автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование и оптимизация методов вакуумного осаждения маскирующих покрытий хромом на плоские подложки и на подложки со сложной кривизной поверхности

Научво-исследоватедьскяй институт "Пульсар".

.На правах рукописи Для служебного пользования. Экз.

Ш.

Per. Й 6 8

Саяегин Геннадий Иванович.

Исследование и оптимизация из годов вакуумного осаядеаая иаснирусцих покрыгий хромом ва плоские подложки и ва подложка со сложной кривизной поверхности.

Специальность 05.27.01- твердотельная электроника и микроэлектроника.

Автореферат диссертация ва соискание ученой степени кандидата технических наук.

Моема IS5I р.

Работа ишоднена в Научно-исследовательском институте изы9рЕтел5Но$ техники.

Научныа руководитель: кандидат технических наук,

доцент Рубцов И.Н.

Официальные оппонента: доктор технических наук,

Ведущая организация: . КШ особо чистых материалов

заседании специализированного совета Д 142.03.01

НИИ "Пульсар" но адресу:

105187 Москва, Окружной проезд, 27

С диссертацией ыоано ознакомиться в библиотеке ШЛ1 "Пульсар".

профессор Концевой Ю.А., доктор технических наук, профессор Куров Г.А.

Защита состоится

Автореферат разослан " П " О \ 1991 г.

Учёный секретарь

специализированного совета Д 142.03.01

I.Общая ^са paste си ста ка забота

Актуальность проблемы, Ласкирузцие покрытая хроиоы широко применяются во многих отраслях промышленности. Ь созременных сзстемах управления а обработки информации эти покрытия используются для изготовления кодовых шкал и растровых ыер фотоэлектрических преобразователей, в точном машиностроении - для измерительных решеток датчиков.линейных перемещений, в приборостроении - для изготовления калибров, лаабов, тесгоь и т.д. Большое применение маскирующие покрытия нашли- в полупроводниковой электронике для изготовления Фотошаблонов.

К маскирующим покрытиям предъявляется ряд специфических требований: минимальное количество дефектов, равномерное по площади изделия травление, оптическая плотность не менее 2-х единиц ГОСТа и др. К дефектам маскирующих покрытил относятся нарушения целостности пленки: проколы, поры, трещины, а так-же ее остатки в виде отдельных невытравлеаных островков и точек после травления покрытия. В настоящее время существуем единственный промыпленный метод получения маскирующих покрытий хромом - это метод термического осакдения в вакууме. Технологии и оборудование для получения контакяых систем и.пленок этиц методов разработаны на достаточно высоком уровне. Однако при разработке этих технологий не затрагивалась специфические. вопросы и требования к маскирующий покрытиям, приводящие к появлении проколов и невытравлеаных острозкоз покрытая. Это объясняется тем, что первоначально задача получения маскирующей металлизации была решена путем использования технологии напыления резис -тиваых слоев хрома, а уменьшение дефектности типа "прокол" достигалось осакдением нескольких слоев. Правда, значительного улучпе -ния свойств у многослойных покрытий не произошло: дефектность типа "прокол" осталась еще значительной, а к^оме того, увеличилась дефектное» по невытравленнын островка« и ухудшились характеристика травления. Дальнейшее улучшение параметров маскирующих покрытий, в основном, велось в направлении совершенствования методов мёхани -ческой доводки и химической очистки поверхности подлозен-перед операцией металлизации. Больше исследования в этом направлении про- -ведены Грибовым Б.Г. с сотрудниками (1979...1990г.); отдельные вопросы были решены Ивченко B.C. с сотрудниками (1973...1982г.); Рубцовым И.Н. и Лихтманом А.Е. (1975...1989г.); Костаньяном м.г. (1976...1986г.).

Однако данное направление технически не реализуется для плоских

вестандартвых по размеру и объемных, со сложной кривизной поверхности, подложек из-за невозможности их механической доводки. Недостаточно реализуется это направление для стандартных подложек фо-тоааЗдоноз I условиях единичного и мелкосерийного производства, качество маскирующих покрытие за стандартных подложках в этих условиях' осталось низкий. Поэтому остро встал вопрос поиска новых путей их улучшения. Настоящая диссертационная работа посвящена этому , вопросу. Актуальность данной проблемы подтверждается плзнами основных научно-исследовательских и производственных работ, проводимых в отрасли приказами Министра й 46 от 28.01.1983г., & 310 от 02.09. 1985г., К 35 от 28.01.1986 г. а № 7 от 07.01.1987г..

Ведь работы - исследование свойств маскирувдих покрытий хромоа а зависимости от методов их получения и режимов подготовки подложки. Выявление новых элективных методов улучшения их качества за счет замены процессов механической и химической доводки поверхности подложек на физико-химические процессы в вакуумной камере при финишной-подготовке в металлизации. Разработка технологии получения маскирующих покрытия, основанных на этих методах.

Научная новизна работы

1.Предло&ена теоретическая модель механической устойчивости и целостности покрытия, доказывающая возможность улучшения параметров маскирующих покрытий на подложках, механическая и химическая доводка поверхности которых затруднена или невозможна.

¿.Определены ранее неизвестные зависимости величины внутренних напряжений в пленках хрома -на стеклянных подложках от:

- метода получения покрытия;

- толщины пленки;

- температуры подложки;

- вакуумных условий процесса конденсации.

Эти зависимости позволили определить основные механизмы возникновения внутренних остаточных напряжении в пленках хроыа. Название механизмов возникновения напряжений дано по терминологии Гофмана Р.У.

в Палатника Л.С. Для покрыт» полученных методом ионно—плазменного я нагнетроявого распыления, основным механизмом является физико-химический, который обеспечивает получение сяииаюцах напряжений. В покрытиях, полученных методой термического испарения в вакууме, преобладавший является структурный механизм возникновения напряжений растяжения в в меньией степени физико-химический и фазовый. Пути снижения напряжений в этих покрытиях заключаются в создания

условий конденсации, пра которых увеличивается роль физико-химического и фазового механизмов," частично компенсирующих структурный.

З.Найдено, что значительное улучаение параметров маскяруюцих-покрытий, получаемых на подложках, механическая и химическая доводка которых затруднена, ыохет быть достигнуто путем сочетания комплекса приводящее ниже мер, даодих уменьшение внутренних остй-точных напряжений в пленке:

- осаждение хроыа на нагретую до температуры порядка 360К подложку; - •

- проведение процесса осаждения в среде азота давлением в диапазоне 1.10~^Ла;

_5

- введение малых доз кислорода (объемом порядка 5.10 мл на I латр откачиваемого объема)-в камеру в момент конденсации хрома;

- использование грунтующего подслоя из креманеорганической смолы;

- применение метода ионно-плазменного распыления.

^.Определены фазовый состав, структура и свойства переходного

слоя хром-стекло. Найдено, что этот слой содержит продукты химических соединений хрома с элементами, входящими в состав подложки. Их структура: СгЗС2 а .Скорости химического и ион-

ного травления этих продуктов и основного материала плеяки различны, что является одной зз причин возникновения дефектов покрытия типа "невытравленные островка и точки".

5.Показано, что улучшение параметров маскирующих покрытий может, быть достигнуто яа пути получения мелкозернистой равномерной структуры переходного слоя за счет комплекса мер:

- использования плазмы тлеющего разряда мощностью (12...16)% от максимальной мощности установки при финишной подготовке подложек;

- осаждение материала на предварительно отожженную в вакууме пра температуре порядка 570К подложку;

- использование скорости конденсации хрома в интервале-величин (0.9...1) ®Я"/с;

- Получение покрытий на грунтующем подслое.

б.Определены зависимости "старения" (изменение со временем-величины адгезии) покрытий хромой,.полученных по различным технологиям. Доказано, что данные зависимости являются паспортом покрытия, позволяющим оценивать состав и структуру плевки.

Практическая ценность и реализация результатов.

Полеченные результаты исследований использованы 2 следующих разработках:

- технологический процесс термического напыления хрома на подложки, предварительно обработанные плазмой мающего разряда;

• .- технологический процесс термического напыления хрома с предварительным отжигом подложек в высоком вакууме в качестве средств; финитной подготовки;

- технологические процессы иоано-плазмениого и магаетронного распыления для получения маскирдаих покрытий на основе хро^а;

- рекомендации нзиболее аффективных облаете;: применения разработанных технологий;

- методики контроля качества иаскирувдих покрытий по слэдувдим параметрам: величине дефектности, оптической плотности, характеру и времени травления, величине-адгезри к подложке. Эффективность выполненных разработок подтверждается актами внедре ния на ряде предприятий различных отраслей промышленности: на заводе "Элаа", НИИ "Пульсаре", Бильнасскои филиале ЭНИлС, НПО измерительной техника. Годовой экономический эффект от внедрения результатов данной работы составил более 88 ¿ыс.рублей.

Апробация работы и публикации.

. Результаты работы опубликованы в 12 статьях, трех научно-иссле довагельских отчетах, в обзоре по электронной технике "Свойства, маскирующих пленок в производстве фотошаблонов" и изложены в двух докладах на научно-технических совещаниях по фотолитографии и эло' тронолитографаи.

Структура и объем работы.

Диссертация состоят из введения, пяти глав, заключения п спяск работ из 105 наименований. Она содержит 10? страниц машинописного текста, 49 рисунков и 25 таблицы.

На зааиту взносятся

I.-Положение о' той, что процесс физического порообразования в тонких пленках определяется действием двух механизмов: механизме возникновения внутренних остаточных напряжений и механизмов адгаз пленки в подложке.

. 2.Положение -о том, что качество маскарувдях покрытий хромом на подложках, механическая и химическая доводка которых затруднена, можвх быть существенно улучаеио за счет:

- уменьшения напряжений и их перепада по толщине покрытия;

- увеличения адгезии пленка в подложке на операциях финишной подготовки подложек и их металлизации;

- получения мелкозернистой, разномерной структуры плеяки с о*-сутстввем крупных кристаллов включений я'КС скогтлеии* (для покрытий, полученных методой термического испарения в вакууме).

5-Лехнологические процессы получения качественных маскирующих покрытий хромой, в которых используются разработанные автором методы:

- применение плазмы тлеющего разряда мовдостью (12...16)% от максимальной ыощяосги установки при финишной подготовке подложек в сочетания с конденсацией хрома в среде азота давлением порядка 1.10"3Па.;

- использование отжига подлоаек при температуре порядка 570К

в высокой-вакууме а качесие средства финивлой подготовки в сочетании с конденсацией хрома на подложки, имеющие температуру порядна ЗбОН.^

- применение метода ионво-плазмеаного и ыагяетронного распыления з сочетании с ионно-яучевниа и иойно-хйыаческаыа методами трав. ления;

- введение процесса "старения" в технологию получения маскирующих покрытий. В этот период происходят стабилизация свойств покрытия и увеличение адгезии к подложке;

- использование скорости конденсация хрома (0,9»..1)нк/с;-

- при отсутствии качественной механической обработки г удовлетворительной химической очистка поверхности подложек, необходимо использовать грунтующий подслоя.

4-.Положение о возможности замены процессов механической и химической доводки поверхности подложен перед их металлизацией на фаз.и-ко-^хвыичесвие процессы, происходящие л камере установка в период финишной подготовки а напылена» материала. у

П.Содержание работы

Введениэ посвядено вопросу применения маскирующих покрытий хромом. Наибольшее применение такие покрытия нашла в микроэлектронике при изготовлении фотоиаблонных заготозок.(ф;13). йх производство характеризуется использованием плоских подложек стандартных размеров и высоким качеством маскирующих покрытий. Совершенствование методов механической доводки и химической очистки поверхности подложек, проведенные яа комплексной лицензионной технологической ли-

аии завода яЭлмаи (ЫЭП) позволяют получать качественные маскирующие покрытия, имеющие согласно ЕЮ.035.152СТ следующие характеристика.

. Х.Плотнооть дефектов размеров 1,5 мкм. при увеличении Я^-СО.К. 0,3) шт/см2.

•' ■ 2.0птическая плотность ( при Л® *50...550 ни) не менее 2-х еда над ГОСТа.

3.Время стравливания покрытия в партии -(1-2) мин.4 10%.

4.Подтрав ыаскируадего слоя под пленку фоторезиста на сторону -не более 0,2 ыки; локальные подтравы - менее 0,5 мкм.

- Маскирующие покрытия ФЕЗ получаемые по другие отечественный технологиям в единичное и мелкосерийной производствах уступают покрытиям завода "Элла" и особевво значительно уступают этим пара -метрам маскирующие покрытая, получаемые на подложках, механическая доводка и качественная химическая очистка которых зкоасшичеек» неоправдан или вообще технически не реализуется.

Глава I содернит анализ литературы по теме диссертации.Найдено, что наиболее сложной технической задачей при получении маски рущщ покрытий является устранение дефектов типа "прокол". В литературе довольно полно исследован ряд причин наруаеаия целостности покрытая, однако явление физического порообразования, вызванное неравновесным состоянием системы пар-осадок при конденсации материала, исследован недостаточно. ¡Да гипотезы тоз.Курова Г.Д., которая выве дена из классической теории гетерогенной конденсация вакансий из тонкого слоя сильно.пересыщенного ими раствора на инородную поверхность, следует что явление физического порообразования вызвано появлением несовершенств кристаллического строения пленки и как следствие наличием внутренних-структурных напряжении в покрытии. Кроме этих напряжений, в пленке действует еще ряд внутренних оста-точвых.напряжений, имеющих другие механизмы возникновения. Налачи< аморфного состояния или метастабильных модификация в конденсате приводит к появлении фазовых напряжений. Окисление осадка в проце! се конденсации является причиной возникнозения физико-химических напряжений сжатия.Существующие напряжения стремятся отделить по-рыгве .ох подложки и если на каком-то участке они превышают силы адгезин,то на этом участке возможно появление прокола.

Проделанный анализ литературы позволил сформулировать основные задачи экспериментальной работы.

; I.Исследование механизма возникновения внутренних остаточных

апряженим в пленках хрома на стеклянных подложках с целью получена «аадонапряаенных покрытий.

2.Исследование переходного слоя хроы-стекло с целью определения еханизаа адгезии.

3.Выбор рационального метода финишной подготовка подложек и оа-:имазация технологических параметров Процесса осаждения с целью велачения адгезии пленки за сче* фазико-хаиических процессов про-сходяцах при фияилаой подготовке подложек а их металлизация.

•^Исследование различных-методов полученяялпленок хрома с целью щрвделения возможности их использования в качестве маскирующих окрытиа.

3 главе П предложена теоретическая модель механической устоЗ-мвости и целостности покрытая, определены теоретические предпосыл-:и экспериментальной работы и описаны методика зкспериментоэ.Вввду ого, что действие внутренних остаточных напряжений в покрытии наболев наглядно проявляется во время процесса.шелушения, когда их еличина становится равной величине адгезии, разработка модели ме-аническоИ устойчивости покрытия начинается с анализа этого явле-ия. При шелушении происходит самопроизвольное отделение покрытие :ритичзской толщины Лкр. в виде отдельных чеауев. При отделении ешуйки изгибаются И скручиваются, как правило, в сторону свобод -ой поверхности, что определяется характером распределения величя-ы напряжений по толщине покрытия. <1з литературных источников аз-естно, что ведачина напряжений сильно меняется в тонких слоях и табилизируется в толстых. Исходя из подобного характера распреде-езия внутренаах остаточных напряжений, покрытие можно рассматря-ать как сложную пленочную-систему, состоящую аз двух слов : непо-редстзенно самой пленки с однородными и постоянными по толшине нутренними остаточными напряжениями и переходного слоя с меняиди-ися по толщине слоя напряжениями. Зта пленочная система "прикле-на" к подложке с помощью адгезионного слоя. Этот слой сйдержв* . ольшое количество продуктов взаимодействия материала пленка с хи-ическимя элементами, входящими в состав подложка» Именно по дан-оау слою происходит отделение покрытая при велузениа. Его толщина а" для покрытий хромом, полученных методом термического осаждения а стеклянных подложках, равна (40...60) ни.

При создании модели механической устойчивости покрытия использо-алась математические методы, освованпые на теории расчета термобиметаллических пластин а на теории расслаивания клеевых соединений.

В результате расчета получены следующие аналитические выражения.

I.Зависимость напряжений вскрытия адгезионного соединения от расстояния (-х) вдоль подложки ох точки отделения:

р "Я/е^М^ссг, -¿¿(саврс+зирх)+Рт созрх]/^ (I);

¿.Зависимость напряжений среза адгезионного соединения от расстояния (-х) оз точки отделения:

Х'Р^е^М (2);

В выражениях (I) а (2): ^ = (3);

Ум Е- модуля упругости .иатериала адгезионного слоя и хрома соотве-... ственно;

Э - момент инерции сечения чешуйка покрытия относительно нейт-

. ральной линииь-О г, ширина чешуйка;

■Ь - толщина переходного слоя;

нормальные Составляющие внутренних остаточных напряжений в пленке и в переходное слое соответственно; Р£ - сила вскрытия адгезионного соединения; является следствием действия тангенциальных составляющих внутренних остаточных напряжений в покрытии; Ра - сила среза адгезионвого соединения, вызванная наличием а покрытии нормальных- составляющих внутренних остаточных напряжений;

& - модуль упругости при сдвиге материала адгезионного слоя.

.Анализ полученных выражений позволяет сделать -следующие утверждения.- *-. -- - - -

1.Величина напряжений вскрытия адгезионвого соединения определяется разностью нормальных составлявших внутренних остаточных напряжений в различных слоях покрытия и величиной тангенциальной сос вавляющей внутренних остаточных напряжений. Величина напряжений среза адгезионного соединения определяется нормальными составляющими внутренних остаточных напряжешь! в покрытии.

2. Заачения.^ и X зависят ох.толщины и механических характеристик материала.различных слоев покрытия.

3*3ааиси«0схь величины напряжений вскрытия от расстояния (-х) от .точки отделения покрытия представляет высокозатухающую гармоническую функцию, включающую чередующиеся области растяжения и ежа-

тия. Функция напряжений среза выражается простейавз экспонеяциаль-во падающей за виси но сию. Максимальное значение напряжения имеют я точке отрыва покрытия от подложки, т.е. при х » О.

Напряженное состояние покрытий рабочих товдш когда .

=(0,1...0,15)икм. аналогично состоянию покрытая критической тол-аины. Для них уравнение механической устойчивости выгляди* следующим образом: . , ,

А-П'^р+К'гГ (7),

где-

А - адгззия к подложке;

напряжения разрувения адгезионного соединения в покрытии • рабочей толщины; /1 - коэффициент запаса устойчивости покрытия; он также определяет вероятность появления физической пористости.

Полученные выражения показывают пути уменьшения физической пора сгоста за счет:

- - уменьшения величины напряжений и ах разности по толщине покрытая; ......

- увеличения адгезии к подложке;

- использования искусственного грунтующего подслоя с больиа* значением Сг .Цель этого подслоя - компенсировать напряжения-в . -пленке и стабилизировать свойства я состояние поверхности стеклянных подложек; .

В этой же главе разработаны методики экспериментов. При исследовании механизма возникновения внутренних остаточных напряжений в пленках хрома ставилась задача нахождения зависимостей величины напряжений от метода получения пленки, толщины ее, температуры подложки я вакуумных условия процесса конденсации. Величина напряжений определялась двумя способами: механическим и рентгенографическим. В первом случае напряжения расчитывались исходя из прогиба системы пленка^подлонка. измерение прогиба осуществлялось на лазерном интерферометре УХЛ-2. Во второй случае проводилась многократная 'дафрактоыетрическая съёмка параметра кристаллической решетки под различными углами на дифрактометре ДРОН-1. Зеличина напряжений рассчитывалась по ф -методу.

При изучении механизма адгезаа ставилась задача определения фазового состава, структуры и свойств переходного слоя хром-стекло»

гак как зга вопросы исследовалась ранее недостаточно. Для этого в работе проводились исследования плевок хрома на электронных микроскопах ЗЛВ-100Л и узав-юок методами светлопольноП и темнопольной микроскопии макро- в макродафракции; Полученные иакроэлектронограм-ыы расшифровывалась эталонным методом, причем линии хрома брались в' качестве эталонных.

С целью-увеличения адгезии пленки хроаа за счет физико-химических процессов происходящих при угнанной подготовке подложек и их металлизации, проводились следующие эксперимента:

- оптимизация режимов плазма тлеющего разряда как средства финишной подготовки подложек;

-.исследование, операции отжига подложек в высоком вакууме в * качестве средства финившой подготовки;

- исследование в разработка метода иояво-плазменного распыления, в том числе магнетронного, для получения качественна: маскирующих покрытий; ... *

-разработка метода получения качественных маскирующих покрытий на грунтующем подслое; ~

• - распространение разработанных методов увеличения адгезии на различные по марке стекла и по форме поверхности подложки. . Б намеченных экспериментах в качестве базовой технология химической очистки.была выбрана отечественная технология, включающая выдерживание подложек в перекисао-аммиачном растворе и обработку их кистями с подачей деионизованной воды в место обработки. Данная технология арвиеавиа для.любых по форме рабочей поверхности подложек. Контроль очистки проводился по величине краевого угла, смачивания, по рисунку конденсации и по качеству пленки хрома, получаемой на давно!: поверхности. Для осаждения плевок хрома методом термического напыления использовались установка УВН-71П-3, УВН^74П-1, для проведения ионао-ллазменных процессов.- установки УВН-75Р-1, УВИ-75Р-5, .-П0раторая-2ЫП. Для целевых экспериментов применялись специальные установки с криогенной откачкой.объема.до предельного .вакуума 1,10"%а., разработки и изготовления Харьковского физико-технологического института. Полеченные пленки контролировались со следущим параметрам: величине адгезии, дефектности, оптической плотности, времени и характеру.травления, величине поверхностного и удельного электрического сопротивления. £ля контроля данных параметров в работе были разработаны соответствующие методики и оборудование. Величина адгезии определялась по ме-

году скрайбирования, поскольку этот метод дозволяет количественно определить величиау силы, противодействующей разрушающим нагрузкам, вызванными внутренними остаточными напряжениями. Дня измерения адгезии был изготовлен измерительный прибор на базе микротвер-доыера ДМТ-З; скрайбирование производилось острием из сплава ВК-8 с радиусом закругления 60 мкц. Дефектность пленок определялась по звук методикам: по первой, контроль проасдился на микроскопе XCÚ0 У42 при увеличении 50* , по второй - аа микроскопе *£RGOLUX,

Leítsb" при увеличении а 100х а 4С0Х. В обоих случаях использовалась специальная рамка, позволяющая определять 'удельную плотность дефектов. Оптическая плотность замерялась на спектрофотометре СФД-2 на длине волны 407 нм. В работе была разработана экспресс-методика нахождения толщины покрытия по величине.оптической плотности. Для определения характера и времени травления использовались цериеэыЗ тразатель и раствор соляной кислоты. Остальные параметры пленки определялись по стандартным методикам контроля.

В главе Ш приводятся результаты исследования механизма возникновения внутренних остаточных напряжений в пленках хрома. Найдено, что покрытия, полученные методом иовно-плазмеяаого в магнетроввого распыления, имеют незначительные по величине напряжения сжатия -0,8.10® Н/ы2, в то время как пленки, полученные методом термического напыления имеют напряжения растяжения величиной до . 13,2.10® Н/м2. Учитывая это, объектами дальнейших исследований,направленных на уменьшение.величины напряжений стали покрытия, полученные методом термического напыления в вакууме,-Величина и знак напряжений в покрытиях, полученных методом яонно-плааменного распыления, позволяют предположить, что основным здесь является физико-химический механизм возникновения напряжений. Для покрытий,полученных методом термического осаждения.в вакууме, основным механизмом является структурный с незначительным добавлением физико-химического и фазового механизмов. Рассмотрим с этих позиций результаты .экспериментальной работы. На рис.1 представлена зависимость величины внутренних напряжений от толщины пленок, полученных при разных методах финишной подготовки подложек. Величина а знав напряжений позволяет предположить, что в покрытиях, полученных на- ... подложках, обработанных плазмой тлеющего разряда, действует структурный механизм возникновения внутренних остаточных напряжений.Он. обеспечивает получение близкого к экспоненциальному закону изменения величины напряжений по толщине переходного слоя. Напряжения

з переходной слое покрыта;-, полученных на отожгенаых подложках меньше, чей в покрытиях на подложках, обработанных плазмой тлеа-цего разряда. Это- объясняется тем, что при конденсации хрома на отожженные, активированные и нагретые до температур порядка ЗбОй подложки, увеличивается роль физико-химического и фазового механизмов возникновения'напряжений,■ частично компенсирующих структурный механизм. Полученные кривые позволяют определить толщину переходного, сдоя. Зависимость'величины внутренних остаточных напряге-ни& в пленках хрома от температуры подложка в процессе напыления представлена на рис.2. Она позволяет, с одной.стороны, определить оптимальную температуру подложки пра которой величина напряжений в пленхах минимальна; с друго:'. стороны - позять, что температура подложки не является тем фактором, управляя которым аожао значительно снизать напряжение в патанах. Бра исследовании влияния остаточного давления азота на величину внутренних напряжений получено, -чю при изменении давления 'азота от-Г.ЦГ^Яа. до 1.10™^Па., величина напряжений сначала уменыгается, достигает минимального значения при давлении 1.10~^Па., после чего увеличивается. Здесь также действует несколько механизмов возникновения внутренних остаточных напряжений, однако полно:: .чоапенсации их величины не происходит. Кислород сильнее чем азот влияет на величину напряжений; .при давленая кислорода в камере менее внутренние оста-

точные напряжения близки к нуля. С ростов давления кислорода в камере,., величина -напряжении сжатия растет -рис.3. Такой характер поведения зависимости и знак напряжений указывают на действие физико-химического механизма.

- йолученные результаты позволила расположить исследованные параметры по возрастающей степени их влияния на величину и знак напряжений- в следующий ряд: толщина покрытая - материал подложки -температура подложки - вакуумные услозая - метод получения покрыт* Найден ряд возможностей снизить а даже подавить внутренние остаток ные напряжения в пленках хрома: .

г- осаждение материала на подложки, нагретые до температуры порядка 360К; - - -

- испарение хрома s атмосфере азота давлением порядка 1ЛО"^Ла,

- напуск малоИ примеси кислорода (объеисы примерно 5.I0"5 мл. на I л.откачиваемого объема) в остаточную атмосферу вакуумной камеры в момент конденсации материала;

- - использование метода ионно-плазменного распыления.

Глава 1У посвадеаа изучению механизма адгезии пленок хрома к стеклянной подложке. Электронво-микроскопаческав исследования показала, что переходные слои .различных пленок хрома содержат большое количество продуктов взаимодействия хрома с элементами, входящими в состав подложки, причем эти продукты находятся в переходной слое в виде мелкой сетки включений или з виде» отдельных кристаллов и их скоплений. Расшифровка вклзчзний показала, что ах структура соответствует структуре Сг^^гк Сг$5*з (таблица & I). Кроме этого, а переходных слоях была на2деаа аетестабильнзя модификация: хром с ГЦК - типом реаетка. Технология получения покрытия определяет структуру переходного слоя, а следовательно, основные характеристика пленка (таблица ж 2).

Покрытая, полученные методов 'термаческого напыления на подложки, предварительно обработанные плазмой тлевдего разрядз, содержат кан сетку включений, тан в кристаллы размерам до 200 ям. а ах скопления. Такая неравномерная структура обеспечивает получение высокой адгезии, но неравномерное травление покрытия в жидких трава-телях и значительную дефектность по проколам и по "незытравленным точкам".

Покрытия, полученные цетодоа терцзческого напыления на отожженные в вакууме подложки, иаеют структуру, а которой преобладает мелкая однородная сетка включений. Отдельные кристаллы редки и размер их не презысает 50 ни. Такая равномерная структура обеспечивает очень равномерное и "плавное" травление, малую- дефектность,. но самую низкую адгезию-из зсех исследованных покрытий. Переходные слои покрытия, полученных методом аонно-плззиенного и ыагнетронного распыления, резко отличаются от описанных выше, так как часть их переходного слоя,-прилегающего к подложке, сочти полностью заполнена кристаллами включений и их скоплениями, образуя явно выраженный адгезионный- слой. Кристаллы включений; достигают размеров до 800 нм; они часто .'срастаются с фазаыио£-кристобаллита ¿¿О^ с образованием сложных конгломератов. Холииество фаз. в структуре данных покрытий значительно больие, чем в других пленках. Такая сложная структура переходного слоя обеспечивает получение высокой адгезии, очень малой дефектности по проколам, высокой оптической плотности, но недостаточно равномерное и стабильное травление покрытия в жидких травителях и некоторую дефектность по "невытравленвын точкам".

Здесь же были .выяснены причины образования крупных кристаллов ... включений. Найдено, что на количество и размер кристаллов в покры-

Таблица & I.

Зелнч;:ны ыегшлоскостнкзс расстояний и соответствующие им фазы в структуре пленок хроаа.полученных методами ионно-плаз1;енного распыления и термического осаждения.

Интенсивность ¿азы

пленки полу-: пленки почетные тер- : лученные мическиы : иопво-осаядениеи : плазыевв^у I распьше--_г ниеы

I. 0,4563 (2С0) оч.слабая оч.слабЕ

2. 0,4043 Шг (101) нет средняя

(оС-кристобаллиг) •

3. 0,3748 (<*- ' ЗШг кварц) (220) ' оч.слабая средняя

4. 0,3484 (<*- ТМг Сг2йь (101) (101) (101) слабая сильная

5: 0,2676 Сг&2 Сгг03 (100) (014) .. средняя средняя

б. 0,2363 бг& (021) . нет слабая ■

7. 0,2243 Сг$1г (102) нет слабая.

8. 0,2215 СгЬ'ч (ПО) сальная средняя

9. 0,1889 Сг$1 (211) нет средняя

10. 0,1567 (220) (ЮЗ) сильная слабая

II. •0,1589 Сггйъ СгОз (П6) (ПО) - нет средняя

12. 0,1267 ' сг*и (602) (ЗСО) средняя средняя.

13; 0,1158 Сг2в (420) •средняя слабая

¿¿еапдоскостное Саза Индекса пп расстояние киллера

в-м". {КШ.

Свойства пленок хрома, полученные по

Kste Технология Оптическая ,Величина Удельное

na получения плотность сдвигак>- электро-

покрытия в д.ГОСТа щей силы; сопротив-

на едини- ление;

цу площа- MKÜÍI.M

ди адге-

зионного

соединея

ния Н/tr

ЬТермичоокое оса- ■

ждение;финишиаи 2<08 9Qt32.i06 0,510 подготовка о помощью плазмы тлеющего разряда

2.Термическое оса- 2,23 81,42.Юб 0,456 ждение;фийиии8я ,

подготовка - отжиг в вакууме

3.Иовно-плазменноа 2,48 107,04.Ю6 0,488 (в той числе магне-

трзнное) распыление

таолица к» г

различной технологиям

Дефектность Скорость травле- . Характер Коэффици-

при 5QA ния-в жидких; травле- внт за-

ит/сir травителях, ния в жид- naca

ни/о ких тра- устойча-

Раствор Дер- »««лях аости^

HtÉ-HaO» трави- М »1:1 тель

0,5...0,8 2,4 1,34 недостаточно 2,9

равномерное м

0,15...0,5 3,33 1,78 очевь равно- 3,32

мерное

0,1...0,3 1,2 0,46 неравномерное,

возможны оо-татни

тиях, полненных методом термического осаждения, влияет ряд $ак-те.о|о-первых, состояние поверхности подложки и наличие на не/;. Механической обработка (зыколка, недополиреванше зоны и т.д.).Эти дефекты могут "проявляться", увеличиваясь в размерах во время химической очистки и'обработке поверхности плазмой тлеющего разряда. Зо-вторых, степень чистоты подлохки, которая определяется технологией химической очистки и финаль'ой подготовки.В-третьих, скорость конденсации материала.

При отработке технологических режимов металлизации критерием оценка качества являлись минимальные размеры и количество кристаллов включений. Была оптимизирована скорость конденсации хроаа, обеспечивающая наилучшие условия - 0,9 -i I на/с. Для покрытий,полученных методом ионно-плазмзнвого распыления, оснозной причиной роста крупных кристаллов является эрозия поверхности подложки распыляемым материалом. Поэтому умеренная скорость конденсации хрома 0,9..1 нм/с при ионно-плазыенно'м распылении обеспечивала получение достаточно равномерной структуры переходного слоя.

Таким образом, проведенные исследования подтвердили химическую природу сил сцепления пленки хрома со стеклянной подложкой за счет образования переходного слоя, содержащего продукты химических соединений хрома с элементами, входящими в состав-стекла.

При исследовании свойстз переходных слоев хроы-стекло било найдено, что скорость травления крастгллоз включений значительно меньше скорости травления матрацы. При химическом травлении отношение скоростей составляет (З...6)раз, при аонно-дучезом а ионно-химаческоа-(1,5...2) раза. Балачие кристаллов и их скоплений является одной из причин возникновения дефектов- покрытия типа "невытравленаыз точка".

Для всех полученных пленок были определены характеристики."старения". Они показали,.что величина адгезии.ЛЕбого покрытая хромо-увеличивается в течение перзых 20...30 cjток,.после чего стабилизируется - рис.4. Образцы хранилась пра комнатной температуре;на поверхность некоторых из них была вакесеаа геометичная пленка лака ХСЛ. . •

Механизм "старения" заключается, по-видимому, в следующем» При конденсации атомы хрома взаимодействуют"с кислородом а элементами, входящими в состав подложки. Согласно химической реакции Siûp+Cr "^tyiOy+Si образующиеся окасные соединения, в осеознол, определяют величину начальной адгезии покрытия, а атомарный кремний в процессе конденсации а в период "старения" взаимодействует с хро-

ыоы о образованием различных фаз. Адгезия системы при эхом увеличивается. Характер изаевеная величавы адгезии, начальные и конечные значения зависят от иетода подготозка подложек и технология металлизации. ото позволяет рассуазризать кралые "старения" как своеобразный паспорт покрытая. В данной работе кривые "старения" использовалась как инструыенг исследования тонких пленок, прозздлих операцию прогрева сразу после их получения. Данная операция привела к значительному увеличении адгезна - IIS.7I.I06 однако прз этой возросла дефектность покрытая за" счет появления териичёс-но» составляаце;', внутренних напряжении. йоэ.гому этз операция была исключена из дальне;: зего рассмотрения. Здесь же был репен вопрос о влияния кислорода на свойства пленок хроаа а возможности его использования для увеличения адгезии. С одяо2 стороны, кислород ае-обходим для обеспечения начально;: адгезии и умевьаеяия внутренних остаточных напрщени;:, с др^го;: стороны, он сильно влияет на качество травденйя покрытия и появление дефектов типа "невытраален-нке острозка и точка". Учитывая это,.в данной работе рекомендовано ограничение напуска количества кислорода в камеру на уровне I,2.I0~W на I литр откачиваемого обьема. сто исключает использование метода уменьшения внутренних остаючных напряжений за сче* напуска кислорода в каперу в момент конденсация материала.

исследования структур переходных слоев показала, что отжаг подложек как средство финидной подготовка обеспечивает хорошую очистку поверхности и получение на ней мелкозернистой структуры, что подтвердило возможность частичной замены операция химической очистка на операцию финииЕОй подготовки с поиоцью отжига а вакууме. Поэтому в Дайной работе был исследоэав этот метод финилноМ подго- . {озки подложек, определены режимы отжига-- температура порядка 570К, время - 15 ман. и разработана.технология осаждения хрома на отожженные- подложки, обзслечиваадая получение качественных каски-руодзх покрытий (таблица й 2). Здесь же было проведено исследование механизма тлещего разряда для-целей использования его в качестве средства финишной подготозка подложек при получении маскирующих покрытий. Было найдено, что для.уменьшения эрозии поверхности стекла и загрязнения подложки продуктами полимеризации паров насел вакуумных.насосов, необходимо применять плазму умеренной мощности -(12...16)55 oí наасйаального значения. Такой.умеренный режим обеспечивает только актвзацаэ поверхности, без ее эрозии,достаточную адгезию пленки и раваоы&рное ее удаление с подложки при травлении. Однако такой режим да«* положительный эффект только при на-

личии высококачественной химической очистки. В этой случае достигается высокое качество покрытий, что подтверждается результатами на заводе "Элаа". Б назем случае ара сочетании отечественных технологий химической очистки и умеренных режимов плазды тлеющего разряда при финишной подготовки обеспечивается получение покрути;; •■среднего качества (таблица й 2).

На следующем этапе работы определялась возможность использования методов ионао-плазаенвого а цагнетронного распыления хрома для по-Л1чения маскируквдх покрытий. Были отработаны оптимальные режимы процессов и прозедено исследование пленок, полученных этими методами. Оно.показало, что эти пленка отвечает всем требованиям, предъявляемым-к-маскирущиа пэкрытаян. Более того, по ряду параметров, например износостойкости, оптическое плотности, адгезии, они превосходят покрытая, полученные методой термического испарения. Для травления покрыта«, полученных методами ионво-плазаенно-го и магнетронного распыления; рекоиендовано использование аонно-лучевых и аонно-хиыаческах методов.

В заключительной части главы исследована возможность получения качественных маскирующих покрыта;! на подложках из стекла разного ! состава и на объемных, со сложно!! кривизной поверхности, подложках. Исследовалась пленки хрома, полеченные на подложках из стекла следующих марок: • - стекло Н8 ГОСТ 13240-78;

- флоат-стекло термической поларозки;

- кварцевое стекло КУ-1 (КУ-П), ГОСТ 15130-66; ■ - фотостекло Т16-17-527-83;

- стекло форматное специальное ТУ21-23-Ю1-77.

Лучаше по качеству маскирующие покрытия были получены на кварцевом стекле. Для возможности использований'всех марок стекол и всех видов заготовок, в данной часта работы была исследована возможность получения качественных маскаруд^ах покрытий на грунтующем подслое. Выполненные рзаее асследо^ная позволила сформулировать требования к подслою и выбрать материал - раствор кремникор- ■ ганической смолы МРПГ-09-1029-64 в толуоле. Были определены оптп-яеекие характеристика подложек с подслоем; ех пропускная способность для света.с'Д в 407 нм. состзвилз .93£ по сравнению с чисто;: стеклянной подложкой. Полученные на грунтую^ви подслое покрытая хромом имели дефектность 0,1.-.0,5 шт/са^ и отвечали остальным требованиям к маскирующим .покрытиям. Ьедостаткоы таких покрытий является их меньшая механическая износостойкость.

Глава 7 посвящена вопросу реализации полученных экспериментальных результатов. Проведена разработка методоз контроля частота хв»~ ческой очистки стеклянных подложек различных габаритов и форыы включающих 100% контроль поверхноста на наличие светящихся точек я выборочный контроль по узорам конденсации я по краевому углу смачивания по воде. Для операции контроля было изготовлено оборудование. Яонгроль поверхности на светящиеся точка проводился визуально « луче яркого коллимарованного света, для контроля по узорам конденсации использовался термоэлектронный столик, охлаждающий подаожка. Водяной пар подавался от блока нагрева. Для измерения краевого угла смачивания была разработана установка с точностью замера ? 0,5°. Полученные результаты позволила доработать технологии термического напыления хрома на подложки, предварительно обработанные плазмой тлеющего разряда за счет введения режимов плазмы мощностью (12... 16 от максимально^ мощности установки и вапуска азота в камеру при испарении материала. Разработана новая технология термического напыления хрома с предварительным отжигом подложек при температуре (573 4 8)Х в вакууме (й-...6).Ю~4Па., и осаждением хрома на поддож-ка при температуре (358*5)2. Проведена оптимизация режимов аонно-плаэменного а магнетронного распыления хрома для получения маскирующих покрытий. Выполнена модернизация установок типа УВН-75Р-1 (УВН-75Р-3) для проведения этой операции. Разработаны методики,оборудование и оснастка для проведения операций контроля качества маскирующих покрытий. Определены наиболее эффективные области прамене-ния разработанных технологии.

Результаты работы внедрены на ряде предприятий различных отраслей промышленности и дали экономический эффект более 88 тыс.рублей.

. Выводы .

Б настоящей диссертационной работе получены следующие результаты:

I.Разработана модель механической устойчивости и целостности покрытия, получены аналитические выражения напряжений разрушения.ад-, гезионного соединения. Установлено, что явление порообразования определяется действием двух механизмоз: механизмом возникновения внутренних остаточных напряжений и механизмом адгезии пленки-к подложке, поэтому обеспечение зысокого качества маскирующих покрытий а области уменьшения дефектности, возможно по-двум направлениям:

- увеличение адгезии покрытия к подложке;

- уменьшение внутренних остаточных напряжение и их перепада по

толщине покрытия.

Первое направление 'реализуется, в основной, за счех совершенно.: механической и химической доводка поверхности подложки, второе в случаях, когда какая доводка затруднена или незозможна, т.е. в случаях получения качественных маскирующих покрытий на подложках нестандартных по габариту и обгешых, со сложной кривизной повер-¿ности. .

¿.Получены ранее неизвестные зависимости величины внутренних остаточных напряжений в плевках хрома на стеклянных подложках от следующих параметров:

- холцины покрытия;

- метода получения: термическое осаждение и аонно-плазмавное распыление;

- геипературы подложка в процессе конденсации хрома;

- вакуумных условий процесса напыления.

Эти зависимости позволили определить основные ыехааазш возникновения внутренних остаточных-напряжений. Для покрытий,полученных методом ионво-алаэыенного распыления, основным механизмом является физико-химический, который обеспечивает получение незначительных по величине напряжений сжатия - порядка 0,8.10® ^/м^.В покрыгаях, подученных методом термического напыления з вакууме, преобладающим механизмом является структурам и в значительно ыеньабй степени фазино-хаыический и фазовый. Структурный.механизм ведет к полу-,стяжения, величина которых достигает значения

женый для покрытий, полученных методом термического напыления заключаются в создания условий конденсации материала, при которых увеличивается роль физико^хамзческах и фазовых напряжений,частично компенсирующих структурные. Найдены следующие пути уменьшения зе-дачивы.напряжений за счет:

- проведения процесса осаждения в среде азота давлением поряд-_ ка 1.10~3Па.; . . ..

осаждения хрома на нагретую до температуры порядка 360К подложку;

- введения малой дозы кислорода в остаточную атмосферу камеры при..конденсации материала;

использования грунтующего подслоя;. —^.применения методов ионно-плазмьнаого и магнетронного распыления.

3.Доказано, что отжиг подложек в высоком вакууме является качественный и стабильным методом финишной подготовки подложек при

снижения величины вн}трензих остаточных нап^д-

получения цаскирувдих покрытий. Разработана нозая технология-для получения качественных маскирующих покрытий на плоских нестандартных по габарита« и объемных, со сдоз.чс:: кряз.;зной лозвихяоста, подложках."Эта технология зхлвчает стж;:г подложек при температуре порядка 570К я кондеясацию хромз на них при температуре з районе 360К.•

^-Подтвержден химически,; механизм адгезия хрома к стеклянным подложкам за счет образования переходного слоя, содержащего продукты химических соединена!; хрома с элементами, входящими в состав стекла. Продукта соединений находятся в переходном сдое з виде мелкой сетки ила в вида отдельных кристаллов я их скоплений. Струя-, тура соединен«:;; соответствует структуре CrSi2 и ft"3rÄj Локазано, что покрытия, полученные методом термического напыления на отожженные в вакууме подложки, обладают разномерно.: мелкозернистой структурой.-

5.Hai-дено, что скорость химического и ионного травления продуктов химических соединений хрома аиге скорости травления материала плеЕки в виде чистого хрома. Это является одной из причин возникновения дефектов покрытия типа "неютравленяке точи".

6.Разработана технология получения качественных маскирующих покрытии методами ионно-плазменного ыагн¿тронного распыления.Лок-рытлл, полученные по данным технологиям хэрактерязуатс'я сложным аз-•реходнын слоем, поэтому для клс рекомендованы ионао-лучеэые и. ионнс-химическае методы травления. - _

7.Реализован метод получения покрытий хромом на грунтующем подслое. Подобран материал подслоя - раствор креыви::органи4еской смолы в толуоле. Нетод предназначен для получения качественных маскирующих покрытий в условиях, когда, отсутствует механическая доводка и созерзеззая химическая отмызкз подложек, т.е. для нестандартных по..габариту а форме подложек или для стандартных подлоаек фотошаблонов в условиях едадичного а иелкосерийного-произзодстза. - •

8.Разработанные технологии и методы контроля внедрены в проиыа-ленноста и дали экономически.; эффект более 86 тыс.рублей. '

Основные положения диссертационной работы опубликованы в следующих работах:

. 1.Трахтенберг А.Д.,Гакулина tf.ii.,Силаева Г.^.,Сапегин Г.Л., Ульянов З.В. "Отмывка стеклянных пластин при изготовлении хромовых дубликатов фотошаблонов". -"Электронная техника.Сер.2. Полупроводниковые прибора" 1972.Выл.1(65), C.I08...II3.

2Лщстман А.Е.,Рубцов ¿З.Н.,Донилез Б.Х.,Сапегин Г.*1. а др. "Использование молибдена для. изготовления маскирующих покрытий фотошаблонов". - "Электронная техника.Сер.2.Полупроводниковые приборы ' 1972.Вып.7(71), С.130...140.

ЗЛихтаан А.Е.,2знуЯгоэ А.Т.,Пятыаез В.;;.,Сапегин Г .У. "Элек-тронвографйческие а электронно-иикроскопаческие исследования ваку умно-осааденннх маскирующих пленок,прлыеняеиьэс для изготовления фотошаблонов". -"Электронная техника.Сер.г.Долупроводникозце приборы" 1974.Вып.1(83), с.19...27.

4.Рубцов Л.й..Лихтыан А.£.,Сапегия Г.ы. "Свойства иасаируЕзах пленок в производстве фотоааблоноз." -Обзоры по электронно;; техяа ке. 1975.Выл.4(286).

5.Сапеган Г.»1.,Грабов Б.Г. "Опыт работы по получений пленок хс ма методом аонно-плаэ^еняого распыления".Тезисы доклада на 2-од научно-технической совещании по фотолитографии и электронолмтогра фии. г.Фрязано.1978г. , *

6.Сапегин Г.;!.,Рубцов <1.К.,Серэгин А.I..Мартынов ¿1.0. "Получение пленок хрола методов аонно-плазиеяного распыления при проаз-

. водстзе фозод»блоноз|,.-,,Эдектро!Гсая техаака.Сер.2.Полупрозсднико-вые приборы" 1981.Вып.5(148),с.60...64.

7.Рубцов .¿1.Н.,Мартынов З.С.,Сапегин Г.л.,Серигин А.Л. "Сглы сцепления пленок хрома со стеклянной додлоккоГ.."-"Электронная тег нака.Сер.2.Полупроводниковые праборь;в.19Б2.3ылЛ(152),с.4о..-.50. -. 8.Серюган.АЛ.,Сапегин Г.З.,Лихтцая А.Е."лехакическ::е напряке-ния в маскирующих пленках хроыа".-||Электронная техника.Сер.г.По-лупроводниковые приборы" 1982.Вып.2(153),с.39.».43.

Э.Сапегвн Г.П.^Лспсльзованве операции отвага стеклянных подло/ аек при получении маскирующих пленок хроаа" -"иТО",1986, 19, с.4С ..42. •

•Ю.Сааегин Г.11.«Голикова Г.й. "Оптические свойства фотоааблош и их влияние на размеры элементов топологии" - "ДТО",1986, Ь 5, С.77...80. - - -

- П.Сапеган Г. У. "Характер "старения" пленок хроиа на стеклянных подложках" - "ВТО", 1966, £ 9, с.59.,.60.

12.Сапегин Г.И.,Орехова Г.З. "Контроль фотошаблонов на прециз онном измерительной приборе вл/£Ьоп-2 " - "НТО",1986, 13, с.64.

13.Сапегин Г.¿1.,Сорокина Е,3.,0рехоза Г.З. "Обоснование метод фоюмонтака для изготовления фотоааблоноз "¿С на Ц11Д"- д.с.п."ЯТ0 1986, Ё с.70...71. . (

14.Дирвялис АЛ. .Ушянскас А.Т.,Сапегиз Г.«Сорокина й.В.'Осо беаноста изготовления и измерения оригиналов а фотоааблонов тахо

ИИ«

ге аз

гд«^ I к н плз о л> *з

в и И «

0*а

О ее Н О)

ш д

КЗ

0 о £ о в: о К «

К 03

ы И ь 05 а » С5 ■Ой ;н со

1 м

О

о

« I

со

« о о сх лы а ш

В8"

ы

ш го

&

я ы •о ¡Л

ё 5

а> ш а:

с и

о «

«•и

£и СО

« га г: аз

80 К

Е (т!

О к о

Я ) а>гз I

ь-

я Е о 5

У « и

О) и N п

со п:

1- 01 ►з ш

К 3) со а.

« Я а я

^ о о о

СО х

в ^

13 о о о

а и И н

о а о

о ы £Ч ы

« X

■а со ы ш

ш

со о Ь) о

•а си

а я я »

Ы о ^ о

ге I 1 1

ь

а» оэ а т х к т

& I

^ о

■о §

3»

(Я

5

2 т ■о

5

напряжения в пленке

О м л. 01 Й О Й

«л

т*

СП

Сдвигаются ста

>5 я и toe авя^'

» те to I o oía о Я ta Я es w

teta o Ь со

напряжений в пленке

u: M « а о о t4>'* H «ta и E et>«-r, o o*u o sa

иахиыв ы oiehnkubh

avie в ш'а о tn о ta ч :о с со чия'вамоА о и о оз г-'. ы » » ы jy • t," а •

Яа ti со св со о и о (т1 }а к а: о и U i яЧ œ v. а я m wo

с- ш нч w-r- с» »3 R R ta ы о

- wKoSSH-.

ааа® а к «

о о » « ар о;

»»В оаи

гз i a w а

0 i а ta eis о t>! » lu

1 I

ь: te

"¿3

ota

о ai

►3 DJ

ci ta w

0 о

л о

ЕС О

KS

ta и W о)

ci ц

•о ß

SO ги

1 Hl

-3

О

и

BS IS о >--

^ X

g

гз

S a

m о X

S*

M

со о

il ■«■> III

ю Jfr-

-B»

о «

f

M

o>

Напряжения в пленке