автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Контакты к кремнию на основе силицидов никеля и кобальта

На праній рукогшсіі

Для служебного иольяовешк

У-т,{ г,гл»7.?Г?!2,г'?\О?Т.^32

КОИІТЕЛЬД Иоси-Ъ' Ниуолпярич ’

КСНТЛКІИ К КРШПШ НА . ОСНСВЕ іТиПІІЩСЗ ниїтая К КСЕЛЛЬТА •

05.27.01 - Тьердотольна,-» электроника и микроэлектроника

Л ; I О Р Е 5 " Г Л т

;;иссорта;з’.и на соис/тгс уп^.оЯ степени ::г.нци,глта технйпеаких н:.ук

Работа выполнена на каіедре физики полущоводнлков і; і::пг; —гі'рокп::.! Воронежского государственного уівіБерситигй

Нсучшй гтукоьодитель: ( доктор технически;: наук, профессор . Б.К.Петроіі' •

О^иЦкашдо сппоненсті: доктор физико-і.;г.теі«ітическ;і:< наук,

' ' . • ' про:росор ' ’ .

О.И.Рембеза

кандидат спізико-иатематичосюі:-: паук " В.Л.Терехов '

Ведуї^ая организация: Научно-нсследоізатєльскнй институт •электронной техники г.Воронек

Защита'диссертации состоится " б "__________ЛХйЯ________1Э93 г

в часов на заседании спєциапизирошнного совета

К _63.48.02 при Воронежском государственном университете по адресу:. ЗГ4693^ г.ВоронеЕ, Университетская пл.Т.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке университета .

Автореферат разослал " 6 '■ й п р ел $ ю?з г.

' ' Отзывы на автореферат просим направлять по адресу:

33-1693, г.Воронеж, Университетская пл.І, ПГУ, фипический факультет, ученому секретарю специализированного совета К'063.48.02 , •

д .I;:!.;'-, i •; "i. uiс )j,пv :<::i it

.ryi:r m:.: / : ; ■'■■•vc. .a " v. --ipo::! г- ‘‘лг ;л ь „а: '•рилла. ?- - 'У ■^ '•-''у т'т.г

с; с you . лгпо и •'•!■■ :и.:и ч :<"-с:'1 ::г. ”<порл\ :ллг тг:-> np'cv«?n л отн-':о'лт<*т?::ал ду --г;;’-а .1 ллкь'иа- ■ Л'З, л тлк-.и к.оЛГ"! ^лпзрлг/рл • • 1гтлгнлч. Дудела металл - г:С'/Г,::: о~/:’->-) ‘ 7 '-'лл;,.;^-

«азг.ого взо’лглвр'гсс.м лч п:>:л;у: н^ал: лялл:''. ,-'"ла а.;-

алазтсл о~леа ц-ап-Л'- ^ л-.даула- а : • .лла.. а ■ л; ..ал 1: а;грллплн:;ъ лрлллл:::.; : пааал a; ' ’. гг- у л .'.ул. л.-алла ко»: н нгшэегг'Ч!;:,: л;; бич zr.<.zoCc:i 'г.—При иге:; *. i..o,-.-io

auat'.ciL.i Kour.u.vrjy. стаузлуу иллнр. у - л4:~лл.||... icv*o cr.::i:iinr 0 лалоилл:;;: н рл "'a:r:i :'i. '..a; ла- л ct.: лааллсл ллтлг'‘‘-

турз am лса:.ал1л '.;:r:aa; ::на,,,ала а- л.л с.лалл аллад; :j лл условии г. регзаюз* ::зго?опам«щ стрг'/нгд олаСо. Лрсме rave, тесо~ игчоски псслулнрэваннло улучшение Bcenpos53Bos;,»ocr.s силаин.пнч:: диодов по электрофизическим споистзлм и прийакгиь'з лл парп’кп-р.оз :: парзнетрач адоаяыюго диодя L'Iottku на пракап. о5»:чнэ не достигается, а ::лас раскис над-гл! для оглсьшы та::;», контактов !'опримони:я1 п болылинстз-э случаев. . .

• if ’лемзиту начала иастон^оЯ p:\.1oiu п литер атурз отсу. отi опали результаты исслодоиэдшЯ вопросов деТ-еитосбразозакля п ллигра-шчкоД с силицидам;! области подлог:;;! и влияния образовании* ло~ фактов ка олоатроТлакчостю свойства форч&руемчх контактов. По обсугдалйсь тллко и проблеем ззапкодсПспш т.лнг< гг-'"—•~г; с аричеалл, аа,. :т;;■ /::: ллпатолиа плапгу походного чзталда-

«•лкцидсоЗразойатсля, особенно с :а!ллд!;:аи ill - У ггу::л пплл-здическо.' енотсма, а тз!"„э проблема п.путпн лрмг.сч на сво-:с1г^ !»с!1та1роз с:*-гл!„ид - у :с;;ус jnu-i;::,1-.; льлч^нсь и во-

ipocu порсноаа hscht-здрЛ заряда порот силиии.щг': - ":'.га..п,' pnii-ю паи испроси тибора опткмглыак угтепи;} и рсл^имоп ил ;к:гс-

'03Л31Г,1Л. '

■ Галич соразск, ,2!:оср TGi.ni днсссртулноино;! работы c>:t> ofivc-оелсн а1сгуальностмл и ггруггкчоскс гг'-’гнчост:.-:-' м-р •; тк-*. агач. ,:Гп г,тем л со; -;тл на.’ля» 1-г:рч.гл ко-

галти на осповг силицидов никслi, 1; :сз;гаг:ла ка:; л'но'г л; ; и;,'л алиттл''!': ''илмцидол nc(.?:;o;w ;х чоталлег. ::рс."з т ^го прч ' ' •

■ и.чзсіхи использование этих с;.лици/к.. ь г- • ■

глкшо - ыеталдлзациошпгл. сксхом г тк-с-л> врем." ...•.. • •• •••. • назтси і; имеет определенные перепек іи^:. •

Іилі-. уабс.ти - кчученио свсзи ьле/.тр;. нзкчоских сьоіізлі іі-:-крямляіг.';,»к и іізвштршіпя:с’дізс контактов і: кгомніго п-типа арено;, мос ги на есног.е силицидов никеля и коСа-п-та і: сшіісти прнгранкч-иой области кремниевой подложи, а также влияния у. тип ік-рда-рог.ащіл последней на параметры силишідіпіх контактних структур.

Конкретнее задачи, поставленные в рабзте:

. І. Иі-следовфшя свойств границч раздела и приграничной области подложки о Зависимости от рехишоь поркироьанин силицидов никеля и кобальта. . . .

2. Изучение механизмов образования дефектов в приграничной с силицидом области подложки и их взаимодействия с легкрук;;;ей примесью /фосфором/, ввєдзіеіоґі в исходную пленку металла сили-цндообразователл. . '

. 3. Исследования влияния,,режимов формирования силицидов никеля и кобальта на плектрофизические свойства вупряш: гчщих и невп-прямляш?»х Контактов ттагл - полупроводшп;, образованных на кремши п-типа проводимости,.

.4. ИзучэнИе связи ыозду свойстаа.чи приграничной области кремниевой подлог.ки и электрофизическими свойстваш вілірлшіягаглх и нзвилрязіїуюііріх. контактов металл - полупроводник на основе силицидов никеля или кобальта и крешшя п-типа проводисости.

Научная новизна рабо’т.ч. - ' .

' I. Установлено, что' образование дефектов в приграничной области подлогам гір;і формировании контакта силицид никеля /или кобальта/ - кремний обусловлено аутдиффузией атомов полупроводГшка •. в растуїрій ейлицидннй слой. '

2. Определены коэффициенты диффузии кремния из подлели-;;: в фог шруешй слой силицидов никеля или кобальта. При анализе экспериментально получение: значений оперши активации аутдпф'іузии /0,514 зВ при формировании силицидов никеля и 0,0РА оЗ при' сб-разоваівіп силицидов кобальта/ установлено, что основал.: механизмом дирфузии является миграция атомЬв кремниевой подлсиккн по ие:-доузлиям. ’ .

3.. Предложена модель образования и миграции дефектов .в приграничной области контакта силицид переходного иеталла-ксомішй.

В основе модели лепит представление о_ смецеііии атомов полупроводника в бездоузлие в результате возбуждения '>лектронпой под-системи кремния мезузолі-ісг-кі атопики ’.'зталла. При этом приори-

тотпос'л. пипрг.няс!..:; "..Ч'рацг.л смэцоишх атомов к гуамце раздела, с-бу ело I’лона !;П ! ОТОКГ- • ?С!.*ОВ КГ«аВШ ИЗ НСИ ВСЛ8Д5ТБИЗ Т 3 О Т ;ДО ~ С 3 П СГ О ' ;; '.ЗЛО У. 3 3.'0\: Зг' :_у !':' Г' ■ 3 Л С;' И ПОДЛО/ЛОЙ, СОПрО—

возда^егося сбрлз.,|''!333-'-ч спли' мГ’отз.

■ 4. Получено а ,и!ал!п:иг.;с:<с!! ендс распродолеше доуектоз в ' приграничном слое з здлоз::;л, озрлаованкнх при ср'.злронзнин силицидов на поверхности кра:.паш. Показано, что такое распределение описывается дополнптелым.! интегрален спибох, а значение■ концеп-традли деТ'О^'гов на грлияггз раздела определяете:: р?:шостыз концентраций атомов креьзш в объеме подлоги и в сидициднои слое.

' 5. Энсперикснтааьпоустановлено, что при фор.иро1?ан;ш на по-

верхности кремния силицидов гакеля или кобальта имеет место аномально 'низкотемпературное Л?С0-- 800°С/, ускоренное проникновение в подлохжу ^осп'ора, введенного в пленку исходного металла -едлицидообрагователя. ■ . .

6. Определен;! кооМициептн диМузии фосфора в кремния прл .Т)3р-мироваяии 'на.поверхности подлолж: силицидов никеля или Кобальта. При анализе экспериментально иолученшдс значении энергия активации ускоренной ди-Музии /0,91 эВ при йорлнровапии силицидов никеля и С,"8 пВ при образовании с!!лиц!1дов кобальта/ установлено, что талон процесс осуществляется посредством мигра^;/ нэптраль-1Е!х Е-цектров. Предложен мехашзм ускорения диЖуз^н гз'дмёеей из пленки металла в кремниевую подложку при ^юрмироваши на ее поверхности силицидньх слоев.

''. "•.•сперимонталыю установлена нелинейность зависимостей параметра неидсальнести 0 последовательного сопротивления батн йд Еь:пря!.ил;:::р1х контактов с:-шншд. никеля /или кобапьтаЛкрен-ни,": ч-тила от ’мзмператугз; сплицгдеобр иу-дчго отгига. ■

6. Определенм удельное яоктакпме солротиалсния ,Д невипрям-лз.слих структур :;сгалд-иолупрсьо^нш; на Сомове силицидов : пкелл и кобальта. Показано, что величина Д ■о.ределлетел условиями г:рс-гекания процесса ускоренной ди-Куз:ш Тостера в :«{г "’исвуя подложку при гв с од о',.аз лом шалмедеУхтвип мо:кду никелем /яоОальтом/ лосззосм. ' • • ' .

| Г1. Экспериментально 'установлено, что завискиостиД сг темпо-

атурм и времени силипидообразух-дс! о сг.-л:га качественно сейппдд-•! с зазчсиместямп параметров 0 ' и. ,-т услоплП твердофазного одо:!ствия. Пчгозалс, что рассмотрен!!.ге зависимости имеют г;л-:рл значениях аргумента, опрсдоляс:.:сго ли;:>ь поборем метал-

пмзз

'1

10.’ Пре.-дог.сна. утэч'чмга модель контанго» силющд - кремний, учитпва'%"ал фэрш секшие дефектного клоп в ррюоитастпоЛ области подло.т.!:!», согласно которой вапряиляг-цая структура силиц::.?; переходного металла-кремний п-типа мсг.:ст бить аппроксимирована Совокупность двух барьеров: туннслъно тонкого барьера сшпЩид -слой аки,ептороподоб1и« дефектов и р+- п перехода дефектный слой-'подлохка. При ото;.: оле!:трсф'.зические свойства контакта обусловлено условиями формирования дефектного слоя, егг физическими свойствами, а также процессами переноса носителе!! заряда через р^- п переход.

11. Показано,’ что и'нсЕ1:прямляг.:!>не контакта силицид - кремний

могут быть опиезш предложенной моделью с учетом ускорения диффузии фосфора твердофахнын.взаимодействием. Е этом случае дефектный слой - слой с псвшепным содержанием доноров и электрофизические свойства невшрямляетдах контактов обусловлено процессами . переноса носителей .заряда череп образованный п1-- и переход и условиями формирования и физическими СВОЙСТВОМ!! переходной и+- области. ■ ,

Практическая значимость работп.

1. Установлена связь между условиями гТюрмированпл и физичес-

кими свойствами приграничной области'кремнцевой подлоглли и г>лек-трофпзическнми свойствсц.ш контактов к крзмпию п-ткпа на основе силицидов никеля и кобальта. '

2. Определены оптимальные рс;:;иш формирования силицидов никеля и. кобальта при создании контактов к кромн::-; п-типа на их

'основе. . ,

'3.. Разработаны и защищены авторскими свидетельства!,и технологические процессы получения п+- р кремнисвш; структур и низкотем .пературпого легирования кремния. .

' Результаты исследований данной работы используется ча !1ЛС "Злектроипка" /г.Вороне-/, суммарный долевой экономический р^ек от внедрения результатов составил 510,0 тчс.рублей.

■ Основные положения. вь'нссикю на защиту: ‘

I. Модель образования дефектной области вблизи грани;?! раздела крскниево'.1 подлог.ки с силицидами шкеля пли кобальта. •’,'.еха-

іл!3>.; 'їораірозшсіл до^сктов. .

, 2. "ехашзі! ускорения ди-Т»їузки прккссей із кроіашй я рзоулі— тато Т1’.оп;о-Ьаэпого взопноделствия нетлу мзтзллої: >1 подлет ло.і с образованием силицидов на посерхкдсш. ^

3. Уточненная модель снлицздпсго кснгахга к крзмігл» п-тг.па провод;::'.ссти, учлтпв&'гщал 'ї'орі.глрззаиие дсїчзктисй пароходной об-' ласт;; в приповерхностном слоз подлокки. . . ‘

Лпнсба-н: ;:_гай с ты ■ Результата рабог! дохдадмгплпсь на І !2сз-сс::знсм лостоіннсм ссмнпарз ‘Тнзкптснпораіурпсо лзглрспанле лз- ^ лупроводшіксв її ішогослойг.к структур микро )Л"::тро!!и;:н" /Усті :т:ог.,• І?37г./, ї.£і 29 І'стдулародіїсгі поучно:: :млдо5:г.:у*'У /'. у'ьм-зт'у, ГДР, ІГ8іг./, на І Всесоюзної конТ.ерзніцпі "їлзп'Г'окпе еснопі їі:ор;;о-тольнс!і олектр.->шп:и’7Лин::!!град, 1939г./,. на 3 Взссс-.зюП ;;сг'о-ренціш "5пзпчоокпе основи недс~носгл :і деградации пзлупгоі'о,шн~ псбік пр:боров"Жнп:н!;зв, І-;?Іг./» па Бсесопзнсм. пау'гло-тсхнн'ч-.с-:іг”. ссї'і'нзрз "Плзкатогпсратурннз т' ;:н:лсг;і'-:со::;:о проц.:о;..ц г -\'а-~ ктрон:іі:о"/ІІт.свск, І93Сг./, на 25 Международном коллоккЗ'уч/Лдь-. мепау, ГД’, ІС90г./, на нау\:но-тсхнлчеекоЛ ксн'^еіпу.и "Просіле -їпі ::ачзг?ва :і надо .шоста изделий злектронной їсх’пг.ш, -родг.оглск-троішон аппаратур; и средств улраілоіпщ"/!й::пс;:( ІСОЗг./. •' Губл-лкахни. По томе диссертант опублихозано ІЗ работ, список которнх пригоден- п конце азтзроіората. Вклад азтора .з работ:: занл-ечаетея в проведении охсперлмзпталыгмх псследогяіпЗ п ч совместной с В.С.Пигалолид сбсуцдеіп’л результагоз. ,

■>пуктура и об-оі.; лиссеїугатіи. Диссертационная работа состоит из зведення, четырех глаз Заключения. СбпиП о'л-ом ’рг.бст

ІСО етраіащ, в тем числе II таблиц, *47 рнсутот и ..-

рагу г:’ ;;з 03 найменованії", ’на 10 страницах.

зс;зр:/А!і:з рапог:! .

По ггет"іп!п гбесноран! пчтупльнсатъ ттм:-:, сГ-озмулнгоп'" гол-нс.слодепаки:* и конкрзттге задачи, иостгглеїшпо з гіСстз. :’огз”:;-зл'лг; . сиознмо полоханая, і'т:і:осі:?г:о на залиту. С гг.шучкзх поігизка :: практическая значимость работу. •

?...; г. г г Г: глапо на осноне дзнзнх, п;лзз:;сіпгт:х п -литература к ча~ стглц.ху времени, рассмотрен!: огобгуноетн теентахтеп ”:тзлл - •• лу.хшп-.иик, изготогл^шех енлицилглм способс!. Прззо-ен ечал усл;:::л обраерпа.'пп хснтахт;аіх стг.ултур и сзоЛотп .-о,раас--.нно ■ гр::'!--:;’ рлздзла. Пзло.мони сснсгнг-’с л-:ло-гнчл с:.л:!::-’д”згс :соо-

- в -

' ІГЦ'ОТ'ІГіЛС'іия КОіііУД' І-СК ~ ІК'.'ВЛі; - ' = '■'<У:ІЛІ{ • -і;.:; У

Г"іТ"тл",':п • ;"v .її'.:1.! Б'"1’; 1 По.лгос тг.г.ї'А'4 уделен:» ‘ -::аіг.т.:у і: г.шстаге пор/у pn ваги*:одоГ.стякя металлов о кремнием. up.:гятея осигл.;:.;о ва-конокзгпости рспгонюіі диі'Іузик гак мг-г.аи.;-.'.'! с'ору-і.рргс.іпя сігкл щідоїй Показано, что следует o-j їдать о:>разог:і:й!я ікшс.'о слоя pu Ч, на каждой из1 грата;‘разделе. за йчех дву:: пт;оіі<-:сс:ов: г.нззіізй дгіріужі атомов пр'Ллега.сдсго шпіансніа в ноьуо ^изу тшутреіпоЛ д:*4«|узі:л:. в растущем слоо аіопов второго компонента. Скорость'росаt. НОВОГО СЛОЯ опродсляогся ІШібОЛСО ІЇГДШПиіЛ из ot:tx процессов} т.е» ві{утрен:ІаП даУузисЛ, поскольку она происходит Гг'ТС'і ви.ісценпя вдконгкіі. 33 отой случаз переход ио ют со-гср-іпть г.іпЬ то? атом, по соседству с kwoj/jm расположена иакзн сил, а їірл снскиой д:^*»уз;ш іізр^ход способш соьорзить іісс ато-vj, разполе.-:и:.с:с їй граицг п прст;;иоло;лс^ю позиційні атсиов данного сорта. Пр/.; оіскз .зависипоїль тол^иш ііоііоК бази от в рейсі;;; ^ор;ировсдвй опрздсляоіся т.н. пара(іолкчоскі.и законом рос-"41 > •

■ • • : ~ а£ , /її

гдо й - констіШга, характеризуемая скорость роаісцаи в тпердоіі с;иса спрздздли'г,:: кскОДщиситсм взздшоП ді:Л;уз;:;: ' •

- CL* £ —=■ 0 ' Ш •

- . ні/і ' . ,

где с,р=/гЩ; у- /.-г ^ - к со? їТпгцї існт Ьз«:»ию!3 дпІЛ-усіш прл

.образаізаісіл слея фаси .А*,В*. ' ■ .

.. Ососхплэств СІІПИЦ.ІДНОГО способа изготовления ісонішгтоз оа-ікшаотся в тем» что твердофазная реакция в-тощгошюночгагс стру ктурал ьро'леходит гіегду двумя различіпали тверде.:;! телами: мопо-крпсггдяїчоско:! ирсасіевой подлогам;:' с ковалентной ci»-,.luj і; г.о-•гггллпчозкоЛ иолкозоршстоЛ топко:! плзняоіі с паяикрісталякчсской структуро;!. Са.*.іг.і ват-іи:м в йроцсссо образовашя тонкогшеночпмх скліщпдои является обеспсчзшіо поступления атотов кремшм к песту взаицодзіїсгвия. В глазо I рассмотрены и подвергнуты анализу несколько известию: моделей разрыва связи крс:.гісііі - г решай при низкой температуро. К ю;м относятся: модель "стеклообразной ме-їлОранії" Уояоера и Ееио, ыогузельпая модель ly, модель электронного окраіифовазпи кулоіювгкого взшилодейстокк, отвеч^'-цего за і:овал8іітиуі) связь в полупроводнике, Aiaio Хиршси.

Суцеса:-"ішо;і особешюстьи' енлйцидйого способа является ели

: ; ллі л лл;;л

j . с:;с.о:)

■■ і ...... лл l.i л.ліі ллімл

: л. л,:‘л•л^лл^ллл:. і:.гол:л:!л;;Лі::л

;; у.л.:',,/. л;лн;.лЛ.лг1Л ол лііічг:'

" ... лл ^л.лс ;:j ^.;іііл;;сі; - іллс..

• ■ . і. . J . j ч-. ■ - и С j. ...іі.і'-.іі'иі/ ;і— і : L. і.І ї^ Г Ю C'tjOilTO LH II.!.;

!Г; -і :.v.o:'.iio jjoimio:; ол:::: лллпц

-..•і:...-. і: і г.j.itu.'J t .in і.;; ':лл;:;гглл ‘i-ici/,! : с;

■ • ■ л.ліл.' і..і лл:л;..і і;:.. ;лл.,:. л 1:л,.л,і;: - їЛііПіЛ/їі:

. ‘у ; ' лл: л 'лллі ..■":лл V і 'л............................л_ь.л, ил

■ : і... гл ,...ллл о .. ліллілел: иіололо ::к.ч

- г. і.ллл; :: 'Л-.л. ' !: лл VilЛо:і лл л лл „ ллллл.л.ллллл ^іололо ::::ло ~иг,ь’ л л;:; ллі/!., . 1с .. ллллллЛ л.г ллл.ллл,: л..;.і:: : 'ліиллл;' іл/ллол.. ' ; ч ■ \ л' '■ ■ ї лс-j ,:лл: :" : :лл : л,;. ;:л.:лл: ссл.-.'

' лл.ллл сл; :л л.л\л.: :. л: і: * ” ^ л ‘ і * л. л ■ ..л:.. .лллл.;^ лллллл.'іі.; ^лллліл ї ■' лллл с •. ;л-ліі;х і лл.лл. .'/..ліс., л.:..л:л:л л; і.ллл,. :л лілр,

... г . _

■, Li і .v'.vr. ■ "л-"ли гч '-1’ !'ч“

■ч.Г;;1 г ‘: ■1 л . 1 - ■ О 'J ДЛЧ *л; 1 ’л с

. , ;» fi-:. -.I.vn СО Г T'V ііГ.ГЗ ' л лрСЛСХОДЛТ 1 і':Г,7'г ЛГЛІч.

; гсгаллс. с ■•."■ллпсм о 0: ч'и>рг:;:!оі.: со пттготгук -

; : ; ■• лдлд'лх і'іп > Усталолт: о, >;іи і:;,:- с.С!' і.о кол о:'їч„л::

г. сл j л.сгс il.ii'VHpokaiKo ;'-Югс-іаз»С.2< Сірултур. •

Г: ;.сгу,ч.т-.те ctivuncvrр ллтр.-Уллеил": і*.’» tor кро’Лйт. г. i;;nu яг /;-;л кс'ксл і а/ ц с;иліі:;і'д- «по.*,; уго-чл!:: кищ.'гнго слллут.і) і; і"; ^олдхл:.!. "о: а~г \о, л;о . тгллл: ллого." лзл.;>; слу; тут": ;У:л:л. "л рлг'улл; рллплл-лоил Сг,:л; їллсо іі^стл’з

'Пгяд-":. , чт^ г елучпс 'То; лллл;л;лл <л;лл”л:;о"-ХсОл

льг° гог,-.г-..у.ііі:м л л-: on л а', л. • гЛЛлл лллнлл сллллллноло слсг. ;.:лі:с;с. ллег" Л"::> л.ллл" " и лгл::1::; 7:rc".'j гт і лл подло: лл,' л ;л л с-. о:л"

• схллллдсл нллллл < длллл.чно у-у.;_лолл:ь ••елгллл: : Or, ::л;

Tjc.m it! слоя но rip .дл:;л:л'~лтг.л гоэ^еллллл г; сигу ллкстплллл:;;:, сс ело:; сі::::::;'';:':'! і;*::— лПгод"-ло:■:т лес у'лдлелп! :;л л-л:л: длУуллл гал '] отл ліро.;лглл олллдлдллл о; сев іпл:о:л: х ло'ллллл;

' о / r://L3 il ) n . T ,

9) - 10 іллі (---------------— см‘" с ■ /г/

• ' 4 кї . • • t

_іп / 0;303 г:;! N ,, _т

;',олл 10 ( - ----- ----- j с.>' С~ А/ ■

' • _ к'і ' . . ■

Ь рглол-л..і„ плелол:л.Г* сіл; спохтрлглопхл 'терхлооле.оотлхл:

c.-jvj'iyp /и ~St :і Co-Si олспорлллл::илл:о с. tfij.y.v.Ono сглхчхо j.

сі’2 - ".слоллл гле.-.'о.) кре:::с!:; г- приграючі;-.-; с с;:л;л;лдл:;і о&ихзтя

от ;t:: лоходлога гщхзхолхлгэ распределенв по,-/,о::і:с. 0::: ілс

прсдсл^ллл.ісидііородіи іі аіілчснзд ксііііл, :рацл;і кромлил б іі]:;іі;с

^'аліііглі ofeccT.K і!К.:;о оСъсслиого /исход:іг-го/ оііачз-nvi. Пгл'ліс:; і

ибсльлсс рйохо:.й'.наю :імиет мосто у граііклі раздела с с’,»л.!'п:,т:'

и пг'' углу^:; -л,::: j :\:;::,лл:у сііо уиеіл.іл:отся, п;л:и ілі:п;.:!гргл:л:,

. крэ.чн;"; пп достлі1 пет обьсчпірго знач'оыпк. Искапано, чю здесь

iti't'CT і.іосто процесс Д1;?.1'уз;:и атомоь подлолжіт в опл-тлллл'і сіл

ц;:дн:;л слой, '('ііілдолонл ког і г такой аутд,:.? їуГ'Иі:, раг-і»-.

соотьс5стиічіі:з, дліі струї-лур At- Si к Co-S(\

Я) =• 1.Э.Г7 10'

П ґ 01514 пЧ ) о г

11 ехр ( ------------------J СМ - С 1 /Г)/

i:T

VJ - Г:/;й0 10'10 скр (

_j(j / 0,52ц г'З

■'Г

? -г-

с,1: с

/Ц і! /С/, су-:;'.'-кр. пі'-;

.Г)] - ( (г/і

".:,:о^бргяб;. : : .........'

' г ”. - ' • ' ■’ ^ К/ ' ’ . ' •*

т/пл;-;;-,:: <■.- ”

•■ом .j:lv ’■ ■ ’

;_Г'.гг/ • c,v " г ;; -

• ігг'::с д;:ого ’ч; rvyi ■; ;■ > ;■ -’Г" 7

і г.-..ул'Г'. ‘ ::чс;ї !:ч сисі-..........:;угут',". чч, і’" ■: •" ч

а e::jTCT!n.v; » ч; ;снс;'з V'’:", r.

тгт= т.ат n'I'T;G!’.v 'Ч''-лг':онч f i'vict:;;: г-,‘г’л, г':т:"-

:U‘;t ’псгрг:: :*с-."'^г5<'.і”.;Гї чічч"..'!. ’'чч-г■ у.ч • 1 чч!іл:ч :;;:ч ’л.ч-'"чч.ч! і.бо.■ V. ."'cj r.',"':v..ч ; ~л:.::ч( : r",

т> ’.’л ..... ....... • ■ ■■ : ■■■■ • .

-шіної'у \;;чччч:ч ; . ч: 1 1

... ;■ -;;л .;ч'і ; ........;t. ; -■ • . ... ,

' r'’:'?:: .■ .• • r- ,

"r; n <... ■■ 4 •

ч.чсч; p ; r: u; ..

'чч: л .. .. , . .

:: rnnrwi уг.-учч.ч n her.--; -■

Рис,I. С/:::а рлсіїроделсіг/.і; аткюэ і'ф:.:;їЛіі и пзрохдиого гиталла и пригріГигиюЛ осілаатп і:р-.л:ш;с;гл-:і іюдлокг.іі

л им гс і-пи псд?.гшіс:-у из врсисгіїп отипги хі с;и;у ийрмюкгшш сп-лі:ц,;днсго слоя посго;;ип;о:: рг-птсклу;1. сішчсп.іс коіцг.зи-

урими й'іпшюкЛ на грзлипс раздолс сс-іілпгя п^з-: Ьп:іь’г; і; опро-л;;:х> ріяностю лоидсіпілш;1. атс-іо:;' ?-оиіх:.:о п>-

дісли :: сид'іілідо, . . . •

З главо 2 іі]”/.гсдо» глочит гы!!;о!Прид;о!:лого пре• дсус-.-тсл; і. ирлграл'лчіпіі оСлосіїї, в осьово гоюр-огс летит иалолоііія псзд-ог-лшой і.:од-:ли. Ксщсктрацкя накангпіі полагасаси рілшк*:! галпооти '■■’'■■’гу г:л ;:ст:ьс.ирац..с;! крллзуі п распределен:”;’:

по гг,і.-’об «близл-гр:а;;лиі раздела /рпе.І/ • ' ,

С {х, І ) - Со - С': С\, с) • / /

По;::о\у Сто. рйссі!от]гл:і р^?’-.нд о р;ізіірод-з;,..іш:і гг.чггої педдс- -к:і і: пр;;гран;;<;;міі о с::л;:ц;ідх::; области при усдэшш :к;е теяастса кокцошр'л'щк крем вія па уг;:уСляа:.!ок по п<ір:Лол::'-:гг.!;-:,;у ааг.оц/ граклце раздела и начально:: «гго роснределс-н :і’, р"гне:.; сишто-икгаеп’о кс/:ц;гнтрс:::м ::!с:иі;:я я подле.т.ісе

:\и)*Єг

С\ 0"С<:: лу —-—-

ЬСь

Ы ■ ■' С/А"‘/ ^-'Д ( Л£, І'/ “ С-/ / *^/3 ’

/О '

.;;:.ч:ь X - ілорллнл ; -, сел: 'л~ гсллу:...’f::,rV’e гоодола, -- -

•* л;ТЧ' .О'І' • ‘О \'l лг', * 1' w ' " О'ЭГГС

го, кок ■; мi,' 77777"л 7 :7'л:7 полло 771 гро:ок:с і.

ГУ..77Л7 .-.г,- ;07.7ллл: л-лодол Уліліу - Г л: лкл. У : ооуль-

у -'ллг.-л-дл.: :л ''ллоол "у п: лг;:.г, "-’н.л

и. "7:;;7 у л-дгл олсо 7о;;л7\7:7 ( 7л’j i"--i.оно в едд:;улдг л ;л7іл77лг;70-. •

' ; . р 7- тГ

• • лг} с —■——

. С(ХО:(С-С,) -—-JiL'i— •/■:/ •

■ г г/с -j4-

Jl'T>

/.! '77 7' ЛОЛу'ЛЛЛ'Л О ГЛЛЛ^; 7 Л’ '’"-Р.' , Л.71 У'ЛПУЛУЛ'ЛЛ'О 7 ' ! 77 ;7 7 7777'7Л7П., 5.”: г С!!777’7;7П7 г'УЛ'ОЛ: ЛОуЛО'Л::, 0L' "77Л 7!7" ; 7

рлулятото т7яр"г^і:м:сто 7:л7:ло;:;о::о. лил ко 00 777777773: 7,7 7’* с:-’-г.птсл допслгателыг:.! кіг--оггплс:! глллл:. Глл прогул: Г7лл:

v . . ' ' ^ 1■

773;77‘: “С'~7ТГ7, Л7 7~770Л77: 7Т ’ С:Л7ГЛ7 070; 77 /- ■- • - ! 7 .

рО:::33 СС0Г7СТ0Т7ІЮ іСОрЛі! С ОЛОГЛЛЛ’ЛЛЛТСЛ. • .

Глзпа 07'7г7'7г;сгсл гллод.л'л:, С70Л77!7 -лі ГК1 777ул7т: . пр'нодяллл' »со.:одогт;;*Т. . - •

г;. , ../■ ,r,,,c,,07j. T^:,j лгу 77'7л-

7,7 7"77.Л уолороплл лиУуглл: ’осТл-іл’ 7 :гт777:-;і луї :

слопудоз ліилєлл клгї хоСгльтл tri пу^рлпосол ноллолд;;.

'Гг.:: УСТЗКСЕЛОНС, гг:: тоглосСр гдюллл-; і t-''Пї :"о ? -- ’ 7 '7.

л ллгорілдах тг'7:срлгур: - 'УСС7 длд с.!ст?::п >‘Mi>)/n ■£■■: і;

КС - для с-гот с'."лСо(Р)/п- Si , r услоплл;: ;;-ji ллолрлпіг--

ГО, Г'ЛС И ЯЗСіар.ГЛЧРСХСГО 0Т7ДГ0П 7 777ГГ77777С:! С ГГ>.1ГЛ~7” с::л;7:;удлл 7777.71 і: :с Уольто облоспллулллоллУ! по-,':г 77: 'Уло:л-yorc: слс;1 с плд:_с;П!о;і локУ-н-рл^л:! У~"У,..., ,, 7- ■ ■ .

77 7 И - 7 ■ с::"7”'..,!’7 і " ‘77-’ : -?■•-■ 77

:’л.ЛЛ>.; л;. 7777, '77 7 -'77 1 ’ ' / -■ - • 770 г: • - ' -

"рл/л:;; ::зс ■г;;-:'::-ійс::ог.-і от ,7 7 ■ >.

л:- го ■‘■U>J)/n-5i -л: г\\уу ,л::: ■ . ■

7ЛС7, С777і:770Т7СНЛ0, 7! :77:":Л77 7 71' ' .

■уг См,Є2 ± - лл л У; , (v.

/V

N - I --- - 1 **V ' '

г'"о " ' 'г7 ~ло is С'7777;о::.

Гл л-л •■ооо:':!-:г77":: '7-л- 7'гл - --

- ’ • Л 'ЛЛ 07077’"’ С- :• -

. . - М / . С; • '

■ - . * - 14 - . .

.фузии фосфора

1Ь - 4,27 Ю"7е':р(- ———) см2 с"1 при от~игау. А'і(Р)/II/ ^ - к!

£) = 1*991 10“7г:хр(- - - Э■■-—) си2 с"1 при отжигах Со (Р)//і-5і /\[\1 . кТ

В-ичіо, что.анергия аі{тпвац;ш процессов значительна ниг.е соответствующего значения для.о?5ичіюЛ ди-рЬуэии фостора /3,65 --3,0° гчї/. При отом коз]хт;ицлонти дгДфуэии, определзМнао .иля температур ка упомянутісї вкило интервалов согласно /II/ и /12/, примерно в 10' -10^' раз витз, чем для случая классической диіфузии. Установлено, что наЯден'дао воіглчиші мало отличается от энергии осрации неКт-' раинмх. Е-центров /0,93 зВ/. Следовательно, возмо.эдж механизмом ускоренно)! ди^узии фосфора в кромниД нрл твердо’.-.зном силкцидо-образевачли на поверхности, подцотаи является миграция неіїтраль-іиіх Е-цеИров, -т.е. комплексов вакансия - атом фосфора.

• ' Б р:бото показано, что ускоренное проникновение примесей в подлянку тесно связано с процессом образования дефектов в приграничной с силицидами области, механизм которого рассмотрен в главе -Й. ІІрії сшигц;ідообр?зу:-с:;си от: пите систем:-! икксль /или кобалът/-

■ крешшЛ ат,'ми переходного металла,' проникал в полупроводник, ис-кагокг распределение решеточного -Потенциала в приповерхностном слое подлолаш и тем ссилм создают условия дЛч возбуждения злект-. ройной подсистемы кристалла. В результате отого у части атомов кремния появляется возможность сместиться в исмдоузлие. Образуются и вакансии. Направление .миграции к границе. раз дела смецен-. ііих атомов является предпочтительна вследствие твердофазного взаимодействия на ней. Поток образованных вакансий при .этом направлен противоположно, т.е. в сбгем кремнлевоіі г.одло:;:::::. Если на граница раздела присутствует атош примеси /в данном случае-фосфор/, то вакансии мсгут захватить примесные атоми н дп:фузия осуществляется посредством миграции комплексов типа вакансия -примесь. Именно ото и имело место и проведенных г-кспериментах.

Глава 3 оканчивается виводами, сделанннми по результатам ' прозеденюх исследований. •

Глаза А непосредственно иосшіцена результатам изучения олектро-физических свойств контактов і: кремнил на основе силицидов никеля и кобальта.

Свойства вцпрямют ::;их кентактоп силицид - кремний п-типа предстарлеші в работе ■■емолстпа-зі всльт-ампернцх характеристик /ВАХ/, измерите:/. .для раз шіх температур формирования силипидних

гл>й. • ;:Г" ц-ям;м снег,скип РгХ инс'.-т особенности, присущие нонта-

;'а .1-;>е силицидов обоих ма галлов. С по:'!’"'.опием т^лгатурн . \ о г пгп до 6"С°С д.п структур на гсноие силигядсв ко-

лы а и ,;о С Г °С V!,] структур ка осногс с-ллици *,ов никеля прямая л пгг'онлла с:-';;; га”лон, г.; нб.тгкглсь к с с;; токов. При дз.|Т.нсГ.пси ■ииснии •!•••’.•:< .'ратуй,' происходиг отклонение прямо”; встяи "Л” от •и токовЗЛУ, при обратно:.: с::с ;он”П, кая это и типично для сили-1 пг-: ::онтп::?о:’, но г.гслч участка п.чаг.гш’я тона и качественно г;ла пмтлогк’агу.: пав;; аахсть от т'мааратурн (!<>р:’ирова1я:я» ирио-ггпясь и отдаляясь от оси няпрт.-.спнЛ с пзшззошкзд текператур* тага до проеден; я:х тглло значониЛ :: при дтльне&псч со позгденяи.

Зависимости статических п ар а:-:!; т роз нмярл: о: .ту ::;пх контактов па :нов2 силицидов никеля и кобальта, параметра неидоальноСти (9 последовательного- сопротивления базп На , от температур*-; Т'ор-

фОЗаЯИЛ КПЧОСТВСННО СОВП2ДШСТ ДРУГ С друг СМ. -ХараКТСр-ПОЛ ООобОН-

:сть!Э отих записимистзЛ яшкотсл наличиз минимума при тсмпора.у-IX, соответственно, С'С-0°С для структур на оснс силицидов кс1а-ьта и !Ю0°С душ структур на основе силицидов никйлл. При этом . ссота потенциального барьера контактов при. изменении* температу-; отжига в пределах 300 - 05С°С в случае формироваши силицидов лкеля и в продолах БСО - С00п0 для случая образования силицидл!) эбальта практически оставалась постоянно!!. Причем, значения г.ч-эты барьера ^<р«о /:ля контактов к кремни--! п-типа на основе обоих алицидов мало отличались друг от друга. Эти значения были, соот-пственно, 0,65 и 0,58 оВ. ' . .

При исследованиях невкпрлмлг::' ';пх контактов на основе-силици-эв никеля и кобальта было отмечено; во-перпгх,' что их ВАХ линлй-1 и обе ветви со совпадает до на^ря^еннЛ смоцсшш около I П. Г:то изволило считать прапомерш'м примоНетю метода дико::! ;-: айкал: тл определения удельного ::опта:сшсго сопротивления та:-:.::с

груктур, а так~е считать отсутствуй!:;:::::: оТЛзхт’!, обусловлены-:.’ .13014 евом носителей заряда п контактах. Изучение поведения ^ зависимости ст температуры |ор.'иуугаого отжига показа;; :.> качост--нноо совпадение такой зависимости с т:алог:п1д:мп .. шпскмостяу.! •

• Причем, значения ^рк били .довольно низки:.::: ‘/до . с,-, см / с точки зрения использования при измерения'’- вмсско-

/"*5 С?1 см/ исходннх креинпегпх плясгпн. При атом />х щи -р/ктур н.а, основе енлинндов никеля и кобальта мало огл!:'ча."л:сь ;

> роличино. Устанорлсио так-е, что и опнпсимости от промок; :т:0! •■•П.чоскнх отжигов При б!30°с‘ /стругтра тФУп-вй / 4

:ру:;1ура Со(Р)/п-$1 / такте нмоли чн-ум при пт о:.:еи.гч терю-

C/0pz60iK;t горядка ?. - 8 мин.

Отаачеш’с.с еп;:з особенности контактов к п-кремнию на основе силицидов ;п;кэля и кобальта позволили предположить, что состаппол tiucTb» исследуемых контактных структур является некоторое сопро-тяолдние, параметры которого зависят от условий и рз:::имов формирования. Такой частью контактов является приграничная область подложки, условия формирования которой и свойства были подробно изу-чеш в главах 2 и.З настоящей работы. В силу этого была предложена уточненная модель контакта силицид переходного металла - >:рек-шй. Сут^' ее заключается в следующем. .

Lia основу Viuia взята модель, согласно которой контакт силицид - крешш,1 (ложно аппроксимировать совокупностью двух барьеров: туннельно тонкого барьера Шоттки металл - аморфный слой кремния и гетероперехода' аморфшй кремний - .подложка. Уточнено модели обусловлено тс!,’., что аппроксимация лриконтактной области поддох-

■ км йак слоя 'ю'.ор^ного крештя' кредставляотся .’нескояко усяовйой. Согласнр ряду публикаций ота овзгастъ предстааляет coxjoVi кристаллическую структуру С ПОБШ;еНШЯЛ СОДОр;::Ш5ИеХ1 бочечных дефектов.

Это подтверждается и исслсдовшгляэй!, результаты которых приведены в главах 2 и 3 настоящей работе, а такте оценкам, проведен-пы".ш с помощью просвечивающейолоктрошой шцроскогми. Причем* согласно данным, приведенным в главах 2 и 3,'концентра^й таких дефектов довольно высока и имеет порядок 10 - io21 cu~3.

. На наа взгляд такие дефекты - положительно заряясике гакан-' сии, :что подтверждается дангалш об опаргии миграции примесей и .‘их совпадением.с еиер!ч:ей миграции нейтральных Е-цзнтров, т.е, вакансий, захвативших атомы дифт^у^ирущего сосфора. При' этом положительно заряменше вакансии имеют акиепторше уровни Е„ + С,05 .эВ J! Ev + 0,13' эВ. Следовательно, мокно считать, что. в отсутствие примесей в исходной пленке металла при формировании на поверхности силицидов никеля или кобальта в приграничной области нодлоеки образуется слой р+-типа, а сведение в металлическул пленку йоейо-ра /см. главу 3/ приводит к формированию приконтактного слоя пятила.- ' • ' ' . ’

Исходя из сказанного, нам представляется возможна.' уточнить модель енлицидного контакта и аппроксимировать контакт силицид -кремни£1 совокупностью двух следующих барьеров: туннельно тонкого барьера Шоттки металл /силицид/ - промежуточной дец'сктнцй слой и Р+- п перехода дефектны;’ олой - подлога. При отсм электрофизические свойства" контакта определяются условиями Т.отх.глрования дефектного слоя, его физическими свойствами, а тат*:с процессами перено-

<п.

.-"'.'ппсл j дснороп л vi ?, г; ■ т~...."; :

сітчсчі: /л/ :: n^prггг::’ис;у:" ,T"2Trv.:.n /и/ ггчглптз. Сі!лі*г.!Д Ji-'р'ілО,т(зіого коталлл - ::рс’'.'гпі‘ї іт-тіптл г:сг;;;;и■ но пр,л'глс':н::.?о.;: уточі-описії

- le -

л;;; • оарлд . чзрог> р'- и переход /р:о.21.

i..г ш.адя".:;! ь пзхсдку» плойку ...\ талка й с с. г, о ра про:,л>-

• ”. o«ui: П1.2дсталл;:ст собой область пт-й.ап и слактро/-;.з.:ч.д';-ч.г ui''hk;'.i;u Hc.-unpH^'uut;;iPO коатагла услиьпл .к

t.obaljVJ! rr~ 00лаит«, ее фИЗИЧеСКИ!',И СЬОПСТМаЩ u npor-jceeuu trepc,-:iucu цсс;:::..чсй заряда черзд п+- п пиреход. .

Вне01 а потонцжлышго оарьера рао.оыогрлгн.тлч коннияо» нрл tiTCU опрзд^лнзтея "GLocnsni ицрглониеи .

. 9%, -л.т-гп р— • • ■

. г

1'Д'З Щ , - сопхоютгуг !"ПС КиШ'/НТрац>.Ц ДЭИОрЭо li АС^еК':-

ИС.Г.’ обла-т« и ь оььаш кремниевой подчо;,-./.;;. ' * -

Проведена; >е оценки показали, что при кчидгитрац;»»! де*е;:тол в пр.!--j рытчнод области порядка 10"^см-^ кошчифкл структура на крг:л-иго- п-типа с удельннм сопрогивл-лизн 0,35 Ом см на осиово силицидов Переходных'' металлов- согласно предложенной г'.адади имеет высоту потенциального барьера---- 0,677 оЗ, т.р. практически водности ссвпзда^цув с э:;сперимепталыи::,;и величина}.»! для контактов на основе силицидов ншеоля и кобальта /0,65 и 0,68 аВ/.

В работа на основании.предложенная модели дана объяснение эксперш'.знтадышм зависимости» параметров как шпрянляъ!цнх, так к 1\еы!Пря;.даацпх контактов от условий и режимов изготовления. ' Глава 4 оканчивается выводами, сделанными по результата!,! проведешшх исследований, '

В иаклмчягощ подведены итоги всей работы. Основным результатом работц является ышвденке. СВЯЗИ Г.ем^у ОЛеКТрОфИЗИЧОСКИМ’И свойствами выпрямляющих и невнпрямля’сгцих контактов к кремнию п-типа-на основ : силицидов никеля и .кобальта и й/иэичоекпмн свойствам;; приграничной области подложки, а также влияння условий формирования отой области на параметры силицид!их контактам структур. Получега сле-дукдие теоретические и практические результаты. I. иксперимантально установлено, что образование дефектов в ■приграничной области подложки при формировании контакта силицид никеля /или кобальта/ - кремний обусловлено аутди'Тфузпей атомов полупроводника в растущий силицид!гчй слой. •

. 2, Определен!! КОО«кТ'ИЦИОНТи ДИГ»)';у31Ш кремния из подложки в

формируемой слой силицидов никеля или кобальта. Установлено, что основным механизмом аутдиКузии является миграция атомов кремниевой подложки по междоузлиям. • . ■ ■

3. Предложена модель образована: и миграции дсЛектов в приграничной области Нормируемого контакта силицид переходного tie-

талла - ’

■1. ле.глі.но .е:-и . - ; 'ігєлс....кі:є деізктов е

1 І ИХ’Т і*їт’ ’’ Іі ■' ' С'* Г і О ’Л." Л* 0. ' --- --І' ' ^ . іІрОиСНИЛ СЬЛіІ-

иі'.'іОБ ГіЗ. Т;чі3ЛЛ IIі КГХ Г',4, І'.О'/.’Л'-ГіГи'і , ’і.О ОНи с: О ОТІ) С ГС ТБуС;Т

^опсч.*іїгго'■ /*" і •* сг[>гит'іг .і.' V*»*-і П-■ -. ^-ігісіі.оьцан-тр"^:!їі Гітомпі чч /. у '

і.;, У с гзііоб-гК'ію , что іірл іу.іи сііллп.'.'іоз киколя іїліі

кобальта ::а поверхности кг.~":ги~ і’.р' нолодііт уехсрсше ди.цЬу»;«і іг.осТіора п г.одлот.ку' г.п пленки снлицплооСоразуглул’о металла, ■

б.. Спрєделзші копФІйшиеотн уст^р'гноґі диффузии :ї:0Сг-2рг. тлі ейразотишим силицидов ішивля ш:и кобальт:!. Показано, что диффузия • осуществляется посредством •піграїк’.!. Е-цзнтріз". Предлогги механизм ускорения гТузкя? ссиозгапссЛ на установленном 4! акїі! осі-.разованпл дофектсэ в*пр;:грсш”.чиоЛ с силицидами сС.;аст»г подхожи,

7. Получены и «сследоваш зависимости парсіптров вшряімяо--щих контактов к кромгаю.-п-тгха от рошшов формирования силицидов '

мінкеля л кобальта. Уст:-::оялсна корреляция парамзтрси с условиями

^бразозония .пригронилнсЛ области подлоі.ліи.

•8. Определош уделыпю контактше сопротиплмг.чт нетшро.'гл- ' ■міцях кйнтактіліх оилицидньк структур на осново ^(р^і ?(р). Обнаружено , что зависимость ^ от температурі форларованкя качественно 'совпадает с зависимостякі в и Ад от реісшов изготовления» '.'становлена, что и зависимость от вреікпга огяіга ккеет ізіпаум.

9. Предложена модель контактов силтыд-хромни:!, учитм'-тятая формирование дефектного слоя в прчконтактноЯ • области крокниьвоЛ подложки. Дано объяснение по луч енні г/ зависимостей параметров от условия образования силицидов никеля и кобальта.

10. Установлены оптималышо регтлмн формирования силицидов .чл-келт и кобальта при изготовлении контактов к кр?*:ш:п п-типа. Газ-работаш технологические процесом сознания п4'- р проминених от,,7-.-тур ;з і .яан.'л.оторах и низкотемпературного .топ!сования иг■■ ;.

Гскопт 'о результат:: тиесер талин излоі.'іріг.: и следу; •> их робе -• ;

I. Питонов В.С. ,лорн[ол'д Л.П.,Ильина Т.Н. Уокоренния длфт/ощ фоо'оро в кпомниГ: //і'зв.ЛІ! СССР. І!"огтан..чос::,:;: моте ..

т..:Г,- V 9.- ел- р:> - ПС.? * - • ■ • .

с. ..о.іли чітаноз ,Кор::Іольд ІІ.ІТ. .'.номал!'на>! ди^’узи.1'

фос-ора в кромрип при твер:;,-ззі:ом вэаи.модоПс.-ппп л.м поп-эр:;:: сГ • //Г'Я). окл.::-1 '''--^/кародного ко;:;:окви%. і "Гргблонг п-^о^кпсс:л МПКрОРЛОК.’рОПЛКе И !!ОТОД!’ 03 ян-^іиза". -7Л! могоу ,Г"Г’. - Р';Н. -п

. - го - .

3. с. 107-1317 СССР, :лк;Г NOfL 'і 1/22.' Способ получзіліч п+- р ітоешй’.свік структур / В.С ЛЬітанов,'.'.Н.Кор!!.; ельд /С’СС■ -/. —

їі-’3375453/18-25} Зпявл.4,0І.Р2} Опубл. IS. 10.83 ДСП/

4.Л.С.I37I4/!,:j ССОР, j/.кИ H OIL 21/2215. Способ нпзісо'ЛШсратурло-го леглроватш кремния / ії.Н.Корн|)ЄЛЬд,В.К.Петров /СССР/ .-

К1.зо:90946/IB-25; Заязл. 9.12.85; Опубл. 1.10.87 /ДСП/

5. Корпельд И.Н., Петров В.и. Низкотемпературная дл'Уузил фосфора при твердофазном взаимодействии пленок химически осаженного никеля’с кремнием // Тез. докл. I Всесоюзного постоянного сеиина-' ра "Низкотемпературное легирование полупроводников и мпогосло/лнх структур инкроулектроннкн".-Устинов:Удг.:ГУ.-1987.-126 г.

6. Корнфельд ЛЛІ., Ш:колаенков Ю.К. Влияние дефектов вблизи гра-

ницы раздела на параметра дкодннх структур силицид переходного ме таяла - крешиіі // Тез. докл. 3 Всесоюзной конф. "ВДэическне основы нодешюсти и деградации полупроводниковых приборов”: D 2-х то-Ь!ах. т.2;- Кипийев: КиаПИ.- 1991.- 220 с. . .

7. Корнфельд И.Н.,„Владимирова'Л.Н., Николаонков Ю.К. Влияние де фектов вблизи грашцы раздела на контактное -опротивлеіше.структу pu 4V/P)/«-Sl // Тез. докл. н.-т. конс^- "Проблеш качества и надежности изделий электронной техшши, радиоэлектронной аппаратуры и средств управления". - Мн. г-БелШИУЩ.- 1388.- 252 с. •

8. Петров Б.К.* Корнфельд И.Н., Владимирова Л.Н. Образование дефектов На границе раздела силицид переходного металла - креслий // Тез. докл.1 Всесоюзної; конф. "'їизпческ’ле основы твердотельной электроники": В 2-х томах. т.В.-Jt.: СТО.- 1989.- 356 с. .

0. Корнфельд И.Н., Владимирова Л.Н. нормирование контактов к нре Ыишо в процессе низкотемпературного силицидообразовашя на грани' це раздела // Тез. докл. Всесоюзного н,-т. постоянного сет.г.шара "Низкотемпературные технологические процессы в электронике" ИмсвскзУді.іГ/.- 19.00.- 166 с.

10.. Корнфельд И.Н., Быкадорова Г.Г). Контакта к крем:иго' на основе силицидов порз:;о;;і!іо< металлов // Тез. ’окл. 35 Мє"’дуиародиого коллоквиума.- Яльменау, ГД’.- 20С-0.- В8/ВІ0.- C..J3 - 26 .

II'. Корнфельд И.Н., Владимирова Л.Н. ?лсктро<жзі:ч';сс-:;:е свойства иевьшрянлягодкх 'контактов М(Р)/л-£і // Тез. докл. 35 Моуународно-го научного коллоквиума,-Пльмонау, ГДР.-Т990.- В8/БІ0.-С.2І - 22

12. Корнфельд И.Н., Владимирова Л.Н. Образование дс-Гс;сгов на грані: це раздела силицид коболі та - креї'*гліі//Тсо . «ркл .Г5, ?огсо-озлой конЪ. "■І'лзичсские OCHOBJ і-аде-"пости г* догредаш: полуї ірозодішоазе приборов": В. 2-х то:'ах. т.2.- лГ.пннек: і.:-I,- ".zr *

Заказ 121 от 1.04.93 г. Тир. 100 экз. Формат 60x90 I/15. Объем

I п.л. Г'",ртная лаборатория ВГ/.