автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Структура и свойства пленок металлов и полуметаллов, полученных методом частично ионизированного потока с высокой эффективностью ионизации

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ П Р И ОСОБОЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ

р1 & ОН- -

На правах рукописи

КОНОНЕНКО Олег Викторович

УДК 621.793:184 [621.382]:539.213+539.198]

СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ И ПОЛУМЕТАЛЛОВ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ЧАСТИЧНО ИОНИЗИРОВАННОГО ПОТОКА С ВЫСОКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТЬЮ ИОНИЗАЦИИ

Специальность 05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Черноголовка 1994

Работа выполнена в Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН.

Научный руководитель:

кандидат технических наук Матвеев В.Н.

Официальные оппоненты:

доктор технических наук Крапошин B.C. кандидат физико-математических наук Столяров В.Л.

Ведущая организация: НИИВТ

Защита состоится 1994г. в iO~ час. на заседании

специализированного совета при Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН по адресу: 142432. Черноголовка, Ногинского района, Московской области, ИПТМ РАН.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН.

Ученый секретарь специализированного совета кандидат химических наук

© Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Развитие технологии микроэлектроники проявляет устойчивую тенденцию к повышению степени интеграции микроэлектронных приборов и, как следствие этого, к уменьшению размеров отдельных элементов микросхем. В настоящее время размеры активных элементов достигают 1 - 2 мкм, а ширина соединительных проводящих дорожек - 0,5 мкм. Кроме того, активные исследования в области наноэлектроники, проводившиеся в последние несколько лет, привели к созданию наноструктур с шириной элемнтов, достигающей сотен и даже десятков нанометров. В связи с этим огромное значение приобретает качество тонких пленок, используемых для изготовления элементов микро- и наноэлектронных приборов. Наличие дефектов субмикронных и даже нанометровых размеров может оказывать катострофическое влияние на надежность таких приборов. Свойства пленок должны быть как можно более близкими к свойствам массивного материала. Это позволит использовать материалы микро- и наноэлектроники наиболее эффективно. Для обеспечения этого необходимо использовать высокочистые материалы и методы осаждения пленок, не вносящие в них загрязнений в процессе напыления. Традиционные методы получения пленок не позволяют добиться необходимого качества, поэтому последние два десятилетия идут активные исследования в области разработки новых методов осаждения пленок. Как правило эти методы связаны с ионностимулированным напылением. Бомбардируя поверхность подложки и растущей пленки ионами, можно существенно изменять структуру и свойства напыляемых

пленок. Чем больше отношение количества ионов к нейтральным атомам в потоке осаждаемого материала, тем более существенны эти изменения. Наиболее привлекательными из методов ионно-стимулированного напыления являются методы, использующие бомбардировку ионами самого осаждаемого материала. К ним относятся осаждение потоком ионизированных кластеров (ПИК) и частично ионизированным потоком (ЧИП). Приемуществом этих методов является то, что для бомбардировки используются ионы самого осаждаемого материала, которые не загрязняют получаемую пленку. Однако степень ионизации в источниках, применяемых в этих методах, невелика. В ПИК источниках она не более одного иона на 1000-10000 нейтральных атомов. К началу настоящей работы из литературы было известно, что в ЧИП источниках для металлов степень ионизации от десятых до 1-2 %. Имеющиеся в литературе сведения о структуре и свойствах пленок, полученных этими методами, немногочисленны.

Цель настоящей работы состояла в создании на базе высоковакуумной установки УСУ-4 методики напыления пленок чистых металлов и сплавов с высокой степенью ионизации испаряемого материала.

Для получения пленок были выбраны металлы с низкой температурой плавления (В1 и В1БЬ: Тпл = 270° С), средней температурой плавления (А1: Тп„ = 660° С) и высокой температурой плавления (Ре, Со и ТЬ: Гпл = 1536° С; 1496° С; 1365° С). Висмут и его сплав с сурьмой, в силу своих уникальных свойств, являются перспективными материалами для изучения квантовых и волновых эффектов в пленках. Алюминий широко используется для изготовления металлизации в интегральных микросхемах. Сплав

железа, кобальФа и тербия используется как носитель для магнитооптической записи.

Задачами исследования являлись:

- Разработка источника для напыления пленок чистых металлов и сплавов с высокой степенью ионизации испаряемого материала.

- Исследование влияния условий осаждения (количества ионов в потоке осаждаемого материала и их энергии) на структуру пленок В1, В1БЬ, А1 и БеСоТЬ, полученных методом частично ионизированного потока с использованием источника с высокой степенью ионизации испаряемого материала.

- Исследование электрических свойств пленок В1 и BiSb, полученных методом ЧИП.

- Исследование электромиграционной стойкости пленок А1, полученных методом ЧИП.

- Исследование магнитооптических свойств пленок ИеСоТЬ, полученных методом ЧИП.

Научная новизна работы заключается в следующем:

- Обнаружено, что электронная пушка с кольцевым катодом и фокусировкой электронов электрическим полем позволяет ионизировать пары осаждаемого металла не только за счет бомбардировки встречным потоком электронов, но и за счет полевой автоэмиссии ионов с поверхности расплавленного металла. Такой источник обладает большей эффективностью ионизации, чем традиционный источник частично ионизированного потока, использующий бомбардировку электронами, летящими перпендикулярно потоку осаждаемого материала. Кроме того, такой источник ли-

шен такого недостатка жидкометаллических ионных источников, как образование капельной фазы при высоких скоростях напыления.

- Обнаружено, что напыляя пленки различных металлов и сплавов методом частично ионизированного потока с высокой эффективностью ионизации, можно в широких пределах варьировать их структуру и свойства.

- Обнаружено, что использование зернограничного дизайна в поликристаллических алюминиевых пленках позволяет существенно улучшать их стойкость к электромиграции и вызванным ею повреждениям. Электромиграционная стойкость таких пленок приближается к стойкости монокристаллических пленок алюминия, полученных эпитаксией.

- Обнаружено, что используя метод ЧИП с высокой эффективностью ионизации, можно получать монокристаллические пленки висмута на аморфных подложках непосредственно в процессе напыления, а также поликристаллические пленки сплава висмута с сурьмой, удельное сопротивление которых близко к удельному сопротивлению массивного материала.

- Обнаружено, что аморфные пленки сплава ТЬх(Ре|-уСоу)|-х, полученные методом ЧИП с высокой эффективностью ионизации, обладают повышенными магнитооптическими характеристиками и высокой корозионной стойкостью, что связано с их высокой плотностью и отсутствием посторонних примесей.

Практическая ценность полученных результатов:

- разработана методика напыления пленок металлов и спла-воп частично ионизированным потоком с высокой эффек-

тивностью ионизации, позволяющая получать пленки с нужной структурой и свойствами;

- предложен способ увеличения электромиграционной стойкости алюминиевых межсоединений, позволяющий посредством зернограничного дизайна добиваться электромиграционной стойкости поликристаллических пленок, близкой к стойкости монокристаллических эпитаксиальных пленок алюминия;

- получены монокристаллические пленки висмута на аморфных подложках с отношением сопротивления при комнатной температуре к сопротивлению при 4,2 К равным 7,5;

- получены поликристаллические пленки сплава висмута с сурьмой на аморфных подложках с удельным сопротивлением, близким к удельному сопротивлению массивного материала;

- получены аморфные пленки сплава ТЬх(Ре|-уСоу)|-х, обладающие высокими магнитооптическими характеристиками и высокой корозионной стойкостью, что связано с их высокой плотностью и отсутствием посторонних примесей;

На защиту выносятся:

- увеличение эффективности ионизации паров металлов путем совмещения нескольких способов ионизации, а именно: бомбардировки испаренного металла встречным потоком электронов высокой плотности; автоэмиссии ионов с поверхности расплавленного металла;ионизации с помощью электрического разряда;

- разработанная методика напыления пленок металлов и сплавов частично ионизированным потоком с высокой эф-

фективностью ионизации, позволяющая получать пленки с желаемой структурой и свойствами;

- улучшение электромиграционной стойкости поликристаллических пленок алюминия посредством зернограничного дизайна;

- получение монокристаллических пленок висмута на аморфных подложках непосредственно в процессе напыления;

- получение поликристаллических пленок сплава висмута с сурьмой на аморфных подложках с удельным сопротивлением, близким к удельному сопротивлению массивного материала;

- улучшение магнитооптических характеристик аморфных пленок сплава ТЬх(Ре|-уСоу)|-х путем напыления их методом ЧИП с высокой эффективностью ионизации.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всесоюзном семинаре по границам раздела в материалах электронной техники (Черноголовка, 1989), VI Международной конференции по границам зерен и межфазным границам в материалах (Тессалоники, 1992), российско-французском семинаре по границам зерен (Санкт-Петербург 1993).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 12 работ, 4 статьи находятся в печати, получено 3 авторских свидетельства на изобретение.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Общий объем диссертации составляет 136 страниц, включая 126 страниц основного текста, 41 рисунок, 5 таблиц и список цитируемой литературы из 97 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы работы, сформулирована цель и определены задачи исследования, кратко изложены научная новизна, практическая значимость и основные положения выносимые на защиту, представлено распределение материала по главам диссертации.

В первой главе сделан обзор литературы по методам получения пленок, использующим ионы осаждаемого материала для бомбардировки поверхности растущей пленки. Рассмотрены эффекты, вызываемые присутствием ионов в потоке осаждаемого материала. Показаны приемущества бомбардировки ионами осаждаемого материала перед бомбардировкой ионами инертных газов. Эти приемущества выражаются в самоочистке растущей пленки от примесей газов остаточной атмосферы, адсорбирующихся на поверхности пленки. Самоочистка происходит благодаря распылению примеси остаточных газов ионами осаждаемого материала, сами же ионы не загрязняют пленку при внедрении в нее (как это делают ионы инертных газов) так как являются материалом пленки. Рассмотрены конструкционные особенности метода потока ионизированных кластеров (ПИК), частично ионизированного потока (ЧИП) и автоэмиссионного распыления, их приемущества и недостатки. Приведены литературные данные о влиянии количества ионов в потоке и их энергии на с 1 рук гуру и свойства получаемых пленок. Приведены характеристики пленок, которые могут быть получены при использовании н их методов. Количество ионов в потоке осаждаемого материала при напылении пленок рассмотренными методами, как правило, не превышает 1-2 % из-за недостаточной эффективности

ионизации в источниках. На основании проведенного анализа литературных данных поставлены задачи исследования.

Вторая глава посвящена разработке методики напыления пленок металлов и сплавов частично ионизированным потоком с высокой эффективностью ионизации. Рассмотрена принципиальная схема источника, конструкция которого позволяет существенно увеличить эффективность ионизации испаренного материала, благодаря использованию нескольких способов ионизации, таких как бомбардировка встречным потоком электронов высокой плотности, полевая автоэмиссия ионов с поверхности расплавленного металла, а также с помощью возникающего при определенных условиях электрического разряда в парах напыляемого металла. Описаны свойства источника, такие как мощность, эффективность ионизации, обеспечиваемые скорости осаждения. Показаны особенности испарения в источнике легкоплавких металлов, проявляющиеся в том, что значение эффективности ионизации (которая представляет собой отношение числа ионов, достигших подложку, к общему числу атомов, осажденных на подложку) превышает единицу в несколько раз. Этот эффект объясняется сильным перераспылением пленки во время ее роста из-за высокой плотности облучения ионами, достигающей 1,5-1016 ион/см2, которое вносит ошибку в эффективность ионизации, определяемую как отношение

/цИ/ЛГ0е5р,

где / - ионный ток, ц - мольная доля, V - скорость осаждения, М| - число Авогадро, е - элементарный заряд, 5 - площадь датчика ионного тока, р - плотность осаждаемого материала. Для металлов с высокой и средней температурой плавления эффективность ионизации была от 0,01 до 0,40 при скоростях осажде-

ния пленок от 80 до 4 А/сек, для традиционного ЧИП источника эти значения не превышают 0,01, а для источника, разработанного Ме1 и 0,05 для алюминия и 0,08 для меди и серебра в диапазоне скоростей осаждения 1-10 А/сек.

В третьей главе исследуется структура пленок алюминия, полученных методом ЧИП с высокой эффективностью ионизации, в зависимости от условий осаждения (ускоряющего напряжения) и отжига, а также свойства тонкопленочных проводников, изготовленных из этих пленок, а именно, их электромиграционная стойкость. В главе представлена теория электромиграции в тонких пленках, из которой обосновывается необходимость улучшения чистоты пленок алюминия и улучшения структуры грниц зерен для существенного улучшения стойкости тонкопленочных проводников к электромиграции. Экспериментально показано, что увеличение ускоряющего напряжения при напылении пленок приводит к уменьшению среднего размера зерен в пленках. Вакуумный отжиг при темпертуре 480° С приводит к релаксации структуры пленок, причем, чем выше было ускоряющее напряжение во время напыления пленки, тем больше скорость роста зерен и структура пленки релаксирует более глубоко. Было также обнаружено, что в пленках, полученных при ускоряющих напряжениях 4-6 кВ, вакуумный отжиг обеспечивает релаксацию искажений не только внутри зерен, но и в границах зерен. Изучение морфологических оссобенностей границ зерен показало, что чем выше ускоряющее напряжение при напылении пленок, тем больше они содержат малоугловых и специальных границ после отжига. Далее в главе представлены экспериментальные результаты исследования электромиграции в алюминиевых пленках с различной структурой. Было показано, что пленки с неравновес-

ной, дефектной, а также с переходной структурой, имеют обычную для алюминиевых пленок стойкость к электромиграции (несколько часов при следующих условиях испытаний: плотность тока у = 2-106 А/см2; температура испытаний Т= 300° С).

Пленки с совершенной равновесной структурой обладают необычно высокой для поликристаллических пленок стойкостью к электромиграции (за 200 часов испытаний при] - 2-Ю6 А/см2 и Т = 300° С в пленках не произошло никаких видимых изменений), сравнимой со стойкостью пленок с бамбуковой структурой и монокристаллических пленок. Энергию активации электромиграции в пленках определяли методом скорости дрейфа. Было обнаружено, что в пленках с неравновесной структурой энергия активации равна 0,4-0,5 эВ, что характерно для электромиграции в обычных поликристаллических пленках. В пленках с совершенной равновесной структурой энергия активации увеличивалась до 0,84 эВ, эта величина близка к энергии активации, определенной в пленках с бамбуковой структурой.

Анализ микроструктуры пленок показал, что зернограничная структура оказывает более существенный вклад в стойкость пленок к электромиграции, чем размер зерен, разброс по размерам зерен и текстура. Это позволяет использовать зернограничный дизайн для существенного улучшения стойкости алюминиевых пленок к электромиграции.

В четвертой главе представлены результаты исследования структуры и свойств пленок висмута на мембранах из аморфного нитрида кремния, полученных с помощью описанного во второй главе источника. Показано, что при высоких скоростях осаждения пленок (что соответствует низким значениям эффективности ионизации а) их структура поликристаллическая, а при низких

скоростях осаждения пленок (что соответствует высоким значениям а) их структура монокристаллическая. Оценки средней длины свободного пробега электронов в пленках при температуре жидкого гелия (4,2 К) дают следующие значения: 15 мкм для монокристаллических и 0,2-0,4 мкм для поликристаллических пленок. Эти значения превышают величину длины волны де'Бройля электронов в висмуте 0,1 мкм), следовательно такие пленки пригодны для изготовления наноструктур для изучения волнового транспорта электронов в висмуте.

Также представлены результаты исследования структуры пленок сплава висмута с сурьмой, напыленных на аморфные мембраны из нитрида кремния, в зависимости от условий осаждения. Полученные результаты показали, что структуру пленок, напыленных при различных условиях осаждения, можно разделить на два типа. Первый тип, обнаруженный в пленках, напыленных со скоростью 5 и 18 А/сек (при этих скоростях эффективность ионизации источника а высокая), характеризуется довольно большим размером зерен, низким содержанием дефектов. В пленках было обнаружено большое количество границ зерен, содержащих зернограничные дислокации, отстоящие друг от друга на одинаковом расстоянии (25-50 А). Такие дислокации характерны для границ со слабым отклонением от специальных раз-ориентировок. Второй тип, обнаруженный в пленках, полученных при скорости напыления 50 А/сек, характеризуется довольно малым размером зерен и высокой дефектностью пленок. Измерения удельного сопротивления пленок с различным типом структуры показали, что пленки с первым типом структуры имеют удельное сопротивление, близкое к удельному сопротивлению массивного материала. В этих пленках был обнаружен сильный

классический размерный эффект. Пленки со вторым типом структуры имели удельное сопротивление, почти в 4,5 раза превышающее удельное сопротивление массивного материала. Классический размерный эффект в этих пленках не обнаружен. Однако следует отметить, что даже в этих пленках удельное сопротивление меньше, чем в пленках, полученных эпитаксией другими авторами.

Таким образом, для изучения волновых и квантовых эффектов пригодны пленки с первым типом структуры.

В пятой главе представлены результаты экспериментального исследования структуры и магнитооптических свойств аморфных пленок ТЬх(Ре|.уСоу)1-х, полученных методом ЧИП с высокой эффективностью ионизации, а также, для сравнения, магнет-ронным распылением. Было показано, что пленки сплава ТЬх(Ре1-уСоу)1-х, полученные методом ЧИП с высокой эффективностью ионизации являются аморфными, никаких структурных особенностей в пленках не обнаружено. Пленки имеют коэрцитивную силу Нс - 5 кОе и угол вращения Керра равный 0,5°. Они отличались также повышенной корозионной стойкостью, их магнитооптические параметры сохранялись без изменений в течении месяца при хранении на воздухе без всякой защиты.

Угол Керра в пленках без защитного покрытия, полученных магнетронным распылением, не превышал 0,2°, Нс = 5 кОе. Магнитооптические характеристики этих пленок полностью деградировали при хранении на воздухе в течении недели. Оказалось, что пленки, полученные магнетронным распылением, имеют структурные особенности. В аморфных пленках были обнаружены поликристаллические вкрапления размером до нескольких микрон. Причиной их образования может быть тот факт, что на-

ряду с гетерогенным ростом пленок на подложке, в процессе магнетронного напыления в разреженной атмосфере аргона происходит гомогенное зародышеобразование и разрастание кристаллических частиц, которые затем выпадают на подложку в виде снега. ЕЭХ анализ состава пленок показал, что в спектрах характеристического рентгеновского излучения пленок, полученных магнетронным распылением, наблюдаются заметные по величине характеристические пики /С-линий аргона и хлора. Подобных пиков в спектрах пленок, полученных методом ЧИП, обнаружено не было.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработана установка напыления пленок чистых металлов методом частично ионизированного потока с высокой эффективностью ионизации. Высокая эффективность ионизации достигается благодаря совмещению в источнике нескольких способов ионизации, а именно: бомбардировки испаренного металла встречным потоком электронов высокой плотности; автоэмиссии ионов с поверхности расплавленного металла; ионизации с помощью электрического разряда.

2. Показана возможность управления в широких пределах структурой и свойствами пленок, полученных методом ЧИП с высокой эффективностью ионизации, варьируя параметры осаждения. такие как относительное количество ионов в потоке осаждаемого материала и их энергию.

Показано, что пленки алюминия с неравновесной, дефектной структурой ммеюг невысокую стойкость к электромш рационным повреждениям. Посредством зернограничного дизайна можно сущее шетт улупппп. с тонкое и. ноликрпсчаллнческич

пленок к электромиграции и приблизить ее к стойкости монокристаллических пленок.

4. Впервые получены монокристаллические пленки висмута на аморфных подложках. Отношение сопротивления при комнатной температуре к сопротивлению при 4,2 К в этих пленках равно 7,5 и получено сразу после напыления, без дополнительного отжига.

5. Получены пленки В1БЬ на аморфных подложках с довольно совершенной структурой, удельное сопротивление которых близко к удельному сопротивлению массивного В18Ь.

6. Аморфные пленки сплава ТЬх(Ре!.уСоу)1 -х, полученные методом ЧИП с высокой эффективностью ионизации, обладают повышенными магнитооптическими характеристиками и высокой корозионной стойкостью, что связано с их высокой плотностью и отсутствием посторонних примесей.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Касумов А.Ю., Кононенко О.В., Матвеев В.Н., Копецкий Ч.В. Сандвич-структура. - 1989, А.С. № 1508891.

2. Касумов А.Ю., Кононенко О.В., Копецкий Ч.В., Матвеев В.Н. Баллистический транзистор. - 1990, А.С. № 1577633.

3. Борзенко Т.В., Вдовин В.Е., Касумов А.Ю., Кислов Н.А., Кононенко О.В., Кудряшов В.А., Матвеев В.Н. Сверхпроводящая планарная структура. - 1990, А.С. № 1639364.

4. Кононенко О.В., Матвеев В.Н., Гликман Е.Э., Осипов Н.А. Электродеградация алюминиевых пленок, полученных частично ионизировнным потоком. - Микроэлектроника, 1990, Т. 19, в.2, с. 139-142.

5. Кононенко О.В., Книжник Е.Г., Матвеев В.Н., Фионова JI.K. Структура алюминиевых пленок, осажденных частично ионизированным потоком. - Физика и химия обработки материалов, 1990, № 5, с.74-78.

6. Fionova L.K., Kononenko O.V., Matveev V.N. The structure of aluminum films deposited by partially ionized beam. - Scr. Metal-lurgica et Materialia, 1992, V.51, № 3, p. 329-333.

7. Fionova L.K., Kononenko O.V., Matveev V.N. Electromigration behavior of aluminum films deposited by partially ionized beam. - Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1992, V.239, p. 713-717.

8. Kononenko O.V., Matveev V.N., Titov A.O., Zhorin P.V., Li-sovsky Yu.A., Umpelev A.M. Magnetic properties of amorphous films TbFeCo alloys for magneto-optical information recording. -Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 1992, V.117, p. 119-125.

9. Kasumov A.Yu., Kislov N.A., Kononenko O.V., Matveev V.N. Reproducible fabrication of point contacts 10-100 nm in diameter and their electrical properties. - ФНТ, 1992, T.18, № 5, c.554.

10. Fionova L.K., Kononenko O.V., Matveev V.N. The structure and electromigration behaviour of aluminum films deposited by the partially ionized beam technique. - Thin Solid Films, 1993, V. 227 p. 54-58.

11. Fionova L.K., Kononenko G.V., Matveev V.N. Grain boundaries in deposited aluminum thin films. - Materials Science Forum "Intergranular and Interphase Boundaries in Materials iib'92", ed. Ph.Komninou and A.Rocher, 1993, V.126-128, p. 415-418.

12. Matveev V.N., Kononenko O.V., Khodos I.I. The structure of the films deposited by partially ionized beam. - Proc. of IUMRS-ICAM- 93, Tokyo, Japan, 31 Aug.- 4 Sep., 1993, p. AA-7.

13. Fionova L., Kononenko O., Matveev V., Priester L., Lartigue S., Dupau F. Heterogeneities of grain boundary arrangement in poli-crystals. - Interface Science, 1993, V.l, p. 207-211.

14. Аристов B.B., Горбатов Ю.Б., Иванов Э.Д., Касумов А.Ю., Кислов Н.А., Кононенко О.В., Матвеев В.Н., Николайчик В.И., Тулин В.А., Ходос И.И. Электронно-лучевая нанотехно-логня. - ИПТМ-10. Юбилейный сборник, 1994, с. 120-123.

15. Матвеев В.Н., Кононенко О.В., Левашов В.И. Структура и свойства пленок, осажденных частично ионизированным потоком. - ИПТМ-10. Юбилейный сборник, 1994. с.180-183.

Заказ № 847______Тираж 70 экз.________Р9.94г.

Отпечатано в ТОО "Принт"