автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Конструкторско-технологические методы производства переключающих полупроводниковых приборов на основе ДМДП структур.

ОСОБЛИВЕ КОНСТРУКТОРСЬКЕ БЮРО “РУТА”

ФЕВ 1997

■ На правах рукопйсу

ГЕЛЛЕР ВІТАЛІЙ ІЗРАІЛЬОВИЧ

КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГІЧНІ МЕТОДИ ВИРОБНИЦТВА ПЕРЕМИКАЮЧИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ВИРОБІВ НА ОСНОВІ МЕТАЛ-ДІЕЛЕКТРИК-НАПІВПРОВІДНИК СТРУКТУР З ПОДВІЙНОЮ ДИФУЗІЄЮ

05.27.01 ТвердотІльна електроніка (включаючи функціональну)

АВТОРЕФЕРАТ дисертації на здобуття наукового ступеня кандидат технічних наук

ЧЕРНІВЦІ 1997

Дисертацією є рукопис.

Робота виконана у виробничому об'єднанні “Гравітон” м.Чернівці і на кафедрі радіотехніки Чернівецького державного університету.

Науковий керівник: доктор технічних наук, rjpojbecqp

Політанськші Лгоні4 Фодкнович.

Офіційні опоненти: доктор фізико-математичшіх наук,

професор Романюк Борис Миколайович, кандидат технічних наук, доцент Стахіра Павло Йосипович.

Провідна організація: Київський державний .університет ім. Т.Г.Шевченка.

Захист відбудеться "¿7" 02. І9£|7р. ojo год. на засіданні

вченої спеціалізованої ради К.07.02.01 при ОКБ "Рута” за аЛросою: 274031, м.Чернівці, вул.Руська 248. .

З дисертацією можна ознайомитись в технічній бібліотеці ВО “Грязі гоя”. .

Алтдоеф^оат Розісланий *2.7'> Qf 1997о.

Вчений секретар і

спеціалізованої вченої ради________/As '__________________Ю.П.Гулнма.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальність теми, з початку 60-х років; коли були створені перші промислові зразки метал-дієлектрик-напівпровілник (МЛН) транзисторів та інтегральних схем (ІС) на МЛН транзисторах, відбулися значні еволюційні зміни їх конструкції і технолога виробництва. ■ Особливо інтенсивний розвиток набули інтегральні схеми на МЛН транзисторах. які відзначаються швидкодієя, малою питомою потужністю. високим ступенем «теграїШ. Питанням використання дискретних МЛН

транзисторів до недавнього часу не приділялось достатньої уваги.

. ■ **

Не дивлячись на такі явні переваги мдн транзисторів, як стійкість до вторинного пробою, негативний температурний коєфініскт опору. простота керування, промислове виробництво їх було налагоджено в світі тільки на печатку 80-х років.

тільки із створенням так званих МЛН транзисторів з подвійною дифузією (ПМЛНІ вдалосй отримати прилади, які можна порівняти з біполярними транзисторами за величиною струмів і напруг» шо перемикаються. але суттєво пєрєвєршуючих їх по швидкості переключення.

подальше удосконалення конструкції потужних МЛН травзйсторїв с однією з найбільш актуальних проблем Фізики напівпровідникових приладів, в зв'язку з постійним зростанням вймог до їх параметрі# та надійності. . .

існують різжмкдаїтні конструкції і технологічні прпиеси виготовлення потужних ИДЙ транзисторів, кожний з яких мас свої переваги і не-ястяікиї лйаяіз явкнг и» ивиладів. а також конструктивно-технологічних рішень» вгф тагк©м*ето»эттся для їх виготовлення, дають можливість огггйійзувати кояспчтшю і технологічний процес виготовлення ПМДН транзисторів. в просгєсі отииїзаші вирішується тлий комплекс проблем:

і. Розробляється конструкція приладу, яка дозволяє отрижати задании® оійр в відкритому стані при мінімальній плоті кристалу і може (®ппя шшяяанаї за: допомогою- простого технологічного процесу.

2. розробляється математична модель приладу, яка дас можливість оптимізувати його геометрію з точки зору одержання мінімального значення добутку опору в відкритому стані на плоту кристалу.

3. Порівнюються різні варіанти конструкцій високовольтних переходів 1 вибирається найбільш технологічна конструкція р-п переходу, то заловільняе задані значення граничних напруг, при ньому особлива увага приділяється надійності і стабільності параметрів високовольтного р-п переходу.

4. Обирається матеріал, на основі якого виготовляється прилад. Найчастіше ие, багатошарова кремнієва структурам деяких випадках можуть використовуватись гєтєроструктури). в багатьох випадках використовувався монокристалічний кремній, який с найбільш структурно досконалим і дешевим.

Мета роботи - розробка конструктивно-технологічної бази для виготовлення високовольтних МДН транзисторів з пробивними напругами від 60 до 1000 в. оптимізашя їх геометри і розробка методів підвищення пробивної напруги та стабільності їх роботи.

В дисертації вирішувались наступні основні задачі:

1. розробка технологічної конструкції ПМДН транзистора з високою густиною упаковки елементарних комірок.

2. Розробка математичних моделей, оптимізашя гєомєтріі приладів,

розроблених на базі математичних моделей. ,

3. Вибір метолів досягнення максимальних напруг пробою високовольтних мпн транзисторів 1 забезпечення пробивної напруги та струмів еи-тікання стоку приладів.

4. Розробка метолів підвищення техник.о-ексномічних показників -вироб- . шштва високовольтних ПМДН транзисторів за рахунок використання моно-кристєлічного кремнію замість двошарових структур.

Наукова новизна роботи полягає в тому, то в ній:

1. Розроблена Фізико-математична модель елементарної комірки ПМДН транзистора з віддаленими контактами витоку, ио дозволяє в'ра-

хувати вплив опору витокових областей на її опір в відкритому стані. Яоеліжений вплив електрофізичних і конструктивних параметрів витоку на опір потужних транзисторів.

2. Досліджений вплив профілів побєрхйєеого піллегування високо-омних стокових областей ПМДН труктури на пробивні напруги, показано, що вибором лози піллегування домішками фосфору вздовж пєримєтру цих областей можна піпвишити пробивні напруги стокового р-п пєрєхолу та зменшити ймовірність катастрофічних пошкоджень підзатворного діелектрика. '

3. Досліджений механізм зниження пробивних напруг високовольтних транзисторів з обмежувальними кільцями 1 запропонований спосіб стабілізації пробивної напруги. ■

4. досліджена можливість виготовлення потужних перемикаючих

ч ■

транзисторів з використанням мембранних структур з монокристаліч-кого кремнію.

Практична значимість 1 цінність результатів роботи.

1. розроблена конструкція високовольтного вертикального ПМДН транзистора з одноріьневим розташуванням електродів витоку і затво-?у, яка дозволяє отримати високу'щільність упаковки елементарних транзисторних комірок, використовуючи технологічний ПР0ІІЄС ПРОСТІШИЙ, пж у аналогічних за параметрами приладів.

2. розроблено спосіб підвищення пробивної напруги' ПМДН

структур при заданому опорі у відкритому стані, який складається у іиборі різного рівня піллегування п області стоку між сторонами і пж вершинами елементарних комірок. •

3. Математична модель елементарної комірки ПМДН транзистора 1 іетодика вибору н оптимальних геометричних розмірів, дозволили на :о - 25% зменшити площу кристалу ряду приладів.

4. розроблена конструкція виготовлення високовольтних ранзисторів я монокристалічних крємнювих мембранах замість

двошарових структур, розроблений технологічний процес створення кремнієвих мембран, який добре СТИКУЄТЬСЯ з існуючим процесом виготовлення пмдн транзисторів.

5. проведено аналіз причин зменшення пробивної напруги високовольтного ПМДН транзистора з обмежувальними кільцями при захисті я го поверхні діелектричними плівками. Запропоновано спосіб нанесення лолаткового шару двоокису кремнію, шо забезпечує стабільність пробивної напруги при захисті поверхні приладу.

6. розроблений на базі високовольтного пмдн транзистора стабілізатор струму і стійка до перешкод схема живлення куон схем в телефонних апаратах. , .

основні положення, то виносяться На захист. .

і.. Аналітичний вираз лЛя розрахунку опору стік-витік елементарної комірки ПМДН транзисторної структури з віддаленими контактами витоку, який дозволяє оптимізувати конструкцію приладу.

2. Максимальна густина упаковки елементарних комірок ПМДН структури досягається полосковою геометрією витокових областей.

3. оптимальні режими піллегування області стоку високовольтного ПМДН транзистора домішками фосфору , дають можливість підвгішити

, пробивні напруги приладу. '

4. Нова технологія виготовлення високовольтних ПМДН транзисторів з використанням мембранних структур із монокристалічного кремнії

Особистий внесок дисертанта, основні результати та висновки лисертаиії отримані автором. Постановка завдань та обговорення результатів були виконані спільно з науковим керівником.

Апробація роботи. Основні результати дисертації доповідались і

1. Другій науково-технічній конференції "Материаловедение халі геиидных и кислородос олёржаших полупроводников" (Чернівці 1986Р.)

. 2. Науково-технічній конференції ”Новае технологические процє

- Обеспечивагшие прогресс производства полупроводников« приборов и иі ральнпх схем и повішення их надежности" (Чернівці 1986р.)

3. Науково-технічній КОНФЄРЄНШ.1 присвяченої 120-рІЧЧ» чернівецького Університету (ЧЄРИ1ВШ 1995Р.)

4. Науково-технічних радах В.0."Гравітон" (Чернівці 1984-

1994р.)

5. Матеріали роботи використовувались автором в лекціях, прочитаних на Фізичному Факультеті ЧЛУ в 1992-1994 р.

структура дисертації. Робота складається із вступу, пяти глав, висновку, .переліку використаної літератури, трьох додатків.

КОРОТКИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

У вступі показана актуальність Роботи, а мета і задачі; сформульовані наукова новизна і практична цінність отриманих результатів. наведені основні положення, шо зиносяться на захист.

В першій главі наведені основні вимоги де потужних перемикаючих МЛН транзисторів і проаналізовані Фізичні явиша, ше призводять до пробою р-п пєрєходу стоку, пробою зниканням, вторинного пробою, пробою діелектрика затвору, обмежують струм.

Проведено аналітичний огляд робіт, в яких розглядаються конструкції потужниз; МДН транзисторів. Із огляду випливає, то найкращими . технічними характеристиками серед існуючих .конструкцій відзнача ються ПМДН та УМДН транзистори. Вони забезпечують найбільшу густину упаковки елементів, дозволяють отримати прилади найменшої плоші при заданому опорі в відкритому стані і пробивній напрузі.

Подальший аналіз літератури дав можливість-розглянути основні шляхи зменшення добутку плоші кристалу на опір припаду в відкритому стані для. ПМДН транзисторів. Показано, що для транзисторів з відносно низькими напругами пробою (до 200В) головними шляхами в ньому напрямку с зменшення розмірів комірок, зибір їх оптимальної форми для забезпечення максимальної густини упаковки; для більш високовольтних приладів - оптимальне піялегуваннй обла- * сті стоку, розташованій між сусідніми комірками, досягнення напруги пробою стокового р-п переходу близької до пробою ідеального

р-п переходу.

в другій главі наведена конструкція вертикального пмлн транзистора з віддаленими від активної частини приладу контактами витоку. .

На малюнку 1 зображено Фрагмент топологи такого приладу. Еквівалентна схема елементарної комірки такого приладу являє собою ланцюг резисторів (мал 2). Розподіл струму і напруги в цьому ланцюжку описується рівнянням (і) '

сіт . ШлгМ(4, ш

7Г" К2.

Рішення системи (1) з врахуванням граничних умов

*0,

дають можливість обчислити -

{/(*) = - и(в

1~ єхрІЇ* -Щ. І _ шНк)

i+ctp (‘-ЦІ) ihtxp(~2}ê)

(2)

де

f - \jrr

ии « tt>

Для ПМЛН транзистора з віддаленими контактами витоку Можна записати: : . '

п j _ Rsn* ...

Ri~ ¿к - 0,i(è Щ f ■ (4)

/?Jnf ' поверхневий опір п‘‘області витоку .. '

_5к - ширина р-кишені •

0.eWip довжина бокової дифузії

RI* Rch t Rо- + Ri f Rері

aeftcfronip канапу комірки одиничної довжини

- опір області збагачення комірки одиничної довжини

Мал 1 Тс/ю лег*» ПЯДК граиамсторэ з ааазпепижи еяекградом вигоку: Т- «оигахги ао р-овпипх

2- еяамштэрн» нвафяа ПНДН транзистор«

3- облает! стоку.

4- частмкз р-о6ласг1 .д* *ож* бут »шукавший нашге

5-*п сбпзст) витому;

6- епеетродо »гак*

7- »омороц затвору.

Man. Z Епеигтэрнэ невірна IWJH структури з вйдоядемг комгэкгэн* змтоку lai т* і еквівалентна схема (W.

fij - опір області польового транзистора, керованого

р-п переходом КОМІРКИ одиничної довжини

R, . - опір області епітаксп комірки одиничної довжини tpi ,

Наведені вирази Яс/і, Ro-, fii, R ері з врахуванням 45°Молел розподілу струму в стоиі.

■ На базі виразів (3). (4). (5) розроблені програми ЕОМ.

Програма ості дозволяє обчислити значення лосутку при заданих електрофізичних і геометричних параметрах комірки.

Програма 0'«Т2 надає можливість визначити оптимальне співвіл ношення геометричних розмірів комірки при Фіксованих інших параметрах, які дають мінімальний дооуток

В таблиці і наведені Фактичні значення добутку для ряду приладів, а також мінімальні значення дооутку, розраховані за допомогою програми ост?.. •

Табл.і

Тил приладу КР1014А KP1014B КП921 КП922 КП704 КПЧЧб КП950

RCB BiflKp*SKOM. Ом см 0,084 t 0, ив 0.0084 0.01Й5 0. 04F, 3. 14" 0.64

Rcs відкр»5ком. ОПТ. Ом CM. 0,067 0,091 0.0073 0.0118 0,035 0, 11 0. 46

SK ОПТ. . МК.М 12 12 10,5 10 10 12 12

LCT . мкм 6 8 5 7 10 И, 23

ig , мкм 10 5 12 5 50' 50 50 50 50

Примітка: ДЛЯ приладів КП921. КП922, КП704. КП936, КП950 : метою усунення можливості вторинного пробою довжина комірки була обмежена не більше 5С мкм.

із таблиці і видно, що за допомогою розроблене і метелики оптимізаїш геометричних розмірів елементарної комн>ки ммллі-івпті зменшити іілошу кристалу ряду приладів на 20-40%. і було з"о,;л но для мікросхеми КР10І4.

в цій же главі досліджено вплив профілів, легування різних ілянок стоку на пробивні напруги, показано, шо для запобігання ередчасного пробою, область стоку між кутами елементарних комірок ае бути легована нижче ніж область між сторонами комірок.

Виведено співвідношення концентрацій в областях між кутами 1 торонами комірок, при якому пробій буде наступати одночасне* по . СЬОМУ периметру КОМІРКИ. ■

В третій главі розглядається технологічний процес вигстовлен-я потужних пмііН транзисторів, то основані на базових технологіч-их процесах виготовлення мдн ІС. маршрут складається з шести Фото-ітограФій, двох процесів іонного легування, включає процес самосу-ітення на базі відкритого травлення ЗЮа. затворна система форму-ться за допомогою окислення кремнію в присутності хлору і стабШ-аші 810 ФосФогносилікатним склом, затвор алюмінієвий, виготов-ений методом магнетронного розпилення.

. суттєвою особливістю тєхпроцєсу виготовлення ПМДН транзис-орів о погана керованість рівнем пороговоі напруги, ио пов’язано нерівномірністю розподілу домішок в області каналу. •

запропоновано зв'язати максимальну, концентрацію акцепторної омішки в області каналу ПМДН транзистора з опором р області, шо находиться між стоком і витоком транзистора. Сконструйований рямокутний тестовий пінч-резистор, опір Р-області якого розрахо-усться за виразом (6). .

Йг. егр - Я!А Є @5. ' ’

ґ (б) е /?г.стр - опір тестової структури (мал.З) .

2сГ - ширина Р;бластх ' -

- дозжина п-області •

«.'тримана задовільна корєляшя між і?зав і пороговою напругою МДК трангистора. ' . - ■ ■ ■

Z6 п I П

ІЗ

Man. З Тестова структура контроля Unop

■ ПМДН транзисторів.

високовольтні придали традиційно виготовляють в двошарових труктурах. існуючі методи виготовлення двошарових структур з тов-іиною високоомного шару більше 50 мки с незадовільними, через вели-у дефектність отриманих СТРУКТУР. .

запропонована конструкція високовольтних приладів, шо виго-овляються в монокристалічній кремнієвій мембрані (мал.4). Такий рилад не відрізняється від звичайних за параметрами, кристал його ае достатню міцність оскільки мембрана знаходиться тільки під ак-ивною частиною приладу.

Розроблена установка травлення крємнісвих мембран з охолол-анням травника рідким азотом, досліджена селективність травлення істеми Si - Sio* травниками HNO3: HF. з різним співвідношенням )МП0НЄНТІВ.

Показано <мал.5). ідо селективність травлення зростає із зро-анням долі uno . але при цьому зменшується швидкість травлення >емнію. запропоновано для травлення мембран використовувати травки HF : HNOj = 1 : 6 при температурі мінус 10-15 ІІЕЛ.

В главі четвертій досліджувалась стабільність високоволь-их пмдн транзисторів. <

Прилади з пробивною напругою 4003 використовують високоволь-ий р-п перехід з металево» польовою обкладкою. Досліджувались илади двох типів: з польовою обкладкою без охоплюючого кільця і польовою обкладкою з кільїіем.

випробовування приладів відбувалось в ключовому режимі при ;тоті комутованих імпульсів 10 Ги, скважності 2, амплітуді стру-

0.1А. напрузі стоку 75В і температурі середовища t=85UEJI.

Напротязі оо годин вімовило 50% приладів першої, групи, така тпбільність може бути пояснена міграцією негативного заряду по ;і розподілу Зіог і захисного Фоторезисту з утворенням інвєрсій-о шару на поверхні стоку, охоплююче кільце з позитивним потен-лом стабілізує розподіл заряду по поверхні і мключас інверсію

Мзя.Ч ПМДН .ранзисгор в кремнієвій мембран».

Ь'З/. 5 "e--'tC;'3fvvC’fc,C -ОСФІЧ'Ї-ГГО

:fî«"-'jî»c:'-.' —ксс,-’"'р сссо«и^

ПРОВІДНОСТІ.

ІСПИТИ ВПРОДОВЖ 1000 годин підтверджують ефективність

КОНСТРУКЦІЇ. .

В приладах з напругою пробою більше 400 В використовують високовольтні р-п псрєхоли з обмежувальними КІЛЬЦЯМИ. •

Досліджені різні варіанти захисту р-п переходу з мето» одержання високої напруги пробою. .

Як захисні плівки використовували системи Зіо2 -ФСС, 5і3 нч. Плівка зюготРимана термічним окисленням, фсс - плазмохімічним Методом. бізМіс розкладом моносилану в азоті при зниженому тиску.

В усіх випадках спостерігалась недостатня стабільність пороговоі напруги, що було пов'язано з накопиченням заряду на поверхні Діелектрика на параметри р-п переходу, Запропонований захист приладу наступною системою: ,

Зі - зю2 - термічний. зюг- піролітйчний. - ФСС.

Додатковий шар піролітичного зіОдмав товшину 0.6-0.8 мкм. наносився піролізом моносилану. віяпалювався 1 гетерувався Фосфором паралельно з утворенням затворної системи, сумарна товтина шару діелектрика над охоплюючими кільаями сягала 2.5 мкм. то зменшило величину електричного поля, яке утворюється поверхневими зарядами.

Деградація пробивної напруги приладів з додатковим шаром гіс^ в процесі пасиваші поверхні і іспитів не перевищувала 104.

в главі п’ятій продемонстровано можливість використання високовольтного пмдн ті ізистора. як стабілізатора струму і побудова на базі такого стабілізатора схеми живлення КМОН ІС стійкої до великих перепалів напруги в лінії. '

• в додатку 1 наводяться дані про особистий вклад дисертанта в роботи, шо виконані в співавторстві. . ,

в додатку 2 наведені програми розрахунку опору у шлкритсму стані ПМЛН. транзисторів з віддаленими контактами.

в додатку з наводяться акти про впровадження результатів, що отримані під час виконання дисертаційної роботи в виробництво.

в висновках сформульовані основні висновки дисертаційноі роботи.

1. розроблена нова конструкція високовольтного ПМДН транзистора

з віддаленими контактами витоків від активної частини приладу, яка дас можливість одночасно отримати високі параметри приладів і с достатньо технологічною. і

(Авторське свідоцтво СРСР N1284437!

2. Розроблено спосіб підвищення пробивних напруг високовольтних Мдн транзисторів, який заключасться в підлегуванні областей між сторонами і вершинами сусідніх комігок різними дозами домішки фосфору

(Авторське свідоцтво СРСР N1258264) ■

3. отримані аналітичні вирази розрахунку опору стік-витік ' транзистора з віддаленими контактами витоку і на їх основі розроблене методика вибору оптимальних геометричних розмірів елементарної комІРКі такого' приладу, шо дозволило но 20-25% зменшити площу ряду приладів.

4. Розроблена технологія виготовлення високовольтних ПМД] транзисторів використанням базових технологічних процесів виробництві Мон ІС. Запропонований операційний контроль порогових напру транзисторів за дсіпомогою спеціальної тестової структури.

5. розроблена конструкція високовольтних приладів, ш виготовляються в монокристалічйих кремнієвих мембранах заміст двошарових структур. Розроблено процес створення мембран, Який добі СТИКУЄТЬСЯ З ІСНУЮЧИМ процесом виготовлення ПМДМ ТРаИЗЙСТОРІВ.

6. проведено аналіз погіршення вольт-амперйих характеристик ПМД транзисторів з обмежувальними КІльЦЯІдИ 1 з польовою обкладко; запропоновано спосіб нанесення податкового шару двоокису крєМнію. п забезпечус стабільність параметрів приладів.

7. розроблений на базі еи''оковльткого пмян транзистора стабілізатор струму і стійка до перешкод схема живлення кмон ІС.

0. Результати роботи впровадженні на БО "Гравітон" при розробці і удосконаленні інтегральних схем КРЮ14КТ1. При цьому розмір кристалу зменшений послідовно з 3.7« 3,7мм до 2,5 » 1,8мм і

2,1 * 1.5мм. Розроблені і впроваджені в виробництво ключові транзистори КП921. КП9гі2, КП704. КП936. КП950, стабілізатор СТРУМУ КЖ101. Виготовлено більше 45 млн. приладів;

розроблені напівпровідникові пгилади і схема живлення КМОН ІС. дзволили створити електронний кнопочний номеронабирач для телефонних апаратів, який виготовлений в кількості 178 тис. штук.

Основні результати дисертації опубліковані в наступних роботах:

1,-Геллер В.И, Чабанов Н.Н, Духно С.В, Лагунова В.В, Политанский Л.Ф. Киселев Ю.П.

Разработка электронного ключа на полевых транзисторах для абонентских телефонных устройств широкого применения.- Отчет ПО ОКР “ Бук в“ Гос.регистр. Н993970 - Черновцы 1982. ЗВ о.

2. Геллер В.И, Политанский Л.Ф, Чебанов Н.Н, Духно С.В, Пату-нова В.В, Киселев В.П.

Разработка злекронного ключа на палевых транзисторах для абонентских телефонных устройств - Отчет по ОКР "Бук 2" - Гос.регистр НВ02151-

- Черновцы 198Э. 41 с.

■ 3. Геллер В.И, Политанский Л.Ф, Загорский Н.В. Разработка стаби-

лизатора тока для абонентских телефонных устройств широкого применения - Огчзт по ОКР “вук 4", - Гос.регистр N901574 - Черновцы 1883. 33 с.

4. Геллер В.И, Политанский Л.Ф, Чебаноа Н.Н, Драпака К.В.

Разработка стабилизатора для абонентских телефонних устройств

широкого применения ^ Отчет по ОКР “Бук 5" - Гос.регистр. H201S73 -

- Черновцы І9ВЗ. 29 с.

5. Геллер В.И, Политанский Л.Ф, Палей В.М, Загорский H.В. Устройство согласования ТТЛ элементов с ИДИ' интегральными схемами. Авторское свидетельство «1004489 (СССР)* Кл. ВОЗК 19/08,1983.

8. Геплер В.И, Политанский Л.Ф, Лагунова В.В. Високовольтний ' токойый ключ ХР1014КШ С низким остаточним сопротивлением. //Электронная промышленность: Научно-техн. св. - М. 1985 - вып.7 (145) -

- с. 48-40.

7. ІЬллер В.И, Загорский Н.В, Политанский Л.Ф. Комплект полу-

проводниковых приборов для схем питания КМОІІ БИС. //Электронная про-мнюявость: Ваучно-техн. сб.-И, 19В5 - вып.7 (145) - с,44-45. .

8. Гвллер В.И, Политанский Л.Ф, Сапошикова М.В. разработка мсаріого электронного клоча для подключения исполнительных устройств.

- Отчет по ОКР "Бм.-жр 1“ - Гос.регистр N18589 - Черновцы 1984. 37 с.

л* .

9. Геллер В.И, Политанский Л.Ф, Сапожникова М.В. Разработка мощного электронного ключа с низким сопротивлением для вторичных источников питания - Отчет по ОКР "Бисер 2" - Гос.регистр НУ.10528 -

- Черновцы 1984. 34 с. .

10. Геллер В.И, Политанский Л.Ф, Киселев Ю.П. Мощный високо-

вольтний МДП транзистор. - Авторское свидетельство N1258204 (СССР). Кл. H01L 29/78,1986. .

11. Геллер В.И, Лихобабин Н.В. О целесообразности применения гетероперехода Si-Zn-Se в мощных МДН транзисторах. //Труды второй научно-технической конференции "Материаловедение хальногеаидиых и кислородсодержащих полупроводников" - Черновцы 1986. с. 36.

12. Геллер В.И, Киселев Ю.П. Исследование возможности создания транзистора по типу 20022 с сопротивлением в открытом состоянии менее 0,1 Ом - Отчет по НИР "Бисер 3" - Гос.регистр НУ34241 - Черновцы 1988. 21 с.

13. Геллер В.И, Киселев Ю.П, Политанский Л.Ф. Мощный переклю чающий транзистор КП921. //Электронная промышленность: Научно-техн. сб. - Н., 1988 - вып.8 - с.18.

14. Геллер B.I, Марущак Р.М. Технологічний процес травлення кремнієвих мембран для потужних напівпровідникових виробів. Матеріали наукової конференції присвяченої 120-річчю Черівецького університету

- Чернівці 1995 р. - с.12.

15. Геллер В,И, Политанский Л.Ф, Зингер В.И. Новый техпроцесс создания низковольтных микромешных стабилитронов. //Тезисы докладов конференций. "Новые технологические процессы, обеспечивающие прогресс производства полупроводниковых приборов и интегральных схем ы повышение их надежности" сер.2 Полупроводниковые приборы. - М. - І9ВВ -вып.1-с.16.

16. Геллер В.И, Политанский Л.Ф. Киселев В,П. Новый техпроцесс создания мощных переключающих транзисторов. //Тезиси докладов конференций. "Новые -технологические процессы, обеспечивающие прогресс

производства полупроводниковых приборов и интегральных схем ы повышение их надежности" сер.2 Полупроводниковые приборы. - М. - 1986 -вып. 1, с. 18 -20.

17. Геллер В.І, Політанський Л.Ф. Заявка на винахід Н9505210 від 11.05.1905.

18. Геллер В.И, Бачурин В.В, Бельков А.В, Политанский Л.Ф. НОЛ транзистор с высокой плотностью упаковки элементов //Спедзлектроника сер 2. Полупроводниковые приборы: Научно-техн. сб.- М., 1985. - выл 2 с. 47-51.

19. Геллер В.И, Бачурин В.В, Бычков С.С, Политанский Л.Ф. Высоковольтный низкоомный ИДП транзистор. Авторское свидетельство N1284437 (СССР). Кл. И Н01Ь 29/78,1988.

Геллер В.И. Конструкторско-техлологыческкие методы производства переключающих полупроводниковых приборов на основе ДМДП структур.

Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05-27.01 - твердотельная электроника (включая

функциональную); Особливе конструкторське бюро "Рута”, Черновцы 1997, 3

В работе проведен анализ требований к переключаюпдам приборам на основе ДМДП структур и путей реализации этих требований, разработана конструкция вертикального ДМДП транзистора, которая позволяет получить высокую плотность упаковки элементов, математическая модель такого транзистора, методика оптимизации геометрических размеров элементарной ячейки транзистора.

Приведены практические примеры оптимизации приборов. Разработан технологический процесс изготовления высоковольтных ДМДП транзисторов, показана возможность замены двуслойных кремниевых структур монокристал лическим кремнием.

Разработаны способы обеспечения стабильности пробивших) напряжения совместимые с техпроцессом изготовления высоковольтных ДМДП транзисторов.

Основная часть работы состоит из 5 глав.

Объем диссертации 146 страшщ, 48 рисунков, 5 таблиц, 111 наименований цитированной литературы. • •

Geller V.I. Constructionaly-technological methods of producing switched semiconductor devices on the base of DMOS structures.

Thesis for obtaining of the scientific degree of candidate of technical sciences, speciality 05.27.01 - solid-state electronics ( including functional).

Special designing office "RYTA", Cfiernivtsi, 1997.

In dissertation have been presented analysis of requires for the switched devices on the base of DMOS structures and ways of realisation this requires, construction of highvoltage vertical transistor, which allows to get high density of elements, mathematical model of this transistor, method of optimization of geometric sizes of elemantary cell of transistor. Also have been given practical examples of devices' optimization. Was worked up the technological process of producing of highvoltage DMOS transistors, shown possibility of changing twolayer silicon structures by monocrystaline silicon.. In dissertation was elaborate ways of seeming stability of breaking through voltage , compatible with technological process of producing of highvottage transistors.

The main part of dissertation consist 5 chapters. .

Thesis volume: 146 pages, 48 figures, 5 tables and 111 cited literature sourses.