-
1993
Лазунин, Юрий Алексеевич
Проблемный характер указанных задач обусловлен сложностью физических процессов, происходящих в твердотельных структурах, а таю® существованием у управляющих СВЧ-устройств двух рабочих состояний, резко различающихся тяду собой по физическим характеристикам и противоречащих друг другу по требованиям режимов низкого и высокого уровней мощности
-
1993
Кузнецов, Сергей Михайлович
Совершенствование элементов полупроводниковых приборов и уменьшение их размеров до субмикронных предъявляет повы-енные требования к локальности и разрешению рентгенодифракционных методов и тем самым стимулируют разработку новьгч рентгенооп-тических элементов для различных схем рентгечодифракииснных исследовании, способных преобразовывать падавшее
-
1993
Когут, Игорь Тимофеевич
Актуальнють теми. Розвиток м1кроелектрон)ки, a ^акож розши-рення сфер використання прилад1в пов'язано в багатьма проблемами. А саме: шдвищення густини упаковки; пеидклд1я;. шдвкиення ст1йкост1 придалiв до фактор1в, щр эшнюють пров1днють шдкладки (температура. св1тло, рад1ац1йн1 впливи 1 т.д.), вдвпливав на величину пара-эитних зв'яашв шж
-
1993
Иванов, Иван Колев
ТПЭЛИ представляют собой активные индикаторы, даивде яркие, высокостабилыше изображения о высокой контрастностью. Текстовая или графическая информация лег;со считывоются при изменяющихся условиях окруязющсй среды и больших углах наблюдения. Они отличаются высокой ударной п ш'.брацксшюЯ прочностью, большими размерами излучающей площади и малой
-
1993
Суворов, Алексей Юрьевич
Прогресс в развитии микроэлектроники я технологии jtípa-1тки полупроводниковых материалов иеразрызно связан с оовер-яствованием как уже известных, ак и потеком новых отодов ¡следования я контроля реальной структуры монокристаллов, ввергаемых воздействии различите технологических операций: жсление. металлизация, травление, ионнал ампгаитация и т
-
1993
Тихомиров, Павел Алексеевич
ЭлектроЗизическио процессы в Ь!ОПТ, как правило, рассматриваются из основе классической даффузноино-дрейфовой («одели (ДДМ) , опясывавдей электрофизические процессы в полупроводниковых структурах. Решение система излинейшх уравнения ДИН в двумерной постановке традиционными методами значительно усложняется, когда неизвестные функции система
-
1993
Коваль, Юрий Иванович
В настояшее время для процессов травления в технологии микроэлектроники характерно ужесточение требований, в частности-, по анизотропии и разрешению. Наиболее распространенные на сегодняшний день плазмо-химичоское и реактивное ионное травление зачастую не позволяют добиться желаемых результатов. Более современные методы, к которым можно отнеси
-
1993
Овчаренко, Евгений Николаевич
Научная новизна. На основе модели смешанного пуаесоковского распределения и измеренных значений тестовых структур создала латодап^, позволяхщая. разделять совокупи?» площадь пластин на еяедукаиэ основные части : -часть площади, где кэт "годных" структур (даже санах простых: одашочиые транзисторы, рэгистора, короткие иртаодишг и т.д.) из-за , того
-
1993
Овчаренко, Евгений Николаевич
Одним из инструментов, используемых для решения зтой задачи является использование специализированных тестовых ячеек и структур. представляющих собой компоненты микросхем и гехполопгееской структуру БИС
-
1993
Корнфельд, Иосиф Николаевич
В основе модели лепит представление о_ смецеііии атомов полупроводника в бездоузлие в результате возбуждения '>лектронпой под-системи кремния мезузолі-ісг-кі атопики ’.'зталла. При этом приори
-
1993
Рубин, Евгений Григорьевич
К моменту постанови! настоящей работы бил накоплен большой теоретический и практический опыт по расчету и применению ЭЭП. В значительной степени этот материал имеет разрозненный характер, что затрудняет его использование при решек;::* конкретных задач. Так, например, расчет электротных микрофонов проводятся или на основе приближенных аналлгачесгия
-
1993
Абрамов, Игорь Иванович
Анализ традиционных подходов физики полупроводниковых приборов, базирунцихся на аналитических моделях, приводит к выводу о невозможности их широкого применения для указанной цели. Это связано с двумя главными причинами, а именно: они не удовлетворяют требуемой степени адекватности моделирования и ориентированы на структуры специальных видов. В то
-
1993
Сарычев, Михаил Евгеньевич
На современном этапе з микроэлектронике происходит переход к субмикронным размерам элементов микросхем и намечаются пути создания нанометровых элементов [1]. Уменьшение размеров элементов приводит к необходимости разработки новых технологий их изготовления, усилению контроля за ходом протекания технологических процессов и вследствие роста нагрузок
-
1993
Дроздовский, Николай Валерьевич
В свлси с этим тробуотся болоэ детальное исследование pin -диодов, что созвано возрастапдолп трвбованпл!51, продьяиляотл! х ксгашксу противоречии« параметров современных управляю« ЖЧ-устройств
-
1993
Фельдштейн, Феликс Исаакович
Факторами, сдерживающими в настоящее время использование перестраиваемых источников когерентного излучения, являются их высокая стоимость, недостаточная надежность и низкая энергетическая эффективность. Кроме того, для многих приложений необходимо получение высоких импульсных и средних мощностей излучения. Особенно важны энергия и мощность при
-
1993
Тарнавский, Станислав Петрович
Согласно идеализированной модели высота барьера Шоттки равна разности между работой выхода электрона из металла и электронным сродством полупроводника. Из этой модели следует, что высота барьера Шоттки должна зависеть от природы металла, однако эксперимент показывает, что это не так. Разрешение этого противоречия, как известно, заключается в том
-
1993
Бондаренко, Евгений Александрович
Перспективным направлением применения полупрогодииксг-« оптоэлектрониых прибороэ ближней ИК области спектра оптического излучения является испоямссамие их а агстемах дистанционного управления, охраниом, пожарной и пр. сигнализации. Вместе с тем анализ параметров и хгргктер?гстпх излучающих диодов и фотоприемникоа ближнего М!( дкгязгекз
-
1993
Сотников, Игорь Леонидович
Формирование таких сверхпроводникоаих приборов как СКВИДы, болометры, СВЧ резонаторы, зттеньюатсры, переключатели и т.д. с высокими эксплуатационными параметрами необходимо проводить из подложках различных типов на основе тонкопленочных слоев, имеющих мзлое число дефектов. Перспективным методом получения таких пленок является магнетронное
-
1993
Люмаров, Павел Павлович
Атусиъностъ темы. При уменьшении минимальных размеров элементов до 0.6 мкм большой интерес в научных исследованиях представляет учет в .аналитических моделях эффектов, полученных с помощью двух- и трехмерных численных решений, основные препятствия для такого усложнения - большая трудоемкость разработки модели и ее низкая вычислительная
-
1993
Антонов, Владимир Николаевич
В настоящее время одним из наиболее 'интенсивно развивающихся направлений исследований физики твердого тела является изучение ¡электронных транспортных свойств низкоразмерных систем. Размерность системы относительно того или иного процесса, влияющего на перенос: заряда, определяется соотношением ее пространственных размеров с масштабами длин
