-
1997
Бачило, Елена Эдвардовна
Современные тенденции в развитии микроэлектроники, функциональной электроники требуют синтеза п исследования новых материалов, дешевых и эффективных технологий. В микроэлектронике наиболее широко применяются оксидные пленки - как пассивирующие, защитные, планаризующие покрытия, источники легирующей примеси в процессах диффузии, элементы
-
1997
Райнова, Мария Юрьевна
Доминирующее направление развития микроэлектроники, - повышение степени интеграции ИС, осуществляемое в основном за счет уменьшения размеров элементов. Вместе с тем освоение промышленного выпуска ИС с элементами субмикронных размеров невозможно без кардинального решения проблемы металлизации, так как с повышением степени интеграции роль системы
-
1997
Калугин, Николай Георгиевич
В то же время несмотря на значительную исследовательскую активность в этой области целый ряд вопросов как прикладного, так и фундаментального характера вплоть до последнего времени остается малоисследованным. В частности, в силу технологических причин слабо изученными оставались гетероструктуры с большим содержанием германия Ge/Gei_xSix
-
1997
Вяткин, Анатолий Федорович
С другой стороны, сами эти процессы могут быть поняты и охарактеризованы только при условии знания свойств поверхностей раздела. Кроме того, эти процессы, как правило, имеют собственное - прикладное значение в различных технологиях. В настоящей работе для вышеупомянутых целей исследовались процессы газонасыщения, газовыделения, газопроницаемости
-
1997
Геллер, Виталий Израилевич
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальність теми, з початку 60-х років; коли були створені перші промислові зразки метал-дієлектрик-напівпровілник (МЛН) транзисторів та інтегральних схем (ІС) на МЛН транзисторах, відбулися значні еволюційні зміни їх конструкції і технолога виробництва. ■ Особливо інтенсивний розвиток набули інтегральні схеми на
-
1997
Романов, Игорь Михайлович
Очередным этапом развития кремниевых магниточувстви-гельных элементов явилась разработка структур, которые позволяют измерять одновременно все три составляющие вектора индукции магнитного поля. Две составляющие - параллельные поверхности кристалла, на котором распо чагается сенсор, и перпендикулярные друг относительно друга (В! и Ву), а третья
-
1997
Жуков, Андрей Александрович
Анализ опубликованных данных показывает, что расширение функциональных возможностей и улучшение эксплуатационных характеристик МЭУ с элементами на основе полиимидных покрытий и пленок невозможны без преодоления ограничений физико-технологического характера
-
1997
Мартинов, Дмитрий Александрович
Лктиальніс.ть і ступінь дослід женості тематики дисертації. Створення прецизійної вимірювальної та сенсорної техніки нерозривно пов’язане з вирішенням проблем стабілізації параметрів апаратури і в першу чергу - забезпеченням мінімального температурного дрейфу характеристики перетворення. Поряд з пошуком фізичних механізмів первинного перетворення
-
1997
Малеев, Николай Анатольевич
Для анализа влияния конструктивных изменений и параметров технологического процесса на характеристики приборов, верификации прямых математических моделей и решения задач синтеза приборных микроструктур требуется развитие метрологических методов, позволяющих с достаточной точностью определять субмикронные топологические размеры и параметры тонких
-
1997
Кулькова, Елена Юрьевна
Возможность использования БГТ как усилителя в области частот, в которой он имеет отрицательное выходное сопротивление, отмечалась и ранее. При этом ожидалось резкое увеличение коэффициента усиления по мощности вблизи максимальной частоты генерации и, более того, расширенно диапазона частот, на которых транзистор является усилителем, за пределы
-
1997
Кулькова, Елена Юрьевна
Возможность использования БГТ как усилителя в области частот, в которой он имеет отрицательное выходное сопротивление, отмечалась и ранее. При этом ожидалось резкое увеличение коэффициента усиления по мощности вблизи максимальной частоты генерации и, более того, расширение диапазона частот, на которых транзистор является усилителем, за пределы
-
1997
Соснин, Игорь Алексеевич
Отклонения от закона Ома в нормальных металлах представляют особый научный интерес. Долгое время считалось, что в нормальном металле создать нелинейность по электрическому полю невозможно, за исключением простого разогрева образца электрическим током, когда нелинейность является следствием зависимости проводимости от температуры. Объемная
-
1997
Певцов, Евгений Филиппович
В соответствующих государственных программах развития технологий пироэлектрических и болометрических ИК-приемников в США, Великобритании, Франции, Германии и Японии принимают активное участие такие ведущие фирмы как Texas Instruments, Loral Infrared, Hughes, Honeywell, Rockwell, GEC-Marconi, Thomson-CSF, Mitsubishi и другие
-
1997
Илюшечкин, Александр Юрьевич
Области применений ВТСП-пленок в микроэлектронике, как и в других отраслях, определяются особенностями каждой ВТСП-систсмы, их достоинствами и недостатками с точки зрения условий получения и свойств
-
1997
Строгонов, Андрей Владимирович
В настоящее время в отечественных технических условиях (ТУ) на ИС установлены наибольшие показатели долговечности, равные 200 тыс.ч, и гамма-процентного ресурса сохраняемости - 25 лет при у = 95%. Это практически сегодня полиостью удовлетворяет все виды радиоэлектронной аппаратуры, в которых используются ИС. Но могут ли ИС практически сохранять
-
1997
Согоян, Армен Вагоевич
Интегральные схемы (ИС) средней и высокой степени интеграции широко используются в современных системах управления и вычислительной техники. Наибольшее распространение, особенно в электронной аппаратуре, предназначенной для автономного функционирования, нашли ИС на КМОП-структурах. Применение КМОП ИС в аппаратуре, эксплуатируемой в условиях
-
1997
Халавка, Андрей Иванович
Актуальн1сть 1 ступ!нь доол1дженост1 тематики дисерта-(II. Мал1 розм1ри та в1дносно низька' ц1на нап1впров1дникопих .нтегральних схем (1С) обумовили стр1мке розширення областей ¡астосування рад1оелектронних засоб1в 1 электронного обладания, складн1сть якого неперервно зростав. Для п1двщення шаратурно! густини пакування необх1дний р1ст ступени
-
1997
Годовицин, Игорь Валерьевич
Во-вторых, технология изготовления большинства предложенных ЧЭ плохо совмещаются с технологией изготовления интегральных схем - главным образом из-за необходимости применения нестандартных материалов и операций, а также операций индивидуальной обработки
-
1997
Годовицын, Игорь Валерьевич
Во-вторых, технология изготовления большинства предложенных ЧЭ плохо совмещаются с технологией изготовления интегральных схем - главным образом из-за необходимости применения нестандартных материалов и операций, а также операций индивидуальной обработки
-
1997
Мучак, Иван Филиппович
Альтернативой общепринятым методам комбинированной изоляции активных элементов, являются методы, обеспечивающие их полную изоляцию только диэлектрическими материалами.Получение такой изоляции элементов требует ускорения процесса образования диэлектрического слоя и формирования качественной многослойной структуры .Решение этих вопросов позволяет не
