlin J., Wiechers J., Gritsch Th., Hofer H., Behm R.J. Imaging of individual atoms on an Al(lll) surface by scanning tunneling microscopy // J. Microscopy, 152 (2), 423-425, (1988)

127. Heben M.J., Penner R.M., Lewis N.S., Dovek M.M., Quate C.F., "Atomic resolution imaging of electrode surfaces in solutions containing reversible redox species" Appl. Phys. Lett., 54 (15), 14211423, (1989).

128. Schardt B.C., Yau Sh.-L., Rinaldi F., "Atomic resolution imaging of adsorbates on metal surfaces in air: Iodine adsorption on Pt(l 11)" // Science, 243, 1050-1053, (1989).

129. Lang C.A., Dovek M.M., Nogami J., Quate C.F., "Au(l 11) autoepitaxy studied by scanning tunneling microscopy" // Surface Science, 224, L947-L955, (1989).

130. Dovek M.M., Lang C.A., Nogami J., Quate C.F., "Epitaxial growth of Ag on Au(l 11) studied by scanning tunneling microscopy" // Phys. Rev., В 40 (17), 11973-11975, (1989).

131. Hamers R.J., "Atomic-resolution surface spectroscopy with the scanning tunneling microscope" // Annu. Rev. Phys. Chem., 40, 531-559, (1989).

132. Thibaudau F., Dumas Ph., Mathiez Ph., Humbert A., Static D., Salvan F.," л/з structure of boron enriched Si(l 11) surfaces investigated by auger, LEED and scanning tunneling microscopy" // Surface Science, 211/212, 148-155, (1989).

133. Christoph R., Siegenthaler H., Rohrer H., Wiese H., "In situ scanning tunneling microscopy at potential controlled Ag( 100) substrates" // Electrochimica Acta, 34 (8), 1011-1022, (1989).

134. Michel В., Travaglini G., Rohrer H., Joachim C., Amrein M., "Images of crystalline alkanes obtained with scanning tunneling microscopy" // Z. Phys., В 76, 99-105, (1989)

135. Развитие работ в России конец 80-х начало 90-х годов

136. Маслова Н.С., Панов В.И, "Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций" // УФН, 157(1), 185-195 (1989)

137. Алекперов С.Д., Васильев С.И., Леонов В.Б., Панов В.И., Семенов А.Э., "Исследование асимметрии атомного изображения поверхностной решетки графита методом СТМ" ДАН СССР, 307 (5), 1104-1108, (1989)

138. Bedrossian P., Chen D.M., Mortensen К., Golovchenko J.A., "Demonstration of the tunnel-diode effect on an atomic scale" // Nature, 342, 25 8-260, (1989).

139. Володин А.П, Копецкий Ч.В, Степанян Г.А, Хайкин М.С, Эдельман В.С, "Совмещение сканирующего туннельного и растрового электронного микроскопов в едином приборе" -Письма в ЖТФ, 13 (2), 1251 (1987)

140. Васильев С.И, Леонов В.Б, Панов В.И, Савинов С.В, "Сканирующая туннельная микроскопия в воздушной среде" ДАН СССР, 297(6), 1351-1354 (1987)

141. Васильев С.И, Леонов В.Б, Панов В.И, "Сканирующий туннельный микроскоп высокого разрешения" Препринт физич.ф-та МГУ, No 14, 1-5, (1987).

142. Васильев С.Н, Леонов В.Б, Панов В.И, "Сканирующий туннельный микроскоп для исследования структурно неоднородных поверхностей" Письма в ЖТФ, 13 (15), 937-941, (1987)

143. Васильев С.Н, Леонов В.Б, Моисеев Ю.Н, Панов В.И, "Атомная силовая микроскопия поверхности диэлектриков" //Препринт физич.ф-та МГУ, 2, 1-5 (1988).

144. Васильев С.И, Леонов В.Б, Моисеев Ю.Н, Панов В.И, "Сканирующая микроскопия поверхности, использующая силы межатомного взаимодействия" Письма в ЖТФ, 14 (8), 727731 (1988).

145. Акципетров О.А, Васильев С.И, Панов В.И, "Роль шероховатости в гигантском комбинационном рассеянии и сканирующая туннельная микроскопия поверхности" // Письма в ЖЭТФ, 47(4), 187-190, (1988).

146. Акципетров О.А, Васильев С.И, Панов В.И, "Сканирующая туннельная микроскопия поверхности "холодных" пленок серебра и генерация гигантской второй гармоники" // ЖЭТФ, 94(5), 256-260, (1988).

147. Алекперов С.Д, Васильев С:А, Кононенко А.А, Лукашов Е.П, Панов В.И, Семенов А.Э, "Сканирующая туннельная микроскопия фотосинтетических реакционных центров" // ДАН СССР, 303(2), 341-344, (1988).

148. Адамчук В.К, Ермаков А.В, Любинецкий И.В, Житомирский Г.А, Панич А.Е, "Сканирующий туннельный микроскоп на основе монолитного пьезоэлемента крестообразного сечения" // ПТЭ, No 5, 182-184, (1989).

149. Альтфедер И.Б, Володин А.П, Хайкин М.С, "Малогабаритный низкотемпературный сканирующий туннельный микроскоп" ПТЭ, No 5, 188-190, (1989)

150. Володин А.П, Степанян Г.А, Хайкин М.С, Эдельман В.С, "Сканирующий туннельный микроскоп с большим полем зрения, совместимый с растровым электронным микроскопом" -ПТЭ, No 5, 185-187, (1989)

151. Володин А.П, Панич А.Е, "Применение пьезокерамических материалов ПКР в низкотемпературных сканирующих туннельных микроскопах" ПТЭ, 5, 190-193 (1989)

152. Васильев С.И, Савинов С.В, Яминский И.В, "Методы изготовления острий для сканирующего туннельного микроскопа" // Электронная промышленность, 3.

153. Моисеев Ю.Н., Панов В.И., Савинов С.В., Яминский И В, "Атомно-силовая микроскопия поверхности" //Электронная промышленность, 3 (1991).

154. Васильев С.И., Моисеев Ю.Н., Никитин Н.И., Савинов С.В., Яминский И.В., "Сканирующий туннельный микроскоп "Скан": конструкция и области применения" // Электронная промышленность, 3, (1991)

155. Яминский И.В, "Сканирующая туннельная микроскопия" Электронная промышленность, 10, 62-63, (1993).

156. Казанцев Д.В., Савинов С.В., Яминский И.В, "Высоковольтный усилитель для пьезома-нипулятора сканирующего туннельного микроскопа" Электронная промышленность, 10, 4042, (1993).

157. Васильев С.И., Казанцев Д.В., Моисеев Ю.Н., Панов В.И., Савинов С.В Яминский И.В., "Приборы локального зондирования поверхности" Электронная промышленность, 10, 29-33,(1993).

158. Казанцев Д.В., Савинов С.В., Яминский И.В, "Высокоскоростной сканирующий туннельный микроскоп" Электронная промышленность, 10, 45-48, (1993).

159. Акципетров О.А., Захарченко В.В., Казанцев Д.В., Кобляков Н.В., Панов В.И., Яминский И.В., "Электрохимический сканирующий туннельный микроскоп" Электронная промышленность, 10, 38-40, (1993).

160. Васильев С.И., Моисеев Ю.Н., Панов В.И., Савинов С.В., Яминский И.В., Герасимов А.В., Зиневич А.Я., Саморуков В.Д., "Сканирующий туннельный атомно-силовой микроскоп "СКАН-8" Электронная промышленность, 10, 34-36, (1993).

161. Яминский И.В, "Работы ученых МГУ в области туннельной спектроскопии и наноэлек-троники" Электронная промышленность, 10, 25-28, (1993).

162. Первая стадия развития нанотехнологии

163. Feynman R.P. There's plenty of room at the bottom// Engrg. and Sci. (Cal. Inst, of Tech.) Feb.,p.p. 22 36 (1960a); also in: Miniaturization// Ed. H.D. Gilbert. - New York: Reinhold, 1961. P. 282 286

164. Feynman R.P. "The Wonders that Await a Micro-Microscope"// Saturday Review 43, p.p. 45-47 (1960b)

165. TaniguchiN. "On the Basic Concept ofNanotechnology" // Proc. Int. Conf. Prod. Eng. Tokyo, Part 2 (Tokoyo: JSPE), p.p. 18 23 (1974)

166. Heinlein R.A., Waldo and Magic, Inc. (New York: Doubleday & Co.), 1940

167. Айрапетянц C.B., Банников B.C., Васенков A.A., «Молекулярная самосборка новый метод миниатюризации»// Электронная промышленность, вып.5 (133), стр. 7-9, 1984 год1. Изучение сканеров

168. Новак О.В. Диагностика и корректировка пьезосканеров зондовых микроскопов// Дипломный проект. Московский Государственный Институт электронной техники. Факультет электроники и компьютерных технологий. Кафедра ИЭМС. 2000 год.

169. Теоретические работы по силовым взаимодействиям на поверхности

170. Б.Г. Дерягин, Н.В. Чураев, В.М. Муллер. Поверхностные силы// Москва. Наука. 1987.

171. Ю.С. Бараш. Силы Ван-дер-Ваальса// Москва. Наука. 1988. Агрегация в растворах, ЛБ пленки

172. Aggregation in Aqueous Solution// Elserier. 1983

173. Yevdokimov Yu. M., Skuridin S.G., Salyanov V.I. The liquid crystalline phases of double -stranded nucleic acids in virto and in vivo// Liquid Crystals. 3.1988. P. 1443-1459.

174. Yevdokimov Yu. M., Skuridin S.G., Lortkipanidze G.B. The liquid crystalline of nucleic acids// Liquid Crystals. 12.1992a. P. 1-16.

175. Л.М. Блинов. Ленгмюровские пленки // Успехи физических наук. 1988. том. 155, вып. 3, стр. 443-480.

176. V.I. Troitsky. Macromol. Chem., Macromol. Symp., 1991 v.46, p.223-227.

177. I.Y. Myagkov, "Field effect transistor with MTDS junctions and gate dielectric on the base of Langmuir films " // Letters to the JTP,1989,v.l5,p.l5-18(USSR)

178. M.C. Petty. Application of multilayer films to molecular sensors: some examples of bioengineering at the molecular level. //J. Biomed. Eng. 1991, Vol.13, May, p.209-214.

179. V.R. Novak, S.L. Vorob'eva, and I.V. Myagkov. Investigation of Langmuir Films of Fullerene Derivative Resulting by Addition of C60 to Tetracyanoethylene Oxide. Mol. Mat., Vol. 7, pp. 175-178, 1996.

180. V. Novak, S. Vorob'eva, "Langmuir films of fullerene tetracyanoethylene oxide derivative"// Abstract book of The Seventh Internationa! Conference on Organized Molecular Films, LB7, Ancona, Italy, September, 1995, p.18.

181. V. Novak, "Temperature-Induced Changes Of Absorption Spectra Of Pyroelectric LB-Films Of 18-Oabs"// Abstract book of The Seventh Intematioxml Conference on Organized Molecular Films, LB7, Ancona, Italy, September, 1995, p.96.

182. S.L. Vorob'eva, Y.R. Novak, "New Fullerene Derivative For Langmuir Films"// Abstract book of The Seventh International Conference on Organized Molecular Films, LB7,Ancona, Italy, September,1995,p.19.

183. О .A. Aktsipetrov, E.D. Mishina, T.V. Marine, N.N. Akhmediev, V.R. Novak, "The photoinduced anisotropy of second harmonic generation in monolayerd Langmuir-Blodgett films "// Thin Solid Films, 1995, v.256, p. 176-181.

184. V.R. Novak, S.L. Vorob'eva, I.V. Myagkov, Investigation of Langmuir Films of Fullerene Derivative Resulting by Addition of C60 to Tetracyanoethylene Oxide// Mol. Mat., v.7 p. 175-178, 1996.

185. O.A. Aktsipetrov, A.A. Fedyanin, E.D. Mishina, S.L. Vorob'eva, V.R. Novak, M.A.C. Devillers and Th. Rasing, Second Harmonic Generation Spectroscopy and Hyper-Raleigh scattering in Langmuir-Blodgett films of fullerens// Surf. Sci. Lett. (1996)

186. M.I. Uvarova, S.L. Vorob'eva, High Performance Liquid Chromatography of Fullerens C60, C70 and Fulleren-tetracyan-ethylen oxide// Third International Symposium of Aerosols, Moscow, 1996, 2-5 December.

187. V.I. Troitsky, T.S. Berzina, Ya.Ya. Katsen, O.Ya. Neilands, C.Nicolini. Conducting Langmuir-Blodgett films of heptadecylcarboxymethyl-BEDT-TTF// Synthetic Metals 74 (1995) 1-6.

188. S. Dante, M. De Rosa, E. Maccioni, A. Morana, C. Nicolini, F. Rustichelli, V.I. Troitsky, B. Yang. Thermal stability of bipolar lipid Langmuir-Blodgett films by X-ray diffraction// Mol. Cryst. Liq.

189. Cryst. 1995, Vol. 262, pp. 191-207.

190. E. Maccioni, P. Mariani, F. Rustichelli, H. Delacroix, V. Troitsky, A. Riccio, A. Gambacorta, M. De Rosa. X-ray diffraction structural analysis of Langmuir-Blodgett films using a pattern recognition approach// Thin Solid Films, 265 (1995) 74-83.

191. T.S. Berzina, V.I. Troitsky, O.Ya. Neilands, I.V. Submale, C. Nicolini. Deposition of uniform fullerene films by LB technique// Thin Solid Films, 256 (1995) 186-191.

192. Feigin, L.A, Lvov, Yu.M. & Troitsky V.I. (1989). X-ray and Electron Diffraction Study of Langmuir-Blodgett Films// Sov. Sci. Rev. Physics, 287-377, (Harwood, London).

193. Blinov, L.M, Fridkin, V.M, Palto, S.P, Sororin, A.V. & Yudin, S.G. (1996). Ferroelectric polymer Langmuir films/AThin Solid Films 284-285 (1996) 469-473.

194. Арсланов B.B. Полимерные монослои и пленки Ленгмюра-Блоджетт. Влияние химической структуры полимеров и внешних факторов на условия формирования и свойства упорядоченных полимерных ансамблей// Успехи химии. Т. 63, №1 стр.3-24. 1994г.

195. Potapov, V.K.; Kardash, I.E.; Sorokin, V.V.; Sokolov, S.A.; Evlasheva, T.I, Photoionization of heteroaromatic compounds, Khim// Vys. Energ, 1972, 6,392

196. Szent-Gyorgyi A. «Bioenergetics» // Edd. L.G. Augenstein, New York, 1957

197. J. Schnur, Science 262:1670 (1993) p

198. Химическая энциклопедия // Т.З «Большая Российская Энциклопедия», Москва, 1992

199. Langmuir I.// J. Am. Soc. V. 39. P. 1848. (1917).

200. Blodgett K.B. .// J. Am. Chem. Soc. V. 56. P. 495. (1934).

201. JIM. Блинов. Физические свойства и применение Ленгмюровских моно- и мультимолеку-лярных структур //Успехи химии. 1983. t.LII, вып. 8. No?. 1263-1300.

202. Langmuir I.// Trans. Faraday Soc. 15 .p. 62. (1920); Blodgett K.B. Films by Depositing successive monomolecular Layers on Solid Surface// J. Am. Chem. Soc., P. 1007 (1935)1. Молекулярная электроника

203. Barraud A., Supermolecular Engineering by the Langmuir-Blodgett Method// Thin Solid Films, 175, 73 -80 (1989)

204. Aviram A. Molecules for Memory, Logic, and Amplification// J.Am. Chem. Soc. 110: 5687 -5692 (1988)

205. Carter F.L. Molecular Electronic Devices// New York: Marcel Dekker (1982)

206. Carter F.L. Molecular Electronic Devices II// New York: Marcel Dekker (1987)

207. Drexler K.E. Nanosystems: Molecular Machinery, Manufacturing, and Computation//New York (1992)

208. Roberts G.G., Petty M.C., Dharmadasa M. Proceedings of the IEE. Pt. 1, Solid State and Electron Devices, v.128, p.197, (1981)

209. Kuhn H., Mobius D., Bucher H., Spectroscopy of monolayerd assemblies// In: Techniques of chemistry, v.l, pt IIIB., ed. Weissberger A, Rossiter B.W., New York Toronto: Willey Interscience, p.577-702, (1972)

210. Kuhn H., Functionalired monolayerd assembly manipulation// Thin Solid Films, v.99, p. 1-16, (1983); Kuhn H., Introduction Molecular Engineering: Facts and Aims// Journal de chimie physique, 85, n° 11/12, 991-993 (1988)

211. Валиев K.A., Микроэлектроника: достижения и пути развития// Наука, Москва (1986)

212. R.I. Gilmanshin, P.I. Lazarev. Molecular Monoelectronics// J. of Molecular Electronics, v.4, p.l-8, (1988)

213. Новак B.P. Электрооптические свойства тонкопленочных структур на основе Ленгмюровских пленок// Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, НИИ Физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва (1986)

214. Теоретические работы по СЗМ

215. Tersoff J., Hamann D.R., "Theory and application for the scanning tunneling microscope" // Phys. Rev. Lett., 50 (25), 1998-2001, (1983).

216. Garcia N., Ocal C., Flores F., Model theory for scanning tunneling microscopy: application to Au(l 10)(lx2)// Phys. Rev. Lett., 50 (25), 2002-2005, (1983)

217. Feuchtwang Т.Е., Cutler P.H., Miskovsky N.M. A theory of vacuum tunneling microscopy //

218. Phys. Lett. A99 (4), 167-171, (1983)

219. Baratoff A., Theory of scanning tunneling microscopy methods and approximations// Physica, В127, 143-150, (1984)

220. Garcia N., Flores F., Theoretical studies for scanning tunneling microscopy // Physica, В127 (1/3), 137-142, (1984)

221. TersofF J., "Theory of the scanning tunneling microscope" // Springer-Verlag, 54, (1985).

222. TersofF J., Hamann D.R., "Theory of the scanning tunneling microscope" // Phys. Rev. B, V.31, No 2, 805-813, (1985).

223. Bono J., Good R.H. Theoretical discussion of the scanning tunneling microscope // Surface Science, 151 (2,3), 543-552, (1985)

224. Garcia N. Theory of scanning tunneling microscopy and spectroscopy // Bull. Amer.Phys.Soc., 30 (3), 251, (1985)

225. Schneir J., Sonnenfeld R., Hansma P.K., Tersoff J., "Tunneling microscopy study of the graphite surface in air and water" Phys. Rev., В 34 (8), 4979, (1986)

226. Bono J., Good R.H. Jr. Theoretical discussion of the scanning tunneling microscope applied to a semiconductor surface// Surface Science, 175, 415-420, (1986)

227. LangN.D., Theory of single-atom imaging in the scanning tunneling microscope//Phys. Rev. Lett., 56 (11), 1164-1167, (1986)

228. Garcia N. Theory of scanning tunneling microscopy and spectroscopy : resolution, image and field states, and thin oxide layers/ЯВМ J. Res. Develop. 30 (5), 533-542, (1986)

229. Bono J., Good R.H., Jr. Conductance oscillations in scanning tunneling microscopy as a probe of the surface potential// Surface Science, 188, 153-163, (1987)

230. Chung M.S., Feuchtwang Т.Е., Cutler P.H., Spherical tip model in the theory of the scanning tunneling microscope// Surface Science, 187 (2/3), 559-568, (1987)

231. Tsukada M., Shima N., Theory of electronic processes of scanning tunneling microscopy // J. Phys. Soc. Jap., 56 (8), 2875-2885, (1987)

232. Tomanek D., Louie S.G., Mamin H.J., Abraham D.W., Thomson R.E., Ganz E., Clarke J., Theory and observation of highly asymmetric atomic structure in scanning-tunneling-microscopy images of graphite// Phys. Rev. В 35 (14), 7790-7793, (1987)

233. Baratoff A., Persson B.N.J. Theory of the local tunneling spectrum of a vibrating adsorbate//J. Vac. Sci. Technol. A 6 (2), 331-335, (1988)

234. Martin-Rodero A., Flores F., March N.H., Tight-binding theory of tunneling current with chemisorbed species // Phys. Rev., В 38 (14), 10047-10050, (1988)

235. Huang Z.H., Cutler P.H., Feuchtwang Т.Е., Kazes E., A multi-dimensional tunneling theory with application to scanning tunneling microscope// J. de Phys., Colloq. C8, 50 (11), C8/31-C8/36, (1989)

236. Sbosny H., Hietschold M., Stabeler P., Sprenger H, Heim J., Schafer K., Hamann C., Pfeifer G., Experimentelle und theoretische Untersuchungen zur Raster-Tunnel-Mikroskopie// Wiss. Z. d. TU Karl-Marx-Stadt, 31 (2), 243-251, (1989)

237. Маслова H.C., Панов В.И, Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций//УФН, 157(1), 185-195 (1989)

238. Ciraci S., Tekman Е. Theory of transition from the tunneling regime to point contact in scanning tunneling microscopy//Phys. Rev. В 40 (17), 11969-11972, (1989)

239. Tekman E., Ciraci S. Atomic theory of scanning tunneling microscopy//Phys. Rev. В 40 (15), 10286-10293,(1989)

240. Shih C.K., Kaxiras E., Feenstra R.M., Pandey K.C., Scanning tunneling microscopy and first-principles theory of the Sn/GaAs(110) surface // Phys. Rev., В 40 (14), 10044-10047, (1989)

241. Doyen G., Koetter E., Vigneron J.P., Scheffler M. Theory of scanning tunneling microscopy// Appl. Phys., A 51, 281-288, (1990)

242. Noguera C., Theoretical approach to the scanning tunneling microscope//Phys. Rev., В 42 (3). 1629-1637, (1990)

243. Tsukada M., Kobayashi K., Ohnishi Sh., First-principles theory of the scanning tunneling microscopy simulation//! Vac. Sci. Technol. A 8 (1), 160-165, (1990)

244. Leavens C.R., Aers G.C., A brief introduction to tunneling theory // Applied Science, Ser.E 184 , 27-57, (1990)

245. Tersoff J., Theory of scanning tunneling microscopy and spectroscopy// Applied Science, Ser.E 184, 77-95, (1990)

246. Doyen G., Koetter E., Barth J., Drakova D., Theory of tunneling from transition metal tips// Applied Science, Ser.E 184, 97-111, (1990)

247. Маслова H.C., Туннелирование из локализованных поверхностных состояний полупроводника при наличии кулоновских корреляций // Письма в ЖЭТФ, 51(12), 627-630 (1990)

248. Maslova N.S., Tunneling from localized surface states of semiconductor with Coulumb correlations // JETP Letters, 51 (12), 712-715, (1990)

249. Tekman E., Ciraci S., Theory of anomalous corrugation of the Al(l 11) surface obtained from scanning tunneling microscopy//Phys. Rev., В 42 (3), 1860-1863, (1990)

250. Lawunmi D., Payne M.C., Theoretical investigation of the scanning tunnelling microscope image of graphite// J. Phys.: Condens. Matter, 2 (16), 3811-3821, (1990)

251. Qin X.-r., Kirczenow G., Theory of scanning-tunneling-microscopy images of intercalated graphitesurfaces// Phys. Rev., В 41 (8), 4976-4985, (1990)

252. Martensson P., Meyer G., Amer N.M., Kaxiras E., Pandey K.C., Evidence for trimer reconstruction of Si(l 11)\л/з x л/3 Sb: scanning tunneling microscopy and first-principles theory// Phys. Rev., В 42 (11), 7230-7233, (1990)

253. Watanabe S., Aono M., Tsukada M., Theoretical calculations of the scanning tunnelingmicroscopy images of the Si(l 11) л/з x S Ag surface // Phys. Rev., В 44 (15), 8330-8333, (1991)

254. Davis L.C., Everson M.P., Jaklevic R.C., Shen W., Theory of the local density of surface states on a metal: comparison with scanning tunneling spectroscopy of a Au(l 11) surface // Phys. Rev. В 43 (5), 3821-3830, (1991)

255. Sass J.K., Gimzewski J.K., Haiss W., Besocke K.H., Lackey D., Theoretical aspects and experimental results of STM studies in polar liquids//! Phys.: Condens. Matter, 3, S121-S126, (1991)

256. Pendry J.B., Pretre A.B., Krutzen B.C.H., Theory of the scanning tunneling microscope // J. Phys.: Condens. Matter, 3, 4313-4321, (1991)

257. Kobayashi K., Souzu Y., Isshiki N., Tsukada M., Theory of STM images of monolayer graphite on transition-metal surface // Applied Surface Science, 60/61, 443-447, (1992)

258. Miyamoto Y., Theory of scanning-tunneling-microscopy images of oxygen-adsorbed Si(100) surfaces //Phys. Rev., В 46 (19), 12473-12477, (1992)

259. Cerda J.R., de Andres P.L., Flores F., Perez R., Transport of physisorbed Xe atoms on Ni(l 10) using a scanning tunneling microscope: a theoretical approach // Phys. Rev., В 45 (15), 8721-8729, (1992)

260. Kurnikov I.V., Sivozhelezov V.S., Redchenko V.V., Gritcenko O.V., An extension of the Tersoff-Hamann model for a molecule on a graphite support: STM-image construction // Molecular Engineering. 2, 165-176, (1992)

261. Cevc G., Kornyshev A. A., Hydration force microscopy as a new option for studies of solid-liquid interfaces: some theoretical considerations//J. Electroanal. Chem., 330, 407-417, (1992)

262. Lucas A.A., Vigneron J.-P., Lambin Ph., Laloyaux Th., Derycke I., Theoretical aspects of scanning tunneling microscopy// Surface Science, 269/270, 74-80, (1992)

263. Molotkov S .N., On the theory of spin-dependent tunneling in the scanning tunneling microscope: antiferromagnetic crystal-ferromagnetic tip // Surface Science, 261, 7-16, (1992)

264. Kageshima H., Tsukada M., Theory of scanning tunneling microscopy and spectroscopy on Si(100) reconstructed surfaces// Phys. Rev., В 46 (11), 6928-6937, (1992)

265. Doyen G., Drakova D., Mujica V., Scheffler M., Theory of the scanning tunneling microscope// Phys. Stat. Sol., A 131, 107-108, (1992)

266. Kenkre V.M., Biscarini F., Bustamante C., Theoretical framework for the interpretation of STMimages of adsorbates// Ultramicroscopy, 42-44, 122-127, (1992)

267. Uehara Y, Kimura Y, Ushioda S, Takeuchi K., Theory of visible light emission from scanning tunneling microscope//Jpn. J. Appl. Phys., 31 (1), 8, 2465-2469, (1992)

268. Sautet P., Joachim C., Are electronic interference effects important for STM imaging of substrates and adsorbates? A theoretical analysis //Ultramicroscopy, 42-44, 115-121, (1992)

269. Levy Yeyati A., Flores F., Theory of photovoltaic effect in STM: application to graphite // Ultra-microscopy, 42-44, 242-249, (1992)

270. Tsukada M., Schimizu Т., Kobayashi K., Microscopic theory of light emission from the scanning tunneling microscope // Ultramicroscopy, 42-44, 360-365, (1992)

271. Dunphy J.C., Ogletree D.F., Salmeron M.B., Sautet P., Bocquet M.-L., Joachim C., Tip-dependent contrast in STM imaging of adsorbed sulfur layers: theory and experiment // Ultramicroscopy, 42-44, 490-497, (1992)

272. Sautet P., Dunphy J.C., Salmeron M B., How can scanning tunneling microscopy, coupled with theory, help us understand some elementary steps in catalysis?// In: Elementary Reaction Steps in Heterogeneous Catalysis, 305-311, (1993)

273. Schmickler W., Investigation of electrochemical electron transfer reactions with a scanning tunneling microscope: a theoretical study // Surface Science, 295, 43-56, (1993)

274. Laiho R., Reittu H.J., Theory of scanning tunneling microscopy with spin-polarized electrons obtained from a semiconducting tip // Surface Science, 289, 363-369, (1993)

275. Molotkov S.N., Theory of new modes for STM operation // Surface Science, 287/288, 1098-1101, (1993)

276. Schimizu Т., Tsukada M., Theory of scanning tunneling microscopy of oxygen adsorption on Ag(110) surface// Solid State Communications, 87 (3), 193-197, (1993)

277. Tsukada M., Schimizu Т., Watanabe S., Isshiki N., Kobayashi K., Theory of scanning tunneling microscopy/spectroscopy for adsorbed surfaces and layer crystal surfaces // Jpn. J. Appl. Phys., 32 (3B), 1352-1359, (1993)

278. Tsukada M., Theory of electron tunneling in scanning tunneling microscopy and field ion microscopy//Applied Surface Science, 76/77, 312-321, (1994)

279. Molotkov S.N., Nazin S.S., Theory of scanning tunneling microscopy of the antiferromagnetic Cr(001) surface with nonmagnetic W tips // Surface Science, 304 (!/2), 109-118, (1994)

280. Molotkov S.N., Theory of electron-spin resonance topography of surfaces by scanning tunneling microscope // Surface Science, 302, 235-240, (1994)

281. Sautet P., Bocquet M.-L. A theoretical analysis of the site dependence of the shape of a molecule in STM images // Surface Science, 304 (3), L445-L450, (1994)

282. Bonnel D.A. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy: theory, techniques, and applications // J. Am. Chem. Soc., 116, (12), 5527, (1994)

283. Hormandinger G., Pendry J.В., Theoretical calculations of STM data on Ni(100)-C for various concentrations of carbon//Surface Science, 303, 197-205, (1994)

284. Bass J.M., Matthai C.C., Theoretical simulation of scanning-tunneling-microscopy images of the GaAs(00l)beta(2x4) andbeta(4x2) surfaces//Phys. Rev., В 50 (15), 11212-11215, (1994)

285. Unger H.-J., Theory of vacuum tunneling and its application to the scanning tunneling microscope // Computational Materials Science, 2 (2), 357-365, (1994)

286. Maslova N.S., Oreshkin A.I., Panov V.I., Savinov S.V. Kaiachev A.A., Rabe J.P., STM evidence of dimensional quantization on the nanometer size surface defects// Solid State Communications, 95 (8), 507-510, (1995)

287. Ivanov G.K., Kozhushner M. A., Oleinik I.I., Direct and inverse problems in the theory of scanning tunneling microscopy// Surface Science, 331/333, 1191-1196, (1995)

288. Kikuchi A., Tsukada M. Theory of STM images of CDW in transition-metal dichalcogenides // Surface Science, 326 (1/2), 195-207, (1995)

289. Dunphy J.C., Sautet P., Ogletree D.F., Salmeron M., Approach to surface structure determination with the scanning tunneling microscope: multiple-gap imaging and electron-scattering quantum-chemistry theory//Phys. Rev., В 52 (15), 11446-11456, (1995)

290. Sautet P., Bocquet M.-L. Shape of molecular adsorbates in STM images: a theoretical study of benzene on Pt(l 11)// Phys. Rev., В 53 (8), 4910-4925, (1996)

291. Salkola M.I., Balatsky A.V., Scalapino D. J., Theory of scanning tunneling microscopy probe of impurity states in a D-wave superconductor // Phys. Rev. Lett., 77 (9), 1841-1844, (1996)

292. Kim H., Chelikowsky J.R. Theoretical scanning tunneling microscopy images of the As vacancy on the GaAs(llO) surface // Phys. Rev. Lett., 77 (6), 1063-1066, (1996)

293. Mingo N., Jurczyszyn L, Garcia-Vidal F.J., Saiz-Padro R., de Andres P.L., Flores F., Wu S.Y., More W., Theory of the scanning tunneling microscope: Xe on Ni and A1 // Phys. Rev. В 54 (3), 22252235, (1996)

294. Flatte M.E., Byers J.M., Theory of a scanning tunneling microscope with a two-protrusion tip // Phys. Rev., В 53 (16), R10536-R10539, (1996)

295. Koetter E., Drakova D., Doyen G., Role of the tip atom in STM and AFM: theory of atom transfer //Phys. Rev., В 53 (24), 16595-16608, (1996)

296. Bass J.M., Morris S.J., Matthai C.C. Theoretical reflectance anisotropy spectroscopy and scanning tunneling microscopy study of the GaAs(OOl) (2x4) surface// Materials Science and Engineering,1. В 37 (1/3), 89-92, (1996)

297. Conroy J.F.T., Caldwell К., Bruckner -Lea C.J., Janata J., Effects of interfaciai tension in tunneling microscopy. 1. Theory//J. Chem. Phys., 100 (46), 18222-18228, (1996)

298. Kikuchi A., Tsukada M., Theory of surface charge-density waves and their STM images // Surface Science, 372 (1/3), 355-368, (1997)

299. Gulseren O., James R., Bullett D.W., Theoretical analysis of STM experiments at rutile ТЮ2 surfaces// Surface Sci, 377-379, p. 150- 154, (1997)

300. Sautet P., Images of adsorbates with the scanning tunneling microscope: theoretical approaches to the contrast mechanism//Chem. Rev., 97, (4), 1097-1116, (1997)

301. Sautet P., Atomic adsorbate identification with the STM: a theoretical approach // Surface Science, 374 (1/3), 406-417, (1997)

302. Beenakker C. W. J., Random matrix theory of quantum transport // Reviews of Modern Physics, V.69, No3, p.731-798, (1997)

303. Lee L.-Q., Ruan J.-H., Zhou X.-Y., Cao P.-L. Theoretical STM images of In / Ge (310) surface // Phys. Lett. A, V.231, p.251-254, (1997)

304. Bracher C., Riza M., Kleber M., Propagator theory of scanning tunneling microscopy //Phys. Rev. B, V.56, No 12, p.7704-7715, (1997)

305. Stievenard D., Grandidier В., Nys J. P., de la Broise X., Delerue C., Lannoo M., Influence of barrier height on scanning tunneling spectroscopy experimental and theoretical aspects // Appl. Phys. Lett, Y.72, No5, p.p. 569-571, (1998)

306. Batra I.P, Ciraci S, Theoretical scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy study of graphite including tip-surface interaction // J. Vac. Sci. Technol, A 6 (2), 313-318, (1988)

307. Wadas A, The theoretical aspect of atomic force microscopy used for magnetic materials // J. of Magnetism and Magnetic Materials, 71, 147-150, (1988)

308. Saenz J.J, Garcia N, Theory of magnetic imaging by STM force microscopy // J. Appl. Phys, 63 (8), 2947, (1988)

309. Gould S.A.C, Burke K, Hansma P.K, Simple theory for the atomic-force microscope with a comparison of theoretical and experimental images of graphite // Phys. Rev, В 40 (8), 5363-5366, (1989)

310. Tomanek D, Overney G, Miyazaki H, Mahanti S.D, Guntherodt H.J. Theory for the atomic force microscopy of deformable surfaces//Phys. Rev. Lett, 63 (8), 876-879, (1989)

311. Sarid D, Weissenberger V, lams D.A, Ingle J.T, Theory of the laser diode interaction in scanning force microscopy// IEEE J. Quantum Electronics, 25 (8), 1968-1972, (1989)

312. Wadas A, Grafter P, Theoretical approach to magnetic force microscopy// Phys. Rev, В 39 (16), 12013-12017,(1989)

313. Abraham D.W, McDonald F.A, Theory of magnetic force microscope images // Appl. Phys. Lett, 56 (12), 1181-1183, (1990)

314. Hartmann U, Theory of magnetic force microscopy // J. Vac. Sci. Technol, A 8 (1), 411-415,1990)

315. Hartmann U, Theory of Van der Waals microscopy// J. Vac. Sci. Technol, В 9 (2), 465-469,1991)

316. Maghezzi S, Girard C, Van Labeke D, Etude theorique de l'lnteraction de van der waals entre une sonde metallique et une surface dielectrique: application a la microscopie par mesure de la forces atomique//J. Phys. I, 1, 289-307, (1991)

317. Giessibl F J. Theory for an electrostatic imaging mechanism allowing atomic resolution of ionic crystals by atomic force microscopy// Phys. Rev, В 45 (23), 13815-13818, (1992)

318. Overney G, Tomanek D, Zhong W, Sun Z, Miyazaki H, Mahanti S.D, Guntherodt H.-J, Theory for the atomic force microscopy of layered elastic surfaces// J. Phys.: Condens. Matter, 4, 42334249, (1992)

319. Bozzolo G, Ferrante J, Theoretical modeling of AFM for bimetallic tip-substrate interactions // Ultramicroscopy, 42-44, 55-58, (1992)

320. Sader J.E, White L, Theoretical analysis of the static deflection of plates for atomic force microscope applications // J. Appl. Phys, 74 (1), 1-9, (1993)

321. Gomez R.D, Adly A.A, Mayergoyz I.D, Burke E.R, Magnetic force scanning tunneling microscopy: theory and experiment // IEEE Transactions on Magnetics, 29 (6), 2494-2499, (1993)

322. Shluger A.L, Rohl A.L, Gay D.H, Williams R.T, Atomistic theory of the interaction between AFM tips and ionic surfaces//! Phys.: Condens. Matter, 6, 1825-1846, (1994)

323. Shluger A.L, Wilson R.M, Williams R.T, Theoretical and experimental investigation of force imaging at the atomic scale on alkali halide crystals// Phys. Rev, В 49 (7), 4915-4930, (1994)

324. Rabe U, Janser K, Arnold W. Vibrations of free and surface-coupled atomic force microscope cantilevers: theory and experiment // Rev. Sci. Instrum, 67 (9), 3281-3293, (1996)

325. Hirsekorn S, Rabe U, Arnold W. Theoretical description of the transfer of vibrations from a sample to the cantilever of an atomic force microscope// Nanotechnology, 8 (2), 57-66, (1997)1. Конструкции СЗМ

326. Neubauer G, Cohen S.R, McClelland G.M, Measurement of microtnechanical properties using a bidirectional atomic force microscope with capacitative detection // Mat. Res. Soc. Symp. Proc, 153,307-316,(1989)

327. Neubauer G, Cohen S.R., McClelland G.M, Home D, Force microscopy with a bidirectional capacitance sensor //Rev. Sci. Instrum, 61 (9), 2296-2308, (1990)

328. Goddenhenrich Т., Lemke H., Hartmaim U., Heiden C., Force microscope with capacitive displacement detection// J. Vac. Sci. Technol., A 8 (1), 383-387, (1990)

329. McClelland G.M., Erlandsson R., Chiang S., Atomic force microscopy: general principles and a new implementation// In: Rev. Prog, in Quant. Non-Destrc. Eval., 6, 1307, (1987)

330. Erlandsson R., McClelland G.M., Mate C.M., Chiang S., Atomic force microscopy using optical interferometry// J. Vac. Sci. Technol, A 6 (2), 266-270, (1988)

331. Martin Y, Williams C.C, Wickramasinghe H.K, Atomic force microscope force mapping and profiling on a sub 100-A scale/Я. Appl. Phys, 61 (10), 4723-4729, (1987)

332. Sarid D, lams D, Weissenberger V, Bell L.S. Compact scanning-force microscope using a laser diode // Optics Letters. 13 (12), 1057-1059, (1988)

333. Schonenberger C, Alvarado S.F, A differential interferometer for force microscopy // Rev. Sci. Instrum, 60 (10), 3131-3134, (1989)

334. Heinzelmann H, Grutter P, Meyer E, Hidber H, Rosenthaler L, Ringger M, Guntherodt H.-J, Design of an atomic force microscope and first results // Surface Science, 189/190, 29-35, (1987)

335. Saenz J.J, Garcia N, Grutter P, Meyer E, Heinzelmann H, Rosenthaler L, Wiesendanger R, Hadber H.R, Guntherodt H.-J, Observation of magnetic forces by the atomic force microscope//J. Appl. Phys, 62 (10), 4293-4295, (1987)

336. Sarid D, lams D.A, Ingle J.T, Weissenberger V, Ploetz J, Performance of a scanning force microscope using a laser diode // J. Vac. Sci. Technol, A 8 (1), 378-382, (1990)

337. Sarid D, Pax P, Yi L, Howells S, Gallagher M, Chen T, Elings V, Bocek D, Improved atomic force microscope using a laser diode interferometer // Rev. Sci. Instrum, 63 (8), 3905-3908, (1992)

338. Sarid D, Elings V, Review of scanning force microscopy // J. Vac. Sci. Technol, В 9 (2), 431437, (1991)1. Методы измерений в СЗМ

339. Akamine Sh, Albrecht T.R, Zdeblick M.J, Quate C.F, Microfabricated scanning tunneling microscope //IEEE Transactions on Electron Devices, 10 (11), 490-492, (1989)

340. Albrecht T.R, Akamine S, Carver Т.Е., Quate C.F, Microfabrication of cantilever styli for the atomic force microscope // J. Vac. Sci. Technol, A 8 (4), 3386-3396, (1990)

341. Tortonese M, H. Yamada, Barrett R.C, Quate C.F. Atomic force microscopy using a piezoresis-tive cantilever. Tech. Digest. 6th hit. Conf. Dolid-State Sensors and Actuators (Transducers 91), San Francisco, CA, USA, June 24-28, 1991, pp. 448-451

342. Alexander S, Hellemans L, Marti O, Schneir J, Elings V, Hansma P.K, Longmire M, Gurley J, "An atomic resolution atomic-force microscope implemented using an optical lever" J. Appl. Phys,65 (1), 164-167, (1989)

343. Howells S., Chen Т., Gallagher M., Yi L., Sarid D., Enhanced effects with scanning force microscopy// J. Appl. Phys., 69 (10), 7330-7332, (1991)

344. Albrecht T.R., Quate C.F., Atomic resolution imaging of a nonconductor by atomic force microscopy// J. Appl. Phys, 62 (7), 2599-2602, (1987)

345. Binnig G, Gerber Ch, Stoll E, Albrecht T.R, Quate C.F., Atomic resolution with atomic force microscope // Europhys. Lett, 3 (12), 1281-1286, (1987)

346. Binnig G, Gerber Ch, Stoll E, Albrecht T.R, Quate C.F, Atomic resolution with atomic force microscope//Surface Science, 189/190, 1-6, (1987)

347. Marti O, Drake B, Hansma P .K, Atomic force microscopy of liquid-covered surfaces: Atomic resolution images//Appl. Phys. Lett, 51 (7), 484-486, (1987)

348. Ritter E, Behm R.J, Potschke G, Wintterlin J, Direct observation of a nucleation and growth process on a atomic scale // Surface Science, 181, 403-411, (1987)

349. G. Leveque, P. Girard, S.Belaidi, G. Cohen Solal. Effects of air damping in noncontact resonant force microscopy // Rev. Sci. Instrum. 68 (11), November 1997.1. Микромеханика в СЗМ

350. S.T.Cho, K.Najafi, K.D.Wise "Internal Stress Compensation and Scaling Ultrasensitive Silicon Pressure Sensors" IEEE TED Vol39, N 4, 1993 pp 836-842

351. Патент США N 5021364 МКИ H01L 27/465

352. Информационный лист фирмы "Nanosensors"

353. Информационный лист фирмы "Park Scientific Instruments"

354. S.N. Magonov, M.-H. Whangbo. Surface Analysis with STM and AFM// VCH, Weinheim New York - Basel - Cambridge - Tokyo, 1996, p.p. 35 - 37.

355. Бухараев А. А, Нургазизов H. И, Можанова А. А, Овчинников Д. В. Изучение с помощью атомно-силового микроскопа in situ кинетики жидкостного химического травления субмикронных пленок диоксида кремния// Микроэлектроника 1999 т.28 стр. 385-394

356. Гиваргизов Е.И. Патент № 2074444 от 27.02.97. International Application Number PCT/Ru95/00154 от 18.07.95 г, ЕР 0 726 589 А1; Гиваргизов Е.И. Патент № 2099808 от 20.12.97. International Application Number PCT/Ru97/00078 от 24.03.97 г, WO 97/37064 А1

357. Tortonese M, Barrett R.C, Quate C.F. Atomic resolution with an atomic force microscope using piezoresistive detection //Appl. Phys. Lett, 62 (8), 834-836, (1993)

358. Yuan C.W, Batalla E, Zacher M, de Lozanne A.L, Kirk M.D, Tortonese M, Low temperature magnetic force microscope utilizing a piezoresistive cantilever//Appl. Phys. Lett, 65 (10), 1308-1310, (1994)

359. Giessibl F. J., Trafas B.M., Piezoresistive cantilevers utilized for scanning tunneling and scanning force microscope in ultrahigh vacuum//Rev. Sci. Instrum., 65 (6), 1923-1929, (1994)

360. Stahl U., Yuan C.W., de Lozanne A.L., Tortonese M. Atomic force microscope using piezoresistive cantilevers and combined with a scanning electron microscope // Appl. Phys. Lett., 65 (22), 2878-2880,(1994)

361. Minne S.C., Manalis S R., Quate C.F., Parallel atomic force microscopy using cantilevers with integrated piezoresistive sensors and integrated piezoelectric actuators// Appl. Phys. Lett., 67 (26), 3918-3920, (1995)

362. Datskos P.G., Oden P.I., Thundat Т., Wachter E.A., Warmack R.J., Hunter S.R., Remote infrared radiation detection using piezoresistive microcantilevers// Appl. Phys. Lett., 69 (20), 2986-2988, (1996)

363. Chui B.W., Stowe T.D., Kenny T.W., Mamin H.J., Terris B.D., Rugar D., Low-stiffiiess silicon cantilevers for thermal writing and piezoresistive readback with the atomic force microscope// Appl. Phys. Lett., 69 (18), 2767-2769, (1996)

364. Su Y., Evans A. G. R., Brunnschweiler A., Ensell G., Koch M., Fabrication of improved piezoresistive silicon cantilever probes for the atomic force microscope//Sensors and Actuators A, 60, p. 163-167(1997)

365. Hansen O., Boisen A., Noise in piezoresistive atomic force microscopy// Nanotechnology, 10, p.51-60 (1999)

366. Микроскопия латеральных сил (88-92г.г.)

367. Mate С.М., Erlandsson R., McClelland G.M., Chiang S., Atomic force micorscopy studies of fric-tional forces and of force effects in scanning tunneling microscopy //J. Vac. Sci. Technol., A 6 (3), 575-576,(1988)

368. Erlandsson R., Hadziioannou G., Mate C.M., McClelland G.M., Chiang S., Atomic scale friction between the muscovite mica cleavage plane and a tungsten tip//J. Chem. Phys., 89, 5190, (1988)

369. Kaneko R., A fractional force microscope controlled with an electromagnet // J. Microscopy, 152 (2), 363-369, (1988)

370. Levitov L.S., Van der Waals' friction//Europhys. Lett., 8 (6), 499-504, (1989)

371. Marti O., Colchero J., Mlynek J., Combined scanning force and friction microscopy of mica // Nanotechnology, 1, 141-144, (1990)

372. Krim J., Chiarello R., Sliding friction measurements of physisorbed monolayers: a comparison of solid and liquid films // J. Vac. Sci. Technol., В 9 (2), 1343-1346, (1991)

373. Tomanek D., Zhong W., Thomas H., Calculation of an atomically modulated friction force in atomic-force microscopy//Europhys. Lett., 15 (8), 887-892, (1991)

374. Meyer E, Overney R, Howald L, Brodbeck D, Luthi R, Guntherodt H.-J, Friction force microscopy of Langmuir-Blodgett films// In: Fundamentals of Friction: Macroscopic and Microscopic Processes, 427-436, (1992)

375. Meyer E, Overney R, Luthi R, Brodbeck D, Howald L, Frommer J, Guntherodt H.-J, Wolter O, Fujihira M, Takano H, Gotoh Y, Friction force microscopy of mixed Langmuir-Blodgett films// Thin Solid Films, 220, 132-137, (1992)

376. Магнитно-силовая микроскопия

377. Hartmann U, Heiden C. Calculation of the Bloch wall contrast in magnetic force microscopy// J. Microscopy. V. 152 (1), 281, (1988)

378. Goddenhenrich T, Hartmann U, Anders M, Heiden C. Investigations of bloch wall fine structures by magnetic force microscopy// J. Microscopy. V. 152 (2), 527-536, (1988)

379. Hobbs P.S.D, Abraham D.W, Wickramasinghe H.K. Magnetic force microscopy with 25 nm resolution // Appl. Phys. Lett. V. 55 (22), 2357-2359, (1989)

380. Hartmann U. Analysis of Bloch-wall fine structure by magnetic force microscopy// Phys. Rev. В V. 40 (10), 7421-7424, (1989)

381. Grutter P, Wadas A, Meyer E, Hidber H.-R, Guntherodt H.-J. Magnetic force microscopy of

382. CoCr thin film// J. Appl. Phys. V. 66 (12), 6001-6006, (1989)

383. Mamin H.J, Rugar D, Stern J.E, Fontana R.E, Jr., Kasiraj P. Magnetic force microscopy of thin permalloy films//Appl. Phys. Lett. 55 (3), 318-320, (1989)

384. Martin Y, Abraham D.W, Hobbs P.C.D, Wickramasinghe H.K. Magnetic force microscopy A short review//IBM Res. Report RC 15098, pp. 9 (1989)

385. Hartmann U. The point dipole approximation in magnetic force microscopy // Physics Letters. A137 (9), 475-478, (1989)

386. Hartmann U, Goddenhenrich T, Lemke H, Heiden C. Domain-wall imaging by magnetic force microscopy//IEEE Transactions on Magnetics. 26 (5), 1512-1514, (1990)

387. Grutter P, Jung Th„ Heinzelmann H, Wadas A, Meyer E, Hidber H.-R, Guntherodt H.-J. 10-nm resolution by magnetic force microscopy onFeNdB // J. Appl. Phys. 67 (3), 1437-1441, (1990)

388. Goddenhenrich T, Lemke H, Muck M, Hartmann U, Heiden C. Probe calibration in magnetic force microscopy // Appl. Phys. Lett. 57 (24), 2612-2614, (1990)

389. Wadas A, Grutter P, Guntherodt H.-J. Analysis of magnetic bit pattern by magnetic force microscopy // J. Vac. Sci. Technol. A 8 (1), 416-420, (1990)

390. Rugar D.,Grutter P.,Mamin H.J., Albrecht T.R. Advances in force sensing and magnetic force microscopy// AIP Conf. Proc. 241, Scanned Probe Microscopy. CA, (1991)

391. Sueoka K., Okuda K., Matsubara N., Sai F. Study of tip magnetization behavior in magnetic force microscope // J. Vac. Sci. Technol. В 9 (2), 1313-1317, (1991)

392. Moreland J., Rice P. Tunneling stabilized, magnetic force microscopy with a gold-coated, nickel-film tip // J. Appl. Phys. 70 (1), 520-522, (1991)

393. Goddenhenrich Т., Hartmann U., Heiden C. Generation and imaging of domains with the magnetic force microscope// Ultramicroscopy. 42-44, 256-261, (1992)

394. DiCarlo A., Scheinfein M.R., Chamberlin R.V. Magnetic force microscopy utilizing an ultrasensitive vertical cantilever geometry // Appl. Phys. Lett. 61, 17, 2108-2110, (1992)

395. Kikukawa A., Hosaka S., Honda Y., Tanaka S. Magnetic force microscope using a direct resonance frequency sensor operating in air // Appl. Phys. Lett. 61 (21), 2607-2609, (1992)

396. Wadas A., Fritz O., Hug H.J., Guntherodt H.-J. Magnetic force microscopy signal of flux line above a semi-infinite type II-superconductor//Z. Phys. В 88, 317-320, (1992)

397. Honda Y., Hosaka S., Kikugawa A., Tanaka S., Matsuda Y., Suzuki M., Futamoto M. A magnetic force microscope using an optical lever sensor and its application to logitudinal recording media // Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1061-L1064, (1992)

398. Gomez R.D., Burke E.R., Adly A.A., Mayergoyz I.D. Magnetic field imaging by using magnetic force scanning tunneling microscopy // Appl. Phys. Lett. 60 (7), 906-908, (1992)

399. Che X., Lederman M., Gibson G.A., Bertram H.N., Schultz S. Noise analysis and image focusingfor magnetic force microscopy //J. Appl. Phys. 73 (10), 5805-5807, (1993)

400. Mayergoyz I.D, Adly A.A, Gomez R.D, Burke E.R. Experimental testing of point-charge model of magnetic force scanning tunneling microscopy// J. Appl. Phys. 73 (10), 5796-5798, (1993)

401. Gibson G.A, Schultz S. Magnetic force microscope study of the micromagnetics of submicrometer magnetic particles // J. Appl. Phys. 73 (9), 4516-4521, (1993)

402. Gomez R.D, Adly A.A, Mayergoyz I.D, Burke E.R. Magnetic force scanning tunneling microscopy: theory and experiment // IEEE Transactions on Magnetics. 29 (6), 2494-2499, (1993)

403. Matteucii G, Muccini M, Hartmann U. Electron holography in the study of the leakage field of magnetic force microscope sensortips //Appl. Phys. Lett. 62 (15), 1839-1841, (1993)

404. Oti J.O, Rice P. Micromagnetic simulations of tunneling stabilized magnetic force microscopy // J. Appl. Phys. 73 (10), 5802-5804, (1993)

405. Hug H.J, Moser A, Parashikov I, Stiefel B, Fritz O, Guntherodt H.J, Thomas H. Observation and manipulation of vortices in a YBa2Cu307 thin film with a low temperature magnetic force microscope // Physica, С 235/240, 2695-2696, (1994)

406. Hosaka S, Kikukawa A, Honda Y, Hasegawa T. Just-on-surface magnetic force microscopy // Appl. Phys. Lett. 65 (26), 3407-3409, (1994)

407. Barnes J.R, O'Shea S.J, Welland M.E. Magnetic force microscope study of local pinning effects // J. Appl. Phys. 76 (1), 418-423, (1994)

408. Florin E.L, Radmacher M, Fleck B, Gaub H.E. Atomic force microscope with magnetic force modulation//Rev. Sci. Instrum. 65 (3), 639-643, (1994)

409. Burke E.R. Analysis of 3-D magnetic fields measured using a magnetic force scanning tunneling microscope // IEEE Transactions on Magnetics. 30 (6), 4488-4490, (1994)

410. Yuan C.W, Batalla E, Zacher M, de Lozanne A.L, Kirk M.D, Tortonese M. Low temperature magnetic force microscope utilizing a piezoresistive catilever // Appl. Phys. Lett. 65 (10), 1308-1310, (1994)

411. Wadas A, Rice P, Moreland J. Recent results in magnetic force microscopy // Appl. Phys. A 59, 63-67, (1994)

412. Ruhrig M, Porthun S, Lodder J.C. Magnetic force microscopy using electron-beam fabricated tips // Rev. Sci. Instrum. 65 (10), 3224-3228, (1994)

413. Campbell A.N, Cole E.I, Dodd B.A, Anderson R.E. Magnetic force microscopy/current contrast imaging: a new technique for internal current probing of Ics // Microelectronic Engineering. 24, 11-22, (1994)

414. Wadas A, Moreland J, Rice P, Katti R.R. Magnetic force microscopy images of magnetic garnet with thin-film magnetic tip//Appl. Phys. Lett. 64 (9), 1156-1158, (1994)

415. Proksch R.B, Foss S, Dahlberg E.D. High resolution magnetic force microscopy of domain wallfine structures (invited) // IEEE Transactions on Magnetics. 30 (6), 4467, (1994)

416. Rave W, Belliard L, Labrune M, Thiaville A, Miltat J. A magnetic force microscopy analysis of soft thin film elements // IEEE Transactions on Magnetics. 30 (6), 4473, (1994)

417. Chou S.Y, Wei M.S., Fischer P.B. An ultra-high resolution single-domain magnetic force microscope tip fabricated using nanolithography // IEEE Transactions on Magnetics. 30 (6), 4485, (1994)

418. Babcock K, Elings V, Dugas M, Loper S. Optimization of thin-film tips for magnetic force microscopy// IEEE Transactions on Magnetics. 30 (6), 4503-4505, (1994)есконтактная СЗМ

419. Porksch R.B, Schaffer Т.Е., Moskowitz B.M, Dahlberg E.D, Bazylinski D A, Frankel R.B. Magnetic force microscopy of the submicron magnetic assembly in a magnetotactic bacterium // Appl. Phys. Lett. 66 (19), 2582-2584, (1995)

420. Hartmann U. Intermolecular and surface forces in noncontact scanning force microscopy// Ultramicroscopy. V. 42-44, 59-65, (1992)

421. Ю. Ohta M, Ueyama H, Sugawara Y, Morita S. Contrast of atomic-resolution images from a noncontact ultrahigh-vacuum atomic force microscope// Jpn. J. Appl. Phys. V. 34 (12B), L1692-L1694, (1995)

422. Yokoyama H, Inoue T, Itoh J. Nonresonant detection of electric force gradients by dynamic force microscopy//Appl. Phys. Lett. 65 (24), 3143-3145, (1994)

423. Van Labeke D, Labani B, Girard C. Interaction between a dielectric tip and an ionic crystal application to scanning force microscopy on LiF and MgO // Chem. Phys. Lett. 162 (4/5), 399-403, (1989)идеальность сканеров СЗМ

424. Robinson R.S. Interactive computer correction of piezoelectric creep in scanning tunneling microscopy images // J. Computer-Assisted Microscopy. 2 (1), 53-58, (1990)

425. Harb S, Smith S.T, Chetwynd D.G. Subnanometer behavior of a capacitive feedback, piezoelectric displacement actuator // Rev. Sci. Instrum. 63 (2), 1680-1689, (1992)

426. СЗМ электрических, сегнетоэлктрических, фотоэлектрических свойств

427. Mera Y, Yanagisawa H, Uota M, Maeda K. Scanning tip microscope for study of electricalinhomogeneity on submicron scale I I J. Vac. Sci. Technol. A 8 (1), 561-566, (1990)

428. Guthner P, Dransfeld K. Local poling of ferroelectric polymers by scanning force microscopy // Appl. Phys. Lett. 61 (9), 1137-1139, (1992)

429. Luthi R, Haefke H, Grutter P, Guntherodt H.-J, Szczesniak L, Meyer K.P. Surface and domain structures of ferroelectric GASH crystals studied by scanning force microscopy // Surface Science Letters. 285, L498-L502, (1993)

430. Fukano Y, Sugawara Y, Yamanishi Y, Oasa T, Morita S. Scanning force/tunneling microscopy as a novel technique for the study of nanometer-scale dielectric breakdown of silicon oxide layer // Jpn. J. Appl. Phys. 32 (IB), 290-293, (1993)

431. Giambattista В, McNairy W.W, Slough C.G, Johnson A, Bell L.D, Coleman R.V, Schneir J, Sonnenfeld R, Drake B, Hansma P.K. Atomic resolution images of solid-liquid interfaces // Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 84, 4671-4674, (1987)

432. Marti 0, Drake B, Hansma P.K. Atomic force microscopy of liquid-covered surfaces: Atomicresolution images // Appl. Phys. Lett. 51 (7), 484-486, (1987)

433. Schneir J, Marti O, Remmers G, Glaser D, Sonnenfeld R, Drake B, Hansma P.K, Elings V. Scanning tunnneling microscopy and atomic force microscopy of the liquid-solid interface // J. Vac. Sci. Technol. A 6 (2), 283-286, (1988)

434. Hansma P.K, Sonnenfeld R, Schneir J, Marti 0, Gould S.A.C, Prater C.B, Weisenhorn A.L, Drake B, Hansma H, Slough G, McNairy W.W, Coleman R. Scanning probe microscopy of liquid-solid interface//Applied Science. Ser.E 184, 299-313, (1990)

435. Bard A. J, Fan F.-R. Studies of the liquid/solid interface by scanning tunneling microscopy and scanning electrochemical microscopy // Faraday Discussions. 94, 1-22, (1992)

436. Garcia N, Binh V.T. Van der Waals forces in atomic force microscopy operating in liquids: a spherical-tip model // Phys. Rev. В 46 (12), 7946-7949, (1992)

437. Weisenhorn A.L, Maivald P, Butt H.-J, Hansma P.K. Measuring adhesion, attraction and repulsion between surfaces in liquids with an atomic-force microscope // Phys. Rev. В 45 (19), 1122611232, (1992)

438. Cevc G, Kornyshev A. A. Hydration force microscopy as a new option for studies of solid-liquidinterfaces: some theoretical considerations // J. Electroanal. Chem. 330, 407-417, (1992)

439. Christenson H.K, Yaminsky V.V. Adhesion and solvation forces between surfaces in liquids studied by vapor-phase experiments // Langmuir. 9 (9), 2448-2454, (1993)

440. Gelb L.D, Lynden-Bell R.M. Force oscillations and liquid structure in simulations of an atomic force microscope tip in a liquid // Chem. Phys. Lett. 211 (4/5), 328-332, (1993)

441. Lantz M.A, O'Shea S.J, Welland M.E. Force microscopy imaging in liquids using ac techniques //Appl. Phys. Lett. 65 (4), 409-411, (1994)1. Резонансная СЗМ

442. Takata К. Novel method for detecting resonant frequency shift in atomic force microscopy I I Jpn. J. Appl. Phys. 32, (5B), 2455-2458, (1993)

443. Integrated electrostatically resonant scan tip for an atomic force microscope // J. Vac. Sci. Technol. В 11 (3), 634-641,(1993)

444. Maivald P, Butt H.J, Gould S.A.C, Prater C.B, Drake B, Gurley J.A, Elings V.B, Hansma P.K. Using force modulation to image surface elasticities with the atomic force microscope // Nanotechnol-ogy. 2 (2), 103-106, (1991)

445. Albrecht T.R, Grutter P, Home D, Rugar D. Frequency modulation detection using high-Q cantilevers for enhanced force microscope sensitivity // J. Appl. Phys. 69 (2), 668-673, (1991)

446. Radmacher M, Tillmatin R.W, Gaub H.E. Imagining viscoelasticity by force modulation with the atomic force microscope // Biophysical Journal. 64 (3), 735-742, (1993)

447. Г1. Yamanaka К, Tomita E. Lateral force modulation atomic force microscope for selective imagingof friction force // Jpn. J. Appl. Phys. 34 (5B), 2879-2882, (1995)

448. Yamada H, Hirata Y, Miyake J. Force modulation imaging of protein membranes // J. Vac. Sci. Technol. A 13 (3), 1742-1745, (1995)

449. Kikukawa A, Hosaka S, Honda Y, hnura R, Phase controlled scanning force microscope. Jpn. J. Appl. Phys.33 (9A), L1286-1288, (1994).

450. Nonnenmacher M, Grescher J, Wolter O, Kassing R. Scanning force microscopy with micro-machined silicon sensors. J. Vac. Sci. Technol. В 9 (2), 1358-1362, (1991).

451. Mate C.M, Lorenz M.R, Novotny V.J. Atomic force microscopy of polymeric liquid films. J. Chem. Phys.90 (12), 7550-7555, (1989).

452. Elings V.B, Gurley J.A, United States Patent No. 5, 412, 980 "Tapping atomic force microscope", Filed Aug. 7, 1992, Date of Patent May 9, 1995

453. Elings V.B., Gurley J.A., United States Patent No. 5, 519, 212 "Tapping atomic force microscope with phase or frequency detection", Filed Jan. 31, 1995, Date of Patent May 21, 1996

454. Weisenhorn A.L., Mac Dougall J.E., Gould S.A.C., Cox S.D., Wise W.S., Massie J., Maivald P., Elings V.B., Stucky G.D., Hansma P.K. Imaging and manipulating molecules on a zeolite surface with an atomic force microscope. Science. 247, 1330-1333, (1990).

455. Elings V.B., Gurley J.A., United States Patent No. 5, 308, 974 "Scanning probe microscope using stored data for vertical probe positioning", Filed Nov. 30, 1992, Date of Patent May 3, 1994

456. Elings V.B., Gurley J.A., United States Patent No. 5, 418, 363 "Scanning probe microscope using stored data for vertical probe positioning", Filed Feb. 25, 1994, Date of Patent May 23, 1995 Кельвин мода СЗМ

457. Nonnenmacher M., O'Boyle M.P., Wickramasinghe H.K., Kelvin probe force microscopy // Appl. Phys. Lett., 58 (25), 2921-2923, (1991)

458. Bohmisch M., Burmeister F., Rettenberger A., Zimmermann J., Boneberg J., Leiderer P., Atomic force microscope based Kelvin probe measurements: Application to an electrochemical reaction // J. Phys. Chem. B, 101 (49), 10162-10165 (1997)

459. Микроскопия адгезионных сил

460. Durig U., Zuger О., Pohl D.W., Force sensing in scanning tunneling microscopy: observation of adhesion forces on clean metal surfaces // J. Microscopy, 152 (1), 259-267, (1988)

461. Baneqea A., Smith J.R., Ferrante J., Universal aspects of brittle fracture, adhesion, and atomic force microscopy//Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 140, 89-100, (1989)

462. Meyer E., Heinzelmann H., Grutter P., Jung Th., Hidber H.-J., Rudin H., Guntherodt H.-J., Atomic force microscopy for the study of tribology and adhesion// Thin Solid Films, 181, 527, (1989)

463. Durig U., Zuger O., Pohl D.W., Observation of metallic adhesion using the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. Lett., 65 (3) 349-352, (1990)

464. Baneqea A., Smith J.R., Ferrante J., Universal aspects of adhesion and atomic force microscopy//

465. J. Phys.: Condens. Matter, 2, 8841-8846, (1990)

466. Mizes H.A., Loh K.G., Miller R.J.D., Ahuja S.K., Grabowski E.F., Submicron probe of polymer adhesion with atomic force microscopy: dependence on topography and material inhomogeneties// Appl. Phys. Lett., 59 (22), 2901-2903, (1991)

467. Hoh J.H., Cleveland J.P., Prater G.B., Revel J.-P., Hansma P.K., Quantized adhesion detected with the atomic force microscope// J. Am. Chem. Soc., 114, 4917-4918, (1992)

468. Weisenhorn A.L., Maivald P., Butt H.-J., Hansma P.K., Measuring adhesion, attraction and repulsion between surfaces in liquids with an atomic-force microscope // Phys. Rev., В 45 (19), 11226-11232,(1992)

469. Ю. Thundat Т., Zheng X.-Y., Chen G.Y., Sharp S.L., Warmack R.J., Schowalter L.J., Characterization of atomic force microscope tips by adhesion force measurements// Appl. Phys. Lett., 63 (15), 2150-2152,(1993)

470. Torii A., Sasaki M., Hane K., Okuma S., Adhesion of microstructures investigated by atomic forcemicroscopy// Sensors and Actuators, A 40 (1), 71-76, (1994)

471. Kawai A., Nagata H., Takata M., Measurement method of adhesion strength between inorganicmaterials and polymer by using atomic force microscopy// Journal of Ceramic Society of Japan, 102 (12), 1102-1104,(1994)

472. Van der Werf K.O, Putman C.A.J, de Grooth B.G, Greve J, Adhesion force imaging in air and liquid by adhesion mode atomic force microscopy// Appl. Phys. Lett, 65 (9), 1195-1197, (1994)

473. Sasaki M, Нале К, Okuma S, Torii A, Scanning force microscope technique for adhesion distribution measurement // J. Vac. Sci. Technol, В 13 (2), 350-354, (1995)

474. Berger C.E.H, van der Werf K.O, Kooyman R.P.H, de Grooth B.G, Greve J, Functional group imaging by adhesion AFM applied to lipid monolayers// Langmuir, 11 (11), 4188-4192, (1995)

475. Dammer U, Popescu O, Wagner P, Anselmetti D, Guntherodt H.-J, Misevic G.N, Bindingstrength between cell adhesion proteoglycans measured by atomic force microscopy// Science, 267 (2), 1173-1175, (1995)

476. Voets J, Keijsers R.J.P, Shklyarevskii O.I, van Kempen H, Large corrugations and strong adhesion forces observed with a mechanically controllable break junction// Physica, В 218 (1/4), 290-293,1996)

477. Hudson J.E, Abruna H.D, Electrochemically controlled adhesion in atomic force spectroscopy// J. Am. Chem. Soc, 118 (26), 6303-6304, (1996)

478. Eastman T, Zhu D.-M, Adhesion forces between surface-modified AFM tips and a mica surface// Langmuir, 12 (11), 2859-2862, (1996)

479. Takahashi K, Burnham N.A, Pollock H.M, Onzawa T, Stiffness of measurement system and significant figures of displacement which are required to interpret adhesional force curves// IEICE Trans. Electron, E 80-C (2), 255-261, (1997)

480. Xu L, Salmeron M, Effects of surface ions on the friction and adhesion properties of mica// Langmuir, V. 14, No8, 2187-2190 (1998)

481. Noy A, Sanders C.H, Vezenov D.V, Wong S.S, Lieber C.M, Chemically-sensitive imaging in tapping mode by chemical force microscopy: relationship between phase lag and adhesion// Langmuir,

482. V.14, No7, 1508-1511 (1998)

483. Schneider J, Berndt P, Haverstick K, Kumar S, Chiruvolu S, Tirrell M, Force and adhesion measurements between hydrogen bonded layers of glycine - functionalized amphiphiles// J. Am. Chem. Soc, V. 120, 3508-3509, (1998)

484. Ramesh S, Cohen Y, Aurbach D, Gedanken A, Atomic force microscopy investigation of the surface topography and adhesion of nickel nanoparticles to submicrospherical silica// Chem. Phys. Lett, V.287, 461-467, (1998)

485. Sagvolden G, Giaever I, Pettersen E.O, Feder J, Cell adhesion force microscopy// Proc. Natl. Acad. Sci, V.96, 471-476, (1999)

486. Egawa H, Furusawa K, Liposome adhesion on mica surface studied by atomic force microscopy// Langmuir, V.15, No5, 1660-1666, (1999)

487. Ong Y.-L, Razatos A, Georgiou G, Sharma M.M, Adhesion forces between E. coli bacteria and biomaterial surfaces// Langmuir, V.15, No8, 2719-2725, (1999)

488. Pignataro B, Consalvo C, Compagnini G, Licciardello A, Barium stearate Langmuir-Blodgett films investigated by mapping adhesion forces with atomic force microscopy// Chem. Phys. Lett, V.299, 430-436, (1999)1. Емкостная мода СЗМ

489. Matey J.R, Blanc J, Scanning capacitance microscopy// J. Appl. Phys, 57 (5), 1437-1444, (1985)

490. Martin Y, Abraham D.W, Wickramasinghe H.K, High-resolution capacitance measurment and potentiometry by force microscopy// Appl. Phys. Lett, 52 (13), 1103-1105, (1988)

491. Williams C.C, Hough W.P, Rishton S.A, Scanning capacitance microscopy on a 25 nm scale// Appl. Phys. Lett, 55 (2), 203-205, (1989)

492. Williams C.C, Slinkman J, Hough W.P, Wickramasinghe H.K, Lateral dopant profiling with 200 nm resolution by scanning capacitance microscopy // Appl. Phys. Lett, 55 (16), 1662-1664, (1989)

493. Williams C.C, Slinkman J, Hough W.P, Wickramasinghe H.K, Lateral dopant profiling on a 100 nm scale by scanning capacitance microscopy // J. Vac. Sci. Technol, A 8 (2), 895-898, (1990)

494. Bugg C.D, King P.J, Correcting scanning capacitance microscope images for the effect of surface gradient//Precision Engineering, 12 (4), 239-244, (1990)

495. Abraham D.W, Williams C, Slinkman J, Wickramasinghe H.K, Lateral dopant profiling in semiconductors by force microscopy using capacitive detection// J. Vac. Sci. Technol, В 9 (2), 703-706, (1991)

496. Barrett R.C, Quate C.F, Charge storage in a nitride-oxide-silicon medium by scanning capacitance microscopy// J. Appl. Phys, 70 (5), 2725-2733, (1991)

497. Barrett R.C, Quate C.F, Large-scale charge storage by scanning capacitance microscopy//

498. Ultramicroscopy, 42-44, 262-267, (1992)

499. Huang Y, Williams C.C, Capacitance-voltage measurement and modeling on a nanometer scale by scanning C-V microscopy// J. Vac. Sci. Technol, В 12 (1), 369-372, (1994)

500. Lanyi S, Torok J, Rehurek P, A novel capacitance microscope// Rev. Sci. Instrum, 65 (7), 2258-2261, (1994)

501. Dreyer M, Wiesendanger R, Scanning capacitance microscopy and spectroscopy applied to local charge modifications and characterization of nitride-oxide-silicon heterostructures// Appl. Phys, A 61 (4), 357-362, (1995)

502. Huang Y, Williams C.C, Slinkman J, Quantitative two-dimensional dopant profile measurement and inverse modeling by scanning capacitance microscopy// Appl. Phys. Lett, 66 (3), 344-346, (1995)

503. Leong J.-K, Williams C.C, Olson J.M, Froyen S, Evidence for internal electric fields in two variant ordered GalnP obtained by scanning capacitance microscopy// Appl. Phys. Lett, 69 (26), 4081-4083,(1996)

504. Sakai A, Kurokawa S, Hasegawa Y, Geometrical capacitance of the tip-semiconductor junction// J. Vac. Sci. Technol, A 14 (3), 1219-1222, (1996)

505. Huang Y, Williams C.C, Wendman M.A, Quantitative two-dimensional dopant profiling of abrupt dopant profiles by cross-sectional scanning capacitance microscopy// J. Vac. Sci. Technol, A 14 (3), 1168-1171, (1996)

506. Ю. Huang Y, Williams C.C, Smith H, Direct comparison of cross-sectional scanning capacitancemicroscope dopant profile an vertical secondary ion-mass spectroscopy profile// J. Vac. Sci. Technol, В 14 (1), 433-436, (1996)

507. Goto К, Hane K, Tapping mode capacitance microscopy // Rev. Sci. Instrum, 68 (1), 120-122,1997)

508. Kang C. J, Kim С. K, Lera J. D, Kuk Y, Mang К. M, Lee J. G, Suh K. S, Williams С. C, Depth dependent carrier density profile by scanning capacitance microscopy// Appl. Phys. Lett, V.71, Noll, 1546, (1997)

509. Bordoni F, Fasciani L, De Tommasis R, Di Giacomo A, Moccia G, Scanning capacitance microscope, an alternative technigue to the C-V measurement for the Si02 characterisation// J.of Non-Crystalline Solids, V.216, 180-184, (1997)

510. Hainmar M, Messmer E. R, Luzuy M, Anand S, Lourdudoss S, Topography dependent doping distribution in selectively regrown InP studied by scanning capacitance microscopy// Appl. Phys. Lett, V.72,No7, 815-817, (1998)

511. Электростатические измерения e СЗМ

512. Hao H.W, Baro A.M, Saenz J.J, Electrostatic and contact forces in force microscopy// J. Vac. Sci. Technol, В 9 (2), 1323-1328, (1991)

513. Miller G.L, Griffith J.E, Wagner F.R, Grigg D.A, A rocking beam electrostatic balance for the measurement of small forces// Rev. Sci. Instrum, 62 (3), 705-709, (1991)

514. Atlan D, Gardet G, Vu Thien Binh, Garcia N, Saenz J.J, 3D calculations at atomic scale of the electrostatic potential and field created by a teton tip // Ultramicroscopy, 42-44, 154-162, (1992)

515. Bergasa F, Saenz J.J, Is it possible to observe biological macromolecules by electrostatic force microscopy?//Ultramicroscopy, 42-44, 1189-1193, (1992)

516. Watanabe S, Hane K, Ito M, Goto T, Dynamic mode force microscopy for the detection of lateral and vertical electrostatic forces// Appl. Phys. Lett, 63 (18), 2573-2575, (1993)

517. Domansky K, Leng Y, Williams C.C, Janata J, Petelenz D, Mapping of mobile charges on insulator surfaces with the electrostatic force microscope//Appl. Phys. Lett. 63 (11), 1513-1515, (1993)

518. Leng Y, Williams C.C, Electrostatic characterization of biological and polymeric surfaces by electrostatic force microscopy// Colloids and Surfaces, A 93, 335-341, (1994)

519. Ishino T, Hieda H, Tanaka K, Gemma N, Measurements of electrostatic double-layer forces due to charged functional groups on Langmuir-Blodgett films with an atomic force microscope// Jpn. J. Appl. Phys, 33 (8), 4718-4722, (1994)

520. Yokoyama H, Inoue T, Scanning Maxwell stress microscope for nanometer-scale surface electrostatic imaging of thin films// Thin Solid Films, 242, 33-39, (1994)

521. Said R.A, Bridges G.E, Thomson D.J, Scanned electrostatic force microscope for noninvasive high frequency potential measurement//Appl. Phys. Lett, 64 (11), 1442-1444, (1994)

522. Yamamoto K, Tanuma C, Gemma N, Competition between electrostatic and capillary forces acting on a single particle// Jpn. J. Appl. Phys, 34 (8A), 4176-4184, (1995)

523. Xu S, Arnsdorf M.F, Electrostatic force microscope for probing surface charges in aqueous solutions// Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 92, 10384-10388, (1995)

524. Bridges G.E, Said R.A, Mittal M, Thomson D.J, High-frequency pattern extraction in digital integrated circuits using scanning electrostatic force microscopy// J. Vac. Sci. Technol, В 13 (3), 1375-1379,(1995)

525. Ohagami J, Sugawara Y, Morita S, Nakamura E, Ozaki T, Determination of sign of surfacecharges of ferroelectric TGS using electrostatic force microscope combined with the voltage modulation technique// Jpn. J. Appl. Phys, 35 (5A), 2734-2739, (1996)

526. Hochwitz Т., Henning A.K., Levey С., Daghlian С., Slinkman J., Capacitive effects on quantitative dopand profiling with the scanned electrostatic force microscopes// J. Vac. Sci. Technol., В 14 (1), 457-462, (1996)

527. Donolato C., Modeling electrostatic scanning force microscopy of semiconductors// Materials Science and Engineering, В 42 (1/3), 99-104, (1996)

528. Nyffenegger R. M., Penner R. M., Schierle R., Electrostatic force microscopy of silver nanocrys-tals with nanometer scale resolution//Appl. Phys. Lett., V.71, Nol3, 1878, (1997)

529. Bluhm H., Wadas A., Wiesendanger R., Meyer K.-P., Szczesniak L., Electrostatic force microscopy on ferroelectric crystals in inert gas atmosphere// Phys. Rev., В 55 (1), 4-8, (1997)

530. Bluhm H., Wadas A., Wiesendanger R., Roshko A., Aust J.A., Nam D., Imaging of domain-inverted gratings in LiNb03 electrostatic force microscopy// Appl. Phys. Lett., 71 (1), 146-148, (1997)

531. Belaidi S., Girard P., Leveque G., Electrostatic forces acting on the tip in atomic force microscopy: modelization and comparison with analytic expressions// J. Appl. Phys. 81 (3), 1023-1030, (1997)

532. Inoue Т., UHV electrostatic force microscope methods to obtain high-resolution electrical information// J. Surf. Sci. Soc. Japan, 18 (5), 319-322, (1997)

533. Rosa-Zeiser A., Weilandt E., Hild S., Marti 0., The simultaneous measurement of elastic, electrostatic and adhesive properties by scanning force microscopy: pulsed-force mode operation// Meas. Sci. Technol., V.8, Noll, 1333-1338, (1997)

534. NbO crystals by 3 electrostatic force microscopy// Applied Surface Science, V.137, 61-70, (1999) Атомное разрешение в A CM

535. Luthi R., Meyer E., Bammerlin M., Baratoff A., Lehmann Т., Howald L., Gerber Ch., Guntherodt H.-J., Atomic resolution in dynamic force microscopy across steps on Si(l 11)7x7// Z. Phys. В 100 (2), 165-167, (1996)

536. Giessibl F. J., Forces and frequency shifts in atomic resolution dynamic - force microscopy// Phys. Rev. B, V.56, No24, 16010-16015, (1997)

537. Chi L. F., Gleiche M., Fuchs H., Study of long-range tilt orientation in fatty acid monolayers by dynamic scanning force microscopy// Langmuir, V.14, No4, 875-879, (1998)

538. Близкопольная оптическая микроскопия

539. Durig U., Pohl D., Rohner F., Near-field optical scanning microscopy with tunnel-distance regulation // IBM J. Res. Develop., 30 (5), 478-483, (1986)

540. Durig U., Pohl D.W., Rohner F., Near-field optical-scanning microscopy// J. Appl. Phys., 59 (10),3318-3327, (1986)

541. Betzig E., Isaacson M., Barshatzky H., Lewis A., Lin K., Super resolutuon imaging with near-fild scanning optical microscopy (NSOP)// In, Scan. Tunn. Micr., 23rd Meet, of GSEM, 155-165, (1987)

542. Fischer U.Ch., Resolution and contrast generation in scanning near field optical microscopy// Applied Science, E 184, 475-496, (1990)

543. Courjon D., Spajer M., Jalosha A., Leblanc S., Near-field optical microscopy and optical tunneling detection// AIP Conf. Proc. 241, Scanned Probe Microscopy, С A, (1991)

544. Isaacson M., Cline J., Barshatsky H., Near-field- optical microscopy// AIP Conf. Proc. 241, Scanned Probe Microscopy, CA, (1991)

545. Pohl D.W., Nano-optics and scanning near-field optical microscopy // In: Scanning Tunneling Microscopy II (Springer Ser. in Surf. Sci., vol. 28), 233-271, (1992)

546. Shalom S., Lieberman K., Lewis A., Cohen S.R., A micropipette force probe suitable for near-field scanning optical microscopy// Rev. Sci. Technol., 63 (9), 4061-4065, (1992)

547. Toledo-Crow R., Yang P.C., Chen Y., Vaez-Iravani M., Near-field differential scanning opticalmicroscope with atomic force regulation//Appl. Phys. Lett., 60 (24), 2957-2959, (1992)

548. Bouju X., Girard C., Labani B., Self-consistent study of the electromagnetic coupling between athin probe tip and a surface: implication for atomic-force and near-field microscopy// Ultramicroscopy, 4244, 430-436, (1992)

549. Fischer U.Ch., Zapletal M., The concept of a coaxial tip as a probe for scanning near field opticalmicroscopy and step towards a realization// Ultramicroscopy, 42-44, 393-398, (1992)

550. Specht M., Pedarnig J.D., Heckl W.M., Hansch T.W., Scanning plasmon near-field microscope// Phys. Rev. Lett., 68 (4), 476-479, (1992)

551. Courjon D., Bainier C., Near field microscopy and near field optics// Rep. Prog. Phys., 57 (10), 989-1028, (1994)

552. Ambrose W.P., Goodwin P.M., Martin J.C., Keller R.A., Alterations of single molecule fluorescence lifetimes in near-field optical microscopy// Science, 265, 364-367, (1994)

553. Radmacher M., Hillner P.E., Hansma P.K., Scanning nearfield optical microscope using microfab-ricated probes//Rev. Sci. Instrum., 65 (8), 2737-2738, (1994)

554. Garcia-Parajo M., Cambril E., Chen Y., Simultaneous scanning tunneling microscope and collection mode scanning near-field optical microscope using gold coated optical fiber probes// Appl. Phys. Lett., 65 (12), 1498-1500, (1994)

555. Э. Zenhausern F., O'Boyle M.P., Wickramasinghe H.K., Apertureless near-field optical microscope//

556. Appl. Phys. Lett., 65 (13), 1623-1625, (1994)

557. Bielefeldt H., Horsch I., Krausch G., Lux-Steiner M., Mlynek J., Marti O., Reflection-scanningnear-field optical microscopy and spectroscopy of opaque samples// Appl. Phys., A 59, 103-108, (1994)

558. Schoch В, Jones B.E, Franks A, A simple technique for the manufacture of optical probes for scanning near-field optical microscopes// Meas. Sci. Technol, 5, 663-666, (1994)

559. Moers M.H.P, Gaub H.E, Hulst N.F. Van, Poly(diacetylene) monolayers studied with a fluorescence scanning near-field optical microscope// Langmuir, 10 (8), 2774-2777, (1994)

560. Fujihira M, Monobe H, Muramatsu H, Ataka T, Scanning near-field fluorenscence microscopy and nanoscopic fluorescence spectroscopy in combination with a non-contact scanning force microscope// Chem. Lett, 657-660, (1994)

561. Mertz J, Hipp M, Mlynek J, Marti 0, Optical near-field imaging with a semiconductor probe tip// Appl. Phys. Lett, 64 (18), 2338-2340, (1994)

562. Heinzelmann H, Pohl D.W, Scanning near-field optical microscopy// Appl. Phys, A 59 (2), 89101, (1994)

563. Kawata S, Inouye Y, Sugiura T, Near-field scanning optical microscope wuth a laser trappedprobe// Jpn. J. Appl. Phys, 33 (12A), 1725-1727, (1994)

564. Froehlich F.F, Milster T.D, Minimum detectable displacement in near-field scanning opticalmicroscopy// Appl. Phys. Lett, 65 (18), 2254-2256, (1994)

565. Silva T.J, Schultz S, Weller D, Scanning near-field optical microscope for the imaging of magnetic domains in optically opaque materials// Appl. Phys. Lett, 65 (6), 658-660, (1994)

566. Moerner W.E, Plakhotnik T, Imgartinger T, Wild U. P, Pohl D.W, Hecht B, Near-field optical spectroscopy of individual molecules in solids// Phys. Rev. Lett, 73 (20), 2764-2767, (1994)

567. H. Buratto S.K, Hsu J.W.P, Trautman J.K, Betzig E, Bylsma R.B, Bahr C.C, Cardillo M.J, Imaging InGaAsP quantum-well lasers using near-field scanning optical microscopy// J. Appl. Phys, 76 (12), 7720-7725, (1994)

568. Kolb G, Karrai K, Abstreiter G, Optical photodetector for near-field optics// Appl. Phys. Lett, 65 (24), 3090-3092, (1994)

569. Danzebrink H.U, Wilkening G, Ohlsson O, Near-field optoelectronic detector probes based on standard scanning force cantilevers//Appl. Phys. Lett, 67 (14), 1981-1983, (1995)

570. Jalocha A, van Hulst N.F, Dielectric and fluorescent samples imaged by scanning near-field optical microscopy in reflection//Optics Communications, 119, 17-22, (1995)

571. Kann J.L, Milster T.D, Froehlich F.F, Ziolkowski R.W, Judkins J.B, Linear behavior of a near-field optical scanning system// J. Opt. Soc. Am, A 12 (8), 1677-1682, (1995)

572. Butler D.J, Horsfall A, Nugent K.A, Roberts A, Bassett I.M, Lo K.M, Measurement of an elliptical fiber mode field using near-field microscopy// J. Appl. Phys, 77 (11), 5514-5517, (1995)

573. Karrai K, Grober R.D, Piezoelectric tip-sample distance control for near field optical microscopes//Appl. Phys. Lett, 66 (14), 1842-1844, (1995)

574. Chiba N, Muramatsu H, Ataka T, Fujihira M, Observation of topography and optical image ofoptical fiber end by atomic force mode scanning near-field optical microscope// Jpn. J. Appl. Phys, 34, 321-324, (1995)

575. Higgins D.A, Barbara P.F, Excitonic transitions in J-aggregates probed by near-field scanning optical microscopy// J. Phys. Chem, 99 (1), 3-7, (1995)

576. Marchman H.M, Novembre A.E, Near field optical latent imaging with the photon tunneling microscope//Appl. Phys. Lett, 66 (24), 3269-3271, (1995)

577. Jalocha A, van Hulst N.F, Polarization contrast in fluorescence scanning near-field optical reflection microscopy// J. Opt. Soc. Am, A 12 (9), 1577-1580, (1995)

578. Tarrach G, Bopp M.A, Zeisel D, Meixner A.J, Design and construction of a versatile scanning near-field optical microscope for fluorescence imaging of single molecules// Rev. Sci. Instrum, 66 (6), 3569-3575, (1995)

579. Hsu J.W.P, Lee M, Deaver B.S, A nonoptical tip-sample distance control method for near-field scanning optical microscopy using impedance changes in an electromechanical system// Rev. Sci. Instrum, 66 (5), 3177-3181, (1995)

580. Jahncke C.L, Paesler M.A, Hallen H.D, Raman imaging with near-field scanning optical microscopy//Appl. Phys. Lett, 67 (17), 2483-2485, (1995)

581. Fann W, Simple transmission mode near-field optical microscope// Rev. Sci. Instrum, 66 (1),271.272, (1995)

582. Goldberg B.B, Unlu M.S., Herzog W.D, Ghaemi H.F, Towe E, Near-field optical studies of semiconductor heterostructures and laser diodes// IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electr, 1 (4), 1073-1081, (1995)

583. Castiaux A, Dereux A, Vigneron J.-P, Girard C, Martin O. J.F, Electromagnetic fields in two-dimensional models of near-field optical microscope tips// Ultramicroscopy, 60 (1), 1-9, (1995)

584. Levy J, Cohen A, Awschalom D.D, Three-dimensional wavefront imaging by near-field scanning optical microscopy//Rev. Sci. Instrum, 66 (5), 3385-3387, (1995)

585. Cella R, Mersali B, Bruno A, Davy S, Bruckner H, Licoppe C, Imaging of the optical mode of wave guiding devices by scanning near-field optical microscopy// J. Appl. Phys, 78 (7), 4339-4344, (1995)

586. Unlu M.S., Goldberg B.B, Herzog W.D, Sun D, Towe E, Near-field optical beam induced current measurements on heterostructures//Appl. Phys. Lett, 67 (13), 1862-1864, (1995)

587. Froehlich F.F, Milster T.D, Detection of probe dither motion in near-field scanning optical microscopy// Applied Optics, 34 (31), 7273-7279, (1995)

588. Bozhevolnyi S, Smolyaninov I.I, Zayats A.V, Near-field microscopy of surface-plasmon polari-tons: localization and internal interface imaging// Phys. Rev, В 51 (24), 17916-17924, (1995)

589. La Rosa A.H, Yakobson B.I, Hallen H.D, Origins and effects of thermal processes on near-field optical probes// Appl. Phys. Lett, 67 (18), 2597-2599, (1995)

590. Kavaldjiev D.I, Toledo-Crow R, Vaez-Iravani M, On the heating of the fiber tip in a near-field scanning optical microscope// Appl. Phys. Lett, 67 (19), 2771-2773, (1995)

591. Meixner A.J, Zeisel D, Bopp M.A, Tarrach G, Super-resolution imaging and detection of fluorescence from single molecules by scanning near-field optical microscopy// Optical Engineering, 34 (8), 2324-2332, (1995)

592. Cline J.A, Isaacson M, Probe-sample interactions in reflection near-field scanning optical microscopy//Applied Optics, 34 (22), 4869-4876, (1995)

593. Bozhevolnyi S.I, Bozhevolnaya E.A, Bemtsen S, Theoretical model for phase conjugation of optical near fields// J. Opt. Soc. Am, A 12 (12), 2645-2654, (1995)

594. Moyer P.J, Walzer K, Hietschold M, Modification of the optical properties of liquid crystals using near-field scanning optical microscopy//Appl. Phys. Lett, 67 (15), 2129-2131, (1995)

595. Krausch G, Wegscheider S, Kisch A, Bielefeldt H, Meiners J.C, Mlynek J, Near field microscopy and lithography with uncoated fiber tips: a comparison // Optics Communications, 119 (3/4), 283-288,(1995)

596. Leong J.-K, Williams C.C, Shear force microscopy with capacitance detection for near-field scanning optical microscopy// Appl. Phys. Lett, 66 (11), 1432-1434, (1995)

597. Muramatsu H, Chiba N, Homma K, Nakajima K, Ataka T, Ohta S, Kusumi A, Fujihira M, Near-field optical microscopy in liquids// Appl. Phys. Lett, 66 (24), 3245-3247, (1995)

598. Van Lebeke D, Barchiesi D, Baida F, Optical characterization of nanosources used in scanning near-field optical microscopy//J. Opt. Soc. Am, A 12 (4), 695-703, (1995)

599. Novotny L, Pohl D.W, Hecht B, Scanning near-field optical probe with ultrasmall spot size//

600. Optics Letters, 20 (9), 970-972, (1995)

601. Hallen H.D, La Rosa A.H, Jahncke C.L, Near-field scanning optical microscopy and spectroscopy for semiconductor characterization// Phys. Stat. Sol, A 152, 257-268, (1995)

602. GrefFet J.-J, Sentenac A, Carminati R, Surface profile reconstruction using near-field data// Optics Communications, 116, 20-24, (1995)

603. McCulloch S, Uttamchandani D, A simple reproducible technique for producing sub-micrometre fiber-optic probes for near-field optical microscopy and chemical sensors// Meas. Sci. Technol, 6 (8), 1157-1162,(1995)

604. Bian R.X, Dunn R.C, Xie X.S, Leung P.T, Single molecule emission characteristics in near-field microscopy// Phys. Rev. Lett, 75 (26), 4772-4775, (1995)

605. Rogers J.K, Seiferth F, Vaez-Iravani M, Near field probe microscopy of porous silicon: Observation of spectral shifts in photoluminescence of small particles// Appl. Phys. Lett, 66 (24), 3260-3262, (1995)

606. Lieberman K, Ben-Ami N, Lewis A, A fully intergrated near-field optical, far-field optical, and normal-force scanned probe microscope// Rev. Sci. Instrum, 67 (10), 3567-3572, (1996)

607. Martin O.J.F, Girard C, Dereux A, Dielectric versus topographic contrast in near-field microscopy// J. Opt. Soc. Am, A 13 (9), 1801-1808, (1996)

608. Liu J, Perkins N R., Horton M.N, Redwing J.M, Tischler M.A, Kuech T.F, A near-field scanning optical microscopy study of the photoluminescence from GaN films// Appl. Phys. Lett, 69 (23), 3519-3521,(1996)

609. Stephenson R.J, O'Shea S.J, Barnes J.R, Rayment T, Welland M.E, A near-field optical microscope with normal force distance regulation// Rev. Sci. Instrum, 67 (11), 3891-3897, (1996)

610. Miyamoto M, Shintani T, Hosaka S, Imura R, Thermal simulation analysis of scanning near-field optical microscope point heating mechanisms// Jpn. J. Appl. Phys, 35 (5A), L584-L586, (1996)

611. Madsen S, Mullenbom M, Birkelund K, Grey F, Optical near-field lithography on hydrogen-passivated silicon surfaces// Appl. Phys. Lett, 69 (4), 544-546, (1996)

612. Liu J, Kuech T.F. A near-field scanning optical microscopy study of the uniformity of GaAs surface passivation//Appl. Phys. Lett, 69 (5), 662-664, (1996)

613. Chuang Y.-H., Wang C.-J., Huang J.Y., Pan C.-L., Nanoptical tip-sample distance control for scanning near-field optical microscopy// Appl. Phys. Lett., 69 (22), 3312-3314, (1996)

614. Talley C.E., Cooksey G.A., Dunn R.C., High resolution fluorescence imaging with cantilevered near-field fiber optic probes// Appl. Phys. Lett., 69 (25), 3809-3811, (1996)

615. Buratto S.K., Near-field scanning optical microscopy// Current Opinion in Solid State and Materials Science, 1 (1), 485-492, (1996)

616. Hosaka S., Shintani Т., Miyamoto M., Kikukawa A., Hirotsune A., Terao M., Yoshida M., Fujita K., Kammer S., Phase change recording using a scanning near-field optical microscope// J. Appl. Phys., 79 (10), 8082-8086, (1996)

617. Duncan W.M., Near-field scanning optical microscope for microelectronic materials and devices// J. Vac. Sci. Technol., A 14 (3), 1914-1918, (1996)

618. Drummond Roby M.A., Wetsel G.C. Jr., Wang C.-Y., Scanned-probe lateral-force determination of fluid-dynamic effects near a solid surface in air// Appl. Phys. Lett., 69 (1), 130-132, (1996)

619. Van Hulst N.F., Moers M.H.P., Biological applications of near-field optical microscopy// IEEE Engineering in Medicine and Biology, 15 (1), 51-57, (1996)

620. James P., Casillas N., Smyrl W.H.; Simultaneous scanning electrochemical and photoelectro-chemical microscopy by use of a metalized optical fiber; J. Electrochem. Soc.; 143 (12), 3853-3856, (1996)

621. Gregor M.J., Blome P.G., Schofer J., Ulbrich R.G.; Probe-surface interaction in near-field optical microscopy: the nonlinear bending force mechanism; Appl. Phys. Lett.; 68 (3), 307-309, (1996)

622. Stephenson R.J., Welland M.E.; A normal force distance regulation scheme for near-field optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; 68 (12), 1607-1609, (1996)

623. Lienau Ch., Richter A., Elsaesser Т.; Light-induced expansion of fiber tips in near-field scanning optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; 69 (3), 325-327, (1996)

624. Akamine S., Kuwano H., Yamada H.; Scanning near-field optical microscope using an atomic force microscope cantilever with integrated photodiode; Appl. Phys. Lett.; 68 (5), 579-581, (1996)

625. Christenson G.L., Tran A.T.T.D., Miller S.A., Haronian D., Lo Y.H., MacDonald N.C.; Surface micromachined interferometer-based optical reading technique; Appl. Phys. Lett.; 69 (22), 3324-3326, (1996)

626. Higgins D.A., Reid P.J., Barbara P.F.; Structure and exciton dynamics in J-aggregates studied by polarization-dependent near-field scanning optical microscopy; J. Phys. Chem.; 100 (4), 1174-1180, (1996)

627. Torok P., Sheppard C.J.R., Varga P.; Study of evanescent waves for transmission near-field optical microscopy; Journal of Modern Optics; 43 (6), 1167-1183, (1996)

628. Guttroff G., Keto J.M., Shih C.K., Anselm A., Streetman B.G.; A design of reflection scanning near-field optical microscope and its application to AlGaAs/GaAs heterostructures; Appl. Phys. Lett.; 68 (25), 3620-3622, (1996)

629. Drabenstedt A., Wrachtrup J., von Borczyskowski C.; A distance regulation scheme for scanning near-field optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; 68 (24), 3497-3499, (1996)

630. Xiao M., Bozhevolnyi S., Keller O.; Numerical study of configurational resonances in near-field optical microscopy with a mesoscopic metallic probe; Appl. Phys.; A 62 (2), 115-121, (1996)

631. Bout D.A.V., Kerimo J., Higgins D.A., Barbara P.F.; Spatially resolved spectral inhomogenities in small molecular crystals studied by near-field scanning optical microscopy; J. Phys. Chem.; 100 (29), 11843-11849, (1996)

632. Higgins D.A., Bout D.A.V., Kerimo J., Barbara P.F.; Polarization-modulation near-field scanning optical microscopy of mesostructured materials; J. Phys. Chem.; 100 (32), 13794-13803, (1996)

633. Weston K.D., DeAro J.A., Buratto S.K.; Near-field scanning optical microscopy in reflection: a study of far-field collection geometry effects; Rev. Sci. Instrum.; 67 (8), 2924-2929, (1996)

634. J. Vac. Sci. Technol.; A 14 (3), 1914-1918, (1996)

635. Davis R.C., Williams C.C.; Nanometer-scale adsorption spectroscopy by near-field photodetection optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; 69 (9), 1179-1181, (1996)

636. Ramanujam P.S., Holme N.C.R., Hvilsted S.; Atomic force and optical near-field microscopic investigations of polarization holographic gratings in a liquid crystalline azobenzene side-chain polyester; Appl. Phys. Lett.; 68 (10), 1329-1331, (1996)

637. Harris T.D., Gershoni D., Grober R.D., Pfeiffer L., West K., Chand N.; Near-field optical spectroscopy of single quantum wires; Appl. Phys. Lett.; 68 (7), 988-990, (1996)

638. Ade H., Toledo-Crow R., Vaez-Iravani M., Spontak R.J.; Observation of polymer birefringence in near-field optical microscopy; Langmuir; 12 (2), 231-234, (1996)

639. Xiao M.; A study of resolution limit in optical microscopy: near and far field; Optics Communications; 132 (5/6), 403-409, (1996)

640. Xiao M.; Cutting off the diffraction: a numerical solution in scanning near-field optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; 69 (21), 3125-3127, (1996)

641. Nagahara L.A, Tokumoto H.; Development of a near-field optical system for investigating thin organic films; Thin Solid Films; 281-282, 647-650, (1996)

642. Stahelin M, Bopp M.A, Tarrach G, Meixner A.J, Zschokke-Granacher I.; Temperature profile of fiber tips used in scanning near-field optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; 68 (19), 2603-2605, (1996)

643. Pagnot T, Pierali C.; Fabrication of multimode fiber tapers with a high reproducibility of the subwavelength extremity size: application to scanning near-field optical microscope probes; Optics Communications; 132 (1/2), 161-169, (1996)

644. Williamson R.L, Miles M.J.; Melt-drawn scanning near-field optical microscopy probe profiles; J. Appl. Phys.; 80 (9), 4804-4812, (1996)

645. Fukuzawa K, Kuwano H.; Scattering of evanescent light by a finite-size probe in near-field scanning optical microscopy; J. Appl. Phys.; 80 (9), 4799-4803, (1996)

646. Bozhevolnyi S.I, Vohnsen В.; Near-field optical holography; Phys. Rev. Lett.; 77 (16), 33513354, (1996)

647. Piednoir A, Licoppe C, Creuzet F.; Imaging and local infrared spectroscopy with a near fieldoptical microscope; Optics Communications; 129 (5/6), 414-422, (1996)

648. U. Poweleit C.D, Naghski D.H, Lindsay S.M, Boyd J.T, Jackson H.E.; Near field scanning opticalmicroscopy measurements of optical intensity distributions in semiconductor channel waveguides; Appl. Phys. Lett.; 69 (23), 3471-3473, (1996)

649. Hosaka S, Shintani T, Miyamoto M, Hirotsune A, Terao M, Yoshida M, Fujita K, Kammer

650. Liu J, Perkins N.R, Horton M.N, Redwing J.M, Tischler M.A, Kuech T.F.; A near-field scanning optical microscopy study of the photoluminescence from GaN films; Appl. Phys. Lett.; 69 (23), 3519-3521, (1996)

651. Wei P.K, Hsu J.H, Hsieh B.R, Fann W.S.; Surface modification and patterning of conjugated polymers with near-field optical microscopy; Advanced Materials; 8 (7), 573-576, (1996)

652. Feldstein M.J, Vohringer P, Wang W, Scherer N.F.; Femtosecond optical spectroscopy and scanning probe microscopy; J. Phys. Chem.; 100 (12), 4739-4748, (1996)

653. Ben-Ami U, Tessler N, Ben-Ami N, Nagar R, Fish G, Lieberman K, Eisenstein G, Lewis A,

654. Nielsen J.M, Moeller-Larsen A.; Near-infrared contact mode collection near-field optical and normal force microscopy of modulated multiple quantum well lasers; Appl. Phys. Lett.; 68 (17), 2337-2339, (1996)

655. Zeisel D, Nettesheim S, Dutoit B, Zenobi R.; Pulsed laser-induced desorption and optical imaging on a nanometer scale with scanning near-field microscopy using chemically etched fiber tips; Appl. Phys. Lett.; 68 (18), 2491-2492, (1996)

656. Miyamoto M, Shintani T, Hosaka S, Imura R.; Thermal simulation analysis of scanning near-field optical microscope point heating mechanisms; Jpn. J. Appl. Phys.; 35 (5A), L584-L586, (1996)

657. Madsen S, Mullenborn M, Birkelund K, Grey F.; Optical near-field lithography on hydrogen-passivated silicon surfaces; Appl. Phys. Lett.; 69 (4), 544-546, (1996)

658. Rahmani A, de Fornel F.; Near-field optical probing of fluorescent microspheres using a photonscanning tunneling microscope; Optics Communications; 131 (4/6), 253-259, (1996)

659. Silva T.J, Schulzz S.; A scanning near-field optical microscope for the imaging of magneticdomains in reflection; Rev. Sci. Instrum.; 67 (3), 715-725, (1996)

660. Stephenson R.J, O'Shea S.J, Barnes J.R, Rayment T, Welland M.E.; A near-field optical microscope with normal force distance regulation; Rev. Sci. Instrum.; 67 (11), 3891-3897, (1996)

661. Liu J, Kuech T.F.; A near-field scanning optical microscopy study of the uniformity of GaAssurface passivation; Appl. Phys. Lett.; 69 (5), 662-664, (1996)

662. Fukuzawa K, Kuwano H.; Conversion of evanescent into propagating light in near-field scanningoptical microscopy; J. Appl. Phys.; 79 (11), 8174-8177, (1996)

663. Buratto S.K.; Near-field scanning optical microscopy; Current Opinion in Solid State and Materials Science; 1 (1), 485-492, (1996)

664. Hamano M, Irie M.; Rewritable near-field optical recording on photochromic thin films; Jpn. J. Appl. Phys.; 35 (3), 1764-1767, (1996)

665. Chuang Y.-H, Wang C.-J, Huang J.Y, Pan C.-L.; Nanoptical tip-sample distance control for scanning near-field optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; 69 (22), 3312-3314, (1996)

666. Wang S, Xiao M, Siqueiros J.; A macroscopic approach to near-field optical microscopy; Journal of Modern Optics; 43 (10), 2119-2127, (1996)

667. Lieberman K, Ben-Ami N, Lewis A.; A fully intergrated near-field optical, far-field optical, and normal-force scanned probe microscope; Rev. Sci. Instrum.; 67 (10), 3567-3572, (1996)

668. Barenz J, Hollricher O, Marti O.; An easy-to-use non-optical shear-force distance control fornear-field optical microscopes; Rev. Sci. Instrum.; 67 (5), 1912-1916, (1996)

669. Lienau Ch, Richter A, Klehr A, Elsaesser Т.; Near-field scanning optical microscopy of polarization bistable laser diodes; Appl. Phys. Lett.; 69 (17), 2471-2473, (1996)

670. Xiao M, Negrete-Regagnon P, Siqueiros J.; Infrared scanning gap optical microscope with far field pickup; Optik; 104 (1), 40-41, (1996)

671. Massanell J, Garcia N, Zlatkin A.; Nanowriting on ferroelectric surfaces with a scanning near-field optical microscope; Optics Letters; 21 (1), 12-14, (1996)

672. Muramatsu H, Chiba N, Fujihira M.; Frictional imaging in a scanning near- field optical/atomic-force microscope by a thin step etched optical fiber probe; Appl. Phys. Lett.; V.71, Nol5, 2061-2063, (1997)

673. Vanden Bout D.A, Kerimo J, Higgins D.A, Barbara P.F.; Near-field optical studies of thin-films mesostructured organic materials; Acc. Chem. Res.; V.30, p.204-212, (1997)

674. Zvyagin A.V, White J.D, Ohtsu M.; Near-field optical microscope image formation: a theoretical and experimental study; Optics Lett.; V.22, Nol3, 955-957, (1997)

675. Pagnot T, Barchiesi D, Labeke D. V, Pieralli C.; Use of a scanning near-field optical microscope architecture to study fluorescence and energy transfer near metal; Optics Lett.; V.22, No2, 120-123, (1997)

676. Behme G, Richter A, Sbptitz M, Lienau Ch.; Vacuum near-field scanning optical microscope forvariable cryogenic temperatures; Rev. Sci. Instrum.; V.68, No9, 3458-2463, (1997)

677. Bukofsky S. J, Grober R. D.; Video rate near-field scanning optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; V.71, Nol9, 2749-2751, (1997)

678. Girard C, Couijon D.; The role of scanning mode in near field optical microscopy; Surface Science; V.382, p.9-18, (1997)

679. Barchiasi D, Bergossi O, Spajer M, Pieralli C.; Image resolution in reflection scanning near -field optical microscopy using shear force feedback: characterization with a spline and Fourier spectrum; Applied Optics; V.36, NolO, p.2171-2175, (1997)

680. Bachelot R, Gleyzes P, Boccara A. C.; Reflection mode scanning near - field optical microscopy using an apertureless metallic tip; Applied Optics; V.36, NolO, p.2160-2170, (1997)

681. Yatsui T, Kourogi M, Ohtsu M.; Highly effcient excitation of optical near field on an apertured fiber probe with an asymmetric structure; Appl. Phys. Lett.; V.71, Nol3, 1756, (1997)

682. Yang T. J, Mohideen U, Gupta M. C.; Near field scanning optical microscopy of the ferroelectric domain walls; Appl. Phys. Lett.;V.71, Nol4, p.1960, (1997)

683. Hanewinkel B, Knorr A, Thomas P, Koch S.W.; Optical near-field response of semiconductor quantum dots; Phys. Rev. B; V.55, No20, 13715-13725, (1997)

684. Wei P.-K. Hsu J.-H, Fann W, Chuang K.-R, Lee H.-T, Chen S.-A.; Phase separation inpolyaniline with near-field scanning optical microscopy; Applied Optics; V.36, Nol5, p.3301-3304, (1997)

685. Mendez E.R., Greffet J.-J., Carminati R.; On the equivalence between the illumination and collection modes jfthe scanning near-field optical microscope; Optics Communications; 142 (1/3), 7-13, (1997)

686. Kato N., Suzuki I., Kikuta H., Iwata K.; Force-balancing microforce sensor with an optical-fiber interferometer; Rev. Sci. Instrum.; 68 (6), 2475-2478, (1997)

687. Rucker M., De Schryver F.C., Vannopen P., Jeuris K., De Feyter S., Hotta J., Masuhara H.; Near-field scanning optical microscopy and polymers; Nuclear Inst, and Meth. in Phys. Research B; 131 (1/4), 30-37, (1997)

688. Inouye Y., Kawata S.; Reflection-mode near-field optical microscope with a metallic probe tip for observing fine structures in semiconductor materials; Optics Communications; 134 (1/6), 31-35, (1997)

689. Xiao M., Zayats A., Siqueiros J.; Scattering of surface-plasmon polaritons by dipoles near a surface: Optical near-field localization; Phys. Rev.; В 55 (3), 1824-1837, (1997)

690. Ю. McDaniel A.A., Hsu J.W.P., Gabor A.M.; Near-field scanning optical microscopy studies of

691. Cu(In,Ga)Se2 solar cells; Appl. Phys. Lett.; 70 (26), 3555-3557, (1997)

692. U. Kottler V., Essaidi N., Ronarch N., Chappert C., Chen Y.; Dichloic imaging of magnetic domains with a scanning near-field optical microscope; Journal of Magnetism and Magnetic Materials; 165 (1/3), 398-400, (1997)

693. Durkan C., Shvets I.V., Lodder J.C.; Observation of magnetic domains using a reflection-modescanning near-field optical microscope; Appl. Phys. Lett.; 70 (10), 1323, (1997)

694. Froehlich F., Milster T.D.; Mechanical resonance behavior of near-field optical microscopeprobes; Appl. Phys. Lett.; 70 (12), 1500, (1997)

695. Pantano P., Walt D.R.; Toward a near-field optical array; Rev. Sci. Instrum.; 68 (3), 1357, (1997)

696. Liu J., Zhi D., Redwing J.M., Tischler M.A., Kuech T.F.; GaN films investigated by near-fieldscanning optical microscopy, atomic force microscopy and high resolution X-ray diffraction; Journal of Crystal Growth; 170 (1/4), 357-361, (1997)

697. Schofer J., Gregor M.J., Blome P.G., Ulbrich R.G.; Influence of aperture diameter on imagecontrast and resolution in scanning near-field optical microscopy; J. Appl. Phys.; 81 (9), 5871-5877, (1997)

698. M. Schwarz U., Berthie M.L., Courjon D., Bielefeldt H.; Simple reflection scanning near-field opticalmicroscope using the back reflected light inside the laser cavity as detection mode; Optics Communications; 134 (1/6), 301-309, (1997)

699. Keller Т.Н., Rayment Т., Klenerman D., Stephenson R.J.; Scanning near-field optical microscopy in reflection mode imaging in liquid; Rev. Sci. Instrum.; 68 (3), 1448, (1997)

700. Decca R.S., Drew H.D., Empson K.L.; Investigation of the electric-field distribution at the subwavelength aperture of a near-field scanning optical microscope; Appl. Phys. Lett.; 70 (15), 19321934, (1997)

701. Xiao M.; Polarization effects in reflection scanning near field optical microscopy; Optics Communications; 136 (3/4), 213-218, (1997)

702. Grober R.D., Schoelkopf R.J., Prober D.E.; Optical antenna: towards a unity efficiency near-field optical probe; Appl. Phys. Lett.; 70 (11), 1354-1356, (1997)

703. Basca W.S., Kulik A.; Interference scanning optical probe microscopy; AppL Phys. Lett.; 70 (26),, 3507-3509, (1997)

704. Zvyagin A., Ohtsu M.; Near-field optical microscope for true surface topography: theoretical study; Optics Communications; 133 (1/6), 328-338, (1997)

705. Hecht В., Bielefeldt H., Inouye Y., Pohl D.W., Novotny L.; Facts and artifacts in near-field optical microscopy; J. Appl. Phys.; 81 (6), 2492-2498, (1997)

706. Decca R.S., Drew H.D., Empson K.L.; Mechanical oscillator tip-to-sample separation control for near-field optical microscopy; Rev. Sci. Instrum.; 68 (2), 1291-1295, (1997)

707. Atia W.A., Davis C.C.; A phase-locked shear-force microscope for distance regulation in near-field optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; 70 (4), 405-407, (1997)

708. Guttroff G., Bayer M., Forshel A., Kazantsev M.K., Zundel M.K., Eberl K.; Near field scanning optical spectroscopy of InP single quantum dots; Pis'ma v ZhETF; 66 (7), 497-501, (1997)

709. Okamoto Т., Yamaguchi I.; Near-field scanning optical microscope using a gold particle; Jpn. J. Appl. Phys.; 36 (2A), L166-L169, (1997)

710. Э. Kiguchi M., Kato M., Ishibashi M.; Observation of color image using near-field optical microscope; Jpn. J. Appl. Phys.; 36 (5B), L611-L612, (1997)

711. Yang Y.T, Heh D, Wei P.K, Fann W.S, Gray M.H, Hsu J.W.P.; Vibration dynamics of tapered optical fiber probes; J. Appl. Phys.; 81 (4), 1623-1627, (1997)

712. Martin O.J.F, Girard C.; Controlling and tuning strong optical field gradients at a local probe microscope tip apex; Appl. Phys. Lett.; 70 (6), 705-707, (1997)

713. Lacoste T, Huser T, Heinzelmann H.; Faraday rotation imaging by near - field optical microscopy; Z. Phys. B; 104, 2, 183-184, (1997)

714. Davis C.C, Atia W.A, Gungor A, Mazzoni D.L, Pilevar S, Smolyaninov I.I.; Scanning near-field optical microscopy and lithography with bare tapered optical fibers; Laser Physics; 7 (1), 243-256, (1997)

715. Sandoghdar V, Wegscheider S, Krausch G, Mlynek J.; Reflection scanning near-field opticalmicroscopy with uncoated fiber tips: how good is resolution really?; J. Appl. Phys.; 81 (6), 2499-2503, (1997)

716. J. Opt. Soc. Am. B; 14, 9, 2254-2259, (1997)

717. Huntington S.T, Nugent K.A, Roberts A, Mulvaney P, Lo K.M.; Field characterization of a Dshaped optical fiber using scanning near-field optical microscopy; J. Appl. Phys.; 82 (2), 510, (1997)

718. Carminati R, Madrazo A, Nieto-Vesperinas M, GrefFet J.-J.; Optical content and resolution ofnear-field optical images: Influence of the operating mode; J. Appl. Phys.; 82 (2), 501, (1997)

719. Tamaru H, Miyano K.; Non-optical shear-force detection for scanning near-field optical microscope; Jpn. J. Appl. Phys.; 36, L821-L823, (1997)

720. Kim K.H, Eah S.-K, Cho C.H, Jhe W.; A novel digital feedback scheme of shear-force control in near-field scanning optical microscopy; Rev. Sci. Instrum.; 68 (7), 2783, (1997)

721. Weston K.D, Buratto S.K.; A reflection near-field scanning optical microscope technique for subwavelength resolution imaging of thin organic films; J. Phys. Chem.; В 101 (29), 5684-5691, (1997)

722. Herzog W.D, Unlur M.S., Goldberg B.B, Rhodes G.H, Harder C.; Beam divergence and waist measurements of laser diodes by near-field scanning optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; 70 (6), 688690, (1997)

723. Crowell P.A, Young D.K, Keller S, Hu E.L, Awschalom D.D.; Near-field scanning optical spectroscopy of an InGaN quantum well; Appl. Phys. Lett.; v.72, No8, p.927-929, (1998)

724. Castagne M, Belier B, Gall P, Benfedda M, Seassal C, Spisser A, Leclerc J.L, Viktorovich P.; New optical probes using InP-based cantilevers; Ultramicroscopy; v.71, p.81-84, (1998)

725. Merz J.L, Lee S, Furdyna J.K.; Self-organized growth, ripening, and optical properties of widebandgap II/VI quantum dots; Journal of Crystal Growth; v. 184/185, p.228-236, (1998)

726. Kazantsev D, Gippius N.A, Oshinowo J, Forchel A.; Direct measurement of photoluminescence spatial distribution near the GaAs/AlGaAs quantum well edge using a scanning near-field optical microscope; Ultramicroscopy; v.71, p.235-241, (1998)

727. Nagahara L.A, Nakamura M, Tokumoto H.; Investigation of mesoscopic domains in thin organic films using near-field optical absorption mapping; Ultramicroscopy; v.71, p.281-285, (1998)

728. Kazantsev D.V.; A simple scanning head for scanning near-field optical microscope; Ultramicroscopy; v.71, p. 191-198, (1998)

729. Essadi N, Chen Y, Kottler V, Cambril E, Mayeux C, Ronarch N, Vieu C.; Fabrication and characterization of optical fiber nanoprobes for scanning near - field optical microscopy; Appl. Optics; v.37, No4, p.609-615, (1998)

730. Couijon D, Spajer M, Baida F, Bainier C, Davy S.; Near-field optical microscopy : fifteen years of existence; Condensed matters news; v.6, p. 14-20, (1998)

731. Abe M, Sugawara Y, Hara Y, Sawada K, Morita S.; Force imaging of optical near field noncontact mode atomic force microscopy; Jpn. J. Appl. Phys.; v.37, p.2, (1998)

732. Bryant G. W.; Probing quantum nanostructures with near field optical microscopy and vice versa; Appl. Phys. Lett.; v.72, No7, p.768-770, (1998)

733. Kazantsev D, Guttroff G, Bayer M, Forchel A.; Sample temperature measurement in a scanning near-field optical microscope; Appl. Phys. Lett.; v.72, No6, p.689, (1998)

734. Danzebrink H.U, Castiaux A, Girard C, Bouju X.; Transmission scanning near-field optical microscopy with uncoated silicon tips; Ultramicroscopy; v.71, p.371-377, (1998)

735. Sturmer H, Kohler J. M, Jovin Т. M.; Microstractured polymer tips for scanning near-field optical microscopy; Ultramicroscopy; v.71, p.107-110, (1998)

736. Webster S, Smith D.A, Ba D.N.; Application of fluorescence scanning near-field optical microscopy to the study of phase-separated conjugated polymers; Ultramicroscopy; v.71, p.275-279, (1998)

737. Lambelet P, Pfeffer M, Sayah A, Marquis-Weible F.; Reduction of tip-sample interaction forcesfor scanning near-field optical microscopy in a liquid environment; Ultramicroscopy; v.71, p. 117-121, (1998)

738. Mei E, Higgins D. A.; Polymer dispersed liquid crystal films studied by near - field scanning optical microscopy; Langmuir; v. 14, No8, p. 1945-1950, (1998)

739. Lewis A, Radko A, Ami N.B, Palanker D, Lieberman K.; Near-field scanning optical microscopy in cell biology; Trends in Cell Biology; v.9, No. Feb, p.70-73, (1999)

740. Э4. Abe M, Sugawara Y, Sawada K, Andoh Y, Morita S.; Near-field optical imaging using force detection with new tip-electrode geometry; Appl. Surface Sci.; v. 140, p.383-387, (1999)икроскопия боковых сил (МБС) и БОМ

741. Betzig Е, Finn P.L, Weiner J.S.; Combined shear force and near-field scanning optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; 60 (20), 2484-2486, (1992)

742. Leong J.-K, Williams C.C.; Shear force microscopy with capacitance detection for near-fieldscanning optical microscopy; Appl. Phys. Lett.; 66 (11), 1432-1434, (1995)

743. Smolyaninov I.I, Mazzoni D.L, Davis C.C.; Near-field direct-write ultraviolet lithography and shear force microscopic studies of the lithographic process; Appl. Phys. Lett.; 67 (26), 3859-3861, (1995)

744. Bozhevolnyi S.I, Smolyaninov I.I, Keller 0.; Correlation between optical and topographicalimages from an external reflection near-field microscope with shear force feedback; Applied Optics; 34 (19), 3793-3799, (1995)

745. Brunner R, Bietsch A, Hollricher O, Marti O.; Distance control in near-field optical microscopywith piezoelectrical shear-force detection suitable for imaging in liquids; Rev. Sci. Instrum.; 68 (4), 1769, (1997)

746. Wei C.-C, Wei P.-K, Fann W.; Direct measurements of the true vibrational amplitudes in shear force microscopy; Appl. Phys. Lett.; 67 (26), 3835-3837, (1995)

747. Durkan C, Shvets I.V.; Study of shear force as a distance regulation mechanism for scanning near-field optical microscopy; J. Appl. Phys.; 79 (3), 1219-1223, (1996)

748. Zhu X, Huang G.S, Zhou H.T, Dai Y.D.; A novel ultrasonic resonance sample-tip distance regulation for near field optical microscopy and shear force microscopy; Solid State Communications; 98 (7), 661-664, (1996)

749. Moyer P.J, Kammer S.B.; High-resolution imaging using near-field scanning optical microscopy and shear force feedback in water; Appl. Phys. Lett.; 68 (24), 3380-3382, (1996)

750. Zvyagin A. V, White J. D, Kourogi M, Kosuma M, Ohtsu M.; Solution to the bistability problem in shear force distance regulation encountered in scanning force and near force optical microscopes; Appl. Phys. Lett.; 71 (17), 2541-2543, (1997)

751. Okajima T, Hirotsu S.; Study of shear force between glass microprobe and mica surface under controlled humidity; Appl. Phys. Lett.; 71 (4), 545-547, (1997)

752. Carpick R.W, Ogletree D.F, Salmeron M.; Lateral stiffness: A new nanomechanical measurement for the determination shear force strength with friction force microscopy; Appl. Phys. Lett.; 70 (12), 1548, (1997)

753. Williamson R.L, Brereton L.J, Antognozzi M, Miles M.J, Wills H.H.; Are artifacts in scanning near-field optical microscopy related to the misuse of shear force?; Ultramicroscopy; 71, 165-175, (1998)

754. Muramatsu H, Yamamoto N, Umemoto T, Homma K; A self-sensitive probe composed of apiezoelectric tuning fork and a bent optical fiber tip for scanning near-field optical/atomic force microscopy; Jpn. J. Appl. Phys.; 36 (9A), 5753-5758, (1997)

755. Ruiter A.G.T, Veerman J.A, van der Werf K.O, van Hulst N.F, Dynamic behavior of tuningfork shear-force feedback// Appl. Phys. Lett. 71 (7), 28, (1997)

756. Ruiter A.G.T, van der Werf K.O, Veerman J.A, Garcia-Parajo M.F, Rensen W.H.J, van Hulst N.F, Tuning fork shear-force feedback// Ultramicroscopy, V.71, p. 149-157, (1998)1. Токи растекания в ACM

757. Hosaka S, Koyanagi H, Hasegawa T, Hosoki S, Observation of natural oxide growth on silicon facets using an atomic force microscopy with current measurements// J. Appl. Phys, 72 (2), 688-691, (1992)

758. Maywald M, Stephan R.E, Balk L.J, Evalution of an epitaxial layer structure by lateral force and contact current measurements in a scanning force microscope// Microelectronic Engineering, 24, 99106, (1994)

759. Ishii M, Matsumoto K, Control of current in 2DEG channel by oxide wire formed using AFM// Jpn. J. Appl. Phys, 34 (2B), 1329-1331, (1995)

760. Tanimoto M, Kanisawa K, Shinohara M, Nanometer-scale current-voltage spectra measurement of resonant tunneling diodes using scanning force microscopy// Jpn. J. Appl. Phys, 35 (2B), 1154-1158, (1996)

761. Fujisawa H, Shimizu M, Horiuchi T, Shiosaki T, Matsushige K. Investigation of the current path of Pb(Z,Ti)03 thin films using an atomic force microscope with simultaneous current measurement// Appl. Phys. Lett, 71 (3), 416-418, (1997)

762. Yamamoto S, Kawaguchi A, Oda S, Anomalous current-voltage characteristics along the c-axis in YBaCuO thin films prepared by MOCVD and AFM lithography// Physica C, V.293, p.244-248, (1997)

763. Xu Q, Gray M.H, Hsu J.W.P, Resolution and contrast in near-field photocurrent imaging of defects on semiconductors// J. Appl. Phys, 82 (2), 748, (1997)

764. Lienau Ch, Richter A, Tomm J.W, Near-field photocurrent spectroscopy: A novel technique for studying defects and aging in high-power semiconductor lasers// Appl. Phys, A 64 (4), 341-351, (1997)

765. Watanabe Y, Sawamura D, Okano M, Toyama N, Leakage current spectroscopy of epitaxial ferroelectric r semiconductor heterosructures and their memory effect// Applied Surface Science, V.130-132, p.682-688, (1998)1. Микромашины

766. Blanc N., Brugger J., De Rooij N.F., Electrostatically actuated silicon micromashined sensors for scanning force microscopy// In: Forces in Scanning Probe Methods, 79-84, (1995)

767. Goto К., Hane K., Micromachining with a force microscope tip assisted by electrostatic force// Rev. Sci. Instrum, 67 (2), 397-400, (1996)

768. Исследование физико-химических, физических и пр. процессов методами СЗМ

769. Hasegawa Т, Kohno М, Hosaka S, Hosoki S, Dynamic observation of Si crystal growth on a Si(l 11)7x7 surface by high-temperature scanning tunneling microscopy// Phys. Rev, В 48 (3), 1943-1946. (1992)

770. Ludwig C, Petersen J, Gompf B, Eisenmenger W, Molecular structure and dynamics of polymer monolayers observed with a video-STM// Phys. Stat. Sol. A 131, 25, (1992)

771. Gao X, Edens G.J, Hamelin A, Weaver M.J, Real-time formation and dissipation mechanisms of hexagonal reconstruction on Au(100) in aqueous media as explored by potentiodynamic scanning tunneling microscopy// Surface Science, 296, 333-351, (1993)

772. Gao X, Weaver M.J, Electrode potential-induced reconstruction of Au(100): effect of hemisorp-tion on nanoscale dynamics as probed by in-situ scanning tunneling microscopy// J. Phys. Chem, 97 (34), 8685-8689,(1993)

773. Lagally M.G, An atomic-level view of kinetic and thermodynamic influences in the growth of thin films//Jpn. J. Appl. Phys, 32, (3B), 1493-1501, (1993)

774. Luthi R, Haefke H, Gutmannsbauer W, Meyer E, Howald L, Guntherodt H.-J, Statics and dynamics of ferroelectric domains studied with scanning force microscopy// J. Vac. Sci. Technol, В 12 (4), 2451-2455,(1994)

775. Ruipers L, Hoogeman M.S., Frenken J.W.M, van Beijeren H, Step and kink dynamics on Au(l 10) and Pb(l 11) studied with a high-speed STM// Phys. Rev, В 52 (15), 11387-11397, (1995)

776. Onishi H, Iwasawa Y, Dynamic visualization of a metal-oxide-surface/gas-phase reaction: time-resolved observation by scanning tunneling microscopy at 800K// Phys. Rev. Lett, 76 (5), 791-794, (1996)

777. Saint Jean M., Hudlet S., Guthmann C., Berger J., Charge dynamics and time evolution of contact potential studied by atomic force microscopy// Phys. Rev. B, V.56, No23,15391-15359, (1997)

778. Hibder H.R., Schlogl R., Oelhafen P., Gunterodt H.-J., Ringger M., "Nanometer lithography with the STM" Appl. Phys. Lett., 46 (9), 832, (1985).

779. Ringger M., Hidber H.R., Schlogl R., Oelhafen P., Guntherodt H.-J., "Nanometer Lithographywith the Scanning Tunneling Microscope" Appl. Phys. Lett., 46 (9), 832-834, (1985).

780. Schneir J., Hansma P.K., "Scanning tunneling microscopy and lithography of solid surfaces covered with nonpolar liquids" Langmuir, 3(6), 1025-1027, (1987).

781. McCord M.A., Pease R.F.W., "The effect of reflected and secondary electrons on lithography with the scanning tunneling microscope" Surface Science, 181, 278-284, (1987).

782. Schneir J., Sonnenfeld R., Marti 0., Hansma P.K., Demuth J.E., Hamers R.J., "Tunneling microscopy, lithography, and surface diffusion on an easily prepared, atomically flat gold surface" J. Appl. Phys., 63 (3), 717-721, (1988).

783. Marrian C.R.K., Colton R.J., "Low-voltage electron beam lithography with a scanning tunneling microscope" Appl. Phys. Lett., 56 (8), 755-757, (1990).

784. Nagahara L.A., Thundat Т., Lindsay S.M., "Nanolithography on semiconductor surfaces under an etching solution" Appl. Phys. Lett., 57 (3), 270-272, (1990).

785. Marrian C.R.K., Dobisz E.A., Colton R. J.t, "Lithographic studies of an e-beam resist in a vacuum scanning tunneling microscope" J. Vac. Sci. Technol., A 8 (4), 3563-3569, (1990).

786. Yau S.-T., Zheng X., Nayfeh M.H., "Nanolithography of chemically prepared Si with a scanning tunneling microscope" Appl. Phys. Lett., 59 (19), 2457-2459, (1991).

787. Dobisz E.A., Marrian C.R.K., "Scanning tunneling microscope lithography: a solution to electron scattering" J. Vac. Sci. Technol., В 9(6), 3024-3027, (1991).

788. Dagata J.A., Tseng W., Bennett J., Schneir J., Harary H.H., "Nanolithography on III-V semiconductor surfaces using a scanning tunneling microscope operating in air" J. Appl. Phys., 70 (7), 3661-3665,(1991).

789. Dobisz E.A., Marrian C.R.K., "Sub-30 шп lithography in a negative electron beam resist with a vacuum scanning tunneling microscope" Appl. Phys. Lett., 58 (22), 2526-2528, (1991).

790. Dagata J.A., Tseng W., Bennett J., Dobisz E.A., Schneir J., Harary H.H., "Integration of scanning tunneling microscope nanolithography and electronics device processing" J. Vac. Sci. Technol., A 10 (4), 2105-2113,(1992).

791. Koester S.J, Bazan G, Bernstein G.H, Porod W, "Fabrication of ultrasmall tunnel junctions by electron-beam lithography" Rev. Sci. Technol, 63 (3), 1918-1921, (1992).

792. Morgan C, Chen G.S, Boothroyd C, Bailey S, Humphreys C, "Ultimate limits of lithography" -Physics Today, 28-32, November, (1992).

793. Sugimura H, Uchida T, Kitamura N, Masuhara H, "Tip-induced anodization of titanium surfaces by scanning tunneling microscopy: a humidity effect on nanolithography" Appl. Phys. Lett, 63 (9), 1288-1290, (1993).

794. Grey F, Huang D.H, Kobayashi A, Snyder E.J, Uchida H, Aono M, "Detection of single atom extraction and deposition events during nanolithographic processing of silicon with a scanning tunneling microscope" Proc. Japan Acad, В 69 (5), 101-106, (1993).

795. Ross C.B, Sun L, Crooks R.M, "Scanning probe lithography. 1. Scanning tunneling microscopeinduced lithography of self-assembled n-alkanethiol monolayer resists" Langmuir, 9 (3), 632-636, (1993).

796. Heyvaert I, Osquiguil E, Van Haesendonck C, Bruynseraede Y, "Lithography of YBa2Cu307supercondacting thin fihns with a scanning tunneling microscope" In, Nanolithography : a borderland between STM, EB, IB and X-ray Lithographies, 207-212, (1994).

797. Dagata J.A, "STM nanolithography and characterization of passivated silicon and gallium arsenide" In: Nanolithography: a borderland between STM, EB, IB and X-ray Lithographies, 189-196, (1994).

798. Marrian C.R.K, Perkins F.K, Brandow S.L, Koloski T.S, Dobisz E.A, Calvert J.M, "Low voltage e-beam lithography with the scanning tunneling microscope" In: Nanolithography : a borderland between STM, EB, IB and X-ray Lithographies, 175-188, (1994).

799. Thibaudau F, RocheJ.R, Salvan F, "Nanometer-scale lithography on Si surface by decomposition of ferrocene molecules using a scanning tunneling microscope" Appl. Phys. Lett, 64 (4), 523-525, (1994).

800. Schoer J.K, Ross C.B, Crooks R.M, Corbitt T.S, Hampden-Smith M.J, "Scanning probe lithography. 2. Selective chemical vapor deposition of copper into scanning tunneling microscope-defined patterns" Langmuir, 10 (3), 615-618, (1994).

801. Physica Scripta, T 55, 86-89, (1994).

802. Van Haesendonck C, Stockman L, Neuttiens G, Strunk C, Bruynseraede Y, "Nanolithographic patterning of Au films with a scanning tunneling microscope" J. Vac. Sci. Technol, В 13 (3), 1290-1293, (1995).

803. Xu L.S, Allee D.R, "Ambient scanning tunneling lithography of Langmuir-Blodgett and self-assembled monolayers" J. Vac. Sci. Technol, В 13 (6), 2837-2840, (1995).

804. Mayer T.M, Adams D.P, Marder B.M, "Field emission characteristics of the scanning tunneling microscope for nanolithography" J. Vac. Sci. Technol, В 14 (4), 2438-2444, (1996).

805. Schoer J.K, Crooks R.M, "Scanning probe lithography. 4. Characterization of scanning tunnelingmicroscope induced patterns in n-alkanethiol self- assembled monolayers" - Langmuir, 13 (8), 2323-2332, (1997).1. ACM литография

806. Chou S.Y, Wei M.S, Fischer P.B, "An ultra-high resolution single-domain magnetic force microscope tip fabricated using nanolithography" IEEE Transactions on Magnetics, 30 (6), 4485, (1994).

807. Sohn L.L, Willett R.L, "Fabrication of nanostructures using atomic-force-microscope-basedlithography" Appl. Phys. Lett, 67 (11), 1552-1554, (1995).

808. Minne S.C, Flueckiger Ph, Soh H.T, Quate C.F, "Atomic force microscope lithography using amorphous silicon as a resist and advances in parallel operation" J. Vac. Sci. Technol, В 13 (3), 13801385, (1995).

809. Demir U, Balasubramanian K.K, Cammarata V, Shannon C, "Scanning probe lithography of novel Langmuir-Schaefer films: electrochemical applications" J. Vac. Sci. Technol, В 13 (3), 12941299, (1995).

810. Wenden M, Lorenz H, Kotthaus J.P, "Sharpened electron beam deposited tips for high resolution atomic force microscope lithography and imaging" Appl. Phys. Lett, 67 (25), 3732-3734, (1995).

811. Servat J, Gorostiza P, Sanz F, Perez-Murano F, Barniol N, Abadal G, Aymerich X, "Nanometer scale lithography of silicon(lOO) surfaces using tapping mode atomic force microscopy" J. Vac. Sci. Technol, A 14 (3), 1208-1212, (1996).

812. Schoer J.K, Zamborini F.P, Crooks R.M, "Scanning probe lithography. 3. Nanometer-scale electrochemical patterning of Au and organic resists in the absence of intentionally added solvents or electrolytes" J. Phys. Chem, 100 (26), 11086-11091, (1996).

813. Sugimura H, Nakagiri N, "Electrochemical nanolithography using scanning probe microscopy: fabrication of patterned metal structures on silicon substrates" Thin Solid Films, 281-282, 572-575,1996).

814. Sugimura H, Nakagiri N, "Scanning probe anodization: nanolithography using thin films of anodically oxidizable materials as resists" J. Vac. Sci. Technol, A 14 (3), 1223-1227, (1996).

815. Quate C.F, "Scanning probes as a lithography tool for nanostructures" Surface Sci, 386, 259264, (1997).

816. Hung C. J, Gui J, Switzer J. A, "Scanning probe nanolithography of conducting metal oxides" -Appl. Phys. Lett, 71 (12), 1637-1639, (1997).

817. Mohl T, Brbckl H, Weise G, Reiss G, "Nanometer scale lithography in thin carbon layers using electric field assisted force microscopy" - J. Appl. Phys, 82 (10), 5255-5258, (1997).

818. Held R, Heinzel T, Studerus P, Ensslin K, Holland M, "Semiconductor quantum point contact fabricated by lithography with an atomic force microscope" Appl. Phys. Lett, 71 (18), 2689-2691,1997).

819. Maruyama H, Kosai N, Sato T, Sagisaka S, Segawa H, Shimidzu T, Tanaka K, "Nanometer -scale lithography on the oligosilane Langmuir Blodgett films" - Jpn. J. Appl. Phys, 36, 1, 7312-7316, (1997).

820. Li S.F.Y, Ng H.T, Zhang P.C, Ho P.K.H, Zhou L, Bao G.W, Chan S.L.H, "Submicrometer lithography of a silicon substrate by machining of photoresist using atomic force microscopy followed by wet chemical etching" Nanotechnology, 8 (2), 76-81, (1997).

821. Cai X.W, Gao J.S, Xie Z.X, Xie Y, Tian Z.Q, Mao B.W, "Nanomodification of polypyrrole and polyaniline on highly oriented pyrolytic graphite electrodes by atomic force microscopy" Langmuir, 14 (9), 2508-2514, (1998).

822. Grigoropoulos S, Nassiopoulos A.G, Travlos A, Papadimitriou D, Kennou S, Ladas S,

823. Characterization of light emitting silicon nanopillars produced by lithography and etching" Applied Surface Science, 102, 377-380, (1996).

824. Madsen S, Bozhevolnyi S.I, Birkelund K, Mullenbom M, Hvam J.M, Grey F, "Oxidation of hydrogen-passivated silicon surfaces by scanning near-field optical lithography using uncoated and aluminum-coated fiber probes" J. Appl. Phys, 82 (1), 49, (1997).

825. Biebuyck H.A, Larsen N.B, Delamarche E, Michel B, "Lithography beyond light: microcontact printing with monolayer resists" IBM J. Res. Develop, 41 (1/2), (1997).

826. Микроисточники для нанолитографии

827. Российская школа СЗМ Школа Хайкина М.С.

828. Хайкин М.С, Трояновский А.М, "Сканирующий туннельный микроскоп с модуляцией туннельного промежутка и в жидкой среде" Письма в ЖТФ, 11 (20), 1236-1241 (1985). ИФП РАН,

829. Володин А.П, Хайкин М.С, "Быстродействующий сканирующий туннельный микроскоп и его применение для наблюдения кинетики магнитных явлений" Письма в ЖТФ, 12 (21), 12931297 (1986).

830. Хайкин М.С, Трояновский А.М, Эдельман В С, Пудалов В.М, Семенчинский С.Г, "Сканирующая туннельная микроскопия границы раздела Si-Si02 в МДП- структуре" Письма в ЖЭТФ, 44(4), 193-197 (1986).

831. Голямина Е.М, Трояновский А.М, "Исследование пленочных структур Nb-окись Nb-Pb при помощи сканирующего туннельного микроскопа" Письма в ЖЭТФ, 44 (6), 285-287 (1986)

832. Володин А.П, Копецкий Ч.В, Степанян Г.А, Хайкин М.С, Эдельман В.С, "Совмещение сканирующего туннельного и растрового электронного микроскопов в едином приборе" Письма в ЖТФ, 13 (2), 1251 (1987).

833. Хайкин М.С, Володин А.П, Трояновский А.М, Эдельман В.С, "Сканирующие туннельные микроскопы" ПТЭ, 4, 231-232 (1987).

834. Хайкин М.С, "Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия" УФН, 155(1), 158-159 (1988).

835. Хайкин М.С, "Сканирующий туннельный микроскоп с большим полем зрения" ПТЭ, 1, 161-165 (1989).

836. Альтфедер И.Б., Володин А.П., Хайкин М.С, "Малогабаритный низкотемпературный сканирующий туннельный микроскоп" ПТЭ, No 5, 188-190, (1989).

837. Володин А.П., Степанян Г.А., Хайкин М.С., Эдельман В.С, "Сканирующий туннельный микроскоп с большим полем зрения, совместимый с растровым электронным микроскопом" -ПТЭ, No 5, 185-187, (1989)

838. Эдельман В.С, "Сканирующая туннельная микроскопия" ПТЭ, No 5, 25-49 (1989)

839. Эдельман В.С, "Высоковакуумный сканирующий туннельный микроскоп" ПТЭ, No 4,149.153, (1989)

840. Володин А.П., Панич А.Е, "Применение пьезокерамических материалов ПКР в низкотемпературных сканирующих туннельных микроскопах" -ПТЭ, 5, 190-193 (1989).

841. Альтфедер И.Б., Володин А.П., Макаренко И.Н., Стишов С.М, "Энергетическая щель в YBa2Cu30x по данным туннельных исследований монокристаллов" Письма в ЖЭТФ, 50 (11), 458-461, (1989).

842. Smolyaninov I.I., Khaikin M.S., Edelman Y.S., "Light emission from the tunneling junction of the scanning tunneling microscope" Physics Letters, A 149 (7/8), 410-412, (1990)

843. Troyanovskij A.M., Hietschold M., Khaikin M.S., Androsch I., Vollmann W., Starke M., "Scanning tunneling microscopy investigations of organic thin film topography" Thin Solid Films, 188, 329-333,(1990)

844. Володин А.П., Марчевский M.B., Хайкин М.С, "Магнитосиловой сканирующий микроскоп"-ПТЭ, 2, 165-171 (1991)

845. Эдельман В.С, "Развитие сканирующей туннельной микроскопии" УФН, 161(3), 168-171 (1991)

846. Edelman V.S., Fionova L.K., Polyak L.E., Stepanyan G.A., Volodin A.P., Stepantsov E.A., "The scanning tunneling microscope investigation of Grain boudaries in silicon" Phys. Stat. Sol., A 123 (1), 193-199, (1991).

847. Troyanovskii A.M., Edelman V.S., "STM investigation of a multilayer semiconductor structure" -Phys. Stat. Sol., A 131, 11-18, (1992).

848. Володин А.П, Новое в сканирующей зондовой микроскопии// ПТЭ, № 6, с. 3-42, (1998)

849. Трояновский A.M., Эдельман B.C. Неоднородные электронные состояния у поверхности скола висмута// Зондовая микроскопия 99. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 10-13 марта 1999 г., стр. 74 - 84.1. МГУ, Школа Панова В.И.

850. Панкратов С, Панов В.И, "Поверхности твердых тел" Наука и жизнь, No 5/6, 34-41, 6165 (1986).

851. Васильев С.И, Леонов В.Б, Панов В.И, Савинов С.В, "Сканирующая туннельная микроскопия в воздушной среде" ДАН СССР, 297(6), 1351-1354 (1987).

852. Васильев С.И, Леонов В.Б, Панов В.И, "Сканирующий туннельный микроскоп высокого разрешения" Препринт физич.ф-та МГУ, No 14, 1-5, (1987).

853. Васильев С.Н, Леонов В.Б, Панов В.И, "Сканирующий туннельный микроскоп для исследования структурно неоднородных поверхностей" Письма в ЖТФ, 13 (15), 937-941, (1987).

854. Moiseev Yu.N, Mostepanenko V.M, Panov Y.I, Sokolov I.Yu, "Force dependences for the definition of the atomic force microscopy spatial resolution" Phys. Lett, A 132 (6/7), 354-358, (1988).

855. Панов В.И, "Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхности" УФН, 155(1), 155-158 (1988).

856. Акципетров О .А, Васильев С.И, Панов В.И, "Роль шероховатости в гигантском комбинационном рассеянии и сканирующая туннельная микроскопия поверхности" Письма в ЖЭТФ, 47(4), 187-190, (1988).

857. Акципетров О.А, Васильев С.И, Панов В.И, "Сканирующая туннельная микроскопия поверхности "холодных" пленок серебра и генерация гигантской второй гармоники" ЖЭТФ, 94(5), 256-260, (1988).

858. Алекперов С.Д, Васильев С.А, Кононенко А.А, Лукашов Е.П, Панов В.И, Семенов А.Э, "Сканирующая туннельная микроскопия фотосинтетических реакционных центров" ДАН СССР, 303(2), 341-344, (1988).

859. Васильев С.Н,Леонов В.Б,Моисеев Ю.Н, Панов В.И, "Атомная силовая микроскопия поверхности диэлектриков" Препринт физич.ф-та МГУ, 2, 1-5 (1988).

860. Васильев С.И, Леонов В.Б, Моисеев Ю.Н, Панов В.И, "Сканирующая микроскопия поверхности, использующая силы межатомного взаимодействия" Письма в ЖТФ, 14 (8), 727-731 (1988).

861. Alekperov S.D, Vasiljev S.I, Kononenko A.A, Lukashev E.P, Panov V.I, Semenov A.E, "Scanning tunneling microscopy of photosynthetic reaction centers" Chem. Phys. Lett, 164 (2/3), 151154, (1989).

862. Маслова Н.С, Панов В.И, "Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций" УФН, 157(1), 185-195 (1989).

863. Алекперов С.Д, Васильев С.И, Леонов В.Б, Панов В.И, Семенов А.Э, "Исследование асимметрии атомного изображения поверхностной решетки графита методом СТМ" ДАН СССР, 307(5), 1104-1108, (1989).

864. Моисеев Ю.Н, Мостепаненко В.М, Панов В.И, Соколов И.Ю, "Ограничение на параметры дальнодействия юкавовского типа из атомно-силовой микроскопии" ДАН АН СССР, 304 (5), 1127-1130(1989).

865. Моисеев Ю.Н, Мостепаненко В.М, Панов В.И, Соколов И.Ю, "Спектроскопия межатомных взаимодействий методом атомно-силовой микроскопии" Письма в ЖТФ, 15 (20), 5-10 (1989).

866. Aktsipetrov O.A, Nikulin A.A, Panov V.I, Vasil ev S.I, "Surface enhanced second harmonic generation in cold deposited silver films and scanning tunneling microscopy" Solid State Communications, 73 (6), 411-415, (1990).

867. Кононенко А.А, Лукашев Е.П, Панов В.И, Федоров Е.А, "Сканирующая туннельнаямикроскопия функционально активных фрагментов мембран галобактерий, содержащих бакте-риородопсин" ДАН СССР, 315 (5), 1252-1255 (1990).

868. Моисеев Ю.Н, Панов В.И, Савинов С.В, Яминский И.В, "Атомно-силовая микроскопия поверхности" Электронная промышленность, 3 (1991).

869. Васильев С.И, Савинов С.В, Яминский И.В, "Методы изготовления острий для сканирующего туннельного микроскопа" Электронная промышленность, 3, (1991).

870. Васильев С.И, Моисеев Ю.Н, Никитин Н.И, Савинов С.В, Яминский И.В, "Сканирующий туннельный микроскоп "Скан": конструкция и области применения" Электронная промышленность, 3, (1991).

871. Моисеев Ю.Н, Панов В.И, Савинов С.В, "Влияния локального трения на АСМ-изображение структуры поверхности" Письма в ЖТФ, 17 (10), 24-28 (1991).

872. Васильев С.И, Казанцев Д.В, Моисеев Ю.Н, Панов В.И, Савинов С.В, Яминский И.В, "Приборы локального зондирования поверхности" Электронная промышленность, 10, 29-33, (1993).

873. Акципетров О.А, Захарченко В.В, Казанцев Д.В, Кобляков Н.В, Панов В.И, Яминский И.В, "Электрохимический сканирующий туннельный микроскоп" Электронная промышленность, 10, 38-40, (1993).

874. Васильев С.И, Моисеев Ю.Н, Панов В.И, Савинов С.В, Яминский И.В, Герасимов А.В,

875. Зиневич А.Я, Саморуков В.Д, "Сканирующий туннельный атомно-силовой микроскоп "СКАН-8" Электронная промышленность, 10, 34-36, (1993).

876. Ю. Яминский И.В, "Сканирующая туннельная микроскопия" Электронная промышленность,10, 62-63, (1993).

877. И. Казанцев Д.В, Савинов С.В, Яминский И.В, "Высоковольтный усилитель для пьезоманипулятора сканирующего туннельного микроскопа" Электронная промышленность, 10, 40-42, (1993).

878. Яминский И.В, "Работы ученых МГУ в области туннельной спектроскопии и наноэлектроники" Электронная промышленность, 10, 25-28, (1993)

879. Christenson Н.К, Yaminsky V.V, "Adhesion and solvation forces between surfaces in liquidsstudied by vapor-phase experiments" Langmuir, 9 (9), 2448-2454, (1993)

880. Dneprovskii V, Eev A, Gushina N, Okorokov D, Panov V, Karavanskii V, Maslov A, Sokolov V, Dovidenko E, "Strong optical nonlinearities in quantum wires and dots of porous silicon" -Phys. Stat. Sol, В 188 (1), 297-306, (1995).

881. Maslova N.S, Oreshkin A.I, Panov V.I, Savinov S.V. Kalachev A.A, Rabe J.P, "STM evidence of dimensional quantization on the nanometer size surface defects" Solid State Communications, 95 (8), 507-510, (1995).

882. Yaminsky V.V, Christenson H.K, "Thermodynamic analysis of solute effects on oscillatory solvation forces" J. Phys. Chem, 99 (14), 5176-5179, (1995)

883. Яминский И.В, "Сканирующая зондовая микроскопия. Методы и аппаратура" Российский химический журнал, XL(1), 111-120 (1996)

884. J. Uvarov V. Yu, Ivanov Yu. D, Romanov A. N, Gallyamov M. O, Kiselyova О. I, Yaminsky I.

885. V, "Scanning tunneling microscopy study of cytochrome P450 2B4 incorporated in proteoliposomes" -Biochimie, 78, 780-784, (1996)

886. Васильев С.И, Орешкин С.И, Панов В.И, Савинов С.В, Van Haesendonck С, Depuydt А, "Низкотемпературный сканирующий туннельный микроскоп для исследований в магнитном поле"- Приборы и техника эксперимента, (4), 140-145, (1997).

887. Васильев С.И, Орешкин С.И, Панов В.И, Савинов С.В, Хаезендонк К.Ван, Депуйдт А, "Низкотемпературный сканирующий туннельный микроскоп для исследований в магнитном поле"- Препринт 5/1997 Физического ф-та МГУ, No 5, 1-10, (1997).

888. Киселева О. И, Яминский И. В, "Белки и белок-мембранные комплексы" Учебное пособие "Сканирующая зондовая микроскопия биополимеров", серия "Сканирующая зондовая микроскопия" Вып. 1 / под ред. д.ф.-м.н. И. В. Яминского. М.: Научный мир,, 41-69, (1997).

889. Галлямов М. О, Яминский И. В, "Нуклеиновые кислоты" Учебное пособие "Сканирующая зондовая микроскопия биополимеров", серия "Сканирующая зондовая микроскопия" Вып. 1 / под ред. д.ф.-м.н. И. В. Яминского. М. :Научный мир,, 25-40, (1997).

890. Яминский И. В, "Зондовая микроскопия: методы и аппаратура" Учебное пособие "Сканирующая зондовая микроскопия биополимеров", серия "Сканирующая зондовая микроскопия" Вып. 1 / под ред. д.ф.-м.н. И. В. Яминского. М.:Научный мир,, 13-17, (1997).

891. Ф, "Явление потери устойчивости жесткого покрытия при деформировании полимера-подложки"- Высокомолекулярные соединения, 39 (11), 1805-1811, (1997).

892. Яминский И. В, Демин В. В, Бондаренко В. М, "Различия в клеточной поверхностигибридных бактерий Escherichia coli К12, наследующих rfb аЗ,4 ген Shigella flexneri, выявляемые с помощью атомно-силовой микроскопии" Журнал микробиологии, (6), 15-18, (1997).

893. Arseyev P. I, Depuydt A, Maslova N. S, Panov V. I, Savinov S. V, "Problems of low-temperature STM application to the high-temperature superconductors investigation" Phys. Low-Dim. Struct,, 131-140,(1997).

894. Sergeyev V. G, Pyshkina O. A, Gallyamov M. 0, Yaminsky I. V, Zezin A. B, Kabanov V. A, "DNA-Surfactant Complexes in Organic Media" Progress In Colloid & Polymer Science, 106, 198-203,1997)

895. Акципетров О. А, Дорфман В. Ф, Мишина Е. Д, Моисеев Ю. Н, Мурзина Т. В, Панов В.

896. И, Пыпкин Б. Н, Савинов С. В, "Исследование аморфных углеводородных пленок методами генерации второй оптической гармоники и микроскопии сканирующего зонда" Доклады Академии Наук, 359 (4), 472-474, (1998).

897. Бычихин С. Ф, Галлямов М. О, Потемкин В.В, Степанов А. В, Яминский И. В, "Сканирующий туннельный микроскоп измерительное средство наноэлектроники" - ИТ, (4), 58-61,1998).

898. Яминский И. В, "Как растут белковые кристаллы" Химия и жизнь - XXI век, (12), 14-15, (1998).

899. Яминский И. В, "Зондовый массаж микробов" Химия и жизнь - XXI век, (4), 32-33, (1998).

900. Рашкович JI. Н, Гвоздев Н. В, Яминский И. В, "Механизм движения ступеней при кристаллизации лизоцима" Кристаллография, 43 (4), 745-750, (1998).

901. Галлямов М. О, Пышкина О. А, Сергеев В. Г, Яминский И. В, "Применение методов сканирующей зондовой микроскопии к исследованию конформационных свойств ДНК" Поверхность, РСНИ, (2), 79-83, (1998).

902. Яминский И. В, Пышкина О. А, Сергеев В. Г, Семенов А. Э, Филонов А. С, "Визуализация прокариотических клеток с помощью атомно-силовой микроскопии" Поверхность, РСНИ, (2), 76-78, (1998).

903. Бычихин С. Ф, Галлямов М. О, Потемкин В.В, Степанов А. В, Яминский И. В, "Сканирующий туннельный микроскоп измерительное средство наноэлектроники" - ИТ, (4), 58-61, (1998).

904. Gallyamov M. О., Pyshkina О. A., Sergeev V. G., Yaminsky I. V., "Application of a Scanning Probe Microscopy to the Study of DNA Conformation" SURFACE INVESTIGATION. X-ray, synchrotron and neutron techniques, 14 (2), 247-251, (1998).

905. Yaminsky I.V., Pyshkina O.A., Sergeev V.G., Semenov A.E., Filonov A.S., "Atomic force microscopy of enterobacteria" SURFACE INVESTIGATION. X-ray, synchrotron and neutron techniques, 14 (2), 243-246, (1998).

906. Drygin Yu. F., Bordunova 0. A., Gallyamov M. O., Yaminsky I. V., "Atomic force microscopy examination of tobacco mosaic virus and virion RNA" FEBS letters, 425, 217-221, (1998).

907. Андреева А. С., Галлямов M. О., Пышкина О. А., Сергеев В. Г., Яминский И. В., "Морфология комплексов ДНК-ПАВ, перешедших через границу раздела фаз вода-хлороформ, по данным атомно-силовой микроскопии" Журнал физической химии, 73 (11), (1999).

908. П. Рудой В. М., Яминский И. В., Огарев В. А., "Влияние фотоокисления на поверхностныесвойства полистирола" Высокомолекулярные соединения, 41 (10), 1671-1674, (1999).

909. Жавнерко Г. К., Кучук Т. А., Агабеков В. Е., Галлямов М. О., Яминский И. В., "Свойства иструктура мономолекулярных пленок на основе ^октадецил-3,4:9,10-периленбис(дикарбоксидиимида)" Журнал физической химии, 73 (7), 1244-1248, (1999).

910. Киселёва О. И., Ягужинский JI. С., Яминский И. В., Янюшин М. Ф., "Атомно-силоваямикроскопия протеолипосом, содержащих АТФ-синтетазный комплекс" Поверхность, РСНИ, (7), 109-112,(1999).

911. Галлямов М. О., Дрыгин Ю. Ф., Яминский И. В., "Визуализация РНК и рибонуклеопро-теидов вируса табачной мозаики методами атомно-силовой микроскопии" Поверхность, РСНИ, (7), 104-108, (1999).

912. Яминский И. В., Большакова А. В., Логинов Б. А., Протасенко В. В., Суворов А. Л., Козодаев М. А., Волнин Д. С., "Микроскопический контроль на содержание вируса полиомиелита" Поверхность, РСНИ, (7), 100-103, (1999).

913. Яминский И. В., "Молекулярно-биологические, микробиологические и медицинские приложения сканирующей зондовой микроскопии" Поверхность, РСНИ, (7), 95-99, (1999).

914. Яминский И. В., Тишин А. М., "Магнитно-силовая микроскопия поверхности" Успехи химии, 68 (3), 187-193, (1999).

915. Киселёва О. И., Яминский И. В., "Сканирующая зондовая микроскопия белков и белокмембранных комплексов" Коллоидный журнал, 61 (1), 5-24, (1999).

916. Kiselyova O.I, Yaminsky I.V, Ivanov Y.D, Kanaeva I.P, Kuznetsov V.Yu, Archakov A.I,

917. AFM study of membrane proteins, cytochrome P450 2B4, and NADPH cytochrome P450 reductase and their complex formation" Archives of biochemistry and biophysics, 371 (1), 1-7, (1999).

918. Pochtenny A. E, Misevich A. V, Yaminsky I. V, Gallyamov M. 0, Solonovich V. K, Stukalov

919. Sergeev V. S, Mikhailenko S. V, Pyshkina 0. A, Yaminsky I. V, Yoshikawa K, "How Does Alcohol Dissolve the Complex of DNA with a Cationic Surfactant?" J. American Chemical Society, 121 (9), 1780-1785, (1999).

920. Gavrilov S. A, Gusev V. V, Dneprovskii V. S, Zhukov E. A, Syrnikov A. N, Yaminsky I. V, Muljarov E. A, "Optical properties of excitons in CdS semiconductor-insulator quantum wires" JETP Letters, 70 (3), 216-221, (1999).

921. Yaminsky I.V, Tishin A.M., "Magnetic force microscopy" Russian Chemical Reviews, 68 (3), 165-170, (1999).

922. Kiselyova O.I, Yaminsky I.V, "Scanning probe microscopy of protein and protein-membranes complexes" Colloid Journal, 61 (1), 1-19, (1999).

923. Davankov V. A, Ilyin M. M, Timofeeva G. I, Tsyurupa M. P, Yaminsky I. V, "Atomic Force Microscopy Imaging of Novel Macromolecular Species, Nanosponges, and Their Clusters" Journal of Polymer Science, 37, 1451-1455, (1999).

924. Kiselyova O.I, Guryev O.L, Krivosheev A.V, Usanov S.A, Yaminsky I.V, "Atomic force microscopy studies of Langmuir-Blodgett films of cytochrome P450scc: hemeprotein aggregation states and interaction with lipids" Langmuir, 15 (4), 1353-1359, (1999)

925. Rudoi V. M, Yaminskii I. V, Ogarev V. A, "Effect of Photooxidation on the Surface Properties of Polystyrene" Polymer Science, 41 (10), 289-291, (1999)

926. Киселёва О. И, Ягужинский Л. С, Яминский И. В, Янюшин М. Ф, "Образование квазикристаллических наноструктур из АТФ- синтетазного белкового комплекса, включенного в мембрану протеолипосом" Коллоидный журнал, 62 (1), (2000)

927. Zhavnerko G. К, Staroverov V. N, Agabekov V. Е, Gallyamov М. О, Yaminsky I. V, "Interpretation of SPM images of Langmuir-Blodgett films based on long-chain carboxylic acids" Thin Solid Films, 359, 98-103, (2000)

928. НИИ Дельта, Лускинович П.Н.

929. Владимиров Г.Г, Лускинович П.Н, Никишин В.И, "Нанотехнология новое направлениев создании изделий электронной техники" Электронная промышленность, No 9, 33-35 (1987)

930. Владимиров Г.Г, Гавлина Г.С, Лускинович П.Н, Никишин В.И, "О возможности направленной термической десорбции частиц с острия" Микроэлектроника, 18(5), 464-468 (1989)

931. Nikishin V.I, Luskinovich P.N, Ryzhikov I.A, Nanotechnological complex// Proc. NANO-1, Abstract. Baltimore, p. 120, (1990)

932. Luskinovich P.N, Nikishin V.I, Ryzhikov I.A, Nanoelectronics based on scanning tunneling microscope// IEEE International Solid State Circuits Conference, USA, Abstract. Baltimore, p. 64, (1992)

933. Gorelkin I.V, Menshutin L.N, Luskinovich P.N, Maklakov S.A, Petrov V.I, Ryzhikov I.A, STM local vacuum chemical deposition on nano-scale objects in gas-vapor mixture fluxes// Proc. NANO-2, Herald of Russian Acad. Tech. Sci, V.l, №7, p. 136-149, (1994)

934. Ю4. Nikishin V.I, Luskinovich P.N, Ryzhikov I.A, Denisov A.V, Nanotechnalogical systems// Proc. NANO-2, Herald of Russian Acad. Tech. Sci, V.l, №7, p. 18-28, (1994)

935. Ryzhikov I.A, Luskinovich P.N, Gutman E.E, Technological aspects of cluster films applications in nanoelectronics with the use of STM // Proc. NANO-3, Abstract. Baltimore, p. 256, (1994)

936. Ryzhikov I.A, Kuzkin V.I, Maklakov S.A, Obukhov I.A, The shade effect on STM stimulated local deposition of the organic nano - objects // Proc. NANO-4, Abstract. Beijing, p. Ill, (1996)

937. Рыжиков И.А, Нанотехнология сегодня// 1-я Международная крымская конференция «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии», Крымико-97, Севастополь, т.1, с. 69-72, (1997)1. МИЭТ, Неволин В.К.

938. Неволин В.К, "Пластическая нанодеформация образцов в туннельном микроскопе" -Письма в ЖТФ, 14(16), 1458-1460 (1988)

939. Бессольцев В.А, Неволин В.К, "Формирование металлических и молекулярных микропроводников в туннельном микроскопе" Электронная промышленность, 2, 57-58, (1992).

940. Неволин В.К, "Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии" Электронная промышленность, 10, 8-11, (1993)

941. Неволин В.К, "Туннельно-зондовая нанотехнология в газах и жидкостях" Электронная промышленность, 10, 11-15, (1993).

942. Гринько В.Б, Неволин В.К, "Локальная модификация металлических пленок" Электронная промышленность, 10, 21-23, (1993).

943. Неволин В.К, "Локальная электродинамическая модификация поверхности подложек" -Электронная промышленность, 10, 23-25, (1993).

944. Бессольцев В.А, Боровик Д.И, Гусев А.Н, Гринько В.В, Иванов А.Ю, Неволин В.К, Хлебников Ю.Б, "Сканирующий туннельный микроскоп для локального воздействия в наномет-ровой области" Электронная промышленность, 10, 15-17, (1993).

945. Неволин В.К. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии // Электронная промышленность. 1993. № 10. С.8-15.

946. Арбузов М.А, Неволин В.К, "Локальная глубинная модификация полупроводниковых материалов" Электронная промышленность, 10, 17-19, (1993).

947. Неволин В.К, "Электронные устройства с элементами нанометровых размеров" Электронная промышленность, 10, 20, (1993).

948. Неволин В.К. Квантовые свойства контактов в сканирующих туннельных микроскопах // Письма в ЖТФ. 1995. Т.21. В.21. С.5-8.

949. Неволин В.К. Учебное пособие "Основы туннельно-зондовой нанотехнологии" для студентов старших курсов и аспирантов. (Части 1, 2, 3, Части 4, 5, Части 6, 7, Часть 8, Часть 9). // (М. МГИЭТ. 1996. 90с.)

950. Неволин В.К. Вольтамперные характеристики казиодномерных микропроводников // Письмав ЖТФ .1996. Т.22. В.21. С.57-60.

951. Неволин В.К, "Пластическая нанодеформация образцов в туннельном микроскопе" -Письма в ЖТФ, 14(16), 1458-1460 (1988).

952. Волков А.Б, Неволин В.К. Нелинейные свойства точечных микроконтактов, формируемых туннельным зондом // Радиотехника и электроника, 1999, том 44, номер 11, с. 1373-1375

953. Неволин В.К. Квантовый одночастичный транспорт // Известия вузов. Электроника номер 5, 1999

954. B.V.Andryushechkin, K.N.Eltsov, V.M.Shevlyuga and V.Yu.Yurov, Direct STM observation of surface modifdication and growth of AgCl islands on Ag(lll) upon chlorination at room temperature , Surface Science 431 (1999) 96-108.1. ИРЭА

955. Евдокимов A.A, Евдокимов M.B, Евтихиев H.H, Киселев A.B, Платонов H.C, Рыжов О.П, Сарычев B.H, "Автоматизированный комплекс СТМ-ЭВМ для исследований в области нанотехнологии" Электронная промышленность, No 6, 48-50, (1990).1. ИБОХ РАН

956. Tuzov I.V, Klinov D.V, Demin V.V, "Catalytic method for modifying the surface of pyrolytic graphite" Russian Chemical Bulletin, 43 (7), 1128-1131, (1994)1. Госстандарт России

957. Kozlitin A.I, Nikitin A.V, Repin O.I, Sterensky V.N. The Automatized Measurments of Ultra Small Dimensions with Using of the Theoretical Modeles and Natural Constants (The "Standardless" Method) // Journ. Of Advanced Materials. 1995, N5, pp24-29.

958. B.B. Календин, А.И. Козлитин, A.B. Никитин, B.H. Сретенский. Метрологическое обеспечение автоматизированных измерений малых размеров с использованием теоретических моделей и мер. // Измерительная техника. 1997, N4, стр. 31-36.

959. V.Ja Barash, Zh.Zhelkobaev, V.V. Kalendin "Radiooptical phase comparator of nanometric fand". // Proceeding of the 8th International Precision Engineering Seminar, Compiegne France, May, 1995, p. 117.

960. P.A. Todua, Zh.Zhelkobaev, V.V. Kalendin "Fast laser two-frequency interferometer-psasemeter". "Proceeding of 5th IMEKO TC-14 Symposium on DIMENSIONAL METROLOGY in production and quality control SMQC-95" Zazagozo (Spain), October, p.21.

961. В.В. Калейдин, А.И. Козлитин, А.В. Пилевин, В.Н. Сретенов «Метрологическое обеспечение измерений сверх малых размеров с использованием теоретических моделей, мер и природных констант. Измерительная техника, 1996г., стр. 15-19.

962. ИНПС РАН, Ст. Петербург, ГолубокА.О.

963. М.П.Петров, М.В.Красинькова, В.И.Березкин, А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, С.Я.Типисев,

964. Туннельная электронная спектроскопия сверхпроводящей керамики YBaCuO, Письма в ЖТФ, т. 14, № 10, с.942-946 (1988).

965. А.О.Голубок, Д.Н. Давыдов, С.Я.Типисев, Осцилляции проводимости туннельных контактов металл-диэлектрик-сверхпроводник YBaCuO, Письма в ЖТФ, т. 14, № 24, с.2233-2236 (1988).

966. А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, В. А. Тимофеев, С. Я. Типисев, Сканирующий туннельный микроскоп при атмосферном давлении. Сборник Научное приборостроение. Выпуск Электронно-ионная оптика. Ленинград "Наука" с.72-76 (1989)

967. А.О. Голубок, Д.Н. Давыдов, С.А. Масалов, Д.В. Нахабцев, В.А. Тимофеев. Наблюдение поверхности графита при атмосферном давлении. Поверхность, №3,с. 146-149(1989).

968. Голубок А.О, Давыдов Д.Н, Нахабцев Д.В, Аппаратные и программные средства сканирующего туннельного микроскопа, Сборник Научное приборостроение, Выпуск Электронно-ионная оптика, Ленинград "Наука", с. 77-84 (1989).

969. Галль Л. Н, А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, С. Я. Типисев, Авторское свидетельство

970. Способ регулирования зазора между двумя поверхностями проводящих электродов" №1499321 от 8 апреля 1989г.

971. С. М. Войтенко, А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, В. А. Тимофеев, С. Я. Типисев, Авторское свидетельство "Туннельный микроскоп" №1520609 от 8 июля 1989г.

972. А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, В. А. Тимофеев, С. Я. Типисев, Авторское свидетельство "Пьезоэлектрическое устройство перемещения №1541741 от 8 октября 1989г.

973. А. О. Голубок, Н. А. Тарасов, О влиянии геометрических неоднородностей поверхности на измерение локальной работы выхода методом СТМ, Письма в ЖТФ, т. 16, вып. 11, с. 41-45 (1990).

974. А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, С. Я. Типисев, Авторское свидетельство "Пьезоэлектрическое устройство позиционирования объекта" №1574138 от 22 февраля 1990г.

975. Голубок А.О, Давыдов Д.Н, Мусихина Е.П, Кайданов В.И, Рыков С.А, "Локальная туннельная спектроскопия теллурида свинца в сканирующем туннельном микроскопе" Письма в ЖТФ, 17(2), 36-40 (1991).

976. С. А. Виноградова, . О. Голубок, О. В. Коломыткин, С. Я. Типисев. Исследование пленок Ленгмюра-Блоджетт в сканирующем туннельном микроскопе при атмосферном давлении. Письма в ЖТФ, т. 17, вып. 3, с. 85-88 (1991).

977. М. В. Иванов, С. А. Виноградова, А. О. Голубок, Получение СТМ-изображения в режиме постоянного туннельного расстояния. Научное приборостроение, №1, 52-58 (1991).

978. Виноградова С.А, Голубок А.О, Тарасов Н.А, Тимофеев В.А, "О возможности использования шумов СТМ изображения при исследовании поверхностных неоднородностей" - Научное приборостроение, 1 (3), 3-8 (1991).

979. Kolomytkin O.V, Golubok А.О, Davydov D.N, Timofeev V.A, Vinogradova S.A, Tipisev S.Ya, "Ionic Channels in Langmuir Blodgett Films Imaged by a Scanning Tunneling Microscope" - Biophysical Journal, 59 (4), 889-893, (1991).

980. Golubok A.O., Vinogradova S.A, Tipisev S.Y, Borisov A.Y, Taisova A.S, Kolomytkin O.V, "STM/STS study of photosynthetic bacterial membrane" Ultramicroscopy, 42-44, 1228-1235, (1992).

981. Davydov D.N, Golubok A.O, Rykov S.A, "Local tunneling spectroscopy of n-РЬТе surface" -Ultramicroscopy, 42-44, 878-883, (1992). .

982. A. 0. Golubok, S. A. Masalov and N. A. Tarasov, Thermofield tip formation in UHV/STM combined with field-emission microscope, Ultramicroscopy, 42-44, P. 1574-1579 (1992).

983. Golubok A. 0. and V. A. Timofeev, STM combined with SEM without SEM capability limitations, Ultramicroscopy, 42-44, P. 1558-1563 (1992).

984. Голубок А. О, В. А. Тимофеев, В. Ю. Аристов, С. Г. Гелахова, Сверхвысоковакуумный СТМ, совмещенный с электронным спектрометром ESCALAB-5, Научное приборостроение т. 2, № 1, с. 74-84 (1992).

985. Golubok А. О, S. A. Vinogradova, S. Ya. Tipissev, Algorithms of Measuring, Processing and Interpretation of Data Obtained with Scanning Tunneling Microscope, Computers in Physics, v. 6 (4), p. 327 (1992).

986. Голубок А. О, Г. M. Гурьянов, H. H. Леденцов, В. H. Петров, Ю. Б. Самсоненко, С. Я. Типисев, Г. Э. Цырлин, Фомирование массивов фасеток на вицинальных поверхностях GaAs (100) при молекулярно-пучковой эпитаксии. ФТП, т. 28, вып. 3, с. 515-518 (1994).

987. Г.Э.Цырлин, А.О.Голубок, С.Я.Типисев, Н.Н.Леденцов, Г.М.Гурьянов. Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии. ФТП, т.29, вып. 9, с. 1697-1701 (1995).

988. Cirlin G.E, Petrov V.N, Golubok A.O, Tipissev S.Y, Dubrovski V.G, Guryanov G.M, Ledentsov N.N, Bimberg D, "Effect of growth kinetic on the InAs/GaAs quantum dot arrays formation on vicinal surfaces" Surface Sci, 377-379, 895-898, (1997).

989. С. Я. Типисев, H. Б. Пономарева, О. А. Голубок, В В. Малев, В. В. Кондратьев. СТМ -визуализация поверхности электрохимически осажденных пленок берлинской лазури. Электрохимия, т. 34, №1, с. 90-96 (1998).

990. S. Ya. Tipissev and А. О. Golubok. Nanostep movement and measurement, Tribology International v. 29 (5), p. 373-376 (1996).

991. Г. Э. Цырлин, В. H. Петров, В. Г. Дубровский, Н. К. Поляков, С. Я. Типисев, А. О. Голубок, Н. Н. Леденцов. Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков. ФТП, т. 31, вьп. 1. 8, с. 902-907 (1997)

992. G.li.C'irlin, V.N.Petrov. A.O.Golubok, S.Ya.Tipissev, V.G.Dubrovskii, G.M.Guryanov, N.N.Ledenlsov, D.Bimberg, Effect of growth kinetics on the InAs/GaAs quantum dot arrays formation on vicinal surfaces, Surface Science, v.377-379,p.895-898(1997).

993. А.О.Голубок, И.Д.Сапожников, А.М.Соловьев, С.Я.Типисев. Комбинированные методики сканирующей туннельной и силовой микроскопии. Микроэлектроника, т. 26, вып.4, с. 291-296 (1997).

994. Г.Э.Цырлин, В.Н.Пегров, С.А.Масалов, А.О.Голубок, Н.Н.Леденцов. Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и InGaAs/GaAs при субмонослойной миграционно-стимулированнойэпитаксии. Письма в л. 1 ',.' т.23, выи22,с.80-84(1997).

995. Г.Э.Цырлин, В.Н.Петров, В.Г.Дубровский, С.А.Масалов, А.О.Голубок, Н.И.Комяк, Н.Н.Леденцов, Ж.И.Алферов, Д.Бимберг. Получение InAs квантовых точек на кремнии. Письма в ЖТФ,т.24,вын.8,с. 10-15(1998).

996. В.И. Иванов-Омский, А.О.Голубок, С.Г.Ястребов, С.А.Масалов, В.В.Розанов. Исследование поверхности пленок алмазоподобного углерода, легированного медью. Письма в ЖТФ, т. 24, N20 (1998

997. Ст. Петербургский ГУ, Адамчук В.К.

998. Адамчук В.К, Ермаков А.В, Любинецкий И.В, Житомирский Г.А, Панич А.Е, "Сканирующий туннельный микроскоп на основе монолитного пьезоэлемента крестообразного сечения" -ПТЭ, No 5, 182-184, (1989).

999. Адамчук В.К., Ермаков А.В., Любинецкий И.В., "Сканирующий туннельный микроскоп с атомным разрешением на воздухе" Письма в ЖТФ, 14 (8), 692-695, (1988).

1000. Adamchuk V.K., Ermakov A.V., "Device for direct writing and reading-out of information based on the scanning tunneling microscope" Ultramicroscopy, 45 (1), 1-4, (1992).

1001. Adamchuk V.K., Ermakov A.V., Fedoseenko S.I., "Scanning tunneling microscope with large scan range" Ultramicroscopy, 42/44, 1602-1605, (1992).1. ЛОМО, Либенсон M.H.

1002. M.N.Libenson, G.A.Martsinovsky "Peculiarities of photoexcitation and heating of surface in nanooptics", Laser-Induced Damage in Optical Materials: 1995, SPIE Proc., v. 2714, 305-311 (1995)

1003. V. Kurpas, M. Libenson, G. Martsinovsky "Laser heating of near-field probes", Ultramicroscopy, 1995, v.61, pp. 187-190.

1004. Gurevich V.S., Libenson M.N. "Surface Polaritons Propagation along Micropipettes", Ultramicroscopy, 1995, v. 57, pp. 277-281

1005. Ю.Г. Гузовский, M.H. Либенсон, Г.А. Марциновский "Особенности фотовозбуждения и нагрева поверхности в нанооптике". Известия РАН. Секция физическая, 1997, том 61, номер 7, стр. 1031-1035.

1006. Груздев B.E., Либенсон M.H., Марциновский Г.А., "Применение оптической ближнеполь-ной микроскопии в исследованиях поверхностного лазерного пробоя прозрачных сред", Поверхность, 1998, т.2, стр. 37-44.

1007. Либенсон М.Н., Марциновский Г.А., "Особенности теплового воздействия на тонкий слой в ближнем поле", Поверхность, 1998, т.2, стр. 32-36

1008. A.A.Bukharaev, F.F.Gubaydullin, Y.S.Lobkov, N.V.Berdunov "Scanning tunnelling microscopy and spectroscopy of silicon surfaces after ion and laser modification" Phys.Stat.Sol. (A), 1992, v.131, P.79-87.

1009. A.A.Bukharaev "Diagnosis of a surface by scanning tunnelling microscopy. (Review)" Russian Industrial Laboratory, 1994, v. 60, N 10, P. 5 8 9-5 97.

1010. A.A.Bukharaev, V.S. Lobkov, V.M.Yanduganov, E.A.Samarsky, N.V.Berdunov "Scanning Probe Microscopy of Diffraction Gratings Induced by Laser Radiation" Optics and Spectroscopy, 1995, v.79, N 3, P. 384-391.

1011. A.A.Bukharaev, EA.Samarsky, V.M.Yanduganov, N.V.Berdunov, P.G.Antonov "Effect of stimulated adsorption in STM investigation of Si surface in Ambient Air" J.Vac.Sci.Technol.B1995 13(3), P. 1274-1279.

1012. A.A.Bukharaev, E.A.Samarsky, V.M.Yanduganov, N.V.Berdunov "Atomic force microscopy of laser induced sub-micrometer periodic structures on implanted fused silica and silicon" Applied Surface Science, 1996, v. 103, P. 49-54.

1013. A.A.Bukharaev "Scanning tunnelling and atomic force microscopy of surfaces modified by ion and laser beams" Physics-Uspekhi, 1996, v. 39, N 2, P. 193-196.

1014. Bukharaev A.A, D.V.Ovchinnikov, E.F.Kukovitskii, N.I.Nurgazizov, N.A.Sainov "Scanning Probe Microscopy of Catalytic Nickel Particles Obtained from Carbon Nanotubes" Russian Physics of the Solid State, 1997 v. 39, N 11, P. 2065-2072

1015. A.A.Bukharaev, N.V.Berdunov, D.V.Ovchinnikov, K.M.Salikhov "Three-Dimensional Probe and Surface Reconstruction for Atomic Force Microscopy Using Deconvolution Algorithm" Scanning Microscopy, 1997 Vol. 11

1016. A.A.Bukharaev, N.V.Berdunov, D.V.Ovchinnikov, K.M.Salikhov "Atomic Force Microscopy for Metrology of Micro- and Nanostructures" Russian Microelectronics, 1997, v.26, N3, P 137-148.

1017. A.A.Bukharaev, D.V.Ovchinnikov, A.A.Bukliaraeva "Diagnosis of a surface by scanning force microscopy. (Review)" Russian Industrial Laboratory, 1997, No 5, P. 10-27.1. Уфа, Бахтизин Р.З.

1018. V. G. Valeyev. Tunneling in the representation of scattering states. Surface Science, vol. 266, 274281 (1992).

1019. R.Z. Bakhtizin, Ch. Park, T. Hashizume and T. Sakurai. "Scanning tunneling microscopy study of the 3rl reconstruction induced by Li adsorption on the Si(lll) surface". Appl. Surf. Sci. 1995. V. 87/88. P. 347-352.

1020. R.Z. Bakhtizin, Ch. Park, T. Hashizume and T. Sakurai. "Investigation of the atomic structure of Si(100) surface covered by submonolayer Bi film". JETP. 1995. V. 108. No. 3(9). P. 977-989(in Russian).

1021. R.Z. Bakhtizin, J. Kishimoto, T. Hashizume and T. Sakurai. "STM observation of ordered structures on the Si(100)-2rl-Sr surface". Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 1995. V. 12. P. 63-70.

1022. R.Z. Bakhtizin. J. Kishimoto, T. Hashizume and T. Sakurai. "STM study of Sr adsorption on Si(100) surface". Appl. Surf. Sci. 1996. V. 94/95. P. 478-484.

1023. R.Z. Bakhtizin, J. Kishimoto. T. Hashizume and T. Sakurai. "Scanning tunneling of Sr adsorption on the Si(100)-2rl surface". Journal of Vac. Sci. and Technol. B. 1996. V. 14(2). P. 1000-1004.

1024. R.Z. Bakhtizin, R.N. Amirkhanov and S.S. Ghots. "Autocorrelation function of 1/f current fluctuations in vacuum microelectronics devices". Journal of Vac. Sci. and Technol. B. 1996. V. 14(3). P. 2135-2137.

1025. R.Z. Bakhtizin, T. Hashizume, X.-D. Wang and T. Sakurai."Scanning tunneling microscopy of fullerenes on metal and semiconductor surfaces" Physics-Uspekhi (Uspekhi Fizicheskhikh Nauk) 1997. V. 167. No. 3. P. 289-307. (in Russian).

1026. R.Z. Bakhtizin, Ch. Park, T. Hashizume and T. Sakurai. "Scanning tunneling microscopy study of Li adsorption on the Si(lll) surface". Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 1997. V. 3/4. P. 39-48.

1027. R.Z. Bakhtizin, Qikun Xue, T. Hashizume and T. Sakurai. "Atomic structures of gallium-rich GaAs(001)-4r2 and GaAs(001)-4r6 surfaces". JETP. 1997. V. 111. No. 5. P. 1858-1868 (inRussian).

1028. R.Z. Bakhtizin, Qikun Xue, T. Hashizume and T. Sakurai. "Atomic structures on a GaAs(OOl) surface grown by molecular beam epitaxy". Physics-Uspekhi (Uspekhi Fizicheskhikh Nauk) 1997. V. 167. No. 11. P. 1227-1241. (in Russian).

1029. V. G. Valeyev. Dynamic admittance of a tunnel junction. Материалы Всероссийского совещания "Зондовая Микроскопия 98", Нижний Новгород, 2-5 марта 1998 г, стр. 201 -203.

1030. Работы, выполненные на приборах НТ-МДТ

1031. Е.А. Mazurina, I.V. Myagkov, S.V. Ayrapetiants, V.V. Losev, A.T. Dembo. Mono- and multilayers from heptadecylcarboxy-tetrathiofulvalen modified by the surface-inactive electron acceptors. Molecular Materials, 2000, Vol. 12, pp. 27-43.

1032. V.R. Novak, V.V. Zhizliimontov, A.V. Belyayev, V.A. Bykov. Surface Morphology of Arachidic Acid Cd Arachidate Lb-Films Studied with SFM. Molecular Materials, 2000, Vol. 12, pp. 111-123.

1033. Imre, D.L. Веке, E. Gontier-Moya, I.A. Szabo, E. Gillet. Surface Ostwald ripening of Pd nanopar-ticles on the MgO (100) surface. Applied Physics A Materials Science & Processing, Volume 71, Issue 1, pp 19-22.

1034. Kikuieshi A, V. Palyok, M. Slliplyak, I.A. Szabo, D.L. Веке. Photo-induced surface deformation during hologram recording in a-Se films. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, Vol. 2, No. 1, March 2000, pp. 95-98.

1035. Blinov L. M, V. M. Fridkin, S. P. Palto, A. V. Bune, P. A. Dowben, S. Ducharme. Two-Dimensional Ferroelectrics (Review). Physics progress, Mart 2000, Volume 170, Issue 3, pp. 245-262.

1036. Блинов JIM, B.M. Фридкин, С П. Палто, A.B. Буне, П.А. Даубен, С. Дюшарм. Двумерные сегнетоэлектрики (Обзор актуальных проблем). Успехи физических наук, Март 2000 г, том 170, №3, стр. 245-262.

1037. Р.В. Гайнутдинов, А.И. Виленский, А.Л. Толстихина. АСМ в исследовании тонкой структуры трека в пленках полиэтилентерефталата, облученного высокоэнергетическими ионами Хе.

1038. Материалы всероссийского совещания "Зондовая микроскопия 2000". Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000г, ИФН РАН, стр. 187-191.

1039. В.А. Быков, С.Н. Кацур, Б.К. Медведев, С.А. Саунин, Д.Ю. Соколов. Мода динамических сил в СЗМ и результаты исследования. Материалы всероссийского совещания "Зондовая микроскопия -2000". Нижний Новгород, 28 февраля 2 марта 2000г, ИФН РАН, стр. 274-278.

1040. A.M. Алексеев, В.А. Быков, А.И. Бузин, С.А. Саунин. Применение методов мультимодовой СЗМ в исследовании полимеров. Материалы всероссийского совещания "Зондовая микроскопия -2000". Нижний Новгород, 28 февраля 2 марта 2000г, ИФН РАН, стр. 287-291.

1041. В.А. Быков, В.В. Дремов, В. Лосев, С.А. Саунин, Г.М. Михайлов. Зонды "вискерс-типа" и магнитно-силовые зонды для СЗМ. Материалы всероссийского совещания "Зондовая микроскопия 2000". Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000г, ИФН РАН, стр. 298-302.

1042. Tolstikhina A.L, N.V. Belugina and S.A. Shikin. AFM characterization of domain structure of ferroelectric TGS crystals on a nanoscale. Ultramicroscopy, Volume 82, Issue 1-4, 2000, pp. 149-152.

1043. Адамов Ю.А, H.B. Корнеев, В.Г. Мокеров, В.К. Неволин. Формирование и электрические свойства планарных 20-наноразмерных структур. Микросистемная техника, 2000, № 1, с. 13-16.

1044. Быков В.А. Микромеханика для сканирующей зандовой микроскопии и нанотехнологии. Микросистемная техника, 2000, №1, с. 21-33.

1045. Maoz R., Е. Frydman, S. R. Cohen, J. Sagiv. Constructive Nanolithography: Site-Defined Silver Self-Assembly on Nanoelectrochemically Patterned Monolayer Templates. Advanced Materials, Volume 12, Issue 6, 2000, pp. 424-429.

1046. Rothschild A., S.R. Cohen, R. Tenne. WS2 nanotubes as tips in scanning probe microscopy. Applied Physics Letters, Volume 75, Number 25, 20 December 1999.

1047. A.V. Ankudinov, A.N. Titkov, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, H.-J., Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, A. Waag, G. Landwehr. Cross-sectional atomic force microscopy of ZnMgSSe- and BeMgZnSe-based laser diodes. Appl.Phys.Lett. 75(17), p.2626 (1999)

1048. D. Sentenac, A. L. Demirel, J. Lub, and W. H. de Jeu*. A New Lamellar Morphology of a Hybrid Amorphous/Liquid Crystalline Block Copolymer Film. Macromolecules 1999, 32(10), 3235-3240

1049. Анкудинов A.B., В.П. Евтихиев, B.E. Токранов, В.П. Улин, А.Н. Титков. Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Ga0.7A10.3As и GaAs. Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5, стр. 594-597.

1050. Арутюнов П.А., А.Л. Толстихина, В.Н. Демидов. Система параметров для анализа шероховатости и микрорельефа поверхности материалов в сканирующей зондовой микроскопии. "Заводская лаборатория. Диагностика материалов.", №9, том 65, с. 27-37.

1051. Grekhov I., L. Delimova, I. Liniichuk, A. Lyublinsky, I. Veselovsky, A. Titkov, M. Dunaevsky, V. Sakharov. Growth mode study of ultrathin HTSC YBCO films on YBaCuNbO buffer. Physica С 324 1999 39-46.

1052. Kikineshi A., V. Palyok, A. Mishak, I.Szabo, D.L.Beke. Surface relief formation at hologram recording in a-Se/As2S3 nanolayered films. Functional materials. V.6, No.3, pp. 413-417. (1999)

1053. Imre A., E. Gontier-Moya, D.L. Веке, I.A. Szabo and G. Erdelyi. Ostwald ripening of Pd particles on the (10) surface of sapphire. Surface Science, Vol. 441 (1) (1999) pp. 133-139.

1054. Ю. П.А. Арутюнов, А.Л. Толстихина. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть I. Микроэлектроника, 1999, том 28, № 6, с. 405-414.

1055. П.А. Арутюнов, А.Л. Толстихина. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть II. Микроэлектроника, 1999, том 29, № 1, с. 13-22.

1056. Толстихина А.Л, П.А. Арутюнов, ИК РАН. Исследование морфологии пленок ТЮ2 методом АСМ. Материалы всероссийского совещания "Зондовая микроскопия 1999". Нижний Новгород, 10-13 марта 1999т, ИФН РАН, стр. 250-255.

1057. Э.В.Касаткин, Е.Б.Небурчилова. Расчет локальных эффективных потенциальных барьеров туннелирования электрона по данным in-situ электрохимических СТМ и СТС-измерений. // М.: Труды XI симпозиума «Современная химическая физика Тз'апсе-99».

1058. Э.В.Касаткин. Новые анодные материалы для электросинтеза окислителей и методы исследования их поверхности.// Труды V сессии Международной школы «Инженерно-химическая наука для передовых технологий» М.: НИФХИ, 1999, т. 1, с.47-66.

1059. В .А. Быков, Б.К. Медведев, Д.Ю. Соколов, В.В. Лосев, ЗАО НТ-МТД. Мультимодовый сверхвысоковакуумный СЗМ СОЛВЕР-UHV. Материалы всероссийского совещания "Зондовая микроскопия -1999". Нижний Новгород, 10-13 марта 1999г, ИФН РАН, стр. 320-326.

1060. Будашов И. А, Курочкин И. Н, Цибезов В. В, Кальнов С. JI, Денисов А. К, Киселёва О. И, Яминский И. В, "Структурные и функциональные свойства ленгмюровских антител на основе амфифильных полиэлектролитов" Биологические мембраны, 16(3), 325-335, (1999).

1061. Курочкин И. Н, Будашов И. А, Павельев А. Б, Денисов А. К, Скрипнюк В. В, Шабанов Г. А, "Биосенсорные системы на основе сканирующей зондовой микроскопии" Сенсорные системы, 12 (1), 122-134, (1998).

1062. V. Palyok, A. Mishak, I. Szabo, D.L. Веке, A. Kikineshi. Photoinduced transformations and holographic recording in nanolayered a-Se/As2S3 and AsSe/As2S3 films. Applied Physics A Materials Science & Processing, Volume 68, Issue 4, pp 489-492. 1998 year

1063. Stepanov A.L, D.E. Hole, А.А. Bukharaev, P.D. Townsend and N.I. Nurgazizov, Reduction of the size of the implanted silver nanoparticles in float glass during excimer laser annealing, Applied Surface Science(136) 4 (1998) pp. 298-305

1064. V. Shevyakov, S. Lemeshko, V. Roschin. Conductive SPM probes of base Ti or W refractory compounds. Nanotechnology, 9 (1998) 352-355.

1065. V. Bykov, A. Gologanov, V. Shevyakov. Test structure for SPM tip shape deconvolution. Applied Physics A Materials Science & Processing Abstract Volume 66 Issue 5 (1998) pp 499-502

1066. Бухараев A.A, Д.Б. Овчинников, A.A. Бухараева. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии(обзор). Заводская Лаборатория, Исследование структуры и свойств, Физические методы исследования и контроля, УДК620.187:539.25, с. 10-27.

1067. V.A. Bykov. Langmuir-Blodgett films and nanotechnology. Biosensor & Bioelectronics Vol. 11, No. 9, pp. 923-932, 1996.

1068. V.R. Novak, S.L. Vorob'eva, and I.V. Myagkov. Investigation of Langmuir Films of Fullerene Derivative Resulting by Addition of C60 to Tetracyanoethylene Oxide. Mol .Mat, Vol. 7, pp. 175-178, 1996.

1069. Н.В. Булугина, А.Л. Толстихина. Исследование микрорельефа поверхности кристаллов сегнетоэлектриков ТГС и Rb2ZnC12 методов атомно-силовой микроскопии. Кристаллография, 1996, том 41, №6, с. 1072-1076.

1070. V.A. Fedirko, V.A. Bykov and M.D. Eremchenko. Scanning tunneling microscopy investigation offtillerene monolayers. Fresenius Journ. of Analytical Chemistry, 1996, v. 355, N 5-6, p. 707-710.

1071. Alexander A. Kamnev, Alexander A. Smekhnov. Spectroscopic study of nickel(II) hydroxide surface modifications induced by a small iron(III) addition. Fresenius Journ. of Analytical Chemistry, 1996, v. 355, N5-6, p. 710-712.

1072. P.JI. Каюшина, Н.Д. Степина, B.B. Беляев, Ю.И. Хургин, А.Л. Толстихина, В.В. Клечков-ская. Создание и структурное исследование тонких пленок лизоцима. Тезисы I конф. по высокоорганизованным соед. Июнь 1996 г. стр. 237-238

1073. А.Л. Тостихина, К.Л. Сорокина. Особенности структуры аморфных пленок оксида титана в зависимости от условий получения Кристаллография, 1996, том 41, № 2, с.339-347.

1074. А.А. Bukharaev "Scanning tunneling and atomic force microscopy of surface modified by ion and laser beams" Physics-Uspekhi 1996, v.39. N2, P.193-196.

1075. A.A. Bukharaev, V.M. Janduganov, E.A. Samarsky, N.V. Berdunov. Atomic force microscopy of laser induced sub-micrometer periodic structures on implanted fused silica and silicon. Applied Surface Science 103 (1996) 49-54.

1076. Э.В.Касаткин, Е.Б.Небурчилова. Сканирующая туннельная микроскопия поверхности платины при контролируемом потенциале и аппаратура для таких измерений. // ЭЛЕКТРОХИМИЯ1996, Т.32, №8, С. 917-927.

1077. F. Antolini, S. Paddeu, С. Nicolini. Heat stable Langmuir-Blodgett film of Glutathione-S-Transferase. Langmuir 1995, 11, 2719-2725.

1078. C. Nicolini, M. Adami, T. Dubrovsky, V. Erokhin, P. Facci, P. Paschkevitsch, M. Sartore. High-sensitivity biosensor based on LB technology and on nanogravimetry. Sensors and Actuators В 24-25(1995) 121-128.

1079. S. Dante, M. De Rosa, E. Maccioni, A. Morana, C. Nicolini, F. Rustichelli, Y.I. Troitsky, B. Yang. Thermal stability of bipolar lipid Langmuir Blodgett films by X-ray diffraction. Mol. Cryst. liq. Cryst. 1995, Vol. 262, pp. 191-207

1080. T.S. Berzina, V.I. Troitsky, O.Ya. Neilands, I.V. Submale, C. Nicolini. Deposition of uniform fullerene films by LB technique. Thin Solid Films, 256 (1995) 186-191.

1081. V. Erokhin, P. Facci, S. Carrar, C. Nicolini. Observation of room temperature mono-electron phenomena on nanometre-sized CdS partices. J. Phys. D: Apll. Phys. 28 (1995) 2534-2538. Printed in the UKN12.

1082. T. Dubrovsky, A. Tronin, S. Dubrovskaya, S. Vakula, C. Nicolini. Immunological activity of IgG Langmuir films oriented by protein A sublayer. Sensors and Actuators В 23 (1995) 1-7.

1083. V.I. Troitsky, T.S. Berzina, Ya.Ya. Katsen, O.Ya. Neilands, C.Nicolini. Conducting Langmuir-Blodgett films of heptadecylcarboxymethyl-BEDT-TTF. Synthetic Metals 74 (1995) 1-6.

1084. E. Maccioni, P. Mariani, F. Rustichelli, H. Delacroix, V.Troitsky, A. Riccio, A. Gambacorta, M.De Rosa. X-ray diffraction structural analysis of Langmuir-Blodgett films using a pattern recognition approach. Thin Solid Films, 265 (1995) 74-83.

1085. E.V.Kasatkin, E.B. Neburchilova Electrochemical and Scanning Tunnelling Microscopy investigation of single crystal and textured Platinum surfaces. // Abstracts of 6th International Frumkin Symposium, Moscow, 1995, p. 190.

1086. Бухараев А.А, B.C. Лобков, В.М.Яндуганов, Е.А, Самарский, Бердунов Н.В. Сканирующая зондовая микроскопия дифракционных решеток, сформированных лазерных излучением. Оптика и Спектроскопия, 1995, том 79, N3, с.417-425.

1087. P. Facci, V. Erokhin, A. Tronin, С. Nicolini. Formation of Ultrathin Semiconductor Films by CdS Nanostructure Aggregation. J. Phys. Cheml994, 98, 13323-13327.

1088. P. Facci, V. Erokhin, C. Nicolini. Scanning tunnelling microscopy of a monolayer of reaction centres. Thin Solid Films, 243 (1994) 403-406.

1089. F. Rustichelli, S. Dante, P. Mariani, I.V. Myagkov, V.I. Troitsky. Surface potential studies of monolayers of surfactant donor and acceptor molecules. Thin Solid Films, 242 (1994) 267-272.

1090. V. Erokhin, S. Vakula, C. Nicoloni. Reversed micellar approach as a new tool for the formation and structural studies of protein Langmuir-Blodgett films. Thin Solid Films, 238 (1994) 88-94.

1091. Tronin A., Т. Dubrovsky, C.De Nitti, A. Gussoni, V. Erokhin, C. Nicoloni. Langmuir-Blodgett films of immunoglobulines IgG. Ellipsometric study of the deposition process and of immunological activity. Thin Solid Films, 238 (1994) 127-132.

1092. Male M., E. Stussi, D.De Rossi, T.S. Berzina, V.I. Troitsky. Scanning tunneling microscopy imaging of conducting Langmuir-Blodgett films. Thin Solid Films, 237 (1994) 225-230.

1093. Facci P., V. Erokhin, C. Nicolini. Nanogravimetric gauge for surface density measurements and deposition analysis of Langmuir-Blodgett films. Thin Solid Films, 230 (1993) 86-89.

1094. Nicolini С., V. Erokhin, F. Antolini, P. Catasti, P. Facci. Thermal stability of protein secondary structure in Langmuir-Blodgett films. Biochimica et Biophysica Acta, 1158 (1993) 273-278.

1095. T.S. Berzina, V.I. Troitsky, E. Stussi, M. Mule, D.De Rossi. Conducting Langmuir-Blodgett films of hexadecyl-BEDT-TF charge-transfer salts with inorganic compounds. Synthetic Metals, 60 (1993) 111114.

1096. Теоретические аспекты СЗМ.

1097. Burnham N.A., RJ. Colton, Н.М. Pollock, Interpretation of Force Curves in Force Microscopy//

1098. Nanotechnology, 4, p.64-80, (1993)

1099. K. Kobayashi, N. Isshiki and M. Tsukada, Effect of tip atomic structure on scanning tunneling spectroscopy// Solid State Communications, v.74, p.1187-1191, (1990)

1100. Chen C.J, Origin of atomic resolution on metal surfaces in scanning tunneling microscopy// Phys. Rev. Lett, 65 (4), 448-451, (1990); C.J. Chen// Phys.Rev.B (1990), v.42, p.8841

1101. M.J. Filatov, O.V. Gritsenko and G.M. Zidomirov //Theor.Chim. Acta (1987) v.72, p.211.44. a) J.P. Rabe and S. Buchholz // Phys. Rev. Lett.(1991) v.66 p.2096. b) J.P. Rabe and S. Buchholz //Science (1991), v.253, p.424.

1102. Sarld D. Scanning force microscopy with application to electrical, magnetic and atomic forces.

1103. Oxford, Series on Optical Sci. 1991. ;46. Scott R.A, Scheraga H.A./7 J.Chem.Phys, 1965, v.62, p. 2209. :47. Teachout R.R, Pack R.T,// Atomic Data. 1971, v.3(2), p. 195.

1104. Bondi A. // J. Phys. Ghem, 1964, v.68, p.441.

1105. Sttillinger P.H, Weber T.A,// Phys.Rev.B, 1985, v.31,p,5262.

1106. J.Bardeen,Phys.Rev.Lett,6,57(1961)

1107. W.A.Harrison, Electronic Structure and the Propertyies of Solids, Sab Francisco: Freeman Publ.,1980.

1108. С. Caroli,R. Combescot,P .Nozieres,D. Saint-James, J .Phys. c4,916 (1971).

1109. L.V.Keldysh, JETP,20,1018(1965).

1110. E.C. Goldberg, A.Martin-Roderom, R. Monreal, F. Flores // Phys.Rev. B39,5684(1988).

1111. S.V.Meshkov, S.N.Molotkov, JETP,73,906(1991);

1112. S.N.Molotkov, S.S.Nazin, I.S.Smimova, V.V.Tatarskii, JETP,75,706(1992).

1113. J.C. Slater, G.F.Koster //Phys.Rev,94(1954)1498.

1114. M.Miasek,Phys.Rev, 107(1957)92.

1115. L.Hodges,H.Ehrenreich,W.D.Lang,Phys.Rev, 152(1966)505. >60. G.Dresselhaus,M.S.Dresselhaus,Phys.Rev, 160(1967)649.

1116. F.M.Mueller, Phys.Rev,153(1967)659.

1117. R.F.Egorov,B.I.Roser,V.P.Shirokovskii,Phys.Status Solidi,26(1968)391. '63. E.I.Zornberg,Phys.Rev,B 1 (1970)244.

1118. V.Heine,Phys.Rev, 153(1967)673.

1119. L.F.Matheiss,Phys .Rev,B 12(1975)2161.

1120. N. Dude, C. Joanin, C. Gout, //Phys.Rev,B15(1977)2399;B15(1977)2329.

1121. М.С. Desjonqueres, F. Cyrot-Lackmann, // Solid State Comm,20( 1976)855.

1122. T.Wolfram,E.A.Kraut,F.J.Morin,Phys.Rev,B7(1973)1677.

1123. E.N.Foo,H. Amar,M.Ausloos,Phys.Rev,B4( 1971)3 3 5 0.

1124. H. Shiba,Prog.Theor.Phys ,46(1971)77.

1125. J.A.Blackman,D.M.Esterling,N.F.Berk,Phys.Rev,B4(1971)2412.

1126. F.Brouers,J.Van der Rest, J.Phys ,F2( 1972) 1070.

1127. F.Brouers,M.Cyrot,F.Cyrot-Lackmann,Phys.Rev,B7(1973)4370.

1128. F .Ducastelle, J .Phys ,F2(1972)468.

1129. J.Friedel,J.Phys,F3(1973)785).

1130. J.Callaway, Electrons in Finite and Infinite Structures, ed.P.Pharisean, L.Scheire (Plenum Press,1. NY,1976).

1131. J.R.Reitz,Solid State Phys, 1(1955) 1.

1132. P.O.Lowdin,J.Chem.Phys, 18(1950)365).

1133. R.R.Sharma // Phys.Rev,B19(1979)2813.

1134. J.M. Soler, A.M. Boaro, N. Garsia, H. Rohrer, Interatomic forces in scanning tunneling microscopy: giant corrugations of the graphite surface // Phys.Rev.Lett, 57 (4), 444-447, (1986)

1135. G.A.Gamov,Z.Phys.51(1928)204;52(1928)510.

1136. A.I. Baz, Ya.B .Zel'dovich, A.M. Perelomov, Reactions and Decaying Processes in Nonrelativis-tics Quantum Mechanics (Nauka, 1966,Moscow).

1137. L.D. Landau, E.M. Lifshits, Quantum Mechanic (Nauka,Moscow,1974).

1138. S.V. Meshkov, S.N. Molotkov, Physica Scripta, 45(1992)283.

1139. Molotkov S.N, Nazin S.S, Smirnova I.S, Tatarskii V.V, Theory of scanning tunneling spectroscopy: application to Si(100)2xl surface// Surface Science, 259, 339-350, (1991)1. Сканеры

1140. Рабек Я. Экспериментальные методы в фотохимии и фотофизике//В 2-х томах. Т. 1. Пер. с англ. М.: Мир, 1985. - 608 с, ил.

1141. Смажевская Е. Г, Фельдман Н. Б. Пьезоэлектрическая керамика. М, Изд во «Советское радио», 1971, 200 стр., т. 4200 экз.

1142. Rebecca Howland, Lisa Benatar. A Practical Guide to Scanning Probe Microscopy// Project Editor and Booklet Designer: Christy Symanski. Copyright 1996 by Park Scientific Instruments. 76s1. СЗМ полимеров

1143. C.H. Магонов, Сканирующая силовая микроскопия полимеров и родственных материалов, ВМС, Сер.Б, 1996, т.38, №1, с. 143-182.

1144. S.N. Magonov, М.-Н. Whangbo, Surface analysis with STM and AFM, VCH, Weinheim, 1996, 323p.

1145. M.-H. Whangbo, S. N. Magonov, H. Bengel, Tip-sample force interactions and surface stiffness in scanning probe microscopy, Probe Microscopy, 1997, 1, p.23.1. К главе 7. ЛБ-пленки

1146. К. В. Blodgett, Phys.Rev.;.55,.391 (1939).

1147. H. H. Race, S. S. Reynolds, J.Amer.Chem.Soc., 61, 1425 (1939).

1148. H. Kuhn, D. Mobius and H. Bucher, "Spectroscopy of monolayer assemblies". in: Techniques of chemistry,v.l,pt 3B (ed. Weissberger A, Rossiter B.W,: Willey Interscience, New York-Toronto pp.577702, (1972).

1149. К. H. Drexhage, "Interection of light with mono molecular dye layers". In: Progress in optics Xll (ed.Wolf, North-Nolland, 1974) pp.165-229.

1150. H. Schoeler, К. H. Tews and H. Kuhn, J.Chem.Phys,61, 5009 (1974).

1151. E. E. Polymoropoulos, D. Mobius and H. Kuhn, J.Chem.Phys., 68, N8, 3918 (1978).

1152. M. Sugi, T. Fukui and S. Iizima, Mol.Cryst,Liq.Cryst., 62, 165 (1980).

1153. G. L. Gaines, Jr., J.Colloid and Interface Sci., 59, N3, 438 (1977).

1154. H. Hasmonay, M.Vincent and M. Dupeyrat Thin Solid Films, 68, 21 (1980).

1155. C. W. Pitt and L. M. Walpita, Thin Solid Films, 68, 101 (1980).

1156. J. G. Petrov, H. Kuhn and D. Mobius, J.Colloid and Interface See., 73, 66 (1980)

1157. J. G. Petrov, I. Kulelf and D. Platikand, J.Colloid and Interface See., 88, 29 (1982)

1158. R. M. Richardson and S. J. Roser, Liq.Cryst., 2(6), 797 (1987)

1159. M. R. Buhaenko, M. J. Grundy, R. M. Richardson and S. J. Roser, Thin Solid Films, 159, 253 (1988).

1160. K. Kobayashi, K. Takaoka and S. Ochiai, Thin Solid Films, 159, 267 (1988).

1161. C. W. Pitt and L. M. Walpita, Electrocomponent Science and Technology, 3, 191 (1977).

1162. V. R. Novak, Mikroelectronika, 12, 181 (1983).

1163. J. A. De Rose and R. M. Leblanc, Surface Science Reports, 22, 73 (1995).

1164. M. Bardosova, B. Stiller, R. H. Tredgold, M. Woolley, P. Hodge, L. Brehmer, Thin Solid Films, 284-285,450(1996).

1165. J. В. Peng and G.T. Barnes, Thin Solid Films, 284-285, 444 (1996).13. http:\\ www.ntmdt.ru , NT-MDT, Zelenograd, Moscow, Russia.

1166. Q. Zhong, D. Innis, K. Kjoller and V. B. Elings, Surf. Sci. Lett., 290, L688 (1993).

1167. A. P. Husu, Yu. R.Vitenberg and V. A. Pal'mov, «.Roughness of surfaces. Theoretico-statistical approach», Moscow, Nauka, 1975 (inRuss.).

1168. A. S. Toporetz, «Optics of roughness surface», Leningrad, Mashinostroeie, 1988 (in Russ.).

1169. V. I. Trofimov and V. A. Osadchenko, «Growth and morphology of thin films», Moscow, Energoatomizdat, 1993 (inRuss.).

1170. H.-G. Unger, «Planar optical waveguides and fibres», Clarendon Press. Oxford (1977).

1171. P. Fromherz, C. Kemper and E. Maass, Thin Solid Films, 159, 405 (1988).

1172. Т. Takenaka, K. Nogami, H. Gotom and R. Gotom, J.Coll.Int.Sci., 35, 395 (1971).

1173. T. Takenaka, K. Nogami and H. Gotom, J.Coll.Int.Sci., 40, 409 (1971).

1174. P. Chollet, J. Messier, and C. Rosilio, J.Chem.Phys. 64,1042 (1976).

1175. D. L. Allara, J. D. Swalen, J.Chem.Phys.,86, 2700, (1982).

1176. J. F. Rabolt, F. C. Burns, N. E. Schlotter and J. D. Swalen, J.Chem.Phys, 78, 946 (1983).

1177. P. Fromherz, U. Oelschlagel and W. Wilke, Thin Solid Films, 159, 421 (1988).

1178. ГНЦГосЛИИ ФП (атомарные ЗУ)

1179. Емельянов А.В, Полторацкий Э.А, Самсонов Н.С. Постоянное ЗУ и метод записи. АС № 1655240. Пр. 30.01.1989.

1180. Емельянов А.В, Полторацкий Э.А, Портнов С.М, Рябоконь В.Н,Самсонов Н.С. Атомарные запоминающие среды. Пути реализации проблемы. Электронная промышленность. N 7-8. 1994. С.50-54.

1181. Lapshin R.V, Riabokon V.N. Scanning tunnel microscope measurements of the spatial characteristics of ordered surface nanostructures. NANO IV, Abstract booklet, Beijing, P.R.China, Septem- ber 812, 1996. P.143

1182. Публикации по теме диссертациис верхним индексом (X)* по тексту диссертации)

1183. V.A.Bykov. Lyotropic Liquid Crystal Technology as new Method of Structure Forming of Molecular Electronics// Second International Conference "Molecular Electronics and Biocomputers", UNESCO, AS of the USSR, Moscow, USSR, September 11-18, 1989, p.22-23.

1184. V.A.Bykov, Aleksandrov A.I. ."Structure and Optical Properties of Aligned lyotropic Liquid Crystal Films"// Twelfth European Crystallographic Meeting, Moscow, USSR, August 20-29, 1989, vol.3, p.357

1185. V.A.Bykov, HamerofF S.R, Lazarev P.I, Protasenko V.V, Samsonov N.S, Troitsky V.I. STM application in nanotechnology // Book of Abstracts, International Conference on Scanning Tunneling Microscopy, 12-16 August, 1991, Interlaken Switzerland, р.31

1186. В.А.Быков, A.B. Емельянов, Э.А. Полторацкий, Н.С. Самсонов. Наноэлектроника как перспектива развития микроэлектроники // Электронная промышленность, 1993г, вып. 11-12, стр. 42-46

1187. В.А.Быков, С.Н.Мазуренко, И.В.Мягков, Н.С. Самсонов. Перспективы молекулярной наноэлектроники// Тезисы докладов. Международная научно-техническая конференция "Микроэлектроника и информатика", 11-12 ноября 1993г., Москва-Зеленоград, Россия, стр.13

1188. В.А.Быков. Методы формирования и исследования пленок Ленгмюра Блоджетт и молекулярная нанотехнология // Электронная промышленность, 1994, вып.7-8, с.59-63

1189. Быков В.А., Иконников А.В., Кацур С.Ф., Еремченко М.Д., Саунин С.А., Шикин С.А. Сканирующий туннельный микроскоп и головка для него (варианты)// Патент РФ №2069056. Приоритет от 18 апреля 1994 года

1190. V.A.Bykov, V.A. Fedirko, M.D. Eremtchenko. Tunnel microscopy investigation of fullerene monolayers.// Book of abstracts XXIX Colloquium Spectroscopicum Internationale, Leipzig, Germany Aug.27 Sep.l, 1995, p.474.

1191. V.A.Bykov, V.A.Fedirko. Scanning probe microscopy for biological object investigation.// In "Spectroscopy of Biolog. Molecules, ed. by J.C.Merlin, S. Turrell and J.P.Huvenne. Kliver Acad. Publ., Dordrecht/ Boston/ London, 1995, p. 471-472.

1192. Быков B.A, Иконников A.B, Кацур С.Ф, Еремченко М.Д, Саунин С.А, Шикин С.А. Сканирующий зондовый микроскоп (варианты), его чувствительный элемент и способ юстировки кантилевера // Патент РФ №2072735. Приоритет от 25 мая 1995 года.

1193. A.I. Alexandrov, T.V. Pashkova, V.A. Bykov, I.V. Myagkov, V.R. Novak. Structure Investigations of Multilayered Molecular Systems Based on Conducting Monola)'ers// Mol.Mat, Vol. 5, pp. 223 -229, 1995.

1194. V.A. Bykov, "Langmuir-Blodgett films and nanotechnology"// Biosensor & Bioelectronics Vol. 11, No. 9, pp. 923-932, 1996.

1195. V.A.Bykov, V.A.Fedirko, M.D.Eremtchenko. Tunnel microscopy investigation of fullerene monolayers// Fresinius J. Anal. Chem. V355, N5-6, pp. 707-710, 1996.

1196. V.A.Bykov, Scanning probe microscopy and nanotechnology// В коллективной монографии под редакцией проф. С. Nicolini "Molecular Manufacturing", Plenum Press, New York and London, Vol. 2, pp. 67-76, 1996.

1197. В.А.Быков, М.И.Лазарев, С.А.Саунин. Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности// Электроника: наука, технология, бизнес. 1997. №5. Стр. 101-124.

1198. В.А.Быков, М.И.Лазарев, А.В.Тавров. Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности//Компьютерра. 13 октября 1997. №41. Стр.38-42.

1199. N.V.Dolgushev, A.A.Malkov, A.A.Malygin, S.A.Suvorov, A.V.Shchukarev, A.V.Beljaev, V.A.Bykov. Synthesis and characterization of nanosized titanium oxide films on the (0001) -A1203 surface// Thin Solid Films. 1997. 293. P.91-95.

1200. В.А.Быков, М.И.Лазарев, С.А.Саунин. Зондовая микроскопия для биологии и медицины// Сенсорные системы. 1998. Том 12. Вып.1. Стр.99-121.

1201. В.А.Быков. Новые приборы и разработки в сканирующей зондовой микроскопии// Материалы всероссийского совещания «Зондовая микроскопия 98». 1998. Нижний Новгород. 2-5 марта. ИФН РАН. Стр. ПО - 111.

1202. V. Bykov, A. Gologanov, V. Shevyakov. Test structure for SPM tip shape deconvolution // Appl. Phys. A 66, 499 502 (1998)

1203. В.А. Быков, Б.К. Медведев, Д.Ю. Соколов. Мультимодовый сверхвысоковакуумный СЗМ COJIBEP-UHV// Зондовая микроскопия 99. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 10-13 марта 1999 г., стр. 320 - 326.

1204. Быков В.А, С.А. Саунин. Новые приборы и возможности в сканирующей зондовой микроскопии// Зондовая микроскопия 99. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 10-13 марта 1999 г., стр. 132 - 133.

1205. V.R. Novak, V.V. Zhizhimontov, A.V. Belyaev, V.A. Bykov. Surface Morphology of Ara-chidic Acid Cd Arachidate LB-films Studied with SFM// Mol.Mat. v. 12, No.2, pp. 111-124 (2000)

1206. Сотников П.С, Лазарев М.И, Быков В.А. Применение молекулярной технологии для решения проблем обеспечения продуктов питания витаминами и микроэлементами// Труды отделения микроэлектроники и информатики. Выпуск 3, 1999 год, Москва-Зеленоград.

1207. Быков В.А. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии// Труды отделения микроэлектроники и информатики. Выпуск 3, 1999 год, Москва-Зеленоград.

1208. Беляев А.В, Быков В .А, Жижимонтов В.В, Лосев В.В, Саунин С.А. Сканирующий зондовый микроскоп для контроля качества поверхности больших пластин// Труды отделения микроэлектроники и информатики. Выпуск 3, 1999 год, Москва-Зеленоград.

1209. Беляев А.В, Быков В.А, Жижимонтов В.В, Иконников А.В, Кацур С.Н, Самойленко А.Д, Саунин С.А. Универсальный сканирующий зондовый микроскоп COJ1BEP-P47// Труды отделения микроэлектроники и информатики. Выпуск 3, 1999 год, Москва-Зеленоград.

1210. Быков В.А, Гологанов А.Н. Патент РФ №2121131 по заявке на изобретение № 971022018/28 (002160) «Тестовая структура для градуировки сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 11.02.1997

1211. Беляев А.В, Быков В.А, Гологанов А.Н. Патент РФ №2121130 по заявке на изобретение № 97101994/28 (002156) «Тестовая структура для определения формы и геометрических размеров иглы сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 11.02.1997

1212. Быков В.А, Гологанов А.Н. Патент РФ №2121657 по заявке на изобретение №97107635/28 (008133) «Способ формирования кантилевера сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 08.05.1997

1213. Быков В.А, Гологанов А.Н. Патент РФ №2124780 по заявке на изобретение №9623203/09 (029870) «Кантилевер для сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 06.12.1996

1214. Быков В.А, Гологанов А.Н. Патент РФ №2124251 по заявке на изобретение №96123099/09 (029880) «Многозондовый кантилевер для сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 06.12.96

1215. Быков В.А, Гологанов А.Н. Патент РФ №2121656 по заявке на изобретение №97107631/28 (008127) «Тестовая структура для градуировки сканирующего зондового микроскопа»// приоритет от 08.05.1997

1216. Быков В.А, Гологанов А.Н. Заявка на изобретение № 97107633/28 (008131) «Кантилевер сканирующего зондового микроскопа».

1217. Быков В.А, Гологанов А.Н. Патент РФ №2125234 по заявке на изобретение № 97107634 «Способ изготовления кантилевера сканирующего зондового микроскопа» // приоритет от 08.05.1997.

1218. Быков В.А, Иванов В.К, Саунин С.А, Соколов Д.Ю. Заявка на изобретение № 96122357/28(029037) от 26 ноября 1996 «Сверхвысоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп» (находится на рассмотрении по ходатайству от 22.04.99)

1219. Быков В.А, Гражулис В.А, Божко С.И, Саунин С.А, Соколов Д.Ю. Патент РФ №2152103 по заявке на изобретение № 96122421 , приоритет от 22 ноября 1996 «Сверхвысоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп

1220. Быков В.А, Патент РФ №2152063 по заявке на изобретение № 97100591 приоритет от 16 января 1997 «Сканирующий зондовый микроскоп».

1221. Быков В.А, Беляев А.А, Медведев Б.К, Саунин С.А, Соколов Д.Ю. Сканирующий зондовый микроскоп.// Заявка на изобретение №91108911/28(009018). Приоритет от 22.04.1999. Положительное решение от 14 июля 1999 года.

1222. Быков В.А, Медведев Б.К, Соколов Д.Ю. Сверхвысоковакуумная транспортная система для сканирующих зондовых микроскопов.// Заявка на изобретение №91108910/28(009016). Приоритет от 22.04.1999. Положительное решение от 14 июля 1999 года.

1223. Быков В.А, Медведев Б.К, Соколов Д.Ю. Устройство нагрева для сканирующих зондовых микроскопов.// Заявка на изобретение №91109201/28(009003). Приоритет от 22.04.1999. Положительное решение от 14 июля 1999 года.

1224. Быков В.А, Медведев Б.К, Соколов Д.Ю. Сканер термокомпенсированный// Заявка на изобретение №91109202/28(009004). Приоритет от 22.04.1999. Положительное решение от 14 июля 1999 года.

1225. Сотников П.С, Быков В.А, Лазарев М.И. Способ получения витаминного препарата и способ получения водо-растворимого препаратаУ/ Заявка на изобретение № 97113341 от 15 августа 1997 года.

1226. В.А. Быков. Фибриллярные лиотропные жидкие кристаллы и ориентированные пленки на их основе// Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н, Москва, Гос. НИИФП, 1997 год, ВНТИ Центр № 04.9.80 0 01336.

1227. Быков В.А. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии// Микросистемная техника №1 2000 год. Стр. 21 33

1228. А. Быков. Концепция развития техники и методов СЗМ в период 2000 2002 годы // Зондовая микроскопия - 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000 г, стр.147-152

1229. Быков В.А, Иконников А.В, Кацур С.Ф, Саунин С.А, Соколов Ю.И. Новый базовый электронный блок для управления СЗМ линии «Солвер»// Зондовая микроскопия 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000 г., стр.282-286

1230. Алексеев A.M., Быков В.А., Бузин А.И., Саунин С.А. Применение методов мультимо-довой СЗМ в исследованиях полимеров// Зондовая микроскопия 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000 г., стр.287-291

1231. Быков В. А., Дрёмов В.В., Михайлов Г.М., Лосев В.В., Саунин С.А. Зонды «вискер -типа» и магнитно-силовые зонды для СЗМ // Зондовая микроскопия 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000 г., стр.298-302

1232. Быков В.А., Мишачев В.И. Возможности кремниевой микромеханики для развития сканирующей зондовой микроскопии и нанотехнологии // Зондовая микроскопия 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000 г., стр.292-297

1233. В.А. Быков, С.Ф. Кацур, Б.К. Медведев, С.А. Саунин, Д.Ю. Соколов. Мода динамических сил в СЗМ и результаты исследований. // Зондовая микроскопия 2000. Материалы Всероссийского совещания. Нижний Новгород, 28 февраля - 2 марта 2000 г., стр.274-278