автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование спектров экситонной люминесценции гетероструктур Ge/Gei-xS1х со слоями нанометровой толщины

ггз

6! 1 п (г/ ")

¡Vtf.il "

На правах рукописи

КАЛУГИН Николай Георгиевич

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ЭКСИТОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР СО СЛОЯМИ НАНОМЕТРОВОЙ ТОЛЩИНЫ

05.27.01 — твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника 01.04.07 — физика твердого тела

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Нижний Новгород — 1997

Работа выполнена в Институте прикладной физики РАН, Институте физики микроструктур РАН (г. Нижний Новгород)

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук Л.К.Орлов

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор И.А.Карпович

кандидат физико-математических наук В.И.Шашкин

Ведущая организация:

Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН (г. Москва)

Защита состоится " 28 " апреля 1997 г. в 14 часов на заседании специализированного совета К 003.38.01 по защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук в Институте прикладной физики РАН (603600 г.Ннжний Новгород ул. Ульянова 46).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института прикладной физики РАН.

Автореферат разослан - ¿в: марта 1997 г. Ученый секретарь

специализированного совета / А.М.Белянцев

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДИССЕРТАЦИИ

Структуры на основе германия, кремния и их твердых растворов вызывают в последнее время значительный интерес в связи с появляющимися при их использовании возможностями улучшешш параметров полупроводниковых приборов. В создании таких структур используются наиболее развитые и широко используемые полупроводниковые, технологии. Можно перечислить целый ряд направлений использования германий-кремниевых структур. Значительные результаты получены в области создания на базе германий-кремниевых структур быстродействующих гетеробиполярных транзисторов, к настоящему моменту они уже работают на частотах свыше 100 ГГц [1]. Германий-кремниевые структуры служат основой приемников излучения среднего инфракрасного (ИК) диапазона длин волн [2]. Развиваются работы по использованию' GeSi структур в качестве источников излучения ближнего ИК диапазона [2].

В то же время несмотря на значительную исследовательскую активность в этой области целый ряд вопросов как прикладного, так и фундаментального характера вплоть до последнего времени остается малоисследованным. В частности, в силу технологических причин слабо изученными оставались гетероструктуры с большим содержанием германия Ge/Gei_xSix, отсутствовали данные о люминесцентных свойствах таких структур, не было детальной информации об энергетическом спектре электронов в таких системах. В отличие от структур на основе соединений А В в германии-кремнневых структурах существенно слабее изучены коллективные взаимодействия в экситонной системе. Практически не

исследовались особенности люминесценции германий-кремниевых структур в сильных магнитных полях, и т.д.

Интерес к структурам ве/Се^Б^ вызван рядом преимуществ, связанных с особенностями зонного спектра этих гетеросистем. В системах Б^БЦ_хСех с большим содержанием кремния, исследованных к настоящему времени наиболее подробно, электроны в зависимости от состава слоев твердого раствора и величин упругих деформаций могут находиться либо в слоях кремния, либо в слоях твердого раствора. При этом дырки в любом случае локализуются в БКЗе слоях. Рассеяние на флуктуациях состава ограничивает возможности создания в слоях твердого раствора транспортных каналов носителей заряда с высокими подвижностями. В структурах Се/ве^Б^ электроны могут быть локализованы либо в слоях ве, либо в слоях твердого раствора, дырки в любом случае локализуются в слоях германия. При этом глубина квантовых ям дырок оказывается значительной, порядка 100 мэВ. Все эти факты делают структуры Се/Се^Б^ наиболее предпочтительным кандидатом для создания быстродействующих полевых транзисторов с каналами р-типа [3].. К настоящему моменту на этих структурах получены лучшие подвижности дырок (около 50000 см^/В с) [4], впервые для всех ОеБ1 структур именно в Ое/ве^Б^ системах наблюдался дырочный квантовый эффект Холла [5].

Помимо высоких подвижностей дырок, в последних исследованиях систем Ое/Ое|.х81х показаны их возможности для получения неравновесных функций распределения горячих дырок, исследования примесных переходов в дальнем ИК диапазоне демонстрируют потенциальные возможности создания приемников этого диапазона на

основе Се/Се^Б^. Интересные результаты можно ожидать от исследований оптических свойств этих гетероструктур в ближнем И К диапазоне. С этим связана актуальность исследований, проведенных в данной работе.

Основные задачи работы можно разделить на несколько групп:

1) Изучение зонной структуры двумерных носителей заряда в гетеросистемах Се/Се^Б^ с квантовыми ямами.

2) Изучение свойств квазидвумерных экситонов в гетеросистемах Се/Се|.х51х с квантовыми ямами.

3) Изучение спиновой подсистемы , свойств экситонов, определение кинетических коэффициентов структур Се/Се^.х$1х в сильных магнитных полях.

4) Отработка оптических методов характеризации структур Се/(Зе-1_х51х

Научная новнзна работы.

Впервые экспериментально наблюдались и исследованы спектры люминесценции структур Ое/Се^Б^ . Показана экситонная природа наблюдаемых линий, выяснены механизмы, ответственные за появление различных линий, в спектрах люминесценции. Продемонстрирована возможность сдвига линий люминесценции структур Се/Се|.х51х в диапазон 1.55 мкм в следствие квантования спектра электронов и дырок.

Впервые экспериментально доказаны локализация и квантование электронов в слоях германия структур ве/Се^Б^ с х=0.1-0.15 и постоянной решетки в плоскости слоев ац=5.629 - 5.641 А. Измеряна

ширина запрещенной зоны напряженных слоев ве в системах Се/Се|.х81х.

В структурах Се/БКт) с тонкими слоями кремния, выращенных с помощью газовой гидридной технологии, наблюдалось динамическое расщепление интерфейсных фононных мод, взаимодействующих через тонкие слои кремния.

Впервые в структурах Се/Ое}.^^ проведены исследования спектров люминесценции в сильных магнитных полях. Показана связь наблюдаемых изменений спектров люминесценции в магнитном поле со степенью локализации носителей заряда из-за размерного квантования. Оценены'величины экситонных факторов Ланде носителей заряда и время жизни экситонов в структурах Се/Се).х81х. Показано, что исследуемое излучение вызвано рекомбинацией спин-ориентированных магнитоэкситонов.

Практическая ценность работы. Полученные в процессе выполнения диссертационной работы результаты и отработанные методики могут быть использованы при оценке параметров и диагностике спектра носителей заряда структур Се/Се^Б^. Интересной является возможность сдвига линий люминесценции систем Се/Се^.х81х в диапазон длин волн «1.55 мкм.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Экспериментально показано, что в гетероструктурах ве/Се!.х51х[111] с х=0.1-0.15 и постоянной кристаллической решетки в плоскости слоев ац=5.629 - 5.641 А электроны локализованы в слоях

германия. В структурах с тонкими (2200 А) слоями германия энергетический спектр электронов размерно квантован.

2. Линии люминесценции структур Се/(3е{_х81х[111] с х=0.1-0.15, ац=5.629 - 5.641 А, и толщинами слоев германия с1де<250 А при низких

температурах соответствуют рекомбинации квазидвумерных экситонов.

3. Линии люминесценции структур Се/Се^.х81х[111] могут быть смещены в диапазон длин волн -1.55 мкм засчет эффекта размерного квантования в напряженных слоях ве .

4. При низких температурах в сильных магнитных полях люминесценция гетероструктур Се/Се 1.х31х[ 111 ] вызвана рекомбинацией магннтоэкситонов. Экснтонные факторы Ланде электронов ge и дырок удовлетворяют соотношению ^ ± йе/3|я4.

5. В структурах Ое/Б^Ш] с тонкими (порядка 4 монослоев) слоями кремния наблюдается динамическое расщепление интерфейсных фононных мод, взаимодействующих через тонкие слои кремния.

Публикации и апробация результатов работы. Основные -результаты диссертации опубликованы в работах [1А-И1А]' и докладывались на 9 Международной конференции по Фурье-спектроскопии (Калгари, Канада, 1993), 1 Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород- Ярославль- Москва, 1993), 5 Международной конференции по геттерированию и инженерии дефектов в полупроводниковых гетероструктурах (СЛОК8Т'93)(Франкфурт-на Одере, Германия, 1993), Международных симпозиумах "Наноструктуры: физика и технология" (Репино, 1994 и 1995), 2 Международной конференции по физике низкоразмерных структур (Дубна, 1995), 23 Международном симпозиуме по составным полупроводникам (15СЗ-23)( Санкт-Петербург, 1996), а также на внутренних семинарах ИПФ РАН и ИФМ РАН.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения,' четырех глав и заключения. Объем диссертации составляет 152 страницы, включая 101 страницу основного текста, 43 рисунка, размещенных на 36 страницах, и список литературы, который содержит 137 наименований и размещен на 16 страницах.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во Введении обоснована актуальность темы, показана ее научная новизна, описаны цели работы.

В Главе 1 проведен обзор современного состояния исследований структур на основе германия, кремния и их твердых растворов, приведены необходимые данные о параметрах зонной структуры и наблюдавшихся методами спектроскопии люминесценции, поглощения и комбинационного рассеяния света эффектах в объемных германии, кремнии, твердых растворах (ЭДН, а также в гетероструктурах на их основе. Кратко приведены результаты теоретических работ о свойствах экситонов, магнитоэкситонов и особенностей их взаимодействия в структурах пониженной размерности.

Первая часть Главы2 кратко описывает особенности газовой гидридной технологии роста и параметры структур Се/Ое1.х51х, исследованных в работе [1А+6А, 8А-И1А]. В основу использованного метода роста положен процесс пиролиза на поверхности нагретых подложек германия поочередно подаваемых порций германа (Сде^Х силана (БШ^) или смеси герман-силан. Высокая степень чистоты исходных газов позволяет получать структуры с концентрацией неконтролируемых примесей п-типа на уровне 10^ см"^. Ряд проведенных структурных исследований, позволивших показать положительные

стороны использованного метода роста [7А], легли в основу Второй части Главы 2.

Вторая часть Глапы 2 описывает результаты исследований спектров комбинационного рассеяния света (КРС) структур Ge/Si (111), выращенных газовым гндрндным методом [7А]. Структурное совершенство исследованных образцов было подтверждено методами рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии, Оже-спектроскопии. Наличие в структурах чистых слоев германия и кремния подтвердили и спектры КРС. Более того, в структурах с ультратонкими ( с толщиной порядка 5 А, что составляет примерно 4 монослоя) слоями кремния в спектрах КРС наблюдалось расщепление линии колебаний связей Ge-Si. В то время как в структурах с более толстыми слоями кремния в спектре наблюдался только один пик колебаний Ge-Si на частоте около 390 см"*, в структурах с тонкими слоями наблюдался дублет, на всех образцах с толщинами кремния 5 А при различии толщин германиевых слоев величина расщепления составляла примерно 6 см"* [7А]. Результаты расчетов дисперсионных зависимостей фононных мод структур Ge /Si [6], проведенный методами теории групп анализ применимости этих расчетов к исследуемым в данной работе структурам [7А], сходство экспериментальных результатов данной работы и работы [7] по исследованию выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией образцов Ge/ Si [100] с тонкими (до двух монослоев) слоями кремния или германия, позволяют объяснить наблюдаемое расщепление взаимодействием интерфейсных Ge-Si фононных мод структур через тонкие промежуточные слои кремния^

Основная, Третья часть Главы 2 посвящена исследованиям фотолюминесценции и свойств экситонов в структурах Ge/Ge^.xSix. Экспериментально исследовались структуры, выращенные на подложках Ge (111). Спектры люминесценции структур Ge/Gcj_xSix содержат в диапазоне энергий переходов 700-800 мэВ две характерных линии [1 А,2А,4А,6А]. Помимо линии, соответствующей излучательным переходам с участием продольных акустических (LA) фононов, в спектрах присутствует интенсивная линия переходов без участия фононов (NP). При низких температурах линии соответствуют рекомбинации экситонов, что подтверждается линейной зависимостью их интегральной интенсивности от интенсивности возбуждающего излучения. В структурах с достаточно толстыми (более 20 нм) слоями германия положения линий LA и NP близки к положению соответствующих линий в объемном германии (714 и 735 мэВ соответственно), в структурах с более тонкими слоями германия происходит вызванный эффектом размерного квантования сдвиг линий в область более высоких энергий [1А,2А,8А].

Размерное квантование энергетического спектра дырок исследованных гетероструктур и их локализация в слоях германия было показано ранее в работах по исследованию квантового эффекта Холла [5]. Анализ сдвига линий люминесценции показывает, что электроны в исследованных структурах также являются двумерными и локализованы в слоях германия [1АД0А], структуры соответствуют типу-I модуляции профиля потенциала. Уже из простейшей модели бесконечно глубокой потенциальной ямы германия, верхние состояния валентной зоны которой заполнены тякелыми дырками с массой поперек плоскости слоя т^ =0.49гП() ( mQ- масса свободного электрона) видно, что наблюдаемый в

спектрах структур с толщинами ям германия порядка 100 А голубой сдвиг линий люминесценции на величину порядка 60 мэВ невозможно отнести только на квантование дырок, их вклад в сдвиг при таких толщинах составит лишь около 15 мэВ.

В слоях германия исследованных структур Ge/Gej_xSix, испытывающих радиальное сжатие в плоскости слоев системы, междолинное вырождение в зоне проводимости снимается, вследствие чего долина L1, лежащая на оси структуры [111] и имеющая тяжелую эффективную массу электронов (me^-'^^=1.58niQ ) поперек плоскости слоев, смещается за .счет деформации вверх по энергии на величину =60 мэВ [8]. Электроны трех других долин (L3) образующих в достаточно толстых слоях Ge дно зоны проводимости, имеют в направлении поперек слоя Ge более легкую эффективную массу ( me-'-,^=0.09mQ ). Разница в величинах сдвига линий люминесценции и величины сдвига уровня энергии дырок относительно края валентной зоны трехмерного германия находится в хорошем согласии с оценкой сдвига нижнего уровня размерного квантования электронов L3 долин германия.

Энергетический спектр носителей заряда структур Ge/Gej.xSix (ill) исследован более подробно [ 10А] путем численного интегрирования уравнения Шредингера с гамильтонианом Латтинжера с учетом деформации в модели прямоугольного профиля потенциала. Свойства слоев структуры и величины разрывов зон описывались на основе теории, предложенной Мартином и Ван-де Балле в работе [9]. Проведены расчеты зонных спектров для исследованных образцов [10А]. Приведены полученные в рамках использованной модели в работе [10] результаты анализа зонных спектров структур Ge/Gej_xSix в широких областях

возможных параметров состава и величин деформации, возможные типы взаимного расположения уровней энергии носителей заряда в слоях германия и твердого раствора. Описаны правила отбора для межзонных оптических переходов между уровнями размерного квантования различных подзон электронов и дырок структур Ое/Се^Б^ [10].

Определена природа наблюдаемой в спектрах бесфононной линии [8А,9А,10А]. В отличие от объемного германия, где причиной появления № линии является рассеяние на примесях, в структурах ве/Се^Б^ к появлению КР линии приводит рассеяние на мелкомасштабных флуктуациях потенциала в слоях твердого раствора и на гетерограницах. С уменьшением толщин слоев германия наблюдается вызываемый проникновением волновых функций носителей заряда в слои твердогсГ раствора рост интенсивности № линии [8А.10А].

При низких температурах разрешается тонкая структура линий люминесценции. Анализ эволюции линий с ростом температуры позволяет проидентнфицировать линии связанных на примеси и свободных экситонов [10А].

Исследованы температурные зависимости спектров люминесценции структур Се/Се^.х81х [9АД0А]. Характерной чертой температурных зависимостей интегральной интенсивности линий от температуры является слабая зависимость (постоянство или слабый рост интенсивности с ростом температуры) вплоть до температур порядка 50 К, затем резкий спад интенсивности люминесценции в районе температур 60-80 К. При этом зависимость интенсивности люминесценции от интенсивности возбуждающего излучения в диапазоне температур 50-70 К остается близкой к линейной, что позволяет объяснить наблюдаемый спад

интенсивности термической диссоциацией экситонов. Оценки энергии связи экситонов по темпу спада интенсивности люминесценции с ростом температуры дают значения около 8-9 мэВ, что подтверждает квазидвумерный характер экситонов в исследуемых структурах [ 1 А,4А,6А,8А,9А].

Анализ спектров экситонной люминесценции исследованных структур Ое/Ое-[.х5!х дает для полной ширины линий на уровне 1/2 максимума интенсивности при температурах ниже 5 1С значения порядка 1.5-2.5 мэВ как для связанных, так и для свободных экситонов [ЮА]. Данные значения значительно выше, чем теоретическая оценка ширины линии свободных экситонов при данных температурах 1.9 к^Т~0.б5 мэВ. Это указывает на то, что механизм уширения линии может определяться двумя причинами: рассеянием экситонов на дефектах (фоновые примеси, шероховатости гетерограниц, мелкомасштабные флуктуации состава твердых растворов и т.д.) и разбросом положения уровней размерного квантования носителей заряда в слоях гетероструктуры из-за вариаций параметров профиля потенциала квантовых ям в структурах с большим числом периодов [ЮА].

Глава 3 посвящена исследованию люминесценции структур ве/Ое|.х51х в магнитных полях. Приложенное к структуре магнитное поле позволяет получать информацию о свойствах спиновой подсистемы, уточнять природу наблюдаемых линий. Изучение экснтонных эффектов в квазидвумерной электронно-дырочной плазме в сильных магнитных полях при низких температурах и высоких концентрациях носителей заряда интересны в связи с изучением различных фазовых переходов в электронно-дырочной системе [11].

Исследовались спектры люминесценции структур Се/Се^_х81х в сильных (до 14 Т) магнитных полях (направление вектора поля перпендикулярно плоскостям слоев структур) при температуре около 2 К. В отличие от оценок величины роста ширины запрещенной зоны слоев германия структур с увеличением магнитного поля, в спектрах люминесценции наблюдаемые сдвиги не выходили за величину экспериментального разрешения, порядка 1-2 мэВ. В то же время в спектрах структур с тонкими (порядка 100 А) слоями германия с ростом величины поля при высоких (порядка 10 Вт/см^ ) интенсивностях возбуждающего излучения наблюдалось появление высокочастотных компонент линий люминесценции [НА]. Наблюдавшиеся изменения линий люминесценции находят объяснение на основе теоретических данных о спектрах носителей заряда в системах Ос/ Ое^_х51х с учетом перемешивания энергетических уровней дырок в магнитном поле [12]. Показана связь расстояния между наблюдаемыми в спектрах компонентами линий с величиной эффекта размерного квантования носителей заряда [11 А]. Исследование эффекта заполнения уровней Ландау с ростом интенсивности возбуждающего излучения позволило оценить концентрации электронно-дырочных пар, показать экслтояную природу наблюдаемых линий [11А1 (наблюдалась характерная для магнитоэкситонов стабильность положения линий излучения при росте степени заполнения для переходов между не полностью заполненными уровнями Ландау [13]), оценить время жизни экситонов т и экситонные факторы Ланде электронов и дырок ge и Оценки дали величину т~10~& с и ^ ± §е/3|~4 [11А]. Благодаря значительным величинам g-фaктopoв, спиновое расщепление уровней энергии дырок является доминирующим в

сильных магнитных полях, что ведет к спиновой ориентации исследуемых магнитоэкситонов. Спин-ориентированный газ квазинульмерных экситонов структур Ое/Се|.х51х является интересным объектом для изучения различного рода фазовых переходов, в частности Бозе-конденсации экситонного газа [11,14].

В главе 4 проведен анализ полученных в работе результатов с точки зрения анализа диагностики качества структур (Зе/Се|_х51х. Проведено сопоставление результатов люминесцентного анализа структур с данными по структуре дефектов в них. Показана ключевая роль качества подготовки подложек для создания эффективно люминесцирующих структур.

В Заключении кратко сформулированы основные результаты, полученные в работе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

1. Впервые экспериментально наблюдались и были исследованы спектры люминесценции структур Се/Се|.х51х. При низких температурах наблюдаемые линии соответствуют рекомбинации свободных и связанных экситонов. Помимо линий излучения с участием продольных акустических фононов германия (ЬА) ., наблюдается интенсивная бесфононная линия (ЫР), ее появление вызвано рассеянием на мелкомасштабных флуктуациях состава в слоях твердого раствора и на гетерограницах.

2. В структурах Се/Се|.х51х с х=0.1-0.15 и постоянной решетки в плоскости слоев ац=5.629 - 5.641 А электроны локализованы в слоях

германия, в спектрах люминесценции структур с тонкими С^ 200 А) слоями германия проявляется размерное квантование энергетического

спектра электронов. Исследуемые в экспериментах экснтоны в структурах Ge/Gej.xSix с данными параметрами являются квазндвумерными.

3. Размерное квантование в напряженных слоях Ge гетероструктур Ge/Gej.xSix позволяет сместить линии люминесценции в диапазон 1.55 мкм.

4. В структурах Ge/Si(lll) с тонкими (до 4 монослоев) слоями кремния наблюдается динамическое расщепление интерфейсных фононных мод, взаимодействующих через тонкие слон кремния.

5. Впервые для структур на основе германия, кремния и их твердых растворов, в структурах Ge/Gej_xSix проведены исследования спектров люминесценции в снльных магнитных полях. Наблюдаемые изменения спектров люминесценции в магнитном поле связаны со степенью локализации носителей заряда из-за размерного квантования. Оценены величины экситонных факторов Ланде электронов ge и дырок gjj в структурах Ge/Gej.xSix, | g^ ± ge /3|«4. Исследован эффект заполнения уровней Ландау при интенсивном оптическом возбуждении структур. Показано, что излучение вызвано рекомбинацией спин-ориентированных магнитоэкситонов. Оцененное время жизни экситонов в исследованных структурах составляет т~10"® с.

/

Основные результаты опубликованы в следующих работах:

1А. Н.Г.Калугин, Л.К.Орлов, О.А.Кузнецов. Наблюдение 2D-3kcjitohhoh люминесценции в слоях Ge периодических гетероструктур Ge/Gej.xSix . Письма в ЖЭТФ, 1993, т.58 N3 с.197-202.

2А. N.G.Kalugin, L.K.Orlov, O.A.Kuznetsov, A.L.Chernov. Photoluminescence of 2D-excitons in Ge layers of Ge/Gej_xSix superlattices. Proc. of 9"1 Int. Conf. on Fourier-Transform Spectroscopy, Calgary, 1993. SPIE Vol. 2089, pp. 268-269.

ЗА. L.K.Orlov. O.A-Kuznetsov. R.A.Rubtsova. A.L.Chernov. V.l.Vdovin, N.A.Gorodilov, N.G.Kalugin. V.I.Gavrilenko. Investigations of 2D hole gas in strained Ge-GeSi superlattices. Sol.St.Phenom., 1993, v.32,33, pp.469-474.

4A. N.G.Kalugin, L.K.Orlov. O.A.Kuznetsov. Photoluminescence of 2D-excitons in Ge layers of Ge-GeSi multiple quantum well structures. Sol.St.Phenom., 1993, v.32,33, pp.475-480.

5A. L.K.Orlov, V.I.Gavrilenko, N.G.Kalugin, M.D.Moldavskaya, O.A.Kuznetsov, R.A.Rubtsova, A.L.Chernov, B.A.Aronzon. Effects of size quantization in Ge layers in strained Ge-GeSi heterostructures. Int.Symp."Nanostnictures:Physics and Technology", Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers. St.Petersburg, June 1993, pp.60-61.

6A. Н.Г.Калугин, Л.К.Орлов, А.Л.Чернов. Наблюдение 2D-3Kciitohob в квантово-размерных слоях Ge периодических гегероструктур Ge-GeSi. Тезисы докладов 1 Российской конференции по физике полупроводников. Нижний Новгород, 1993, т.1 с. 175.

7А. О.А.Кузнецов, Л.К.Орлов, Н.Г.Калугин, Ю.Н.Дроздов, М.Н.Дроздов, В.И.Вдовпн, М.Г.Мнльвидскпй. Структура и спектры комбинационного рассеяния света сверхрешеток Ge-Si, полученных пщрндным методом. ФТТ, 1994, т.36, с. 726735.

8А. N.G.Kalugin, L.K.Orlov, O.A.Kuznetsov, G.Bacquet, M.Brousseau, J.Leotin. Effect of size quantization in exciton luminescence of Ge/Gej_xSix multiple quantum well structures. Int. Symp."Nanostructures: Physics and Technology", Abstracts of invited lectures and contributed papers, St.Petersburg, June 1995, pp. 287-290.

9A. L.K.Orlov, N.G.Kalugin, M.Brousseau, G.Bacquet. The properties of 2D electron-hole gas in Ge layers of Ge/Ge|_xSix periodic heterostructures. Phys. Low-Dim. Struct., 1995, 10/11, pp. 149-156.

10A. L.K.Orlov, V.Ya.Aleshkin, N.G.Kalugin, N.A.Bekin, O.A.Kuznetsov, B.Dietrich, G.Bacquet, J.Leotin, M.Brousseau, F.Hassen. Exciton luminescence in Ge/Gej.xS;x multiple-quant urn-well structures. J.Appl.Phys., 1996, 80(1), pp.415-422.

11A. N.G.Kalugin, A.V.Chernenko, Z.F.Krasil'nik, O.A.Kuznetsov. Magnetoluminescence of Ge/Gej_xSix multiple quantum well structures. 23r<^ Internat. Symposium on Compound Semiconductors, Program and Summaries, St.Petersburg, Sept.1996, p.118.

Цитированная литература:

1. E.Kasper. H.Kibbel, H.J.Herzog, A.Gruhte. Growth of 100 GHz SiGe-HBT structures. Extended abstracts of the 1993 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Makuhari, 1993, p. 419.

2. S.C.Jain, W.Hayes. Structure, properties and applications of GexSij_x strained layers and superlattices. Semic.Sci.Technol., 1991, 6, p.547.

3. H.Yaguchi, K.Tai, K.Takemasa, K.Onabe, Y.Shiraki, R.Ito. Photoreflectance study of interface roughness in Ge/SiGe strained-layer heterostructures. Jpn.J.Appl.Phys., 1994, Vol.33 parti N4B, p.2353.

4. Y.H.Xie, D Monroe, E.A.Fitzgerald, P. J. Silver man, F.A.Thiei, G.P.Watson. Very high mobility two-dimensional hole gas in Si/Gej.xSix /Ge structures grown by molecular beam epitaxy. Appl.Phys.Lett., 1993, 63, p.2263.

5. О.А.Кузнецов, Л.К.Орлов, Р.А.Рубцова, А.Л.Чернов, Ю.Г.Арапов, Н.А.Городнлов, Г.Л.Штрапенин. Квантовый эффект Холла на дырках в напряженных сверхрешетках Ge-Gej_xSix . Письма в ЖЭТФ, 1991, т.54, с.351.

6. P.Molinas-Mata. M.Cardona. Phonon dispersion relations for Ge/Si superlattices grown along the [100] and [111] directions. Superlatt.Microstr., 1991, 10(1), p.39.

7. J.D.White, G.Fasol, R.A.Ganbary, M.A.Gell, C.J.Gibbings, C.G.Tuppen. Vibrational properties of Si/Ge superlattices incorporating biatomic sheets of silicon and germanium. Phys.Rev.B. 1992, v.43, p.1685.

8. Л.К.Орлов, О.А.Кузнецов, Ю.Н.Дроздов, Р.А.Рубцова, Ю.А.Романов, АЛ.Чернов. Энергетические диаграммы и электрические характеристики сверхрешеток Ge-Gej.xSix с напряженными слоями. ФТТ, 1990, т.32, с.1933.

9. C.V.Van de Walle, R.M.Martin. Theoretical calculations of heterojunction discontinuities in the Si/Ge system. Phys.Rev. B, 1986. v.34, p.5621.

10. В.Я.Алешкин. Н.А.Бекин. Спектры электронов и дырок и правила отбора для оптических переходов в гетероструктуре Gej.xSix/Ge. (выходит в ФТП, 1997, т.31 вып. 2).

11. В.Д.Кулаковскин, В.ГЛысенко, В.Б.Тимофеев. Экситонные молекулы в полупроводниках. УФН, 1985, т.147 выпуск 1, с.З.

12. Ю.Г.Арапов, Н.А.Городнлов, В.Н.Неверов. М.В.Якунин, А.В.Германенко, Г.М.Миньков, О.А.Кузнецов, Л.К.Орлов, Р.А.Рубцова, А.Л.Чернов. Квантовый эффект Холла в многослойных гетероструктурах p-Ge/Gej_xSix и энергетический спектр двумерного дырочного газа в магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 1994, т.59 вып.4, с. 247.

13. И.В.Лернер, Ю.ЕЛозовик. Двумерные электронно-дырочные системы в сильном магнитном поле как почти идеальный газ экситонов. ЖЭТФ, 1981, т.80 вып.4 с. 1488.

14. L.V.Butov, A.Zrenner, G.Abstreiter, G.Bohm, G.Weimann. Condensation of indirect excitons in coupled AlAs/GaAs quantum wells. Phys.Rev.Lett., 1994, v.73, p. 304.