автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Разработка и внедрение промышленной субмикронной технологии СБИС

На пранах рукописи Для служебного пользования Экз. № б

УДК 621.314.632.

ГОРНЕВ ЕВГЕНИЙ СЕРГЕЕВИЧ

Разработка и внедрение промышленной субмнкропной технологии СБИС.

Специальность 05.27.01. - твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук

Москва 2000 г.

Л., У/Г У У П^

Работа выполнена в акционерном обществе открытого типа «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод «Микрон»»

Официальные оппоненты:

Член-корреспондент РАН,

доктор технических наук, профессор В.В. Аристов

Доктор технических наук, профессор К.О. Петросянц

Доктор технических наук, профессор Е.А. Ладыгин

Ведущая организация: Физико-технологический институт Российской Академии Наук

Зашита состоится " " Л- 2000 года на заседании

диссертационного совета Д.142.06.01. при НИИ Микроприборов, 103482, г. Москва

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке НИИ Микроприборов.

Автореферат разослан "/У" -^¿Ьгода

Ученый секретарь

диссертационного совета, к. ф.-м. н. В.П. Мартынов

Л V V. - 0С-/, о

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность проблемы. Микроэлектроника относите!! к числу приоритетных отраслей промышленности и является важнейшим направлением научно-технического прогресса во всех развитых странах. Огромные средства вкладывают ведущие зарубежные страны и развитие электроники и перспективных технологий. США в последние годы только на развитие военной электроники ежегодно расходуют от 35 до 40 млрд. долларов. Приоритет отдастся созданию изделии микроэлектроники и соответствующих технологий. В последнее десятилетие все экономически развитые страны уверенно встали на путь тотальной компьютеризации и информатизации своих обществ. Способность разрабатывать и производить высокотехнологичные изделия микроэлектроники сегодня в значительной мере определяет уровень развития в целом, и в будущем эта тенденция будет только усиливаться. Адекватное технологически передовым странам развитие передовой технологии микроэлектроники является одной из основных составляющих успешного развития страны в 21 веке. Утрата способности участвовать в мировом процессе развития технологии микроэлектроники на правах участника этого процесса, а не потребителя готовой продукции, может привести к нежелательным экономическим и опасным последствиям, так как это неизбежно приведет страну к зависимости от внешних производителей электронной аппаратуры и негативно отразится на обороноспособности страны.

Современное состояние отечественной полупроводниковой промышленности таково, что из-за внутренних экономических трудностей, в ближайшем будущем невозможна успешная конкуренция с ведущими мировыми производителями интегральных микросхем (ИС) в области создания приборов и устройств высшей степени сложности, обеспечивающих передовой уровень техники. Поэтому автор не ставит перед собой целью полное и детальное решение столь большой и дорогой проблемы, как создание технологии субмикронных сверхбольших интегральных схем (СБИС), позволяющей на равных конкурировать с известными иностранными фирмами. Тем не менее, возникает вопрос, имеет ли наша микроэлектроника право на жизнь, особенно в условиях мировой интеграции, мирового разделения труда и жесткой конкуренции? Очевидность ответа определяется необходимостью сохранения независимости страны и достигнутых в свое время

приоритетов. Ясно, что элементная база для важнейших радиоэлектронных систем, имеющих оборонное и стратегическое значение, должна создаваться отечественной электроникой.

Стоимость и сложность современных полупроводниковых предприятий достаточно высока и развитие современных субмикронных технологий требуют огромных инвестиций. Эти затраты требуют объединения средств и консолидации усилий для решения сложнейших задач по созданию производств высокого технического и организационного уровня. Социальные и финансовые проблемы, а не технические, могут, в конечном счете, ограничить широкое применение передовой субмикронной технологии СБИС.

В диссертации автор использовал результаты своей многолетней деятельности в качестве технического руководителя ведущего предприятия отечественной электронной промышленности, организатора разработки и внедрения промышленных технологий ИС, руководителя и участника многих НИОКР по созданию, внедрению и производству ИС и СБИС, оборудования, материалов, систем и методов управления.

Результаты длительного творческого сотрудничества с разработчиками РЭА, технологического оборудования, систем и средств обеспечения производства, систем управления требуют создания принципов организации технологического процесса и производства технологически реализуемой и относительно дешевой СБИС с субмикронными размерами. Для обеспечения реализации этих принципов требуется системный подход, адекватный современным отечественным условиям технического развития, с рассмотрением всей совокупности воздействующих на них в той или иной мере проблем. Многолетние исследования, проведенные в НИИМЭ и заводе «Микрон» при непосредственном участии автора диссертации, и его оценки, сравнительный анализ, расчеты, экспериментальные результаты показывают возможность получения положительных результатов в развитии отечественной промышленной технологии субмикронных размеров. В то же время мы ограничимся вопросами создания приборно-тсхнологичсского базиса субмикронных СБИС на основе использования достижений отечественной науки и промышленности в приложении к решениям поставленной задачи при минимизации затрат на их решение. Для этого нами будут проанализирован исистематизирован зарубежный и, прежде всего, наш накопленный научно-технический опыт решения задач в области создания базовых технологий производства ИС и управления ими.

13 работах отечественных ученых и организаторов отечественной микроэлектроники Валиева К.А., Колесникова В.Г., Красникова Г.Я., Дьякова 10.II., Назарьнна А.Р., Орликовского А.А., Самсонова Н.С., Дшхуняна В.Л., и др. вопросам развития отечественной микроэлектроники и технологии производства интегральных микросхем уделено большое внимание. Из этих работ следует вывод - решение научно-технических задач создания и внедрения субмикронной технологии и организации производства высоконадежных СБИС в отечественных условиях является актуальной проблемой, имеющей большое значение для отечественной промышленности. Этот вывод определил направление научных исследований диссертационной работы. Настоящая диссертация посвящена развитию научных основ промышленной технологии производства сверхбольших интегральных схем (СБИС) с субмикропными размерами, построению и обоснованию комплексной многоуровневой системы, включающей в себя технологические процессы, оборудование, условия производства, методы и средства моделирования, проектирования, диагностики и контроля, управление и персонал, функцией состояния которой является эффективность затрат. Данная система в этой конфигурации позволяет гарантированно создавать, внедрять и производить функционально законченные серии СБИС, удовлетворяющие требования потребителей. Диссертация обобщает и систематизирует функционально полную совокупность решений, внедрение которых обеспечило создание, освоение и производство широкой номенклатуры ИС и внесло значительный вклад в ускорение научно-технического прогресса отечественной промышленности.

Цель диссертации — развитие научных основ промышленной технологии производства интегральных микросхем на принципах организации технологического процесса и производства технологически реализуемой и относительно недорогой СБИС с субмикронными размерами; создание нового технологического базиса с соответствующей инфраструктурой для производства сверхбольших интегральных схем с субмикронными размерами для широкого спектра применения.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие научно-технические задачи:

выявить особенности перехода от технологий малого и среднего уровней интеграции к технологии СБИС субмикропиого уровня и разработать методологию перехода к промышленной технологии их производства;

развить научные основы промышленной технологии как комплексной системы, построить и обосновать модель промышленной субмикронной технологии СБИС.

разработать научно-технические и организационно-экономические основы создания высокоэффективного промышленного производства СБИС на базе субмикронной технологии с использованием современных систем комплексного управления качеством; обосновать и разработать с использованием методов математического моделирования и экспериментального исследования тестовых структур оптимальные варианты типовых технологических маршрутов производства СБИС различного функционального назначения с субмикронными размерами;

разработать критерии выбора технологического оборудования; разработать систему мониторинга и управления привносимой дефектностью и процессе производства;

предложить и обосновать систему межоперационного и аттестационного контроля в процессе производства СБИС с проектными нормами уровня 0,5 - 0,35 мкм;

предложить и реализовать новые эффективные методы неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин и линейных размеров элементов ИС в субмикронном диапазоне; обосновать необходимость, определить основные требования и внедрить систему экологического обеспечения субмикронной технологии и условия ее реализации.

Научная новизна работы. В итоге выполненных работ получен ряд новых результатов, направленных на решение сложной и актуальной проблемы создания промышленной субмикронной технологии СБИС. В результате разработки и развития научных основ промышленной субмикронной технологии СБИС решены следующие задачи:

а) предложена многоуровневая модель промышленной субмикронной технологии СБИС как системы, включающей в себя комплекс технологических операций, оборудование, условия производства, методы и средства моделирования, проектирования, диагностики и контроля, управление и персонал, функцией состояния которой является эффективность затрат;

б) предложена концепция организации субмикронного производства СБИС уровня 0,5 — 0,35 мкм, совмещающая этап промышленного

производства предыдущего поколения с разработкой технологии последующего поколения и использующая проектно-ориентированную функционально-иерархическую структуру поддержки инвестиционной деятельности предприятия;

в) обоснована, разработана и запатентована модификация многовариантной К.МОП, БиКМОП и биполярной технологии на базе универсального маршрута, реализуемого на одном комплекте оборудования, не уступающая по степени интеграции и рентабельности КМОП ИС, конкурирующая с биполярными ИС, обеспечивающая степень совмещения структур полевых и биполярных транзисторов более 90 процентов и возможность их интеграции с одним и двумя слоями поликремния;

г) создана и запатентована технология суперсовмещенных биполярных ИС, позволяющая при проектной норме 1,5 мкм реализовывать размеры эмиттера менее 0,5 мкм, а при норме 0,8 мкм —0,25 мкм соответственно с одновременным пропорциональным уменьшением базовых областей и всего транзистора в целом;

д) создана технология «кремний на изоляторе» с металлическим скрытым слоем, позволяющая реализовать наряду с полевыми и биполярные транзисторы;

с) разработана и внедрена методика выбора оборудования по критерию "цена-качество";

ж) разработана и внедрена система мониторинга и управления привносимой дефектностью в процессе производства субмикронных СБИС;

з) разработаны и внедрены методы бесконтактного контроля электрофизических параметров полупроводниковых структур на основе поверхностной фотоэде;

и) экспериментально подтверждена возможность контроля линейных размеров элементов СБИС на основе растровой атомно-силовой микроскопии (разрешение ~10 нм) с использованием созданной линейной меры субмикронного диапазона;

к) обоснована необходимость использования экологически чистых условий на всех стадиях технологического процесса изготовления СБИС, установлены и внедрены требования к экологическому обеспечению субмикронной технологии как важнейшему критерию исключения ее самозагрязнения через окружающую среду и определены в НТД условия их реализации. Обоснована необходимость введения «экологической защиты» обрабатываемых полупроводниковых пластин СБИС, которая должна охватывать все аспекты технического н технологического обеспечения

чистоты, комплексного учета факторов, участвующих в формировании и обеспечения условий и режимов проведения технологических процессов;

л) предложена совокупность технологических, конструктивных и схемотехнических решений, которая использована для улучшения характеристик и параметров существующих отечественных БИС и СБИС, а также может быть рекомендована при создании новых перспективных СБИС с субмикронными размерами.

Практическая значимость работы состоит в следующем.

1. Использование на практике в условиях реального производства комплекса теоретических и экспериментальных исследований (28 НИР и 103 ОКР) позволило существенно расширить номенклатуру выпускаемых микросхем, повысить их технико-экономические показатели и качество для отечественной радиоэлектронной аппаратуры различного назначения. Создано, усовершенствовано и внедрено более 40 различных вариантов биполярной и КМОП технологий, часть из которых и в настоящее время являются базовыми в производстве интегральных микросхем. На основе базовых технологий завода «Микрон» модернизировано более 100 типов микросхем и разработано с одновременным освоением производства в процессе ОКР более 50 типов ИС различной степени интеграции.

2. На основе базовых технологий выпускаются микросхемы для комплектования около 30 различных систем и комплексов промышленного и оборонного значения, наиболее крупные из которых - ЕС ЭВМ «Ряд» , «Ряд М», МВК «Эльбрус 2», С 300, СМ ЭВМ, «Буран», «Тополь», С 400, «Совершенствование 88», «Печора», «Морской старт» и др.

3. Разработанные комплекты технологической документации переданы на 34 завода, в т.ч. зарубежные, где было организовано производство интегральных микросхем, в большинстве, при участии автора. Используя базовые технологии, на этих заводах была организована разработка новой номенклатуры интегральных микросхем в расширение уже существующих серий, а в некоторых случаях создавались новые серии микросхем. По биполярной технологии организован выпуск более 70 серий ИС, по КМОП - 17 серий.

4. Создано современное, не имеющее отечественных аналогов производство СБИС уровня (1,2 — 0,8) мкм с высокими технико-экономическими показателями, близкими к уровню ведущих зарубежных фирм. В производство специально закладывается технологический резерв, т.е. этап промышленного производства СБИС предыдущего поколения содержит в себе элементы и возможности поколения уровня (0,5 — 0,35)

мкм. Расширение возможностей производства СБИС обоснована и поддерживается соответствующими инвестиционными проектами.

5.Универсальный многовариантный технологический маршрут, технологические, конструктивные и схемотехнические решения реализуются при разработке и производстве цифровых и аналого-цифровых БИС и СБИС широкой номенклатуры, создании КМОП, биполярных и БиКМОП приборно-технологических базисов и соответствующего гибкого субмикронного производства и могут быть рекомендованы при создании перспективных типов СБИС и организации их производства.

6.Разработаны и внедрены общие требования к технологическому оборудованию для производства субмикронных СБИС и методика выбора оборудования по критерию "цена-качество".

7.Разработана и внедрена система управления технологическим процессом производства субмикронных СБИС на основе мониторинга, управления привносимой дефектностью и статистических методов регулирования параметров.

8.Существенно повышена эффективность и точность контроля и измерения электрофизических параметров и линейных размеров полупроводниковых пластин и элементов СБИС (с точностью не хуже 10 нм) за счет использования ряда новых бесконтактных методов на основе поверхностной фотоэде и атомно-силовой микроскопии (АСМ).

9.Разработана и внедрена система экологического обеспечения субмикронного производства.

Ю.Теоретические и практические результаты работы использованы при создании государственных программ «Развития электронной техники в России», «Субмикрон 95», «Национальная технологическая база».

Достоверность результатов. Достоверность теоретических и экспериментальных результатов, разработанных моделей, подтверждается проверками на адекватность по экспериментальным данным, метрологической поверкой, сравнениями с зарубежными литературными данными, выступлениями и обсуждениями на конференциях и семинарах, ссылками и отзывами в зарубежной и отечественной печати.

Экспериментальные исследования проводились на современном отечественном и зарубежном оборудовании, специально разработанных стендах. Достоверность разработанных методик технологических процессов и установок подтверждается положительными технологическими испытаниями, экспериментальными образцами, а так же проверкой на

достоверность в порядке экспертизы заявок на изобретения. Разработанные инвестиционные проекты прошли необходимую экспертизу соответствующих министерств и ведомств.

Внедрение результатов работы. Результаты диссертационной работы использованы в более 20 НИР и 60 ОКР, комплексных целевых научно-технических и федеральных программах "Субмикрон 95", "Развитие электронной техники в России", "Национальная технологическая база" и ДР

Научно-методические аспекты разработки промышленной субмикронной технологиии элементного юбазиса современных СБИС, изложенные в диссертации, используются в учебном процессе МГИЭТ (ТУ) и МГИЭМ (ТУ).

Основные положения, выносимые на защиту.

1.Модель промышленной субмикронной технологии как системы, включающей в себя комплекс технологических операций, оборудование, условия производства, комплекс методов и средств моделирования, проектирования, диагностики и контроля, управление и персонал. Функцией ее состояния является эффективность затрат.

2.Модель организации субмикронного производства СБИС уровня 0,5 — 0,35 мкм, совмещающая этап промышленного освоения предыдущего поколения с разработкой технологии последующего поколения. Возможность этого обеспечивается специально закладываемым резервом технологического уровня созданного производства.

3.Многовариантная, гибкая КМОП, биполярная и БиКМОП технология:

• на базе универсального маршрута, реализуемого на одном комплекте оборудования, не уступающая по степени интеграции и рентабельности КМОП ИС, конкурирующая с биполярными ИС, обеспечивающая степень совмещения структур полевых и биполярных транзисторов более 90 процентов и возможность их интеграции с 1-м и 2-я слоями поликремния;

• технология суперсовмещенных биполярных ИС, позволяющая при проектной норме 1,5 мкм реализовывать размеры эмиттера менее 0,5 мкм, а при норме 0,8 мкм —0,25 мкм соответственно с одновременным пропорциональным уменьшением базовых областей и всего транзистора в целом;

• технология «кремний на изоляторе» с металлическим скрытым слоем, позволяющая реализовать наряду с полевыми, и биполярные транзисторы.

4.Система управления технологическим процессом производства субмикронных СБИС на основе мониторинга, и управления привносимой дефектностью и статистических методов регулирования параметров.

5.Бесконтактные метлы контроля комплекса электрофизических параметров полупроводниковых пластин и линейных размеров элементов СБИС на основе поверхностной фотоэде и атомно-силовой микроскопии, в т.ч.:

• методы аттестации и результаты испытаний универсальной линейной меры (УЛМ) для линейных измерений на растровом электронном микроскопе (РЭМ) и атомно-силовом микроскопе (АСМ) в субмикронном диапазоне (0,1 — 1,0) мкм;

• результаты испытаний опытных образцов УЛМ в экспериментах по калибровке (определение основных характеристик) РЭМ и АСМ;

• результаты оценки возможностей использования АСМ для мониторинга технологических процессов производства СБИС.

6.Создание высокоэффективной системы экологической защиты в системе «обрабатываемое изделие — оператор — технологическая среда — предприятие —окружающая среда».

7.Совокупность предложенных в работе технологических, конструктивных, схемотехнических и организационных решений реализованна при разработке и производстве цифровых и аналого-цифровых БИС и СБИС широкой номенклатуры, создании КМОП, биполярных и БиКМОП приборно-технологических базисов и соответствующего субмикронного производства.

Аипобация работы. Результаты диссертационной работы докладывались на Всесоюзных, Российских и Международных научно-технических конференциях и совещаниях: X Всесоюзная научно-техническая конференция по микроэлектронике, г. Таганрог 1982 г.; IV научно-техническая конференция "Опыт применения изделий микроэлектроники в современной аппаратуре", г. Москва 1982 г.; И Всесоюзная конференция по САПР, г. Одесса, 1984 г.; XVI научно-техническая конференция ЦКБ "Алмаз", г. Москва 1985 г.; Научно-техническая конференция "Опыт и перспективы развития ГПС в приборостроении и микроэлектронике", г. Москва 1986 г.; VI научно-техническая конференция по надежности "Обмен опытом и определение основных направлений по дальнейшему повышению надежности РЭА", г. Москва 1986 r.;IV ежегодный Европейский форум

Микроэлектроники, г. Мюнхен, ФРГ, 1994; II Международная научно-техническая конференция «Микроэлектроника и информатика», г. Москва

1995 г.; III Ежегодный форум руководителей электронной индустрии, East/ West Electronics, г. Москва, 1995 г.; III Российская научно-техническая конференция "Микроэлектроника", г. Москва, Звенигород 1996 г.; XXV Международная школа "Физика полупроводниковых компонентов", г. Варшава, Польша 1996 г.; IV Ежегодный форум руководителей электронной индустрии, East/West Electronics, г. Москва, 1996 г.; Конференция по микроэлектронике. Московский институт электронной техники, г. Москва,

1996 г.; семинар фирмы "Dexter" на международной выставке "Электроника '96", г. Мюнхен, ФРГ 1996 г.; Международная выставка "Semicon Europe '97", г. Женева, Швейцария, 1997 г.; Пятый ежегодный форум руководителей электронной индустрии, East/West Electronics, г. Москва, 1997 г.; I научно-техническая конференция АООТ "НИИМЭ и Микрон", г. Москва, 1998 г.; Шестой ежегодный форум руководителей электронной индустрии, East/ West Electronics, г. Москва, 1998 г.; II научно-техническая конференция АООТ "НИИМЭ и Микрон", г. Москва, 1999г.; IV Всероссийская научно-техническая конференция "Микро- и наноэлектроника", г. Москва, Звенигород 1999 г.; 1999 SEMI CIS Executive Mission and Exibit, May 17-19, 1999, Zelenograd-Moscow, Pussia; XI Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел РЭМ'99, июнь 1999 г., Черноголовка.; Международная конференция «Интеллектуальные многопроцессорные системы», 1-5 сентября 1999 г., Таганрог; V международный симпозиум по управлению проектами «Управление проектами: восток-запад — грань тысячелетий» СОВНЕТ'99, Москва, 1999 г.; III научно-техническая конференция АООТ "НИИМЭ и Микрон", г. Москва, март 2000г.

Публикация работы. Основные положения диссертации и результаты изложены в 269 работах.

Структура н объем работы. Диссертация состоит из введения, 6 глав, заключения и списка литературы. Общий объем работы составляет 279 страниц основного текста, 249 рисунков, 65 таблиц к основному тексту.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении обоснована актуальность темы, очерчен круг основных проблем требующих решения, определены научная новизна работай практическая значимость работы, сформулированы защищаемые положения.

Первая глава содержит анализ промышленной субмикронной технологии как совокупности достижении науки, производства, управления и экономики. Современная промышленная технология СБИС развивается в полном соответствии с целым рядом закономерностей, присущих микроэлектронике. Г. Мур свел быструю эволюцию кремниевой технологии к главной закономерности развития микроэлектроники - минимальные проектные нормы ИС уменьшается в 1,5 раза каждые три года, при этом плотность размещения в них транзисторов возрастает в два раза, а стоимость одного транзистора снижается в два раза. На рис. 1 представлены графические интерпретации этого закона.

Следующая закономерность развития технологии микроэлектроники - увеличение размеров пластин для увеличения съема кристаллов и снижения себестоимости производства, так как время технологической операции примерно постоянно и независимо от размера.

Высокий выход годных ИС — очередная закономерность промышленной технологии микроэлектроники. Он зависит от дефектов окружающей среды и разброса элементов ИС и технологического процесса. Общий выход годных микросхем Уис может быть выражен как функция вероятностен бездефектности Уд и воспроизводимости процесса Уц: У|1С= Уд ФЛ) • [Ув(а,Д)]п (1.1)

где Уд выход годных в зависимости от плотности деффектов Д и площади кристалла Л:

Уд = ехр(-ЛО) (1.2)

Параметр Уи зависит от точности реализации физической структуры ИС при изготовлении (а) и, соответственно, от технологических запасов (Д). На рис. 2 представлены рассчитанные нами <т/Д в зависимости от степени интеграции при различных задаваемых значениях процента выхода годных ИС.

Создание сверхчистой среды является одним из наиболее важных требований современной технологии микроэлектроники. И в этом ее очередная закономерность. Выпуск БИС с субмикронными размерами невозможен без сверхчистой среды. Производства СБИС должны иметь системы сверхчистых помещений, обеспечения сверхчистой водой, высокочистыми химикатами, газами и очистки пластин, системы рабочих камер, в том числе свсрхвысоковакуумных, для обработки пластин с постоянно поддерживаемой и контролируемой сверхчистой средой, систему

транспортировки и хранения пластин и систему контроля параметров чистоты, оснащенную датчиками, приборами контроля и средствами исполнения. Невыполнение требований по чистоте в любой из этих систем может свести выход годных к нулю. Устранение источников неконтролируемых загрязнений или нарушений в окружающей среде — важнейшая задача при создании производства БИС с субмикронными размерами. Технология микроэлектроники требуют строгой регламентации и обеспечения чистоты производственных условий для гарантирования высокого выхода годных.

Чистые условия производства диалектически развились от производственных помещений большой площади с контролируемым и управляемым микроклиматом, к модульным чистым комнатам различного класса и миниокружениям. После создания производств нового типа, доля случайных дефектов, вносимых ЧПП и рабочим персоналом, снизилась в общей доле дефектов (рис. 3) при снижении стоимости ЧПП в себестоимости пластин СБИС.

Интегрирование технологических решений, оборудования, условий производства и средств проектирования - следующая закономерность промышленной технологии. Интеграция процессов в едином технологическом цикле, позволяет существенно снизить накопленную дефектность структур, уровень загрязнений и повысить воспроизводимость параметров. Современное технологическое оборудование интегрирует в себе технологические процессы, аппаратные и программные средства реализации этих процессов в полном соответствии с заданной математической моделью физической структуры СБИС с требуемыми параметрами. В современном оборудовании первичен технологический процесс.

Дальнейшее развитие технологий микроэлектроники идет через интеграцию техпроцессов, оборудования и чистых условий производства. Оно диктуется все более жесткими требованиями к микроклимату и чистоте с одной стороны и большими затратами на их создание и эксплуатацию с другой. Вводится понятие «интегрированная чистота». Наряду с совершенствованием методов контроля и системы предотвращения загрязнений и их источников, изменяются подходы к обнаружению поражающих дефектов для их прогнозирования. Появляется интегрированная метрология, поддерживающая производительность технологических операций.

Объем капиталовложений в микроэлектронику за последние пять лег превысил 160 млрд. долл. США. Финансовые проблемы представляют значительные трудности для большинства производителей ИС и ограничивают введение передовых технологий. Большие затраты требуют объединения средств и консолидации усилий для решения задач по созданию производств высокого уровня. В этих условиях кооперация в развитии технологии и се инфраструктуры является эффективным средством уменьшения стоимости и роста производства.

Указанные закономерности обеспечивают повышение быстродействия, функциональной сложности и энергетической эффективности микросхем и высокие темпы развития микроэлектроники, в 3-4 раза превышающие темпы ВВП в развитых странах. Эффективность инвестиций в микроэлектронику в 2-2,5 раза превышают соответствующие показатели в других отраслях. Высокие необходимые инвестиции в микроэлектронику обеспечивают большую вероятность выполнения закона Мура, что и делает этот закон действительно верным.

Для ИС малой и средней степени интеграции характерны относительно большие допуски на проектирование, технологические отклонения, отклонения организационных решений. В производстве используется универсальное оборудование, позволяющее выпускать микросхемы по различным технологиям. Персонал обучен эксплуатировать и обслуживать оборудование и выполнять операции в соответствие с документацией. Условия производства определяются чистой комнатой класса 1000 — ЮООО. Стабильная инфраструктура инженерной и материально-технической поддержки производства обеспечивает его основные нужды.

С повышением уровня интеграции основой управления качеством становятся информационные данные о результатах входного контроля материалов и качества выполнения технологических операций. На основе статистических данных определяются отношения между фактическими параметрами микросхем и показателями качества. Они становятся исходной информационной базой разрабатываемых и реализуемых мероприятий по повышению качества и надежности ИС с учетом объема производства, уровня технологических потерь, процента брака и выхода годных.

Особенности промышленного производства субмикронных СБИС видны из рис. 2. При увеличении степени интеграции разброс параметров уменьшаетсяБ уменьшается, вероятность воспроизводимости процесса растет. При большой степени интеграции вероятность Ув не должна быть такой, чтобы стремить выход годных к нулю. Это обеспечивается высокой воспроизводимостью и прецизионностью технологических операций, а также

уровнем проектирования микросхем. Для производства качественных и относительно недорогих СБИС необходимо регулировать все процессы, связанные с планированием, разработкой и проектированием новой продукции.

На рис. 4 представлена диаграмма жизненного цикла технологии производства микросхем как выход годных ИС на различных его этапах. На ранних этапах исследований усилия сосредоточиваются на решении фундаментальных проблем технологии на основе результатов, получаемых при измерениях контрольных пластин( «спутников»), тестовых структур и экспериментальных образцов. Для периода исследований, анализа и разработки ИС, характерны низкие проценты выхода годных, экспериментальная разработка параметров процесса, подробная характеристика и идентификация дефектов.

При организации производства ИС есть переходной период к стабильному выпуску - период обучения. Он связан с подготовкой производства, отладкой оборудования, подготовкой персонала и отработкой техпроцесса. На этом этапе учитывается сложность изделия, обусловленная его конструкторско - технологическими особенностями, сложность методов и средств организации производства изделий. Плотность дефектов на этом этапе гораздо ниже, чем на предыдущем - преобладают случайные дефекты.

Стадия промышленной технологии или поточно-массового производства не требует и даже отвергает попытки доводки параметров управления процессом. Требование на этом этапе жизни технологии -воспроизводимость и определенность. В промышленной технологии процесс уже хорошо отлажен, а возникающие проблемы, как правило, носят катастрофический характер. На этом этапе основным является управление производством. Техпроцесс строго регламентирован. Каждому необходимо делать только то, что положено делать. Управление осуществляется на базе информационных данных. В основу, управления качеством положено управление производственными процессами.

Промышленная технология — это процесс, который является совокупностью причинных факторов. Нами определены факторы, влияющие на развитие технологии и создание высокоэффективного производства ИС (рис. 5). Сейчас к вышеуказанным факторам, с учетом возросших технических требований, больших затрат на создание производства и необходимости их окупаемости за счет собственных средств добавляются: емкость и возможность рынка по закупке СБИС, международная и внутренняя конкуренция, финансовые возможности предприятия, возможность государственной поддержки. При относительно низкой степени

интеграции ИС взаимосвязи между всеми этими факторами не очевидны. При развитой научной и инженерной инфраструктуре с соответствующим оборудованием, наличии кадров, эффективной системе экологического обеспечения затраты требовались бы только на ЧПП, оборудование, разработку и освоение технологии. В сегодняшней ситуации необходимо учитывать все, без чего не может функционировать субмикронная технология. При организации субмикронного производства мы учитываем и ряд других факторов. Но только рынок определяет потребность в СБИС и их номенклатуру. Типы СБИС диктуют выбор оптимальных технологий, которые, в свою очередь, определяют потребность в технологическом оборудовании. А объемы производства СБИС должны покрыть все расходы на их создание.

Современное предприятие по производству СБИС концентрирует в себе достижения передовой технологии и управления. Оно действует достаточно гибко и быстро модернизируется с тем, чтобы работать с несколькими поколениями технологий. Для обеспечения эффективного руководства предприятием вопросы исследования технологических операций, эффективности оборудования, длительности процессов, управления запасами и анализ себестоимости — являются сейчас такими же важными, как чистота химикатов и качество кремниевых пластин, которые используются на предприятии. Для решения этих проблем требуется комплексное управление качеством, заключающееся в управлении административно-хозяйственной деятельности.

Переход к субмикронным технологиям потребовал создания соответствующей модели промышленной технологии. По результатам системного анализа промышленной субмикронной технологии СБИС мы установили, что она обладает всеми необходимыми отличительными признаками систем. Модель такого объекта, как «промышленная субмикронная технология» должна быть многоуровневой и рассматриваться как система технологических операторов, характеризующих входящих в неё процессы. На самом верхнем уровне моделируется общая структура объекта, его состав и взаимосвязи между составляющими. Модели процессов представляются в виде соответствующих графов, которые в свою очередь определяют состав и последовательность фаз, этапов, операций, рабочих переходов и пр. в данной системе. Модель верхнего уровня представляет собой разветвленный граф, вид которого приведен на рис. 6.

Каждая из этих крупных ветвей представляется своей собственной графовой моделью более низкого уровня разработаны нами для всех крупных

ветвей рис. 6. Так разработана модель (причинно-следственная диаграмма) анализа технологического процесса производства ИС. Модель технологического маршрута БиКМОП СБИС представляет собой однонаправленный граф.

Самый нижний иерархический уровень моделирования составляют модели отдельных операций технологического процесса изготовления СБИС, Они представляются, как правило, в виде аналитических зависимостей от управляемых параметров технологического процесса. Для целого ряда операций и этапов технологического процесса аналитические зависимости для выходных параметров неизвестны. К ним следует отнести влияние привносимой дефектности, молекулярные загрязнения воздушной среды, статистическое регулирование технологических процессов и т.д. Некоторые из таких моделей рассмотрены и использованы в решении задач статистического управления, исследования дефектности материалов, надежности и долговечности ИС, оценки влияния чистоты окружающей среды на выход годных СБИС.

Очевидно, что промышленная субмикронная технология, ровно как ее отдельные составные части, являются объектами управления и оптимизации. Технологический процесс (или его этап) рассматривается как объект, на вход которого поступает вектор X(t)=(x^l),...,xn(t)) входных переменных, а скалярная целевая функция F характеризует его качество. Задача управления или оптимизации промышленной субмикронной технологии, как в целом, так и ее отдельных элементов и составляющих формулируется как определения оптимального вектора управления K(t), минимизирующего целевую функцию F(X(t),R(t)) при условии выполнения заданных ограничений.

F(x(t),R*(t))= min[FX(t),R(t))], (1.4)

R(t)

Эффективность оптимизации любого объекта управления, в том числе и такого, как «промышленная субмикронная технология» в первую очередь определяется правильным выбором критериев и целевых функций. В нашем случае основную группу критериев составляют стоимостные. Сформулированная задача в общем случае решается методами теории управления и оптимизации. Для ряда частных случаев, результаты ее решения изложены в наших работах.

В результате вышеизложенного анализа технологии производства СБИС понятие «промышленная субмикронная технология СБИС» приобрело более широкий смысл.

Промышленная технология микроэлектроники современного субмикронного уровня это система, включающая в себя комплекс технологических операций, оборудование, условия производства, комплекс методов и средств моделировании, проектирования, диагностики и контроля, управления и персонал. Эта система работает в полном взаимодействии с внешней средой. Условием существования этой системы является превышение денежных доходов над расходами. Функцией состояния этой системы в целом (критерием оптимальности) является эффективность затрат S.

S = ДР/ДМ,

где S — эффективность затрат, ДР — изменение объема выпуска СБИС за требуемый период, ДМ — все расходы, проведенные для объема производства ДР СБИС.

Глава 2 посвящена разработке и исследованию приборно-технологичсского базиса отечественных субмикронных СБИС.

В работе представлен прогноз мирового производства микросхем в 1999 — 2003 г.г. по проанализированным и систематизированным данным ICE. Из таблицы 2.1.2 видно явное повышение технологического уровня производства СБИС с доминирующим на сегодня уровнем (0,5 — 0,35) мкм и резкое увеличение производства СБИС уровня 0,25 мкм. Анализ мирового рынка СБИС показывает, что в 1999 г. около 80% общих коммерческих продаж на мировом рынке составляли КМОП ИС. В то же время, КМОП и биполярные ИС в натуральном выражении присутствуют на мировом рынке в равных количествах.

Ситуация на отечественном рынке кардинально иная. Отечественные производители занимают на российском рынке менее 10 процентов продаж. Остальная часть закрывается импортными изделиями. Проектом «Федеральной целевой программы развития электронной техники в России на 2001 - 2006 г.г.» прогнозируются следующие доли удовлетворения потребностей внутреннего рынка в отечественной элементной базе, показанные в табл. 1. На рис. 7 представлен анализ потребности отечественного рынка в новых интегральных микросхемах для В и ВТ. Эти данные показывают, что номенклатура требуемых интегральных схем чрезвычайно разнообразна и в ближайшие 5-10 лет на российском рынке будут востребованы не только КМОП-технология, но и биполярная технология, а также их разновидности. На рис. 8 приведено распределение ИС, применяемых в отечественных системах, по видам технологий. Эти данные показывают, что на сегодняшний день и на российском рынке востребованы в равной мерс как биполярная, так и КМОП технологии.

Как следствие, нами сделан концептуальный вывод - для заводов, не располагающих технологией (0,25 - 0,35) мкм, наиболее сбалансированным и рентабельным, является производство с «многовариантными» технологиями, использующими один комплект оборудования и оперативно реагирующими на потребности. Такое производство требует ведение работ одновременно по трем технологиям (КМОП, биполярные и БиКМОП ИС) на одном комплекте оборудования Решение этой задачи имеет принципиальное значение по следующим причинам. В настоящее время БиКМОП технология является универсальной базой всех быстродействующих схем, таких как микропроцессоры, в т. ч. для цифровой обработки сигналов (ЦОС), ПЛИС, вентильные матрицы и ИС на стандартных ячейках, контроллеры ЗУ, СОЗУ. ДОЗУ, ИС управления силовыми цепями, драйверы шин, усилители, АЦП. ЦАП, «интеллектуальные» мощные ИС и др. По прогнозам специалистов, в ближайшие 5 лет по сравнению с другими типами схем, БиКМОП СБИС будут иметь преимущества на системном уровне по быстродействию, энергопотреблению, нагрузочной способности и уровню помех. Результаты нашего анализа технологий для разработки и производства СБИС микропроцессорных комплектов и их компонентов сведены в табл. 2.

Традиционно БиКМОП технология представляет собой разновидность КМОП процесса, дополненного операциями формирования биполярных транзисторов. Анализ преимуществ и недостатков БиКМОП технологии представлен в табл. 3. В результате использования комплекса новых конструктивно-технологических решений нами разработаны два маршрута изготовления БиКМОП СБИС и их разновидностей, свободные от указанных недостатков.

Маршрут КМОП/БиКМОП СБИС с п-р-п транзистором на основе самосовмещенной технологии с использованием одного слоя поликристаллического кремния для формирования затворов полевых транзисторов и полнкристаллического эмиттера биполярного транзистора. Особенность маршрута в технологической надежности при создании полевых и биполярных структур, благодаря контролируемому процессу плазмохимического травления поликремния, сокращению операций маскирвания эмиттера при легировании пассивных базовых областей.

Маршрут КМОП/БиКМОП СБИС с п-р-п и р-п-р транзисторами на основе самосовмещенной технологии с двумя слоями

поликристаллического кремния. В первом слое поликремния формируются затворы полевых транзисторов, базовый электрод одного и эмиттер другого биполярного транзистора, во втором слое поликремния формируются выводы к стоку/истоку полевого, эмиттер и базовый вывод биполярных транзисторов.

По этим маршрутам могут изготавливаться в одном производстве одновременно БиКМОП, КМОП и биполярные СБИС.

Существенное уменьшения размеров транзисторов, повышение степени интеграции и быстродействия при одновременном снижении мощности потребления в обоих маршрутах достигается прежде всего за счет технологии самосовмещения и самоформирования (ССТ). Нами разработан и внедрен в производство эффективный способ получения субмикронных размеров эмиттера, позволяющий в рамках ССТ-технологии без дополнительных процессов при 1,5 мкм минимальном размере на литографии обеспечивать эмиттер с размером 0,5 мкм, а при 0,8 мкм минимальном размере получить размер эмиттера (0,1-0,2) мкм с одновременным пропорциональным уменьшением базовых областей и всего транзистора в целом. Это достигается за счет того, что эффективная ширина эмиттера в данном способе определяется зазором между двумя вертикальными стенками второй пленки диэлектрика, наносимого на вертикальные стенки базового окна в первой пленке диэлектрика, покрытым первым слоем поликремния.

Ключевым процессом ССТ технологии является процесс травления первого слоя поликремния, лежащего на пластине кремния в местах формирования окна под эмиттер. Нами внедрен и запатентован одностадийный процесс селективного плазмохимического травления поли кремния без существенных нарушений кремниевой пластины и увеличения размеров окон. В отличие от известных способов, данный процесс практически исключает изотропное (боковое) травление поликремния в окне эмиттера. При травлении слоя поликремния толщиной 0,5 мкм «врезание» в кремний не превышает (10 — 15) нм, и величена изотропного (бокового) травления составляет не более 50 нм.

Ключевым элементом комплементарной БиКМОП структуры (КБиКМОП) является вертикальный р-п-р транзистор с параметрами по усилению и быстродействию такого же уровня, как и п-р-п транзистор. Нами разработан и запатентован новый способ создания эффективного вертикального р-п-р транзистора, ключевым элементом которого является совмещение в одном процессе имплантации и аморфизации примеси

р-типа п месте расположения скрытого р+-слоя коллектора. При этом, в отличие от известных методов, существенно сокращается и упрощается процесс формирования скрытого коллектора, поскольку не требуется, во-первых, проводить сложный и дорогостоящий процесс имплантации германия для аморфизации кремния и, во-вторых, совмещать аморфизированную область с областью скрытого коллектора.

Кроме того, нами решена задача создания высококачественных комплементарных БиКМОП структур, сочетающих низкое потребление мощности с предельной частотой переключения. Цель достигается за счет того, что при изготовлении вертикальных п-р-п и р-п-р биполярных транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на обшей подложке создаются скрытые слои двух типов проводимости и эпитаксиальная пленка для формирования в ней изолированных карманов, в которых размещаются биполярные и МОП транзисторы. Это достигается за счет раздельного формирования эмиттеров для каждого изготавливаемого по самосовмещенной технологии транзистора, со структурой, единой для затворов полевых и эмиттеров биполярных транзисторов.

Разработано и запатентовано техническое решение, заключающееся в создании качественных БиКМОП структур по «сокращенному» маршруту, предусматривающему экономию операций маскирования за счет корректно выбранной последовательности проведения отжигов имплантированных примесей в структуре и возможности независимого формирования параметров глубокого коллектора и области локального коллектора под эмиттером биполярного транзистора. На рис. 9а. представлена физическая структура БиКМОП технологического базиса с разработанными и запатентованными решениями.

Перспективной разновидностью конструктивно-технологического базиса современных субмикронных СБИС является структура «кремний на изоляторе» (КНИ), в которой реализуются важные преимущества, обеспечиваемые диэлектрической подложкой: малые токи утечки и паразитные емкости, отсутствие эффекта «защелкивания» в КМДП-структурах, высокое быстродействие, высокая радиационная и температурная стойкость. Однако, практически все работы в области создания СБИС на основе КНИ-структур ограничиваются только КМОП, что связано с трудностями создания качественных биполярных транзисторов. Нами впервые разработан и запатентован эффективный способ создания БиКМОП СБИС на основе КНИ структур. Он заключается в том, что

пластина кремния, непосредственно граничащая со слоем силицида металла утоняется, в ней и в слое силицида формируются углубления до диэлектрического слоя, а в изолированных областях кремния над слоем силицида металла наряду с молевыми транзисторами создаются биполярные транзисторы. Таким образом, в качестве скрытого низкоомного слоя в коллекторе используется слой силицида металла (рис. 96.).

Успешная реализация возможностей технологии немыслима сегодня без применения методов и средств моделирования как на приборно-технологпческом, так и на схемо- и системотехническом уровнях. Приходится, к сожалению, констатировать, что большие потенциальные возможности современных средств моделирования используются в практических разработках крайне недостаточно и неэффективно, что в значительной степени сдерживает внедрение в производство достижений технологии и микросхемотехники СБИС.

В диссертации представлены результаты выполненного нами комплекса работ, направленных на ликвидацию этого отставания. Построена и внедрена в практику проектирования СБИС единая подсистема, реализующая все необходимые этапы моделирования элементной базы КМОП и БиКМОП СБИС: моделирование технологического процесса и отдельных его операций; моделирование физической структуры и конструкции элементов; моделирование электрических характеристик элементов; создание библиотек параметров схемотехнических моделей элементов для программы PSP1CE; аттестация технологических и схемотехнических моделей на основе результатов измерений реальных тестовых структур и элементов.

Этапы моделирования и оптимизации технологического процесса и физической структуры элементов биполярных, КМОП и БиКМОП СБИС с субмнкронными размерами реализуются с помощью программного пакета TCAD фирмы Integrated Systems Engineering. В качестве примера на рис. 10 и 11 приведены разрезы конкретных физических структур и- и р-канальных МОП транзисторов, изготовленных по КМОП технологии с (0,5-0,35) мкм проектными нормами; на рис. 12 - вертикального биполярного п-р-п транзистора, изготовленного по 0,8 мкм БиКМОП технологии.

Этапы моделирования электрических характеристик полупроводниковых приборов и создания библиотек параметров схемотехнических моделей элементов реализованы таким образом, что они в максимальной степени отвечают требованиям разработчиков,

субмикронных СБИС. Во-первых, при использовании 8Р1СЕ-моделей элементов с субмикронными размерами особое внимание уделено процедуре определения (экстракции) параметров из результатов измерений на тестовых структурах. Обычно, это всегда является «узким местом» разработчиков СБИС из-за сложности и недостаточных навыков и опыта работы с субмикронными моделями. Во-вторых, нами разработана методика, позволяющая резко сократить объем необходимых измерений для определения параметров большого числа транзисторов на полупроводниковом кристалле СБИС. Измерения проводятся на ограниченном количестве определенным образом выбранных тестовых приборов. Для остальных приборов, входящих в состав СБИС, параметры определяются расчетным путем по установленным правилам пересчета и масштабирования. Методика является единой как для биполярных, так и для МОП транзисторов изготовленных на одном кристалле.Она пригодна для широкой номенклатуры как цифровых, так и аналого-цифровых СБИС, изготовленных по совмещенной БиКМОП технологии с нормальными и субмикронными топологическими нормами. Имея информацию о параметрах элементов СБИС предыдущих разработок по конкретной технологии, можно заранее, до получения тестовых образцов и кристаллов, спрогнозировать расчетным путем параметры тех приборов, которые входят в состав СБИС, запущенных в производство или планируемых к изготовлению по данной технологии.

В качестве примеров на рис. 13 приведены измеренные и смоделированные ВАХ п- и р-канальных МОП транзисторов с размерами канала Ь=0,4 мкм, \У=5 мкм. Значения основных параметров модели ВБ1М2 для этих транзисторов приведены в таблице 4.

На рис. 14 и 15 приведены измеренные и смоделированные выходные ВАХ биполярных п-р-п транзисторов с размерами эмиттера (0,8x1,6) мкм2 и (2x4) мкм2 (рис. 16. табл. 5).

Приведенные результаты свидетельствуют, что разработанные нами КМОП и БиКМОП субмикронные технологии позволяют получат!, приборы с требуемыми для микросхемотехники СБИС характеристиками, однако, общая оценка уровня разработанной элементной базы проводилась нами по выходным параметрам и характеристикам изготовленных цифровых устройств.

Реализация вышеуказанных методов и способов позволила совместить подавляющее число операций изготовления биполярного транзистора с маршрутом современной КМОП СБИС, выполняемого на

эпитаксиальной структуре со скрытыми слоями, необходимой для подавления эффекта защелкивания. По сравнению с современным маршрутом изготовления КМОП СБИС добавляются четыре дополнительных фотолитографических слоя: удаление подзатворного диэлектрика с биполярной структуры, глубокий коллектор, п-р-п база, р-п-р база. Таким образом, сложность разработанного маршрута в среднем увеличивается не более чем на 15 % при существенном выигрыше по быстродействию и функциональным возможностям СБИС. Маршруты БиКМОП и КБиКМОП отличаются всего 1-2 литографиями. Получаемые СБИС по сложности сопоставимы с КМОП, а по быстродействию — с современным биполярными и БиКМОП схемами. «Общность» маршрута позволяет вести изготовление партий разных типов КМОП, биполярных и БиКМОП СБИС.

В табл. 6 представлено сравнение предложенного БиКМОП базиса с наиболее известными зарубежными. Полученные технологические, конструктивные и схемотехнические решений используются для разработки и улучшения характеристик и параметров отечественных БИС и СБИС (таблица 7).

Представляет интерес сравнить наши данные с уровнем, достигнутым ведущими зарубежными фирмами. Наиболее подходящей для сравнения является фирма Hitachi Ltd., специализирующаяся в области производства цифровых и аналого-цифровых КМОП и БиКМОП СБИС (табл. 8).

В третьей главе изложены результаты исследования проблемы межоперационного и аттестационного контроля в производстве субмикронных СБИС с проектными нормами 0,5 - 0,35 мкм.

По мере возрастания степени интеграции и сложности СБИС в функции контроля, кроме оценки качества пластин и технологических процессов, входит оценка состояния технологического оборудования, технологических сред и условий производства, получение оперативной информации для управления всем технологическим процессом. Требуется выявление критических параметров СБИС, установление диапазона значений параметров, обеспечивающих максимальный съем годных кристаллов, поддержание технологических процессов на требуемом уровне.

Для оптимизации системы контроля решены следующие задачи: определены основные требования к параметрам, контролируемых в процессе производства СБИС, выбраны контрольные точки в маршруте; определен вид контроля в каждой точке; определены методы контроля, состав и

количество контрольно-измерительного оборудования. Разработаны и внедряются необходимые методики контроля, оценки его результатов и порядок действий в соответствии с этими результатами. Составлены ведомости контрольных операций для технологии СБИС уровня (0,3 — 0,5) мкм, определен состав обязательного и дополнительного контрольно-измерительного и физико-аналитического оборудования.

Ужесточение контроля не помогает устранению дефектов, если они возникают в процессе производства. Это возможно при отслеживаниив конкретном технологическом процессе факторов, влияющих на их возникновение. Применение статистических методов позволяет проанализировать данные, оценить их, сделать определенные выводы и предпринять соответствующие действия.

Система управления производством и технологическим процессом (рис. 17) предусматривает комплексное решение задач. В основу модели управления положены четкая регламентация и отслеживание (мониторинг) всех составляющих элементов производства с обратными связями для принятия мотивированных решений по отклонениям. Подсистемы управления, обслуживающие технологические участки, имеют информационный выход в общую систему управления техпроцессом и производством (рис. 18).

Производство качественных микросхем достигается стабильным выполнением всех операций при высоком съеме годных кристаллов с пластины. Это обеспечивается статистическими методами регулирования. В современном производстве контроль поддерживается настройкой статистических параметров процессов, а отлаженные процессы тщательно контролируются. Для обеспечения необходимого уровня плотности привносимой дефектности на предприятии внедрена процедура аттестации процессов жидкостной химической обработки поверхности. Аттестуются определенные технологические цепочки и операции (рис. 19). Качество ЖХО оценивается и контролем последующих процессов (рис. 20). Также контролируется количество забракованных пластин с указанием причин . Аттестация с разработкой мероприятий по подготовке процессов и рабочих мест позволили добиться снижения и стабильности значений привносимой дефектности до (0,02-0,05) см 2 (рис. 21).

Внедрена методика статистического регулирования технологического процесса. Источником информации для СРТП служат данные контроля тестовых ячеек рабочих пластин, функционального и

контроля статических параметров готовых пластин и результатов контроля технологических процессов. Существен ной частью анализа полученных данных является определение зависимостей между различными параметрами для выявления их связей. Некоторые из них представлены на рис. 22. Корректирующие воздействия на техпроцесс осуществляются после совмещенного анализа результатов измерений готовых пластин и критических параметров с учетом установленных между ними зависимостей. Установлены основные параметры, влияющие на процент выхода годных кристаллов с пластины. Анализ показывает - основные процессы являются управляемыми, что и позволяет получать съем годных кристаллов на уровне более 80%. Результаты анализа статистических позволяют на основе данных тестового контроля прогнозировать величину съема годных кристаллов. Сопоставление прогноза с реальным съемом показывает совпадение не хуже ±20 %.

Уменьшение минимальных размеров СБИС до субмикронных величин при одновременном увеличении диаметра кремниевых пластин предопределяет необходимость использования новейших физических методов контроля на всех стадиях технологического процесса. В работе апробированы метод поверхностной фотоэде для измерения электрофизических параметров полупроводниковых пластин, и атомно-силовая микроскопия для контроля линейных размеров.

Использование поверхностной фотоэде (ПФЭ) позволило проводить контроль удельного сопротивления, глубоких уровней (ГУ) и поверхностных состояний (ПС) полупроводника, загрязнений кремниевых пластин тяжелыми металлами. В основе метода лежит облучение пластины импульсом электромагнитного излучения (лазера). Сигнал ПФЭ регистрируется бесконтактным емкостным датчиком. Проведенный анализ взаимодействия электромагнитного поля с плазмой полупроводника позволил определить условия, при которых комплексное удельное сопротивление полупроводника на частоте измерений совпадает по своему значению с удельным сопротивлением на постоянном токе. Это со, >> V для низкоомного полупроводника, и шн V « о,/ для высокоомного (ю0 плазменная частота, мн - гиромагнитная частота, V - эффективная частота соударении носителей заряда). Разработана автоматизированная установка АГУ—1 для контроля и исследования полупроводниковых пластин методом бесконтактной релаксационной спектроскопии. Структурная схема и основные параметры установки показаны на рис. 23.

На рис. 24 приведены графики Аррениуса ловушек электронов в кремнии. Нижний график соответствует энергии ионизации 0,345 эВ и сечению захвата носителей заряда 0,75- 10"см!. Эта ловушка электронов вероятнее всего соответствует ГУ ионов меди или железа. Согласно литературным данным, ГУ ионов меди имеют энергию ионизации 0,35 эВ, а ионов железа 0,34 эВ. Верхний график соответствует энергии ионизации 0,75 эВ и сечению захвата 0,52 • 10 21 см2. Судя по энергии ионизации, этот уровень захвата для электронов обусловлен ПС.

Сканирующий силовой (атомно-силовой) микроскоп (ССМ) широко применяется в исследованиях микро- и наноструктур. Основным элементом устройства является кантилевер, которым сканируют поверхность (рис. 25). Форма и размеры острия кантилевера ССМ вносят искажения в фиксируемое изображение анализируемой структуры (рис. 26). Рассмотрена геометрическая модель взаимодействия кантилевера сканирующего силового микроскопа (ССМ) со структурами. Форма кривой сигнала отклика ССМ, получаемая в результате сканирования кантилевером элемента рельефа в результатов с точностью виде выступа трапециевидной формы с равными боковыми сторонами, приведена на рис. 27. Предложен алгоритм линейных измерений элементов рельефа, имеющих трапециевидную форму профиля. Если имеется эталонная структура с известными параметрами профиля ее элемента, то по измеренным отрезкам Up и Вр можно вычислить поправочный параметр Л, определяемый эффективным радиусом кантилевера R. Полученное значение Л можно затем использовать для вычисления размеров исследуемых элементов, сканируемых этим же самым кантилевером ССМ.

Предложена линейная мера, предназначенная для калибровки ССМ и определения параметров зонда ССМ. УЛМ имеет 8 аттестованных размеров - шаг, верхние и нижние основания выступов и канавок, проекции боковой стенки на линию основания и другие. Погрешность такой шкалы размеров составляет (0,2 — 1) %. Параметры разработанной и изготовленной меры приведены в таблице 9. Откалиброванный по УЛМ АСМ используется в качестве измерителя для контроля технологических процессов производства СБИС.

В главе 4 рассмотрены вопросы экологического обеспечения промышленной субмикронной технологии СБИС.

С увеличением уровня интеграции СБИС, уменьшением топологических размеров элементов для обеспечения высокого выхода

годных СБИС необходимо усиление требовании к «чистоте» окружающей среды, используемых материалов, уменьшения привносимой дефектности и принятие мер по реализации этих требований. Общие тенденции развития технологии СБИС и, прежде всего, переход к субмикронной технологии инициировали новые подходы к решению экологических задач, которые теперь являются превалирующими и выходят за рамки традиционных представлений о защите природы от выбросов действующих предприятий. Возникает необходимость введения «экологической защиты» обрабатываемой пластины СБИС. Эта защита должна охватывать все аспекты технического и технологического обеспечения чистоты, комплексного учета факторов, участвующих в формировании и обеспечении условий режимов проведения технологических процессов. Решение проблем промышленной субмикронной технологии интегрируется с решением экологических проблем.

Основным критерием оценки эффективности экологической защиты является увеличение выхода годных СБИС. Для оценки эффективности экологической защиты предложена следующая п осл едо вател ы 1 ость.

1. Установление минимального размера элементов СБИС, размер кристалла и сложность процесса изготовления.

2. Определение допустимой плотности дефектов для получения требуемого выхода годных.

3. Установление допустимого количества загрязняющих частиц в том или ином процессе и выбор соответствующего технологического оборудования.

4. Выбор системы и средств экологического обеспечения производства пластин СБИС, которые наилучшим образом будут способствовать увеличению выхода годных.

Исследовано влияние привносимых загрязнений на производство субмикронных СБИС. Коэффициент осаждения для вертикального падающего на пластины потока частиц можно оценить в 10 М0"1. В соответствии с действующими нормативами, концентрация вредных примесей может достичь величин 0,3 ПДК и составлять (10 4— 10 7) г/м3. Типовые времена нахождения пластин в потоке воздуха между технологическими операциями составляют (102 -103) с. Это приводит к загрязнения на уровне (Ю'МО"1) г/ м3 и эквивалентно слоям толщиной несколько нанометров и более. На примере СБИС СОЗУ (1 — 4) Мбит определена плотность поражающих частиц в воздушной среде «чистой

комнаты» класса 1. Рассчитанные плотности частиц на горизонтальную и вертикальную к потоку воздуха пластины имеют величины 1140 и 37 шт/ мин соответственно. Переход к субмикронным структурам с размерами топологических элементов СБИС (0,35 — 0,5) мкм требует применения тонких технологических структурных слоев ~ (10 - 15) нм, что в свою очередь ведет к требованиям по химической чистоте на уровне (0,1 — 1) ррв и контролю загрязняющих частиц, начиная с размера 0,03 мкм. Особенности структуры и функциональная сложность таких СБИС требуют для обеспечения высокого процента выхода годных стабилизации технологических обработок не хуже (0,1 — 0,5) процентов. Очевидна необходимость учета фактора самозагрязнения технологических участков и загрязнения пластин через подаваемый воздух, то есть из окружающей среды и исключения случайного загрязняющего влияния внешних условий на обрабатываемый объект.

Это требование обеспечивается созданием высокоэффективной системы экологической защиты на трех уровнях: обрабатываемое изделие - оператор - технологическая среда; технологическая среда - предприятие; предприятие - окружающая среда. На рис. 28 представлена типовая, действующая в настоящее время, структура технологических обработок в производстве ИС и вариант ее трансформации двойной контур при переходе к субмикронному производству. Совершенствование технологического обеспечения обусловлено, прежде всего, необходимостью резкого ограничения загрязняющего влияния оператора и оборудования, поддержания кондиционных параметров технологических сред, включая обрабатывающие составы и газы. С этой целью минимизируются транспортные пути, обеспечивается интеграция процессов в многокамерных системах, предусматриваются системы технологического и экологического мониторинга.

Разработанная нами диаграмма обеспечения производства СБИС (рис. 29), позволила с учетом особенностей субмикронной технологии определить основные требования к экологическому обеспечению субмикронной промышленной технологии СБИС и условия их реализации. Предложена структурная схема технологического цикла с интегрированным экологическим обеспечением (рис. 30), которая соответствует основным требованиям субмикронной технологии и экологии. Особенностями этой системы являются:

- контроль продуктов реакции в технологическом цикле;

- интеграция в оборудовании систем финишной очистки подаваемых веществ, фильтрации и регенерации обрабатываемых составов, предварительной фильтрации и нейтрализации выбрасываемых веществ;

- дифференцированный выброс, нейтрализация и утилизация веществ с эффективностью до 95-99%;

- трехуровневый экологический мониторинг состояния окружающей территории, производственных участков, технологических сред, контактирующих с обрабатываемым изделием.

В системе предусмотрено применение микрогенераторов вредных и ядовитых веществ, обеспечивающих их получение в требуемых количествах в замкнутых объемах из исходных веществ с низкой токсичностью. Максимальный объем выброса, на который должно быть рассчитано природоохранное оборудование, приведен в таблице 10.

Интегрированная, встроенная в технологический процесс экологическая система, исключающая загрязнение окружающей среды от микроокружеиия пластины до пространства вокруг предприятия, позволяет создать устойчивое высокоэффективное производство СБИС по субмикронной технологии. Обоснована необходимость использования экологически чистых условий на всех стадиях технологического процесса изготовления СБИС, установлены и внедрены требования к экологическому обеспечению субмикронной технологии как важнейшему условию исключения се самозагрязнсния через окружающую среду и определены в НТД условия их реализации. То есть решение экологических проблем обеспечивает устойчивое функционирование системы «промышленная субмикронная технология СБИС».

Пятая глава посвящена разработке комплекса технических и организационных решений по созданию промышленной субмикронной технологии СБИС.

На рис. 31 показана динамика технологического уровня микроэлектроники. В диссертации сделано сравнение мирового и отечественного уровня микроэлектроники. Становление субмикронной технологии происходит двумя основными путями. Исследуются потенциальные возможностей традиционных технологических процессов в реализации субмикронных приборов, и одновременно разрабатываются новые технологические процессы, основанные на иных физических и физико-химических принципах. Многие материалы и процессы,

используемые для изготовления широкого многообразия ИС, общеприменимы ко всем типам схем, и поэтому, образуют ядро данного поколения технологии. Для каждого поколения кристаллов субмикронного уровня выделены группы определяющих технологических процессов и условий производства, приведенные в табл. 11.

Ключевым этапом создания отечественной промышленной субмикронной технологии СБИС стало создание в АООТ «НИИМЭ и Микрон» производства с ЧПП класса 10/1 с соответствующей инфраструктурой и комплексом освоенного технологического оборудования, основные параметры которого представлены в табл. 12. На рис. 32 представлены фотография транзисторной структуры уровня 0,8 мкм и транзисторной структуры уровня 0,6 мкм. На рис. 33 показана транзисторная структура для уровня 0,35 мкм с двумя типами скрытых слоев и, соответственно, с двумя типами эпитаксиальных слоев.

Нами разработана концепция создания промышленной субмикронной технологии. Она состоит в поэтапном внедрении 2-Зх последовательных поколений КМОП и БиКМОП технологий в одном и том же производстве путем их модернизаций с введением необходимых определяющих процессов и оборудования. Такая модернизация оправдана в диапазоне уровней изделий от 1,0 до 0,5 мкм. При этом создается «производство без излишеств», которое ставит сложную задачу в условиях конкурентной борьбы по улучшению его эксплуатационных характеристик. Основу нашей концепции составляет этапность решения проблемы с максимальным использованием как освоенных за рубежом, так и вновь созданных собственных эффективных технологических решений с их опережающим применением по шкале проектных норм СБИС. Создание и внедрение технологии уровня 0,5 мкм ведется на основе использования технологической базы уровня 1,2 — 0,8 мкм и заложенных в нее резервов совершенствования процессов и оборудования (табл. 13). На рис. 34 представлено состояние технологических решений для реализации промышленной субмикронной технологии СБИС.

На первом этапе реализации технологии уровня 0,5 мкм отрабатывается комплекс необходимых техпроцессов и маршрут изготовления тестового и рабочего кристаллов. Для этого используется технология активной структуры на низкодефектном эпитаксиальном кремнии со скрытым слоем: кремний п — типа (КЭФ — 4,5); скрытый слой легирован БЬ (диффузионный); эпитаксиальная пленка п — типа толщиной 7 мкм; изоляция - «Ь0К05 — М» с уменьшенным «клювом». Планаризация

осуществляется посредством ХМ П. Уменьшение «клюва», как уже указывалось выше, достигается нами за счет применения при глубоком окислении тройной маски 5Ю2 -51* - Б^М,. Использование низкотемпературного, снижающего напряжения поликремния, позволяет использовать более толстый и, как следствие, уменьшить «клюв».

На втором этапе освоения уровня 0,5 мкм производственный модуль дооснощастся отдельными единицами оборудования с освоением рентабельного промышленного выпуска кристаллов до 2000 пластин в месяц. Были рассчитаны изменения объемов производства и продаж для СБИС с минимальной проектной нормой 0,5 мкм в случае одновременного выпуска двух групп изделий с проектными нормами 0,8-1,2 и 0,5 мкм в зависимости от состава и количества дополнительного оборудования. Моделирование действующего производства показало: достигается полная загрузка оборудования с ожидаемым удвоением объема продаж. При этом стоимость пластин с проектными нормами 0,5 мкм должна быть в два с половиной раза более высокой, чем стоимость пластин с минимальным размером 0,81,2 мкм.

Принципиальным в освоении технологического уровня 0,5 мкм является наработка и применение определяющих технологических решений и оборудования, которые создают базу для разработки и освоения последующего уровня технологии 0,35 мкм на базе техпроцессов и оборудования дооснащенного модуля. Принятый в качестве основы производства технологический процесс имеет решающее значение при определении типа и оценке качества оборудования. Определяющими являются такие факторы, как привносимая дефектность, объем выпускаемой продукции и организация производства. Нами выработаны и другие критерии выбора оборудования. Для эффективного использования оборудования большое значение имеет также отбор и подготовка персонала. Разработана методика оценки оборудования по критерию «цена-качество». На рис. 35 представлены характеристики «цена - качество» оборудования плазмохимической обработки пластин, с помощью которых можно оптимизировать выбор. На основе созданной базы данных и разработанной методики определен и проработан с потенциальными поставщиками весь комплект оборудования.

Планируемые работы по освоению уровня технологии 0,35 мкм включают также два этапа. На первом этапе создается техпроцесс на вышеуказанной базе дооснащенного модуля с отработкой

технологического и рабочего кристаллов. Этот этап ведется параллельно с этапом промышленного освоения технологического уровня 0,5 мкм. На этом же этапе ведется проектирование специализированного промышленного модуля уровня 0,35 мкм. Его отличительной особенностью является использование миниокружений и идеологии SMIF. Это приводит к повышению степени чистоты непосредственно в зоне обработки пластин или манипулирования с ними и к удешевлению чистой комнаты за счет снижения ее класса в общем. Второй этап предполагает проектирование ЧПП с инфраструктурой, оснащение оборудованием и освоение производства кристаллов с проектными нормами 0,35 мкм. В обеспечение этого этапа на основе созданной базы данных определен и проработан с потенциальными поставщиками весь комплект оборудования и разработан инвестиционный проект на основе проектно-ориентированного подхода к организации инвестиционного процесса.

Разработанная концепция создания отечественной субмикронной технологии СБИС требует тщательно спланированной и организованной инвестиционной поддержки. Нами рассмотрены предпосылки и особенности проектно-ориентированного подхода к организации инвестиционного процесса для предприятия микроэлектроники. Проведенный анализ показал, что в условиях ограниченных возможностей финансирования электронной отрасли наиболее разумными являются среднесрочные, компромиссные пути решения проблемы соотносительно дешевым способом поддержания технологии СБИС на современном уровне в сочетании с максимально интенсивным развитием ее узловых и критических направлений.

Исходя из выше изложенного, нами предложена проектно-ориентированная схема поддержки инвестиционной деятельности с использованием методологии Project Management 'К Схема на рис. 36 представляет собой фазовую диаграмму жизненного цикла отдельного инвестиционного проекта является достижение плановых показателей эффективности инвестиций. Данной схеме присущи эффект масштабируемости предложенной технологии на нижестоящий и вышестоящий уровень и свойства совместимости различных подсистем при достаточной степени автономности за счет поддержки инвестиционного процесса «снизу». Учитывая чрезвычайно короткие жизненные циклы

*) A Guide to the Project Management Body of Knowledge, PMI Standards Committee, PMI, USA, 1996.

продукции микроэлектроники, особое внимание уделяется мониторингу внешнего окружения проекта, в частности, маркетинговой составляющей. Кроме того, вследствие интенсивных изменений внешней среды в переходной период экономики страны, первостепенное значение приобретает оптимизация системы финансового обслуживания инвестиционного проекта.

На базе предложенной схемы нами разработан инвестиционный проект «Организация производства СБИС с проектными нормами (0,50,35) мкм». Основной целью проекта является удовлетворение потребности на территории России и СНГ в надежной элементной базе, техническое перевооружение производства за счет внедрения передовых технологий и оборудования с последующим устойчивым освоением крупномасштабных рыночных сегментов на внутреннем и внешнем рынках. Проект реализуется в два этапа. Интегральные показатели эффективности проекта представлены на рис. 36.

Таким образом, создана модель организации субмикронного производства СБИС уровня (0,5 — 0,35) мкм с соответствующими инвестиционными проектами, совмещающая этап промышленного производства СБИС предыдущего поколения с разработкой технологии последующего поколения. Предприятие в сжатые сроки с необходимым качеством способно создать номенклатуру изделий достаточную для полной загрузки производственных мощностей и обеспечения планового графика окупаемости проекта. Предложенная схема обеспечивает минимальные сроки выхода на конкурентные рынки при максимальной экономической эффективности всего цикла создания нового продукта.

В главе 6 рассматриваются основные научные результаты автора, полученные, использованные и внедренные на ведущем отечественном предприятии микроэлектроники - «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод «Микрон»» при решении задач разработки и организации производства интегральных микросхем для важнейших систем и комплексов оборонного и народно-хозяйственного значения. Результаты работ по разработке и внедрению промышленной технологии интегральных микросхем представлены в 23 НИР и 108 ОКР, в 53 из которых автор настоящей диссертации являлся руководителем или заместителем руководителя работ. Под руководством и при активном участии автора создано 28 стандартов предприятия.

На рис. 38 показано наращивание мощностей завода «Микрон» по обработке полупроводниковых пластин с момента основания до настоящего времени. В развитии отечественной промышленной технологии производства интегральных микросхем выделяется несколько этапов и, соответственно, поколений. Каждое поколение технологии характеризуется минимальным размером элемента ИС, степенью интеграции, диаметром обрабатываемых пластин, размером кристалла, оборудованием, условиями производства. На всех этапах развития технологии необходимо было решать проблемы повышения быстродействия микросхем, повышения плотности упаковки элементов ИС для обеспечения высокой степени интеграции в связи с ростом сложности ИС. На рис. 39-42 представлены данные по эволюции технологии производства интегральных микросхем в НИИМЭ и заводе Микрон.

Технология производства ИС прошла значительный путь от набора отдельных технологических операций до интегрированной системы. В течение этой эволюции менялись способы организации и управления технологией и формировались представления о ней, как о системе. В настоящее время эта система включает в себя комплекс технологических операций, оборудование, условия производства, комплекс методов и средств моделирования, проектирования, диагностики и контроля, управление и персонал и работает в полном взаимодействии с внешней средой.

При создании промышленной технологии была очевидна необходимость комплексного системного подхода для решения проблем организации и управления, обеспечения качества и надежности, оборудования, материалов, создания условий производства и соответствующей инженерной инфрастуктуры, создания безопасных и здоровых условий труда. Велись работы в направлении создания новых материалов и конструкций микросхем, разработке и внедрении оборудования и технологии сборки. Создание методов и средств измерений и испытаний микросхем базировались на разработке нового и модернизации выпускаемого промышленного контрольно-измерительного и испытательного оборудования, разработке и внедрении методов контроля, измерений и испытаний. Особое внимание уделялось вопросам метрологического обеспечения производства, что нашло отражение в соответствующих стандартах предприятия. Систематическое взаимодействие с потребителями по удовлетворению их требований и ожиданий, реализация совместных программ в этом направлен!!, стимулировали и ускоряли движение к созданию промышленной технологии.

Методами решения вопросов повышения технико-экономических показателей производства интегральных микросхем, их качества и надежности, увеличение производственных запасов по параметрам и процента выхода годных были совершенствование технологических процессов изготовления, совершенствование технологии произвоодства, модернизация конструкции. С целью экономии материалов и увеличения съема годных кристаллов осуществлялся перевод производства микросхем, разработанных и выпускаемых предприятиями дублерами по базовому техпроцессу завода «Микрон», на уменьшенный размер кристалла с одновременным переходом на пластины большего диаметра.

Несмотря на положительные результаты по совершенствованию техпроцессов и конструкции микросхем, более эффективным стали опережающая разработка и постановка на заводе базовых технологических процессов с последующей разработкой и постановкой на производство новых микросхем в процессе выполнения НИОК.Р. На рис. 43 показана взаимосвязь технологического базиса и разработок и производства новых изделий на этой основе в координатах денежного дохода (прибыли). Создание и внедрение базовых технологий позволило отработать методологию перехода к промышленной технологии производства субмикронных БИС. Базовые технологии явились основой для модернизации и создания конструкций ИС имеющих лучшие технико-экономические показатели в производстве.

Создание базовых технологических процессов, на основе современных технических требований и условий производства, явились результатом взаимодействия науки и производства для удовлетворения все возрастающих требований и перспективных ожиданий потребителя. На предприятии создана по инициативе и при непосредственном участии автора и действует с небольшими модификациями по настоящее время схема взаимодействия «наука — производство» в разработке и производстве БИС. Это взаимодействие регламентировано технологическими и организационными стандартами предприятия. Система имеет несколько фаз и соответствующих точек управления, согласовывающих и координирующих процессы в смежных фазах. Система, реализует замкнутый цикл «рынок — разработка — производство — рынок» с многократным повторением.

На рис. 44 представлена диаграмма распределения работ с участием автора диссертации по разработке и внедрению промышленной технологии производства ИС в НИИМЭ и на заводе «Микрон». При

непосредственном участии автора диссертации создано, усовершенствовано и внедрено более 40 различных вариантов биполярной и КМОП технологий, часть из которых и в настоящее время являются базовыми в производстве ИС. На основе базовых технологий завода «Микрон», модернизировано более 100 типов микросхем и разработано с одновременной постановкой на производство в процессе выполнения ОКР более 50 типов ИС различной степени интеграции.

На основе а.с. 1192554 создан производственный участок по выпуску многовыводных рамок для пластмассовых корпусов ИС. С использованием а.с. 242863 разработана и внедрена в производство базовая технология БИС с боковой диэлектрической изоляцией. Патенты и решения по их выдаче используются в разработке БИС и СБИС нового поколения.

Работы по созданию эпитаксиальных структур со скрытыми слоями, разработке базовой технологии ТЭПСС и организации их промышленного производства в 1986 году удостоены Государственной премии СССР.

Разработано и внедрено более 20 типов спецтехнологического, сборочного, контрольно-измерительного и испытательного оборудования для производства ИС.

На основе базовых технологий выпускаются микросхемы для комплектования около 30 различных систем и комплексов промышленного и оборонного значения, наиболее крупными из которых являются ЕС ЭВМ «Ряд» и «Ряд М», МВК «Эльбрус 2», С 300, СМ ЭВМ, «Буран», «Тополь» и др (табл. 14).

Разработанные комплекты технологической документации переданы на 34 завода, где было организовано производство интегральных микросхем, на большей части при участии автора. Используя базовые технологии, на этих заводах были организована разработка новой номенклатуры интегральных микросхем в расширение уже существующих серий, а в некоторых случаях создавались новые серии микросхем.

Работы по созданию промышленной технологии СБИС используются в качестве задела работ по новым направлениям микроэлектроники.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

1. Определены факторы, влияющие на создание высокоэффективного производства сверхбольших интегральных микросхем (СБИС) и принципы

организации промышленной субмикронной технологии с использованием систем комплексного управления качества.

2. Предложена модель промышленной субмикронной технологии, как системы, работающей в полном взаимодействии с внешней средой. Эта система включает в себя комплекс технологических операций, оборудование, условия производства, методы и средства моделирования, проектирования, диагностики и контроля, управление и персонал. Функцией состояния данной системы является эффективность затрат.

3. Разработана концепция создания промышленной субмикронной технологии, состоящая в поэтапном внедрении 2-Зх последовательных поколений КМОП и БиКМОП технологий в одном и том же производстве с максимальным использованием как освоенных за рубежом, так и вновь созданных собственных эффективных технологических решений с их опережающим применением по шкале проектных норм СБИС. Создание и внедрение технологии нового уровня ведется на основе использования технологической базы предыдущего уровня и заложенных в нее резервов совершенствования процессов и оборудования.

4. Обоснована, разработана и запатентована модификация многовариантной КМОП, БиКМОП и биполярной технологии на базе универсального маршрута, реализуемого на одном комплекте оборудования, не уступающая по степени интеграции и рентабельности КМОП ИС, конкурирующая с биполярными ИС, обеспечивающая степень совмещения структур полевых и биполярных транзисторов более 90 процентов и возможность их интеграции с одним и двумя слоями поликремния. В рамках относительно простого маршрута с небольшим усложнением (до 15%), могут изготавливаться в одном производстве одновременно рентабельные БиКМОП, КМОП и биполярные СБИС, обеспечивающие реализацию требований современного рынка по предельным техническим параметрам.

5. Созданы варианты маршрутов изготовления КМОП/БиКМОП СБИС. Первый из них - это маршрут КМОП/БиКМОП СБИС с п-р-п транзистором на основе самосовмещснной технологии с использованием одного слоя поликристаллического кремния для формирования затворов полевых транзисторов и поликристаллического эмиттера биполярного транзистора. Особенность маршрута в технологической надежности при создании как полевых, так и биполярных структур, благодаря управляемому процессу плазмохимического травления поликремния до диэлектрика, сокращению операций маскирования эмиттера при легировании пассивных базовых

областей. Второй - маршрут КМОП/КБиКМОП с п-р-п и р-п-р транзисторами на основе самосовмещенной технологии с двумя слоями поликристаллического кремния, позволяющей сократить размеры не только биполярных, но и полевых структур. В первом слое поликремния формируются затворы полевых транзисторов, базовый электрод одного и эмитгер другого биполярного транзистора, во втором слое поликремния формируются выводы к стоку/истоку полевого, эмитгер и базовый вывод биполярных транзисторов.

6. Создана и запатентована технология суперсовмещенных биполярных ИС, позволяющая при проектной норме 1,5 мкм реализовывать размеры эмиттера менее 0,5 мкм, а при норме 0,8 мкм —0,25 мкм соответственно, с одновременным пропорциональным уменьшением базовых областей и всего транзистора в целом.

7. Создана технология «кремний на изоляторе» с металлическим скрытым слоем, позволяющая реализовать наряду с полевыми и биполярные транзисторы.

8.Существенно повышена эффективность, точность измерения электрофизических параметров и линейных размеров полупроводниковых пластин и элементов СБИС (с точностью не хуже 10 нм) за счет использования ряда новых бесконтактных методов на основе поверхностной фотоэдс и атомно-силовой микроскопии (АСМ) с использованием созданной линейной меры субмикронного диапазона.

9. Разработана и внедрена система экологического обеспечения субмикронного производства. Обоснована необходимость использования экологически чистых условий на всех стадиях технологического процесса изготовления СБИС, установлены и внедрены требования к экологическому обеспечению субмикронной технологии как важнейшему критерию исключения ее самозагрязнения через окружающую среду и определены в НТД условия их реализации.

10. Обоснована необходимость экологического обеспечения субмикронных технологий и введения «экологической защиты» обрабатываемых полупроводниковых пластин СБИС. Решение проблем промышленной субмикронной технологии интегрируется с решением экологических проблем.

11. Разработка и внедрение промышленной субмикронной технологии СБИС позволили создать современное, не имеющее отечественных аналогов производство уровня (1,2 — 0,8) мкм с высокими технико-экономическими

показателями, близкими к урошпо ведущих зарубежных фирм. В производство специально закладывается технологический резерв, т.е. промышленное производство СБИС предыдущего поколения содержит в себе элементы и возможности следующего поколения уровня (0,5 — 0,35) мкм

12. Разработана проектно-ориентированная функционально-иерархическая структура поддержки инвестиционной деятельности высокотехнологичных предприятий на базе методологии Project Management. Структура обладает свойством масштабируемости как к высшим иерархическим уровням, так и к низшим, а также свойством совместимости различных подсистем при достаточной степени автономности за счет поддержки инвестиционного процесса «снизу».

13. Разработан инвестиционный проект создания в АООТ «НИИМЭ и Микрон» производства СБИС с проектными нормами (0,5-0,35) мкм. Проект реализуется в два этапа. На первом этапе осуществляется доукомплектование существующей технологической линии промышленного производства СБИС с проектными нормами 0,8 мкм на пластинах диаметром 150 мм комплектом импортного оборудования, расширяющего технологические возможности производства до проектных норм 0,5 мкм. Одновременно осуществляется модернизация технологии производства СБИС с проектными нормами 0,8 мкм и увеличивается общая производительность технологической линии. На втором этапе строится новая технологическая линия по промышленному производству современных СБИС с минимальными проектными нормами 0,35 мкм производительностью 6000 пластин диаметром 200 мм в месяц.

14. Результаты работ по созданию и внедрению промышленной технологии интегральных микросхем представлены в 23 НИР и 108 ОКР, в 53 из которых автор диссертации являлся руководителем или заместителем руководителя работ. Под руководством и при непосредственном участии автора создано 28 стандартов предприятия.

15. При непосредственном участии автора диссертации создано, усовершенствовано и внедрено более 40 различных вариантов биполярной и КМОП технологий, часть из которых и в настоящее время являются базовыми в производстве интегральных микросхем. На основе созданных базовых технологий завода «Микрон» при участии автора модернизировано более 100 типов микросхем и разработано с одновременной постановкой на производство в процессе выполнения ОКР более 50 типов ИС различной степени интеграции. Разработано и внедрено более 20 типов спецтехнологического, сборочного, контрольно-измерительного и испытательного оборудования для производства ИС.

16. На основе базовых технологий завода «Микрон» выпускаются микросхемы для комплектования более 30 различных систем и комплексов промышленного и оборонного значения, наиболее крупными из которых являются ЕС ЭВМ «Ряд» и «Ряд М», МВК «Эльбрус 2», С 300, СМ ЭВМ, «Буран», «Тополь» и др.

17. Разработанные комплекты технологической документации переданы на 34 завода, где было организовано производство интегральных микросхем, на большей части при участии автора. Используя базовые технологии, на этих заводах были организована разработка новой номенклатуры интегральных микросхем в расширение уже существующих серий, а в некоторых случаях создавались новые серии микросхем. По биполярной технологии организован выпуск ИС более 70 серий, по КМОП — 17 серий.

Выполненные исследования являются решением крупной научнотехнической проблемы — разработка и промышленное освоение субмикронной технологии пароизводства высоконадежных СБИС, имеющей важное народно-хозяйственное и оборонное значение для создания элементной базы ЭМА, РЭА, систем управления, телекоммуникаций, промышленной автоматики, средств вооружений и военной техники.

Рисунки

Рис.1 Изменение емкости ДОЗУ и минимального размера элементов по годам (поданным ICE)

Рис.2 Отношение допуска к точности для симметричного нормального распределения в зависимости от степени интеграции

ОТКРЫТОЕ ЧИСТОЕ ПОМЕЩЕНИЕ

МИНИЧИСТОЕ ПОМЕЩЕНИЕ (5М|Е|

Рис.3 Источники загрязнений пластин

I Выход годных

I

-»1 -—

Исследование | Освоение

и разработка ,{рост выхода годных)

Поточно-массовое производство

Рис. 4 Изменение выхода годных в процессе создания и освоения

промышленной технологии

42

Потребности

Емкость рынка Оборудование

САПР.САПР ПТБ.

Порсонал

Экологическое обеспечение

Рис. 5 Факторы, влияющие на развитие технологии и создание высокоэффективного производства.

Рис. 6 Модель промышленной субмикронной технологии СБИС

щшиштщ

5'гвН1 'к; „'_•,,•.; - • ....... '< 4

□ 1 □ 2 ШЗ

□ 4

□ 5 ■ 6 ■ 7

1 - Учет энергоресурсов

2 - Телекоммуникации

3 - «чип» карты

4 - теле-, радиоприемники

5 - автоэлектроника

6 - вычислительная техника

7 - спецэлектроника

Рис.7 Потребность внутреннего рынка в обеспечении ИС (прогноз, %%)

■ Прикладные исследования □Создание оборудования

□ продукция В Фундаментальные исследования

Рис.8 Структура кооперации п развитии технологии микроэлектроники

Р-МОП М-МОП И-Р-Ы Р-М-Р

I Би

б_ карман

^ 5 изоляция

/Ш\ / / X 4 (тонкий) , _ ,3- Ме

Л- 2 ЭЮ,

(подложка)

Рис.96 Структура кремнии на изоляторе 501-М

Рис.10 . п-канальный МОП-транзистор. Расположение профилей легирования

| Final structuro of p-MQS with'spacers' j

ож|?в Po'ysiiicon gale

\ / p;'

h

/

Tr

Рис. 11 Финальная структура р-канального МОП-транзистора

Perl о» the Him" St'ucluro "NPN I eel-

Рис. 12 Биполярный n-p-n транзистор.

Расположение профилей легирования

с»)

Рис. 13 Измеренные и смоделированные ВАХ п- (а) и р-канального (б) МОП-транзисторов с параметрами L=0.4 мкм и W=5 мкм

ига, В

Рис. 14 Измеренные и смоделированные выходные ВАХ ССТ транзистора с размерами эмиттера 2.0 х 4.0 мкм

|1(Г'I 1к, А

икэ, В

Рис. 15 Смоделированные выходные ВАХ ССТ транзистора с размерами эмиттера 0.8 х 1.6 мкм

эмиттер К.О. к эмиттеру

жесткая маска р» сс

скрытый слон

К.О. к коллектору

Рис. 16 Топология ССТ биполярного транзистора

ейЙЕЖ!

Рис. 18 Структура управления производством

Локальная вычислительная сеть производства

^ И О КЛРО * ПАР * СУШКА (раб »еста 74 7 5. 7-А>

Рис. 19 Аттестация процессоп ЖХО на привносимую деффектность (январь 2000г)

Рис. 20 Толщина остаточного поднитридного окисла после ЖХТ 81,1Ч4 (метки +карман) (январь 2000г)

X 170-1

га п

I

<Л

а 160 И

150

1—1—г— 50 100 150 Вп!а! 100

1

50 100 150 ВпЫ 100

1--г

3.4 3.6 3.8 4.0 Яз п

Рис. 22 Исследование взаимных зависимостей

р> »йкг:

Рис. 23 Схема соединений установки АГУ-

3 2 3 3 3.4 1000Л

Рис. 24 Графики Аррениуса ловушек электронов в пластине кремния КЭФ 4,5 в диапазоне температур Тот 15К до 50К

Рис. 25 Форма кантилевероп конусообразных (а) и с нитевидным окончанием (б)

(а)

(6)

Рис. 26 Изображения шаговой структуры с шагом 1,1 мкм и глубиной 0,25 мкм, плученные в ССМ с конусообразным (а) и нитевидным (б)

кантилеверами

■V, ир

ф и

Рис. 27 Схемы трапепивндного выступа и сигнала ССМ с параметрами выступа и сигнала

^ П. метина^--

| ф|[льццщц -

Лвюнатческие сииеми иСкфул<»1«.1Ния

Рис. 28 Типовая структура организации технологического процесса

МОНИТОРИНГ

ОБОРУДОВАНИЕ

СпеггришыЯ <

Нал<жлос_1 DctnHmiiWHHUf (■СГСМЫ f

Лопушки^

:ifc ч

(*p)-W*pU / Контроль

Метрологи ч /

Аеюмагический ».ошроль \ Срг.чстпл

Л—х

Ардитектурные реш J j ' \ Лачгрно-а«уи1И'1 метол

Чувстшпслыюсть Crvoiwt млы ^/Ыч.ии ¿-11(Ктр

Ни.сж1.осп. Коптрош JS¡¡-J \-6"0'5"Cocni>,t-'B">I«

\ \ в 6ury \ Тяжелые мегылм

Эффективность Технические сростм

Д»гшет \ Ч«т|ю.юпм \

Структур« -J* ■ Л Акишки 4

Сто н мост

Va

Лффсктнвпоси г

Лна.пИ1

Периодичность

V Методы

Мы. ко<гтрл.% '

ИЛ В

Архитектура pjj^

г. i,.... .i mri^wn ™ СГтакллрты, мери

Контроль т / n^hj-wictbo

V ¿ / ItMiicpii^aP CCMC

1 «ю > ■ ' »/ / - Ошосигсльнм

аатиггнм / "в"»« Oów\i обследппалш /Испытания M етро л orw i Ргпз негров j w /_ У_£

Mrrçvuwwi

koviuiskchoci ь / F F F

гаи и я Метрология Эффективное™ / K.inaepnwe ВиЗрзиии

к м / leMiiepiiypar

—/ ^»о 41рул(1мии(е / У J

II ме В»

Ш1А

/ " J "V Hxrcipированные вроаесеы Соямссгичпаь / / ^МиЧ«ци«и Токсичносту'^чсггио.юс,!, Форма испоиливаниа / j Зшнотши MircpnLiu —-Т*/ "V---- MmpcipjT

-jjpf Степень/ ^Специфика uicpuiHit

НОРМЫ

ТЕХНОЛОГИЯ

Материл м

Рис. 29 Диаграмма причинно-следственных связей для экологического

(б)

пь

ш и

1 Ммкро- 1 | кнероюр I 0

со и

и

Рсгслц!

ИКЛ1ГКШ1»

(Ьишдоиш, }ТК.ТНиЦН4

"^истме пгкик Ли М, Си. N1

-| Фмли.рмцш | |;1олущхи»*ш]-. | (.«чр К псрсрлбиш |

(О) - сгу)Ы>1м <фи лс|Скшс I нньА пшипн' 1. 2 • исмшик ие1 оссхчшс и 6с 1 окасш« кшк-твэ.

Ф, II - Ьиин '1>и1цри||Ш1».« иг.Лучн ииин • «клане имишнтииш обир^домкм*

Рис. 30 Структурная схема экологического обеспечения субмикронного производства

0.20.1 -

МИКРОН

1995 1996 1997

Рис. 31 Динамика технологического уровня

0.5-

-Г

1999

2000

Рис. 32 Транзисторные структуры 0,6 0,8 мкм

М-2

ИД-1

М-1

Подслой

Барьер

ИД-0

СоЭ!.

/С

Затвор

аг

7 |

{_____^____¿а_

! /¡Я исток

№

/ Подз. д/э 7

IV

шсов-м у

Гало-ИЛ \ чР | N "г охрана •

Эпитаксиальный слой м сток чР ,'. ц . карманы

Р+ скрытый слой

скрытый слои

Рис. 33 собсимости физической структуры с субмикрониыми росктиыми

нормами

Рис. 34 Уровни технологических решений промышленной субмикронной технологии СБИС

Цсма. I ыс Долп

/

.фр

Кф'О'

у. V- ЮР.^ММигшИ 0 %

ТСР. 1л КжЬ 0«

ЬпНо* 4520 |лп КсчагсЬ (и!

\jlrielLh Ьт И о;

ШМ иле! «7

1«прт1т1М 1111ИПН™ 1

—1

10

Качссшо. баллон

Рис. 35 Характеристика «Цена-качество» ПХТ оборудования

юнного проекта (Внешним информация)

жж

/ЪУ А\/ /М/

СОСТОИМ! 1

(жм;р

УЗКОМ .'

. Цепь ,< нутп?

гжт:..::>л." ж'::

ирооам и финансоисе обслуживание иииесчициоичиго проекта I

Жизненный цикл

лроекта (РМ в широком

А ▼

Сое тояние проблемы

Внутронноо окружение иииестиционного проекта (внутренняя информация)

Фаза.З

Рис. 36 Схема инвестиционного процесса

160 ООО ООО НО ООО ООО 1?0 000 ООО 100 0С0 000 80 000 000 ЬО 000 000 40 000 000 /О 1)00 01)0

с

?0 000 000 40 ОСО ООО 60 000 000 80 ООО 000 100 ООО 000 • 1?0 ООО 000

График оку п.! с и [>С1 и

Рис. 37 Интегральные показатели эффективности базовой технологии

90000 ШООО 70000 ООООО 50000 40000 30000 20000 10000 О

1007 1970 1975 1881 1908 1990 1900 2ПООТ.Г.

Рис. 38 . Динамика производства ИС (пластин/мссяц).

Рис. 39 Степень интеграции

—1—

1970

Рис. 40 Изменение диаметра пластин

Рис. 41 . Минимальный размер элементов

400 350 300 250200 150 100 50 0

!ИП!

1967 1970 1975 1981 1988 1990 1996 2000'

Рис. 42 .Изменение размера кристалла, мм2

Рис. 43 .Разработка и внедрение промышленной технологии производства ИС

Таблицы

Прогноз мирового производств СБИС в 1999 ~ 2003 годах но

технологическому уровню.

Технологический 1999 г. 2000 г. 2001 г. 2002 г. 2003 г.

)ровепь, $, $, $,

мкм млрд млрл %% млрл %% млрд %% млрд %%

0,8 14,3 1 1.8 10,4 7,7 7,1 4,5 3,2 1,8 - .

0,5 41.4 34,2 45,0 33,3 44,2 28,0 33.0 18,4 9,6

0.35 46,3 38,4 56,1 41,6 62,7 39.7 69,5 38,8 58Л 29,0

0,25 5,5 4,5 10,5 7,8 22^1 14,4~1 42,3 23,6 62,4 3 1,2

0,18 - - 7,3 4/> 16,4 9,2 4 1а4 20,7

Прочие 13,5 1 1,0 13,0 9,6 14,0 8,8 14,6 8,2 19 9,5

Иго! о: 121 100 135 100 158 100 179 100 21)0 100

Таблица 2

Анализ технологической бет проектируемых процессоров

NN п/« Тпнладпм ШЕймефЫ Т/Го БЛп М-/

1 КМОП 0,$ : 1 1 1 1

2 БиКМОП С) 0.$ г а-0.5а« о,$ 2 0.? 1.1

К МОП $01 (") 0,6 I С^З.К^- 0Д5 ».2 0.» 1.2

4" кмоп 0.3 См, -0.5См». 0,(5 1.2 о.? 1.«

КМОП 501 Ср.. - Смг -О^Смс 0,7 М 0,6 1.6

КиКМОМ о,5 о-О.За. См. -0.5См„ 0.45 2,2 0.6 1.6

кмипс") 0.35 В 0.7 1.4

кмои 0.35 8 0.5 2.0

Дополнительные преимущества.

* • Возможность интерфейс* со сверхбыстродействующими ИМС ЭСЛ -

Таблица 3

Преимуществ* и нгдоептки БиКМОП технологического базиса

ПРЕИМУЩЕСТВА НЕДОСТАТКИ тчи хчкмшшн

1. Способность верехпа 1. Отсутствие оп Ш1 1. (М>г«нне

еагвлла вря бал* эта работы

яагр*змх: проем арми мко я. 1. Сошпие мроекпю-

« <игпга1мр;еиость 2. Необхоздчостъ •ехн<м«мяческо«>

(рилпесклх вуте! еемттветстаро о |м х ПикМОМ (М|нса.

перелай» емгаалм; библиотек. 3. Рацшинзн процесс,

• улуявеннаа илержка. >стжняи>шн1(

2. Большое а «шик 3. Слояоюстъ стап/иртыи КМОМ ш

совротпалгнае. те хпплолпссавх ботге, ЧС» I 1.2 |М»М

3. Уа^теиие яарач<т?о« процессоа (1.3 — 1,5

■ 2-3 раза. раза) по ераваеыаю с 4. (V я \

4. Висоьая КМОП.

жаиажлетиа« плотность 5.ШраГн>тьа ними

размещения КМОП- 4. Высока« ироекгмропапия.

элементов. себестоимость вздыяй.

Малая рассеналсмяа 5. Трудность п мучется

моппостъ. )■!) «ПСИНЫХ

б. Иалнчае мтрфейсо» характеристик яря

смешанного тала. перекале к

7. Возможность работы с ммявчальяыч

салолам« смешааяога аросатныч вормам

тш (кналогоаымм ■ мене« 0,5 мкм в

яафроаычл). ас полыо яаяяхз

8. Поименная «1Ги»»ОЛкТ1ИХО

кита имя.

1 Упкрсиыиа

■ропмдстаек«» баи.

10. Окпгеальяостъ

ароеклфоиния

арокзаадства.

II. Альтернатам ТТЛ.

Значения основных параметров ыооели ВММ2 дли п- и р-ымалыюю граазиси>роа._

Параметр молелм bsim; Значение для о-моп Значение для Р-моп

-1 0 -1 0

ОШ 0 89

к, 09) 0 94

к. 0 125 0 123

(Ш7 001$

-0 0(17 -0 009

J27 Ш 3

"л 0 443 0 45

П., -0 025 -0 03

и,„ 0075 ооа

и» -0 0О16 -0 009

11, л 0 IS 0 13

и„„ 0 00014 0000!

1 125 1 2

0 35 0 32

-0 017 -0 016

[ 16 1 2

-0 054 -0 02

-0 069 -0 03

332 6 0

л* I0S 6 0

в„ 24 62 0

вь 191 0

tn. вбе-Змки Я 6с-3 ыкм

с„ 2 Ое-10 лФ/м*м 2 Ос-11) ПФ/mvw

с,ч, 2 Ое-10 пФ'мкм 2Г*-10 пФ/чкм

01, 0 5 05

Таблица 5

Определенные из измерений н пересчитанные параметры модели Гуммеля-Пуна биполярных аССТ транзисторов, изготовленных по БиКМОП

технологии.

Параметр Размер эмиттера -транзистора 0 gil 6 икм Размер эмиттера транзистора 1.4*2 8 мкм Размер эмиттера транзистора 2 0x4 0 мкм

из камер. пересч.

ls. А 0 2 I0-» 0.5 10" 1 Í 10" 1 4 10-1'

BF 120 147 160 155

W. В МО 106 90 86

Var, В 2 8 2 9 3 5 5

Rb. Ом 1600 930 725 860

Rbin. Ou зга 260 210 188

Re. Ом 6S0 530 380 4111

Re sal. Ом 210 145 73 66

C]t, 11Ф ООН 0 03 OOS 006

C|c, пф 0 008 0 022 0 035 004

Таблица 6

Сравнение отечественного и зарубежного технологических базисов

Технология, Параметр Зарубежный уровень Отечественный уровень

КМО П БиКМО п Биполяр КМО П БиКМОП Биполяр

Мин размер, мкм 0,35 0,50,35 0,5 -0,35 0,8 0,5* 0,50,35

Напряжение питания, В 3,3 3,3 - 5,0 5,0 5,0 3,3 - 5,0 5,0

Тактоная частота, Гш 0,5 1,8 4,5 0,2 1,5 4,5

Частота выходного транзистора, Ггц 3,0 6,5 15 1,0 6,5 15

СБИС на основе БнКМОП технологически]о базиса

NN функнно-напьнос назначение ИС Функциональная сложность Быстродействие, НС Иофсб-лнемая мощность. мВт Уровни согласования Мин. размер, чкм Примечание

1 ОЗУ. I500PV4S0 ltiK * I 25 300 эсл 1.5 разработка

2 ОЗУ, 1500PV490 6« X 1 30 400 эсл 1,2 разработка

3 U [У, 5.17|'У23 8К»а 20 10 КМОП ТТЛ 1.0 разработка

ОЗУ. 537РУ30 32К х 8 21) 10-20 КМОП, ТТЛ U.S разработка

5 БМК 10-15 тыс. вент. 0,5-1,0 не/вент. 5 1.5 разрабоз ка, опыт. образцы

6 ГДА8362А (анэпоО Видеопроцессор - 1,5 разработка

7 ТДЛ8395 (аналог) 1,25 мВт/ МГц 1.5 разработка

8 IIJT74FCT6TS (аналоО Маломощные лошческне 1IC 5,0 ТТЛ 1.5 разработка

Таблица 8

Сравнение параметров отечественных и зарубежных КМОП и БиКМОП элементов БИС.

Время задержки, не

КМОП - 0,5 мкм БнКМОП - 0,8 мкм

АООТ Ш1ИМЭ и Микрон Hitaclu АООТ НИИМЭ и Микрон Hitachi

0.7 - 0.75 0,5 - 0,6 0,42 0,39

Таблица 9

Средине значения параметров сигналов ССМ, полученных при сканировании эталонной и исследуемой структур.

Структура Un, нм В„, нм Si, НМ SR, нм

Эталонная 725 ± 4 1298 ± 5 250 ± 3 328 + 4

Исследуемая 908 ± 7 1266 ± 12 162 + 5 197 + 6

Таблица 10

Максимальный объем выброса спецгазов.

Материал Объем выброса

г/сек мг/м3

моносштан 100% 0,002 72

фосфнн 15% 0,00034 14,4

аммиак 100% 0,0016 57,6

дихлоренлан 100% 0,00193 68,4

Таблица 11 .

Определяющие техпроцессы развития субмикроинои технологии

(Обобщенный мировой опыт)

✓ Модулированный профиль «зрманов v' Каиаеочная изоляциа / Встроенная металлизация с низким RC */Гало-имлланта1у«я

V Интегрирование« процессы на кластерном оборудовании,

V Суб кэб мелкие слои

V' Нитрирование подзатвориого д/э

V Металлизация с глобальной планаризацией

/ Транзистор на эпитаксиальиом кремнии

V Карманы с обратным градиентом с ИЛ мэВ диапазона / Высокоанизотролное РИТ

V V/ вертикальные проводники

^ЧПП класса 10/1

^ Процессы иороткокаиального транзистора

1,0 0,8 0,5 0,35 0,25

Таблица 12 .

Основные параметры первой отечественной пилотной линии на 0,8-1,2 мкм

NN Наименование параметра Единицы измерения Значение параметра

1 Размер площадки для размещения линии (без систем обеспечения) и* 3024

2 Площадь ЧПП классов чистоты 1...100 1012

3 Системы инженерного обеспечения м* 6130

4 Диаметр обрабатываемых пластин мм 150

5 Общая мощность по запуску, в т.ч. - разработки и опытное производство, - промышленное производство пл/день пл/день пл/день 350 50...75 275...300

6 Проектные нормы СБИС: - разработки и опытное производство, мкм 0,5.. 0,8

- промышленное производство мкм 0,8...1,2

7 Технологический процесс Количество слоев КМОП 2Ме, 2Si> до 18

8 Выход годных пластин: - 1-ый год, - 2 oft год /О 80 85

Из ¡10 единиц оборудования • 100 отечественного производства

Таблица 13.

Этапы разБИтин субмикроппоп технологии "ПИИМЭ и Микрон"

"0,35 мкм" II Э|аи

"0,5 мкм" и

"0,35 мкм"

"0,5 мкм" I Этап

II ЭI аи I Этап

Создание модуля 11;|ф<>жнодстяо "0,35 мкм"

V Создание ЧПП 10/1 с миниюнами класса 0.1 </ Технология 0,35

\/ Триоистор на суб кэВ слоях с канавочной изоляцией

V Встроенная 5 - в уровневая металлизация с низким В

Дооснащсиие модуля I; пргжзволство "0,5 мкм" и разработка "0,35 мкм"

V ПФЛ 0,5 мкм

V1 «НИ>01рОПМ©в селективно« РИТ ИЛ малых и высоких энергий

V 4-х »ровнее»« металлизация с V/ и глобальной планариэацией Ма и д/э

11рпра0<» 1ам ^ ПФЛ С ф. « Транзистор на эпитаксиальмом кремнии

Мелкие И-С области с аморфиэацивй у Электропрочный полэатвормый д/э на ал у Июляция • ЛОКОС-М

V Эффективным ДБС в высокоаслектных о ч- Контакты СоЭ!,

кс процессов на «сговоч и рабочей крнсимях "0,5 мкм**

Создан Модуль-!; производство "1-0,8мкм"

V ЧПП кллсса 10/1 Комплекс оборудования

V Инфраструктура

—Г~ 0,8

1,0

0.5

0.35

Проектные нормы

Таблица 14.

Баюпыс 1С1Н01ПГИИ проюводива интс1ралы|ык микросхем

Башои течгопмн. (<рн» При-сисне гз- Б'мня 1ИМ0ИИШ Пряигиенне

1 5 ТТЛ |и1н1рнп-»пит»«"«.пн». тмоктиа сп с»гм.ым ечогм. с ИХЧЯЧИС» р II ПС!»юдом и «С1И ртакйсм Аи ПО. 131,13) 116.КИ1 К15$ К К^Ч'Н, С200. РС ЭВМ «Рид.. • Ри }., МВК .Эл»Гтк1.. СМ ЧВМ .Иеч^чи, «Печора 2.»«Р КМОП с саинсояыеикнкыим Ь.' »..«^юл'пии« 1» V. 5ПГУ 19, 537Р>29. ЦрМ'РУ?1» -ЯМ РУ4|6А.~"1Ю •У4М1А. 11X1 РУ >7Д. |<К> ГУ 471), ;500 РУ <70 СЗОО, «Артон», «Бч». •Таиф)я>. «Г>|>н1 М> к ар

ЛПКГ>МНИМЫЙ ре тиетт^'аии Пинарип иичамимииа Tt.no погня со скрыты* иисч, ламро шини» ЬЬ с и»д«ииев р.л п< С*ЮЛ"« «В 113. 115 1-М1 14*. 169, пи, К170 5» 5>М. •Топе.«« ЭВМ. «Ри». .Г«д 2., БЧВМ • Печора 2«. СМ .384 я ер со сирьпым сд«м, 2 Ме СЛМ, С4/Ю

15. Т1ЛШ июпиюр Л1К.И2ЩХМ1. «Б>мг>. «Маккий 1тэрг»

ЭСЛ линдрно юиинси&шиа ЙТЛ1Я11ИГИ р Л |КрГ«ОЗОИ. НИШ! р-п передояы питый )Н1гпер. I Ме И» 2") КМУ1 ЯД). МУК «'Знбрче., Зчьбр.х >.. ЕС ЭВМ .Рал 2. .Г>>»л., 16 Т5 КЛ (ТРЗ) • шелемя *»1иии». >1И'1кГМ со ск^1гтыч с1псы, эмиттер, 2 Ме П20 (ХМХМ5) МЬ»-.)^т>с и

ГТЛШ и я »нарт >• ики, е «но«ми Шрт- тки ка рс-ном с ппаышенныи при-{«иным к>"ря*снисм, ГКГ[*МЫЧ-»1 "Л ХМП 55*РП61 С1«и, «Фа»ч»"'. «ТаЛфч1». 13МЬЕ2, «Кошор.

ПЛШ (с *[нодам» Шопкк на 565.К-1*?, СМ ЭВМ сзио

{. ПЛШ НПЗУ ил»н»р»-»штаикалти тмиолошя со скрытым с.»«м с кючяняев р-в пробивным к»пр»»ениск, N>0« перемычки к1И р-п леремя с «», ее 'звм .ри., .!>*» 2. МВК «Элк-СМ чем «Бук», • Колъе». «Синим» и 1р

1Н КМи1М,2мк><) - » Паитрсм-|гиЯ, 2 Мс 537РУ23 С4(Х! ГЛОНАС,«С«»ет» «Со

19 ССТ •Сникшор«. «Л;- •Адкл,»

скрытии ыоеч. Ме М5Ят.РУ7|. 13 брус I», «Тппшкк 20 КМ(И 1 (11,8 мку) - 2 аояккрек-иня, I Ме 537Г>» С400, «Печора», -Ареон-•Сом р иккп юы н и е - (

8 9 эи 2п иэогшм.ф. •»питем со скрытым слоем, 2 Ме Н~1 пПТУ ПЧМГМ сиры1ыи с«игм. с ихтинеЯ р-п мые нш^онони. N1(1 переыьл 1(111 РИМ. К .ЧХ) РУНО 10иРУ415. КЧУРНН. гтру^п ЯК) ГЕ МЧ, К V» ГЕ 1« МВК •Эи/'рук ЕС ЭВМ •Ри 2>. МИК ¿БМ • Раз 2. СМ .)иМ

ЭСЛ 2п июпмиэр. злитаксия с« скритим СЛ««, ПП»ЫШ«ННЫ« нробианые напр«»'нк», К|Сг пс-1КМЫ1ИН ГТЛШ плммрно-Р|5| ьчи-ТЕНчч. 100 ГЕ 149А 533. К55 5, 1802 МВК С.С ЭВМ • Ряд 2«. СХХ). -Б.^И., МВК .Эп-бпе», «Чт»Г|р>с1>, «Элк^г* 2», .Тогюли. С40П. Ы1ВМ. БРЛС. •Топо»к.М».

12 КМОП с 5>- м|(«ори* "7РЧ Шт СЗОИ .Тшютк - М., «Ар»он»

Результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1 Р;нраГюгкатсчнолотн шготоачсиия I1TC токового ключа: Научн jcxm отчет по ОКР «Иртыш- / Горнсв С.С. - исиолшпель, НИИМЭ, Гос. per. № Ф 00007. - М . |9<>7, 50с.

2 Разработка технологии изготовления токовых ключей : Научи тсхн отчет по ОКР «Искра» / Горцев Е.С. - исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. N> Ф 00037. - N1 . ]%7, 63с.

3. Разработка ИТС днодно-транзисторной логики : Научи, техн. отчет по ОКР «Логика I». / Горцев Е.С. - исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф00053 - М., 1968, 107с

4. Исследование физических свойств кремниевых л1итакси;1лып.1х структур для производства твердых схем : Научн. техн. отчет по НИР «Истина». / Горней Е.С. - исполнитель - НИИМЭ. Гос. per. №Ф 000X2. -М, 1968,83с.

5. Исследование возможности создания сильноточных токовых ключен.: Научи, техн. отчет по НИР «Ильмень». / Горнсв Е.С. - исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. Nj Ф 0079. -М., 196S, 47с.

6. Освоение на заводе «Микрон» н шел им типа «Логика-1» : Научи техн. отчет но ОКР «Jloi ика-1 В». / Горне» ЕС. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос per. N° Ф 00139. - М.,1%8 41с

7. Оказание технической помощи серийным заводам, осваивающим производство ИТС.: Научи, техн. отчет по ОКР «История 68». / Горнсв Е.С. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 00657. - М., 1970, 35с.

8. Оказание технической помощи предприятиям, осваивающим производство ИТС.: Научн. техн. отчет по ОКР «Индустрия». / Горнсв Е.С. - зам. главного констриктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 01187. - М , 1972, 4Sc.

9. Доработка тестера «Элекон С2 М» с мелью обеспечения контроля ИС серий 146, 169.: Научи, техн отчет по НИР «Инициал ФТУ». / Горнеп II С. - отв. исполнитель - НИИМЭ. Гос. per. ни». № 13S0. - М., 1974, 15с.

10. Доработка тестера «Элекон С2 М» с целью обеспечения возможности контроля ИС типа 1 УТ 402.: Научи, техн. отчет по НИР «Инициал —ОУ». /Горцев Е.С. - отв исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. инв. N2 1393. - М., 1974, 18с.

11. Разработка, изготовление оборудования для статического и функционального контроля МБИС в диапаюне температур, совместно с предприятием п/я Р-6707: Научи, техн. отчет по ОКР «Инициал 411*/

Горцев П.С. - отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос. per. № Ф 04 125. - М., 1974, 23с.

12. Разработка и изготовление оборудования для испытания МБИС, совместно с предприятием и/я A-129S. Научи, тсхн. отчет но OKI* «Инициал 4И»/ Горнсв ПС- ош пеношшгель - НИИ М"), Гос. per. Ni Ф 04126. - М., 1974, 21с.

13 Оказание технической помощи при внедрении законченных ОКР: Научн. техн. отчет по ОКР «Внедрение -74-2 И»/ Горцев ЕС, - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 0352. - М., 1974, 32с.

14. Исследование путей повышения надежности и долговечности полупроводниковых интегральных микросхем.. Иаучн. техн. отчет но НИР «Ускорение —II». / Горцев t.C. — от исполнитель -НИИМЭ, Гос. per. № Ф 05424. - М.. 1975. 62с.

15. Горисв L.C.. Афанасьев 10.ll. и др.. Микросхемы интегральные полупроводниковые. С la «пеннее кий апаип элекфических парамс трон. Кош роль качества и произволе те. Стандарт предприятия CTII И60.091.025-75 , M.. 1975.

16. Модернизация (доработка), отладка, отладка, ввод в эксплуатацию оборудования и создание участка изгогоштення ИС на пластинах диаметром 100 мм.: Научи, техн. отчет по ОКР «Игра-1». / Горнев I:.С. - зам. главного конструктора ОКР -НИИМЭ, Гос. per. Ns Ф 9938. - M., 1977, 43с.

17. Разработка методов и средств высокопроизводительного контроля микросхем полупроводниковых ОЗУ и ПЗУ.: Научи, техн. отчет по НИР «Измерение 1»/ Горнев Е.С. - зам. научною руководителя НИР- -НИИМЭ, Гос. per. №Ф 9971. - М., 1977, 38с.

18. Модернизация конструкции и технологии изготовления микросхем «Иткол-2» с целью повышения процента выхода годных.: Иаучн. техн. отчет по ОКР «Иткол —В». / Горнев Е.С. -отв. исполни гель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 9672. - М., 1977, 40с.

19. Разработка полупроводниковой микросхемы фазочувстшнельното усилителя — преобразователя (модернизация микросхемы типа 150 ХЛ2).: Нзучн. техн. отчет по ОКР «Иск ХА»./ Горнев Е.С. - отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос. per. N> Ф 10106. - M., 1978, 65с.

20. Создание измерительного участка л отработка методов параметрического функционального и динамическою контроля СИС для условий серийното производства интегральных микросхем.: Научн. техн. отчет по ОКР «Инициал 611» / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора -НИИМЭ, Гос. per. № Ф 10938. - M., 1978, 71с.

21. Разработка микросхем ускоренного переноса серии 555 типа ТТЛ L1I.: Научн. техн. отчет по ОКР «Исполин 03»./ Горнев Е.С. — исполнитель -НИИМЭ, Гос.per. № Ф 1QU9. - М., 1978,87с

22. Разработка микросхем двух типов luhiihmx формирователей типа «ТГЛ111» (микропроцессорный набор): Научн. чехи. отчетно ОКР «Исполин 16»/ Горнев Е.С. — отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос. per. № Ф I023S. - М., 1978, 75с.

23. Разработка микросхемы электрически программируемого ПЗУ на 1024 бита типа ТТЛ с диодами Шоггки.: Научн. техн. отчет по ОКР «Импульс 1К»/ Горнев Е.С. — отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 10492. - М., 1978, 22с.

24. Разработка серии 2-х канальных усилителей воспроизведения с триггерным выходом и формирователя тока с расширенными логическими функциями для быстродействующих ЗУ на ЦМП и ФС.: Научн. техн. отчет по ОКР «Ишпм —4С» / Горнев Е.С. — отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос. per. № Ф 10504. - М., 1978, 57с.

25. Разработка и внедрение опытной технологии изготовления ИС на пластинах диаметром 100 мм.: Научн. техн. отчет но ОКР «Ифа-2». / Горнев Е.С - главный конструктор ОКР -НИИ МЭ, Гос. per. № Ф 10510. - М., 1978, 27с.

26. Разработка микросхемы быстродействующего универсального регистра сдвига.: Научн. техн отчет по ОКР «Имитатор - 8»./ Горцев ЕС. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 1061').

- М., 1978, 41с.

27. Разработка микросхем приемника и передатчика для линий связи аппаратуры передачи данных . Научн. техн. отчет по ОКР «Иман 2» / Горнев Е.С. - огв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф

10638. - М, 1978, 51с.

28. Разработка микросхем памяти на 64 бит.: Научн. течи, отчет по ОКР«Имитатор И»./ Горнев Е.С.-отв. исполнитель-НИИМЭ, Гос. per. № Ф 10759. - M., 197S, 97с.

29. Разработка полупроводниковой микросхемы оконечного усилителя для следящих систем постоянного и переменного тока выходной мощностью боле 1,2 Вг. (550 У111).: Научн. техн. отчет по ОКР «Иск-3»./ Горнев Е.С. — отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос per. № Ф 10823. -М , 1978,83с.

30. Горней ЕС., Афанасьев Ю.П. и др.. Комплексная система управления качеством продукции. Основные положения. Стандарт предприятия СТП 116-20-78., M , 1978.

31. Совершенствование технологических процессов изготовления И С серии 500 с целью повышения процента выхода годных : Научн. техн отчет по ОКР «Прпень-О». / Горнев Е.С. - отв. исполнитель

- НИИМЭ, Гос. per. № Ф 9695. - М., 1977, 52с

32. Горнев ЕС., Афанасьев Ю.П. и др., Метрологическое обеспечение подготовки производства. Общие требования к стандартизации и аттестации методик выполнения измерении параметров технологических процессов, контроля и испытании продукции, технического обслуживания объектов и изделии. Стандарт предприятия СТП 116-96-78., М., 1978.

33. Оказание помощи при внедрении законченных ОКР, корректировка тех.документации, участие в проведении установочных серий на предприятиях» : Научн. теш. отчет ло ОКР «Внедрение 77-2И». / Горцев Е.С.- отв. исполнитель-НИИМЭ, Гос. per. № Ф 10128. - М., 1978, 51с.

34. Разработка и внедрение промышленной технологии производства ИС К500 РЕ 149 и К 556 РЕ4 на предприятии п/я М-5076.: Научн. техн. отчет по ОКР «История -2». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 10093. - М., 1978, 30с.

35. Разработка и внедрение промышленной технологии производства ИС 589 на предприятии п/ я М-5076.: Научи, техн. отчет по ОКР «История 3» / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР-НИИМЭ, Гос. per. № Ф 10365. - М., 1978, 23с.

36. Разработка и внедрение промышленной технологии производства ИС К500 РУ 410 на предприятии п/я М-5076.: Научн. техн. отчет по ОКР «История — I». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР -НИИМЭ - НИИМЭ, Гос. per. N> Ф 104S4. - М., 1978, 22с.

37. Разработка микросхемы центрального процессорного элемента типа ТТЛ Ui серии K5S9.: Научн. техн. отчет по ОКР «Исполин-02». / Горнев Е.С. - отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос. per. № Ф 108404. -М., 1978, 67с.

Разработка блока микропрограммного упрашкния типаТГЛШ серии К5К9.: Научи.техн. отчет по ОКР «Исполин-01». / Горнсв L С. - исполнитель-НИИМЭ. Гос. per. № Ф 108410. - М., 1978,

7.V

39. Рлфаботка микросхемы блока приоритетного прерывания серии 555 шпл 1ТЛШ.. Научи те.хн отчетно ОКР «Иснолин-14» / Горнсв Е.С. - отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос. per. № Ф 108410. - М., 1978, 57с.

40. Разработка микросхем многофункционального синхронизирующего устройства серии 589 типа ТТЛ Ш.: Научи, техн. отчет но ОКР«Инсар-ДС-Ь/ Горцев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. №Ф 11109. - М., 1978, 54с.

41. Разработка автоматизированного техпроцесса беспроволочного монтажа HC в однокристальные пластмассовые корпуса.: Научи, техн. отчет по ОКР «Имид-1». / Горцев Е.С. — отв. исполнитель -НИИМЭ - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 11635. - М., 1979,81с.

42. Разработка технического проекта системы управления качеством в процессе производства. Совершенствование действующей системы управления качеством па основе внедрения задач 1-ой очереди на предприятии.: Научи, техн. отчет по НИР «Юпитер- И». / Горнсв Е.С. -зам. научного руководителя НИР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 11453. - М., 1979, 43с.

43. Горнсв Е.С., Афанасьев Ю.П. и др., КС УКП. Порядок аттестации технологических процессов. Стандарт предприятия СТП И6-116-79. М-, 1979.

44. Разработка универсального 4-х разрядного регистра и оперативного запоминающего устройства на 64 бит в конструктивном исполнении, пригодном для применения в многокристальных БИС.: Научи, техн. отчет по ОКР «Илмм 5»/ Горнсв Е.С. — отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. №Ф 1 1987. - М., 1979, 85с.

45. Разработка микросхем быстродействующих счетчиков.: Научи, техн. отчет по ОКР«Имитатор 7»/ Горнсв Е.С. -oin. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 11109. - М.. 1979, 63с.

4Ь Ра «работка микросхемы ОЗУ на 256 бит тина ТТЛ (133РУ5).: Научи, техн отчетно ОКР«Ион-Зс»/ Горцев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. Na Ф 11643. - М., 1979, 53с.

47. Разработка микросхемы ОЗУ на 256 бит типа ТТЛ (155РУ5).: Научн. техн. отчет по ОКР «Ион-3» / Горнсв Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. N9 Ф 11644. - М., 1979, 37с.

48. Разработка и внедрение пожаробезопасных моющих средств для очистки деталей микроэлектроники.: Научн. техн. отчет по ОКР «Изделие 3». / Горнсв Е.С. — отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос. per. № Ф 11213. - М., 1979,47с.

49. Разработка быстродействующей ИС для формирования тактовых сигналов управления ЗУ на Ii- МОП.: Научн. техн. отчет по ОКР«Иман 4»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 11649. - М., 1979, 64с.

50. Разработка и внедрение на предприятии п/я М-5076 технологии нзготоатения лепестковых выводов на полпимндном носителе на опытной линии «Лента», разработанной предприятием п/я В-8657.: Научн. техн. отчет по ОКР «Имид». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. №Ф 11145. - М., 1979, 35с.

51. Создание испытательного участка по отработке средств и метол он ниш пиши СПС для ус ювий серийного производства lo статической обработкой информации Научн. техн. отчет по ОКР «Испытание 77». / Горнев I. С. - главный конструктор ОКР - НИИ М '•), Гос. per. № Ф 11476 - М., 1979, 76с.

52. Расширение функциональных возможностей микросхем серий II I и 115.: Научн. техн. отчет по ОКР «Исход 2». / Горнев I. С. зам. главного конструктора ОКР - Н ИИМЭ, Гос. per. № Ф 11348. -М., 1979, 61с.

53. Доработка конструкции кристалла и методик контроля микросхемы 133ИЕ8 с целью повышения производственных запасов и процента выхода годных Научн техн. отчет по ОКР «Инсар-6СД» / Горнев ЕС. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. pei.Ng Ф 11412. -М., 1979, 49с.

54. Разработка ППЗУна 4 КОнт с электрическим программированием типа ТГЛШ.: Научн техн. отчет но OKI' «Импульс 11 ПЗУ- 41Г/ Горней Е.С. - отв. исполни!ель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 1 1278. -М., 1979,47с.

55. Доработка технологии и конструкции кристатла микросхемы 550УП1 с целью повышения производственных запасов по параметрам и процента выхода годных : Научн. техн. отчет по ОКР «Иск ЗД». / Горнев L С - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. Na Ф 11693. - М., 1979.

56. Модернизации ИС KI55 IM7.: Научн. техн. отчет по ОКР «Инсар-М». / Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 11779. - М., 1980, 32с.

57. Горнев ЕС., Афанасьев IO II и др., Микросхемы hhtci ральные. Кристаллы. Основные конструктивные размеры Стандарт предприятия СТП И6-76-80 М . 19S0

5S. Разработка отклонений к технологическим процессам.: Научн техн. отчет по НИР «Отклонение 211». / Горнев ЕС. - научный руководитель НИР - НИИМЭ, Гос per. № Ф 11750. - М.. 1980, HSc

59. Доработка технологии изготовления микросхем 140УД9 и 140УД11 с целью повышения производственных запасов по параметрам и процента выхода годных микросхем.: Научн техн. отчетно ОКР «Иткол-2Д» / Горнев ЕС. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 11934. -

М., 1980.

60. Горцев Е.С., Афанасьев 10.П н др.. Порядок обеспечения программами контроля. Стандарт предприятия СТП I16-S1-S0. М, 1980.

61. Анализ использования и определение целесообразности применения дефицитных материалов, имеющих значительный расход в производстве, с целью сокращения этого расхода.: Научн. техн. отчет по НИР «Искра» / Горнев Е.С. - научный руководи гель НИР- НИИ МЭ, Гос. per. № Ф 1 1947. - М., 1980.

62. Горнев Е.С., Афанасьев 10.П. и др., Организация и порядок проведения поверки и экспертизы нормируемых метрологических характеристик технологического и испытательного оборудования. Стандарт предприятия СТП 116-136-80. 19S0.

63. Горнев Е.С., Семенов В.Л. и др., Специальное техно.Ю! ическое и энергетическое оборудование. Организация планово-предупредительного ремонт и технического над юра за эксплуатацией. Стандарт предприятия СТП И6-137-80. 1980.

64. Горнев Е.С., Афанасьев 10.11. и др., КС УКП. Метрологическое обеспечение подготовки производства при разработке, изготовлении и испытаниях новых изделии. Метрологическое обеспечение в процессе производства. Стандарт предприятия СТП И6-139-80.

65. Разработка быстродействующею оиерационною усилителя для aiuuioi о-цифровон техники: Научн. техн. отчет но ОКР «Иткол 2»/ Горнев Е.С. — отв. исполнитель - НИИМЭ, 1 ос. per. № Ф11985. - М„ 1980. 49 с.

66. Исследование и разработка эпигаксиальных структур типа «изопланар-2п», обеспечивающих надежную диэлектрическую изоляцию и позволяющих формировать пристеночные области электродов.: Научи, техн. отчетно НИР «Источпик-б». /Горнев Е.С. — отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 1176S. - М., 1980, 53с.

67. Разработка и корректировка нормативов производительности спецтехнологическото оборудования для производства интегральных схем.: Научн. техн. отчет по НИР «Нивелир». / Горнев Е.С. - научный руководитель НИР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 11916. - M., 19S0.

08. l'a ipnOoika и внедрение промышленной тсхноложн получения ТЭПСС ниш «изонланар-р» с целью повышения выхода до 65% на производственном участке завода «Микрон».: Научн. техн. отчет по ОКР «Источник-с». / Горнев Е.С. — отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 11794. -M., 19S0, 41с.

69. Горнев Е.С., Афанасьев Ю.П. и др., Микросхемы интегральные полупроводниковые. Обязательные требования к условиям производства. Порядок проверки выполнения требований, предъявляемых к производственным помещениям. Стандарт предприятия СТН И6-4-80., M , 1980.

70. Горнев Е.С., Афанасьев Ю.П. и др., Микросхемы интегральные. Перечень материалов, разрешенных к применению и подлежащих входному контролю. Стандарт предприятия СТП

И6-16-80. М., 1980.

71. Анализ причин коррозии металлизации и выводов интегральных схем. Разработка рекомендаций по исключению причин коррозии.: Научн. техн. отчет по НИР «Игрек».: / Горнев Е.С. - зам. научного руководшеля НИР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 11741, - М., 1980, 118с.

72. Горнев Е.С., Афанасьев Ю.П. и др., Состав КД на структуру кристалла при контроле технологическою процесса изготовления микросхем в производстве по унифицированным тестовым ячейкам. Стандарт предприятия СТП И6- 134-SO, 1980.

73. Разработка методик комплексного статистического анализа параметров технологических процессов изготовления [>ИС применительно к типовой цеховой системе.: Научн. техн. отчет по НИР «Инза». / Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 11815. - М., 1980, 41с.

74. Горнов Е.С., Афанасьев Ю П. и лр., Порядок проведения входного контроля. Стандарт предприятия СТП И6-23-80., М., I9S0.

75. Ра «работка БИС IH13N 4К в плоском корпусе.: Научи, техн. отчет по OKI' «Импульс ППЗУ-4С»./ Горцев ЕС. - отв исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. JSfe Ф 12036. - М.. 1980.

76 Горнев Е.С , Афанасьев Ю.П. и др., КС УК П. Порядок п методика входного контроля и запуска в производство материалов, полуфабрикатов и комплектующих изделии. Стандарт предприятия СТП 116-23.1-80. М., 19SO.

77 Исследование и разработка конструкции и технологии сборки сверхбыстродействующих МАМ 1С: Научи, техн. о пет по ОКР «Ирбис-С»./ Горцев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР

- НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 1 1893. - М., 19S0, 37с.

78. Разработка и исследование технологии нанесения многослойной металлизации при изготовлении БИС : Научн. техн отчет по ОКР «Изобретатель М». / Горнев Е.С. - главный конструктор OKI'

- НИИМЭ, Гос. per. JSfe Ф 1209S. - М., 1981, 112с.

79. Перевод производства микросхем серии K155JIE1, ЛЛ1, ЛН1, ЛИ! на уменьшенный размер кристалла с одновременным переходом на пластину диаметром 76 мм с целью экономии материалов.: Научн. техн отчет по ОКР «Конструкция — 80»/ Горцев Е С.- главный конструктор ОКР НИИМЭ, Гос.per N9 Ф 14945 - М., 1981, 37 с.

SO. Разработка БИС IIЛ М шла 1ТЛ с диодами Шоттки: Научн. техн отчет по ОКР «Иридий ЗС»/ Горне» Е.С. — отв. исполнитель- НИИМЭ, Гос. per. № Ф16243. - М., 1981, 63с.

81. Разработка базовой технологии изготовления сверхбыстродействующих матричных БИС с боковой диэлектрической изоляцией элементов пристеночными р - и переходами на и -эпитаксиальной пленке и внедрение ее на опытно-производственном участке завода «Микрон».: Научн. техн. отчет по ОКР «Истина-5». / Горнов Е.С. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ. Гос. per. №Ф 13328. - М., 1981,73с.

82. Ра «работка и внедрение промышленной технологии изготовления ИС серий К500РУ415 и К155РУ5 на заводе «Микрон».: Научн. техн. отчет по ОКР «История-4». / Горнов ЕС. зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 15725. - М., 1981, 51с

83. Разработка и внедрение на заводе «Микрон» технологии получении ТЭПСС для структур типа «изопланар-2и» на пластинах диаметром 76 мм.: Научн. техн. отчет по ОКР «Источник-B». / Горнев ЕС. - зам главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. N& Ф 14008. - М„ 1981, 97с.

84. Горнев Е.С., Денисова Л.А., Мартынов В.И. Исследование коррозионной стойкости внугрисхемно«! разводки интегральных схем. - Электронная техника, Сер. "Управление качеством. Стандартизация, метрология, испытания", вып.4(90), 1981, 28с.

85. Разработка и внедрение технологии изготовления методами ионной имплантации скрытых слоев сурьмы для эпитаксиальных структур диаметром 76, 100 мм.: Научн. техн. отчет по ОКР «Иижекция С» / Горнев Е.С. — отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 14247. - М., 1981, 35с.

86 Разработка и внедрение на предприятии п/и М 5076 технологии производства фотошаблонов с минимальными размерами элементов 1,5 мкм.: Научи, техн. отчет по ОКР «Изофота -3» / Горнев ЕС. - зам главною конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 13157. - М., 1981, 44с.

S7. Совершенствование техноло!пи и зготовлення, конструкции кристалла и методов npoiраммировання микросхем 1111ЗУ-1 К.: Научи, техн. отчетно ОКР «Импульс-РТ4»/ Горнев Е.С.-отв. исполнитель- НИИМЭ, Гос. per. № Ф 1S345. - М., 1982,51с.

88. Разработка электрически программируемою ПЗУ емкостью 16 Кбит.: Научи, техн. отчет по ОКР «Импульс SC» / Горнев ЕС. — он», исполнитель- НИИМЭ, Гос. per. № Ф 18358. - М., 1982, 73с.

89. Разработка ПИЗУ типа ТГЛШ емкостью 16 Кбит в плоском корпусе.: Научи, техн. отчет по ОКР «Импульс 9» / Горнев ЕС. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 18419. - М., 1982, 35с.

90. Горнев Е.С., Афанасьев 10.11. и др., Порядок изоляции брака и технологических потерь в производстве. Стандарт предприятия СТГ1 И6-146-82., М., 1982.

91. Исследование микродефектов и их генерирование в безднелокацнонных пластинах Si в процессе производства ИС.: Научи, техн. отчет по НИР «Интрузив». / Горнев Е.С. - отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос. pci. № Ф 17593. - М., 1982, 92с

92. Разработка модуля для производств:! ОЗУ 4К (537РУ2).: Научи. техн. отчет по ОКР «Модуль-20». / Горнев Е.С. - !лавный конструктор ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 16711. - М., 1982, 37с.

93. Разработка модуля дтя производства структур ПИЗУ.: Научи, техн. отчет по ОКР «Модуль-21». / Горнев Е.С - главный конструктор ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 16747. - М., 1982, 41с.

94. Горнев Е.С., Проспи А.Д. и др., Микросхемы интегральные полупроводниковые. Вода деионизовэнная. Система обеспечения качества. Стандарт предприятия CTI1 И6-26-82. НИИМЭ и Микрон., М., 1982.

95. Горнев Е.С., Афанасьев 10.Г1. и др., Система технологической подготовки производства предприятия. Технические требования электронной гигиены в производстве интегральных микросхем. Организация обеспечения и контроля. Стандарт предприятия CTI1 И6-4-82., М., 1982.

96. Горнев Е.С., Просии АД. и др., Микросхемы интегральные полупроводниковые. Газы технологические. Система обеспечения качества. Стандарт предприятия СТП 116-127-82. НИИМЭ и Микрон, М., 1982.

97. Разработка спрапочно-информацнопного материала по унифицированным средствам дтя контроля и испытаний изделий в рамках НИК 2.: Научи, техн. отчет по НИР «Испытание». / Горнев Е.С. - зам. научною руководителя НИР - НИИМЭ, Гос. per. Na 17503. - М., 1982,27с.

98. Горнев Е.С., Жура&тев ЮД., Клименко Ю. и др. Проектирование базовых кристаллов с использованием транзисторов Шоттки для сверх производительных ЭВМ. Тезисы докладов: X Всесоюзной научной конференции по микроэлектронике. - Таганрог, 1982, Зс.

99. Буикин Б.13., Горцев Е С. и лр. Основные концепции но разработке систем функционального топологического проектирования заказных шнуровых БИС. : ЦКБ «Алмаз», 1982, 8с.

100. Бупклн Б.П., Горне» L С. и др. Современные аспекты иосгроеиин высокоавтоматизированного производства электронных модулей на основе корпусных ИС повышенной надежности.: Тезисы докладов: IV научно-практической конкуренции «Опыт применения изделий микроэлектроники в современной аппаратуре». - N1, J982, Зс.

101. Бункнн Б.В., Горцев Е.С. и лр. Основные концепции по разработке систем функционального топологического проектирования заказных цифровых БИС. : Тезисы доклада : IV научно-практической конференции «Опыт применения изделии микроэлектроники в современной аппаратуре». - М., 1982, 2с.

102. А с. 1 192554 СССР от 13.12.1983г. Способ изготовления выводных рамок интегральных схем. / Авт. изоб. Барабанов И.М , Горнев Е.С., Худяков К.И

103. Буикин Б.П., Горнев Е.С., и др. Развитие работ по повышению помехозащищенности радиотехнических устройств и систем. НТП по проблеме «Черемуха»: ЦКБ «Алмаз», 19S2, Sc.

104. Исследование перспективных методой и разработка требований к средствам дефектоскопии и физико-технического анализа отказов РЭА и электрораднонзделии: Научи, техн отчет по НИР/ Горнев Е.С. — отв. исполнитель, ЦКБ «Алмаз». - N1 , Ю83, 16с.

105. Горнев Е.С., Афанасьев 10 II. и др., Порядок проведения техноло!ической и конструкторской пробы. Стандарт предприятия СТП 116-149-83. НИМ МО и Микрон., М., 1983.

106. Разработка неразрушаюших методов контроля структурных дефектов БИС с помощью унифицированных ТЯ применительно к цеховой системе. Научи, техн. отчет по НИР «Инвариант 5»/ Горнев Е С. - отв исполнитель - ИИИМЭ, Гос. per. № Ф 15753. - М., 1983, 47с.

107. Разработка часов электронных настольных с музыкальным си шалом и автономным питанием : Научи, техн. отчет по ОКР «Индер 6» / Горнев ЕС. - отв. исполнитель - НИ И МЭ, Гос. per Кз 19533. - М., 1983, 43с

108. Модернизация установки для контроля динамических параметров.: Научи, техн. отчет по ОКР «Инициал 8 1-Д1». / Горнев П С. - отв. исполнитель - Ш1ИМЭ, Гос per К>Ф 19573. - М., 19S3, 29с.

109. Анализ результатов модернизации текущего производства и рафаботка плана модернизации изделий на следующий год.: Научн. техн. отчет по НИР «Модернизация-И82». / Горцев Е.С. -научный руководитель НИР - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 19575. - М., 19S3, 47с.

110. Разработка и исследование базовой технологии изготовления БИС.: Научн. техн. отчет по ОКР «Изобретатель БТ»./ Горнев Е.С. - главный конструктор ОКР - НИИМЭ, Гос. per. N? Ф 18564. -М, 1983, 121с.

111. Разработка П ПЗУ типа ЭСЛ емкостью 1024 бит в расширение серии К500.: Научн. техн. отчет по ОКР «Ирпень 6». / Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. №Ф 19548. - М., 19S3, 72с.

112. Разработ ка II ПЗУ типа ЭСЛ см костью 1024 бит в расширение серии 100.: Научн техн. отчет по ОКР «Ирпеиь 6с«. / Горнев Е.С. - огв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 19576. -М., 1983,

85с.

113. Разработка организационно-технической документации на производство БИС в модуле на основе технологии с боковой диэлектрической изоляцией.: Научн. техн. отчет по ОКР «Модуль

- 22->/Горисв Е.С. - главный конструктор ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 19064. - М., 1983, 29с.

114. Разработка и внедрение автоматизированной системы оперативно-диспетчерскою управления цехом.: Научн. техн. отчет по ОК.Р «Ирригация ОДУ». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 20728. - М., 1984, 60с.

115. Разработка, внедрение и распространение экспрессной системы снятия зрительно!о напряжения и общею утомления операторов прецизионных производств.: Научн. техн. отчет по ОКР «Интроспекция». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 19550. - М., 1983, 64с.

116. Разработка, внедрение и распространение системы комплексно!! эргономической оптимизации основного производства микроминиатюрных изделии ЭТ.: Научн. техн. отчет по ОКР «Инкарнация». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 22017.

- М., 1984, 109с.

117. Анализ, обобщение и распространение передового опыта улучшения условий труда на массовых прецизионных операциях основного производства микроминиатюрных изделий электронной техники.: Научн. техн. отчет по ОКР «Инспекция». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 22135. - М., 1984, 131с.

118. Автомапиированная система управления производством и материальными ресурсами на предприятии с использованием ЭВМ «Электроника 100-25».: Научн. техн. отчет по ОКР «Истра». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 21013. - М., 1984, 143с.

119. Разработка и внедрение базовой технологии изготовления микросхем серии 533 повышенной степени интеграции.: Научн. техн. отчет по ОКР «Игналина». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 20834. - М., 1984, 73с.

120. Разработка и внедрение технологического оборудования сборки матричных БИС в многовыводные мсталлокерамические корпуса с использованием алюминиевой проволоки.: Научплехн. отчет по ОКР «Ирбис 200Г1-6». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР

- НИИМЭ, Гос. per. № Ф 20078. - М., 1984, 137с.

121. Горнев Е.С., Афанасьев Ю.П. и др.. Организация и порядок проведения проверки нормированных точностных характеристик СТО и аттестации испытательного оборудования. Стандарт предприятия СТП И6-136-84. НИИМЭ и Микрон, М., 1984.

122. Создание экспериментальных образцов оборудования автоматизированной линии сборки электронного модуля малогабаритных электронных часов «Электроника 2-11».: Научн. техн.

отчет по НИР «Индер-А» / Горнев Е.С - научный руководитель НИР - НИИМЭ, Гос. per. Nj Ф 20956. - M., 1934, SOc

123. Разработка метолов автоматизированной диагностики брака пластин по унифицированным тестовым компонентам : Научн. техн. отчет по ОКР «Инвариант 8». / Горнев Е.С. - отв. исполнитель

- НИИМЭ, Гос. per. № Ф 20143. - М., 1984, 60с.

124. Горнев Е С., Афанасьев 10.П. и др., КС УКП. Микросхемы интегральные полупроводниковые. Система сбора и обработки информации по оценке эксплуатационной надежности. Стандарт предприятия СТП 116-151-84. НИИМЭ и Микрон., M., I9S4.

125. Исследование уровня механических напряжении в кристаллах и на пластинах повышенных размеров с целью выявления причин растрескивания кристаллов после обработки.: Научн. техн. отчет по НИР «Инкогнито». / Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 25765. - M., 1984, 57с.

126. Горнев Е.С., Афанасьев Ю.П. и др., КС УКП. Микросхемы интегральные полупроводниковые. Статистическое регулирование технологического процесса по уровню брака. Стандарт предприятия СТП 116-154-84. НИИМЭ н Микрон., М., 1984.

127. Горнев Е.С., Афанасьев Ю.П. и др., КС УКП. Микросхемы интегральные полупроводниковые. Порядок проведения анализа дефектных микросхем и осуществления мероприятий по устранению причин их появления, а также анализа рекламаций и согласования мероприятии, внедряемых в производство по результатам анализа. Стандарт предприятия СТП И6-152-84. НИИМЭ и Микрон., М., 1984.

128. Буикин Б.В., Пронин Е И., Горнев Е С. и др. Концепция системы сквозного функционально-топологического проектирования цифровой аппаратуры и БИС высокой и сверхвысокой степени интеграции.: / ИКБ «Алмаз». — М., 1984, 18с.

129. Горнев Е.С., Ключанпев С.И. и др. Требование к входной информации комплексов контроля БИС нерегулярной логики при работе их совместно с системами автоматизированного проектирования:Тезисы доклада : II Всесоюзной конференции по САПР. - Одесса, 1984, 2с.

130. Способ боковой изоляции интегральных схем. A.c. 242S63 СССР от 22.1 1.1985г. / Авт. и зоб. Горнев Е.С., Железное Ф.К., Пейдус И.В , Титов А Г.

131. Разработка сверхоперативных ЗУ с организацией ЕСЛ типа с организацией 64 бит х 4 разряла, согласованных с серией 100 в планарном корпусе.: Научн. техн. отчет по ОКР «Ион 20»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. N> Ф 24561 - M , 1985, 93 с.

132. Разработка сверхоперативных ЗУ с организацией ЕСЛ типа с организацией 4096 бит х I разряд, согласованных с серией 100 и планарном корпусе.: Научн. техн отчет по ОКР «Ион 21»./ Горцев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 25136 - М., 1985, 5S с.

133. Буикин Б.В., Горнев Е.С. и др. Определение оптимальных режимов проведения тренировок ИС, изготовленных по КМОП технологии: Тезисы доклада: XVI НТК UKB «Алмаз» изд. 19768.

- М, 1985, 2с.

134 Разработка и внедрение на предприятии п/я М-5076 процессов очистки и повторного использования жидких агрессивных и нейтральных технологических сред, применяемых в производстве биполярных СБИС.. Научи, техн. отчет по ОКР«Интуишгя-Ф». / Горнев НС. - зам. главного конструктора ОКР- НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 24151. - М., 1985, 1 Юс.

I 35. Разработка БИС быстрою умножн геля на 12 разрядов в плоском корпусе.: Научн. техн. отчет по ОКР «Исполин УМ12-С»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 24074. - М., 1985, 53с.

136. Модернизация технологии и конструкции БИС 11ПЗУ КР556 PTI6 с целью повышения экономических показателей производства.: Научн.техн. отчетно ОКР «Импульс ИПЗУ-64КГ1В». / Горнев U.C. - отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос. per. № Ф 23519. - М., 1985, 130с.

137. Горнев U.C., Афанасьев Ю.Н. и др., КС УКИ. 11орядок контроля соблюдения технолог ической дисциплины в производстве hhtci рольных микросхем. Стандарт предприятия СТП И6-157-85. НИИМЭ и Микрон., М., 1985.

138. Разработка и внедрение техпроцесса изготовления рамок с алюминиевыми лепестковыми выводами для И С модификации 2 на оборудование «Ладога».: Научн. техн. отчет по ОКР «Илиада-I»./Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР-НИИМЭ, Гос. per. N> Ф 227S3. - M., 1985, 65с.

139. Конструкторско-технологическая доработка микросхем 1802 ИР1.: Научи, техн. отчет но ОКР «История ИР1». / Горцев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 236S2. - M , 1985, 74с.

140. Доработка конструкции и технологии микросхем 533JHÍ3, ЛИ6, ЛЛ1, J1H1, ЛН2 с целью повышения технико-экономических показателен производства изделии серии 533 (повышение выхода годных с 2,7% до 14,2 %).: 11аучн. техн. отчет по ОКР «Игналнна I». / Горнев Е.С. - отв. исио.шшсль- НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 24040. - M., 1985, 70с.

141. Доработка конструкции и технологии изготовления микросхем 533ЛЛ1, ЛЛ2, ЛЛЗ, JIM, Л El, JIPI 1, ЛР13 с целью повышения технико-экономических показателей производства изделий серии 533 (повышение выхода годных с 2.5 до 14.2 %).: Научн. техн. отчет по ОКР «Иг палина-2*. / Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 24279. - М., 1985, 70с.

142. Разработка ir внедрение техпроцесса гг организация участка изготовления многовыводных рамок сложной конфигурации методом фотохимической обработки и гальванопластики.: Научн. техн. отчет по ОКР «Исполин-Т». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 23138. - M., I9S5, 85с.

143. Горнев Е.С., Афанасьев IO.II. и др., Порядок ведения документированного учета результатов операций при изготовтенин интегральных микросхем. Стагтдарт предприятия СТП И6-158-85, М., 1985.

144. Разработка БИС быстрого умножителя »га 16 разрядов в плоском корпусе.: Научн. техн. отчет по ОКР «Исполин УМ 16-С»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 24106. - М., 1985, 56с.

145. Разработка сверхоперативных ЗУ с организацией 16x4 и 256x1, согласованных с серией 100 в планарном корпусе.: Научи, техн. отчет по ОКР «Ион —145» / Горцев ЕС. — отв. исполнитель -НИИМЭ.Гос per. №Ф24238 - М., 1985, 98с.

146 Ра фибогка ВИС ОЗУ типа ТГЛ емкостью 1 Кбит с расширенным температурным диапазоном.: Научи, техн. отчет по ОКР «Ион — 13с»./ Горцев Е.С. — отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 24252 - М., 1985, 64с.

147. Разработка БИС умножителя на 8 разрядов.: Научи, техн. отчет по ОКР «Исполин УМ8-1» / Горнев Е.С. - отп. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 24345 - М., 1985, 72с.

148 Разработка ПЗУ с электрическим программированием типа ТТЛ емкостью I Кбит.: Иаучн. техн. отчет по ОКР «Ион 427»./ Горнев ЕС, — отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 24415 - М , 19S5, 59с.

149. Горнев Е.С., Афанасьев Ю.П. и др., Порядок обучения и аттестации рабочих, занятых в производстве микросхем. Стандарт предприятия СТП И6-12-85., 1985.

150. p;i {работка и внедрение технологическою процесса монтажа кристаллов БИС в многоныводные корпуса на базе роботизированного автомата предприятия п/я В-8657.: Научи, техн. отчет по ОКР «Ирбис РК-М». / Горнев ЕС. - зам. главного конструктора ОКР -НИИМЭ, Гос. per. № Ф 24566 - М., 19S6, 115с.

151. Разработка и внедрение технологического процесса сварки алюминиевых проводников для БИС в многовыволные корпуса на базе роботизированного автомата мнкросварки предприятия п/я В-8657.: Науш. техн. отчет по ОКР «Ирбис РК-С». / Горнев ЕС. - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. N° Ф 24567 - М., 19S6, 98с.

152. Разработка и внедрение техпроцесса и организация на предприятии п/я М-5076 участка сборки БИС в многовыволные пластмассовые корпуса широкой номенклатуры на 6aie оборудования предприятия п/я Р- 6429.: Научи, техн. отчет по ОКР «Исполин - СП» / Горнев ЕС. - зам главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 25336.- М., 19S6, 73с.

153. Разработка и создание чистых производственных помещений соответствующих классу 100, 10.: Научи техн. отчет по ОКР «Изба»./ Горнев ЕС, - зам. главного конструктора ОКР - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 24679,- М., 19S6.

154. Разработка программного обеспечения АСУ цехом для решения задач оптимизации производства БИС.: Научн. течи отчет по НИР «Ирригация — 2У». / Горнев Е.С. - зам. главного конструктора ОКР -НИИМЭ, Гос. per. № Ф 24566 - М , 19S6, 115с.

155. Горнев Е.С , Афанасьев Ю.П. и др., Порядок проведения работ но выявлению доминирующих параметров межопсрациониого контроля кристаллов микросхем Стандарт предприятия СТП 116-162-86. НИИМЭ и Микрон., М., 1986.

156. Горнев Е.С., Ильин Ю.М., Качуровскин А.Л. Совершенствование системы оперативного управления процессом сборки микросхем в условиях создания ГПС: Тезисы доклада : Научно-техническая конференция "Опыт и перспектива развития ГПС в приборостроении и микроэлектроники". - М, 19S6, 52с.

157. Разработка и внедрение тсхнолопи! плазмохимического травления поликремнневых слоев в маршруте нроитолства СБИС на установке 08Г1ХТ-125/50 — 008.: Научн. техн. отчет по ОКР «Иньекция — 8«/ Горнем Г С. - от исполни гель - НИ И МО. Гос. per. № Ф 26371- М., 1986.

158. P.up.iftoikj KoHcipyKiopcko-iexHojioi ическоп базы БИС и CCI1C с минимальным размером 1,25 мкм и плотностью размещения элементов на кристалле 20 - 30 тысяч вентилей.: Научн. техн. отчет по ОКР «Истина- 18»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. N2 Ф 26389- М., 1986.

159. Конструктивно-технолот ическая доработка микросхем К500РУ470 путем масштабирования с целью уменьшения площади кристалла с 18,6 мм! до 12 мм! повышения быстродействия с 35нс до 27 не.: Научн. техн. отчет по ОКР «История ОЗУ»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель -НИИМЭ, Гос. per. № Ф 26415- M , 1986.

160. Разработка ОЗУ КМДИ 16 К в микрокориусе Н537РУ8.: Научн. техн. отчет по ОКР «Изотоп 7»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. N2 Ф 26476- М., 1986.

161. Разработка для промышленного применения БИС электрически протрлммируемой матрицы комбинационно!'! ло! itkit с обратными связями па 16 аргументов, 64 терма и 6 upoi раммируемых двунаправленных шин : Научн. техн. отчет по ОКР «Изумруд - I6L8»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 26895 - М., 1986.

162. Разработка сверхбыстродействующего БМК ЭСЛ типа па 1000 эквивалентных вентилей» для создания на его основе серии БИСМ для комплектования ЭВМ «Эльбрус 3».: Научн. техн. отчет по ОКР « Ирбис 300Б»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 26478 -М., 1986.

163. Разработка методик анализа БИС типа ОЗУ изготавливаемых по KMOII технологии.: Научн. техн. отчет по НИР «Интрузия 3»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 26534 - М., 1986.

164. Разработка и внедрение базовых процессов осаждения однородных полупроводниковых и диэлектрических слоев из концсшрнрованных реагентов в технологии БИСМ с целью снижения дефектности на слой до уровня 0,7 см? I.: Научн. техн. отчет по ОКР «Инъекция — КР»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 26623 - М., 1986.

165. Разработка БИС ПЗУ 'ПЛШ емкостью 64 К (8Кх8) для микро ЭВМ с выходом на три состояния ЭПТ с диодами Шотткл и диэлектрической изоляцией двухуровневой металлизацией.: Научн. техн. отчет по ОКР «Индекс — 64 КД»/ Горнев Е.С. - отв. исполнитель - НИИМЭ, Гос. per. № Ф 26651 - M., 1986.

166. Разработка ОЗУ ЭСЛ типа емкостью 16 К.: Научн. техн. отчет по ОКР «Ион 16 КС»/ Горнев Е.С. - отв. исиолшгтель- НИИМЭ, Гос. per. N2 Ф 26684 - М., 1986.

167. Горнев Е.С., Гольдип Л.Д. и др. Рациональная система входного контроля ИС на базе отбраковочных испыкшнй с использованием диагностических методов : Тезисы доклада : VI отраслевая НТК по надежности "Обмен опытом и определение основных направлений по дальнейшему повышению надежности РЭА". / - М., 1986, 6с.

168 Исследование возможности использования измерителя ш-характеристик типа ДК605 для диагностического неразрушающего контроля ИС.: Научи. техн. отчет по ОКР / Горцев Е.С. — исполнитель - ЦКБ «Алмаз» - M.,19S6, 6с.

169. Технические предложения по созданию комплекта СБИС и устройств цифровой обработки сигналов на его основе.: Аванпроект./ Горнев Е С. — отв. исполнитель-ЦКБ «Алмаз»,НИИТТ, НИИМЭ - М., 19S7, 21с.

170. Разработка элементной базы и устройств для цифрового процессора сигналов.: Итоговый отчет НИР / Горнев Е.С. - отв. исполнитель - ЦКБ «Алмаз», инв 60315 - М., 19S8, 43/12с.

171. Горнев Е.С., Жильцов В.И., Нагин Л.П. и др.. Программа Создание и развитие технологии ультраболымих интегральных схем ♦ Субмикрон—95».:/Горпен Е.С. - руководитель рабочей группы) - НИИ «Субмикрон», НИИФГТ учт. 08дсп. - М., 1990, 336с.

172. Разработка методик и аппаратуры автоматизированного контроля и испытаний интегральных схем и их внедрение в гибкие автоматизированные участки производства.: Научи, техн. отчет по ОКР./ Горнев Е.С. — отв. исполнитель - ЦКБ «Алмаз», НПО «Электроника» - М., 1991, 58/28с.

173. Горнев Е.С., Мартынов В.В. Экологическое обеспечение субмикронной технологии.-Электронная промышленность, вып. 4. - М , 1992, 6с.

174. Разработка технологии и организация производства технических средств для получения сверхчистых газов.: Научи, техн. отчет по НИР. / Горнев Е.С. - научный руководитель НИР -ХФТП, НИИ «Субмикрон» учт. 23/1395-92. - М., 1992, 25с.

175 Ра (работка технологического процесса и проектной документации комплекса технических средств охраны окружающей среды для субмикронного производства.: Научи, техн. отчет по НИР «Производство-5». / Горнев Е.С. - научный руководитель НИР - НИИ «Субмикрон», инв. № 35. ~ М., 1993, 42с.

176 Evgenii S.Goniev, Our Goal — Leadership in Russian Microelectronics.- Pourlli Annual European, Executive Microelectronics Forum, Munich - Germany, October, 1994, 7c.

177. Буи кии Г> В., Борисов В И, Горнев ЕС. и др. Разработка технико-экономического обоснования реализации «Программы создания закрытой сотовой системы подвижной радиотелефонной связи с кодовым разделением каналов» ТЭО - ЦКБ «Алмаз», ЦНИИС, ВНИИС, 16ЦНИИИ, НИИ МА «Прогресс», АООТ «НИИМЭ и Микрон» - М., 1995, ПОс.

178 Алтунин Е.И., Бункин Б.П. Горнев Е.С. пдр Исследование путей построения систем цифровой радиотелефонной связи двойного применения с кодовым разделением сигналов Шифр работы «Алмаз-1900». - ЦКБ «Алмаз», ЦНИИС, МНИИРС, НИИМЭ. - 1995, 392с.

179. Горнев Е С., Кульчицкий А П., Система разработки и постановки на производство. Порядок взаимодействия служб и подразделений предприятия с представителем заказчика при проведении НИОКР по техническим заданиям. Стандарт предприятия СТП И6-154-95. НИИМЭ и Микрон., М., 1995.

180 Горнев ЕС., Кравченко Л.П., Подшнвалов В Н. Автоматизированная установка контроля и

исследований полупроводниковых пластин методом бесконтактной релаксационной спектроскопии глубоких уровнен.: Тезисы докладов: Вторая международная научно-техническая конференция "Микроэлектроника и информатика". - М., Зеленоград, 1995, 2с.

1X1. I орпеи 11 С\, Кравченко Л И., Нодииишит It Н, Anuapaiypa д'и1 Осскопi:\kuum о определении электрофизических параметров арссинл!аллневых пластин. : I езисы докладов : Вторая международная научно-техническая конференция "Микроэлек1ронпка и информатика". — М., Зеленоград. 1995.

182. Evgenii S. Gornev., The Winning Spirit — Third Annual East/West Electronics Industry Executive Forum, Moscow, May - 1995, 6c.

183. Патент 2106037 по заявке № 951 18068/25 {031461) от 23.10.95. Способ создания вертикального PNP транзистора в составе ИС. / Авт. изоб. Горцев Е.С., Лукасевич М.И. и др.

184. Патент 2110114 по заявке No 95117915/25 (031459) от 23.10.95. Процесс плазмохимичсского тра&тения полнкремния до кремния. / Авг. изоб. Горцев Е.С., Лукасевич М.И. и др.

185. Патент 2106039 по тяпке Ns 95119000/25 (033350) or 09.11.95. Способ и и отопления UnKMOIl структур. / Лиг. изоб. Горнев L.C., Лукасевич М.И. и др.

186. Патент 211086S по заявке № 95119095/25 (033354) от 09.11.95. Способ изготовления биполярного транзистора. / Авт. изоб. Горнев Е.С., Лукасевич М.И. и др.

187. Горнев Е.С. Электроника России — новые технологии. — Четвертый ежегодный форум руководителей электронной индустрии East/West Electronics, май, 1996, 6с.

188. Gornev Evgenii, Analysis of Russian Electronic Components Market. — Dexter Seminar at the • Elektronika '96», Munich - Germany, November, 1996.

189. Belyaev A.E., Gornev E.S., KonakovaR.V., Kravchenko L.N.The tunnel current features stipulated by defect-assisted processes in resonant-tunneling structures. — XXV Intern. School Physics of Semiconducting Compounds «Jaszowiec-96», Ustion-Jaszowiec , May 25-31. - Poland., 1996, 3c.

190. Горнев E.C., Лукасевич М.И. Технологические аспекты изюговления современных сверхскоростных комплементарных БИС и KMOI1. Тезисы докладов: Конференция по микроэлектронике. Московский институт электронной техники, М., 1996, 2с.

191. Создание пилотной линии. Разработка технологического процесса, средств проектирования в обеспечение разработок и производства сверхбыстродействующих СБИС на основе проектных норм 0,8-1,2 мкм: Отчет по 5 этапу ОКР «Инструмент-ССИС-С»./ Горнев Е.С. - 1-й заместитель главного конструктора ОКР-АООТ «НИИМЭ и Микрон», Гос. per. № 36013. - М.,1996, 185с.

192. Состояние работ по созданию пилотных линий в АООТ «НИИМЭ и Микрон»: Научи, техн. отчет по ОКР «Инструмент-ССИС-С»./ Горнев Е.С. 1-й заместитель главного конструктора ОКР - АООТ «НИИМЭ и Микрон», ДСП N° 2/1 - М.,1996, 17с.

193. Аванироскт но созданию пнлонюй линии «Оюп-2», обеспечивающей разработку и производство сверхбыстродействующих БИС с проектными нормами 0,5 — 0,7 мкм. Горнев Е.С. - руководитель работы- АООТ «НИИМЭ и Микрон», Г 3601 1, 1997, 378с.

194. Аванпроект по системе проектирования (САПР) для обеспечения проектирования и производства БИС с нормами 0,5-0,7 мкм. Горцев ЕС. - руководитель работы— АООТ «НИИМЭ и Микрон», Г 36012 - М.,1997, 24с.

195. Горнев Е.С., Кравченко Л.If., Полшивалов В Н. Автоматизированная установка для контроля и исследования полупроводниковых пластин методом бесконтактной релаксационной спектроскопии глубоких уровней - Труды отделения микроэлектроники и информатики -Международная академия информатизации, - М., Зеленоград , 1997, 5с.

196. Gornev Evgenii, Making belter our technology and products for Russia. — Presentation at Semicon Europe '97. - Geneva, April, 1997, 2c.

197. Горнев EC., Панасюк В.H. «Н11ИМЭ и Микрон».В XXI век—с надеждой на лидерство. — Электроника: наука, технология, бизнес, -М.,1997, №6, стр.57-59, Зс.

19$. Горнев Е.С., Высокие темпы для растущего Российского рынка. — Пятый ежегодный форум руководителей электронной индустрии East/West Electronics — M., Зеленоград, май,1997, 6с.

199. Горнев Е.С. Этапы развития субмикронной технологии.: I научно-техническая конференция АООТ«НИИМЭ и Микрон», сб. трудов под ред. чл.-корр. РАН Красникова Г.Я. — М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1998.

200. Горнев ЕС., Лукасевич М.И., Зайцев НА Концепция развития базовых субмикронных технологий в РФ до 2001 г.: I научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон», сб. трудов под ред. чл.-корр. РАН Красникова Г.Я - М., Зеленоград, «Мпкрон-принт»,1998.

201. Горнев Е С., Чиркни Г.К. Проблемы создания элементной базы сверхскоростных волоконно-опп1ческих линий свя ш.: I научно-техническая конференция АООТ «Н ИИМЭ и Микрон», сб. трудов пол ред. чл.-корр. РАН Красникова Г.Я. — М., Зеленоград «Микрон-принт»,1998.

202. Быков В А, Горнев Г.С., Чнркин Г.К. Об использовании атомно-силовых микроскопов в технологии изготовления ИМС: I научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон», сб. трудов под ред. чл.-корр. РАН Красникова Г.Я. — М., Зеленоград, «Микрон-принт», I99S.

203. Горнев Е.С., Красников Г.Я., Казаков В П., Кравченко Л.П., Селецкий В.К. ДМОП силовые приборы на мембранных структурах: I научно-техническая конференция. АООТ «НИИМЭ и Микрон», сб. трудов под ред. чл.-корр. РАН Красникова Г.Я. ~ М., Зеленоград, «Микрон-принт»,1998.

204. Авдеев C.B., Горнев. Е.С., Волков В.В , Морозов В.Ф. Регулирование параметров технологического маршрута для повышения выхода годных кристаллов: I научно-техническая конференция АООТ«НИИМЭ и Микрон», сб трудов под ред. чл.-корр. РАН Красникова Г.Я. — М., Зеленоград, «Микрон-принт»,I99S.

205. Бокарев В.И, Горнев Е.С., Зайцев H.A. Роль поверхности в изменении свойств кристаллов: 1 научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон», сб. трудов под ред. чл.-корр. РАН Красникова Г.Я. — М., Зеленоград, «Микрон-принт»,1998.

206. Горнев Е.С., Зайцев НА, Карабанов В.В., Матвеев Д.А. Моделирование средствами САПР НТВ фирмы ISE синтезатора частот на 550 МГц: I научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон», сб трудов иод ред. чл.-корр. РАН Красникова Г.Я. — М., Зеленоград, «Ми крон-принт», 1998.

207. Горнев Е.С., IIодшивалов В.Н. Использование бесконтактных методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых пластин: I научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон», сб. трудов под ред. чл.-корр. РАН Красникова Г.Я. - М., Зеленоград, «Мнкрон-нрннт»,199К.

208. lopHCB L.C., Зайцев H.A., Махоиш Ю.Б., Новый метод экстракции параметров моделей биполярных транзисторов, учитывающий саморазогрев приборов.: I научно-техническая конференция АОО Г«МИИМЭ и Микрон», сб. трудов иод ред. чл.-корр. РАН Красникова Г.Я. — М., Зеленоград, «Микрон-принт»,1998.

209. Горнев Е.С., Лукасевич М.И., Зайцев H.A. Концепция развития базовых субмикропных технологи»! в РФ до 2001 года - Электроника: наука, технология, бизнес №3. — М., 1998.

210. Горнев U.C. Возможные пути достижения современного технологического уровня микроэлектронного производства в нынешних условиях — Шестой электронный форум руководителей электронной индустрии Last/West Electronics. —M., апрель 1998, 6с.

211. Горнев Е.С.. Промышленная субмнкронная технология СБИС. Автореферат диссертации в виде научного доклада на соискание ученой степени кандидата технических наук, М. 1998.

212. Горнев Е.С., Бутывская А. Полимерные материалы для герметизации интегральных схем и полупроводниковых приборов. - Электроника: наука, технология, бизнес, М.,1998, № 1, стр.45, 5с.

213. Горнев Е.С., Лукасевич М.И. и др. Способ изготовления БиКМОП структуры., патент 2141149 по заявке № 98113552 от 09.07.98.

214. Горнев Е.С., Лукасевич М.И. и др., Способ создания структуры кремний на изоляторе для СБИС (варианты), Решение о выдаче патента на изобретение по заявке № 98123895 /28(026154) от 30.12.98.

215. Горнев Е.С., Анализ особенностей и некоторых тенденций развития и создания субмикронных производств в современных условиях, - Электроника: наука, технология, бизнес №3, 1998.

216. Горнев Е.С., Развертывание субмикронных производств: особенности и тенденции. -Электроника: Наука, Технология, Бизнес, №3-4, 1998.

217. Организация производства СБИС с проектными нормами 0,5 мкм. Инвестиционный проект. Руководитель работ Горнев Е.С. - АООТ «НИИМЭ и Микрон». - М., 1998, 95с.

218. Горнев Е.С., Зайцев H.A., Лукасевич М.И., Субмикронные технологии. Концепция развития в РФ до 2001 года. - Электроника: Наука, Технология, Бизнес, №3-4, - М., 1998.

219. Горнев Е.С., Громов Д.Г. и др.. Способ изготовления полупроводникового прибора, Решение о выдаче патента па изобретение по заявке № 98115928 /2S(017648) от 20.08.98.

220. Горцев С С., Зои пев МЛ., Матвеев Д. А., Махотнн Ю.Г>. Экстракция параметров матсма1 ических моделей субмикронных МОПТоптимизационным методом. -Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектропика.»,1999,3пени1ород,т.1, 2.

221. Горнев Е.С. Перспективы развития отечественных субмикронных технологий - Электронные компоненты, спецвыпуск «Живая электроника России - 1999г.»,- М., 1999.

222. Щетинин ЮЛ1 , Горнев Е С., Дерендяев В В., Какоулнн М.И. Электрически программируемый синтезатор частот..«Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и произволство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов под ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999 г.

223. Гайдуков А.Д., Горнев ЕС., Лернер М.Д., Особенности строительства ЧП высокого класса чистоты в старых зданиях на примере завода "Микрон".- «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». Сб. трудов под ред член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зелено1рлд, «Микрон-принт», 1999 г.

224. Е С. Горнев, Наша цель - лидерство в отечественной микроэлектронике и достойное место на мировом рынке, «Экономика и производство», № 10-12, 1999г., с.16-22.

225. Горнев Е.С., Кравченко Л.Н., Подшивалов В.П. Определение времени жизни неравновесных носителей заряда и других параметров полупроводников методом импульсной поверхностной фото-ЭДС., «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон. Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов под ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999 г.

226. Путинская А.А , Горнев Е.С. Основные направления развития конструктивно-технологической базы сборки интегральных микросхем., «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов под ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999 г.

227. Быков В.А., Волк Ч.П., Горнев Е.С., Календин В.В., Новиков Ю.А., Озерин Ю.В., Раков A.B., Черняков В П., Универсальный алгоритм линейных измерений элементов рельефа поверхности твердого тела в субмикронном диапазоне на сканирующих зондовых микроскопах., «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов под ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999 г

228. Красников Г.Я., Горней Е.С., Батюк С.Н., Некоторые принципы инвестиционной деятельности. Тезисы доклада «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и завод «Микрон» Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», 24-26 марта 1999 г, Москва.

229. Никифоров А. Ю., Горнев Е.С., Иванов Ю.И., Вавилов В.А., Согоян Л. В. Конграчь радиационной стойкости ИС в процессе разработки и производства в АООТ «НИИМЭ и завод «Микрон»., «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология н проишодство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов пол ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999.

230. Л>касевич М.И., Горнев Е.С., и др. КМОИ /БиКМОП технология с интегрированными при и рир транзисторами с минимальным размером эмиттера 0,5 мкм, «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов иод ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999.

231. Бокарев В.П., Горнев Е.С. 1рехмерные, двумерные и одномерные монокристаллы. Размерная зависимость свойств., «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООГ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов иод ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999.

232. Гаранин В.П., Горнев Е.С., Русаков Д.Н., Русаков Н.В. Сложные гетероструктуры, выращиваемые МЛЭ., «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООГ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов под ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999.

233. Горнев Е С., Батюк С.Н., Панаскж В.Н. Инвестиционная деятельность как элемент системы качества предприятия., «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООГ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов под ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт»,

1999.

234. Горнев Е.С., Черняев Н.В., Батюк С.Н., Егорова М.Г. Сегментный анхлнз в инвестиционной деятельности., «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов под ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999.

235. Горнев Е.С., Гущин О.П., Бокарев В.П., Близнецов В.Н. Опыт эксплуатации безмасляных средств в процессах ПХТ., «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АОО Г «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технологии и производство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов иод ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999 г.

236. Горнев Е.С., Промышленная субмикронная технология. Закономерности и тенденции развития. - «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». Сб. трудов под ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999 г.

237. Красников Г.Я., Горнев Е С , Дайнеко Л В., Батюк С. Корпоративная маркетинговая информационная система поддержки инвестиционной деятельности., «Юбилейная 2-я научно-

техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология н производство полупроводниковых микросхем». Сборниктрулов под ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999 г.

238. Горнев Е.С., Якименко В.А., Батюк С.Н. Коммуникационные аспекты инвестиционной деятельности, «Юбилейная 2-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем». Сборник трудов под ред. член-корреспондента РАН Красникова Г.Я., М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999.

239. Горнев Е.С., Тридцать пять лет лидерства в отечественной электронике, сб. «НИИМЭ и Микрон. 35 лет», М., Зеленоград, «Микрон-принт», 1999 г., с. 118 -135.

2-40. Evgeny Gornev, Integration and Structural Transformation — Basic Features of Russia's Microelectronics., SEMI CIS Executive Mission and Exhibition, Moscow , Zelenograd, May,1999.

241. Горнев E.C., Кравченко JI.H., Поджилков M.П., Подшивалов В.H., Чиркни Г К. Использование емкостной связи для бесконтактного контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин большого диаметра — Микроэлектроника, том 28, № 1. — М., 1999.

242. Горнев Е.С., Токарев В.П., Зайцев H.A. Роль поверхности в изменении свойств кристаллов. — Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроника.», 1999, Звенигород, т. 1, 2

243. Горцев Е.С., Зайцев Н.А , Лукасевич М.И. Концепция развития базовых субмикронных технологий в РФ до 2001 г. — Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроника.», 1999, Звенигород, т. 1,2

244. Волк Ч.П., Горнев Е.С., Календин В В, Ларионов Ю.В., Морозов В А, Новиков Ю.А., О зерни Ю.В., Раков A.B., Черняков В Н. Универсальная линейная мера для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии., Электронная промышленность. № 4, 1999.

245. Bykov V.A., Volk Ch.P., Gornev E.S , et al. Universal algorithm of linear measurements of relief

elements on solid surface in submicronieter range with the help SPM., Abstracts of technical symposium papers of SEMI-1999, Zelenograd, P.3S, 1999.

246. Горнев E.C., Новиков Ю.А., Плотников Ю И , Раков A.B. Применение сканирующей силовой микроскопии в микроэлектронике. - XI Российским симпозиум по растровой этектронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел РЭМ'99, нюнь 1999 г., Черноголовка // Тезисы докладов, «Богородский печатник», 1999

247. Горнев Е.С., Зайцев H.A., Карабанов В. В., Матвеев Д.А. Сквозное моделирование средствами САПР приборно-технологического базиса. — Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроника.», 1999, Звенигород, т. 1, 2

248. Волк 4.11., Гориев Е.С , Календин В.В., Новиков ЮЛ., Озернн 10.В , Раков Л.В., Стекол»и Ю.И., Черняков В Н. Линейная мера субмикронного диапазона для растровой электронной и атомно-сплоноп микроскопии. - XI Российский симпозиум но растровой электронной микроскопии и анллишчееким мсюдам исследовании твердых тел РЭМ'99, июнь 1999 i Черно]оловка // 1сзисы докладов, «Богородский печатник», 1999

249. Е.С. Г'орнсв, В.А. Вавилов, В.И. Мартынов, Обеспечение надежности интегральных микросхем.. Труды международной конференции «Интеллектуальные многопроцессорные системы», 1-5 сентября 1999г., Такшрог, с.98-103.

250. Ватнев К.Л., Горнев L.C., Казаков В.И., Красников Г.Я. и др. Технология полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе кремниевых мембран. — Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроника.», 1999, Звенигород, т. 1,2

251. Глебов A.C., Горнев Е.С., Лукасевич М.И., Манжа U.M. Сопротивление пленок аморфного кремнии, полученных при пониженном давлении. — Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроника.», 1999, Звенигород, т. I, 2

252. Горнев L.C., Зайцев H.A., Махотпп Ю.Б. Новый метод экстракции параметров биполярных транзисторов, учитывающий саморазогрев прибора. — Всероссийская научно-техническая конференция «Микро- и наноэлектроника.», 1999, Звенигород, т. 1, 2

253. Горнев ЕС., Зайцев H.A., Карабанов В.В., Матвеев Д.А. Моделирование средствами САПР НТБ синтезатора частот на 550 мГц. — Всероссийская научно-техническая конференция «Микро-и наноэлектроника.», 1999, Звенигород, т. 1, 2

254. Горнев Е. «Микрон» выходит на мировой уровень — Авиа панорама, №2, март-апрель, М., 1999.

255. Красников Г.Я., Горнев Е С., Батюк С.Н., Проектно-ориентнрованнын подход к организации ннвестиционною процесса в реальном секторе экономики переходного периода. «Управление проектами: восток-запад грань тысячелетий», сборник трудов пятою международною симпозиума по упраатению проектами СОВНЕТ'99, 1-4 декабря 1999 г., М.: 1999. том 1, с. 12S-134.

256. «Организация производства СБИС с проектными нормами 0,5 — 0,35мкм», Инвестиционный проект. Горнев Е.С. - руководитель работ — АООТ «НИИМЭ и Микрон». — М., 1999,95с.

257. Горнев Е.С., Новиков Ю.А., Плотников Ю.И., Раков A.B. Измерение параметров профилей субмикронных элементов СБИС на сканирующем силовом микроскопе., 3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

258. Горнев Е.С., Новиков Ю.А., Плотников Ю И., Раков A.B. Измерение размеров элемента рельефа с трапециевидным профилем па сканирующем силовом микроскопе. «3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

259. Горцев U.C., Морозов В.Л., Новиков Ю.А., Раков A.B. Определение характеристик кантнлеьера сканирующего силового микроскопа с помощью универсальной линейной меры. «3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

260. Горнев ЕС., Морозов В.А., Новиков Ю.А., Плотников Ю.П., Раков A.B. Исследование характеристик кантилеперов ССМ. «3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

261. Красников Г..Я., Горнев Е.С., Батюк СЛ., Нечипоренко АН. Стратегический синергизм жизненных циклов инвестиционных проектов, 3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Ра зработка, технология н ирои толст во полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

262. Горнев Е.С., Романов И.М. и др., Оптимизация дозы легирования LDD n-МОП транзистора с длиной затвора 0.5 мкм , 3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

263. Горнев Е.С., Седов Д.В., Моделирование технологической линии полупроводникового производства на основе объектно-ориентированного подхода 3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

264. Горнев Е.С., Кравченко J1.H., Полмншалоп В П., Сухорукой О.Г., Контроль времени жтнн неравновесных носителей заряда и глубоких уровней в пластинах кремния методом импульсной поверхностной фото-ЭДС, 3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

265. Горнев Е.С., Дудников А С., Зайцев H.A., Вероятные механизмы инжекции носителей заряда в тонкие диэлектрические пленки., 3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон», «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

266. Горнев Е.С., Калинин Г.В., Ясное B.C., Проектная норма, промышленная чистота и модель производства СБИС., 3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон», «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

267. Горнев Е.С., Евдокимов В.Л., Просий А.Д., Особенности технологии и этапы развития производства поколения кристаллов СБИС с субмикроннымн проектными нормами., 3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

268. Горнев Е.С., Гушин 0.11., Иросин А.Д., Савинскнй Н.Г., Фазосдвшающие маски для низкоапсргурных степперов., 3-я научно-техническая конференция ЛОО'Г «Н ПИМЭ и Микрон». «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы и доклады, март, 2000.

2(>9. Красников Г.Я., Горнев L.C., Ьатюк С.Н , Дайнеко А.П., Проектный подход в оркшшации управления развитием высокотсхнологнческого предприятия., 3-я научно-техническая конференция АООТ «НИИМЭ и Микрон». Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем», Тезисы н доклады, март. 2000.

Заказ 4. тираж 75 экз. учет № 34а-2000 г. Размножено в НИИМЭ 103460. Москва К-460