автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Нелинейные свойства и электронный гистерезис твердотелых СВЧ-структур и их применение в переключателях и ограничителях мощности

РГ6 од

иосдажзшп яштагачзсккя пнтптг

! п i ь

На правах рукописи

ДГОЗДОШОЯ ПШ(0ЛШ ВАЛКРЬЕШИ

!ГХ"ЕПШ СВОЙСТВА Я ЭЛЕКТРОННЫЙ ГПСТ2РЕЗЕС ТПЗРЯОТИШШ

ст-стряшр п га птелзшш в пкшшпахелях и ограшиптеш

ыосзюста.

05.27.01 - Твердотельная электроника и мшфоэл'жтрснккя

авторповрат

диссертации н.ч соискянив учений степепя кпндидпта тпхничясгслх нпук

москвя • 19':г(

/7 . А: - -

S

<

Робота гдполигна и Москоеско.4 экорготачсскси кистатуто.

руководитель: доктор твхьтпвсюи неук профоссср Лебедев 1!.В.

Офяциапышэ оппононти: доктор техшлбщлх наук АлиОин В.Г.

кецдддат толптчостоп ппуя Попсу с В. В.

Водудая организация: научш-нроизБодстаэнаоо предприятии "Салют" (г. Н.Новгород)

Зазята диссертации состоятся "14" иля 1953г. в аудитора Г-4СО в 13 часов СЮ »ста. па заседаний сгоцкалпзкроьгцзюго Со-бото К 033.16.03 пра Московском звдргетачспхоы институте по адресу: Коскаа, ул. Красноказарменная, д. 13, иосковзкка о'мргепиэс-кий институт.

Отзнен б двух екзошлярах, заворешшо почотьа, просш направлять по адросу: 1С5Ш5, ГСП, Москва, £-2501 Красйаказар.!эиааи ул., 14, Совет кШ.

С дпссзртсцяаЗ кото ознакомиться с библиотека института.

Автореферат разослан " # " <&>у>е«-х. 1933 г.

Ученый секретарь специализированного Совета

ОБЩЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность ПРООлеии. Управлявши рШ-дподшэ устройства ¡13Е0СТ1Ш п снроко пригоняются в СВЧ-тоншкэ па протяжении почта 40 лат. Теп но ¡.таиэо, прл кажущейся простота прилета paöoru pln-диола, до пастояиэго времени отсутствует система взглядов, учитывающая их иогшэ&шо пороговио свойства. Эта свойства, дспользуоюго в огрвсгатвллх ыоцпоста и проявлящизся в аокото-puz других устройствах, приводят к "парадоксалыши" результате;!, ПЗ ИаХОДШГСТ до сих пор но только количественного, но я качоствешюго объяснения. К такпм явлониям, нопр:згзр, относится гпсторезис амплитудной характеристики самоуправляслзк pln-дподта ограничителей мощности.

В свлси с этим тробуотся болоэ детальное исследование pin -диодов, что созвано возрастапдолп трвбованпл!51, продьяиляотл! х ксгашксу противоречии« параметров современных управляю« ЖЧ-устройств..

ЦбЛЬВ работа является экспериментальная проверка нродло-кошгай в статье Лебедева И.В. "Иолинайше свойства и хврактиря-:тика СВЧ pin-диодов" (Радиоэлектроника. Изв. пиош. учоО. заве • №Ш1й.-1592. Т.33 -й 10.-С. 17-26) четырехсложной физической лодели pin-диода: численное моделирование и акепчримонталыюо мучение нелинейных свойств различных тгаюн полупроиодмик'.лшх л-раничитолеЯ модности, в том числе электронного гистерезис: их мотлитудных характеристик; акгпприминт&шюо и'.'следопзние сгра-ичитолнй мощности, созданных нн основа илтиглоЯшх полулр .под шкопых структур нового типа, н^длгжишчй п злипко ич '.¡мтент 5031264/25. МКИ Н Ol I 29/06 "ttoy.rjyis'.r.imKOi-ufl orp-.mvr/Tv ли«? •ЛОЛ" (M.Tipi И.В. Л»<5"Л«П, A.C. ЙИЯ?ИЙКов; p-orüHs о ШЛ'НО К17ннтп 24.06.9?): ишо пуг-й .jrvm;!,'

р1п-диодах устройств с кшюа модаостьэ усрзашш.

Цель достанется путем вксЕораюнтальпого взгмшм одиюч-1шх р1в-даодов, как сорило папускагыга, та:: к поен лляхсдоГ:-гых структур, на низком и шсо«:ом уровнях ш:згастм; саздгкппм шгдшшых про грана и проведением па их ослово численного вкак-ршонта,

ПауЧЕЗН ЕОЗйЗКй работа зсклшботся в исследовают н юд1~ вэржденин физической четнрехсло&юй кодэлз рШ-даода; оСъксез-• гаш па основе повой концепции еэлипоЗешх свойств р1п-дподп при больгоЯ вмшитудэ СВЧ-сигнала; исследовании электронного гиста-розаса ограничительных характеристик защитных устройств; изучении путей создания юсокооффокктных ключоглх устройств к ограничителей иоадаостн. Швизна полученных результатов отражена в трех изобретениях, по которым получонн одно аеторскоо спадете льство и два роиэппл о выдаче патентов.

ПРЗКТьЧОСКаа ПС2йОС1Ь работы заключается в получении рз-зультатов, обеспечиваицях базу для суьастЕогшого улучшения характеристик твердотельных управляпзих устройств: стшэлия пороговой н просачивапцэЁся ковщостн, поекпэезя рабочей чсстэть;, снижения мощности управления, повшення рабочей мощности. На защит? выносятся следугщве пояохешш

- экспер: ¡ментальные данные, полученные в результзто цикла проведенных исследований серийно вдпускаэшх и эксперогзнталь-них образцов р!п-даодов, подтверждают четырехслойную Сизичес-кув модель диода, позволяпауп описать механизм его работы и нелинейность характеристик как в диапазоне СВЧ, так и в диапазоне более низких радиочастот:

- причинами бистабильности амплитудных характеристик полупроводниковых диодных и транзисторных устройств являются наличие внутреннего Се случае однодиодного и однотрпнзисторного

огршшчителеЯ мощности) и внезнего (в случав двухдиодного ограничителя модности) делитолэй напряжений п существование внутренней или внешней обратной связи по постоянным и высокочастотным составляющим тока и напряжения;

- ашхзннэ мощности управления pin-даодного ключевого СВЧ -устройства оСэсло'гиваатся путем использования диода, работав- . цэго в бистабильной области амплитудной характеристики, а твкжэ путем включения последовательно с pin-диодом дополнительного детекторного диода, емкость которого значительно превышает емкость pin-даода.

Лосуоверяость подученных оксгоришятзльных и расчетных р<>~ • оультатов обесточена и подтверждена использованием стандарт!па . пзмэрителышх средств диапазона радиочастот и СВЧ-диапаздааrL -

применением современных вычислительных средств - персональных ^

*

компьютеров 1ва РО ЛТ, а также взаимным соответствием расчетных и . * экспериментальных результатов.

Апробация работа. Основные результаты работа докладывались, на Всесоюзной конференции по твердотельной СВЧ злектрошже (г.Киев, 1990), на международной конференции по средствам связи ICCT'92 (г.Пекин. 1992), на межрегиональной конференции по элемо- , нтем и узлам современной приемной и усилительной техники (г.Ужгород, 1991). на двух Всесоюзных конференциях по устройствам и-методам прикладной электродинамики (г.Одесса. 1986 и 1991).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 10 работ, в том числе 1 изобретете. Поданы 2 заявки на изобретения, по которым получены решения о выдаче патентов. Содержэше диссертации отражено также в 4 научно-исследог.ательских отчетах.

Нпучно-исследомтольскиЯ раздел диссертационной работы выполнялся в состсетстиги с ко"■рдкиациошьм плта м тучных йс слелопштЗ AJI СССГ по чдемо "ivzirK -.•«•ni а^л^.нй:/ üv;

1986-91 г.г., раздел 1.5.2.8 "Гмрдот'-.г. нал чаем рс»кч.! :i

-б-

тьхяэ пс клану врвнвйик работ ua iSyO-¿f>''.S it. Foaif-сортационноЯ работ вяодрзш в á сдатоо-ксзсгрукторсхи: íí неуч-га-исслэдоватольсюа рвботаг ОКВ ИЭИ к НТО "Салот-мйфо", ч»о лодтворадшо соотвэтсгвуюдйш докуионтбхн.

Работа СОДОРЯа? введение, S глав, зоклпчонив, силеок литературы, пршкетние (всего 153 сгршгец, вкяэчая 4') гшастра-щй).

В ЯЭРЕОЗ ГйЗЗ2 расгаатр1Шйэтся фжгческая чотирухслсй.нз i модель трогслоаяоЛ полупроволшасосай р1п-сгруктури. Прк э?оы í-слой россьштрявгэтсл как соеок>тшость двух даскретшх ьзаыю-дойствущгж твдг собсЖ областей: обед&гжоЗ ц иообеяшишиа. Об-эдцоккая область босшпссзт сблюй перехода с про^о.дг.юсгямл разлэтшх «птоз. Протпктюсть эткх областей б гас взаншдействие зависят от электрофхзячэсют паракзтроз используемого полупроводника к стопопи его легирования.

Эквивалентная электрическая схема активной области р1л-структуры 1аюот в этом случае вид, существенно отлачааэдДсл от традиционно используемой эквивалентной схош, принЕмапцей во снимание лишь обцув емкость структуры и сопротивление, иунтяру-пцзе эту еюсость и зависящее от постоянной составляадей тока 10. Модель, принятая в настоящей работе, учитывает емкости о5е~ дненной и необеднэнной областей i-слоя и активные сопротивления, иунтирухщЕе эти емкости, каждое из которых зависят от постоянной составляющей тока 10. генерируемого детектирукаей обедненной областью. Такая шдоль позволяет, с одной стороны, учесть угол пролета южектируешх носителей заряда через обедненную часть i-области, играющую основную роль в создании постоянной составляющей тока, протекэпдэго через обе области i-слоя. С другой сторон)!, становятся возможным рассмотрение

СВЧ-икгоданса наобеднепноЯ области и обусловленного км шутрон-Ьэго делателя СВЧ-папряжошШ иезду обедненной я необеднояной областям* 1-слоя. Модель открывает возможности анализа ¿>1и-даода, работающего в полинейном рекиме пря высоком уровне гадаюта, н позволяет обмсшггь малоизученные явления и звгасн-йости, присущие р1п-даодем в диапазонах высоких я сверхвысоких частот. „Указшш предела применимости традиционной шдзля р1я-даода для описшшя его линейных характеристик в качества »¿фэктшгого СВЧ ¡иютевого элемента.

ВО ВгороЗ ?ДЙВ8 показывается, что резко вырзгенная нелинейность скплитудаой характеристики и супэствование области бястабяльностп я электронного гистерезиса являются обг^м свойством полупроЕояпжошх р1п-структур. Они обусловлены указанными пне Езокгодойствием областей полупроводниковой структуры п пагочкен между нгаи электрической обратной связи по СВЧ-току, постоянной составляигзЯ тока н по падепияы СВЧ-напрязоний на отпх областях. Количественные различия нелинейных свойств р1п-структур сводятся в первую очередь к численным значениям характеристической частоты, выае которой начинают резко проявляться указанные свойства, и, в частности, максимальной рабочей частоты ограничителя мощности, где эти свойства утрачиваются и ограничитель теряет самоуправляемость. Частота, при которой начинает проявляться скачкообразный характер амплитудной характеристики. зависит от полной толягам 1-слоя и степени его примесного легирования. При реально используемых полунроэоднихошх материалах, например, кремнии, > 1013 см"' . в случае однородного легирования 1-слоя и наличия резких первхслов тслэдяа обедненного слоя составляет > 10 мкм, в результате чого затрудняется реализация достаточно малого угла пролета через ди-тектирум«''* область, начиная с частот яо'-ддкэ 1...2 ГТц. огз

-ö-

Diof.3 шз свидетельствую? трудтастя, с хоторжк стодкнулясь рсз-работчтш при попытках создания сккупрапляои» ¿кода! . рХа-огрытятедей ншшшзтроБОГО диадеэель.

£рб?Ь£ ГЛйза посвгагенз результата*. вди/лирмгшы и с :«'.'»-ржшнталышх исследований нелипаЯких свойств упра&шциг у ройств с р1п-структураыи.

, Исследования "толстух" р1д-дждои з диапазоне радаочэсто?

■ (0,5...iS МГц) аиявлле суэдстЕованяе JXfsnTopacnpiocKoß «ocso-.„ ты, алоэ которой pln-даод есдат себя подобзо ойхчшгу ani;»rai-

■ тояъяому диоду с р-а-пэроходом. Вяло по© pln-двод ойсздса? рээ-iio шразэннши ыооСачньгй! Еэлзпейпимп сзойствы.ш, в Tcw числе Лютабклыюстью и электронным гистерезисом сыяштудпой характеристики. Ирг этой набладаотся скспсоо'Лргзпсе измэнонпа шгетту-да капрязошга, падащого на диодной структуре, сопровождаемое скачками постоянной составлялся тока.

ЭксшргАюнтальпнэ :геслодоваш;я, связьш&ю с '¿v.u.'. разделом диссертации, проводились с серийно ыятускаешкз гшкаш pin-диодов 2А5ОТ, ZÄ317, 2А535, Из числэншпс к натурных с::ссо-римонтоа следует сходство рассмотрзпвдг бистабялыых явлений у ожшочлыз pln-даодов и аналогичных явлений, установленных ь новых ютах твердотельных СВЧ-устрзйста, которые содержат шунтирующие цепочки из последовательно соодиношшх pln-диода и детекторного диода. Это обстоятельство указывает но сходство процессов взаимодействия по постоянному и СВЧ-токем и СЗЧ- на-пряжогаю внутри р1п-структури ("внутренний делитель") п меадл-одного взаимодействия в указанных СВЧ-устройствах ("внешний делитель"). Можно считать, что ограничительные дпухдкоднне цепочки фактически представляют собою дискретную модель полупроводниковой р1п-структури.

Главной причиной указанных явлений являются дал обстоя-

тэльстеэ, рассиотротшэ в настоящей работо: наличие впутретшго целителя в тгордотельпой структуре п роль пролетных БфГвКТОВ в порой та рассматриваемых областей структуры. Поэтому при повисают рабочей частота, пачяная с укоренных радиочастот, р!п-дпод вэдот себя сначала, как классический Еыпрямнтель, ейэ-гцяй иопотояные детекторную и оюштудоуп характеристики. Даль-пэйзеэ повшеннэ часто га, если время пролета носителей заряда чэроз обвсюгаг/в область ащэ ш превышает 0,2,,-.0,5 пориода колебаний, приводит к пошиенив порога ограничения ввиду упонь-севет доля папрязангия, падахадего па обедненной области, и к зэзпккновекпа и рссакрегш) области бнстаблльпости, что связало с шюдапслии взаимодействием сбоднетюго л иообедпеппого слоев структура. При еще более высоких частотах наступает нарукенш кохЕЕИЗна детектирования за счет роста угла пролета носителей заряда, и диод утрачивает свои нелинейные ограшгштелышо свой-' ства.

В ТЭ"ЗЭР70й Гйаво показано, что изучение явления Спета-блльности (в частности, электронного гистерезиса) имеет не только паучпуэ ценность, но и представляет большой интерес для практических целой. Приводятся результаты экспериментального исследования предложенной в МЭИ пятислойной полупроводниковой, структура типа р*-п-л+~п--п+ (или п+-р-р+-р_-р''). Эта структура создана на основа четырехслойной ©1зичоской модели р1п-диода и содержит, кромо силыгалегировагашх р+ и п+ областей и 1-слоя, сходного с 1-слоем сущоствувдих р1п-диодов. также два дополнительно введенных тонких слоя с резкими границами, ггришкакших к сильнологироп.'ншому слою с противоположным типом проводимости. Эксперименты проводились с экспериментальными образцами 31 структур в диапазонах частот от 3 до 8 ГГц при вхолшх мокноо-

тях. доходящих до 13 Вт. Прове дошше исслодовшшя пятислойдшс структур но только подтвердила их работоспособность - сваю управляемость, которую «о удается получить в обычных риьструктурах при соиакэрииоя тоазшэ 1-слоя, но и дала ова одно вкояорцывктальпоо подтверждение действенности чатырохсдой-ной модэлн рЛа-даода. Ип это ко указывает установленное в настоящей диссертации сходство работа обычных р1л-даодов в даша-зоно радиочастот и диодных ограничительных цепочек в сснгкгэт-ровом диапазоне с работой пятяслойшх полупроводниковых ограшз-чктолышх структур, способных работать в качество ограничительного элемента в еадашюи участко СВЧ-диапазоно . Использовшшз таких структур позволяет преодолеть "частотный барьер" при создании самоуправляемых ограничителей модности и сувествошю повысить их рабочую частоту.

■ В этой же главе описывается новое СВЧ-устройстпо, обладающее . триггерными свойствами. Такое устройство является аналога.) тиристора (или тиратрона) и позволяет создавать управляекаэ защитные устройства и выключатели с пониженной мощностью управления. Это снижение достигается путем использования диода, работающего в бистабильной области амплитудной характеристики, о также включением последовательно с р1п-даодом дополнительного детекторного диода, емкость которого, значительно превышает емкость рт-диода. Получено снижение мощности управления р1п-диодом в 100 раз по сравнению с традиционно используешм способом подачи тока прямого смещения.

В ПЯТОЙ Главе описаны результаты машинного и экспериментального исследовашй управляемых и самоуправляемых СВЧ-уст-ройств на основе половых транзисторов с затвором на барьере Шоттки, а также на основе ил комбинаций с различными типами полупроводниковых диодов. Показано, что эл«ктротшй гистпрозис

Я 0<5ЛЛС?'> СПСТГСШЬПОСТН П??ЛСУ"Л по только р/л-с^уктурсм я

гонги пятаслойным огршгателыим структура/, но я судоствуяпяч гукпоеш транзисторам с барьеров Госттки, Наличие гистерезиса я Оястозллыюсга, как я в случае pln-струтстjrpj, обусловлзпо обря-таягя ев¡»aran, ямэксшся кзяду облястями полупроводниковой трзязясторпой структур;;.

Сугострзотая роль в создании управллгсдх устройств пря-п\%"лгп7 разработка по только доятся я тр.гтаясторгаа структур, :ю я ссздгдаэ 8шктрашсияч8ских систем, стойспзз и характеристики которая наиболее полю сочетаются с возмсдатостяип • голу-просодялвоэдх прзборез. Одной из ттега систем является продло-пешая и "псслэдосвготя новая разновидность ¡етгагральнсЯ вдгаго-даодноя рояетш - тгоореяая "полуревэткч", отличающаяся улябет-гс:.5 вкллчеггоя s изо ключевого полевого тронзистора и позволяю-язя "продвинуть" управляяз» СБЧ-устройствз па пологах транзисторах в короттсоволнопуи часть сантиметрового дяапазояо длин вола, а а перспектива я п галлнматровнй диапазон.

За нлтакп.

Результата проведанных скспзрякепталш/х кссяадоззний и тасхеняого анализа я кодоларовшм могут бить кратко с m дет к злвдугозму.

1. Экспериментально подтсергазкн в сироком диапазоне час-гот (от 0,5 'Я'ц до 10 ГГц) разно шрагошшв пелиноЯнио свойства г полупрегодиикогнх pin-структур, йспольяуегах в совреяюигаи гарзклачатвльгшх и ограничительных СЗЧ-дкодох, приводящие к :уаюстясван;ш бястаСнлмгостк я электронного гистерезиса. Ро-|ультпта экспериментов хорояо согласуется с чмелетпдт рчечо-'сми. Получено экспериментальное лодтверклочио чятар^хслс-йноЯ

модели р!п-структуры^ объясняющей эти свойства и давдей возможность обобщенного анализа и синтеза управляющих устройств да . основе полупроводниковых СВЧ-диодов.

2. Экспериментально исследованы нелинейные свойства новой пятислойкой полупроводниковой структуры, предназначенной для создания самоуправляемых ограничителей СВЧ-мощности. Результаты измерений, проведенных на частотах 3,3.ГГц и Т...0 ГГц, и дополнительных численных расчетов находятся в хорошем соответствии с - физическими представлениями, положенными в основу этой структуры, и могут быть использованы при развитии этого научно-технического направления, позволяющего преодолеть "частотный барьер" на пути разработок защитных устройств в коротковолновом участке СВЧ-диапазона.

3. Экспериментами, проведенными в диапазоне частот Т.,,8 ГГц» установлено суиествование бтстабильности и электронного гистерезиса у современных полевых транзисторов о затвором Шотт-ки, используемых в ключевом режиме, дано физическое объяснение в того нелинейного явления с учетом процессов взаимодействия областей транзисторной структуры и показаны пути его практического использования.

4. Предложены, исследованы и реализованы на макетных образцах: ч

- новая разновидность диодно-транзисторного защитного ог-■ ра! плите ля модности, обеспечивающая высокое быстродействие,

интегрализвцию, а в перспективе - создание на ее базо монолитных входных устройств СВЧ-приемников;

- новая разновидность интегральной электродинамической системы типа резонансной инверсной "полурешетки", позволнщей обеспечить включение ключевых транзисторов и переключательных или ограничительных ГРЧ-диодов:

-13- псглЯ гот полупроводникового СВЧ-устрсйства, продстав-rrrsoro ссСси аналог тпратрсппых игл тяристорпых клотсЗ, оспо-вапгай па пртяяэпга рппэе предложенной ограничительной двух-дттадпой цепочки в роггка управления короткий геягульсом малой МКЗТОСТП.

5. Результата проводешшх исследований попользовали о одной опнтпо-гсоаструкторскоЯ разработке я трех научно-исследовательских роботах ОКБ МОИ п !ШП "Салэт-микро", а тагсээ входят в качестве состепюй части а яаучпо-исследоватольскув работу "Ва-тордоо-ГШГО". пшолпопнуп в ЮН .

в. Основные результаты диссертационной робота отрагяпн в слэдукшх публикациях:

1. Воробьев В.В., Дроздоссткй Н.В. Синтез и статистическая оценка параметров гаюгодиояного полупроводникового СВЧ-шик>-чателя // Всэссгзпая конференция. "Устройства и ьгатоды прпклад-впй.эдаотроданакгага" Тезисы докладов.-Одесса, 1533.-С. 1(3

2. Воробьев В.В., Викторов Б.В., Дрозрвский Н.В. Влияние рлза.юса параметров полупроводниковых диодов на выходные харак-терлстнки твердотельного СВЧ-вшшлатоля// Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1990. Вил. б. С. 24-2Т

3. Дроздовский Н.В. Нелинейные свойства твэрдотелышх СВЧ-огрантитэлей// Средства сеязи: Труды 2 ¡йядународной конференции - Пекин. 1932,-с. 03.03.01-03.03.3 (англ.)

4. Дроздовский Н.В. Гистерезисные свойства полупроводгтко-euz СЗЧ-огрошгтателей// Твердотельная электроника СВЧ: Тез. докл. 12 Всэсовзной НТК - Киев, 1S90.-C. 303

3. Лебедев И.В., Дроздовский Н.В. Быстродействугаий интегральный шжлпчатель для фазового манипулятора миллиметрового диапазона// Межрегиональная научно-техническая конференция "Элементы и узлы современной приемной и усилительной техники"

Тозиса докладов. - Ужгород, 1931 .-С. ВЗ.

6. к. о. 1ТЗТ6ТЗ СССР, изш И 01 Р 1/12. Ограаачнтоль / А.С.Шшшэшов, И.В. Лебедев, И.В. Д1>оздовскк2, Ю.А. Лззушз // Открытая. Изобратецзя. 1222. Т £0.

7. Дроздовсккй И.В., Лэбодав й.В. Иатоцатачаскоэ иадада-ровдага сакоупрашшошх СВЧ-усгроЗств на основа подэшх траа-гпсторов о барьором Шотткн// Всесошнзл коифзропцзя "Устройотаа и котоял прикладной слэктродапЕьшш" Тезисы докладов. - 0д<)ссо. 1811.-0. ОТ

0. Дроздовский Н.В., Лебедев И.В. Ростэт ср&зршэго ослабло та при касхадно« оовдапэшш СВЧ устройств // Раднотокпжа, 1333, Т 3. С. 30-40.

9. Ло&здое И.В., ДроздовскнЯ И.В. Особенности работа полевого транзистора в состав» оамоупрсвляошх ващятшас СВЧ устройств// Семинар АН СССР "Нэлштйшз шсокочаототшэ явления в полупроводниках в полупрово дшковш структурах и проблемы юс применения в одоктроиикэ СВЧ". Тез. до:сладовНадои. 1931С. 33

10. Воробьев В.В., Дроздовский Н.В.. Троввнов В.П. ООгсц-по-плапаргшЯ выключатель двухсантаитрового диапазона №3 вода// Вопросы радиоэлектроники. Сор. Обсте вопроси рплвоадзк-

гроники. 1990. рып. 1Т, С. 33-35