автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Физические свойства полупроводниковых пленок диоксида олова для датчиков газов

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О МЕХАНИЗМЕ ГАЗОВОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ И ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ

ОКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1. Физические модели взаимодействия донорных и акцепторных газов с оксидными полупроводниками

1.1.1. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции

1.1.2. Механизмы газовой чувствительности полупроводниковых слоев диоксида олова

1.1.3. Влияние размера зерна в поликристаллических пленках диоксида олова на механизм газовой чувствительности

1.2. Технологические способы получения пленок диоксида олова

1.2.1. Окисление слоев металлического олова

1.2.2. Гидролиз растворов хлорного олова

1.2.3. Метод магнетронного напыления

1.3. Физические свойства пленок металлооксидных полупроводников, типа диоксида олова, оксида цинка

1.4. Стабилизация электрофизических свойств пленок диоксида олова

Выводы к первой главе

Глава 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА

2.1. Приготовление образцов

2.2. Измерение толщины пленок диоксида олова 2.3 Методы измерения оптических параметров пленок диоксида олова

2.4. Методы измерения электрических параметров пленок диоксида олова

2.4.1. Измерение удельного сопротивления четырехзондовым методом

2.4.2. Определение удельного сопротивления методом Ван дер Пау

2.4.3. Измерение температурной зависимости электрических параметров с помощью эффекта Холла методом Ван дер Пау

2.5. Методика измерения газовой чувствительности пленок диоксида олова

Глава 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА

3.1. Режимы получения, структура, электрические параметры пленок диоксида олова

3.2. Исследование оптических свойств пленок диоксида олова

3.3. Исследование температурной зависимости поверхностного сопротивления пленок диоксида олова

3.4. Исследование температурной зависимости концентрации и подвижности свободных носителей заряда в слоях диоксида олова

Выводы к третьей главе

Глава 4. ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА

4.1. Изотермический отжиг

4.2. Импульсная лазерная обработка Выводы к четвертой главе

Глава 5. ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА

5.1. Исследование газовой чувствительности пленок диоксида олова

5.2. Исследование механизма газовой чувствительности пленок диоксида олова Выводы к пятой главе ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Актуальность темы. В последние годы большое внимание уделяется разработке микроэлектронных первичных измерительных преобразователей (сенсоров) различных величин: температуры, давления, ускорения, механических перемещений, индукции, концентрации ионов в жидкости, влажности и химического состава газовых сред /1-4/. Особое место в их ряду занимают сенсоры химического состава газов, которые нашли применение в химической и электронной промышленности, машиностроении, авиационной и автомобильной технике, космонавтике, медико-биологических исследованиях и экологическом мониторинге. Из всей номенклатуры датчиков, изготавливаемых по микроэлектронной технологии, наиболее широко представлен класс адсорбционно-полупроводниковых устройств (АПУ). В существующих конструкциях АПУ используются преимущественно металлооксидные полупроводники с электронной проводимостью. При адсорбции на поверхности таких полупроводников молекул газов их сопротивление (электропроводность) заметно изменяется. Для различных полупроводников существует оптимальный интервал температур, где их чувствительность к анализируемому газу максимальна. Такой интервал находится в пределах от 200 до 500°С. Повышенная температура является обязательным условием работы газовых датчиков на основе металлооксидных полупроводников.

Ведущее место в разработке АПУ принадлежит японским фирмам Rilken Keiki Fine Instr., Nippon Monitors, Figaro и др. Заметную активность в этом направлении проявляют фирмы Siemens, Auergesellschaft GmBH, Robert Rosch, Drager (ФРГ). В России газовые датчики серийно не производятся /5/. Газовые сенсоры и анализаторы с чувствительными элементами (ЧЭ) на основе металлооксидных полупроводников являются перспективными приборами, на базе которых возможно освоение качественно нового уровня миниатюризации газоаналитической аппаратуры различного назначения. В зависимости от технологии изготовления полупроводниковые газовые датчики можно разбить на две большие группы: керамические и пленочные (тонко- и толстопленочные).

Основными недостатками полупроводниковых керамических датчиков, получаемых прессованием и спеканием смеси порошков оксидов металлов и связывающего материала, является их инерционность, недостаточная прочность по отношению к механическим воздействиям, большой разброс (около одного порядка) величины сопротивления ЧЭ, низкая производительность при изготовлении ЧЭ, высокая трудоемкость, большая потребляемая мощность, необходимость длительного отжига при контролируемой температуре и газовой атмосфере для их окончательной обработки.

Датчики, изготовленные по толстопленочной технологии с использованием проводящих паст с толщиной слоев от десятков до сотен микрометров, в качестве исходных содержат те же материалы, что и керамические. Изменяется, в основном, технология формирования ЧЭ и электродов. Толстопленочные датчики более прочны, могут монтироваться в корпусах интегральных микросхем. Их недостатками являются: плохая воспроизводимость от образца к образцу, сильная зависимость от температуры окружающей среды и относительной влажности, слишком длительные времена стабилизации. Недостатки керамических и толстопленочных датчиков могут быть устранены использованием современной тонкопленочной технологии.

Тонкопленочные датчики имеют чувствительный слой, толщина которого соизмерима со средним размером зерна поликристалла, что обеспечивает преобладание поверхностной проводимости. Особенностью таких датчиков является высокая чувствительность, малая инерционность и малая потребляемая мощность.

Таким образом, обобщая накопленный опыт, можно отметить, что газовые датчики на основе металлооксидных полупроводников (диоксид олова, оксид цинка) в своей конструкции используют керамические и толстопленочные ЧЭ. В последнее время непрерывно возрастает интерес к исследованиям тонких пленок металлооксидных полупроводников, технология получения которых хорошо совместима с технологией микроэлектронных приборов. Несмотря на большое число публикаций, в настоящее время нет единой точки зрения на процессы, определяющие механизмы электропроводности и газовой чувствительности тонких пленок металлооксидных полупроводников. В существующих работах рассматривается влияние адсорбции газов на сопротивление (электропроводность) металлооксидных полупроводников и мало внимания уделяется исследованию влияния адсорбции газов на подвижность и концентрацию носителей заряда в интервале температур 20 - 400 °С. Изготовление тонкопленочных структур с толщиной слоев от долей до нескольких микрометров основано на хорошо изученных процессах вакуумного напыления и нанесения пленок из растворов. Однако существуют значительные трудности при получении воспроизводимых и достаточно стабильных тонких пленок металлооксидных полупроводников, необходимых для изготовления ЧЭ газовых датчиков.

Таким образом, исследование свойств тонких пленок металлооксидных полупроводников, в частности диоксида олова, является актуальной проблемой, решение которой позволит использовать тонкие пленки диоксида олова в качестве ЧЭ датчиков газов, изготавливаемых на основе микроэлектронной технологии.

Цель работы заключалась в оптимизации технологии получения и исследовании физических свойств тонких пленок диоксида олова ЗпОг, используемых в качестве чувствительных элементов датчиков газов. Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Установить и оптимизировать основные технологические режимы изготовления газочувствительных тонких пленок диоксида олова методами магнетронного распыления и гидролиза водно-спиртовых растворов хлоридов олова.

2. Определить и исследовать структуру и состав, а также основные электрофизические и оптические свойства пленок диоксида олова, полученных различными методами.

3. Определить механизмы электропроводности пленок диоксида олова в широком интервале температур (20 - 400 °С) в зависимости от условий и методов их получения и обработки.

4. Установить и исследовать режимы термообработок (изотермического отжига и импульсной лазерной обработки) пленок диоксида олова для стабилизации их параметров.

5. Исследовать в интервале температур 200 - 400 °С газовую чувствительность пленок диоксида олова к различным газам и предложить физическую модель для объяснения этого явления.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования выбраны тонкие пленки диоксида олова, полученные методами магнетронного напыления и гидролиза водно-спиртовых растворов хлоридов олова на подложках из стекла и окисленного кремния.

Научная новизна. Основные результаты экспериментальных исследований тонких пленок диоксида олова для датчиков газов получены впервые и заключается в следующем:

1) с помощью прямых измерений размера зерна и электрических параметров пленок диоксида олова установлен механизм их электропроводности в интервале температур 20 - 400 °С;

2) из анализа зависимостей электрических параметров пленок диоксида олова от концентрации исследуемого газа установлен механизм их газовой чувствительности в интервале температур 200 - 400 °С;

3) показано, что импульсная лазерная обработка позволяет корректировать параметры газочувствительного слоя, в том числе непосредственно в приборной структуре;

4) разработаны физические основы технологии получения тонких пленок диоксида олова для использования их в качестве газочувствительных элементов датчиков газов.

Практическая значимость. Отработанные технологические процессы получения пленок диоксида олова и исследования их свойств позволили разработать и изготовить опытные образцы полупроводниковых датчиков газов на основе микроэлектронной технологии. Разработана топология и запатентовано устройство микроэлектронного датчика газа (Свидетельство об официальной регистрации интегральной схемы РосАПО РФ №95008 от 13.12.95 г., патент РФ № 2114422 на изобретение " Полупроводниковый датчик газов" от 27 июня 1998 г.), которые могут быть использованы для организации промышленного производства полупроводниковых датчиков газов /6,7/.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Исследованные пленки диоксида олова - нестехиометричны, содержат фазы БпОг, 8пО, 8п, что подтверждается данными рентгеноструктурного анализа и оптическими измерениями.

2. Термический отжиг при температуре 500 °С не менее 4 часов или импульсная лазерная обработка с плотностью энергии 5,5 Дж/см2 - оптимальные режимы для стабилизации параметров пленок БпОг.

3. Электропроводность пленок диоксида олова осуществляется по модели ультрамалых частиц в интервале температур 20 - 400 °С.

4. Экспериментальное подтверждение теоретической модели газовой чувствительности пленок диоксида олова, основанной на взаимодействии газов с адсорбированными пленкой ионами кислорода.

Апробация работы. Результаты работы доложены и обсуждены на Международном семинаре "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж, 1995); Международной конференции по электротехническим материалам и компонентам (Крым, 1996); Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва, 1996); IX научно-технической конференции "Датчик-97" (Крым, Гурзуф, 1997); Международной конференции "ЕигоБепзог-ХГ (Польша, Варшава, 1997); Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва, 1997); Второй Международной конференции "Физико-технические проблемы электротехнических материалов и кабельных изделий" (Москва, 1997); научно-практической конференции ВВШ МВД России (Воронеж, 1998); X научно-технической конференции "Датчик-98" (Крым, Гурзуф, 1998); Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва, 1998); Международной конференции "ЕигоБешог-ХН" (Саутгемптон, Англия, 1998); Втором Всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедение" (Воронеж, 1999); IV Всероссийской научно-технической конференции "Методы и средства измерения физических величин" ( Нижний Новгород, 1999), а также на научных семинарах и конференциях Воронежского государственного технического университета.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 23 работах в виде статей (в том числе 2 статьи в центральных журналах) и тезисов докладов, свидетельства о регистрации топологии и патента на изобретение.

В совместных работах автор принимал участие в подготовке и проведении эксперимента, в обсуждении полученных результатов и подготовке работ к печати.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы (102 наименования) и приложения. Объем диссертации составляет 186 страниц машинописного текста, включая 95 рисунков и 11 таблиц.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Отработаны режимы и технологические методики воспроизводимого изготовления пленок - высокочастотное магнетронное напыление и гидролиз водно-спиртовых растворов хлоридов олова, позволяющие получать тонкие пленки Sn02, нелегированные (А,С-типов) и легированные сурьмой (В-типа), на стеклянных (А,ВьС-типов) и кремниевых окисленных (В2-типа) подложках. Тип подложки не оказывает существенного влияние на свойства пленок диоксида олова.

2. Контроль фазового состава и структуры с помощью рентгенодифракционного анализа и электронной микроскопии показал, что полученные пленки диоксида олова нестехиометричны, с отклонением от стехиометрии в сторону избытка атомов олова, и имеют средний размер зерна 10-20 нм. Пленки характеризуются оптическим пропусканием от 10 до 90 % в зависимости от технологии получения, степени легирования и длины световой волны. Ширина запрещенной зоны, оцененная экспериментально из спектров оптического поглощения, лежит в пределах 2,7 - 3,4 эВ, что подтверждает данные рентгенодифракционного анализа о нестехиометричности пленок диоксида олова.

3. Температурная зависимость электросопротивления пленок диоксида олова включает две составляющие: полупроводниковая зависимость до температур 150 - 200°С, обусловленная ионизацией мелких примесных донор-ных уровней, (экспоненциальное уменьшение сопротивления), и зависимость, обусловленная адсорбцией кислорода из воздуха кислородными вакансиями, в интервале температур 200 - 400°С, приводящая к увеличению сопротивления пленок. Температурная зависимость сопротивления нелегированных пленок Sn02 (А и С-типа) при нагреве и охлаждении указывает на нестабильность электрических параметров. Легированные сурьмой пленки Sn02 (В-типа) обладают более воспроизводимой температурной зависимостью сопротивления, термически более стабильны и представляют практический интерес для использования их в качестве чувствительных элементов полупроводниковых датчиков газов.

4. Концентрация свободных носителей заряда для нелегированных • пленок Sn02 (А-типа) имеет величину порядка 1014 см"3, а подвижность -60 см2/Вс, в легированных сурьмой пленках Sn02 (В-типа) концентрация

17 3 2 носителей характеризуется величиной 10 см" , а подвижность - 300 см /Вс при нормальной температуре. Температурная зависимость концентрации в области температур 20 - 250 °С носит полупроводниковый характер с энергией активации 0,3 эВ в пленках А-типа. В пленках В-типа энергия активации - 0,145 эВ, что соответствует энергетическому уровню дважды ионизированной кислородной вакансии в Sn02. Температурная зависимость подвижности носителей заряда слабовыраженная, уменьшение подвижности с температурой обусловлено в основном рассеянием на колебаниях кристаллической решетки.

5. Исследовано влияние различных термообработок (изотермический отжиг, импульсная лазерная обработка) на электрофизические свойства пленок Sn02. Определен оптимальный температурный интервал для изотермического отжига 300 - 550°С и для импульсной лазерной обработки 130 - 450 °С, что соответствует плотности энергии излучения от 1,5 до 5,5 Дж/см . Выбраны оптимальные режимы термообработок для стабилизации параметров пленок диоксида олова: термический отжиг при 500 °С в течение не менее 4 часов или импульсная лазерная обработка с плотностью

•Л энергии 5,5 Дж/см .

6. С помощью прямых измерений размеров зерна и электрических параметров пленок диоксида олова установлен механизм их электропроводности в интервале температур 20 - 400 °С. Экспериментально с помощью сравнения средних размеров зерна исследуемых пленок с шириной области пространственного заряда и исследования влияния адсорбции молекул газа на электрические параметры пленок 8пОг подтверждено использование модели ультрамалых частиц для объяснения изменения проводимости при помещении пленок в исследуемую газовую смесь.

7. Исследованы газочувствительные свойства пленок диоксида олова, -полученных различными способами. Пленки В-типа обладают хорошей чувствительностью к парам этанола, ацетона и изопропилового спирта в воздухе в диапазоне концентраций 100-20000 ррт (0,01-2 об.%). Газочувствительные слои характеризуются удовлетворительной динамикой, время установления равновесия в системе пленка - исследуемый газ составляет 5-10 минут в указанном интервале концентраций. Лазерной обработкой его можно уменьшить до 2 - 3 минут.

8. Установлен механизм газовой чувствительности Пленок диоксида олова в интервале температур 200 - 400 °С. Показано, что контролируемые газы взаимодействуют с кислородом, хемосорбированным на поверхности диоксида олова в различных зарядовых состояниях в зависимости от температуры эксперимента.

Таким образом, в результате выполненной работы разработана лабораторная технология изготовления газочувствительных слоев на основе пленок диоксида олова. Исследованы основные электрофизические свойства, режимы термостабилизации и газовая чувствительность пленок БпОг- Результаты исследований позволили разработать и изготовить опытные образцы полупроводниковых датчиков газов на основе микроэлектронной технологии. Разработана топология и запатентовано устройство микроэлектронного датчика газов.

Автор выражает благодарность кандидату физико-математических наук Рембеза Е.С. за помощь при отработке технологии получения пленок диоксида олова методом магнетрононного напыления и кандидату технических наук Логинову В.А. за помощь в проведении импульсной лазерной обработки пленок диоксида олова. ^ •

1. Евдокимов А.В., Муршудли М.Н., Подлепецкий Б.И., РжановА.Е., Фоменко С.Ф., Филипов В. И., Якимов С.С. Микроэлектронные датчики химического состава газов // Зарубежная электронная техника. 1988. - № 2. -С. 3-39.

2. Gopel W. Solid-state chemical sensors: atomistic models and research trends // Sensor and Actuators. 1989. - Vol. 16. - P. 167 - 193.

3. Айвазов A.A., Тимошенко В.И., Кузин A.C. Современное состояние и перспективы производства толстопленочных датчиков // Зарубежная электронная техника. 1991. - № 7. -С. 36 - 47.

4. Gopel W., Schierbaum K.D. Sn02 sensor: current status and future prospects // Sensor and Actuators. 1995. - Vol. B,26 -27. - P.l - 12.

5. Подлепецкий Б.И. Интегральные полупроводниковые сенсоры: состояние и перспективы разработок // Новости о микросхемах-1998. 1 №5(26).-С. 38 -45.

6. Топология универсального базового кристалла (УБК) для полупроводникового датчика газов: Свидетельство об официальной регистрации топологии интегральной схемы РосАПО РФ № 95008 от 13.12.95 / Рембеза С.И., Ащеулов Ю.Б., Свистова Т.В., Горлова Г.В

7. Полупроводниковый датчик газов: Патент РФ №2114422 МКИ6 G 01N27/12 / Рембеза С.И., Ащеулов Ю.Б., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Горлова Г.В (РФ). 4 с.

8. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. - 432 с.

9. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / Мясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А.-М.: Наука, 1991.-327 с.

10. Иоффе А.Ф. Сообщение о научно-технических работах в республике: Катализ. Л.: НХТИ, 1930. - 53 с.

11. Рогинский С.З. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях. М.: АН СССР, 1948. - 278 с. ~

12. Волькенштейн Ф. Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1973.-400 с.

13. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности. -М.: Иностранная литература, 1963. 456 с.

14. Моррисон С.Р. Химическая физика поверхности твердого тела.-М.: Мир, 1982.-583 с.

15. Бонч-Бруевич B.JL, Калашников С.Г. Физика полупроводников. -М: Наука, 1977.-528 с.

16. Сухарев В.Я., Мясников И.А. Теоретические основы метода полупроводниковых сенсоров в анализе активных газов // Журн. физ. химии. -1986. Т. LX. - Вып. 10. - С.2385 - 2401.

17. Гутман Э.Е. Влияние адсорбции свободных атомов и радикалов на электрофизические свойства полупроводниковых окислов металлов // Журн. физ. химии. 1984. - Т. LVIII. - Вып.4. - С. 801 - 821.

18. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970. - 399 с.

19. Yamazoe N., Fuchigami J., Kishikawa M., Seiyama Т. Interaction of tin oxide surface with 02, H20 and H2 // Surface Sci. 1979. - Vol. 86. - P.335 -344.

20. Chang S.C. Sensing mechanism of thin film tin oxide // Proc. 1st Meet. Chemical Sensors. -Japan, Fukuoka, 1983. P.78 - 83.

21. Kohl D. Surface processes in the detection of reducing gases with Sn02 based devices//Sensor and Actuators. - 1989. - Vol. 18. - P.71 - 114.

22. Hubner H.R., Obermeier E. Gas sensors based on metal oxide semiconductors//Sensor and Actuators. 1989.-Vol. 17.-P.351 - 380.

23. Бутурлин А.И., Габузян Г.А., Голованов H.A., Бараненков И.В., Евдокимов А.В., Муршудли М.Н., Фадин В.Г., Чистяков Ю.Д. Полупроводниковые датчики на основе металлооксидных полупроводников // Зарубежная электронная техника. 1983. - №10. - С. 3 - 38.

24. Clifford Р. К., Tuma D.T. Characteristics of semiconductor gas sensors //Sensor and Actuators. 1982. - Vol. 3. - P.233 - 254.

25. Ogava H., Nishikawa M., Abe A. Hall measurement studies and electrical conduction model of tin oxide ultrafine particle films // J. Appl. Phis-1982. -Vol.53(6). P.4448 - 4456.

26. Barsan N. Conduction model in gas-sensing Sn(>2 layers: grain-size effects and ambient atmosphere influence // Sensor and Actuators-1994 Vol. B.-№ 17.-P.241 -246.

27. Sanson S., Fonstad C.G. Defect structure and electronic donor levels in stanic oxide crystals // J. Appl. Phis.-1973. Vol.44. - P.4618 - 4621.

28. Jarsebski Z. M., Marton J.P. Physical properties of SnC>2 materials -electrical properties // J. Electrochem. Soc. 1976.- Vol.123.- № 9.- P. 229 -310.

29. Maier J., Gopel W. Investigation of the bulk defect chemistry of poly-crystalline tin (IV) oxide // J. Solid State Chem. 1988.- № 72.- P. 293 -302.

30. Xu C., Tamaki J., Miura N., Yamazoe N. Relationship between gas sensitivity and microstructure of porous Sn02 // J. Electrochem. Soc. 1990.-Vol.58.-№ 12.-P. 1143-1148.

31. Watson J., Ihokura K., Colest G.S.V. The tin dioxide gas sensor // Meas. Sci. Technol. -1993. -№ 4. P.717-719.

32. Horrillo M.C., Gutierrez J., Ares L., Robla J.I., Sayago I., Getino J., Agapito J.A. Hall effect measurement to calculate the conduction controlling -semiconductor films of Sn02// Sensor and Actuators.-1994.-Vol. A.- № 41-42,-P.619 621.

33. Ihokura H. Sn02 based inflammable gas sensor // Ph. D. Thesis -1983.-P.52-57.

34. Mitsudo H. Gas sensors // Ceramic.- 1980.-№ 15-P. 339 345.

35. Панкратов E.M., Рюмин В.П., Щелкина Н.П. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова М.: Энергия, 1969.- 56 с.

36. Stoev I., Khol D. An integrated gas sensor on silicon substrate with sensitive layer of SnOx // ISPPME 6th International School on Physical Problems in Microelectronics 1989.- P.482 - 489.t

37. Астафьева JI.В., Скорняков Г.П. Установка для получения пленок двуокиси олова // ПТЭ.-1980.- №5.- С.235 237.

38. Popova L.I., Michailov M.G., Georguiev V.K. Structure and morphology ofthin Sn02 films//Thin Solid Films.- 1990.- Vol.186.-P.107- 112.

39. Onyiat A.I., Okeket C.B. Fabrication and characterisation of tin oxide Sn02thin films using simple glass spray systems // Appl. Phys 1989 - Vol.22-P.1515 - 1517.

40. Технология СБИС / Под ред. С.Зи.-М.: Мир, 1986.-453 с.

41. Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные систе-мы.-М.: Радио и связь, 1982.-72 с.

42. Хатсон А.Р. Полупроводники. -М.: Иностранная литература, 1962. 497 с.

43. Jones F.H., Dixon R., Foord J.S., Egdell R.G., Pethica J.B. The surface structure of Sn02 (110)(4xl) revealed by scanning tunneling microscopy // Sur- • face Science. -1997.-Vol.376.-P.367-373.

44. Robertson I. Defect levels of Sn02 // Phis. Rev.- 1984.- Vol. B.-№ 30. -P. 3520- 3522.

45. Гриневич B.C., Сердюк B.B., Смынтына B.A., Филевская JI.H. Физико-химический механизм формирования параметров газовых сенсоров на основе оксидных материалов // Журнал аналитической химии 1990.-Т.45-Вып.8 - С. 1521 - 1525.

46. Gutierrez J., Ares L., Robla J.I., Getino J., Horrillo M.C., Sayago I., Agapito J.A. Hall coefficient measurement for Sn02 doped sensor, as function of temperature and atmosphere// Sensor and Actuators.-1993.-Vol. В.- № 15-16-P.98- 104.

47. Таланчук П.М., Киричек Т.Ю. Выходные информативные параметры полупроводниковых чувствительных элементов// Диэлектрики и полупроводники.- 1989.-Вып.35.- С.93 100.

48. Максимович Н.П., Дышель Д.Е., Еремина Л.Э. Полупроводниковые сенсоры для контроля состава газовых сред // Журн. аналит. химии 1990-Т.45.-№7 - С.1312-1316.

49. Goyat D., Agashe С., Marathe В. et al. Effect of dopant incorporation on structural and electrical properties of sprayed Sn02:Sb films // J. Appl. Phys.-1993,- Vol.73.-№ 11.- P.7520- 7523.

50. Иващенко А.И., Хорошун И.В., Киоссе Г.А., Марончук И.Ю., По-пушой В.В. Природа изменений физических свойств поликристаллических тонких • пленок Sn02, вызванных термообработкой // Кристаллография,-1997.-Т.42 №5.-С.901-905.

51. Bornand E. Influence of the annealing temperature of non-doped sintered tin dioxide sensors on their sensitivity and response time to carbon monoxide // Sensor and Actuators, 1983.- № 4.-P.613 620.

52. Beensh-Marchwicka G., Krol-Stepniewska L., Misiuk A. Influence of annealing on the phase composition, transmission and resistivity of Sn02 thin films // Thin Solid Films.-1984.- Vol.l 13.- P.215 224.

53. Технология тонких пленок: Справочник: В 2 т. / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга.-М.: Сов. радио, 1977. Т.1. - 390 с.

54. Zemel J.N. Theoretical description of gas film interaction on SnOx // Thin Solid Films. - 1988.-Vol.163.-P. 189-202i

55. Sanon G., Mansingh A. Growth and characterisation of tin oxide films prepared by chemical vapour deposition // Thin Solid Films 1990 - Vol.l 90-P.287 - 301.

56. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов.-М.: Физматгиз, 1961.-863 с.

57. X-ray Powder Data File. ASTM Spec. Techn. Publ., 48 L Inorganic / Ed. Smith J.V.-Philadelfia: ASTM, 1962.

58. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Под ред. Г. Хасса и Р.Э.Туна.-М.: Мир, 1970-T.IV.- 439 с.

59. Технология тонких пленок: Справочник: В 2 т. / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга.-М.:Сов. радио, 1977. Т.2. - 768 с.

60. Инструкция к пользованию. Микроинтерферометр Линника МИИ-4. Л.: ЛОМО, 1978.-23 с.

61. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерение параметров полупроводниковых материалов.-М.: Металлургия, 1972.-432 с.

62. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников М.: Наука, 1977,-366 с.

63. Инструкция к пользованию. Спектрофотометр СФ 16. - Л.: ЛОМО, 1975.-37 с.

64. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур/ Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В.- М.: Радио и связь, 1985264 с.

65. Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов-М.: Металлургия, 1987 336 с.

66. Рембеза С.И., Иванова О.А., Свистова Т.В., Горлова Г.В. Релаксационные процессы в окисных полупроводниках // Релаксационные явления в твердых телах: Тез. докл. междунар. семинара.-Воронеж, 1995 С. 189.

67. Свистова Т.В., Сивак В.М. Разработка датчиков на основе оксида олова // Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры: Межвуз. сб. научн. тр-Воронеж, 1995 С. 45-48.

68. Рембеза Е.С., Свистова Т.В., Рембеза С.И., Горлова Г.В. Физические свойства пленок 8пОх // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение-Воронеж, 1996.-Х» 1.-С. 165-167.

69. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Горлова Г.В., Ельчани-нов Е.А. Газовая чувствительность пленок на основе 8пОх // II Междунар. конф. по электротехническим материалам и компонентам: Тез. докл.- Крым, 1996.-С. 79.

70. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Подкопаева О.И., Рембеза Е.С., Горлова Г.В. Изготовление и свойства пленок 8пОх для датчиков газов // Твердотельная. электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр.- Воронеж: Изд-во ВГТУ, 1997.-С. 73-78.

71. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Новокрещенова Е.П. Комбинированная методика измерения газовой чувствительности датчиков // Датчик-97: ^ Тез. докл. научн.-техн. конф- Крым, Гурзуф, 1997 С. 428-429.

72. Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Gorlova G.V. Physical properties and gas sensibility SnOx films // Eurosensors XI. Proceedings of the 11th European Conference on Solid State Transducers Varshava, Polsha, 1997-V.l.-P. 459-462.

73. Рембеза С.И., Свистова T.B., Подкопаева О.И., Рембеза Е.С. Исследование свойств пленок диоксида олова, полученных методами магнетрон-ного напыления // Известия ВУЗов. Электроника-1999-№1-2-С.26-23.

74. Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В., Борсякова О.И. Нанок-ристаллические пленки Sn02 // Второй Всероссийский семинар " Нелинейные процессы и проблемы в современном материаловедении": Тез. докл-Воронеж, 1999.- С. 107.

75. Панков Т. Оптические процессы в полупроводниках / Пер. с англ.-М: Мир, 1986.-456 с.

76. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Горлова Г.В., Термообработка и газовая чувствительность пленок на основе SnOx // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение-Воронеж, 1997-№ 2-С. 52-54.

77. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Подкопаева О.И. Электрические и оптические свойства плецок Sn02 // Физико-технические проблемы электротехнических материалов и кабельных изделий: Тез. докл. МКЭМК-97 Второй Междунар. конф.-М., 1997.- С. 172.

78. Рембеза С.И., Логинов В.А., Свистова Т.В., Подкопаева О.И., Рембеза Е.С., Горлова Г.В. Влияние различных термообработок на свойства пленок Sn02 //Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение-Воронеж, 1998 № 3-С. 74-77.

79. Шкловский Б.И. Переколяционная электропроводность в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников.-1979.-Т.13-№1.-С.93-97.

80. Винников А. Я., Мешков Ф. М., Савушкин В.Н. Экспериментальное обнаружение перколяционной электропроводности в сильных электрических полях // Физика твердого тела.-1980.-Т.22.- №10.-С.2989-2995.

81. Логинов В.А., Рембеза С.И., Свистова Т.В., Щербаков Д.Ю. Лазерная обработка газочувствительных пленок // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Матер, докл. междунар. научн.-техн. семинара.-М., 1998.-С187-191.

82. Логинов В.А., Рембеза С.И., Свистова Т.В., Щербаков Д.Ю. Влияние лазерной обработки на газовую чувствительность пленок диоксида олова // Письма в ЖТФ.- 1998,- Т. 24,- № 7.- С. 57-60.

83. Логинов В.А., Рембеза С.И., Свистова Т.В. Повышение газовой чувствительности пленок диоксида олова // Научн.-практич. конф. ВВШ МВД РФ :Тез. докл.- Воронеж, 1998.- С. 22.

84. Виглеб Г. Датчики: Устройство и применение / Пер. с нем.- М.: Мир, 1989.-196 с.

85. Prudenziati М., Morten В. Thick-film: an overview // Sensor and Ac-tuators.-1986.-Vol. 10.-P.65-82.

86. Heiland J., Kohl D. Problems and possibilities of oxidic and organic semiconductors // Sensor and Actuators-1985-Vol. 8.—P.227 233.

87. Рембеза С.И., Рембеза E.C., Свистова T.B., Прокопенко А.А.

88. Датчики газов на основе нанокристаллических пленок Sn02 // Методы и средства измерения физических величин: Тез. докл. IV Всероссийской науч-но-техн. конференции Нижний Новгород, 1999. - С.22.

89. Сох D. F., Fryberg Т.В., Semacik S. Oxygen vacancies and defect electronic state on the Sn02 (110) lxl surface // Phys. Rev.-1988;-Vol.B, ЗЪ.-'З. -P.2078 2083.

90. Barsan N., Ionescu R. The mechanism of the interaction between CO and the Sn02 surface the role of water vapour // Sensor and Actuators-1993-Vol.B, 12.-P.71 -75.

91. Strasler S., Reis A. Simple models for n-type metal oxide gas sensor// Sensor and Actuators.-1983.-Vol. 4.-P.465 472.

92. Orton J. W., Powll M. J. Hall effect in polycrystalline and powdered semiconductors // Pep. Prog. Phys.-l980-Vol.43.- № 11.-P.1263-1305.

93. Many A., Golastein Y., Grover N.B. Semiconductor surface. New York, 1965.-308 p.