автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Перезарядка поверхностных состояний в контактах металл-полупроводник в сильных электрических полях

РГ6 од

научно-исследовательский институт физических проблем 1 О [,!ДГ1 ¡003 ИМ. Ф.В.ЛУК1Ш8

На правах рукописи

ТарновскиД Станислав Петрович

перезарядка поверхностных состоянии в контактах металя-полупроводник в снльных электрических полях

05.27.01 - ТБордотэльная элоктроника, микроэлектроника

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва, 1993

Работа выполнена в НИИ физических проблем им. Ф.В.Лукина, Москва

Научный руководитель:

доктор физико-математических наук Гергель В.А.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук Фукс Б.И.

кандидат физико-математических наук Мартынов В.П.

Ведущая организация:

физико-технологичейкий институт РАН

Зашита диссертации состоится "_"_ 1993 г. в

____час. на заседании специализированного совета в НИИ физических

проблем им. Ф.В.Лукина (г.Зеленоград). Отзывы на автореферат 'в двух экземплярах, заверенные пэчатью учреждения, просим направить по адресу: 103460, г.Москва, К-460, НИИ физических проблем им.Ф.В.Лукина.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке НИИ физических проблем им. Ф.В.Лукина.

Автореферат разослан " 1993Г,

Ученый секретарь Специализированного Совета кандидат физико-математических наук

Г

.Н.Мазуренко

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Как известно, микроэлектроника продолжает идти по пути уменьшения размеров элементов интегральных схем с целью повышения степени интеграции, уменьшения потребляемой мощности, повышения быстродействия и улучшения основных параметров полупроводниковых приборов. Это приводит к многократному возрастанию характерных значения электрически полей в полупроводниковых приборах, что, в свою очередь, ведет к проявлению полевых эфХектов, которые ранее были незначительны. Появление втих эффектов существенно изменяет физическую картину работы полупроводниковых приборов и поэтому представляется актуальным их учет при рассмотрении работы приборов.

Основой множестве широко 'распространенных и перспективных полупроводниковых приборов является контакт металл-полупроводник (диод Шоттки). Работа диодов Шоттки основана на переносе основных носителей заряда, т.е. накопления заряда неосновных носителей (обуславливающего снижение быстродействия р-п-переходов) не происходит, поэтому они особенно широко применяются в сверхбыстродействующих полупроводниковых приборах. Такими приборами являются разнообразные импульсные и высокочастотные диода, полевые транзисторы о барьером Шотткц, полевые транзисторы на основе О-легироанных структур, транзисторы о высокой подвижностью электронов и т.д. В полевых транзисторах контакт металл-полупроводник играет роль затвора и управление проводимостью канала осуществляется посредством изменения напряжения обратного смещения барьера Шоттки. Кроме того, барьер Шоттют широко используется в качесве тестовой структуры при изучении свойств полупроводников. В частности, о помощи метода

нестационарной спектроскопии глубоких уровней (НСГУ) можно получать информацию о концентрации ловушек, их энергетических уровнях и сечениях захвата. Этот метод позволяет, также, различать ловушки для основных и неосновных носителей, а также, поверхностные и объемные состояния.

Согласно идеализированной модели высота барьера Шоттки равна разности между работой выхода электрона из металла и электронным сродством полупроводника. Из этой модели следует, что высота барьера Шоттки должна зависеть от природы металла, однако эксперимент показывает, что это не так. Разрешение этого противоречия, как известно, заключается в том, что полупроводешк отделен от металла тонким, туннельно прозрачным -оксидным слоем, который формируется в процессе изготовлений контакта, а на границе этого слоя с полупроводчиком находятся поверхностные состояния, заряд которых создает электрическое поле необходимое для падения значительной части потенциала в оксидном слое.

В рассматривавшихся до сих пор моделях, описывающих поведение поверхновсных ' состояний в контактах металл-полупроводник, ж предполагалась столь высокая степень легирования- полупроводника, чтобы обеспечить достаточно сильное электрическое поле, способное вызвать еф{ект модуляции вероятности ионизации поверхностны: состояний. В этих условиях роль поверхностных состояний в работ барьера Шоттки сводилась лишь к тому, что ьысота барьера Шоттки ю равна разности меаду . работой выхода металла и электронны сродством полупроводника, а определяется энергетическим положение поверхностных состояний.

Как уже говорилось, повышение степени легирования д сравнительно высоких значений, порядка Ю^см"3, увеличивав характерные -электрические поля в приборе до значений порядк

Ю^В/см. В столь сильных электрических полях активизируется перезарядка поверхностных состояний, происходит полевое управление вероятностью их ионизации и эффективная экранировка объема полупроводника от проникновения электрического поля. Это приводит к соответствующим существешшм изменениям основных характеристик субмикронннх приборов с барьерами Шоттки, которые необходимо учитывать в процессе проектирования таких микроэлектрошшх устройств.

Поэтому детальное изучение особенностей процессов перезарядки поверхностных состояний в барьерах Шоттки в сильных электрических полях, является актуальной научно-технической задачей.

Цель работы:

построение и обоснование физической модели перезарядки поверхностных состояний в контактах металл-полупроводник в сильных электрических полях;

- математическое описание работы барьера Шоттки в рамках предложенной физической модели, вывод аналитических выражений для статических и малосигнальных характеристик диодной и транзисторной структур;

- аналитическое описание характеристик барьера Шоттки на О-легированной структуре и полевого транзистора на его основе в рамках предложенной модели полевой перезарядки поверхностных состояний, сравнение теоретических и экспериментальных данных.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

- рассмотрен полевой механизм перезарядки поверхностных состояний в барьерах Шоттки при котором темп захвата электронов на поверхностные состояния пропорционален току туннельной ипжекции

электронов из металла в полупроводник сквозь тонкий слой оксида, а темп выброса электронов с поверхностных состояний экспоненциально зависит от электрического поля в полупроводнике в непосредственной близости от плоскости локализации поверхностных состояний;

показано, что поверхностные состояния, которые в слаболегированных диодах Шоттки (по<101бсм73) не перезаряжаются, а следовательно никак не влияют на характеристики структуры, начинают эффективно перезаряжаться в результате резкой полевой зависимости вероятности ионизации поверхностных состояний в сильных электрических полях при повышении степени легирования диода Шоттки до значений порядка Ю^см-? Эта перезарядка приводит к эффективной экранировке электрического поля от проникновения в объем полупроводника, что существенно сказывается на основных характеристиках барьеров Шоттки и приборов на их основе;

рассчитаны основные статические и малосигнальные характеристики барьеров Шоттки с повышенной'степенью легирования, и транзисторов на их основе: обратная ветвь вольт-амперной характеристики и ее зависимость от температуры; вольт-фарадная характеристика барьера Шоттки и ее зависимость от частоты тестирующего сигнала и температуры; зависимость малосигнальной проводимости от частоты и температуры; зависимость крутизны транзистора с барьером Шоттки от частоты;

- показано, что полевая перезарядка поверхностных состояний является причиной существенного снижения крутизны полевых транзисторов с контактом металл-полупроводник в качества затвора;

- рассчитаны статические и малосигнальные характеристики барьера Шоттки с б-легированием, проведено сравнение экспериментальных и теоретических характеристик, указаны характерные , особенности вольт-фарадной характеристики барьера

Шоттки с б-легированием, которые подчеркивают полевой маханиям модуляции заряда на поверхностных состояниях.

Практическая ценность результатов состоит в следующем:

1. Предложено адекватное описание работы барьера Шоттки в условиях полевой перезарядки поверхностных состояний, которое необходимо учитывать при разработке и проектировании полупроводниковых приборов на основе контакта металл-полупроводник.

2. В предложенной физической модели вскрыты причины, существенно ограничивающие достижение предельных характеристик полевых транзисторов о барьером Шоттки. Развитая модель служит теоретической базой для выработки методов устранения этих причин и следовательно открывает новые возможности улучшения характеристик полевых транзисторов.

3. Предложенная модель может служить инструментом для исследования границы раздела металл-полупроводник. В частности, модель открывает новые возможности для изучения поверхностных состояний в контактах металл-полупровдшж методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней.

4. На основе предложенной модели реализована транзисторная структура о существенно улучшенными характеристиками [51.

Научные положения, выносимые на защиту: I. Физическая модель перезарядки поверхностных состояний в контактах металл-полупроводник с повышенной степенью легирования, показывающая, что повышение степени легирования полупроводника ведет к активизации перезарядки поверхностных состояний, которая обуславливает эффективную экранировку полупроводника от проникновения электрического поля.- ,

2. Теоретическое описание и анализ статических и малосигнальных характеристик барьера Шоттки на основе предложенной физической модели, анализ влияния полевой перезарядки поверхностных состояний. но крутизну полевых транзисторов с контактом металл-полупроводник в качестве затвора.

3. Расчет статических и малосигнальных характеристик барьера Шоттки с б-легированием на основе предложенной физической модели и механизм частотной дисперсии вольтнфарадных характеристик барьера Шоттки с 6-легировашшм слоем.

Аппробация работа. Основные результаты диссертацирнной работы докладывались на научном совете по проблемам физики и химии полупроводников АН СССР в секции полупроводниковые гетероструктуры (Таруса, 1992), международной школе по физике Condensed Matter and Materials Physics St.Petersburg 24 August - 5 September, 1992, научном семинаре в физико-технологическом институте РАН (Москва, 1992), всесоюзной конференции "Физические основы МДП-эдектроники" (Севастополь, 1990), научном семинаре в НИИ "Научный центр" (Москва, 1992); а также научных семинарах в НИИФП (Москва) м МИЭТ (Москва).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано б печатных работ и 2 отчета по НИР.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка цитированной литературы. Материал диссертации изложен на 134 страницах, включая 11 рисунков и список литературы из 69 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении обоснована актуальность темы, дан кратки!! литературный обзор, сформулированы цель работы, научная новизна и практическая ценность полученных результатов, кратко изложено содержание диссертации.

В главе I проводится подробное теоретическое обоснование физической модели перезаряда! ПС в контактах металл-полупроводник в сильных электрических полях. Предполагается в-образннЯ энергетический спектр ПС, причем их концентрация столь вэлпса, что во всем диапазоне рабочих напряжений они практически полностью заполнены электронами, что соответствует реальной ситуации. Рассматривается только область обратных смещений, которая и является наиболее интересной в смысле применения барьера Шоттки в качестве затвора . полевого • транзистора. Рассматривается три возможных механизма изменения заряда поверхностных состояний:

- захват на поверхностные состояния неравновесных электронов инжектированных из металла сквозь ■ туннельно прозрачный потенциальный - барьер между поверхностью металла и плоскостью поверхностных состояний;

- захват на ПС термодинамически равновесных электронов, которые достаточно долго находились в полупроводнике;.

- тепловой выброс электронов с ПС .

Очевидно, при нулевом напряжении первый механизм отсутствует поскольку система находится в термодинамическом равновесии. По мере увеличения напряжения обратного смещения на барьере Шоттки, из-за известного механизма фиксации энергетического уровня поверхностных состояний на уровне Ферми, практически все приложенное напряжение будет падать в туннельно тонком слое

оксида. Это вызовет экспоненциально резкий рост туннельного тока 2 и уже при довольно малых напряжениях ~0,1В концентрация инжектированных из металла неравновесных электронов превысит концентрацию равновесных электронов на поверхности полупроводника, следовательно темп захвата на поверхностные состояния равновесных электронов будет пренебрежимо мал по сравнению с темпом захвата неравновесных инжектированных из металла электронов. При дальнейшем увеличении напряжения обратного смещения темп захвата Сп электронов на ПС будет пропорционален туннельному току. Если поле Ет в слое оксида не очень велико, то реализуется термоактивационно-туннельный механизм инжекции электронов из металла в полупроводник, при котором доминирующий вклад в туннельный ток вносят горячие электроны, обладающие энергией близкой к некоторому определенному значению. В этом случае логарифм туннельного тока пропорционален квадрату электрического поля и для темпа захвата получим следующее соотношение

п2

3 ~ е:фр§-| , (I)

где Ед - константа. Анализ поведения барьера Шоттки именно в этих условиях и рассматривается в диссертационной работе. В главе I определено напряжение при котором происходит переход от одного механизма захвата электронов на ПС к другому.

Как показали В.Карпус и В.И.Перель [11, вероятность ионизации У? глубокого центра зависит от поля по закону

где - константа, а Е0 - поле вблизи ПС со стороны спада потенциальной энергии. Тогда из условия равенства темпов ионизации (2) и захвата (I) следует, что с увеличением поля Е0 в полупроводнике, должно увеличиваться и поле Ет в слое оксида.

С

Определим эту взаимозависимость. Приравнивая темп захвата (I) и темп ионизации (2), после логарифмирования получим

[I]2 - [4нг - •

где Л - очень слабо (логарифмически) зависит от напряжения.

В слаболегированных диодах Шоттки Е0<<Е4~5*Ю4В/см. Это означает, что темп выброса электронов с ПС не зависит от поля и из (3) получим Ет=-ЕкчГх" (Ет<0). Т.е. поле Ет в слое оксида не зависит от напряжения и ПС не влияют на работу барьера Шоттки.

Если же диод Шоттки достаточно сильно легирован, то поля велики и из (3) получим

Величины Ек и Е4 определяются соотношениями, полученными при

выводе формул (I), <2):

^ - р• = •

где д - заряд электрона, ъ - постоянная Планка, Г - температура решетки в энергетических единицах, Тд1 - некоторая эффективная температура, ш0 - масса электрона в слое оксида, ш* - эффективная масса электрона в полупроводнике. В работе [11 показано, что Т всегда больше, чем ТеГ. Для ваАз при комнатной температуре Т/Т0Г~2-3, а то/т*~10. Т.е., как следует из ..(4), о увеличением напряиения поле ЕП) растет на порядок быстрее, чем Е0. Это. означает, что в сильнолегированном диоде Шоттки ПС эффективно экранируют электрическое поле от проникновения в полупроводгаж и значительная часть приложенного напряжения падает в тонком оксидном слое.

Записывается уравнение кинетики перезарядки ПС Шокли-Рида для случая сильных электрических полей и с учетом всех трех упомянутых выше механизмов изменения заряда на поверхностных состояниях. В I

главе уравнение Шокли-Рида совместно с уравнением Пуассона решается лишь для стационарного случая.

Анализируются два возможных механизма туннелирования электронов из металла в полупроводник. При относительно небольших значениях электрического поля в оксиде, туннелирование электрона происходит после предварительной термоактивации до некоторого значения энергии. Известно, что при таком термоактивационно-туннельном механизме инжекции электронов из металла в полупроводник, доминирующий перенос электронов происходит в 2Т-окрестности некоторого значения энергии, называемой энергией перевала. При этом логарифм -уннельного тока пропорционален квадрату электрического поля в слое оксида (2). По мере роста поля в оксиде, туннельный ток растет, а энергия перевала понижается и когда она сливается с уровнем Ферми металла, ток приобретает чисто туннельный характер,.без предварительной термоактивации (механизм туннелирования Фаулера-Нордгейма)

3 ~ . (5)

где Н^ - константа. Определено напряжение при котором происходит переход от термоактивационно-туннельного механизма переноса электронов, к механизму Фаулера-Нордгейма. Получены аналитические выражения для ВАХ барьера Шоттки, а также найдены распределения электрического поля в обедненной области для обоих диапазонов напряжений. ...

Показано, что вследствие более медленной зависимости туннельного тока от шля, экранирование более эффективно при туннелировании по Фаулеру-Нордгейму. Получено аналитическое выражение для концентрации легирующей примеси, превышение которой ведет к эффективной перезарядке поверхностных состояний. Показано, что увеличение крутизны полевого транзистора с барьером Шоттки за

счет повышения степени легирования сопровождается экспоненциально более резким ростом сквозного туннельного тока по сравнению со случаем отсутствия поверхностных состояний.

На основании результатов решения стационарной задачи проведенного в главе I, а также используя полученное в главе I уравнение кинетики перезарядки Шокли-Рида для рассмотренного случая, в главе II анализируется отклик системы на малое гармоническое напряжение. Получены аналитические выражения для основных малосигнальных характеристик барьера Шоттки с учетом перезарядки поверхностных состояний в сильном электрическом поле: вольт-фарадная характеристика, ее зависимость от частоты тестирующего сигнала и температуры, зависимость малосигналыгой проводимости от напряжения, частоты и температуры, а также зависимость крутизны полевого транзистора от частоты и температуры. Зависимость емкости от напряжения на нулевой частоте тестирующего сигнала получена в явном виде.

Известно, чтб инерционность перезарядки поверхностных состояний приводит к тому, что ток смещения имеет компоненту, совпадающую по фазе с напряжением, что проявляется как появление дополнительной малосигнальной проводимости. В главе II показано, что в рассматриваемой системе, запаздывание перезарядки поверхностных состояний приводит к запаздыванию малосигнальной компоненты. электрического поля в оксиде, а следовательно к запаздыванию сквозного туннельного тока, что фиводит к появлению дополнительной реактивной составляющей полного тока.

Показано также, что на частоте много меньшей, чем обратное время перезарядки поверхностных состояний, емкость диода Шоттки многократно превышаем барьерную. Это, очевидно, обусловлено тем, что расстояние от металла до плоскости локализации поверхностных

состояний много меньше длины обедненной области. Следует заметить, что увеличение напряжения обратного смещения ведет к увеличению полей, а следовательно к интенсификации захвата и выброса электронов с ПС, это приводит к резкому уменьшению времени перезарядки ПС и следовательно они более эффективно перезаряжаются на данной частоте. В результате этого рост напряжения на барьере Шоттки сопровождается ростом его емкости.

Анализ полученного выражения для крутизны полевого транзистора с барьером Шоттки на нулевой частоте, показал, что с увеличением концентрации легт-ругацей примеси рост крутизны происходит лишь до тех пор, пока не начнет сказываться экранировка электрического поля поверхностными состояниями вызванная полевыми эффектами туннелирования. Дальнейшее увеличение концентрации легирующей примеси приводит к спаду крутизны. В 'конце главы II приведены численные оценки для оптимальной степени легирования.

В главе III анализируется полевая перезарядка поверхностных состоят® в ö-легированкцх структурах. В барьере Шоттки с ß-легированием легирующая примеоь сосредоточена в плоскости, называемой ö-слоем, удаленной на расстояние несколько сотен ангстрем от поверхности металла. Это расстояние и есть длина обедненной области, которая не зависит от напряжения пока О-слой не истощен. При напряжении V большем, чем напряжение истощения ö-слоя Vß, обедненная область быстро распространяется вглубь полупроводника с увеличением напряжения. В этом случае скорость увеличения длины обеднения с увеличением напряжения определяется концентрацией малкой фоновой примеси. Роль канала в полевых транзисторах на С-легированных структурах играет двумерный электронный газ в окрестности ö-слоя. Специфическое поведение обедненной области барьера Шоттки о ö-легированием о изменением

напряжения, особенно выразительно подчеркивает особенности полевой перезарядки ПС.

В главе III получены аналитические выражения для статических ВАХ как для случая активационно-туннельного механизма инжекции электронов из металла в полупроводник так и для механизма Фаулера-Нордгейма. Показано, что благодаря постоянству (при V<V0) длины обедненной области в О-легированных структурах, в случае активационно-туннельной инжекции, поля в оксиде и полупроводнике изменяются пропорционально поскольку темп захвата и теш выброса электронов с ПС описывается аналогичными законами. В этом случав логарифм тока зависит по квадратичному закону не только от поля в оксиде но и от приложенного напряжения, что существенно• упрощает анализ результатов измерений.

Показано такте, чТо в случае активационно-туннельной инжекции, сквозной ток зависит от температуры по активационному закону, причем соответствующая энергия активации уменьшается с увеличением напряжения. Это связано с тем, что основной перенос электронов из

а

металла в полупроводник сквозь треугольный потенциальный барьер происходит в 2Т-окрестности некоторого значения энергии, которое уменьшается с увеличением поля в слое оксида.

В главе III получены, также, аналитические выражения для малосигнальных характеристик: вольт-фарадная характеристика и ее зависимость от частоты, тестирующего сигнала, зависимость мелосигнальной проводимости от напряжения и от частота, зависимость крутизны полевого транзистора с ö-слоем от частоты. Показано, что все эти характеристики диспергируют на частоте перезарядки ПС, которая, в свою очередь, экспоненциально зависит от приложенного напряжения и от величины встроенного поля. Последнее задается расстоянием от поверхности металла до ö-слоя

при условии достаточно высокой степени легирования в в-слое.

Особенности 3-легированшх структур качественно выявляют полевую перезарядку ПС на вольт-фарадных характеристиках. В главе III показано. что при напряжении V>V0 низкочастотная вольт-фарадная характеристика претерпевает резкий спад, значительно больший, чем барьерная емкость С-легированной структуры. Этот, наблюдавшийся экспериментально факт, объясняется тем, что после истощения ö-олоя длина обедненной области резко растет с напряжением, что ведет к резкому спаду малосигнальной составляющей электрического поля в образце, и следовательно, к резкому спаду амплитуды модуляции вероятности ионизации порерхностных состояний. Таким образом, полевая перезарядка ПС "выключается", что ведет к спаду емкости структуры.

В заключение главы III проводится сопоставление теоретических и экспериментальных результатов и исходя из экспериментальных данных делаются оценки основных параметров предложенной физической модели.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1. Предложена физическая модель, описывающая перезарядку поверхностных состояний в контактах металл-полупроводник в сильных ~105В/см электрических поллх, тенденция к повышению которых вытекает из требований миниатюризации и улучшения характеристик полупроводниковых приборов ( в частности, повышения крутизны полевых транзисторов с контактом металл-полупроводник 'в качестве затвора).

2. Показано, что поверхностные состояния, которые ранее, при низких степенях легирования (по<101бсм~3), лишь определяли, высоту

барьера Шоттки и более никак не влияли на работу прибора, при высоких степенях легирования (по>1017см~3), из-за резкой полевой зависимости вероятности ионизации в сильном электрическом поле, эффективно перезаряжаются и определяют характеристики барьера Шоттки.

3. Полевая перезарядка поверхностных состояний в барьерах Шоттки эффективно экранирует объем полупроводника от проникновения электрического поля, уменьшая эффективность управления длиной обеднения посредством изменения обратного напряжения смещения, что проявляется как низкая, по сравнению с рассчитанной в литературе, крутизна полевого транзистора с барьером Шоттки.

4. Предложенная физическая модель подробно ■ описана математически. Решена, стационарная задача и получены аналитические выражения для статической вольт-амперной характеристики барьера Шоттки в области обратных смещений. Показано, что перезарядка поверхностных состояний обуславливает резкий экспоненциальный рост тока с напряжением, что приводит к увеличению тока утечки затвора полбвых транзисторов на несколько порядков.

5. Получены аналитические выражения для малосигнальных характерней,барьера Шоттки с учетом полевой перезарядки поверхностных состояний: вольт-фарадная характеристика, ее зависимость от частоты и температуры, зависимость малосттнальной проводимости от частоты и температуры, зависимость крутизгш полевого транзистора с барьером Шоттки от частоты и температуры.

6. На основе предложенной физической модели полевой перезарядки поверхностных состояний рассчитаны основные статические и малосигналыше характеристики барьера Шоттки с Э-лепгровакием. Указаны качественные особенности вольт-фарадшх характеристик барьера Шоттки обусловленные О-легировашем.

Цитированная литература I. В.Карпус, В.И.Пероль, Ыногофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле. НЭТФ, 1986, вып. 6(12), с. 2319-2331.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ L СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ:

1. В.А.Гергель, Э.А.Ильичев, Э.А.Полторацкий, А.В.Родионов, С.П.Тарнавский, А.В.Федорекко. Влияние свойств барьера Шоттки на частотную дисперсию крутизны полевого транзистора с барьером Шоттки. Письма в ЖТФ, 1991, том. 17, вып. 14, с. 78-80.

2. Гергель В.А., Ильичев Э.А., Полторацкий Э.А., Родионов A.B., Тарнавский С.П., Федоренко A.B. Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе 0-легированшх структур. ФТП, 1991, Т. 25, вып. 11, о. I870-1876.

3. Гергель В.А., Тарнавский С.П. Туннельно-термическая перезарядка глубоких уровней в барьере Шоттки. I. Вольт-амперные характеристики. ФТП, 1992, т. 26, вып. 7, с. 1330-1334.

4. Гергель В.А., Тарнавский С.П. Туннельно-термическая перезарядка глубоких уровней в барьере Шоттки. II. Дисперсия малосигнальных характеристик. ОТП, 1992, т.26, вып.7, с. I335-1338.

5. Гергель В.А., Ильичев Э.А., Онищенко В.А., Полторацкий Э.А., Родионов A.B., Тарнавский С.П., Федоренко A.B. Полевой транзистор Шоттки. Заявка, N4934493/26, приоритет от 08.05.91, решение о выдаче свидетельства от'06.05.92.

6. Отчет по НИР "Этюд-90" XI3806 (соавтор главы и исполнитель).

7. Отчет по НИР "Зтюд-91" 8Ф01851 (соавтор главы и исполнитель).

18